JP7529977B2 - Flux composition containing maleic acid modified rosin ester or maleic acid modified rosin amide, flux containing same, and solder paste - Google Patents
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- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims description 107
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 104
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 title claims description 104
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 104
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims description 94
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 68
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 67
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 title claims description 66
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 title claims description 66
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 title claims description 40
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 title claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 31
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 50
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 37
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 19
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 6
- 150000002896 organic halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 29
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 20
- CFQZKFWQLAHGSL-FNTYJUCDSA-N (3e,5e,7e,9e,11e,13e,15e,17e)-18-[(3e,5e,7e,9e,11e,13e,15e,17e)-18-[(3e,5e,7e,9e,11e,13e,15e)-octadeca-3,5,7,9,11,13,15,17-octaenoyl]oxyoctadeca-3,5,7,9,11,13,15,17-octaenoyl]oxyoctadeca-3,5,7,9,11,13,15,17-octaenoic acid Chemical compound OC(=O)C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\OC(=O)C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\OC(=O)C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C CFQZKFWQLAHGSL-FNTYJUCDSA-N 0.000 description 19
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 19
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 15
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 14
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 14
- -1 alcohol compound Chemical class 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 8
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 8
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 150000002689 maleic acids Chemical class 0.000 description 5
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 4
- 229960002920 sorbitol Drugs 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- FMZUHGYZWYNSOA-VVBFYGJXSA-N (1r)-1-[(4r,4ar,8as)-2,6-diphenyl-4,4a,8,8a-tetrahydro-[1,3]dioxino[5,4-d][1,3]dioxin-4-yl]ethane-1,2-diol Chemical compound C([C@@H]1OC(O[C@@H]([C@@H]1O1)[C@H](O)CO)C=2C=CC=CC=2)OC1C1=CC=CC=C1 FMZUHGYZWYNSOA-VVBFYGJXSA-N 0.000 description 3
- CTPBWPYKMGMLGS-CIAFKFPVSA-N (3s,4s,5s,6r)-1,8-bis(4-methylphenyl)octa-1,7-diene-2,3,4,5,6,7-hexol Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C=C(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=CC1=CC=C(C)C=C1 CTPBWPYKMGMLGS-CIAFKFPVSA-N 0.000 description 3
- OPNUROKCUBTKLF-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N\C(N)=N\C1=CC=CC=C1C OPNUROKCUBTKLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 3
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 3
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 3
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 3
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- MELXIJRBKWTTJH-ONEGZZNKSA-N (e)-2,3-dibromobut-2-ene-1,4-diol Chemical compound OC\C(Br)=C(/Br)CO MELXIJRBKWTTJH-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 2
- YZAZXIUFBCPZGB-QZOPMXJLSA-N (z)-octadec-9-enoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O YZAZXIUFBCPZGB-QZOPMXJLSA-N 0.000 description 2
- OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylguanidine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=N)NC1=CC=CC=C1 OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 12-hydroxyoctadecanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC(O)=O ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXYNQEOLHRWEPE-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromobutane-1,4-diol Chemical compound OCC(Br)C(Br)CO OXYNQEOLHRWEPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1O GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1 IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQXPVVBIMDBYFF-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxyphenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=C(O)C=C1 XQXPVVBIMDBYFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 2
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 2
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N dipicolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=N1 WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NOPFSRXAKWQILS-UHFFFAOYSA-N docosan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCO NOPFSRXAKWQILS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N hexadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCO BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N icosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCO GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N pinacol Chemical compound CC(C)(O)C(C)(C)O IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- DSESGJJGBBAHNW-UHFFFAOYSA-N (e)-[amino(anilino)methylidene]-phenylazanium;bromide Chemical compound Br.C=1C=CC=CC=1N=C(N)NC1=CC=CC=C1 DSESGJJGBBAHNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-Hexanetriol Chemical compound OCCCCC(O)CO ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZUPFZNVGSWLQC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(2,3-dibromopropyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound BrCC(Br)CN1C(=O)N(CC(Br)CBr)C(=O)N(CC(Br)CBr)C1=O NZUPFZNVGSWLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(prop-2-enyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound C=CCN1C(=O)N(CC=C)C(=O)N(CC=C)C1=O KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIHQZLPHVZKELA-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromopropan-2-ol Chemical compound BrCC(O)CBr KIHQZLPHVZKELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSSRAPMBSMSACN-UHFFFAOYSA-N 1,4-dibromobutan-2-ol Chemical compound BrCC(O)CCBr PSSRAPMBSMSACN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBODPHKDNYVCEJ-UHFFFAOYSA-M 1-benzyl-3-dodecyl-2-methylimidazol-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCN1C=C[N+](CC=2C=CC=CC=2)=C1C PBODPHKDNYVCEJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WEGOLYBUWCMMMY-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-propanol Chemical compound CC(O)CBr WEGOLYBUWCMMMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMRXISNUOWIOKV-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutan-2-ol Chemical compound CCC(O)CBr DMRXISNUOWIOKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFGCFKJIPBRJGM-UHFFFAOYSA-N 12-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-12-oxododecanoic acid Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)CCCCCCCCCCC(O)=O QFGCFKJIPBRJGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940114072 12-hydroxystearic acid Drugs 0.000 description 1
- RDYWHMBYTHVOKZ-UHFFFAOYSA-N 18-hydroxyoctadecanamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCCO RDYWHMBYTHVOKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical compound OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid Chemical compound CCC(CO)(CO)C(O)=O JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWVCIORZLNBIIC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromopropan-1-ol Chemical compound OCC(Br)CBr QWVCIORZLNBIIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2N(CCC3)C3=NC2=C1 RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940082044 2,3-dihydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 2,4,7,9-tetramethyldec-5-yne-4,7-diol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#CC(C)(O)CC(C)C LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJRJDENLRJHEJO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylpentane-1,5-diol Chemical compound CCC(CO)CC(CC)CO OJRJDENLRJHEJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHJUECRFYCQBMW-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhex-3-yne-2,5-diol Chemical compound CC(C)(O)C#CC(C)(C)O IHJUECRFYCQBMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-2,5-diol Chemical compound CC(C)(O)CCC(C)(C)O ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHOJVZAEHZGDRB-UHFFFAOYSA-N 2-(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC1=NC(N)=NC(N)=N1 HHOJVZAEHZGDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNXJYDMXAJDPRV-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-1-yl)butanedioic acid Chemical compound C1=CC=C2N(C(C(O)=O)CC(=O)O)N=NC2=C1 JNXJYDMXAJDPRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCTDIZASAFCTSA-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-1-ylmethyl)butanedioic acid Chemical compound C1=CC=C2N(CC(CC(=O)O)C(O)=O)N=NC2=C1 RCTDIZASAFCTSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(2-methylbutan-2-yl)phenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)CC)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1O ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYAZLDLPUNDVAG-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenol Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 IYAZLDLPUNDVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 2-[2,2-bis(hydroxymethyl)butoxymethyl]-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCC(CO)(CO)COCC(CC)(CO)CO WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethylhexoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCOCCO OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHDIDYOAZNPBV-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl-[(4-methylbenzotriazol-1-yl)methyl]amino]ethanol Chemical compound CC1=CC=CC2=C1N=NN2CN(CCO)CCO ZUHDIDYOAZNPBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEGLETKSWODEBL-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-(benzotriazol-2-yl)-2-hydroxy-5-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenyl]methyl]-6-tert-butyl-4-methylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C=2)C(C)(C)CC(C)(C)C)N2N=C3C=CC=CC3=N2)O)=C1O LEGLETKSWODEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000143 2-carboxyethyl group Chemical group [H]OC(=O)C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSMPBJCKGWINIB-UHFFFAOYSA-N 2-heptan-3-yl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(C(CC)CCCC)=NC2=C1 VSMPBJCKGWINIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1=NCCN1 VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYMOZADWWQAIQB-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzimidazole Chemical compound C1=C[CH]C2=NC(C)=NC2=C1 TYMOZADWWQAIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YECSLYXTXWSKBO-UHFFFAOYSA-N 2-nonyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(CCCCCCCCC)=NC2=C1 YECSLYXTXWSKBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRMWQHINYNTMNS-UHFFFAOYSA-N 2-octyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(CCCCCCCC)=NC2=C1 IRMWQHINYNTMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYGJENONTDCXGW-UHFFFAOYSA-N 2-pentyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(CCCCC)=NC2=C1 OYGJENONTDCXGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKCCAYLNRIRKDJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound N1CCN=C1C1=CC=CC=C1 BKCCAYLNRIRKDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVFFZQQWIZURIO-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C1=CC=CC=C1 LVFFZQQWIZURIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUYADIDKTLPDGG-UHFFFAOYSA-N 3,6-dimethyloct-4-yne-3,6-diol Chemical compound CCC(C)(O)C#CC(C)(O)CC NUYADIDKTLPDGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 3-(5,6,6-Trimethylbicyclo[2.2.1]hept-1-yl)cyclohexanol Chemical compound CC1(C)C(C)C2CC1CC2C1CCCC(O)C1 BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGYUEZQGJJLCKF-UHFFFAOYSA-N 3-(5-methyl-1h-imidazol-2-yl)pyridine Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CN=C1 WGYUEZQGJJLCKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQFUZUMFPRMVDX-UHFFFAOYSA-N 3-Bromo-1-propanol Chemical compound OCCCBr RQFUZUMFPRMVDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIBFQOUHOCRXDL-UHFFFAOYSA-N 3-bromopropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CBr SIBFQOUHOCRXDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAAZMOAXEMIBAJ-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-2-methylquinazoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C)=NC(Cl)=C21 HAAZMOAXEMIBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzoic acid Chemical compound COC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=C)=N1 ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZHQVVTTWPBVHQ-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.NC1=NC(N)=NC(C=C)=N1 UZHQVVTTWPBVHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N D-threitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- ORAWFNKFUWGRJG-UHFFFAOYSA-N Docosanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O ORAWFNKFUWGRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- HSRJKNPTNIJEKV-UHFFFAOYSA-N Guaifenesin Chemical compound COC1=CC=CC=C1OCC(O)CO HSRJKNPTNIJEKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- GRZMNLOGJMKNHZ-UHFFFAOYSA-N N1(N=NC2=C1C=CC=C2)CC2=C(C(=CC(=C2)C)CN2N=NC1=C2C=CC=C1)O Chemical compound N1(N=NC2=C1C=CC=C2)CC2=C(C(=CC(=C2)C)CN2N=NC1=C2C=CC=C1)O GRZMNLOGJMKNHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHBGYFCCKRAEHA-UHFFFAOYSA-N P-toluamide Chemical compound CC1=CC=C(C(N)=O)C=C1 UHBGYFCCKRAEHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 235000004443 Ricinus communis Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N abietic acid Chemical class C([C@@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005011 alkyl ether group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002862 amidating effect Effects 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMCPOSDMTGQNKG-UJZMCJRSSA-N aniline;hydrochloride Chemical compound Cl.N[14C]1=[14CH][14CH]=[14CH][14CH]=[14CH]1 MMCPOSDMTGQNKG-UJZMCJRSSA-N 0.000 description 1
- KBPWECBBZZNAIE-UHFFFAOYSA-N aniline;hydron;bromide Chemical compound Br.NC1=CC=CC=C1 KBPWECBBZZNAIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008430 aromatic amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- JYZIHLWOWKMNNX-UHFFFAOYSA-N benzimidazole Chemical compound C1=C[CH]C2=NC=NC2=C1 JYZIHLWOWKMNNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- FQUNFJULCYSSOP-UHFFFAOYSA-N bisoctrizole Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=NN1C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C=2)C(C)(C)CC(C)(C)C)N2N=C3C=CC=CC3=N2)O)=C1O FQUNFJULCYSSOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- OCWYEMOEOGEQAN-UHFFFAOYSA-N bumetrizole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(N2N=C3C=C(Cl)C=CC3=N2)=C1O OCWYEMOEOGEQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 229960000541 cetyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-IMJSIDKUSA-N cis-4-Hydroxy-L-proline Chemical compound O[C@@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCC(C(O)=O)C1 XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003946 cyclohexylamines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229960000735 docosanol Drugs 0.000 description 1
- ILRSCQWREDREME-UHFFFAOYSA-N dodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(N)=O ILRSCQWREDREME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCPKSFINULVDNX-UHFFFAOYSA-N drometrizole Chemical compound CC1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 MCPKSFINULVDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N erucamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(N)=O UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 description 1
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 description 1
- PNZDZRMOBIIQTC-UHFFFAOYSA-N ethanamine;hydron;bromide Chemical compound Br.CCN PNZDZRMOBIIQTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUEYHEWXYWCDHA-UHFFFAOYSA-N ethyl 5-methylthiadiazole-4-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C=1N=NSC=1C TUEYHEWXYWCDHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEEPBTVZSYQUDP-UHFFFAOYSA-N heptatriacontanediamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O FEEPBTVZSYQUDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLBJFXNAEMSXGL-UHFFFAOYSA-N het anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1(Cl)C(Cl)=C(Cl)C2(Cl)C1(Cl)Cl FLBJFXNAEMSXGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N hexadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Substances C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- OJURWUUOVGOHJZ-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(2-acetyloxyphenyl)methyl-[2-[(2-acetyloxyphenyl)methyl-(2-methoxy-2-oxoethyl)amino]ethyl]amino]acetate Chemical compound C=1C=CC=C(OC(C)=O)C=1CN(CC(=O)OC)CCN(CC(=O)OC)CC1=CC=CC=C1OC(C)=O OJURWUUOVGOHJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- FZPXKEPZZOEPGX-UHFFFAOYSA-N n,n-dibutylaniline Chemical compound CCCCN(CCCC)C1=CC=CC=C1 FZPXKEPZZOEPGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKQVTLCUHATGDD-UHFFFAOYSA-N n-(benzotriazol-1-ylmethyl)-2-ethyl-n-(2-ethylhexyl)hexan-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(CN(CC(CC)CCCC)CC(CC)CCCC)N=NC2=C1 OKQVTLCUHATGDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKNQRTHJUNFJ-UHFFFAOYSA-N n-(benzotriazol-1-ylmethyl)-2-ethylhexan-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(CNCC(CC)CCCC)N=NC2=C1 QGLKNQRTHJUNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTQWRYSLUYAIRQ-UHFFFAOYSA-N n-[(octadecanoylamino)methyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FTQWRYSLUYAIRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEEFSFCZSBJLPR-UHFFFAOYSA-N n-[2-(benzotriazol-1-yl)ethyl]-2-ethyl-n-(2-ethylhexyl)hexan-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(CCN(CC(CC)CCCC)CC(CC)CCCC)N=NC2=C1 IEEFSFCZSBJLPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N n-heptadecyl alcohol Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCO GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N o-Hydroxyethylbenzene Natural products CCC1=CC=CC=C1O IXQGCWUGDFDQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 229960002969 oleic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004671 saturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000006561 solvent free reaction Methods 0.000 description 1
- 229960004274 stearic acid Drugs 0.000 description 1
- 229940012831 stearyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003784 tall oil Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- WJCNZQLZVWNLKY-UHFFFAOYSA-N thiabendazole Chemical compound S1C=NC(C=2NC3=CC=CC=C3N=2)=C1 WJCNZQLZVWNLKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
本発明は、マレイン酸変性ロジンエステル又はマレイン酸変性ロジンアミドを含むフラックス用組成物、及びそれを含むフラックス、並びにはんだペーストに関する。 The present invention relates to a flux composition containing a maleic acid modified rosin ester or a maleic acid modified rosin amide, and a flux and a solder paste containing the same.
プリント基板への電子部品の実装といった、電子機器における電子部品の固定と電気的接続は、コスト面及び信頼性の面で最も有利なはんだ付けにより一般に行われている。
この種のはんだ付けに一般に採用されている方法は、溶融はんだにプリント基板及び電子部品を接触させてはんだ付けを行うフローソルダリング法、並びにソルダペースト、ソルダプリフォーム又はソルダボールの形態のはんだをリフロー炉で再溶融してはんだ付けを行うリフローソルダリング法である。
2. Description of the Related Art Fixing and electrical connection of electronic components in electronic equipment, such as mounting electronic components on a printed circuit board, is generally performed by soldering, which is the most advantageous method in terms of cost and reliability.
Methods commonly used for this type of soldering are the flow soldering method, in which the printed circuit board and electronic components are brought into contact with molten solder, and the reflow soldering method, in which the soldering is performed by remelting solder in the form of a solder paste, a solder preform, or a solder ball in a reflow furnace.
このはんだ付けにおいては、プリント基板及び電子部品にはんだが付着し易くなるようにする補助剤であるフラックスが使用される。フラックスは、(1)金属表面清浄作用(プリント基板及び電子部品の金属表面の酸化膜を化学的に除去して、はんだ付けが可能となるように表面を清浄化する作用)、(2)再酸化防止作用(清浄になった金属表面をはんだ付け中に覆って酸素との接触を遮断し、加熱により金属表面が再酸化されるのを防止する作用)、(3)界面張力低下作用(溶融したはんだの表面張力を小さくして、金属表面のはんだによる濡れ性を高める作用)、などの多くの有用な作用を果たしている。 In this soldering process, flux is used as an auxiliary agent that helps solder adhere more easily to printed circuit boards and electronic components. Flux performs many useful functions, including: (1) cleaning the metal surface (chemically removing the oxide film on the metal surface of printed circuit boards and electronic components, cleaning the surface so that soldering is possible); (2) preventing re-oxidation (covering the cleaned metal surface during soldering to block contact with oxygen and prevent the metal surface from being re-oxidized by heating); and (3) reducing interfacial tension (reducing the surface tension of molten solder and increasing the wettability of the metal surface with solder).
特許文献1には、ロジン系カルボキシル基含有樹脂と、ダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物とを脱水縮合してなるロジン誘導体化合物を、はんだ付け用のフラックスとして用いることが記載されている。
さらに、特許文献2には、ロジンエステルを短時間で収率よく製造する方法が開示されている。
Patent Document 1 describes the use of a rosin derivative compound obtained by dehydration condensation of a rosin-based carboxyl group-containing resin and a dimer acid derivative flexible alcohol compound as a soldering flux.
Furthermore, Patent Document 2 discloses a method for producing rosin ester in a short period of time with good yield.
しかしながら、特許文献1に記載されたフラックスは、はんだ付け後のフラックス残渣に残渣割れが発生し、信頼性に劣る。
一方で、特許文献2に記載されたロジンエステルをフラックスとして用いた場合、活性が低く、はんだ濡れ性に劣るという問題がある。
However, the flux described in Patent Document 1 is prone to residue cracking in the flux residue after soldering, and is therefore poor in reliability.
On the other hand, when the rosin ester described in Patent Document 2 is used as a flux, there are problems in that the activity is low and the solder wettability is poor.
上記事情に鑑み、本発明は、フラックス残渣の残渣割れを抑制し、且つ、はんだ濡れ性にも優れたはんだ付け用のフラックスを提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, the present invention aims to provide a soldering flux that suppresses residual cracking of flux residue and has excellent solder wettability.
本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意研究した結果、マレイン酸変性ロジンエステル、マレイン酸変性ロジンアミド、前記マレイン酸変性ロジンエステルの水添物、及び前記マレイン酸変性ロジンアミドの水添物からなる群より選ばれる1種以上を含むフラックス組成物を用いることで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下のとおりである。 As a result of intensive research aimed at solving the above problems, the inventors have discovered that the above problems can be solved by using a flux composition containing at least one selected from the group consisting of maleic acid modified rosin ester, maleic acid modified rosin amide, a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin ester, and a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin amide, and have thus completed the present invention. That is, the present invention is as follows.
[1]
マレイン酸変性ロジンエステル、マレイン酸変性ロジンアミド、前記マレイン酸変性ロジンエステルの水添物、及び前記マレイン酸変性ロジンアミドの水添物からなる群より選ばれる1種以上を含むフラックス用組成物。
[2]
前記マレイン酸変性ロジンエステル又はマレイン酸変性ロジンアミドが、以下の式(1)~(7)で表される化合物からなる群より選ばれる1種以上である、上記[1]に記載のフラックス用組成物。
[1]
A flux composition comprising at least one member selected from the group consisting of a maleic acid modified rosin ester, a maleic acid modified rosin amide, a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin ester, and a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin amide.
[2]
The flux composition according to the above-mentioned [1], wherein the maleic acid-modified rosin ester or the maleic acid-modified rosin amide is one or more selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (1) to (7):
[3]
上記[1]又は[2]記載のフラックス用組成物を含む、はんだ合金をはんだ付けするためのフラックス。
[4]
前記マレイン酸変性ロジンエステル及び/又はマレイン酸変性ロジンアミドの含有量が、フラックス全体に対して0wt%超60wt%以下である、上記[3]記載のフラックス。
[5]
前記フラックスはチキソ剤をさらに含む、上記[3]又は[4]に記載のフラックス。
[6]
前記フラックスは、さらに、
アミンを0wt%以上20wt%以下、
有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下、
アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下、又は
酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下
樹脂を0wt%以上80wt%以下、
含む、上記[3]~[5]のいずれかに記載のフラックス。
[7]
上記[3]~[6]のいずれか記載のフラックスと、はんだ合金と、を含むはんだペースト。
[8]
前記はんだ合金が、
As:25~300質量ppmと、Pb:0質量ppm超え5100質量ppm以下と、Sb:0質量ppm超え3000質量ppm以下及びBi:0質量ppm超え10000質量ppm以下の少なくとも1種と、残部:Snと、からなる合金組成を有し、下記(1)式及び(2)式:
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
[上記(1)式及び(2)式中、As、Sb、Bi、及びPbは各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す]
を満たす、上記[7]記載のはんだペースト。
[3]
A flux for soldering a solder alloy, comprising the flux composition according to the above [1] or [2].
[4]
The flux according to [3] above, wherein the content of the maleic acid modified rosin ester and/or the maleic acid modified rosin amide is more than 0 wt % and not more than 60 wt % based on the total weight of the flux.
[5]
The flux according to the above [3] or [4], further comprising a thixotropic agent.
[6]
The flux further comprises:
Amine is 0 wt % or more and 20 wt % or less,
Organic halogen compounds are 0 wt % or more and 5 wt % or less,
Amine hydrohalide salt is 0 wt% or more and 2 wt% or less, or antioxidant is 0 wt% or more and 5 wt% or less, and resin is 0 wt% or more and 80 wt% or less,
The flux according to any one of the above [3] to [5].
[7]
A solder paste comprising the flux according to any one of the above [3] to [6] and a solder alloy.
[8]
The solder alloy is
The alloy has an alloy composition consisting of As: 25 to 300 ppm by mass, Pb: more than 0 ppm by mass and not more than 5,100 ppm by mass, Sb: more than 0 ppm by mass and not more than 3,000 ppm by mass, and Bi: more than 0 ppm by mass and not more than 10,000 ppm by mass, and the balance: Sn, and is represented by the following formulas (1) and (2):
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
[In the above formulas (1) and (2), As, Sb, Bi, and Pb each represent the content (ppm by mass) in the alloy composition.]
The solder paste according to the above [7], which satisfies the above.
本発明によれば、フラックス残渣の残渣割れを抑制し、且つ、はんだ濡れ性にも優れたはんだ付け用のフラックスを提供することができる。 The present invention provides a soldering flux that suppresses residual cracking of flux residue and has excellent solder wettability.
以下、本発明の実施の形態(以下、「本実施形態」という。)について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。 The following describes in detail an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as the "present embodiment"); however, the present invention is not limited to this embodiment, and various modifications are possible without departing from the gist of the present invention.
[フラックス]
本実施の形態のはんだ合金をはんだ付けするためのフラックスは、マレイン酸変性ロジンエステル、マレイン酸変性ロジンアミド、前記マレイン酸変性ロジンエステルの水添物、及び前記マレイン酸変性ロジンアミドの水添物からなる群より選ばれる1種以上を含むフラックス用組成物と、溶剤とを含有する。
本実施形態のフラックス用組成物を使用することにより、フラックス残渣の残渣割れを十分に抑制し、且つ、はんだ濡れ性を向上させることができる。はんだ付けは、フローはんだ付け及びリフローはんだ付けのいずれにも用いることができるが、本発明の効果がより顕著となるため、リフローはんだ付けに用いることが好ましい。
[Flux]
The flux for soldering the solder alloy of the present embodiment contains a flux composition including one or more members selected from the group consisting of maleic acid modified rosin ester, maleic acid modified rosin amide, a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin ester, and a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin amide, and a solvent.
By using the flux composition of the present embodiment, it is possible to sufficiently suppress residual cracking of the flux residue and improve the solder wettability. The flux composition can be used for both flow soldering and reflow soldering, but it is preferable to use the flux composition for reflow soldering because the effect of the present invention is more pronounced.
[マレイン酸変性ロジンエステル/マレイン酸変性ロジンアミド]
本実施形態のフラックス組成物は、マレイン酸変性ロジンエステル、マレイン酸変性ロジンアミド、前記マレイン酸変性ロジンエステルの水添物、及び前記マレイン酸変性ロジンアミドの水添物からなる群より選ばれる1種以上を含む。
[Maleic acid modified rosin ester/maleic acid modified rosin amide]
The flux composition of the present embodiment contains at least one member selected from the group consisting of a maleic acid modified rosin ester, a maleic acid modified rosin amide, a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin ester, and a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin amide.
マレイン酸変性ロジンエステルとしては、特に限定されず、例えば、マレイン酸変性ロジンモノメチルエステル、マレイン酸変性ロジンモノエチルエステル、マレイン酸変性ロジンモノイソプロピルエステル、マレイン酸変性ロジンモノエチレングリコールエステル等のマレイン酸変性ロジンモノエステル;マレイン酸変性ロジンジメチルエステル等のマレイン酸変性ロジンジエステル等が挙げられる。これらの中でも、フラックス活性や相溶性の観点から、カルボン酸が残存するモノエステルが好ましく、イソプロピルエステルが特に好ましい。 The maleic acid modified rosin ester is not particularly limited, and examples thereof include maleic acid modified rosin monoesters such as maleic acid modified rosin monomethyl ester, maleic acid modified rosin monoethyl ester, maleic acid modified rosin monoisopropyl ester, and maleic acid modified rosin monoethylene glycol ester; and maleic acid modified rosin diesters such as maleic acid modified rosin dimethyl ester. Among these, from the viewpoint of flux activity and compatibility, monoesters in which carboxylic acid remains are preferred, and isopropyl esters are particularly preferred.
マレイン酸変性ロジンエステルとしては、例えば、以下の式(1)又は(2)で表される化合物が挙げられる。 Examples of maleic acid modified rosin esters include compounds represented by the following formula (1) or (2).
(式中、Rは置換されていてもよい、直鎖若しくは分岐のアルキル基、アルキレングリコール基、又は末端変性ポリアルキレンオキシド基を示す。) (In the formula, R represents an optionally substituted linear or branched alkyl group, an alkylene glycol group, or a terminal-modified polyalkylene oxide group.)
ただし、アルキレングリコール基は、以下の式(i)で表される1価の基を示し、式(i)中、R1は各々独立に炭素数1~4の直鎖若しくは分岐のアルキレン基を示し、nは1~500の整数を示す。
H-(OR1)n- (i)
Here, the alkylene glycol group represents a monovalent group represented by the following formula (i), in which each R 1 independently represents a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and n represents an integer of 1 to 500.
H-(OR 1 ) n - (i)
また、末端変性ポリアルキレンオキシド基は、以下の式(ii)で表される1価の基を示し、式(ii)中、R1は各々独立に炭素数1~4の直鎖若しくは分岐のアルキレン基を示し、Xはアミノ基、炭素数1~40の直鎖若しくは分岐のアルキルエステル基、又は炭素数1~40の直鎖若しくは分岐のアルキルエーテル基を示し、nは0~500の整数を示す。
X-R1-(OR1)n- (ii)
The terminal-modified polyalkylene oxide group represents a monovalent group represented by the following formula (ii), in which each R 1 independently represents a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; X represents an amino group, a linear or branched alkyl ester group having 1 to 40 carbon atoms, or a linear or branched alkyl ether group having 1 to 40 carbon atoms; and n represents an integer of 0 to 500.
X−R 1 −(OR 1 ) n − (ii)
Rで示されるアルキル基の炭素数は特に限定されないが、好ましくは1~54である。Rで示されるアルキレングリコール基、及び末端変性ポリアルキレンオキシド基の炭素数は特に限定されないが、好ましくは1~500である。また、式(i)及び式(ii)中、Xのアルキル部の炭素数は好ましくは1~24であり、R1の炭素数は好ましくは1~3である。また、式(i)及び式(ii)中、nは好ましくは1~500であり、より好ましくは1~100であり、更に好ましくは1~10である。末端変性ポリアルキレンオキシド基としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、及びエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとの共重合体等のポリアルキレングリコールの水酸基末端に、セチルアルコール、ステアリルアルコール、及びベへニルアルコールのような炭素数1~40のアルコール、又は、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸のような炭素数1~40のカルボン酸が付加した基;及び、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとの共重合体等のポリアルキレングリコールの水酸基末端がアミノ基に変性された基が挙げられる。 The number of carbon atoms in the alkyl group represented by R is not particularly limited, but is preferably 1 to 54. The number of carbon atoms in the alkylene glycol group and the terminal-modified polyalkylene oxide group represented by R is not particularly limited, but is preferably 1 to 500. Furthermore, in formulas (i) and (ii), the number of carbon atoms in the alkyl portion of X is preferably 1 to 24, and the number of carbon atoms in R1 is preferably 1 to 3. Furthermore, in formulas (i) and (ii), n is preferably 1 to 500, more preferably 1 to 100, and even more preferably 1 to 10. Examples of the terminal-modified polyalkylene oxide group include groups in which an alcohol having 1 to 40 carbon atoms, such as cetyl alcohol, stearyl alcohol, and behenyl alcohol, or a carboxylic acid having 1 to 40 carbon atoms, such as palmitic acid, stearic acid, and behenic acid, is added to the hydroxyl terminal of a polyalkylene glycol, such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and a copolymer of ethylene oxide and propylene oxide; and groups in which the hydroxyl terminal of a polyalkylene glycol, such as a copolymer of ethylene oxide and propylene oxide, is modified with an amino group.
また、マレイン酸変性ロジンエステルとしては、以下の式(3)で示されるマレイン酸変性ロジンエステル2量体やマレイン酸変性ロジンエステル多量体等の、マレイン酸変性ロジンエステルが2種以上縮合もしくはアルコール等を介して結合した化合物も含まれる。 The maleic acid-modified rosin ester also includes compounds in which two or more maleic acid-modified rosin esters are condensed or bonded via alcohol, etc., such as maleic acid-modified rosin ester dimers and maleic acid-modified rosin ester oligomers shown in the following formula (3).
(式中、R’は置換されていてもよい、直鎖若しくは分岐のアルキレン基、又は2価のアルキレングリコール基を示す。) (In the formula, R' represents an optionally substituted linear or branched alkylene group, or a divalent alkylene glycol group.)
ただし、2価のアルキレングリコール基は、以下の式(iii)で表される2価の基を示し、式(iii)中、R2、及びR3は各々独立に炭素数1~4の直鎖若しくは分岐のアルキレン基を示し、nは0~500の整数を示す。)
-R2-(OR3)n- (iii)
Here, the divalent alkylene glycol group is a divalent group represented by the following formula (iii), in which R 2 and R 3 each independently represent a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and n represents an integer of 0 to 500.
-R2- ( OR3 ) n- (iii)
R’で示されるアルキレン基の炭素数は特に限定されないが、好ましくは1~54である。R’で示される2価のアルキレングリコール基の炭素数は特に限定されないが、好ましくは1~500である。また、式(iii)中、R2、及びR3の炭素数は好ましくは1~3である。また、式(iii)中、nは好ましくは1~500であり、より好ましくは1~100であり、更に好ましくは1~10である。 The number of carbon atoms of the alkylene group represented by R' is not particularly limited, but is preferably 1 to 54. The number of carbon atoms of the divalent alkylene glycol group represented by R' is not particularly limited, but is preferably 1 to 500. Furthermore, in formula (iii), the number of carbon atoms of R 2 and R 3 is preferably 1 to 3. Furthermore, in formula (iii), n is preferably 1 to 500, more preferably 1 to 100, and even more preferably 1 to 10.
マレイン酸変性ロジンアミドとしては、特に限定されず、マレイン酸変性ロジンとシクロヘキシルアミンの脱水縮合物や、マレイン酸変性ロジンとシクロヘキシルアミンの脱水縮合物のシクロヘキシルアミン塩等が挙げられる。具体的には、例えば、以下の式(4)又は(5)で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、フラックス活性や相溶性の観点から、マレイン酸変性ロジンモノシクロヘキシルアミド、マレイン酸変性水添ロジンシクロヘキシルアミドが好ましい。 The maleic acid modified rosin amide is not particularly limited, and examples thereof include a dehydration condensation product of maleic acid modified rosin and cyclohexylamine, and a cyclohexylamine salt of a dehydration condensation product of maleic acid modified rosin and cyclohexylamine. Specific examples include compounds represented by the following formula (4) or (5). Among these, maleic acid modified rosin monocyclohexylamide and maleic acid modified hydrogenated rosin cyclohexylamide are preferred from the viewpoint of flux activity and compatibility.
また、マレイン酸変性ロジンアミドとしては、以下の式(6)で示されるマレイン酸変性ロジンアミド2量体やマレイン酸変性ロジンアミド多量体等の、マレイン酸変性ロジンアミドが2種以上縮合もしくはアミン等を介して結合した化合物も含まれる。 Maleic acid-modified rosin amide also includes compounds in which two or more types of maleic acid-modified rosin amide are condensed or bonded via amines, such as maleic acid-modified rosin amide dimers and maleic acid-modified rosin amide polymers, as shown in the following formula (6).
さらに、マレイン酸変性ロジン酸アミドとしては、以下の式(7)で示されるマレイン酸変性ロジンアミドとマレイン酸変性ロジンエステルが直接もしくはアミンやアルコール等を介して結合した化合物も含まれる。 Furthermore, the maleic acid-modified rosin acid amide also includes a compound in which maleic acid-modified rosin amide and maleic acid-modified rosin ester are bonded directly or via an amine, alcohol, etc., as shown in the following formula (7).
また、マレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミドとしては、上述した化合物の各種異性体(構造異性体、光学異性体等)や、上述した化合物の塩(アミン塩等)も含まれる。 In addition, the maleic acid modified rosin ester and maleic acid modified rosin amide also include various isomers (structural isomers, optical isomers, etc.) of the above-mentioned compounds and salts (amine salts, etc.) of the above-mentioned compounds.
マレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミドは、1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。 The maleic acid modified rosin ester and maleic acid modified rosin amide may be used alone or in combination of two or more.
マレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミドの水添物とは、これらの化合物中に存在する炭素-炭素2重結合が水素添加された化合物を意味する。例えば、上記式(1)で表されるマレイン酸変性ロジンエステルの水添物は、以下の式(8)で表される構造を有する。 The hydrogenated maleic acid modified rosin ester and the hydrogenated maleic acid modified rosin amide refer to compounds in which the carbon-carbon double bonds present in these compounds have been hydrogenated. For example, the hydrogenated maleic acid modified rosin ester represented by the above formula (1) has a structure represented by the following formula (8).
また、上述した各種マレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミドは、公知の方法を用いて製造することができる。公知の方法としては、例えば、特開2017-186324号公報の実施例1に記載の無溶剤系の反応や、実施例6の疎水性溶剤中での反応を採用することができる。マレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミドの合成に用いられる原料ロジンとしては、例えば、ガムロジン、トール油ロジン及びウッドロジン並びにそれらの精製物(精製ロジン)等が挙げられる。また、原料ロジンとしては、例えば、「D.F.Zinkel, J.Russell 編 長谷川吉弘 訳(1993), 松の化学 生産・化学・用途, 361-362」に記載されているような生松ヤニや市販ガムロジンを用いてもよい。すなわち、本実施形態のマレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミドは、上述した各種原料ロジン及び(水添)マレイン酸変性ロジン等の原料ロジンから得られるロジン誘導体をエステル化若しくはアミド化することにより得られる化合物を含んでいてもよい。 The above-mentioned various maleic acid modified rosin esters and maleic acid modified rosin amides can be produced by known methods. Examples of known methods include the solvent-free reaction described in Example 1 of JP-A-2017-186324 and the reaction in a hydrophobic solvent described in Example 6. Examples of raw rosin used in the synthesis of maleic acid modified rosin esters and maleic acid modified rosin amides include gum rosin, tall oil rosin, wood rosin, and refined products thereof (refined rosin). Examples of raw rosin include raw pine resin and commercially available gum rosin described in "D.F.Zinkel, J.Russell, ed., Hasegawa Yoshihiro, translated (1993) Pine Chemistry: Production, Chemistry, and Uses, 361-362". That is, the maleic acid modified rosin ester and maleic acid modified rosin amide of this embodiment may include compounds obtained by esterifying or amidating rosin derivatives obtained from raw rosins such as the above-mentioned various raw rosins and (hydrogenated) maleic acid modified rosin.
マレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミドの含有量は、フラックス全体に対して、好ましくは0wt%超60wt%以下であり、より好ましくは5wt%以上、更に好ましくは10wt%以上、更により好ましくは20wt%以上、特に好ましくは30wt%以上であり、上限としては、より好ましくは50wt%以下であり、更に好ましくは40wt%以下である。マレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミドの含有量が多いほど、フラックス残渣の残渣割れの抑制効果がより顕著となる傾向にある。 The content of maleic acid modified rosin ester and maleic acid modified rosin amide is preferably more than 0 wt% and not more than 60 wt% of the entire flux, more preferably 5 wt% or more, even more preferably 10 wt% or more, even more preferably 20 wt% or more, and particularly preferably 30 wt% or more, with the upper limit being more preferably 50 wt% or less, even more preferably 40 wt% or less. The higher the content of maleic acid modified rosin ester and maleic acid modified rosin amide, the more pronounced the effect of suppressing residual cracking of flux residue tends to be.
本実施形態のフラックスは、上述したマレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミド、並びにそれらの水添物以外の樹脂を含んでいてもよい。樹脂としては、従来はんだ付け用フラックスに使用されている各種樹脂を使用することができる。このような樹脂としては、例えば、ロジン系樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、スチレン-マレイン酸共重合体、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、及び、これらの混合物が挙げられ、この中でも、ロジン系樹脂が一般的によく用いられている。ロジン系樹脂としては、例えば、ガムロジン、ウッドロジン等の天然ロジンや、その誘導体(重合ロジン、水添ロジン、不均化ロジン、酸変性ロジン、ロジンエステル等)が挙げられる。 The flux of this embodiment may contain resins other than the maleic acid modified rosin ester and maleic acid modified rosin amide described above, and their hydrogenated products. As the resin, various resins conventionally used in soldering fluxes can be used. Examples of such resins include rosin-based resins, acrylic resins, polyester, polyethylene, polypropylene, polyamide, styrene-maleic acid copolymers, acrylic resins, epoxy resins, phenolic resins, phenoxy resins, terpene resins, terpene phenolic resins, and mixtures thereof. Among these, rosin-based resins are generally used. Examples of rosin-based resins include natural rosins such as gum rosin and wood rosin, and derivatives thereof (polymerized rosin, hydrogenated rosin, disproportionated rosin, acid-modified rosin, rosin ester, etc.).
フラックス中の樹脂の含有量に限定はなく、リフロー用はんだ付けのフラックスとして用いる場合、例えば、10~80質量%の範囲内とすることができ、20~70質量%の範囲内としてもよいし、30~60質量%の範囲内としてもよい。フロー用はんだ付けのフラックスとして用いる場合は、例えば、3~18質量%の範囲内とすることができ、6~15質量%の範囲内としてもよいし、9~12質量%の範囲内としてもよい。 There is no limit to the resin content in the flux, and when used as a flux for reflow soldering, it can be, for example, in the range of 10 to 80 mass%, or may be in the range of 20 to 70 mass%, or may be in the range of 30 to 60 mass%. When used as a flux for flow soldering, it can be, for example, in the range of 3 to 18 mass%, or may be in the range of 6 to 15 mass%, or may be in the range of 9 to 12 mass%.
本実施形態のフラックスに含まれる溶剤としては、水、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類等が挙げられる。アルコール系溶剤としてはイソプロピルアルコール、1,2-ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、2,4-ジエチル-1,5-ペンタンジオール、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール、2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオール、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール、2,3-ジメチル-2,3-ブタンジオール、1,1,1-トリス(ヒドロキシメチル)エタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、2,2’-オキシビス(メチレン)ビス(2-エチル-1,3-プロパンジオール)、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)-1,3-プロパンジオール、1,2,6-トリヒドロキシヘキサン、ビス[2,2,2-トリス(ヒドロキシメチル)エチル]エーテル、1-エチニル-1-シクロヘキサノール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、エリトリトール、トレイトール、グアヤコールグリセロールエーテル、3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール、2,4,7,9-テトラメチル-5-デシン-4,7-ジオール等が挙げられる。グリコールエーテル系溶剤としては、ヘキシルジグリコール、ジエチレングリコールモノ-2-エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、2-メチルペンタン-2,4-ジオール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the solvent contained in the flux of this embodiment include water, alcohol-based solvents, glycol ether-based solvents, terpineols, etc. Examples of alcohol-based solvents include isopropyl alcohol, 1,2-butanediol, isobornylcyclohexanol, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol, 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol, 2,5-dimethyl-3-hexyne-2,5-diol, 2,3-dimethyl-2,3-butanediol, 1,1,1-tris(hydroxymethyl)ethane, 2-ethyl-2-hydroxymethyl-1,3-propanediol, 2,2'-oxybis(methylene)bis(2-ethyl -1,3-propanediol), 2,2-bis(hydroxymethyl)-1,3-propanediol, 1,2,6-trihydroxyhexane, bis[2,2,2-tris(hydroxymethyl)ethyl]ether, 1-ethynyl-1-cyclohexanol, 1,4-cyclohexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, erythritol, threitol, guaiacol glycerol ether, 3,6-dimethyl-4-octyne-3,6-diol, 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol, etc. Examples of glycol ether solvents include hexyl diglycol, diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, 2-methylpentane-2,4-diol, diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether, etc.
本実施の形態のフラックスは、活性剤として、さらに、有機酸、アミン、ハロゲン(有機ハロゲン化合物、アミンハロゲン化水素酸塩)を含んでもよい。
本実施の形態のフラックスは、リフロー用はんだ付けのフラックスとして用いる場合、有機酸を0wt%以上10wt%以下含むことが好ましい。本実施の形態のフラックスは、リフロー用はんだ付けのフラックスとして用いる場合、アミンを0wt%以上20wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは、アミンを0wt%以上5wt%以下含む。本実施の形態のフラックスは、リフロー用はんだ付けのフラックスとして用いる場合、ハロゲンとして有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下含むことが好ましく、アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下含むことが好ましい。
本実施の形態のフラックスは、フロー用はんだ付けのフラックスとして用いる場合、活性剤を0.1wt%以上12.0wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは0.3wt%以上8.0wt%以下、さらに好ましくは0.5wt%以上4.0wt%以下含む。
The flux of the present embodiment may further contain an organic acid, an amine, or a halogen (organic halogen compound, amine hydrohalide) as an activator.
When the flux of the present embodiment is used as a flux for reflow soldering, it preferably contains 0 wt % or more and 10 wt % or less of organic acid. When the flux of the present embodiment is used as a flux for reflow soldering, it preferably contains 0 wt % or more and 20 wt % or less of amine, more preferably 0 wt % or more and 5 wt % or less of amine. When the flux of the present embodiment is used as a flux for reflow soldering, it preferably contains 0 wt % or more and 5 wt % or less of organic halogen compound as halogen, and preferably contains 0 wt % or more and 2 wt % or less of amine hydrohalide.
When the flux of this embodiment is used as a flux for flow soldering, it preferably contains an activator in an amount of 0.1 wt % or more and 12.0 wt % or less, more preferably 0.3 wt % or more and 8.0 wt % or less, and even more preferably 0.5 wt % or more and 4.0 wt % or less.
有機酸としては、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、エイコサン二酸、クエン酸、グリコール酸、コハク酸、サリチル酸、ジグリコール酸、ジピコリン酸、ジブチルアニリンジグリコール酸、スベリン酸、セバシン酸、チオグリコール酸、テレフタル酸、ドデカン二酸、パラヒドロキシフェニル酢酸、フェニルコハク酸、フタル酸、フマル酸、マレイン酸、マロン酸、ラウリン酸、安息香酸、酒石酸、イソシアヌル酸トリス(2-カルボキシエチル)、グリシン、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)ブタン酸、2,3-ジヒドロキシ安息香酸、2,4-ジエチルグルタル酸、2-キノリンカルボン酸、3-ヒドロキシ安息香酸、リンゴ酸、p-アニス酸、ステアリン酸、12-ヒドロキシステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられる。 Organic acids include glutaric acid, adipic acid, azelaic acid, eicosane diacid, citric acid, glycolic acid, succinic acid, salicylic acid, diglycolic acid, dipicolinic acid, dibutylaniline diglycolic acid, suberic acid, sebacic acid, thioglycolic acid, terephthalic acid, dodecanedioic acid, parahydroxyphenylacetic acid, phenylsuccinic acid, phthalic acid, fumaric acid, maleic acid, malonic acid, lauric acid, benzoic acid, tartaric acid, tris(isocyanuric acid) (2-carboxyethyl), glycine, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 2,2-bis(hydroxymethyl)propionic acid, 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-diethylglutaric acid, 2-quinolinecarboxylic acid, 3-hydroxybenzoic acid, malic acid, p-anisic acid, stearic acid, 12-hydroxystearic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, etc.
また、有機酸としては、ダイマー酸、トリマー酸、ダイマー酸に水素を添加した水添物である水添ダイマー酸、トリマー酸に水素を添加した水添物である水添トリマー酸が挙げられる。 Other examples of organic acids include dimer acid, trimer acid, hydrogenated dimer acid, which is a hydrogenated product of dimer acid with hydrogen added, and hydrogenated trimer acid, which is a hydrogenated product of trimer acid with hydrogen added.
例えば、オレイン酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とメタクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とメタクリル酸の反応物であるトリマー酸、オレイン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸の反応物であるトリマー酸、リノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノレン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とオレイン酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とオレイン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とオレイン酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とオレイン酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、オレイン酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、上述した各ダイマー酸の水添物である水添ダイマー酸、上述した各トリマー酸の水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。 For example, dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, trimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid, trimer acid which is a reaction product of acrylic acid, dimer acid which is a reaction product of methacrylic acid, trimer acid which is a reaction product of methacrylic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid and methacrylic acid, trimer acid which is a reaction product of acrylic acid and methacrylic acid, dimer acid which is a reaction product of oleic acid, trimer acid which is a reaction product of oleic acid, dimer acid which is a reaction product of linoleic acid, trimer acid which is a reaction product of linolenic acid, trimer acid which is a reaction product of linolenic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, trimer acid which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid and linoleic acid, acrylic acid and linoleic acid. Examples of the reaction product include trimer acid, which is a reaction product of acid, dimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and linoleic acid, trimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and linoleic acid, dimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and oleic acid, trimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, dimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, trimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, dimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, trimer acid, which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, trimer acid, which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, dimer acid, which is a reaction product of linoleic acid and linoleic acid, trimer acid, which is a reaction product of linoleic acid and linoleic acid, hydrogenated dimer acid, which is a hydrogenated product of each of the above dimer acids, and hydrogenated trimer acid, which is a hydrogenated product of each of the above trimer acids.
アミンとしては、モノエタノールアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、エチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾール、1-ドデシル-2-メチル-3-ベンジルイミダゾリウムクロライド、2-メチルイミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2,4-ジアミノ-6-メタクリロイルオキシエチル-s-トリアジン、エポキシ-イミダゾールアダクト、2-メチルベンゾイミダゾール、2-オクチルベンゾイミダゾール、2-ペンチルベンゾイミダゾール、2-(1-エチルペンチル)ベンゾイミダゾール、2-ノニルベンゾイミダゾール、2-(4-チアゾリル)ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、2-(2’-ヒドロキシ-5’-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-3’-tert-ブチル-5’-メチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-tert-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-5’-tert-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2’-メチレンビス[6-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-4-tert-オクチルフェノール]、6-(2-ベンゾトリアゾリル)-4-tert-オクチル-6’-tert-ブチル-4’-メチル-2,2’-メチレンビスフェノール、1,2,3-ベンゾトリアゾール、1-[N,N-ビス(2-エチルヘキシル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、1-[N,N-ビス(2-エチルヘキシル)アミノメチル]メチルベンゾトリアゾール、2,2’-[[(メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル]イミノ]ビスエタノール、1-(1’,2’-ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1-(2,3-ジカルボキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1-[(2-エチルヘキシルアミノ)メチル]ベンゾトリアゾール、2,6-ビス[(1H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル]-4-メチルフェノール、5-メチルベンゾトリアゾール、5-フェニルテトラゾール等が挙げられる。 Amines include monoethanolamine, diphenylguanidine, ditolylguanidine, ethylamine, triethylamine, cyclohexylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1- benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-di Amino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazo isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-vinyl- s-Triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine, epoxy-imidazole adduct, 2-methylbenzimidazole, 2-octylbenzimidazole, 2-pentylbenzimidazole, 2-(1-ethylpentyl)benzimidazole, 2-nonylbenzimidazole, 2-(4-thiazolyl)benzimidazole, benzimidazole, 2-(2'-hydroxy-5 '-methylphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3'-tert-butyl-5'-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3',5'-di-tert-amylphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-5'-tert-octylphenyl)benzotriazole, 2,2'-methylenebis[6-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-tert-octylphenyl]benzotriazole, ethylphenol], 6-(2-benzotriazolyl)-4-tert-octyl-6'-tert-butyl-4'-methyl-2,2'-methylenebisphenol, 1,2,3-benzotriazole, 1-[N,N-bis(2-ethylhexyl)aminomethyl]benzotriazole, carboxybenzotriazole, 1-[N,N-bis(2-ethylhexyl)aminomethyl]methylbenzotriazole, 2,2'-[[(methyl-1H-benzotriazol-1-yl)methyl]imino]bisethanol, 1-(1',2'-dicarboxyethyl)benzotriazole, 1-(2,3-dicarboxypropyl)benzotriazole, 1-[(2-ethylhexylamino)methyl]benzotriazole, 2,6-bis[(1H-benzotriazol-1-yl)methyl]-4-methylphenol, 5-methylbenzotriazole, 5-phenyltetrazole, etc.
有機ハロゲン化合物としては、trans-2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール、トリアリルイソシアヌレート6臭化物、1-ブロモ-2-ブタノール、1-ブロモ-2-プロパノール、3-ブロモ-1-プロパノール、3-ブロモ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジブロモ-2-ブタノール、1,3-ジブロモ-2-プロパノール、2,3-ジブロモ-1-プロパノール、2,3-ジブロモ-1,4-ブタンジオール、2,3-ジブロモ-1,4-ブタンジオール、2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール、イソシアヌル酸トリス(2,3-ジブロモプロピル)、無水クロレンド酸等が挙げられる。 Examples of organic halogen compounds include trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, triallyl isocyanurate hexabromide, 1-bromo-2-butanol, 1-bromo-2-propanol, 3-bromo-1-propanol, 3-bromo-1,2-propanediol, 1,4-dibromo-2-butanol, 1,3-dibromo-2-propanol, 2,3-dibromo-1-propanol, 2,3-dibromo-1,4-butanediol, 2,3-dibromo-1,4-butanediol, 2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, tris(2,3-dibromopropyl) isocyanurate, and chlorendic anhydride.
アミンハロゲン化水素酸塩は、アミンとハロゲン化水素を反応させた化合物である。
アミンハロゲン化水素酸塩のアミンとしては、上述したアミンを用いることができ、エチルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、トリエチルアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール等が挙げられる。ハロゲン化水素としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素の水素化物(塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、フッ化水素)が挙げられる。また、アミンハロゲン化水素酸塩に代えて、あるいはアミンハロゲン化水素酸塩と合わせてホウフッ化物を含んでもよく、ホウフッ化物としてホウフッ化水素酸等が挙げられる。
アミンハロゲン化水素酸塩としては、アニリン塩化水素、シクロヘキシルアミン塩化水素、アニリン臭化水素、ジフェニルグアニジン臭化水素、ジトリルグアニジン臭化水素、エチルアミン臭化水素等が挙げられる。
Amine hydrohalides are compounds formed by reacting an amine with a hydrogen halide.
The amine of the amine hydrohalide may be any of the amines mentioned above, and examples thereof include ethylamine, cyclohexylamine, ethylenediamine, triethylamine, diphenylguanidine, ditolylguanidine, methylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole. Examples of hydrogen halides include hydrides of chlorine, bromine, iodine, and fluorine (hydrogen chloride, hydrogen bromide, hydrogen iodide, and hydrogen fluoride). In place of or in combination with the amine hydrohalide, a boron fluoride may be contained, and examples of the boron fluoride include boron fluoroacid.
Examples of the amine hydrohalide salts include aniline hydrochloride, cyclohexylamine hydrochloride, aniline hydrobromide, diphenylguanidine hydrobromide, ditolylguanidine hydrobromide, and ethylamine hydrobromide.
本実施の形態のフラックスは、更に、酸化防止剤を含んでもよく、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤等が挙げられ、リフロー用はんだ付けフラックスとして用いる場合、酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下含むことが好ましく、フロー用はんだ付けフラックスとして用いる場合、酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは0wt%以上2wt%以下である。 The flux of this embodiment may further contain an antioxidant, such as a hindered phenol-based antioxidant. When used as a reflow soldering flux, it preferably contains 0 wt% to 5 wt% of the antioxidant, and when used as a flow soldering flux, it preferably contains 0 wt% to 5 wt%, more preferably 0 wt% to 2 wt% of the antioxidant.
本実施形態のフラックスは、チキソ剤を含んでいてもよい。
チキソ剤としては、ワックス系チキソ剤、アマイド系チキソ剤、ソルビトール系チキソ剤等が挙げられる。ワックス系チキソ剤としては例えばヒマシ硬化油等が挙げられる。アマイド系チキソ剤としては、モノアマイド系チキソ剤、ビスアマイド系チキソ剤、ポリアマイド系チキソ剤が挙げられ、具体的には、ラウリン酸アマイド、パルミチン酸アマイド、ステアリン酸アマイド、ベヘン酸アマイド、ヒドロキシステアリン酸アマイド、飽和脂肪酸アマイド、オレイン酸アマイド、エルカ酸アマイド、不飽和脂肪酸アマイド、p-トルエンメタンアマイド、芳香族アマイド、メチレンビスステアリン酸アマイド、エチレンビスラウリン酸アマイド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アマイド、飽和脂肪酸ビスアマイド、メチレンビスオレイン酸アマイド、不飽和脂肪酸ビスアマイド、m-キシリレンビスステアリン酸アマイド、芳香族ビスアマイド、飽和脂肪酸ポリアマイド、不飽和脂肪酸ポリアマイド、芳香族ポリアマイド、置換アマイド、メチロールステアリン酸アマイド、メチロールアマイド、脂肪酸エステルアマイド等が挙げられる。ソルビトール系チキソ剤としては、ジベンジリデン-D-ソルビトール、ビス(4-メチルベンジリデン)-D-ソルビトール等が挙げられる。
The flux of the present embodiment may contain a thixotropic agent.
Examples of the thixotropic agent include wax-based thixotropic agents, amide-based thixotropic agents, and sorbitol-based thixotropic agents. Examples of the wax-based thixotropic agents include castor hardened oil. Examples of the amide-based thixotropic agents include monoamide-based thixotropic agents, bisamide-based thixotropic agents, and polyamide-based thixotropic agents, and specific examples thereof include lauric acid amide, palmitic acid amide, stearic acid amide, behenic acid amide, hydroxystearic acid amide, saturated fatty acid amide, oleic acid amide, erucic acid amide, unsaturated fatty acid amide, p-toluenemethane amide, aromatic amide, and methylenebisstearic acid amide. Examples of the sorbitol-based thixotropic agents include dibenzylidene-D-sorbitol, bis(4-methylbenzylidene)-D-sorbitol, etc. Examples of the sorbitol-based thixotropic agents include dibenzylidene-D-sorbitol, bis(4-methylbenzylidene)-D-sorbitol, etc. Examples of the sorbitol-based thixotropic agents include dibenzylidene-D-sorbitol, bis(4-methylbenzylidene)-D-sorbitol, etc.
また、本実施の形態のフラックスは、チキソ剤としてエステル化合物を含んでいてもよい。エステル化合物としては、例えば、ヒマシ硬化油等が挙げられる。 The flux of this embodiment may also contain an ester compound as a thixotropic agent. Examples of ester compounds include hardened castor oil.
フラックスに含まれるチキソ剤の合計量は、リフロー用はんだ付けフラックスとして用いる場合、0wt%以上15wt%以下であることが好ましく、0wt%以上10wt%以下であることがより好ましい。また、アマイド系チキソ剤の含有量は、リフロー用はんだ付けフラックスとして用いる場合、好ましくは0wt%以上12wt%以下であり、エステル化合物の含有量は好ましくは、リフロー用はんだ付けフラックスとして用いる場合、0wt%以上8.0wt%以下、より好ましくは0wt%以上4.0wt%以下である。
フラックスに含まれるチキソ剤の合計量は、フロー用はんだ付けフラックスとして用いる場合、0wt%以上3wt%以下であることが好ましく、0wt%以上1wt%以下であることがより好ましい。
The total amount of the thixotropic agent contained in the flux is preferably 0 wt% to 15 wt%, more preferably 0 wt% to 10 wt%, when used as a reflow soldering flux. The content of the amide-based thixotropic agent is preferably 0 wt% to 12 wt%, when used as a reflow soldering flux, and the content of the ester compound is preferably 0 wt% to 8.0 wt%, more preferably 0 wt% to 4.0 wt%, when used as a reflow soldering flux.
When used as a flow soldering flux, the total amount of the thixotropic agent contained in the flux is preferably 0 wt % or more and 3 wt % or less, and more preferably 0 wt % or more and 1 wt % or less.
[はんだペースト]
本実施形態のフラックスは、フローはんだ付け、リフローはんだ付けのいずれにも用いることができるが、本発明の効果がより顕著になる傾向にあるため、リフローはんだ付けに用いることが好ましい。
[Solder paste]
The flux of the present embodiment can be used for both flow soldering and reflow soldering, but is preferably used for reflow soldering since the effects of the present invention tend to be more pronounced.
本実施形態のはんだペーストは、上述したフラックスと、はんだ合金とを含む。
はんだ合金としては、特に限定されないが、
As:25~300質量ppmと、Pb:0質量ppm超え5100質量ppm以下と、Sb:0質量ppm超え3000質量ppm以下及びBi:0質量ppm超え10000質量ppm以下の少なくとも1種と、残部:Snと、からなる合金組成を有し、下記(1)式及び(2)式:
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
[上記(1)式及び(2)式中、As、Sb、Bi、及びPbは各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す]
を満たすことが好ましい。
The solder paste of this embodiment contains the above-mentioned flux and a solder alloy.
The solder alloy is not particularly limited, but
The alloy has an alloy composition consisting of As: 25 to 300 ppm by mass, Pb: more than 0 ppm by mass and not more than 5,100 ppm by mass, Sb: more than 0 ppm by mass and not more than 3,000 ppm by mass, and Bi: more than 0 ppm by mass and not more than 10,000 ppm by mass, and the balance: Sn, and is represented by the following formulas (1) and (2):
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
[In the above formulas (1) and (2), As, Sb, Bi, and Pb each represent the content (ppm by mass) in the alloy composition.]
It is preferable that the following is satisfied.
Asは、はんだペーストの粘度の経時変化を抑制することができる元素である。Asは、フラックスとの反応性が低く、またSnに対して貴な元素であるために増粘抑制効果を発揮することができると推察される。Asが25質量ppm未満であると、増粘抑制効果を十分に発揮することができない。As含有量の下限は25質量ppm以上であり、好ましくは50質量ppm以上であり、より好ましくは100質量ppm以上である。一方、Asが多すぎるとはんだ合金の濡れ性が劣化する。As含有量の上限は300質量ppm以下であり、好ましくは250質量ppm以下であり、より好ましくは200質量ppm以下である。 As is an element that can suppress the change in viscosity of the solder paste over time. As has low reactivity with flux and is a noble element relative to Sn, so it is presumed that it can exert a thickening suppression effect. If As is less than 25 ppm by mass, the thickening suppression effect cannot be fully exerted. The lower limit of the As content is 25 ppm by mass or more, preferably 50 ppm by mass or more, and more preferably 100 ppm by mass or more. On the other hand, if there is too much As, the wettability of the solder alloy deteriorates. The upper limit of the As content is 300 ppm by mass or less, preferably 250 ppm by mass or less, and more preferably 200 ppm by mass or less.
Sbは、フラックスとの反応性が低く増粘抑制効果を示す元素である。本実施形態に係るはんだ合金がSbを含有する場合、Sb含有量の下限は0質量ppm超えであり、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは100質量ppm以上であり、特に好ましくは300質量ppm以上である。一方、Sb含有量が多すぎると、濡れ性が劣化するため、適度な含有量にする必要がある。Sb含有量の上限は3000質量ppm以下であり、好ましくは1150質量ppm以下であり、より好ましくは500質量ppm以下である。 Sb is an element that has low reactivity with flux and exhibits a thickening suppression effect. When the solder alloy according to this embodiment contains Sb, the lower limit of the Sb content is more than 0 mass ppm, preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, even more preferably 100 mass ppm or more, and particularly preferably 300 mass ppm or more. On the other hand, if the Sb content is too high, wettability deteriorates, so the content must be moderate. The upper limit of the Sb content is 3000 mass ppm or less, preferably 1150 mass ppm or less, and more preferably 500 mass ppm or less.
Bi及びPbは、Sbと同様に、フラックスとの反応性が低く増粘抑制効果を示す元素である。また、Bi及びPbは、はんだ合金の液相線温度を下げるとともに溶融はんだの粘性を低減させるため、Asによる濡れ性の劣化を抑えることができる元素である。 Bi and Pb, like Sb, are elements that have low reactivity with flux and suppress thickening. In addition, Bi and Pb lower the liquidus temperature of the solder alloy and reduce the viscosity of the molten solder, so they are elements that can suppress the deterioration of wettability caused by As.
Sb、Bi及びPbの少なくとも1元素が存在すれば、Asによる濡れ性の劣化を抑えることができる。本実施形態に係るはんだ合金がBiを含有する場合、Bi含有量の下限は0質量ppm超えであり、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250ppm以上である。本実施形態に係るはんだ合金がPbを含有する場合、Pb含有量の下限は0質量ppm超えであり、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。 If at least one element of Sb, Bi, and Pb is present, the deterioration of wettability due to As can be suppressed. When the solder alloy according to this embodiment contains Bi, the lower limit of the Bi content is more than 0 mass ppm, preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, even more preferably 75 mass ppm or more, particularly preferably 100 mass ppm or more, and most preferably 250 mass ppm or more. When the solder alloy according to this embodiment contains Pb, the lower limit of the Pb content is more than 0 mass ppm, preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, even more preferably 75 mass ppm or more, particularly preferably 100 mass ppm or more, and most preferably 250 mass ppm or more.
一方、これらの元素の含有量が多すぎると、固相線温度が著しく低下するため、液相線温度と固相線温度との温度差であるΔTが広くなりすぎる。ΔTが広すぎると、溶融はんだの凝固過程において、BiやPbの含有量が少ない高融点の結晶相が析出するために液相のBiやPbが濃縮される。その後、さらに溶融はんだの温度が低下すると、BiやPbの濃度が高い低融点の結晶相が偏析してしまう。このため、はんだ合金の機械的強度等が劣化し、信頼性が劣ることになる。特に、Bi濃度が高い結晶相は硬くて脆いため、はんだ合金中で偏析すると信頼性が著しく低下する。 On the other hand, if the content of these elements is too high, the solidus temperature drops significantly, and ΔT, the temperature difference between the liquidus temperature and the solidus temperature, becomes too wide. If ΔT is too wide, a high-melting-point crystalline phase with a low content of Bi and Pb precipitates during the solidification process of the molten solder, concentrating Bi and Pb in the liquid phase. If the temperature of the molten solder then drops further, the low-melting-point crystalline phase with a high concentration of Bi and Pb segregates. This causes the mechanical strength of the solder alloy to deteriorate, resulting in poor reliability. In particular, since a crystalline phase with a high concentration of Bi is hard and brittle, segregation in the solder alloy significantly reduces reliability.
このような観点から、本実施形態に係るはんだ合金がBiを含有する場合、Bi含有量の上限は10000質量ppm以下であり、好ましくは1000質量ppm以下であり、より好ましくは600質量ppm以下であり、さらに好ましくは500質量ppm以下である。本実施形態に係るはんだ合金がPbを含有する場合、Pb含有量の上限は5100質量ppm以下であり、好ましくは5000質量ppm以下であり、より好ましくは1000質量ppm以下であり、さらに好ましくは850質量ppm以下であり、特に好ましくは500質量ppm以下である。 From this viewpoint, when the solder alloy according to this embodiment contains Bi, the upper limit of the Bi content is 10,000 ppm by mass or less, preferably 1,000 ppm by mass or less, more preferably 600 ppm by mass or less, and even more preferably 500 ppm by mass or less. When the solder alloy according to this embodiment contains Pb, the upper limit of the Pb content is 5,100 ppm by mass or less, preferably 5,000 ppm by mass or less, more preferably 1,000 ppm by mass or less, even more preferably 850 ppm by mass or less, and particularly preferably 500 ppm by mass or less.
本実施形態に係るはんだ合金は、下記(1)式を満たすことが好ましい。 The solder alloy according to this embodiment preferably satisfies the following formula (1).
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
上記(1)式中、As、Sb、Bi、及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
In the above formula (1), As, Sb, Bi, and Pb each represent the content (ppm by mass) in the alloy composition.
As、Sb、Bi及びPbは、いずれも増粘抑制効果を示す元素である。これらの合計が275質量ppm以上である必要がある。(1)式中、As含有量を2倍にしたのは、AsがSbやBiやPbと比較して増粘抑制効果が高いためである。 As, Sb, Bi and Pb are all elements that exhibit a thickening suppression effect. The total of these must be 275 mass ppm or more. In formula (1), the As content is doubled because As has a stronger thickening suppression effect than Sb, Bi and Pb.
(1)式が275未満であると、増粘抑制効果が十分に発揮されない。(1)式の下限は275以上であり、好ましくは350以上であり、より好ましくは1200以上である。一方、(1)の上限は、増粘抑制効果の観点では特に限定されることはないが、ΔTを適した範囲にする観点から、好ましくは25200以下であり、より好ましくは10200以下であり、さらに好ましくは5300以下であり、特に好ましくは3800以下である。 If formula (1) is less than 275, the thickening suppression effect is not fully exerted. The lower limit of formula (1) is 275 or more, preferably 350 or more, and more preferably 1200 or more. On the other hand, the upper limit of formula (1) is not particularly limited from the viewpoint of the thickening suppression effect, but from the viewpoint of keeping ΔT in an appropriate range, it is preferably 25200 or less, more preferably 10200 or less, even more preferably 5300 or less, and particularly preferably 3800 or less.
上記好ましい態様の中から上限及び下限を適宜選択したものが、下記(1a)式及び(1b)式である。 The upper and lower limits of the above preferred embodiments are appropriately selected to give the following formulas (1a) and (1b).
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦25200 (1a)
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦5300 (1b)
上記(1a)及び(1b)式中、As、Sb、Bi、及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦25200 (1a)
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦5300 (1b)
In the above formulas (1a) and (1b), As, Sb, Bi, and Pb each represent the content (ppm by mass) in the alloy composition.
本実施形態に係るはんだ合金は、下記(2)式を満たすことが好ましい。 The solder alloy according to this embodiment preferably satisfies the following formula (2).
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
上記(2)式中、As、Sb、Bi、及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
In the above formula (2), As, Sb, Bi, and Pb each represent the content (ppm by mass) in the alloy composition.
As及びSbは含有量が多いとはんだ合金の濡れ性が劣化する。一方、Bi及びPbは、Asを含有することによる濡れ性の劣化を抑制するが、含有量が多すぎるとΔTが上昇してしまうため、厳密な管理が必要である。特に、Bi及びPbを同時に含有する合金組成では、ΔTが上昇しやすい。これらを鑑みると、Bi及びPbの含有量を増加させて過度に濡れ性を向上させようとするとΔTが広がってしまう。一方、AsやSbの含有量を増加させて増粘抑制効果を向上させようとすると濡れ性が劣化してしまう。そこで、本実施形態では、As及びSbのグループ、Bi及びPbのグループに分け、両グループの合計量が適正な所定の範囲内である場合に、増粘抑制効果、ΔTの狭窄化、及び濡れ性のすべてが同時に満たされるのである。 The wettability of the solder alloy deteriorates when the content of As and Sb is high. On the other hand, Bi and Pb suppress the deterioration of wettability due to the inclusion of As, but if the content is too high, ΔT increases, so strict management is required. In particular, in an alloy composition that simultaneously contains Bi and Pb, ΔT is likely to increase. In view of this, if the content of Bi and Pb is increased to excessively improve wettability, ΔT will widen. On the other hand, if the content of As or Sb is increased to improve the thickening suppression effect, wettability will deteriorate. Therefore, in this embodiment, the elements are divided into a group of As and Sb and a group of Bi and Pb, and when the total amount of both groups is within a proper predetermined range, the thickening suppression effect, narrowing of ΔT, and wettability are all satisfied simultaneously.
(2)式が0.01未満であると、Bi及びPbの含有量の合計がAs及びPbの含有量の合計と比較して相対的に多くなるため、ΔTが広がってしまう。(2)式の下限は0.01以上であり、好ましくは0.02以上であり、より好ましくは0.41以上であり、さらに好ましくは0.90以上であり、特に好ましくは1.00以上であり、最も好ましくは1.40以上である。一方、(2)式が10.00を超えると、As及びSbの含有量の合計がBi及びPbの含有量の合計より相対的に多くなるため、濡れ性が劣化してしまう。(2)の上限は10.00以下であり、好ましくは5.33以下であり、より好ましくは4.50以下であり、さらに好ましくは2.67以下であり、さらにより好ましくは4.18以下であり、特に好ましくは2.30以下である。 If formula (2) is less than 0.01, the total content of Bi and Pb is relatively larger than the total content of As and Pb, and ΔT is widened. The lower limit of formula (2) is 0.01 or more, preferably 0.02 or more, more preferably 0.41 or more, even more preferably 0.90 or more, particularly preferably 1.00 or more, and most preferably 1.40 or more. On the other hand, if formula (2) exceeds 10.00, the total content of As and Sb is relatively larger than the total content of Bi and Pb, and wettability is deteriorated. The upper limit of formula (2) is 10.00 or less, preferably 5.33 or less, more preferably 4.50 or less, even more preferably 2.67 or less, even more preferably 4.18 or less, and particularly preferably 2.30 or less.
なお、(2)式の分母は「Bi+Pb」であり、これらを含有しないと(2)式が成立しない。すなわち、本実施形態に係るはんだ合金は、Bi及びPbの少なくとも1種を必ず含有することになる。Bi及びPbを含有しない合金組成は、前述のように、濡れ性が劣る。
上記好ましい態様の中から上限及び下限を適宜選択したものが、下記(2a)式である。
The denominator of formula (2) is "Bi + Pb", and formula (2) does not hold if these elements are not contained. In other words, the solder alloy according to this embodiment necessarily contains at least one of Bi and Pb. As described above, an alloy composition that does not contain Bi and Pb has poor wettability.
The above preferred embodiments are represented by the following formula (2a), with the upper and lower limits appropriately selected.
0.31≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2a)
上記(2a)式中、As、Sb、Bi及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
0.31≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2a)
In the above formula (2a), As, Sb, Bi and Pb each represent the content (ppm by mass) in the alloy composition.
Agは、結晶界面にAg3Snを形成してはんだ合金の信頼性を向上させることができる任意元素である。また、Agはイオン化傾向がSnに対して貴な元素であり、As、Pb、及びBiと共存することによりこれらの増粘抑制効果を助長する。Ag含有量は好ましくは0~4%であり、より好ましくは0.5~3.5%であり、さらに好ましくは1.0~3.0%である。 Ag is an optional element that can form Ag 3 Sn at the crystal interface to improve the reliability of the solder alloy. Ag is also an element with a higher ionization tendency than Sn, and its coexistence with As, Pb, and Bi promotes the effect of suppressing thickening of these elements. The Ag content is preferably 0 to 4%, more preferably 0.5 to 3.5%, and even more preferably 1.0 to 3.0%.
Cuは、はんだ継手の接合強度を向上させることができる任意元素である。また、Cuはイオン化傾向がSnに対して貴な元素であり、As、Pb、及びBiと共存することによりこれらの増粘抑制効果を助長する。Cu含有量は好ましくは0~0.9%であり、より好ましくは0.1~0.8%%であり、さらに好ましくは0.2~0.7%である。 Cu is an optional element that can improve the joint strength of solder joints. In addition, Cu has a more noble ionization tendency than Sn, and its coexistence with As, Pb, and Bi promotes the thickening suppression effect of these elements. The Cu content is preferably 0 to 0.9%, more preferably 0.1 to 0.8%, and even more preferably 0.2 to 0.7%.
本実施形態に係るはんだ合金の残部はSnである。前述の元素の他に不可避的不純物を含有してもよい。不可避的不純物を含有する場合であっても、前述の効果に影響することはない。また、後述するように、本実施形態では含有しない元素が不可避的不純物として含有されても前述の効果に影響することはない。Inは、含有量が多すぎるとΔTが広がるため、1000質量ppm以下であれば前述の効果に影響することはない。 The balance of the solder alloy according to this embodiment is Sn. In addition to the above elements, the solder alloy may contain unavoidable impurities. Even if unavoidable impurities are contained, the above-mentioned effects are not affected. Furthermore, as described below, even if an element that is not contained in this embodiment is contained as an unavoidable impurity, the above-mentioned effects are not affected. If the In content is too high, ΔT will increase, so if the content is 1000 ppm by mass or less, the above-mentioned effects are not affected.
はんだペースト中のはんだ合金及びフラックスの含有量に限定はなく、例えば、はんだ合金を5~95wt%、フラックスを5~95wt%とすることができる。 There is no limit to the content of the solder alloy and flux in the solder paste; for example, the solder alloy can be 5 to 95 wt % and the flux can be 5 to 95 wt %.
本実施形態に係るはんだペーストは、酸化ジルコニウム粉末を含有することが好ましい。酸化ジルコニウムは、経時変化に伴うペーストの粘度上昇を抑制することができる。これは、酸化ジルコニウムを含有することにより、はんだ粉末表面の酸化膜厚がフラックス中に投入する前の状態を維持するためと推測される。詳細は不明であるが、以下のように推察される。通常、フラックスの活性成分は常温でもわずかに活性を持っているため、はんだ粉末の表面酸化膜が還元により薄くなり、粉末同士が凝集する原因になっている。そこで、はんだペーストに酸化ジルコニウム粉末を添加することで、フラックスの活性成分が酸化ジルコニウム粉末と優先的に反応し、はんだ粉末表面の酸化膜が凝集しない程度に維持されると推察される。 The solder paste according to the present embodiment preferably contains zirconium oxide powder. Zirconium oxide can suppress the increase in viscosity of the paste over time. It is presumed that the zirconium oxide content maintains the oxide film thickness on the surface of the solder powder in the state it was in before it was added to the flux. Although the details are unclear, it is presumed as follows. Normally, the active components of the flux are slightly active even at room temperature, so the oxide film on the surface of the solder powder becomes thinner due to reduction, which causes the powder to aggregate. Therefore, it is presumed that by adding zirconium oxide powder to the solder paste, the active components of the flux react preferentially with the zirconium oxide powder, and the oxide film on the surface of the solder powder is maintained to a level that does not aggregate.
このような作用効果を十分に発揮するためには、はんだペースト中の酸化ジルコニウム粉末の含有量ははんだペーストの全質量に対して0.05~20.0%であることが好ましい。0.05%以上であると上記作用効果を発揮することができ、20.0%以下であると金属粉末の含有量を確保することができ、増粘防止効果を発揮することができる。酸化ジルコニウムの含有量は好ましくは0.05~10.0%であり、より好ましい含有量は0.1~3%である。 To fully exert these effects, the content of zirconium oxide powder in the solder paste is preferably 0.05 to 20.0% of the total mass of the solder paste. If it is 0.05% or more, the above effects can be exerted, and if it is 20.0% or less, the content of metal powder can be secured and the effect of preventing thickening can be exerted. The content of zirconium oxide is preferably 0.05 to 10.0%, and more preferably 0.1 to 3%.
はんだペースト中の酸化ジルコニウム粉末の粒径は5μm以下であることが好ましい。粒径が5μm以下であるとペーストの印刷性を維持することができる。下限は特に限定されることはないが0.5μm以上であればよい。上記粒径は、酸化ジルコニウム粉末のSEM写真を撮影し、0.1μm以上の各粉末について画像解析により投影円相当径を求め、その平均値とした。 The particle size of the zirconium oxide powder in the solder paste is preferably 5 μm or less. If the particle size is 5 μm or less, the printability of the paste can be maintained. There is no particular lower limit, but it should be 0.5 μm or more. The above particle size was determined by taking an SEM photograph of the zirconium oxide powder, determining the projected circle equivalent diameter for each powder of 0.1 μm or more by image analysis, and averaging the results.
酸化ジルコニウムの形状は特に限定されないが、異形状であればフラックスとの接触面積が大きく増粘抑制効果がある。球形であると良好な流動性が得られるためにペーストとしての優れた印刷性が得られる。所望の特性に応じて適宜形状を選択すればよい。 The shape of zirconium oxide is not particularly limited, but irregular shapes have a large contact area with the flux and are effective in suppressing thickening. Spherical shapes provide good fluidity and therefore excellent printability as a paste. The shape can be selected appropriately depending on the desired characteristics.
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれに限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail below using examples and comparative examples, but the technical scope of the present invention is not limited to these.
以下の表1~6に示す組成で実施例A1~45と比較例A1~3のフラックスを調合し、このフラックスを使用してはんだペーストを調合して、フラックスの濡れ速度について検証した。
なお、以下の表における組成率は、フラックスの全量を100とした場合のwt(質量)%である。
Fluxes of Examples A1 to A45 and Comparative Examples A1 to A3 were prepared according to the compositions shown in Tables 1 to 6 below, and solder pastes were prepared using these fluxes to verify the wetting speed of the fluxes.
In addition, the composition ratios in the following tables are wt (mass) % when the total amount of the flux is taken as 100.
はんだペーストは、フラックスが11wt%、金属粉が89wt%である。また、はんだペースト中の金属粉は、Agが3.0wt%、Cuが0.5wt%、残部がSnであるSn-Ag-Cu系のはんだ合金であり、金属粉の粒径の平均はφ20μmである。 The solder paste is 11 wt% flux and 89 wt% metal powder. The metal powder in the solder paste is a Sn-Ag-Cu solder alloy that is 3.0 wt% Ag, 0.5 wt% Cu, and the remainder Sn, and the average grain size of the metal powder is φ20 μm.
<フラックスの検討>
(1)はんだ濡れ性(濡れ速度)の評価
(検証方法)
はんだペーストの濡れ速度は、メニスコグラフ試験の方法に準拠し、幅5mm×長さ25mm×厚さ0.5mmの銅板を150℃で1時間酸化処理し、試験板である酸化銅板を得て、試験装置としてSolder Checker SAT-5200(RHESCA社製)を用い、はんだとしてSn-3Ag-0.5Cu(各数値はwt%)を用いて、次のように評価した。
まず、ビーカーに測り取った実施例及び比較例それぞれのフラックスに対して、試験板を5mm浸漬させ、試験板にフラックスを塗布した。続いて、フラックスを塗布後、速やかにフラックスが塗布された試験板をはんだ槽に浸漬させ、ゼロクロスタイム(sec)を得た。続いて、実施例及び比較例それぞれのフラックスにつき5回の測定を行い、得られた5個のゼロクロスタイム(sec)の平均値を算出した。試験条件を以下のように設定した。
はんだ槽への浸漬速度:5mm/sec(JIS Z 3198-4:2003)
はんだ槽への浸漬深さ:2mm(JIS Z 3198-4:2003)
はんだ槽への浸漬時間:10sec(JIS Z 3198-4:2003)
はんだ槽温度:245℃(JIS C 60068-2-69:2019)
ゼロクロスタイム(sec)の平均値が短いほど、濡れ速度は高くなり、はんだ濡れ性が良いことを意味する。
<Flux considerations>
(1) Evaluation of solder wettability (wetting speed) (verification method)
The wetting speed of the solder paste was evaluated in accordance with the meniscograph test method, in which a copper plate with a width of 5 mm, a length of 25 mm, and a thickness of 0.5 mm was oxidized at 150° C. for 1 hour to obtain a copper oxide plate as a test plate. The test device was Solder Checker SAT-5200 (manufactured by RHESCA) and the solder was Sn-3Ag-0.5Cu (each value is by wt %), as follows:
First, a test plate was immersed 5 mm into each of the fluxes of the Examples and Comparative Examples measured in a beaker, and the flux was applied to the test plate. Then, after applying the flux, the test plate to which the flux was applied was immediately immersed in a solder bath to obtain the zero cross time (sec). Then, five measurements were performed for each of the fluxes of the Examples and Comparative Examples, and the average value of the five obtained zero cross times (sec) was calculated. The test conditions were set as follows:
Immersion speed in solder bath: 5 mm/sec (JIS Z 3198-4:2003)
Immersion depth in solder bath: 2 mm (JIS Z 3198-4:2003)
Immersion time in solder bath: 10 sec (JIS Z 3198-4:2003)
Solder bath temperature: 245°C (JIS C 60068-2-69:2019)
The shorter the average value of the zero cross time (sec), the higher the wetting speed, which means better solder wettability.
(判定基準)
〇:ゼロクロスタイム(sec)の平均値が6秒以下である。
×:ゼロクロスタイム(sec)の平均値が6秒を超える。
(Judgment criteria)
A: The average value of the zero cross time (sec) is 6 seconds or less.
×: The average value of the zero cross time (sec) exceeds 6 seconds.
(2)残渣割れ抑制の評価
1.5x0.25mmの大きさの電極パッドが0.4mmピッチで64列並んだ基板に0.15mmの厚さのメタルマスクを使ってペーストを印刷し、リフロー炉を使用してはんだ付けをした(リフローピーク温度は240℃)。リフロー後、24時間以上常温環境で放置した後、パッド間に存在するフラックス残渣の中にあるクラックの数をカウントし、以下に従って評価した。
〇:残渣割れが15個以下
×:残渣割れが15個超
(2) Evaluation of Residual Crack Inhibition A paste was printed using a 0.15 mm thick metal mask on a substrate with 64 rows of electrode pads, each 1.5 x 0.25 mm in size, arranged at a pitch of 0.4 mm, and soldered using a reflow furnace (reflow peak temperature: 240° C.). After reflow, the substrate was left in a room temperature environment for 24 hours or more, and the number of cracks in the flux residue between the pads was counted and evaluated as follows.
◯: 15 or less residue cracks ×: More than 15 residue cracks
なお、表中のマレイン酸変性ロジンエステル及びマレイン酸変性ロジンアミド化合物は、いずれもその異性体(構造異性体・立体異性体)を含む。 The maleic acid modified rosin ester and maleic acid modified rosin amide compounds in the table all include their isomers (structural isomers and stereoisomers).
本実施形態のフラックスは、マレイン酸変性ロジンエステル、マレイン酸変性ロジンアミド、前記マレイン酸変性ロジンエステルの水添物、及び前記マレイン酸変性ロジンアミドの水添物からなる群より選ばれる1種以上を含有することで、フラックス残渣の残渣割れが抑制され、且つ、はんだ濡れ性にも優れていた。 The flux of this embodiment contains at least one selected from the group consisting of maleic acid modified rosin ester, maleic acid modified rosin amide, hydrogenated maleic acid modified rosin ester, and hydrogenated maleic acid modified rosin amide, thereby suppressing residual cracking of the flux residue and also exhibiting excellent solder wettability.
<はんだ合金の検討>
実施例A1で調製したフラックスと、表7~表12に示す合金組成からなりJIS Z 3284-1:2014における粉末サイズの分類(表2)において記号4を満たすサイズ(粒度分布)のはんだ合金とを混合してはんだペーストを作製した。フラックスとはんだ合金との質量比は、フラックス:はんだ粉末=11:89である。各はんだペーストについて、粘度の経時変化を測定した。また、はんだ粉末の液相線温度及び固相線温度を測定した。さらに、作製直後のはんだペーストを用いて濡れ性の評価を行った。詳細は以下のとおりである。
<Solder alloy considerations>
The flux prepared in Example A1 was mixed with a solder alloy having the alloy composition shown in Tables 7 to 12 and a size (particle size distribution) that satisfies symbol 4 in the powder size classification (Table 2) in JIS Z 3284-1:2014 to prepare a solder paste. The mass ratio of the flux to the solder alloy was flux:solder powder=11:89. The change in viscosity over time was measured for each solder paste. In addition, the liquidus temperature and solidus temperature of the solder powder were measured. Furthermore, wettability was evaluated using the solder paste immediately after preparation. The details are as follows.
(3)経時変化
作製直後の各はんだペーストについて、株式会社マルコム社製:PCU-205を用い、回転数:10rpm、25℃、大気中で12時間粘度を測定した。12時間後の粘度がはんだペーストを作製後30分経過した時の粘度と比較して1.2倍以下であれば、十分な増粘抑制効果が得られたものとして「○」と評価し、1.2倍を超える場合には「×」と評価した。
(3) Change over time For each solder paste immediately after preparation, the viscosity was measured for 12 hours in the atmosphere at 25° C., at a rotation speed of 10 rpm, using a PCU-205 manufactured by Malcom Co., Ltd. If the viscosity after 12 hours was 1.2 times or less compared to the viscosity 30 minutes after preparation of the solder paste, it was evaluated as "○" as a sufficient thickening suppression effect was obtained, and if it exceeded 1.2 times, it was evaluated as "×".
(4)ΔT
フラックスと混合する前のはんだ合金について、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、型番:EXSTAR DSC7020を用い、サンプル量:約30mg、昇温速度:15℃/minにてDSC測定を行い、固相線温度及び液相線温度を得た。得られた液相線温度から固相線温度を引いてΔTを求めた。ΔTが10℃以下の場合に「○」と評価し、10℃を超える場合に「×」と評価した。
(4) ΔT
The solder alloy before mixing with the flux was subjected to DSC measurement using an EXSTAR DSC7020 manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd., with a sample amount of about 30 mg and a heating rate of 15°C/min to obtain the solidus temperature and liquidus temperature. The solidus temperature was subtracted from the obtained liquidus temperature to obtain ΔT. When ΔT was 10°C or less, it was evaluated as "○", and when it exceeded 10°C, it was evaluated as "×".
(5)濡れ性
作製直後の各はんだペーストをCu板上に印刷し、リフロー炉でN2雰囲気中、1℃/sの昇温速度で25℃から260℃まで加熱した後、室温まで冷却した。冷却後のはんだバンプの外観を光学顕微鏡で観察することで濡れ性を評価した。溶融しきれていないはんだ粉末が観察されない場合に「○」と評価し、溶融しきれていないはんだ粉末が観察された場合に「×」と評価した。
(5) Wettability Each solder paste immediately after preparation was printed on a Cu plate, heated in a N2 atmosphere in a reflow furnace from 25°C to 260°C at a heating rate of 1°C/s, and then cooled to room temperature. The wettability was evaluated by observing the appearance of the solder bumps after cooling with an optical microscope. When no incompletely melted solder powder was observed, it was evaluated as "○", and when incompletely melted solder powder was observed, it was evaluated as "×".
(6)総合評価
〇:上記の各評価が全て〇
×:上記の各評価において×あり
(6) Overall evaluation: 〇: All of the above evaluations are 〇 ×: There is an × in each of the above evaluations
表7~12に示すように、全ての実施例Bでは、増粘抑制効果、ΔTの狭窄化、及び優れた濡れ性を示すことがわかった。 As shown in Tables 7 to 12, all of Example B exhibited a thickening suppression effect, narrowing of ΔT, and excellent wettability.
これに対して、比較例B1、B14、B27、B40、B53、及びB66は、Asを含有しないため、増粘抑制効果が発揮されなかった。 In contrast, Comparative Examples B1, B14, B27, B40, B53, and B66 did not exhibit the thickening suppression effect because they did not contain As.
比較例B2、B15、B28、B41、B54、及びB67は、(1)式が下限未満であるため、増粘抑制効果が発揮されなかった。 Comparative examples B2, B15, B28, B41, B54, and B67 did not exhibit the thickening suppression effect because the formula (1) was below the lower limit.
比較例B3、B16、B29、B42、B55、及びB68は、(2)式が上限を超えるため、濡れ性が劣った。 Comparative examples B3, B16, B29, B42, B55, and B68 had poor wettability because the formula (2) exceeded the upper limit.
比較例B4、B5、B17、B18、B30、B31、B43、B44、B56、B57、B69、及びB70は、As含有量および(2)式が上限を超えているため、濡れ性が劣る結果を示した。 Comparative examples B4, B5, B17, B18, B30, B31, B43, B44, B56, B57, B69, and B70 showed poor wettability because the As content and formula (2) exceeded the upper limit.
比較例B6~B8、B19~B21、B32~B34、B45~B47、B58~B60、及びB71~B73は、Sb含有量が上限を超えているため、濡れ性が劣った。 Comparative Examples B6 to B8, B19 to B21, B32 to B34, B45 to B47, B58 to B60, and B71 to B73 had poor wettability because the Sb content exceeded the upper limit.
比較例B9、B10、B22、B23、B35、B36、B48、B49、B61、B62、B74、及びB75は、Bi含有量が上限を超えているため、ΔTが10℃を超える結果を示した。 Comparative examples B9, B10, B22, B23, B35, B36, B48, B49, B61, B62, B74, and B75 showed ΔT exceeding 10°C because the Bi content exceeded the upper limit.
比較例B11、B13、B24、B26、B37、B39、B50、B52、B63、B65、B76、及びB78は、Pb含有量が上限を超えているため、ΔTが10℃を超える結果を示した。 Comparative Examples B11, B13, B24, B26, B37, B39, B50, B52, B63, B65, B76, and B78 showed ΔT exceeding 10°C because the Pb content exceeded the upper limit.
比較例B12、B25、B38、B51、B64、及びB77は、Bi及びPbを含有せず(2)式が成立しなかったため、濡れ性が劣った。 Comparative examples B12, B25, B38, B51, B64, and B77 did not contain Bi or Pb, and therefore formula (2) did not hold, and therefore had poor wettability.
<フラックスとはんだ合金の組み合わせ> <Combination of flux and solder alloy>
実施例A1のフラックスに代えて、実施例A2~A45の各種フラックスをそれぞれ使用し、実施例Bの各種はんだ合金とそれぞれ組み合わせた場合も、増粘抑制効果、ΔT、及び濡れ性において良好な結果が得られた。 When the various fluxes of Examples A2 to A45 were used instead of the flux of Example A1 and combined with the various solder alloys of Example B, good results were obtained in terms of the thickening inhibition effect, ΔT, and wettability.
<フローはんだ付け用フラックス組成物の調製>
以下の表13~15に示す組成で参考例C1~C36のフローはんだ付け用フラックス組成物を調合した。
<Preparation of flux composition for flow soldering>
Flux compositions for flow soldering of Reference Examples C1 to C36 were prepared according to the compositions shown in Tables 13 to 15 below.
本実施形態のフラックスは、フローはんだ付け用フラックスとした場合でも、フラックス残渣の残渣割れが抑制され、且つ、はんだ濡れ性にも優れていた。 The flux of this embodiment suppresses flux residue cracking and has excellent solder wettability, even when used as a flow soldering flux.
Claims (5)
チキソ剤と、を含む、
はんだ合金をはんだ付けするためのフラックス。 a flux composition comprising at least one member selected from the group consisting of a maleic acid modified rosin ester, a maleic acid modified rosin amide, a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin ester, and a hydrogenated product of the maleic acid modified rosin amide ;
A thixotropic agent,
Flux for soldering solder alloys.
アミンを0wt%以上20wt%以下、
有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下、
アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下、又は
酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下
樹脂を0wt%以上80wt%以下、
含む、請求項1又は2のいずれか1項に記載のフラックス。 The flux further comprises:
Amine is 0 wt % or more and 20 wt % or less,
Organic halogen compounds are 0 wt % or more and 5 wt % or less,
Amine hydrohalide salt is 0 wt% or more and 2 wt% or less, or antioxidant is 0 wt% or more and 5 wt% or less, and resin is 0 wt% or more and 80 wt% or less,
The flux according to claim 1 or 2 , comprising:
As:25~300質量ppmと、Pb:0質量ppm超え5100質量ppm以下と、Sb:0質量ppm超え3000質量ppm以下及びBi:0質量ppm超え10000質量ppm以下の少なくとも1種と、残部:Snと、からなる合金組成を有し、下記(1)式及び(2)式:
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
[上記(1)式及び(2)式中、As、Sb、Bi、及びPbは各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す]
を満たす、請求項4記載のはんだペースト。 The solder alloy is
The alloy has an alloy composition consisting of As: 25 to 300 ppm by mass, Pb: more than 0 ppm by mass and not more than 5,100 ppm by mass, Sb: more than 0 ppm by mass and not more than 3,000 ppm by mass, and Bi: more than 0 ppm by mass and not more than 10,000 ppm by mass, and the balance: Sn, and is represented by the following formulas (1) and (2):
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
[In the above formulas (1) and (2), As, Sb, Bi, and Pb each represent the content (ppm by mass) in the alloy composition.]
The solder paste according to claim 4 , which satisfies the above.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/020923 WO2020241687A1 (en) | 2019-05-27 | 2020-05-27 | Flux composition containing maleic acid-modified rosin ester or maleic acid-modified rosin amide, flux containing said composition, and solder paste |
TW109117706A TWI836084B (en) | 2019-05-27 | 2020-05-27 | Flux composition comprising maleic-modified rosin ester or maleic-modified rosin amide, and flux and solder paste containing the same |
CN202080034898.8A CN113811420B (en) | 2019-05-27 | 2020-05-27 | Flux composition comprising maleic acid-modified rosin ester or maleic acid-modified rosin amide, and flux and solder paste comprising the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098782 | 2019-05-27 | ||
JP2019098782 | 2019-05-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021079443A JP2021079443A (en) | 2021-05-27 |
JP7529977B2 true JP7529977B2 (en) | 2024-08-07 |
Family
ID=75963712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020091571A Active JP7529977B2 (en) | 2019-05-27 | 2020-05-26 | Flux composition containing maleic acid modified rosin ester or maleic acid modified rosin amide, flux containing same, and solder paste |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7529977B2 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015042419A (en) | 2013-07-25 | 2015-03-05 | 山栄化学株式会社 | Resin composition for forming solder bump, method for forming solder bump, and member provided with solder bump |
-
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- 2020-05-26 JP JP2020091571A patent/JP7529977B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015042419A (en) | 2013-07-25 | 2015-03-05 | 山栄化学株式会社 | Resin composition for forming solder bump, method for forming solder bump, and member provided with solder bump |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021079443A (en) | 2021-05-27 |
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