JPH0450784A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特にテスト・モード設
定回路を有する半導体集積回路(以下、LSIと略す)
に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and particularly to a semiconductor integrated circuit (hereinafter abbreviated as LSI) having a test mode setting circuit.
Regarding.
デジタルLSIや、アナログ・デジタル混在のLSIの
LSIテスタにおける機能試験や、交流試験、直流試験
では簡単に試験できない場合や、短時間に試験できない
場合は、LSI内部にあらかじめテストモード設定回路
を組み込み試験の効率化、時間の短縮化をはかっている
。When testing digital LSIs or LSIs with mixed analog and digital functions using an LSI tester, or when tests cannot be easily performed using AC or DC tests, or when tests cannot be performed in a short period of time, test mode setting circuits are built into the LSI in advance. We aim to improve efficiency and shorten time.
以下、テストモード設定回路を使用して試験する場合、
この状態をテスト・モードと称し、そうでない普通使用
状態をノーマル・モードと呼称する。Below, when testing using the test mode setting circuit,
This state is called a test mode, and the other normal use state is called a normal mode.
通常、LSIを使用する場合、特別なことが無いかぎり
ノーマル・モードを使用し、一般ユーザ−にはテストモ
ードを開放しないことが普通である。そのため、特別に
端子を設定し内部の電源電位あるいは接地電位にプル・
アップ、プル・ダウンしている。テスタでの試験が必要
な場合その端子にある電位を与え試験し、普通に使用す
る場合はその端子をオープンにしている。Normally, when using an LSI, the normal mode is used unless there is a special occasion, and the test mode is not open to general users. Therefore, a special terminal is set to pull the internal power supply potential or ground potential.
It's up, pulled down. When testing with a tester is necessary, a certain potential is applied to that terminal and the test is performed, and for normal use, the terminal is left open.
第4図は一般に使用されている従来例のブロック図であ
る。本例の場合はCPUインタフェースを持つLSIを
想定した。FIG. 4 is a block diagram of a conventional example commonly used. In this example, an LSI with a CPU interface is assumed.
第4図において1bはLSIそのものであり、2aはL
SIの内部回路、3はデータ・バス、アドレス・バス、
4〜6はそれぞれC8,WR。In Fig. 4, 1b is the LSI itself, and 2a is the LSI.
Internal circuit of SI, 3 is data bus, address bus,
4 to 6 are C8 and WR respectively.
1丁である。7,9,11.14は一般入力端子、8,
10,12.13は一般出力端子、15はデータ・バス
最下位ビット(以降、LSBという)、16はテスト・
イネーブル入力端子、17はプルダウン抵抗、18はD
形フリップフロップ(以降、D−FF)、19はAND
ゲートである。It is one knife. 7, 9, 11.14 are general input terminals, 8,
10, 12, and 13 are general output terminals, 15 is the data bus least significant bit (hereinafter referred to as LSB), and 16 is the test/bus terminal.
Enable input terminal, 17 is a pull-down resistor, 18 is D
type flip-flop (hereinafter referred to as D-FF), 19 is AND
It is a gate.
第4図のブロックの動作を第5図に示す各信号のタイミ
ング・チャートを用いて説明する。The operation of the blocks in FIG. 4 will be explained using the timing chart of each signal shown in FIG.
テスト・イネーブル入力端子16がオープンで使用され
る場合は、ノーマル・モードで、プル・タウン抵抗によ
って端子16は低レベル(以降説明のために“°○′°
という。逆に高レベルは1゛という)となりAND19
の出力信号TMは0°“となる。よって、D−FF18
にCP UインタフェースからWRによつ1“°を書き
込んでもD−FF 18のQ出力が′1°′になっても
AND19の出力SAは変わらない。これにより時点t
nからノーマル・モードは保たれる9逆にテスト・イネ
ーブル端子16の信号TEを時点tnで°1“′にした
場合、テスト・モードで、D−FF 18に書き込んだ
“1″によりANDゲート19の出力信号TMも“1“
°となりテスト・モードであることが内部回路2aに出
力される。これによりLSIは効率よく試験することが
できる。When the test enable input terminal 16 is used open, in normal mode, the pull-down resistor causes the terminal 16 to be at a low level (“°○’°
That's what it means. On the other hand, the high level is called 1゛) and AND19
The output signal TM of D-FF18 becomes 0°".
Even if 1"° is written to WR from the CPU interface at
The normal mode is maintained from n onwards.9 Conversely, if the signal TE of the test enable terminal 16 is set to °1"' at time tn, the AND gate is activated by "1" written to the D-FF 18 in the test mode. The output signal TM of 19 is also “1”
°, and the fact that it is the test mode is output to the internal circuit 2a. Thereby, LSI can be tested efficiently.
上述した従来の半導体集積回路のテストモード設定回路
ではテスト・イネーブル入力端子16のような端子を必
要とし、少数ピンの場合、適用が困難と言う欠点があっ
た。The above-described conventional test mode setting circuit for semiconductor integrated circuits requires a terminal such as the test enable input terminal 16, and has the disadvantage that it is difficult to apply in the case of a small number of pins.
本発明の半導体累積回路は、内部回路に入力するデータ
バスの最下位ビットをデータとして入力するDフリップ
フロップと、該DフリップフロップのQ信号及びテスト
・イネーブル信号を入力してテストモード信号を前記内
部回路に供給するANDゲートを有するテスト・モード
設定回路を内蔵した半導体集積回路において、CPUイ
ンタフェースの入力よりアドレス指定をして、前記デー
タの決められたデータ列をN回(N=2.3・・・)書
き込むためのNビット・シフト・レジスタと、該Nビッ
ト・シフト・レジスタのN個のQ出力を入力するデコー
ダとを付加し、N回連続して前記データ列を入力し前記
デコーダ回路の出力信号を前記テスト・イネーブル信号
として前記ANDゲートの一方に入力して構成される。The semiconductor accumulation circuit of the present invention includes a D flip-flop that inputs the least significant bit of a data bus input to an internal circuit as data, and a test mode signal that is inputted to the Q signal and test enable signal of the D flip-flop. In a semiconductor integrated circuit that has a built-in test mode setting circuit that has an AND gate that supplies internal circuits, addressing is specified from the input of the CPU interface, and the predetermined data string is transmitted N times (N = 2.3 ...) Adds an N-bit shift register for writing and a decoder that inputs N Q outputs of the N-bit shift register, inputs the data string N times in succession, and inputs the data string to the decoder. It is constructed by inputting the output signal of the circuit as the test enable signal to one of the AND gates.
次に、本発明について区画を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to compartments.
第1図は本発明の第1の実施例のブロック区である。第
1図において、1はLSIそのものであり、2はLSI
の内部回路、2は第4図の従来の内部回路2にRe5e
t信号出力端子を付加している。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention. In Figure 1, 1 is the LSI itself, 2 is the LSI
2 is a Re5e internal circuit of the conventional internal circuit 2 of FIG.
A t signal output terminal is added.
LSIIの端子は第4図のLSllbの端子からテスト
・イネーブル入力端子16を除いている。すなわち3は
データ・バス、アドレス・バス、4〜6はそれぞれC3
,WR,RDrある。The terminals of LSII are the terminals of LSllb in FIG. 4 except that the test enable input terminal 16 is removed. That is, 3 is the data bus, address bus, and 4 to 6 are each C3.
, WR, RDr.
7.9,11,14,25は一般入力端子、8゜10.
12.13は一般出力端子である。7. 9, 11, 14, 25 are general input terminals, 8° 10.
12 and 13 are general output terminals.
15はデータ・バスのLSB、20はANDゲート、2
1はNを3とした場合の3ビツト・シフト・レジスタ、
22はデコーダ、23はテストイネーブル出力、24は
D−FFである。なお、CKI、CR2はCPUインタ
フェースからアドレスl、アドレス2にか選ばれ書き込
み信号WRが″“0″になった時発生するクロックであ
る。15 is the LSB of the data bus, 20 is the AND gate, 2
1 is a 3-bit shift register when N is 3,
22 is a decoder, 23 is a test enable output, and 24 is a D-FF. Note that CKI and CR2 are clocks that are generated when either address 1 or address 2 is selected from the CPU interface and the write signal WR becomes ``0''.
なお、Re5etはLSIの外部からリセットされた場
合゛0′″となる信号である。Note that Re5et is a signal that becomes "0" when reset from outside the LSI.
次に、第1図のブロックの動作を第2図に示す各信号の
タイミングチャートを用いて説明する。Next, the operation of the blocks in FIG. 1 will be explained using the timing chart of each signal shown in FIG. 2.
まず、第1図のブロックのLSIIのCPUインタフェ
ースのぴ「端子が“0”になりアドレスとしてAdr2
が選ばれ時点twで書き込み信号VWによりデータ・バ
スのLSHに、まず“1”を書き込み、続いて“0パを
書き込む。3ビツト・シフト・レジスタ21の出力Ql
、Q2はそれぞれ0′″、゛1′′となる。この状態で
はデコーダ22の出力23は1′にならずアドレスとし
てAdrlを選び、書き込み信号WRによりデータ・バ
スのLSBに、1”を乗せ、D−FF24に“1″を書
き込んでもANDゲート20の出力信号TMは“1”に
ならずテスト・モードにならない。First, the pin of the CPU interface of the LSII in the block shown in Figure 1 becomes "0" and Adr2 is set as the address.
is selected, and at time tw, the write signal VW first writes “1” and then “0” to LSH of the data bus.The output Ql of the 3-bit shift register 21
, Q2 become 0'' and ``1'', respectively. In this state, the output 23 of the decoder 22 does not become 1', but selects Adrl as the address, and writes 1'' to the LSB of the data bus using the write signal WR. , even if "1" is written in the D-FF 24, the output signal TM of the AND gate 20 does not become "1" and the test mode is not established.
3ビツト・シフト・レジスタ21やD−FF24をリセ
ットする場合は、内部回路2の信号Re5etを時点t
Rで0′°とする。When resetting the 3-bit shift register 21 and D-FF 24, the signal Re5et of the internal circuit 2 is set at time t.
Set R to 0'°.
次に新たにアドレスとしてAdr2が選ばれ書き込み信
号WRにより、データ・バスのLSBに連続して“1″
0”“1″を書き込むと時点tから3ビツト・シフ
ト・レジスタ21の出力Ql、Q2.Q3はそれぞれ“
1″、“O°′“1”となりテスト・イネーブル圧力2
3は“1″となる。Next, Adr2 is selected as a new address, and the write signal WR causes "1" to be written consecutively to the LSB of the data bus.
When 0" and 1" are written, the outputs Ql, Q2 and Q3 of the 3-bit shift register 21 become "0" and "1" from time t, respectively.
1", "O°' becomes "1" and test enable pressure 2
3 becomes "1".
次に時点11で、アドレスとしてAdrlが選ばれ書き
込み信ずWlによりD−FF24に“1“が書き込まれ
るとAND20の出力TMは1′′となりテスト・モー
ドになる。Next, at time 11, when Adrl is selected as the address and "1" is written into the D-FF 24 by the write signal Wl, the output TM of the AND 20 becomes 1'' and the test mode is entered.
第3図は本発明の第2の実施例のブロック図である。第
1の実施例との相違点はLSllaがデータ・バスのL
SBの1ビツトの代わりに8ビツト・データ・デコーダ
26にあらかじめ決められたコードを入力し一致した場
合のみ°゛1′′を出力し、一致しない場合は“0”を
出力する。その他の動作は第1の実施例と全く同じであ
る。FIG. 3 is a block diagram of a second embodiment of the invention. The difference from the first embodiment is that LSlla is L of the data bus.
A predetermined code is input to the 8-bit data decoder 26 in place of the 1 bit of SB, and only if they match, ``1'' is output, and if not, ``0'' is output. Other operations are exactly the same as in the first embodiment.
以上説明したように、本発明はテスト・モード設定回路
を内蔵したLSiこおいて、テスト・イネーブル入力端
子を不要とする効果がある。As described above, the present invention has the effect of eliminating the need for a test enable input terminal in an LSi device incorporating a test mode setting circuit.
第1図は本発明の第1の実施例のブロック図、第2図は
第1のブロックの動作を説明するための各信号のタイミ
ング・チャート、第3図は本発明の第2の実施例のブロ
ック回路図、第4図は従来の半導体集積回路の一例のブ
ロック図、第5図は第4図のブロックの動作を説明する
ための各信号のタイミング・チャート。
1・・・LSI、2・・・内部回路、3・・・データ・
バス、アドレス・バス、4・・・CY、5・・・WR1
6・・・肩、7.9.11,14.25・・・一般入方
端子、8,10,12.13・・・一般用カ端子、15
・・・データ・バス(LSB)、16・・・テスト・イ
ネーブル入力端子、17・・・プルダウン抵抗、18゜
24・・・D型フリップ・フロップ、19.20・・・
ANDゲート、21・・・3ビツト・シフト・レジスタ
、22・・・デコーダ、23・・・テスト・イネーブル
出力、26・・・8ビツト・データ・テ゛コータ、27
・・・デコーダ26の出力。FIG. 1 is a block diagram of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a timing chart of each signal to explain the operation of the first block, and FIG. 3 is a block diagram of the second embodiment of the present invention. 4 is a block diagram of an example of a conventional semiconductor integrated circuit, and FIG. 5 is a timing chart of each signal for explaining the operation of the block in FIG. 4. 1...LSI, 2...Internal circuit, 3...Data
Bus, address bus, 4...CY, 5...WR1
6... Shoulder, 7.9.11, 14.25... General input terminal, 8, 10, 12.13... General power terminal, 15
...Data bus (LSB), 16...Test enable input terminal, 17...Pull-down resistor, 18°24...D type flip-flop, 19.20...
AND gate, 21... 3-bit shift register, 22... decoder, 23... test enable output, 26... 8-bit data converter, 27
...Output of the decoder 26.
Claims (1)
タとして入力するDフリップフロップと、該Dフリップ
フロップのQ信号及びテスト・イネーブル信号を入力し
てテストモード信号を前記内部回路に供給するANDゲ
ートを有するテスト・モード設定回路を内蔵した半導体
集積回路において、CPUインタフェースの入力よりア
ドレス指定をして、前記データの決められたデータ列を
N回(N=2、3、・・・)書き込むためのNビット・
シフト・レジスタと、該Nビット・シフト・レジスタの
N個のQ出力を入力するデコーダとを付加し、N回連続
して前記データ列を入力し前記デコーダ回路の出力信号
を前記テスト・イネーブル信号として前記ANDゲート
の一方に入力することを特徴とする半導体集積回路。A D flip-flop that inputs the least significant bit of the data bus input to the internal circuit as data, and an AND gate that inputs the Q signal and test enable signal of the D flip-flop and supplies a test mode signal to the internal circuit. In a semiconductor integrated circuit having a built-in test mode setting circuit, a method for writing a predetermined data string of the data N times (N=2, 3,...) by specifying an address from the input of a CPU interface. N-bit
A shift register and a decoder inputting N Q outputs of the N-bit shift register are added, the data string is inputted N times in succession, and the output signal of the decoder circuit is used as the test enable signal. A semiconductor integrated circuit characterized in that the input signal is input to one of the AND gates.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2160179A JPH0450784A (en) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2160179A JPH0450784A (en) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0450784A true JPH0450784A (en) | 1992-02-19 |
Family
ID=15709547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2160179A Pending JPH0450784A (en) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0450784A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020005180A (en) * | 2001-05-31 | 2002-01-17 | 김수근 | Flanged End Valve Pipe Joint Device |
US6445205B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-09-03 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Method of testing integrated circuits |
JP2014215178A (en) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | セイコーインスツル株式会社 | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP2160179A patent/JPH0450784A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6445205B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-09-03 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Method of testing integrated circuits |
KR20020005180A (en) * | 2001-05-31 | 2002-01-17 | 김수근 | Flanged End Valve Pipe Joint Device |
JP2014215178A (en) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | セイコーインスツル株式会社 | Semiconductor device |
TWI607222B (en) * | 2013-04-25 | 2017-12-01 | 精工半導體有限公司 | Semiconductor device |
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