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JPH0848565A - 窒化ケイ素焼結体及びその製造法 - Google Patents

窒化ケイ素焼結体及びその製造法

Info

Publication number
JPH0848565A
JPH0848565A JP6093102A JP9310294A JPH0848565A JP H0848565 A JPH0848565 A JP H0848565A JP 6093102 A JP6093102 A JP 6093102A JP 9310294 A JP9310294 A JP 9310294A JP H0848565 A JPH0848565 A JP H0848565A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon nitride
weight
sintered body
lanthanide metal
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6093102A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoyuki Nishimura
聡之 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute for Research in Inorganic Material
Original Assignee
National Institute for Research in Inorganic Material
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute for Research in Inorganic Material filed Critical National Institute for Research in Inorganic Material
Priority to JP6093102A priority Critical patent/JPH0848565A/ja
Publication of JPH0848565A publication Critical patent/JPH0848565A/ja
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 粒界に高融点の酸窒化物を結晶化させ、室温
及び高温強度の優れた窒化ケイ素焼結体を提供する。 【構成】 98〜80重量%の窒化ケイ素粒子と、1〜
20重量%の結晶質酸窒化物Ln4Si272(但し、Ln
はランタニド金属又はイットリウム)からなる窒化ケイ
素焼結体、或いは98〜80重量%の窒化ケイ素粒子
と、1〜15重量%の結晶質酸窒化物Ln4Si27
2(但し、Lnはランタニド金属又はイットリウム)、及び
1〜15重量%のLn2SiO5(但し、Lnはランタニド金
属又はイットリウム)からなる窒化ケイ素焼結体であ
る。ランタニド金属としてツリウム(Tm)、イッテリビ
ウム(Yb)、ルテチウム(Lu)、又はその混合物が挙げら
れる。ランタニド金属がツリウム(Tm)、イッテリビウ
ム(Yb)、ルテチウム(Lu)の単独又はその混合物と、他
のランタニド金属又はイットリウムとの混合物である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車、精密機械、化
学プラント、切削工具等の分野において、構造材料とし
て利用される、室温及び高温強度に優れた窒化ケイ素焼
結体及びその製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】窒化ケ
イ素焼結体は、室温及び高温強度、破壊靭性、摩擦摩耗
抵抗等の機械的性質に優れ、自動車エンジン部品、ボー
ルベアリング、非鉄金属製造用機械部品、切削工具等に
利用されている。
【0003】従来は、窒化ケイ素の原料粉末に各種の酸
化物を焼結助剤として混合し、成形後、窒素中で高温に
加熱して高密度焼結体を製造していた。焼結助剤として
有効な酸化物はマグネシア、アルミナ、希土類金属酸化
物である。焼結助剤は高温での原料表面の酸化層である
シリカと反応して液相を生成する。焼結は窒化ケイ素が
液相内を拡散することによって進行する。焼結後冷却す
ると、液相の一部は結晶化するが大部分はガラス相とし
て粒界に残る。
【0004】最も多く使用される助剤はマグネシア、イ
ットリアーアルミナである。焼結後、焼結体は窒化ケイ
素粒子と液相が固化した少量のガラス相からなってい
る。ガラス相の中に酸化物又は酸窒化物として一部が結
晶化する場合がある。
【0005】しかし、このような焼結体に外部から曲げ
や引っ張りの応力を加えると、亀裂が粒界を進行して破
壊するという欠点があった。また、温度が800〜10
00℃になると、ガラス相は軟化するので、強度は急激
に低下する。この低下の度合いは粒界相の化学組成に大
きく依存する。これは、ガラスの軟化温度は粒界相中の
金属−Si−O系の溶融温度に比例するためである。こ
のため、マグネシアを用いて製造した焼結体よりも、イ
ットリアーアルミナ系を用いた場合の方が高温強度は大
きい。イットリアーアルミナ系を用いても焼結体の粒界
に低融点のガラス相が存在し、強度は1200℃以上で
室温の値より2〜4割低下する。
【0006】最近では、イットリアーシリカ系の助剤を
用いて、粒界に高融点のY2Si27を析出させる研究も
行われている(J.Am.Ceram.Soc.75号、2050頁
(1992))。この系では図1(a)に示す窒素含有アパ
タイト(N相、Y10Si7234)又はW相(YSiO2N)
或いはそれに近い組成のガラス相がY2Si27に次ぐ第
2の粒界相となる。N相やW相の軟化温度は1500℃
以下と低い。そこで、これらの相の生成を防ぐため、原
料の化学組成がSi34−Y2Si27−Si2ON2内のS
i34付近になるように原料粉末を混合する。それで
も、原料が粉末のため、反応は不均一で相図からは予想
できない上記低融点の結晶相又はガラス相が少量生成す
る。また、窒化ケイ素粒子と粒界相であるY2Si27
熱的・機械的性質の差が大きく、冷却中に粒界に微小亀
裂が生成して強度の絶対値を低下させる。
【0007】このような従来の材料は、粒界に低融点の
結晶相やガラス相が存在したり、酸化物の粒界相のた
め、室温及び/又は高温強度の高いものは得られなかっ
た。
【0008】本発明は、上記のような従来技術の問題点
を解決するために、結晶助剤系と焼結条件を検討するこ
とにより、粒界に高融点の酸窒化物を結晶化させ、室温
及び高温強度の優れた窒化ケイ素焼結体を提供すること
を目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】焼結助剤は、液相焼結を
促進するために焼結温度以下で溶融する相を生成し、焼
結後、粒界で高融点の結晶相として残留する必要があ
る。この2点が耐熱性の高い焼結体を得る焼結助剤の条
件である。これが多くの場合、ランタニド金属酸化物が
助剤として用いられる理由である。しかし、既に述べた
ようにランタニド金属酸化物−SiO2−Si34系の相
図は複雑であり(図1(a))、目的とする高融点の酸窒化
物のみを粒界相とする焼結体を製造することは困難であ
った。
【0010】そこで、本発明者は、従来検討されなかっ
たランタニド金属酸化物を含む系を研究し、ランタニド
金属がツリウム(Tm)、イッテリビウム(Yb)、ルテチウ
ム(Lu)の単独又はその混合物であれば相図が単純にな
り、低融点の化合物又はガラス相の共存を防ぐことがで
きることを見い出した。
【0011】Yb23を含む系はJ.Mater.Sci.28
号、3529頁(1993)を基に図1(b)のように完成
した。この相図でYb4Si272(J相)及びYb2SiO5
(S相)は融点がそれぞれ1850℃、1980℃と高
い。図1(a)で示される通り、この2つの相は、イット
リア系では窒化ケイ素粒子とは平衡には存在できない相
である。ツリウム(Tm)、ルテチウム(Lu)の単独又はそ
の混合物も同様な相図である。
【0012】また、上記3種類のランタニド金属に他の
ランタニド金属を混合しても、前者が主成分であれば、
その作用は基本的には変わらない。
【0013】このように、焼結体全体の化学組成がSi3
4−Ln4Si272−Ln2SiO5(Ln:上記ランタニ
ド金属)内の窒化ケイ素側にあるように原料粉末の混合
比を制御し、適当な条件で焼結すれば室温及び高温で高
強度な焼結体を製造することができる。これらの知見を
基に本発明を完成したものである。
【0014】すなわち、本発明は、98〜80重量%の
窒化ケイ素粒子と、1〜20重量%の結晶質酸窒化物L
n4Si272(但し、Lnはランタニド金属又はイットリ
ウム)からなることを特徴とする窒化ケイ素焼結体を要
旨としている。
【0015】また、他の本発明は、98〜80重量%の
窒化ケイ素粒子と、1〜15重量%の結晶質酸窒化物L
n4Si272(但し、Lnはランタニド金属又はイットリ
ウム)、及び1〜15重量%のLn2SiO5(但し、Lnは
ランタニド金属又はイットリウム)からなることを特徴
とする窒化ケイ素焼結体を要旨としている。
【0016】また、その製造法は、窒化ケイ素粉末に1
〜16重量%のランタニド金属酸化物と0〜5重量%の
シリカを混合し、成形後、1〜100気圧の窒素中で1
700〜2200℃に焼成することを特徴としている。
【0017】更に、他の製造法は、窒化ケイ素粉末に1
〜16重量%のランタニド金属の酸化物と0〜5重量%
のシリカ及び0〜1重量%のアルミナを混合し、成形
後、10〜100気圧の窒素中で1850〜2200℃
に焼成した後、1300〜1700℃で熱処理すること
を特徴としている。
【0018】
【作用】以下に本発明について更に詳細に説明する。
【0019】本発明の製造法では、出発原料としては通
常の焼結用原料を用いるが、高純度で平均粒径0.6ミ
クロン以下と微細かつ粒度分布の狭い粉末が望ましい。
添加する焼結助剤はTm23、Yb23、Lu23の単独
又はその混合物を用いるのがよい。
【0020】これに、焼結体全体の化学組成がSi34
−Ln4Si272−Ln2SiO5(Ln:上記ランタニド金
属)内にあるように、必要に応じて、シリカを添加す
る。窒化ケイ素粉末の表面には酸化層として1〜3重量
%のシリカが存在するので、ランタニド金属酸化物の添
加量が少ない範囲ではシリカを追加添加する必要はな
い。添加量は、ランタニド金属酸化物が1〜16重量
%、シリカが0〜5重量%の範囲である。添加量がこの
範囲より少ないと焼結が困難である。また添加量がこれ
より多くても目的は達成できるが、ランタニド金属酸化
物の価格が高いので製品が高価になる欠点がある。添加
量は高密度化と粒界の結晶化の両方が達成できれば少な
いほどよい。望ましくは、ランタニド金属酸化物が6〜
12重量%、シリカが1〜3重量%の範囲である。粒界
相中におけるランタニド金属酸化物/シリカのモル比は
1〜0.5の範囲である必要がある。この範囲よりシリ
カが多いとLn4Si272が生成しない。この範囲より
少ないと、溶融しないLn2Si334相が生成し焼結は
途中で止まってしまうので留意する必要がある。
【0021】また、焼結性を向上するために、少量の上
記3種類以外のランタニド金属酸化物やアルミナを添加
することも有効である。また、粒界相としてLn4Si2
72単独又はLn2SiO5との混合物が主成分であれば、
少量の他の結晶相やガラス相が共存しても焼結性や焼結
体の機械的特性は変わらない。
【0022】原料混合物は金型成形、静水圧成形、射出
成形、鋳込み成形等で所定の形状に成形する。この成形
体を各種の方法で焼結するが、焼結条件は、焼結法にも
よるが、概ね1〜100気圧の窒素中、1700〜22
00℃の温度である。
【0023】最も簡単には、窒化ホウ素粉末を塗布した
黒鉛製の型に混合物を入れ、100〜500気圧の圧力
下、窒素中で1700〜1800℃に10分〜4時間加
熱するホットプレス法である。成形体を1気圧の窒素中
で1700〜1800℃で加熱する常圧焼結法によると
安価な製品が製造できる。常圧焼結で得た相対密度95
〜98%の焼結体を、1000〜2000気圧の窒素中
で1650〜2000℃に加熱する高温静水圧焼結(H
IP)法で処理すると残留気孔が除去され、更に高密度
の焼結体が得られる。成形体を1〜100気圧の窒素
中、1850〜2200℃に焼結するガス圧焼結では、
常圧焼結より窒化ケイ素が安定な条件で加熱できるの
で、より高温で焼結できる。焼結を高温で行うほど窒素
を高圧にする必要がある。必要な最低窒素圧は1900
℃では5気圧、2000℃では10気圧、2100℃で
は20気圧、2200℃では30気圧である。
【0024】焼結後、焼結温度より低い1300〜17
00℃に1〜20時間保持すると粒界に残留していたガ
ラス相は大部分結晶化する。
【0025】次に本発明の実施例を示す。
【0026】
【実施例1】窒化ケイ素粉末(宇部興産製、E−10タ
イプ)86.4重量%と、酸化イッテリビウム(信越化学
製、純度99.9%)12.0重量%と、沈降製シリカ(関
東化学製)を仮焼して吸着水を除去したもの1.0重量%
とを、窒化ケイ素製のボールミルでn−ヘキサンを分散
媒として、湿式混合した。混合物を乾燥後、窒化ホウ素
粉末を塗布した直径15mmの型に入れ、窒素雰囲気で2
00気圧の加圧下、1750℃に2時間加熱した。焼結
体の相対密度は96.8%であった。粉末X線回折で測
定した結晶質はβ−Si34が主成分であり、第2相と
してYb4Si272が認められた。少量のYb2Si33
4、Yb2SiO5及び微量のα−Si34が存在した。透
過型電子顕微鏡によるとβ−Si34と粒界の結晶相の
間に少量のガラス相が認められた。この結果粒界の相と
して、高融点の酸窒化物であるYb4Si272を主成分
とする窒化ケイ素焼結体が得られた。
【0027】
【比較例1】実施例1と同じモル比になるように、窒化
ケイ素粉末に、酸化イットリウム(信越化学製、純度9
9.9%)7.3重量%と、シリカ0.6重量%を混合し
た。混合物について実施例1と同じ手順で焼結体を作製
した。焼結体の相対密度は75.6%であり、高密度焼
結体は得られなかった。粉末X線回折で測定した結晶質
はβ−Si34が主成分であり、他の相としてY2Si3
34、YSiO2N及び微量のα−Si34が存在した。
2Si334は高温では安定で溶融しないので、焼結
に寄与しない。焼結に寄与するのはYSiO2及び少量存
在するガラス相であり、添加した助剤の半分程度であ
る。このため高温での液相量が少なく、高密度化できな
かった。
【0028】
【実施例2〜5】実施例1の窒化ケイ素粉末に表1に示
す組成の焼結助剤を添加し、実施例1と同じ方法で混合
・乾燥した。混合物を200気圧の圧力で金型成形後、
2000気圧で静水圧プレスし、約4×5×45mmの成
形体とした。成形体を表2の条件で窒素雰囲気中、所定
温度で焼結した。焼結体を平面研削後、相対密度、JI
S−R1601に従う4点曲げ(外スパン30mm、内ス
パン10mm)による室温の強度測定結果、粉末X線回折
による粒界相の結晶質組成を表2に示す。また、120
0℃おける高温4点曲げ強度(高温強度)は実施例3の試
料について測定したところ、690MPaであった。実
施例2〜5のいずれもLn4Si272単独又はLn2Si
5と共存する粒界相を持つ窒化ケイ素焼結体が得ら
れ、高密度・高強度の焼結体であった。
【0029】
【比較例2】実施例1の窒化ケイ素粉末に表1の比較例
2に示す組成の焼結助剤を添加し、実施例1と同じ方法
で混合・乾燥した。混合物を200気圧の圧力で金型成
形後、2000気圧で静水圧プレスし、約4×5×45
mmの成形体とした。成形体を表2の条件で窒素雰囲気
中、所定温度で焼結した。高密度焼結体が得られたが、
粉末X線回折によると粒界相はガラス状態であった。
【0030】
【実施例6】実施例1と同じ粉末混合物を内径18mm
の金型で200気圧で一次成形し、次いで2000気圧
で静水圧成形した。このペレットを10気圧の窒素中で
1950℃で2時間焼結し、引き続いて1500℃で5
時間熱処理した。焼結体の相対密度は99.%であっ
た。粉末X線回折で検出した粒界の結晶相はYb4Si2
72のみであった。実施例2〜5と同様にして測定した
焼結体の4点曲げ強度は813MPaと高強度であっ
た。
【0031】
【表1】
【0032】
【表2】
【0033】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
98〜80重量%の窒化ケイ素を主成分とし、粒界にL
n4Si272単独又はLn2SiO5と共存する窒化ケイ素
焼結体が得られる。このように粒界に高融点の化合物を
持つ焼結体は従来製造できず、希土類金属(Ln)がツリ
ウム(Tm)、イッテリビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)を
主成分とする場合のみ可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)はSi34−SiO2−Y23系相図、(b)
はSi34−SiO2−Yb23系相図であり、図中、Jは
Ln4Si272、KはLn2Si334、SはLn2Si
5、WはLnSiO2N、NはY10Si7234を表わ
す。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 98〜80重量%の窒化ケイ素粒子と、
    1〜20重量%の結晶質酸窒化物Ln4Si272(但
    し、Lnはランタニド金属又はイットリウム)からなるこ
    とを特徴とする窒化ケイ素焼結体。
  2. 【請求項2】 98〜80重量%の窒化ケイ素粒子と、
    1〜15重量%の結晶質酸窒化物Ln4Si272(但
    し、Lnはランタニド金属又はイットリウム)、及び1〜
    15重量%のLn2SiO5(但し、Lnはランタニド金属又
    はイットリウム)からなることを特徴とする窒化ケイ素
    焼結体。
  3. 【請求項3】 ランタニド金属がツリウム(Tm)、イッ
    テリビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)、又はその混合物で
    ある請求項1又は2に記載の窒化ケイ素焼結体。
  4. 【請求項4】 ランタニド金属がツリウム(Tm)、イッ
    テリビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)の単独又はその混合
    物と、他のランタニド金属又はイットリウムとの混合物
    であり、前者の混合割合がランタニド金属の70原子%
    以上である請求項1又は2に記載の窒化ケイ素焼結体。
  5. 【請求項5】 窒化ケイ素粉末に1〜16重量%のラン
    タニド金属酸化物と0〜5重量%のシリカを混合し、成
    形後、1〜100気圧の窒素中で1700〜2200℃
    に焼成することを特徴とする請求項1、2、3又は4に
    記載の窒化ケイ素焼結体の製造法。
  6. 【請求項6】 窒化ケイ素粉末に1〜16重量%のラン
    タニド金属の酸化物と0〜5重量%のシリカ及び0〜1
    重量%のアルミナを混合し、成形後、10〜100気圧
    の窒素中で1850〜2200℃に焼成した後、130
    0〜1700℃で熱処理することを特徴とする請求項
    1、2、3又は4に記載の窒化ケイ素焼結体の製造法。
  7. 【請求項7】 ランタニド金属酸化物の添加量が6〜1
    2重量%である請求項5又は6に記載の方法。
  8. 【請求項8】 シリカの添加量が1〜3重量%である請
    求項5又は6に記載の方法。
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