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JP7406719B2 - 蒸着マスク及びその製造方法、蒸着マスク装置及びその製造方法、中間体、蒸着方法、並びに有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着マスク及びその製造方法、蒸着マスク装置及びその製造方法、中間体、蒸着方法、並びに有機ｅｌ表示装置の製造方法 Download PDF

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Description

本実施の形態は、蒸着マスク及びその製造方法、蒸着マスク装置及びその製造方法、中間体、蒸着方法、並びに有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション（ＵＨＤ）に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。
表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている（特許文献１参照）。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板（有機ＥＬ基板）を蒸着装置に投入し、次に、蒸着装置内で有機ＥＬ基板に対して蒸着マスクを密着させ、有機材料を有機ＥＬ基板に蒸着させる蒸着工程を行う。
特開２０１５－１７８６６２号公報
ところで、このような蒸着マスクを製造する際、強度を高めるため、蒸着マスクの中間体を支持体に積層して補強することが提案されている。この場合、中間体を支持体の開口部に精度よく接合することが求められる。
本開示の蒸着マスクは、マスク本体と、前記マスク本体に接合された支持体と、を備え、前記マスク本体は、第１アラインメントマークを有し、前記支持体は、第２アラインメントマークを有し、前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きい。
本開示によれば、蒸着マスクの中間体を支持体に精度良く接合することができる。
図１は、蒸着マスク装置を有する蒸着装置及びこの蒸着装置を用いた蒸着方法を説明するための図である。 図２は、図１に示す蒸着装置で製造された有機ＥＬ表示装置の一例を示す断面図である。 図３は、第１の実施の形態による蒸着マスクを有する蒸着マスク装置の一例を概略的に示す平面図である。 図４は、第１の実施の形態による蒸着マスク装置を示す断面図（図３のIV－IV線断面図）である。 図５は、第１の実施の形態による蒸着マスク装置のマスク本体を示す部分拡大図（図３のＶ部拡大図）である。 図６は、第１の実施の形態による蒸着マスク装置を示す部分断面図（図５のVI－VI線断面図）である。 図７は、第１の実施の形態によるマスク本体を示す断面図（図５のVII－VII線断面図）である。 図８（ａ）－（ｃ）は、めっき処理によってマスク本体を製造するために用いられるパターン基板を製造する方法を示す図である。 図９（ａ）－（ｄ）は、マスク本体をめっき処理によって製造する方法を示す図である。 図１０は、蒸着マスクの製造方法を示す図である。 図１１は、蒸着マスクのマスク本体と支持体とを位置決めする際の第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークを示す断面図である。 図１２（ａ）（ｂ）は、蒸着マスクのマスク本体と支持体とを位置決めする際の第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークを示す平面図である。 図１３（ａ）－（ｃ）は、蒸着マスク装置の製造方法の一例を示す図である。 図１４（ａ）（ｂ）は、有機ＥＬ基板に蒸着材料を蒸着させる工程を示す図である。 図１５は、有機ＥＬ基板に蒸着材料を蒸着させる工程を示す図である。 図１６は、第１の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第１の変形例を示す図である。 図１７は、第１の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第２の変形例を示す図である。 図１８は、第１の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第３の変形例を示す図である。 図１９は、第１の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第４の変形例を示す図である。 図２０は、第１の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第５の変形例を示す図である。 図２１（ａ）－（ｅ）は、第１の実施の形態におけるマスク本体の製造方法の変形例を示す断面図である。 図２２は、第２の実施の形態による蒸着マスクを示す平面図である。 図２３は、第２の実施の形態による蒸着マスクを示す断面図（図２２のXXIII－XXIII線断面図）である。 図２４は、第２の実施の形態による蒸着マスクを示す部分拡大図（図２２のXXIV部拡大図）である。 図２５は、第２の実施の形態による蒸着マスクを示す部分断面図（図２４のXXV－XXV線断面図）である。 図２６（ａ）－（ｈ）は、第２の実施の形態による蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 図２７は、蒸着マスクの製造中における第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークを示す断面図である。 図２８は、第２の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第１の変形例を示す図である。 図２９は、第２の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第２の変形例を示す図である。 図３０は、第２の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第３の変形例を示す図である。 図３１は、第２の実施の形態による第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの第４の変形例を示す図である。 図３２（ａ）－（ｈ）は、第２の実施の形態による蒸着マスクの製造方法の変形例を示す断面図である。 図３３は、支持体の一変形例を示す断面図である。 図３４は、支持体の一変形例を示す断面図である。 図３５は、支持体の一変形例を示す断面図である。 図３６は、支持体の一変形例を示す断面図である。 図３７は、支持体の一変形例を示す断面図である。 図３８は、支持体の一変形例を示す断面図である。 図３９は、支持体の一変形例を示す断面図である。 図４０は、支持体の一変形例を示す断面図である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される数値範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態において、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクやその製造方法に関した例をあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本実施形態を適用することができる。
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
本開示の第１の態様は、蒸着マスクであって、
マスク本体と、
前記マスク本体に接合された支持体と、を備え、
前記マスク本体は、第１アラインメントマークを有し、前記支持体は、第２アラインメントマークを有し、
前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きい、蒸着マスクである。
本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による蒸着マスクにおいて、前記マスク本体は、複数の貫通孔が形成されためっき層を有していてもよい。
本開示の第３の態様は、上述した第１の態様による蒸着マスクにおいて、前記マスク本体は、互いに積層された金属層と樹脂マスクとを有していてもよい。
本開示の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、前記第１アラインメントマークは、前記マスク本体に形成された貫通孔であってもよい。
本開示の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、前記第２アラインメントマークは、前記支持体に形成された貫通孔であってもよい。
本開示の第６の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、前記第２アラインメントマークは、前記支持体の厚み方向途中まで凹む非貫通孔であってもよい。
本開示の第７の態様は、上述した第１の態様から上述した第６の態様のそれぞれによる蒸着マスクにおいて、前記支持体は、前記マスク本体側に位置する第１支持基板と、前記第１支持基板上に位置する第２支持基板とを含み、前記第２アラインメントマークは、前記第１支持基板の第１部分と、前記第２支持基板の第２部分とを含み、前記第１部分は、平面視で前記第２部分よりも小さくてもよい。
本開示の第８の態様は、蒸着マスク装置であって、
上述した第１の態様から上述した第７の態様のいずれかによる蒸着マスクと、
前記蒸着マスクの前記支持体に接合されたフレームと、を備えた、蒸着マスク装置である。
本開示の第９の態様は、中間体であって、
基材と、
前記基材に接合されたマスク本体と、
前記マスク本体に接合された支持体と、を備え、
前記マスク本体は、第１アラインメントマークを有し、前記支持体は、第２アラインメントマークを有し、
前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きい、中間体である。
本開示の第１０の態様は、上述した第９の態様による中間体において、前記マスク本体は、複数の貫通孔が形成されためっき層を有していてもよい。
本開示の第１１の態様は、上述した第９の態様による中間体において、前記マスク本体は、互いに積層された金属層と樹脂マスクとを有していてもよい。
本開示の第１２の態様は、上述した第９の態様から上述した第１１の態様のそれぞれによる中間体において、前記第１アラインメントマークは、前記マスク本体に形成された貫通孔であってもよい。
本開示の第１３の態様は、上述した第９の態様から上述した第１１の態様のそれぞれによる中間体において、前記第１アラインメントマークは、前記基材上に形成された島状の突起であってもよい。
本開示の第１４の態様は、上述した第９の態様から上述した第１３の態様のそれぞれによる中間体において、前記第２アラインメントマークは、前記支持体に形成された貫通孔であってもよい。
本開示の第１５の態様は、上述した第９の態様から上述した第１３の態様のそれぞれによる中間体において、前記第２アラインメントマークは、前記支持体の厚み方向途中まで凹む非貫通孔であってもよい。
本開示の第１６の態様は、上述した第９の態様から上述した第１５の態様のそれぞれによる中間体において、前記支持体は、前記マスク本体側に位置する第１支持基板と、前記第１支持基板上に位置する第２支持基板とを含み、前記第２アラインメントマークは、前記第１支持基板の第１部分と、前記第２支持基板の第２部分とを含み、前記第１部分は、平面視で前記第２部分よりも小さくてもよい。
本開示の第１７の態様は、蒸着マスクの製造方法であって、
基材と、前記基材に接合されたマスク本体とを有する中間体を準備する工程と、
前記マスク本体と支持体とを互いに接合する工程と、を備え、
前記マスク本体は、第１アラインメントマークを有し、前記支持体は、第２アラインメントマークを有し、
前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きく、
前記マスク本体と前記支持体とを互いに接合する工程において、前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとの位置を相互に合わせることにより、前記マスク本体と前記支持体との位置決めが行われる、蒸着マスクの製造方法である。
本開示の第１８の態様は、蒸着マスク装置の製造方法であって、
上述した第１の態様から上述した第７の態様のいずれかによる蒸着マスクを準備する工程と、
前記蒸着マスクの前記支持体にフレームを取り付ける工程と、を備えた、蒸着マスク装置の製造方法である。
本開示の第１９の態様は、基板に蒸着材料を蒸着させる、蒸着材料の蒸着方法であって、
上述した第８の態様による蒸着マスク装置を準備する工程と、
前記基板を準備する工程と、
前記基板を前記蒸着マスク装置の前記マスク本体上に設置する工程と、
前記マスク本体上に設置された前記基板に前記蒸着材料を蒸着させる工程と、を備えた、蒸着方法である。
本開示の第２０の態様は、有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
上述した第８の態様による蒸着マスク装置を用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えた、有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
本開示の第２１の態様は、基板に蒸着材料を蒸着させる、蒸着材料の蒸着方法であって、
上述した第１の態様から上述した第７の態様のいずれかによる蒸着マスクを準備する工程と、
前記基板を準備する工程と、
前記基板を前記蒸着マスクの前記マスク本体上に設置する工程と、
前記マスク本体上に設置された前記基板に前記蒸着材料を蒸着させる工程と、を備えた、蒸着方法である。
本開示の第２２の態様は、有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
上述した第１の態様から上述した第７の態様のいずれかによる蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えた、有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
以下、図面を参照しながら各実施の形態について説明する。以下に示す各図は、模式的に示したものである。そのため、各部の大きさ、形状は理解を容易にするために、適宜誇張している。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下に示す各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。また、本明細書中に記載する各部材の寸法等の数値及び材料名は、実施の形態としての一例であり、これに限定されるものではなく、適宜選択して使用することができる。
まず、図１乃至図２１を参照して第１の実施の形態について説明する。
まず、蒸着対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置９０について、図１を参照して説明する。図１に示すように、蒸着装置９０は、その内部に、蒸着源（例えばるつぼ９４）、ヒータ９６、及び蒸着マスク装置１０を備えていてもよい。また、蒸着装置９０は、蒸着装置９０の内部を真空雰囲気にするための排気手段（図示せず）を更に備えていてもよい。るつぼ９４は、有機発光材料などの蒸着材料９８を収容する。ヒータ９６は、るつぼ９４を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料９８を蒸発させてもよい。蒸着マスク装置１０は、るつぼ９４と対向するよう配置されていてもよい。
図１に示すように、蒸着マスク装置１０は、蒸着マスク２０と、蒸着マスク２０の後述する支持体４０に接合されたフレーム１５とを備えていてもよい。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように、蒸着マスク２０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、蒸着マスク２０が、蒸着材料９８を付着させる蒸着対象物である被蒸着基板（例えば有機ＥＬ基板）９２に対面するよう、蒸着装置９０内に配置されていてもよい。
蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、被蒸着基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面に配置された磁石９３を備えていてもよい。磁石９３を設けることにより、磁力によって蒸着マスク２０を磁石９３側に引き寄せて、蒸着マスク２０を被蒸着基板９２に密着させることができる。
次に、蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０について説明する。図１に示すように、蒸着マスク２０は、複数の第１貫通孔３５が形成されためっき層３１を有するマスク本体３０と、マスク本体３０に接合され、平面視で複数の第１貫通孔３５に重なる第２貫通孔４５が形成された支持体４０とを備えていてもよい。
図１に示すように、マスク本体３０は、第１面３０ａと、第１面３０ａと反対側の面をなす第２面３０ｂと、を有していてもよい。図示された例では、マスク本体３０は、被蒸着基板９２とるつぼ９４との間に配置されていてもよい。マスク本体３０は、その第１面３０ａが被蒸着基板９２の下面に対面するようにして、換言するとその第２面３０ｂがるつぼ９４と対面するようにして、蒸着装置９０内に支持され、被蒸着基板９２への蒸着材料９８の蒸着に使用されてもよい。図１に示す蒸着装置９０において、るつぼ９４から蒸発して、マスク本体３０の第２面３０ｂ側から蒸着マスク２０に到達した蒸着材料９８は、支持体４０の第２貫通孔４５及びマスク本体３０の第１貫通孔３５を通って被蒸着基板９２に付着する。これによって、マスク本体３０の第１貫通孔３５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８を被蒸着基板９２の表面に成膜することができる。
図２は、図１の蒸着装置９０を用いて製造した有機ＥＬ表示装置１００を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、被蒸着基板（有機ＥＬ基板）９２と、パターン状に設けられた蒸着材料９８を含む画素と、を備えていてもよい。
複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク装置１０が搭載された蒸着装置９０をそれぞれ準備し、被蒸着基板９２を各蒸着装置９０に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料及び青色用の有機発光材料を順に被蒸着基板９２に蒸着させることができる。
蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５及び被蒸着基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０のマスク本体３０及び支持体４０、フレーム１５並びに被蒸着基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、マスク本体３０、支持体４０及びフレーム１５と、被蒸着基板９２との熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、被蒸着基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。
このような課題を解決するため、マスク本体３０、支持体４０及びフレーム１５の熱膨張係数が、被蒸着基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、被蒸着基板９２としてガラス基板が用いられる場合、マスク本体３０、支持体４０及びフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、マスク本体３０、支持体４０及びフレーム１５を構成する部材の材料として、３０質量％以上５４質量％以下のニッケルを含む鉄合金を用いることができる。ニッケルを含む鉄合金の具体例としては、３４質量％以上３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。
なお、蒸着処理の際に、マスク本体３０、支持体４０、フレーム１５及び被蒸着基板９２の温度が高温には達しない場合は、マスク本体３０、支持体４０及びフレーム１５の熱膨張係数を、被蒸着基板９２の熱膨張係数と同等の値にしなくてもよい。この場合、マスク本体３０及び支持体４０を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル－コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。
次に、図１及び図３乃至図７により、蒸着マスク２０のマスク本体３０及び支持体４０、並びにフレーム１５について更に詳細に説明する。
まず、マスク本体３０について詳細に説明する。このマスク本体３０は、めっき処理によって作製されたものである。図３に示すように、マスク本体３０は、平面視において略矩形状の形状を有していてもよい。このマスク本体３０は、マスク本体３０の外縁３０ｅを構成する枠状の耳部１７と、耳部１７に囲まれた中間部１８とを備えていてもよい。このうち耳部１７は、蒸着マスク２０を利用した蒸着工程の際に支持体４０に取り付けられる部分である。なお、この耳部１７は、有機ＥＬ基板９２へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。
また、図３乃至図５に示すように、蒸着マスク２０の中間部１８は、規則的な配列で第１貫通孔３５（図４及び図５参照）が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３とを含んでいてもよい。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、有機ＥＬ基板９２へ蒸着されることを意図された蒸着材料９８が通過する領域ではない。一方、マスク本体３０の有効領域２２は、有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機ＥＬ基板９２の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域となる。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図３に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。なお、図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。
図３に示すように、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、互いに直交する二方向に沿って所定の間隔を空けて配列されていてもよい。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置に対応するようになっている。すなわち、図３及び図４に示された蒸着マスク装置１０（マスク本体３０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。また、図５に示すように、各有効領域２２に形成された複数の第１貫通孔３５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されていてもよい。
図５及び図６に示すように、蒸着マスク２０のマスク本体３０は、第１アラインメントマーク３４を有し、支持体４０は、第２アラインメントマーク４４を有していてもよい。この第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４は、後述するように、第２中間体５７ｂのマスク本体３０と支持体４０とを正しく位置決めするために設けられているものである。そしてマスク本体３０と支持体４０とが正確に位置決めされているときには、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との中心同士が一致する。このため、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４とは、平面視で互いに重なる位置に設けられていてもよい。また、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との大きさは互いに異なっていてもよく、具体的には第２アラインメントマーク４４は第１アラインメントマーク３４よりも大きくてもよい。
この場合、第１アラインメントマーク３４は、マスク本体３０を厚み方向に貫通する貫通孔であり、第２アラインメントマーク４４は、支持体４０を厚み方向に貫通する貫通孔である。このため、支持体４０方向（図６の矢印Ｄ１方向）から見た場合、貫通孔である第２アラインメントマーク４４の内側に、貫通孔である第１アラインメントマーク３４が包含されてもよい。したがって、マスク本体３０と支持体４０とが正確に位置決めされているときには、第１アラインメントマーク３４の外縁は、その全体が第２アラインメントマーク４４の内側に位置していてもよい。
第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４の形状は、それぞれ平面視で円形であってもよい。第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４を平面視円形状とした場合、貫通孔である第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４を容易に形成することができる。また、第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４を高い精度で形成することができる。第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２は、０．１５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であり、第１アラインメントマーク３４の直径（幅）Ｗ１は、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２の２％以上９８％以下としても良い。この場合、Ｗ２とＷ１との差の半分の値（（Ｗ２－Ｗ１）／２）が、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との、許容できる最大のずれに一致するようにしても良い。これにより、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４とを容易に位置合わせすることができる。この場合、許容できる最大のずれ（Ｗ２とＷ１との差の半分の値）は、５０μｍ以下とすることが好ましい。第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４の平面形状は、それぞれ円形状に限らず、楕円形状、多角形形状、十字形状等としても良い。この場合、第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４の平面形状は互いに相似形状となっているが、これに限らず、非相似形状（例えば円形状と多角形形状）となっていても良い。
図３に示すように、第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４は、それぞれ蒸着マスク２０の中間部１８のうち、有効領域２２以外の領域に形成されていてもよい。具体的には、第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４は、中間部１８の四隅にそれぞれ、合計４つ配置されていてもよい。しかしながら、第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４の配置位置や個数は、マスク本体３０と支持体４０とが重なる位置に１つ又は複数設けられていれば良く、これに限られるものではない。なお、マスク本体３０と支持体４０とを精度良く貼り合わせるため、第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４を有効領域２２に近い位置に配置することが好ましい。具体的には、第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４が有効領域２２から５ｍｍ以内の位置に設けられていることが好ましい。
次に、図７を参照して、マスク本体３０のめっき層３１について説明する。図７に示すように、マスク本体３０のめっき層３１は、所定のパターンで第１開口部３０ｃが設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０ｃに連通する第２開口部３０ｄが設けられた第２金属層３７とを含んでいてもよい。図７に示す例においては、第１金属層３２がマスク本体３０の第１面３０ａを構成し、第２金属層３７がマスク本体３０の第２面３０ｂを構成していてもよい。
本実施の形態においては、第１開口部３０ｃと第２開口部３０ｄとが互いに連通することにより、マスク本体３０を貫通する第１貫通孔３５が構成されていてもよい。この場合、マスク本体３０の第１面３０ａ側における第１貫通孔３５の開口寸法や開口形状は、第１金属層３２の第１開口部３０ｃによって画定されてもよい。一方、マスク本体３０の第２面３０ｂ側における第１貫通孔３５の開口寸法や開口形状は、第２金属層３７の第２開口部３０ｄによって画定されてもよい。言い換えると、第１貫通孔３５には、第１金属層３２の第１開口部３０ｃによって画定される形状、及び、第２金属層３７の第２開口部３０ｄによって画定される形状の両方が付与されていてもよい。
図５に示すように、第１貫通孔３５は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第１貫通孔３５が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また、図示はしないが、第１貫通孔３５は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお、「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また、図示はしないが、第１貫通孔３５は、円形状になっていてもよい。上述の第１貫通孔３５の開口寸法Ｓ１は、有機ＥＬ表示装置の画素密度などを考慮して、適切に設定される。例えば、４００ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、第１貫通孔３５の開口寸法Ｓ０は、１５μｍ以上６０μｍ以下の範囲内に設定され得る。
図７において、符号４１は、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部を表している。また符号Ｓ０は、第１金属層３２と第２金属層３７との接続部４１における第１貫通孔３５の寸法を表している。なお、図７においては、第１金属層３２と第２金属層３７とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第１金属層３２と第２金属層３７との間にその他の層が介在されていてもよい。例えば、第１金属層３２と第２金属層３７との間に、第１金属層３２上における第２金属層３７の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。
図７に示すように、第２面３０ｂにおける第１貫通孔３５（第２開口部３０ｄ）の開口寸法Ｓ２は、第１面３０ａにおける第１貫通孔３５（第１開口部３０ｃ）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっていてもよい。上述の開口寸法Ｓ０，Ｓ１，Ｓ２は、有機ＥＬ表示装置の画素密度などを考慮して、適切に設定されてもよい。例えば、４００ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、接続部４１における第１貫通孔３５の開口寸法Ｓ０は、１５μｍ以上６０μｍ以下の範囲内に設定され得る。また、第１面３０ａにおける第１開口部３０ｃの開口寸法Ｓ１は、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定され、第２面３０ｂにおける第２開口部３０ｄの開口寸法Ｓ２は、１５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内に設定され得る。
また、上述したマスク本体３０の厚みＴ０は、例えば、２μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。また、マスク本体３０の厚みＴ０は、例えば、２０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよい。マスク本体３０の厚みＴ０の範囲は、２μｍ、５μｍ、１０μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。マスク本体３０の厚みＴ０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク本体３０の厚みＴ０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク本体３０の厚みＴ０の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、２μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、２μｍ以上５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。
次に、支持体４０について詳細に説明する。図３に示すように、支持体４０は平面視において略矩形状の形状を有していてもよい。この支持体４０は、面方向において、マスク本体３０よりも大きい寸法を有しており、平面視において、支持体４０を画定する輪郭は、マスク本体３０を画定する輪郭を取り囲んでいてもよい。この支持体４０は、支持体４０の各辺がマスク本体３０の各辺に対応するようにして、マスク本体３０に対して取り付けられていてもよい。
また、上述したように、支持体４０には複数の第２貫通孔４５が形成されており、第２貫通孔４５は、平面視でマスク本体３０の有効領域２２よりも大きくなっていてもよい。また、支持体４０の一つの第２貫通孔４５は、マスク本体３０の一つの有効領域２２に対応していてもよい。
図３に示すように、第２貫通孔４５の輪郭は、例えば、平面視において略四角形、さらに正確には平面視において略矩形であってもよい。なお図示はしないが、各第２貫通孔４５は、被蒸着基板（有機ＥＬ基板）９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各第２貫通孔４５は、円形状の輪郭を有していてもよい。図３には、各第２貫通孔４５が互いに同じ平面視形状を有しているものが示されているが、これに限られず、各第２貫通孔４５は、互いに異なる開口部形状を有していてもよい。換言すると、支持体４０は、互いに異なる平面視形状を有する複数の第２貫通孔４５を有していてもよい。
この第２貫通孔４５の周囲には、支持領域４６が設けられており、この支持領域４６がマスク本体３０の周囲領域２３を支持するように構成されていてもよい。これにより、支持体４０が、マスク本体３０の有効領域２２を囲うようにマスク本体３０を支持することができるため、マスク本体３０にシワや変形が生じることを効果的に抑制することができる。なお、支持領域４６は、有機ＥＬ基板９２へ蒸着されることを意図された蒸着材料９８が通過する領域ではない。
本開示において、支持体４０の厚みＴ１は、例えば、０．２ｍｍ以上であってもよく、０．４ｍｍ以上であってもよく、０．６ｍｍ以上であってもよく、０．８ｍｍ以上であってもよい。また、支持体４０の厚みＴ１は、例えば、１．０ｍｍ以下であってもよく、１．２ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよい。支持体４０の厚みＴ１の範囲は、０．２ｍｍ、０．４ｍｍ、０．６ｍｍ及び０．８ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１．０ｍｍ、１．２ｍｍ、１．５ｍｍ及び２．０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。支持体４０の厚みＴ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。支持体４０の厚みＴ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。支持体４０の厚みＴ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．２ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であってもよく、０．２ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．２ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であってもよく、１．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、１．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよい。支持体４０の厚みＴ１が、０．２ｍｍ以上であることにより、蒸着マスク２０の剛性を向上させることができる。これにより、マスク本体３０にシワや変形が生じることを抑制することができる。また、支持体４０の厚みＴ１が２．０ｍｍ以下であることにより、後述するように支持体４０に接合されたマスク本体３０から基材５１を剥離する際に、基材５１が剥離できなくなる不具合を抑制することができる。
上述した支持体４０を構成する主要な材料としては、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、３４質量％以上３８質量％以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を用いることができる。また、これに限られず、支持体４０を構成する主要な材料として、例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル－コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。
次に、フレーム１５について詳細に説明する。図３に示すように、フレーム１５は平面視において略矩形の枠状に形成されていてもよく、フレーム１５には、平面視で支持体４０の第２貫通孔４５に重なる開口部１５ａが設けられていてもよい。本開示においては、平面視において開口部１５ａを画定する輪郭は、第２貫通孔４５を画定する輪郭の全てを取り囲んでいてもよい。蒸着時には、るつぼ９４から蒸発した蒸着材料９８は、フレーム１５の開口部１５ａを通って蒸着マスク２０に到達する。
また、フレーム１５は、面方向において、支持体４０よりも大きい寸法を有しており、平面視において、フレーム１５を画定する輪郭は、支持体４０を画定する輪郭を取り囲んでいてもよい。このフレーム１５は、フレーム１５の各辺が支持体４０の各辺に対応するようにして、支持体４０に対して取り付けられていてもよい。
ここで、図３及び図４に示すように、上述したマスク本体３０及び支持体４０は、複数の第１接合部１９ａにより、互いに接合されていてもよい。また、上述した支持体４０及びフレーム１５は、複数の第２接合部１９ｂにより、互いに接合されていてもよい。第１接合部１９ａは、マスク本体３０の外縁３０ｅに沿って配列されており、第２接合部１９ｂは、支持体４０の外縁４０ｅに沿って配列されていてもよい。上述のように、マスク本体３０及び支持体４０は平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。したがって、接合部１９ａ、１９ｂも、それぞれ外縁３０ｅ、４０ｅに沿って略矩形状のパターンにて配列されていてもよい。図３に示された例では、接合部１９ａ、１９ｂは、それぞれ外縁３０ｅ、４０ｅから一定の距離を有して一直線状に配列されている。すなわち、接合部１９ａ、１９ｂは、それぞれ外縁３０ｅ、４０ｅの延びる方向と平行な方向に沿って配列されている。
また、図示された例では、接合部１９ａ、１９ｂは、それぞれ外縁３０ｅ、４０ｅの延びる方向に沿って互いに等間隔を有して配列されている。本実施の形態では、マスク本体３０及び支持体４０、並びに支持体４０及びフレーム１５は、スポット溶接により互いに接合されている。なお、これに限られず、マスク本体３０及び支持体４０、並びに、マスク本体３０及びフレーム１５は、例えば接着剤等の他の固定手段により互いに接合されていてもよい。
次に、蒸着マスク装置１０を製造する方法について説明する。まず、蒸着マスク装置１０の蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。
まず、基材５１に接合され、複数の第１貫通孔３５が形成されためっき層３１を有するマスク本体３０を準備してもよい。この際、まず、基材５１を準備してもよい。絶縁性及び適切な強度を有する限りにおいて、基材５１を構成する材料や基材５１の厚みが特に限られることはない。後述するように、マスク本体３０と支持体４０、あるいは支持体４０とフレーム１５とが、基材５１を介したレーザー光の照射により溶接固定される場合には、基材５１を構成する材料として、高い光透過性を有するガラス材料が好適に使用され得る。また、マスク本体３０と支持体４０、あるいは支持体４０とフレーム１５とが、接着剤を用いて互いに固定される場合には、基材５１を構成する材料として、ガラス、合成樹脂、金属などを用いることができる。この場合、基材５１は、光透過性を有していなくてもよい。ここでは、基材５１として光透過性を有するガラス材料を使用する例について説明する。
次に、図８（ａ）に示すように、基材５１上に導電性材料からなる導電層５２ａを形成してもよい。導電層５２ａは、パターニングされることによって導電性パターン５２となる層である。導電層５２ａを構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述する第１レジストパターン５３に対する高い密着性を有する材料が、導電層５２ａを構成する材料として用いられる。例えば第１レジストパターン５３が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電層５２ａを構成する材料として、銅が用いられることが好ましい。
導電層５２ａは、例えばスパッタリングや無電解めっき等により形成されてもよい。導電層５２ａを厚く形成しようとすると、導電層５２ａの形成に長時間を要する。一方、導電層５２ａの厚みは、薄すぎると抵抗値が大きくなり、電解めっき処理により第１金属層３２が形成されにくくなる。したがって、例えば導電層５２ａの厚みは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。
次に、図８（ｂ）に示すように、導電層５２ａ上に、所定のパターンを有する第１レジストパターン５３を形成してもよい。第１レジストパターン５３を形成する方法としては、後述する第２レジストパターン５５の場合と同様に、フォトリソグラフィー法などが採用され得る。第１レジストパターン５３用の材料に所定のパターンで光を照射する方法としては、所定のパターンで露光光を透過させる露光マスクを用いる方法や、所定のパターンで露光光を第１レジストパターン５３用の材料に対して相対的に走査する方法などが採用され得る。その後、図８（ｃ）に示すように、導電層５２ａのうち第１レジストパターン５３によって覆われていない部分を、エッチングによって除去する。次に図８（ｄ）に示すように、第１レジストパターン５３を除去する。これによって、第１金属層３２に対応するパターンを有する導電性パターン５２が形成されたパターン基板５０を得ることができる。
次に、予め所定の導電性パターン５２が形成された基材５１（パターン基板５０）を利用して、導電性パターン５２上にめっき層３１を析出させてもよい。
まず、パターン基板５０を利用して上述の第１金属層３２を作製する第１成膜工程について説明する。ここでは、絶縁性を有する基材５１上に所定のパターンで第１開口部３０ｃが設けられた第１金属層３２を形成する。具体的には、導電性パターン５２が形成された基材５１上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基材５１を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図９（ａ）に示すように、基材５１上に、所定のパターンで第１開口部３０ｃが設けられた第１金属層３２を得ることができる。なお、第１金属層３２の厚みは、例えば５μｍ以下になっている。また、基材５１上に第１金属層３２を形成するとは、基材５１上に直接第１金属層３２を形成することに限られず、基材５１上に導電性パターン５２等の他の層を介して第１金属層３２を形成することをも含む。
なお、めっき処理の特性上、図９（ａ）に示すように、第１金属層３２は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電性パターン５２の端部５４と重なる部分に析出した第１金属層３２の表面にさらに第１金属層３２が析出するためである。この結果、図９（ａ）に示すように、第１開口部３０ｃの端部３３は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重ならない部分に位置するようになり得る。
導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお、第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。若しくは、導電性パターン５２が、触媒層として機能するよう構成されていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。
用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、ホウ酸などのｐＨ緩衝剤、サッカリンナトリウムなどの一次光沢剤、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、チオ尿素などの二次光沢剤や、酸化防止剤などが用いられ得る。
次に、第１開口部３０ｃに連通する第２開口部３０ｄが設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成する第２成膜工程を実施してもよい。この際、まず、基材５１上及び第１金属層３２上に、所定の隙間５６を空けて第２レジストパターン５５を形成する。図９（ｂ）は、基材５１上に形成された第２レジストパターン５５を示す断面図である。図９（ｂ）に示すように、レジスト形成工程は、第１金属層３２の第１開口部３０ｃが第２レジストパターン５５によって覆われるとともに、第２レジストパターン５５の隙間５６が第１金属層３２上に位置するように実施される。
以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、基材５１上及び第１金属層３２上にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。また、第２レジストパターン５５用の材料を基材５１上に塗布し、その後に必要に応じて焼成を実施することにより、レジスト膜を形成してもよい。次に、レジスト膜のうち隙間５６となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。
その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光してもよい。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像してもよい。なお、第２レジストパターン５５を基材５１及び第１金属層３２に対してより強固に密着させるため、現像工程の後に第２レジストパターン５５を加熱する熱処理工程を実施してもよい。
次に、第２金属層３７を第１金属層３２上に形成してもよい。この際、第１開口部３０ｃに連通する第２開口部３０ｄが設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成してもよい。具体的には、第２レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させてもよい。例えば、第１金属層３２が形成された基材５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸してもよい。これによって、図９（ｃ）に示すように、第１金属層３２上に、第２金属層３７を得ることができる。なお、第２金属層３７の厚みは、有効領域２２における蒸着マスク２０のめっき層３１の厚みＴ０（図７参照）が２μｍ以上５０μｍ以下になるように設定される。
第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させることができる限りにおいて、第２めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第２めっき処理工程は、第１金属層３２に電流を流すことによって第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお、第２めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２上に触媒層が設けられていてもよい。
第２めっき液としては、上述の第１めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液とは異なるめっき液が第２めっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２を構成する金属の組成と、第２金属層３７を構成する金属の組成も同一になる。
なお、図９（ｃ）においては、第２レジストパターン５５の上面と第２金属層３７の上面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７の上面が第２レジストパターン５５の上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。
その後、第２レジストパターン５５を除去する除去工程を実施してもよい。除去工程は、パターン基板５０、第１金属層３２、第２金属層３７及び第２レジストパターン５５の積層体を、例えばアルカリ系の剥離液に浸漬することにより行われてもよい。これにより、図９（ｄ）に示されているように、第２レジストパターン５５を、パターン基板５０、第１金属層３２及び第２金属層３７から剥離させることができる。このようにして、基材５１と、基材５１に接合されたマスク本体３０とを備えた第１中間体５７ａが得られる。また、この際、第１金属層３２上に、所定のパターンで第２開口部３０ｄが設けられた第２金属層３７を得ることができる。さらに、第１開口部３０ｃと第２開口部３０ｄとが互いに連通することにより、マスク本体３０を貫通する第１貫通孔３５が形成される。このようにして、導電性パターン５２上にめっき層３１を析出させることにより、複数の第１貫通孔３５が形成される。なお、図９（ｄ）には示していないが、第１貫通孔３５と同様に、マスク本体３０に、マスク本体３０を厚み方向に貫通する貫通孔である第１アラインメントマーク３４（図５および図６参照）が形成される。
また、基材５１とマスク本体３０とを備えた第１中間体５７ａを準備することと並行して、図１０（ａ）に示すように、第２貫通孔４５が形成された支持体４０を準備してもよい。この際、まず、金属板を準備し、露光工程及び現像工程を含むフォトリソグラフィー法により金属板をパターニングしてもよい。これにより、第２貫通孔４５が形成された支持体４０を得ることができる。なお、図１０（ａ）には示していないが、第２貫通孔４５と同様に、支持体４０に、支持体４０を厚み方向に貫通する貫通孔である第２アラインメントマーク４４（図５および図６参照）が形成されてもよい。
なお、厚い金属板（例えば３００μｍ以上）をエッチングすることにより支持体４０を作製する場合、エッチングの際に用いられるドライフィルムレジストの厚みは、例えば、５μｍ以上であってもよく、６μｍ以上であってもよく、８μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。また、ドライフィルムレジストの厚みは、例えば、１２μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよく、１８μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。ドライフィルムレジストの厚みの範囲は、５μｍ、６μｍ、８μｍ及び１０μｍからなる第１グループ、及び／又は、１２μｍ、１５μｍ、１８μｍ及び２０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。ドライフィルムレジストの厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ドライフィルムレジストの厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ドライフィルムレジストの厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１８μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上８μｍ以下であってもよく、５μｍ以上６μｍ以下であってもよく、６μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１８μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、６μｍ以上８μｍ以下であってもよく、８μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１８μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１８μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１２μｍ以下であってもよく、１２μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１２μｍ以上１８μｍ以下であってもよく、１２μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上１８μｍ以下であってもよく、１８μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。ドライフィルムレジストの厚みを５μｍ以上とすることにより、エッチング中にレジスト膜の欠けが生じることを抑制することができる。またドライフィルムレジストの厚みを２０μｍ以下とすることにより、エッチングの精度を向上することができる。
支持体４０を構成する材料としては、例えば、３４質量％以上３８質量％以下のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を用いることができる。
次に、第１中間体５７ａのマスク本体３０と支持体４０とを接合する接合工程を実施してもよい。この接合工程では、平面視で支持体４０の第２貫通孔４５がマスク本体３０の第１貫通孔３５に重なるように、支持体４０とマスク本体３０とを接合してもよい。この際、まず、図１０（ｂ）に示すように、マスク本体３０と支持体４０とを正確に位置決めしつつ、マスク本体３０を支持体４０上に配置してもよい。このとき、マスク本体３０の第１アラインメントマーク３４と支持体４０の第２アラインメントマーク４４との位置を相互に合わせ、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との中心同士を一致させることにより、マスク本体３０と支持体４０との位置を調整してもよい。
具体的には、支持体４０に対してマスク本体３０の反対側（図１１の矢印Ｄ１方向）から見て、第２アラインメントマーク４４の内側に第１アラインメントマーク３４が包含されるように、マスク本体３０と支持体４０との相互の位置を調整してもよい。例えば、第１アラインメントマーク３４の直径をＷ１とし、第２アラインメントマーク４４の直径をＷ２としたとき、（Ｗ２－Ｗ１）／２が許容アライメント誤差であるとする。このとき、図１２（ａ）に示すように、マスク本体３０の第１アラインメントマーク３４の全体が第２アラインメントマーク４４の内側に位置する場合、この第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４とが正しい位置関係にある（許容アライメント誤差の範囲内）と判断される。これに対して図１２（ｂ）に示すように、マスク本体３０の第１アラインメントマーク３４が第２アラインメントマーク４４と重なっている場合、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４とが互いにずれている（許容アライメント誤差の範囲外）と判断される。このような位置合わせを全ての第１アラインメントマーク３４及び第２アラインメントマーク４４について行うことにより、マスク本体３０と支持体４０との位置が正しい位置関係に配置されてもよい。
次に、第１中間体５７ａのマスク本体３０に対して、基材５１側から、基材５１を介してレーザー光Ｌａを照射して、第２金属層３７の一部及び支持体４０の一部をレーザー光Ｌａの照射により生じた熱で融解させて、マスク本体３０と支持体４０とを溶接により互いに接合してもよい。レーザー光Ｌａとしては、例えば、ＹＡＧレーザー装置によって生成されるＹＡＧレーザー光を用いることができる。ＹＡＧレーザー装置としては、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）にＮｄ（ネオジム）を添加した結晶を発振用媒質として備えたものを用いることができる。
これにより、図１０（ｃ）に示すように、マスク本体３０と支持体４０とを接合する第１接合部１９ａが形成され、基材５１と、基材５１に接合されたマスク本体３０と、マスク本体３０に接合された支持体４０とを有する第２中間体５７ｂが得られる。本実施の形態において、このような第２中間体（中間体）５７ｂも提供する。上述したように、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４とが互いに位置合わせた状態でマスク本体３０と支持体４０とが接合されるので、平面視で支持体４０の第２貫通孔４５とマスク本体３０の第１貫通孔３５とを正確に重ね合わせることができる。なお、これに限られず、マスク本体３０と支持体４０とは、例えば接着剤等の他の固定手段により互いに接合されても良く、あるいは、マスク本体３０と支持体４０とは、めっき処理によって互いに接合されても良い。
次に、第２中間体５７ｂのマスク本体３０から基材５１を剥離する剥離工程を実施してもよい。剥離工程では、まず、第２中間体５７ｂを、選択的に導電性パターン５２（図９（ｄ）参照）をエッチング可能なエッチング液に浸漬してもよい。次に、第２中間体５７ｂから基材５１を引き剥がして分離させてもよい。その後、マスク本体３０及び支持体４０の組み合わせ体を再度エッチング液に浸漬し、マスク本体３０に付着して残存している導電性パターン５２を完全にエッチング除去してもよい。これによって、図１０（ｄ）に示すように、複数の第１貫通孔３５が形成されためっき層３１を有するマスク本体３０と、マスク本体３０に接合され、平面視で複数の第１貫通孔３５に重なる第２貫通孔４５が形成された支持体４０とを備えた蒸着マスク２０を得ることができる。
次に、蒸着マスク装置１０を製造する方法について説明する。
まず、例えば図８乃至図１０に示す方法により、蒸着マスク２０を作製する。
次に、蒸着マスク２０を、フレーム１５に接合してもよい。この場合、平面視でフレーム１５の開口部１５ａが支持体４０の第２貫通孔４５に重なるように、フレーム１５と支持体４０とを接合してもよい。この際、図１３（ａ）に示すように、支持体４０とフレーム１５とが接触するように、蒸着マスク２０がフレーム１５上に配置されてもよい。次に、図１３（ｂ）に示すように、支持体４０に対して、レーザー光Ｌａを照射して、支持体４０の一部及びフレーム１５の一部をレーザー光Ｌａの照射により生じた熱で融解させて、支持体４０とフレーム１５とを溶接により互いに接合してもよい。
これにより、図１３（ｃ）に示すように、支持体４０とフレーム１５とを接合する第２接合部１９ｂが形成され、蒸着マスク２０と、蒸着マスク２０の支持体４０に接合され、平面視で第２貫通孔４５に重なる開口部１５ａが設けられたフレーム１５とを備えた蒸着マスク装置１０が得られる。なお、これに限られず、支持体４０とフレーム１５とは、例えば接着剤等の他の固定手段により互いに接合されても良い。
次に、上述した工程により得られた蒸着マスク装置１０を用いて有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を蒸着する蒸着材料の蒸着方法について、主に図１４及び図１５を参照して説明する。
まず、図１４（ａ）に示すように、上述した工程により得られた蒸着マスク装置１０を準備してもよい。この際、蒸着材料９８が収容されたるつぼ９４及びヒータ９６を準備し、蒸着装置９０を準備してもよい。
また、有機ＥＬ基板９２を準備してもよい。
次に、図１４（ｂ）に示すように、有機ＥＬ基板９２を蒸着マスク装置１０のマスク本体３０上に設置してもよい。この際、例えば有機ＥＬ基板９２の図示しないアライメントマークと、蒸着マスク２０の図示しないアライメントマークとを直接観察し、当該アライメントマーク同士が重なるように有機ＥＬ基板９２の位置決めを行いながら、有機ＥＬ基板９２を蒸着マスク装置１０に設置してもよい。
次いで、蒸着マスク装置１０のマスク本体３０上に設置された有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を蒸着させる。この際、例えば、図１５に示すように、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク装置１０と反対の側の面に磁石９３が配置されてもよい。このように磁石９３を設けることにより、磁力によって蒸着マスク装置１０を磁石９３側に引き寄せて、マスク本体３０を有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。次に、蒸着装置９０内を排気して真空状態にしてもよい。その後、ヒータ９６が、るつぼ９４を加熱して蒸着材料９８を蒸発させる。そして、るつぼ９４から蒸発して蒸着マスク装置１０に到達した蒸着材料９８は、支持体４０の第２貫通孔４５及びマスク本体３０の第１貫通孔３５を通って有機ＥＬ基板９２に付着する（図１参照）。
このようにして、マスク本体３０の第１貫通孔３５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２に蒸着される。
本実施の形態によれば、マスク本体３０は、第１アラインメントマーク３４を有し、支持体４０は、第２アラインメントマーク４４を有している。また第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４とは、互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きくなっている。これにより、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との中心同士を一致させることにより、マスク本体３０と支持体４０との位置を正確に合わせることができる。このように、マスク本体３０と支持体４０とが精度よく貼り合わせることができるので、支持体４０の第２貫通孔４５に対して、マスク本体３０の第１貫通孔３５が正確に配置される。この結果、蒸着後の蒸着材料９８の位置精度が向上し、輝度ムラや無点灯等がない有機ＥＬ基板９２を作製することが可能となる。
また、本実施の形態によれば、マスク本体３０の第１アラインメントマーク３４は第１貫通孔３５を形成する工程で一緒に形成され、支持体４０の第２アラインメントマーク４４は、第２貫通孔４５を形成する工程で一緒に形成されるので、アラインメントマークを形成する工程を別途設ける必要が生じない。
なお、本実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、本実施の形態と同様に構成され得る部分について、本実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、本実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
図１６乃至図１９は、第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの変形例を示す図である。図１６乃至図１９は、マスク本体３０と支持体４０とを位置決めしている状態を示す図であり、上述した図１１に対応する図である。
上述した実施の形態においては、平面視で、第２アラインメントマーク４４が第１アラインメントマーク３４よりも大きい場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図１６に示すように、平面視で、第１アラインメントマーク３４が第２アラインメントマーク４４がよりも大きくても良い。この場合、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、光透過性をもつ基材５１側（図１６の矢印Ｄ２方向）から行うことができる。
上述した実施の形態においては、第２アラインメントマーク４４が貫通孔である場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図１７に示すように、第１アラインメントマーク３４が基材５１上に形成された島状の突起であっても良い。この場合、第１アラインメントマーク３４は、めっき層３１によって形成され、平面視で第２アラインメントマーク４４と相似形状を有する。例えば、第２アラインメントマーク４４の平面形状が円形状の場合、第１アラインメントマーク３４は円柱形状を有していても良い。また、図１７において、平面視で、第２アラインメントマーク４４は第１アラインメントマーク３４よりも大きい。すなわち、平面視で、第１アラインメントマーク３４は第２アラインメントマーク４４に包含される。基材５１が光透過性の材料（例えばガラス材料）から作製される場合、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、支持体４０側（図１７の矢印Ｄ１方向）及び基材５１側（図１７の矢印Ｄ２方向）のいずれの方向からでも行うことができる。一方、基材５１が光不透過性の材料（例えば金属材料）から作製される場合（例えば後述する図２１（ａ）－（ｅ）参照）、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、これらを支持体４０側（図１７の矢印Ｄ１方向）から行うことができる。
上述した実施の形態においては、第２アラインメントマーク４４が貫通孔である場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図１８に示すように、第２アラインメントマーク４４が、支持体４０の厚み方向途中まで凹むとともにマスク本体３０側に開口する非貫通孔であっても良い。この第２アラインメントマーク４４は、例えばハーフエッチング（支持体４０の厚み方向途中までエッチングする手法）により支持体４０に形成されても良い。一方、第１アラインメントマーク３４は、基材５１上に形成された島状の突起である。第２アラインメントマーク４４は、平面視で第１アラインメントマーク３４と相似形状を有する。例えば、第２アラインメントマーク４４の平面形状が円形状の場合、第１アラインメントマーク３４は円柱形状を有していても良い。図１８において、平面視で、第２アラインメントマーク４４は第１アラインメントマーク３４よりも大きい。この場合、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、光透過性をもつ基材５１側（図１８の矢印Ｄ２方向）から行うことができる。このように、第２アラインメントマーク４４が非貫通孔であることにより、有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を蒸着する際、蒸着材料９８が第２アラインメントマーク４４を通過することがないので、有機ＥＬ基板９２上の不必要な位置に蒸着材料９８が付着することがない。
また、図１９に示すように、第２アラインメントマーク４４が支持体４０の厚み方向途中まで凹むとともにマスク本体３０側に開口する非貫通孔であり、第１アラインメントマーク３４が貫通孔であっても良い。このうち第２アラインメントマーク４４は、例えばハーフエッチング（支持体４０の厚み方向途中までエッチングする手法）により支持体４０に形成されても良い。また、第２アラインメントマーク４４は、平面視で第１アラインメントマーク３４と相似形状を有する。図１９において、平面視で、第１アラインメントマーク３４は第２アラインメントマーク４４よりも大きい。この場合、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、光透過性をもつ基材５１側（図１９の矢印Ｄ２方向）から行うことができる。このように、第２アラインメントマーク４４が非貫通孔であることにより、有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を蒸着する際、蒸着材料９８が第２アラインメントマーク４４を通過することがないので、有機ＥＬ基板９２上の不必要な位置に蒸着材料９８が付着することがない。
また、図２０に示すように、第１アラインメントマーク３４がマスク本体３０の厚み方向途中まで凹むとともに支持体４０側に開口する非貫通孔であり、第２アラインメントマーク４４が貫通孔であっても良い。第１アラインメントマーク３４は、平面視で第２アラインメントマーク４４と相似形状を有しても良い。図２０において、平面視で、第２アラインメントマーク４４は第１アラインメントマーク３４よりも大きい。この場合、第１アラインメントマーク３４と第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、支持体４０側から行うことができる。なお、第２アラインメントマーク４４は、島状の突起（図１７参照）を有していても良い。
また、上述した実施の形態においては、めっき層３１が導電性パターン５２上にめっき層３１を析出させた例について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、基材５１上に直接めっき層３１を析出させても良い。この場合、まず、導電性を有する材料、例えばステンレスや真ちゅう鋼からなる基材５１を準備する（図２１（ａ））。続いて、導電性を有する基材５１上にレジスト５３ａを塗布し、これを乾燥する（図２１（ｂ））。次にこの基材５１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、基材５１上に、所定のパターンを有するレジストパターン５３を形成する（図２１（ｃ））。次いで、図２１（ｄ）に示すように、レジストパターン５３が形成された基材５１上にめっき液を供給して、基材５１上にめっき層３１を析出させる。その後、図２１（ｅ）に示すように、レジストパターン５３を除去することにより、基材５１上にめっき層３１を析出させることができる。なお、図示はしないが、めっき層３１が第１金属層３２上に設けられた第２金属層３７を備え、２層構造で形成されていても良い。
次に、図２２乃至図３２により、第２の実施の形態について説明する。図２２乃至図３２は、第２の実施の形態を示す図である。図２２乃至図３２において、図１乃至図２１に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下においては、主として第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
まず、本実施の形態による蒸着マスクの構成について、図２２乃至図２５を用いて説明する。
図２２及び図２３に示すように、本実施の形態による蒸着マスク２０Ａは、スリット６１が設けられた金属層（金属マスク）６０と、金属層６０に積層され、蒸着作製するパターンに対応した複数の開口部７１が設けられた樹脂マスク７０とを備えていてもよい。また金属層６０には、支持体４０が接合されていてもよい。なお、互いに積層された金属層６０と樹脂マスク７０とによってマスク本体３０Ａが構成されていてもよい。
この蒸着マスク２０Ａは、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するために用いられるものであり、１つの蒸着マスク２０Ａで、複数の製品に対応する蒸着パターンを同時に形成することができる。ここで「開口部」とは、蒸着マスク２０Ａを用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機ＥＬディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、開口部７１の形状は当該有機層の形状となる。また、「１画面」とは、１つの製品に対応する開口部７１の集合体からなり、当該１つの製品が有機ＥＬディスプレイである場合には、１つの有機ＥＬディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部７１の集合体が「１画面」となる。そして、蒸着マスク２０Ａは、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成すべく、樹脂マスク７０には、上記「１画面」が、所定の間隔をあけて複数画面分配置されている。すなわち、樹脂マスク７０には、複数画面を構成するために必要な開口部７１が設けられている。
マスク本体３０Ａの金属層６０は、樹脂マスク７０の一方の面（支持体４０側の面）に設けられていてもよい。金属層６０は、平面視で長方形形状を有している。また金属層６０には、複数のスリット６１が形成されていてもよい。スリット６１の形状は、平面視において略多角形になっていてもよい。ここではスリット６１の形状が、略四角形、より具体的には略正方形になっている例が示されている。また、図示はしないが、スリット６１の形状は、略六角形や略八角形など、その他の略多角形になっていてもよい。なお、「略多角形」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また、図示はしないが、スリット６１の形状は、円形になっていてもよい。なお、スリット６１は開口と同義である。
また、スリット６１は、開口部７１と重なる位置に設けられていてもよい。この場合、平面視で、１つのスリット６１の内側に１つの開口部７１が配置されていてもよい。スリット６１の配置例について特に限定はなく、スリット６１が、縦方向、及び横方向に複数列配置されていてもよく、縦方向に延びるスリット６１が、横方向に複数列配置されていてもよく、横方向に延びるスリット６１が縦方向に複数列配置されていてもよい。また、縦方向、あるいは横方向に１列のみ配置されていてもよい。
金属層６０の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。
金属層６０の厚みＴａについても特に限定はないが、シャドウの発生をより効果的に防止するためには、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、３５μｍ以下であることが特に好ましい。なお、金属層６０の厚みＴａを５μｍより厚くすることにより、金属層６０の破断や変形のリスクを低下するとともにハンドリング性を確保することができる。なお、シャドウとは、蒸着源から放出された蒸着材の一部が、金属層６０のスリット６１の内壁面に衝突して蒸着対象物へ到達しないことにより、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる現象のことをいう。特に、開口部７１の形状を微細化していくことにともない、シャドウによる影響は大きくなる。
マスク本体３０Ａの樹脂マスク７０は、金属層６０の他方の面（支持体４０の反対側の面）に設けられていてもよい。樹脂マスク７０は、平面視で長方形形状を有している。この場合、樹脂マスク７０は金属層６０と同一の外形形状を有しているが、これに限らず、樹脂マスク７０と金属層６０とが異なる外形形状を有していても良い。
樹脂マスク７０には、複数画面を構成するために必要な開口部７１が設けられていてもよい。複数の開口部７１は、金属層６０と樹脂マスク７０とを積層したときに、金属層６０のスリット６１と重なる位置に設けられていてもよい。各開口部７１は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは開口部７１が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また、図示はしないが、開口部７１は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。また、図示はしないが、開口部７１は、円形状になっていてもよい。
樹脂マスク７０は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定されないが、レーザー加工等によって高精細な開口部７１の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン－ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン－メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が１．０％以下である樹脂材料が好ましく、この双方の条件を備える樹脂材料が特に好ましい。この樹脂材料を用いた樹脂マスクとすることで、開口部７１の寸法精度を向上させることができ、かつ熱や経時での寸法変化率や吸湿率を小さくすることができる。
樹脂マスク７０の厚みＴｂについても特に限定はないが、樹脂マスク７０の厚みＴｂは、例えば、３μｍ以上であってもよく、４μｍ以上であってもよく、６μｍ以上であってもよく、８μｍ以上であってもよい。また、樹脂マスク７０の厚みＴｂは、例えば、１０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよい。樹脂マスク７０の厚みＴｂの範囲は、３μｍ、４μｍ、６μｍ及び８μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ及び２５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。樹脂マスク７０の厚みＴｂの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。樹脂マスク７０の厚みＴｂの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。樹脂マスク７０の厚みＴｂの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、３μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３μｍ以上８μｍ以下であってもよく、３μｍ以上６μｍ以下であってもよく、３μｍ以上４μｍ以下であってもよく、４μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、４μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、４μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、４μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、４μｍ以上８μｍ以下であってもよく、４μｍ以上６μｍ以下であってもよく、６μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、６μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、６μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、６μｍ以上８μｍ以下であってもよく、８μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、８μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。樹脂マスク７０の厚みＴｂをこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。特に、樹脂マスク７０の厚みＴｂを、３μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは４μｍ以上８μｍ以下とすることで、４００ｐｐｉを超える高精細パターンを形成する際のシャドウの影響をより効果的に防止することができる。
支持体４０は、金属層６０の一方の面（樹脂マスク７０の反対側の面）に設けられていてもよい。支持体４０には、複数の第２貫通孔４５が形成されており、各第２貫通孔４５は、それぞれ１画面に対応する大きさに形成されていてもよい。また第２貫通孔４５には、平面視で複数のスリット６１及び複数の開口部７１が重なるように配置されていてもよい。
なお、支持体４０の構成は、第１の実施の形態の場合と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。また、図示していないが、支持体４０の一方の面（金属層６０の反対側の面）に、第１の実施の形態の場合と同様のフレーム１５をさらに設け、マスク本体３０Ａと支持体４０とフレーム１５とを備えた蒸着マスク装置を構成しても良い。
図２４及び図２５に示すように、蒸着マスク２０のマスク本体３０Ａは、第１アラインメントマーク３４Ａを有し、支持体４０は、第２アラインメントマーク４４を有していてもよい。この第１アラインメントマーク３４Ａ及び第２アラインメントマーク４４は、後述するように、第２中間体７５ｂの金属層６０及び樹脂マスク７０と、支持体４０とを正確に位置決めするために設けられているものである。そして第２中間体７５ｂの金属層６０及び樹脂マスク７０と、支持体４０とが正確に位置決めされているときには、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との中心同士が一致してもよい。このため、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４とは、平面視で互いに重なる位置に設けられていてもよい。また、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との大きさは互いに異なっており、具体的には第２アラインメントマーク４４は第１アラインメントマーク３４Ａよりも大きくてもよい。
この場合、第１アラインメントマーク３４Ａは、マスク本体３０Ａを構成する金属層６０及び樹脂マスク７０を厚み方向に貫通する貫通孔であってもよい。また、第２アラインメントマーク４４は、支持体４０を厚み方向に貫通する貫通孔であってもよい。このため、支持体４０方向（図２５の矢印Ｄ１方向）から見た場合、貫通孔である第２アラインメントマーク４４の内側に、貫通孔である第１アラインメントマーク３４Ａが包含されてもよい。したがって、金属層６０及び樹脂マスク７０と支持体４０とが正確に位置決めされているときには、第１アラインメントマーク３４Ａの外縁は、その全体が第２アラインメントマーク４４の内側に位置していてもよい。
第１アラインメントマーク３４Ａ及び第２アラインメントマーク４４の形状は、それぞれ平面視において円形であってもよい。
第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ４は、例えば、０．１５ｍｍ以上であってもよく、０．３ｍｍ以上であってもよく、０．５ｍｍ以上であってもよく、０．８ｍｍ以上であってもよい。また、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ４は、例えば、１．０ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよく、２．５ｍｍ以下であってもよい。第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ４の範囲は、０．１５ｍｍ、０．３ｍｍ、０．５ｍｍ及び０．８ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１．０ｍｍ、１．５ｍｍ、２．０ｍｍ及び２．５ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．１５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．１５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．１５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．１５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．１５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、０．５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、０．８ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であってもよい。
第１アラインメントマーク３４Ａの直径（幅）Ｗ３は、例えば、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ４の２％以上であってもよく、５％以上であってもよく、１０％以上であってもよく、２０％以上であってもよい。また、Ｗ４に対するＷ３の比率は、例えば、４０％以下であってもよく、６０％以下であってもよく、８０％以下であってもよく、９８％以下であってもよい。Ｗ４に対するＷ３の比率の範囲は、２％、５％、１０％及び２０％からなる第１グループ、及び／又は、４０％、６０％、８０％及び９８％からなる第２グループによって定められてもよい。Ｗ４に対するＷ３の比率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｗ４に対するＷ３の比率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｗ４に対するＷ３の比率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２％以上９８％以下であってもよく、２％以上８０％以下であってもよく、２％以上６０％以下であってもよく、２％以上４０％以下であってもよく、２％以上２０％以下であってもよく、２％以上１０％以下であってもよく、２％以上５％以下であってもよく、５％以上９８％以下であってもよく、５％以上８０％以下であってもよく、５％以上６０％以下であってもよく、５％以上４０％以下であってもよく、５％以上２０％以下であってもよく、５％以上１０％以下であってもよく、１０％以上９８％以下であってもよく、１０％以上８０％以下であってもよく、１０％以上６０％以下であってもよく、１０％以上４０％以下であってもよく、１０％以上２０％以下であってもよく、２０％以上９８％以下であってもよく、２０％以上８０％以下であってもよく、２０％以上６０％以下であってもよく、２０％以上４０％以下であってもよく、４０％以上９８％以下であってもよく、４０％以上８０％以下であってもよく、４０％以上６０％以下であってもよく、６０％以上９８％以下であってもよく、６０％以上８０％以下であってもよく、８０％以上９８％以下であってもよい。
第１アラインメントマーク３４Ａ及び第２アラインメントマーク４４の平面視における形状は、それぞれ円形に限らず、楕円形、多角形、十字形等としても良い。この場合、第１アラインメントマーク３４Ａ及び第２アラインメントマーク４４の平面視における形状は互いに相似形となっているが、これに限らず、非相似形（例えば円形と多角形）となっていても良い。
図２２に示すように、第１アラインメントマーク３４Ａ及び第２アラインメントマーク４４は、それぞれ蒸着マスク２０のうち、１画面を構成する領域外に形成されていてもよい。具体的には、第１アラインメントマーク３４Ａ及び第２アラインメントマーク４４は、マスク本体３０Ａの四隅にそれぞれ、合計４つ配置されていてもよい。しかしながら、第１アラインメントマーク３４Ａ及び第２アラインメントマーク４４の配置位置や個数は、マスク本体３０Ａと支持体４０とが重なる位置に１つ又は複数設けられていれば良く、これに限られるものではない。
次に、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法について、図２６（ａ）－（ｈ）を用いて説明する。図２６（ａ）－（ｈ）は、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図である。
まず、図２６（ａ）に示すように、基材５１を準備してもよい。この基材５１としては、第１の実施の形態の場合と同様に、ガラス、合成樹脂、金属などを用いることができる。ここでは、基材５１として光透過性を有するガラス材料を使用する例について説明する。
次に、図２６（ｂ）に示すように、基材５１上に樹脂層７０Ａを形成してもよい。この樹脂層７０Ａは、上述した蒸着マスク２０Ａの樹脂マスク７０を作製するためのものである。具体的には、基材５１の表面の略全域に、例えばポリイミドワニス等の樹脂溶液を塗布し、これを加熱して乾燥することにより、樹脂層７０Ａが得られる。樹脂溶液を塗布する厚みは、例えば２μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。
続いて、図２６（ｃ）に示すように、樹脂層７０Ａ上に、感光性レジストを塗布し、乾燥してもよい。続いて、この感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、スリット６１に対応するパターンを有するレジスト層６６を形成してもよい。なお、図２６（ｃ）には示していないが、第１アラインメントマーク３４Ａに対応する位置にもレジスト層６６が形成されてもよい。
次に、図２６（ｄ）に示すように、樹脂層７０Ａ上に例えばニッケル、パラジウム等の金属からなる図示しないシード層を形成し、次いで、基材５１及び樹脂層７０Ａに対して電解めっきを施してもよい。これにより、樹脂層７０Ａに形成されたシード層上の、レジスト層６６が存在しない部分に、ニッケル、ニッケル合金等の金属を析出させ、金属層６０を形成してもよい。
続いて、図２６（ｅ）に示すように、レジスト層６６及びシード層を順次除去することにより、樹脂層７０Ａ上に、スリット６１が設けられた金属層６０が形成されてもよい。このようにして、スリット６１が設けられた金属層６０と、金属層６０に積層された樹脂層７０Ａと、樹脂層７０Ａに積層された基材５１と、を有する第１中間体７５ａが得られる。このとき、金属層６０には、金属層６０を厚み方向に貫通する貫通孔６４が形成されてもよい（図２７（ａ）参照）。この貫通孔６４は、第１アラインメントマーク３４Ａの一部を構成してもよい。
次いで、図２６（ｆ）に示すように、第１中間体７５ａの樹脂層７０Ａに対して、金属層６０側からレーザーを照射し（図２６（ｆ）の矢印参照）、蒸着作製するパターンに対応した開口部７１を形成してもよい。これにより、開口部７１が設けられた樹脂マスク７０を得る。このレーザーとしては、例えば波長２４８ｎｍのＫｒＦのエキシマレーザや波長３５５ｎｍのＹＡＧレーザーを使用することができる。この場合、蒸着作製するパターンに対応した図示しないレーザー用マスクを用い、このレーザー用マスクと第１中間体７５ａとの間に集光レンズを設置して、いわゆる縮小投影光学系を用いたレーザー加工法によって開口部７１を形成してもよい。このようにして、スリット６１が設けられた金属層６０と、開口部７１が設けられた樹脂マスク７０と、樹脂マスク７０に積層された基材５１と、を有する第２中間体７５ｂが得られる。
このとき、樹脂マスク７０には、樹脂マスク７０を厚み方向に貫通する貫通孔７４が形成されてもよい（図２７（ｂ）参照）。この樹脂マスク７０の貫通孔７４と金属層６０の貫通孔６４とにより、第１アラインメントマーク３４Ａが形成されてもよい。なお、図２７（ｂ）において、樹脂マスク７０の貫通孔７４と金属層６０の貫通孔６４とは互いに同一の直径を有しているが、これに限らず、樹脂マスク７０の貫通孔７４の直径が金属層６０の貫通孔６４の直径よりも小さくても良い。
次に、図２６（ｇ）に示すように、支持体４０を準備するとともに、第２中間体７５ｂの金属層６０に支持体４０を接合してもよい。このとき、平面視で支持体４０の第２貫通孔４５が金属層６０のスリット６１及び樹脂マスク７０の開口部７１に重なるように、支持体４０と金属層６０とを接合してもよい。この際、まず、第２中間体７５ｂと支持体４０とを正確に位置決めしつつ、第２中間体７５ｂを支持体４０上に配置する。この間、図２７（ｃ）に示すように、第２中間体７５ｂの第１アラインメントマーク３４Ａと支持体４０の第２アラインメントマーク４４との位置を相互に合わせ、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との中心同士を一致させることにより、第２中間体７５ｂと支持体４０との位置を調整してもよい。このほか、支持体４０を準備する工程と、支持体４０を接合する工程は、第１の実施の形態の場合と同様にして行うことができる。このようにして、基材５１と、基材５１に接合されたマスク本体３０Ａと、マスク本体３０Ａに接合された支持体４０と、を有する第３中間体７５ｃが得られる。本実施の形態において、このような第３中間体（中間体）７５ｃも提供してもよい。
その後、図２６（ｈ）に示すように、基材５１を樹脂層７０Ａから除去する。具体的には、第３中間体７５ｃの基材５１側からレーザーを照射し、これにより基材５１を樹脂層７０Ａから剥離してもよい。これにより、マスク本体３０Ａと、マスク本体３０Ａに接合された支持体４０とを備えた蒸着マスク２０Ａが得られる。
なお、本実施の形態による蒸着マスク２０Ａを用いた蒸着法により有機ＥＬ表示装置を製造する方法は、第１の実施の形態の場合と同様である。
本実施の形態によれば、マスク本体３０Ａは、第１アラインメントマーク３４Ａを有し、支持体４０は、第２アラインメントマーク４４を有している。また第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４とは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きくなっている。これにより、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との中心同士を一致させることにより、金属層６０及び樹脂マスク７０と支持体４０との位置を正確に合わせることができる。このように、金属層６０及び樹脂マスク７０と支持体４０とが精度よく貼り合わせることができるので、支持体４０の第２貫通孔４５に対して、金属層６０のスリット６１及び樹脂マスク７０の開口部７１が正確に配置される。この結果、蒸着後の蒸着材料９８の位置精度が向上し、輝度ムラや無点灯等がない有機ＥＬ基板９２を作製することが可能となる。
なお、本実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、本実施の形態と同様に構成され得る部分について、本実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、本実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
図２８乃至図３１は、第１アラインメントマーク及び第２アラインメントマークの変形例を示す図である。図２８乃至図３１は、第２中間体７５ｂと支持体４０とを位置決めしている状態を示す図であり、上述した図２７（ｃ）に対応する図である。
上述した実施の形態においては、平面視で、第２アラインメントマーク４４が第１アラインメントマーク３４Ａよりも大きい場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図２８に示すように、平面視で、第１アラインメントマーク３４Ａが第２アラインメントマーク４４よりも大きくても良い。この場合、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、光透過性をもつ基材５１側（図２８の矢印Ｄ２方向）から行うことができる。
上述した実施の形態においては、第２アラインメントマーク４４が貫通孔である場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図２９に示すように、第１アラインメントマーク３４Ａが基材５１上に形成された島状の突起であっても良い。この場合、第１アラインメントマーク３４Ａは、金属層６０及び樹脂マスク７０（マスク本体３０Ａ）の一部によって形成され、平面視で第２アラインメントマーク４４と相似形状を有する。例えば、第２アラインメントマーク４４の平面形状が円形状の場合、第１アラインメントマーク３４Ａは円柱形状を有していても良い。すなわち、平面視で、第１アラインメントマーク３４Ａは第２アラインメントマーク４４に包含される。また、図２９において、平面視で、第２アラインメントマーク４４は第１アラインメントマーク３４Ａよりも大きい。基材５１が光透過性の材料（例えばガラス材料）から作製される場合、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、支持体４０側（図２９の矢印Ｄ１方向）及び基材５１側（図２９の矢印Ｄ２方向）のいずれの方向からでも行うことができる。一方、基材５１が光不透過性の材料（例えば金属材料）から作製される場合、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、これらを支持体４０側（図２９の矢印Ｄ１方向）から行うことができる。
上述した実施の形態においては、第２アラインメントマーク４４が貫通孔である場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図３０に示すように、第２アラインメントマーク４４が支持体４０の厚み方向途中まで凹むとともにマスク本体３０Ａ側に開口する非貫通孔であっても良い。この第２アラインメントマーク４４は、例えばハーフエッチング（支持体４０の厚み方向途中までエッチングする手法）により支持体４０に形成されても良い。一方、第１アラインメントマーク３４Ａは、基材５１上に形成された島状の突起であってもよい。第２アラインメントマーク４４は、平面視で第１アラインメントマーク３４Ａと相似形状を有していてもよい。例えば、第２アラインメントマーク４４の平面視における形状が円形の場合、第１アラインメントマーク３４Ａは円柱形状を有していても良い。図３０において、平面視で、第２アラインメントマーク４４は第１アラインメントマーク３４Ａよりも大きい。この場合、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、光透過性をもつ基材５１側（図３０の矢印Ｄ２方向）から行うことができる。このように、第２アラインメントマーク４４が非貫通孔であることにより、有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を蒸着する際、蒸着材料９８が第２アラインメントマーク４４を通過することがないので、有機ＥＬ基板９２上の不必要な位置に蒸着材料９８が付着することがない。
また、図３１に示すように、第２アラインメントマーク４４が支持体４０の厚み方向途中まで凹むとともにマスク本体３０Ａ側に開口する非貫通孔であり、第１アラインメントマーク３４Ａが貫通孔であっても良い。このうち第２アラインメントマーク４４は、例えばハーフエッチング（支持体４０の厚み方向途中までエッチングする手法）により支持体４０に形成されても良い。また、第２アラインメントマーク４４の形状は、平面視で第１アラインメントマーク３４Ａと相似形を有する。図３１において、平面視で、第１アラインメントマーク３４Ａは第２アラインメントマーク４４よりも大きい。この場合、第１アラインメントマーク３４Ａと第２アラインメントマーク４４との位置合わせは、光透過性をもつ基材５１側（図３１の矢印Ｄ２方向）から行うことができる。このように、第２アラインメントマーク４４が非貫通孔であることにより、有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を蒸着する際、蒸着材料９８が第２アラインメントマーク４４を通過することがないので、有機ＥＬ基板９２上の不必要な位置に蒸着材料９８が付着することがない。
また、上述した実施の形態においては、樹脂層７０Ａにレーザーを照射して開口部７１を形成した後、金属層６０に支持体４０を接合する場合を例にとって説明した（図２６（ｆ）（ｇ））。しかしながら、これに限られることはなく、図３２（ａ）－（ｈ）に示すように、金属層６０に支持体４０を接合した後、樹脂層７０Ａにレーザーを照射して開口部７１を形成しても良い。この場合、第１アラインメントマーク３４Ａは金属層６０を厚み方向に貫通する貫通孔によって形成されてもよい。この金属層６０の第１アラインメントマーク３４Ａを支持体４０の第２アラインメントマーク４４と位置合わせすることにより、第１中間体５７ａと支持体４０との位置決めを正確に行うことができる。
次に、図３３乃至図４０を参照して、上述した第１の実施の形態及び第２の実施の形態における支持体４０の各種変形例について説明する。
図３３に示すように、支持体４０の第２アラインメントマーク４４が両面からエッチングによって作製される場合、第２アラインメントマーク４４は、開口の面積が厚み方向に変化する形状を有していても良い。この場合、支持体４０は、マスク本体３０側に位置する第１面４０ａと、マスク本体３０の反対側に位置する第２面４０ｂとを有していてもよい。第２アラインメントマーク４４は、断面において、第１面４０ａ側の第１壁部４４ａと、第２面４０ｂ側の第２壁部４４ｂと、第１壁部４４ａと第２壁部４４ｂとの間に位置する頂部４７とを有していてもよい。第１壁部４４ａと第２壁部４４ｂとは、それぞれ湾曲面となっている。また第２アラインメントマーク４４は、頂部４７において最も面積が狭くなっており、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２は、この頂部４７において規定される。頂部４７は、支持体４０の厚み方向の略中央にあり、第１面４０ａと第２面４０ｂとから略等距離の位置にあってもよい。このように、頂部４７を支持体４０の厚み方向の略中央に形成することにより、支持体４０の反りを低減することができる。このように支持体４０の反りが低減できるのは、支持体４０が圧延材をエッチングにて形成したものである場合、圧延材は圧延工程による残留応力を有しているが、圧延材の表裏から均等にエッチングされることにより残留応力を有する部分が均等に除去され得るためである。表裏から不均等にエッチングした場合、例えば後述する図３４の支持体４０では、第１面４０ａ側のエッチング量が少なく、第１面４０ａ側の残留応力が大きくなるため、条件によっては支持体４０に反りを生じる場合がある。
また、図３４に示すように、断面において、頂部４７が支持体４０の厚み方向の略中央からずれた位置にあってもよい。具体的には、頂部４７が支持体４０の厚み方向の略中央よりも第１面４０ａ側に位置していても良い。この場合、第２アラインメントマーク４４を構成する貫通孔は、第１面４０ａ側よりも第２面４０ｂ側の方が広くなっている。また第２アラインメントマーク４４は、頂部４７において最も面積が狭くなっており、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２は、この頂部４７において規定される。この場合、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２を高い精度で形成することができ、マスク本体３０と支持体４０とのアラインメント精度を向上させることができる。その理由は以下の通りである。すなわち、支持体４０を表裏両面からエッチングして貫通孔（第２アラインメントマーク４４）を形成する場合、第１面４０ａ側より凹部を形成し（第１エッチング、小さい孔）、この凹部を樹脂で埋め、第２面４０ｂ側から第２エッチング（大きい孔）にて貫通孔を形成する。このとき、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２は第１エッチングが支配的となるので、精度を出しやすいためである。
図３５に示すように、支持体４０は、マスク本体３０側に位置する第１支持基板８１と、第１支持基板８１上に位置する第２支持基板８２とを含んでいてもよい。第１支持基板８１と第２支持基板８２とは互いに積層されていてもよい。これにより、支持体４０の厚みを例えば３００μｍ以上まで厚くすることができる。例えばマスク本体３０がめっき層や樹脂層を含む場合等、マスク本体３０の応力が大きい場合に、支持体４０の厚みを厚くすることにより、蒸着マスク２０の変形を抑制することができる。また、別個に準備した第１支持基板８１と第２支持基板８２とを互いに貼り合わせることにより、支持体４０の生産性を向上することができる。支持体４０が２以上の層を含む場合、支持体４０を構成する各層（例えば第１支持基板８１及び第２支持基板８２）の厚みを小さくすることができる。この場合、支持体４０を構成する各層において、貫通孔（例えば第１部分８１ａ及び第２部分８２ａ）を形成するためのエッチング工程を短時間で行うことが可能になる。したがって、支持体４０を作製する際の生産性を向上させることができる。
図３５において、第２アラインメントマーク４４は、第１支持基板８１の第１部分８１ａと、第２支持基板８２の第２部分８２ａとを含む。第１部分８１ａは、平面視で第２部分８２ａよりも小さい。第２アラインメントマーク４４の第１部分８１ａ及び第２部分８２ａは、それぞれ図３３に示す第２アラインメントマーク４４の断面形状と略同様の断面形状を有していてもよい。第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２は、第２部分８２ａの頂部４７において規定される。このように、第２アラインメントマーク４４の第１部分８１ａを第２部分８２ａよりも小さくしたことにより、第１支持基板８１と第２支持基板８２とを積層して支持体４０を作製する際、第１部分８１ａと第２部分８２ａとのアライメントを容易にすることができる。また、第１部分８１ａの頂部４７及び第２部分８２ａの頂部４７をそれぞれ厚み方向の略中央に形成することにより、第１支持基板８１及び第２支持基板８２の反りを低減することができる。
なお、第１支持基板８１と第２支持基板８２とは、互いに同一の厚みであっても良く、いずれか一方が厚くなっていても良い。例えば第１支持基板８１の厚みを第２支持基板８２の厚みよりも薄くしても良い。これにより、平面視で第２部分８２ａよりも小さい第１部分８１ａを作製しやすくすることができる。なお、第１支持基板８１の厚みを第２支持基板８２の厚みよりも厚くしても良い。
第１支持基板８１と第２支持基板８２とは、溶接によって互いに接合されていても良い。あるいは、第１支持基板８１と第２支持基板８２とは、接着剤によって互いに接合されていても良い。この場合、図３６に示すように、第１部分８１ａの内壁面と第２部分８２ａの内壁面とをめっき層８４によって覆うようにしても良い。これにより、蒸着マスク２０を用いた蒸着工程における減圧時に、接着剤に残留するモノマーが第１支持基板８１と第２支持基板８２との間から放出されることを抑制することができる。
図３７に示すように、支持体４０は、マスク本体３０側に位置する第１支持基板８１と、第１支持基板８１上に位置する第２支持基板８２とを含んでいてもよい。第２アラインメントマーク４４は、第１支持基板８１の第１部分８１ａと、第２支持基板８２の第２部分８２ａとを含み、第１部分８１ａは、平面視で第２部分８２ａよりも小さくてもよい。第１部分８１ａは、図３４に示す第２アラインメントマーク４４の断面形状と略同様の断面形状を有し、第２部分８２ａは、図３３に示す第２アラインメントマーク４４の断面形状と略同様の断面形状を有していてもよい。第１部分８１ａの頂部４７は、第１支持基板８１の厚み方向の略中央よりもマスク本体３０側に位置していてもよい。この場合、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２を高い精度で形成することができ、マスク本体３０と支持体４０とのアラインメント精度を向上させることができる。
また図３７において、第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２が第１アラインメントマーク３４の直径（幅）Ｗ１よりも大きいが（Ｗ２＞Ｗ１）、これに限らず、図３８に示すように第２アラインメントマーク４４の直径（幅）Ｗ２が第１アラインメントマーク３４の直径（幅）Ｗ１よりも小さくてもよい（Ｗ２＜Ｗ１）。
図３９に示すように、支持体４０は、３層の支持基板を含んでいても良い。この場合、支持体４０は、マスク本体３０側に位置する第１支持基板８１と、第１支持基板８１上に位置する第２支持基板８２と、第２支持基板８２上に位置する第３支持基板８３とを含んでいても良い。これら第１支持基板８１と第２支持基板８２と第３支持基板８３とは互いに積層されていてもよい。これにより、支持体４０の厚みをさらに厚くすることができる。また、蒸着マスク２０の変形を抑制することができる。また、別個に準備した第１支持基板８１と第２支持基板８２と第３支持基板８３とを互いに貼り合わせることにより、支持体４０の生産性を向上することができる。
図３９において、第２アラインメントマーク４４は、第１支持基板８１の第１部分８１ａと、第２支持基板８２の第２部分８２ａと、第３支持基板８３の第３部分８３ａとを含む。第１部分８１ａは、平面視で第２部分８２ａよりも小さくてもよい。また、第３部分８３ａは、平面視で第１部分８１ａよりも大きくてもよい。なお、第３部分８３ａは、平面視で第２部分８２ａよりも大きくても良く（図３９参照）、平面視で第２部分８２ａよりも小さくても良い（図４０参照）。なお、図示していないが、支持体４０は、４層以上の支持基板を含んでいても良い。
上記各実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

Claims (21)

  1. マスク本体と、
    前記マスク本体に接合された支持体と、を備え、
    前記マスク本体は、第１アラインメントマークを有し、前記支持体は、第２アラインメントマークを有し、
    前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きく、
    前記マスク本体は、互いに積層された金属層と樹脂マスクとを有する、蒸着マスク。
  2. マスク本体と、
    前記マスク本体に接合された支持体と、を備え、
    前記マスク本体は、第１アラインメントマークを有し、前記支持体は、第２アラインメントマークを有し、
    前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きく、
    前記支持体は、前記マスク本体側に位置する第１支持基板と、前記第１支持基板上に位置する第２支持基板とを含み、前記第２アラインメントマークは、前記第１支持基板の第１部分と、前記第２支持基板の第２部分とを含み、前記第１部分は、平面視で前記第２部分よりも小さい、蒸着マスク。
  3. 前記マスク本体は、複数の貫通孔が形成されためっき層を有する、請求項２に記載の蒸着マスク。
  4. 前記第１アラインメントマークは、前記マスク本体に形成された貫通孔である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  5. 前記第２アラインメントマークは、前記支持体に形成された貫通孔である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  6. 前記第２アラインメントマークは、前記支持体の厚み方向途中まで凹む非貫通孔である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蒸着マスクと、
    前記蒸着マスクの前記支持体に接合されたフレームと、を備えた、蒸着マスク装置。
  8. 基材と、
    前記基材に接合されたマスク本体と、
    前記マスク本体に接合された支持体と、を備え、
    前記マスク本体は、第１アラインメントマークを有し、前記支持体は、第２アラインメントマークを有し、
    前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きい、中間体。
  9. 前記マスク本体は、複数の貫通孔が形成されためっき層を有する、請求項８に記載の中間体。
  10. 前記マスク本体は、互いに積層された金属層と樹脂マスクとを有する、請求項８に記載の中間体。
  11. 前記第１アラインメントマークは、前記マスク本体に形成された貫通孔である、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の中間体。
  12. 前記第１アラインメントマークは、前記基材上に形成された島状の突起である、請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の中間体。
  13. 前記第２アラインメントマークは、前記支持体に形成された貫通孔である、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の中間体。
  14. 前記第２アラインメントマークは、前記支持体の厚み方向途中まで凹む非貫通孔である、請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の中間体。
  15. 前記支持体は、前記マスク本体側に位置する第１支持基板と、前記第１支持基板上に位置する第２支持基板とを含み、前記第２アラインメントマークは、前記第１支持基板の第１部分と、前記第２支持基板の第２部分とを含み、前記第１部分は、平面視で前記第２部分よりも小さい、請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の中間体。
  16. 基材と、前記基材に接合されたマスク本体とを有する中間体を準備する工程と、
    前記マスク本体と支持体とを互いに接合する工程と、を備え、
    前記マスク本体は、第１アラインメントマークを有し、前記支持体は、第２アラインメントマークを有し、
    前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとは、平面視で互いに重なる位置に設けられるとともに、いずれか一方が他方よりも大きく、
    前記マスク本体と前記支持体とを互いに接合する工程において、前記第１アラインメントマークと前記第２アラインメントマークとの位置を相互に合わせることにより、前記マスク本体と前記支持体との位置決めが行われる、蒸着マスクの製造方法。
  17. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蒸着マスクを準備する工程と、
    前記蒸着マスクの前記支持体にフレームを取り付ける工程と、を備えた、蒸着マスク装置の製造方法。
  18. 基板に蒸着材料を蒸着させる、蒸着材料の蒸着方法であって、
    請求項７に記載の蒸着マスク装置を準備する工程と、
    前記基板を準備する工程と、
    前記基板を前記蒸着マスク装置の前記マスク本体上に設置する工程と、
    前記マスク本体上に設置された前記基板に前記蒸着材料を蒸着させる工程と、を備えた、蒸着方法。
  19. 請求項７に記載の蒸着マスク装置を用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えた、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  20. 基板に蒸着材料を蒸着させる、蒸着材料の蒸着方法であって、
    請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蒸着マスクを準備する工程と、
    前記基板を準備する工程と、
    前記基板を前記蒸着マスクの前記マスク本体上に設置する工程と、
    前記マスク本体上に設置された前記基板に前記蒸着材料を蒸着させる工程と、を備えた、蒸着方法。
  21. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を備えた、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
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KR1020200008273A KR20200094094A (ko) 2019-01-29 2020-01-22 증착 마스크 및 그 제조 방법, 증착 마스크 장치 및 그 제조 방법, 중간체, 증착 방법, 그리고 유기 el 표시 장치의 제조 방법
US16/750,364 US11501992B2 (en) 2019-01-29 2020-01-23 Vapor deposition mask and method for manufacturing same, vapor deposition mask device and method for manufacturing same, intermediate, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display device
CN202020146633.4U CN213232465U (zh) 2019-01-29 2020-01-23 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019130389A1 (ja) * 2017-12-25 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着マスク、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
EP3693492A1 (en) * 2019-02-06 2020-08-12 Dainippon Printing Co., Ltd. Deposition mask apparatus, mask support mechanism, and production method for deposition mask apparatus
KR20220056914A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치
CN114981468B (zh) * 2020-12-25 2023-11-28 京东方科技集团股份有限公司 掩模板遮片和掩模板设备
CN113328010A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 安徽华晟新能源科技有限公司 一种太阳能电池的制备方法
CN118625613A (zh) * 2024-08-13 2024-09-10 合肥晶合集成电路股份有限公司 对准图形、半导体器件、电子设备及曝光补偿方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016108578A (ja) 2014-12-02 2016-06-20 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク及び有機半導体素子の製造方法
US20180026189A1 (en) 2016-07-19 2018-01-25 Samsung Display Co., Ltd. Mask frame assembly

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102107104B1 (ko) * 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP6326885B2 (ja) 2014-03-19 2018-05-23 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
US9975133B2 (en) * 2015-02-03 2018-05-22 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device and vapor deposition method
CN105887010B (zh) 2016-05-13 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 掩膜集成框架及蒸镀设备
CN105839052A (zh) * 2016-06-17 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板以及掩膜板的组装方法
CN205856592U (zh) * 2016-08-08 2017-01-04 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩膜板和蒸镀装置
JP7121918B2 (ja) 2016-12-14 2022-08-19 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法
WO2018110253A1 (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法
CN106884140B (zh) * 2017-04-28 2019-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜组件及其组装方法
KR102514115B1 (ko) * 2018-06-12 2023-03-28 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016108578A (ja) 2014-12-02 2016-06-20 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク及び有機半導体素子の製造方法
US20180026189A1 (en) 2016-07-19 2018-01-25 Samsung Display Co., Ltd. Mask frame assembly

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