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CN107527975B - 具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件 - Google Patents

具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件 Download PDF

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CN107527975B
CN107527975B CN201710456524.5A CN201710456524A CN107527975B CN 107527975 B CN107527975 B CN 107527975B CN 201710456524 A CN201710456524 A CN 201710456524A CN 107527975 B CN107527975 B CN 107527975B
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electrode
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Abstract

本发明提供一种具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件。根据一实施例的发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，其中，所述上部电极包括电极焊盘以及在所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置而配置成长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层的第一电极焊盘，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。

Description

具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种具有电极结构的垂直型发光二极管。
背景技术
去除生长基板的垂直型结构的发光二极管被用于多种领域。尤其是，垂直型结构的发光二极管能够以较高的功率产生光，因此近来被应用于投影仪或者汽车用前照灯。
垂直型结构的发光二极管一般经过封装工序而被封装。发光二极管封装件包括向硅或者环氧之类的树脂混合荧光体的波长转换器，并且将从发光二极管发出的蓝色光或者紫外线转换成长波长的可见光。
但是，由于投影仪或者汽车用前照灯在封闭的空间发出高功率光，因此周围的温度变得相当高。因此，对于在这种领域使用的发光二极管封装件，不仅要求散热特性，还要求耐高温性。但是，在以往的硅或者环氧之类的树脂混合了荧光体的波长转换器对温度较为敏感，因此并不适合于汽车用前照灯等。因此，要求具有耐高温性的新型结构的发光二极管封装件。
发明内容
本发明所要解决的课题是提供一种容易结合耐高温性较强的波长转换器的垂直型发光二极管以及具有该发光二极管的发光二极管封装件。
本发明所要解决的另一课题是提供一种耐高温性较强的发光二极管封装件。
本发明所要解决的另一课题是提供一种适合于投影仪或者汽车用前照灯的垂直型发光二极管以及具有该发光二极管的发光二极管封装件。
根据本发明的一实施例，提供一种发光二极管，包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括：第一电极焊盘，配置成沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置拉长的形状而覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。
所述中间延伸部可以布置成与所述电极焊盘的长度方向平行。
随着远离所述电极焊盘，被所述中间区域划分的发光区域的宽度可以发生变化。
所述中间延伸部可以布置成与所述电极焊盘的长度方向垂直。
还可以包括覆盖所述上部半导体层的表面的绝缘层。
所述上部半导体层可以具有粗糙的表面。
还可以包括覆盖所述上部半导体层以及所述延伸部的波长转换器，所述波长转换器具有矩形形状。
所述波长转换器可以是含磷玻璃。
所述波长转换器可以覆盖与所述一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置与所述第一电极焊盘之间的整个发光区域。
所述电极焊盘还可以包括：第二电极焊盘，配置成沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层。
所述波长转换器可以覆盖所述第一电极焊盘与所述第二电极焊盘之间的整个发光区域。
根据本发明的一实施例，提供一种发光二极管封装件，包括：基底基板，具有第一电极及第二电极；发光二极管，贴装于所述基底基板上，电连接于所述第一电极及所述第二电极，且安装有波长转换器；壳体，配置于所述基底基板上，并包围所述发光二极管；以及封装材料，在所述壳体内覆盖所述发光二极管，使所述波长转换器的上表面露出，其中，所述发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括：第一电极焊盘，配置成沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述基板的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。
所述波长转换器可以包括具有矩形形状的含磷玻璃波长转换器。
所述封装材料可以由白色反射器形成。
所述白色反射器可以与所述发光二极管的四个侧面一同覆盖所述第一电极焊盘。
所述电极焊盘还可以包括：第二电极焊盘，配置成沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层，所述白色反射器还覆盖所述第二电极焊盘。
所述中间延伸部可以与所述电极焊盘的长度方向平行地布置。
随着远离所述电极焊盘，被所述中间区域划分的发光区域的宽度可以发生变化。
所述中间延伸部可以与所述电极焊盘的长度方向垂直地布置。
所述基底基板可以包括AlN陶瓷基板，所述壳体由硅模塑料形成。
所述发光二极管可以贴装于所述第一电极上，所述发光二极管的第一电极焊盘通过多个键合线电连接于所述第二电极。
所述第一电极焊盘的键合有所述键合线的部分的宽度可以与位于它们之间的部分的宽度相同。
根据本发明的另一实施例，提供一种发光二极管封装件，包括：基底基板，具有第一电极以及第二电极；发光二极管，封装件于所述基底基板上，电连接于所述第一电极以及第二电极，且安装有PIG波长转换器；壳体，配置于所述基底基板上，包围所述发光二极管；以及封装材料，在所述壳体内覆盖所述发光二极管，使所述PIG的上表面裸露，其中，所述发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置配置成长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层的第一电极焊盘，所述延伸部包括从所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。
根据本发明的实施例，提供一种通过改变电极焊盘的形状而能够较容易地粘合耐高温性较强的PIG(Phosphor In Glass)而使用的发光二极管。进而，通过利用安装有PIG的所述发光二极管，可以提供一种耐高温性较强的发光二极管封装件。
附图说明
图1a至图1c是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管封装件的示意性的立体图以及剖面图。
图2a及图2b是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的示意性的平面图以及剖面图。
图3a及图3b是用于说明根据本发明的一实施例的安装有波长转换器的发光二极管的示意性的平面图以及剖面图。
图4a及图4b是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图以及剖面图。
图5是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
图6是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
图7是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
图8是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为使本发明所属技术领域的一般技术人员能够充分理解本发明的思想，举例说明以下实施例。因此，本发明并不限定于以下所述的实施例，也可以通过其他形态实现。并且，在附图中，为了便于说明，构成要素的宽度、长度以及厚度等可能被夸张地表述。并且，在记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或者“上方”的情况下，不仅包括各部分位于另一部分的“紧邻的上部”或者“紧邻的上方”的情况，而且还包括在各构成要素与其他构成要素之间还夹设有其他构成要素的情况。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。
根据本发明的一实施例，提供发光二极管。该发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，其中，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置配置成长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层的第一电极焊盘，所述延伸部包括从所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。
通过沿着上部半导体层的一侧边缘位置而配置长的形状的第一电极焊盘，可以将发出光的区域构成(Texturing)为矩形形状，尤其是正方形形状。据此，可以有效地控制发出光的区域，并且可以将配置波长转换器的区域简化。
在多个实施例中，所述中间延伸部可以配置成与所述电极焊盘的长度方向平行。中间延伸部可以配置成将发光区域划分为相同的宽度。不同与此地，被所述中间区域划分的发光区域的宽度可以随着远离所述电极焊盘而改变。例如，发光区域的宽度可能随着远离所述电极焊盘而变窄。
在其他实施例中，所述中间延伸部可以配置成与所述电极焊盘的长度方向垂直。
另外，所述发光二极管还可以包括覆盖所述上部半导体层的表面的绝缘层。绝缘层可以加强在其上配置的波长转换器的粘合特性。
进而，所述上部半导体层可以具有粗糙的表面。粗糙的表面提高通过上部半导体层向外部发出的光的提取效率。
另外，所述发光二极管还可以包括覆盖所述上部半导体层以及所述延伸部的波长转换器。所述波长转换器具有矩形形状，具体地具有正方形形状。在波长转换器具有矩形形状，尤其是正方形形状时，制造波长转换器的工序会大幅简化。进而，可以使在制造波长转换器的期间可能发生的材料损失最小化。
尤其，所述波长转换器可以是含磷玻璃(Phosphor in Glass；PIG)。PIG在高温下耐久性较强，因此在汽车用前照灯或者投影仪中适合作为波长转换器而使用。
所述波长转换器通过覆盖整个矩形形状的发光区域而改变向外部发出的光的波长。所述波长转换器可以覆盖与所述一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置与所述第一电极焊盘之间的整个发光区域。
另外，所述电极焊盘还可以包括第二电极焊盘，其沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而配置成长的形状，并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层。据此，可以在上部半导体层的两侧接合引线，因此可以使电流供应更加灵活。
进而，所述波长转换器可以覆盖所述第一电极焊盘与所述第二电极焊盘之间的整个发光区域。
根据本发明的另一实施例，提供一种发光二极管封装件。该发光二极管封装件包括：基底基板，具有第一电极以及第二电极；发光二极管，贴装于所述基底基板上，电连接于所述第一电极以及第二电极，且安装有波长转换器；壳体，配置于所述基底基板上，并包围所述发光二极管；以及封装材料，在所述壳体内覆盖所述发光二极管，使所述波长转换器的上表面裸露，其中，所述发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置而配置成长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层的第一电极焊盘，所述延伸部包括从所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者从所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。
通过控制电极焊盘的形状可以将从发光二极管发出光的区域控制为所期望的形状，据此，可以简化波长转换器的形状，因此可以使波长转换器的制造工序变得简单。
尤其，所述波长转换器可以包括矩形形状，例如正方形形状的PIG(phosphor inglass)波长转换器。PIG波长转换器具有牢固的结构，因此很难制造成具有复杂的形状。以往的发光二极管由于发光区域并不单一，所以未能将PIG波长转换器制造成矩形形状而使用。但是，本发明的实施例通过利用电极焊盘而控制发光二极管的发光区域，可以采用矩形形状，尤其是正方形形状的PIG波长转换器。
另外，所述封装材料可以由白色反射器形成。所述白色反射器例如可以向环氧、硅等树脂混合白色颜料而进行制造。尤其是，混合聚碳酸酯或聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(poly cyclohexylene dimethylene terephthalate，PCT)等的白色反射器可以作为耐热反射器而适当地使用。以往的封装材料一般为了使光透过而由透明树脂形成，但是在本发明的实施例中，封装材料由光无法透过的材料形成，因此限制发出光的区域。进而，虽然所述封装材料并不一定限定于此，但是在具有反射功能时，能够防止由于封装材料发生光的损失，因此可以提高光提取效率。
所述白色反射器覆盖所述发光二极管的四个侧面，而阻挡光通过发光二极管的侧面发出。进而，所述白色反射器可以覆盖所述第一电极焊盘。据此，可以在电极焊盘周围区域没有波长转换的情况下阻挡发出的光。由于使用白色反射器，光通过波长转换器的上表面发出，据此，可以提高向垂直方向发出的光的聚合度。据此，可以使发出的光的指向角变窄，因此可以较合理地应用于车辆用前照灯等。
在多个实施例中，所述电极焊盘还可以包括如下的第二电极焊盘，沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而配置成长的形状并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层。并且，所述白色反射器可以覆盖所述第二电极焊盘。因此，可以防止不需要的光在所述第二电极焊盘的周围无波长转换地发出。
在多个实施例中，所述中间延伸部可以配置成与所述电极焊盘的长度方向平行。进而，被所述中间延伸部划分的发光区域可以具有相同的宽度。不同与此地，被所述中间区域划分的发光区域的宽度可以随着远离所述电极焊盘而改变。在其他实施例中，所述中间延伸部可以配置成与所述电极焊盘的长度方向垂直。
另外，所述基底基板与所述壳体可以由彼此不同的材料形成。例如，所述基底基板可以包括AlN陶瓷基板等导热系数相对较高的基板，所述壳体可以由硅模塑料形成。因此，可以通过基底基板提高散热性能。所述壳体具有上部与下部开放的结构。进而，所述壳体可以形成封闭的腔室(cavity)，但并不限定于此，侧面的一部分也可以开放。
另外，所述发光二极管贴装于所述第一电极上，所述发光二极管的第一电极焊盘可以通过多个键合线电连接于所述第二电极。并且，所述第一电极焊盘的部分中键合有所述键合线的部分的宽度可以与位于它们之间的部分的宽度相同。
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。
图1a是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管封装件的立体图，图1b是沿着图1a的截取线A-A截取的剖面图，图1c是沿着图1a的截取线B-B截取的部分的立体图。
参照图1a、图1b以及图1c，根据本实施例的发光二极管封装件包括发光二极管100、波长转换器90、基底基板200以及壳体300，且可以包括键合线310。
基底基板200包括绝缘基板201、第一电极203以及第二电极205，进而可以包括散热板207。绝缘基板201可以是陶瓷基板，例如可以是AlN基板。AlN基板的耐高温性良好，且散热特性出色。
第一电极203以及第二电极205分别具有上部引线(lead)203a、205a、下部引线203c、205c以及通路(via)203b、205b。上部引线203a、205a配置于绝缘基板201的上表面。下部引线203c、205c配置于绝缘基板201的下表面，通路203b、205b分别贯穿各个绝缘基板201而将上部引线203a、205a连接于下部引线203c、205c。
在一实施例中，第一电极203及第二电极205可以具有多层结构，例如，可以具有层叠Ni层/Cu层/Au层的多层结构。Ni层在AlN基板上为了提高电极焊盘的粘合力而被使用，Au层为了防止Cu层的氧化而被使用，并且，为了提高与以下说明的发光二极管100之间的粘合力而使用。并且，Cu层为了传递电流以及热而被使用，并且可以比Ni层以及Au层相对地厚。但是，本发明的第一电极203及第二电极205并不限定于上述金属层。
另外，散热板207配置于第一下部引线203c及第二下部引线205c之间，且从第一下部引线203c及第二下部引线205c电绝缘。散热板207与印刷电路板接触，尤其，可以与金属PCB等金属接触而帮助散热。散热板207可以由与第一电极203及第二电极205相同的材料形成。
发光二极管100配置于上部引线203a上，并通过键合线310电连接于上部引线205a。在发光二极管100的一个电极焊盘可以键合有多个键合线310。在此显示连接有三个键合线的情形，但并不限定于此，也可以连接有更多的键合线。另外，发光二极管100可以是垂直型结构。关于发光二极管100的具体内容将在下面更详细地说明。
另外，在发光二极管100上安装有波长转换器90。波长转换器90可以利用硅等接合物质而粘合到发光二极管100。波长转换器90覆盖发光二极管的上表面一部分。波长转换器90尤其可以是如PIG(phosphor in glass)等牢固的板。波长转换器90具有矩形形状，且覆盖发光二极管的一区域。波长转换器90可以从板状的大的板个别地分割而使用。对于如PIG等的玻璃波长转换器90而言，在将这样的板个别地分割时，如果波长转换器90的形状复杂，则分割工序变得困难。与此相反，在本发明的实施例中，波长转换器90可以具有矩形形状，例如具有正方形形状，因此可以很容易执行分割工序。
壳体300包围发光二极管100。壳体300可以由不同于绝缘基板201的材料，例如硅模塑料形成。壳体300提供用于收容封装材料350的腔室。壳体300具有上部与下部开放的结构，在壳体300的底部配置有基底基板200。并且，壳体300例如可以形成为包围发光二极管100，壳体300的侧面中一部分也可以开放。
并且，壳体300的厚度可以根据位置而彼此不同。尤其，在有限的区域配置用于连接键合线310的上部引线205a，因此靠近上部引线205a的部分可以形成为相对较薄。并且，壳体300的内壁的至少一部分可以以壳体的厚度随着向下变厚的方式倾斜。
另外，封装材料350填充壳体300的腔室而覆盖发光二极管100。封装材料350使波长转换器90的上表面裸露，除此之外，覆盖发光二极管100的四个侧面以及没有形成波长转换器90的发光二极管的上表面。封装材料350还覆盖键合线310，因此在封装件的上表面只能观察到波长转换器90。
封装材料350可以由白色反射器形成。例如，可以由在硅或者环氧等的树脂混合白色颜料的材料形成封装材料350。并且，可以将聚碳酸酯或者PCT等反射器用作封装材料350。
在本实施例中，光无法透过封装材料350，因此，封装材料350使从发光二极管100产生的光通过波长转换器90向封装件外部发出。据此，根据本实施例的发光二极管封装件可以较容易地控制光的波长变换以及发出方向。
在本实施例中，虽然未图示，但可以在封装件内同时提供保护元件，例如齐纳二极管(Zener diode)。
以下，对发光二极管100进行具体说明。图2a是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管的平面图，图2b是沿着图2a的截取线C-C截取的剖面图。
参照图2a以及图2b，根据本实施例的发光二极管100包括发光结构体30、下部电极40以及上部电极。上部电极可以例如包括电极焊盘80a以及延伸部80b、80c。所述发光二极管100并且还可以包括支撑基板60、接合金属50、电流阻挡层31以及钝化层70。
支撑基板60位于发光结构体30的下方而支撑发光结构体30，并且，具有导电性而可以被用作电极焊盘。支撑基板60可以例如包括具有导电性的金属物质。支撑基板60例如可以包括Mo、Cu、Ag、Au、Ni、Ti、Al等，可以形成为单层或者多层。但是，本发明并不限定于此，支撑基板60也可以包括绝缘性基板。
发光结构体30配置于所述支撑基板60的上部。发光结构体30可以包括具有彼此不同的导电型的上部半导体层23与下部半导体层27，并且，可以包括位于上部半导体层23与下部半导体层27之间的活性层25。活性层25、上部半导体层23及下部半导体层27可以分别包括III-V系列化合物半导体，例如，可以包括(Al、Ga、In)N之类的氮化物系半导体。上部半导体层23可以包括n型杂质(例如，Si)而具有n型导电型，下部半导体层27可以包括p型杂质(例如，Mg)而具有p型的导电型。n型的上部半导体层23可以位于活性层25上，活性层25可以位于p型的下部半导体层27上。
所述发光结构体30在生长基板上生长后，可以从生长基板分离。在这种情况下，在生长基板上可以按照上部半导体层23、活性层25以及下部半导体层27的顺序形成。与此不同地，所述上部半导体层23也可以包括生长基板的一部分。
生长基板只要是可以使氮化物系半导体生长的基板就不受限定，但可以是具有导电性的基板。在生长基板具有绝缘性时，生长基板可以从发光结构体30经过激光剥离(Laser Lift-Off)等工序而进行分离。另外，在生长基板为碳化硅基板或氮化镓基板、氮化铝基板等时，这些生长基板的至少一部分可以与发光结构体30整合而残留。
生长基板可以具有极性、非极性或者半极性的生长面。因此，在生长基板上生长而形成的上部半导体层23、活性层25以及下部半导体层27的极性可以根据生长基板的极性而确定。
另外，发光结构体30的上表面可以包括粗糙的表面或者粗糙度增加的表面R。粗糙的表面表示经过特定的物理或者化学处理而表面变得更粗糙的表面。粗糙的表面R可以利用湿式刻蚀、干式刻蚀、电化学蚀刻中至少一种方法形成，例如，可以利用PEC蚀刻或者使用包括KOH以及NaOH的蚀刻溶液的蚀刻方法等而形成。并且，粗糙的表面R可以通过干式蚀刻形成。例如，可以通过将SiO2用作蚀刻掩模的干式蚀刻形成粗糙的表面R。作为一例，可以利用PECVD而在发光结构体30的上表面形成SiO2，并通过光刻工序对所述SiO2进行图案化而形成蚀刻掩模，并利用所述蚀刻掩模对发光结构体30的一部分进行干式蚀刻，从而形成粗糙的表面R。作为另一例，也可以在发光结构体30上形成图案化的光掩模，形成覆盖所述光掩模与发光结构体30的上表面的SiO2，对所述光掩模进行剥离而对SiO2进行图案化，将所述图案化的SiO2作为蚀刻掩模而对发光结构体120的部分干式蚀刻，从而形成突出部211。与此不同地，也可以将金属粒子用作蚀刻掩模而形成粗糙的表面R。以上所述的示例在形成蚀刻掩模的方法上有所差异，蚀刻掩模的形态根据蚀刻掩模的形成方法而不同。根据蚀刻掩模的形态，在粗糙的表面R形成的突出部的形状可以发生差异。
在作为蚀刻掩模而使用SiO2的情况下，与仅使用光刻的情况相比，可以改善光提取效率。
电流阻挡层31通过防止电流从上部电极垂直地流向正下方，而将电流均匀地分散至发光结构体30的宽的区域。因此，电流阻挡层31以与上部电极80a、80b、80c重叠的方式形成于下部半导体层27的下表面。进而，电流阻挡层31可以形成为与对应的上部电极相比而具有相对更宽的宽度。尤其，配置于发光结构体30的边缘位置附近的电流阻挡层31可以向发光结构体30的外部突出。例如，电流阻挡层31的侧面可以与支撑基板60的侧面平行。
电流阻挡层31由绝缘层形成，例如可以由SiO2或者Si3N4等形成。进而，电流阻挡层31也可以反复层叠折射率彼此不同的绝缘层而形成，因此，也可以形成为分布布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector：DBR)。
下部电极40电连接于下部半导体层27。下部电极40位于发光结构体30的下部，尤其，可以与发光结构体30的下表面接触。下部电极40可以包括反射层33与覆盖层35。
反射层33可以与下部半导体层27欧姆接触。反射层33起到反射光的作用，同时起到电连接于发光结构体30的电极作用。反射层可以包括Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Mg、Ag以及Au中的至少一个金属层。进而，所述反射层33也可以包括分布布拉格反射器(DBR)。反射层33可以通过电流阻挡层而分割为多个区域。
另外，覆盖层35以覆盖反射层33的方式形成，并且可以防止反射层33与其他物质之间的相互扩散。覆盖层35还可以覆盖电流阻挡层31。覆盖层35例如可以包括Au、Ni、Ti、Cr、Pt、W等，也可以包括单层或者多层。覆盖层35可以在电流阻挡层31a、31b与反射层33之间的部分区域与下部半导体层27接触。尤其，覆盖层35可以包括反射率较高的Al，并且可以在电流阻挡层31与反射层33之间的部分区域肖特基接触。
接合金属层50接合支撑基板60与下部电极40。例如，可以使用AuSn而共晶接合下部电极40与支撑基板60，据此，接合金属层50可以包括AuSn。
另外，上部电极电连接于上部半导体层23。上部电极包括电极焊盘80a、中间延伸部80c以及边缘位置延伸部80b。电极焊盘80a具有相对较宽的区域，从而可以接合导线。尤其，在本发明的实施例中，如图2a所示，电极焊盘80a具有沿着上部半导体层23的一侧边缘位置配置的长条形状，并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层23。在电极焊盘80a可以键合有多个键合线(图1b及图1c的310)。电极焊盘80a的宽度可以是恒定的，因此，在电极焊盘80a的部分中接合有键合线310的部分的宽度可以与位于它们之间的部分的宽度大致相同。
电极焊盘80a可以形成为上部半导体层23的一侧边缘位置的长度的3/4以上的长度。所述电极焊盘80a也可以与上部半导体层23的一侧边缘位置精确地一致，但并不一定限定于此。所述一侧边缘位置与所述电极焊盘80a之间的部分区域也可以裸露。
随着将电极焊盘80a配置成长的形状，可以将多个导线连接于电极焊盘80a，从而可以防止在使用高电流的领域中出现导线的断线，因此可以提高发光二极管的可靠性。进而，通过将电极焊盘80a配置成长的形状，可以将主要发光区域限定为矩形形状。
另外，边缘位置延伸部80b从电极焊盘80a沿着上部半导体层23的边缘位置延伸，中间延伸部80c从边缘位置延伸部80b延伸而将发光区域划分为多个区域。在本实施例中，图示发光区域被划分为三个区域的情形，但并不限定于此。边缘位置延伸部80b以及中间延伸部80c通过分散载体帮助电流分散。
上部电极80a、80b、80c可以形成于，在形成粗糙的表面R的期间通过蚀刻形成的平坦的区域。如图2b所示，通过蚀刻形成的粗糙的表面上的突出部可以高于电极焊盘80a或者延伸部80b、80c。但是，在其他实施例中，上部电极也可以高于突出部，上部电极也可以形成于粗糙的表面上。对于在高电流密度下工作的发光二极管而言，上部电极80a、80b、80c与活性层25之间的距离越远，下垂(droop)得到改善，且光效率高。另外，上部电极80a、80b、80c与活性层25之间的距离越短，越有利于电流分散。因此，可以考虑到发光二极管的驱动电流而调整形成上部电极80a、80b、80c的位置。
并且，上部电极可以形成为单层或者多层，并且可以包括Ni、W、Pt、Cu、Ti、Pd、Ta、Au、Ag、Al、Sn等。例如，上部电极80可以包括由Ti/Al、Ni/Al、Cr/Al、Pt/Al等多层组成的金属层，在所述多层上可以追加形成能够防止Al的凝聚的包括Ni、W、Pt、Cu、Ti、Pd、Ta、Au等的层。
另外，钝化层70至少可以部分地覆盖发光结构体30的侧面以及上表面。钝化层70从外部环境保护发光结构体30。钝化层70可以由绝缘性物质形成，可以构成为单层或者多层。例如，钝化层70可以包括SiO2、SiNx等。
并且，钝化层70也可以覆盖向发光结构体30的外部突出的电流阻挡层31。因此，在发光结构体30的外部，电流阻挡层31与钝化层70重叠。据此，在发光结构体30的外部配置于覆盖层35上的绝缘层(电流阻挡层31与钝化层70)的整体厚度可以比在发光结构体30的下方配置于覆盖层35上的绝缘层(电流阻挡层31)的厚度厚。
图3a是用于说明根据本发明的一实施例的安装有波长转换器的发光二极管的示意性的平面图，图3b是沿着图3a的截取线C-C截取的剖面图。
参照图3a以及图3b，波长转换器90安装于在图2a及图2b中说明的发光二极管10上。波长转换器90在具有耐热性的介质中含有荧光体，例如，可以是PIG(phosphor inglass)。PIG可以在高温环境下不产生劣化、变色或者裂缝等而长期使用。波长转换器90具有矩形形状、尤其是正方形形状。因此，无需将PIG等刚性材料制作成复杂的形状，因此使制造工序变得简单。电极焊盘80a沿着上部半导体层23的一侧边缘位置配置成长的形状，从而波长转换器90覆盖电极焊盘80a与上部半导体层23的另一侧边缘位置之间的矩形区域。尤其，波长转换器90可以具有比上部半导体层23的一侧边缘位置方向的宽度更大的宽度，并且，可以具有比电极焊盘80a与所述另一侧边缘位置之间的宽度更大的宽度。据此，电极焊盘80a可以覆盖除了上部半导体层23的一侧边缘位置以外的其余所有边缘位置。进而，波长转换器90的一部分可以与电极焊盘80a的一部分重叠。因此，可以最小化在活性层25产生的光无波长转换地向外部发出。但是，本发明并不一定限定于此。
波长转换器90可以利用透明的粘合部件85粘合到发光二极管100。例如，作为所述透明的粘合部件85可以使用硅或者环氧。
图4a是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图，图4b是沿着图4a的截取线D-D截取的剖面图。
参照图4a以及图4b，根据本实施例的发光二极管101与参照图2a及图2b说明的发光二极管100大致类似，但在电极焊盘180a、边缘位置延伸部180b以及中间延伸部180c的配置上有所差异。即，中间延伸部180c通过连接电极焊盘180a与边缘位置延伸部180b来划分发光区域。据此，发光区域与电极焊盘180a垂直地配置。并且，随着变更中间延伸部180c的布置，电流阻挡层31b的位置也变更为与中间延伸部180c重叠，反射层33位于由电流阻挡层31b包围的区域，而使反射层33也与电极焊盘180a垂直地配置。
在本实施例中，电极焊盘180a也沿着上部半导体层23的一侧边缘位置而配置成长的形状，因此，如参照图3a及图3b说明，矩形形状的波长转换器90可以覆盖发光区域。
图5是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
参照图5，在以上说明的实施例中，图示并说明了被中间延伸部80c、180c划分的发光区域具有相同的宽度的情形，但是发光区域可以具有彼此不同的宽度。例如，如图5所示，越靠近电极焊盘80a，发光区域的宽度可能越宽(即，W1>W2>W3)。与此不同地，越靠近电极焊盘80a，发光区域的宽度也可以越窄。
图6是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
参照图6，在以上说明的实施例中，虽然图示了发光区域为三个的情形，但发光区域的数量并不受特殊限制。即，可以通过增加中间延伸部80c的数量而增加发光区域的数量。并且，各发光区域的宽度也可以彼此相同，也可以彼此不同。
图7是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
参照图7，在以上所述的实施例中，图示并说明了电极焊盘80a、180a配置于上部半导体层23的一侧边缘位置的情形，但电极焊盘80a可以分别配置于与上部半导体层23相向的两侧边缘位置。在此情况下，波长转换器90以覆盖电极焊盘80a之间的发光区域的方式被安装。
图8是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。
参照图8，在图7的实施例中图示了中间延伸部80c从边缘位置延伸部80b延伸而与电极焊盘80a平行地配置的情形，但中间延伸部80c可以从电极焊盘80a延伸而垂直于电极焊盘80a。
以上，对本发明的多种实施例进行了说明，但本发明并不限定于这些实施例，在不脱离本发明的范围的情况下，可以进行多种变形。

Claims (20)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；
上部电极，连接于所述上部半导体层；
下部电极，连接于所述下部半导体层，
所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，
所述电极焊盘包括：第一电极焊盘，配置成沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置拉长的形状而覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层，
所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部，
随着远离所述电极焊盘，被所述中间延伸部划分的发光区域的宽度发生变化。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
还包括：支撑基板，位于所述半导体层叠结构的下方而支撑所述半导体层叠结构，
所述中间延伸部布置成与所述电极焊盘的长度方向平行。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
所述中间延伸部布置成与所述电极焊盘的长度方向垂直。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
还包括覆盖所述上部半导体层的表面的绝缘层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，
所述上部半导体层具有粗糙的表面。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
还包括覆盖所述上部半导体层以及所述延伸部的波长转换器，所述波长转换器具有矩形形状。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，
所述波长转换器是含磷玻璃。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，
所述波长转换器覆盖与所述一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置与所述第一电极焊盘之间的整个发光区域。
9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，
所述电极焊盘还包括：第二电极焊盘，配置成沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，
所述波长转换器覆盖所述第一电极焊盘与所述第二电极焊盘之间的整个发光区域。
11.一种发光二极管封装件，其特征在于，包括：
基底基板，具有第一电极及第二电极；
发光二极管，贴装于所述基底基板上，电连接于所述第一电极及所述第二电极，且安装有波长转换器；
壳体，配置于所述基底基板上，并包围所述发光二极管；以及
封装材料，在所述壳体内覆盖所述发光二极管，使所述波长转换器的上表面露出，
其中，所述发光二极管包括：
半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；
上部电极，连接于所述上部半导体层；
下部电极，连接于所述下部半导体层，
所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，
所述电极焊盘包括：第一电极焊盘，配置成沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层，
所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述基板的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部，
随着远离所述电极焊盘，被所述中间延伸部划分的发光区域的宽度发生变化。
12.根据权利要求11所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述波长转换器包括具有矩形形状的含磷玻璃波长转换器。
13.根据权利要求11所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述封装材料由白色反射器形成。
14.根据权利要求13所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述白色反射器与所述发光二极管的四个侧面一同覆盖所述第一电极焊盘。
15.根据权利要求13所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述电极焊盘还包括：第二电极焊盘，配置成沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层，
所述白色反射器还覆盖所述第二电极焊盘。
16.根据权利要求11所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述发光二极管还包括：支撑基板，位于所述半导体层叠结构的下方而支撑所述半导体层叠结构，
所述中间延伸部与所述电极焊盘的长度方向平行地布置。
17.根据权利要求11所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述中间延伸部与所述电极焊盘的长度方向垂直地布置。
18.根据权利要求11所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述基底基板包括AlN陶瓷基板，
所述壳体由硅模塑料形成。
19.根据权利要求11所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述发光二极管贴装于所述第一电极上，
所述发光二极管的第一电极焊盘通过多个键合线电连接于所述第二电极。
20.根据权利要求19所述的发光二极管封装件，其特征在于，
所述第一电极焊盘的键合有所述键合线的部分的宽度与位于它们之间的部分的宽度相同。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10323803B2 (en) 2014-11-18 2019-06-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and vehicular lamp comprising same
KR102554231B1 (ko) * 2016-06-16 2023-07-12 서울바이오시스 주식회사 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
CN110311026A (zh) * 2018-03-27 2019-10-08 白金光学科技（苏州）有限公司 一种发光二极管封装结构及其制造方法
CN110364612A (zh) * 2018-04-11 2019-10-22 日亚化学工业株式会社 发光装置
DE202019005298U1 (de) * 2018-05-18 2020-03-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leuchtdiode, Leuchtdiodenmodul und Anzeigevorrichtung mit dem Leuchtdiodenmodul
DE102018119734A1 (de) * 2018-08-14 2020-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem trägerelement, welches ein elektrisch leitendes material umfasst
US20210074880A1 (en) * 2018-12-18 2021-03-11 Bolb Inc. Light-output-power self-awareness light-emitting device
US11046607B2 (en) * 2019-02-06 2021-06-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to reduce darkening in phosphor in glass (PIG) made by SPS
DE102019108216A1 (de) * 2019-03-29 2020-10-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit dielektrischer Schicht und transparenter leitfähiger Schicht und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
KR20200137540A (ko) * 2019-05-30 2020-12-09 서울바이오시스 주식회사 수직형 발광 다이오드
CN114883473B (zh) * 2020-01-02 2024-06-14 泉州三安半导体科技有限公司 发光装置及发光设备
DE102020126442A1 (de) 2020-10-08 2022-04-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung mit einer kontaktschicht und einer darüber angeordneten aufrauschicht sowie herstellungsverfahren

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
JP4547569B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
KR101574286B1 (ko) * 2009-01-21 2015-12-04 삼성전자 주식회사 발광 장치
KR100999701B1 (ko) * 2010-02-03 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
EP2942823B1 (en) * 2009-12-09 2021-05-05 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device, light emitting package, and lighting system
KR101124816B1 (ko) * 2010-09-24 2012-03-26 서울옵토디바이스주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101773582B1 (ko) * 2010-12-28 2017-08-31 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드
KR20120081506A (ko) * 2011-01-11 2012-07-19 삼성전자주식회사 수직형 발광소자
KR101761834B1 (ko) * 2011-01-28 2017-07-27 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
JP2013016588A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
WO2013085255A1 (en) * 2011-12-08 2013-06-13 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with improved current spreading
KR102025719B1 (ko) * 2012-03-14 2019-09-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2015144147A (ja) * 2012-05-11 2015-08-06 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
KR101977278B1 (ko) * 2012-10-29 2019-09-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP6102187B2 (ja) * 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
KR20140078977A (ko) * 2012-12-18 2014-06-26 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
KR20140100115A (ko) * 2013-02-05 2014-08-14 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR101974354B1 (ko) * 2013-02-14 2019-05-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP6094819B2 (ja) * 2013-12-13 2017-03-15 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP6398563B2 (ja) * 2014-05-29 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101662910B1 (ko) 2014-12-21 2016-10-06 김일 검사접촉장치
KR102346798B1 (ko) * 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102554231B1 (ko) * 2016-06-16 2023-07-12 서울바이오시스 주식회사 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지

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