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JPH04159286A - オキシムシランの着色防止方法 - Google Patents

オキシムシランの着色防止方法

Info

Publication number
JPH04159286A
JPH04159286A JP2283861A JP28386190A JPH04159286A JP H04159286 A JPH04159286 A JP H04159286A JP 2283861 A JP2283861 A JP 2283861A JP 28386190 A JP28386190 A JP 28386190A JP H04159286 A JPH04159286 A JP H04159286A
Authority
JP
Japan
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group
oxime
silane
nitrogen
containing base
Prior art date
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Application number
JP2283861A
Other languages
English (en)
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JPH0757757B2 (ja
Inventor
Isao Watanuki
綿貫 勲
Hiroshi Tsumura
津村 寛
Kazuji Sato
佐藤 和司
Nobuhiko Kotana
小棚 伸彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0834Compounds having one or more O-Si linkage
    • C07F7/0892Compounds with a Si-O-N linkage

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はオキシムシラン、例えばメチルトリス(メチル
エチルケトオキシム)シラン、ビニルトリス(メチルエ
チルケトオキシム)シランなどの着色防止方法に関する
ものである。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]従来、
オキシムシランの製造法については、メチルトリクロロ
シランなどの塩化シランを化学量論上当量のオキシム化
合物例えばメチルエチルケトオキシムと、反応時に副生
ずる塩酸の受容体として化学量論上当量の有機塩基例え
ばピリジンの存在下に反応させる方法(特公昭39−2
9837号公報参照)が知られている。しかしこの方法
においては、生成物を有機塩基塩酸塩より蒸留分離する
必要があり、蒸留時爆発を伴う危険性がある。
また、特公平1−21834号公報には、塩化シランと
化学量論的に2倍当量のオキシム化合物を反応させる方
法が記載されている。過剰なオキシム化合物は反応時に
生成する塩酸の受容体として作用する。
また、特開昭63−227592号公報には、塩化シラ
ンに化学量論上当量のオキシム化合物及び塩酸の受容体
として化学量論的に1,04〜1.46倍のアンモニア
ガスを吹き込むことによる連続的製造方法が記載されて
いる。
しかし上記の方法などで製造されるオキシムシランは、
いずれもFeCρ3などの重金属塩の数ppmの存在下
で黄色ないし茶褐色に着色する。
着色を防止するために原料の精製、製造装置の工夫など
が試みられているが、従来の対策では充分な程度に重金
属を抑えるには多大の困難を伴い、経済的にも不可能で
ある。
上記の着色は、一般に温度が90℃以上になると顕著に
なるが、未反応C忍が存在すると60℃程度の低温にお
いても増進されてオキシムシランは茶褐色に変色する。
したがって、特に未反応C忍が存在する場合、比較的高
温を要するオキシムシランの単離精製工程において着色
が起り易かった。
特に、アンモニアガスを塩酸の受容体として用いる製造
方法では反応の完結が他の製法に比べて困難であり、未
反応C4が残存し硲すいので問題が大きい。この原因は
副生ずる塩化アンモニウムの影響で気−液一固反応の様
相を呈するためと考えられる。
このようにオキシムシランの着色防止は困難なものであ
り、解決策、中でもオキシムシランの単離精製工程での
着色防止策の出現が望まれていた。本発明はこのような
オキシムシランの着色防止策を提供するためになされた
ものである。
[課題を解決するための手段] 前記のような状況に鑑み、本発明者らは着色防止策につ
いて鋭意検討の結果、着色の起りやすいオキシムシラン
の単離精製工程などの後工程においても、系中に窒素含
有塩基を存在させることによって課題が解決できること
を見出し本発明に至った。この単離精製工程は副生した
ハロゲン化水素酸とその受容体との塩を除去した後に行
なわれるものである。なお、従来の方法はオキシムシラ
ンの合成反応の工程でのみ酸の受容体としての塩基を用
いるものであった。
本発明は、窒素含有塩基及び有機溶剤存在下で、一般式 %式% (式中、Xはハロゲン原子を表し、R1は水素原子、ア
ルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、
シクロアルキル基またはこれらの基の炭素原子に結合し
た水素原子の一部または全部をハロゲン原子で置換した
基を表し、aは1〜4の整数を表す)で示されるハロゲ
ン化シラン及び一般式 %式% L式中、R2及びR3は各々独立に水素原子、アルキル
基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、シ
クロアルケニル基、アラルキル基またはこれらの基の炭
素原子に結合した水素原子の一部または全部をハロゲン
原子で置換した基を表し、さらにR2及びR1は式−(
Ct(z)−(ここでmは3〜7の整数を表す)で示さ
れるアルキレン基またはこれらの基の炭素原子に結合し
た水素原子の一部または全部をハロゲン原子で置換した
基を形成することもできる]で示されるオキシムから合
成される、一般式 %式% (式中、R’、R2,R3,aは前記に同じ)で示され
るオキシムシランに、合成反応により生成する窒素含有
塩基のハロゲン化水素酸塩を除去した後の処理において
も、窒素含有塩基を存在させることを特徴とするオキシ
ムシランの着色防止方法、を要旨とするものである。
以下に本発明について詳細に説明する。
本発明に用いる窒素含有塩基としては、アンモニア及び
メチルアミン、エチルアミン、ブチルアミン、アニリン
のようなアルキルアミンまたはアリールアミンなどが例
示される。これらの中ではアンモニアが好ましいもので
ある。
本発明に用いる有機溶剤としては、ヘキサン、石油エー
テル、トルエンその他の低沸点物質が挙げられる。これ
らは反応混合物の粘度を低下させ、反応性の向上及びハ
ロゲン化水素酸塩とオキシムシランの分離を容易にする
ために使用される。
本発明に用いるハロゲン化シランは前記−所蔵%式% (式中のR’、X、aは前記に同じ)で示されるが、こ
れにはテトラクロルシラン、トリメチルクロルシラン、
ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、メ
チルエチルジクロルシラン、エチルトリクロルシラン、
ジエチルジクロルシラン、トリエチルクロルシラン、n
−プロピルトリクロルシラン、イソプロピルトリクロル
シラン、2−クロルエチルトリクロルシラン、3−クロ
ルプロピルトリクロルシラン、ビニルトリクロルシラン
、ビニルメチルジクロルシラン、プロペニルトリクロル
シラン、アリルトリクロルシラン、フェニルトリクロル
シラン、ベンジルトリクロルシランなどが例示される。
好ましくは、前記一般式においてaが3、Xが塩素原子
かつR1がメチル基、エチル基またはビニル基のもので
ある。
本発明に用いるオキシムは前記−所蔵 %式% (式中のR2,R3は前記に同じ)で示されるが、R2
あるいはR3としてはメチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ビニル基、ブテ
ニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロ
オクチル基、3−メチル−1−シクロヘキシル基、シク
ロペンテニル基、シクロへキセニル基、フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ベンジル基などが例示され、オキ
シムとしでは CH,−CH=N−OHアセトアルデヒドオキシム(C
)IS) 、−C=N−OHアセトンオキシムCH3−
(CH,)a−C−CH32−へキサノンオキシム(I −0H C,H,−CH=N−OH1−ブチルアルデヒドオキシ
ム−Utl CH3−CH,−C−CH,メチルエチルケトンオキシ
ム−0H C,H,−CH=N−OHベンズアルデヒドオキシムC
6H3−C−CH,アセトフェノンオキシム−0H (C6Hs)zc=N−OHベンゾフェノンオキシムオ
キシム 0N−OHシクロペンタノンオキシム −/′7 N −OH2−エチルシクロペンタノンオキ
シム□□Ca1(5 などが例示される。
つぎに、オキシムシランを製造するには、オキシムシラ
ンの合成反応そのものは前記のような原料を用いて公知
の方法によって行なえばよい。その際着色が抑えられる
公知の条件に従えばよい。
この合成反応で生成したハロゲン化水素は窒素含有塩基
に捕捉されて塩を形成する。
さらに、前記の塩を除去した後、蒸留などによりオキシ
ムシランを単離精製したりする過程を経るが、本発明は
塩を除去した後の処理においても系中に窒素含有塩基を
存在させることを特徴とするものである。これにより塩
を除去した後の単離精製などにおけるオキシムシランの
着色が抑えられる。このほか、既に着色したものについ
ても窒素含有塩基を存在させて処理することにより着色
度を低下させることができる。
系中に存在させる窒素含有塩基としては、前記で例示し
たものを用いることができるが、その量は通常オキシム
シラン1モルに対して0.001〜0.1モルであれば
よく、全量を最初から存在させることも連続添加するこ
ともできる。
また、単離精製などにおける温度は90℃以下が好まし
く、80℃以下とすることがより好ましい。
前記のようにすれば、工程中量も着色の起こりやすい蒸
留の際においても、工業的な蒸留条件で好結果が得られ
る。
[発明の効果] 本発明により、オキシムシランの製造工程における着色
が抑えられ、各種用途に有用な製品が得られる。例えば
、メチルエチルケトンオキシムとメチルトリクロルシラ
ンあるいはビニルトリクロルシランとから得られるオキ
シムシランは、エラストマー化し得る室温加硫型の高分
子シリコーンの製造において官能化剤及び架橋剤として
好適である。
[実施例] つぎに、実施例により本発明をさらに説明:するが、本
発明の範囲を限定するものではない。
実施例1 メチルエチルケトンオキシム454g及び無水のトルエ
ン702gを、還流凝縮器、撹拌機、滴下ロート、フラ
スコの底部に浸没するガス導入管及び温度計を備えた3
ρのフラスコに仕込んだ。ついで、内容物の温度を55
〜65℃に制御しながら、撹拌下に滴下ロートよりFe
C1z 15ppmを含むビニルトリクロルシラン27
0gを2.3g/minの速度で液中滴下した。シラン
滴下時及びその前後でアンモニアガスをガス導入管より
 1800mρ/minで送り込んだ。滴下終了後アン
モニア通気下1時間で反応を終了した。反応終了後、生
成した塩化アンモニウムをろ過により分離した。ろ液か
らトルエンと残存するメチルエチルケトンオキシムを、
80℃、5〜15mmHgにおいてアンモニアガスを5
0mJ2/minで液中に吹き込みながら2時間で蒸留
除去した。
蒸留フラスコ内に残った液体をガスクロマトグラフィー
で分析した結果、ビニルトリス(メチルエチルケトオキ
シム)シランが94.6%含まれていた。この液の色は
A P HA (JIS K 1557参照)50であ
った。
比較例1 反応及び塩化アンモニウムのろ過までは実施例1と同様
であるが、トルエンとメチルエチルケトンオキシムの蒸
留除去時にアンモニアガスの吹き込みを行なわなかった
。蒸留後の液をガスクロマトグラフィーで分析したとこ
ろ、ビニルトリス(メチルエチルケトオキシム)シラン
が93.5%含−まれでいた。液の色はA P HA 
500以上、ガードナー(JIS K 6901参照)
 12であった。
実施例2 比較例1で合成したビニルトリス(メチルエチルケトオ
キシム)シランにアンモニアガスを室温において500
mρ/minで1時間吹き込んだところ、シランの色は
APHA400まで低下した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、窒素含有塩基及び有機溶剤存在下で、一般式R^1
    _4_−_aSiX_a (式中、Xはハロゲン原子を表し、R^1は水素原子、
    アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基
    、シクロアルキル基またはこれらの基の炭素原子に結合
    した水素原子の一部または全部をハロゲン原子で置換し
    た基を表し、aは1〜4の整数を表す)で示されるハロ
    ゲン化シラン及び一般式 R^2R^3C=N−OH [式中、R^2及びR^3は各々独立に水素原子、アル
    キル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基
    、シクロアルケニル基、アラルキル基またはこれらの基
    の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部をハロ
    ゲン原子で置換した基を表し、さらにR^2及びR^3
    は式−(CH_2)_m−(ここでmは3〜7の整数を
    表す)で示されるアルキレン基またはこれらの基の炭素
    原子に結合した水素原子の一部または全部をハロゲン原
    子で置換した基を形成することもできる]で示されるオ
    キシムから合成される、一般式 (R^2R^3C=N−O)_aSiR^1_4_−_
    a(式中、R^1、R^2、R^3、aは前記に同じ)
    で示されるオキシムシランに、合成反応により生成する
    窒素含有塩基のハロゲン化水素酸塩を除去した後の処理
    においても、窒素含有塩基を存在させることを特徴とす
    るオキシムシランの着色防止方法。 2、一般式 (R^2R^3C=N−O)_aSiR^1_4_−_
    a(式中、R^1、R^2、R^3、aは前記に同じ)
    で示されるオキシムシラン、有機溶剤及び未反応物より
    なる系から有機溶剤及び未反応物を除去する工程で窒素
    含有塩基を系中に存在させることを特徴とする請求項1
    に記載のオキシムシランの着色防止方法。 3、窒素含有塩基がアンモニアである請求項1に記載の
    オキシムシランの着色防止方法。
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