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JPH0444216Y2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0444216Y2
JPH0444216Y2 JP1985153308U JP15330885U JPH0444216Y2 JP H0444216 Y2 JPH0444216 Y2 JP H0444216Y2 JP 1985153308 U JP1985153308 U JP 1985153308U JP 15330885 U JP15330885 U JP 15330885U JP H0444216 Y2 JPH0444216 Y2 JP H0444216Y2
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JP
Japan
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workpiece
spinner
coating liquid
gas
coating device
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JP1985153308U
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は半導体ウエハー、金属板、セラミツク
ス、プリント基板或いはガラス板等の被処理物表
面に膜形成用塗布液を塗布する装置に関する。
（従来の技術） 半導体ウエハーなどの被処理物の表面にホトレ
ジスト或いは拡散材を塗布する装置としてスピン
ナーを備えた装置が知られている。
この塗布装置は上方が開放された筒状ケース内
にスピンナーを配置し、このスピンナー上面に被
処理物を載置するとともにスピンナー上面に形成
した真空引き用の溝で被処理物を吸着し、スピン
ナーの回転によつて被処理物を一体的に回転せし
め、この回転に伴う遠心力で、上方のノズルから
滴下した塗布液を、被処理物表面に均一に広げる
ようにしたものである。
（考案が解決しようとする問題点） ところでノズルから滴下される塗布液は常に一
定の濃度等の性状が望まれるが、塗布液の化学的
性質からその特性の変化・変質を招くことがあ
る。例えば塗布液がアンチモンを含むものである
ような場合には、塗布液は被処理物上方の雰囲
気、即ち空気中の水分を吸収してアンチモンが変
質してしまう問題点がある。
（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決すべく本考案は、斜め上方向
のノズルに向けてN2ガス等の不活性ガスを噴出
するガス噴出孔をケース上面に形成して、ノズル
及び被処理物間の雰囲気を不活性とし、塗布液の
特性を一定に保つようにした。
（実施例） 以下に本考案の実施例を添付図面に基いて説明
する。
第１図は本考案に係る塗布装置の縦断面図、第
２図は同塗布装置の平面図であり、塗布装置のケ
ース１は上板２、壁板３及び底板４から構成さ
れ、上板２及び底板４の中央には円孔５，６が形
成され、底板４の円孔６の周囲には突部７が形成
され、この突部７上にスピンナーガイド８が取付
けられ、このスピンナーガイド８によつて形成さ
れる空間に下方からスピンナー９が臨んでいる。
スピンナー９はモータ１０によつて回転せしめら
れるとともに、その上部は大径部とされ、上面に
は第３図に示す如く同心円状の多数の真空引き用
の溝１１及びこれら溝１１をつなぐ十字状の真空
引き用の溝１２が穿設されている。
また、上板２の下部には径方向外方に向つて下
方に下がる壁部１３を形成し、この壁部１３によ
つて真空ポンプとつながる排気通路１４を画成
し、この排気通路１４と壁板３及び壁部１３間に
形成される吸引室１５とを孔１６によつて連通し
ている。
また、上板２の円孔５にはリング部材１７を嵌
着している。このリング部材１７の下部はスカー
ト部１７ａとされ、このスカート部１７ａは前記
吸引室１５に垂下し、スピンナーガイド８上面と
スカート部１７ａ下端との間の隙間を絞つてい
る。
更に、壁板３の下部には径方向内方に向つて突
出するガイド部１８を一体的に形成し、このガイ
ド部１８上面を傾斜面とし、ガイド部１８の内端
部と前記突部７外周部との間に溶剤の流入口１９
を形成している。そして、ガイド部１８の下面と
底板４の上面との間には溶剤の溜り部２０を形成
し、この溜り部２０内に流入した溶剤（塗布液を
含む）を排出口２１及びパイプ２２を介して回収
するようにしている。
一方、上板２には溶剤の供給源とつながる溶剤
の流路２３及びN2ガス等の不活性ガス源につな
がるガス通路２４が穿設され、溶剤の流路２３は
壁部１３に嵌め込んだノズル２３ａに接続され、
ノズル２３ａから壁部１３表面に溶剤を供給する
ようにしている。またガス通路２４はケース上面
に開口するガス噴出孔２５につながつており、こ
のガス噴出孔２５は周方向に等間隔で多数設けら
れ、且つガス噴出孔２５の向きは斜め上方向にあ
る滴下ノズル２６に向いており、スピンナー９に
吸着された被処理物Ｗ上方の雰囲気を例えばN2
に富んだものとし、塗布液がアンチモンを含むも
のであるような場合に、空気中の水分を少なく
し、吸湿防止を図ついる。また、ガスの開口方向
が滴下ノズル２６へ向つているため、噴射された
前記不活性ガスはスピンナー上の被処理物Ｗに直
接当たることはない。このため被処理物Ｗ表面に
形成される被膜が不均一となることがない。
また、底板４にも溶剤の供給源とつながる溶剤
の流路２７が穿設され、この流路２７はスピンナ
ーガイド８に穿設された溶剤の噴出流路２８に連
通し、この噴出流路２８から噴出した溶剤によつ
て被処理物Ｗの外周部下面に廻り込んだ塗布液を
除去し、戻り流路２９を通つて溶剤の溜り部２０
内に流入するようにしている。
以上の如き構成からなる塗布装置の作用を以下
に述べる。
先ず、スピンナー９の上面に被処理物Ｗを載置
し、真空引きして被処理物Ｗをスピンナー９上面
に吸着する。次いで滴下ノズル２６から塗布液を
被処理物Ｗの中心に滴下する。このとき、被処理
物Ｗ上方の雰囲気は噴出孔２５からの不活性ガ
ス、例えばN2ガスによつて水分の少ない雰囲気
となつているため、塗布液がアンチモンを含むよ
うな場合であつても塗布液が吸湿することがな
く、その特性を一定に保つことができる。
そして、被処理物Ｗ上に塗布液を滴下するとと
もに、モータ１０によつてスピンナー９を回転せ
しめ、スピンナー９と一体的に被処理物Ｗを回転
せしめ、この回転に伴なう遠心力で塗布液を被処
理物Ｗ表面に均一に広げる。
ここで、被処理物Ｗ上に滴下された塗布液の一
部は遠心力によつて飛散し、吸引室１５の内壁に
付着する、しかしながら吸引室１５の内壁にはノ
ズル２３ａからの溶剤が流下しているため、飛散
して付着した塗布液は、この溶剤に溶け込み、吸
引室１５の内壁及びガイド部１８の上面をつたつ
て溜り部２０内に流れ込み、この溜り部２０から
排出口２１及びパイプ２２を介して回収される。
また、滴下された塗布液の一部はミスト状とな
つて吸引室１５内及び被処理物Ｗ上方に飛散す
る。ここで、前記リング部材１７のスカート部１
７ａは吸引室１５内に垂下しているため、吸引室
１５内に飛散したミスト状塗布液は被処理物Ｗ上
方に流れることはなく、また垂下するスカート部
１７ａは、スピンナーガイド８上面とスカート部
１７ａ下端との間の隙間を絞つているため、被処
理物Ｗ上方に舞い上がつたミスト状塗布液は該隙
間を介して強制的に吸引室１５内に吸引され、ミ
スト状塗布液はいずれも孔１６を介して排気通路
１４内に吸引されて外部に排出されるので、被処
理物Ｗ表面にミスト状塗布液が落下することがな
い。
更に、被処理物Ｗ表面に広がつた塗布液の一部
は被処理物Ｗの周縁から下面に廻り込むが、この
廻り込んだ塗布液は噴出流路２８から噴出する溶
剤によつて除去される。
（考案の効果） 以上に説明したように、本考案によれば、N2
ガス等の不活性ガスを噴出する噴出孔をケース上
面に形成したので、被処理物上方の雰囲気は不活
性となり、塗布液の特性は一定に保たれる。
またガス開口方向が滴下ノズルへ向つているた
め、噴射された前記不活性ガスはスピンナー上の
被処理物に直接当たることはない。このため被処
理物表面に形成される被膜が不均一となることが
ない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る塗布装置の縦断面図、第
２図は同塗布装置の平面図、第３図はスピンナー
の斜視図である。 尚、図面中１はケース、２は上板、３は壁板、
４は底板、９はスピンナー、２４はガス通路、２
５はガス噴出孔、２６は滴下ノズル、Ｗは被処理
物である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ケース１内に下方から臨むスピンナー９上に
    被処理物Ｗを載置し、スピンナー９にて被処理
    物Ｗを回転せしめることで被処理物Ｗ表面に滴
    下ノズル２６から滴下した塗布液を遠心力で被
    処理物Ｗ表面に均一に広げるようにした塗布装
    置において、前記ケース１の上面にはN2ガス
    等の不活性ガス源につながるガス通路２４の噴
    出孔２５を開口し、且つこの開口方向は、噴出
    孔２５の斜め上方に位置する前記滴下ノズル２
    ６に向かつていることを特徴とする塗布装置。 (2) 前記ガス噴出孔２５は、前記ケース１上面の
    周方向に等間隔で多数形成されていることを特
    徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の
    塗布装置。
JP1985153308U 1985-10-07 1985-10-07 Expired JPH0444216Y2 (ja)

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