JPH0553269U - 高周波シールド構造を有する多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 小形化及び薄形化の可能な高周波シールド構
造を有する多層配線基板を提供する。 【構成】 部品埋め込みの多層配線基板において、埋め
込まれた部品を有する中間配線層より上部の配線層１０
４と下部の配線層１０９にそれぞれ高周波シールドパタ
ーンを形成し、上部配線層１０４と下部配線層１０９と
をスルーホール１１５で接続することにより、高周波シ
ールドパターンとスルーホールによって高周波シールド
構造を構成する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、無線機等の高周波回路のシールド構造に関し、特に高周波シールド 構造を有する多層配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】

図３に従来技術の例を示す。図において３０１は両面プリント基板、３０２は 両面プリント基板３０１の上面銅パターン、３０３は両面プリント基板３０１の 下面銅パターンを示す。３０２には配線パターンが形成されており、３０３は接 地のためのＧＮＤベタパターンとなっている。３０４は両面プリント基板３０１ 上の両面パターンを導通接続するためのスルーホール、３０５は上面銅パターン ３０２に配置・固定される回路部品、３０６はシールドケースを示す。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

本従来例は上面銅パターン３０２とスルーホール３０４及び下面銅パターン３ ０３を形成した両面プリント基板３０１の上面銅パターン３０２に回路部品３０ ５を半田付けし、スルーホール３０４により下面銅パターン３０３と接続された 上面銅パターン３０２とシールドケース３０６を半田付けすることにより、ＧＮ Ｄ電位となったシールドケースで回路部品３０５及び上面銅パターン３０２を含 む回路ブロックを囲みシールドを行っている。

【０００４】 この例から明らかなように、部品の高さ以上のシールドケースが必要であり、 小形化、薄形化には適していない。また、シールドケースの半田付けは手作業で あり、コストアップにもつながるという欠点があった。また、シールドケースを 用いると、振動によりシールドケースと回路部品及び回路パターンの距離が変化 し、特性が劣化するという問題もあった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】 本考案は前述した従来技術の課題を解決することを目的とし、その目的を達成 するために部品埋め込みの多層配線基板において、埋め込まれた部品を有する中 間配線層より上部の配線層と下部の配線層にそれぞれ高周波シールドパターンを 形成し、上部配線層と下部配線層とをスルーホール、またはスルーホール及び半 田等のバンプで接続することにより、前記高周波シールドパターンと前記スルー ホールまたは前記スルーホール及び半田等のバンプによって高周波シールド構造 を形成する構成とする。

【０００６】

【実施例】

図１は本考案の実施構成例の断面図で、３枚の両面プリント基板を貼り合わせ ることにより多層配線基板を構成している。図中の１０１は上部両面プリント基 板、１０２は部品が埋め込まれる穴のあいた中間部両面プリント基板、１０３は 下部両面プリント基板、１０４は上部両面プリント基板１０１の上面銅パターン 、１０５は上部両面プリント基板１０１の下面銅パターン、１０６は中間部両面 プリント基板１０２の上面銅パターン、１０７は中間部両面プリント基板１０２ の下面銅パターン、１０８は下部両面プリント基板１０３の上面銅パターン、１ ０９は下部両面プリント基板１０３の下面銅パターン、１１０はチップ部品、１ １１はベアチップＩＣ、１１２はボンディングワイヤ、１１３はチップコート、 １１４は埋め込み絶縁樹脂、１１５はスルーホールである。

【０００７】 本実施例は、チップ部品１１０とベアチップＩＣ１１１を中間部両面プリント 基板の穴の中に配置した部品埋め込みの多層配線基板で、各層間の導通は各プリ ント基板のスルーホール（ブラインドスルーホール）と、各基板を貼り合わせた 後に穴開け、銅めっきを行ったスルーホール１１５により行っている。

【０００８】 チップ部品１１０とベアチップＩＣ１１１と内層の銅パターン１０５、１０６ 、１０７、１０８による配線を含む回路ブロックを、ベタの上面銅パターン１０ ４と下面銅パターン１０９で上面及び下面を囲み、複数のスルーホール１１５で 上面と下面の間の導通を行いながら側面を囲み、それをＧＮＤ電位とすることに よりシールドを行っている。

【０００９】 図２は本考案の別の実施例の断面図で、２１５は各基板のスルーホール、２１ ６は半田等を使用した接続用バンプである。それ以外の両面プリント基板２０１ 〜２１４はそれぞれ図１の両面プリント基板１０１〜１１４に相当するものであ る。

【００１０】 本実施例は、チップ部品２１０とベアチップＩＣ２１１と内層の銅パターン２ ０５、２０６、２０７、２０８による配線を含む回路ブロックを、ベタの上面銅 パターン２０４と下面銅パターン２０９で上面及び下面を囲み、各基板のスルー ホール２１５と半田バンプ２１６により上面と下面の間の導通をとりながら側面 を囲み、それをＧＮＤ電位とすることによりシールドを行っている。

【００１１】 各スルーホール１１５同士あるいは各スルーホール２１５及び半田バンプ２１ ６同士の間には隙間があるが、その間隔が基板内の電磁波の波長に比べて十分短 ければシールド効果があり、ＵＨＦ帯の周波数までは十分効果が期待できる。

【００１２】 本実施例は両面プリント基板３枚を貼り合わせる構造の部品埋め込み多層配線 基板の例であるが、多層配線基板を複数枚貼り合わせる構造にも応用できること は明らかである。また、ハイブリッドＩＣ等の製造プロセスにみられる印刷によ る導体や絶縁層を形成する多層や、絶縁層を厚く積み上げ、部品を埋め込んだ構 造の基板にも応用できる。

【００１３】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案によれば部品埋め込みの多層構造におけるシール ド構造により、小電力電気回路の小形、薄形化が実現できる。従来のシールドケ ースを半田付けする手作業がなくなり、製造のし易さとコストダウンを与える。 また、シールドケース使用による耐震性の劣化を防ぐことができるという利点が ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例としての多層配線基板を示す
断面図。

【図２】本考案の他の実施例を示す断面図。

【図３】従来のシールド構造を示す断面図。

【符号の説明】

１０１、１０２、１０３ 両面プリント基板 ２０１、２０２、２０３ 両面プリント基板 １０４、１０６、１０８ 上面銅パターン ２０４、２０６、２０８ 上面銅パターン １０５、１０７、１０９ 下面銅パターン ２０５、２０７、２０９ 下面銅パターン １１０、２１０ チップ部品 １１１、２１１ ベアチップＩＣ １１２、２１２ ボンディングワイヤ １１３、２１３ チップコート樹脂 １１４、２１４ 埋め込み絶縁樹脂 １１５、２１５ スルーホール ２１６ 半田バンプ

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 部品埋め込みの多層配線基板において、
   埋め込まれた部品を有する中間配線層より上部の配線層
   と下部の配線層にそれぞれ高周波シールドパターンを形
   成し、前記上部配線層と下部配線層とをスルーホール、
   またはスルーホール及び半田等のバンプで接続すること
   により、前記高周波シールドパターンと前記スルーホー
   ルまたは前記スルーホール及び半田等のバンプによって
   高周波シールド構造が構成されることを特徴とする高周
   波シールド構造を有する多層配線基板。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記高周波シールド
   パターンのそれぞれがベタのパターンであることを特徴
   とする高周波シールド構造を有する多層配線基板。