[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN213232465U - 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体 - Google Patents

蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体 Download PDF

Info

Publication number
CN213232465U
CN213232465U CN202020146633.4U CN202020146633U CN213232465U CN 213232465 U CN213232465 U CN 213232465U CN 202020146633 U CN202020146633 U CN 202020146633U CN 213232465 U CN213232465 U CN 213232465U
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
support
vapor deposition
alignment mark
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202020146633.4U
Other languages
English (en)
Inventor
池永知加雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN213232465U publication Critical patent/CN213232465U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型提供蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体。蒸镀掩模具备掩模主体和接合于掩模主体的支承体。掩模主体具有第1校准标识，支承体具有第2校准标识。第1校准标识和第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置，并且它们中的任意一方比另一方大。

Description

蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体
本申请享有于2019年1月29日提出的日本申请、即日本特愿2019-013549号的优先权。该在先申请的全部公开内容通过被引用而成为本申请的说明书的一部分。
技术领域
本实施方式涉及蒸镀掩模及其制造方法、蒸镀掩模装置及其制造方法、中间体、蒸镀方法、以及有机EL显示装置的制造方法。
背景技术
近年，对于在智能手机或平板电脑等可移动设备中使用的显示装置，要求高精细化，例如要求像素密度为400ppi以上。另外，即使对于可移动设备，应对超高清(UHD)的需要也在不断高涨，这种情况下，要求显示装置的像素密度为例如800ppi以上。
在显示装置中，由于响应性良好、能耗低且对比度高，有机EL显示装置正在受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知这样的方法：使用包含有以所希望的图案排列的贯通孔的蒸镀掩模，以所希望的图案形成像素(参照日本特开2015-178662号公报)。具体来说，首先，将有机EL显示装置用的基板(有机EL基板)放入蒸镀装置中，接下来，在蒸镀装置内使蒸镀掩模紧密贴合于有机EL基板，执行使有机材料蒸镀于有机EL基板上的蒸镀工序。
实用新型内容
另外，在制造这样的蒸镀掩模时，为了提高强度，提出了使蒸镀掩模的中间体层叠于支承体上来进行加强的方案。这种情况下，要求将中间体高精度地接合于支承体的开口部。
本公开的蒸镀掩模具备：掩模主体；和支承体，其接合于所述掩模主体，所述掩模主体具有第1校准标识，所述支承体具有第2校准标识，所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置，并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大。
根据技术方案1所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述掩模主体具有形成有多个贯通孔的镀层。
根据技术方案1所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述掩模主体具有互相层叠的金属层和树脂掩模。
根据技术方案1所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述第1校准标识是形成于所述掩模主体的贯通孔。
根据技术方案1所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述第2校准标识是形成于所述支承体的贯通孔。
根据技术方案1所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述第2校准标识是凹陷至所述支承体的厚度方向中途的非贯通孔。
根据技术方案1所述的蒸镀掩模，其特征在于，所述支承体包含：位于所述掩模主体侧的第1支承基板；和位于所述第1支承基板上的第2支承基板，所述第2校准标识包含：所述第1支承基板的第1部分；和所述第2支承基板的第2部分，所述第1部分在俯视时比所述第2部分小。
一种蒸镀掩模装置，其特征在于，所述蒸镀掩模装置具备：技术方案1所述的蒸镀掩模；和框架，其接合于所述蒸镀掩模的所述支承体。
一种中间体，其特征在于，所述中间体具备：基材；掩模主体，其接合于所述基材；以及支承体，其接合于所述掩模主体，所述掩模主体具有第1校准标识，所述支承体具有第2校准标识，所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置，并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大。
根据技术方案9所述的中间体，其特征在于，所述掩模主体具有形成有多个贯通孔的镀层。
根据技术方案9所述的中间体，其特征在于，所述掩模主体具有互相层叠的金属层和树脂掩模。
根据技术方案9所述的中间体，其特征在于，所述第1校准标识是形成于所述掩模主体的贯通孔。
根据技术方案9所述的中间体，其特征在于，所述第1校准标识是形成于所述基材上的岛状的突起。
根据技术方案9所述的中间体，其特征在于，所述第2校准标识是形成于所述支承体的贯通孔。
根据技术方案9所述的中间体，其特征在于，所述第2校准标识是凹陷至所述支承体的厚度方向中途的非贯通孔。
根据技术方案9所述的中间体，其特征在于，所述支承体包含：位于所述掩模主体侧的第1支承基板；和位于所述第1支承基板上的第2支承基板，所述第2校准标识包含：所述第1支承基板的第1部分；和所述第2支承基板的第2部分，所述第1部分在俯视时比所述第2部分小。
根据本公开，能够将蒸镀掩模的中间体高精度地接合于支承体。
附图说明
图1是用于说明具有蒸镀掩模装置的蒸镀装置和使用了该蒸镀装置的蒸镀方法的图。
图2是示出利用图1所示的蒸镀装置制造出的有机EL显示装置的一例的剖视图。
图3是概要性地示出具有第1实施方式的蒸镀掩模的蒸镀掩模装置的一例的俯视图。
图4是示出第1实施方式的蒸镀掩模装置的剖视图(沿图3中的IV-IV线的剖视图)。
图5是示出第1实施方式的蒸镀掩模装置的掩模主体的局部放大图(图3的V部放大图)。
图6是示出第1实施方式的蒸镀掩模装置的局部剖视图(沿图5中的VI-VI线的剖视图)。
图7是示出第1实施方式的掩模主体的剖视图(沿图5中的VII-VII线的剖视图)。
图8(a)-图8(d)是示出制造图案基板的方法的图，其中，该图案基板用于通过镀覆处理制造掩模主体。
图9(a)-图9(d)是示出通过镀覆处理制造掩模主体的方法的图。
图10(a)-图10(d)是示出蒸镀掩模的制造方法的图。
图11是示出对蒸镀掩模的掩模主体和支承体进行定位时的第1校准标识和第2校准标识的剖视图。
图12(a)-图12(b)是示出对蒸镀掩模的掩模主体和支承体进行定位时的第1校准标识和第2校准标识的俯视图。
图13(a)-图13(c)是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的图。
图14(a)-图14(b)是示出使蒸镀材料蒸镀于有机EL基板的工序的图。
图15是示出使蒸镀材料蒸镀于有机EL基板的工序的图。
图16是示出第1实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第1变形例的图。
图17是示出第1实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第2变形例的图。
图18是示出第1实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第3变形例的图。
图19是示出第1实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第4变形例的图。
图20是示出第1实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第5变形例的图。
图21(a)-图21(e)是示出第1实施方式中的掩模主体的制造方法的变形例的剖视图。
图22是示出第2实施方式的蒸镀掩模的俯视图。
图23是示出第2实施方式的蒸镀掩模的剖视图(沿图22中的XXIII-XXIII线的剖视图)。
图24是示出第2实施方式的蒸镀掩模的局部放大图(图22的XXIV部放大图)。
图25是示出第2实施方式的蒸镀掩模的局部剖视图(沿图24中的XXV-XXV线的剖视图)。
图26(a)-图26(h)是示出第2实施方式的蒸镀掩模的制造方法的剖视图。
图27(a)-图27(c)是示出蒸镀掩模的制造中的第1校准标识和第2校准标识的剖视图。
图28是示出第2实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第1变形例的图。
图29是示出第2实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第2变形例的图。
图30是示出第2实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第3变形例的图。
图31是示出第2实施方式的第1校准标识和第2校准标识的第4变形例的图。
图32(a)-图32(h)是示出第2实施方式的蒸镀掩模的制造方法的变形例的剖视图。
图33是示出支承体的一个变形例的剖视图。
图34是示出支承体的一个变形例的剖视图。
图35是示出支承体的一个变形例的剖视图。
图36是示出支承体的一个变形例的剖视图。
图37是示出支承体的一个变形例的剖视图。
图38是示出支承体的一个变形例的剖视图。
图39是示出支承体的一个变形例的剖视图。
图40是示出支承体的一个变形例的剖视图。
具体实施方式
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则“基板”、“基材”、“板”、“片”以及“膜”等、意味着成为某结构的基础的物质的用语并不是仅基于称呼上的不同来互相区别的。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则关于对形状和几何学上的条件以及它们的程度进行指定的例如“平行”、“垂直”等用语、或者长度、角度的值等，并不限定于严格的含义，而是包含能够期待同样功能的程度的范围在内来进行解释。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则在某个部件或某个区域等的某个结构处于其它部件或其它区域等的其它结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包含某个结构与其它结构直接接触的情况。而且，还包含如下情况：在某个结构与其它结构之间包含有另外的结构，即，还包含间接地接触的情况。另外，只要没有特别说明，则对于“上”、“上侧”或“上方”、或者“下”、“下侧”或“下方”这样的语句，也可以使上下方向反转。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则存在这样的情况：对于同一部分或具有相同功能的部分标记相同的标号或类似的标号，并省略其重复的说明。另外，存在为了便于说明而使附图的尺寸比例与实际的比例不同的情况、或者将结构的一部分从附图省略的情况。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则在不发生矛盾的范围内，也可以与其它实施方式或变形例组合。另外，其它实施方式彼此、或者其它实施方式与变形例也可以在不发生矛盾的范围内组合。另外，变形例彼此也可以在不发生矛盾的范围内组合。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则在关于制造方法等方法公开多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其它工序。另外，所公开的工序的顺序在不发生矛盾的范围内为任意。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则由“～”这样的记号所表述的数值范围包含了在“～”这样的记号的前后放置的数值。例如，“34质量％～38质量％”这一表述所限定的数值范围与由“34质量％以上且38质量％以下”这一表述所限定的数值范围相同。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则在本说明书的一个实施方式中列举与如下的蒸镀掩模或其制造方法相关的例子进行说明，其中，该蒸镀掩模用于在制造有机EL显示装置时使有机材料以所希望的图案在基板上构图。但是，并不限定于这样的应用，能够针对用于各种用途的蒸镀掩模来应用本实施方式。
以下，参照附图，对本公开的一个实施方式详细地进行说明。并且，以下所示的实施方式是本公开的实施方式的一例，本公开并非是仅限定于这些实施方式来被解释。
本公开的第1方式是蒸镀掩模，其特征在于，所述蒸镀掩模具备：掩模主体；和支承体，其接合于所述掩模主体，所述掩模主体具有第1校准标识，所述支承体具有第2校准标识，所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置，并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大。
根据本公开的第2方式，在上述的第1方式的蒸镀掩模中，可以是，所述掩模主体具有形成有多个贯通孔的镀层。
根据本公开的第3方式，在上述的第1方式的蒸镀掩模中，可以是，所述掩模主体具有互相层叠的金属层和树脂掩模。
根据本公开的第4方式，在上述的第1方式至上述的第3方式中的各个方式的蒸镀掩模中，可以是，所述第1校准标识是形成于所述掩模主体的贯通孔。
根据本公开的第5方式，在上述的第1方式至上述的第4方式中的各个方式的蒸镀掩模中，可以是，所述第2校准标识是形成于所述支承体的贯通孔。
根据本公开的第6方式，在上述的第1方式至上述的第4方式中的各个方式的蒸镀掩模中，可以是，所述第2校准标识是凹陷至所述支承体的厚度方向中途的非贯通孔。
根据本公开的第7方式，在上述的第1方式至上述的第6方式中的各个方式的蒸镀掩模中，可以是，所述支承体包含：位于所述掩模主体侧的第1支承基板；和位于所述第1支承基板上的第2支承基板，所述第2校准标识包含：所述第1支承基板的第1部分；和所述第2支承基板的第2部分，所述第1部分在俯视时比所述第2部分小。
本公开的第8方式是蒸镀掩模装置，其特征在于，所述蒸镀掩模装置具备：上述的第1方式至上述的第7方式中的任意一个方式的蒸镀掩模；和框架，其接合于所述蒸镀掩模的所述支承体。
本公开的第9方式是中间体，其特征在于，所述中间体具备：基材；掩模主体，其接合于所述基材；以及支承体，其接合于所述掩模主体，所述掩模主体具有第1校准标识，所述支承体具有第2校准标识，所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置，并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大。
根据本公开的第10方式，在上述的第9方式的中间体中，可以是，所述掩模主体具有形成有多个贯通孔的镀层。
根据本公开的第11方式，在上述的第9方式的中间体中，可以是，所述掩模主体具有互相层叠的金属层和树脂掩模。
根据本公开的第12方式，在上述的第9方式至上述的第11方式中的各个方式的中间体中，可以是，所述第1校准标识是形成于所述掩模主体的贯通孔。
根据本公开的第13方式，在上述的第9方式至上述的第11方式中的各个方式的中间体中，可以是，所述第1校准标识是形成于所述基材上的岛状的突起。
根据本公开的第14方式，在上述的第9方式至上述的第13方式中的各个方式的中间体中，可以是，所述第2校准标识是形成于所述支承体的贯通孔。
根据本公开的第15方式，在上述的第9方式至上述的第13方式中的各个方式的中间体中，可以是，所述第2校准标识是凹陷至所述支承体的厚度方向中途的非贯通孔。
根据本公开的第16方式，在上述的第9方式至上述的第15方式中的各个方式的中间体中，可以是，所述支承体包含：位于所述掩模主体侧的第1支承基板；和位于所述第1支承基板上的第2支承基板，所述第2校准标识包含：所述第1支承基板的第1部分；和所述第2支承基板的第2部分，所述第1部分在俯视时比所述第2部分小。
本公开的第17方式是蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，所述蒸镀掩模的制造方法具备：准备中间体的工序，所述中间体具有基材和接合于所述基材的掩模主体；和使所述掩模主体和支承体互相接合的工序，所述掩模主体具有第1校准标识，所述支承体具有第2校准标识，所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置，并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大，在使所述掩模主体和所述支承体互相接合的工序中，使所述第1校准标识和所述第2校准标识的位置相互对准，由此进行所述掩模主体和所述支承体的定位。
本公开的第18方式是蒸镀掩模装置的制造方法，其特征在于，所述蒸镀掩模装置的制造方法具备：准备上述的第1方式至上述的第7方式中的任意一个方式的蒸镀掩模的工序；和将框架安装于所述蒸镀掩模的所述支承体的工序。
本公开的第19方式是蒸镀方法，其是使蒸镀材料蒸镀于基板上的蒸镀材料的蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀方法具备：准备上述的第8方式的蒸镀掩模装置的工序；准备所述基板的工序；将所述基板设置于所述蒸镀掩模装置的所述掩模主体上的工序；以及使所述蒸镀材料蒸镀于设置在所述掩模主体上的所述基板的工序。
本公开的第20方式是有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，该有机EL显示装置的制造方法具备使用上述的第8方式的蒸镀掩模装置在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序。
本公开的第21方式是蒸镀方法，其是使蒸镀材料蒸镀于基板上的蒸镀材料的蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀方法具备：准备上述的第1方式至上述的第7方式中的任意一个方式的蒸镀掩模的工序；准备所述基板的工序；将所述基板设置于所述蒸镀掩模的所述掩模主体上的工序；以及使所述蒸镀材料蒸镀于设置在所述掩模主体上的所述基板上的工序。
本公开的第22方式是有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，该有机EL显示装置的制造方法具备使用上述的第1方式至上述的第7方式中的任意一个方式的蒸镀掩模在蒸镀对象物上形成蒸镀图案的工序。
以下，参照附图对各实施方式进行说明。以下所示的各图是示意性地示出的图。因此，为了容易理解，适当地夸张了各部分的大小、形状。另外，能够在不脱离技术思想的范围内适当地变更来实施。并且，在以下所示的各图中，存在如下情况：对相同的部分标注同一标号，并省略一部分的详细说明。另外，在本说明书中所记载的各部件的尺寸等的数值和材料名称是作为实施方式的一例，并不限定于此，能够适当地选择来使用。
首先，参照图1至图21(e)，对第1实施方式进行说明。
首先，参照图1对蒸镀装置90进行说明，其中，该蒸镀装置90实施使蒸镀材料蒸镀到蒸镀对象物上的蒸镀处理。如图1所示，蒸镀装置90可以在其内部具备蒸镀源(例如坩埚94)、加热器96以及蒸镀掩模装置10。另外，蒸镀装置90可以还具备用于使蒸镀装置90的内部成为真空气氛的排气单元(未图示)。坩埚94收纳有机发光材料等蒸镀材料98。可以是，加热器96对坩埚94加热，在真空气氛下使蒸镀材料98蒸发。蒸镀掩模装置10可以配置成与坩埚94对置。
如图1所示，蒸镀掩模装置10可以具备：蒸镀掩模20；和框架15，其接合于蒸镀掩模20的后述的支承体40。框架15可以在沿蒸镀掩模20的面方向将其拉伸的状态下进行支承，以免蒸镀掩模20挠曲。如图1所示，可以是，蒸镀掩模装置10以蒸镀掩模20面对供蒸镀材料98附着的蒸镀对象物、即被蒸镀基板(例如有机EL基板)92的方式配置于蒸镀装置90内。
如图1所示，蒸镀掩模装置10可以具备配置在被蒸镀基板92的与蒸镀掩模20相反的一侧的面上的磁铁93。通过设置磁铁93，能够借助磁力将蒸镀掩模20向磁铁93侧吸引，从而能够使蒸镀掩模20紧密贴合于被蒸镀基板92。
接下来，对蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20进行说明。如图1所示，蒸镀掩模20可以具备：掩模主体30，其具有形成有多个第1贯通孔35的镀层31；和支承体40，其接合于掩模主体30，且形成有在俯视时与多个第1贯通孔35重合的第2贯通孔45。
如图1所示，掩模主体30可以具有：第1面30a；和第2面30b，其构成与第1面30a相反的一侧的面。在图示的例子中，掩模主体30可以配置在被蒸镀基板92与坩埚94之间。可以是，掩模主体30以其第1面30a面对被蒸镀基板92的下表面的方式、换而言之、以其第2面30b面对坩埚94的方式被支承于蒸镀装置90内，在蒸镀材料98相对于被蒸镀基板92的蒸镀中被使用。在图1所示的蒸镀装置90中，可以是，从坩埚94蒸发并从掩模主体30的第2面30b侧到达蒸镀掩模20的蒸镀材料98穿过支承体40的第2贯通孔45和掩模主体30的第1贯通孔35而附着于被蒸镀基板92。由此，能够按照与掩模主体30的第1贯通孔35的位置相对应的所希望的图案使蒸镀材料98成膜于被蒸镀基板92的表面。
图2是示出使用图1的蒸镀装置90所制造出的有机EL显示装置100的剖视图。有机EL显示装置100可以具备：被蒸镀基板(有机EL基板)92；和像素，其包含有呈图案状设置的蒸镀材料98。
在希望进行基于多种颜色的彩色显示的情况下，分别准备搭载有与各颜色对应的蒸镀掩模装置10的蒸镀装置90，并将被蒸镀基板92依次放入各蒸镀装置90中。由此，能够使例如红色用的有机发光材料、绿色用的有机发光材料和蓝色用的有机发光材料依次蒸镀到被蒸镀基板92上。
蒸镀处理有时在高温气氛下的蒸镀装置90的内部实施。这种情况下，在蒸镀处理期间，保持在蒸镀装置90内部的蒸镀掩模20、框架15和被蒸镀基板92也被加热。此时，蒸镀掩模20的掩模主体30和支承体40、框架15以及被蒸镀基板92显示出基于各自的热膨胀系数的尺寸变化行为。这种情况下，若掩模主体30、支承体40以及框架15、和被蒸镀基板92的热膨胀系数有很大差异，则由于它们的尺寸变化的差异而发生位置偏移，其结果是，附着于被蒸镀基板92上的蒸镀材料的尺寸精度、位置精度会降低。
为了解决这样的课题，优选使掩模主体30、支承体40以及框架15的热膨胀系数是与被蒸镀基板92的热膨胀系数同等的值。例如，在使用玻璃基板作为被蒸镀基板92的情况下，作为掩模主体30、支承体40以及框架15的主要材料，可以使用含镍的铁合金。例如，作为构成掩模主体30、支承体40以及框架15的部件的材料，可以使用含有30质量％以上且54质量％以下的镍的铁合金。作为含镍的铁合金的具体例，能够列举出含有34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了30质量％以上且34质量％以下的镍以外还包含有钴的超因瓦合金材、包含有38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。
并且，在蒸镀处理时掩模主体30、支承体40、框架15以及被蒸镀基板92的温度未达到高温的情况下，也可以不将掩模主体30、支承体40以及框架15的热膨胀系数设为与被蒸镀基板92的热膨胀系数同等的值。这种情况下，作为构成掩模主体30和支承体40的材料，也可以使用上述的铁合金以外的材料。例如，可以使用含铬的铁合金等、上述的含镍的铁合金以外的铁合金。作为含铬的铁合金，例如可以使用被称作所谓的不锈钢的铁合金。另外，也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。
接下来，根据图1和图3至图7，对蒸镀掩模20的掩模主体30和支承体40、以及框架15更详细地进行说明。
首先，对掩模主体30详细地进行说明。该掩模主体30是通过镀覆处理而制作成的。如图3所示，掩模主体30可以在俯视时具有大致矩形形状的形状。该掩模主体30可以具备：框状的耳部17，其构成掩模主体30的外缘30e；和中间部18，其被耳部17包围。其中，耳部17是在利用了蒸镀掩模20的蒸镀工序时被安装于支承体40的部分。并且，该耳部17不是供意图朝向有机EL基板92蒸镀的蒸镀材料通过的区域。
另外，如图3至图5所示，蒸镀掩模20的中间部18可以包含：有效区域22，其以规则的排列形成有第1贯通孔35(参照图4和图5)；和周围区域23，其包围有效区域22。周围区域23是用于支承有效区域22的区域，并不是供意图朝向有机EL基板92蒸镀的蒸镀材料98通过的区域。另一方面，在用于有机发光材料的蒸镀的蒸镀掩模20中，掩模主体30的有效区域22是与成为有机EL基板92的显示区域的区域对置的蒸镀掩模20内的区域，其中，所述显示区域以如下方式形成：有机发光材料蒸镀而形成像素。但是，出于各种目的，也可以在周围区域23形成有贯通孔或凹部。在图3所示的例子中，可以是，各有效区域22在俯视时具有大致四边形形状，更正确地说，在俯视时具有大致矩形形状的轮廓。另外，尽管未图示，但各有效区域22可以根据有机EL基板92的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如，各有效区域22可以具有圆形的轮廓。
如图3所示，蒸镀掩模20的多个有效区域22可以沿着互相垂直的两个方向隔开规定的间隔排列。在图示的例子中，一个有效区域22对应一个有机EL显示装置。即，根据图3和图4所示的蒸镀掩模装置10(掩模主体30)，能够进行拼版蒸镀(多面付蒸着)。另外，如图5所示，可以是，形成于各有效区域22的多个第1贯通孔35在该有效区域22中沿着互相垂直的两个方向分别以规定的间距排列。
如图5和图6所示，可以是，蒸镀掩模20的掩模主体30具有第1校准标识34，支承体40具有第2校准标识44。该第1校准标识34和第2校准标识44是为了如后述那样对第2中间体57b的掩模主体30和支承体40正确地定位而设置的。并且，在掩模主体30和支承体40被正确地定位时，第1校准标识34和第2校准标识44的中心彼此一致。因此，第1校准标识34和第2校准标识44可以设置于在俯视时互相重合的位置。另外，第1校准标识34和第2校准标识44的大小可以互不相同，具体来说，第2校准标识44可以大于第1校准标识34。
这种情况下，第1校准标识34是在厚度方向上贯通掩模主体30的贯通孔，第2校准标识44是在厚度方向上贯通支承体40的贯通孔。因此，在从支承体40方向(图6的箭头D1方向)观察的情况下，作为贯通孔的第1校准标识34可以包含于作为贯通孔的第2校准标识44的内侧。因此，可以是，在掩模主体30和支承体40被正确地定位时，第1校准标识34的外缘整体位于第2校准标识44的内侧。
第1校准标识34和第2校准标识44的形状可以分别在俯视时为圆形。在将第1校准标识34和第2校准标识44设为俯视时的圆形状的情况下，能够容易地形成作为贯通孔的第1校准标识34和第2校准标识44。另外，能够高精度地形成第1校准标识34和第2校准标识44。可以是，第2校准标识44的直径(宽度)W2为0.15mm以上且2.5mm以下，第1校准标识34的直径(宽度)W1为第2校准标识44的直径(宽度)W2的2％以上且98％以下。这种情况下，W2与W1之差的一半的值((W2-W1)/2)可以与第1校准标识34和第2校准标识44的能够允许的最大偏差一致。由此，能够将第1校准标识34和第2校准标识44容易地对位。这种情况下，能够允许的最大偏差(W2与W1之差的一半的值)优选为50μm以下。第1校准标识34和第2校准标识44的平面形状分别不限于圆形状，也可以是椭圆形状、多边形形状、十字形状等。这种情况下，第1校准标识34和第2校准标识44的平面形状是彼此相似的形状，但不限于此，也可以是不相似的形状(例如是圆形状和多边形形状)。
如图3所示，第1校准标识34和第2校准标识44分别可以形成于蒸镀掩模20的中间部18中的、有效区域22以外的区域。具体来说，第1校准标识34和第2校准标识44可以分别在中间部18的四角共计配置有4个。可是，关于第1校准标识34和第2校准标识44的配置位置及个数，只要在掩模主体30和支承体40重合的位置设有1个或多个即可，并不限定于此。并且，为了使掩模主体30和支承体40高精度地贴合，优选将第1校准标识34和第2校准标识44配置于接近有效区域22的位置。具体来说，优选的是，第1校准标识34和第2校准标识44设于与有效区域22相距5mm以内的位置。
接下来，参照图7，对掩模主体30的镀层31进行说明。如图7所示，掩模主体30的镀层31可以包含：第1金属层32，其以规定的图案设有第1开口部30c；和第2金属层37，其设有与第1开口部30c连通的第2开口部30d。在图7所示的例子中，可以是，第1金属层32构成掩模主体30的第1面30a，第2金属层37构成掩模主体30的第2面30b。
在本实施方式中，可以是，第1开口部30c和第2开口部30d互相连通，由此，构成贯通掩模主体30的第1贯通孔35。这种情况下，第1贯通孔35在掩模主体30的第1面30a侧的开口尺寸和开口形状可以由第1金属层32的第1开口部30c来限定。另一方面，第1贯通孔35在掩模主体30的第2面30b侧的开口尺寸和开口形状可以由第2金属层37的第2开口部30d来限定。换而言之，可以对第1贯通孔35赋予由第1金属层32的第1开口部30c所限定的形状、和由第2金属层37的第2开口部30d所限定的形状双方。
如图5所示，第1贯通孔35可以在俯视时为大致多边形状。在此，示出了这样的例子：第1贯通孔35为大致四边形状，更具体来说为大致正方形状。另外，虽然未图示，但第1贯通孔35也可以是大致六边形状或大致八边形状等其它的大致多边形状。另外，“大致多边形状”是包括多边形的角部被倒圆角而成的形状在内的概念。另外，虽然未图示，但第1贯通孔35也可以是圆形状。考虑有机EL显示装置的像素密度等来适当地设定上述的第1贯通孔35的开口尺寸S1。例如，在制作400ppi以上的像素密度的有机EL显示装置的情况下，第1贯通孔35的开口尺寸S0可以被设定在15μm以上且60μm以下的范围内。
在图7中，标号41表示连接第1金属层32和第2金属层37的连接部。另外，标号S0表示第1贯通孔35在第1金属层32与第2金属层37的连接部41处的尺寸。并且，在图7中，示出了第1金属层32和第2金属层37相接的例子，但不限于此，也可以在第1金属层32与第2金属层37之间夹设有其它层。例如，在第1金属层32与第2金属层37之间可以设置用于促进第2金属层37在第1金属层32上的析出的催化剂层。
如图7所示，可以是，第1贯通孔35(第2开口部30d)在第2面30b中的开口尺寸S2比第1贯通孔35(第1开口部30c)在第1面30a中的开口尺寸S1大。对于上述的开口尺寸S0、S1、S2，可以考虑有机EL显示装置的像素密度等来恰当地设定。例如，在制作400ppi以上的像素密度的有机EL显示装置的情况下，第1贯通孔35在连接部41处的开口尺寸S0可以被设定在15μm以上且60μm以下的范围内。另外，第1开口部30c在第1面30a中的开口尺寸S1可以被设定在10μm以上且50μm以下的范围内，第2开口部30d在第2面30b中的开口尺寸S2可以被设定在15μm以上且80μm以下的范围内。
另外，上述的掩模主体30的厚度T0例如可以为2μm以上，可以为5μm以上，可以为10μm以上，可以为15μm以上。另外，掩模主体30的厚度T0例如可以为20μm以下，可以为30μm以下，可以为40μm以下，可以为50μm以下。掩模主体30的厚度T0的范围可以由第1组和/或第2组来限定，其中，所述第1组由2μm、5μm、10μm以及15μm构成，所述第2组由20μm、30μm、40μm以及50μm构成。掩模主体30的厚度T0的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。掩模主体30的厚度T0的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模主体30的厚度T0的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为2μm以上且50μm以下，可以为2μm以上且40μm以下，可以为2μm以上且30μm以下，可以为2μm以上且20μm以下，可以为2μm以上且15μm以下，可以为2μm以上且10μm以下，可以为2μm以上且5μm以下，可以为5μm以上且50μm以下，可以为5μm以上且40μm以下，可以为5μm以上且30μm以下，可以为5μm以上且20μm以下，可以为5μm以上且15μm以下，可以为5μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且50μm以下，可以为10μm以上且40μm以下，可以为10μm以上且30μm以下，可以为10μm以上且20μm以下，可以为10μm以上且15μm以下，可以为15μm以上且50μm以下，可以为15μm以上且40μm以下，可以为15μm以上且30μm以下，可以为15μm以上且20μm以下，可以为20μm以上且50μm以下，可以为20μm以上且40μm以下，可以为20μm以上且30μm以下，可以为30μm以上且50μm以下，可以为30μm以上且40μm以下，可以为40μm以上且50μm以下。
接下来，对支承体40详细地进行说明。如图3所示，支承体40可以在俯视时具有大致矩形的形状。可以是，该支承体40在面方向上具有比掩模主体30大的尺寸，在俯视时，限定支承体40的轮廓包围限定掩模主体30的轮廓。该支承体40可以以支承体40的各边与掩模主体30的各边对应的方式安装于掩模主体30。
另外，如上所述，可以是，在支承体40上形成有多个第2贯通孔45，第2贯通孔45在俯视时比掩模主体30的有效区域22大。另外，支承体40的一个第2贯通孔45可以对应于掩模主体30的一个有效区域22。
如图3所示，可以是，第2贯通孔45的轮廓例如在俯视时为大致四边形，更正确地说，在俯视时为大致矩形。另外，尽管未图示，但各第2贯通孔45可以根据被蒸镀基板(有机EL基板)92的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如，各第2贯通孔45可以具有圆形的轮廓。在图3中示出了各第2贯通孔45具有彼此相同的俯视形状的情况，但是，并不限于此，各第2贯通孔45也可以具有互不相同的开口部形状。换而言之，支承体40也可以具有这样的多个第2贯通孔45：它们具有互不相同的俯视形状。
可以是，在该第2贯通孔45的周围，设有支承区域46，且构成为：该支承区域46对掩模主体30的周围区域23进行支承。由此，支承体40能够以围绕掩模主体30的有效区域22的方式支承掩模主体30，因此能够有效地抑制在掩模主体30上产生皱褶和变形。并且，支承区域46不是供意图朝向有机EL基板92蒸镀的蒸镀材料98通过的区域。
在本公开中，支承体40的厚度T1例如可以为0.2mm以上，可以为0.4mm以上，可以为0.6mm以上，可以为0.8mm以上。另外，支承体40的厚度T1例如可以为1.0mm以下，可以为1.2mm以下，可以为1.5mm以下，可以为2.0mm以下。支承体40的厚度T1的范围可以由第1组和/或第2组来限定，其中，所述第1组由0.2mm、0.4mm、0.6mm以及0.8mm构成，所述第2组由1.0mm、1.2mm、1.5mm以及2.0mm构成。支承体40的厚度T1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。支承体40的厚度T1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。支承体40的厚度T1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.2mm以上且2.0mm以下，可以为0.2mm以上且1.5mm以下，可以为0.2mm以上且1.2mm以下，可以为0.2mm以上且1.0mm以下，可以为0.2mm以上且0.8mm以下，可以为0.2mm以上且0.6mm以下，可以为0.2mm以上且0.4mm以下，可以为0.4mm以上且2.0mm以下，可以为0.4mm以上且1.5mm以下，可以为0.4mm以上且1.2mm以下，可以为0.4mm以上且1.0mm以下，可以为0.4mm以上且0.8mm以下，可以为0.4mm以上且0.6mm以下，可以为0.6mm以上且2.0mm以下，可以为0.6mm以上且1.5mm以下，可以为0.6mm以上且1.2mm以下，可以为0.6mm以上且1.0mm以下，可以为0.6mm以上且0.8mm以下，可以为0.8mm以上且2.0mm以下，可以为0.8mm以上且1.5mm以下，可以为0.8mm以上且1.2mm以下，可以为0.8mm以上且1.0mm以下，可以为1.0mm以上且2.0mm以下，可以为1.0mm以上且1.5mm以下，可以为1.0mm以上且1.2mm以下，可以为1.2mm以上且2.0mm以下，可以为1.2mm以上且1.5mm以下，可以为1.5mm以上且2.0mm以下。通过使支承体40的厚度T1为0.2mm以上，由此能够提高蒸镀掩模20的刚性。由此，能够抑制在掩模主体30上产生皱褶和变形。另外，通过使支承体40的厚度T1为2.0mm以下，由此，在如后述那样将基材51从接合于支承体40的掩模主体30剥离时，能够抑制基材51无法剥离的不良情况。
作为构成上述的支承体40的主要材料，能够采用含镍的铁合金。例如，可以使用含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了含镍外还含有钴的超因瓦合金材等铁合金。另外，不限于此，作为构成支承体40的主要的材料，例如也可以使用含铬的铁合金等、上述的含镍的铁合金以外的铁合金。作为含铬的铁合金，例如可以使用被称作所谓的不锈钢的铁合金。另外，也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。
接下来，对框架15详细地进行说明。如图3所示，框架15可以在俯视时形成为大致矩形的框状，在框架15上可以设有在俯视时与支承体40的第2贯通孔45重合的开口部15a。在本公开中，在俯视时，限定开口部15a的轮廓可以包围着限定第2贯通孔45的整个轮廓。在蒸镀时，从坩埚94蒸发的蒸镀材料98穿过框架15的开口部15a并到达蒸镀掩模20。
另外，可以是，框架15在面方向上具有比支承体40大的尺寸，在俯视时，限定框架15的轮廓包围着限定支承体40的轮廓。可以是，该框架15以框架15的各边与支承体40的各边相对应的方式安装于支承体40。
在此，如图3和图4所示，上述的掩模主体30和支承体40可以通过多个第1接合部19a互相接合。另外，上述的支承体40和框架15可以通过多个第2接合部19b互相接合。可以是，第1接合部19a沿着掩模主体30的外缘30e排列，第2接合部19b沿着支承体40的外缘40e排列。如上所述，掩模主体30和支承体40可以在俯视时具有大致矩形形状的轮廓。因此，接合部19a、19b也可以分别沿着外缘30e、40e以大致矩形形状的图案排列。在图3所示的例子中，接合部19a、19b分别相对于外缘30e、40e具有一定的距离地呈一条直线状排列。即，接合部19a、19b分别沿着与外缘30e、40e延伸的方向相平行的方向排列。
另外，在图示的例子中，接合部19a、19b分别沿着外缘30e、40e延伸的方向互相具有等间隔地排列。在本实施方式中，掩模主体30和支承体40、以及支承体40和框架15通过点焊互相接合在一起。并且，并不限于此，掩模主体30和支承体40、以及掩模主体30和框架15也可以通过例如粘接剂等其它固定手段互相接合在一起。
接下来，对制造蒸镀掩模装置10的方法进行说明。首先，对制造蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20的方法进行说明。
首先，可以准备具有镀层31的掩模主体30，所述镀层31接合于基材51，且形成有多个第1贯通孔35。此时，可以首先准备基材51。只要具有绝缘性和适当的强度，则构成基材51的材料和基材51的厚度就不特别限定。如后所述，在通过隔着基材51照射激光而将掩模主体30和支承体40、或者支承体40和框架15焊接固定在一起的情况下，作为构成基材51的材料，可以恰当地使用具有高透光性的玻璃材料。另外，在使用粘接剂将掩模主体30和支承体40、或者支承体40和框架15互相固定在一起的情况下，作为构成基材51的材料，可以使用玻璃、合成树脂、金属等。这种情况下，基材51可以不具有透光性。在此，对使用具有透光性的玻璃材料来作为基材51的例子进行说明。
接下来，如图8(a)所示，可以在基材51上形成由导电性材料构成的导电层52a。导电层52a是通过构图而成为导电性图案52的层。作为构成导电层52a的材料，适当地使用了金属材料或氧化物导电性材料等具有导电性的材料。作为金属材料的例子，能够列举出例如铬或铜等。优选的是，将相对于后述的第1抗蚀剂图案53具有较高的紧密贴合性的材料用作构成导电层52a的材料。例如在通过对含有丙烯系光硬化性树脂的抗蚀剂膜等、被称为所谓的干膜的膜进行构图来制作第1抗蚀剂图案53的情况下，作为构成导电层52a的材料，优选使用铜。
导电层52a可以通过例如溅镀或无电镀等而形成。如果使导电层52a形成得较厚，则导电层52a的形成需要较长的时间。另一方面，如果导电层52a的厚度过薄，则阻值变大，难以通过电镀处理形成第1金属层32。因此，例如优选使导电层52a的厚度在50nm以上且500nm以下的范围内。
接下来，如图8(b)所示，可以在导电层52a上形成具有规定的图案的第1抗蚀剂图案53。作为形成第1抗蚀剂图案53的方法，可以与后述的第2抗蚀剂图案55的情况相同地采用光刻法等。作为对第1抗蚀剂图案53用的材料以规定的图案照射光线的方法，可以采用如下的方法等：使用使曝光光线按照规定的图案透过的曝光掩模；或者，使曝光光线按照规定的图案相对于第1抗蚀剂图案53用的材料相对扫描。然后，如图8(c)所示，通过蚀刻将导电层52a中的未被第1抗蚀剂图案53覆盖的部分除去。接下来，如图8(d)所示，除去第1抗蚀剂图案53。由此，能够得到形成有如下的导电性图案52的图案基板50：该导电性图案52具有与第1金属层32对应的图案。
接下来，可以利用预先形成有规定的导电性图案52的基材51(图案基板50)，使镀层31在导电性图案52上析出。
首先，针对利用图案基板50来制作上述的第1金属层32的第1成膜工序进行说明。在此，在具有绝缘性的基材51上形成按照规定的图案设有第1开口部30c的第1金属层32。具体来说，实施第1镀覆处理工序，在该工序中，将第1镀覆液供给到形成有导电性图案52的基材51上，使第1金属层32在导电性图案52上析出。例如，将形成有导电性图案52的基材51浸渍在填充有第1镀覆液的镀覆槽中。由此，如图9(a)所示，能够在基材51上得到以规定的图案设有第1开口部30c的第1金属层32。并且，第1金属层32的厚度为例如5μm以下。另外，关于在基材51上形成第1金属层32，并不限于在基材51上直接形成第1金属层32，还包含如下情况：在基材51上隔着导电性图案52等其它层形成第1金属层32。
并且，在镀覆处理的特性方面，如图9(a)所示，在沿着基材51的法线方向观察的情况下，第1金属层32不仅能够在与导电性图案52重合的部分形成，而且也能够在不与导电性图案52重合的部分形成。这是由于，在与导电性图案52的端部54重叠的部分析出的第1金属层32的表面上，第1金属层32进一步析出。其结果是，如图9(a)所示，在沿着基材51的法线方向观察的情况下，第1开口部30c的端部33能够位于不与导电性图案52重合的部分。
只要能够使第1金属层32在导电性图案52上析出，则第1镀覆处理工序的具体方法就不特别限定。例如，第1镀覆处理工序可以作为如下这样的所谓的电镀处理工序来实施：通过使电流流过导电性图案52而在导电性图案52上析出第1金属层32。或者，第1镀覆处理工序也可以是无电镀处理工序。并且，在第1镀覆处理工序为无电镀处理工序的情况下，可以在导电性图案52上设有恰当的催化剂层。或者，也可以构成为使导电性图案52作为催化剂层发挥功能。即使在实施电镀处理工序的情况下，也可以在导电性图案52上设有催化剂层。
所使用的第1镀覆液的成分根据第1金属层32所要求的特性来适当地设定。例如，作为第1镀覆液，可以使用含有镍化合物的溶液与含有铁化合物的溶液的混合溶液。例如，可以使用包含有氨基磺酸镍或溴化镍的溶液与包含有氨基磺酸亚铁的溶液的混合溶液。在镀覆液中可以包含有各种添加剂。作为添加剂，可以使用硼酸等pH缓冲剂、糖精钠等第一光亮剂、丁炔二醇、炔丙醇、香豆素、福尔马林、硫脲等第二光亮剂或者防氧化剂等。
接下来，可以实施在第1金属层32上形成第2金属层37的第2成膜工序，其中，第2金属层37设有与第1开口部30c连通的第2开口部30d。此时，首先，在基材51上和第1金属层32上隔开规定的间隙56形成第2抗蚀剂图案55。图9(b)是示出在基材51上形成的第2抗蚀剂图案55的剖视图。如图9(b)所示，抗蚀剂形成工序以如下方式实施：第1金属层32的第1开口部30c被第2抗蚀剂图案55覆盖，并且第2抗蚀剂图案55的间隙56位于第1金属层32上。
以下，对抗蚀剂形成工序的一例进行说明。首先，通过在基材51上和第1金属层32上粘贴干膜来形成负性的抗蚀剂膜。作为干膜的例子，可以列举出例如日立化成制的RY3310等含有丙烯系光硬化性树脂的膜。另外，也可以是：将第2抗蚀剂图案55用的材料涂敷在基材51上，然后根据需要实施烧制，由此形成抗蚀剂膜。接下来，准备曝光掩模，并将曝光掩模配置在抗蚀剂膜上，其中，所述曝光掩模使光不透过抗蚀剂膜中的应该成为间隙56的区域。然后，通过真空紧密贴合使曝光掩模充分地紧密贴合于抗蚀剂膜。并且，作为抗蚀剂膜，也可以使用正性的抗蚀剂膜。这种情况下，作为曝光掩模，使用使光透过抗蚀剂膜中的希望去除的区域的曝光掩模。
然后，可以隔着曝光掩模对抗蚀剂膜进行曝光。而且，为了在曝光后的抗蚀剂膜上形成图像，可以对抗蚀剂膜进行显影。并且，为了使第2抗蚀剂图案55更加牢固地紧密贴合于基材51和第1金属层32，也可以在显影工序后实施对第2抗蚀剂图案55加热的热处理工序。
接下来，可以在第1金属层32上形成第2金属层37。此时，可以在第1金属层32上形成设有与第1开口部30c连通的第2开口部30d的第2金属层37。具体来说，可以是，将第2镀覆液供给至第2抗蚀剂图案55的间隙56，使第2金属层37在第1金属层32上析出。例如，可以是，将形成有第1金属层32的基材51浸入填充有第2镀覆液的镀覆槽中。由此，如图9(c)所示，能够在第1金属层32上得到第2金属层37。并且，第2金属层37的厚度被设定成：有效区域22中的蒸镀掩模20的镀层31的厚度T0(参照图7)为2μm以上且50μm以下。
只要能够使第2金属层37在第1金属层32上析出，则对第2镀覆处理工序的具体方法就不特别限定。例如，第2镀覆处理工序可以作为所谓的电镀处理工序来实施，在该工序中，通过使电流流过第1金属层32而使第2金属层37在第1金属层32上析出。或者，第2镀覆处理工序也可以是无电镀处理工序。并且，在第2镀覆处理工序为无电镀处理工序的情况下，可以在第1金属层32上设有恰当的催化剂层。即使在实施电镀处理工序的情况下，也可以在第1金属层32上设有催化剂层。
作为第2镀覆液，可以使用与上述的第1镀覆液相同的镀覆液。或者，也可以将与第1镀覆液不同的镀覆液用作第2镀覆液。在第1镀覆液的组分和第2镀覆液的组分相同的情况下，构成第1金属层32的金属的组分与构成第2金属层37的金属的组分也变得相同。
并且，在图9(c)中，示出了持续执行第2镀覆处理工序直至第2抗蚀剂图案55的上表面与第2金属层37的上表面变得一致为止的例子，但不限于此。也可以在第2金属层37的上表面比第2抗蚀剂图案55的上表面靠下方的状态下使第2镀覆处理工序停止。
然后，可以实施将第2抗蚀剂图案55除去的除去工序。除去工序可以是通过将图案基板50、第1金属层32、第2金属层37和第2抗蚀剂图案55的层叠体浸渍于例如碱系的剥离液中来进行的。由此，如图9(d)所示，能够将第2抗蚀剂图案55从图案基板50、第1金属层32和第2金属层37剥离。这样，得到了第1中间体57a，其具备基材51和接合于基材51的掩模主体30。另外，此时，能够在第1金属层32上得到以规定的图案设有第2开口部30d的第2金属层37。另外，第1开口部30c和第2开口部30d互相连通，由此形成贯通掩模主体30的第1贯通孔35。这样，通过使镀层31在导电性图案52上析出，由此形成多个第1贯通孔35。并且，虽然在图9(d)中未示出，但是，与第1贯通孔35相同地在掩模主体30上形成了作为沿厚度方向贯通掩模主体30的贯通孔的第1校准标识34(参照图5和图6)。
另外，可以与准备具备基材51和掩模主体30的第1中间体57a并行地准备如图10(a)所示那样形成有第2贯通孔45的支承体40。此时，可以是，首先，准备金属板，并通过包含有曝光工序和显影工序的光刻法对金属板进行构图。由此，能够得到形成有第2贯通孔45的支承体40。并且，虽然在图10(a)中没有示出，但可以与第2贯通孔45相同地在支承体40上形成作为沿厚度方向贯通支承体40的贯通孔的第2校准标识44(参照图5和图6)。
并且，在通过蚀刻厚金属板(例如300μm以上)来制作支承体40的情况下，蚀刻时所使用的干膜抗蚀剂的厚度例如可以为5μm以上，可以为6μm以上，可以为8μm以上，可以为10μm以上。另外，干膜抗蚀剂的厚度例如可以为12μm以下，可以为15μm以下，可以为18μm以下，可以为20μm以下。干膜抗蚀剂的厚度的范围可以由第1组和/或第2组来限定，其中，所述第1组由5μm、6μm、8μm以及10μm构成，所述第2组由12μm、15μm、18μm以及20μm构成。干膜抗蚀剂的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。干膜抗蚀剂的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。干膜抗蚀剂的厚度的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为5μm以上且20μm以下，可以为5μm以上且18μm以下，可以为5μm以上且15μm以下，可以为5μm以上且12μm以下，可以为5μm以上且10μm以下，可以为5μm以上且8μm以下，可以为5μm以上且6μm以下，可以为6μm以上且20μm以下，可以为6μm以上且18μm以下，可以为6μm以上且15μm以下，可以为6μm以上且12μm以下，可以为6μm以上且10μm以下，可以为6μm以上且8μm以下，可以为8μm以上且20μm以下，可以为8μm以上且18μm以下，可以为8μm以上且15μm以下，可以为8μm以上且12μm以下，可以为8μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且20μm以下，可以为10μm以上且18μm以下，可以为10μm以上且15μm以下，可以为10μm以上且12μm以下，可以为12μm以上且20μm以下，可以为12μm以上且18μm以下，可以为12μm以上且15μm以下，可以为15μm以上且20μm以下，可以为15μm以上且18μm以下，可以为18μm以上且20μm以下。通过将干膜抗蚀剂的厚度设为5μm以上，由此能够抑制在蚀刻中产生抗蚀剂膜的缺口的情况。另外，通过将干膜抗蚀剂的厚度设为20μm以下，由此能够提高蚀刻的精度。
作为构成支承体40的材料，例如，可以使用含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了含镍外还含有钴的超因瓦合金材等铁合金。
接下来，可以实施将第1中间体57a的掩模主体30和支承体40接合在一起的接合工序。在该接合工序中，可以是，以在俯视时支承体40的第2贯通孔45与掩模主体30的第1贯通孔35重合的方式将支承体40和掩模主体30接合在一起。此时，可以是，首先，如图10(b)所示，一边将掩模主体30和支承体40正确地定位一边将掩模主体30配置在支承体40上。此时，可以是，使掩模主体30的第1校准标识34和支承体40的第2校准标识44的位置相互对准，并使第1校准标识34和第2校准标识44的中心彼此一致，由此调整掩模主体30和支承体40的位置。
具体来说，可以以如下方式调整掩模主体30和支承体40相互的位置：在相对于支承体40来说从掩模主体30的相反侧(图11的箭头D1方向)观察时，第1校准标识34包含于第2校准标识44的内侧。例如，在设第1校准标识34的直径为W1、并设第2校准标识44的直径为W2时，(W2-W1)/2为容许校准误差。此时，如图12(a)所示，在掩模主体30的第1校准标识34整体位于第2校准标识44的内侧的情况下，判断为：该第1校准标识34和第2校准标识44处于正确的位置关系(容许校准误差的范围内)。与此相对，如图12(b)所示，在掩模主体30的第1校准标识34与第2校准标识44重合的情况下，判断为：第1校准标识34和第2校准标识44互相错开(容许校准误差的范围外)。可以是，关于所有的第1校准标识34和第2校准标识44进行这样的对位，由此，掩模主体30和支承体40的位置被配置成正确的位置关系。
接下来，可以是，从基材51侧隔着基材51对第1中间体57a的掩模主体30照射激光La，利用因照射激光La而产生的热使第2金属层37的一部分和支承体40的一部分熔化，从而通过焊接使掩模主体30和支承体40互相接合。作为激光La，例如，可以使用由YAG激光装置生成的YAG激光。作为YAG激光装置，例如可以使用具备在YAG(钇·铝·石榴石)中添加Nd(钕)而成的结晶来作为振荡用介质的激光装置。
由此，如图10(c)所示，形成将掩模主体30和支承体40接合在一起的第1接合部19a，并得到这样的第2中间体57b：其具有基材51、接合于基材51的掩模主体30、以及接合于掩模主体30的支承体40。在本实施方式中，也提供这样的第2中间体(中间体)57b。如上所述，掩模主体30和支承体40在第1校准标识34和第2校准标识44互相位置对准的状态下被接合在一起，因此，能够在俯视时使支承体40的第2贯通孔45和掩模主体30的第1贯通孔35正确地重合。并且，并不限于此，掩模主体30和支承体40也可以通过例如粘接剂等其它固定手段互相接合，或者，掩模主体30和支承体40也可以通过镀覆处理互相接合。
接下来，可以实施将基材51从第2中间体57b的掩模主体30剥离的剥离工序。在剥离工序中，可以是，首先，将第2中间体57b浸渍于能够选择性地蚀刻导电性图案52(参照图9(d))的蚀刻液中。接下来，可以将基材51从第2中间体57b剥下而使其分离。然后，可以将掩模主体30和支承体40的组合体再次浸渍于蚀刻液中，从而将附着于掩模主体30而残存的导电性图案52完全地蚀刻除去。由此，如图10(d)所示，能够得到蒸镀掩模20，其具备：掩模主体30，其具有形成有多个第1贯通孔35的镀层31；和支承体40，其接合于掩模主体30，且形成有在俯视时与多个第1贯通孔35重合的第2贯通孔45。
接下来，对制造蒸镀掩模装置10的方法进行说明。
首先，通过例如图8至图10(d)所示的方法来制作蒸镀掩模20。
接下来，可以将蒸镀掩模20接合于框架15。这种情况下，可以以在俯视时框架15的开口部15a与支承体40的第2贯通孔45重合的方式接合框架15和支承体40。此时，如图13(a)所示，可以是，蒸镀掩模20以支承体40和框架15相接触的方式被配置于框架15上。接下来，如图13(b)所示，可以是，对支承体40照射激光La，借助因照射激光La而产生的热使支承体40的一部分和框架15的一部分熔化，从而通过焊接使支承体40和框架15互相接合。
由此，如图13(c)所示，形成将支承体40和框架15接合在一起的第2接合部19b，并得到具备如下部分的蒸镀掩模装置10：蒸镀掩模20；和框架15，其接合于蒸镀掩模20的支承体40，且设有在俯视时与第2贯通孔45重合的开口部15a。并且，并不限于此，支承体40和框架15也可以通过例如粘接剂等其它固定手段互相接合。
接下来，主要参照图14(a)-图15，对如下这样的蒸镀材料的蒸镀方法进行说明：利用通过上述工序得到的蒸镀掩模装置10，将蒸镀材料98蒸镀于有机EL基板92上。
首先，如图14(a)所示，可以准备通过上述工序所得到的蒸镀掩模装置10。此时，可以是，准备收纳有蒸镀材料98的坩埚94和加热器96，并准备蒸镀装置90。
另外，可以准备有机EL基板92。
接下来，如图14(b)所示，可以将有机EL基板92设置于蒸镀掩模装置10的掩模主体30上。此时，可以是，例如直接观察有机EL基板92的未图示的校准标识和蒸镀掩模20的未图示的校准标识，以该校准标识彼此重合的方式进行有机EL基板92的定位，同时将有机EL基板92设置于蒸镀掩模装置10。
接下来，使蒸镀材料98蒸镀于有机EL基板92上，其中，该有机EL基板92被设置在蒸镀掩模装置10的掩模主体30上。此时，可以是，例如如图15所示，磁铁93被配置于有机EL基板92的与蒸镀掩模装置10相反的一侧的面上。通过像这样设置磁铁93，能够借助磁力将蒸镀掩模装置10向磁铁93侧吸引，从而能够使掩模主体30紧密贴合于有机EL基板92。接下来，可以对蒸镀装置90内排气而使其成为真空状态。然后，加热器96对坩埚94进行加热而使蒸镀材料98蒸发。然后，从坩埚94蒸发并到达蒸镀掩模装置10的蒸镀材料98穿过支承体40的第2贯通孔45和掩模主体30的第1贯通孔35而附着于有机EL基板92上(参照图1)。
这样，蒸镀材料98按照与掩模主体30的第1贯通孔35的位置相对应的所希望的图案被蒸镀于有机EL基板92上。
根据本实施方式，掩模主体30具有第1校准标识34，支承体40具有第2校准标识44。另外，第1校准标识34和第2校准标识44被设在互相重合的位置，且任意一方比另一方大。由此，通过使第1校准标识34和第2校准标识44的中心彼此一致，能够使掩模主体30和支承体40的位置正确地对准。这样，能够使掩模主体30和支承体40高精度地贴合，因此，掩模主体30的第1贯通孔35相对于支承体40的第2贯通孔45被正确地配置。其结果是，蒸镀后的蒸镀材料98的位置精度得到提高，从而能够制作出没有亮度不均和不亮等的有机EL基板92。
另外，根据本实施方式，掩模主体30的第1校准标识34在形成第1贯通孔35的工序中一起形成，支承体40的第2校准标识44在形成第2贯通孔45的工序中一起形成，因此，无需另行设置形成校准标识的工序。
并且，能够对本实施方式施加各种变形。以下，根据需要，参照附图对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够和本实施方式相同地构成的部分，使用与本实施方式中的对应部分所使用的标号相同的标号，并省略重复的说明。另外，在本实施方式所得到的作用效果很明显也能够在变形例中得到的情况下，有时也省略其说明。
图16至图19是示出第1校准标识和第2校准标识的变形例的图。图16至图19是示出将掩模主体30和支承体40定位的状态的图，并且是与上述的图11对应的图。
在上述的实施方式中，以第2校准标识44在俯视时比第1校准标识34大的情况为例进行了说明。可是，不限于此，如图16所示，也可以是，在俯视时，第1校准标识34大于第2校准标识44。这种情况下，能够从具有透光性的基材51侧(图16的箭头D2方向)进行第1校准标识34和第2校准标识44的对位。
在上述的实施方式中，以第2校准标识44是贯通孔的情况为例进行了说明。可是，不限于此，如图17所示，第1校准标识34也可以是形成在基材51上的岛状的突起。这种情况下，第1校准标识34由镀层31形成，且具有在俯视时与第2校准标识44相似的形状。例如，在第2校准标识44的平面形状是圆形状的情况下，第1校准标识34可以具有圆柱形状。另外，在图17中，在俯视时，第2校准标识44可以大于第1校准标识34。即，在俯视时，第1校准标识34包含于第2校准标识44中。在基材51是由透光性的材料(例如玻璃材料)制作成的情况下，能够从支承体40侧(图17的箭头D1方向)和基材51侧(图17的箭头D2方向)中的任意侧的方向进行第1校准标识34和第2校准标识44的对位。另一方面，在基材51是由不透光性的材料(例如金属材料)制作成的情况下(例如参照后述的图21(a)-图21(e))，能够从支承体40侧(图17的箭头D1方向)进行第1校准标识34和第2校准标识44的对位。
在上述的实施方式中，以第2校准标识44是贯通孔的情况为例进行了说明。可是，不限于此，如图18所示，第2校准标识44也可以是凹陷至支承体40的厚度方向中途且在掩模主体30侧开口的非贯通孔。该第2校准标识44可以通过例如半蚀刻(蚀刻至支承体40的厚度方向中途的方法)形成于支承体40。另一方面，第1校准标识34是形成在基材51上的岛状的突起。第2校准标识44在俯视时具有与第1校准标识34相似的形状。例如，在第2校准标识44的平面形状是圆形状的情况下，第1校准标识34可以具有圆柱形状。在图18中，在俯视时，第2校准标识44大于第1校准标识34。这种情况下，能够从具有透光性的基材51侧(图18的箭头D2方向)进行第1校准标识34和第2校准标识44的对位。这样，通过使第2校准标识44为非贯通孔，由此，在将蒸镀材料98蒸镀于有机EL基板92上时，蒸镀材料98不会通过第2校准标识44，因此，蒸镀材料98不会附着于有机EL基板92上的不必要的位置。
另外，如图19所示，可以是，第2校准标识44是凹陷至支承体40的厚度方向中途且在掩模主体30侧开口的非贯通孔，第1校准标识34是贯通孔。其中，第2校准标识44可以通过例如半蚀刻(蚀刻至支承体40的厚度方向中途的方法)形成于支承体40。另外，第2校准标识44在俯视时具有与第1校准标识34相似的形状。在图19中，在俯视时，第1校准标识34大于第2校准标识44。这种情况下，能够从具有透光性的基材51侧(图19的箭头D2方向)进行第1校准标识34和第2校准标识44的对位。这样，通过使第2校准标识44为非贯通孔，由此，在将蒸镀材料98蒸镀于有机EL基板92上时，蒸镀材料98不会通过第2校准标识44，因此，蒸镀材料98不会附着于有机EL基板92上的不必要的位置。
另外，如图20所示，可以是，第1校准标识34是凹陷至掩模主体30的厚度方向中途且在支承体40侧开口的非贯通孔，第2校准标识44是贯通孔。第1校准标识34可以在俯视时具有与第2校准标识44相似的形状。在图20中，在俯视时，第2校准标识44大于第1校准标识34。这种情况下，能够从支承体40侧进行第1校准标识34和第2校准标识44的对位。并且，第2校准标识44可以具有岛状的突起(参照图17)。
另外，在上述的实施方式中，针对使镀层31在导电性图案52上析出的例子进行了说明。可是，不限于此，也可以在基材51上直接析出镀层31。这种情况下，首先，准备由具有导电性的材料、例如不锈钢或黄铜钢构成的基材51(图21(a))。接着，在具有导电性的基材51上涂敷抗蚀剂53a并使其干燥(图21(b))。接下来，隔着光掩模对该基材51进行曝光并进行显影，由此在基材51上形成具有规定的图案的抗蚀剂图案53(图21(c))。接下来，如图21(d)所示，将镀覆液供给至形成有抗蚀剂图案53的基材51上，使镀层31在基材51上析出。然后，如图21(e)所示，通过除去抗蚀剂图案53，由此能够使镀层31在基材51上析出。并且，虽然未图示，但也可以是，镀层31具备设在第1金属层32上的第2金属层37，从而以2层结构形成。
接下来，通过图22至图32(h)对第2实施方式进行说明。图22至图32(h)是示出第2实施方式的图。在图22至图32(h)中，对于与图1至图21(e)所示的第1实施方式相同的部分，标记相同的标号并省略详细的说明。并且，以下，主要以与第1实施方式不同的点为中心进行说明。
首先，利用图22至图25对本实施方式的蒸镀掩模的结构进行说明。
如图22和图23所示，本实施方式的蒸镀掩模20A可以具备：金属层(金属掩模)60，其设有缝隙61；和树脂掩模70，其层叠于金属层60，且设有与待蒸镀制作的图案相对应的多个开口部71。另外，可以是，支承体40接合于金属层60。并且，可以是，掩模主体30A由互相层叠的金属层60和树脂掩模70构成。
该蒸镀掩模20A是为了同时形成多个画面的量的蒸镀图案而使用的蒸镀掩模，能够通过1个蒸镀掩模20A同时形成与多个制品对应的蒸镀图案。在此，“开口部”是指欲利用蒸镀掩模20A制作的图案，例如，在将该蒸镀掩模用于有机EL显示器中的有机层的形成的情况下，开口部71的形状成为该有机层的形状。另外，“1个画面”由与1个制品相对应的开口部71的集合体构成，在该1个制品为有机EL显示器的情况下，形成1个有机EL显示器所需要的有机层的集合体、即成为有机层的开口部71的集合体为“1个画面”。并且，关于蒸镀掩模20A，在应该同时形成多个画面的量的蒸镀图案的树脂掩模70上，隔开规定的间隔以多个画面的量配置有上述“1个画面”。即，在树脂掩模70上，设有构成多个画面所需要的开口部71。
掩模主体30A的金属层60可以设在树脂掩模70的一个面(支承体40侧的面)上。金属层60在俯视时具有长方形形状。另外，在金属层60上，可以形成有多个缝隙61。缝隙61的形状在俯视时可以为大致多边形。在此，示出了这样的例子：缝隙61的形状为大致四边形，更具体来说为大致正方形。另外，虽然未图示，但缝隙61的形状也可以是大致六边形或大致八边形等其它的大致多边形。并且，“大致多边形”是包括多边形的角部被倒圆角而成的形状在内的概念。另外，虽然未图示，但缝隙61的形状也可以是圆形。并且，缝隙61与开口同义。
另外，缝隙61可以设在与开口部71重合的位置。这种情况下，可以是，在俯视时，1个开口部71被配置于1个缝隙61的内侧。关于缝隙61的配置例，并不特别限定，缝隙61可以沿纵向和横向配置多列，在纵向上延伸的缝隙61可以沿横向配置多列，在横向上延伸的缝隙61可以沿纵向配置多列。另外，也可以沿纵向或横向仅配置1列。
关于金属层60的材料，并不特别限定，能够适当地选择以往在蒸镀掩模的领域中公知的材料来使用，例如，能够列举出不锈钢、铁镍合金、铝合金等金属材料。其中，对于作为铁镍合金的因瓦合金材来说，由于由热所引起的变形较小，因此能够恰当地采用。
关于金属层60的厚度Ta，也不特别限定，但为了更有效地防止遮蔽的发生，优选为100μm以下，更优选为50μm以下，特别优选为35μm以下。并且，通过使金属层60的厚度Ta厚于5μm，由此，能够降低金属层60断裂和变形的风险，并且能够确保可操作性。并且，遮蔽是指这样的现象：从蒸镀源释放出的蒸镀材料的一部分撞上金属层60的缝隙61的内壁面而没有到达蒸镀对象物，由此产生比目标蒸镀膜厚薄的膜厚的未蒸镀部分。特别是，随着使开口部71的形状微细化，遮蔽的影响变大。
掩模主体30A的树脂掩模70可以设于金属层60的另一个面(与支承体40相反的一侧的面)上。树脂掩模70在俯视时具有长方形形状。这种情况下，树脂掩模70具有与金属层60相同的外形形状，但不限于此，树脂掩模70和金属层60也可以具有不同的外形形状。
在树脂掩模70上，可以设有为了构成多个画面而需要的开口部71。多个开口部71可以设置于在将金属层60和树脂掩模70层叠时与金属层60的缝隙61重合的位置。各开口部71在俯视时可以为大致多边形状。在此，示出了这样的例子：开口部71为大致四边形状，更具体来说为大致正方形状。另外，虽然未图示，但开口部71也可以是大致六边形状或大致八边形状等其它的大致多边形状。另外，虽然未图示，但开口部71也可以是圆形状。
关于树脂掩模70，可以适当地选择以往公知的树脂材料来使用，其材料并不特别限定，但优选采用这样的材料：其能够通过激光加工等形成高精细的开口部71，热和经时的尺寸变化率以及吸湿率小，并且轻量。作为这样的材料，能够列举出聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚乙烯醇树脂、聚丙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯腈树脂、乙烯醋酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-乙烯醇共聚物树脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、玻璃纸、离聚物树脂等。在上述所例示的材料中，热膨胀系数为16ppm/℃以下的树脂材料是优选的，吸湿率为1.0％以下的树脂材料是优选的，具备这两个条件的树脂材料特别优选。通过形成为使用了该树脂材料的树脂掩模，由此，能够提高开口部71的尺寸精度，并且能够减小热或经时的尺寸变化率或者吸湿率。
关于树脂掩模70的厚度Tb，也不特别限定，但树脂掩模70的厚度Tb例如可以为3μm以上，可以为4μm以上，可以为6μm以上，可以为8μm以上。另外，树脂掩模70的厚度Tb例如可以为10μm以下，可以为15μm以下，可以为20μm以下，可以为25μm以下。树脂掩模70的厚度Tb的范围可以由第1组和/或第2组来限定，其中，所述第1组由3μm、4μm、6μm以及8μm构成，所述第2组由10μm、15μm、20μm以及25μm构成。树脂掩模70的厚度Tb的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。树脂掩模70的厚度Tb的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。树脂掩模70的厚度Tb的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为3μm以上且25μm以下，可以为3μm以上且20μm以下，可以为3μm以上且15μm以下，可以为3μm以上且10μm以下，可以为3μm以上且8μm以下，可以为3μm以上且6μm以下，可以为3μm以上且4μm以下，可以为4μm以上且25μm以下，可以为4μm以上且20μm以下，可以为4μm以上且15μm以下，可以为4μm以上且10μm以下，可以为4μm以上且8μm以下，可以为4μm以上且6μm以下，可以为6μm以上且25μm以下，可以为6μm以上且20μm以下，可以为6μm以上且15μm以下，可以为6μm以上且10μm以下，可以为6μm以上且8μm以下，可以为8μm以上且25μm以下，可以为8μm以上且20μm以下，可以为8μm以上且15μm以下，可以为8μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且25μm以下，可以为10μm以上且20μm以下，可以为10μm以上且15μm以下，可以为15μm以上且25μm以下，可以为15μm以上且20μm以下，可以为20μm以上且25μm以下。通过将树脂掩模70的厚度Tb设在该范围内，由此能够降低小孔等缺陷和变形等的风险，并且能够有效地防止遮蔽的发生。特别是，通过将树脂掩模70的厚度Tb设为3μm以上且10μm以下(更优选设为4μm以上且8μm以下)，由此，能够更有效地防止在形成超过400ppi的高精细图案时的、遮蔽的影响。
支承体40可以设置于金属层60的一个面(与树脂掩模70相反的一侧的面)上。可以是，在支承体40上形成有多个第2贯通孔45，各第2贯通孔45分别形成为与1个画面对应的大小。另外，对于第2贯通孔45来说，可以配置成在俯视时与多个缝隙61和多个开口部71重合。
并且，支承体40的结构与第1实施方式的情况大致相同，因此，在此省略详细的说明。另外，虽然未图示，但也可以是：在支承体40的一个面(与金属层60相反的一侧的面)上还设有与第1实施方式的情况相同的框架15，从而构成了具备掩模主体30A、支承体40以及框架15的蒸镀掩模装置。
如图24和图25所示，可以是，蒸镀掩模20的掩模主体30A具有第1校准标识34A，支承体40具有第2校准标识44。该第1校准标识34A和第2校准标识44是为了如后述那样对第2中间体75b的金属层60及树脂掩模70、和支承体40正确地定位而设置的。并且，在将第2中间体75b的金属层60及树脂掩模70和支承体40正确地定位时，可以使第1校准标识34A和第2校准标识44的中心彼此一致。因此，第1校准标识34A和第2校准标识44可以设置于在俯视时互相重合的位置。另外，第1校准标识34A和第2校准标识44的大小互不相同，具体来说，第2校准标识44可以大于第1校准标识34A。
这种情况下，第1校准标识34A可以是在厚度方向上贯通构成掩模主体30A的金属层60及树脂掩模70的贯通孔。另外，第2校准标识44可以是在厚度方向上贯通支承体40的贯通孔。因此，在从支承体40方向(图25的箭头D1方向)观察的情况下，作为贯通孔的第1校准标识34A可以包含于作为贯通孔的第2校准标识44的内侧。因此，可以是，在金属层60及树脂掩模70、和支承体40被正确地定位时，第1校准标识34A的外缘整体位于第2校准标识44的内侧。
第1校准标识34A和第2校准标识44的形状可以分别在俯视时为圆形。
第2校准标识44的直径(宽度)W4例如可以为0.15mm以上，可以为0.3mm以上，可以为0.5mm以上，可以为0.8mm以上。另外，第2校准标识44的直径(宽度)W4例如可以为1.0mm以下，可以为1.5mm以下，可以为2.0mm以下，可以为2.5mm以下。第2校准标识44的直径(宽度)W4的范围可以由第1组和/或第2组来限定，其中，所述第1组由0.15mm、0.3mm、0.5mm以及0.8mm构成，所述第2组由1.0mm、1.5mm、2.0mm以及2.5mm构成。第2校准标识44的直径(宽度)W4的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2校准标识44的直径(宽度)W4的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2校准标识44的直径(宽度)W4的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.15mm以上且2.5mm以下，可以为0.15mm以上且2.0mm以下，可以为0.15mm以上且1.5mm以下，可以为0.15mm以上且1.0mm以下，可以为0.15mm以上且0.8mm以下，可以为0.15mm以上且0.5mm以下，可以为0.15mm以上且0.3mm以下，可以为0.3mm以上且2.5mm以下，可以为0.3mm以上且2.0mm以下，可以为0.3mm以上且1.5mm以下，可以为0.3mm以上且1.0mm以下，可以为0.3mm以上且0.8mm以下，可以为0.3mm以上且0.5mm以下，可以为0.5mm以上且2.5mm以下，可以为0.5mm以上且2.0mm以下，可以为0.5mm以上且1.5mm以下，可以为0.5mm以上且1.0mm以下，可以为0.5mm以上且0.8mm以下，可以为0.8mm以上且2.5mm以下，可以为0.8mm以上且2.0mm以下，可以为0.8mm以上且1.5mm以下，可以为0.8mm以上且1.0mm以下，可以为1.0mm以上且2.5mm以下，可以为1.0mm以上且2.0mm以下，可以为1.0mm以上且1.5mm以下，可以为1.5mm以上且2.5mm以下，可以为1.5mm以上且2.0mm以下，可以为2.0mm以上且2.5mm以下。
第1校准标识34A的直径(宽度)W3例如可以为第2校准标识44的直径(宽度)W4的2％以上，可以为5％以上，可以为10％以上，可以为20％以上。另外，W3与W4的比率例如可以为40％以下，可以为60％以下，可以为80％以下，可以为98％以下。W3与W4的比率的范围可以由第1组和/或第2组来限定，其中，所述第1组由2％、5％、10％以及20％构成，所述第2组由40％、60％、80％以及98％构成。W3与W4的比率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。W3与W4的比率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。W3与W4的比率的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为2％以上且98％以下，可以为2％以上且80％以下，可以为2％以上且60％以下，可以为2％以上且40％以下，可以为2％以上且20％以下，可以为2％以上且10％以下，可以为2％以上且5％以下，可以为5％以上且98％以下，可以为5％以上且80％以下，可以为5％以上且60％以下，可以为5％以上且40％以下，可以为5％以上且20％以下，可以为5％以上且10％以下，可以为10％以上且98％以下，可以为10％以上且80％以下，可以为10％以上且60％以下，可以为10％以上且40％以下，可以为10％以上且20％以下，可以为20％以上且98％以下，可以为20％以上且80％以下，可以为20％以上且60％以下，可以为20％以上且40％以下，可以为40％以上且98％以下，可以为40％以上且80％以下，可以为40％以上且60％以下，可以为60％以上且98％以下，可以为60％以上且80％以下，可以为80％以上且98％以下。
第1校准标识34A和第2校准标识44的俯视时的形状分别不限于圆形，也可以是椭圆形、多边形、十字形等。这种情况下，第1校准标识34A和第2校准标识44的俯视时的形状是彼此相似的形状，但不限于此，也可以是不相似的形状(例如是圆形和多边形)。
如图22所示，第1校准标识34A和第2校准标识44可以分别形成于蒸镀掩模20中的、构成1个画面的区域之外的区域。具体来说，第1校准标识34A和第2校准标识44可以分别在掩模主体30A的四角共计配置有4个。可是，关于第1校准标识34A和第2校准标识44的配置位置及个数，只要在掩模主体30A和支承体40重合的位置设有1个或多个即可，并不限定于此。
接下来，利用图26(a)-图26(h)，对本实施方式的蒸镀掩模的制造方法进行说明。图26(a)-图26(h)是用于说明本实施方式的蒸镀掩模的制造方法的工序图。
首先，如图26(a)所示，可以准备基材51。作为该基材51，可以与第1实施方式的情况相同地采用玻璃、合成树脂、金属等。在此，对使用具有透光性的玻璃材料来作为基材51的例子进行说明。
接下来，如图26(b)所示，可以在基材51上形成树脂层70A。该树脂层70A用于制作上述的蒸镀掩模20A的树脂掩模70。具体来说，在基材51的表面的大致整个区域涂敷例如聚酰亚胺清漆等树脂溶液，并对其加热而使其干燥，由此得到树脂层70A。涂敷树脂溶液的厚度例如可以为2μm以上且30μm以下。
接着，如图26(c)所示，可以在树脂层70A上涂敷感光性抗蚀剂并使其干燥。接着，可以是，隔着光掩模对该感光性抗蚀剂进行曝光并进行显影，由此形成具有与缝隙61对应的图案的抗蚀剂层66。并且，虽然在图26(c)中没有示出，但也可以是：在与第1校准标识34A对应的位置也形成抗蚀剂层66。
接下来，如图26(d)所示，可以是，在树脂层70A上形成由例如镍、钯等金属构成的未图示的籽晶层，接下来，对基材51和树脂层70A实施电镀。由此，可以是，使得镍、镍合金等金属在形成于树脂层70A的籽晶层上的、不存在抗蚀剂层66的部分析出，形成金属层60。
接着，如图26(e)所示，可以是，依次除去抗蚀剂层66和籽晶层，由此在树脂层70A上形成设有缝隙61的金属层60。这样，得到了具有如下部分的第1中间体75a：设有缝隙61的金属层60；层叠于金属层60的树脂层70A；以及层叠于树脂层70A的基材51。此时，可以是，在金属层60上形成有在厚度方向上贯通金属层60的贯通孔64(参照图27(a))。该贯通孔64可以构成第1校准标识34A的一部分。
接下来，如图26(f)所示，可以是，从金属层60侧对第1中间体75a的树脂层70A照射激光(参照图26(f)的箭头)，形成与待蒸镀制作的图案相对应的开口部71。由此，得到设有开口部71的树脂掩模70。作为该激光，可以使用例如波长为248nm的KrF准分子激光、或波长为355nm的YAG激光。这种情况下，可以是，使用与待蒸镀制作的图案相对应的未图示的激光用掩模，在该激光用掩模与第1中间体75a之间设置聚光透镜，并通过使用了所谓的缩小投影光学系统的激光加工法，来形成开口部71。这样，得到了具有如下部分的第2中间体75b：设有缝隙61的金属层60；设有开口部71的树脂掩模70；以及层叠于树脂掩模70的基材51。
此时，可以是，在树脂掩模70上形成有在厚度方向上贯通树脂掩模70的贯通孔74(参照图27(b))。可以是，通过该树脂掩模70的贯通孔74和金属层60的贯通孔64形成第1校准标识34A。并且，在图27(b)中，树脂掩模70的贯通孔74和金属层60的贯通孔64具有彼此相同的直径，但不限于此，树脂掩模70的贯通孔74的直径也可以小于金属层60的贯通孔64的直径。
接下来，如图26(g)所示，可以是，准备支承体40，并将支承体40接合于第2中间体75b的金属层60。此时，可以是，以在俯视时支承体40的第2贯通孔45与金属层60的缝隙61和树脂掩模70的开口部71重合的方式来接合支承体40和金属层60。此时，首先，一边将第2中间体75b和支承体40正确地定位，一边将第2中间体75b配置到支承体40上。这期间，如图27(c)所示，可以是，使第2中间体75b的第1校准标识34A和支承体40的第2校准标识44的位置相互对准，并使第1校准标识34A和第2校准标识44的中心彼此一致，由此来调整第2中间体75b和支承体40的位置。此外，对于准备支承体40的工序、和接合支承体40的工序，能够与第1实施方式的情况相同地执行。这样，得到了具有如下部分的第3中间体75c：基材51；接合于基材51的掩模主体30A；以及接合于掩模主体30A的支承体40。在本实施方式中，也可以提供这样的第3中间体(中间体)75c。
然后，如图26(h)所示，将基材51从树脂层70A除去。具体来说，可以是，从第3中间体75c的基材51侧照射激光，由此将基材51从树脂层70A剥离。由此，得到了具备如下部分的蒸镀掩模20A：掩模主体30A；和接合于掩模主体30A的支承体40。
并且，关于通过使用了本实施方式的蒸镀掩模20A的蒸镀法来制造有机EL显示装置的方法，与第1实施方式的情况相同。
根据本实施方式，掩模主体30A具有第1校准标识34A，支承体40具有第2校准标识44。另外，第1校准标识34A和第2校准标识44被设置于在俯视时互相重合的位置，且任意一方比另一方大。由此，通过使第1校准标识34A和第2校准标识44的中心彼此一致，能够使金属层60及树脂掩模70与支承体40的位置正确地对准。这样，能够使金属层60及树脂掩模70与支承体40高精度地贴合，因此，金属层60的缝隙61和树脂掩模70的开口部71相对于支承体40的第2贯通孔45被正确地配置。其结果是，蒸镀后的蒸镀材料98的位置精度得到提高，从而能够制作出没有亮度不均和不亮等的有机EL基板92。
并且，能够对本实施方式施加各种变形。以下，根据需要，参照附图对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够和本实施方式相同地构成的部分，使用与本实施方式中的对应部分所使用的标号相同的标号，并省略重复的说明。另外，在本实施方式所得到的作用效果很明显也能够在变形例中得到的情况下，有时也省略其说明。
图28至图31是示出第1校准标识和第2校准标识的变形例的图。图28至图31是示出将第2中间体75b和支承体40定位的状态的图，并且是与上述的图27(c)对应的图。
在上述的实施方式中，以第2校准标识44在俯视时比第1校准标识34A大的情况为例进行了说明。可是，不限于此，如图28所示，也可以是，在俯视时，第1校准标识34A大于第2校准标识44。这种情况下，能够从具有透光性的基材51侧(图28的箭头D2方向)进行第1校准标识34A和第2校准标识44的对位。
在上述的实施方式中，以第2校准标识44是贯通孔的情况为例进行了说明。可是，不限于此，如图29所示，第1校准标识34A也可以是形成在基材51上的岛状的突起。这种情况下，第1校准标识34A由金属层60和树脂掩模70(掩模主体30A)的一部分形成，且具有在俯视时与第2校准标识44相似形状。例如，在第2校准标识44的平面形状是圆形状的情况下，第1校准标识34A可以具有圆柱形状。即，在俯视时，第1校准标识34A包含于第2校准标识44中。另外，在图29中，在俯视时，第2校准标识44可以大于第1校准标识34A。在基材51是由透光性的材料(例如玻璃材料)制作成的情况下，能够从支承体40侧(图29的箭头D1方向)和基材51侧(图29的箭头D2方向)中的任意侧的方向进行第1校准标识34A和第2校准标识44的对位。另一方面，在基材51是由不透光性的材料(例如金属材料)制作成的情况下，能够从支承体40侧(图29的箭头D1方向)进行第1校准标识34A和第2校准标识44的对位。
在上述的实施方式中，以第2校准标识44是贯通孔的情况为例进行了说明。可是，不限于此，如图30所示，第2校准标识44也可以是凹陷至支承体40的厚度方向中途且在掩模主体30A侧开口的非贯通孔。该第2校准标识44可以通过例如半蚀刻(蚀刻至支承体40的厚度方向中途的方法)形成于支承体40。另一方面，第1校准标识34A可以是形成在基材51上的岛状的突起。第2校准标识44可以在俯视时具有与第1校准标识34A相似的形状。例如，在第2校准标识44的俯视时的形状为圆形的情况下，第1校准标识34A可以具有圆柱形状。在图30中，在俯视时，第2校准标识44大于第1校准标识34A。这种情况下，能够从具有透光性的基材51侧(图30的箭头D2方向)进行第1校准标识34A和第2校准标识44的对位。这样，通过使第2校准标识44为非贯通孔，由此，在将蒸镀材料98蒸镀于有机EL基板92上时，蒸镀材料98不会通过第2校准标识44，因此，蒸镀材料98不会附着于有机EL基板92上的不必要的位置。
另外，如图31所示，可以是，第2校准标识44是凹陷至支承体40的厚度方向中途且在掩模主体30A侧开口的非贯通孔，第1校准标识34A是贯通孔。其中，第2校准标识44可以通过例如半蚀刻(蚀刻至支承体40的厚度方向中途的方法)形成于支承体40。另外，第2校准标识44的形状在俯视时具有与第1校准标识34A相似的形状。在图31中，在俯视时，第1校准标识34A大于第2校准标识44。这种情况下，能够从具有透光性的基材51侧(图31的箭头D2方向)进行第1校准标识34A和第2校准标识44的对位。这样，通过使第2校准标识44为非贯通孔，由此，在将蒸镀材料98蒸镀于有机EL基板92上时，蒸镀材料98不会通过第2校准标识44，因此，蒸镀材料98不会附着于有机EL基板92上的不必要的位置。
另外，在上述的实施方式中，以如下情况为例进行了说明：在对树脂层70A照射激光而形成开口部71之后，将支承体40接合于金属层60(图26(f)、图26(g))。可是，不限于此，如图32(a)-图32(h)所示，也可以是，在将支承体40接合于金属层60之后，对树脂层70A照射激光而形成开口部71。这种情况下，第1校准标识34A可以由在厚度方向上贯通金属层60的贯通孔形成。通过将该金属层60的第1校准标识34A与支承体40的第2校准标识44对位，由此能够正确地进行第1中间体57a与支承体40的定位。
接下来，参照图33至图40，对上述的第1实施方式和第2实施方式中的支承体40的各种变形例进行说明。
如图33所示，在从两面通过蚀刻制作支承体40的第2校准标识44的情况下，第2校准标识44可以具有开口的面积在厚度方向上变化的形状。这种情况下，支承体40可以具有：位于掩模主体30侧的第1面40a；和位于掩模主体30的相反侧的第2面40b。第2校准标识44可以在截面中具有：第1面40a侧的第1壁部44a；第2面40b侧的第2壁部44b；以及位于第1壁部44a与第2壁部44b之间的顶部47。第1壁部44a和第2壁部44b分别为弯曲面。另外，第2校准标识44在顶部47处面积最小，第2校准标识44的直径(宽度)W2在该顶部47处被规定。可以是，顶部47处于支承体40的厚度方向的大致中央，且处于距第1面40a和第2面40b大致等距离的位置。这样，通过使顶部47形成于支承体40的厚度方向的大致中央，由此能够降低支承体40的翘曲。像这样能够降低支承体40的翘曲是由于：在通过蚀刻轧制件而形成了支承体40的情况下，虽然轧制件具有因轧制工序而引起的残留应力，但是，通过从轧制件的正反面均等地进行蚀刻，由此，能够均等地除去具有残留应力的部分。在从正反面不均等地进行了蚀刻的情况下，例如在后述的图34的支承体40中，第1面40a侧的蚀刻量少，从而第1面40a侧的残留应力变大，因此，根据条件而可能在支承体40上产生翘曲。
另外，如图34所示，在截面中，顶部47可以处于从支承体40的厚度方向的大致中央偏移的位置。具体来说，顶部47可以位于比支承体40的厚度方向的大致中央靠第1面40a侧的位置。这种情况下，构成第2校准标识44的贯通孔的第2面40b侧比第1面40a侧大。另外，第2校准标识44在顶部47处面积最小，第2校准标识44的直径(宽度)W2在该顶部47处被规定。这种情况下，能够高精度地形成第2校准标识44的直径(宽度)W2，从而能够提高掩模主体30和支承体40的校准精度。其理由如以下所述。即，在从正反两面蚀刻支承体40而形成贯通孔(第2校准标识44)的情况下，从第1面40a侧形成凹部(第1蚀刻，小孔)，并利用树脂掩埋该凹部，并且从第2面40b侧通过第2蚀刻(大孔)形成贯通孔。此时，对于第2校准标识44的直径(宽度)W2来说，第1蚀刻成为支配性的蚀刻，因此容易提高精度。
如图35所示，支承体40可以包含：位于掩模主体30侧的第1支承基板81；和位于第1支承基板81上的第2支承基板82。第1支承基板81和第2支承基板82可以互相层叠。由此，能够使支承体40的厚度增厚至例如300μm以上。在例如掩模主体30包含镀层或树脂层的情况等、掩模主体30的应力较大的情况下，通过增大支承体40的厚度，能够抑制蒸镀掩模20的变形。另外，通过使分别准备的第1支承基板81和第2支承基板82互相贴合，由此能够提高支承体40的生产率。在支承体40包含2个以上的层的情况下，能够减小构成支承体40的各层(例如第1支承基板81和第2支承基板82)的厚度。这种情况下，在构成支承体40的各层中，能够以短时间进行用于形成贯通孔(例如第1部分81a和第2部分82a)的蚀刻工序。因此，能够提高制作支承体40时的生产率。
在图35中，第2校准标识44包含：第1支承基板81的第1部分81a；和第2支承基板82的第2部分82a。第1部分81a在俯视时比第2部分82a小。第2校准标识44的第1部分81a和第2部分82a可以分别具有与图33所示的第2校准标识44的截面形状大致相同的截面形状。第2校准标识44的直径(宽度)W2在第2部分82a的顶部47处被规定。这样，通过使第2校准标识44的第1部分81a比第2部分82a小，由此，在将第1支承基板81和第2支承基板82层叠来制作支承体40时，能够容易地进行第1部分81a和第2部分82a的校准。另外，通过使第1部分81a的顶部47和第2部分82a的顶部47分别形成于厚度方向的大致中央，由此能够降低第1支承基板81和第2支承基板82的翘曲。
并且，第1支承基板81和第2支承基板82可以是彼此相同的厚度，也可以是任意一方较厚。例如可以使第1支承基板81的厚度比第2支承基板82的厚度薄。由此，能够容易制作在俯视时比第2部分82a小的第1部分81a。并且，也可以使第1支承基板81的厚度比第2支承基板82的厚度厚。
第1支承基板81和第2支承基板82可以通过焊接互相接合。或者，第1支承基板81和第2支承基板82也可以通过粘接剂互相接合。这种情况下，如图36所示，可以通过镀层84覆盖第1部分81a的内壁面和第2部分82a的内壁面。由此，在使用了蒸镀掩模20的蒸镀工序中的减压时，能够抑制在粘接剂中残留的单体从第1支承基板81与第2支承基板82之间释放出来。
如图37所示，支承体40可以包含：位于掩模主体30侧的第1支承基板81；和位于第1支承基板81上的第2支承基板82。可以是，第2校准标识44包含第1支承基板81的第1部分81a和第2支承基板82的第2部分82a，且第1部分81a在俯视时比第2部分82a小。可以是，第1部分81a具有与图34所示的第2校准标识44的截面形状大致相同的截面形状，第2部分82a具有与图33所示的第2校准标识44的截面形状大致相同的截面形状。第1部分81a的顶部47可以位于第1支承基板81的比厚度方向的大致中央靠掩模主体30侧的位置。这种情况下，能够高精度地形成第2校准标识44的直径(宽度)W2，从而能够提高掩模主体30和支承体40的校准精度。
另外，在图37中，第2校准标识44的直径(宽度)W2大于第1校准标识34的直径(宽度)W1(W2＞W1)，但不限于此，也可以如图38所示那样为：第2校准标识44的直径(宽度)W2小于第1校准标识34的直径(宽度)W1(W2＜W1)。
如图39所示，支承体40也可以包含3层的支承基板。这种情况下，支承体40可以包含：位于掩模主体30侧的第1支承基板81；位于第1支承基板81上的第2支承基板82；以及位于第2支承基板82上的第3支承基板83。这些第1支承基板81、第2支承基板82以及第3支承基板83可以互相层叠。由此，能够使支承体40的厚度更厚。另外，能够抑制蒸镀掩模20的变形。另外，通过使分别准备的第1支承基板81、第2支承基板82以及第3支承基板83互相贴合，能够提高支承体40的生产率。
在图39中，第2校准标识44包含：第1支承基板81的第1部分81a；第2支承基板82的第2部分82a；以及第3支承基板83的第3部分83a。可以是，第1部分81a在俯视时比第2部分82a小。另外，可以是，第3部分83a在俯视时比第1部分81a大。并且，第3部分83a可以在俯视时比第2部分82a大(参照图39)，也可以在俯视时比第2部分82a小(参照图40)。并且，虽然未图示，但支承体40也可以包含4层以上的支承基板。
可以根据需要将在上述各实施方式和变形例中公开的多个构成要素适当地组合。或者，也可以从上述各实施方式和变形例所公开的所有的构成要素中削除一些构成要素。

Claims (16)

1.一种蒸镀掩模，其特征在于，
所述蒸镀掩模具备：
掩模主体；和
支承体，其接合于所述掩模主体，
所述掩模主体具有第1校准标识，所述支承体具有第2校准标识，
所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置，并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述掩模主体具有形成有多个贯通孔的镀层。
3.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述掩模主体具有互相层叠的金属层和树脂掩模。
4.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述第1校准标识是形成于所述掩模主体的贯通孔。
5.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述第2校准标识是形成于所述支承体的贯通孔。
6.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述第2校准标识是凹陷至所述支承体的厚度方向中途的非贯通孔。
7.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，
所述支承体包含：位于所述掩模主体侧的第1支承基板；和位于所述第1支承基板上的第2支承基板，所述第2校准标识包含：所述第1支承基板的第1部分；和所述第2支承基板的第2部分，所述第1部分在俯视时比所述第2部分小。
8.一种蒸镀掩模装置，其特征在于，
所述蒸镀掩模装置具备：
权利要求1所述的蒸镀掩模；和
框架，其接合于所述蒸镀掩模的支承体。
9.一种中间体，其特征在于，
所述中间体具备：
基材；
掩模主体，其接合于所述基材；以及
支承体，其接合于所述掩模主体，
所述掩模主体具有第1校准标识，所述支承体具有第2校准标识，
所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置，并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大。
10.根据权利要求9所述的中间体，其特征在于，
所述掩模主体具有形成有多个贯通孔的镀层。
11.根据权利要求9所述的中间体，其特征在于，
所述掩模主体具有互相层叠的金属层和树脂掩模。
12.根据权利要求9所述的中间体，其特征在于，
所述第1校准标识是形成于所述掩模主体的贯通孔。
13.根据权利要求9所述的中间体，其特征在于，
所述第1校准标识是形成于所述基材上的岛状的突起。
14.根据权利要求9所述的中间体，其特征在于，
所述第2校准标识是形成于所述支承体的贯通孔。
15.根据权利要求9所述的中间体，其特征在于，
所述第2校准标识是凹陷至所述支承体的厚度方向中途的非贯通孔。
16.根据权利要求9所述的中间体，其特征在于，
所述支承体包含：位于所述掩模主体侧的第1支承基板；和位于所述第1支承基板上的第2支承基板，所述第2校准标识包含：所述第1支承基板的第1部分；和所述第2支承基板的第2部分，所述第1部分在俯视时比所述第2部分小。
CN202020146633.4U 2019-01-29 2020-01-23 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体 Active CN213232465U (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-013549 2019-01-29
JP2019013549 2019-01-29
JP2019235052A JP7406719B2 (ja) 2019-01-29 2019-12-25 蒸着マスク及びその製造方法、蒸着マスク装置及びその製造方法、中間体、蒸着方法、並びに有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2019-235052 2019-12-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN213232465U true CN213232465U (zh) 2021-05-18

Family

ID=71992275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020146633.4U Active CN213232465U (zh) 2019-01-29 2020-01-23 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11501992B2 (zh)
JP (1) JP7406719B2 (zh)
KR (1) KR20200094094A (zh)
CN (1) CN213232465U (zh)
TW (2) TW202419649A (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019130389A1 (ja) * 2017-12-25 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着マスク、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR20200096877A (ko) 2019-02-06 2020-08-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 장치, 마스크 지지 기구 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
KR20220056914A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치
US20220205076A1 (en) * 2020-12-25 2022-06-30 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Mask sheet and mask device
CN113328010A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 安徽华晟新能源科技有限公司 一种太阳能电池的制备方法
CN118625613A (zh) * 2024-08-13 2024-09-10 合肥晶合集成电路股份有限公司 对准图形、半导体器件、电子设备及曝光补偿方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102107104B1 (ko) * 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP6326885B2 (ja) 2014-03-19 2018-05-23 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
JP6375906B2 (ja) 2014-12-02 2018-08-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク及び有機半導体素子の製造方法
WO2016125648A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 シャープ株式会社 蒸着装置および蒸着方法
CN105887010B (zh) * 2016-05-13 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 掩膜集成框架及蒸镀设备
CN105839052A (zh) * 2016-06-17 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板以及掩膜板的组装方法
KR102544244B1 (ko) 2016-07-19 2023-06-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체
CN205856592U (zh) * 2016-08-08 2017-01-04 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩膜板和蒸镀装置
JP7121918B2 (ja) 2016-12-14 2022-08-19 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法
EP4148161A1 (en) * 2016-12-14 2023-03-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method of manufacturing vapor deposition mask device
CN106884140B (zh) * 2017-04-28 2019-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜组件及其组装方法
KR102514115B1 (ko) * 2018-06-12 2023-03-28 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체

Also Published As

Publication number Publication date
US11501992B2 (en) 2022-11-15
TW202419649A (zh) 2024-05-16
JP7406719B2 (ja) 2023-12-28
TWI833876B (zh) 2024-03-01
KR20200094094A (ko) 2020-08-06
US20200273735A1 (en) 2020-08-27
TW202035739A (zh) 2020-10-01
JP2020122216A (ja) 2020-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN213232465U (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体
KR102471409B1 (ko) 증착 마스크 장치 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
CN109207919B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法
US11211558B2 (en) Deposition mask device and method of manufacturing deposition mask device
TWI614354B (zh) 成膜遮罩
US11773477B2 (en) Deposition mask
JP2015129333A (ja) 積層マスクの製造方法および保護フィルム付き積層マスク
TWI773911B (zh) 蒸鍍罩、蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩之製造方法、蒸鍍罩裝置之製造方法及蒸鍍方法
CN111485194A (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、中间体、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
JP6536941B2 (ja) 蒸着マスク製造方法
CN211814624U (zh) 蒸镀掩模
JP2017186617A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2021066949A (ja) 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP7047828B2 (ja) 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP2017206732A (ja) 蒸着マスク溶接方法
CN116736628A (zh) 一种金属掩模板的制备方法
JP2017206741A (ja) 蒸着マスク

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant