JP6676244B1 - Flux and solder paste - Google Patents
Flux and solder paste Download PDFInfo
- Publication number
- JP6676244B1 JP6676244B1 JP2019098607A JP2019098607A JP6676244B1 JP 6676244 B1 JP6676244 B1 JP 6676244B1 JP 2019098607 A JP2019098607 A JP 2019098607A JP 2019098607 A JP2019098607 A JP 2019098607A JP 6676244 B1 JP6676244 B1 JP 6676244B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- flux
- solder paste
- solder
- mass ppm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 102
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 46
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims abstract description 26
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 14
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 150000002896 organic halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 25
- 230000008719 thickening Effects 0.000 abstract description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 25
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 21
- CFQZKFWQLAHGSL-FNTYJUCDSA-N (3e,5e,7e,9e,11e,13e,15e,17e)-18-[(3e,5e,7e,9e,11e,13e,15e,17e)-18-[(3e,5e,7e,9e,11e,13e,15e)-octadeca-3,5,7,9,11,13,15,17-octaenoyl]oxyoctadeca-3,5,7,9,11,13,15,17-octaenoyl]oxyoctadeca-3,5,7,9,11,13,15,17-octaenoic acid Chemical compound OC(=O)C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\OC(=O)C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\OC(=O)C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C\C=C CFQZKFWQLAHGSL-FNTYJUCDSA-N 0.000 description 16
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 12
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 11
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 10
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 10
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 8
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 8
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 7
- -1 p-toluene methane amide Chemical class 0.000 description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 5
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- FTQWRYSLUYAIRQ-UHFFFAOYSA-N n-[(octadecanoylamino)methyl]octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NCNC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FTQWRYSLUYAIRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- YZAZXIUFBCPZGB-QZOPMXJLSA-N (z)-octadec-9-enoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O YZAZXIUFBCPZGB-QZOPMXJLSA-N 0.000 description 3
- OPNUROKCUBTKLF-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N\C(N)=N\C1=CC=CC=C1C OPNUROKCUBTKLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 3
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 150000004671 saturated fatty acids Chemical class 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 3
- MELXIJRBKWTTJH-ONEGZZNKSA-N (e)-2,3-dibromobut-2-ene-1,4-diol Chemical compound OC\C(Br)=C(/Br)CO MELXIJRBKWTTJH-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 2
- OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylguanidine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=N)NC1=CC=CC=C1 OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 12-hydroxyoctadecanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC(O)=O ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXYNQEOLHRWEPE-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromobutane-1,4-diol Chemical compound OCC(Br)C(Br)CO OXYNQEOLHRWEPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1O GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQXPVVBIMDBYFF-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxyphenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=C(O)C=C1 XQXPVVBIMDBYFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 235000004443 Ricinus communis Nutrition 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N dipicolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=N1 WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 2
- CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N icosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N pinacol Chemical compound CC(C)(O)C(C)(C)O IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 2
- 229960002920 sorbitol Drugs 0.000 description 2
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 2
- FMZUHGYZWYNSOA-VVBFYGJXSA-N (1r)-1-[(4r,4ar,8as)-2,6-diphenyl-4,4a,8,8a-tetrahydro-[1,3]dioxino[5,4-d][1,3]dioxin-4-yl]ethane-1,2-diol Chemical compound C([C@@H]1OC(O[C@@H]([C@@H]1O1)[C@H](O)CO)C=2C=CC=CC=2)OC1C1=CC=CC=C1 FMZUHGYZWYNSOA-VVBFYGJXSA-N 0.000 description 1
- CTPBWPYKMGMLGS-CIAFKFPVSA-N (3s,4s,5s,6r)-1,8-bis(4-methylphenyl)octa-1,7-diene-2,3,4,5,6,7-hexol Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C=C(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=CC1=CC=C(C)C=C1 CTPBWPYKMGMLGS-CIAFKFPVSA-N 0.000 description 1
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVKUMHCVHAVPON-AUYXYSRISA-N (9z,28z)-heptatriaconta-9,28-dienediamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O ZVKUMHCVHAVPON-AUYXYSRISA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- DSESGJJGBBAHNW-UHFFFAOYSA-N (e)-[amino(anilino)methylidene]-phenylazanium;bromide Chemical compound Br.C=1C=CC=CC=1N=C(N)NC1=CC=CC=C1 DSESGJJGBBAHNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-Hexanetriol Chemical compound OCCCCC(O)CO ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZUPFZNVGSWLQC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(2,3-dibromopropyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound BrCC(Br)CN1C(=O)N(CC(Br)CBr)C(=O)N(CC(Br)CBr)C1=O NZUPFZNVGSWLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(prop-2-enyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound C=CCN1C(=O)N(CC=C)C(=O)N(CC=C)C1=O KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIHQZLPHVZKELA-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromopropan-2-ol Chemical compound BrCC(O)CBr KIHQZLPHVZKELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSSRAPMBSMSACN-UHFFFAOYSA-N 1,4-dibromobutan-2-ol Chemical compound BrCC(O)CCBr PSSRAPMBSMSACN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBODPHKDNYVCEJ-UHFFFAOYSA-M 1-benzyl-3-dodecyl-2-methylimidazol-1-ium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCN1C=C[N+](CC=2C=CC=CC=2)=C1C PBODPHKDNYVCEJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WEGOLYBUWCMMMY-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-propanol Chemical compound CC(O)CBr WEGOLYBUWCMMMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMRXISNUOWIOKV-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutan-2-ol Chemical compound CCC(O)CBr DMRXISNUOWIOKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940114072 12-hydroxystearic acid Drugs 0.000 description 1
- RDYWHMBYTHVOKZ-UHFFFAOYSA-N 18-hydroxyoctadecanamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCCO RDYWHMBYTHVOKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHSVWKJCURCWFU-UHFFFAOYSA-N 19-[3-(19-amino-19-oxononadecyl)phenyl]nonadecanamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC(CCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O)=C1 XHSVWKJCURCWFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical compound OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid Chemical compound CCC(CO)(CO)C(O)=O JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VESQWGARFWAICR-UHFFFAOYSA-N 2,2-dihydroxyoctadecanamide;ethene Chemical compound C=C.CCCCCCCCCCCCCCCCC(O)(O)C(N)=O VESQWGARFWAICR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWVCIORZLNBIIC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromopropan-1-ol Chemical compound OCC(Br)CBr QWVCIORZLNBIIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2N(CCC3)C3=NC2=C1 RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940082044 2,3-dihydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 2,4,7,9-tetramethyldec-5-yne-4,7-diol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#CC(C)(O)CC(C)C LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJRJDENLRJHEJO-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylpentane-1,5-diol Chemical compound CCC(CO)CC(CC)CO OJRJDENLRJHEJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHJUECRFYCQBMW-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhex-3-yne-2,5-diol Chemical compound CC(C)(O)C#CC(C)(C)O IHJUECRFYCQBMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-2,5-diol Chemical compound CC(C)(O)CCC(C)(C)O ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHOJVZAEHZGDRB-UHFFFAOYSA-N 2-(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC1=NC(N)=NC(N)=N1 HHOJVZAEHZGDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNXJYDMXAJDPRV-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-1-yl)butanedioic acid Chemical compound C1=CC=C2N(C(C(O)=O)CC(=O)O)N=NC2=C1 JNXJYDMXAJDPRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCTDIZASAFCTSA-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-1-ylmethyl)butanedioic acid Chemical compound C1=CC=C2N(CC(CC(=O)O)C(O)=O)N=NC2=C1 RCTDIZASAFCTSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(2-methylbutan-2-yl)phenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)CC)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1O ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYAZLDLPUNDVAG-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenol Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 IYAZLDLPUNDVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHTJRKQAETUUQH-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethyl)octadecanamide Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCC(CO)C(N)=O KHTJRKQAETUUQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 2-[2,2-bis(hydroxymethyl)butoxymethyl]-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCC(CO)(CO)COCC(CC)(CO)CO WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethylhexoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCOCCO OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHDIDYOAZNPBV-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl-[(4-methylbenzotriazol-1-yl)methyl]amino]ethanol Chemical compound CC1=CC=CC2=C1N=NN2CN(CCO)CCO ZUHDIDYOAZNPBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEGLETKSWODEBL-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-(benzotriazol-2-yl)-2-hydroxy-5-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenyl]methyl]-6-tert-butyl-4-methylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C=2)C(C)(C)CC(C)(C)C)N2N=C3C=CC=CC3=N2)O)=C1O LEGLETKSWODEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSMPBJCKGWINIB-UHFFFAOYSA-N 2-heptan-3-yl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(C(CC)CCCC)=NC2=C1 VSMPBJCKGWINIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDZYRENCLPUXAX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(C)=NC2=C1 LDZYRENCLPUXAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1=NCCN1 VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YECSLYXTXWSKBO-UHFFFAOYSA-N 2-nonyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(CCCCCCCCC)=NC2=C1 YECSLYXTXWSKBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRMWQHINYNTMNS-UHFFFAOYSA-N 2-octyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(CCCCCCCC)=NC2=C1 IRMWQHINYNTMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYGJENONTDCXGW-UHFFFAOYSA-N 2-pentyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(CCCCC)=NC2=C1 OYGJENONTDCXGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKCCAYLNRIRKDJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound N1CCN=C1C1=CC=CC=C1 BKCCAYLNRIRKDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVFFZQQWIZURIO-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C1=CC=CC=C1 LVFFZQQWIZURIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXSYTUFGOMKSBW-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole;2-tert-butyl-6-(5-chlorobenzotriazol-2-yl)-4-methylphenol Chemical compound C1=CC=CC2=NNN=C21.CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(N2N=C3C=C(Cl)C=CC3=N2)=C1O MXSYTUFGOMKSBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUYADIDKTLPDGG-UHFFFAOYSA-N 3,6-dimethyloct-4-yne-3,6-diol Chemical compound CCC(C)(O)C#CC(C)(O)CC NUYADIDKTLPDGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 3-(5,6,6-Trimethylbicyclo[2.2.1]hept-1-yl)cyclohexanol Chemical compound CC1(C)C(C)C2CC1CC2C1CCCC(O)C1 BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGYUEZQGJJLCKF-UHFFFAOYSA-N 3-(5-methyl-1h-imidazol-2-yl)pyridine Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CN=C1 WGYUEZQGJJLCKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQFUZUMFPRMVDX-UHFFFAOYSA-N 3-Bromo-1-propanol Chemical compound OCCCBr RQFUZUMFPRMVDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HENCHDCLZDQGIQ-UHFFFAOYSA-N 3-[3,5-bis(2-carboxyethyl)-2,4,6-trioxo-1,3,5-triazinan-1-yl]propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCN1C(=O)N(CCC(O)=O)C(=O)N(CCC(O)=O)C1=O HENCHDCLZDQGIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIBFQOUHOCRXDL-UHFFFAOYSA-N 3-bromopropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CBr SIBFQOUHOCRXDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHWMCDZEISUCQ-UHFFFAOYSA-N 3-cyclopropylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=C1C1CC1 LRHWMCDZEISUCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUSVGJXBHWDGGA-UHFFFAOYSA-N 4-cyclopropylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound C1=NC(C(=O)O)=CC(C2CC2)=C1 WUSVGJXBHWDGGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzoic acid Chemical compound COC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHWPLVADYFRELA-UHFFFAOYSA-N 6-cyclobutylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C2CCC2)=N1 AHWPLVADYFRELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBQDXBQQWQLBAD-UHFFFAOYSA-N 6-cyclopropylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C2CC2)=N1 IBQDXBQQWQLBAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=C)=N1 ZXLYUNPVVODNRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZHQVVTTWPBVHQ-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.NC1=NC(N)=NC(C=C)=N1 UZHQVVTTWPBVHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKCFVDRVMFLUJV-UHFFFAOYSA-N 6-ethylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound CCC1=CC=CC(C(O)=O)=N1 PKCFVDRVMFLUJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTUUGSGSUZRPRV-UHFFFAOYSA-N 6-methylpyridine-2-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C(O)=O)=N1 LTUUGSGSUZRPRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N D-threitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- ORAWFNKFUWGRJG-UHFFFAOYSA-N Docosanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O ORAWFNKFUWGRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGMPVYSXXIOGJY-UHFFFAOYSA-N Fusaric acid Chemical compound CCCCC1=CC=C(C(O)=O)N=C1 DGMPVYSXXIOGJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- HSRJKNPTNIJEKV-UHFFFAOYSA-N Guaifenesin Chemical compound COC1=CC=CC=C1OCC(O)CO HSRJKNPTNIJEKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBPWECBBZZNAIE-UHFFFAOYSA-N aniline;hydron;bromide Chemical compound Br.NC1=CC=CC=C1 KBPWECBBZZNAIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMCPOSDMTGQNKG-UHFFFAOYSA-N anilinium chloride Chemical compound Cl.NC1=CC=CC=C1 MMCPOSDMTGQNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 150000008430 aromatic amides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQUNFJULCYSSOP-UHFFFAOYSA-N bisoctrizole Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=NN1C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C=2)C(C)(C)CC(C)(C)C)N2N=C3C=CC=CC3=N2)O)=C1O FQUNFJULCYSSOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-IMJSIDKUSA-N cis-4-Hydroxy-L-proline Chemical compound O[C@@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCC(C(O)=O)C1 XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJUGSKJHHWASAF-UHFFFAOYSA-N cyclohexylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].[NH3+]C1CCCCC1 ZJUGSKJHHWASAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- ILRSCQWREDREME-UHFFFAOYSA-N dodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(N)=O ILRSCQWREDREME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFQOFGWPGYRLAO-UHFFFAOYSA-N dodecanamide;ethene Chemical compound C=C.CCCCCCCCCCCC(N)=O.CCCCCCCCCCCC(N)=O GFQOFGWPGYRLAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N erucamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(N)=O UAUDZVJPLUQNMU-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 description 1
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 description 1
- PNZDZRMOBIIQTC-UHFFFAOYSA-N ethanamine;hydron;bromide Chemical compound Br.CCN PNZDZRMOBIIQTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUEYHEWXYWCDHA-UHFFFAOYSA-N ethyl 5-methylthiadiazole-4-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)C=1N=NSC=1C TUEYHEWXYWCDHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FEEPBTVZSYQUDP-UHFFFAOYSA-N heptatriacontanediamide Chemical compound NC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O FEEPBTVZSYQUDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLBJFXNAEMSXGL-UHFFFAOYSA-N het anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1(Cl)C(Cl)=C(Cl)C2(Cl)C1(Cl)Cl FLBJFXNAEMSXGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N hexadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O HSEMFIZWXHQJAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMYQHJDBLRZMLW-UHFFFAOYSA-N methanolamine Chemical class NCO XMYQHJDBLRZMLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZPXKEPZZOEPGX-UHFFFAOYSA-N n,n-dibutylaniline Chemical compound CCCCN(CCCC)C1=CC=CC=C1 FZPXKEPZZOEPGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKQVTLCUHATGDD-UHFFFAOYSA-N n-(benzotriazol-1-ylmethyl)-2-ethyl-n-(2-ethylhexyl)hexan-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(CN(CC(CC)CCCC)CC(CC)CCCC)N=NC2=C1 OKQVTLCUHATGDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKNQRTHJUNFJ-UHFFFAOYSA-N n-(benzotriazol-1-ylmethyl)-2-ethylhexan-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(CNCC(CC)CCCC)N=NC2=C1 QGLKNQRTHJUNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 229960002969 oleic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229960004274 stearic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003784 tall oil Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- WJCNZQLZVWNLKY-UHFFFAOYSA-N thiabendazole Chemical compound S1C=NC(C=2NC3=CC=CC=C3N=2)=C1 WJCNZQLZVWNLKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
【課題】増粘抑制効果に優れたはんだペーストの提供。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物と、ロジンと、溶剤とを含有するフラックスと、As:25〜300質量ppm、Bi:0〜25000質量ppm、Pb:0超〜8000質量ppm、及び残部がSnからなる合金組成を有し、下記(1)式及び(2)式:275≦2As+Bi+Pb(1)、0<2.3×10-4×Bi+8.2×10-4×Pb≦7(2)[上記(1)式及び(2)式中、As、Bi、及びPbは各々前記合金組成での含有量を表す]を満たすはんだ合金と、を含む、はんだペースト。【選択図】なしPROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solder paste having an excellent thickening suppressing effect. A flux containing a compound represented by the following general formula (1), a rosin, and a solvent, As: 25 to 300 mass ppm, Bi: 0 to 25,000 mass ppm, Pb: more than 0 to 8000. The alloy composition has mass ppm and the balance is Sn, and the following formulas (1) and (2): 275 ≦ 2As + Bi + Pb (1), 0 <2.3 × 10 −4 × Bi + 8.2 × 10 −4 Solder paste containing a solder alloy satisfying × Pb ≦ 7 (2) [in the formulas (1) and (2), As, Bi, and Pb each represent the content in the alloy composition]. [Selection diagram] None
Description
本発明は、はんだ付けに用いられるフラックス及びこのフラックスを用いたはんだペーストに関する。 The present invention relates to a flux used for soldering and a solder paste using the flux.
はんだ組成物(はんだペースト)は、はんだ粉末にフラックス組成物(ロジン系樹脂、活性剤および溶剤など)を混練してペースト状にした混合物である。このはんだ組成物においては、はんだ溶融性やはんだが塗れ広がりやすいという性質(はんだ塗れ広がり)とともに、リフロー後にパッド(ランド)間に発生するはんだボールの抑制や印刷性が要求されている。これらの要求特性の中でも、実装基板などの生産性の観点から、特に高度の印刷性(連続印刷時の粘度安定性およびその他の諸特性)が要求される場合がある。また、実装基板の小型化の観点から、はんだボールのより確実な抑制も併せて要求される場合がある。これらの問題を解決するために、フラックス組成物中の活性剤などの検討がされている(例えば、特許文献1)。 The solder composition (solder paste) is a mixture obtained by kneading a flux composition (a rosin-based resin, an activator, a solvent, and the like) with a solder powder to form a paste. The solder composition is required to have solder melting property and a property that solder is easily spread and spread (solder spread and spread), as well as suppression of solder balls generated between pads (lands) after reflow and printability. Among these required characteristics, a particularly high printability (viscosity stability at the time of continuous printing and other various characteristics) may be required from the viewpoint of productivity of a mounting board or the like. Further, from the viewpoint of miniaturization of the mounting board, more reliable suppression of solder balls may be required at the same time. In order to solve these problems, studies have been made on an activator and the like in a flux composition (for example, Patent Document 1).
しかしながら、特許文献1に記載のはんだペーストは、増粘抑制の観点からは未だ十分であるとはいえない。 However, the solder paste described in Patent Document 1 is not yet sufficient from the viewpoint of suppressing thickening.
本発明は、このような課題を解決するためなされたもので、増粘抑制効果に優れたはんだペーストを提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a solder paste having an excellent effect of suppressing thickening.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、一般式(1)で表される特定活性剤を含むフラックスと、特定の組成を有するはんだ合金を組み合わせたはんだペーストにより、増粘抑制効果を向上させることができることを見出した。 The present inventors have conducted intensive studies in order to solve the above-described problems, and as a result, have increased the use of a solder paste combining a flux containing a specific activator represented by the general formula (1) and a solder alloy having a specific composition. It has been found that the viscosity suppressing effect can be improved.
すなわち、本発明は以下のとおりである。
[1]
下記一般式(1)で表される化合物と、ロジンと、溶剤とを含有するフラックスと、
As:25〜300質量ppm、Bi:0質量ppm以上25000質量ppm以下、Pb:0質量ppm超え8000質量ppm以下、及び残部がSnからなる合金組成を有し、下記(1)式及び(2)式:
275≦2As+Bi+Pb (1)
0<2.3×10-4×Bi+8.2×10-4×Pb≦7 (2)
[上記(1)式及び(2)式中、As、Bi、及びPbは各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す]
を満たすはんだ合金と、
を含む、はんだペースト。
That is, the present invention is as follows.
[1]
A flux containing a compound represented by the following general formula (1), rosin, and a solvent,
As: 25 to 300 mass ppm, Bi: 0 mass ppm or more to 25,000 mass ppm, Pb: more than 0 mass ppm to 8000 mass ppm, and the balance has an alloy composition consisting of Sn, and the following formula (1) and (2) )formula:
275 ≦ 2As + Bi + Pb (1)
0 <2.3 × 10 −4 × Bi + 8.2 × 10 −4 × Pb ≦ 7 (2)
[In the above formulas (1) and (2), As, Bi, and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition]
A solder alloy that satisfies
Including, solder paste.
[式(1)中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を示す。]
[2]
前記一般式(1)で表される化合物が、ピコリン酸であることを特徴とする、上記[1]に記載のはんだペースト。
[3]
前記フラックスはチキソ剤をさらに含む、上記[1]又は[2]に記載のはんだペースト。
[4]
前記フラックスは前記一般式(1)で表される化合物を0.5wt%以上7.0wt%以下含むことを特徴とする、上記[1]から[3]の何れかに記載のはんだペースト。
[5]
前記フラックスは前記ロジンを30wt%以上60wt%以下含むことを特徴とする、上記[1]から[4]の何れかに記載のはんだペースト。
[6]
前記フラックスは前記チキソ剤を合計量として0wt%以上15wt%以下含むことを特徴とする、上記[3]から[5]の何れかに記載のはんだペースト。
[7]
前記フラックスは、さらに、
アミンを0wt%以上20wt%以下、
有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下、
アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下、又は
酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下
含む、上記[1]から[6]の何れかに記載のはんだペースト。
[8]
前記フラックスは有機酸をさらに含み、
前記一般式(1)で表される化合物と前記有機酸の合計量が3wt%以上である、上記[1]から[7]の何れかに記載のはんだペースト。
[9]
As:25〜300質量ppm、Bi:0質量ppm以上25000質量ppm以下、Pb:0質量ppm超え8000質量ppm以下、及び残部がSnからなる合金組成を有し、下記(1)式及び(2)式:
275≦2As+Bi+Pb (1)
0<2.3×10-4×Bi+8.2×10-4×Pb≦7 (2)
[上記(1)式及び(2)式中、As、Bi、及びPbは各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す]
を満たすはんだ合金をはんだ付けするためのフラックスであって、
下記一般式(1)で表される化合物と、ロジンと、溶剤とを含有するフラックス。
[In the formula (1), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. ]
[2]
The solder paste according to [1], wherein the compound represented by the general formula (1) is picolinic acid.
[3]
The solder paste according to [1] or [2], wherein the flux further includes a thixotropic agent.
[4]
The solder paste according to any of [1] to [3], wherein the flux contains the compound represented by the general formula (1) in an amount of 0.5 wt% to 7.0 wt%.
[5]
The solder paste according to any one of [1] to [4], wherein the flux contains the rosin in an amount of 30 wt% to 60 wt%.
[6]
The solder paste according to any of [3] to [5], wherein the flux contains the thixotropic agent in a total amount of 0 wt% to 15 wt%.
[7]
The flux further comprises:
Amine in a range of 0 wt% to 20 wt%,
0% to 5% by weight of an organic halogen compound;
The solder paste according to any one of [1] to [6], wherein the solder paste contains 0% to 2% by weight of an amine hydrohalide or 0% to 5% by weight of an antioxidant.
[8]
The flux further includes an organic acid,
The solder paste according to any of [1] to [7], wherein the total amount of the compound represented by the general formula (1) and the organic acid is 3 wt% or more.
[9]
As: 25 to 300 mass ppm, Bi: 0 mass ppm or more to 25,000 mass ppm, Pb: more than 0 mass ppm to 8000 mass ppm, and the balance has an alloy composition consisting of Sn, and the following formula (1) and (2) )formula:
275 ≦ 2As + Bi + Pb (1)
0 <2.3 × 10 −4 × Bi + 8.2 × 10 −4 × Pb ≦ 7 (2)
[In the above formulas (1) and (2), As, Bi, and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition]
Flux for soldering a solder alloy that satisfies
A flux containing a compound represented by the following general formula (1), rosin, and a solvent.
[式(1)中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を示す。] [In the formula (1), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. ]
本発明のはんだペーストでは、特定活性剤として上記一般式(1)で表される化合物を含有するフラックスと、特定の組成を有するはんだ合金を組み合わせることで、増粘抑制効果を高めることができる。 In the solder paste of the present invention, by combining a flux containing the compound represented by the general formula (1) as a specific activator with a solder alloy having a specific composition, the effect of suppressing thickening can be enhanced.
<本実施の形態のフラックスの一例>
本実施の形態のフラックスは、一般式(1)で表される化合物と、ロジンと、溶剤とを含有する。
<Example of flux of the present embodiment>
The flux of the present embodiment contains a compound represented by the general formula (1), rosin, and a solvent.
本実施の形態のフラックスは、チキソ剤を含んでいてもよい。
チキソ剤としては、ワックス系チキソ剤、アマイド系チキソ剤、ソルビトール系チキソ剤等が挙げられる。ワックス系チキソ剤としては例えばヒマシ硬化油等が挙げられる。アマイド系チキソ剤としては、モノアマイド系チキソ剤、ビスアマイド系チキソ剤、ポリアマイド系チキソ剤が挙げられ、具体的には、ラウリン酸アマイド、パルミチン酸アマイド、ステアリン酸アマイド、ベヘン酸アマイド、ヒドロキシステアリン酸アマイド、飽和脂肪酸アマイド、オレイン酸アマイド、エルカ酸アマイド、不飽和脂肪酸アマイド、p−トルエンメタンアマイド、芳香族アマイド、メチレンビスステアリン酸アマイド、エチレンビスラウリン酸アマイド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アマイド、飽和脂肪酸ビスアマイド、メチレンビスオレイン酸アマイド、不飽和脂肪酸ビスアマイド、m−キシリレンビスステアリン酸アマイド、芳香族ビスアマイド、飽和脂肪酸ポリアマイド、不飽和脂肪酸ポリアマイド、芳香族ポリアマイド、置換アマイド、メチロールステアリン酸アマイド、メチロールアマイド、脂肪酸エステルアマイド等が挙げられる。ソルビトール系チキソ剤としては、ジベンジリデン−D−ソルビトール、ビス(4−メチルベンジリデン)−D−ソルビトール等が挙げられる。
The flux of the present embodiment may contain a thixotropic agent.
Examples of the thixo agent include a wax thixo agent, an amide thixo agent, and a sorbitol thixo agent. Examples of the wax-based thixotropic agent include castor hardened oil. Amide-based thixotropic agents include monoamide-based thixotropic agents, bisamide-based thixotropic agents, and polyamide-based thixotropic agents.Specifically, lauric acid amide, palmitic acid amide, stearic acid amide, behenic acid amide, hydroxystearic acid amide , Saturated fatty acid amide, oleic acid amide, erucic acid amide, unsaturated fatty acid amide, p-toluene methane amide, aromatic amide, methylene bisstearic acid amide, ethylene bislauric amide, ethylene bishydroxystearic acid amide, saturated fatty acid bis amide , Methylene bisoleic acid amide, unsaturated fatty acid bisamide, m-xylylene bisstearic acid amide, aromatic bisamide, saturated fatty acid polyamide, unsaturated fatty acid polyamide, aromatic Polyamide, substituted amide, methylol stearic acid amide, methylol amide, fatty acid ester amide, and the like. Examples of the sorbitol thixotropic agent include dibenzylidene-D-sorbitol, bis (4-methylbenzylidene) -D-sorbitol, and the like.
また、本実施の形態のフラックスは、チキソ剤としてエステル化合物を含んでいてもよい。エステル化合物としては、例えば、ヒマシ硬化油等が挙げられる。 Further, the flux of the present embodiment may contain an ester compound as a thixotropic agent. Examples of the ester compound include castor hardened oil.
フラックスに含まれるチキソ剤の合計量は、0wt%以上15wt%以下であることが好ましく、0wt%以上10wt%以下であることがより好ましい。また、アマイド系チキソ剤の含有量は好ましくは0wt%以上12wt%以下であり、エステル化合物の含有量は好ましくは0wt%以上8.0wt%以下、より好ましくは0wt%以上4.0wt%以下である。 The total amount of the thixotropic agent contained in the flux is preferably from 0 wt% to 15 wt%, more preferably from 0 wt% to 10 wt%. Further, the content of the amide-based thixotropic agent is preferably from 0 wt% to 12 wt%, and the content of the ester compound is preferably from 0 wt% to 8.0 wt%, more preferably from 0 wt% to 4.0 wt%. is there.
<特定活性剤>
本実施の形態のフラックスは、特定活性剤として、下記一般式(1)で表される化合物を含有する。
<Specific activator>
The flux of the present embodiment contains a compound represented by the following general formula (1) as a specific activator.
前記一般式(1)において、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す。炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、シクロブチル基が挙げられる。中でも、R1、R2、R3およびR4は、水素原子、メチル基、エチル基、シクロプロピル基であることが好ましく、水素原子、メチル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。R1、R2、R3およびR4は、同一でもよいし、異なっていてもよい。 In Formula (1), R 1, R 2, R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a cyclopropyl group, a butyl group, and a cyclobutyl group. Among them, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are preferably a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a cyclopropyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group, and more preferably a hydrogen atom. Is particularly preferred. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different.
前記一般式(1)で表される化合物としては、ピコリン酸、6−メチルピコリン酸、6−エチルピコリン酸、3−シクロプロピルピコリン酸、4−シクロプロピルピコリン酸、6−シクロプロピルピコリン酸、5−ブチルピコリン酸、6−シクロブチルピコリン酸などが挙げられる。これらの中でも、ピコリン酸が特に好ましい。
一般式(1)で表される化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
Examples of the compound represented by the general formula (1) include picolinic acid, 6-methylpicolinic acid, 6-ethylpicolinic acid, 3-cyclopropylpicolinic acid, 4-cyclopropylpicolinic acid, 6-cyclopropylpicolinic acid, 5-butylpicolinic acid, 6-cyclobutylpicolinic acid and the like. Among these, picolinic acid is particularly preferred.
As the compound represented by the general formula (1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
本実施の形態のフラックスは、一般式(1)で表される化合物を0.5wt%以上7wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは、一般式(1)で表される化合物を1.0wt%以上5.0wt%以下含む。 The flux of the present embodiment preferably contains the compound represented by the general formula (1) in an amount of 0.5 wt% or more and 7 wt% or less, more preferably 1.0 wt% of the compound represented by the general formula (1). % Or more and 5.0 wt% or less.
ロジンとしては、例えば、ガムロジン、ウッドロジン及びトール油ロジン等の原料ロジン、並びに該原料ロジンから得られる誘導体が挙げられる。該誘導体としては、例えば、精製ロジン、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン、酸変性ロジン、フェノール変性ロジン及びα,β不飽和カルボン酸変性物(アクリル化ロジン、マレイン化ロジン、フマル化ロジン等)、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α,β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物等が挙げられ、これらの1種または2種以上を使用することができる。 Examples of the rosin include raw rosins such as gum rosin, wood rosin and tall oil rosin, and derivatives obtained from the raw rosin. Examples of the derivative include purified rosin, hydrogenated rosin, disproportionated rosin, polymerized rosin, acid-modified rosin, phenol-modified rosin, and α, β unsaturated carboxylic acid-modified products (acrylated rosin, maleated rosin, fumaric rosin, Rosin, etc.), and purified, hydrogenated and disproportionated products of the polymerized rosin, and purified, hydrided and disproportionated products of the α, β unsaturated carboxylic acid-modified product. Two or more can be used.
本実施の形態のフラックスは、ロジンを30wt%以上60wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは、ロジンを35wt%以上60wt%以下含む。 The flux of the present embodiment preferably contains rosin in an amount of 30% by weight or more and 60% by weight or less, more preferably 35% by weight or more and 60% by weight or less of rosin.
溶剤としては、水、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類等が挙げられる。アルコール系溶剤としてはイソプロピルアルコール、1,2−ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオール、2,5−ジメチル−3−ヘキシン−2,5−ジオール、2,3−ジメチル−2,3−ブタンジオール、1,1,1−トリス(ヒドロキシメチル)エタン、2−エチル−2−ヒドロキシメチル−1,3−プロパンジオール、2,2’−オキシビス(メチレン)ビス(2−エチル−1,3−プロパンジオール)、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオール、1,2,6−トリヒドロキシヘキサン、ビス[2,2,2−トリス(ヒドロキシメチル)エチル]エーテル、1−エチニル−1−シクロヘキサノール、1,4−シクロヘキサンジオール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、エリトリトール、トレイトール、グアヤコールグリセロールエーテル、3,6−ジメチル−4−オクチン−3,6−ジオール、2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール等が挙げられる。グリコールエーテル系溶剤としては、ヘキシルジグリコール、ジエチレングリコールモノ−2−エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、2−メチルペンタン−2,4−ジオール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the solvent include water, alcohol solvents, glycol ether solvents, terpineols, and the like. Examples of alcohol solvents include isopropyl alcohol, 1,2-butanediol, isobornylcyclohexanol, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol, 2,5 -Dimethyl-2,5-hexanediol, 2,5-dimethyl-3-hexyne-2,5-diol, 2,3-dimethyl-2,3-butanediol, 1,1,1-tris (hydroxymethyl) Ethane, 2-ethyl-2-hydroxymethyl-1,3-propanediol, 2,2′-oxybis (methylene) bis (2-ethyl-1,3-propanediol), 2,2-bis (hydroxymethyl) -1,3-propanediol, 1,2,6-trihydroxyhexane, bis [2,2,2-tris (hydroxymethyl) ethyl] ate 1,1-ethynyl-1-cyclohexanol, 1,4-cyclohexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, erythritol, threitol, guaiacol glycerol ether, 3,6-dimethyl-4-octyne-3,6-diol, 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol and the like. Examples of glycol ether solvents include hexyl diglycol, diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, 2-methylpentane-2,4-diol, diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, and triethylene glycol monobutyl ether. And tetraethylene glycol monomethyl ether.
本実施の形態のフラックスは、さらに、有機酸(一般式(1)で表される化合物を除く)、アミン、ハロゲン(有機ハロゲン化合物、アミンハロゲン化水素酸塩)を含んでもよい。本実施の形態のフラックスは、有機酸を0wt%以上10wt%以下含むことが好ましい。本実施の形態のフラックスは、アミンを0wt%以上20wt%以下含むことが好ましく、より好ましくは、アミンを0wt%以上5wt%以下含む。本実施の形態のフラックスは、ハロゲンとして有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下含むことが好ましく、アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下含むことが好ましい。 The flux of the present embodiment may further contain an organic acid (excluding the compound represented by the general formula (1)), an amine, and a halogen (organic halogen compound, amine hydrohalide). The flux of the present embodiment preferably contains an organic acid in a range of 0 wt% to 10 wt%. The flux of the present embodiment preferably contains the amine in an amount of 0 wt% or more and 20 wt% or less, and more preferably the amine contains 0 wt% or more and 5 wt% or less. The flux of the present embodiment preferably contains an organic halogen compound as halogen in an amount of 0 wt% to 5 wt%, and preferably contains an amine hydrohalide salt in an amount of 0 wt% to 2 wt%.
また、一般式(1)で表される化合物と有機酸の合計量は、3wt%以上であることが好ましく、より好ましくは6.5wt%以上である。 Further, the total amount of the compound represented by the general formula (1) and the organic acid is preferably at least 3 wt%, more preferably at least 6.5 wt%.
有機酸(一般式(1)で表される化合物を除く)としては、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、エイコサン二酸、クエン酸、グリコール酸、コハク酸、サリチル酸、ジグリコール酸、ジピコリン酸、ジブチルアニリンジグリコール酸、スベリン酸、セバシン酸、チオグリコール酸、テレフタル酸、ドデカン二酸、パラヒドロキシフェニル酢酸、フェニルコハク酸、フタル酸、フマル酸、マレイン酸、マロン酸、ラウリン酸、安息香酸、酒石酸、イソシアヌル酸トリス(2−カルボキシエチル)、グリシン、1,3−シクロヘキサンジカルボン酸、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)ブタン酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジエチルグルタル酸、2−キノリンカルボン酸、3−ヒドロキシ安息香酸、リンゴ酸、p−アニス酸、ステアリン酸、12−ヒドロキシステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられる。 Examples of the organic acids (excluding the compound represented by the general formula (1)) include glutaric acid, adipic acid, azelaic acid, eicosane diacid, citric acid, glycolic acid, succinic acid, salicylic acid, diglycolic acid, dipicolinic acid, Dibutylaniline diglycolic acid, suberic acid, sebacic acid, thioglycolic acid, terephthalic acid, dodecandioic acid, parahydroxyphenylacetic acid, phenylsuccinic acid, phthalic acid, fumaric acid, maleic acid, malonic acid, lauric acid, benzoic acid, Tartaric acid, tris (2-carboxyethyl) isocyanurate, glycine, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 2,2-bis (hydroxymethyl) propionic acid, 2,2-bis (hydroxymethyl) butanoic acid, 2,3- Dihydroxybenzoic acid, 2,4-diethylglutaric acid, 2-quinolinecarboxylic acid, - hydroxybenzoic acid, malic acid, p- anisic acid, stearic acid, 12-hydroxystearic acid, oleic acid, linoleic acid, and linolenic acid.
また、有機酸としては、ダイマー酸、トリマー酸、ダイマー酸に水素を添加した水添物である水添ダイマー酸、トリマー酸に水素を添加した水添物である水添トリマー酸が挙げられる。 Examples of the organic acid include dimer acid, trimer acid, hydrogenated dimer acid which is a hydrogenated product obtained by adding hydrogen to dimer acid, and hydrogenated trimer acid which is a hydrogenated product obtained by adding hydrogen to trimer acid.
例えば、オレイン酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とメタクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とメタクリル酸の反応物であるトリマー酸、オレイン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸の反応物であるトリマー酸、リノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノレン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とオレイン酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とオレイン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とオレイン酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とオレイン酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノール酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノール酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、オレイン酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸とリノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸とリノレン酸の反応物であるトリマー酸、上述した各ダイマー酸の水添物である水添ダイマー酸、上述した各トリマー酸の水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。 For example, dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, trimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid, trimer acid which is a reaction product of acrylic acid, and methacrylic acid Dimer acid, which is a reactant of methacrylic acid, dimer acid which is a reactant of acrylic acid and methacrylic acid, trimer acid which is a reactant of acrylic acid and methacrylic acid, and a reactant of oleic acid Certain dimer acids, trimer acid which is a reaction product of oleic acid, dimer acid which is a reaction product of linoleic acid, trimer acid which is a reaction product of linoleic acid, dimer acid which is a reaction product of linolenic acid, and a reaction product of linolenic acid Certain trimer acids, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, trimer acid which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, Dimer acid which is a reaction product of lylic acid and linoleic acid, trimer acid which is a reaction product of acrylic acid and linoleic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid, and a trimer which is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid Acid, dimer acid which is a reaction product of methacrylic acid and oleic acid, trimer acid which is a reaction product of methacrylic acid and oleic acid, dimer acid which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid Certain trimer acid, dimer acid which is a reaction product of methacrylic acid and linolenic acid, trimer acid which is a reaction product of methacrylic acid and linolenic acid, dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linolenic acid, reaction of oleic acid and linolenic acid Dimer acid, a reaction product of linoleic acid and linolenic acid, and a reaction product of linoleic acid and linolenic acid Trimer acid that, hydrogenated dimer acid which is a hydrogenation product of the dimer acid as described above, hydrogenated trimer acid, and the like are hydrogenated products of the trimer acid described above.
アミンとしては、モノエタノールアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、エチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン、エポキシ−イミダゾールアダクト、2−メチルベンゾイミダゾール、2−オクチルベンゾイミダゾール、2−ペンチルベンゾイミダゾール、2−(1−エチルペンチル)ベンゾイミダゾール、2−ノニルベンゾイミダゾール、2−(4−チアゾリル)ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−tert−ブチル−5’−メチルフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−tert−アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−tert−オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2’−メチレンビス[6−(2H−ベンゾトリアゾール−2−イル)−4−tert−オクチルフェノール]、6−(2−ベンゾトリアゾリル)−4−tert−オクチル−6’−tert−ブチル−4’−メチル−2,2’−メチレンビスフェノール、1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]メチルベンゾトリアゾール、2,2’−[[(メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ]ビスエタノール、1−(1’,2’−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−(2,3−ジカルボキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1−[(2−エチルヘキシルアミノ)メチル]ベンゾトリアゾール、2,6−ビス[(1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]−4−メチルフェノール、5−メチルベンゾトリアゾール、5−フェニルテトラゾール等が挙げられる。 Examples of the amine include monoethanolamine, diphenylguanidine, ditolylguanidine, ethylamine, triethylamine, cyclohexylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, and 1,2-dimethyl. Imidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methyl Imidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl -2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl- ( 1 ′)]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro 1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline, 2,4-diamino-6-vinyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine, epoxy-imidazole adduct, 2-methylbenzimidazole, 2-octyl Benzimidazole, 2-pentylbenzimidazole, 2- (1-ethylpentyl) benzimidazole, 2-nonylbenzimidazole, 2- (4-thiazolyl) benzimidazole, benzimidazole, 2- (2′-hydroxy-5′-) Methylphenyl) benzotriazole 2- (2'-hydroxy-3'-tert-butyl-5'-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3 ', 5'-di-tert-amylphenyl) Benzotriazole, 2- (2′-hydroxy-5′-tert-octylphenyl) benzotriazole, 2,2′-methylenebis [6- (2H-benzotriazol-2-yl) -4-tert-octylphenol], 6 -(2-benzotriazolyl) -4-tert-octyl-6'-tert-butyl-4'-methyl-2,2'-methylenebisphenol, 1,2,3-benzotriazole, 1- [N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl] benzotriazole, carboxybenzotriazole, 1- [N, N-bis (2-ethyl Xyl) aminomethyl] methylbenzotriazole, 2,2 ′-[[(methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino] bisethanol, 1- (1 ′, 2′-dicarboxyethyl) benzotriazole , 1- (2,3-dicarboxypropyl) benzotriazole, 1-[(2-ethylhexylamino) methyl] benzotriazole, 2,6-bis [(1H-benzotriazol-1-yl) methyl] -4- Examples include methylphenol, 5-methylbenzotriazole, 5-phenyltetrazole and the like.
有機ハロゲン化合物としては、trans−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、トリアリルイソシアヌレート6臭化物、1−ブロモ−2−ブタノール、1−ブロモ−2−プロパノール、3−ブロモ−1−プロパノール、3−ブロモ−1,2−プロパンジオール、1,4−ジブロモ−2−ブタノール、1,3−ジブロモ−2−プロパノール、2,3−ジブロモ−1−プロパノール、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオール、2,3−ジブロモ−1,4−ブタンジオール、2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、イソシアヌル酸トリス(2,3−ジブロモプロピル)、無水クロレンド酸等が挙げられる。 Examples of the organic halogen compound include trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, triallyl isocyanurate hexabromide, 1-bromo-2-butanol, 1-bromo-2-propanol, 3-bromo -1-propanol, 3-bromo-1,2-propanediol, 1,4-dibromo-2-butanol, 1,3-dibromo-2-propanol, 2,3-dibromo-1-propanol, 2,3- Dibromo-1,4-butanediol, 2,3-dibromo-1,4-butanediol, 2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, tris (2,3-dibromopropyl) isocyanurate, Chlorendic anhydride and the like can be mentioned.
アミンハロゲン化水素酸塩は、アミンとハロゲン化水素を反応させた化合物である。
アミンハロゲン化水素酸塩のアミンとしては、上述したアミンを用いることができ、エチルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、トリエチルアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール等が挙げられる。ハロゲン化水素としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素の水素化物(塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、フッ化水素)が挙げられる。また、アミンハロゲン化水素酸塩に代えて、あるいはアミンハロゲン化水素酸塩と合わせてホウフッ化物を含んでもよく、ホウフッ化物としてホウフッ化水素酸等が挙げられる。
アミンハロゲン化水素酸塩としては、アニリン塩化水素、シクロヘキシルアミン塩化水素、アニリン臭化水素、ジフェニルグアニジン臭化水素、ジトリルグアニジン臭化水素、エチルアミン臭化水素等が挙げられる。
Amine hydrohalide is a compound obtained by reacting an amine with hydrogen halide.
As the amine of the amine hydrohalide, the above-mentioned amines can be used, and examples thereof include ethylamine, cyclohexylamine, ethylenediamine, triethylamine, diphenylguanidine, ditolylguanidine, methylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole. Can be Examples of the hydrogen halide include hydrides of chlorine, bromine, iodine, and fluorine (hydrogen chloride, hydrogen bromide, hydrogen iodide, hydrogen fluoride). Further, a borofluoride may be contained in place of the amine hydrohalide or in combination with the amine hydrohalide, and examples of the borofluoride include borofluoric acid.
Examples of the amine hydrohalide include aniline hydrogen chloride, cyclohexylamine hydrogen chloride, aniline hydrogen bromide, diphenylguanidine hydrogen bromide, ditolylguanidine hydrogen bromide, and ethylamine hydrogen bromide.
本実施の形態のフラックスは、更に、酸化防止剤を含んでもよく、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤等が挙げられ、酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下含むことが好ましい。本実施の形態のフラックスは、残部が溶剤である。 The flux of the present embodiment may further contain an antioxidant, and examples of the antioxidant include a hindered phenol-based antioxidant, and the antioxidant preferably contains 0 wt% or more and 5 wt% or less. . The balance of the flux of the present embodiment is a solvent.
<はんだ合金>
本実施形態のはんだ合金は、
As:25〜300質量ppm、Bi:0質量ppm以上25000質量ppm以下、Pb:0質量ppm超え8000質量ppm以下、及び残部がSnからなる合金組成を有し、下記(1)式及び(2)式:
275≦2As+Bi+Pb (1)
0<2.3×10-4×Bi+8.2×10-4×Pb≦7 (2)
[上記(1)式及び(2)式中、As、Bi、及びPbは各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す]
を満たす。
<Solder alloy>
The solder alloy of the present embodiment is
As: 25 to 300 mass ppm, Bi: 0 mass ppm or more to 25,000 mass ppm, Pb: more than 0 mass ppm to 8000 mass ppm, and the balance has an alloy composition consisting of Sn, and the following formula (1) and (2) )formula:
275 ≦ 2As + Bi + Pb (1)
0 <2.3 × 10 −4 × Bi + 8.2 × 10 −4 × Pb ≦ 7 (2)
[In the above formulas (1) and (2), As, Bi, and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition]
Meet.
Asは、はんだペーストの粘度の経時変化を抑制することができる元素である。Asはフラックスとの反応性が低く、またSnに対して貴な元素であるために増粘抑制効果を発揮することができると推察される。Asが25質量ppm未満であると、増粘抑制効果を十分に発揮することができない。As含有量の下限は25質量ppm以上であり、好ましくは50質量ppm以上であり、より好ましくは100質量ppm以上である。一方、Asが多すぎるとはんだ合金の濡れ性が劣化する。As含有量の上限は300質量ppm以下であり、このましくは250質量ppm以下であり、より好ましくは200質量ppm以下である。 As is an element capable of suppressing a change with time in the viscosity of the solder paste. It is presumed that As has low reactivity with flux and is an element noble to Sn, so that it can exhibit a thickening suppressing effect. When As is less than 25 ppm by mass, the effect of suppressing thickening cannot be sufficiently exhibited. The lower limit of the As content is 25 ppm by mass or more, preferably 50 ppm by mass or more, and more preferably 100 ppm by mass or more. On the other hand, if the content of As is too large, the wettability of the solder alloy deteriorates. The upper limit of the As content is 300 ppm by mass or less, preferably 250 ppm by mass or less, and more preferably 200 ppm by mass or less.
Bi及びPbはフラックスとの反応性が低く増粘抑制効果を示す元素である。また、これらの元素は、はんだ合金の液相線温度を下げることで、Asによる濡れ性の劣化を抑えることができる元素である。 Bi and Pb are elements having low reactivity with the flux and exhibiting a thickening suppressing effect. Further, these elements are elements that can suppress the deterioration of wettability due to As by lowering the liquidus temperature of the solder alloy.
Bi及びPbの少なくとも1元素が存在すれば、Asによる濡れ性の劣化を抑えることができる。本実施形態に係るはんだ合金がBiを含有する場合、Bi含有量の下限は0質量ppm超えであり、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。本実施形態に係るはんだ合金がPbを含有する場合、Pb含有量の下限は0質量ppm超えであり、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。 If at least one element of Bi and Pb is present, deterioration of wettability by As can be suppressed. When the solder alloy according to the present embodiment contains Bi, the lower limit of the Bi content is more than 0 mass ppm, preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, and even more preferably 75 mass ppm or more. It is at least 100 ppm by mass, particularly preferably at least 100 ppm by mass, most preferably at least 250 ppm by mass. When the solder alloy according to the present embodiment contains Pb, the lower limit of the Pb content is more than 0 mass ppm, preferably 25 mass ppm or more, more preferably 50 mass ppm or more, and further preferably 75 mass ppm or more. It is at least 100 ppm by mass, particularly preferably at least 100 ppm by mass, most preferably at least 250 ppm by mass.
一方、これらの元素の含有量が多すぎると、固相線温度が著しく低下するため、液相線温度と固相線温度との温度差であるΔTが広くなりすぎる。ΔTが広すぎると、溶融はんだの凝固過程において、BiやPbの含有量が少ない高融点の結晶相が析出するために液相のBiやPbが濃縮される。その後、さらに溶融はんだの温度が低下すると、BiやPbの濃度が高い低融点の結晶相が偏析してしまう。このため、はんだ合金の機械的強度等が劣化することになる。特に、Bi濃度が高い結晶相は硬くて脆いため、はんだ合金中で偏析すると機械的強度等が著しく低下する。 On the other hand, if the content of these elements is too large, the solidus temperature is remarkably lowered, so that ΔT, which is the temperature difference between the liquidus temperature and the solidus temperature, becomes too wide. If ΔT is too wide, a liquid phase Bi or Pb is concentrated in the solidification process of the molten solder because a high melting point crystalline phase having a low content of Bi or Pb is deposited. Thereafter, when the temperature of the molten solder further decreases, a low melting point crystalline phase having a high concentration of Bi or Pb segregates. For this reason, the mechanical strength and the like of the solder alloy deteriorate. In particular, since the crystal phase having a high Bi concentration is hard and brittle, segregation in the solder alloy significantly lowers the mechanical strength and the like.
このような観点から、本実施形態に係るはんだ合金がBiを含有する場合、Bi含有量の上限は25000質量ppm以下であり、好ましくは10000質量ppm以下であり、より好ましくは1000質量ppm以下であり、さらに好ましくは600質量ppm以下であり、特に好ましくは500質量ppm以下である。本実施形態に係るはんだ合金がPbを含有する場合、Pb含有量の上限値は8000質量ppm以下であり、好ましくは5100質量ppm以下であり、より好ましくは5000質量ppm以下であり、さらに好ましくは1000質量ppm以下であり、特に好ましくは850質量ppm以下であり、最も好ましくは500質量ppm以下である。 From such a viewpoint, when the solder alloy according to the present embodiment contains Bi, the upper limit of the Bi content is 25,000 mass ppm or less, preferably 10000 mass ppm or less, more preferably 1000 mass ppm or less. And more preferably at most 600 ppm by mass, particularly preferably at most 500 ppm by mass. If the solder alloy according to the present embodiment contains Pb, Kirichi on the Pb content is not more than 8000 mass ppm, preferably not more than 5100 mass ppm, more preferably not more than 5000 mass ppm, more preferably Is 1000 ppm by mass or less, particularly preferably 850 ppm by mass or less, and most preferably 500 ppm by mass or less.
本実施形態に係るはんだ合金は、下記(1)式を満たす必要がある。 The solder alloy according to the present embodiment needs to satisfy the following expression (1).
275≦2As+Bi+Pb (1)
上記(1)式中、As、Bi、及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
275 ≦ 2As + Bi + Pb (1)
In the above formula (1), As, Bi, and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.
As、Bi及びPbは、いずれも増粘抑制効果を示す元素である。これらの合計が230質量ppm以上である必要があることが好ましい。(1)式中、As含有量を2倍にしたのは、AsがBiやPbと比較して増粘抑制効果が高いためである。 As, Bi and Pb are all elements that exhibit a thickening suppressing effect. It is preferable that the sum of these needs to be 230 mass ppm or more. In the formula (1), the reason why the As content is doubled is that As has a higher viscosity-suppressing effect than Bi or Pb.
(1)式が275未満であると、増粘抑制効果が十分に発揮されない。(1)式の下限は275以上であり、好ましくは300以上であり、より好ましくは700以上であり、さらに好ましくは900以上である。一方、(1)の上限は、増粘抑制効果の観点では特に限定されることはないが、ΔTを適した範囲にする観点から、好ましくは25200以下であり、より好ましくは15200以下であり、さらに好ましくは10200以下であり、特に好ましくは8200以下であり、最も好ましくは5300以下である。 If the value of the expression (1) is less than 275, the effect of suppressing thickening is not sufficiently exhibited. The lower limit of the formula (1) is 275 or more, preferably 300 or more, more preferably 700 or more, and even more preferably 900 or more. On the other hand, the upper limit of (1) is not particularly limited from the viewpoint of the effect of suppressing thickening, but is preferably 25200 or less, more preferably 15200 or less, from the viewpoint of setting ΔT in a suitable range. It is more preferably at most 10,200, particularly preferably at most 8,200, most preferably at most 5,300.
上記好ましい態様の中から上限及び下限を適宜選択したものが、下記(1a)式及び(1b)式である。 The following formulas (1a) and (1b) are those in which the upper and lower limits are appropriately selected from the above preferred embodiments.
275≦2As+Bi+Pb≦25200 (1a)
275≦2As+Bi+Pb≦5300 (1b)
上記(1a)及び(1b)式中、As、Bi、及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
275 ≦ 2As + Bi + Pb ≦ 25200 (1a)
275 ≦ 2As + Bi + Pb ≦ 5300 (1b)
In the above formulas (1a) and (1b), As, Bi, and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.
本実施形態に係るはんだ合金は、下記(2)式を満たす必要がある。 The solder alloy according to the present embodiment needs to satisfy the following expression (2).
0<2.3×10-4×Bi+8.2×10-4×Pb≦7 (2)
上記(2)式中、Bi、及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
0 <2.3 × 10 −4 × Bi + 8.2 × 10 −4 × Pb ≦ 7 (2)
In the above formula (2), Bi and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.
Bi及びPbは、Asを含有することによる濡れ性の劣化を抑制するが、含有量が多すぎるとΔTが上昇してしまうため、厳密な管理が必要である。特に、Bi及びPbを同時に含有する合金組成では、ΔTが上昇しやすい。本実施形態では、BiとPbの含有量に所定の係数を乗じた値の合計を規定することにより、ΔTの上昇を抑制することができる。(2)式ではPbの係数がBiの係数より大きい。PbはBiと比較してΔTへの寄与度が大きく、含有量が少し増加しただけでΔTが大幅に上昇してしまうためである。 Bi and Pb suppress the deterioration of wettability due to the inclusion of As. However, if the content is too large, ΔT increases, so strict control is required. In particular, in an alloy composition containing Bi and Pb simultaneously, ΔT tends to increase. In the present embodiment, the increase in ΔT can be suppressed by defining the sum of the values obtained by multiplying the Bi and Pb contents by a predetermined coefficient. In the equation (2), the coefficient of Pb is larger than the coefficient of Bi. This is because Pb has a large contribution to ΔT as compared with Bi, and ΔT greatly increases even if the content is slightly increased.
(2)式が0であるはんだ合金は、Bi及びPbの両元素を含有しないことになり、Asを含有したことによる濡れ性の劣化を抑制することができない。(2)式の下限は0超えであり、好ましくは0.02以上であり、より好ましくは0.03以上であり、さらに好ましくは0.05以上であり、特に好ましくは0.06以上であり、最も好ましくは0.11以上である。一方、(2)式が7を超えるとΔTの温度域が広くなりすぎるため、溶融はんだの凝固時にBiやPbの濃度が高い結晶相が偏析して機械的強度等が劣化する。(2)の上限は7以下であり、好ましくは6.56以下であり、より好ましくは6.40以下であり、さらに好ましくは5.75以下であり、さらにより好ましくは4.18以下であり、特に好ましくは2.30以下であり、最も好ましくは0.90以下である。 (2) Since the solder alloy having the formula 0 does not contain both elements of Bi and Pb, deterioration of wettability due to containing As cannot be suppressed. The lower limit of the formula (2) is more than 0, preferably 0.02 or more, more preferably 0.03 or more, further more preferably 0.05 or more, and particularly preferably 0.06 or more. , Most preferably 0.11 or more. On the other hand, if the expression (2) exceeds 7, the temperature range of ΔT becomes too wide, so that a crystal phase having a high concentration of Bi or Pb segregates during solidification of the molten solder, and the mechanical strength and the like deteriorate. The upper limit of (2) is 7 or less, preferably 6.56 or less, more preferably 6.40 or less, still more preferably 5.75 or less, and even more preferably 4.18 or less. , Particularly preferably 2.30 or less, and most preferably 0.90 or less.
上記好ましい態様の中から上限及び下限を適宜選択したものが、下記(2a)式である。 The following formula (2a) is obtained by appropriately selecting the upper and lower limits from the above preferred embodiments.
0.02≦2.3×10-4×Bi+8.2×10-4×Pb≦0.9 (2a)
上記(2a)式中、Bi及びPbは各々合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
0.02 ≦ 2.3 × 10 −4 × Bi + 8.2 × 10 −4 × Pb ≦ 0.9 (2a)
In the above formula (2a), Bi and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.
Agは、結晶界面にAg3Snを形成してはんだ合金の機械的強度等を向上させることができる任意元素である。また、Agはイオン化傾向がSnに対して貴な元素であり、As、Pb、及びBiと共存することによりこれらの増粘抑制効果を助長する。Ag含有量は好ましくは0〜4%であり、より好ましくは0.5〜3.5%であり、さらに好ましくは1.0〜3.0%である。 Ag is an optional element that can form Ag 3 Sn at the crystal interface to improve the mechanical strength and the like of the solder alloy. Ag is an element having a higher ionization tendency than Sn and coexists with As, Pb, and Bi to promote the effect of suppressing thickening. Ag content is preferably 0 to 4%, more preferably 0.5 to 3.5%, and still more preferably 1.0 to 3.0%.
Cuは、はんだ継手の接合強度を向上させることができる任意元素である。また、Cuはイオン化傾向がSnに対して貴な元素であり、As、Pb、及びBiと共存することによりこれらの増粘抑制効果を助長する。Cu含有量は好ましくは0〜0.9%であり、より好ましくは0.1〜0.8%%であり、さらに好ましくは0.2〜0.7%である。 Cu is an optional element that can improve the bonding strength of the solder joint. Further, Cu is an element having a higher ionization tendency than Sn and coexists with As, Pb and Bi to promote the effect of suppressing thickening of these elements. The Cu content is preferably 0 to 0.9%, more preferably 0.1 to 0.8%, and still more preferably 0.2 to 0.7%.
本実施形態に係るはんだ合金の残部はSnである。前述の元素の他に不可避的不純物を含有してもよい。不可避的不純物を含有する場合であっても、前述の効果に影響することはない。また、後述するように、本実施形態では含有しない元素が不可避的不純物として含有されても前述の効果に影響することはない。Inは、含有量が多すぎるとΔTが広がるため、1000質量ppm以下であれば前述の効果に影響することはない。 The balance of the solder alloy according to the present embodiment is Sn. Inevitable impurities may be contained in addition to the aforementioned elements. Even if unavoidable impurities are contained, the effects described above are not affected. Further, as described later, even if an element which is not contained in the present embodiment is contained as an unavoidable impurity, the above-mentioned effect is not affected. If the content of In is too large, ΔT is widened. Therefore, if the content is 1000 ppm or less, the above-mentioned effect is not affected.
<はんだペースト>
はんだペースト中のはんだ合金及びフラックスの含有量に限定はなく、例えば、はんだ合金を5〜95質量%、フラックスを5〜95質量%とすることができる。
<Solder paste>
There is no limitation on the contents of the solder alloy and the flux in the solder paste. For example, the solder alloy may be 5 to 95% by mass and the flux may be 5 to 95% by mass.
本実施形態に係るはんだペーストは、酸化ジルコニウム粉末を含有することが好ましい。酸化ジルコニウムは、経時変化に伴うペーストの粘度上昇を抑制することができる。これは、酸化ジルコニウムを含有することにより、はんだ粉末表面の酸化膜厚がフラックス中に投入する前の状態を維持するためと推測される。詳細は不明であるが、以下のように推察される。通常、フラックスの活性成分は常温でもわずかに活性を持っているため、はんだ粉末の表面酸化膜が還元により薄くなり、粉末同士が凝集する原因になっている。そこで、はんだペーストに酸化ジルコニウム粉末を添加することで、フラックスの活性成分が酸化ジルコニウム粉末と優先的に反応し、はんだ粉末表面の酸化膜が凝集しない程度に維持されると推察される。 The solder paste according to the present embodiment preferably contains zirconium oxide powder. Zirconium oxide can suppress an increase in viscosity of the paste due to a change with time. This is presumed to be due to the inclusion of zirconium oxide to maintain the oxide film thickness on the surface of the solder powder before it was introduced into the flux. Details are unknown, but are presumed as follows. Normally, since the active component of the flux has a slight activity even at room temperature, the surface oxide film of the solder powder is thinned by reduction, which causes the powder to agglomerate. Therefore, it is presumed that by adding zirconium oxide powder to the solder paste, the active component of the flux reacts preferentially with the zirconium oxide powder, and is maintained to such an extent that the oxide film on the surface of the solder powder does not aggregate.
このような作用効果を十分に発揮するためには、はんだペースト中の酸化ジルコニウム粉末の含有量ははんだペーストの全質量に対して0.05〜20.0%であることが好ましい。0.05%以上であると上記作用効果を発揮することができ、20.0%以下であると金属粉末の含有量を確保することができ、増粘防止効果を発揮することができる。酸化ジルコニウムの含有量は好ましくは0.05〜10.0%であり、より好ましい含有量は0.1〜3%である。 In order to sufficiently exhibit such effects, the content of the zirconium oxide powder in the solder paste is preferably 0.05 to 20.0% based on the total mass of the solder paste. When the content is 0.05% or more, the above-described effects can be exhibited, and when the content is 20.0% or less, the content of the metal powder can be secured, and the effect of preventing thickening can be exhibited. The content of zirconium oxide is preferably 0.05 to 10.0%, and more preferably 0.1 to 3%.
はんだペースト中の酸化ジルコニウム粉末の粒径は5μm以下であることが好ましい。粒径が5μm以下であるとペーストの印刷性を維持することができる。下限は特に限定されることはないが0.5μm以上であればよい。上記粒径は、酸化ジルコニウム粉末のSEM写真を撮影し、0.1μm以上の各粉末について画像解析により投影円相当径を求め、その平均値とした。 The particle diameter of the zirconium oxide powder in the solder paste is preferably 5 μm or less. When the particle size is 5 μm or less, the printability of the paste can be maintained. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.5 μm or more. The particle diameter was determined by taking an SEM photograph of the zirconium oxide powder, obtaining the equivalent diameter of the projected circle by image analysis for each powder of 0.1 μm or more, and taking the average value thereof.
酸化ジルコニウムの形状は特に限定されないが、異形状であればフラックスとの接触面積が大きく増粘抑制効果がある。球形であると良好な流動性が得られるためにペーストとしての優れた印刷性が得られる。所望の特性に応じて適宜形状を選択すればよい。 The shape of the zirconium oxide is not particularly limited. However, if the shape is zirconium oxide, the contact area with the flux is large, and there is an effect of suppressing thickening. Spherical shape provides good fluidity, and therefore excellent printability as a paste. What is necessary is just to select a shape suitably according to a desired characteristic.
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.
以下の表1〜表5に示す組成で実施例と比較例のフラックスを調合し、フラックスの濡れ速度について検証した。
なお、表1〜表5における組成率は、フラックスの全量を100とした場合のwt(質量)%である。
Fluxes of Examples and Comparative Examples were prepared with the compositions shown in Tables 1 to 5 below, and the flux wetting speed was verified.
The composition ratios in Tables 1 to 5 are wt (mass)% when the total amount of flux is 100.
はんだペーストは、フラックスが11wt%、金属粉が89wt%である。また、はんだペースト中の金属粉は、Agが3.0wt%、Cuが0.5wt%、残部がSnであるSn−Ag−Cu系のはんだ合金であり、金属粉の粒径の平均はφ20μmである。 The solder paste contains 11% by weight of flux and 89% by weight of metal powder. The metal powder in the solder paste is a Sn-Ag-Cu-based solder alloy in which Ag is 3.0 wt%, Cu is 0.5 wt%, and the balance is Sn, and the average particle diameter of the metal powder is φ20 μm. It is.
<はんだ濡れ性(濡れ速度)の評価>
(1)検証方法
フラックスの濡れ速度は、メニスコグラフ試験の方法に準拠し、幅5mm×長さ25mm×厚さ0.5mmの銅板を150℃で1時間酸化処理し、試験板である酸化銅板を得て、試験装置としてSolder Checker SAT−5200(RHESCA社製)を用い、はんだとしてSn−3Ag−0.5Cu(各数値は質量%)を用いて、次のように評価した。
まず、ビーカーに測り取った実施例及び比較例それぞれのフラックスに対して、試験板を5mm浸漬させ、試験板にフラックスを塗布した。続いて、フラックスを塗布後、速やかにフラックスが塗布された試験板をはんだ槽に浸漬させ、ゼロクロスタイム(sec)を得た。続いて、実施例及び比較例それぞれのフラックスにつき5回の測定を行い、得られた5個のゼロクロスタイム(sec)の平均値を算出した。試験条件を以下のように設定した。
はんだ槽への浸漬速度:5mm/sec(JIS Z 3198−4:2003)
はんだ槽への浸漬深さ:2mm(JIS Z 3198−4:2003)
はんだ槽への浸漬時間:10sec(JIS Z 3198−4:2003)
はんだ槽温度:245℃(JIS C 60068−2−69:2019)
ゼロクロスタイム(sec)の平均値が短いほど、濡れ速度は高くなり、はんだ濡れ性が良いことを意味する。
<Evaluation of solder wettability (wetting speed)>
(1) Verification method The wetting rate of the flux is based on the meniscograph test method, and a copper plate of 5 mm width × 25 mm length × 0.5 mm thickness is oxidized at 150 ° C. for 1 hour. Then, using a Solder Checker SAT-5200 (manufactured by RHESCA) as a test device and Sn-3Ag-0.5Cu (each numerical value is mass%) as a solder, the following evaluation was performed.
First, a test plate was immersed in 5 mm of the flux of each of the example and the comparative example measured in a beaker, and the test plate was coated with the flux. Subsequently, after applying the flux, the test plate to which the flux was applied was immediately immersed in a solder bath to obtain a zero cross time (sec). Subsequently, five measurements were performed for each of the fluxes of the example and the comparative example, and the average value of the obtained five zero-cross times (sec) was calculated. The test conditions were set as follows.
Immersion speed in solder bath: 5 mm / sec (JIS Z 3198-4: 2003)
Immersion depth in solder bath: 2 mm (JIS Z 3198-4: 2003)
Immersion time in solder bath: 10 sec (JIS Z 3198-4: 2003)
Solder bath temperature: 245 ° C (JIS C 60068-2-69: 2019)
The shorter the average value of the zero cross time (sec), the higher the wetting speed and the better the solder wettability.
(2)判定基準
〇:ゼロクロスタイム(sec)の平均値が6秒以下である。
×:ゼロクロスタイム(sec)の平均値が6秒を超える。
(2) Criteria 基準: The average value of the zero cross time (sec) is 6 seconds or less.
X: The average value of the zero cross time (sec) exceeds 6 seconds.
本発明では、特定活性剤としてピコリン酸を採用したことで、濡れ速度が高くなり、はんだ濡れ性を高めることができた。 In the present invention, by employing picolinic acid as the specific activator, the wetting rate was increased, and the solder wettability was able to be increased.
<はんだ合金の検討>
実施例A1で調製したフラックスと、表6〜表11に示す合金組成からなりJIS Z 3284−1:2014における粉末サイズの分類(表2)において記号4を満たすサイズ(粒度分布)のはんだ合金とを混合してはんだペーストを作製した。フラックスとはんだ合金との質量比は、フラックス:はんだ粉末=11:89である。各はんだペーストについて、粘度の経時変化を測定した。また、はんだ粉末の液相線温度及び固相線温度を測定した。さらに、作製直後のはんだペーストを用いて濡れ性の評価を行った。詳細は以下のとおりである。
<Examination of solder alloy>
The flux prepared in Example A1 and a solder alloy having the alloy composition shown in Tables 6 to 11 and having a size (particle size distribution) satisfying the symbol 4 in the powder size classification (Table 2) in JIS Z 3284-1: 2014. Was mixed to produce a solder paste. The mass ratio of the flux to the solder alloy is flux: solder powder = 11: 89. For each solder paste, the change over time in viscosity was measured. In addition, the liquidus temperature and the solidus temperature of the solder powder were measured. Furthermore, the wettability was evaluated using the solder paste immediately after the preparation. Details are as follows.
(3)経時変化
作製直後の各はんだペーストについて、株式会社マルコム社製:PCU−205を用い、回転数:10rpm、25℃、大気中で12時間粘度を測定した。12時間後の粘度がはんだペーストを作製後30分経過した時の粘度と比較して1.2倍以下であれば、十分な増粘抑制効果が得られたものとして「○」と評価し、1.2倍を超える場合には「×」と評価した。
(3) Change with time About each solder paste immediately after preparation, the viscosity was measured for 12 hours in the air at 25 rpm at 10 rpm using Malcom Co., Ltd .: PCU-205. If the viscosity after 12 hours is 1.2 times or less as compared to the viscosity when 30 minutes have passed since the preparation of the solder paste, it was evaluated as "O" as a sufficient thickening suppression effect was obtained, When it exceeded 1.2 times, it was evaluated as "x".
(4)ΔT
フラックスと混合する前のはんだ合金について、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、型番:EXSTAR DSC7020を用い、サンプル量:約30mg、昇温速度:15℃/minにてDSC測定を行い、固相線温度及び液相線温度を得た。得られた液相線温度から固相線温度を引いてΔTを求めた。ΔTが10℃以下の場合に「○」と評価し、10℃を超える場合に「×」と評価した。
(4) ΔT
For the solder alloy before being mixed with the flux, DSC measurement was carried out using SII Nanotechnology Co., Ltd., model number: EXSTAR DSC7020 at a sample amount of about 30 mg, at a heating rate of 15 ° C./min. Temperature and liquidus temperature were obtained. ΔT was determined by subtracting the solidus temperature from the obtained liquidus temperature. When ΔT was 10 ° C. or less, “○” was evaluated, and when ΔT exceeded 10 ° C., “X” was evaluated.
(5)濡れ性
作製直後の各はんだペーストをCu板上に印刷し、リフロー炉でN2雰囲気中、1℃/sの昇温速度で25℃から260℃まで加熱した後、室温まで冷却した。冷却後のはんだバンプの外観を光学顕微鏡で観察することで濡れ性を評価した。溶融しきれていないはんだ粉末が観察されない場合に「○」と評価し、溶融しきれていないはんだ粉末が観察された場合に「×」と評価した。
(5) Wettability Each solder paste immediately after preparation was printed on a Cu plate, heated from 25 ° C. to 260 ° C. at a rate of 1 ° C./s in a N 2 atmosphere in a reflow furnace, and then cooled to room temperature. . The wettability was evaluated by observing the appearance of the cooled solder bumps with an optical microscope. When no unmelted solder powder was observed, it was evaluated as "O", and when unmelted solder powder was observed, it was evaluated as "x".
(6)総合評価
〇:上記の各評価が全て〇
×:上記の各評価において×あり
(6) Overall evaluation 〇: All of the above evaluations are 〇 ×: There is × in each of the above evaluations
表6〜11に示すように、全ての実施例Bでは、増粘抑制効果、ΔTの狭窄化、及び優れた濡れ性を示すことがわかった。 As shown in Tables 6 to 11, it was found that all Examples B exhibited a thickening suppressing effect, a narrowing of ΔT, and excellent wettability.
これに対して、比較例B1、B10、B19、B28、B37、及びB46は、Asを含有しないため、増粘抑制効果が発揮されなかった。 On the other hand, Comparative Examples B1, B10, B19, B28, B37, and B46 did not contain As, and thus did not exhibit a thickening suppressing effect.
比較例B2、B11、B20、B29、B38、及びB47は、(1)式が下限未満であるため、増粘抑制効果が発揮されなかった。 In Comparative Examples B2, B11, B20, B29, B38, and B47, since the expression (1) was less than the lower limit, the thickening suppressing effect was not exhibited.
比較例B3、B4、B12、B13、B21、B22、B30、B31、B39、B40、B48、及びB49は、As含有量が上限値を超えているため、濡れ性が劣る結果を示した。 Comparative Examples B3, B4, B12, B13, B21, B22, B30, B31, B39, B40, B48, and B49 showed poor wettability because the As content exceeded the upper limit.
比較例B5、B7、B9、B14、B16、B18、B23、B25、B27、B32、B34、B36、B41、B43、B45、B50、B52、及びB54は、Pb含有量及び(2)式が上限値を超えているため、ΔTが10℃を超える結果を示した。 In Comparative Examples B5, B7, B9, B14, B16, B18, B23, B25, B27, B32, B34, B36, B41, B43, B45, B50, B52, and B54, the Pb content and the formula (2) are the upper limits. Since the value exceeded the value, the result showed that ΔT exceeded 10 ° C.
比較例B6、B15、B24、B33、B42、及びB51は、(2)式が上限値を超えているため、ΔTが10℃を超える結果を示した。 Comparative Examples B6, B15, B24, B33, B42, and B51 showed that ΔT exceeded 10 ° C. because Equation (2) exceeded the upper limit.
比較例B8、B17、B26、B35、B44、及びB53は、Bi含有量及び(2)式が上限値を超えているため、ΔTが10℃を超える結果を示した。 Comparative Examples B8, B17, B26, B35, B44, and B53 showed results in which ΔT exceeded 10 ° C. because the Bi content and the formula (2) exceeded the upper limit.
<フラックスとはんだ合金の組み合わせ>
実施例A1のフラックスに代えて、実施例A2〜A58の各種フラックスをそれぞれ使用し、実施例Bの各種はんだ合金とそれぞれ組み合わせた場合も、増粘抑制効果、ΔT、及び濡れ性において良好な結果が得られた。
<Combination of flux and solder alloy>
In the case where various fluxes of Examples A2 to A58 were used instead of the flux of Example A1 and each of the fluxes was combined with various solder alloys of Example B, good results were obtained in the effect of suppressing thickening, ΔT, and wettability. was gotten.
Claims (7)
As:25〜300質量ppm、Bi:0質量ppm以上25000質量ppm以下、Pb:0質量ppm超え8000質量ppm以下、及び残部がSnからなる合金組成を有し、下記(1)式及び(2)式:
275≦2As+Bi+Pb (1)
0<2.3×10-4×Bi+8.2×10-4×Pb≦7 (2)
[上記(1)式及び(2)式中、As、Bi、及びPbは各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す]
を満たすはんだ合金と、
からなり、
前記フラックスは前記一般式(1)で表される化合物を0.5wt%以上7.0wt%以下含む、
はんだペースト。
As: 25 to 300 mass ppm, Bi: 0 mass ppm or more to 25,000 mass ppm, Pb: more than 0 mass ppm to 8000 mass ppm, and the balance has an alloy composition consisting of Sn, and the following formula (1) and (2) )formula:
275 ≦ 2As + Bi + Pb (1)
0 <2.3 × 10 −4 × Bi + 8.2 × 10 −4 × Pb ≦ 7 (2)
[In the above formulas (1) and (2), As, Bi, and Pb each represent the content (mass ppm) in the alloy composition]
A solder alloy that satisfies
Consisting of
The flux contains the compound represented by the general formula (1) in an amount of 0.5 wt% or more and 7.0 wt% or less;
Solder paste.
アミンを0wt%以上20wt%以下、
有機ハロゲン化合物を0wt%以上5wt%以下、
アミンハロゲン化水素酸塩を0wt%以上2wt%以下、又は
酸化防止剤を0wt%以上5wt%以下
含む、請求項1から5の何れか1項に記載のはんだペースト。 The flux further comprises:
Amine in a range of 0 wt% to 20 wt%,
0% to 5% by weight of an organic halogen compound;
The solder paste according to any one of claims 1 to 5, wherein the solder paste contains 0 to 2 wt% of an amine hydrohalide or 0 to 5 wt% of an antioxidant.
前記一般式(1)で表される化合物と前記有機酸の合計量が3wt%以上である、請求項1から6の何れか1項に記載のはんだペースト。 The flux further includes an organic acid,
The solder paste according to any one of claims 1 to 6, wherein the total amount of the compound represented by the general formula (1) and the organic acid is 3 wt% or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098607A JP6676244B1 (en) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | Flux and solder paste |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098607A JP6676244B1 (en) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | Flux and solder paste |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6676244B1 true JP6676244B1 (en) | 2020-04-08 |
JP2020192558A JP2020192558A (en) | 2020-12-03 |
Family
ID=70057992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019098607A Active JP6676244B1 (en) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | Flux and solder paste |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6676244B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI783703B (en) * | 2020-10-02 | 2022-11-11 | 日商千住金屬工業股份有限公司 | Flux and solder paste |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002224881A (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-13 | Hitachi Metals Ltd | Solder ball |
WO2012118074A1 (en) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | 千住金属工業株式会社 | Flux |
JP5730354B2 (en) * | 2013-07-17 | 2015-06-10 | ハリマ化成株式会社 | Solder composition, solder paste and electronic circuit board |
JP5730353B2 (en) * | 2013-07-17 | 2015-06-10 | ハリマ化成株式会社 | Solder composition, solder paste and electronic circuit board |
JP6717559B2 (en) * | 2013-10-16 | 2020-07-01 | 三井金属鉱業株式会社 | Solder alloy and solder powder |
JP6401912B2 (en) * | 2014-01-31 | 2018-10-10 | 株式会社タムラ製作所 | Solder composition and method for producing printed wiring board using the same |
JP6293514B2 (en) * | 2014-02-27 | 2018-03-14 | 株式会社タムラ製作所 | Solder composition and printed wiring board manufacturing method |
JP6346757B2 (en) * | 2014-02-27 | 2018-06-20 | 株式会社タムラ製作所 | Method for manufacturing printed wiring board |
JP6359499B2 (en) * | 2015-09-28 | 2018-07-18 | 株式会社タムラ製作所 | Cold-heat shock flux composition, solder paste composition, and electronic circuit board |
JP6310894B2 (en) * | 2015-09-30 | 2018-04-11 | 株式会社タムラ製作所 | Solder composition and method for producing electronic substrate |
JP6444953B2 (en) * | 2015-09-30 | 2018-12-26 | 株式会社タムラ製作所 | Flux composition and solder paste |
JP2017192987A (en) * | 2016-04-18 | 2017-10-26 | オリジン電気株式会社 | Solder composition and method of manufacturing soldered product |
JP6809443B2 (en) * | 2017-11-28 | 2021-01-06 | 横浜ゴム株式会社 | Structure of container for tire vulcanization |
JP6521160B1 (en) * | 2018-07-20 | 2019-05-29 | 千住金属工業株式会社 | Solder alloy, solder powder, solder paste, and solder joint using them |
-
2019
- 2019-05-27 JP JP2019098607A patent/JP6676244B1/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI783703B (en) * | 2020-10-02 | 2022-11-11 | 日商千住金屬工業股份有限公司 | Flux and solder paste |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020192558A (en) | 2020-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6521161B1 (en) | Solder alloy, solder powder, solder paste, and solder joint using them | |
JP2020011279A (en) | Solder alloy, solder powder, solder paste, and solder joint with use thereof | |
JP6540788B1 (en) | Flux and solder paste | |
JP6643745B1 (en) | Solder paste and flux for solder paste | |
JP6643744B1 (en) | Solder paste and flux for solder paste | |
JP6649597B1 (en) | Solder alloys, solder powders and solder joints | |
JP6536730B1 (en) | Flux and solder paste | |
JP6676244B1 (en) | Flux and solder paste | |
JP6676243B1 (en) | Flux and solder paste | |
JP6649596B1 (en) | Solder alloys, solder powders and solder joints | |
JP6646242B1 (en) | Solder paste and flux for solder paste | |
JP6681566B1 (en) | Solder paste and flux | |
WO2020241687A1 (en) | Flux composition containing maleic acid-modified rosin ester or maleic acid-modified rosin amide, flux containing said composition, and solder paste | |
JP6681567B1 (en) | Solder paste and flux | |
JP6773986B1 (en) | New rosin compound and its manufacturing method, flux, solder paste | |
JP6643746B1 (en) | Solder paste and flux for solder paste | |
JP7529976B2 (en) | Flux composition containing maleic acid modified rosin ester or maleic acid modified rosin amide, flux containing same, and solder paste | |
JP2020192599A (en) | Solder alloy, solder powder, and solder joint | |
JP6674120B1 (en) | Solder paste and flux for solder paste | |
JP7529977B2 (en) | Flux composition containing maleic acid modified rosin ester or maleic acid modified rosin amide, flux containing same, and solder paste | |
CN113811420B (en) | Flux composition comprising maleic acid-modified rosin ester or maleic acid-modified rosin amide, and flux and solder paste comprising the same | |
JP6646241B1 (en) | Solder paste and flux for solder paste | |
JP2020192600A (en) | Solder alloy, solder powder, solder paste, and solder joint using them | |
JP2020011293A (en) | Solder alloy, solder powder, solder paste, and solder joint with use thereof | |
JP6649595B1 (en) | Solder alloy, solder powder, solder paste, and solder joints using these |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190611 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190611 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6676244 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |