JP7523515B2 - 有機金属化合物、及びこれを含む有機発光素子 - Google Patents
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Description
本発明は、有機金属化合物に関し、より詳細には、燐光特性を有する有機金属化合物、及びこれを含む有機発光素子に関する。
表示装置が様々な分野に適用されることによって、関心が高まりつつある。これら表示素子の一つとして、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）を含む有機発光表示装置の技術が急発展してきている。
有機発光素子は、正極と負極との間に形成された発光層に電荷を注入すると、電子と正孔が対をなして、励起子（エキシトン）を形成した後、励起子のエネルギーを光で放出する素子である。有機発光素子は、既知のディスプレイ技術に比べて、低電圧駆動が可能で、電力の消耗が比較的少なく、優れた色感を有するだけでなく、フレキシブル基板の適用が可能であり、様々な活用が可能であって、表示装置の大きさを自由に調節することができるという長所を有している。
有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）は、液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）に比べて視野角、明暗比等に優れており、バックライトが不要で、軽量かつ超薄型が可能である。有機発光素子は、負極（電子注入電極；ｃａｔｈｏｄｅ）と正極（正孔注入電極；ａｎｏｄｅ）との間に複数の有機物層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸送補助層、電子遮断層、発光層、電子伝達層等が配置して形成される。
これら有機発光素子の構造において、両電極の間に電圧をかけると、負極と正極からそれぞれ電子と正孔が注入され、発光層で生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が基底状態に落ちながら発光することになる。
有機発光素子に使用される有機材料は、大きく発光材料と電荷輸送材料に区分される。発光材料は、有機発光素子の発光効率を定める重要な要因であり、発光材料は、量子効率が高く、電子と正孔の移動度に優れ、発光層に均一かつ安定的に存在しなければならない。発光材料は、発色光によって青、赤、緑等の発光材料に区分され、発色材料としての色純度の増加とエネルギー転移による発光効率を増加させるために、ホスト（ｈｏｓｔ）、ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）として使用される。
近年、発光層に蛍光物質よりも燐光物質が多く使用される流れがある。蛍光物質の場合、発光層で形成されるエキシトンのうち約２５％の一重項（ｓｉｎｇｌｅｔ）のみが光を作るために使用され、７５％の三重項（ｔｒｉｐｌｅｔ）は、ほとんど熱で消失する一方、燐光物質は、一重項と三重項をいずれも光に転換させる発光メカニズムを有しているからである。
従来、有機発光素子に使用される燐光発光材料は、有機金属化合物が用いられており、これらの低い効率及び寿命の問題を解決するため燐光材料の研究及び開発が要求され続けている。
よって、本発明の目的は、駆動電圧、効率、及び寿命を改善できる有機金属化合物と、これを有機発光層に適用した有機発光素子を提供することである。
本発明の目的は、以上に言及した目的に制限されず、言及していない本発明の他の目的及び長所は、下記の説明によって理解することができ、本発明の実施例によってより明らかに理解することができる。また、本発明の目的及び長所は、特許請求の範囲に示した手段及びその組み合わせによって実現できることが理解されるだろう。
上記課題を解決するために本発明は、下記の化学式１で表される新規な構造の有機金属化合物、これを発光層のドーパントとして含む有機発光素子、及び有機発光素子を含む有機発光表示装置を提供することができる。
上記化学式１において、ＬＡは、下記の化学式２－１～化学式２－６からなる群より選択される１つであってもよく、ＬＢは、下記の化学式３で表される二座配位子（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）であってもよく、ｍは１、２又は３であり、ｎは０、１又は２であり、ｍとｎとの和は３であってもよい。
上記化学式２－１～化学式２－６において、Ｘは、それぞれ独立に－ＣＨ２－、酸素、－ＮＨ－、及び硫黄からなる群より選択される１つであってもよく、Ｒ１－１、Ｒ１－２、Ｒ１－３、Ｒ１－４、Ｒ２－１、Ｒ２－２、Ｒ３－１、Ｒ３－２、Ｒ４－１、及びＲ４－２は、それぞれ独立に水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１つであってもよく、前記Ｒ１－１、Ｒ１－２、Ｒ１－３、Ｒ１－４、Ｒ２－１、Ｒ２－２、Ｒ３－１、Ｒ３－２、Ｒ４－１、及びＲ４－２のうち互いに隣り合う２つの置換基は、互いに結合して環構造を形成することができる。
本発明による有機金属化合物の有機発光素子の燐光発光層のドーパントに適用することにより、有機発光素子の駆動電圧、効率、及び寿命特性を向上させることができる。
本発明の効果は、以上に言及した効果に制限されず、言及していないさらに他の効果は、下記の記載から本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとって明確に理解することができる。
前述した目的、特徴及び長所は、添付の図面を参照して詳細に説明され、これによって、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術思想を容易に実施することができる。本発明を説明することにおいて、本発明に係る公知技術に対する具体的な説明が、本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合には詳細な説明を省略する。以下では、添付の図面を参照して、本発明による好ましい実施例を詳細に説明することとする。図面における同じ参照符号は、同一又は類似の構成要素を示すために使われる。
本明細書を説明することにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が、本明細書の要旨を曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
以下における構成要素を「含む」、「有する」、「なる」、「配置する」などと使う場合、「のみ」が使われていない限り、他の部分が加えられてもよい。構成要素を単数で表現した場合、別途明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合も含む。
以下における構成要素を解釈することにおいて、別途明示的な記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。
以下における構成要素の「上部（又は下部）」又は構成要素の「上（又は下）」に任意の構成が配されるということは、任意の構成が上記構成要素の上面（又は下面）に接して配されるだけでなく、上記構成要素と、上記構成要素上に（又は下に）配された任意の構成との間に他の構成が介在し得ることを意味する。
本明細書における「隣接する置換基が互いに結合して環構造を形成する」という意味は、隣接する置換基が互いに結合して、置換又は非置換された脂環族環構造（シクロアルキル基）、置換又は非置換された芳香族環構造（アリール基）、置換又は非置換された脂肪族及び芳香族をいずれも有する環構造（アルキルアリール基又はアリールアルキル基）を形成できることを意味し、「隣接する置換基」は、置換基が置換された原子と直接結合された原子に置換された置換基、該置換基と立体構造的に最も近く位置した置換基、又は該置換基が置換された原子に置換された他の置換基を意味し得る。例えば、ベンゼン環構造におけるオルト（ｏｒｔｈｏ）位置に置換された２つの置換基及び脂肪族環における同一炭素に置換された２つの置換基は、互いに「隣接する置換基」と解釈することができる。
以下では、本発明による有機金属化合物の構造と製造例、及びこれを含む有機発光素子を説明することとする。
従来、燐光発光層のドーパントとして有機金属化合物が使用されてきており、例えば、有機金属化合物の主なリガンド構造として、２－フェニルピリジン（２－ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）、２－フェニルピリジン構造におけるピリジン部分に縮合環が付加された２－フェニルキノリン（２－ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）構造等が知られている。しかし、これら従来の発光ドーパントは、有機発光素子への効率及び寿命を向上させるのに限界点があり、新規な発光ドーパント材料を開発することが必要であった。この点、本発明者らは、有機発光素子の効率及び寿命をさらに向上させることのできる発光ドーパント材料を想到して、本発明を完成した。
具体的に、本発明の一構成例による有機金属化合物は、下記の化学式１で表されてもよく、化学式１の主なリガンド（ｍａｉｎ ｌｉｇａｎｄ）であるＬＡは、中心配位金属であるＩｒ（イリジウム）に結合される２つの環のうち炭素（Ｃ）が結合される環部分に硫黄（Ｓ）原子を有するチオフェン（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）の融合環構造が導入されたものであり、チオフェン融合環の結合位置及び配向によって、下記の化学式２－１～化学式２－６のうち１つの構造で示すことができる。本発明者らは、有機発光素子の燐光発光層のドーパント物質に化学式１で表される有機金属化合物を含めると、有機発光素子の発光効率及び寿命を増加させ、駆動電圧は、低くすることができるという優れた効果を実験的に確認して、本発明を完成した。
上記化学式１において、ＬＡは、下記の化学式２－１～化学式２－６からなる群より選択される１つであってもよく、ＬＢは、下記の化学式３で表される二座配位子（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）であってもよく、ｍとｎは、Ｉｒ（イリジウム）に結合するリガンドの数であって、ｍは１、２又は３であり、ｎは０、１又は２であり、ｍとｎとの和は３であってもよい。
上記化学式２－１～化学式２－６において、Ｘは、それぞれ独立に－ＣＨ２－、酸素、－ＮＨ－、及び硫黄からなる群より選択される１つであってもよく、Ｒ１－１、Ｒ１－２、Ｒ１－３、Ｒ１－４、Ｒ２－１、Ｒ２－２、Ｒ３－１、Ｒ３－２、Ｒ４－１、及びＲ４－２は、それぞれ独立に水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１つであってもよく、Ｒ１－１、Ｒ１－２、Ｒ１－３、Ｒ１－４、Ｒ２－１、Ｒ２－２、Ｒ３－１、Ｒ３－２、Ｒ４－１、及びＲ４－２のうち互いに隣り合う２つの置換基は、互いに結合して環構造を形成することができる。
本発明の一構成例による有機金属化合物は、中心配位金属に補助リガンドとして二座配位子を適用することができる。本発明の二座配位子は、電子ドナー（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎｏｒ）を含むことで、ＭＬＣＴ（ｍｅｔａｌ ｔｏ ｌｉｇａｎｄ ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ）の割合を増加して、有機電界発光素子に適用すると、高い発光効率及び高い外部量子効率等が向上した発光特性を実現することができる。
本発明の好ましい補助リガンドとしては、上記化学式３で表される二座配位子であってもよく、具体的には、下記の化学式４及び化学式５からなる群より選択される１つであってもよい。
上記化学式４において、Ｒ５－１、Ｒ５－２、Ｒ５－３、Ｒ５－４、Ｒ６－１、Ｒ６－２、Ｒ６－３、及びＲ６－４は、それぞれ独立に水素、重水素、Ｃ１～Ｃ５の直鎖状アルキル基、及びＣ１～Ｃ５の分枝状アルキル基からなる群より選択される１つであってもよく、Ｒ５－１、Ｒ５－２、Ｒ５－３、Ｒ５－４、Ｒ６－１、Ｒ６－２、Ｒ６－３、及びＲ６－４のうち互いに隣り合う２つの置換基は、互いに結合して環構造を形成することができ、上記化学式５において、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ９は、それぞれ独立に水素、重水素、Ｃ１～Ｃ５の直鎖状アルキル基、及びＣ１～Ｃ５の分枝状アルキル基からなる群より選択される１つであってもよく、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ９のうち互いに隣接した２つの置換基は、互いに結合して環構造を形成することができ、Ｃ１～Ｃ５の直鎖状アルキル基又はＣ１～Ｃ５の分枝状アルキル基は、重水素及びハロゲン元素からなる群より選択される１つ以上に置換されてもよい。
本発明の一構成例による有機金属化合物は、ヘテロレプティック（ｈｅｔｅｒｏｌｅｐｔｉｃ）又はホモレプティック（ｈｏｍｏｌｅｐｔｉｃ）構造であってもよく、例えば、上記化学式Ｉにおけるｍは１であり、ｎは２であるヘテロレプティック構造、ｍは２であり、ｎは１であるヘテロレプティック構造、又はｍは３であり、ｎは０であるホモレプティック構造であってもよい。
本発明の化学式Ｉで表される化合物の具体例は、下記の化合物１～化合物５４０からなる群より選択された１つであってもよいが、化学式Ｉの定義に属するものであれば、これに限定されるものではない。
本発明の一具現例によれば、本発明の化学式１で表される有機金属化合物は、赤色燐光物質又は緑色燐光物質として使用されてもよく、好ましくは、緑色燐光物質として使用されてもよい。
本発明の一構成例による図１を参照すると、第１電極１１０と、第１電極１１０と向かい合う第２電極１２０と、第１電極１１０及び第２電極１２０の間に配置される有機層１３０と、を含む有機発光素子１００を提供することができる。有機層１３０は、発光層１６０を含み、発光層１６０は、ホスト１６０’及びドーパント１６０”を含み、ドーパント１６０”は、化学式１で表される有機金属化合物を含むことができる。また、有機発光素子１００において、第１電極１１０及び第２電極１２０の間に配置される有機層１３０は、第１電極１１０から順次に正孔注入層１４０（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層１５０（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、発光層１６０（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）、電子輸送層１７０（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、及び電子注入層１８０（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）を含む構造であってもよい。電子注入層１８０上に第２電極１２０を形成して、その上に保護膜（不図示）を形成することができる。
また、図１には示されていないものの、正孔輸送層１５０及び発光層１６０の間に正孔輸送補助層をさらに追加することができる。正孔輸送補助層は、正孔輸送特性の良い化合物を含み、正孔輸送層１５０と発光層１６０との間のＨＯＭＯエネルギーレベル差を減らすことにより、正孔注入特性を調節して、正孔輸送補助層と発光層１６０との界面に正孔が蓄積することを減少して、界面におけるポーラロン（ｐｏｌａｒｏｎ）によるエキシトンが消滅する消光現象（ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）を減少させることができる。これによって、素子の劣化現象が減少し、素子が安定して、効率及び寿命を改善することができる。
第１電極１１０は、正極であってもよく、仕事関数の値が比較的大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、スズ酸化物、又は亜鉛酸化物からなってもよいが、これに限定されるものではない。
第２電極１２０は、負極であってもよく、仕事関数の値が比較的小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、又はこれらの合金や組み合わせを含むことができるが、これに限定されるものではない。
正孔注入層１４０は、第１電極１１０と正孔輸送層１５０との間に位置してもよい。正孔注入層１４０は、第１電極１１０と正孔輸送層１５０との間の界面特性を改善する機能があり、適宜な伝導性を有する物質から選択することができる。正孔注入層１４０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＣｕＰｃ、ＴＣＴＡ、ＨＡＴＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｎ１，Ｎ１’－（［１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ］－４，４’－ｄｉｙｌ）ｂｉｓ（Ｎ１，Ｎ４，Ｎ４－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ－１，４－ｄｉａｍｉｎｅ）等の化合物を含むことができ、好ましくは、Ｎ１，Ｎ１’－（［１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ］－４，４’－ｄｉｙｌ）ｂｉｓ（Ｎ１，Ｎ４，Ｎ４－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ－１，４－ｄｉａｍｉｎｅ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。
正孔輸送層１５０は、第１電極１１０と発光層１６０との間で発光層に隣接して位置する。正孔輸送層１５０は、ＴＰＤ、ＮＰＢ、ＣＢＰ、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）ビフェニル）－４－アミン等の化合物を含むことができ、好ましくは、ＮＰＢを含むことができるが、これに限定されるものではない。
本発明によれば、発光層１６０は、ホスト１６０’と素子の発光効率等を向上させるために、化学式１で表される有機金属化合物がドーパント１６０”でドープして形成されてもよく、ドーパント１６０”は、緑又は赤で発光する物質として使用することができ、好ましくは、緑色燐光物質として使用することができる。
本発明のドーパント１６０”のドーピング濃度は、ホスト１６０’の総重量を基準に、１～３０重量％の範囲内で調節することができ、これに制限されるものではないものの、ドーピング濃度は、例えば２～２０重量％であってもよく、例えば３～１５重量％であってもよく、例えば５～１０重量％であってもよく、例えば３～８重量％であってもよく、例えば２～７重量％であってもよく、例えば５～７重量％であってもよく、例えば５～６重量％であってもよい。
本発明の発光層１６０は、化学式１で表される有機金属化合物をドーパント１６０”物質に含み、本技術分野で使用されるホスト１６０’物質として本発明の効果を達成できるものであれば使用することができる。例えば、本発明では、カルバゾール基（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｇｒｏｕｐ）を含む化合物をホスト１６０’として使用することができ、好ましくは、ＣＢＰ（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ｍＣＰ（１，３－ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）等のホスト物質を含むことができるが、これに限定されるものではない。
また、発光層１６０と第２電極１２０との間には、電子輸送層１７０と電子注入層１８０とが順次積層されてもよい。電子輸送層１７０の材料は、高い電子移動度が求められるが、円滑な電子輸送によって電子を発光層に安定的に供給することができる。
例えば、電子輸送層１７０の材料は、本技術分野で使用されるものであって、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｌｉｑ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏｌｉｔｈｉｕｍ）、ＰＢＤ（２－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－５－（４－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）－１，３，４ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＴＡＺ（３－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）４－ｐｈｅｎｙｌ－５－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ－１，２，４－ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ（ｂｉｓ（２－ｍｅｔｈｙｌ－８－ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）－４－（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）、ＳＡｌｑ、ＴＰＢｉ（２，２’，２－（１，３，５－ｂｅｎｚｉｎｅｔｒｉｙｌ）－ｔｒｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌ－１－Ｈ－ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ベンゾオキサゾール（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、ベンゾチアゾール（ｂｅｎｚｔｈｉａｚｏｌｅ）、２－（４－（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌｅ等の化合物を含むことができ、好ましくは、２－（４－（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌｅを含むことができるが、これに限定されるものではない。
電子注入層１８０は、電子の注入を円滑にする役割を担い、電子注入層の材料は、本技術分野で使用されるものであって、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑ等の化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。または、電子注入層１８０は、金属化合物からなってもよく、金属化合物は、例えば、Ｌｉｑ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＦｒＦ、ＢｅＦ２、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＲａＦ２などを含むことができるが、これに限定されるものではない。
本発明の有機発光素子は、タンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造を有する白色有機発光素子であってもよい。本発明の一構成例によるタンデム有機発光素子の場合、単一の発光スタック（又は発光部）は、電荷生成層（ＣＧＬ，Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）によって２つ以上接続した構造に形成されてもよい。有機発光素子は、基板上に互いに対向した第１電極及び第２電極と、第１及び第２電極の間に積層されて、特定の波長帯の光を放射する発光層を有する２つ以上の複数の発光スタック（ｓｔａｃｋ；発光部）とを含むことができる。複数の発光スタック（発光部）は、互いに同じ色を発光するか、異なる色を発光するように適用することができる。また、１つの発光スタック（発光部）にも発光層を１つ以上含むことができ、複数の発光層は、互いに同じか異なる色の発光層であってもよい。
このとき、複数の発光部に含まれる発光層のうち１つ以上は、本発明による化学式１で表される有機金属化合物をドーパント物質として含むことができる。タンデム構造における複数本の発光部は、Ｎ型（Ｎ－ｔｙｐｅ）電荷生成層及びＰ型（Ｐ－ｔｙｐｅ）電荷生成層からなる電荷生成層（ＣＧＬ）と接続することができる。
本発明の例示的な構成例である図２及び図３は、それぞれ２つの発光部及び３つの発光部を有するタンデム構造の有機発光素子を概略的に示した断面図である。
図２に示したように、本発明の有機発光素子１００は、互いに向い合う第１電極１１０及び第２電極１２０と、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置する有機層２３０とを含む。有機層２３０は、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置して、第１発光層２６１を含む第１発光部（ＳＴ１）と、第１発光部（ＳＴ１）と第２電極１２０との間に位置して、第２発光層２６２を含む第２発光部（ＳＴ２）と、第１及び第２の発光部（ＳＴ１及びＳＴ２）の間に位置する電荷生成層（ＣＧＬ）と、を含む。電荷生成層（ＣＧＬ）は、Ｎ型電荷生成層２９１及びＰ型電荷生成層２９２を含むことができる。第１発光層２６１及び第２発光層２６２のうち１つ以上は、本発明による化学式１で表される有機金属化合物をドーパントとして含むことができる。例えば、図２に示されたように、第２発光部（ＳＴ２）の第２発光層２６２のホスト２６２’と共に、化学式１で表される有機金属化合物をドーパント２６２”として含むことができる。図２には示されていないものの、第１及び第２の発光部（ＳＴ１及びＳＴ２）それぞれには、第１発光層２６１及び第２発光層２６２のほか、追加の発光層をさらに含むことができる。
図３に示したように、本発明の有機発光素子１００は、互いに向い合う第１電極１１０及び第２電極１２０と、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置する有機層３３０とを含む。有機層３３０は、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置して、第１発光層２６１を含む第１発光部（ＳＴ１）と、第２発光層２６２を含む第２発光部（ＳＴ２）と、第３発光層２６３を含む第３発光部（ＳＴ３）と、第１発光部及び第２発光部（ＳＴ１及びＳＴ２）の間に位置する第１電荷生成層（ＣＧＬ１）と、第２発光部及び第３発光部（ＳＴ２及びＳＴ３）の間に位置する第２電荷生成層（ＣＧＬ２）と、を含む。第１電荷生成層及び第２電荷生成層（ＣＧＬ１及びＣＧＬ２）は、それぞれＮ型電荷生成層２９１、２９３及びＰ型電荷生成層２９２、２９４を含むことができる。第１発光層２６１、第２発光層２６２、及び第３発光層２６３のうち１つ以上は、本発明による化学式１で表される有機金属化合物をドーパントとして含むことができる。例えば、図３に示されたように、第２発光部（ＳＴ２）の第２発光層２６２のホスト２６２’と共に、化学式１で表される有機金属化合物をドーパント２６２”として含むことができる。図３には示されていないものの、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部（ＳＴ１、ＳＴ２、及びＳＴ３）それぞれには、第１発光層２６１、第２発光層２６２、及び第３発光層２６３のほか、追加の発光層をさらに含み、複数の発光層として形成することができる。
さらに、本発明の一構成例による有機発光素子は、第１電極及び第２電極の間に４つ以上の発光部と３つ以上の電荷生成層が配置されたタンデム構造を含むことができる。
本発明による有機発光素子は、有機発光表示装置及び有機発光素子を適用した照明装置等に活用することができる。一構成例として、図４は、本発明の例示的な実施形態による有機発光素子が適用された有機発光表示装置を概略的に示した断面図である。
図４に示されたように、有機発光表示装置３０００は、基板３０１０と、有機発光素子４０００と、有機発光素子４０００を覆う封止フィルム３９００と、を含むことができる。基板３０１０上には、駆動素子である駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）と、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）に接続される有機発光素子４０００とが位置する。
図４には明示的に示していないものの、基板３０１０上には、互いに交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線及びデータ配線のうちいずれかと平行に離隔して延在するパワー配線と、ゲート配線及びデータ配線に接続されるスイッチング薄膜トランジスタと、パワー配線及びスイッチング薄膜トランジスタの一電極に接続されるストレージキャパシタと、がさらに形成される。
駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、スイッチング薄膜トランジスタに接続されて、半導体層３１００と、ゲート電極３３００と、ソース電極３５２０と、ドレイン電極３５４０と、を含む。
半導体層３１００は、基板３０１０上に形成され、酸化物半導体物質からなるか、多結晶シリコンからなってもよい。半導体層３１００が酸化物半導体物質からなる場合、半導体層３１００の下部には遮光パターン（不図示）が形成され得、遮光パターンは、半導体層３１００へ光が入射することを防止して、半導体層３１００が光によって劣化することを防止する。これとは異なり、半導体層３１００は、多結晶シリコンからなってもよく、この場合、半導体層３１００の両縁に不純物がドープされていてもよい。
半導体層３１００の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜３２００が基板３０１０の前面に形成される。ゲート絶縁膜３２００は、シリコン酸化物又はシリコン窒化物といった無機絶縁物質からなってもよい。
ゲート絶縁膜３２００の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極３３００が、半導体層３１００の中央に対応して形成される。ゲート電極３３００は、スイッチング薄膜トランジスタに接続される。
ゲート電極３３００の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜３４００が基板３０１０の前面に形成される。層間絶縁膜３４００は、シリコン酸化物やシリコン窒化物といった無機絶縁物質で形成されるか、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）やフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ－ａｃｒｙｌ）といった有機絶縁物質で形成されてもよい。
層間絶縁膜３４００は、半導体層３１００の両側を露出する第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０を有する。第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０は、ゲート電極３３００の両側にゲート電極３３００と離隔して位置する。
層間絶縁膜３４００上には、金属のような導電性物質からなるソース電極３５２０とドレイン電極３５４０が形成される。ソース電極３５２０とドレイン電極３５４０は、ゲート電極３３００を中心に離隔して位置し、それぞれ第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０を介して半導体層３１００の両側と接触する。ソース電極３５２０は、パワー配線（不図示）に接続される。
半導体層３１００、ゲート電極３３００、ソース電極３５２０、ドレイン電極３５４０は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）を構成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、半導体層３１００の上部にゲート電極３３００、ソース電極３５２０、及びドレイン電極３５４０が位置するコプラナー（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造を有する。
これとは異なり、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極とドレイン電極が位置する逆スタガード（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有してもよい。この場合、半導体層は、非晶質シリコンからなってもよい。一方、スイッチング薄膜トランジスタ（不図示）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）と実質的に同様の構造を有してもよい。
一方、有機発光表示装置３０００は、有機発光素子４０００で生成された光を吸収するカラーフィルター３６００を含むことができる。例えば、カラーフィルター３６００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、及び白（Ｗ）の光を吸収することができる。この場合、光を吸収する赤、緑、及び青のカラーフィルターパターンが、各々画素領域別に分離して形成されてもよく、これら各々のカラーフィルターパターンは、吸収しようとする波長帯域の光を放出する有機発光素子４０００中の有機層４３００とそれぞれ重畳するように配置されてもよい。カラーフィルター３６００を採用することにより、有機発光表示装置３０００は、フルカラー（ｆｕｌｌ－ｃｏｌｏｒ）を実現することができる。
例えば、有機発光表示装置３０００が下部発光方式（ｂｏｔｔｏｍ－ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、有機発光素子４０００に対応する層間絶縁膜３４００の上部に光を吸収するカラーフィルター３６００が位置してもよい。例示的な実施形態において、有機発光表示装置３０００が上部発光方式（ｔｏｐ－ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、カラーフィルターは、有機発光素子４０００の上部、つまり、第２電極４２００の上部に位置してもよい。一例として、カラーフィルター３６００は、２～５μｍの厚さで形成されてもよい。
一方、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）のドレイン電極３５４０を露出するドレインコンタクト孔３７２０を有する保護層３７００は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）を覆って形成される。
保護層３７００上には、ドレインコンタクト孔３７２０を介して駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）のドレイン電極３５４０に接続される第１電極４１００が、各画素領域別に分離して形成される。
第１電極４１００は、正極（ａｎｏｄｅ）であってもよく、仕事関数の値が比較的大きい導電性物質からなってもよい。例えば、第１電極４１００は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はＺｎＯといった透明導電性物質からなってもよい。
一方、有機発光表示装置３０００が上部発光方式（ｔｏｐ－ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、第１電極４１００の下部には、反射電極又は反射層がさらに形成されてもよい。例えば、反射電極又は反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム－パラジウム－銅（ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｐａｌａｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ：ＡＰＣ）合金のうちいずれかからなってもよい。
保護層３７００上には、第１電極４１００の縁を覆うバンク層３８００が形成される。バンク層３８００は、画素領域に対応して、第１電極４１００の中心を露出させる。
第１電極４１００上には有機層４３００が形成され、必要に応じて有機発光素子４０００は、タンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造を有してもよく、タンデム構造については、本発明の例示的な実施形態を示す図２～図４と、これに関する上記の説明を参照する。
有機層４３００の形成された基板３０１０の上部に第２電極４２００が形成される。第２電極４２００は、表示領域の前面に位置し、仕事関数の値が比較的小さい導電性物質からなり、負極（ｃａｔｈｏｄｅ）として利用することができる。例えば、第２電極４２００は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム－マグネシウム合金（Ａｌ－Ｍｇ）のうちいずれかからなってもよい。
第１電極４１００、有機層４３００、及び第２電極４２００は、有機発光素子４０００を形成する。
第２電極４２００上には、外部の水分が有機発光素子４０００へ侵透することを防止するため、封止フィルム（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）３９００が形成される。図４には明示的に示していないものの、封止フィルム３９００は、第１無機層と、有機層と、無機層とが順次積層された３重の層構造を有してもよく、これに限定されるものではない。
以下では、本発明の製造例及び実施例を説明する。しかしながら、下記の実施例は、本発明の一例示だけであり、これに限定されるものではない。
製造例－リガンドの製造
（１）リガンドＡの製造
（ステップ１）リガンドＡ－２の製造
（１）リガンドＡの製造
（ステップ１）リガンドＡ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＳＭ－１（４．５８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－２（３．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ａ－２（４．７２ｇ、８２％）を得た。
（ステップ２）リガンドＡ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ａ－２（５．７６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－３（４．２８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ａ－１（６．０４ｇ、８０％）を得た。
（ステップ３）リガンドＡの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ａ－１（７．５５ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ａ（４．５８ｇ、６４％）を得た。
（２）リガンドＢの製造
（ステップ１）リガンドＢ－２の製造
（ステップ１）リガンドＢ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ａ－２（５．７６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－４（４．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｂ－２（６．５０ｇ、８３％）を得た。
（ステップ２）リガンドＢ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｂ－２（７．８３ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｂ－１（５．０５ｇ、６８％）を得た。
（ステップ３）リガンドＢの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｂ－１（７．４３ｇ、２０ｍｍｏｌ）とＳｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ（４ｍＬ、４０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ－ｄ６１００ｍＬに加えた後、１３５℃で、４８時間加熱攪拌する。反応完了後、反応容器を常温に冷やしてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｂ（６．１３ｇ、８２％）を得た。
（３）リガンドＣの製造
（ステップ１）リガンドＣ－２の製造
（ステップ１）リガンドＣ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＳＭ－５（４．８６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－２（３．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｃ－２（４．７７ｇ、７９％）を得た。
（ステップ２）リガンドＣ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｃ－２（６．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－３（４．２８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｃ－１（６．５８ｇ、８４％）を得た。
（ステップ３）リガンドＣの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｃ－１（７．８３ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｃ（４．８３ｇ、６５％）を得た。
（４）リガンドＤの製造
（ステップ１）リガンドＤ－２の製造
（ステップ１）リガンドＤ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｃ－２（６．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－４（４．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｄ－２（６．８１ｇ、８４％）を得た。
（ステップ２）リガンドＤ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｄ－２（８．１１ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｄ－１（６．３２ｇ、８２％）を得た。
（ステップ３）リガンドＤの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｄ－１（７．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）とＳｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ（４ｍＬ、４０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ－ｄ６１００ｍＬに加えた後、１３５℃で、４８時間加熱攪拌する。反応完了後、反応容器を常温に冷やしてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｄ（５．４３ｇ、７０％）を得た。
（５）リガンドＥの製造
（ステップ１）リガンドＥ－２の製造
（ステップ１）リガンドＥ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＳＭ－６（４．５８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－２（３．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｅ－２（４．９０ｇ、８５％）を得た。
（ステップ２）リガンドＥ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｅ－２（５．７６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－３（４．２８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｅ－１（６．４２ｇ、８５％）を得た。
（ステップ３）リガンドＥの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｅ－１（７．５５ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｅ（４．８６ｇ、６８％）を得た。
（６）リガンドＦの製造
（ステップ１）リガンドＦ－２の製造
（ステップ１）リガンドＦ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｅ－２（５．７６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－４（４．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｆ－２（６．３４ｇ、８１％）を得た。
（ステップ２）リガンドＦ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｆ－２（７．８３ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｆ－１（６．１７ｇ、８３％）を得た。
（ステップ３）リガンドＦの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｆ－１（７．４３ｇ、２０ｍｍｏｌ）とＳｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ（４ｍＬ、４０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ－ｄ６１００ｍＬに加えた後、１３５℃で、４８時間加熱攪拌する。反応完了後、反応容器を常温に冷やしてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｆ（５．０１ｇ、６７％）を得た。
（７）リガンドＧの製造
（ステップ１）リガンドＧ－２の製造
（ステップ１）リガンドＧ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＳＭ－７（４．８６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－２（３．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｇ－２（４．８３ｇ、８０％）を得た。
（ステップ２）リガンドＧ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｇ－２（６．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－３（４．２８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｇ－１（６．５８ｇ、８４％）を得た。
（ステップ３）リガンドＧの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｇ－１（７．８３ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｇ（４．７６ｇ、６４％）を得た。
（８）リガンドＨの製造
（ステップ１）リガンドＨ－２の製造
（ステップ１）リガンドＨ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｇ－２（６．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－４（４．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｈ－２（６．６５ｇ、８２％）を得た。
（ステップ２）リガンドＨ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｈ－２（８．１１ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｈ－１（６．２５ｇ、８１％）を得た。
（ステップ３）リガンドＨの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｈ－１（７．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）とＳｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ（４ｍＬ、４０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ－ｄ６１００ｍＬに加えた後、１３５℃で、４８時間加熱攪拌する。反応完了後、反応容器を常温に冷やしてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｈ（５．１９ｇ、６７％）を得た。
（９）リガンドＩの製造
（ステップ１）リガンドＩ－３の製造
（ステップ１）リガンドＩ－３の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＳＭ－８（４．５８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－２（３．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｉ－３（４．６７ｇ、８１％）を得た。
（ステップ２）リガンドＩ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｉ－３（５．７６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－４（４．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｉ－２（６．４２ｇ、８２％）を得た。
（ステップ３）リガンドＩ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｉ－２（７．８３ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｉ－１（５．８０ｇ、７８％）を得た。
（ステップ４）リガンドＩの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｉ－１（７．４３ｇ、２０ｍｍｏｌ）とＳｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ（４ｍＬ、４０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ－ｄ６１００ｍＬに加えた後、１３５℃で、４８時間加熱攪拌する。反応完了後、反応容器を常温に冷やしてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｉ（４．８６ｇ、６５％）を得た。
（１０）リガンドＪの製造
（ステップ１）リガンドＪ－３の製造
（ステップ１）リガンドＪ－３の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＳＭ－９（４．８６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－２（３．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｊ－３（４．７１ｇ、７８％）を得た。
（ステップ２）リガンドＪ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｊ－３（６．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－４（４．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｊ－２（６．４９ｇ、８０％）を得た。
（ステップ３）リガンドＪ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｊ－２（８．１１ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｊ－１（５．０９ｇ、６６％）を得た。
（ステップ４）リガンドＪの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｊ－１（７．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）とＳｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ（４ｍＬ、４０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ－ｄ６１００ｍＬに加えた後、１３５℃で、４８時間加熱攪拌する。反応完了後、反応容器を常温に冷やしてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｊ（６．３６ｇ、８２％）を得た。
（１１）リガンドＫの製造
（ステップ１）リガンドＫ－３の製造
（ステップ１）リガンドＫ－３の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＳＭ－１０（４．５８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－２（３．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｋ－３（４．４４ｇ、７７％）を得た。
（ステップ２）リガンドＫ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｋ－３（５．７６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－４（４．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｋ－２（６．２６ｇ、８０％）を得た。
（ステップ３）リガンドＫ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｋ－２（７．８３ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｋ－１（６．１７ｇ、８３％）を得た。
（ステップ４）リガンドＫの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｋ－１（７．４３ｇ、２０ｍｍｏｌ）とＳｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ（４ｍＬ、４０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ－ｄ６１００ｍＬに加えた後、１３５℃で、４８時間加熱攪拌する。反応完了後、反応容器を常温に冷やしてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｋ（５．０８ｇ、６８％）を得た。
（１２）リガンドＬの製造
（ステップ１）リガンドＬ－３の製造
（ステップ１）リガンドＬ－３の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＳＭ－１１（４．８６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－２（３．６７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｌ－３（４．５３ｇ、７５％）を得た。
（ステップ２）リガンドＬ－２の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｌ－３（６．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＳＭ－４（４．５６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（２．３１ｇ、２ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ－Ｂｕ）３（０．８１ｇ、４ｍｍｏｌ）、ＮａＯｔＢｕ（７．６８ｇ、８０ｍｍｏｌ）を２００ｍＬのトルエンに溶かした後、１２時間加熱還流して攪拌した。反応完了後、温度を常温に下げてから有機層をジクロロメタンで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｌ－２（６．３３ｇ、７８％）を得た。
（ステップ３）リガンドＬ－１の製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｌ－２（８．１１ｇ、２０ｍｍｏｌ）をＡｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ８０ｍＬ及びＴＨＦ２５ｍＬに溶かした後、０℃で、ｔｅｒｔ－Ｂｕｔｙｌ ｎｉｔｒｉｔｅ（５ｍＬ、３８ｍｍｏｌ）を一滴ずつ落として添加し、攪拌する。０℃で、４時間の攪拌完了後、温度を常温に上げてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、ジクロロメタンとヘキサンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｌ－１（５．０１ｇ、６５％）を得た。
（ステップ４）リガンドＬの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｌ－１（７．７１ｇ、２０ｍｍｏｌ）とＳｏｄｉｕｍ ｔｅｒｔ－ｂｕｔｏｘｉｄｅ（４ｍＬ、４０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ－ｄ６１００ｍＬに加えた後、１３５℃で、４８時間加熱攪拌する。反応完了後、反応容器を常温に冷やしてから有機層をエチルアセテートで抽出し、水で十分洗浄した。無水硫酸マグネシウムで水分を取り除き、フィルターで濾過した溶液を減圧濃縮後、エチルアセテートとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーにより分離して、化合物Ｌ（６．５１ｇ、８４％）を得た。
製造例－イリジウム化合物の前駆体（「イリジウム前駆体」）の製造
（１）イリジウム前駆体Ｍ’の製造
（ステップ１）化合物ＭＭの製造
（１）イリジウム前駆体Ｍ’の製造
（ステップ１）化合物ＭＭの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｍ（３．３８ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３（２．３９ｇ、８．０ｍｍｏｌ）に混合した溶液（Ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ：蒸留水＝９０ｍＬ：３０ｍＬ）に加えた後、２４時間還流攪拌した。反応終了後、温度を常温に下げて生成された固体を減圧濾過して分離する。フィルターで濾過した固体を水と冷たいメタノールで十分洗浄した後、減圧濾過する過程を複数回繰り返して、固体化合物ＭＭを４．２４ｇ（９４％）得た。
（ステップ２）イリジウム前駆体Ｍ’の製造
２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＭＭ（４．５１ｇ、４ｍｍｏｌ）、Ｓｉｌｖｅｒ ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ（ＡｇＯＴｆ、３．０２ｇ、１２ｍｍｏｌ）をジクロロメタンに加えて溶かし、常温で２４時間攪拌した。反応終了後、セライトで濾過して、固体状態である沈殿物を除去する。フィルターで濾過した濾過液を減圧蒸留して、生成された固体化合物Ｍ’を５．３４ｇ（９０％）得た。
（２）イリジウム前駆体Ｂ’の製造
（ステップ１）化合物ＢＢの製造
（ステップ１）化合物ＢＢの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｂ（７．４７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３（２．３９ｇ、８．０ｍｍｏｌ）に混合した溶液（Ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ：蒸留水＝９０ｍＬ：３０ｍＬ）に加えた後、２４時間還流攪拌した。反応終了後、温度を常温に下げて生成された固体を減圧濾過して分離する。フィルターで濾過した固体を水と冷たいメタノールで十分洗浄した後、減圧濾過する過程を複数回繰り返して、固体化合物ＢＢを７．００ｇ（９０％）得た。
（ステップ２）イリジウム前駆体Ｂ’の製造
２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＢＢ（７．７８ｇ、４ｍｍｏｌ）、Ｓｉｌｖｅｒ ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ（ＡｇＯＴｆ、３．０２ｇ、１２ｍｍｏｌ）をジクロロメタンに加えて溶かし、常温で２４時間攪拌した。反応終了後、セライトで濾過して、固体状態である沈殿物を除去する。フィルターで濾過した濾過液を減圧蒸留して、生成された固体化合物Ｂ’を３．８７ｇ（８４％）得た。
（３）イリジウム前駆体Ｄ’の製造
（ステップ１）化合物ＤＤの製造
（ステップ１）化合物ＤＤの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｄ（７．７５ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３（２．３９ｇ、８．０ｍｍｏｌ）に混合した溶液（Ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ：蒸留水＝９０ｍＬ：３０ｍＬ）に加えた後、２４時間還流攪拌した。反応終了後、温度を常温に下げて生成された固体を減圧濾過して分離する。フィルターで濾過した固体を水と冷たいメタノールで十分洗浄した後、減圧濾過する過程を複数回繰り返して、固体化合物ＢＢを６．８８ｇ（８６％）得た。
（ステップ２）イリジウム前駆体Ｄ’の製造
２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＤＤ（８．０１ｇ、４ｍｍｏｌ）、Ｓｉｌｖｅｒ ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ（ＡｇＯＴｆ、３．０２ｇ、１２ｍｍｏｌ）をジクロロメタンに加えて溶かし、常温で２４時間攪拌した。反応終了後、セライトで濾過して、固体状態である沈殿物を除去する。フィルターで濾過した濾過液を減圧蒸留して、生成された固体化合物Ｄ’を４．０１ｇ（８５％）得た。
（４）イリジウム前駆体Ｆ’の製造
（ステップ１）化合物ＦＦの製造
（ステップ１）化合物ＦＦの製造
窒素雰囲気下、２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物Ｆ（７．４７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３（２．３９ｇ、８．０ｍｍｏｌ）に混合した溶液（Ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ：蒸留水＝９０ｍＬ：３０ｍＬ）に加えた後、２４時間還流攪拌した。反応終了後、温度を常温に下げて生成された固体を減圧濾過して分離する。フィルターで濾過した固体を水と冷たいメタノールで十分洗浄した後、減圧濾過する過程を複数回繰り返して、固体化合物ＦＦを６．５４ｇ（８４％）得た。
（ステップ２）イリジウム前駆体Ｆ’の製造
２５０ｍＬ丸底フラスコに化合物ＦＦ（７．７８ｇ、４ｍｍｏｌ）、Ｓｉｌｖｅｒ ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ（ＡｇＯＴｆ、３．０２ｇ、１２ｍｍｏｌ）をジクロロメタンに加えて溶かし、常温で２４時間攪拌した。反応終了後、セライトで濾過して、固体状態である沈殿物を除去する。フィルターで濾過した濾過液を減圧蒸留して、生成された固体化合物Ｆ’を４．０５ｇ（８８％）得た。
製造例－イリジウム化合物の製造
１．イリジウム化合物６６の製造
１．イリジウム化合物６６の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＡ（１．０７ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物６６（１．００ｇ、７５％）を得た。
２．イリジウム化合物６７の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＢ（１．１２ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物６７（０．９６ｇ、７１％）を得た。
３．イリジウム化合物９６の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＣ（１．１１ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物９６（１．０３ｇ、７６％）を得た。
４．イリジウム化合物９７の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＤ（１．１６ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物９７（１．１１ｇ、８１％）を得た。
５．イリジウム化合物２１６の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＥ（１．０７ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物２１６（１．１４ｇ、８６％）を得た。
６．イリジウム化合物２１７の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＦ（１．１２ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物２１７（１．０９ｇ、８１％）を得た。
７．イリジウム化合物２４６の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＧ（１．１１ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物２４６（１．０７ｇ、７９％）を得た。
８．イリジウム化合物２４７の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＨ（１．１６ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物２４７（１．１０ｇ、８０％）を得た。
９．イリジウム化合物３０９の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＩ（１．１２ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物３０９（０．９６ｇ、７１％）を得た。
１０．イリジウム化合物３１９の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＪ（１．１６ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物３１９（１．０４ｇ、７６％）を得た。
１１．イリジウム化合物３４９の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＫ（１．１２ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物３４９（１．１９ｇ、８８％）を得た。
１２．イリジウム化合物３５９の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｍ’（１．１１ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＬ（１．１６ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝２５：７５の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物３５９（１．１５ｇ、８４％）を得た。
１３．イリジウム化合物４６９の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｂ’（１．７２ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＮ（０．４７ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝５０：５０の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物４６９（１．２３ｇ、７５％）を得た。
１４．イリジウム化合物４７０の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｄ’（１．７６ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＮ（０．４７ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝５０：５０の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物４７０（１．２１ｇ、７２％）を得た。
１５．イリジウム化合物４７９の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｆ’（１．７２ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＮ（０．４７ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝５０：５０の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物４７９（１．２８ｇ、７８％）を得た。
１６．イリジウム化合物５０９の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｂ’（１．７２ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＯ（０．７３ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝４０：６０の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物５０９（１．３８ｇ、８０％）を得た。
１７．イリジウム化合物５１０の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｄ’（１．７６ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＯ（０．７３ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝４０：６０の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物５１０（１．３９ｇ、７９％）を得た。
１８．イリジウム化合物５１９の製造
窒素雰囲気下、１５０ｍＬの丸底フラスコにイリジウム前駆体Ｆ’（１．７２ｇ、１．５ｍｍｏｌ）とリガンドＯ（０．７３ｇ、３ｍｍｏｌ）を２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ（５０ｍＬ）及びＤＭＦ（５０ｍＬ）に加えて、１３０℃で、２４時間加熱攪拌した。反応が終了すると、温度を常温に下げた後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて有機層を抽出し、水分は、無水硫酸マグネシウムを添加して取り除いた。濾過によって得られた濾過液を減圧して得た粗生成物をＥｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅ：Ｈｅｘａｎｅ＝４０：６０の条件でカラムクロマトグラフィー法により精製して、イリジウム化合物５１９（１．４０ｇ、８１％）を得た。
実施例
＜実施例１＞
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）が１，０００Åの厚さで薄膜コーティングしたガラス基板を洗浄した後、アセトン溶剤で超音波洗浄を行い、乾燥させた。準備したＩＴＯ透明電極上に、正孔注入材料でＨＩ－１を６０ｎｍ厚さで熱真空蒸着した後、正孔輸送材料でＮＰＢを８０ｎｍ厚さで熱真空蒸着した。輸送材料上に発光層のドーパントは化合物６６、ホストはＣＢＰを使用しており、ドーピング濃度は５重量％、厚さは３０ｎｍで熱真空蒸着した。発光層上にＥＴ－１：Ｌｉｑ（１：１）（３０ｎｍ）を電子輸送層と電子注入層の材料で熱真空蒸着した後、１００ｎｍ厚さのアルミニウムを蒸着して、負極を形成し、緑を発光する有機発光素子を製作した。
＜実施例１＞
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）が１，０００Åの厚さで薄膜コーティングしたガラス基板を洗浄した後、アセトン溶剤で超音波洗浄を行い、乾燥させた。準備したＩＴＯ透明電極上に、正孔注入材料でＨＩ－１を６０ｎｍ厚さで熱真空蒸着した後、正孔輸送材料でＮＰＢを８０ｎｍ厚さで熱真空蒸着した。輸送材料上に発光層のドーパントは化合物６６、ホストはＣＢＰを使用しており、ドーピング濃度は５重量％、厚さは３０ｎｍで熱真空蒸着した。発光層上にＥＴ－１：Ｌｉｑ（１：１）（３０ｎｍ）を電子輸送層と電子注入層の材料で熱真空蒸着した後、１００ｎｍ厚さのアルミニウムを蒸着して、負極を形成し、緑を発光する有機発光素子を製作した。
ＨＩ－１は、Ｎ１，Ｎ１’－（［１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ］－４，４’－ｄｉｙｌ）ｂｉｓ（Ｎ１，Ｎ４，Ｎ４－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ－１，４－ｄｉａｍｉｎｅ）を意味する。
ＥＴ－１は、２－（４－（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌｅを意味する。
＜実施例２～１８及び比較例１～７＞
上記実施例１において、ドーパントとして化合物６６に代えて、下記の表１及び表２に示した化合物を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により実施例２～１８及び比較例１～７の有機発光素子をそれぞれ製作した。
上記実施例１において、ドーパントとして化合物６６に代えて、下記の表１及び表２に示した化合物を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により実施例２～１８及び比較例１～７の有機発光素子をそれぞれ製作した。
＜有機発光素子の性能評価＞
上記実施例１～１８及び比較例１～７に従って製造された有機発光素子に対して、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流で駆動時、駆動電圧及び効率特性と、２２．５ｍＡ／ｃｍ２に加速した寿命特性とを比較して、駆動電圧（Ｖ）、最大発光量子効率（％）、外部量子効率（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；ＥＱＥ）（％）、ＬＴ９５（％）を測定しており、最大発光量子効率、ＥＱＥ、ＬＴ９５は、比較例１に対する相対値に換算し、その結果を下記の表１及び表２に示した。ＬＴ９５は、寿命（Ｌｉｆｅｔｉｍｅ）の評価方法であって、有機発光素子が最初明るさの５％を失うのにかかる時間を意味する。
上記実施例１～１８及び比較例１～７に従って製造された有機発光素子に対して、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流で駆動時、駆動電圧及び効率特性と、２２．５ｍＡ／ｃｍ２に加速した寿命特性とを比較して、駆動電圧（Ｖ）、最大発光量子効率（％）、外部量子効率（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；ＥＱＥ）（％）、ＬＴ９５（％）を測定しており、最大発光量子効率、ＥＱＥ、ＬＴ９５は、比較例１に対する相対値に換算し、その結果を下記の表１及び表２に示した。ＬＴ９５は、寿命（Ｌｉｆｅｔｉｍｅ）の評価方法であって、有機発光素子が最初明るさの５％を失うのにかかる時間を意味する。
上記表１の比較例１～７のドーパント物質であるＲｅｆ－１～Ｒｅｆ－７の構造は、次のとおりである。
上記表１及び表２の結果から分かるように、本発明の実施例１～１８で使用した有機金属化合物を発光層のドーパントとして適用した有機発光素子は、比較例１～７に比べて駆動電圧が低くなり、最大発光効率、外部量子効率（ＥＱＥ）、及び寿命（ＬＴ９５）が向上した。
以上、添付の図面を参照して、本明細書の実施例をさらに詳細に説明したが、本明細書は、必ずしもこれら実施例に限られるものではなく、本明細書の技術思想を外れない範囲内における様々な変形実施が可能である。よって、本明細書に開示の実施例は、本明細書の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、これら実施例によって本明細書の技術思想の範囲が限定されるものではない。よって、以上に記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的ではないと理解しなければならない。本明細書の保護範囲は、請求の範囲によって解釈すべきであり、それと同等な範囲内にあるすべての技術思想は、本明細書の権利範囲に含まれるものと解釈すべきである。
１００、４０００ 有機発光素子
１１０、４１００ 第１電極
１２０、４２００ 第２電極
１３０、２３０、３３０、４３００ 有機層
１４０ 正孔注入層
１５０ 正孔輸送層
２５１ 第１正孔輸送層
２５２ 第２正孔輸送層
２５３ 第３正孔輸送層
１６０ 発光層
２６１ 第１発光層
２６２ 第２発光層
２６３ 第３発光層
１６０'、２６２' ホスト
１６０”、２６２” ドーパント
１７０ 電子輸送層
２７１ 第１正孔輸送層
２７２ 第２正孔輸送層
２７３ 第３正孔輸送層
１８０ 電子注入層
３０００ 有機発光表示装置
３０１０ 基板
３１００ 半導体層
３２００ ゲート絶縁膜
３３００ ゲート電極
３４００ 層間絶縁膜
３４２０ 第１の半導体層コンタクト孔
３４４０ 第２の半導体層コンタクト孔
３５２０ ソース電極
３５４０ ドレイン電極
３６００ カラーフィルター
３７００ 保護層
３７２０ ドレインコンタクト孔
３８００ バンク層
３９００ 封止フィルム
１１０、４１００ 第１電極
１２０、４２００ 第２電極
１３０、２３０、３３０、４３００ 有機層
１４０ 正孔注入層
１５０ 正孔輸送層
２５１ 第１正孔輸送層
２５２ 第２正孔輸送層
２５３ 第３正孔輸送層
１６０ 発光層
２６１ 第１発光層
２６２ 第２発光層
２６３ 第３発光層
１６０'、２６２' ホスト
１６０”、２６２” ドーパント
１７０ 電子輸送層
２７１ 第１正孔輸送層
２７２ 第２正孔輸送層
２７３ 第３正孔輸送層
１８０ 電子注入層
３０００ 有機発光表示装置
３０１０ 基板
３１００ 半導体層
３２００ ゲート絶縁膜
３３００ ゲート電極
３４００ 層間絶縁膜
３４２０ 第１の半導体層コンタクト孔
３４４０ 第２の半導体層コンタクト孔
３５２０ ソース電極
３５４０ ドレイン電極
３６００ カラーフィルター
３７００ 保護層
３７２０ ドレインコンタクト孔
３８００ バンク層
３９００ 封止フィルム
Claims (12)
- 化学式１で表される有機金属化合物であって、
ＬＡは、化学式２－１～化学式２－６からなる群より選択される１つであり、
ＬＢは、化学式４又は化学式５で表される二座配位子（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）であり、
ｍは１、２又は３であり、
ｎは０、１又は２であり、
ｍとｎとの和は３であり、
Ｘは、それぞれ独立に－ＣＨ２－、酸素、－ＮＨ－、及び硫黄からなる群より選択される１つであり、
Ｒ１－１、Ｒ１－２、Ｒ１－３、Ｒ１－４、Ｒ２－１、Ｒ２－２、Ｒ３－１、Ｒ３－２、Ｒ４－１、及びＲ４－２は、それぞれ独立に水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１つであり、
Ｒ ５－１ 、Ｒ ５－２ 、Ｒ ５－３ 、Ｒ ５－４ 、Ｒ ６－１ 、Ｒ ６－２ 、Ｒ ６－３ 、及びＲ ６－４ は、それぞれ独立に水素、重水素、Ｃ１～Ｃ５の直鎖状アルキル基、及びＣ１～Ｃ５の分枝状アルキル基からなる群より選択される１つであり、
前記Ｒ ５－１ 、前記Ｒ ５－２ 、前記Ｒ ５－３ 、前記Ｒ ５－４ 、前記Ｒ ６－１ 、前記Ｒ ６－２ 、前記Ｒ ６－３ 、及び前記Ｒ ６－４ のうち互いに隣り合う２つの置換基は、互いに結合して環構造を形成することができ、
前記化学式５において、
Ｒ ７ 、Ｒ ８ 、及びＲ ９ は、それぞれ独立に水素、重水素、Ｃ１～Ｃ５の直鎖状アルキル基、及びＣ１～Ｃ５の分枝状アルキル基からなる群より選択される１つであり、
前記Ｒ ７ 、前記Ｒ ８ 、及び前記Ｒ ９ のうち互いに隣接した２つの置換基は、互いに結合して環構造を形成することができ、
前記Ｃ１～Ｃ５の直鎖状アルキル基又はＣ１～Ｃ５の分枝状アルキル基は、重水素及びハロゲン元素からなる群より選択される１つ以上に置換される、有機金属化合物。 - 前記ｍは１であり、
前記ｎは２である、
ヘテロレプティック構造の請求項１に記載の有機金属化合物。 - 前記ｍは２であり、
前記ｎは１である、
ヘテロレプティック構造の請求項１に記載の有機金属化合物。 - 前記ｍは３であり、
前記ｎは０である、
ホモレプティック構造の請求項１に記載の有機金属化合物。 - 前記化学式１で表される化合物は、下記の化合物１～化合物５２８からなる群より選択された１つである、請求項１に記載の有機金属化合物。
- 下記の化合物５２９～化合物５４０からなる群より選択された１つである、有機金属化合物。
- 第１電極と、
前記第１電極と向かい合う第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極の間に配置される有機層とを含み、
前記有機層は、発光層を含み、
前記発光層は、ドーパント物質を含み、
前記ドーパント物質は、請求項１～６のうちいずれか一項による有機金属化合物を含む、有機発光素子。 - 前記発光層は、緑色燐光発光層である、請求項７に記載の有機発光素子。
- 前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層からなる群より選択された一種以上をさらに含む、請求項７に記載の有機発光素子。
- 第１電極と、
前記第１電極と向かい合う第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極の間に位置する第１発光部及び第２発光部とを含み、
前記第１発光部及び前記第２発光部は、それぞれ１つ以上の発光層を含み、
前記発光層のうちで少なくとも１つは、緑色燐光発光層であり、
前記緑色燐光発光層は、ドーパント物質を含み、
前記ドーパント物質は、請求項１～６のうちいずれか一項による有機金属化合物を含む、有機発光素子。 - 第１電極と、
前記第１電極と向かい合う第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極の間に位置する第１発光部、第２発光部、及び第３発光部とを含み、
前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部は、それぞれ１つ以上の発光層を含み、
前記発光層のうち少なくとも１つは、緑色燐光発光層であり、
前記緑色燐光発光層は、ドーパント物質を含み、
前記ドーパント物質は、請求項１～６のうちいずれか一項による有機金属化合物を含む、有機発光素子。 - 基板と、
前記基板に位置する駆動素子と、
前記基板に位置して、前記駆動素子に接続される請求項７の有機発光素子とを含む、有機発光表示装置。
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