JPH0455143B2 - - Google Patents
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- Ceramic Products (AREA)
Description
(産業上の利用分野)
本発明は高温で高強度を有する窒化珪素焼結体
およびその焼結体の常圧あるいは雰囲気加圧焼結
による製造法に関するものである。 (従来の技術) 従来、希土類酸化物を含むa系元素の酸化物
を添加した窒化珪素焼結体としては、例えば特公
昭48−7486号公報において、Si3N485モル%以上
とa系元素の酸化物から選ばれた少なくとも1
種15モル%以下とを混合、成形し非酸化性雰囲気
中で焼結する焼結体の製造方法が、特公昭49−
21091号公報においてSi3N4が少なくとも50wt%、
Y2O3またはLa系元素の酸化物から選ばれる少な
くとも1種50wt%以下、およびAl2O30.01〜20wt
%からなる窒化珪素焼結体が開示されている。 しかしながら単に希土類元素を窒化珪素に添加
するだけでは高温高強度を有する焼結体は得られ
ない。また、Al2O3添加では緻密化は促進される
が粒界相は軟化点が低く高温強度は著しく低下す
る。 また、高温強度に優れた窒化珪素焼結体として
は、例えば特公昭59−35867号公報において、
La2O32wt%以上、Y2O32wt%以上、合計10wt%
以上添加した窒化珪素焼結体の製造法が、特開昭
55−3397号公報において、SiO2と希土類酸化物
を添加し、粒界相を結晶化した窒化珪素焼結体の
製造法が開示されている。 さらに、米国特許4234343号公報において、
Yb,Y,ErあるいはDyとSc,Al,Cr,Ti等を
含み、粒界相をSi2N2OとM2Si2O7(M=Yb,Y,
Er,Dy,Sc,Al,Cr,Ti)とに結晶化した窒化
珪素焼結体が開示されている。 また、複雑な形状でも焼成できる常圧焼結法に
より製造可能な高密度・高強度の窒化珪素焼結体
としては、例えば、特開昭59−174577号公報にお
いて、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,
Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luの
酸化物から選ばれた2種以上を5〜30wt%添加
した窒化珪素焼結体が開示されている。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、いずれの場合にもホツトプレス
では高温高強度な焼結体を得ることができるもの
の、常圧焼結、雰囲気加圧焼結ではホツトプレス
ほどの高温高強度の焼結体は得られず、1400℃程
度の高温で500MPaを超える高強度は期待できな
い。 本発明の目的は上述した不具合を解消して、複
雑な形状でも焼成可能な常圧あるいは雰囲気加圧
焼結法により、高温(1400℃)でも高強度を有す
る窒化珪素焼結体およびその製造法を提供しよう
とするものである。 (問題点を解決するための手段) 本発明の窒化珪素焼結体は、Si3N4が70重量%
以上からなり、残部が実質的に希土類元素Y,
Er,Tm,Yb,Luのうちの2種以上とSiとOと
Nからなる焼結体であつて、(1)該焼結体に含まれ
る全ての希土類元素を二三酸化物に換算したモル
量が、該焼結体に含まれる酸素量から全ての希土
類元素を二三酸化物とした時希土類元素の二三酸
化物に含まれる酸素量を差し引いた残り酸素量を
SiO2とした時のSiO2のモル量に対する比で0.4〜
1.3であり、(2)該焼結体に含まれるどの1種の希
土類元素も、全ての希土類元素の合計に対して95
モル%以下であり、(3)該焼結体のSi3N4粒子の粒
界相が実質的に結晶相によりなり、粒界結晶相の
50%以上がアパタイト構造の結晶相よりなる窒化
珪素焼結体である。 また、本発明の窒化珪素焼結体の製造法は、
Y2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3の希土類
酸化物のうちの2種以上と窒化珪素原料粉末との
混合粉末であつて、選ばれた希土類酸化物のうち
のどの1種も希土類酸化物総添加量の95モル%以
下であるとともに、選ばれた希土類酸化物の総添
加量が焼結後焼結体に含まれる酸素(希土類酸化
物から導入される酸素を除く)をSiO2に換算し
たSiO2のモル量に対する比で0.4〜1.3である混合
粉末を成形し、常圧あるいは加圧N2雰囲気中で
1700〜2100℃で焼成することを特徴とするもので
ある。 (作用) 上述した構成において、希土類元素のうちから
陽イオン半径の小さい希土類元素の酸化物
(Er2O3,Y2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3)のう
ちの2種以上の混合、好ましくはYb2O3を希土類
元素の酸化物の総添加量の50〜95モル%さらに好
ましくはY2O3とYb2O3とを混合することにより、
窒化珪素焼結体の緻密化を促進している。陽イオ
ン半径の大きい希土類元素を使用した場合でも緻
密化促進効果はあるが、高温(1400℃)での強度
は高くない。これは、陽イオン半径の大きい希土
類元素を含むアパタイト構造の結晶粒界相と陽イ
オン半径の小さい希土類元素のものでは性質が異
なるためである。 希土類酸化物のどの1種も希土類酸化物総添加
量の95モル%以下と限定するのは、この範囲外で
は2種混合によつて得られる液相では、共融点の
低下、濡れ性向上、粘性低下の緻密化効果が発現
せず、緻密な窒化珪素焼結体を得ることができな
いためである。この添加量は、少なくともYb2O3
を含み、Yb2O3が希土類酸化物の総添加量の50〜
95モル%であると好ましく、Y2O3とYb2O3がモ
ル比でY2O3/Yb2O3=50/50〜5/95であると
さらに好ましい。 希土類酸化物の総添加モル量が焼結後焼結体に
含まれる酸素(希土類酸化物から導入される酸素
を除く)をSiO2に換算したSiO2のモル量に対す
る比が0.4〜1.3になるように希土類酸化物の添加
量を決定するのは、この比の範囲で添加すること
により緻密化効果のある粒界液相が得られ、かつ
粒界相を実質的にアパタイト構造の結晶相にする
ことができるためである。この比が1.3を超える
と緻密化効果のある粒界液相が得られず、
Ln4Si2O7N2(Ln:希土類元素)が結晶相に多く
含まれる。一方比が0.4より小さい場合には緻密
化効果のある粒界液相が得られる結晶相に
Ln2Si2O7(Ln:希土類元素)が含まれ、高温で高
強度の焼結体は得られなくなる。緻密化し高温で
高強度な焼結体となるには少なくともSi3N4粒子
の粒界相が実質的に結晶相よりなり、少なくとも
粒界相の50%以上がアパタイト構造の結晶相であ
る必要があり、好ましくは実質的に全てアパタイ
ト構造の結晶相であることが望ましい。なお、こ
のモル比は0.5〜1.2であるとさらに好ましい。 アパタイト構造の結晶相とはJCPDSカード30
−1462に代表されるY10(SiO4)6N2の化学式を持
つ六方晶系の結晶と同じ結晶構造の結晶相であ
り、希土類元素の2種以上の混合添加焼結体では
Y10(SiO4)6N2の結晶のYイオンの占める位置に
希土類元素イオンが置換しており、希土類元素が
2種以上でも完全に固溶する。また、Nの位置に
0が置換し、電気的中性を保つためYの位置が空
孔になる場合もある。第1図に本発明で得られた
焼結体のX線回折パターンを示す。第1図中、a
で示される回折線はβ−Si3N4であり、bで示さ
れる回折線は粒界結晶相であるアパタイト構造の
結晶相の回折線である。アパタイト構造の結晶相
は陽イオンの大きさに応じて格子体積が変化し、
X線ピーク位置がシフトするがX接回折パターン
によつて同定される。 SiO2量は、窒化珪素原料粉末に含まれる酸素
量と調製中にSi3N4の酸化によつて導入される酸
素量を考慮して、化学分析により焼結体中の酸素
量を求め、希土類酸化物の添加物により焼結体に
含有される酸素量を差き引き、残り酸素量を
SiO2に換算した量である。そのため、酸素量の
少ない窒化珪素原料粉末、SiO2を別に添加した
窒化珪素原料粉末あるいは原料粉末を仮焼して酸
素量を増加した粉末を使用した場合、また調製法
の変更により酸素導入量を増減した場合には
SiO2量に応じて希土類酸化物の添加量を増減す
ることにより、本発明の焼結体が得られる。 SiO2量は緻密化のための粒界相の量を得るた
めに1.0〜5.0重量%が好ましい。1.0重量%以下で
は希土類酸化物の総添加量が少なく緻密化のため
の液相量が不十分であり、5.0重量%以上では粒
界相が過剰となり高温強度が著しく低下するとと
もに窒化珪素が少なく窒化珪素焼結体本来の強度
特性が失われる。 本発明の製造法は、まず、窒化珪素原料粉末と
Y2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3の希土類
酸化物のうちの所望の2種以上の添加物粉末、さ
らに必要に応じて窒化珪素原料粉末を酸化して
SiO2を増加させるか、あるいはSiO2の粉末を準
備し混合して混合物を得る。窒化珪素原料粉末と
しては金属あるいは陽イオン元素の不純物が0.5
重量%以下で、高純度である方が好ましいのは言
うまでもない。Al,Fe,Mg等の不純物金属元素
は粒界相の結晶化を阻害し、高温強度を低下させ
る。このとき、選ばれた希土類酸化物のうちのど
の1種も希土類酸化物の総添加量の95モル%以下
であるとともに、選ばれた希土類酸化物の総添加
量が焼結後焼結体に含まれる酸素(希土類酸化物
から導入される酸素を除く)をSiO2に換算した
SiO2のモル量に対する比で0.4〜1.3であるよう混
合物の組成を調製する。Y2O3,Er2O3,Tm2O3,
Yb2O3,Lu2O3の希土類酸化物は相互に固溶体、
例えば(Y,Yb)2O3等の形で添加しても良い。
あるいは、焼成により焼結、緻密化の開始するま
でに酸化物に転化する水酸化物、硝酸塩、窒化物
等の化合物の形で添加しても良いが、揮発成分の
発生による緻密化の阻害や焼結体中に含有する酸
素量の制御が不安定になることから酸化物の形で
添加することが好ましい。次に得られた混合物を
スリツプキヤスト、射出成形、プレス成形等によ
り、所定の形状に成形して成形体を得る。 次に得られた成形体を常圧あるいは加圧N2雰
囲気中において1700〜2100℃好ましくは1900〜
2000℃の温度で焼成する。焼成温度を1700〜2100
℃と限定するのは、高融点の粒界相を持つために
必要な十分な緻密化を得るためには1700℃以上が
必要であるとともに、2100℃を超えると加圧N2
雰囲気下でも焼結体からの特定成分の蒸発が顕著
になるためである。 また、焼成雰囲気は焼成温度の上昇と共に窒化
珪素の分解を抑制するためにN2の圧力を高めた
方が良い。1800℃では2気圧以上、1900℃では7
気圧以上、2000℃では20気圧以上が良い。あるい
は埋粉等を用いることが可能である。好ましくは
1900〜2000℃で9〜100気圧のN2雰囲気中焼成が
良い。 さらに、雰囲気N2にCOあるいはCO2を添加
し、酸素分圧を高めることにより良好な焼結体焼
成面が得られる。この焼成の降温過程において、
粒界相が実質的に結晶化し、粒界相の50%以上
が、好ましくは実質的に全てがアパタイト構造の
結晶相よりなる窒化珪素焼結体を得ている。な
お、降温過程で結晶化する場合や必要に応じて再
加熱により結晶化することもできる。この場合
は、1200〜1500℃で再加熱するのが好ましい。 また、ホツトプレスや熱間静水圧焼結により本
発明と同組成の窒化珪素焼結体が緻密化し、高温
高強度の焼結体を得られるのは言うまでもない。 さらに本発明と同組成の窒化珪素焼結体を常圧
あるいは加圧N2雰囲気で焼成、緻密化し、降温
過程で結晶化させず、その後熱間静水圧焼結し緻
密化をさらに促進し、熱間静水圧焼結の降温過程
あるいは再加熱により粒界相を結晶化し特性を向
上させることもできる。 しかしながら本発明は常圧あるいは加圧N2雰
囲気中での焼結により緻密化しかつ高温で高強度
の焼結体が得られることが特徴である。 以上述べたように本発明の窒化珪素焼結体およ
びその製造法では、限定された希土類酸化物を、
希土類酸化物とSiO2とのモル量比を限定した範
囲内で制御し、限定された組成の粒界相による緻
密化効果と結晶化時の結晶相を制御することによ
り、常圧あるいは雰囲気加圧焼結で高温高強度の
窒化珪素焼結体を得るものである。 以下、実際の例について説明する。 実施例 1 金属あるいは陽イオン元素の不純物C,Al,
Fe,Mg,Ca等を0.5重量%、0含有量1.7重量%、
平均粒径0.6μm、BET比表面積22m2/gのSi3N4
原料粉末と、純度99.9重量%、平均粒径0.3〜2μm
の第1表記載の添加物を第1表記載の割合で調合
し、窒化珪素質磁器製玉石と内容積1.2のナイ
ロン樹脂製容器を用いて、原料調合物200gに対
して玉石1.2Kg、水500mlを加え、振動数1200回/
分の振動ミルで10時間紛砕した。その後水を蒸発
させ粒径100μmに造粒し、成形用粉末とした。次
に、3ton/cm2の圧力で静水圧プレスし、60×60×
6mmの成形体を作製し、第1表記載の焼成条件で
焼成し、さらに1400℃で6時間結晶化して本発明
の窒化珪素焼結体No.1〜No.9を得た。また同じ原
料を用い、第1表記載の添加物及びその調合割合
で調合し、同じく粉砕、造粒、成形し第1表記載
の焼成条件で焼成し、同じく結晶化した比較例の
窒化珪素焼結体No.10〜No.17を得た。 これらの焼結体No.1〜No.17は化学分析により焼
結体中の酸素量を求め、希土類酸化物の添加物に
より焼結体に含有された酸素を差し引き、残り酸
素量をSiO2の量として求め、添加量とSiO2量の
モル比を第1表に記載した。ただし化学分析の結
果、希土類元素の量は、添加量から変化がなかつ
た。また、これらの焼結体の嵩密度、粒界相の結
晶相、室温および1400℃における四点曲げ強度を
第1表に示した。焼結体の嵩密度はアルキメデス
法により測定した。四点曲げ強度はJISR−1601
「フアインセラミツクスの曲げ強さ試験法」に従
つて測定した。粒界結晶相はCu−Kα線によるX
線回折の結果から求めたものであり、第1表記載
のHはアパタイト構造の結晶、SはLn2Si2O7
(Ln:希土類元素)である。本発明の窒化珪素焼
結体No.3のCuKα線によるX線回折分析結果の回
折線を第1図に示した。このうち、aで示される
回折線はβ−Si3N4であり、bで示される回折線
は粒界結晶相であるアパタイト構造の結晶相の回
折線である。 また本発明の窒化珪素焼結体No.3の透過型電子
顕微鏡写真を第2図に示した。このうちCで示さ
れる粒子はSi3N4であり、Dで示される領域が粒
界相である。
およびその焼結体の常圧あるいは雰囲気加圧焼結
による製造法に関するものである。 (従来の技術) 従来、希土類酸化物を含むa系元素の酸化物
を添加した窒化珪素焼結体としては、例えば特公
昭48−7486号公報において、Si3N485モル%以上
とa系元素の酸化物から選ばれた少なくとも1
種15モル%以下とを混合、成形し非酸化性雰囲気
中で焼結する焼結体の製造方法が、特公昭49−
21091号公報においてSi3N4が少なくとも50wt%、
Y2O3またはLa系元素の酸化物から選ばれる少な
くとも1種50wt%以下、およびAl2O30.01〜20wt
%からなる窒化珪素焼結体が開示されている。 しかしながら単に希土類元素を窒化珪素に添加
するだけでは高温高強度を有する焼結体は得られ
ない。また、Al2O3添加では緻密化は促進される
が粒界相は軟化点が低く高温強度は著しく低下す
る。 また、高温強度に優れた窒化珪素焼結体として
は、例えば特公昭59−35867号公報において、
La2O32wt%以上、Y2O32wt%以上、合計10wt%
以上添加した窒化珪素焼結体の製造法が、特開昭
55−3397号公報において、SiO2と希土類酸化物
を添加し、粒界相を結晶化した窒化珪素焼結体の
製造法が開示されている。 さらに、米国特許4234343号公報において、
Yb,Y,ErあるいはDyとSc,Al,Cr,Ti等を
含み、粒界相をSi2N2OとM2Si2O7(M=Yb,Y,
Er,Dy,Sc,Al,Cr,Ti)とに結晶化した窒化
珪素焼結体が開示されている。 また、複雑な形状でも焼成できる常圧焼結法に
より製造可能な高密度・高強度の窒化珪素焼結体
としては、例えば、特開昭59−174577号公報にお
いて、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,
Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luの
酸化物から選ばれた2種以上を5〜30wt%添加
した窒化珪素焼結体が開示されている。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、いずれの場合にもホツトプレス
では高温高強度な焼結体を得ることができるもの
の、常圧焼結、雰囲気加圧焼結ではホツトプレス
ほどの高温高強度の焼結体は得られず、1400℃程
度の高温で500MPaを超える高強度は期待できな
い。 本発明の目的は上述した不具合を解消して、複
雑な形状でも焼成可能な常圧あるいは雰囲気加圧
焼結法により、高温(1400℃)でも高強度を有す
る窒化珪素焼結体およびその製造法を提供しよう
とするものである。 (問題点を解決するための手段) 本発明の窒化珪素焼結体は、Si3N4が70重量%
以上からなり、残部が実質的に希土類元素Y,
Er,Tm,Yb,Luのうちの2種以上とSiとOと
Nからなる焼結体であつて、(1)該焼結体に含まれ
る全ての希土類元素を二三酸化物に換算したモル
量が、該焼結体に含まれる酸素量から全ての希土
類元素を二三酸化物とした時希土類元素の二三酸
化物に含まれる酸素量を差し引いた残り酸素量を
SiO2とした時のSiO2のモル量に対する比で0.4〜
1.3であり、(2)該焼結体に含まれるどの1種の希
土類元素も、全ての希土類元素の合計に対して95
モル%以下であり、(3)該焼結体のSi3N4粒子の粒
界相が実質的に結晶相によりなり、粒界結晶相の
50%以上がアパタイト構造の結晶相よりなる窒化
珪素焼結体である。 また、本発明の窒化珪素焼結体の製造法は、
Y2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3の希土類
酸化物のうちの2種以上と窒化珪素原料粉末との
混合粉末であつて、選ばれた希土類酸化物のうち
のどの1種も希土類酸化物総添加量の95モル%以
下であるとともに、選ばれた希土類酸化物の総添
加量が焼結後焼結体に含まれる酸素(希土類酸化
物から導入される酸素を除く)をSiO2に換算し
たSiO2のモル量に対する比で0.4〜1.3である混合
粉末を成形し、常圧あるいは加圧N2雰囲気中で
1700〜2100℃で焼成することを特徴とするもので
ある。 (作用) 上述した構成において、希土類元素のうちから
陽イオン半径の小さい希土類元素の酸化物
(Er2O3,Y2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3)のう
ちの2種以上の混合、好ましくはYb2O3を希土類
元素の酸化物の総添加量の50〜95モル%さらに好
ましくはY2O3とYb2O3とを混合することにより、
窒化珪素焼結体の緻密化を促進している。陽イオ
ン半径の大きい希土類元素を使用した場合でも緻
密化促進効果はあるが、高温(1400℃)での強度
は高くない。これは、陽イオン半径の大きい希土
類元素を含むアパタイト構造の結晶粒界相と陽イ
オン半径の小さい希土類元素のものでは性質が異
なるためである。 希土類酸化物のどの1種も希土類酸化物総添加
量の95モル%以下と限定するのは、この範囲外で
は2種混合によつて得られる液相では、共融点の
低下、濡れ性向上、粘性低下の緻密化効果が発現
せず、緻密な窒化珪素焼結体を得ることができな
いためである。この添加量は、少なくともYb2O3
を含み、Yb2O3が希土類酸化物の総添加量の50〜
95モル%であると好ましく、Y2O3とYb2O3がモ
ル比でY2O3/Yb2O3=50/50〜5/95であると
さらに好ましい。 希土類酸化物の総添加モル量が焼結後焼結体に
含まれる酸素(希土類酸化物から導入される酸素
を除く)をSiO2に換算したSiO2のモル量に対す
る比が0.4〜1.3になるように希土類酸化物の添加
量を決定するのは、この比の範囲で添加すること
により緻密化効果のある粒界液相が得られ、かつ
粒界相を実質的にアパタイト構造の結晶相にする
ことができるためである。この比が1.3を超える
と緻密化効果のある粒界液相が得られず、
Ln4Si2O7N2(Ln:希土類元素)が結晶相に多く
含まれる。一方比が0.4より小さい場合には緻密
化効果のある粒界液相が得られる結晶相に
Ln2Si2O7(Ln:希土類元素)が含まれ、高温で高
強度の焼結体は得られなくなる。緻密化し高温で
高強度な焼結体となるには少なくともSi3N4粒子
の粒界相が実質的に結晶相よりなり、少なくとも
粒界相の50%以上がアパタイト構造の結晶相であ
る必要があり、好ましくは実質的に全てアパタイ
ト構造の結晶相であることが望ましい。なお、こ
のモル比は0.5〜1.2であるとさらに好ましい。 アパタイト構造の結晶相とはJCPDSカード30
−1462に代表されるY10(SiO4)6N2の化学式を持
つ六方晶系の結晶と同じ結晶構造の結晶相であ
り、希土類元素の2種以上の混合添加焼結体では
Y10(SiO4)6N2の結晶のYイオンの占める位置に
希土類元素イオンが置換しており、希土類元素が
2種以上でも完全に固溶する。また、Nの位置に
0が置換し、電気的中性を保つためYの位置が空
孔になる場合もある。第1図に本発明で得られた
焼結体のX線回折パターンを示す。第1図中、a
で示される回折線はβ−Si3N4であり、bで示さ
れる回折線は粒界結晶相であるアパタイト構造の
結晶相の回折線である。アパタイト構造の結晶相
は陽イオンの大きさに応じて格子体積が変化し、
X線ピーク位置がシフトするがX接回折パターン
によつて同定される。 SiO2量は、窒化珪素原料粉末に含まれる酸素
量と調製中にSi3N4の酸化によつて導入される酸
素量を考慮して、化学分析により焼結体中の酸素
量を求め、希土類酸化物の添加物により焼結体に
含有される酸素量を差き引き、残り酸素量を
SiO2に換算した量である。そのため、酸素量の
少ない窒化珪素原料粉末、SiO2を別に添加した
窒化珪素原料粉末あるいは原料粉末を仮焼して酸
素量を増加した粉末を使用した場合、また調製法
の変更により酸素導入量を増減した場合には
SiO2量に応じて希土類酸化物の添加量を増減す
ることにより、本発明の焼結体が得られる。 SiO2量は緻密化のための粒界相の量を得るた
めに1.0〜5.0重量%が好ましい。1.0重量%以下で
は希土類酸化物の総添加量が少なく緻密化のため
の液相量が不十分であり、5.0重量%以上では粒
界相が過剰となり高温強度が著しく低下するとと
もに窒化珪素が少なく窒化珪素焼結体本来の強度
特性が失われる。 本発明の製造法は、まず、窒化珪素原料粉末と
Y2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3の希土類
酸化物のうちの所望の2種以上の添加物粉末、さ
らに必要に応じて窒化珪素原料粉末を酸化して
SiO2を増加させるか、あるいはSiO2の粉末を準
備し混合して混合物を得る。窒化珪素原料粉末と
しては金属あるいは陽イオン元素の不純物が0.5
重量%以下で、高純度である方が好ましいのは言
うまでもない。Al,Fe,Mg等の不純物金属元素
は粒界相の結晶化を阻害し、高温強度を低下させ
る。このとき、選ばれた希土類酸化物のうちのど
の1種も希土類酸化物の総添加量の95モル%以下
であるとともに、選ばれた希土類酸化物の総添加
量が焼結後焼結体に含まれる酸素(希土類酸化物
から導入される酸素を除く)をSiO2に換算した
SiO2のモル量に対する比で0.4〜1.3であるよう混
合物の組成を調製する。Y2O3,Er2O3,Tm2O3,
Yb2O3,Lu2O3の希土類酸化物は相互に固溶体、
例えば(Y,Yb)2O3等の形で添加しても良い。
あるいは、焼成により焼結、緻密化の開始するま
でに酸化物に転化する水酸化物、硝酸塩、窒化物
等の化合物の形で添加しても良いが、揮発成分の
発生による緻密化の阻害や焼結体中に含有する酸
素量の制御が不安定になることから酸化物の形で
添加することが好ましい。次に得られた混合物を
スリツプキヤスト、射出成形、プレス成形等によ
り、所定の形状に成形して成形体を得る。 次に得られた成形体を常圧あるいは加圧N2雰
囲気中において1700〜2100℃好ましくは1900〜
2000℃の温度で焼成する。焼成温度を1700〜2100
℃と限定するのは、高融点の粒界相を持つために
必要な十分な緻密化を得るためには1700℃以上が
必要であるとともに、2100℃を超えると加圧N2
雰囲気下でも焼結体からの特定成分の蒸発が顕著
になるためである。 また、焼成雰囲気は焼成温度の上昇と共に窒化
珪素の分解を抑制するためにN2の圧力を高めた
方が良い。1800℃では2気圧以上、1900℃では7
気圧以上、2000℃では20気圧以上が良い。あるい
は埋粉等を用いることが可能である。好ましくは
1900〜2000℃で9〜100気圧のN2雰囲気中焼成が
良い。 さらに、雰囲気N2にCOあるいはCO2を添加
し、酸素分圧を高めることにより良好な焼結体焼
成面が得られる。この焼成の降温過程において、
粒界相が実質的に結晶化し、粒界相の50%以上
が、好ましくは実質的に全てがアパタイト構造の
結晶相よりなる窒化珪素焼結体を得ている。な
お、降温過程で結晶化する場合や必要に応じて再
加熱により結晶化することもできる。この場合
は、1200〜1500℃で再加熱するのが好ましい。 また、ホツトプレスや熱間静水圧焼結により本
発明と同組成の窒化珪素焼結体が緻密化し、高温
高強度の焼結体を得られるのは言うまでもない。 さらに本発明と同組成の窒化珪素焼結体を常圧
あるいは加圧N2雰囲気で焼成、緻密化し、降温
過程で結晶化させず、その後熱間静水圧焼結し緻
密化をさらに促進し、熱間静水圧焼結の降温過程
あるいは再加熱により粒界相を結晶化し特性を向
上させることもできる。 しかしながら本発明は常圧あるいは加圧N2雰
囲気中での焼結により緻密化しかつ高温で高強度
の焼結体が得られることが特徴である。 以上述べたように本発明の窒化珪素焼結体およ
びその製造法では、限定された希土類酸化物を、
希土類酸化物とSiO2とのモル量比を限定した範
囲内で制御し、限定された組成の粒界相による緻
密化効果と結晶化時の結晶相を制御することによ
り、常圧あるいは雰囲気加圧焼結で高温高強度の
窒化珪素焼結体を得るものである。 以下、実際の例について説明する。 実施例 1 金属あるいは陽イオン元素の不純物C,Al,
Fe,Mg,Ca等を0.5重量%、0含有量1.7重量%、
平均粒径0.6μm、BET比表面積22m2/gのSi3N4
原料粉末と、純度99.9重量%、平均粒径0.3〜2μm
の第1表記載の添加物を第1表記載の割合で調合
し、窒化珪素質磁器製玉石と内容積1.2のナイ
ロン樹脂製容器を用いて、原料調合物200gに対
して玉石1.2Kg、水500mlを加え、振動数1200回/
分の振動ミルで10時間紛砕した。その後水を蒸発
させ粒径100μmに造粒し、成形用粉末とした。次
に、3ton/cm2の圧力で静水圧プレスし、60×60×
6mmの成形体を作製し、第1表記載の焼成条件で
焼成し、さらに1400℃で6時間結晶化して本発明
の窒化珪素焼結体No.1〜No.9を得た。また同じ原
料を用い、第1表記載の添加物及びその調合割合
で調合し、同じく粉砕、造粒、成形し第1表記載
の焼成条件で焼成し、同じく結晶化した比較例の
窒化珪素焼結体No.10〜No.17を得た。 これらの焼結体No.1〜No.17は化学分析により焼
結体中の酸素量を求め、希土類酸化物の添加物に
より焼結体に含有された酸素を差し引き、残り酸
素量をSiO2の量として求め、添加量とSiO2量の
モル比を第1表に記載した。ただし化学分析の結
果、希土類元素の量は、添加量から変化がなかつ
た。また、これらの焼結体の嵩密度、粒界相の結
晶相、室温および1400℃における四点曲げ強度を
第1表に示した。焼結体の嵩密度はアルキメデス
法により測定した。四点曲げ強度はJISR−1601
「フアインセラミツクスの曲げ強さ試験法」に従
つて測定した。粒界結晶相はCu−Kα線によるX
線回折の結果から求めたものであり、第1表記載
のHはアパタイト構造の結晶、SはLn2Si2O7
(Ln:希土類元素)である。本発明の窒化珪素焼
結体No.3のCuKα線によるX線回折分析結果の回
折線を第1図に示した。このうち、aで示される
回折線はβ−Si3N4であり、bで示される回折線
は粒界結晶相であるアパタイト構造の結晶相の回
折線である。 また本発明の窒化珪素焼結体No.3の透過型電子
顕微鏡写真を第2図に示した。このうちCで示さ
れる粒子はSi3N4であり、Dで示される領域が粒
界相である。
【表】
【表】
* 緻密化不十分
** //
*** H:アパタイト構造、S:Ln2Si2O7(Ln:希
土類元素)
第1表から明らかなように、本発明の添加物と
してY2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3の希
土類元素のうちの2種以上を、選ばれた希土類酸
化物の添加物のうちのどの1種も希土類酸化物の
総添加量の95モル%以下すなわちモル比で95/
5/95であるとともに、選ばれた希土類酸化物の
総添加モル量が焼結後焼結体に含まれる酸素量を
SiO2に換算したSiO2モル量に対する比で0.4〜1.3
であり、第2図の写真が示すように粒界相が実質
的に結晶化し粒界相がアパタイト構造の結晶相よ
りなる窒化珪素焼結体は1400℃で高強度を有す
る。本発明外の窒化珪素焼結体では、希土類添加
物としてY2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3
以外を用いた場合(No.10〜13)、希土類酸化物単
味添加の場合(No.14〜15)、SiO2モル量に対する
希土類酸化物の総添加モル量の比が本発明の範囲
外にある場合(No.16,17)、いずれも1400℃での
強度が低いか、十分緻密化しない。 発明品No.1〜9はY2O3,Er2O3,Tm2O3,
Yb2O3,Lu2O3を本発明の限定範囲で含み粒界相
がアパタイト結晶相である窒化珪素焼結体であ
り、1400℃で500MPa以上の高強度を示した。 実施例 2 金属あるいは陽イオン元素の不純物C,Al,
Fe,Mg,Ca等を0.1重量%、0含有量1.7重量%、
平均粒径0.5μm、BET比表面積15m2/gのSi3N4
原料粉末と、純度99.9重量%、平均粒径0.3〜2μm
の第2表記載のY2O3−Yb2O3系添加物および第
3表記載のEr2O3−Yb2O3系添加物を調合し、窒
化珪素質磁器製玉石と内容積1.2のナイロン樹
脂製容器を用いて、原料調合物200gに対して玉
石1.2Kg、水500mlを加え、振動数1200回/分の振
動ミルで10時間粉砕した。その後水を蒸発させ粒
径100μmに造粒し、成形用粉末とした。次に、
3ton/cm2の圧力で静水圧プレスし、60×60×6mm
の成形体を作製し、10気圧のN2雰囲気下、1900
℃で2時間の焼成条件で焼成し、さらに1400℃で
6時間結晶化して本発明の窒化珪素焼結体No.21〜
No.28およびNo.31〜No.37を得た。また同じ原料を用
い、第2表および第3表記載の添加物及びその調
合割合で調合し、同じく粉砕、造粒、成形し本発
明品と同一の焼成条件で焼成し、同じく結晶化し
た比較例の窒化珪素焼結体No.29,30およびNo.38を
得た。 これらの焼結体No.21〜No.38は化学分析により焼
結体中の酸素量を求め、希土類酸化物の添加物に
より焼結体に含有された酸素を差し引き、残り酸
素量をSiO2の量として求め、総添加モル量と
SiO2モル量の比を第2,3表に記載した。また、
これらの焼結体の嵩密度、粒界相の結晶相、室温
および1400℃における四点曲げ強度を実施例1と
同様にして求め第2,3表に示した。 第2,3表に記載したH相の割合は、β−
Si3N4を除く粒界の各結晶相の最強ピーク
Yb2SiO5:(204)面、Ln2Si2O7:(021)面、
Ln4Si2O7N2:(131)面、アパタイト:(211)面
(Ln:希土類元素)の積分強度を合計し、その合
計に対するアパタイト構造の結晶相の相対積分強
度を意味する。
** //
*** H:アパタイト構造、S:Ln2Si2O7(Ln:希
土類元素)
第1表から明らかなように、本発明の添加物と
してY2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3の希
土類元素のうちの2種以上を、選ばれた希土類酸
化物の添加物のうちのどの1種も希土類酸化物の
総添加量の95モル%以下すなわちモル比で95/
5/95であるとともに、選ばれた希土類酸化物の
総添加モル量が焼結後焼結体に含まれる酸素量を
SiO2に換算したSiO2モル量に対する比で0.4〜1.3
であり、第2図の写真が示すように粒界相が実質
的に結晶化し粒界相がアパタイト構造の結晶相よ
りなる窒化珪素焼結体は1400℃で高強度を有す
る。本発明外の窒化珪素焼結体では、希土類添加
物としてY2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3
以外を用いた場合(No.10〜13)、希土類酸化物単
味添加の場合(No.14〜15)、SiO2モル量に対する
希土類酸化物の総添加モル量の比が本発明の範囲
外にある場合(No.16,17)、いずれも1400℃での
強度が低いか、十分緻密化しない。 発明品No.1〜9はY2O3,Er2O3,Tm2O3,
Yb2O3,Lu2O3を本発明の限定範囲で含み粒界相
がアパタイト結晶相である窒化珪素焼結体であ
り、1400℃で500MPa以上の高強度を示した。 実施例 2 金属あるいは陽イオン元素の不純物C,Al,
Fe,Mg,Ca等を0.1重量%、0含有量1.7重量%、
平均粒径0.5μm、BET比表面積15m2/gのSi3N4
原料粉末と、純度99.9重量%、平均粒径0.3〜2μm
の第2表記載のY2O3−Yb2O3系添加物および第
3表記載のEr2O3−Yb2O3系添加物を調合し、窒
化珪素質磁器製玉石と内容積1.2のナイロン樹
脂製容器を用いて、原料調合物200gに対して玉
石1.2Kg、水500mlを加え、振動数1200回/分の振
動ミルで10時間粉砕した。その後水を蒸発させ粒
径100μmに造粒し、成形用粉末とした。次に、
3ton/cm2の圧力で静水圧プレスし、60×60×6mm
の成形体を作製し、10気圧のN2雰囲気下、1900
℃で2時間の焼成条件で焼成し、さらに1400℃で
6時間結晶化して本発明の窒化珪素焼結体No.21〜
No.28およびNo.31〜No.37を得た。また同じ原料を用
い、第2表および第3表記載の添加物及びその調
合割合で調合し、同じく粉砕、造粒、成形し本発
明品と同一の焼成条件で焼成し、同じく結晶化し
た比較例の窒化珪素焼結体No.29,30およびNo.38を
得た。 これらの焼結体No.21〜No.38は化学分析により焼
結体中の酸素量を求め、希土類酸化物の添加物に
より焼結体に含有された酸素を差し引き、残り酸
素量をSiO2の量として求め、総添加モル量と
SiO2モル量の比を第2,3表に記載した。また、
これらの焼結体の嵩密度、粒界相の結晶相、室温
および1400℃における四点曲げ強度を実施例1と
同様にして求め第2,3表に示した。 第2,3表に記載したH相の割合は、β−
Si3N4を除く粒界の各結晶相の最強ピーク
Yb2SiO5:(204)面、Ln2Si2O7:(021)面、
Ln4Si2O7N2:(131)面、アパタイト:(211)面
(Ln:希土類元素)の積分強度を合計し、その合
計に対するアパタイト構造の結晶相の相対積分強
度を意味する。
【表】
【表】
第2表および第3表から明らかなように、本発
明範囲内の希土類酸化物のどの1種も希土類酸化
物の総添加量の95モル%以下、すなわちモル比
95/5〜5/95である試料No.21〜28およびNo.31〜
37では、1400℃で5000MPa以上の強度を得るこ
とができた。また、Yb2O3が50〜95モル%の試料
No.25〜28およびNo.34〜37では、1400℃で550MPa
以上の強度を得ることができた。さらに、
Y2O3/Yb2O3=50/50〜5/95である試料No.25
〜28では、1400℃で570MPa以上の強度を得るこ
とができた。 また、本発明の窒化珪素焼結体No.25〜28では、
1400℃、大気中、100時間の酸化試験後の重量増
が0.1〜0.2mg/cm2で耐酸化性に優れ、1400℃大気
中、負荷応力200MPaでのクリープ速度が1〜3
×10-5h-1であり耐クリープ特性にも優れていた。 実施例 3 金属あるいは陽イオン元素の不純物C,Al,
Mg,Fe,Ca等を0.1重量%、0含有量1.7重量%、
平均粒径0.5μm、BET比表面積15m2/gのSi3N4原
料粉末と、純度99.9重量%、平均粒径0.3〜2μmの
第4表記載のY2O3−Yb2O3系添加物を調合し、
窒化珪素質磁器製玉石と内容積1.2のナイロン
樹脂製容器を用いて、原料調合物200gに対して
玉石1.2Kg、水500mlを加え、振動数1200回/分の
振動ミルで10時間粉砕した。その後水を蒸発させ
粒径100μmに造粒し、成形用粉末とした。次に、
3ton/cm2の圧力で静水圧プレスし、60×60×6mm
の成形体を作製し、第4表に示す例では10気圧の
N2雰囲気下、1900℃で2時間の焼成条件で焼成
し、さらに1400℃で6時間結晶化して本発明の窒
化珪素焼結体No.41〜No.43を得た。また同じ原料を
用い、第4表記載の添加物及びその調合割合で調
合し、同じく粉砕、造粒、成形し本発明品と同一
の焼成条件で焼成し、同じく結晶化した比較例の
窒化珪素焼結体No.44,45を得た。 これらの焼結体No.41〜No.45は化学分析により焼
結体中の酸素量を求め、希土類酸化物の添加物に
より焼結体に含有された酸素を差し引き、残り酸
素量をSiO2の量として求め、総添加モル量と
SiO2モル量の比を第4表に記載した。また、こ
れらの焼結体の嵩密度、粒界相の結晶相、室温お
よび1400℃における四点曲げ強度を実施例1と同
様にして、H相の割合を実施例2と同様にして求
め第4表に示した。
明範囲内の希土類酸化物のどの1種も希土類酸化
物の総添加量の95モル%以下、すなわちモル比
95/5〜5/95である試料No.21〜28およびNo.31〜
37では、1400℃で5000MPa以上の強度を得るこ
とができた。また、Yb2O3が50〜95モル%の試料
No.25〜28およびNo.34〜37では、1400℃で550MPa
以上の強度を得ることができた。さらに、
Y2O3/Yb2O3=50/50〜5/95である試料No.25
〜28では、1400℃で570MPa以上の強度を得るこ
とができた。 また、本発明の窒化珪素焼結体No.25〜28では、
1400℃、大気中、100時間の酸化試験後の重量増
が0.1〜0.2mg/cm2で耐酸化性に優れ、1400℃大気
中、負荷応力200MPaでのクリープ速度が1〜3
×10-5h-1であり耐クリープ特性にも優れていた。 実施例 3 金属あるいは陽イオン元素の不純物C,Al,
Mg,Fe,Ca等を0.1重量%、0含有量1.7重量%、
平均粒径0.5μm、BET比表面積15m2/gのSi3N4原
料粉末と、純度99.9重量%、平均粒径0.3〜2μmの
第4表記載のY2O3−Yb2O3系添加物を調合し、
窒化珪素質磁器製玉石と内容積1.2のナイロン
樹脂製容器を用いて、原料調合物200gに対して
玉石1.2Kg、水500mlを加え、振動数1200回/分の
振動ミルで10時間粉砕した。その後水を蒸発させ
粒径100μmに造粒し、成形用粉末とした。次に、
3ton/cm2の圧力で静水圧プレスし、60×60×6mm
の成形体を作製し、第4表に示す例では10気圧の
N2雰囲気下、1900℃で2時間の焼成条件で焼成
し、さらに1400℃で6時間結晶化して本発明の窒
化珪素焼結体No.41〜No.43を得た。また同じ原料を
用い、第4表記載の添加物及びその調合割合で調
合し、同じく粉砕、造粒、成形し本発明品と同一
の焼成条件で焼成し、同じく結晶化した比較例の
窒化珪素焼結体No.44,45を得た。 これらの焼結体No.41〜No.45は化学分析により焼
結体中の酸素量を求め、希土類酸化物の添加物に
より焼結体に含有された酸素を差し引き、残り酸
素量をSiO2の量として求め、総添加モル量と
SiO2モル量の比を第4表に記載した。また、こ
れらの焼結体の嵩密度、粒界相の結晶相、室温お
よび1400℃における四点曲げ強度を実施例1と同
様にして、H相の割合を実施例2と同様にして求
め第4表に示した。
【表】
第4表から明らかなように、希土類酸化物の総
添加モル量が焼結後焼結体に含まれる酸素(希土
類酸化物から導入された酸素を除く)をSiO2に
換算したSiO2モル量に対する比が0.4〜1.3の本発
明No.41〜43では、1400℃で500MPa以上の強度を
得ることができた。これに対し、モル比が本発明
範囲外の比較例No.44,45ではH相の割合が50%以
下で高温強度も低かつた。 実施例 4 金属あるいは陽イオン元素の不純物C,Al,
Fe,Ca等の0.1重量%、0含有量1.0重量%、平均
粒径0.6μm、BET比表面積10m2/gの酸素量の少
ないSi3N4原料粉末と、純度99.9重量%、平均粒
径0.3〜2μmの第5表記載の添加物を第5表記載
の割合で調合し、窒化珪素質磁器製玉石と内容積
1.2のナイロン樹脂製容器を用いて、原料調合
物200gに対して玉石1.2Kg、水500mlを加え、振動
数1200回/分の振動ミルで10時間粉砕した。その
後水を蒸発させ粒径100μmに造粒し、成形用粉末
とした。次に、3ton/cm2の圧力で静水圧プレス
し、60×60×6mmの成形体を作製し、10気圧の
N2雰囲気下、1900℃で6時間の焼成条件で焼成
し、さらに1400℃で6時間結晶化して本発明の窒
化珪素焼結体No.51,52を得た。また同じ原料を用
い、第5表記載の添加物及びその調合割合で調合
し、同じく粉砕、造粒、成形し本発明品と同一の
焼成条件で焼成し、同じく結晶化した比較例の窒
化珪素焼結体No.53,54を得た。 これらの焼結体No.51〜No.54は化学分析により焼
結体中の酸素量を求め、希土類酸化物の添加物に
より焼結体に含有された酸素を差し引き、残り酸
素量をSiO2の量として求め、総添加モル量と
SiO2モル量の比を第5表に記載した。また、こ
れらの焼結体の嵩密度、粒界相の結晶相、室温お
よび1400℃における四点曲げ強度を実施例1と同
様にして、H相の割合を実施例2と同様にして求
め第5表に示した。
添加モル量が焼結後焼結体に含まれる酸素(希土
類酸化物から導入された酸素を除く)をSiO2に
換算したSiO2モル量に対する比が0.4〜1.3の本発
明No.41〜43では、1400℃で500MPa以上の強度を
得ることができた。これに対し、モル比が本発明
範囲外の比較例No.44,45ではH相の割合が50%以
下で高温強度も低かつた。 実施例 4 金属あるいは陽イオン元素の不純物C,Al,
Fe,Ca等の0.1重量%、0含有量1.0重量%、平均
粒径0.6μm、BET比表面積10m2/gの酸素量の少
ないSi3N4原料粉末と、純度99.9重量%、平均粒
径0.3〜2μmの第5表記載の添加物を第5表記載
の割合で調合し、窒化珪素質磁器製玉石と内容積
1.2のナイロン樹脂製容器を用いて、原料調合
物200gに対して玉石1.2Kg、水500mlを加え、振動
数1200回/分の振動ミルで10時間粉砕した。その
後水を蒸発させ粒径100μmに造粒し、成形用粉末
とした。次に、3ton/cm2の圧力で静水圧プレス
し、60×60×6mmの成形体を作製し、10気圧の
N2雰囲気下、1900℃で6時間の焼成条件で焼成
し、さらに1400℃で6時間結晶化して本発明の窒
化珪素焼結体No.51,52を得た。また同じ原料を用
い、第5表記載の添加物及びその調合割合で調合
し、同じく粉砕、造粒、成形し本発明品と同一の
焼成条件で焼成し、同じく結晶化した比較例の窒
化珪素焼結体No.53,54を得た。 これらの焼結体No.51〜No.54は化学分析により焼
結体中の酸素量を求め、希土類酸化物の添加物に
より焼結体に含有された酸素を差し引き、残り酸
素量をSiO2の量として求め、総添加モル量と
SiO2モル量の比を第5表に記載した。また、こ
れらの焼結体の嵩密度、粒界相の結晶相、室温お
よび1400℃における四点曲げ強度を実施例1と同
様にして、H相の割合を実施例2と同様にして求
め第5表に示した。
【表】
第5表から明らかなように、酸素量の少ない
Si3N4原料を用いた本実施例においても、実施例
3と同様モル比が0.4〜1.3の本発明No.51,52で
は、1400℃で500MPa以上の強度を得ることがで
きた。これに対し、モル比が本発明範囲外の比較
例No.53,54ではH相の割合が50%以下で高温強度
も低かつた。 本発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではなく、幾多の変形、変更が可能である。例え
ば上述した実施例では、希土類元素を酸化物とし
て添加しているが、実質的に本発明と同様な希土
類元素の混合比で粒界相がアパタイト構造に結晶
化するならば、希土類元素は窒化物あるいは塩化
物、水酸化物、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩等の形で
添加しても差支えない。 (発明の効果) 以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の窒化珪素焼結体およびその製造法に
よれば、所定のモル比に調製した特定の添加物を
使用することにより常圧あるいは雰囲気加圧焼結
法によつても高温(1400℃)で500MPa以上の高
強度を有する窒化珪素焼結体を得ることができ
る。そのため本発明は、複雑形状のガスタービン
部品等の構造材料として好適に使用することがで
きる。
Si3N4原料を用いた本実施例においても、実施例
3と同様モル比が0.4〜1.3の本発明No.51,52で
は、1400℃で500MPa以上の強度を得ることがで
きた。これに対し、モル比が本発明範囲外の比較
例No.53,54ではH相の割合が50%以下で高温強度
も低かつた。 本発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではなく、幾多の変形、変更が可能である。例え
ば上述した実施例では、希土類元素を酸化物とし
て添加しているが、実質的に本発明と同様な希土
類元素の混合比で粒界相がアパタイト構造に結晶
化するならば、希土類元素は窒化物あるいは塩化
物、水酸化物、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩等の形で
添加しても差支えない。 (発明の効果) 以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明の窒化珪素焼結体およびその製造法に
よれば、所定のモル比に調製した特定の添加物を
使用することにより常圧あるいは雰囲気加圧焼結
法によつても高温(1400℃)で500MPa以上の高
強度を有する窒化珪素焼結体を得ることができ
る。そのため本発明は、複雑形状のガスタービン
部品等の構造材料として好適に使用することがで
きる。
第1図は本発明の窒化珪素焼結体No.3のCuKα
線によるX線回折分析結果の回折線を示す線図、
第2図a,bはそれぞれ本発明の窒化珪素焼結体
No.3の結晶の構造を示す透過型電子顕微鏡写真で
ある。
線によるX線回折分析結果の回折線を示す線図、
第2図a,bはそれぞれ本発明の窒化珪素焼結体
No.3の結晶の構造を示す透過型電子顕微鏡写真で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Si3N4が70重量%以上からなり、残部が実質
的に希土類元素Y,Er,Tm,Yb,Luのうちの
2種以上とSiとOとNからなる焼結体であつて、
(1)該焼結体に含まれる全ての希土類元素を二三酸
化物に換算したモル量が、該焼結体に含まれる酸
素量から全ての希土類元素を二三酸化物とした時
希土類元素の二三酸化物に含まれる酸素量を差し
引いた残り酸素量をSiO2とした時のSiO2のモル
量に対する比で0.4〜1.3であり、(2)該焼結体に含
まれるどの1種の希土類元素も、全ての希土類元
素の合計に対して95モル%以下であり、(3)該焼結
体のSi3N4粒子の粒界相が実質的に結晶相よりな
り、粒界結晶相の50%以上がアパタイト構造の結
晶相よりなることを特徴とする窒化珪素焼結体。 2 前記希土類元素として少なくともYbが、全
ての希土類元素の合計に対して50〜95モル%であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
窒化珪素焼結体。 3 前記希土類元素がYとYbであることを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の窒化珪素焼結
体。 4 Y2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Lu2O3の希
土類酸化物のうちの2種以上と窒化珪素原料粉末
との混合粉末であつて、選ばれた希土類酸化物の
うちのどの1種も希土類酸化物総添加量の95モル
%以下であるとともに、選ばれた希土類酸化物の
総添加モル量が焼結後焼結体に含まれる酸素(希
土類酸化物から導入される酸素を除く)をSiO2
に換算したSiO2のモル量に対する比で0.4〜1.3で
ある混合粉末を成形し、常圧あるいは加圧N2雰
囲気中で1700〜2100℃で焼成することを特徴とす
る窒化珪素焼結体の製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/058,115 US4795724A (en) | 1986-06-12 | 1987-06-04 | Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same |
EP87305124A EP0250153B1 (en) | 1986-06-12 | 1987-06-10 | Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same |
DE8787305124T DE3766016D1 (de) | 1986-06-12 | 1987-06-10 | Gesintertes siliziumnitrid und verfahren zu seiner herstellung. |
CA000539412A CA1257298A (en) | 1986-06-12 | 1987-06-11 | Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13501386 | 1986-06-12 | ||
JP61-135013 | 1986-06-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63100067A JPS63100067A (ja) | 1988-05-02 |
JPH0455143B2 true JPH0455143B2 (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=15141890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62029919A Granted JPS63100067A (ja) | 1986-06-12 | 1987-02-13 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63100067A (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2584996B2 (ja) * | 1987-05-20 | 1997-02-26 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体 |
JPS63248772A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-17 | 京セラ株式会社 | 窒化けい素質焼結体 |
JPS63303861A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-12 | Kyocera Corp | 窒化珪素質焼結体 |
JPS6456368A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Silicon nitride sintered body |
JP2792095B2 (ja) * | 1989-04-24 | 1998-08-27 | 信越化学工業株式会社 | 高強度窒化けい素焼結体の製造方法 |
US5238882A (en) * | 1989-05-10 | 1993-08-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing silicon nitride sintered bodies |
CA2025425C (en) * | 1989-09-18 | 1996-01-23 | Yutaka Furuse | Sintered ceramic composite body and method of manufacturing same |
EP0419150B1 (en) * | 1989-09-18 | 1994-12-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Sintered ceramic composite body and method of manufacturing same |
JPH089506B2 (ja) * | 1990-01-23 | 1996-01-31 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素体 |
JPH08733B2 (ja) * | 1990-05-17 | 1996-01-10 | 日本碍子株式会社 | 耐熱衝撃性窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
US5229046A (en) * | 1990-05-17 | 1993-07-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for producing thermal shock-resistant silicon nitride sintered material |
JPH0848565A (ja) * | 1994-04-05 | 1996-02-20 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 窒化ケイ素焼結体及びその製造法 |
DE19519864B4 (de) * | 1994-05-31 | 2006-11-23 | Kyocera Corp. | Siliciumnitridsinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP0792854B1 (en) | 1996-02-28 | 2001-11-21 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Silicon nitride sintered body |
JP2001163674A (ja) | 1999-11-15 | 2001-06-19 | Ngk Insulators Ltd | 窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
JP5743830B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-07-01 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 |
JPWO2017014169A1 (ja) * | 2015-07-21 | 2018-05-10 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ケイ素焼結体 |
JPWO2017014168A1 (ja) * | 2015-07-21 | 2018-06-14 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ケイ素焼結体およびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS553397A (en) * | 1978-06-15 | 1980-01-11 | Gte Laboratories Inc | Si3n4 having high temperature strength and its manufacture |
JPS59174577A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-10-03 | 日産自動車株式会社 | 窒化けい素質焼結体 |
JPS60239363A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 窒化けい素焼結体の製造法 |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP62029919A patent/JPS63100067A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS553397A (en) * | 1978-06-15 | 1980-01-11 | Gte Laboratories Inc | Si3n4 having high temperature strength and its manufacture |
JPS59174577A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-10-03 | 日産自動車株式会社 | 窒化けい素質焼結体 |
JPS60239363A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 窒化けい素焼結体の製造法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63100067A (ja) | 1988-05-02 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |