JPH05235333A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH05235333A JPH05235333A JP3379792A JP3379792A JPH05235333A JP H05235333 A JPH05235333 A JP H05235333A JP 3379792 A JP3379792 A JP 3379792A JP 3379792 A JP3379792 A JP 3379792A JP H05235333 A JPH05235333 A JP H05235333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- photoresist
- substrate
- cut
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 切断加工時に飛散する微粒子から半導体基板
を保護する保護膜の形成が可能であり、更にレーザーに
よる切断部分３に、除去困難な保護膜の変質物が残留す
ることのない半導体素子の製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板１上にフォトレジストを塗布し、
次にこのフォトレジストをフォトマスクを用いて露光す
る。次に現像を行ってフォトレジストの露光部分に保護
膜７を形成した後に、上記半導体基板の切断加工を行っ
て半導体素子を製造する。
を保護する保護膜の形成が可能であり、更にレーザーに
よる切断部分３に、除去困難な保護膜の変質物が残留す
ることのない半導体素子の製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板１上にフォトレジストを塗布し、
次にこのフォトレジストをフォトマスクを用いて露光す
る。次に現像を行ってフォトレジストの露光部分に保護
膜７を形成した後に、上記半導体基板の切断加工を行っ
て半導体素子を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の製造方法に
関し、特に半導体基板の保護膜の形成方法に関する。
関し、特に半導体基板の保護膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランジスタ、ゲートターンオフ
サイリスタ（ＧＴＯ）等の半導体素子は広い分野で用い
られており、これらの半導体素子は、シリコン等の半導
体基板をＹＡＧレーザ等により予め円板上に切り抜いた
後に種々の加工を行って製造されている。
サイリスタ（ＧＴＯ）等の半導体素子は広い分野で用い
られており、これらの半導体素子は、シリコン等の半導
体基板をＹＡＧレーザ等により予め円板上に切り抜いた
後に種々の加工を行って製造されている。
【０００３】例えば、遮断電流の大きな（数百アンペア
以上）ＧＴＯは平形構造の圧接型素子とするためにタン
グステンやモリブデンの円盤形の熱緩衝板と合金し、一
体化する。この合金を行う際に、熱緩衝板の大きさに合
わせて予めシリコン基板を円形等に切り抜いておく必要
がある。
以上）ＧＴＯは平形構造の圧接型素子とするためにタン
グステンやモリブデンの円盤形の熱緩衝板と合金し、一
体化する。この合金を行う際に、熱緩衝板の大きさに合
わせて予めシリコン基板を円形等に切り抜いておく必要
がある。
【０００４】このようなシリコン基板等の半導体基板の
切断は、一般にはＹＡＧレーザを用いたレーザースクラ
イバ装置を用いて、図２に示した切断部３に図３に示す
ようにレーザー光を集光することにより行っている。
切断は、一般にはＹＡＧレーザを用いたレーザースクラ
イバ装置を用いて、図２に示した切断部３に図３に示す
ようにレーザー光を集光することにより行っている。
【０００５】尚、図２において１はシリコン基板、２は
シリコン基板１上のゲート・カソード領域、３はシリコ
ン基板の切断部、４はシリコン基板を支持する真空チャ
ック、５はシリコン基板を切断するためにレーザ光を集
光する集光レンズである。また、図３において６はシリ
コン基板の切断時に生じる切断片であり、他の部材は図
２と同様なので、説明を省略する。
シリコン基板１上のゲート・カソード領域、３はシリコ
ン基板の切断部、４はシリコン基板を支持する真空チャ
ック、５はシリコン基板を切断するためにレーザ光を集
光する集光レンズである。また、図３において６はシリ
コン基板の切断時に生じる切断片であり、他の部材は図
２と同様なので、説明を省略する。
【０００６】しかし、例えばシリコン基板をレーザー光
により切断する場合、図３に示されるようにシリコン基
板１の切断時に発生する切断片６がＳi基板の周辺部に
飛び散ってシリコン基板の表面に大量に付着する。
により切断する場合、図３に示されるようにシリコン基
板１の切断時に発生する切断片６がＳi基板の周辺部に
飛び散ってシリコン基板の表面に大量に付着する。
【０００７】特にＧＴＯ用のシリコン基板の表面、すな
わちゲート・カソード領域にシリコン微粒子が付着する
と、洗浄等で完全に除去することは難しく、また付着し
た粒子がその後の処理工程で、シリコン基板の表面に無
数の微細な傷をつける原因となる。
わちゲート・カソード領域にシリコン微粒子が付着する
と、洗浄等で完全に除去することは難しく、また付着し
た粒子がその後の処理工程で、シリコン基板の表面に無
数の微細な傷をつける原因となる。
【０００８】このような微細な傷が図２に示されるよう
なＧＴＯ素子等のゲート・カソード領域に形成される
と、ゲート・カソード間の逆耐電圧特性が低下してしま
う。従って、現在、レーザー光による切断で発生する微
粒子が半導体素子のゲート・カソード領域に付着するこ
とを防止するために、例えばＧＴＯ素子においてはシリ
コン基板のゲート・カソード面側に水溶性樹脂膜を塗布
してゲート・カソード面側のＳi表面全体に保護膜を形
成して保護した後にレーザースクライバーによって切断
加工を行っている。
なＧＴＯ素子等のゲート・カソード領域に形成される
と、ゲート・カソード間の逆耐電圧特性が低下してしま
う。従って、現在、レーザー光による切断で発生する微
粒子が半導体素子のゲート・カソード領域に付着するこ
とを防止するために、例えばＧＴＯ素子においてはシリ
コン基板のゲート・カソード面側に水溶性樹脂膜を塗布
してゲート・カソード面側のＳi表面全体に保護膜を形
成して保護した後にレーザースクライバーによって切断
加工を行っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
水溶性樹脂膜により保護膜を形成した場合、保護膜とし
て用いた樹脂膜を除去するために純水中で超音波洗浄す
る必要があるが、レーザーで切断する時に切断部分の樹
脂保護膜がレーザー光の高熱で焼けて変質してしまう。
水溶性樹脂膜により保護膜を形成した場合、保護膜とし
て用いた樹脂膜を除去するために純水中で超音波洗浄す
る必要があるが、レーザーで切断する時に切断部分の樹
脂保護膜がレーザー光の高熱で焼けて変質してしまう。
【００１０】この変質した樹脂保護膜を完全に除去する
ことは困難であり、この残留物がそのまま残るとその後
の熱緩衝板との合金の際の合金不良の原因となりＧＴＯ
の素子特性に悪影響を与えてしまう。
ことは困難であり、この残留物がそのまま残るとその後
の熱緩衝板との合金の際の合金不良の原因となりＧＴＯ
の素子特性に悪影響を与えてしまう。
【００１１】その解決方法としては、レーザー切断部分
は保護しなくてはならないゲート・カソード領域よりも
外側なので、レーザーで切断する部分の円周上だけ保護
樹脂膜を塗布しないことが考えられる。
は保護しなくてはならないゲート・カソード領域よりも
外側なので、レーザーで切断する部分の円周上だけ保護
樹脂膜を塗布しないことが考えられる。
【００１２】しかしながら現在の塗布方法であるスピン
ナー（回転式塗布機）で樹脂溶液をＳi基板に回転塗布
する方法では、Ｓi基板の片面全面に樹脂膜が塗布され
てしまう。
ナー（回転式塗布機）で樹脂溶液をＳi基板に回転塗布
する方法では、Ｓi基板の片面全面に樹脂膜が塗布され
てしまう。
【００１３】本発明は上記背景の下になされたものであ
り、切断加工時に飛散する微粒子から半導体基板を保護
する保護膜の形成が可能であり、更にレーザーによる切
断部分に、除去困難な保護膜の変質物が残留することの
ない半導体素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
り、切断加工時に飛散する微粒子から半導体基板を保護
する保護膜の形成が可能であり、更にレーザーによる切
断部分に、除去困難な保護膜の変質物が残留することの
ない半導体素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
するため、本発明は半導体基板上にフォトレジストを塗
布し、次に前記フォトレジストをフォトマスクを用いて
露光し、更に現像を行って前記フォトレジストの露光部
分に保護膜を形成した後に前記半導体基板の切断加工を
行うことを特徴とする。
するため、本発明は半導体基板上にフォトレジストを塗
布し、次に前記フォトレジストをフォトマスクを用いて
露光し、更に現像を行って前記フォトレジストの露光部
分に保護膜を形成した後に前記半導体基板の切断加工を
行うことを特徴とする。
【００１５】また、Ｓi基板上にフォトレジストを塗布
した後に露光及び現像を行って保護膜を形成した後に前
記Ｓi基板の切断加工を行い、かつ前記フォトレジスト
の露光時に前記切断加工時における切断部分を覆うフォ
トマスクを用い、現像時に前記フォトレジストの露光部
分に保護膜を形成するとともに前記切断部分のフォトレ
ジストを除去した後に、前記切断加工を行うことを特徴
とするゲートターンオフサイリスタの製造方法も提供さ
れる。
した後に露光及び現像を行って保護膜を形成した後に前
記Ｓi基板の切断加工を行い、かつ前記フォトレジスト
の露光時に前記切断加工時における切断部分を覆うフォ
トマスクを用い、現像時に前記フォトレジストの露光部
分に保護膜を形成するとともに前記切断部分のフォトレ
ジストを除去した後に、前記切断加工を行うことを特徴
とするゲートターンオフサイリスタの製造方法も提供さ
れる。
【００１６】上記のように半導体素子の製造を行うこと
により、半導体基板の切断加工時における切断部には保
護膜が形成されないのにもかかわらず、半導体基体の切
断片から保護する必要のある領域、例えばカソード・ゲ
ート領域等に保護膜を形成することが可能となる。
により、半導体基板の切断加工時における切断部には保
護膜が形成されないのにもかかわらず、半導体基体の切
断片から保護する必要のある領域、例えばカソード・ゲ
ート領域等に保護膜を形成することが可能となる。
【００１７】
【実施例】本実施例においては半導体素子としてＧＴＯ
を使用し、また、スピンナで塗布する樹脂を現在の水溶
性樹脂に代えて、半導体のフォトリソグラフィーに使用
されるフォトレジストを用いる。
を使用し、また、スピンナで塗布する樹脂を現在の水溶
性樹脂に代えて、半導体のフォトリソグラフィーに使用
されるフォトレジストを用いる。
【００１８】このフォトレジストは、露光時にフォトマ
スクを使用することにより、保護膜の形状を容易に変え
ることができるので、種々の保護膜の形成を容易に行う
ことができる。
スクを使用することにより、保護膜の形状を容易に変え
ることができるので、種々の保護膜の形成を容易に行う
ことができる。
【００１９】従って、フォトレジスト及びフォトマスク
を用いることにより、半導体基板において切断加工時に
発生する切断片から保護することが必要な領域、例えば
本実施例においてはゲート・カソード部を覆い、かつ半
導体基板の切断部を覆うことのない形状の保護膜を容易
に形成することができる。尚、これらゲート・カソード
部及び半導体基板の切断部の形状は、電気的及び物理的
に強度の高い円板状にすることが好ましい。
を用いることにより、半導体基板において切断加工時に
発生する切断片から保護することが必要な領域、例えば
本実施例においてはゲート・カソード部を覆い、かつ半
導体基板の切断部を覆うことのない形状の保護膜を容易
に形成することができる。尚、これらゲート・カソード
部及び半導体基板の切断部の形状は、電気的及び物理的
に強度の高い円板状にすることが好ましい。
【００２０】本実施例にては、ゲート・カソード領域及
び切断部を同心円状として、フォトレジストを塗布した
半導体基板の露光を行う際にフォトマスクを使用すると
共に、フォトマスクの露光部をその直径がゲート・カソ
ード領域よりも大きく、かつ切断部より小さい同心円状
として保護膜の形成を行った。
び切断部を同心円状として、フォトレジストを塗布した
半導体基板の露光を行う際にフォトマスクを使用すると
共に、フォトマスクの露光部をその直径がゲート・カソ
ード領域よりも大きく、かつ切断部より小さい同心円状
として保護膜の形成を行った。
【００２１】上記のように露光を行って現像を行うこと
により、図１に示したように保護すべきゲート・カソー
ド領域はフォトレジストで保護されているが、レーザー
光による切断部分はフォトレジストで覆われていな理想
的な保護膜が実現できる。
により、図１に示したように保護すべきゲート・カソー
ド領域はフォトレジストで保護されているが、レーザー
光による切断部分はフォトレジストで覆われていな理想
的な保護膜が実現できる。
【００２２】以下、図１を用いてその詳細を示す。尚、
図１において７は保護膜であり、たの部材は図２と同様
なので説明を省略する。
図１において７は保護膜であり、たの部材は図２と同様
なので説明を省略する。
【００２３】（１）シリコン基板１上に、スピンナを用
いて回転塗布によりフォトレジストを塗布する。本実施
例においてはポジレジストタイプのフォトレジスト（東
京応化製：ＯＦＰＲ−８００）を使用した。
いて回転塗布によりフォトレジストを塗布する。本実施
例においてはポジレジストタイプのフォトレジスト（東
京応化製：ＯＦＰＲ−８００）を使用した。
【００２４】（２）シリコン基板を85℃で露光前にプリ
ベークした後に、マスクアライナー（紫外線露光装置）
及びフォトマスクを用いて、シリコン基板１上の図１に
示す保護パターン状に露光する。
ベークした後に、マスクアライナー（紫外線露光装置）
及びフォトマスクを用いて、シリコン基板１上の図１に
示す保護パターン状に露光する。
【００２５】（３）現像液で現像後、120℃でポストベ
ークする。この際、シリコン基板に塗布されたフォトレ
ジストの露光された部分には保護膜７が形成されるが、
フォトマスクに覆われて露光されなかったフォトレジス
トは除去される。
ークする。この際、シリコン基板に塗布されたフォトレ
ジストの露光された部分には保護膜７が形成されるが、
フォトマスクに覆われて露光されなかったフォトレジス
トは除去される。
【００２６】（４）シリコン基板をレーザースクライバ
ーで切断する。
ーで切断する。
【００２７】（５）アセトンでフォトレジストを洗浄し
て落す。
て落す。
【００２８】上記方法により、切断加工を行う際にその
切断部３には保護膜を形成せず、かつカソード・ゲート
領域には保護膜３を形成することができる。
切断部３には保護膜を形成せず、かつカソード・ゲート
領域には保護膜３を形成することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明においては、上記のように半導体
素子の製造を行っているので、半導体基板の切断加工時
における切断部には保護膜が形成されないのにもかかわ
らず、半導体基体の切断片から保護する必要のあるカソ
ード・ゲート領域等には保護膜を形成することが可能で
ある。
素子の製造を行っているので、半導体基板の切断加工時
における切断部には保護膜が形成されないのにもかかわ
らず、半導体基体の切断片から保護する必要のあるカソ
ード・ゲート領域等には保護膜を形成することが可能で
ある。
【００３０】従って、従来の方法にてはレーザー光でシ
リコン基板を切断した部分にゲート・カソード領域を保
護する樹脂がレーザーの熱で変質して、除去困難な残留
物となり、後工程で、合金不良の原因となっていたのに
対し、本発明の方法によれば、レーザー光で切断する部
分には保護膜がないので、残留物が発生せず、従って合
金不良も発生させることなく半導体素子の製造を行うこ
とができる。
リコン基板を切断した部分にゲート・カソード領域を保
護する樹脂がレーザーの熱で変質して、除去困難な残留
物となり、後工程で、合金不良の原因となっていたのに
対し、本発明の方法によれば、レーザー光で切断する部
分には保護膜がないので、残留物が発生せず、従って合
金不良も発生させることなく半導体素子の製造を行うこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体素子の製造方法
の説明図
の説明図
【図２】従来例に係る半導体素子の製造方法の説明図
【図３】従来例に係る半導体基体の切断方法の説明図
１…シリコン基板 ２…ゲート・カソード領域 ３…切断部 ４…真空チャック ５…集光レンズ ６…切断片 ７…保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上にフォトレジストを塗布
し、次に前記フォトレジストをフォトマスクを用いて露
光し、更に現像を行って前記フォトレジストの露光部分
に保護膜を形成した後に前記半導体基板の切断加工を行
うことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 Ｓi基板上にフォトレジストを塗布した
後に露光及び現像を行って保護膜を形成した後に前記Ｓ
i基板の切断加工を行うゲートターンオフサイリスタの
製造方法において、 前記フォトレジストの露光時に前記切断加工時における
切断部分を覆うフォトマスクを用い、現像時に前記フォ
トレジストの露光部分に保護膜を形成するとともに前記
切断部分のフォトレジストを除去した後に、前記切断加
工を行うことを特徴とするゲートターンオフサイリスタ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3379792A JPH05235333A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3379792A JPH05235333A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235333A true JPH05235333A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12396465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3379792A Pending JPH05235333A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005504445A (ja) * | 2001-10-01 | 2005-02-10 | エグシル テクノロジー リミテッド | 基板、特に半導体ウェハの加工 |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP3379792A patent/JPH05235333A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005504445A (ja) * | 2001-10-01 | 2005-02-10 | エグシル テクノロジー リミテッド | 基板、特に半導体ウェハの加工 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6794207B2 (en) | Method of manufacturing integrated circuit | |
| USRE42980E1 (en) | Method for applying a resist layer, uses of adhesive materials, and adhesive materials and resist layer | |
| JPH10307383A (ja) | マスク上の欠陥を修理する方法 | |
| EP0037708A2 (en) | Method of forming patterns | |
| JPH07135129A (ja) | Ｓｉ転写マスク、及び、Ｓｉ転写マスクの製造方法 | |
| US6506688B2 (en) | Method for removing photoresist layer on wafer edge | |
| US5981110A (en) | Method for repairing photomasks | |
| CN1304904C (zh) | 使用无定形碳层改善光栅制造的方法 | |
| US7208326B2 (en) | Edge protection process for semiconductor device fabrication | |
| JP3475314B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| US5885756A (en) | Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby | |
| JPH05235333A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH01260451A (ja) | ダイシングラインの形成方法 | |
| US6402886B2 (en) | Use of a chemically active reticle carrier for photomask etching | |
| US6492094B1 (en) | Lithography for fast processing of large areas utilizing electron beam exposure | |
| US5864170A (en) | Semiconductor device having bonding pad and scribe line | |
| JPS58105151A (ja) | 感光性樹脂膜の形成方法 | |
| KR0156148B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| JPH0831710A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0141176B1 (ko) | 웨이퍼의 엣지 처리방법 | |
| JP2699468B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI292783B (en) | Method for repair of photomasks | |
| JPS6179227A (ja) | 感光性レジストを用いたパタ−ン形成方法 | |
| JPS59169175A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59228721A (ja) | 半導体装置の製造方法 |