JPH04258626A - 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物及び半導体封止装置Info
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- JPH04258626A JPH04258626A JP3951191A JP3951191A JPH04258626A JP H04258626 A JPH04258626 A JP H04258626A JP 3951191 A JP3951191 A JP 3951191A JP 3951191 A JP3951191 A JP 3951191A JP H04258626 A JPH04258626 A JP H04258626A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、成形性が良く、耐湿性
、半田耐熱性にも優れた封止用樹脂組成物、及びそれに
より封止した半導体封止装置に関する。
、半田耐熱性にも優れた封止用樹脂組成物、及びそれに
より封止した半導体封止装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置において、薄いパッケ
ージの実用化が推進されている。例えば集積回路におけ
るフラットパッケージや、SOP(smalloutl
ine package )、TSOP(thin s
mall outline package)、またパ
ワートランジスタにおけるアイソレーションタイプのパ
ッケージ等は、半導体素子の上面やアイソレーションタ
イプパッケージの裏面等で、約 0.1〜 0.5mm
程度という薄肉の部分に樹脂を充填しなければならなく
なっている。一方、表面実装型のパッケージは、それを
回路基板に取り付ける場合に半田浸漬方式や半田リフロ
ー方式が採用され、パッケージを構成する封止樹脂にと
って一層厳しい環境になっている。
ージの実用化が推進されている。例えば集積回路におけ
るフラットパッケージや、SOP(smalloutl
ine package )、TSOP(thin s
mall outline package)、またパ
ワートランジスタにおけるアイソレーションタイプのパ
ッケージ等は、半導体素子の上面やアイソレーションタ
イプパッケージの裏面等で、約 0.1〜 0.5mm
程度という薄肉の部分に樹脂を充填しなければならなく
なっている。一方、表面実装型のパッケージは、それを
回路基板に取り付ける場合に半田浸漬方式や半田リフロ
ー方式が採用され、パッケージを構成する封止樹脂にと
って一層厳しい環境になっている。
【0003】従来の封止樹脂は、ノボラック型エポキシ
樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、シリカ粉末および
公知の硬化促進剤からなるものであるが、この封止樹脂
で封止すると、薄肉の部分に樹脂が充填されず巣やフク
レを生じる等成形性が悪く、耐湿性の低下や外観不良を
生じる欠点があった。また、上記従来の封止樹脂で封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬等を行うと耐
湿性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導
体装置を半田浴に浸漬した場合には、封止樹脂と半導体
素子、封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内
部樹脂クラックが生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極
の腐食による断線や水分によるリーク電流を生じる。そ
の結果、半導体装置は長期間の信頼性を保証することが
できないという欠点があった。
樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、シリカ粉末および
公知の硬化促進剤からなるものであるが、この封止樹脂
で封止すると、薄肉の部分に樹脂が充填されず巣やフク
レを生じる等成形性が悪く、耐湿性の低下や外観不良を
生じる欠点があった。また、上記従来の封止樹脂で封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬等を行うと耐
湿性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導
体装置を半田浴に浸漬した場合には、封止樹脂と半導体
素子、封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内
部樹脂クラックが生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極
の腐食による断線や水分によるリーク電流を生じる。そ
の結果、半導体装置は長期間の信頼性を保証することが
できないという欠点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、薄肉部の成形性に優
れ、また吸湿の影響が少なく、特に半田浸漬後や半田リ
フロー後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、長期信頼性を保
証できる封止用樹脂組成物及び半導体封止装置を提供す
ることを目的としている。
を解消するためになされたもので、薄肉部の成形性に優
れ、また吸湿の影響が少なく、特に半田浸漬後や半田リ
フロー後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、長期信頼性を保
証できる封止用樹脂組成物及び半導体封止装置を提供す
ることを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述するよう
な組成物を用いることによって、薄肉部の成形性、耐湿
性、半田耐熱性に優れた封止用樹脂組成物及び半導体封
止装置が得られることを見いだし、本発明を完成したも
のである。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述するよう
な組成物を用いることによって、薄肉部の成形性、耐湿
性、半田耐熱性に優れた封止用樹脂組成物及び半導体封
止装置が得られることを見いだし、本発明を完成したも
のである。
【0006】すなわち、本発明は、(A)o−クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、(B)次の一般式(I)
又は(II)で示される多官能フェノール樹脂
ルノボラック型エポキシ樹脂、(B)次の一般式(I)
又は(II)で示される多官能フェノール樹脂
【00
07】
07】
【化5】
(但し式中、nは0 又は1 以上の整数を、RはCm
H2m+1を、mは0 又は1 以上の整数を表す)
、(C)次の一般式で示されるトリス(オルト・パラ置
換フェニル)ホスフィン
H2m+1を、mは0 又は1 以上の整数を表す)
、(C)次の一般式で示されるトリス(オルト・パラ置
換フェニル)ホスフィン
【0008】
【化6】
(但し、式中R1 ,R2 ,R3 は電子供与基もし
くは水素原子を表し、R1 ,R2 ,R3 のうち少
なくとも1 つは電子供与基である)、及び(D)シリ
カ粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(C)
のトリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィンを
0.01 〜 5重量%の割合に含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物である。またこの封止用樹脂
組成物の硬化物によって、半導体装置が封止されている
ことを特徴とする半導体封止装置である。
くは水素原子を表し、R1 ,R2 ,R3 のうち少
なくとも1 つは電子供与基である)、及び(D)シリ
カ粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(C)
のトリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィンを
0.01 〜 5重量%の割合に含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物である。またこの封止用樹脂
組成物の硬化物によって、半導体装置が封止されている
ことを特徴とする半導体封止装置である。
【0009】以下、本発明を詳細に説明する。
【0010】本発明に用いる(A)o−クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂としては、次の式
ラック型エポキシ樹脂としては、次の式
【0011】
【化7】
(但し、式中nは正の整数を表す)で示されるものが使
用され、特に分子量等に制限されることはない。このエ
ポキシ樹脂にノボラック型エポキシ樹脂やエピクロルヒ
ドリンビスフェノール系エポキシ樹脂を併用することも
できる。
用され、特に分子量等に制限されることはない。このエ
ポキシ樹脂にノボラック型エポキシ樹脂やエピクロルヒ
ドリンビスフェノール系エポキシ樹脂を併用することも
できる。
【0012】本発明に用いる(B)多官能フェノール樹
脂は、前記の(I) 又は(II)式で示されるように
三官能もしくは四官能以上のフェノール樹脂で、その分
子中に前記骨格構造を有する限り、そのほかの分子構造
、分子量等に特に制限されることはなく、広く使用する
ことができる。具体的な(B)多官能フェノール樹脂の
例として、次式のような三官能及び四官能のフェノール
樹脂
脂は、前記の(I) 又は(II)式で示されるように
三官能もしくは四官能以上のフェノール樹脂で、その分
子中に前記骨格構造を有する限り、そのほかの分子構造
、分子量等に特に制限されることはなく、広く使用する
ことができる。具体的な(B)多官能フェノール樹脂の
例として、次式のような三官能及び四官能のフェノール
樹脂
【0013】
【化8】
【0014】
【化9】
等が挙げられ、これらは単独又は 2種以上使用するこ
とができる。さらに多官能フェノール樹脂の他に、フェ
ノール、アルキルフェノール等のフェノール類と、ホル
ムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドとを反応さ
せて得られるノボラック型フェノール樹脂およびそれら
の変性樹脂を混合して使用することができる。
とができる。さらに多官能フェノール樹脂の他に、フェ
ノール、アルキルフェノール等のフェノール類と、ホル
ムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドとを反応さ
せて得られるノボラック型フェノール樹脂およびそれら
の変性樹脂を混合して使用することができる。
【0015】本発明に用いる(C)トリス(オルト・パ
ラ置換フェニル)ホスフィンは、前記の一般式を有する
もので、トリフェニルホフィンにおけるフェニル基のオ
ルト・パラ位に電子供与基を置換したものであるが、必
ずしもすべて置換したものでなくてもよい。すなわち、
1 つのオルト位のみ、オルト位とパラ位、オルト位と
オルト位、パラ位のみ、2 つのオルト位とパラ位に置
換されたものである。電子供与基の種類としては、アル
コキシ基、アミノ基、水酸基、ハロゲン基、アルキル基
等が挙げられる。トリス(オルト・パラ置換フェニル)
ホスフィンは硬化促進剤として使用される。また、この
トリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィンの他に
硬化促進剤として公知のイミダゾール系促進剤、ジアザ
ビシクロウンデセン(DBU)系促進剤、リン系促進剤
、その他の促進剤を併用することができる。
ラ置換フェニル)ホスフィンは、前記の一般式を有する
もので、トリフェニルホフィンにおけるフェニル基のオ
ルト・パラ位に電子供与基を置換したものであるが、必
ずしもすべて置換したものでなくてもよい。すなわち、
1 つのオルト位のみ、オルト位とパラ位、オルト位と
オルト位、パラ位のみ、2 つのオルト位とパラ位に置
換されたものである。電子供与基の種類としては、アル
コキシ基、アミノ基、水酸基、ハロゲン基、アルキル基
等が挙げられる。トリス(オルト・パラ置換フェニル)
ホスフィンは硬化促進剤として使用される。また、この
トリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィンの他に
硬化促進剤として公知のイミダゾール系促進剤、ジアザ
ビシクロウンデセン(DBU)系促進剤、リン系促進剤
、その他の促進剤を併用することができる。
【0016】(C)トリス(オルト・パラ置換フェニル
)ホスフィンの配合割合は、樹脂組成物に対して 0.
01 〜 5重量%含有することが望ましい。その割合
が 0.01 重量%未満では、樹脂組成物のゲルタイ
ムが長く、また硬化特性も悪く好ましくない。 5重量
%を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、
また電気特性も悪くなり、さらに耐湿性が劣り好ましく
ない。
)ホスフィンの配合割合は、樹脂組成物に対して 0.
01 〜 5重量%含有することが望ましい。その割合
が 0.01 重量%未満では、樹脂組成物のゲルタイ
ムが長く、また硬化特性も悪く好ましくない。 5重量
%を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、
また電気特性も悪くなり、さらに耐湿性が劣り好ましく
ない。
【0017】本発明に用いる(D)シリカ粉末としては
、一般に使用されているシリカ粉末が広く使用されるが
、それらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm
以下のものが望ましい。平均粒径が30μmを超えると
耐湿性および成形性が劣り好ましくない。
、一般に使用されているシリカ粉末が広く使用されるが
、それらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm
以下のものが望ましい。平均粒径が30μmを超えると
耐湿性および成形性が劣り好ましくない。
【0018】本発明の封止用樹脂組成物は、o−クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、多官能フェノール樹脂
、トリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィン硬化
促進剤およびシリカ粉末を必須成分とするが、本発明の
目的に反しない限度において、また必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド、エステル類、パラフィン類の離型剤、三
酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色
剤、シランカップリング剤、硬化促進剤、ゴム系やシリ
コーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合することがで
きる。
ールノボラック型エポキシ樹脂、多官能フェノール樹脂
、トリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィン硬化
促進剤およびシリカ粉末を必須成分とするが、本発明の
目的に反しない限度において、また必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド、エステル類、パラフィン類の離型剤、三
酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色
剤、シランカップリング剤、硬化促進剤、ゴム系やシリ
コーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合することがで
きる。
【0019】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的方法は、前述した各成分、すな
わち、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官
能フェノール樹脂、トリス(オルト・パラ置換フェニル
)ホスフィンの硬化促進剤、シリカ粉末、その他を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合する。さらに熱
ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合処理
を行い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成
形材料とすることができる。この成形材料を電子部品あ
るいは電気部品の封止用として、また被覆、絶縁等に適
用し、優れた特性と信頼性を付与することができる。
て調製する場合の一般的方法は、前述した各成分、すな
わち、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官
能フェノール樹脂、トリス(オルト・パラ置換フェニル
)ホスフィンの硬化促進剤、シリカ粉末、その他を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合する。さらに熱
ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合処理
を行い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成
形材料とすることができる。この成形材料を電子部品あ
るいは電気部品の封止用として、また被覆、絶縁等に適
用し、優れた特性と信頼性を付与することができる。
【0020】本発明の半導体封止装置は、上記の封止用
樹脂組成物を用いて、半導体装置を封止することにより
製造することができる。封止を行う半導体装置としては
、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、
サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるものではな
く広く使用できる。封止の最も一般的な方法としては、
低圧トランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成
形、注形等による封止も可能である。封止用樹脂組成物
は封止成形の後に加熱して硬化させ、最終的にはこの組
成物の硬化物によって封止された半導体装置が得られる
。加熱による硬化は 150℃以上の温度で硬化させる
ことが望ましい。
樹脂組成物を用いて、半導体装置を封止することにより
製造することができる。封止を行う半導体装置としては
、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、
サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるものではな
く広く使用できる。封止の最も一般的な方法としては、
低圧トランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成
形、注形等による封止も可能である。封止用樹脂組成物
は封止成形の後に加熱して硬化させ、最終的にはこの組
成物の硬化物によって封止された半導体装置が得られる
。加熱による硬化は 150℃以上の温度で硬化させる
ことが望ましい。
【0021】
【作用】本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装
置は、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官
能フェノール樹脂、トリス(オルト・パラ置換フェニル
)ホスフィン硬化促進剤を用いて反応させることによっ
て目的を達成したものである。即ち、トリス(オルト・
パラ置換フェニル)ホスフィン硬化促進剤を所定量配合
させ、樹脂組成物のゲル化時間、流動性をコントロール
したので薄肉部の充填性が良くなり耐湿性の向上ととも
に優れた成形性を付与した。また、o−クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂と多官能フェノール樹脂とを反応
させることによって、ガラス転移温度を上昇させ、熱時
の特性を向上させるとともに樹脂組成物の吸湿性が少な
くなる。その結果、半田浸漬や半田リフローを行っても
樹脂クラックの発生がなくなり、特に耐湿性劣化がなく
なるものである。
置は、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官
能フェノール樹脂、トリス(オルト・パラ置換フェニル
)ホスフィン硬化促進剤を用いて反応させることによっ
て目的を達成したものである。即ち、トリス(オルト・
パラ置換フェニル)ホスフィン硬化促進剤を所定量配合
させ、樹脂組成物のゲル化時間、流動性をコントロール
したので薄肉部の充填性が良くなり耐湿性の向上ととも
に優れた成形性を付与した。また、o−クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂と多官能フェノール樹脂とを反応
させることによって、ガラス転移温度を上昇させ、熱時
の特性を向上させるとともに樹脂組成物の吸湿性が少な
くなる。その結果、半田浸漬や半田リフローを行っても
樹脂クラックの発生がなくなり、特に耐湿性劣化がなく
なるものである。
【0022】
【実施例】次に本発明の実施例について説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではない
。以下の実施例および比較例において「%」とは「重量
%」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではない
。以下の実施例および比較例において「%」とは「重量
%」を意味する。
【0023】実施例1
o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂17%、前記
化8の三官能フェノール樹脂 8%、トリス(2,6−
ジエトキシフェニル)ホスフィンの硬化促進剤 0.3
%、シリカ粉末74%、エステルワックス 0.3%お
よびシランカップリング剤 0.4%を常温で混合し、
さらに90〜95℃の温度で混練し、冷却した後粉砕し
て成形材料(A)を製造した。
化8の三官能フェノール樹脂 8%、トリス(2,6−
ジエトキシフェニル)ホスフィンの硬化促進剤 0.3
%、シリカ粉末74%、エステルワックス 0.3%お
よびシランカップリング剤 0.4%を常温で混合し、
さらに90〜95℃の温度で混練し、冷却した後粉砕し
て成形材料(A)を製造した。
【0024】実施例2
o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂12%、前記
化8の三官能フェノール樹脂 6%、トリス(2,6−
ジエトキシフェニル)ホスフィンの硬化促進剤 0.3
%、シリカ粉末81%、エステルワックス 0.3%お
よびシランカップリング剤 0.4%を常温で混合し、
さらに90〜95℃の温度で混練し、冷却した後、粉砕
して成形材料(B)を製造した。
化8の三官能フェノール樹脂 6%、トリス(2,6−
ジエトキシフェニル)ホスフィンの硬化促進剤 0.3
%、シリカ粉末81%、エステルワックス 0.3%お
よびシランカップリング剤 0.4%を常温で混合し、
さらに90〜95℃の温度で混練し、冷却した後、粉砕
して成形材料(B)を製造した。
【0025】比較例1
o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂17%、ノボ
ラック型フェノール樹脂 8%、シリカ粉末74%、イ
ミダゾール系硬化促進剤 0.3%、エステルワックス
0.3%およびシランカップリング剤 0.4%を実
施例1と同様にして成形材料(C)を製造した。
ラック型フェノール樹脂 8%、シリカ粉末74%、イ
ミダゾール系硬化促進剤 0.3%、エステルワックス
0.3%およびシランカップリング剤 0.4%を実
施例1と同様にして成形材料(C)を製造した。
【0026】比較例2
o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂12%、ノボ
ラック型フェノール樹脂 6%、シリカ粉末81%、イ
ミダゾール系硬化促進剤 0.3%、エステルワックス
0.3%およびシランカップリング剤 0.4%を比
較例1と同様にして成形材料(D)を製造した。
ラック型フェノール樹脂 6%、シリカ粉末81%、イ
ミダゾール系硬化促進剤 0.3%、エステルワックス
0.3%およびシランカップリング剤 0.4%を比
較例1と同様にして成形材料(D)を製造した。
【0027】実施例1〜2及び比較例1〜2で製造した
成形材料(A)〜(D)及びこれらを用いて製造した半
導体封止装置について、成形性及び耐湿性について試験
したのでその結果を表1に示した。本発明はいずれも優
れており、本発明の顕著な効果を確認することができた
。
成形材料(A)〜(D)及びこれらを用いて製造した半
導体封止装置について、成形性及び耐湿性について試験
したのでその結果を表1に示した。本発明はいずれも優
れており、本発明の顕著な効果を確認することができた
。
【0028】
【表1】
*1 :成形材料を用いて、 175℃の金型で 10
0kg/cm2 の圧力をかけスパイラルの流動距離を
測定した*2 :175 ℃の熱板上で成形材料がゲル
化するまでの時間を測定した *3 :成形材料を用い、 175℃の金型で 100
kg/cm2 の圧力をかけて、 200μm, 30
0μm,10μmのすき間を流れる流動距離を測定した *4 :成形材料を用いて、QFP(14×14×1.
4 mm)パッケージに 8× 8mmのダミーチップ
を納め、パッケージ500個の中でのチップ上面の充填
不良数を測定した*5 :成形材料を用いて、TO−2
20型パッケージにダミーチップを納め、パッケージ
500個中での裏面の充填不良数を測定した *6 :成形材料を用いて、DIP−16ピンMOSI
Cテスト素子、又はTO−220型テスト素子を封止し
た半導体封止装置それぞれについて、PCT 4気圧の
条件でアルミニウム配線のオープン不良が50%に達す
るまでの時間を測定した。
0kg/cm2 の圧力をかけスパイラルの流動距離を
測定した*2 :175 ℃の熱板上で成形材料がゲル
化するまでの時間を測定した *3 :成形材料を用い、 175℃の金型で 100
kg/cm2 の圧力をかけて、 200μm, 30
0μm,10μmのすき間を流れる流動距離を測定した *4 :成形材料を用いて、QFP(14×14×1.
4 mm)パッケージに 8× 8mmのダミーチップ
を納め、パッケージ500個の中でのチップ上面の充填
不良数を測定した*5 :成形材料を用いて、TO−2
20型パッケージにダミーチップを納め、パッケージ
500個中での裏面の充填不良数を測定した *6 :成形材料を用いて、DIP−16ピンMOSI
Cテスト素子、又はTO−220型テスト素子を封止し
た半導体封止装置それぞれについて、PCT 4気圧の
条件でアルミニウム配線のオープン不良が50%に達す
るまでの時間を測定した。
【0029】
【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明の封止用樹脂組成物は、成形性に優れ、吸湿
の影響が少なく、半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に
優れているため、薄肉部によく充填し、巣やフクレの発
生がなく、樹脂組成物と半導体装置あるいは樹脂組成物
とリードフレーム間の剥がれや内部樹脂クラックの発生
がなく、また電極の腐食による断線や水分によるリーク
電流の発生もない、優れた信頼性の高い半導体封止装置
が得られた。
に、本発明の封止用樹脂組成物は、成形性に優れ、吸湿
の影響が少なく、半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に
優れているため、薄肉部によく充填し、巣やフクレの発
生がなく、樹脂組成物と半導体装置あるいは樹脂組成物
とリードフレーム間の剥がれや内部樹脂クラックの発生
がなく、また電極の腐食による断線や水分によるリーク
電流の発生もない、優れた信頼性の高い半導体封止装置
が得られた。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)o−クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、(B)次の一般式(I) 又は(II)で
示される多官能フェノール樹脂 【化1】 (但し式中、nは0 又は1 以上の整数を、RはCm
H2m+1を、mは0 又は1 以上の整数を表す)
、(C)次の一般式で示されるトリス(オルト・パラ置
換フェニル)ホスフィン 【化2】 (但し、式中R1 ,R2 ,R3 は電子供与基もし
くは水素原子を表し、R1 ,R2 ,R3 のうち少
なくとも1 つは電子供与基である)、及び(D)シリ
カ粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(C)
のトリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィンを
0.01 〜 5重量%の割合に含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物。 - 【請求項2】 (A)o−クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、(B)次の一般式(I) 又は(II)で
示される多官能フェノール樹脂 【化3】 (但し、式中、nは0 又は1 以上の整数を、RはC
m H2m+1を、mは0 又は1 以上の整数を表す
)、(C)次の一般式で示されるトリス(オルト・パラ
置換フェニル)ホスフィン 【化4】 (但し、式中R1 ,R2 ,R3 は電子供与基もし
くは水素原子を表し、R1 ,R2 ,R3 のうち少
なくとも1 つは電子供与基である)、及び(D)シリ
カ粉末を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(C)
のトリス(オルト・パラ置換フェニル)ホスフィンを
0.01 〜 5重量%の割合に含有した封止用樹脂組
成物の硬化物によって、半導体装置が封止されてなるこ
とを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3951191A JPH04258626A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3951191A JPH04258626A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04258626A true JPH04258626A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12555067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3951191A Pending JPH04258626A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04258626A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100413358B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-12-31 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
KR100413356B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-12-31 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
KR100413359B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-12-31 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
-
1991
- 1991-02-09 JP JP3951191A patent/JPH04258626A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100413358B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-12-31 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
KR100413356B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-12-31 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
KR100413359B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-12-31 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
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