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JP7528600B2 - METAL CLAD SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND VACUUM FILM DEPOSITION APPARATUS - Google Patents

METAL CLAD SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND VACUUM FILM DEPOSITION APPARATUS Download PDF

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JP7528600B2
JP7528600B2 JP2020124292A JP2020124292A JP7528600B2 JP 7528600 B2 JP7528600 B2 JP 7528600B2 JP 2020124292 A JP2020124292 A JP 2020124292A JP 2020124292 A JP2020124292 A JP 2020124292A JP 7528600 B2 JP7528600 B2 JP 7528600B2
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Description

本発明は、金属張基板の製造方法および真空成膜装置に関する。さらに詳しくは、本発明は、フレキシブルプリント配線板(FPC)などの製造に用いられる金属張基板の製造方法、および金属張基板の製造に用いられる真空成膜装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a metal-clad substrate and a vacuum deposition apparatus. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a metal-clad substrate used in the manufacture of flexible printed circuit boards (FPCs) and the like, and a vacuum deposition apparatus used in the manufacture of metal-clad substrates.

液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などの電子機器には、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。フレキシブルプリント配線板は樹脂フィルムの表面を金属層で覆った金属張基板から製造される。金属張基板は真空成膜法により、あるいは真空成膜法と電解めっき法とにより、樹脂フィルムの表面に金属層を成膜することにより得られる(例えば、特許文献1)。 Flexible printed wiring boards, in which wiring patterns are formed on the surface of a resin film, are used in electronic devices such as liquid crystal panels, notebook computers, digital cameras, and mobile phones. Flexible printed wiring boards are manufactured from metal-clad substrates, in which the surface of a resin film is covered with a metal layer. Metal-clad substrates are obtained by forming a metal layer on the surface of a resin film by a vacuum film-forming method, or by a combination of a vacuum film-forming method and an electrolytic plating method (for example, Patent Document 1).

特開2020-012156号公報JP 2020-012156 A

真空成膜法により長尺帯状の樹脂フィルムの両面に金属層を成膜するには、ロールツーロールにより樹脂フィルムを搬送しつつ、樹脂フィルムの第1面に金属層を成膜した後に、第2面に金属層を成膜する。ロールツーロールで搬送される間、樹脂フィルムは多数のロールと接触する。 To form metal layers on both sides of a long strip of resin film using the vacuum deposition method, a metal layer is formed on the first side of the resin film while the resin film is transported by roll-to-roll, and then a metal layer is formed on the second side. While being transported by roll-to-roll, the resin film comes into contact with multiple rolls.

一般に、樹脂フィルムにはフィラーが含まれており、フィラーにより樹脂フィルムの表面には凹凸が形成されている。この凹凸により、樹脂フィルムが帯電してロールに張り付くことを防止できるため、樹脂フィルムの搬送性が向上する。しかし、樹脂フィルムの表面に金属層を成膜した後に、樹脂フィルムの金属層側がロールと接触すると、金属層のうち樹脂フィルムの凸部に成膜された部分が剥がれ、ピンホールになることがある。特に、樹脂フィルムの両面に金属層を成膜する場合には、第1面に成膜された金属層は、第2面に金属層を成膜する間に多数のロールと接触するため、ピンホールが発生しやすい。 Generally, resin films contain fillers, which form unevenness on the surface of the resin film. These unevenness prevents the resin film from becoming charged and sticking to the roll, improving the transportability of the resin film. However, after a metal layer is formed on the surface of the resin film, if the metal layer side of the resin film comes into contact with a roll, the parts of the metal layer formed on the convex parts of the resin film may peel off, resulting in pinholes. In particular, when metal layers are formed on both sides of a resin film, the metal layer formed on the first side comes into contact with many rolls while the metal layer is being formed on the second side, which makes it easy for pinholes to occur.

本発明は上記事情に鑑み、金属層とロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる金属張基板の製造方法および真空成膜装置を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, the present invention aims to provide a manufacturing method for metal-clad substrates and a vacuum deposition apparatus that can suppress the occurrence of pinholes caused by contact between the metal layer and the roll.

第1発明の金属張基板の製造方法は、ロールツーロールによりベースフィルムを搬送しつつ、真空成膜法により前記ベースフィルムの第1面に第1金属薄膜層を成膜し、前記第1金属薄膜層の表面に粘着フィルムを貼り付けて基板中間品を得る第1真空成膜工程と、ロールツーロールにより前記基板中間品を搬送しつつ、真空成膜法により前記ベースフィルムの第2面に第2金属薄膜層を成膜して金属張基板を得る第2真空成膜工程と、ロールツーロールにより前記金属張基板を搬送しつつ、前記粘着フィルムを剥離し、電解めっきにより前記金属張基板の両面にめっき被膜を成膜する電解めっき工程と、を備え、前記粘着フィルムを剥離した後、前記めっき被膜を成膜する前に、大気圧プラズマにより前記第1金属薄膜層の表面に残存する有機物を除去し、前記粘着フィルムは粘着性を有する樹脂からなる粘着層を有する自己粘着フィルムであることを特徴とする。
第2発明の金属張基板の製造方法は、第1発明において、前記第1真空成膜工程および前記第2真空成膜工程は、単一の真空成膜装置内で、連続して行なわれることを特徴とする。
第3発明の金属張基板の製造方法は、第1発明において、前記第1真空成膜工程では、前記ベースフィルムの巻き出し、および、前記基板中間品の巻き取りを行ない、前記第2真空成膜工程では、前記基板中間品の巻き出し、および、前記金属張基板の巻き取りを行なうことを特徴とする
The manufacturing method of the first invention for producing a metal-clad substrate comprises a first vacuum film formation process in which a first metal thin film layer is formed on a first surface of a base film by a vacuum film formation method while transporting the base film by roll-to-roll, and an adhesive film is attached to the surface of the first metal thin film layer to obtain a substrate intermediate product; a second vacuum film formation process in which a second metal thin film layer is formed on a second surface of the base film by a vacuum film formation method while transporting the substrate intermediate product by roll-to-roll, to obtain a metal-clad substrate; and an electrolytic plating process in which the adhesive film is peeled off while transporting the metal-clad substrate by roll-to-roll, and a plating film is formed on both surfaces of the metal-clad substrate by electrolytic plating , wherein after the adhesive film is peeled off and before the plating film is formed, organic matter remaining on the surface of the first metal thin film layer is removed by atmospheric pressure plasma, and the adhesive film is a self-adhesive film having an adhesive layer made of an adhesive resin .
A second aspect of the present invention is a method for manufacturing a metal-clad substrate according to the first aspect of the present invention, characterized in that the first vacuum film-forming step and the second vacuum film-forming step are carried out continuously in a single vacuum film-forming apparatus.
The manufacturing method for a metal-clad substrate of the third invention is characterized in that, in the first invention, in the first vacuum film-forming process, the base film is unwound and the intermediate substrate is wound up, and in the second vacuum film-forming process, the intermediate substrate is unwound and the metal-clad substrate is wound up .

第1発明によれば、第1金属薄膜層に粘着フィルムを貼り付けた後に第2金属薄膜層を成膜するので、第2金属薄膜層の成膜中に第1金属薄膜層とロールとが直接接触することがない。そのため、第1金属薄膜層とロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる。また、粘着層が有機溶媒の含有量が少ない樹脂からなるので、粘着フィルムを真空成膜装置内に配置しても、有機溶剤が揮発することにより粘着層が崩れて飛散することを抑制できる。さらに、粘着フィルムを剥離した後に第1金属薄膜層の表面に残存する有機物を除去するので、有機物が導体層の内部に残留することを抑制できる。
第2発明によれば、両面成膜方式の真空成膜装置を用いて、第1金属薄膜層のピンホールの発生を抑制しつつ、前記ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜できる。
第3発明によれば、片面成膜方式の真空成膜装置を用いて、第1金属薄膜層のピンホールの発生を抑制しつつ、前記ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜できる
According to the first invention, the second metal thin film layer is formed after the adhesive film is attached to the first metal thin film layer, so that the first metal thin film layer and the roll do not come into direct contact during the formation of the second metal thin film layer. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of pinholes caused by the contact between the first metal thin film layer and the roll. In addition, since the adhesive layer is made of a resin with a low content of organic solvent, even if the adhesive film is placed in a vacuum film forming device, it is possible to suppress the adhesive layer from collapsing and scattering due to the volatilization of the organic solvent. Furthermore, since the organic matter remaining on the surface of the first metal thin film layer is removed after the adhesive film is peeled off, it is possible to suppress the organic matter from remaining inside the conductor layer.
According to the second aspect of the present invention, a double-sided vacuum deposition apparatus can be used to deposit metal thin film layers on both sides of the base film while suppressing the occurrence of pinholes in the first metal thin film layer.
According to the third aspect of the present invention, a single-sided vacuum deposition apparatus can be used to deposit metal thin film layers on both sides of the base film while suppressing the occurrence of pinholes in the first metal thin film layer .

本発明の第1実施形態に係る金属張基板の製造方法における工程図である。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a metal-clad substrate according to a first embodiment of the present invention. 両面成膜方式の真空成膜装置の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a vacuum film-forming apparatus using a double-sided film-forming method. 片面成膜方式の真空成膜装置の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a vacuum film-forming apparatus for a single-sided film-forming method. 片面成膜方式の真空成膜装置の他の例の説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of another example of a vacuum film formation apparatus for a single-sided film formation method.

つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
〔第1実施形態〕
本発明の第1実施形態に係る金属張基板10の製造方法は、少なくとも、第1真空成膜工程と、第2真空成膜工程とを有する。第1真空成膜工程と、第2真空成膜工程とをこの順に行なうことで、図1に示すようにベースフィルム11から金属張基板10を製造できる。また、必要に応じて、第2真空成膜工程の後に、電解めっき工程を行なう。これにより、導体層が厚膜化された金属張基板10tを製造できる。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
First Embodiment
The manufacturing method of the metal-clad substrate 10 according to the first embodiment of the present invention includes at least a first vacuum film-forming step and a second vacuum film-forming step. By carrying out the first vacuum film-forming step and the second vacuum film-forming step in this order, the metal-clad substrate 10 can be manufactured from the base film 11 as shown in FIG. 1. Furthermore, if necessary, an electrolytic plating step is carried out after the second vacuum film-forming step. This allows the manufacturing of a metal-clad substrate 10t having a thick conductor layer.

なお、金属張基板10はベースフィルム11の表面を金属層で覆ったものである。金属層の組成は、特に限定されないが、例えば銅である。金属層が銅で形成された金属張基板10は銅張積層板と称される。 The metal-clad substrate 10 is formed by covering the surface of the base film 11 with a metal layer. The composition of the metal layer is not particularly limited, but may be copper, for example. A metal-clad substrate 10 in which the metal layer is made of copper is called a copper-clad laminate.

(第1真空成膜工程)
第1真空成膜工程はロールツーロールによりベースフィルム11を搬送しつつ行なわれる。ベースフィルム11は絶縁性を有する長尺帯状のフィルムである。ベースフィルム11としてポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。特に限定されないが、ベースフィルム11の厚さは10~100μmが一般的である。以下、ベースフィルム11の一方の主面を第1面11aと称し、他方の主面を第2面11bと称する(図1の(1)参照)。
(First vacuum film forming process)
The first vacuum film-forming step is performed while the base film 11 is being transported by roll-to-roll. The base film 11 is a long strip-shaped film having insulating properties. The base film 11 may be a polyimide film, a liquid crystal polymer film, a polyethylene terephthalate film, or the like. A resin film such as a plastic film can be used. Although not particularly limited, the thickness of the base film 11 is generally 10 to 100 μm. Hereinafter, one of the main surfaces of the base film 11 is referred to as a first surface 11a. The other main surface is referred to as a second surface 11b (see FIG. 1(1)).

第1真空成膜工程では、真空成膜法によりベースフィルム11の第1面11aに第1金属薄膜層12Aを成膜する。真空成膜法は物理的気相成長法と化学的気相成長法とに分けられる。また、物理的気相成長法は蒸着法とスパッタリング法とに分けられる。これらの中でも、スパッタリング法が好適に用いられる。 In the first vacuum deposition process, a first metal thin film layer 12A is deposited on the first surface 11a of the base film 11 by a vacuum deposition method. Vacuum deposition methods are divided into physical vapor deposition and chemical vapor deposition. Physical vapor deposition methods are further divided into deposition and sputtering. Among these, sputtering is preferably used.

第1金属薄膜層12Aは一種類の金属または合金からなる単一の層でもよいし、異なる種類の金属または合金からなる複数の層を積層したものでもよい。例えば、第1金属薄膜層12Aは単一の銅薄膜層でもよい。また、第1金属薄膜層12Aはニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる下地金属層に、銅薄膜層を積層したものでもよい。この場合、特に限定されないが、下地金属層の厚さは5~50nmが一般的であり、銅薄膜層の厚さは50~400nmが一般的である。 The first metal thin film layer 12A may be a single layer made of one type of metal or alloy, or may be a laminate of multiple layers made of different types of metals or alloys. For example, the first metal thin film layer 12A may be a single copper thin film layer. The first metal thin film layer 12A may also be a copper thin film layer laminated onto an underlying metal layer made of nickel, chromium, or a nickel-chromium alloy. In this case, although not particularly limited, the thickness of the underlying metal layer is typically 5 to 50 nm, and the thickness of the copper thin film layer is typically 50 to 400 nm.

また、第1真空成膜工程では、ベースフィルム11の第1面11aに第1金属薄膜層12Aを成膜した後に、第1金属薄膜層12Aの表面に粘着フィルム20を貼り付ける。以下、ベースフィルム11に第1金属薄膜層12Aを成膜し、第1金属薄膜層12Aに粘着フィルム20を貼り付けたものを基板中間品10iと称する(図1の(2)参照)。 In addition, in the first vacuum film formation process, the first metal thin film layer 12A is formed on the first surface 11a of the base film 11, and then an adhesive film 20 is attached to the surface of the first metal thin film layer 12A. Hereinafter, the product in which the first metal thin film layer 12A is formed on the base film 11 and the adhesive film 20 is attached to the first metal thin film layer 12A is referred to as the substrate intermediate product 10i (see (2) in FIG. 1).

(第2真空成膜工程)
第2真空成膜工程はロールツーロールにより基板中間品10iを搬送しつつ行なわれる。第2真空成膜工程では、真空成膜法によりベースフィルム11の第2面11bに第2金属薄膜層12Bを成膜する。これにより、ベースフィルム11の両面に金属薄膜層12A、12Bが成膜された金属張基板10が得られる(図1の(3)参照)。なお、第2金属薄膜層12Bの組成、構成および厚さは、第1金属薄膜層12Aと同様とすればよい。
(Second vacuum film forming process)
The second vacuum film-forming step is performed while the intermediate substrate 10i is being transported by roll-to-roll. In the second vacuum film-forming step, the second metal thin film layer 12B is formed on the second surface 11b of the base film 11 by a vacuum film-forming method. As a result, a metal-clad substrate 10 is obtained in which the metal thin film layers 12A and 12B are formed on both sides of the base film 11 (see (3) in FIG. 1). The composition, structure and thickness of the second metal thin film layer 12A may be the same as those of the first metal thin film layer 12A.

以上のように、第1金属薄膜層12Aに粘着フィルム20を貼り付けた後に第2金属薄膜層12Bを成膜する。そのため、第2金属薄膜層12Bの成膜中に第1金属薄膜層12Aと搬送用のロールとが直接接触することがない。これにより、第1金属薄膜層12Aとロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる。 As described above, the adhesive film 20 is attached to the first metal thin film layer 12A, and then the second metal thin film layer 12B is formed. Therefore, the first metal thin film layer 12A does not come into direct contact with the transport roll during the formation of the second metal thin film layer 12B. This makes it possible to suppress the occurrence of pinholes caused by contact between the first metal thin film layer 12A and the roll.

(電解めっき工程)
電解めっき工程は必要に応じて行なわれる。電解めっき工程では、電解めっきにより金属張基板10の両面にめっき被膜13を成膜して、導体層が厚膜化された金属張基板10tを得る(図1の(4)参照)。めっき被膜13の組成は、特に限定されないが、金属張基板10tとして銅張積層板を得る場合には銅である。めっき被膜13の厚さは、特に限定されないが、1~12μmが一般的である。
(Electrolytic plating process)
The electrolytic plating process is performed as necessary. In the electrolytic plating process, a plating film 13 is formed on both sides of the metal-clad substrate 10 by electrolytic plating to obtain a metal-clad substrate 10t having a thick conductor layer (see (4) in FIG. 1). The composition of the plating film 13 is not particularly limited, but is copper when a copper-clad laminate is to be obtained as the metal-clad substrate 10t. The thickness of the plating film 13 is not particularly limited, but is generally 1 to 12 μm.

電解めっきはロールツーロールにより金属張基板10を搬送しつつ行なわれる。ここで、金属張基板10の搬送経路において、金属張基板10から粘着フィルム20を剥離した後に、電解めっきを行なう。 Electrolytic plating is performed while the metal-clad substrate 10 is being transported by roll-to-roll. Here, in the transport path of the metal-clad substrate 10, the adhesive film 20 is peeled off from the metal-clad substrate 10, and then electrolytic plating is performed.

金属張基板10から粘着フィルム20を剥離すると、粘着フィルム20の粘着層22に由来する有機物が第1金属薄膜層12Aの表面に残存することがある。有機物が残存したままめっき被膜13を成膜すると、めっき被膜13にムラ、変色などの不具合が生じる。 When the adhesive film 20 is peeled off from the metal-clad substrate 10, organic matter originating from the adhesive layer 22 of the adhesive film 20 may remain on the surface of the first metal thin film layer 12A. If the plating film 13 is formed with the organic matter remaining, defects such as unevenness and discoloration will occur in the plating film 13.

そこで、金属張基板10の搬送経路において、粘着フィルム20を剥離した後、めっき被膜13を成膜する前に、大気圧プラズマを第1金属薄膜層12Aの表面に照射することが好ましい。大気圧プラズマにより第1金属薄膜層12Aの表面に残存する有機物を除去する。これにより、有機物が導体層の内部に残留することを抑制できる。 Therefore, in the transport path of the metal-clad substrate 10, after peeling off the adhesive film 20 and before forming the plating film 13, it is preferable to irradiate the surface of the first metal thin film layer 12A with atmospheric pressure plasma. Organic matter remaining on the surface of the first metal thin film layer 12A is removed by the atmospheric pressure plasma. This makes it possible to prevent organic matter from remaining inside the conductor layer.

大気圧プラズマの照射には大気圧プラズマ処理装置が用いられる。大気圧プラズマ処理装置は、対向して配置された2つの電極と、電極間に電圧を印加する電源と、電極間にガスを供給するガス供給部とを有する。一般に、電源として中周波電圧(MHz)、高周波電圧(MHz)またはマイクロ波電圧(GHz)を印加できるものが用いられる。電圧を印加した電極間にガスを導入すると、ガスがプラズマ状態となる。プラズマ状態のガスを第1金属薄膜層12Aの表面に照射する。 An atmospheric pressure plasma processing apparatus is used for irradiating atmospheric pressure plasma. The atmospheric pressure plasma processing apparatus has two electrodes arranged opposite each other, a power supply that applies a voltage between the electrodes, and a gas supply unit that supplies gas between the electrodes. Generally, a power supply capable of applying a medium frequency voltage (MHz), a high frequency voltage (MHz), or a microwave voltage (GHz) is used. When gas is introduced between the electrodes to which a voltage is applied, the gas becomes in a plasma state. The gas in the plasma state is irradiated onto the surface of the first metal thin film layer 12A.

プラズマ処理に用いられるプラズマガスとしてHe、Ne、Ar、Kr、Xe、N2などを用いることができる。第1金属薄膜層12Aの表面を洗浄する効果を高めるために、プラズマガスは酸素を含んでも良い。 The plasma gas used in the plasma treatment may be He, Ne, Ar, Kr, Xe, N2 , etc. The plasma gas may contain oxygen to enhance the effect of cleaning the surface of the first metal thin film layer 12A.

(真空成膜装置)
第1真空成膜工程および第2真空成膜工程は、例えば、図2に示す真空成膜装置3を用いて行なわれる。なお、図2はスパッタリング装置の構成を例示している。
(Vacuum deposition equipment)
The first vacuum film-forming step and the second vacuum film-forming step are performed, for example, by using a vacuum film-forming apparatus 3 shown in Fig. 2. Note that Fig. 2 illustrates the configuration of a sputtering apparatus.

真空成膜装置3は、ロールツーロールにより長尺帯状の被成膜品D1を搬送しつつ、被成膜品D1に対して真空成膜を行ない、成膜品D2を製造する装置である。特に、図2に示す真空成膜装置3は、一回の搬送で被成膜品D1の両面に成膜を行なう両面成膜方式の装置である。なお、本実施形態において、被成膜品D1はベースフィルム11であり、成膜品D2は金属張基板10である。 The vacuum film-forming apparatus 3 is an apparatus that performs vacuum film formation on the long strip-shaped film-forming object D1 while transporting the film-forming object D1 by roll-to-roll, thereby manufacturing the film-formed object D2. In particular, the vacuum film-forming apparatus 3 shown in FIG. 2 is an apparatus that performs film formation on both sides of the film-formed object D1 in a single transport. In this embodiment, the film-formed object D1 is a base film 11, and the film-formed object D2 is a metal-clad substrate 10.

真空成膜装置3は真空チャンバー30を有する。真空チャンバー30の内部には、巻出部31と、巻取部35とが配置されている。巻出部31は被成膜品D1をロール状に巻回した被成膜品ロールから被成膜品D1を巻き出す。巻取部35は成膜品D2を巻き取って成膜品ロールを形成する。被成膜品D1は巻出部31から巻取部35に向かって搬送される。 The vacuum coating device 3 has a vacuum chamber 30. Inside the vacuum chamber 30, an unwinding section 31 and a winding section 35 are arranged. The unwinding section 31 unwinds the coating target D1 from a coating target roll in which the coating target D1 is wound into a roll. The winding section 35 winds up the coating target D2 to form a coating target roll. The coating target D1 is transported from the unwinding section 31 to the winding section 35.

被成膜品D1の搬送経路には2つの成膜部32、34、すなわち第1成膜部32および第2成膜部34が配置されている。第1成膜部32は被成膜品D1の第1面(ベースフィルム11の第1面11a)に第1金属薄膜層12Aを成膜する。第2成膜部34は被成膜品D1の第2面(ベースフィルム11の第2面11b)に第2金属薄膜層12Bを成膜する。 Two film-forming units 32, 34, i.e., a first film-forming unit 32 and a second film-forming unit 34, are arranged on the transport path of the film-forming product D1. The first film-forming unit 32 forms a first metal thin film layer 12A on the first surface (first surface 11a of the base film 11) of the film-forming product D1. The second film-forming unit 34 forms a second metal thin film layer 12B on the second surface (second surface 11b of the base film 11) of the film-forming product D1.

スパッタリング装置の場合、各成膜部32、34は、被成膜品D1を冷却するキャンロールと、キャンロールの周囲に設けられた複数のスパッタリングカソードとからなる。各スパッタリングカソードには、キャンロールに対向する面にターゲットが取り付けられている。ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子が被成膜品D1の表面上に堆積することで成膜が行なわれる。したがって、通常、ターゲットとして、第1、第2金属薄膜層12A、12Bと同一組成の金属または合金が選択される。 In the case of a sputtering device, each deposition section 32, 34 consists of a can roll for cooling the deposition target D1, and multiple sputtering cathodes arranged around the can roll. A target is attached to each sputtering cathode on the surface facing the can roll. Film deposition is performed by depositing sputtered particles ejected from the target on the surface of the deposition target D1. Therefore, a metal or alloy with the same composition as the first and second metal thin film layers 12A, 12B is usually selected as the target.

被成膜品D1の搬送経路において、2つの成膜部32、34の間にはフィルム貼付部33が配置されている。フィルム貼付部33は粘着フィルム20をロール状に巻回した粘着フィルムロールから粘着フィルム20を巻き出して、被成膜品D1に成膜された第1金属薄膜層12Aの表面に粘着フィルム20を貼り付ける。 A film attachment unit 33 is disposed between the two deposition units 32, 34 on the transport path of the film-formed product D1. The film attachment unit 33 unrolls the adhesive film 20 from an adhesive film roll in which the adhesive film 20 is wound in a roll shape, and attaches the adhesive film 20 to the surface of the first metal thin film layer 12A formed on the film-formed product D1.

真空チャンバー30の内部には、被成膜品D1の搬送経路を画定する各種のロールが設けられている。この種のロールとして、フリーロール、張力センサロール、フィードロールなどが挙げられる。被成膜品D1はこれらのロールに巻きつけられ、搬送される。 Inside the vacuum chamber 30, various rolls are provided that define the transport path of the film-formed product D1. Examples of such rolls include a free roll, a tension sensor roll, and a feed roll. The film-formed product D1 is wound around these rolls and transported.

以上のように、真空チャンバー30の内部には、被成膜品D1の搬送経路に沿って、上流から下流に向かって、巻出部31、第1成膜部32、フィルム貼付部33、第2成膜部34、および巻取部35がこの順に配置されている。したがって、被成膜品D1を一回搬送すれば、第1成膜部32およびフィルム貼付部33で第1真空成膜工程を行ない、それに続いて第2成膜部34で第2真空成膜工程を行なうことができる。つまり、第1真空成膜工程および第2真空成膜工程を、単一の真空成膜装置3内で、連続して行なうことができる。 As described above, inside the vacuum chamber 30, the unwinding section 31, the first film-forming section 32, the film application section 33, the second film-forming section 34, and the winding section 35 are arranged in this order from upstream to downstream along the transport path of the film-formed product D1. Therefore, by transporting the film-formed product D1 once, the first vacuum film-forming process can be performed in the first film-forming section 32 and the film application section 33, and then the second vacuum film-forming process can be performed in the second film-forming section 34. In other words, the first vacuum film-forming process and the second vacuum film-forming process can be performed consecutively within a single vacuum film-formation device 3.

また、フィルム貼付部33の後に第2成膜部34が配置されているので、第1金属薄膜層12Aの表面に粘着フィルム20を貼り付けた後に、第2金属薄膜層12Bを成膜することになる。第2金属薄膜層12Bの成膜中に第1金属薄膜層12Aとロール(例えば、第2成膜部34のキャンロール)とが直接接触することがないため、第1金属薄膜層12Aとロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる。 In addition, since the second film forming unit 34 is disposed after the film attachment unit 33, the second metal thin film layer 12B is formed after the adhesive film 20 is attached to the surface of the first metal thin film layer 12A. Since the first metal thin film layer 12A does not come into direct contact with the roll (e.g., the can roll of the second film forming unit 34) during the formation of the second metal thin film layer 12B, the occurrence of pinholes due to contact between the first metal thin film layer 12A and the roll can be suppressed.

しかも、真空成膜装置3は両面成膜方式の装置であるので、ベースフィルム11を一回搬送させることで、第1金属薄膜層12Aのピンホールの発生を抑制しつつ、ベースフィルム11の両面に金属薄膜層12A、12Bを成膜できる。 In addition, since the vacuum deposition device 3 is a double-sided deposition device, by transporting the base film 11 once, it is possible to deposit the metal thin film layers 12A and 12B on both sides of the base film 11 while suppressing the occurrence of pinholes in the first metal thin film layer 12A.

(粘着フィルム)
粘着フィルム20は第1金属薄膜層12Aの表面に貼り付く粘着性を有する。粘着性のないフィルムを第1金属薄膜層12Aの表面に重ねただけだと、ベースフィルム11の搬送中に第1金属薄膜層12Aとフィルムとが擦れて第1金属薄膜層12Aの表面に傷が生じることがある。これに対して、粘着フィルム20は第1金属薄膜層12Aと擦れることがないため、第1金属薄膜層12Aの表面に傷が生じることを抑制できる。
(Adhesive film)
The adhesive film 20 has adhesiveness that allows it to stick to the surface of the first metal thin film layer 12A. If a non-adhesive film were simply placed on the surface of the first metal thin film layer 12A, the first metal thin film layer 12A and the film would rub against each other during transport of the base film 11, causing scratches on the surface of the first metal thin film layer 12A. In contrast, the adhesive film 20 does not rub against the first metal thin film layer 12A, and therefore can prevent scratches on the surface of the first metal thin film layer 12A.

スパッタリング装置の場合、第2成膜部34のキャンロールと被成膜品D1との間にフィルムが介在すると、キャンロールによる被成膜品D1の冷却効率が低下する。これにより、被成膜品D1が蓄熱して熱によるシワが生じることがある。しかし、真空中での熱伝達は接触熱伝達が支配的であるため、粘着フィルム20を用いれば、粘着性のないフィルムを用いる場合に比べて、被成膜品D1の熱をキャンロールに伝えやすくなる。そのため、粘着フィルム20を用いれば、被成膜品D1を十分に冷却でき、シワの発生を抑制できる。 In the case of a sputtering device, if a film is interposed between the can roll of the second film forming section 34 and the film-formed product D1, the cooling efficiency of the can roll for the film-formed product D1 decreases. This can cause heat to accumulate in the film-formed product D1, which can lead to heat-induced wrinkles. However, because heat transfer in a vacuum is dominated by contact heat transfer, using the adhesive film 20 makes it easier to transfer heat from the film-formed product D1 to the can roll compared to using a non-adhesive film. Therefore, using the adhesive film 20 allows the film-formed product D1 to be sufficiently cooled, and the occurrence of wrinkles can be suppressed.

粘着フィルム20の貼り付けは、真空成膜装置3の内部、すなわち真空下で行なわれる。粘着フィルム20の貼り付けを空気中で行なうと、第1金属薄膜層12Aと粘着フィルム20との間に空気が混入することがある。そうすると、第2金属薄膜層12Bの成膜に不具合が生じる可能性がある。粘着フィルム20の貼り付けを真空下で行なうことで、このような不具合を防止できる。 The adhesive film 20 is applied inside the vacuum deposition device 3, i.e., under vacuum. If the adhesive film 20 is applied in air, air may get in between the first metal thin film layer 12A and the adhesive film 20. This may cause problems with the deposition of the second metal thin film layer 12B. By applying the adhesive film 20 under vacuum, such problems can be prevented.

図1の(2)に示すように、粘着フィルム20は基層21と粘着層22とからなる。基層21の素材は、特に限定されないが、二軸延伸ポリプロピレン(OPP:Oriented Polypropylene)などが用いられる。粘着フィルム20としていわゆる自己粘着性を有するフィルムが好ましい。すなわち、粘着層22は、粘着剤ではなく、粘着性を有する樹脂からなることが好ましい。例えば、特開2008-6815号公報に開示されているように、水添スチレン系エラストマー50~80重量%とプロピレン・α-オレフィンランダム共重合体50~20重量%とからなる自己粘着層を用いることができる。 As shown in FIG. 1 (2), the adhesive film 20 is composed of a base layer 21 and an adhesive layer 22. The material of the base layer 21 is not particularly limited, but biaxially oriented polypropylene (OPP) or the like is used. The adhesive film 20 is preferably a film having so-called self-adhesive properties. In other words, the adhesive layer 22 is preferably made of a resin having adhesive properties, rather than an adhesive. For example, as disclosed in JP 2008-6815 A, a self-adhesive layer made of 50 to 80% by weight of a hydrogenated styrene-based elastomer and 50 to 20% by weight of a propylene-α-olefin random copolymer can be used.

通常、粘着剤には多くの有機溶媒が含まれている。特に蒸気圧が低い(低分子量の)有機溶媒を含む粘着剤を真空チャンバー30内に置くと、有機溶媒が揮発して粘着剤がもろくなる。これにより、粘着層が崩れて飛散し、真空チャンバー30の内部を汚染したり、成膜面に異物が付着して後工程(例えば、電解めっき工程)における不具合の原因となったりする。 Adhesives usually contain a large amount of organic solvent. When an adhesive containing an organic solvent with a particularly low vapor pressure (low molecular weight) is placed inside the vacuum chamber 30, the organic solvent evaporates and the adhesive becomes brittle. This can cause the adhesive layer to crumble and scatter, contaminating the inside of the vacuum chamber 30 or foreign matter to adhere to the film-forming surface, causing problems in subsequent processes (e.g., electrolytic plating).

これに対して、粘着層22が有機溶媒の含有量が少ない樹脂からなるものであれば、粘着フィルム20を真空成膜装置3内に配置しても、有機溶剤が揮発することにより粘着層22が崩れて飛散することを抑制できる。そのため、粘着層22の飛散に起因する不具合を抑制できる。 On the other hand, if the adhesive layer 22 is made of a resin with a low content of organic solvent, even if the adhesive film 20 is placed in the vacuum deposition device 3, the adhesive layer 22 can be prevented from crumbling and scattering due to the evaporation of the organic solvent. Therefore, problems caused by the adhesive layer 22 scattering can be prevented.

〔第2実施形態〕
図3に示すような、一回の搬送で被成膜品D1の片面に成膜を行なう片面成膜方式の真空成膜装置4を用いてもよい。真空成膜装置4は真空チャンバー30を有する。真空チャンバー30の内部には、被成膜品D1の搬送経路に沿って、上流から下流に向かって、巻出部31、第1成膜部32、フィルム貼付部33、および巻取部35がこの順に配置されている。なお、第2成膜部34は配置されていない。
Second Embodiment
As shown in Fig. 3, a vacuum film-forming apparatus 4 of a single-sided film-forming type may be used in which a film is formed on one side of a film-forming target object D1 in one transport. The vacuum film-forming apparatus 4 has a vacuum chamber 30. Inside the vacuum chamber 30, an unwinding section 31, a first film-forming section 32, a film application section 33, and a winding section 35 are arranged in this order from upstream to downstream along the transport path of the film-forming target object D1. Note that a second film-forming section 34 is not arranged.

片面成膜方式の真空成膜装置4を用いた場合、第1真空成膜工程および第2真空成膜工程は二段階で行なわれる。すなわち、第1真空成膜工程では、真空成膜装置4に被成膜品D1としてベースフィルム11をセットする。そして、ベースフィルム11の巻き出し、第1金属薄膜層12Aの成膜、粘着フィルム20の貼り付け、基板中間品10i(成膜品D2)の巻き取りをこの順に行なう。第1金属薄膜層12Aの成膜は第1成膜部32で行なわれ、粘着フィルム20の貼り付けはフィルム貼付部33で行なわれる。 When using a vacuum film-forming apparatus 4 with a single-sided film-forming method, the first vacuum film-forming process and the second vacuum film-forming process are performed in two stages. That is, in the first vacuum film-forming process, a base film 11 is set in the vacuum film-forming apparatus 4 as the product D1 to be film-formed. Then, the base film 11 is unwound, the first metal thin film layer 12A is formed, the adhesive film 20 is attached, and the intermediate substrate product 10i (film-formed product D2) is wound up in this order. The first metal thin film layer 12A is formed in the first film-forming section 32, and the adhesive film 20 is attached in the film attachment section 33.

そして、基板中間品10iをロール状に巻回した基板中間品ロールを、真空成膜装置4から取り出す(大気圧下に取り出す)。 Then, the substrate intermediate roll in which the substrate intermediate 10i is wound into a roll is removed from the vacuum deposition device 4 (removed under atmospheric pressure).

第2真空成膜工程では、真空成膜装置4に被成膜品D1として基板中間品10iをセットする。そして、基板中間品10iの巻き出し、第2金属薄膜層12Bの成膜、金属張基板10(成膜品D2)の巻き取りをこの順に行なう。ここで、第2金属薄膜層12Bの成膜は第1成膜部32で行なわれる。すなわち、第1真空成膜工程と第2真空成膜工程とで、成膜面を反転させる。また、フィルム貼付部33は停止しており、粘着フィルム20の貼り付けは行なわない。 In the second vacuum film-forming process, the substrate intermediate product 10i is set in the vacuum film-forming device 4 as the product to be film-formed D1. Then, the substrate intermediate product 10i is unwound, the second metal thin film layer 12B is formed, and the metal-clad substrate 10 (film-formed product D2) is wound up in that order. Here, the second metal thin film layer 12B is formed in the first film-forming section 32. That is, the film-formed surface is reversed between the first and second vacuum film-forming processes. Also, the film attachment section 33 is stopped, and the adhesive film 20 is not attached.

第1真空成膜工程では、第1金属薄膜層12Aの表面に粘着フィルム20を貼り付ける。その後の第2真空成膜工程において、第2金属薄膜層12Bの成膜中に第1金属薄膜層12Aとロールとが直接接触することがない。そのため、第1金属薄膜層12Aとロールとの接触に起因するピンホールの発生を抑制できる。 In the first vacuum deposition process, an adhesive film 20 is attached to the surface of the first metal thin film layer 12A. In the subsequent second vacuum deposition process, the first metal thin film layer 12A does not come into direct contact with the roll during deposition of the second metal thin film layer 12B. This prevents pinholes from occurring due to contact between the first metal thin film layer 12A and the roll.

このように、片面成膜方式の真空成膜装置4を用いて、第1金属薄膜層12Aのピンホールの発生を抑制しつつ、ベースフィルム11の両面に金属薄膜層12A、12Bを成膜できる。 In this way, using the vacuum deposition apparatus 4 with a single-sided deposition method, it is possible to deposit metal thin film layers 12A and 12B on both sides of the base film 11 while suppressing the occurrence of pinholes in the first metal thin film layer 12A.

粘着フィルム20の貼り付けは、第1金属薄膜層12Aの成膜と基板中間品10iの巻き取りとの間に行なえばよい。ただし、第1金属薄膜層12Aとロールとの接触機会を低減するという観点からは、第1金属薄膜層12Aの成膜直後に粘着フィルム20の貼り付けを行なうことが好ましい。したがって、図3に示すように、フィルム貼付部33は第1成膜部32の直後に配置することが好ましい。 The adhesive film 20 may be applied between the deposition of the first metal thin film layer 12A and the winding of the substrate intermediate product 10i. However, from the viewpoint of reducing the chance of contact between the first metal thin film layer 12A and the roll, it is preferable to apply the adhesive film 20 immediately after the deposition of the first metal thin film layer 12A. Therefore, as shown in FIG. 3, it is preferable to position the film attachment unit 33 immediately after the first deposition unit 32.

ただし、図4に示すように、真空成膜装置4を、基板中間品10iの巻き取り直前に粘着フィルム20の貼り付けを行なう構成としてもよい。成膜品D2は巻き取り時の方が、成膜直後に比べて温度が低く、熱による寸法変化が小さい。そのため、基板中間品10iの巻き取り直前に粘着フィルム20を貼り付ければ、巻き取り後の粘着フィルム20に生じる応力が低く抑えられ、巻締まりや巻き姿への影響およびベースフィルム11と粘着フィルム20の熱膨張差による擦れの抑制につながる。 However, as shown in FIG. 4, the vacuum film-forming device 4 may be configured to apply the adhesive film 20 immediately before winding the substrate intermediate product 10i. The temperature of the film-formed product D2 is lower during winding than immediately after film formation, and dimensional changes due to heat are small. Therefore, if the adhesive film 20 is applied immediately before winding the substrate intermediate product 10i, the stress generated in the adhesive film 20 after winding is kept low, which leads to suppression of effects on the tightness of the winding and the winding shape, as well as rubbing due to the difference in thermal expansion between the base film 11 and the adhesive film 20.

つぎに、実施例を説明する。
(実施例1)
ベースフィルムとして、厚さ38μmのポリイミドフィルム(カプトン150ENA、東レ・デュポン製)を用意した。ベースフィルムを両面成膜方式のマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置で、第1金属薄膜層の成膜、粘着フィルムの貼り付け、第2金属薄膜層の成膜を、この順に連続して行なって金属張基板を得た。ここで、第1、第2金属薄膜層の組成を銅とし、それぞれの厚さを100nmとした。また、粘着フィルムとして自己粘着フィルム(太閤FSA、グレード010C、フタムラ化学製)を用いた。
Next, an embodiment will be described.
Example 1
A polyimide film (Kapton 150ENA, manufactured by Toray DuPont) with a thickness of 38 μm was prepared as the base film. The base film was set in a magnetron sputtering device with a double-sided film formation method. In the magnetron sputtering device, the formation of a first metal thin film layer, the attachment of an adhesive film, and the formation of a second metal thin film layer were performed continuously in this order to obtain a metal-clad substrate. Here, the composition of the first and second metal thin film layers was copper, and each had a thickness of 100 nm. In addition, a self-adhesive film (Taiko FSA, grade 010C, manufactured by Futamura Chemical) was used as the adhesive film.

大気中に取り出した金属張基板から小片を採取し、粘着フィルムを剥離して、第2面の導体層(第2金属薄膜層)をエッチング液で除去した。導体層が除去され露出したベースフィルム側からハロゲンランプ(照度4,500cd、以下同じ。)を照射して、透過光の数をピンホール数として計数した。小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は4個であった。 A small piece was taken from the metal-clad substrate taken out into the air, the adhesive film was peeled off, and the conductor layer (second metal thin film layer) on the second surface was removed with an etching solution. A halogen lamp (illuminance 4,500 cd, the same applies below) was irradiated from the base film side exposed after the conductor layer was removed, and the number of transmitted lights was counted as the number of pinholes. The number of pinholes with a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 4.

(実施例2)
ベースフィルムとして、厚さ25μmのポリイミドフィルム(アピカルNPI、カネカ製)を用いた。それ以外は実施例1と同様の条件で処理を行なった。その結果、小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は6個であった。
Example 2
A polyimide film (Apical NPI, manufactured by Kaneka) having a thickness of 25 μm was used as the base film. Other than that, the treatment was carried out under the same conditions as in Example 1. As a result, the number of pinholes having a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 6.

(実施例3)
ベースフィルムとして、厚さ25μmのポリイミドフィルム(ユーピレックスS、宇部興産製)を用いた。それ以外は実施例1と同様の条件で処理を行なった。その結果、小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は2個であった。
Example 3
A polyimide film (Upilex S, manufactured by Ube Industries) having a thickness of 25 μm was used as the base film. Other than that, the treatment was carried out under the same conditions as in Example 1. As a result, the number of pinholes having a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was two.

(実施例4)
実施例1と同様の条件で、ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜し、金属張基板を得た。その後、金属張基板から粘着フィルムを剥離して、電解めっきにより金属張基板の両面にめっき被膜を成膜した。ここで、めっき被膜の組成を銅とし、厚さを2μmとした。
Example 4
A metal thin film layer was formed on both sides of the base film under the same conditions as in Example 1 to obtain a metal-clad substrate. Then, the adhesive film was peeled off from the metal-clad substrate, and a plating film was formed on both sides of the metal-clad substrate by electrolytic plating. Here, the plating film had a composition of copper and a thickness of 2 μm.

導体層が厚膜化された金属張基板から小片を採取し、第2面の導体層(第2金属薄膜層およびめっき被膜)をエッチング液で除去した。導体層が除去され露出したベースフィルム側からハロゲンランプを照射して、透過光の数をピンホール数として計数した。小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は6個であった。 A small piece was taken from the metal-clad substrate with the thickened conductor layer, and the conductor layer on the second surface (the second metal thin film layer and the plating film) was removed with an etching solution. A halogen lamp was irradiated from the base film side exposed after the conductor layer was removed, and the number of transmitted lights was counted as the number of pinholes. The number of pinholes with a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 6.

(実施例5)
ベースフィルムとして、厚さ38μmのポリイミドフィルム(カプトン150ENA、東レ・デュポン製)を用意した。ベースフィルムを片面成膜方式のマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置で、第1金属薄膜層の成膜、粘着フィルムの貼り付けを、この順に行なって基板中間品を得た。ここで、第1金属薄膜層の組成を銅とし、厚さを100nmとした。また、粘着フィルムとして自己粘着フィルム(太閤FSA、グレード010C、フタムラ化学製)を用いた。
Example 5
A polyimide film (Kapton 150ENA, manufactured by Toray DuPont) with a thickness of 38 μm was prepared as the base film. The base film was set in a magnetron sputtering device with a single-sided film formation method. In the magnetron sputtering device, the first metal thin film layer was formed and the adhesive film was attached in this order to obtain a substrate intermediate. Here, the composition of the first metal thin film layer was copper, and the thickness was 100 nm. In addition, a self-adhesive film (Taiko FSA, grade 010C, manufactured by Futamura Chemical) was used as the adhesive film.

得られた基板中間品をマグネトロンスパッタリング装置から取り出し、被成膜品として再びマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置で第2金属薄膜層の成膜を行なった。ここで、第2金属薄膜層の組成を銅とし、厚さを100nmとした。 The resulting intermediate substrate was removed from the magnetron sputtering device and set back into the magnetron sputtering device as the substrate on which the film was to be formed. A second metal thin film layer was formed using the magnetron sputtering device. Here, the composition of the second metal thin film layer was copper, and the thickness was 100 nm.

大気中に取り出した金属張基板から小片を採取し、粘着フィルムを剥離して、第2面の導体層(第2金属薄膜層)をエッチング液で除去した。導体層が除去され露出したベースフィルム側からハロゲンランプを照射して、透過光の数をピンホール数として計数した。小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は4個であった。 A small piece was taken from the metal-clad substrate taken out into the air, the adhesive film was peeled off, and the conductor layer (second metal thin film layer) on the second surface was removed with an etching solution. A halogen lamp was irradiated from the base film side exposed after the conductor layer was removed, and the number of transmitted lights was counted as the number of pinholes. The number of pinholes with a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 4.

(実施例6)
実施例5と同様の条件で、ベースフィルムの両面に金属薄膜層を成膜し、金属張基板を得た。その後、金属張基板から粘着フィルムを剥離して、電解めっきにより金属張基板の両面にめっき被膜を成膜した。ここで、めっき被膜の組成を銅とし、厚さを2μmとした。
Example 6
A metal thin film layer was formed on both sides of the base film under the same conditions as in Example 5 to obtain a metal-clad substrate. The adhesive film was then peeled off from the metal-clad substrate, and a plating film was formed on both sides of the metal-clad substrate by electrolytic plating. Here, the plating film had a composition of copper and a thickness of 2 μm.

導体層が厚膜化された金属張基板から小片を採取し、第2面の導体層(第2金属薄膜層およびめっき被膜)をエッチング液で除去した。導体層が除去され露出したベースフィルム側からハロゲンランプを照射して、透過光の数をピンホール数として計数した。小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は6個であった。 A small piece was taken from the metal-clad substrate with the thickened conductor layer, and the conductor layer on the second surface (the second metal thin film layer and the plating film) was removed with an etching solution. A halogen lamp was irradiated from the base film side exposed after the conductor layer was removed, and the number of transmitted lights was counted as the number of pinholes. The number of pinholes with a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 6.

(比較例1)
実施例1と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例1と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は50個であった。
(Comparative Example 1)
A metal-clad substrate was obtained under the same conditions as in Example 1. However, no adhesive film was attached. The number of pinholes was counted using the same procedure as in Example 1, and the number of pinholes with a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 50.

(比較例2)
実施例2と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例2と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は150個であった。
(Comparative Example 2)
A metal-clad substrate was obtained under the same conditions as in Example 2, except that no adhesive film was attached. The number of pinholes was counted using the same procedure as in Example 2, and the number of pinholes with a diameter of 5 μm or more found in the small piece (area 10 cm 2 ) was 150.

(比較例3)
実施例3と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例3と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は25個であった。
(Comparative Example 3)
A metal-clad substrate was obtained under the same conditions as in Example 3. However, no adhesive film was attached. The number of pinholes was counted using the same procedure as in Example 3, and the number of pinholes with a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 25.

(比較例4)
実施例4と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例4と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は80個であった。
(Comparative Example 4)
A metal-clad substrate was obtained under the same conditions as in Example 4, except that no adhesive film was attached. The number of pinholes was counted using the same procedure as in Example 4, and the number of pinholes with a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 80.

(比較例5)
実施例5と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例5と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は50個であった。
(Comparative Example 5)
A metal-clad substrate was obtained under the same conditions as in Example 5. However, no adhesive film was attached. The number of pinholes was counted using the same procedure as in Example 5, and the number of pinholes with a diameter of 5 μm or more confirmed in the small piece (area 10 cm 2 ) was 50.

(比較例6)
実施例6と同様の条件で金属張基板を得た。ただし、粘着フィルムの貼り付けは行なわなかった。実施例6と同様の手順でピンホール数を計数したところ、小片(面積10cm)に確認された直径5μm以上のピンホール数は70個であった。
(Comparative Example 6)
A metal-clad substrate was obtained under the same conditions as in Example 6, except that no adhesive film was attached. The number of pinholes was counted using the same procedure as in Example 6, and the number of pinholes with a diameter of 5 μm or more found in the small piece (area 10 cm 2 ) was 70.

実施例1~6、比較例1~6の条件およびピンホール数を表1にまとめる。

Figure 0007528600000001
The conditions and the number of pinholes in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 6 are summarized in Table 1.
Figure 0007528600000001

表1から明らかなように、粘着フィルムの貼り付けを行なった実施例1~6は、いずれもピンホール数が6個以下である。これに対して、粘着フィルムの貼り付けを行なわなかった比較例1~6は、いずれもピンホール数が25個以上である。これより、粘着フィルムの貼り付けを行なうことにより、ピンホールの発生を抑制できることが確認できた。また、ベースフィルムの厚さ、マグネトロンスパッタリング装置の方式(両面/片面)、電解めっきの有無によらず、粘着フィルムの貼り付けを行なえば、ピンホールの発生を抑制できることが確認できた。 As is clear from Table 1, in Examples 1 to 6 in which an adhesive film was applied, the number of pinholes was 6 or less. In contrast, in Comparative Examples 1 to 6 in which an adhesive film was not applied, the number of pinholes was 25 or more. This confirmed that the application of an adhesive film can suppress the occurrence of pinholes. It was also confirmed that the application of an adhesive film can suppress the occurrence of pinholes, regardless of the thickness of the base film, the type of magnetron sputtering device (double-sided/single-sided), or whether electrolytic plating is performed or not.

11 ベースフィルム
10i 基板中間品
10 金属張基板
12A 第1金属薄膜層
12B 第2金属薄膜層
13 めっき被膜
20 粘着フィルム
3 真空成膜装置
30 真空チャンバー
31 巻出部
32 第1成膜部
33 フィルム貼付部
34 第2成膜部
35 巻取部
REFERENCE SIGNS LIST 11 Base film 10i Substrate intermediate product 10 Metal-clad substrate 12A First metal thin film layer 12B Second metal thin film layer 13 Plated film 20 Adhesive film 3 Vacuum film-forming device 30 Vacuum chamber 31 Unwinding section 32 First film-forming section 33 Film attachment section 34 Second film-forming section 35 Winding section

Claims (3)

ロールツーロールによりベースフィルムを搬送しつつ、真空成膜法により前記ベースフィルムの第1面に第1金属薄膜層を成膜し、前記第1金属薄膜層の表面に粘着フィルムを貼り付けて基板中間品を得る第1真空成膜工程と、
ロールツーロールにより前記基板中間品を搬送しつつ、真空成膜法により前記ベースフィルムの第2面に第2金属薄膜層を成膜して金属張基板を得る第2真空成膜工程と、
ロールツーロールにより前記金属張基板を搬送しつつ、前記粘着フィルムを剥離し、電解めっきにより前記金属張基板の両面にめっき被膜を成膜する電解めっき工程と、を備え
前記粘着フィルムを剥離した後、前記めっき被膜を成膜する前に、大気圧プラズマにより前記第1金属薄膜層の表面に残存する有機物を除去し、
前記粘着フィルムは粘着性を有する樹脂からなる粘着層を有する自己粘着フィルムである
ことを特徴とする金属張基板の製造方法。
a first vacuum film-forming process in which a first metal thin film layer is formed on a first surface of the base film by a vacuum film-forming method while transporting the base film by a roll-to-roll method, and an adhesive film is attached to the surface of the first metal thin film layer to obtain a substrate intermediate product;
a second vacuum deposition process in which a second metal thin film layer is deposited on a second surface of the base film by a vacuum deposition method while the intermediate substrate is transported by a roll-to-roll method to obtain a metal-clad substrate;
and an electrolytic plating process in which the adhesive film is peeled off while the metal-clad substrate is transported by a roll-to-roll method, and a plating film is formed on both sides of the metal-clad substrate by electrolytic plating .
After the adhesive film is peeled off, and before the plating film is formed, organic matter remaining on the surface of the first metal thin film layer is removed by atmospheric pressure plasma;
The adhesive film is a self-adhesive film having an adhesive layer made of an adhesive resin.
A method for producing a metal-clad substrate comprising the steps of:
前記第1真空成膜工程および前記第2真空成膜工程は、単一の真空成膜装置内で、連続して行なわれる
ことを特徴とする請求項1記載の金属張基板の製造方法。
2. The method for manufacturing a metal-clad substrate according to claim 1, wherein the first vacuum film-forming step and the second vacuum film-forming step are performed consecutively in a single vacuum film-forming apparatus.
前記第1真空成膜工程では、前記ベースフィルムの巻き出し、および、前記基板中間品の巻き取りを行ない、
前記第2真空成膜工程では、前記基板中間品の巻き出し、および、前記金属張基板の巻き取りを行なう
ことを特徴とする請求項1記載の金属張基板の製造方法。
In the first vacuum film-forming step, the base film is unwound and the intermediate substrate is wound up;
2. The method for manufacturing a metal-clad substrate according to claim 1, wherein the second vacuum film-forming step includes unwinding the intermediate substrate and winding up the metal-clad substrate.
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