JP7563190B2 - 双方向絶縁型dc-dcコンバータおよび制御方法 - Google Patents
双方向絶縁型dc-dcコンバータおよび制御方法 Download PDFInfo
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Description
第1,第2コンバータ部による電力伝送の出力電力を制御する制御回路と、を備えた双方向絶縁型DC-DCコンバータである。
図1に示す直流電源装置は、本実施形態の一例である双方向コンバータSを説明するためのものである。図1に示す双方向コンバータSは、DAB回路100と制御回路200を主として備え、2つの直流電源1,2の両者間に介在して電力伝送(双方向に電力伝送)できるように構成されている。
図2は、制御回路200の構成例を示すものである。図2の制御回路の場合、電圧検出ローパスフィルタ部(LPF:Low-Pass Filter)210,220、電流検出ローパスフィルタ部230、電圧制御部(AVR:Automatic Voltage Regurator)240、電流制限部250、電流制御部(ACR:Automatic Current Regurator)260、パルス幅演算部270、一次側ゲート信号生成部281、二次側ゲート信号生成部282、三角波生成部300、ADC部(ADC:Analog-to―Digital Converter)310を、主として備えている。
例えば非特許文献2に示されている内容によると、図1に示した双方向コンバータSの第1リアクトル7に流れる電流I(つまり電流検出器20で検出した電流検出値)を低減することにより、銅損,導通損失を抑制できることが読み取れる。
制御回路200の一次側ゲート信号生成部281においては、例えば図3に示すような構成を適用し、下記のとおり制御動作させることが挙げられる。
制御回路200の二次側ゲート信号生成部282においては、例えば図5に示すような構成を適用し、下記のとおり制御動作させることが挙げられる。
次に、制御回路200における電流検出値のサンプリングの一例を、図7に基づいて説明する。なお、図7においては、第1コンバータ部4の出力電圧(交流電圧)である電圧V1と、第2コンバータ部10の出力電圧(交流電圧)である電圧V2と、電流検出器20で検出された電流検出値I1と、を同一時間軸で描写したものとなっている。
100…DAB回路
200…制御回路
1,2…直流電源
4,10…第1,第2コンバータ部
5a~5d…スイッチ(第1~第4半導体スイッチング素子)
12a~12d…スイッチ(第5~第8半導体スイッチング素子)
8…トランス
Claims (5)
- トランスを介して結合され、第1,第2直流電源間に配置される第1,第2コンバータ部と、
前記第1,第2コンバータ部による電力伝送の出力電力を制御する制御回路と、
を備え、
前記第1直流電源の直流電圧は、前記第2直流電源の直流電圧よりも低い、または当該第2直流電源の直流電圧と同等であり、
前記第1コンバータ部は、前記第1直流電源と前記トランスの一次側との間に接続され、
第1,第2半導体スイッチング素子が直列接続された第1スイッチングアームと、第3,第4半導体スイッチング素子が直列接続された第2スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、
前記第2コンバータ部は、前記第2直流電源と前記トランスの二次側に接続され、
第5,第6半導体スイッチング素子が直列接続された第3スイッチングアームと、第7,第8半導体スイッチング素子が直列接続された第4スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、
前記制御回路は、前記第1,第2コンバータ部の各半導体スイッチング素子のゲート信号をそれぞれ生成するゲート信号生成部を備え、
前記第1コンバータ部の出力電圧のパルス幅を決定する一次側パルス幅指令値と、
前記第2コンバータ部の出力電圧のパルス幅を決定する二次側パルス幅指令値と、
前記一次側パルス幅指令値および前記二次側パルス幅指令値の出力電圧の位相差を決定する位相差指令値と、
を演算し、
前記ゲート信号生成部は、前記第2コンバータ部の各スイッチング素子のゲート信号において、
前記トランスの入力電流または出力電流から検出した電流検出値と、
前記一次側パルス幅指令値と、
前記二次側パルス幅指令値と、
前記第1コンバータ部の直流側から検出した一次側電圧検出値と、
前記第2コンバータ部の直流側から検出した二次側電圧検出値と、
三角波キャリア信号と、
に基づいて、前記第1コンバータ部の入出力力率が1となるように生成し、
前記電流検出値は、
前記三角波キャリア信号の山部および谷部のうち何れか一方において、当該一方の頂点から遅延したタイミングでサンプリングされ、
ローパスフィルタにより、前記三角波キャリア信号の周波数であるスイッチング周波数よりも大きい高周波成分が、当該電流検出値から除去され、
前記制御回路により、前記電流検出値が電流指令値となるように制御される、
ことを特徴とする双方向絶縁型DC-DCコンバータ。 - 前記制御回路は、前記遅延したタイミングでサンプリングされた前記電流検出値と、前記二次側電圧検出値と、前記第2コンバータ部の直流側において設定された電圧指令値と、に基づいて前記位相差指令値を生成することを特徴とする請求項1記載の双方向絶縁型DC-DCコンバータ。
- トランスを介して結合され、第1,第2直流電源間に配置される第1,第2コンバータ部と、
前記第1,第2コンバータ部による電力伝送の出力電力を制御する制御回路と、
を備えた双方向絶縁型DC-DCコンバータの制御方法であって、
前記第1直流電源の直流電圧は、前記第2直流電源の直流電圧よりも低い、または当該第2直流電源の直流電圧と同等であり、
前記第1コンバータ部は、前記第1直流電源と前記トランスの一次側との間に接続され、
第1,第2半導体スイッチング素子が直列接続された第1スイッチングアームと、第3,第4半導体スイッチング素子が直列接続された第2スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、
前記第2コンバータ部は、前記第2直流電源とトランスの二次側に接続され、
第5,第6半導体スイッチング素子が直列接続された第3スイッチングアームと、第7,第8半導体スイッチング素子が直列接続された第4スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、
前記制御回路は、前記第1,第2コンバータ部の各半導体スイッチング素子のゲート信号をそれぞれ生成するゲート信号生成部を備え、
前記第1コンバータ部の出力電圧のパルス幅を決定する一次側パルス幅指令値と、
前記第2コンバータ部の出力電圧のパルス幅を決定する二次側パルス幅指令値と、
前記一次側パルス幅指令値および前記二次側パルス幅指令値の出力電圧の位相差を決定する位相差指令値と、
を演算し、
前記ゲート信号生成部は、前記第2コンバータ部の各スイッチング素子のゲート信号において、
前記トランスの入力電流または出力電流から検出した電流検出値と、
前記一次側パルス幅指令値と、
前記二次側パルス幅指令値と、
前記第1コンバータ部の直流側から検出した一次側電圧検出値と、
前記第2コンバータ部の直流側から検出した二次側電圧検出値と、
三角波キャリア信号と、
に基づいて、前記第1コンバータ部の入出力力率が1となるように生成し、
前記電流検出値は、
前記三角波キャリア信号の山部および谷部のうち何れか一方において、当該一方の頂点から遅延したタイミングでサンプリングされ、
ローパスフィルタにより、前記三角波キャリア信号の周波数であるスイッチング周波数よりも大きい高周波成分が、当該電流検出値から除去され、
前記制御回路により、前記電流検出値が電流指令値となるように制御される、
ことを特徴とする双方向絶縁型DC-DCコンバータの制御方法。
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- 2021-01-18 JP JP2021005501A patent/JP7563190B2/ja active Active
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