JPH0589718A - 導体ペースト - Google Patents
導体ペーストInfo
- Publication number
- JPH0589718A JPH0589718A JP1834292A JP1834292A JPH0589718A JP H0589718 A JPH0589718 A JP H0589718A JP 1834292 A JP1834292 A JP 1834292A JP 1834292 A JP1834292 A JP 1834292A JP H0589718 A JPH0589718 A JP H0589718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- powder
- conductor paste
- bismuth
- binder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣａＯ含量が多い低温焼成アルミナ基板に対
して変色を発生させず、半田付けが容易で、基板との接
着力が良い電極を形成することができる導体ペーストを
提供する。 【構成】 金属粉、ガラス粉および酸化物粉よりなる導
体ペーストにおいてＢｉ2 Ｏ3 を含有し、Ｃａ，Ｓｒ，
Ｔａ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓ
ｍ，Ｄｙ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｈ
ｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ等の酸化物の一種以上を含み、それら
が、酸化物単体、酸化ビスマスとの固溶体あるいは化合
物である導体ペーストである。
して変色を発生させず、半田付けが容易で、基板との接
着力が良い電極を形成することができる導体ペーストを
提供する。 【構成】 金属粉、ガラス粉および酸化物粉よりなる導
体ペーストにおいてＢｉ2 Ｏ3 を含有し、Ｃａ，Ｓｒ，
Ｔａ，Ｚｒ，Ｓｂ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓ
ｍ，Ｄｙ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｈ
ｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ等の酸化物の一種以上を含み、それら
が、酸化物単体、酸化ビスマスとの固溶体あるいは化合
物である導体ペーストである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にＲｕＯ2 系抵抗体
の電極として好適な導体ペーストに関するものである。
の電極として好適な導体ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】厚膜抵抗体の電極として、銀粉、パラジ
ウム粉、銀−パラジウム合金粉等を導電成分とし、無機
質結合剤と共に有機ビヒクルに均一に分散混練したＡｇ
−Ｐｄ系厚膜導体ペーストが用いられている。このペー
ストは無機成分を１００％とすると通常導電成分８０〜
９５重量％（Ａｇ／Ｐｄ比＝１．６〜１９）、無機質結
合剤５〜２０重量％からなる固形分を有機ビヒクルに分
散させたもので、無機質結合剤は一般にガラスおよび酸
化ビスマスよりなっている。全組成としては例えばＡｇ
６５重量％、Ｐｄ７．５重量％、ガラス４．４重量％、
Ｂｉ2 Ｏ3 ６重量％、その他の酸化物（例えばＣｕＯ、
Ｖ2 Ｏ5 等）２．６重量％、有機ビヒクル１４．５重量
％のようである。通常この様なペーストをセラミック基
板上に印刷、乾燥後、焼成して電極を形成する。
ウム粉、銀−パラジウム合金粉等を導電成分とし、無機
質結合剤と共に有機ビヒクルに均一に分散混練したＡｇ
−Ｐｄ系厚膜導体ペーストが用いられている。このペー
ストは無機成分を１００％とすると通常導電成分８０〜
９５重量％（Ａｇ／Ｐｄ比＝１．６〜１９）、無機質結
合剤５〜２０重量％からなる固形分を有機ビヒクルに分
散させたもので、無機質結合剤は一般にガラスおよび酸
化ビスマスよりなっている。全組成としては例えばＡｇ
６５重量％、Ｐｄ７．５重量％、ガラス４．４重量％、
Ｂｉ2 Ｏ3 ６重量％、その他の酸化物（例えばＣｕＯ、
Ｖ2 Ｏ5 等）２．６重量％、有機ビヒクル１４．５重量
％のようである。通常この様なペーストをセラミック基
板上に印刷、乾燥後、焼成して電極を形成する。
【０００３】これまで用いられるセラミック基板は、通
常９６重量％アルミナ品であり、１５００℃程度で焼成
されバルク組成としては例えばＡｌ2 Ｏ3 ９４重量％、
ＳｉＯ2 ４重量％、ＭｇＯ０．８重量％、ＣａＯ０．１
重量％以下である。ところが、さらに電子部品のコスト
ダウンをはかるためセラミック基板として同じ９６重量
％品でもより低温で焼成したアルミナ基板の使用がなさ
れつつある。
常９６重量％アルミナ品であり、１５００℃程度で焼成
されバルク組成としては例えばＡｌ2 Ｏ3 ９４重量％、
ＳｉＯ2 ４重量％、ＭｇＯ０．８重量％、ＣａＯ０．１
重量％以下である。ところが、さらに電子部品のコスト
ダウンをはかるためセラミック基板として同じ９６重量
％品でもより低温で焼成したアルミナ基板の使用がなさ
れつつある。
【０００４】低温焼成した９６重量％アルミナ基板は、
低温での焼成を可能とするために通常焼成の基板とは焼
結助材の組成が異なっている。特にＣａＯ濃度において
明かな差が認められ、通常焼成品では、約０．１重量％
であるのに対して低温焼成した基板では約０．２５重量
％であることが確認された。このような不純物特にＣａ
Ｏは、粒界および表面に析出し、濃縮され、バルク組成
よりも表面組成の方が約１０倍程度濃度が高くなること
が報告されている。（Ｐ．Ｆ．Ｂｅｃｈｅｒａｎｄ
Ｊ．Ｓ．Ｍｕｒｄａｙ，Ｐｒｏｃ．ＩＳＨＭ Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕｍ，ｐ２３５（１９７６））。酸化ビスマスは
酸化カルシウムと固溶体を形成し酸化ビスマスの融体の
表面張力を減少させるため、この表面層の高いＣａＯ濃
度が原因となって染みだしを生じていることが見いださ
れた。この染みだしの原因となっているペースト中の酸
化ビスマスは半田濡れ性およびアルミナ基板との接着強
度を維持するためには導体ペーストの結合剤として欠く
べからざる成分である。
低温での焼成を可能とするために通常焼成の基板とは焼
結助材の組成が異なっている。特にＣａＯ濃度において
明かな差が認められ、通常焼成品では、約０．１重量％
であるのに対して低温焼成した基板では約０．２５重量
％であることが確認された。このような不純物特にＣａ
Ｏは、粒界および表面に析出し、濃縮され、バルク組成
よりも表面組成の方が約１０倍程度濃度が高くなること
が報告されている。（Ｐ．Ｆ．Ｂｅｃｈｅｒａｎｄ
Ｊ．Ｓ．Ｍｕｒｄａｙ，Ｐｒｏｃ．ＩＳＨＭ Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕｍ，ｐ２３５（１９７６））。酸化ビスマスは
酸化カルシウムと固溶体を形成し酸化ビスマスの融体の
表面張力を減少させるため、この表面層の高いＣａＯ濃
度が原因となって染みだしを生じていることが見いださ
れた。この染みだしの原因となっているペースト中の酸
化ビスマスは半田濡れ性およびアルミナ基板との接着強
度を維持するためには導体ペーストの結合剤として欠く
べからざる成分である。
【０００５】そこでこの問題を解決するためには、導体
ペーストの酸化ビスマスの含有率を少なくすれば良いこ
とになる。しかしながら、この様にすると電極と基板の
接着強度が低下するだけでなく、半田濡れ性、耐半田性
の低下を招くため、酸化ビスマス含有率を下げるわけに
はいかない。このため、ＣａＯ含有率の高い低温焼成ア
ルミナ基板に対しても変色が生じない導体ペーストの開
発が望まれている。
ペーストの酸化ビスマスの含有率を少なくすれば良いこ
とになる。しかしながら、この様にすると電極と基板の
接着強度が低下するだけでなく、半田濡れ性、耐半田性
の低下を招くため、酸化ビスマス含有率を下げるわけに
はいかない。このため、ＣａＯ含有率の高い低温焼成ア
ルミナ基板に対しても変色が生じない導体ペーストの開
発が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、ＣａＯ含量が多い低温焼成したアルミナ基板にたい
しても変色が発生せず、半田付けが容易でしかも基板と
の接着力の良好な電極を形成し得る導体ペーストを提供
することにある。
は、ＣａＯ含量が多い低温焼成したアルミナ基板にたい
しても変色が発生せず、半田付けが容易でしかも基板と
の接着力の良好な電極を形成し得る導体ペーストを提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、第１に銀粉、パラジウム粉、銀−パラジ
ウム合金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉
を結合剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結
合剤中に１〜８重量％の酸化ビスマスを含有し、酸化カ
ルシウム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジ
ルコニウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化クロ
ム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、
酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウ
ム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロ
ピウム、酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化
ハフニウムのうちから選ばれる一種類以上の酸化物を含
有する点に特徴がある。更に酸化ビスマスに対するモル
比が酸化カルシウムおよび酸化ストロンチウムでは０．
８〜１．３、酸化クロム、酸化アンチモンおよび酸化イ
ットリウムでは０．４８〜１．９、酸化タンタルおよび
酸化ニオブでは０．２１〜１．９、酸化ジルコニウムで
は０．３〜１．８、酸化ハフニウムでは０．３〜１．
５、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸
化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウ
ム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホル
ミウムおよび酸化ガドリニウムでは０．２９〜１．４で
あることを特徴とするものである。
に、本発明は、第１に銀粉、パラジウム粉、銀−パラジ
ウム合金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉
を結合剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結
合剤中に１〜８重量％の酸化ビスマスを含有し、酸化カ
ルシウム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジ
ルコニウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化クロ
ム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、
酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウ
ム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロ
ピウム、酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化
ハフニウムのうちから選ばれる一種類以上の酸化物を含
有する点に特徴がある。更に酸化ビスマスに対するモル
比が酸化カルシウムおよび酸化ストロンチウムでは０．
８〜１．３、酸化クロム、酸化アンチモンおよび酸化イ
ットリウムでは０．４８〜１．９、酸化タンタルおよび
酸化ニオブでは０．２１〜１．９、酸化ジルコニウムで
は０．３〜１．８、酸化ハフニウムでは０．３〜１．
５、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸
化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウ
ム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホル
ミウムおよび酸化ガドリニウムでは０．２９〜１．４で
あることを特徴とするものである。
【０００８】第２に銀粉、パラジウム粉、銀−パラジウ
ム合金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉を
結合剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結合
剤中に１〜８重量％の酸化ビスマスを含有し、酸化カル
シウム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジル
コニウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化モリブデ
ン、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化クロム、
酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化
サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、
酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウ
ム、酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化ハフ
ニウムのうちから選ばれる一種類以上と該酸化ビスマス
との固溶体または化合物からなる酸化物を含有する点に
特徴があり、更に酸化ビスマスに対するモル比が酸化カ
ルシウムおよび酸化ストロンチウムでは０．１９〜０．
４３、酸化バナジウム、酸化タンタルおよび酸化ニオブ
では０．０４〜０．１１、酸化モリブデンおよび酸化タ
ングステンでは０．０９〜０．１８、酸化イットリウム
では０．０４〜０．１４、酸化クロムでは０．０８〜
０．１９、酸化アンチモンでは０．０２〜０．２５、酸
化ジルコニウムでは０．０２〜０．０６、酸化ランタ
ン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオ
ジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウムおよび酸化
ガドリニウムでは０．０４〜０．２５であることを特徴
とするものである。
ム合金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉を
結合剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結合
剤中に１〜８重量％の酸化ビスマスを含有し、酸化カル
シウム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジル
コニウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化モリブデ
ン、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化クロム、
酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化
サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、
酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウ
ム、酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化ハフ
ニウムのうちから選ばれる一種類以上と該酸化ビスマス
との固溶体または化合物からなる酸化物を含有する点に
特徴があり、更に酸化ビスマスに対するモル比が酸化カ
ルシウムおよび酸化ストロンチウムでは０．１９〜０．
４３、酸化バナジウム、酸化タンタルおよび酸化ニオブ
では０．０４〜０．１１、酸化モリブデンおよび酸化タ
ングステンでは０．０９〜０．１８、酸化イットリウム
では０．０４〜０．１４、酸化クロムでは０．０８〜
０．１９、酸化アンチモンでは０．０２〜０．２５、酸
化ジルコニウムでは０．０２〜０．０６、酸化ランタ
ン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオ
ジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウムおよび酸化
ガドリニウムでは０．０４〜０．２５であることを特徴
とするものである。
【０００９】
【作用】該導体ペースト中において酸化ビスマスは該結
合剤中に１〜８重量％、望ましくは４〜６重量％含有さ
れねばならない。１重量％未満では耐半田性が悪化し、
８重量％を越えると半田の濡れ性が減少して問題を生ず
る。
合剤中に１〜８重量％、望ましくは４〜６重量％含有さ
れねばならない。１重量％未満では耐半田性が悪化し、
８重量％を越えると半田の濡れ性が減少して問題を生ず
る。
【００１０】酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸
化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化
ニオブ、酸化クロム、酸化イットリウム、酸化ランタ
ン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオ
ジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウム、酸化ガド
リニウムおよび酸化ハフニウム等の酸化物は、これらの
１種類以上を該結合剤中に含有しなければならないが、
更にこれらの酸化物は酸化ビスマスとの固溶体又は化合
物の形態で含有してもよい。しかしながら、酸化モリブ
デン、酸化タングステンおよび酸化バナジウムについて
は、必ず酸化ビスマスとの固溶体又は化合物の形態で該
結合剤中に含有させなければならない。
化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化
ニオブ、酸化クロム、酸化イットリウム、酸化ランタ
ン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオ
ジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウム、酸化ガド
リニウムおよび酸化ハフニウム等の酸化物は、これらの
１種類以上を該結合剤中に含有しなければならないが、
更にこれらの酸化物は酸化ビスマスとの固溶体又は化合
物の形態で含有してもよい。しかしながら、酸化モリブ
デン、酸化タングステンおよび酸化バナジウムについて
は、必ず酸化ビスマスとの固溶体又は化合物の形態で該
結合剤中に含有させなければならない。
【００１１】該酸化物、酸化物との固溶体または化合物
は、酸化ビスマスに対してそれぞれ前記したモル比の範
囲で配合しなければならない。それぞれのモル比の範囲
で、下限値未満では変色防止の効果が劣り、上限値を超
えると基板とペーストとの接着強度および半田濡れ性が
悪化するので問題である。酸化ビスマスについては、該
ガラス粉中であっても、該酸化物粉中であっても差し支
えなく利用できる。該固溶体は、例えば酸化ビスマスと
酸化ジルコニウムの場合では、酸化ビスマスに対して
０．０２〜０．０６のモル比で混合し、約８００℃に加
熱し、１５時間保持すれば立方晶体として得ることがで
きる。該酸化物、固溶体および化合物は３２５メッシュ
以上の紛体として添加することが望ましい。
は、酸化ビスマスに対してそれぞれ前記したモル比の範
囲で配合しなければならない。それぞれのモル比の範囲
で、下限値未満では変色防止の効果が劣り、上限値を超
えると基板とペーストとの接着強度および半田濡れ性が
悪化するので問題である。酸化ビスマスについては、該
ガラス粉中であっても、該酸化物粉中であっても差し支
えなく利用できる。該固溶体は、例えば酸化ビスマスと
酸化ジルコニウムの場合では、酸化ビスマスに対して
０．０２〜０．０６のモル比で混合し、約８００℃に加
熱し、１５時間保持すれば立方晶体として得ることがで
きる。該酸化物、固溶体および化合物は３２５メッシュ
以上の紛体として添加することが望ましい。
【００１２】
【実施例】組成がＢａＯ５１重量％、ＳｉＯ2 ３５重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 ５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ５重量％、ＺｎＯ
２．５重量％、Ｖ2 Ｏ5 １．５重量％のガラス粉を用意
し、このガラス粉にＢｉ2 Ｏ3 および各酸化物を添加し
Ａｇ−Ｐｄ系導体ペーストを調製した。ペーストの組成
を表１〜表５に示す。有機ビヒクルはエチルセルロース
を２０重量％含有するタービネオール溶液であり、Ａｇ
粉は平均粒径１μｍの粒状粉、Ｐｄは平均粒径０．０５
μｍのものを用いた。調製した導体ペーストをアルミナ
基板上に印刷後、焼成し、基板に変色が現われるか否か
を調べた。この時、用意した基板は９６重量％アルミナ
基板で、バルクのＣａＯ濃度は０．２４重量％のもので
ある。
％、Ａｌ2 Ｏ3 ５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ５重量％、ＺｎＯ
２．５重量％、Ｖ2 Ｏ5 １．５重量％のガラス粉を用意
し、このガラス粉にＢｉ2 Ｏ3 および各酸化物を添加し
Ａｇ−Ｐｄ系導体ペーストを調製した。ペーストの組成
を表１〜表５に示す。有機ビヒクルはエチルセルロース
を２０重量％含有するタービネオール溶液であり、Ａｇ
粉は平均粒径１μｍの粒状粉、Ｐｄは平均粒径０．０５
μｍのものを用いた。調製した導体ペーストをアルミナ
基板上に印刷後、焼成し、基板に変色が現われるか否か
を調べた。この時、用意した基板は９６重量％アルミナ
基板で、バルクのＣａＯ濃度は０．２４重量％のもので
ある。
【００１３】２．５４ｃｍ角のアルミナ基板に２ｍｍ角
の電極を２ｍｍ間隔で９個（３×３）パターンでスクリ
ーン印刷し、８５０℃で焼成し電極を形成した。変色の
有無は目視で変色が認められるものを×、光学顕微鏡観
察で変色が認められるものを△、また認められないもの
を○とした。
の電極を２ｍｍ間隔で９個（３×３）パターンでスクリ
ーン印刷し、８５０℃で焼成し電極を形成した。変色の
有無は目視で変色が認められるものを×、光学顕微鏡観
察で変色が認められるものを△、また認められないもの
を○とした。
【００１４】さらに２．５４ｃｍ角のアルミナ基板に導
体ペーストを２ｍｍ角で印刷し、８５０℃で焼成後、導
体部に線径０．６５ｍｍの錫メッキ銅線を３７重量％Ｐ
ｂ−Ｓｎ半田で接合し、引っ張り試験を行なった。引っ
張り試験は接合直後と１５０℃に２４時間放置した後の
２回行なった。直後では４．５ｋｇ以上１５０℃２４時
間放置後では１．５ｋｇ以上を合格とする。表１〜表５
に試験結果を示す。明らかなように本発明例はＣａＯの
含有量が高い低温焼成基板を用いても、基板の変色を起
こさず、接着強度も維持できる。
体ペーストを２ｍｍ角で印刷し、８５０℃で焼成後、導
体部に線径０．６５ｍｍの錫メッキ銅線を３７重量％Ｐ
ｂ−Ｓｎ半田で接合し、引っ張り試験を行なった。引っ
張り試験は接合直後と１５０℃に２４時間放置した後の
２回行なった。直後では４．５ｋｇ以上１５０℃２４時
間放置後では１．５ｋｇ以上を合格とする。表１〜表５
に試験結果を示す。明らかなように本発明例はＣａＯの
含有量が高い低温焼成基板を用いても、基板の変色を起
こさず、接着強度も維持できる。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】
【表４】
【００１９】
【表５】
【発明の効果】本発明を実施することにより、ＣａＯ含
量の多い低温焼成アルミナ基板に対して、変色を発生せ
ず、半田付けが容易で基板との接着力も良好な電極を形
成できるので、その効果は大である。
量の多い低温焼成アルミナ基板に対して、変色を発生せ
ず、半田付けが容易で基板との接着力も良好な電極を形
成できるので、その効果は大である。
Claims (4)
- 【請求項１】 銀粉、パラジウム粉、銀−パラジウム合
金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉を結合
剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結合剤中
に１〜８重量％の酸化ビスマスを含有し、酸化カルシウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジルコニ
ウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化クロム、酸化
イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマ
リウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、酸化
ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウム、
酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化ハフニウ
ムのうちから選ばれる一種類以上の酸化物を含有するこ
とを特徴とする導体ペースト。 - 【請求項２】 銀粉、パラジウム粉、銀−パラジウム合
金粉等を導電成分とし、ガラス粉および酸化物粉を結合
剤として含有する導体ペーストにおいて、前記結合剤中
に１〜８重量％の酸化ビスマスを含有し、酸化カルシウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化タンタル、酸化ジルコニ
ウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化モリブデン、
酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化
イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化サマ
リウム、酸化ジスプロシウム、酸化ルテチニウム、酸化
ネオジウム、酸化プラセオジウム、酸化ユーロピウム、
酸化ホルミウム、酸化ガドリニウムおよび酸化ハフニウ
ムのうちから選ばれる一種類以上と該酸化ビスマスとの
固溶体または化合物からなる酸化物を含有することを特
徴とする導体ペースト。 - 【請求項３】 酸化ビスマスに対するモル比が酸化カル
シウムおよび酸化ストロンチウムでは０．８〜１．３、
酸化クロム、酸化アンチモンおよび酸化イットリウムで
は０．４８〜１．９、酸化タンタルおよび酸化ニオブで
は０．２１〜１．９、酸化ジルコニウムでは０．３〜
１．８、酸化ハフニウムでは０．３〜１．５、酸化ラン
タン、酸化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシ
ウム、酸化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセ
オジウム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウムおよび酸
化ガドリニウムでは０．２９〜１．４であることを特徴
とする請求項１記載の導体ペースト。 - 【請求項４】 酸化ビスマスに対するモル比が酸化カル
シウムおよび酸化ストロンチウムでは０．１９〜０．４
３、酸化バナジウム、酸化タンタルおよび酸化ニオブで
は０．０４〜０．１１、酸化モリブデンおよび酸化タン
グステンでは０．０９〜０．１８、酸化イットリウムで
は０．０４〜０．１４、酸化クロムでは０．０８〜０．
１９、酸化アンチモンでは０．０２〜０．２５、酸化ジ
ルコニウムでは０．０２〜０．０６、酸化ランタン、酸
化セリウム、酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム、酸
化ルテチニウム、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウ
ム、酸化ユーロピウム、酸化ホルミウムおよび酸化ガド
リニウムでは０．０４〜０．２５であることを特徴とす
る請求項２記載の導体ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1834292A JPH0589718A (ja) | 1991-01-16 | 1992-01-08 | 導体ペースト |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1489091 | 1991-01-16 | ||
| JP3-82986 | 1991-03-25 | ||
| JP3-14890 | 1991-03-25 | ||
| JP8298691 | 1991-03-25 | ||
| JP1834292A JPH0589718A (ja) | 1991-01-16 | 1992-01-08 | 導体ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589718A true JPH0589718A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=27280806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1834292A Pending JPH0589718A (ja) | 1991-01-16 | 1992-01-08 | 導体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589718A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998005045A1 (en) * | 1996-07-26 | 1998-02-05 | Tdk Corporation | Conductor paste and multilayer ceramic part using the same |
| US6110569A (en) * | 1997-10-16 | 2000-08-29 | Tdk Corporation | Conductive paste and non-reciprocal device using the same |
| WO2008014677A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-02-07 | Kezheng Wang | Boue d'électrode de terres rares destinée à un circuit à couche épaisse de terres rares basé sur un substrat métallique et procédé de production correspondant |
| JP2008192401A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Kyoto Elex Kk | 導電性ペースト |
| CN102270513A (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 氧化铝基板使用的厚膜导体浆料及其制备方法 |
| KR101148259B1 (ko) * | 2010-11-29 | 2012-05-21 | 삼성전기주식회사 | 칩 저항기 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP1834292A patent/JPH0589718A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998005045A1 (en) * | 1996-07-26 | 1998-02-05 | Tdk Corporation | Conductor paste and multilayer ceramic part using the same |
| US6110569A (en) * | 1997-10-16 | 2000-08-29 | Tdk Corporation | Conductive paste and non-reciprocal device using the same |
| WO2008014677A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-02-07 | Kezheng Wang | Boue d'électrode de terres rares destinée à un circuit à couche épaisse de terres rares basé sur un substrat métallique et procédé de production correspondant |
| JP2008192401A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Kyoto Elex Kk | 導電性ペースト |
| CN102270513A (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 氧化铝基板使用的厚膜导体浆料及其制备方法 |
| KR101148259B1 (ko) * | 2010-11-29 | 2012-05-21 | 삼성전기주식회사 | 칩 저항기 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2793912B2 (ja) | 熱サイクル接着性およびエージング接着性の高い銀に富む導電体組成物 | |
| KR920003225B1 (ko) | 반도체 세라믹 조성물 | |
| JP2009152399A (ja) | バリスタ | |
| JPH0589718A (ja) | 導体ペースト | |
| JPH0574166B2 (ja) | ||
| IE53277B1 (en) | Conductive composition comprising copper,and flash bar produced therewith | |
| JP2002163928A (ja) | ガラス組成物およびこれを用いた厚膜ペースト | |
| JPH0955118A (ja) | 導体ペーストおよびセラミック積層コンデンサ | |
| JP2598872B2 (ja) | ガラスセラミックス多層基板 | |
| EP1632961A1 (en) | Thick-film resistor paste and thick-film resistor | |
| US5792716A (en) | Thick film having acid resistance | |
| JPH05128909A (ja) | 導体ペースト | |
| JP3030558B2 (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| JPH1012043A (ja) | 導電性組成物および粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
| JP2937073B2 (ja) | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 | |
| EP1632958A1 (en) | A glass composition, a thick-film resistor paste comprising the glass composition, a thick-film resistor comprising the thick-film resistor paste and an electronic device comprising the thick-film resistor | |
| JPS625508A (ja) | 導電ペ−スト | |
| JP3538699B2 (ja) | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 | |
| JP3315182B2 (ja) | セラミック基板用組成物 | |
| JPH0548225A (ja) | 導体ペースト | |
| JP2006066475A (ja) | 厚膜抵抗体形成用組成物、厚膜抵抗体の形成方法及び厚膜抵抗体 | |
| JPS62179103A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPH05159620A (ja) | 導体ペースト | |
| JPH038760A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0770370B2 (ja) | 厚膜抵抗体形成用組成物 |