JPH0456040A - 微小真空デバイス - Google Patents
微小真空デバイスInfo
- Publication number
- JPH0456040A JPH0456040A JP2165433A JP16543390A JPH0456040A JP H0456040 A JPH0456040 A JP H0456040A JP 2165433 A JP2165433 A JP 2165433A JP 16543390 A JP16543390 A JP 16543390A JP H0456040 A JPH0456040 A JP H0456040A
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- emitter
- collector
- metal
- low
- gate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、基板上に設けられた冷陰極型微小真空デバイ
スの性能改善に関する。
スの性能改善に関する。
〈従来の技術〉
第４図は石英基板上に薄膜により形成した横型微小真空
管の概念を示す平面図である０図において１はエミッタ
（カソード）、２はコレクタ（アノード）であり、これ
らは所定の距離を隔てて対向して配置されている。３は
エミッタ１とコレクタ２の間に形成されたゲート（グリ
ッド）であり。
管の概念を示す平面図である０図において１はエミッタ
（カソード）、２はコレクタ（アノード）であり、これ
らは所定の距離を隔てて対向して配置されている。３は
エミッタ１とコレクタ２の間に形成されたゲート（グリ
ッド）であり。
これらは例えばタングステン（Ｗ）の薄膜により形成さ
れる。
れる。
〈発明が解決しようとする課題〉
この棟な平面型微小真空管においては、電子放出効率を
向上させるためにエミッタ先端を突出させているが、Ｗ
膜に内部応力が存在しているとエミッタ先端が反ってし
まうという間肋があった。
向上させるためにエミッタ先端を突出させているが、Ｗ
膜に内部応力が存在しているとエミッタ先端が反ってし
まうという間肋があった。
また薄膜は１層なので電子の数が少なく、流れる電流が
少ないという問題があった。
少ないという問題があった。
本発明は上記従来技術の問題を解決するために成された
もので、内部応力が生じにくく電界放出効率を向上させ
た微小真空デバイスを提供することを目的とする。
もので、内部応力が生じにくく電界放出効率を向上させ
た微小真空デバイスを提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記従来技術の問題を解決する為の本発明の精成は、基
板の同一平面上に所定の間隔を隔てて工ミッタとコレク
タが形成され、前記エミッタとコレクタの間にゲートを
形成した微小真空デバイスにおいて、前記エミッタ、コ
レクタおよびゲートは電気的低抵抗部材と低仕事関数の
金属を交互に積層して構成するとともに基板に接する第
１層目を電気的低抵抗部材とし、前記エミッタの先端に
アンダカットを施したことを特徴とするものである。
板の同一平面上に所定の間隔を隔てて工ミッタとコレク
タが形成され、前記エミッタとコレクタの間にゲートを
形成した微小真空デバイスにおいて、前記エミッタ、コ
レクタおよびゲートは電気的低抵抗部材と低仕事関数の
金属を交互に積層して構成するとともに基板に接する第
１層目を電気的低抵抗部材とし、前記エミッタの先端に
アンダカットを施したことを特徴とするものである。
く作用〉
エミッタ、コレクタおよびゲートを電気的低抵抗金属と
低仕事関数の金属を交互に積層して構成するとともに基
板に接する第１層目を電気的低抵抗金属とし、前記エミ
ッタにアンダーカットを施したので電子の放出を増加さ
せることができるとともに層毎の低仕事関数の金属薄膜
を薄くすることができる。その結果、金属薄膜に発生す
る内部応力を少なくすることができる。
低仕事関数の金属を交互に積層して構成するとともに基
板に接する第１層目を電気的低抵抗金属とし、前記エミ
ッタにアンダーカットを施したので電子の放出を増加さ
せることができるとともに層毎の低仕事関数の金属薄膜
を薄くすることができる。その結果、金属薄膜に発生す
る内部応力を少なくすることができる。
〈実施例〉
以下１本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すもので（ａ）は斜視図
、（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ断面図である。
、（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ断面図である。
第１図（ａ＞、（ｂ）においてエミッタ１．コレクタ２
およびゲート３は低仕事関数の金属である例えばＷで形
成され、これらの電極の下には電気的低抵抗金属である
例えばＡＩ薄膜２１が形成されるとともにその先端部の
ＡＩはわずかに除去されてＷの薄膜に対してアンダーカ
ットを施した状態となっている。
およびゲート３は低仕事関数の金属である例えばＷで形
成され、これらの電極の下には電気的低抵抗金属である
例えばＡＩ薄膜２１が形成されるとともにその先端部の
ＡＩはわずかに除去されてＷの薄膜に対してアンダーカ
ットを施した状態となっている。
ところでこの様な微小真空デバイスについては各電極材
質として仕事関数の小さなＷを用いているが、Ｗは比較
的に電気抵抗が大きいのでこれを余り薄く形成すると抵
抗が増加し、電圧が一定の場合エミッタの放出電子が少
なくなる。そのため従来エミッタは１μｍ程度の厚さに
形成しているが、この厚さのＷを基板に直接スパッタや
蒸着により形成するとＷ膜にかなり大きな内部応力が発
生する。
質として仕事関数の小さなＷを用いているが、Ｗは比較
的に電気抵抗が大きいのでこれを余り薄く形成すると抵
抗が増加し、電圧が一定の場合エミッタの放出電子が少
なくなる。そのため従来エミッタは１μｍ程度の厚さに
形成しているが、この厚さのＷを基板に直接スパッタや
蒸着により形成するとＷ膜にかなり大きな内部応力が発
生する。
この内部応力は膜厚、基板温度等膜形成時の条件に依存
するが、これらを再現性よく制御するのは誼しく現実に
は反りやはがれが生じてしまう。
するが、これらを再現性よく制御するのは誼しく現実に
は反りやはがれが生じてしまう。
そこで本発明では基板にＷを直接付着させずに配線抵抗
の低減とバッファの役割を兼ねた０、５μｍ程度のＡＩ
薄膜をエミッタ、コレクタ、ゲートの下に設け、さらに
Ｗの膜厚を０．１〜０．４μｍ程度とし、各１！極の先
端付近をウェットエツチングによりわずかにアンダーカ
ットすることにより放出電子の安定化をはかっている。
の低減とバッファの役割を兼ねた０、５μｍ程度のＡＩ
薄膜をエミッタ、コレクタ、ゲートの下に設け、さらに
Ｗの膜厚を０．１〜０．４μｍ程度とし、各１！極の先
端付近をウェットエツチングによりわずかにアンダーカ
ットすることにより放出電子の安定化をはかっている。
なお、上記実施例ではＡＩとＷの層を互いに１層すつと
したが、第２図、第３図に示すように複数段積層して形
成すれば一層の場合に比較して電流密度の増加をはかる
ことが可能である。
したが、第２図、第３図に示すように複数段積層して形
成すれば一層の場合に比較して電流密度の増加をはかる
ことが可能である。
なお１本実施例においては低抵抗金属としてＡＩを示し
たが例えばＮｉ ’ＰＷＳｉｘ、 Ｍｏ Ｓｉｘ等のシ
リサイドであってもよい。
たが例えばＮｉ ’ＰＷＳｉｘ、 Ｍｏ Ｓｉｘ等のシ
リサイドであってもよい。
また、低仕事関数を有する金属としてはＷの替わりにＭ
Ｏを用いても良い。
Ｏを用いても良い。
また９本実施例においては３［ｉ管として図示したがゲ
ートを２１３重に形成することにより多極管とすること
もできる。
ートを２１３重に形成することにより多極管とすること
もできる。
また、基板は石英の外サファイア、窒化アルミ等の絶縁
性が良く放熱性のあるものを使用することができる。
性が良く放熱性のあるものを使用することができる。
〈発明の効果〉
以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば２層毎の低仕事関数の金属薄膜を薄くすることができ
るので、この金属薄膜に発生する内部応力が少なくなり
反りやはがれを防止することができる。また、エミッタ
にアンダーカットを施したので電子の放出を増加させる
ことができる。
ば２層毎の低仕事関数の金属薄膜を薄くすることができ
るので、この金属薄膜に発生する内部応力が少なくなり
反りやはがれを防止することができる。また、エミッタ
にアンダーカットを施したので電子の放出を増加させる
ことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図（ａ）および断
面図（ｂ）、第２図は、第３図は他の実施例を示す図１
第４図は従来例を示平面図である。 １・・・エミッタ（カソード）、２・・・コレクタ（ア
ノード）、３・・・ゲート（グリッド）、１０・・・基
板。
面図（ｂ）、第２図は、第３図は他の実施例を示す図１
第４図は従来例を示平面図である。 １・・・エミッタ（カソード）、２・・・コレクタ（ア
ノード）、３・・・ゲート（グリッド）、１０・・・基
板。
Claims (1)
- 基板の同一平面上に所定の間隔を隔ててエミッタとコ
レクタが形成され、前記エミッタとコレクタの間にゲー
トを形成した微小真空デバイスにおいて、前記エミッタ
、コレクタおよびゲートは電気的低抵抗部材と低仕事関
数の金属を交互に積層して構成するとともに基板に接す
る第１層目を電気的低抵抗部材とし、前記エミッタの先
端にアンダーカットを施したことを特徴とする微小真空
デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2165433A JPH0456040A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 微小真空デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2165433A JPH0456040A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 微小真空デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456040A true JPH0456040A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15812338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2165433A Pending JPH0456040A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 微小真空デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456040A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05274997A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 電界放出素子 |
| US5463277A (en) * | 1992-12-07 | 1995-10-31 | Ricoh Company, Ltd. | Micro vacuum device |
| KR100222436B1 (ko) * | 1996-08-28 | 1999-10-01 | 한민구 | 내부에 자체 진공을 보유하는 필드 에미션 증폭소자 및 그 제조방법 |
| JP2007080626A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | 電子放出型電極及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP2165433A patent/JPH0456040A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05274997A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 電界放出素子 |
| US5463277A (en) * | 1992-12-07 | 1995-10-31 | Ricoh Company, Ltd. | Micro vacuum device |
| KR100222436B1 (ko) * | 1996-08-28 | 1999-10-01 | 한민구 | 내부에 자체 진공을 보유하는 필드 에미션 증폭소자 및 그 제조방법 |
| JP2007080626A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | 電子放出型電極及びその製造方法 |
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