[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH04137772A - ３色発光素子及び表示装置 - Google Patents

３色発光素子及び表示装置

Info

Publication number
JPH04137772A
JPH04137772A JP2262377A JP26237790A JPH04137772A JP H04137772 A JPH04137772 A JP H04137772A JP 2262377 A JP2262377 A JP 2262377A JP 26237790 A JP26237790 A JP 26237790A JP H04137772 A JPH04137772 A JP H04137772A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
base layer
conductivity type
led chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2262377A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhisa Murata
和久 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2262377A priority Critical patent/JPH04137772A/ja
Publication of JPH04137772A publication Critical patent/JPH04137772A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、例えば情報案内板や平面型カラーテレビ等に
おける発光表示要素として用いられる３色発光素子及び
この素子を用いた表示装置に関するものである。
〈従来の技術〉 第４図（ａ）〜第４図（ｃ）は従来の３色発光素子を説
明するための図面であって、第４図（ａは斜視図、第４
図（ｂ）は電気等価回路図、第４図（ｃ）は模式的縦断
面説明図である。
従来の３色発光素子は、それぞれ赤色、緑色、青色の発
光色を持つ３個の発光ダイオードチップ（以下ＬＥＤチ
ップと言う）５Ｒ，５Ｇ、５Ｂを存し、これらは総て第
４図（ｃ）に示されるように、ベース層の極性がｎ型の
ｐ−ｎダイオードからなる。ベース層とはリードフレー
ム側に取り付けられる層を意味し、これら３個のＬＥＤ
チップのそれぞれのｎ型導電層６は、銀ペースト等の導
電性接着剤８によってリードフレーム端子２．３．４に
それぞれダイボンドされる。一方、３ｆＡのＬＥＤチッ
プの他方のｐ型厚電層７は、３０μｍ程度の金線等の導
電性ワイヤーによって全てリードフレーム端子ｌにワイ
ヤーボンディングにより接続される。これらのダイボン
ド、ワイヤーボンドされたＬＥＤチップは、第４図（ａ
）に示されるように、透明エボキソ樹脂等の透光性の封
止材９によって円筒形状に成形され、３色発光素子とな
る。
このような３色発光素子を構成するＬＥＤチップ５Ｒ，
５Ｇ、５Ｂは、第４図（ｂ）に示されるように、電気的
には並列接続されている。
〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、従来の３色発光素子は、第４図（２）に示さ
れるように、４本のリードフレーム端子１〜４より構成
されており、専用のリードフレームを準備することが必
要であり、またこれら４本のリードフレーム端子１〜４
を平行に揃えて配置することは困難である。このことは
高価で特殊なリードフレームを使用しなければならない
ことであり、さらにリードフレームの自動機による移載
や自動グイボンダーや自動ワイヤーボンダーの採用が困
難なことを意味し、従って３色発光素子の生産コストの
上昇を招く結果となっていた。
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、３端
子のリードフレームを用いて３色発光素子を実現しよう
とするものである。
〈課題を解決するための手段〉 本発明の３色発光素子は、前記の目的を達成するために
、ベース層の極性が第１導電型の発光ダイオードとベー
ス層の極性が第２導電型の発光ダイオードと組み合わせ
ることに着目し、各々異なる色を表示する少なくともこ
れら３個の発光ダイオードチップをカップ形状を有する
コモンフレーム端子にダイボンドし、対をなすベース層
の極性が第１導電型の発光ダイオードチップ及びベース
層の極性が第２導電型の発光ダイオードチップの他方電
極を第１のリードフレーム端子に共通にワイヤボンド接
続するとともに、残るベース層の極性が第１導電型また
は第２導電型の発光ダイオードチップの他方電極を第２
のリードフレームにワイヤボンド接続することを特徴と
する。
また、表示装置として、このような３色発光素子と、対
をなす前記ベース層の極性が第１導電型の発光ダイオー
ドチップ及び前記ベース層の極性が第２導電型の発光ダ
イオードチップに対しては、これらチップを時分割（動
して表示する手段を備えたことを特徴とする。
〈作　用〉 上記の構成であり、本発明によれば３端子のリードフレ
ームを用いて、３色発光素子を実現でき、この３端子の
リードフレームは、従来、２色発光素子用に用いられて
いるものであり、低廉価であり、また３本のリードフレ
ーム端子は一直線状に配列されており、従来の２色発光
素子の生産ラインをそのまま転用することが可能である
。
また、このような３色発光素子において、対をなす前記
ベース層の極性が第１導電型の発光ダイオードチップ及
び前記ベース層の極性が第２導電型の発光ダイオードチ
ップに対しては、これらチップを時分割駆動して表示す
る手段を備えることにより、実質的にこれらダイオード
も同時に点灯表示して中間表示を行うことができる。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
一般に現在、発光ダイオードには次のようならのかある
。
■−■化合物半導体のＧａＰ発光ダイオードは、ｎ！！
！ＧａＰ基板を用いた液相エピタキシャル成長法によっ
て製造され、ｐ−ｎ接合により、純緑色（５５５ｎｍ）
、緑黄色（５６３ｎｍ）、黄緑色（５６５ｎｍ）、赤色
（７００ｎｍ）の各発光色を示すものがある。またｎ型
ＧａＰ基板やｎ　！！！　ＧａＡｓ基板を用い、気相エ
ピタキシャル成長法にによって製造される発光素子には
、黄色（５８５Ｈｍ）、赤橙色（６３０ｎｍ）、赤色（
６６０ｎｍ）の発光ダイオードがある。これらは総てベ
ース層の極性がｎ型のＬＥＤチップである。以下これを
「正極性」のＬＥＤチップという。
青色発光ダイオードとしては、５ｉＣ（４６０ｎ　ｍ　
）やＧａＮやＺｎＳ−５ｅ等があり、これらも総てベー
ス層の極性がｎ型（正極性）のＬＥＤチップである。こ
れらのうち現在よく実用に供せられているものは、Ｓｉ
Ｃ発光ダイオードである。
一方、ベース層の極性がｐ型のＬＥＤチップとしては、
ｐ型ＧａＡｓ基板を用いた液相エピタキシャル成長法に
よって製造された赤色ＧａＡｌＡｓ　（６５５〜６６０
　ｎｍ）や、ｎｙＭＧａＰ基板を用いたダブル液相エピ
タキシャル成長法によって製造された黄緑色のＧａｐ（
５６５ｎｍ）がある。
（後者については例えば出願人の特願平１−１０９９３
１号「発光ダイオードの製造方法」参照）。
以下、このベース層の極性がｐ型のＬＥＤチップを「逆
極性」のＬＥＤチップという。
本発明は例えば、上記のような逆極性の発光ダイオード
・Ｉチップと正極性の発光ダイオード・２チツプとを用
い、カップ形状を有するコモンフレーム端子にこれらの
発光色の異なる３色の発光ダイオードをダイボンドし、
１つの逆極性の発光ダイオードチップと１つの正極性の
発光ダイオードチップを対にして第１のリードフレーム
端子にワイヤボンドの接続を行い、残りの１つの正極性
の発光ダイオードチップを第２のリードフレーム端子に
ワイヤボンドの接続を行うことによって、３本のリード
端子よりなる３色発光素子を実現するものである。
第１図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は本発明の３色発光
素子の一実施例を示すものであり、第１図（ａ）は模式
的縦断面説明図、第１図（ｂ）は電気等価回路図、第１
図（ｃ）は斜視図である。
第１図において、ＬＥＤチップＩＯＲはＧａＡｌＡｓよ
りなる赤色の逆極性の発光ダイオード、ＬＥＤチップＩ
ＯＧはＧａＰよりなる黄緑色の正極性の発光ダイオード
、ＬＥＤチップＩＯＢはＳｉＣよりなる青色の正極性の
発光ダイオードである。これらのＬＥＤチップはカップ
形状をなすコモンフレーム端子１１上に、銀ペースト等
の導電性接着剤８によって赤色ＬＥＤチップｌ０Ｒ（ｐ
型導電層側）、黄緑色Ｉ、ＥＤチップＬＯＧ及び青色Ｌ
ＥＤチップ！ＯＢ（共にｎ型導電層側）がそれぞれダイ
ボンドされており、赤色ＬＥＤチップ１０Ｒの他方のｎ
型導電層と黄緑色ＬＥＤチップ１０Ｇのｐ型厚電層は電
極パッドを介して３０μｍ程度の金線等の導電性ワイヤ
ーによって第１のリードフレーム端子１２に、また、青
色ＬＥＤチップＩＯＢのｐ型厚電層は第２のリードフレ
ーム端子Ｉ３にワイヤーボンディングにより接続されて
いる。これらのダイボンド、ワイヤーボンドされたＬＥ
Ｄチップは、透明エポキシ樹脂等の透光性の封止材９に
よって円筒形状に成形され、３色発光素子となる。
１チツプの逆極性の発光ダイオードと２チツプの正極性
の発光ダイオードの具体的な組み合わせとしては、下表
の組み合わせが可能であり、上記と同様にして３リード
端子の３色発光素子が実現できる。
２チツプの逆極性発光ダイオードと１チツプの正極性発
光ダイオードとの組合わ仕の場合についても、次の表の
ような組み合わせで同様に実現できる。
ケース７は、逆極性発光ダイオードである赤色Ｇ１Ａｌ
Ａｓダイオードと黄緑色ＧλＰダイオードに、正極性発
光ダイオードである青色ＳｉＣダイオードを組み合わせ
た場合である。この場合、３色発光ダイオードは、赤色
／黄緑色（緑色）／青色の組合わせとなり、フルカラー
の発光素子となる。
また、ケース８は、逆極性発光ダイオードである黄緑色
ＧａＰダイオードチップ２個に正極性発光ダイオードで
ある赤色ＧａＡｓＰダイオード１個を組み合わせた場合
である。この場合、２色発光素子となり、黄緑色（緑色
）／赤色の組合わせとなり、完全なフルカラーの発光ダ
イオードとはならないが、黄緑色（緑色）−黄色一橙色
一赤色の領域の色彩が表示できる。
ケース９は、逆極性発光ダイオードである赤色ＧａＡｌ
Ａｓダイオードと黄緑色ＧａＰダイオードに、正極性発
光ダイオードである黄色ＧλＡｓＰダイオードとを組み
合わせた場合である。この場合、３色発光ダイオードは
、赤色／黄緑色（緑色）／黄色の組合わせとなり、完全
なフルカラーの発光素子とはならないが、黄緑色（緑色
）−黄色一橙色一赤色の領域の色彩か表示できる。
第２図（λ）、（ｂ）および（ｃ）は本発明の他の３色
発光素子の例を説明するためのものであって、・第２図
（ａ）は斜視図、第２図（ｂ）は電気等価回路図である
。
第１図の実施例において、ＳｆＣを用いた青色ＬＥＤチ
ップＩＯＢの輝度（明るさ）は他の各色の発光ダイオー
ドチップＩＯＲ，ＩＯＣの輝度と比較して、現状におい
ては１／２〜ｌ／１０程度のものである。この第２図は
、ＳｉＣの青色ＬＥＤチブプＩＯＢを２個用いた場合の
実施例であり、このような構成を取ることによって赤色
、青色および青色の各輝度のバランスを取ることができ
た。
２個の青色発光ダイオードＩＯＢ、ＩＯＢは２本の導電
性ワイヤによって第２のリードフレーム端子１３と接続
されている。またＧａＡ　ＩＡｓによる赤色ＬＥＤチッ
プＩＯＲは他の発光ダイオードの輝度に比較して２〜ｌ
Ｏ倍明るいため、発光ダイオードに流す実効電流はその
比率で少なくすることが可能である。
第３図は、上記のような３色発光素子を駆動するための
駆動回路例を示すものである。上記３色発光素子では、
対にした赤色ＬＥＤチップｔｏｎ’と黄緑色ＬＥＤチッ
プＩＯＣは同時に通電することができない。ここでは、
正負（プラス、マイナス）の２電源１５．１６とトラン
ジスタＴｒｉ〜Ｔｒ３を用い、対となった赤色ＬＥＤチ
ップｌＯＲと黄緑色ＬＥＤチップＩＯＣは時分割で通電
制御できるようにしている。
すなわち、逆極性の発光ダイオードであるＧａＡｓＰ赤
色ダイオードチップＩＯＲはトランジスタＴｒｌがＯＮ
することにより通電点灯し、正極性の発光ダイオードの
ＧａＰ黄緑色ダイオードチップＩＯＣはトランジスタＴ
ｒ２がＯＮのすることにより通電点灯するとともに、こ
れを交互に行うことによりいわゆる時分割駆動で表示す
ることができる。また正極性の発光ダイオードのＳｉＣ
青色ダイオードチップ１０Ｂは単独でトランジスタＴｒ
３（１７）がＯＮのすることにより通電点灯させること
ができる。これら３個のトランジスタＴｒｌ〜Ｔｒ３の
ＯＮ、ＯＦＦを制御することにより、赤色、緑色、青色
、及び特に赤色ＬＥＤチップ１０Ｒ１黄緑色ＬＥＤチッ
プＩＯＣを時分割駆動するときは、実質的にこれらを同
時に点灯表示することができ、３色または２色の加色混
合によりそれらの中間色を表示することができる。
なお上記において、赤色および緑色は青色に対して輝度
が５〜３０倍明るく、パルス印加による時分割駆動にお
いても十分な輝度が得られる。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明の３色発光素子は、ベース
層の極性が第１導電型の発光ダイオードとベース層の極
性が第２導電型の発光ダイオードとを含み各々異なる色
を表示する、少なくとも３個の発光ダイオードチップと
を組み合わせることにより、リード端子が３本の３色発
光素子を実現することができた。その結果、従来の２色
発光素子のリードフレームを利用することができ、また
従来の生産ラインを転用することが可能となった。
リードフレームのコストが安くできること、反射カップ
つきリードフレームが採用することができ、発光ダイオ
ードの外部取り出し効率を２〜ＩＯ倍に高めることがで
きた。また３端子のリードフレームを用いるたぬ、完成
された３色発光素子の外形を従来のもの（１０φランプ
）より大幅に小型化することができ、３φランプ（発光
ダイオードの直径が３ｍｍのもの）も製作することがで
きた。
さらに対にした発光ダイオードチップに対して時分割駆
動手段を備えることにより、容易に中間色の表示が行え
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すもので、第１図（ａ）
は模式的縦断面説明図、第１図（ｂ）は電気等価回路図
、第１図（ｃ）は斜視図、第２図は本発明の他の一実施
例を示し、第２図（２Ｌ）は斜視図、第２図（ｂ）は電
気等価回路図、第３図は駆動回路剖を示す電気回路図、
第４図は従来例を示し、第４図（ａ）は斜視図、第４図
（ｂ）は電気等価回路図、第４図（Ｃ）は模式的縦断面
説明図である。 １０ト・・赤色ＬＥＤチップ（ベース層ｐ型）、１０Ｇ
・・・緑色ＬＥＤチップ（ベース層ｎ型）、１０Ｂ・・
・責色ＬＥＤチップ（ベース層ｎ型）、！■・・・・コ
モンフレーム端子、１２・・・第１のリードフレーム端
子、１３・・・・第２のリードフレーム端子、１５・・
・・正電源、１６・・・・負電源、Ｔｒｉ、Ｔｒ２、Ｔ
ｒ３・・・・・トランジスタ。 ｔｓ１図 （Ｃ） （ｂ） （Ｃ） 第４図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ベース層の極性が第１導電型の発光ダイオードと
    ベース層の極性が第２導電型のを発光ダイオードを含み
    各々異なる色を表示する、少なくとも３個の発光ダイオ
    ードチップを有し、カップ形状を有するコモンフレーム
    端子に前記発光ダイオードチップすべてをダイボンドし
    、対をなす前記ベース層の極性が第１導電型の発光ダイ
    オードチップ及び前記ベース層の極性が第２導電型の発
    光ダイオードチップの他方電極を第１のリードフレーム
    端子に共通にワイヤボンド接続するとともに、残るベー
    ス層の極性が第１導電型または第２導電型の発光ダイオ
    ードチップの他方電極を第２のリードフレーム端子にワ
    イヤボンド接続してなることを特徴とする３色発光素子
    。
  2. （２）ベース層の極性が第１導電型の発光ダイオードと
    ベース層の極性が第２導電型のを発光ダイオードを含み
    各々異なる色を表示する、少なくとも３個の発光ダイオ
    ードチップを有し、カップ形状を有するコモンフレーム
    端子に前記発光ダイオードチップすべてをダイボンドし
    、対をなす前記ベース層の極性が第１導電型の発光ダイ
    オードチップ及び前記ベース層の極性が第２導電型の発
    光ダイオードチップの他方電極を第１のリードフレーム
    端子に共通にワイヤボンド接続するとともに、残るベー
    ス層の極性が第１導電型または第２導電型の発光ダイオ
    ードチップの他方電極を第２のリードフレーム端子にワ
    イヤボンド接続した３色発光素子と、 前記対をなす前記ベース層の極性が第１導電型の発光ダ
    イオードチップ及び前記ベース層の極性が第２導電型の
    発光ダイオードチップに対しては、これらチップを時分
    割駆動して表示する手段を備えたことを特徴とする表示
    装置。
JP2262377A 1990-09-28 1990-09-28 ３色発光素子及び表示装置 Pending JPH04137772A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2262377A JPH04137772A (ja) 1990-09-28 1990-09-28 ３色発光素子及び表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2262377A JPH04137772A (ja) 1990-09-28 1990-09-28 ３色発光素子及び表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04137772A true JPH04137772A (ja) 1992-05-12

Family

ID=17374910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2262377A Pending JPH04137772A (ja) 1990-09-28 1990-09-28 ３色発光素子及び表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04137772A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
US5841177A (en) * 1993-06-25 1998-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Multicolor light emitting device
JP2007150233A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Trion:Kk 色温度可変発光デバイス
KR100788382B1 (ko) * 2000-12-13 2007-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 백라이트 유닛
JP2010226118A (ja) * 2006-12-28 2010-10-07 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオード構造

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6049653B2 (ja) * 1981-04-18 1985-11-02 橋本フオ−ミング工業株式会社 合成樹脂成形品の製造方法
JPS63147380A (ja) * 1986-12-10 1988-06-20 Fujitsu Ltd 発光ダイオ−ド駆動回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6049653B2 (ja) * 1981-04-18 1985-11-02 橋本フオ−ミング工業株式会社 合成樹脂成形品の製造方法
JPS63147380A (ja) * 1986-12-10 1988-06-20 Fujitsu Ltd 発光ダイオ−ド駆動回路

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5841177A (en) * 1993-06-25 1998-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Multicolor light emitting device
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
KR100788382B1 (ko) * 2000-12-13 2007-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 백라이트 유닛
JP2007150233A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Trion:Kk 色温度可変発光デバイス
JP2010226118A (ja) * 2006-12-28 2010-10-07 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオード構造

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6563139B2 (en) Package structure of full color LED form by overlap cascaded die bonding
TWI529924B (zh) 將電晶體晶圓接合至發光二極體晶圓以形成主動發光二極體模組
TWI307945B (en) A light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diodes and current-driving integrated circuits
CN103456729A (zh) 发光二极管显示屏
US20040251464A1 (en) Multi-chip light emitting diode package
TW201409434A (zh) 顯示結構及顯示器
JP2003197968A (ja) 透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造
JP2000349345A (ja) 半導体発光装置
JP2003017753A (ja) 発光装置
JP2822819B2 (ja) 多色発光素子
US6667497B1 (en) LED package
JPH04137772A (ja) ３色発光素子及び表示装置
JPH07235624A (ja) Ｌｅｄランプ
KR20040021079A (ko) 백색 발광다이오드 및 백색 발광다이오드의 제조방법
JP2002111065A (ja) 半導体発光装置
TWM312774U (en) Non-polar surface adhesive LED
CN109860163A (zh) 一种双面发光灯芯一体led
KR100550852B1 (ko) 4 리드의 다색 발광 소자
TWM253059U (en) Full-color light emitting diode formed by overlapping three primary colors
JPH10321915A (ja) 半導体発光素子
WO2006056121A1 (en) The integrated-type led and manufacturing method thereof
JP3237490B2 (ja) Ｌｅｄランプ
JPH06196759A (ja) 発光素子
JPH05114751A (ja) 光半導体装置
JPS6320129Y2 (ja)