JPH0563050B2 - - Google Patents
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- JPH0563050B2 JPH0563050B2 JP62087756A JP8775687A JPH0563050B2 JP H0563050 B2 JPH0563050 B2 JP H0563050B2 JP 62087756 A JP62087756 A JP 62087756A JP 8775687 A JP8775687 A JP 8775687A JP H0563050 B2 JPH0563050 B2 JP H0563050B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、単一のトランジスタをスイツチン
グゲートとして用いたゲート回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a gate circuit using a single transistor as a switching gate.
従来、第6図のAおよびBに示すように、単一
のnチヤネル型トランジスタ2またはpチヤネル
型トランジスタ4を用いたゲート回路が用いられ
ている。
Conventionally, as shown in A and B in FIG. 6, a gate circuit using a single n-channel transistor 2 or a single p-channel transistor 4 has been used.
第6図のAに示すゲート回路では、クロツクパ
ルスφを用いてトランジスタ2を導通させ、その
導通時に入力信号Inを通過させ、通過させた入力
信号Inをインバータ6によつて反転させて出力
Opとして取り出すことができる。 In the gate circuit shown in A of FIG. 6, the clock pulse φ is used to make the transistor 2 conductive, and when the transistor 2 is made conductive, the input signal In is passed through, and the passed input signal In is inverted by the inverter 6 and output.
Can be taken out as an Op.
また、第6図のBに示すゲート回路では、反転
クロツクパルスを用いてトランジスタ4を導通
させ、導通時に入力信号Inを通過させ、通過させ
た入力信号Inをインバータ6によつて反転させて
出力Opとして取り出すことができる。 In addition, in the gate circuit shown in FIG. 6B, the transistor 4 is made conductive using an inverted clock pulse, the input signal In is passed through when it is made conductive, and the passed input signal In is inverted by the inverter 6 to output Op. It can be extracted as
ところで、第6図のAに示すゲート回路を用い
た場合、トランジスタ2を通過した入力信号Inの
高(H)レベル区間がトランジスタ2の出力側におけ
るP点でトランジスタ2のスレツシヨルド電圧
VTHに基板バイアス効果を加えた分だけ低下し、
また、第6図のBに示すゲート回路を用いた場
合、トランジスタ4を通過した入力信号Inの低(L)
レベル区間がトランジスタ4の出力側のP点でト
ランジスタ4のスレツシヨルド電圧VTHに基板バ
イアス効果を加えた分までしか下がらず、次段の
インバータ6の入力スレツシヨルド電圧の変動に
よつて誤動作を生じる場合がある。
By the way, when using the gate circuit shown in A of FIG. 6, the high (H) level section of the input signal In that has passed through the transistor 2 is the threshold voltage of the transistor 2 at the point P on the output side of the transistor 2.
V TH decreases by adding the substrate bias effect,
Furthermore, when the gate circuit shown in FIG. 6B is used, the low (L)
When the level section drops only to the threshold voltage V TH of transistor 4 plus the body bias effect at point P on the output side of transistor 4, and malfunction occurs due to fluctuations in the input threshold voltage of inverter 6 in the next stage. There is.
そこで、この発明は、このような単一のトラン
ジスタを用いたゲート回路のゲート出力レベルを
補償して誤動作を防止しようとするものである。 Therefore, the present invention aims to prevent malfunction by compensating the gate output level of a gate circuit using such a single transistor.
この発明のゲート回路は、第1図ないし第3図
に例示するように、入力信号を受ける入力端子に
直列に接続されて前記入力信号を受けるとともに
ゲートにクロツクパルスを受けてスイツチング
し、そのスイツチングに応じて前記入力信号を通
過させる第1のトランジスタ2と、この第1のト
ランジスタの出力点と電源電圧点又は接地点との
間に接続されてゲートに前記クロツクパルスを受
けて前記第1のトランジスタと交互にスイツチン
グし、このスイツチングに応じて前記第1のトラ
ンジスタの導通時、前記第1のトランジスタの出
力点のレベルを電源電圧又は接地レベルに移行さ
せる第2のトランジスタ10,12と、前記入力
信号、前記第1及び第2のトランジスタの前記ス
イツチングに基づいて前記第1のトランジスタの
前記出力点に現れるスイツチング出力を反転させ
て取り出すインバータ6とを備えたことを特徴と
する。
As illustrated in FIGS. 1 to 3, the gate circuit of the present invention is connected in series to an input terminal that receives an input signal, receives the input signal, and performs switching by receiving a clock pulse at the gate. a first transistor 2 that passes the input signal in accordance with the input signal; second transistors 10 and 12 which alternately switch and shift the level of the output point of the first transistor to the power supply voltage or ground level when the first transistor is conductive according to the switching; and the input signal. , an inverter 6 that inverts and extracts the switching output appearing at the output point of the first transistor based on the switching of the first and second transistors.
第1のトランジスタ(トランジスタ2)は、ス
イツチングゲートを構成し、スイツチング入力に
同期して入力信号Inを通過させる。
The first transistor (transistor 2) constitutes a switching gate, and passes the input signal In in synchronization with the switching input.
そして、第2のトランジスタ(トランジスタ1
0)は、スイツチング入力に同期して導通し、第
1のトランジスタ2が導通する前に出力点Pのチ
ヤージを行い、入力信号InのHレベルを補償す
る。 Then, the second transistor (transistor 1
0) becomes conductive in synchronization with the switching input, charges the output point P before the first transistor 2 becomes conductive, and compensates for the H level of the input signal In.
この結果、最適なレベルを持つ出力が取り出さ
れ、次段に設置されたインバータ6における入力
スレツシヨルド電圧の変動による誤動作が防止さ
れるのである。 As a result, an output having an optimum level is taken out, and malfunctions due to fluctuations in the input threshold voltage in the inverter 6 installed at the next stage are prevented.
第1図は、この発明のゲート回路の実施例を示
す。
FIG. 1 shows an embodiment of the gate circuit of the present invention.
ゲート回路8には、入力信号Inをスイツチング
入力としてのクロツクパルスφに応じて通過させ
るスイツチングゲートとしての第1のトランジス
タ2およびその出力点Pのレベルを補償する第2
のトランジスタ10が設置され、その出力側には
インバータ6が設置されている。すなわち、入力
信号を受ける入力端子に直列に接続された第1の
トランジスタ2は、nチヤネル型トランジスタで
構成されており、第2図のAに示すゲートに加え
られるスイツチング入力としてのクロツクパルス
φに同期して第2図のBに示すように導通、遮断
を行う。また、第2のトランジスタ10は、pチ
ヤネル型トランジスタで構成されており、第2図
のAに示すゲートに加えられるスイツチング入力
としてのクロツクパルスφに同期して第2図のC
に示すように交互に導通、遮断を繰り返す。 The gate circuit 8 includes a first transistor 2 as a switching gate that passes the input signal In in response to a clock pulse φ as a switching input, and a second transistor 2 that compensates the level of its output point P.
A transistor 10 is installed, and an inverter 6 is installed on its output side. That is, the first transistor 2 connected in series to the input terminal receiving the input signal is composed of an n-channel transistor, and is synchronized with the clock pulse φ as a switching input applied to the gate shown in A in FIG. Then conduction and cut-off are performed as shown in FIG. 2B. Further, the second transistor 10 is composed of a p-channel transistor, and in synchronization with a clock pulse φ as a switching input applied to the gate shown in A in FIG.
Repeat the conduction and cutoff alternately as shown in .
そこで、第2図のDに示す入力信号Inが加えら
れると、クロツクパルスφによるトランジスタ2
の導通時、入力信号Inがトランジスタ2を通過す
る。このとき、出力点Pの電圧レベルは、その直
前のトランジスタ10の導通によりHレベルにチ
ヤージされており、トランジスタ2への入力信号
InがHレベルの場合、トランジスタ2は導通せ
ず、結果として、入力信号InのHレベルが出力点
Pに導通したことと同じになる。すなわち、第2
図において、時間T1,T5,T7ではトランジスタ
2の導通によつて出力点PのレベルがLレベルに
なり、時間T2,T4,T6,T8では出力点Pのチヤ
ージが行われ、また、時間T3ではトランジスタ
2の非導通によるHレベルの保持が行われる。こ
の結果、トランジスタ2の出力点Pのレベルは、
第2図のEに示すように、インバータ6の入力ス
レツシヨルド電圧を十分に上回る値になり、実施
例では電源電圧VDDになる。 Therefore, when the input signal In shown at D in FIG. 2 is applied, the clock pulse φ causes the transistor 2 to
When the transistor 2 is conductive, the input signal In passes through the transistor 2. At this time, the voltage level at the output point P is charged to the H level due to the conduction of the transistor 10 just before it, and the input signal to the transistor 2 is
When In is at the H level, the transistor 2 is not conductive, and as a result, the result is the same as when the H level of the input signal In is conductive to the output point P. That is, the second
In the figure, at times T 1 , T 5 , and T 7 , the level at output point P becomes L level due to conduction of transistor 2, and at times T 2 , T 4 , T 6 , and T 8 , the charge at output point P decreases. Further, at time T3 , the transistor 2 is rendered non-conductive to maintain the H level. As a result, the level of the output point P of transistor 2 is
As shown at E in FIG. 2, the voltage becomes a value that sufficiently exceeds the input threshold voltage of the inverter 6, and becomes the power supply voltage V DD in this embodiment.
また、入力信号InがLレベルの場合、出力点P
にトランジスタ10の導通により与えられたHレ
ベルは、トランジスタ2の導通によりLレベルま
で降下される。 Also, when the input signal In is at L level, the output point P
The H level given by conduction of transistor 10 is lowered to L level by conduction of transistor 2.
このようにトランジスタ10の導通で十分に補
償された最適なレベルを持つ入力信号Inがゲート
回路8から出力されてインバータ6に加えられる
ので、インバータ6の誤動作を確実に防止でき、
インバータ6から第2図のFに示すように、クロ
ツクパルスφに同期した反転出力Opが得られる
のである。 In this way, the input signal In having the optimal level that is sufficiently compensated for by the conduction of the transistor 10 is output from the gate circuit 8 and applied to the inverter 6, so that malfunctions of the inverter 6 can be reliably prevented.
As shown at F in FIG. 2, an inverted output Op synchronized with the clock pulse φ is obtained from the inverter 6.
また、第3図に示すように、pチヤネル型の第
1のトランジスタ4と、その出力点Pのレベルを
プルダウンして補償するために、nチヤネル型の
第2のトランジスタ12を接地側に置いてゲート
回路8を構成してもよく、このようにすれば、ト
ランジスタ4を通過した入力信号InのLレベル区
間のレベルをインバータ6の入力スレツシヨルド
電圧を十分に下回る値、たとえば、接地レベルに
設定することができる。 Further, as shown in FIG. 3, in order to pull down and compensate the level of the first p-channel transistor 4 and its output point P, a second n-channel transistor 12 is placed on the ground side. In this way, the level of the L level section of the input signal In that has passed through the transistor 4 can be set to a value sufficiently lower than the input threshold voltage of the inverter 6, for example, to the ground level. can do.
なお、複数のゲート回路を以て構成されるマル
チプレクサは、従来の場合、第4図に示すよう
に、各アナログスイツチ141,142…14nに
インバータ6を接続して構成し、各アナログスイ
ツチ141〜14nはそれぞれ2組のトランジス
タで構成するので、構成素子数はゲート数nの2
倍の2nとなる。これに対し、この発明のゲート
回路を用いてマルチプレクサを構成した場合に
は、第5図に示すように、各ゲートに単一のトラ
ンジスタ21,22…2nを設置するとともに、そ
の出力点Pのレベルを補償するための第2のトラ
ンジスタ10を設置し、各トランジスタ21,22
…2nのゲートにクロツクパルスf1(φ)、f2(φ)
…fn(φ)、また、トランジスタ10のゲートにチ
ヤージのためのクロツクパルスφを入力すればよ
い。この場合、トランジスタ21,22…2nは、
クロツクパルスφに同期して選択的に1つが導通
するようにする。このようなマルチプレクサによ
れば、構成素子数がゲート数nに補償用のトラン
ジスタ10を加えた(n+1)個となつて大幅に
削減されるのである。 Note that, in the conventional case, a multiplexer composed of a plurality of gate circuits is constructed by connecting an inverter 6 to each analog switch 14 1 , 14 2 . . . 14n, as shown in FIG . ~14n each consists of two sets of transistors, so the number of constituent elements is 2 of the number of gates n.
It becomes 2n times. On the other hand, when a multiplexer is constructed using the gate circuit of the present invention, as shown in FIG. 5, a single transistor 2 1 , 2 2 . A second transistor 10 is installed to compensate the level of P, and each transistor 2 1 , 2 2
...2n gate clock pulse f 1 (φ), f 2 (φ)
...fn(φ), and a clock pulse φ for charging may be input to the gate of the transistor 10. In this case, the transistors 2 1 , 2 2 . . . 2n are
One of them is made selectively conductive in synchronization with the clock pulse φ. According to such a multiplexer, the number of constituent elements is significantly reduced to (n+1), which is the number of gates n plus the compensation transistor 10.
以上説明したように、この発明によれば、入力
信号を通過させる第1のトランジスタはクロツク
パルスによつて導通、遮断を繰り返し、その出力
点と高電位点又は接地電位点との間に設置された
第2のトランジスタはクロツクパルスに同期して
第1のトランジスタと交互に導通、遮断を繰り返
すので、第1のトランジスタの出力点の電位は第
2のトランジスタによつて電源電圧又は接地レベ
ルに移行される結果、論理レベルがインバータ側
に入力レベルに確実に対応させることができ、論
理動作の信頼性を高めることができる。
As explained above, according to the present invention, the first transistor that passes an input signal is repeatedly turned on and off by a clock pulse, and is installed between its output point and a high potential point or a ground potential point. Since the second transistor alternately turns on and off with the first transistor in synchronization with the clock pulse, the potential at the output point of the first transistor is transferred to the power supply voltage or ground level by the second transistor. As a result, the logic level can be made to correspond reliably to the input level on the inverter side, and the reliability of the logic operation can be improved.
第1図はこの発明のゲート回路の実施例を示す
回路図、第2図は第1図に示したゲート回路の動
作を示す図、第3図はこの発明のゲート回路の他
の実施例を示す回路図、第4図は従来のマルチプ
レクサを示す回路図、第5図はこの発明のゲート
回路を用いたマルチプレクサを示す回路図、第6
図は従来のゲート回路を示す回路図である。
2,4……第1のトランジスタ、6……インバ
ータ、10,12……第2のトランジスタ。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the gate circuit of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing the operation of the gate circuit shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the gate circuit of the invention. 4 is a circuit diagram showing a conventional multiplexer, FIG. 5 is a circuit diagram showing a multiplexer using the gate circuit of the present invention, and FIG.
The figure is a circuit diagram showing a conventional gate circuit. 2, 4...first transistor, 6...inverter, 10, 12...second transistor.
Claims (1)
て前記入力信号を受けるとともにゲートにクロツ
クパルスを受けてスイツチングし、そのスイツチ
ングに応じて前記入力信号を通過させる第1のト
ランジスタと、 この第1のトランジスタの出力点と電源電圧点
又は接地点との間に接続されてゲートに前記クロ
ツクパルスを受けて前記第1のトランジスタと交
互にスイツチングし、このスイツチングに応じて
前記第1のトランジスタの導通時、前記第1のト
ランジスタの出力点のレベルを電源電圧又は接地
レベルに移行させる第2のトランジスタと、 前記入力信号、前記第1及び第2のトランジス
タの前記スイツチングに基づいて前記第1のトラ
ンジスタの前記出力点に現れるスイツチング出力
を反転させて取り出すインバータと、 を備えたことを特徴とするゲート回路。[Scope of Claims] 1. A first transistor connected in series to an input terminal that receives an input signal, receives the input signal, and switches upon receiving a clock pulse at its gate, and passes the input signal in response to the switching. , is connected between the output point of the first transistor and the power supply voltage point or the ground point, receives the clock pulse at the gate and switches alternately with the first transistor, and in response to this switching, the first transistor a second transistor that shifts the level of the output point of the first transistor to the power supply voltage or ground level when the transistor is conductive; A gate circuit comprising: an inverter that inverts and takes out the switching output appearing at the output point of the transistor No. 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8775687A JPS63253718A (en) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Gate circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8775687A JPS63253718A (en) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Gate circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63253718A JPS63253718A (en) | 1988-10-20 |
JPH0563050B2 true JPH0563050B2 (en) | 1993-09-09 |
Family
ID=13923788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8775687A Granted JPS63253718A (en) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Gate circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63253718A (en) |
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1987
- 1987-04-09 JP JP8775687A patent/JPS63253718A/en active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63253718A (en) | 1988-10-20 |
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