JPH0521329A - Resist coating device - Google Patents
Resist coating deviceInfo
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- JPH0521329A JPH0521329A JP3201229A JP20122991A JPH0521329A JP H0521329 A JPH0521329 A JP H0521329A JP 3201229 A JP3201229 A JP 3201229A JP 20122991 A JP20122991 A JP 20122991A JP H0521329 A JPH0521329 A JP H0521329A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ＩＣの製造工程
中におけるフォトリソグラフィ工程で用いられるフォト
レジストを塗布するためのレジスト塗布装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating apparatus for coating a photoresist used in a photolithography process during a semiconductor IC manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ＩＣの製造工程中におけるフォト
リソグラフィ工程では、ウエーハ状半導体基板（以下、
単に「ウエーハ」と言う）の表面上に有機材料を主成分
とする溶液状態のフォトレジストを約１〜１０ｃｃ程度
滴下し、その後からウエーハを例えば毎分１０００〜６
０００回転程度にて回転させ、この表面上に数ミクロン
以下の厚さでフォトレジストを薄膜状に塗布する「スピ
ンコート法」と呼ばれる方法が採られている。また、こ
のようにしてウエーハにフォトレジストを塗布する装置
は、一般に「スピンコータ」とも呼ばれている。2. Description of the Related Art In a photolithography process during a semiconductor IC manufacturing process, a wafer-shaped semiconductor substrate (hereinafter
A photoresist in a solution state containing an organic material as a main component is dropped about 1 to 10 cc on the surface of a "wafer"), and thereafter the wafer is, for example, 1000 to 6 per minute.
A method called "spin coating method" is used in which a photoresist is applied in a thin film form on the surface by rotating at about 000 rotations to a thickness of several microns or less. An apparatus for applying a photoresist to a wafer in this manner is also generally called a "spin coater".
【０００３】図３は、従来のレジスト塗布装置の一例を
示す概略全体構成配置図である。図３において、ウエー
ハ１は、ウエーハチャック２で真空吸着保持されて、ド
レン口４を有したスピンカップ３内でウエーハチャック
２と一体に水平回転可能に配設されている。また、ウエ
ーハチャック２上に保持されているウエーハ１には、有
機材料を主成分とする溶液状態のフォトレジスト５を配
管ａより滴下可能になっており、そのフォトレジスト５
はガロンビン６内に貯蔵されている。また、ガロンビン
６と配管ａの間には、ガロンビン６側より配管ｆ，栓
７，配管ｅ，残量センサ８，配管ｄ，フィルタ９，配管
ｃ，駆動ポンプ１０，配管ｂ，ストップバルブ１１，サ
ックバックバルブ１２が順次配設されている。さらに、
ガロンビン６の上部には窒素ガス（Ｎ2 ガス）が送り込
まれてくる窒素ガス配管１３が取り付けられているとと
もに、残量センサ８およびフィルタ９にはそれぞれオー
バーフロー用のドレン配管１４，１５が取り付けられて
いる。FIG. 3 is a schematic overall configuration layout showing an example of a conventional resist coating apparatus. In FIG. 3, a wafer 1 is vacuum-sucked and held by a wafer chuck 2 and is horizontally rotatable integrally with the wafer chuck 2 in a spin cup 3 having a drain port 4. On the wafer 1 held on the wafer chuck 2, a photoresist 5 containing an organic material as a main component in a solution state can be dripped from a pipe a.
Is stored in galombin 6. Further, between the gallon bin 6 and the pipe a, from the gallon bin 6 side, the pipe f, the plug 7, the pipe e, the remaining amount sensor 8, the pipe d, the filter 9, the pipe c, the drive pump 10, the pipe b, the stop valve 11, The suck back valve 12 is sequentially arranged. further,
A nitrogen gas pipe 13 into which nitrogen gas (N 2 gas) is sent is attached to the upper part of the gallon bin 6, and drain pipes 14 and 15 for overflow are attached to the remaining amount sensor 8 and the filter 9, respectively. ing.
【０００４】次に、このレジスト塗布装置の動作につい
て説明する。まず、ウエーハ１がスピンカップ３内に運
ばれ、ウエーハチャック２に真空吸着されて保持される
と、窒素ガス配管１３を通して窒素ガスがガロンビン６
内に圧送される。すると、この窒素ガスでフォトレジス
ト５の液面が加圧され、配管ｆ，ｅ内を伝わって、フォ
トレジスト５が残量センサ８内へと導かれる。また、残
量センサ８からは配管ｄ内を伝わってフィルタ９へ導か
れ、これがさらに配管ｃ内を伝わってフォトレジスト５
が滴下される際に作動する駆動ポンプ１０内へと導かれ
る。なお、この駆動ポンプ１０内へ導かれるまでの間
で、残量センサ８およびフィルタ９の部分に過剰に流れ
込んだフォトレジスト５はオーバーフロー用のドレン配
管１４，１５を通してそれぞれ排出される。一方、駆動
ポンプ１０側に導かれたフォトレジスト５は、駆動ポン
プ１０が駆動されると、さらに配管ｂ内へと圧送され、
駆動ポンプ１０と連動しているストップバルブ１１，サ
ックバックバルブ１２を通過し、配管ａ内を伝わってウ
エーハ１の表面上に１〜１０ｃｃ程度滴下される。この
フォトレジスト５の滴下が確認されると、図示せぬスピ
ンモータによってウエーハチャック２が毎分１０００〜
６０００回転程度でウエーハ１と一体に回転する。する
と、ウエーハ１上に滴下されているフォトレジスト５が
表面上に拡散され、均一な薄膜となって形成される。ま
た、この回転中にウエーハ１外へ飛散するフォトレジス
ト５は、スピンカップ３にて回収され、ドレン口４より
排出される。したがって、これをウエーハ１毎に繰り返
すことにより、各ウエーハ１の表面上にフォトレジスト
５を順次均一に塗布することができる。Next, the operation of this resist coating apparatus will be described. First, when the wafer 1 is carried into the spin cup 3 and is vacuum-adsorbed and held by the wafer chuck 2, the nitrogen gas is passed through the nitrogen gas pipe 13 and the nitrogen gas is supplied to the gallon bin 6
It is pumped in. Then, the liquid level of the photoresist 5 is pressurized by this nitrogen gas, and the photoresist 5 is guided into the residual amount sensor 8 through the pipes f and e. Further, from the remaining amount sensor 8, it is guided through the pipe d to the filter 9, and this is further propagated through the pipe c and the photoresist 5 is introduced.
Is introduced into the drive pump 10 that operates when dropped. The photoresist 5 that has excessively flown into the remaining amount sensor 8 and the filter 9 before being introduced into the drive pump 10 is discharged through the overflow drain pipes 14 and 15, respectively. On the other hand, the photoresist 5 guided to the drive pump 10 side is further pumped into the pipe b when the drive pump 10 is driven,
After passing through the stop valve 11 and the suck back valve 12 which are interlocked with the drive pump 10, about 1 to 10 cc is dropped on the surface of the wafer 1 along the pipe a. When the dropping of the photoresist 5 is confirmed, the wafer chuck 2 is rotated at a speed of 1000-per minute by a spin motor (not shown).
It rotates together with the wafer 1 at about 6000 rotations. Then, the photoresist 5 dropped on the wafer 1 is diffused on the surface to form a uniform thin film. Further, the photoresist 5 scattered outside the wafer 1 during the rotation is collected by the spin cup 3 and discharged from the drain port 4. Therefore, by repeating this for each wafer 1, the photoresist 5 can be sequentially and evenly applied onto the surface of each wafer 1.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のレジスト塗布装置では、例えば２カ月間，３カ
月間と言った長期間に渡って連続的に使用し続けた場
合、フォトレジスト薄膜の品質を保っていく上で問題点
を有していた。つまり、フォトレジスト５がガロンビン
６内からスピンカップ３内のウエーハ１に導かれていく
までの工程で、各配管ａ〜ｆ内の継ぎ手部分や折れ曲が
った部分等に、使用によって徐々にではあるが微小の異
物が発生したり、これが局所的に各配管ａ〜ｆ内で固ま
って付着してしまう場合がある。そして、これらがフォ
トレジスト滴下作業中に流れ出してウエーハ１上に至
り、塗布作業が終了した後も微小異物がウエーハ１の表
面上に残ってしまう場合がある。However, in the above-mentioned conventional resist coating apparatus, the quality of the photoresist thin film is deteriorated when it is continuously used for a long period such as 2 months or 3 months. There was a problem in keeping. That is, in the process until the photoresist 5 is guided from the gallon bin 6 to the wafer 1 in the spin cup 3, the joints and bent portions in each of the pipes af are gradually used as they are used. There is a case where minute foreign matter is generated or locally solidifies and adheres in each of the pipes a to f. Then, these may flow out during the photoresist dropping operation and reach the wafer 1, and minute foreign matters may remain on the surface of the wafer 1 even after the coating operation is completed.
【０００６】図４は、このようにウエーハ１の表面１ａ
上に微小異物１６が残った状態を示している。この場
合、図４に示すように、微小異物１６付近でのフォトレ
ジスト薄膜１７の膜厚が不均一になり、また微小異物自
体でもフォトリソグラフィ後に回路パターンの欠陥とな
って半導体ＩＣ製造における良品率の低下を引き起こす
と言った重大な問題点を有している。FIG. 4 shows the surface 1a of the wafer 1 as described above.
The state in which the minute foreign matter 16 remains is shown. In this case, as shown in FIG. 4, the film thickness of the photoresist thin film 17 in the vicinity of the minute foreign matter 16 becomes non-uniform, and even the minute foreign matter itself becomes a circuit pattern defect after photolithography, and the yield rate in semiconductor IC manufacturing is good. It has a serious problem that it causes a decrease in
【０００７】そこで、この問題点を解決する方法とし
て、微小異物１６が発生し易いと考えられる配管ａ〜ｆ
の内部を、例えばアセトンやエチルセロソルブアセテー
ト等の有機溶剤を用いて洗浄する必要がある。しかしな
がら、配管ａ〜ｆ内の微小異物１６が発生し易い箇所は
数多く考えられ、また微小異物１６の発生頻度も各部分
で各々異なるのが一般的であるが、従来の方法では最も
発生の早い部分に合わせて同時に全ての部分を洗浄する
方法が採られている。このため、洗浄作業も複雑になっ
て作業に要する時間がかかり、その間装置を休止してお
かねばならないと言う問題点があった。さらに、洗浄液
としてのアセトンやエチルセロソルブアセテート等の有
機溶剤は引火性が高く、また人体に対しても毒性を持つ
ので、洗浄作業に危険性を伴う。このため、長時間にわ
たって作業をするのには問題点があった。Therefore, as a method for solving this problem, the pipes a to f which are considered to be likely to cause the minute foreign matter 16 are generated.
It is necessary to wash the inside of the resin with an organic solvent such as acetone or ethyl cellosolve acetate. However, there are many places where the minute foreign matter 16 is likely to occur in the pipes a to f, and the occurrence frequency of the minute foreign matter 16 is generally different in each part, but the conventional method is the fastest. A method of washing all parts at the same time according to the part is adopted. For this reason, the cleaning work becomes complicated and takes a long time, and there is a problem that the apparatus must be stopped during that time. Furthermore, since an organic solvent such as acetone or ethyl cellosolve acetate as a cleaning liquid is highly flammable and toxic to the human body, the cleaning operation is dangerous. Therefore, there is a problem in working for a long time.
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は装置内の洗浄作業を短時間で簡単
かつ安全に行うことができるレジスト塗布装置を提供す
ることにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a resist coating apparatus capable of easily and safely performing cleaning work inside the apparatus in a short time.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明に係るレジスト塗布装置は、液体状の有機材料を
配管を介してウエーハの表面上に導き滴下し、前記ウエ
ーハを回転させて前記ウエーハの表面上に前記有機材料
を拡散させて塗布するものであって、洗浄液へ通じる洗
浄用配管と、前記有機材料を流す配管の途中の前後の部
分を解除可能に遮断するとともに、この遮断された特定
領域部分内に前記洗浄用配管を断続可能に接続するため
のバルブ機構を備え、前記バルブ機構の切り換え制御に
より、前記洗浄用配管を通して前記特定領域部分内にだ
け前記洗浄液を流せるように構成したものである。In order to achieve the above object, a resist coating apparatus according to the present invention introduces and drops a liquid organic material onto a surface of a wafer through a pipe, rotates the wafer, and The organic material is applied by diffusing it on the surface of the wafer, and the cleaning pipe leading to the cleaning liquid and the front and rear parts in the middle of the pipe for flowing the organic material are releasably blocked, and this blocking is performed. A valve mechanism for intermittently connecting the cleaning pipe in the specific region portion is provided, and the cleaning liquid can be flowed only in the specific region portion through the cleaning pipe by switching control of the valve mechanism. It was done.
【００１０】[0010]
【作用】この構成によれば、バルブ機構を操作すると、
洗浄用配管を通して洗浄液を特定領域部分内にだけ導
き、この特定領域部分内だけを独立した状態で洗浄する
ことができる。According to this structure, when the valve mechanism is operated,
It is possible to introduce the cleaning liquid only into the specific region portion through the cleaning pipe and clean only the specific region portion independently.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１は、本発明に係るレジスト塗布装
置の一実施例を示す概略構成配置図である。図１におい
て図３と同一符号を付したものは図３と同一のものを示
している。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration layout diagram showing an embodiment of a resist coating apparatus according to the present invention. In FIG. 1, the same reference numerals as those in FIG. 3 denote the same parts as those in FIG.
【００１２】そして、図１において、ウエーハ１は、ウ
エーハチャック２で真空吸着保持されて、ドレン口４を
有したスピンカップ３内でウエーハチャック２と一体に
水平回転可能に配設されている。また、ウエーハチャッ
ク２上に保持されているウエーハ１には、有機材料を主
成分とする溶液状態のフォトレジスト５が配管ａより滴
下可能になっており、そのフォトレジスト５はガロンビ
ン６内に貯蔵されている。また、ガロンビン６と配管ａ
の間には、ガロンビン６側より配管ｆ，栓７，配管ｅ，
残量センサ８，配管ｄ，フィルタ９，配管ｃ，駆動ポン
プ１０，配管ｂ，ストップバルブ１１，サックバックバ
ルブ１２が順次配設されている。さらに、ガロンビン６
の上部には窒素ガス（Ｎ2 ガス）が送り込まれてくる窒
素ガス配管１３が取り付けられているとともに、残量セ
ンサ８およびフィルタ９にはそれぞれオーバーフロー用
のドレン配管１４，１５が取り付けられている。以上説
明した内容は、図３に示す従来のレジスト塗布装置と同
様の内容であり、何ら変わるところはない。In FIG. 1, the wafer 1 is vacuum-sucked and held by a wafer chuck 2 and is horizontally rotatable integrally with the wafer chuck 2 in a spin cup 3 having a drain port 4. Further, on the wafer 1 held on the wafer chuck 2, a photoresist 5 in a solution state containing an organic material as a main component can be dripped from a pipe a, and the photoresist 5 is stored in a gallon bin 6. Has been done. Also, gallon bin 6 and piping a
Between the gallon bin 6 side, the pipe f, the stopper 7, the pipe e,
A remaining amount sensor 8, a pipe d, a filter 9, a pipe c, a drive pump 10, a pipe b, a stop valve 11 and a suck back valve 12 are sequentially arranged. Furthermore, gallon bin 6
A nitrogen gas pipe 13 into which nitrogen gas (N 2 gas) is fed is attached to the upper part of the above, and drain pipes 14 and 15 for overflow are attached to the remaining amount sensor 8 and the filter 9, respectively. .. The contents described above are the same as those of the conventional resist coating apparatus shown in FIG. 3, and there is no difference.
【００１３】加えて、この実施例のレジスト塗布装置で
は、洗浄液２１を貯蔵し供給するためのタンク２２が設
けられている。このタンク２２は、広く一般に使用され
ているキャンスタタンク等であり、このタンク２２の上
部には窒素ガスが圧送されてくる配管２３と、タンク２
２内の洗浄液２１を送り出すための洗浄用配管２４が取
り付けられている。また、洗浄用配管２４は、途中で６
つの配管Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆに分岐されている。こ
のうち、配管Ａは３方弁２５を介して配管ｅの途中に、
配管Ｃは３方弁２６を介して配管ｄの途中に、配管Ｄは
３方弁２７を介して配管ｃの途中に、配管Ｅは３方弁２
８を介して配管ｂの途中に、配管Ｆは３方弁２９を介し
て配管ａの途中にそれぞれ接続されている。そして、各
３方弁２６〜２９は、バルブ機構を構成していて、それ
ぞれフォトレジスト塗布ライン側と洗浄ライン側とに切
り換え可能になっており、フォトレジスト塗布ライン側
から洗浄ライン側へ切り換えられると、配管ａ〜ｆの間
を各３方弁２６〜２９毎に区別し、この区別された部分
毎を特定領域部分として他の部分と隔離する第１のバル
ブ手段の機能と、配管ａ〜ｆに洗浄用の配管Ａ，Ｃ〜Ｆ
を連通させる第２のバルブ手段の機能とが持たされてい
る。さらに、配管Ｂの途中には、配管Ａと配管Ｃとの
間、配管Ｃと配管Ｄとの間、配管Ｄと配管Ｅとの間、配
管Ｅと配管Ｆとの間、および配管Ｆを越えた位置にそれ
ぞれストップバルブ３０，３１，３２，３３，３４が設
けられている。In addition, the resist coating apparatus of this embodiment is provided with a tank 22 for storing and supplying the cleaning liquid 21. The tank 22 is a canister tank or the like that is widely and generally used, and a pipe 23 through which nitrogen gas is pressure-fed and a tank 2 are provided above the tank 22.
A cleaning pipe 24 for sending out the cleaning liquid 21 in 2 is attached. In addition, the cleaning pipe 24 is
It is branched into two pipes A, B, C, D, E, and F. Of these, the pipe A is in the middle of the pipe e via the three-way valve 25,
Pipe C is in the middle of pipe d via 3-way valve 26, pipe D is in the middle of pipe c via 3-way valve 27, and pipe E is 3-way valve 2
The pipe F is connected to the middle of the pipe b via 8, and the pipe F is connected to the middle of the pipe a via the three-way valve 29. Each of the three-way valves 26 to 29 constitutes a valve mechanism and can be switched between the photoresist coating line side and the cleaning line side, and can be switched from the photoresist coating line side to the cleaning line side. And the functions of the first valve means for distinguishing between the pipes a to f for each of the three-way valves 26 to 29 and isolating each of the distinguished parts as a specific region part from other parts, and the pipes a to f. Cleaning pipes A and C to F in f
And the function of the second valve means for communicating with each other. Further, in the middle of the pipe B, between the pipe A and the pipe C, between the pipe C and the pipe D, between the pipe D and the pipe E, between the pipe E and the pipe F, and beyond the pipe F. Stop valves 30, 31, 32, 33, 34 are provided at the respective positions.
【００１４】次に、このレジスト塗布装置の動作につい
て説明する。まず、ウエーハ１にフォトレジスト５とな
る有機材料を塗布する場合、各３方弁２５〜２９はフォ
トレジスト塗布ライン側に切り換えられ、各配管ａ〜ｆ
内にフォトレジスト５を流すことができる状態に保持さ
れる。これに対して配管Ａ，Ｃ〜Ｆと配管ａ〜ｆとの間
は遮断される。そして、ウエーハ１がスピンカップ３内
に運ばれ、ウエーハチャック２に真空吸着されて保持さ
れると、窒素ガス配管１３を通して窒素ガスがガロンビ
ン６内に圧送される。すると、この窒素ガスでフォトレ
ジスト５の液面上が加圧され、配管ｆ，ｅ内を伝わっ
て、フォトレジスト５が残量センサ８内へと導かれる。
また、残量センサ８からは配管ｄ内を伝わってフィルタ
９へ導かれ、これがさらに配管ｃ内を伝わってフォトレ
ジスト５が滴下される際に作動する駆動ポンプ１０内へ
と導かれる。なお、この駆動ポンプ１０内へ導かれるま
での間で、残量センサ８およびフィルタ９の部分に過剰
に流れ込んだフォトレジスト５はオーバーフロー用のド
レン配管１４，１５を通してそれぞれ排出される。一
方、駆動ポンプ１０側に導かれたフォトレジスト５は、
駆動ポンプ１０が駆動されると、さらに配管ｂ内へと圧
送され、駆動ポンプ１０と連動しているストップバルブ
１１，サックバックバルブ１２を通過し、配管ａ内を伝
わってウエーハ１の表面上に１〜１０ｃｃ程度滴下され
る。このフォトレジスト５の滴下が確認されると、図示
せぬスピンモータによってウエーハチャック２が毎分１
０００〜６０００回転程度でウエーハ１と一体に回転す
る。すると、ウエーハ１上に滴下されているフォトレジ
スト５が表面上に拡散され、均一な薄膜となって形成さ
れる。また、この回転中にウエーハ１外へ飛散するフォ
トレジスト５は、スピンカップ３にて回収され、ドレン
口４より排出される。したがって、これをウエーハ１毎
に繰り返すことにより、各ウエーハ１の表面上にフォト
レジスト５を順次均一に塗布することができる。Next, the operation of this resist coating apparatus will be described. First, when an organic material to be the photoresist 5 is applied to the wafer 1, the three-way valves 25 to 29 are switched to the photoresist application line side and the pipes a to f are used.
The photoresist 5 is held in a state in which it can flow. On the other hand, the pipes A, C to F and the pipes a to f are cut off from each other. Then, when the wafer 1 is carried into the spin cup 3 and is vacuum-adsorbed and held by the wafer chuck 2, nitrogen gas is pumped into the gallon bin 6 through the nitrogen gas pipe 13. Then, the liquid level of the photoresist 5 is pressurized by this nitrogen gas, and the photoresist 5 is guided into the remaining amount sensor 8 through the pipes f and e.
Further, the remaining amount sensor 8 is guided through the pipe d to the filter 9, which is further guided through the pipe c into the drive pump 10 which operates when the photoresist 5 is dropped. The photoresist 5 that has excessively flown into the remaining amount sensor 8 and the filter 9 before being introduced into the drive pump 10 is discharged through the overflow drain pipes 14 and 15, respectively. On the other hand, the photoresist 5 guided to the drive pump 10 side is
When the drive pump 10 is driven, it is further pumped into the pipe b, passes through the stop valve 11 and suck back valve 12 that are interlocked with the drive pump 10, passes through the pipe a, and reaches the surface of the wafer 1. About 1 to 10 cc is dropped. When the dropping of the photoresist 5 is confirmed, the wafer chuck 2 is moved to 1 minute per minute by a spin motor (not shown).
It rotates together with the wafer 1 at about 000 to 6000 rotations. Then, the photoresist 5 dropped on the wafer 1 is diffused on the surface to form a uniform thin film. Further, the photoresist 5 scattered outside the wafer 1 during the rotation is collected by the spin cup 3 and discharged from the drain port 4. Therefore, by repeating this for each wafer 1, the photoresist 5 can be sequentially and evenly applied onto the surface of each wafer 1.
【００１５】次に、フォトレジスト用側の配管ａ〜ｆを
洗浄する場合は、洗浄を必要とする部分の３方弁２６〜
２９をフォトレジスト塗布ライン側から洗浄ライン側へ
切り換えるとともに、この部分に対応したストップバル
ブ（３０〜３４）を閉じる。これを各部分毎に以下説明
する。 （１）残量センサ８内およびその付近の配管を洗浄する
場合：３方弁２５および３方弁２６だけを洗浄ライン側
に切り換えるとともに、配管Ｂ内のストップバルブ３０
のみを閉じて他のストップバルブ３１〜３５は開状態に
しておく。そして、配管２３を通してタンク２２内に窒
素ガスが圧送され、この窒素ガスで洗浄液２１の液面上
が加圧されると、タンク２２内の洗浄液２１が配管２４
より送り出される。すると、この洗浄液２１は、配管
Ａ，３方弁２５，配管ｅ，残量センサ８，配管ｄ，３方
弁２６内を洗浄しながら配管Ｃを通って配管Ｂに流さ
れ、この配管Ｂの先端３５より排出される。これによ
り、３方弁２５および３方弁２６で区別された特定領域
部分の洗浄がなされる。 （２）フィルタ９内およびその付近の配管を洗浄する場
合：３方弁２６および３方弁２７だけを洗浄ライン側に
切り換えるとともに、配管Ｂ内のストップバルブ３１の
みを閉じて他のストップバルブ３０，３２〜３５は開状
態にしておく。そして、上述したようにしてタンク２２
内の洗浄液２１が送り出されると、この洗浄液２１は、
配管Ｂ，ストップバルブ３０，配管Ｃ，３方弁２６，配
管ｄ，フィルタ９，配管ｃ，３方弁２７内を洗浄しなが
ら配管Ｄを通って配管Ｂに流され、この配管Ｂの先端３
５より排出される。これにより、３方弁２６および３方
弁２７で区別された特定領域部分の洗浄がなされる。 （３）駆動ポンプ１０内およびその付近の配管を洗浄す
る場合：３方弁２７および３方弁２８だけを洗浄ライン
側に切り換えるとともに、配管Ｂ内のストップバルブ３
２のみを閉じて他のストップバルブ３０，３１，３３〜
３５は開状態にしておく。そして、上述したようにして
タンク２２内の洗浄液２１が送り出されると、この洗浄
液２１は、配管Ｂ，ストップバルブ３０，３１，配管
Ｄ，３方弁２７，配管ｃ，駆動ポンプ１０，配管ｂ，３
方弁２８内を洗浄しながら配管Ｅを通って配管Ｂに流さ
れ、この配管Ｂの先端３５より排出される。これによ
り、３方弁２７および３方弁２８で区別された特定領域
部分の洗浄がなされる。 （４）ストップバルブ１１，サックバックバルブ１２内
およびその付近の配管を洗浄する場合：３方弁２８およ
び３方弁２９だけを洗浄ライン側に切り換えるととも
に、配管Ｂ内のストップバルブ３３のみを閉じて他のス
トップバルブ３０〜３２，３４は開状態にしておく。そ
して、上述したようにしてタンク２２内の洗浄液２１が
送り出されると、この洗浄液２１は、配管Ｂ，ストップ
バルブ３０〜３２，配管Ｅ，３方弁２８，配管ｂ，スト
ップバルブ１１，サックバックバルブ１２，配管ａ，３
方弁２８内を洗浄しながら配管Ｆを通って配管Ｂに流さ
れ、この配管Ｂの先端３５より排出される。これによ
り、３方弁２８および３方弁２９で区別された特定領域
部分の洗浄がなされる。 （５）３方弁２９よりも先の配管ａ、すなわち滴下口の
部分を洗浄する場合：３方弁２９だけを洗浄ライン側に
切り換えるとともに、配管Ｂ内のストップバルブ３４の
みを閉じて他のストップバルブ３０〜３３は開状態にし
ておく。そして、上述したようにしてタンク２２内の洗
浄液２１が送り出されると、この洗浄液２１は、配管
Ｂ，ストップバルブ３０〜３３，配管Ｆ，３方弁２９，
配管ａ内を洗浄しながらスピンカップ３内に流れ落ち
る。これにより、３方弁２９で区別された特定領域部分
の洗浄がなされる。Next, when cleaning the photoresist pipes a to f, the three-way valve 26 to which the cleaning is required is performed.
29 is switched from the photoresist coating line side to the cleaning line side, and the stop valves (30 to 34) corresponding to this portion are closed. This will be described below for each part. (1) When cleaning the pipes in and around the remaining amount sensor 8: Only the three-way valve 25 and the three-way valve 26 are switched to the cleaning line side, and the stop valve 30 in the pipe B is used.
Only the other valve is closed and the other stop valves 31 to 35 are left open. Then, nitrogen gas is pumped into the tank 22 through the pipe 23, and when the surface of the cleaning liquid 21 is pressurized by the nitrogen gas, the cleaning liquid 21 in the tank 22 is piped into the pipe 24.
Will be sent out. Then, the cleaning liquid 21 is flowed to the pipe B through the pipe C while cleaning the pipe A, the three-way valve 25, the pipe e, the remaining amount sensor 8, the pipe d, and the three-way valve 26. It is discharged from the tip 35. As a result, the specific region portion distinguished by the 3-way valve 25 and the 3-way valve 26 is cleaned. (2) When cleaning the pipe in and around the filter 9: Only the three-way valve 26 and the three-way valve 27 are switched to the cleaning line side, and only the stop valve 31 in the pipe B is closed and the other stop valve 30 is closed. , 32 to 35 are left open. Then, as described above, the tank 22
When the cleaning liquid 21 in the inside is sent out, the cleaning liquid 21
While cleaning the inside of the pipe B, the stop valve 30, the pipe C, the three-way valve 26, the pipe d, the filter 9, the pipe c, and the three-way valve 27, the pipe B is passed through the pipe D to the pipe B, and the tip 3 of the pipe B
It is discharged from 5. As a result, the specific region portion distinguished by the three-way valve 26 and the three-way valve 27 is cleaned. (3) When cleaning the pipe inside the drive pump 10 and its vicinity: Only the 3-way valve 27 and the 3-way valve 28 are switched to the cleaning line side, and the stop valve 3 in the pipe B is
Only 2 is closed and the other stop valves 30, 31, 33-
35 is left open. Then, when the cleaning liquid 21 in the tank 22 is sent out as described above, the cleaning liquid 21 contains the pipe B, the stop valves 30, 31, the pipe D, the three-way valve 27, the pipe c, the drive pump 10, the pipe b, Three
While cleaning the inside of the one-way valve 28, the one-way valve 28 flows through the pipe E to the pipe B, and is discharged from the tip 35 of the pipe B. As a result, the specific region portion distinguished by the three-way valve 27 and the three-way valve 28 is cleaned. (4) When cleaning the pipes in and around the stop valve 11 and suck back valve 12: Only the three-way valve 28 and the three-way valve 29 are switched to the cleaning line side, and only the stop valve 33 in the pipe B is closed. The other stop valves 30 to 32, 34 are left open. When the cleaning liquid 21 in the tank 22 is sent out as described above, the cleaning liquid 21 is supplied to the pipe B, the stop valves 30 to 32, the pipe E, the three-way valve 28, the pipe b, the stop valve 11, and the suck back valve. 12, piping a, 3
While washing the inside of the one-way valve 28, it flows through the pipe F to the pipe B and is discharged from the tip 35 of the pipe B. As a result, the specific area portion distinguished by the three-way valve 28 and the three-way valve 29 is cleaned. (5) When cleaning the pipe a ahead of the three-way valve 29, that is, the portion of the drip port: Only the three-way valve 29 is switched to the cleaning line side, and only the stop valve 34 in the pipe B is closed. The stop valves 30 to 33 are left open. Then, when the cleaning liquid 21 in the tank 22 is delivered as described above, the cleaning liquid 21 is supplied to the pipe B, the stop valves 30 to 33, the pipe F, the three-way valve 29,
It flows down into the spin cup 3 while cleaning the inside of the pipe a. As a result, the specific area portion distinguished by the three-way valve 29 is cleaned.
【００１６】したがって、この実施例によるレジスト塗
布装置によれば、３方弁２５〜２９およびストップバル
ブ３４を切り換え制御することによって、フォトレジス
ト用の配管部分全体を洗浄せずに、特定領域部分内だけ
を個々に洗浄することができる。これにより、レジスト
塗布装置を停止させておく洗浄作業に要する時間（ダウ
ンタイム）を最小限に抑えることができる。また、洗浄
作業を行う場合も、従来ではフォトレジスト用の配管
（ａ〜ｆ）内の部品、例えば残量センサ８，フィルタ
９，駆動ポンプ１０，ストップバルブ１１，サックバッ
クバルブ１２等をその都度取り外して洗浄または交換し
ていたのを、取り外すことなく洗浄することができる。
これにより、人体等に対して危険性のある洗浄液（例え
ば有機材料であるアセトン、エチルセロソルブアセテー
ト等）の蒸気を吸い込んだりしてしまう問題も解決さ
れ、洗浄に要する時間および労力が激減でき、同時に消
耗品として廃棄される部品も節約できる。Therefore, according to the resist coating apparatus of this embodiment, the three-way valves 25 to 29 and the stop valve 34 are switched and controlled, so that the entire photoresist piping portion is not washed and the inside of the specific area portion is not cleaned. Only can be washed individually. As a result, the time (downtime) required for the cleaning work in which the resist coating device is stopped can be minimized. Also, when performing cleaning work, conventionally, components in the photoresist pipes (a to f), such as the remaining amount sensor 8, the filter 9, the drive pump 10, the stop valve 11, the suck back valve 12 and the like, are conventionally used. What was removed and washed or replaced can be washed without removing.
This solves the problem of inhaling the vapor of a cleaning liquid that is dangerous to the human body (for example, acetone, ethyl cellosolve acetate, which is an organic material), and the time and labor required for cleaning can be dramatically reduced. Parts that are discarded as consumables can also be saved.
【００１７】図２は、本発明に係るレジスト塗布装置の
他の実施例を示す要部構成配置図である。図２において
図１と同一符号を付したものは図１と同一のものを示し
ている。そして、この図２に示す実施例のレジスト塗布
装置では、フォトレジスト用の配管ラインを２組設け、
一方の配管ラインを洗浄する場合は他方の配管ラインを
使用してフォトレジスト５の塗布作業を進めるようにす
ることによってダウンタイムを低くし、生産性の向上を
図ったものである。FIG. 2 is a layout diagram of essential parts showing another embodiment of the resist coating apparatus according to the present invention. In FIG. 2, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same parts as those in FIG. In the resist coating apparatus of the embodiment shown in FIG. 2, two sets of photoresist piping lines are provided,
When cleaning one of the piping lines, the other piping line is used to advance the coating operation of the photoresist 5 to reduce downtime and improve productivity.
【００１８】さらに詳述すると、図２は駆動ポンプ１０
およびその付近の配管の部分を示しており、フォトレジ
スト塗布用の配管ｃは３方弁２７によって配管ｃ１，ｃ
２の２つに分岐され、各配管ｃ１，ｃ２に各々駆動ポン
プ１０，１０１が接続されている。また、駆動ポンプ１
０と３方弁２７との間には３方弁１２７が設けられ、配
管ｃ１が３方弁１２７から配管Ｄ１を介して洗浄用の配
管Ｂに通じている。一方、駆動ポンプ１０の下流側には
配管ｂへ通じる配管ｂ１が設けられ、この配管ｂ１と配
管ｂとの間に３方弁１２８，３６が配設されているとと
もに、配管ｂ１が３方弁１２８，配管Ｅ１を介して洗浄
用配管Ｅへ通じた状態になっている。これに対して、駆
動ポンプ１０１と３方弁２７との間には３方弁２２７が
設けられ、この３方弁２２７，配管Ｄ２を介して配管ｃ
２が洗浄用の配管Ｂに通じている。また、駆動ポンプ１
０１の下流側には３方弁３６を介して配管ｂへ通じる配
管ｂ２が設けられているとともに、配管ｂ２がこの途中
に設けられた３方弁２２８，配管Ｅ２を介して洗浄配管
Ｅへ通じた状態になっている。More specifically, FIG. 2 shows the drive pump 10.
And a portion of the pipe in the vicinity thereof are shown, and the pipe c for photoresist coating is formed by the three-way valve 27.
Drive pipes 10 and 101 are connected to the pipes c1 and c2, respectively. Also, the drive pump 1
A three-way valve 127 is provided between 0 and the three-way valve 27, and the pipe c1 communicates with the cleaning pipe B from the three-way valve 127 via the pipe D1. On the other hand, a pipe b1 communicating with the pipe b is provided on the downstream side of the drive pump 10, three-way valves 128 and 36 are arranged between the pipe b1 and the pipe b, and the pipe b1 is a three-way valve. The cleaning pipe E is connected to the cleaning pipe E through the pipe 128 and the pipe E1. On the other hand, a three-way valve 227 is provided between the drive pump 101 and the three-way valve 27, and the pipe c is connected via the three-way valve 227 and the pipe D2.
2 communicates with the cleaning pipe B. Also, the drive pump 1
On the downstream side of 01, a pipe b2 communicating with the pipe b via the three-way valve 36 is provided, and the pipe b2 communicates with the cleaning pipe E via the three-way valve 228 and the pipe E2 provided in the middle. Is in a closed state.
【００１９】次に、このレジスト塗布装置の動作につい
て説明する。まず、このレジスト塗布装置では駆動ポン
プ１０と１０１とが交互に使用され、駆動ポンプ１０を
使用している場合は駆動ポンプ１０１側の洗浄を同時に
行うことができ、逆に駆動ポンプ１０１を使用している
場合は駆動ポンプ１０側の洗浄を行うことができるよう
になっているもので、これを駆動ポンプ毎に説明を進め
る。 （１）駆動ポンプ１０をフォトレジスト薄膜形成用に使
用し、駆動ポンプ１０１内およびその付近の配管を洗浄
する場合：３方弁２７，１２７，１２８，３６はフォト
レジスト塗布ライン側へ切り換え、３方弁２２７，２２
８は洗浄ライン側に切り換える。すると、フィルタ９側
より配管ｃを通って送られてきたフォトレジスト５は、
３方弁２７，配管ｃ１を通って駆動ポンプ１０内へ導か
れ、さらに配管ｂ１，３方弁１２８，３６を通って配管
ｂへと圧送されてストップバルブ１１側へ進む。一方、
タンク２２側から圧送された洗浄液２１は、配管Ｄ２，
３方弁２２７，配管Ｃ２，駆動ポンプ１０１，配管ｂ
２，３方弁２２８，配管Ｅ２を通って洗浄用配管Ｅへ流
れ配管Ｂの先端３５より排出される。これにより、駆動
ポンプ１０によるフォトレジスト５の圧送動作と同時
に、駆動ポンプ１０１内およびその付近の配管の洗浄が
なされる。 （２）駆動ポンプ１０１をフォトレジスト薄膜形成用に
使用し、駆動ポンプ１０内およびその付近の配管を洗浄
する場合：３方弁２７，２２７，２２８，３６はフォト
レジスト塗布ライン側へ切り換え、３方弁１２７，１２
８は洗浄ライン側に切り換える。すると、フィルタ９側
より配管ｃを通って送られてきたフォトレジスト５は、
３方弁２７，配管ｃ２を通って駆動ポンプ１０１内へ導
かれ、さらに配管ｂ２，３方弁２２８，３６を通って配
管ｂへと圧送されてストップバルブ１１側へ進む。一
方、タンク２２側から圧送された洗浄液２１は、配管Ｄ
１，配管ｃ，駆動ポンプ１０，配管ｂ１，３方弁１２
８，配管Ｅ１を通って洗浄用配管Ｅへ流れ配管Ｂの先端
３５より排出される。これにより、駆動ポンプ１０１に
よるフォトレジスト５の圧送動作と同時に、駆動ポンプ
１０内およびその付近の配管の洗浄がなされる。Next, the operation of this resist coating apparatus will be described. First, in this resist coating apparatus, the drive pumps 10 and 101 are alternately used. When the drive pump 10 is used, the cleaning of the drive pump 101 side can be performed at the same time, and conversely, the drive pump 101 is used. In this case, the cleaning of the drive pump 10 side can be performed, and this will be described for each drive pump. (1) When the drive pump 10 is used for forming a photoresist thin film and the pipes inside and near the drive pump 101 are cleaned: the three-way valves 27, 127, 128 and 36 are switched to the photoresist coating line side, 3 Way valves 227,22
8 is switched to the cleaning line side. Then, the photoresist 5 sent from the filter 9 side through the pipe c
It is guided to the inside of the drive pump 10 through the three-way valve 27 and the pipe c1, further pressure-fed to the pipe b through the pipe b1, the three-way valves 128 and 36, and proceeds to the stop valve 11 side. on the other hand,
The cleaning liquid 21 pumped from the tank 22 side is pipe D2.
3-way valve 227, pipe C2, drive pump 101, pipe b
It flows through the 2- and 3-way valve 228 and the pipe E2 to the cleaning pipe E, and is discharged from the tip 35 of the pipe B. As a result, at the same time that the photoresist 5 is pumped by the drive pump 10, the pipes in and around the drive pump 101 are cleaned. (2) When the drive pump 101 is used for forming a photoresist thin film and the pipes inside and near the drive pump 10 are cleaned: the three-way valves 27, 227, 228, 36 are switched to the photoresist coating line side, and 3 Way valve 127,12
8 is switched to the cleaning line side. Then, the photoresist 5 sent from the filter 9 side through the pipe c
It is guided into the drive pump 101 through the three-way valve 27 and the pipe c2, and is further pressure-fed to the pipe b through the pipe b2 and the three-way valves 228 and 36 to proceed to the stop valve 11 side. On the other hand, the cleaning liquid 21 pumped from the tank 22 side is pipe D
1, piping c, drive pump 10, piping b 1, 3-way valve 12
8. Flowing through the pipe E1 to the cleaning pipe E and discharged from the tip 35 of the pipe B. As a result, at the same time when the photoresist 5 is pumped by the drive pump 101, the pipes in and around the drive pump 10 are cleaned.
【００２０】したがって、この図２に示す実施例の構造
によるレジスト塗布装置によれば、図１に示した上記実
施例のところで述べた効果に加えて、さらに保守作業に
伴うダウンタイムを最小限にしつつ、同時に高品質なラ
インをも維持し続けることができる等の効果が期待でき
る。なお、この図２に示した実施例では、駆動ポンプ１
０，１０１およびその付近の配管の部分だけを示した
が、他の部分も同様にして２つのラインで形成されるも
のである。Therefore, according to the resist coating apparatus having the structure of the embodiment shown in FIG. 2, in addition to the effect described in the embodiment shown in FIG. 1, the downtime associated with the maintenance work is further minimized. At the same time, at the same time, the effect of being able to maintain high-quality lines can be expected. In the embodiment shown in FIG. 2, the drive pump 1
Although only the pipe parts 0 and 101 and the vicinity thereof are shown, the other parts are similarly formed by two lines.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るレジ
スト塗布装置によれば、バルブ機構の制御により、特定
領域部分内にだけ洗浄液を導き、この内部だけを独立し
た状態で洗浄することができる。したがって、有機材料
を導く配管を複数の前記特定領域部分に分けておけば、
この複数の特定領域部分のうちの、この洗浄を必要とす
る特定領域部分内だけを洗浄することができるので、装
置全体の洗浄作業を必要とする部分だけ短時間で、簡単
かつ安全に行うことが可能になる等の効果が期待でき
る。As described above, according to the resist coating apparatus of the present invention, by controlling the valve mechanism, the cleaning liquid can be introduced only into the specific region and only the inside can be cleaned independently. .. Therefore, if the pipe for guiding the organic material is divided into the plurality of specific region portions,
Of the plurality of specific area parts, only the specific area part requiring cleaning can be cleaned, so that only the part requiring cleaning of the entire device can be easily and safely performed in a short time. It is possible to expect effects such as possible.
【図１】本発明に係るレジスト塗布装置の一実施例を示
す概略全体構成配置図である。FIG. 1 is a schematic overall configuration layout diagram showing an embodiment of a resist coating apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係るレジスト塗布装置の他の実施例を
示す要部構成配置図である。FIG. 2 is a layout view of main parts showing another embodiment of the resist coating apparatus according to the present invention.
【図３】従来のレジスト塗布装置の一例を示す概略全体
構成配置図である。FIG. 3 is a schematic overall configuration layout showing an example of a conventional resist coating apparatus.
【図４】従来のレジスト塗布装置における問題点を説明
するためのウエーハの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a wafer for explaining problems in a conventional resist coating apparatus.
１ ウエーハ ５ フォトレ
ジスト １７ フォトレジスト膜 ２１ 洗浄液 ２４ 洗浄用配管 ２６〜２９
３方弁（バルブ機構） ａ〜ｆ フォトレジスト塗布用の配管 Ａ〜Ｆ 洗浄
用の配管1 Wafer 5 Photoresist 17 Photoresist film 21 Cleaning liquid 24 Cleaning pipes 26 to 29
3-way valve (valve mechanism) a to f Pipe for photoresist application A to F Pipe for cleaning
Claims (1)
ハの表面上に導き滴下し、前記ウエーハを回転させ、前
記ウエーハの表面上に前記有機材料を拡散させて塗布す
るレジスト塗布装置において、 洗浄液へ通じる洗浄用配管と、 前記有機材料を流す配管の途中の前後の部分を解除可能
に遮断するとともに、この遮断された特定領域部分内に
前記洗浄用配管を断続可能に接続するためのバルブ機構
を備え、 前記バルブ機構の切り換え制御により、前記洗浄用配管
を通して前記特定領域部分内にだけ前記洗浄液を流せる
ように構成したことを特徴とするレジスト塗布装置。Claim: What is claimed is: 1. A liquid organic material is introduced and dropped onto a surface of a wafer through a pipe, the wafer is rotated, and the organic material is diffused and applied on the surface of the wafer. In the resist coating device, the cleaning pipe leading to the cleaning liquid and the front and rear parts in the middle of the pipe for flowing the organic material can be cut off releasably, and the cleaning pipe can be interrupted within this blocked specific area part. A resist coating apparatus comprising: a valve mechanism for connecting to the cleaning device, wherein the cleaning liquid is allowed to flow only into the specific region portion through the cleaning pipe by switching control of the valve mechanism.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201229A JP3035873B2 (en) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | Resist coating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201229A JP3035873B2 (en) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | Resist coating equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521329A true JPH0521329A (en) | 1993-01-29 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201229A Expired - Fee Related JP3035873B2 (en) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | Resist coating equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3035873B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004056131A (en) * | 2003-07-03 | 2004-02-19 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | Resist coating machine |
| JP2005052803A (en) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Tamura Teco:Kk | Method for washing inside face of production line, and device therefor |
| JP2005125194A (en) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Seiko Epson Corp | Washing mechanism, liquid droplet discharge device equipped therewith, liquid crystal display device, electroluminescence display device and plasma display device |
| JP2009060129A (en) * | 2008-10-30 | 2009-03-19 | Oki Semiconductor Miyazaki Co Ltd | Resist coating method |
| JP2015230899A (en) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | Cleaning method of liquid feed system, liquid feed system, and computer readable storage medium |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3201229A patent/JP3035873B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2015230899A (en) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | Cleaning method of liquid feed system, liquid feed system, and computer readable storage medium |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3035873B2 (en) | 2000-04-24 |
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