JPH0574650A - 積層セラミツクコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH0574650A JPH0574650A JP3236102A JP23610291A JPH0574650A JP H0574650 A JPH0574650 A JP H0574650A JP 3236102 A JP3236102 A JP 3236102A JP 23610291 A JP23610291 A JP 23610291A JP H0574650 A JPH0574650 A JP H0574650A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電容量変化率を小さくし、しかもコンデン
サの小型化や高容量化、コストダウンを図ることができ
る積層セラミックコンデンサ及びその製造方法の提供を
目的とする。 【構成】 キュリー点の異なるセラミックシートS1…S1
0に炭素系インク２を塗布し、これらを重畳して焼結さ
せ、炭素系インク２を焼却して空孔層４を形成する。こ
の後、空孔層４に鉛等を注入して内部電極41、42を形成
する。キュリー点の異なる複数のセラミックシートの積
層により、対数混合則に基づき静電容量変化率を抑える
ことができ、又、焼結時、各境界面に空孔層４が位置し
て拡散反応を防止する。更に、焼結後に空孔層４を利用
して内部電極41、42を注入するので、安価な鉛等による
コストダウン、又コンデンサの小型化が実現される。
サの小型化や高容量化、コストダウンを図ることができ
る積層セラミックコンデンサ及びその製造方法の提供を
目的とする。 【構成】 キュリー点の異なるセラミックシートS1…S1
0に炭素系インク２を塗布し、これらを重畳して焼結さ
せ、炭素系インク２を焼却して空孔層４を形成する。こ
の後、空孔層４に鉛等を注入して内部電極41、42を形成
する。キュリー点の異なる複数のセラミックシートの積
層により、対数混合則に基づき静電容量変化率を抑える
ことができ、又、焼結時、各境界面に空孔層４が位置し
て拡散反応を防止する。更に、焼結後に空孔層４を利用
して内部電極41、42を注入するので、安価な鉛等による
コストダウン、又コンデンサの小型化が実現される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は積層セラミックコンデン
サ及びその製造方法に関し、特に静電容量変化率を低く
抑えつつ、コンデンサの小型化、高容量化及びコストダ
ウンを図ることができる積層セラミックコンデンサの構
成及び製造方法に関する。
サ及びその製造方法に関し、特に静電容量変化率を低く
抑えつつ、コンデンサの小型化、高容量化及びコストダ
ウンを図ることができる積層セラミックコンデンサの構
成及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは蓄電器の一
種として用いられており、その蓄電能力は静電容量とし
て表わされる。そして、この静電容量の温度変化率は、
可能な限り小さいことが望ましく、一般的には、使用温
度−55℃から＋125℃の間で、静電容量変化率が±15％
以内であるＸ７Ｒ特性のコンデンサが用いられている。
しかし、誘電体としてのセラミックのキュリー点が、こ
の−55℃から＋125℃の範囲内に位置する場合は、温度
環境の変化によって静電容量に著しい変化が生じ、コン
デンサとしての機能が損われる虞がある。つまり、図６
Ａに示す変化曲線81のように、−５℃近傍に誘電体のキ
ュリー点K1が位置する場合、例えば60℃以上の環境下に
おいては−20％を越える静電容量の変化が生じてしまい
コンデンサが正常に機能しない。
種として用いられており、その蓄電能力は静電容量とし
て表わされる。そして、この静電容量の温度変化率は、
可能な限り小さいことが望ましく、一般的には、使用温
度−55℃から＋125℃の間で、静電容量変化率が±15％
以内であるＸ７Ｒ特性のコンデンサが用いられている。
しかし、誘電体としてのセラミックのキュリー点が、こ
の−55℃から＋125℃の範囲内に位置する場合は、温度
環境の変化によって静電容量に著しい変化が生じ、コン
デンサとしての機能が損われる虞がある。つまり、図６
Ａに示す変化曲線81のように、−５℃近傍に誘電体のキ
ュリー点K1が位置する場合、例えば60℃以上の環境下に
おいては−20％を越える静電容量の変化が生じてしまい
コンデンサが正常に機能しない。
【０００３】この為、一般にセラミック組成材料として
使用されているチタン酸バリウム系等に、他の成分を添
加又は固溶して温度特性を変化させ、キュリー点を移動
させて静電容量を安定させる方法がある。しかし、この
方法によれば静電容量変化を抑えることはできるが、反
面、その誘電率は2000ないし3000と低下し、大きな静電
容量を得ることができないという欠点がある。
使用されているチタン酸バリウム系等に、他の成分を添
加又は固溶して温度特性を変化させ、キュリー点を移動
させて静電容量を安定させる方法がある。しかし、この
方法によれば静電容量変化を抑えることはできるが、反
面、その誘電率は2000ないし3000と低下し、大きな静電
容量を得ることができないという欠点がある。
【０００４】この為、他の方法として、キュリー点の異
なる複数のセラミックを重畳し、積層セラミックコンデ
ンサを形成するものがある。例えば、図６Ａに示す変化
曲線81及び変化曲線82を有する二つのセラミックを組合
わせ、キュリー点を二つ形成した場合、対数混合則に基
づきコンデンサ全体の静電容量変化率を小さくすること
ができる。
なる複数のセラミックを重畳し、積層セラミックコンデ
ンサを形成するものがある。例えば、図６Ａに示す変化
曲線81及び変化曲線82を有する二つのセラミックを組合
わせ、キュリー点を二つ形成した場合、対数混合則に基
づきコンデンサ全体の静電容量変化率を小さくすること
ができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の積層セラミ
ックコンデンサには次のような問題があった。上述のコ
ンデンサを製造する場合、まずキュリー点の異なるセラ
ミック組成材を積層し、続いてこれを一体として焼結さ
せる。ところが、この焼結時に各セラミック組成材の間
で拡散反応が起こり、それぞれのキュリー点が一つに近
づいてしまうという問題を生じる。これでは複数のキュ
リー点を持つ誘電体セラミック層を形成することができ
ず、静電容量変化率を抑えることができない。
ックコンデンサには次のような問題があった。上述のコ
ンデンサを製造する場合、まずキュリー点の異なるセラ
ミック組成材を積層し、続いてこれを一体として焼結さ
せる。ところが、この焼結時に各セラミック組成材の間
で拡散反応が起こり、それぞれのキュリー点が一つに近
づいてしまうという問題を生じる。これでは複数のキュ
リー点を持つ誘電体セラミック層を形成することができ
ず、静電容量変化率を抑えることができない。
【０００６】そこで特開昭64-64210号公報記載の積層セ
ラミックコンデンサが提案されている。この積層セラミ
ックコンデンサの概略を図６Ｂに示す。コンデンサ内に
は第一内部電極N1と第二内部電極N2とが交互に配置され
ており、これら内部電極の端面には各々第一外部電極G1
と第二外部電極G2とが接続されている。そして、図に示
すコンデンサは、誘電体としてキュリー点の異なる二つ
のセラミック85、86が用いられている。
ラミックコンデンサが提案されている。この積層セラミ
ックコンデンサの概略を図６Ｂに示す。コンデンサ内に
は第一内部電極N1と第二内部電極N2とが交互に配置され
ており、これら内部電極の端面には各々第一外部電極G1
と第二外部電極G2とが接続されている。そして、図に示
すコンデンサは、誘電体としてキュリー点の異なる二つ
のセラミック85、86が用いられている。
【０００７】セラミック85、86の境界面には空孔層87が
形成されて、両セラミックを遮断している。この空孔層
87の介在により焼結時に生じる拡散反応が防止され、キ
ュリー点が一つになることを回避することが可能とな
る。すなわち、誘電率を高く維持しつつ、静電容量変化
率を小さくすることができる。
形成されて、両セラミックを遮断している。この空孔層
87の介在により焼結時に生じる拡散反応が防止され、キ
ュリー点が一つになることを回避することが可能とな
る。すなわち、誘電率を高く維持しつつ、静電容量変化
率を小さくすることができる。
【０００８】しかし、図６Ｂに示すセラミックコンデン
サには、次のような問題があった。セラミックコンデン
サ内に形成されている空孔層87は焼結時の拡散反応を防
止する為のものであるが、この空孔層87のスペースの為
にコンデンサの小型化が阻害されるという問題がある。
特に、より安定した静電容量を得る為にはキュリー点の
異なるセラミック組成材を多数、積層する必要がある
が、このような場合、各々の境界面に空孔層を位置させ
なければならず、コンデンサの小型化が著しく阻害され
てしまう。
サには、次のような問題があった。セラミックコンデン
サ内に形成されている空孔層87は焼結時の拡散反応を防
止する為のものであるが、この空孔層87のスペースの為
にコンデンサの小型化が阻害されるという問題がある。
特に、より安定した静電容量を得る為にはキュリー点の
異なるセラミック組成材を多数、積層する必要がある
が、このような場合、各々の境界面に空孔層を位置させ
なければならず、コンデンサの小型化が著しく阻害され
てしまう。
【０００９】又、セラミックコンデンサは、1000度以上
の高温で焼結されて形成される為、内部電極にはパラジ
ウム等の耐高温性を有するものが使用されていた。この
為に、コンデンサの製品価格が高くなるという問題もあ
った。
の高温で焼結されて形成される為、内部電極にはパラジ
ウム等の耐高温性を有するものが使用されていた。この
為に、コンデンサの製品価格が高くなるという問題もあ
った。
【００１０】そこで本発明は、静電容量変化率を小さく
し、しかもコンデンサの小型化や高容量化、コストダウ
ンを図ることができる積層セラミックコンデンサ及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
し、しかもコンデンサの小型化や高容量化、コストダウ
ンを図ることができる積層セラミックコンデンサ及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る積層セラ
ミックコンデンサの製造方法は、キュリー点の異なる複
数の焼結可能なセラミック組成材を積層し、各セラミッ
ク組成材の境界面に、焼結時において焼却される焼却性
材料を位置させて積層材を形成する工程、積層材を焼結
させてセラミックとし、前記焼却性材料を焼却して焼却
空孔層を形成する工程、焼却空孔層に内部電極を形成す
る工程、を備えたことを特徴としている。
ミックコンデンサの製造方法は、キュリー点の異なる複
数の焼結可能なセラミック組成材を積層し、各セラミッ
ク組成材の境界面に、焼結時において焼却される焼却性
材料を位置させて積層材を形成する工程、積層材を焼結
させてセラミックとし、前記焼却性材料を焼却して焼却
空孔層を形成する工程、焼却空孔層に内部電極を形成す
る工程、を備えたことを特徴としている。
【００１２】請求項２に係る積層セラミックコンデンサ
は、焼結時に焼却されて形成された焼却空孔層によって
その境界面を区切られたキュリー点の異なる複数のセラ
ミック誘電体、前記焼却空孔層に形成される複数の内部
電極であって、交互に配置された第一内部電極及び第二
内部電極からなる内部電極、第一内部電極を電気的に接
続する第一外部電極、第二内部電極を電気的に接続する
第二外部電極、を備えたことを特徴としている。
は、焼結時に焼却されて形成された焼却空孔層によって
その境界面を区切られたキュリー点の異なる複数のセラ
ミック誘電体、前記焼却空孔層に形成される複数の内部
電極であって、交互に配置された第一内部電極及び第二
内部電極からなる内部電極、第一内部電極を電気的に接
続する第一外部電極、第二内部電極を電気的に接続する
第二外部電極、を備えたことを特徴としている。
【００１３】請求項３に係る積層セラミックコンデンサ
は、キュリー点の異なる複数のセラミック誘電体、各セ
ラミック誘電体の境界面に位置する内部電極であって、
交互に配置された第一内部電極及び第二内部電極からな
る内部電極、第一内部電極を電気的に接続する第一外部
電極、第二内部電極を電気的に接続する第二外部電極、
を備えたことを特徴としている。
は、キュリー点の異なる複数のセラミック誘電体、各セ
ラミック誘電体の境界面に位置する内部電極であって、
交互に配置された第一内部電極及び第二内部電極からな
る内部電極、第一内部電極を電気的に接続する第一外部
電極、第二内部電極を電気的に接続する第二外部電極、
を備えたことを特徴としている。
【００１４】
【作用】請求項１に係る積層セラミックコンデンサの製
造方法においては、キュリー点の異なる複数のセラミッ
ク組成材を積層して積層材を形成し、これを焼結させて
セラミックとする。又、各セラミック組成材の境界面
に、焼却性材料を位置させて積層材を形成する。その
後、積層材を焼結させてセラミックとし、焼却性材料を
焼却して焼却空孔層を形成する。この為、焼結時におい
て、各セラミック組成材の境界面に焼却空孔層を位置さ
せることができ、拡散反応を防止することが可能とな
る。
造方法においては、キュリー点の異なる複数のセラミッ
ク組成材を積層して積層材を形成し、これを焼結させて
セラミックとする。又、各セラミック組成材の境界面
に、焼却性材料を位置させて積層材を形成する。その
後、積層材を焼結させてセラミックとし、焼却性材料を
焼却して焼却空孔層を形成する。この為、焼結時におい
て、各セラミック組成材の境界面に焼却空孔層を位置さ
せることができ、拡散反応を防止することが可能とな
る。
【００１５】更に、焼却空孔層を形成した後、この焼却
空孔層を利用して内部電極を形成する。従って、焼却空
孔層が排除されたコンデンサを得ることができる。又、
内部電極はセラミック組成材の焼結後に形成される為、
耐高温性を有しない金属を用いることができる。
空孔層を利用して内部電極を形成する。従って、焼却空
孔層が排除されたコンデンサを得ることができる。又、
内部電極はセラミック組成材の焼結後に形成される為、
耐高温性を有しない金属を用いることができる。
【００１６】請求項２に係る積層セラミックコンデンサ
においては、キュリー点の異なる複数のセラミック誘電
体を備えている。又、キュリー点の異なる複数のセラミ
ック誘電体は、焼結時に焼却されて形成された焼却空孔
層によってその境界面を区切られている。従って、各セ
ラミック誘電体の間に生じる拡散反応を防止することが
できる。
においては、キュリー点の異なる複数のセラミック誘電
体を備えている。又、キュリー点の異なる複数のセラミ
ック誘電体は、焼結時に焼却されて形成された焼却空孔
層によってその境界面を区切られている。従って、各セ
ラミック誘電体の間に生じる拡散反応を防止することが
できる。
【００１７】又、内部電極は焼却空孔層に形成される。
この為、焼却空孔層が排除されたコンデンサを得ること
ができる。更に、内部電極はセラミック組成材の焼結後
に形成される為、耐高温性を有しない金属を用いること
ができる。
この為、焼却空孔層が排除されたコンデンサを得ること
ができる。更に、内部電極はセラミック組成材の焼結後
に形成される為、耐高温性を有しない金属を用いること
ができる。
【００１８】請求項３に係る積層セラミックコンデンサ
においては、キュリー点の異なる複数のセラミック誘電
体の境界面に内部電極が位置している。この為、セラミ
ック焼結時に、各セラミック誘電体の間に生じる拡散反
応を防止することができる。
においては、キュリー点の異なる複数のセラミック誘電
体の境界面に内部電極が位置している。この為、セラミ
ック焼結時に、各セラミック誘電体の間に生じる拡散反
応を防止することができる。
【００１９】
【実施例】本発明に係る積層セラミックコンデンサ及び
その製造方法の一実施例を図面に基づいて説明する。図
１に示すように本実施例においては、セラミック組成材
として10枚のセラミックシートS1、S2、S3、S4、S5、S
6、S7、S8、S9、S10を用いる。これらの各セラミックシ
ートは図３Ｂ、図４に示すように各々異なるキュリー点
を有している。
その製造方法の一実施例を図面に基づいて説明する。図
１に示すように本実施例においては、セラミック組成材
として10枚のセラミックシートS1、S2、S3、S4、S5、S
6、S7、S8、S9、S10を用いる。これらの各セラミックシ
ートは図３Ｂ、図４に示すように各々異なるキュリー点
を有している。
【００２０】各セラミックシートには、焼却性材料であ
る炭素系インク２が塗布されている（図１）。この炭素
系インク２は焼結工程において焼却され放散されるもの
であり、各セラミックシート交互にずれた位置に塗布さ
れている。すなわち、セラミックシートS1、S3、S5、S
7、S9に塗布された炭素系インク２に対し、セラミック
シートS2、S4、S6、S8、S10には所定長さずれた箇所に
炭素系インクが塗布されている。
る炭素系インク２が塗布されている（図１）。この炭素
系インク２は焼結工程において焼却され放散されるもの
であり、各セラミックシート交互にずれた位置に塗布さ
れている。すなわち、セラミックシートS1、S3、S5、S
7、S9に塗布された炭素系インク２に対し、セラミック
シートS2、S4、S6、S8、S10には所定長さずれた箇所に
炭素系インクが塗布されている。
【００２１】これら各セラミックシート及びその上下に
位置する保護シート３を重ね合せて積層材５を形成す
る。保護シート３はセラミックコンデンサの外周保護層
を形成する為のシートである。セラミックシートの重畳
により、各セラミックシートの境界面には炭素系インク
２が位置することになる。こうして得た積層材５を図２
Ａに示す。上述のように炭素系インク２の各セラミック
シートへの塗布箇所は交互に位置しており、炭素系イン
ク２の間隔中心部（図２Ａに示す切断線90）で切断する
ことによって、個々のコンデンサ製品の大きさを備えた
切断積層材15とする。
位置する保護シート３を重ね合せて積層材５を形成す
る。保護シート３はセラミックコンデンサの外周保護層
を形成する為のシートである。セラミックシートの重畳
により、各セラミックシートの境界面には炭素系インク
２が位置することになる。こうして得た積層材５を図２
Ａに示す。上述のように炭素系インク２の各セラミック
シートへの塗布箇所は交互に位置しており、炭素系イン
ク２の間隔中心部（図２Ａに示す切断線90）で切断する
ことによって、個々のコンデンサ製品の大きさを備えた
切断積層材15とする。
【００２２】そして、この切断積層材15を1000度以上の
高温で焼結させる。この時、各セラミックシートに塗布
されていた炭素系インク２は焼却され放散されて、この
部分は空孔層として形成されることになる。図２Ｂに、
焼結後、各セラミックシートの境界面に空孔層４が形成
された状態を示す。このように、キュリー点の異なる各
セラミックシートに空孔層４が介在することによって、
焼結時に生じる拡散反応を防止することができる。
高温で焼結させる。この時、各セラミックシートに塗布
されていた炭素系インク２は焼却され放散されて、この
部分は空孔層として形成されることになる。図２Ｂに、
焼結後、各セラミックシートの境界面に空孔層４が形成
された状態を示す。このように、キュリー点の異なる各
セラミックシートに空孔層４が介在することによって、
焼結時に生じる拡散反応を防止することができる。
【００２３】次に、切断積層材15の空孔層４（図２Ｂ）
に、内部電極を形成する。この場合、既に焼結処理を経
ている為、内部電極として鉛、錫等を用いることができ
る。すなわち、耐高温酸化性を有するパラジウム等で内
部電極を形成する必要がなく、コンデンサ製品のコスト
ダウンを図ることができる。尚、内部電極の形成は鉛、
錫等を溶融させて注入する。鉛、錫等は比較的、融点が
低く、溶融させ易いという利点がある。又、内部電極と
してニッケルを用いることもできる。
に、内部電極を形成する。この場合、既に焼結処理を経
ている為、内部電極として鉛、錫等を用いることができ
る。すなわち、耐高温酸化性を有するパラジウム等で内
部電極を形成する必要がなく、コンデンサ製品のコスト
ダウンを図ることができる。尚、内部電極の形成は鉛、
錫等を溶融させて注入する。鉛、錫等は比較的、融点が
低く、溶融させ易いという利点がある。又、内部電極と
してニッケルを用いることもできる。
【００２４】内部電極を注入した後、図２Ｃに示すよう
に外部電極G1、G2を形成する。外部電極G1は、内部電極
のうち第一内部電極41と電気的に接続され、外部電極G2
は第二内部電極42と接続される。外部電極G1、G2には銀
及びガラスフリットが用いられ、その外周にニッケル7
0、半田メッキ71が施される。
に外部電極G1、G2を形成する。外部電極G1は、内部電極
のうち第一内部電極41と電気的に接続され、外部電極G2
は第二内部電極42と接続される。外部電極G1、G2には銀
及びガラスフリットが用いられ、その外周にニッケル7
0、半田メッキ71が施される。
【００２５】こうして形成された積層セラミックコンデ
ンサの静電容量の温度特性を図３Ａに示す。図は−55℃
から＋125℃までの所定温度毎の、各セラミックシート
別の静電容量を示している。尚、各セラミックシート毎
の静電容量の値をグラフにしたものが図４である。
ンサの静電容量の温度特性を図３Ａに示す。図は−55℃
から＋125℃までの所定温度毎の、各セラミックシート
別の静電容量を示している。尚、各セラミックシート毎
の静電容量の値をグラフにしたものが図４である。
【００２６】又、図３Ａは20℃を基準としたときの、所
定温度毎の積層セラミックコンデンサの静電容量変化率
をも示しており、この静電容量変化率に基づくグラフが
図５である。図に示すように本実施例に係る積層セラミ
ックコンデンサは、−55℃から＋125℃までの間におい
て、静電容量変化率は±15％以内でありＸ７Ｒ特性を満
たしている。
定温度毎の積層セラミックコンデンサの静電容量変化率
をも示しており、この静電容量変化率に基づくグラフが
図５である。図に示すように本実施例に係る積層セラミ
ックコンデンサは、−55℃から＋125℃までの間におい
て、静電容量変化率は±15％以内でありＸ７Ｒ特性を満
たしている。
【００２７】尚、コンデンサの誘電率εは下式によっ
て求められる。
て求められる。
【００２８】ε＝Ｃ・ｄ／Ｓ ・・・・・ ここでＣは静電容量［ｐＦ］、ｄは電極間距離［μ
ｍ］、Ｓは電極面積［ｍｍ2］である。従って、上記実
施例における積層セラミックコンデンサの誘電率εは、
ε＝7570［ｐＦ］×1000［μｍ］／8,854［ｍｍ］×1
65［ｍｍ］＝5182で表わされる。このように本実施例に
係る積層セラミックコンデンサは、静電容量変化率を小
さく抑えつつ、5182と高い誘電率を得ることができる。
ｍ］、Ｓは電極面積［ｍｍ2］である。従って、上記実
施例における積層セラミックコンデンサの誘電率εは、
ε＝7570［ｐＦ］×1000［μｍ］／8,854［ｍｍ］×1
65［ｍｍ］＝5182で表わされる。このように本実施例に
係る積層セラミックコンデンサは、静電容量変化率を小
さく抑えつつ、5182と高い誘電率を得ることができる。
【００２９】
【発明の効果】請求項１に係る積層セラミックコンデン
サの製造方法、又は請求項２に係る積層セラミックコン
デンサにおいては、境界面に焼却空孔層が位置すること
によって、焼結時に生じる拡散反応を防止することが可
能となる。従って、複数のキュリー点を有する積層セラ
ミックコンデンサを得ることができる。すなわち、コン
デンサの誘電率を高く維持しつつ静電容量変化率を小さ
くすることができる。
サの製造方法、又は請求項２に係る積層セラミックコン
デンサにおいては、境界面に焼却空孔層が位置すること
によって、焼結時に生じる拡散反応を防止することが可
能となる。従って、複数のキュリー点を有する積層セラ
ミックコンデンサを得ることができる。すなわち、コン
デンサの誘電率を高く維持しつつ静電容量変化率を小さ
くすることができる。
【００３０】又、焼却空孔層に内部電極が形成される
為、焼却空孔層が排除された積層セラミックコンデンサ
を得ることができる。更に、内部電極はセラミック組成
材の焼結後に形成される為、耐高温酸化性の金属以外の
ものを用いることができる。従って、安価な材料で内部
電極を形成することができ、セラミックコンデンサのコ
ストダウンを図ることができる。
為、焼却空孔層が排除された積層セラミックコンデンサ
を得ることができる。更に、内部電極はセラミック組成
材の焼結後に形成される為、耐高温酸化性の金属以外の
ものを用いることができる。従って、安価な材料で内部
電極を形成することができ、セラミックコンデンサのコ
ストダウンを図ることができる。
【００３１】請求項３に係る積層セラミックコンデンサ
においては、キュリー点の異なる複数のセラミック誘電
体の境界面に内部電極が位置している為、各セラミック
誘電体の間に生じる拡散反応を防止することができる。
従って、誘電率が高く、かつ静電容量変化率をの小さい
積層セラミックコンデンサを得ることができる。
においては、キュリー点の異なる複数のセラミック誘電
体の境界面に内部電極が位置している為、各セラミック
誘電体の間に生じる拡散反応を防止することができる。
従って、誘電率が高く、かつ静電容量変化率をの小さい
積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実
施例の構成を示す斜視図である。
施例の構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサの断面図
である。
である。
【図３】Ａは図１に示す積層セラミックコンデンサの、
所定温度毎の静電容量及びその変化率を示す表、Ｂは各
セラミックシートのキュリー点を示す表である。
所定温度毎の静電容量及びその変化率を示す表、Ｂは各
セラミックシートのキュリー点を示す表である。
【図４】図３Ａに示す静電容量ののグラフである。
【図５】図１に示す積層セラミックコンデンサの静電容
量変化率と温度との関係を示すグラフである。
量変化率と温度との関係を示すグラフである。
【図６】従来の積層セラミックコンデンサを説明する為
の図である。
の図である。
２・・・・・炭素系インク ５・・・・・積層材 41・・・・・第一内部電極 42・・・・・第二内部電極 G1・・・・・第一外部電極 G2・・・・・第二外部電極 S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10・・・・・セラミック
シート
シート
Claims (3)
- 【請求項１】キュリー点の異なる複数の焼結可能なセラ
ミック組成材を積層し、各セラミック組成材の境界面
に、焼結時において焼却される焼却性材料を位置させて
積層材を形成する工程、 積層材を焼結させてセラミックとし、前記焼却性材料を
焼却して焼却空孔層を形成する工程、 焼却空孔層に内部電極を形成する工程、 を備えたことを特徴とする積層セラミックコンデンサの
製造方法。 - 【請求項２】焼結時に焼却されて形成された焼却空孔層
によってその境界面を区切られたキュリー点の異なる複
数のセラミック誘電体、 前記焼却空孔層に形成される複数の内部電極であって、
交互に配置された第一内部電極及び第二内部電極からな
る内部電極、 第一内部電極を電気的に接続する第一外部電極、 第二内部電極を電気的に接続する第二外部電極、 を備えたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項３】キュリー点の異なる複数のセラミック誘電
体、 各セラミック誘電体の境界面に位置する内部電極であっ
て、交互に配置された第一内部電極及び第二内部電極か
らなる内部電極、 第一内部電極を電気的に接続する第一外部電極、 第二内部電極を電気的に接続する第二外部電極、 を備えたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236102A JPH0574650A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 積層セラミツクコンデンサ及びその製造方法 |
| US07/935,592 US5231558A (en) | 1991-09-17 | 1992-08-26 | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3236102A JPH0574650A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 積層セラミツクコンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574650A true JPH0574650A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16995764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3236102A Pending JPH0574650A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-17 | 積層セラミツクコンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5231558A (ja) |
| JP (1) | JPH0574650A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3063577B2 (ja) * | 1995-07-05 | 2000-07-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法とその装置 |
| US6442813B1 (en) * | 1996-07-25 | 2002-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a monolithic ceramic capacitor |
| US5963416A (en) * | 1997-10-07 | 1999-10-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic device with outer electrodes and a circuit module having the electronic device |
| US6268261B1 (en) | 1998-11-03 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Microprocessor having air as a dielectric and encapsulated lines and process for manufacture |
| JP3743406B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2006-02-08 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、積層セラミック電子部品の製造方法および積層セラミック電子部品 |
| KR20060134277A (ko) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | 삼성전기주식회사 | 내장형 상하전극 적층부품 및 그의 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4379854A (en) * | 1981-02-06 | 1983-04-12 | Erie Technological Products, Inc. | Low temperature firing (1800°-2100° F.) of barium titanate with flux (lead titanate-bismuth titanate-zinc oxide and boron oxide) |
| US4379319A (en) * | 1982-02-18 | 1983-04-05 | Ferro Corporation | Monolithic ceramic capacitors and improved ternary ceramic compositions for producing same |
| DE69116753T2 (de) * | 1990-07-10 | 1996-08-01 | Murata Manufacturing Co | Dielektrische keramische Zusammensetzungen und Herstellungsverfahren von dielektrischen Keramiken |
-
1991
- 1991-09-17 JP JP3236102A patent/JPH0574650A/ja active Pending
-
1992
- 1992-08-26 US US07/935,592 patent/US5231558A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5231558A (en) | 1993-07-27 |
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