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JP7415782B2 - 基板搬送機構及び基板搬送方法 - Google Patents

基板搬送機構及び基板搬送方法 Download PDF

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Description

本開示は、基板搬送機構及び基板搬送方法に関する。
半導体デバイスの製造工程においては、例えば基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」と言う）に塗布液を塗布する塗布処理や、露光処理、加熱処理などの各種処理が行われる。これらの処理を行うためにウエハは、例えば装置に含まれるモジュール間で搬送され、その搬送は、支持部によって基板を支持して搬送する基板搬送機構を用いて行われる。
ところで処理の過程でウエハに静電気が蓄積することが有る。この静電気による放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生するとそのエネルギーにより、ウエハに形成した膜や電子素子、あるいは電気回路に不良箇所がもたらされるおそれがある。近年、半導体デバイスのＥＳＤ耐性は、デバイスの設計上、次第に低くなっている。特許文献１には、支持したウエハの電荷を、導電性材料を介してアースに逃がす支持部（基板支持部材）を備えた基板搬送機構（基板搬送装置）が記載されている。
特開平８－２２７７９８号公報
本開示は、基板の支持部に設けた導電路を介して当該基板を接地させて除電する基板搬送機構において、基板の損傷を確実に防止することができる技術を提供する。
本開示の基板搬送機構は、基板を支持するために上面が基板に対向する非導電性の支持部と、
前記基板を搬送するために当該支持部を移動させる移動機構と、
前記支持部と移動機構とを連結すると共に接地される連結部と、
前記支持部の上面に設けられ、前記基板が当該支持部に接触しないように当該基板の下面に接して支持する導電性の接触部と、
前記接触部と前記連結部とを接続するように設けられた帯状導電路と、
前記帯状導電路の幅に対する当該帯状導電路同士がなす間隔が２倍以上となるように当該帯状導電路が備える屈曲部と、
を備える。
本開示によれば、基板の支持部に設けた導電路を介して当該基板を接地させて除電する基板搬送機構において、基板の損傷を確実に防止することができる。
搬送アームにおける支持部を示す斜視図である。 前記支持部における分岐部を示す分解斜視図である。 前記支持部を示す側面図である。 分岐部の上面図及び側面図である。 分岐部を平面に展開した展開図である。 接触部と被覆部との間の間隔を説明する説明図である。 接触部と被覆部との間の間隔を説明する説明図である。 支持部の他の例を示す説明図である。 帯状導電路の他の例を示す展開図である。 帯状導電路の他の例を示す展開図である。 帯状導電路の他の例を示す展開図である。 帯状導電路の他の例を示す展開図である。 支持部の他の例を示す平面図である。 支持部の他の例を示す斜視図である。 支持部の他の例を示す平面図である。 塗布、現像装置を示す縦断面図である。 塗布、現像装置を示す平面図である。
本開示に係る基板搬送機構について説明する。図１は、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）を非真空中、例えば大気雰囲気で搬送する基板搬送機構である搬送アーム２における支持部２０の斜視図である。支持部２０は二股のフォーク状に構成された板状体であり、その上面が下方からウエハＷの裏面に対向した状態で当該ウエハＷを支持する。支持部２０は、基部２３と、基部２３の左右から各々前方へ伸びて形成される２つの分岐部２１、２２と、を備えている。支持部２０は、比較的薄くても高い剛性が得られるように非導電性の部材である例えばセラミックスによって構成される。なお、非導電性とは、例えば１０１2Ω以上の抵抗値を示すことを言う。ところで以下の支持部２０の説明で、左右とは前方を見たときの左右であるものとし、分岐部２２が左側、分岐部２１が右側に位置する。支持部２０は、左右対称に構成されている。
図２の分岐部２１の斜視図も参照して説明を続ける。支持部２０の上面における分岐部２１、２２の先端側及び基部２３には、円板状の吸着パッド３が設けられており、吸着パッド３の下端部は、支持部２０に設けられた円形の凹部２４に埋設されている。各吸着パッド３は、導電性樹脂などの導電性部材により構成されており、ウエハＷの裏面に接触して、支持部２０の上面から浮いた状態でウエハＷを支持する。
また分岐部２１、２２の先端側に形成された凹部２４の内側壁は、左側の一部、右側の一部が凹部２４の外方に向けて夫々欠かれている。それにより、分岐部２１、２２の縁と凹部２４とを接続する細長の溝２９が形成されている。凹部２４の底面及び溝２９の底面は、後述の帯状導電路の端部が形成される第１の面を形成する。そして、支持部２０の上面において凹部２４及び溝２９の外側は、この第１の面よりも高い第２の面を形成する。
各吸着パッド３は、ウエハＷを安定して支持できるように上端側に向かうにつれて拡径された形状であり、その上面にウエハＷが載置される。また、当該吸着パッド３の上面の中心部には、吸引孔２５が開口している。吸引孔２５は、図３に示すように支持部２０の内部に形成された吸引路２６に接続されており、吸引路２６には、吸引部２７が接続されている。吸引路２６にはバルブＶ２６が介設される。バルブＶ２６の開閉によって吸引孔２５からの吸引状態、非吸引状態が互いに切り替えられ、各吸着パッド３上にウエハＷの裏面が載置されるときに吸引状態とされてウエハＷが吸着される。吸着パッド３について、分岐部２１、２２に設けられるものを３１、基部２３に設けられるものを３２として示す場合が有る。吸着パッド３１、３２は接触部に相当し、支持部２２に設けられる導電路に接続される。
背景技術で述べたようにウエハＷに静電気が蓄積してＥＳＤが発生すると、当該ウエハＷが損傷してしまうおそれがある。搬送アーム２は、そのＥＳＤの発生を抑制できるようにウエハＷを除電可能に構成されている。具体的に、導電性部材である被膜が支持部２０に形成されており、吸着パッド３１を接地電位（後述のネジ部材６）に接続する導電路として構成されている。このように支持部２０については高い剛性を有しつつ、静電気を逃がすルートが確保されている。
ところで仮にその導電路のインピーダンスが低すぎると、ウエハＷを吸着パッド３１に載置するにあたり、ウエハＷから吸着パッド３１、そして上記の支持部２０に形成した導電路に、急峻な電荷の移動が起きる。即ち、支持部２０に形成した導電路において、短時間に比較的大きな電流が流れ、当該電流のピーク値が大きくなる。そのように導電路を過大な電流が流れるときには、ウエハＷ側においても導電路に流れ込むように過大な電流が流れてしまう。そのためウエハＷに形成された回路に大電流が流れて、ジュール発熱が生じ、回路を構成する回路素子の接合部破壊や配線膜の溶断を発生させることがある。また回路に急峻な電位変化が起こることで、局所電界が生じ、酸化膜が破壊されたりする。そこで搬送アーム２においては、導電路に十分な長さが確保されて適正なインピーダンスが得られるように、この導電路の一部を帯状導電路５として構成している。この帯状導電路５は、当該帯状導電路５における一部と他の一部との間で短絡することが防止されるように構成されている。それにより、吸着パッド３の上面とネジ部材６との間の抵抗値は、例えば適正な静電気除去が期待される範囲である１×１０５Ω以上、１×１０１2Ωより低い値、具体的には例えば１×１０７Ω～９．９×１０９Ωとされる。
図１に示すように支持部２０における、各分岐部２１、２２の先端部分及び吸着パッド３２の周囲を除いた表面について、例えば上記の導電性部材をなす被膜である被覆部４によって被覆されている。この被覆部４は、具体的には例えば導電性のフッ素樹脂により構成されている。従って吸着パッド３２はその周囲を被覆部４に囲まれ、当該吸着パッド３２と被覆部４との間は絶縁されている。そして、被覆部４は分岐部２１、２２にも形成されているが、その被覆部４の前方側の縁は、吸着パッド３１よりも後方に位置している。
この被覆部４の前方側の縁と吸着パッド３（３１）とが、被覆部４と同様に導電性部材の被膜として構成された帯状導電路５にて接続される。なお帯状導電路５とは、途中で分岐しておらず、一本の帯状になっている導電路のことである。図中では、被覆部４及び帯状導電路５には、ドットを付して示す。
帯状導電路５について詳細に説明する前に、図３を参照して搬送アーム２の他の各部の構成を説明しておくと、搬送アーム２は、支持部２０を例えば前後方向にスライドさせると共に、基台９上を移動する移動機構である移動体１０を備える。図示は省略しているが、搬送アーム２としては基台９を垂直軸回りに回転させる回転機構及び当該回転機構を垂直方向に沿って昇降させる昇降機構などを備えており、後述する装置の各モジュール間でウエハＷを搬送可能に構成されている。
上記の支持部２０は、被覆部４と導通されるように設けられた導電性の連結部であるネジ部材６により移動体１０に連結される。移動体１０を構成する筐体１０Ａは、例えば導電性材料で構成され、接地電位に接続されている。これにより図３に模式的に示すようにウエハＷ、吸着パッド３１、帯状導電路５、被覆部４、ネジ部材６、移動体１０の筐体１０Ａと流れて接地電位につながる導電経路が形成される。
本開示に係る帯状導電路５の構成について図４、図５を参照して説明する。帯状導電路５は、分岐部２１、２２の先端に夫々設けられ、分岐部２１、２２の延びる方向を前方としたときに、各帯状導電路５が、前後方向に延びる軸に対して互いに鏡面対称に形成されている。そのためここでは、右側の分岐部２１に形成された帯状導電路５の構成について説明する。
図４は、分岐部２１の上面及び右側面を示し、図５は、分岐部２１の先端部を平面に展開した展開図を示している。なお図５では、支持部２０の上面に形成された凹部２４を記載せず上面側を平坦な面として示すと共に、被覆部４及び帯状導電路５の厚さを無視している。図４、図５では、分岐部２１の上面を２１Ａ、右側面を２１Ｂ、下面を２１Ｃ、左側面を２１Ｄとして示す。
図４、図５に示すように帯状導電路５は、一本の帯状の導電路を分岐部２１の上面２１Ａ（詳しくは凹部２４及び溝２９の底面）及び下面２１Ｃ、さらには、分岐部２１の左右側面２１Ｂ、２１Ｄの４面に亘って引き回して設けられている。分岐部２１の下面２１Ｃには、左右方向に延びる３本の導電路５１～５３が前後方向に等間隔に並べて形成されている。３本の導電路を前方側から前段、中段、後段の導電路５１～５３とすると、被覆部４と後段の導電路５３と、は、分岐部２１の左側面２１Ｄに設けられた導電路５４により接続されている。また後段の導電路５３と、中段の導電路５２と、は、分岐部２１の右側面２１Ｂに設けられた導電路５５により接続されている。さらに中段の導電路５２と、前段の導電路５１と、は、分岐部２１の左側面２１Ｄに設けられた導電路５６により接続されている。右側面２１Ｂまたは左側面２１Ｄに設けられた導電路５４～５６は、各側面を前後に延びるように形成されている。
また前段の導電路５１の右側端部には、分岐部２１の右側面２１Ｂ及び溝２９の底面を介して、その先端が凹部２４の底面へ引き回される導電路５７が接続されている。そして凹部２４の底面に引き回された導電路５７と、吸着パッド３１の下面とは、図示しない導電性接着剤を介して互いに接続されている。従って、分岐部２１の上面２１Ａにおいて吸着パッド３１Ａの外側には、帯状導電路５は当該溝２９の底面のみに設けられている。
そして、図５に示すように帯状導電路５は、一本の導電路を被覆部４側から、分岐部２１の先端方向に向かって、左右に複数回屈曲させ、周期的な矩形波状となるように繰り返し蛇行する導電パターンとして形成されている。そのため帯状導電路５は、複数の屈曲部５０を備える。なお屈曲部５０とは、導電路を平面に展開したときに屈曲していることを言い、単なる直線形状の導電路を異なる面に跨って形成することで、支持部２０の外形に沿って曲げられているものは、屈曲部５０には含まれない。また帯状導電路５において吸着パッド３１に接する箇所から被覆部４に接続される箇所に至るまで、各部の幅は等しく、その大きさをＦとして図中に示している。導電路５１～５７は互いに２Ｆ以上の間隔をあけて配置されている。なお帯状導電路５の幅Ｆは、この例では、分岐部２１の厚さである。
このように吸着パッド３１とネジ部材６との間に屈曲部５０を備える帯状導電路５を設けることで、吸着パッド３１の上面からネジ部材６との間における導電路の長さを適正なものとし、当該導電路のインピーダンスが適正なものとされている。そして、そのように屈曲部５０を備える帯状導電路５を設けるにあたり、帯状導電路５における幅及び帯状導電路５の各部がなす間隔が上記の関係となるように構成されている。そのような構成を備えることで、この帯状導電路５内における一の部位と他の部位との間での短絡が防止される。つまり、短絡が起きることにより、導電路のインピーダンス及び抵抗値が所望の範囲から外れ、導電路に過大な電流が流れて放電が発生することが防止される。なお、帯状導電路５における幅及び各部の間隔については、後に他の例を挙げてさらに詳しく説明する。
また、補足しておくと、そのように支持部２０に設けられる導電路内での短絡を防止する目的から、分岐部２１の下面２１Ｃにおいて、帯状導電路５を構成する導電路５３と被膜４との間隔も、２Ｆ以上（帯状導電路５の幅Ｆの２倍以上）の大きさとされている。そして図６に示すように、分岐部２１の上面２１Ａにおいて、被覆部４の縁と吸着パッド３１とがなす間隔Ａ１も、そのような導電路内での短絡を防止するために２Ｆ以上の大きさとされている。また、被膜部４が吸着パッド３１の上面の下方まで設けられる場合にも、吸着パッド３１と被膜部４の表面との間隔が上記間隔Ａ１と同様に２Ｆ以上の大きさとするとよい。具体的にこの間隔Ａ１は例えば４ｍｍ以上である。この間隔Ａ１の距離の適正値は、ウエハＷの許容目標の帯電レベルによって変更することが好ましい。
本開示に係る搬送アーム２の作用について説明する。帯電したウエハＷの下方側から搬送アーム２の支持部２０が上昇し、ウエハＷは、図３に示したように３か所の吸着パッド３（３１、３２）に接するように水平に支持され、吸着パッド３に吸着される。ウエハＷの電荷は、吸着パッド３１、導電性の被膜（帯状導電路５及び被覆部４）、ネジ部材６に順に移動し、当該ウエハＷは除電される。
上記のように導電性の被膜を構成する帯状導電路５が設けられることで、吸着パッド３１とネジ部材６との間のインピーダンスが適正な値とされつつ、帯状導電路５における一部と他の一部との間での短絡が防止される。従って上記の過大な電流が生じることが防止される。その結果として、ウエハＷに過大な電流が流れることを抑制でき、ウエハＷへのダメージの発生が防止される。
上記のようにウエハＷが除電されるにあたり、図６で説明したように被覆部４と吸着パッド３１との間の短絡については、被覆部４と吸着パッド３１との間隔が既述のように２Ｆ以上と設定されることで防止されている。この被覆部４と吸着パッド３１との位置関係について補足して説明すると、上記の短絡が防止されるように、被覆部４と吸着パッド３１とがなす間隔とは、より詳しくはこれらの部材の間で最小となる間隔である。具体的には上記のように吸着パッド３１は上方に向けて末広がりであるため、吸着パッド３１の上端と被覆部４の縁との間隔Ａ１が、これらの部材の最小間隔であるため、当該間隔Ａ１について２Ｆ以上とされる。ただし、仮に図７に示すように吸着パッド３１０が垂直壁を備える円筒の場合は吸着パッド３１０の下端が被覆部４の縁に最も近いため、当該下端と被覆部４の縁との間隔Ａ２が２Ｆ以上とされる。
ところで仮に支持するウエハＷに反りが生じている場合、ウエハＷは支持部２０に接触することが考えられ、支持部２０の上面に形成された帯状導電路５の領域が大きいほど、ウエハＷとの接触により帯状導電路５が摩耗や剥がれにより破損するリスクが高くなる。帯状導電路５は幅により抵抗値を規定しているので、摩耗や剥がれが進んでネジ部材６への接続が遮断されると、機能を著しく損なうおそれがある。
帯状導電路５においてはその端部をなす導電路５７のみが支持部２０の上面に設けられることで、そのようなウエハＷとの接触による帯状導電路５の破損を防止することができる。即ち、当該帯状導電路５の端部のみを支持部２０の上面に配置することで、吸着パッド３１とネジ部材６との間を流れる電流のピーク値の上昇を、より確実に防止することができるため、好ましい。
また端部をなす導電路５７は、吸着パッド３１の上面で支持されるシリコン基板やガラス基板など基板、ここではウエハＷの弾性・剛性上、ウエハＷがパッド上面からその導電路５７に接触するほどまで反りうる範囲よりも充分内側に配されていることが好ましい。換言すると、帯状導電路５において端部をなす導電路５７は、吸着パッド３１を基準として支持されたウエハＷと接触しない範囲の位置に設けられていることが好ましい。
また、その導電路５７においては分岐部２１、２２の上面２１Ａに設けられた溝２９の底面に形成されている。従って、吸着パッド３１の上縁部と導電路５７との間の距離は比較的大きいため、上記のようにウエハＷが除電されるにあたり、当該上縁部と帯状導電路５との間での短絡が防止される。従って、上記のように吸着パッド３とネジ部材６との間を流れる電流のピーク値の上昇を、より確実に防止することができる。また、ウエハＷを受け取る際に支持部２０が上昇してウエハＷの裏面に近接するが、その際にウエハＷと導電路５７とは比較的大きく離れることになるため、ウエハＷから導電路５７への短絡も防止されるため好ましい。
なお、そのように導電路５７と吸着パッド３１との距離を大きくするにあたっては、溝２９（凹部２４）に導電路５７を形成することに限られない。図８に示すように分岐部２１（２２）の先端部の表面を傾斜面として構成し、当該斜面に帯状導電路５の端部５７を形成してもよい。
ところで上記したようにウエハＷが反りを有する場合、ウエハＷは支持部２０に接触することが考えられ、支持部２０の上面に形成された帯状導電路５の領域が大きいほど、ウエハＷとの接触により帯状導電路５が破損するリスクが高くなる。上記のように分岐部２１の側面及び下面に帯状導電路５を形成することは、そのようなリスクを低下させつつ、帯状導電路５の適切な長さを確保することに寄与するので好ましい。
例えばこの帯状導電路５は分岐部２１、２２の一部をマスキングした後に導電路となる膜を成膜することで形成される。そのように帯状導電路５を形成するにあたり、分岐部２１、２２の下面２１Ｃ、側面２１Ｂ、側面２１Ｄの各々において直線状のマスクパターンを形成すればよい。つまり、分岐部２１、２２の側面を利用せず、下面２１Ｃのみに帯状導電路５を形成すると、マスクパターンは屈曲部を備えた複雑なものとなるが、上記のように分岐部２１の側面を利用して帯状導電路５を形成することでマスクパターンを簡素なものとなる。つまり分岐部２１の側面に帯状導電路５の一部を形成することにより、支持部２０の製造が容易であるという利点が有る。
さらに、分岐部２１、２２の下面２１Ｃの他に側面２１Ｂ、２１Ｄも利用して帯状導電路５を形成することは、仮に吸着パッド３１とネジ部材６との距離が比較的短い搬送アーム２についても十分な長さの帯状導電路５を形成することができる。そして、それにより吸着パッド３１とネジ部材６との間のインピーダンスを適正なものとすることができる。従って、分岐部２１、２２の側面に帯状導電路５を形成することは吸着パッド３（３１）のレイアウトの自由度を高く設定できることに寄与する。
帯状導電路５を分岐部２１、２２のうちの一方のみに設けてもよい。また図１に示した支持部２０における基部２３側の吸着パッド３２について、図５で示したパターン形状を有する帯状導電路５の一端に接続し、当該帯状導電路５の他端を被覆部４に接続してもよい。つまり、２つの吸着パッド３１及び１つの吸着パッド３２のうちの少なくともいずれか一つが、帯状導電路５及び被覆部４を介してネジ部材６に接続されていればよい。
続いて帯状導電路５の他の例について図９～図１２を参照して説明する。図９～図１２は、帯状導電路５Ａ～５Ｄを平面に展開した図を示しており、帯状導電路５Ａ～５Ｄは、支持部２０の複数の面に亘って形成されていてもよいし、１つのみの面に形成されていてもよい。
図９に帯状導電路５Ａとして例示するように、帯状導電路としては各部の幅が異なっていてもよい。この図９を用いて帯状導電路の幅と各部の間隔との関係について、詳しく説明する。帯状導電路のある点Ｐについて見たときに導電路の形成方向に対して直交する線Ｌ１を導電路の一端から他端まで引く。このＬ１の長さが、導電路の点Ｐにおける幅Ｆである。このＬ１についての延長線Ｌ２を長さが２Ｆとなるように引く。その延長線Ｌ２が帯状導電路に接していなければよい。そして、この図９の帯状導電路５Ａ及び図５の帯状導電路５については、直角に屈曲する。その屈曲部５０については、上記の幅を表す線Ｌ１が引けないので（仮に引こうとすると帯状導電路の長さ方向を表す線になるので）、そのような屈曲部５０以外の箇所が、上記の幅Ｆに対して間隔２Ｆ以上の関係を満たしていればよい。
またＬ１についての延長線Ｌ２を長さが２Ｆとなるように引いたときに、その延長線Ｌ２が帯状導電路５に接していなければよいことから、図１０に示すように帯状導電路５Ｂは、屈曲部５０が１つであるように形成してもよい。また図１１に示すようにＳ字形状の帯状導電路５Ｃであってもよい。即ち帯状導電路５Ｃを平面に展開したときに、折り返しの構成とされていなくてもよい。さらに図１２に示すように帯状導電路５Ｄの屈曲部５０としては弧状に形成してもよい。
また図１３に搬送アーム２の他の例を示す。この例は、図１に示した支持部２０に、ウエハＷの位置合わせを行うためのガイド２０４を設けている。ガイド２０４は、例えば支持部２０の基部２３の左右から、各々支持部２０に支持されるウエハＷの周縁（側壁）の外側に張り出すように設けられている。詳しくは後述の他の支持部を説明する際に述べるが、このガイド２０４についてはウエハＷの周縁が当接され、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントの役割を果たす。このガイド２０４は、例えば導電性樹脂などの導電性部材により構成されている。ガイド２０４は基部２３に接しているため、ガイド２０４の表面は、基部２３の被膜４を介してネジ部材６に電気的に接続されている。
ところで任意の部材から放電が起きるにあたり、当該部材の持つ尖頭部位から当該放電が起こりやすい。従って帯電したウエハＷからの放電は、面状体である中心側に比べて、角部が存在するウエハＷの周縁から起こりやすい。そのため、支持部２０が帯電したウエハＷを受け取るために当該ウエハＷに接するとき、ウエハＷからガイド２０４への放電が比較的起こりやすい。しかし、上記のように吸着パッド３１とネジ部材６との間の導電路に帯状導電路５を設けて、当該導電路のインピーダンスが適正なものとなるように調整されている。つまり、ウエハＷを受け取る際に主にガイド２０４からネジ部材６へ電荷が移動するとした場合、支持部２０の表面を流れる電流のピーク値が大きくなってしまい、帯状導電路５がその役割を十分に果たせなくなってしまう。
そこで、ガイド２０４とネジ部材６との間の導電路における抵抗値Ｒ１は、吸着パッド３１とネジ部材６との間の導電路における抵抗値Ｒ２よりも高くなるように構成されている。これにより帯電したウエハＷを支持部２０が受け取る際に、ガイド２０４がウエハＷの周縁に近接すると共に吸着パッド３１がウエハＷの裏面に近接するとき、ウエハＷの電荷は、より流れやすい吸着パッド３１を介した導電路に移動する。それにより、上記したようにピーク電流値が抑制されることで、放電の発生が抑制される。
なお、ガイド２０４とネジ部材６との間の抵抗値、吸着パッド３１とネジ部材６との間の抵抗値は、各部における測定位置が異なると変化するので、これらの抵抗値について詳しく述べておく。ガイド２０４とネジ部材６との間の抵抗値は、ガイド２０４におけるウエハＷの接触位置とネジ部材６との間で最も抵抗値が低くなる経路の抵抗値である。従って、この例ではネジ部材６が複数設けられるが、複数のネジ部材６のうち、上記のガイド２０４におけるウエハＷの接触位置に最も近いネジ部材６と当該接触位置との間の抵抗値であり、具体的には図中のＰ１２-Ｐ１３間の抵抗値である。また、ガイド２０４におけるウエハＷの接触位置とは、設計上のウエハＷの接触位置である。つまり、搬送対象のウエハＷに反りが無いものとしたときに、ガイド２０４の表面においてウエハＷに接触するように設計された位置である。
同様に吸着パッド３（３１）とネジ部材６との間の抵抗値についても、吸着パッド３におけるウエハＷとの接触位置（即ち上面における位置）とネジ部材６との間で最も抵抗値が低くなる経路の抵抗値であり、具体的には図中のＰ１１-Ｐ１３間の抵抗値である。
従ってＰ１１-Ｐ１３間の抵抗値Ｒ２＜Ｐ１２-Ｐ１３間の抵抗値Ｒ１である。
上記のように抵抗値についてＲ２＜Ｒ１とするようにガイド２０４を導電性部材として構成しているが、例えばガイド２０４を絶縁性部材として形成し、表面に導電性部材によるパターンを形成することで、ウエハＷとネジ部材６とが電気的に接続されるようにしてもよい。この導電性のパターンとしては、図４、図５等で説明した屈曲部５０を備える帯状導電路５を設けてもよい。
なお、ガイド２０４を非導電性材料で構成し、その表面が除電されない構成とした場合には当該ガイド２０４が帯電し、パーティクルを引き寄せてしまい、引き寄せられたパーティクルがウエハＷに付着するおそれがある。従って、上記のようにガイド２０４を導電性部材により構成すると共に、接地電位に接続されて除電される構成とすることが、ウエハＷのパーティクル汚染を防ぐために好ましい。
また図１４は、吸着パッド３に代えて、支持部２００の表面に突出する導電性の接触部であるギャップピン３００を設けた支持部２００を示している。支持部２００において、ギャップピン３００の外側領域は被膜部４に覆われており、ギャップピン３００の下端部は被膜部４に電気的に接続されている。従って、ギャップピン３００上に支持されたウエハＷは、吸着パッド３に支持されたウエハＷと同様に、除電される。この搬送アーム２の支持部２００は、多数のギャップピン３００が先端部２０１、２０２及び基部２０３に分散して設けられている。
またこの支持部２００は、図１３に示す支持部２０と同様のガイド２０４を備えており、ガイド２０４に接触することによっても除電される。ガイド２０４について補足しておくと、ウエハＷを支持した状態の支持部２００が図３で示した基台９を前進する。その際に慣性によりその場に留まろうとするウエハＷはガイド２０４に当接し、押圧される。それにより、支持部２００からのウエハＷの落下が防止されると共に、支持部２００上での位置合せがなされる。なお、図１３で示した吸着パッド３を設けた支持部２０については、吸着パッド３からの吸引を停止した状態でそのような位置合せを行うようにすることができる。
ところで、各支持部２０、２００についてその上面が下方からウエハＷに対向するが、ウエハＷに平行となっていなくてもよく、ウエハＷの裏面に対して傾いていてもよい。そして、上記の各例ではそのようにウエハＷに対向する支持部２０に帯状導電路５を設けているが、帯状導電路５はそのような部材に設けることには限られない。図１５に示す搬送アーム２０５の例では吸着パッド３１、３２を備える支持部２１０が複数設けられ、ウエハＷの側周を囲む円弧状の囲み部２１２の内周に接続されている。ネジ部材６を介して囲み部６は移動体１０（図１５では不図示）に接続されている。吸着パッド３１が設けられる支持部２１０及び囲み部２１２には支持部２０と同じく導電性の被覆部４により被覆され、被覆部４を介して吸着パッド３１とネジ部材６とが電気的に接続されている。この被覆部４について、囲み部１０の上面の被膜が図５で説明したように複数の屈曲部５０を有する帯状導電路５として構成されている。つまり帯状導電路５は、ウエハＷに対向する部材に設けることには限られない。
続いて上述の搬送アーム２が設けられる塗布、現像装置について説明する。塗布、現像装置は図１６及び図１７に示すようにキャリアブロックＢ１と、処理ブロックＢ２と、インターフェイスブロックＢ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＢ３には、更に露光ステーションＢ４が接続されている。
キャリアブロックＢ１は、基板である例えば直径３００ｍｍのウエハＷを複数枚収納する搬送容器であるキャリアＣ（例えばＦＯＵＰ）から装置内に搬入出する役割を有し、キャリアＣの載置ステージ１０１と、ドア１０２と、キャリアＣからウエハＷを搬送するための搬送アーム２（１０３）と、を備えている。
処理ブロックＢ２はウエハＷに液処理を行うための第１～第６の単位ブロックＤ１～Ｄ６が下から順に積層されて構成され、各単位ブロックＤ１～Ｄ６は、後述の液処理ユニット１１０にて、ウエハＷに供給する処理液が異なることを除いて概ね同じ構成である。
図１７に代表して単位ブロックＤ３の構成を示すと、単位ブロックＤ３には、キャリアブロックＢ１側からインターフェイスブロックＢ３へ向かう直線状の搬送領域Ｒ３を移動する搬送アーム２０５（Ａ３）と、カップモジュール１１１を備えた、例えばウエハＷにレジスト液を供給するための液処理ユニット１１０と、が設けられている。液処理ユニット１１０は、例えばカップモジュール１１１にて、回転するウエハＷに向けて処理液、ここではレジスト液を供給し、ウエハＷの表面にレジスト液を広げて塗布膜を形成する。
なお単位ブロックＤ１～Ｄ３液処理ユニット１１０においてウエハＷにレジスト膜となる処理液を塗布し、単位ブロックＤ４～Ｄ６においては、液処理ユニット１１０においてウエハＷに現像液を供給して現像処理を行う。また棚ユニットＵ１～Ｕ６には熱処理装置が積層されている。搬送領域Ｒ３のキャリアブロックＢ１側には、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている棚ユニットＵ７が設けられている。搬送アーム２（１０３）と搬送アーム２０５（Ａ３）との間のウエハＷの受け渡しは、棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールと搬送アーム２０５（１０４）とを介して行なわれる。
インターフェイスブロックＢ３は、処理ブロックＢ２と露光ステーションＢ４との間でウエハＷの受け渡しを行うためのものであり複数の処理モジュールが互いに積層された棚ユニットＵ８、Ｕ９、Ｕ１０を備えている。なお図１５中の符号１０５、１０６は夫々棚ユニットＵ８、Ｕ９間、棚ユニットＵ９、Ｕ１０間でウエハＷの受け渡しをするための搬送アーム２であり、図１７中の符号１０７は、棚ユニットＵ１０と露光ステーションＢ４との間でウエハＷの受け渡しをするための搬送アーム２である。
塗布、現像装置及び露光ステーションＢ４からなるシステムのウエハＷの搬送経路の概略について簡単に説明する。ウエハＷは、キャリアＣ→搬送アーム２（１０３）→棚ユニットＵ７の受け渡しモジュール→搬送アーム２０５（１０４）→棚ユニットＵ７の受け渡しモジュール→単位ブロックＤ１～Ｄ３→インターフェイスブロックＢ３→露光ステーションＢ４の順に流れていく。これによりウエハＷの表面にレジスト膜が塗布され、さらにレジスト膜の表面に露光処理が行われる。さらに露光処理が行われたウエハＷは、インターフェイスブロックＢ３を介して、単位ブロックＤ４～Ｄ６に搬送される。さらに単位ブロックＤ４～Ｄ６において熱処理が行われ、次いで液処理ユニット１１０に搬送されて現像処理が行われる。その後ウエハＷは、棚ユニットＵ７の受け渡しモジュールＴＲＳ→搬送アーム２（１０３）→キャリアＣの順で流れていく。
このような塗布、現像装置において、例えば液処理ユニット１１０にて、回転するウエハＷに処理液を供給したときに、処理液と、回転するウエハＷとの摩擦によりウエハＷに静電気が帯電することがある。このようなウエハＷを搬送アーム２、２０５（１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、Ａ３）に受け渡したときに瞬間的に過大な電流が流れることを防止しながらウエハＷの除電をすることができる。
以上に検討したように、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更、組み合わせが行われてもよい。
２ 搬送アーム
５ 帯状導電路
６ ネジ部材
１０ 移動体
２０ 支持部
３１ 吸着パッド
５０ 屈曲部

Claims (6)

  1. 基板を支持するために上面が基板に対向する非導電性の支持部と、
    前記基板を搬送するために当該支持部を移動させる移動機構と、
    前記支持部と移動機構とを連結すると共に接地される連結部と、
    前記支持部の上面に設けられ、前記基板が当該支持部に接触しないように当該基板の下面に接して支持する導電性の接触部と、
    前記接触部と前記連結部とを接続するように設けられた帯状導電路と、
    前記帯状導電路の幅に対する当該帯状導電路同士がなす間隔が２倍以上となるように当該帯状導電路が備える屈曲部と、
    を備える基板搬送機構。
  2. 前記支持部において前記接触部と離れて前記連結部と接続した領域で導電性部材によって形成された被覆部を備え、
    前記帯状導電路は、前記接触部と前記被覆部とを接続することで前記接触部と前記連結部とを接続するように構成され、
    当該被覆部と前記接触部とがなす間隔が、前記帯状導電路同士がなす間隔の大きさ以上である請求項１記載の基板搬送機構。
  3. 前記帯状導電路は前記支持部において上面と上面以外の面とに跨がって形成され、
    当該支持部の上面には前記接触部に接続される前記帯状導電路の一端部のみが設けられている請求項１または２記載の基板搬送機構。
  4. 前記帯状導電路は、前記支持部の表面に設けられる導電性部材により構成され、
    前記帯状導電路は、前記支持部の上面に設けられる導電性部材の一部を構成し、
    前記支持部の上面は第１の面と、前記第１の面よりも前記基板に近接する第２の面と、を備え、
    前記導電性部材の他の一部は前記第２の面に設けられ、前記帯状導電路の一端部は、前記第１の面に設けられる請求項３記載の基板搬送機構。
  5. 前記基板の側壁に当接して当該支持部に対する基板の位置を規制するガイド部が前記支持部に設けられ、
    前記支持部及びガイド部の各々表面には、当該ガイド部と前記連結部とを接続する導電路が設けられ、
    前記ガイド部と前記連結部との間の抵抗値は、前記接触部と前記連結部との間の抵抗値よりも高い請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板搬送機構。
  6. 基板を支持するために非導電性の支持部の上面を当該基板に対向させる工程と、
    接地される連結部を介して前記支持部に連結される移動機構により、当該支持部を移動させて前記基板を搬送する工程と、
    前記支持部の上面に設けられる導電性の接触部により、前記基板が当該支持部に接触しないように当該基板の下面に接して支持する工程と、
    前記接触部と前記連結部とを接続するように設けられた帯状導電路により、前記基板の電荷を前記連結部に移動させる工程と、
    を備え、
    前記帯状導電路には、当該帯状導電路の幅に対する当該帯状導電路同士がなす間隔が２倍以上となるように当該帯状導電路が備える屈曲部が設けられる基板搬送方法。
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