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JP7490351B2 - Shunt resistor module and mounting structure of the shunt resistor module - Google Patents

Shunt resistor module and mounting structure of the shunt resistor module Download PDF

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JP7490351B2 JP2019202170A JP2019202170A JP7490351B2 JP 7490351 B2 JP7490351 B2 JP 7490351B2 JP 2019202170 A JP2019202170 A JP 2019202170A JP 2019202170 A JP2019202170 A JP 2019202170A JP 7490351 B2 JP7490351 B2 JP 7490351B2
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Description

この発明は、シャント抵抗器を備えたシャント抵抗モジュール及び、シャント抵抗モジュールの実装構造に関する。 This invention relates to a shunt resistor module equipped with a shunt resistor and a mounting structure for the shunt resistor module.

例えば、パワー半導体装置等の電流を検出するために、シャント抵抗器が用いられる。 For example, shunt resistors are used to detect current in power semiconductor devices, etc.

特許文献1には、抵抗体とその両側に電極(配線部材)を備えたシャント抵抗器の構造が開示されており、電極にはバスバーが接続されている。また、シャント抵抗器には、電極間の電圧値を測定する電圧検出端子が設けられている。 Patent Document 1 discloses the structure of a shunt resistor that includes a resistor and electrodes (wiring members) on both sides of the resistor, and a bus bar is connected to the electrodes. The shunt resistor also includes a voltage detection terminal that measures the voltage value between the electrodes.

特開2016-217829号公報JP 2016-217829 A

ところで、シャント抵抗器に電流が流れた際に磁束が生じるが、この磁束の影響を、電圧検出端子が受けると、電圧値が変動し、正確な電流値を計測できない問題が生じた。 When a current flows through a shunt resistor, a magnetic flux is generated. If the voltage detection terminal is affected by this magnetic flux, the voltage value fluctuates, causing a problem in which the current value cannot be measured accurately.

そこで本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、精度良く電流検出を行うことができるシャント抵抗モジュール及び、シャント抵抗モジュールの実装構造を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in consideration of the above problems, and aims to provide a shunt resistor module that can perform current detection with high accuracy, and a mounting structure for the shunt resistor module.

本発明の一態様のシャント抵抗モジュールは、抵抗体と、前記抵抗体の一方の端部に設けられた第1の電極と、前記抵抗体の他方の端部に設けられた第2の電極と、を備えた平板状のシャント抵抗器と、前記第1の電極に電気的に接続されるとともに、前記第2の電極及び前記抵抗体との間に間隔を空けて配置され、前記シャント抵抗器に流れる電流経路と逆向きの電流経路を構成する板状の導電部材と、を具備し、前記導電部材により形成された、前記第1の電極、前記第2の電極および前記抵抗体と並列した前記電流経路において、前記第1の電極及び前記第2の電極と並列する距離よりも、前記抵抗体と並列する距離が短く、前記抵抗体の両側部に電圧検出端子が形成され、前記電圧検出端子が形成された面に電流計測回路に接続する基板が配置された、ことを特徴とする。 A shunt resistor module according to one embodiment of the present invention comprises a flat shunt resistor having a resistor, a first electrode provided at one end of the resistor, and a second electrode provided at the other end of the resistor, and a plate-shaped conductive member electrically connected to the first electrode and arranged at a distance between the second electrode and the resistor, forming a current path in the opposite direction to the current path flowing through the shunt resistor, wherein in the current path formed by the conductive member and in parallel with the first electrode, the second electrode, and the resistor, the distance in parallel with the resistor is shorter than the distance in parallel with the first electrode and the second electrode, voltage detection terminals are formed on both sides of the resistor, and a substrate connected to a current measurement circuit is arranged on the surface on which the voltage detection terminals are formed.

本発明の一態様のシャント抵抗モジュールの実装構造は、シャント抵抗モジュール電流計測回路とパワー半導体モジュールを有し、前記シャント抵抗モジュールと前記電流計測回路と前記パワー半導体モジュールを接続したシャント抵抗モジュールの実装構造であって、前記シャント抵抗モジュールは、抵抗体と、前記抵抗体の一方の端部に設けられた第1の電極と、前記抵抗体の他方の端部に設けられた第2の電極と、を備えた平板状のシャント抵抗器と、前記第1の電極に電気的に接続されるとともに、前記第2の電極及び前記抵抗体との間に間隔を空けて配置され、前記シャント抵抗器に流れる電流経路と逆向きの電流経路を構成する板状の導電部材と、を具備し、前記第1の電極、前記第2の電極および前記抵抗体と並列した前記導電部材による前記電流経路において、前記第1の電極及び前記第2の電極と並列する距離よりも、前記抵抗体と並列する距離が短く、前記第2の電極の端部には貫通孔が形成され、前記シャント抵抗モジュールの前記第2の電極と対向する位置に前記パワー半導体モジュールの外部接続端子配置され、前記貫通孔に、前記シャント抵抗モジュールを前記外部接続端子に固定する固定部材挿通されて、前記第2の電極が前記外部接続端子に電気的に接続固定されることを特徴とする。
A mounting structure of a shunt resistor module according to one aspect of the present invention includes a shunt resistor module , a current measurement circuit, and a power semiconductor module, and is a mounting structure of a shunt resistor module in which the shunt resistor module, the current measurement circuit , and the power semiconductor module are connected, the shunt resistor module including a resistor, a flat shunt resistor including a first electrode provided at one end of the resistor, and a second electrode provided at the other end of the resistor, and a current path flowing through the shunt resistor, the current path being electrically connected to the first electrode and disposed at a distance between the second electrode and the resistor, and a plate-shaped conductive member that forms a reverse current path, wherein in the current path through the conductive member that is parallel to the first electrode, the second electrode, and the resistor, a distance in parallel with the resistor is shorter than a distance in parallel with the first electrode and the second electrode, a through hole is formed at an end of the second electrode, an external connection terminal of the power semiconductor module is arranged at a position facing the second electrode of the shunt resistor module, and a fixing member that fixes the shunt resistor module to the external connection terminal is inserted into the through hole, so that the second electrode is electrically connected and fixed to the external connection terminal.

本発明のシャント抵抗モジュールによれば、シャント抵抗器に間隔を空けて導電部材を対向配置し、このとき、シャント抵抗器の第1の電極と導電部材とを電気的に接続した。これにより、シャント抵抗器と導電部材に互いに逆向きの電流経路を形成でき、磁束をキャンセルすることができるため、精度良く電流検出を行うことが可能である。 According to the shunt resistor module of the present invention, a conductive member is placed opposite the shunt resistor with a gap between them, and the first electrode of the shunt resistor is electrically connected to the conductive member. This allows current paths in the shunt resistor and the conductive member to be formed in opposite directions, and magnetic flux can be canceled, making it possible to perform current detection with high accuracy.

本発明のシャント抵抗モジュールの実装構造によれば、シャント抵抗器と導電部材とで逆向きの電流経路を損なうことなく、シャント抵抗モジュールを電流計測回路に適切に接続することができる。 The mounting structure of the shunt resistor module of the present invention allows the shunt resistor module to be properly connected to a current measurement circuit without damaging the reverse current path between the shunt resistor and the conductive member.

本実施の形態のシャント抵抗モジュールを備えたパワー半導体モジュールの斜視図である。1 is a perspective view of a power semiconductor module including a shunt resistor module according to an embodiment of the present invention; 本実施の形態のシャント抵抗モジュールの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the shunt resistor module of the present embodiment. 本実施の形態のシャント抵抗モジュールのパワー半導体モジュールへの接続構造を拡大して示した分解斜視図である。1 is an exploded perspective view showing an enlarged view of a connection structure of a shunt resistor module to a power semiconductor module according to an embodiment of the present invention. FIG. 本実施の形態のシャント抵抗モジュールの断面図である。1 is a cross-sectional view of a shunt resistor module according to an embodiment of the present invention. 別の実施の形態を示すシャント抵抗モジュールの断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a shunt resistor module showing another embodiment.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るシャント抵抗モジュールについて説明する。 The shunt resistor module according to this embodiment will be described below with reference to the attached drawings.

<本実施の形態のシャント抵抗モジュール1>
例えば、パワー半導体モジュールに取り付けた電流検出用のシャント抵抗器に電流が流れると、右ねじの法則により磁束が生じる。このとき、シャント抵抗器には大電流が流れることで、大きな磁束が発生し、この磁束が、シャント抵抗器の電極間の電圧値を変動させる。その結果、精度良く電流値を検出できない不具合が生じる。そこで本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、シャント抵抗器に電流が流れた際に生じる磁束をキャンセル可能な構造を開発するに至った。
<Shunt resistor module 1 according to the present embodiment>
For example, when a current flows through a shunt resistor for current detection attached to a power semiconductor module, a magnetic flux is generated according to the right-handed rule. At this time, a large current flows through the shunt resistor, generating a large magnetic flux, which fluctuates the voltage value between the electrodes of the shunt resistor. As a result, a problem occurs in which the current value cannot be detected accurately. As a result of extensive research, the present inventor has developed a structure that can cancel the magnetic flux generated when a current flows through a shunt resistor.

すなわち、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1は、以下の特徴点を有している。
(1)抵抗体5と、抵抗体5の一方の端部に設けられた第1の電極6と、抵抗体5の他方の端部に設けられた第2の電極7と、を備えたシャント抵抗器2を備えること。
(2)第1の電極6に電気的に接続されるとともに、第2の電極7及び抵抗体5との間に間隔を空けて配置され、シャント抵抗器2に流れる電流経路C1と逆向きの電流経路C2を構成する導電板4を備えること。
以下、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1の構造を具体的に説明する。
That is, the shunt resistor module 1 of this embodiment has the following features.
(1) The shunt resistor 2 includes a resistor 5, a first electrode 6 provided at one end of the resistor 5, and a second electrode 7 provided at the other end of the resistor 5.
(2) Providing a conductive plate 4 that is electrically connected to the first electrode 6, is spaced apart from the second electrode 7 and the resistor 5, and forms a current path C2 that flows in the opposite direction to the current path C1 that flows through the shunt resistor 2.
The structure of the shunt resistor module 1 of this embodiment will be specifically described below.

図1は、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1を備えたパワー半導体モジュール10の斜視図である。図2は、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1の分解斜視図である。図3は、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1のパワー半導体モジュール10への接続構造を拡大して示した分解斜視図である。図4は、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1の断面図である。 Figure 1 is a perspective view of a power semiconductor module 10 including a shunt resistor module 1 according to the present embodiment. Figure 2 is an exploded perspective view of the shunt resistor module 1 according to the present embodiment. Figure 3 is an exploded perspective view showing an enlarged view of the connection structure of the shunt resistor module 1 according to the present embodiment to the power semiconductor module 10. Figure 4 is a cross-sectional view of the shunt resistor module 1 according to the present embodiment.

図1に示すパワー半導体モジュール10は、筐体15内に半導体素子等が配置されており、筐体15の表面にドライブ基板16が配置されている。また、筐体15のY方向の両端には、複数の外部接続端子10a~10dが設けられ、例えば、シャント抵抗モジュール1は外部接続端子10aに取り付けられる。また、外部接続端子10a~10dのX方向の両側には、パワー半導体モジュール10を、外部の放熱フィン等に固定するためにボルト等を挿通可能な固定穴17が設けられている。 The power semiconductor module 10 shown in FIG. 1 has semiconductor elements and the like arranged inside a housing 15, and a drive board 16 arranged on the surface of the housing 15. A plurality of external connection terminals 10a to 10d are provided on both ends of the housing 15 in the Y direction, and the shunt resistor module 1 is attached to the external connection terminal 10a, for example. Fixing holes 17 are provided on both sides of the external connection terminals 10a to 10d in the X direction, through which bolts or the like can be inserted to fix the power semiconductor module 10 to external heat dissipation fins or the like.

図1に示すように、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1及びバスバー11を、パワー半導体モジュール10の外部接続端子10a上に重ねて、固定部材18にて固定することができる。 As shown in FIG. 1, the shunt resistor module 1 and bus bar 11 of this embodiment can be stacked on the external connection terminal 10a of the power semiconductor module 10 and fixed with a fixing member 18.

図2に示すように、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1は、図2に示すように、シャント抵抗器2と、絶縁部材としての絶縁シート3と、導電部材としての導電板4を具備する。なお、図2に示すX1-X2方向と、Y1-Y2方向は、平面上にて直交する2方向である。 As shown in FIG. 2, the shunt resistor module 1 of this embodiment includes a shunt resistor 2, an insulating sheet 3 as an insulating member, and a conductive plate 4 as a conductive member. Note that the X1-X2 direction and the Y1-Y2 direction shown in FIG. 2 are two directions that are perpendicular to each other on a plane.

(シャント抵抗器2)
図2及び図4に示すように、シャント抵抗器2は、X1-X2方向の幅寸法よりもY1-Y2方向に長い平板状であり、抵抗体5と、抵抗体5の一方の端部(Y1側端部)に設けられる第1の電極6と、抵抗体5の他方の端部(Y2側端部)に設けられる第2の電極7を有して構成される。第1の電極6及び第2の電極7は、抵抗体5より電気抵抗値が低い。材質を限定するものではないが、例えば、抵抗体5は、Cu-Ni系、Cu-Mn系、或いは、Ni―Cr系等の金属であり、電極6、7は、Cu等の金属である。
(Shunt resistor 2)
2 and 4, the shunt resistor 2 is in the shape of a flat plate that is longer in the Y1-Y2 direction than its width in the X1-X2 direction, and is configured with a resistor 5, a first electrode 6 provided at one end (Y1 end) of the resistor 5, and a second electrode 7 provided at the other end (Y2 end) of the resistor 5. The first electrode 6 and the second electrode 7 have lower electrical resistance values than the resistor 5. Although there is no limitation on the material, for example, the resistor 5 is a metal such as a Cu-Ni type, a Cu-Mn type, or a Ni-Cr type, and the electrodes 6 and 7 are a metal such as Cu.

図2や図4に示すように、第1の電極6のY1-Y2方向の長さ寸法L1は、第2の電極7のY1-Y2方向の長さ寸法L2よりも短い。ここで「長さ寸法」は、第1の電極6及び第2の電極7に形成される電流経路C1と平行な方向の長さを示す。第2の電極7は、外部接続端子10aの位置からドライブ基板16の表面にまで延出する長さ寸法を有している。これにより、第2の電極7を、外部接続端子10aに接続できるとともに、後述する第2の電極7に設けられたピン状の電圧検出端子8bを、パワー半導体モジュール10のドライブ基板16の表面に形成された接続穴16bに適切に挿入することができる。一方、第1の電極6は、導電板4と電気的に接続し、且つ電圧検出端子8aを配置できる面積を有していればよく、第1の電極6の長さ寸法L1を第2の長さ寸法L2より短くすることができる。これにより、シャント抵抗器2の大型化を抑制しつつ、パワー半導体モジュール10に適切且つ確実に接続固定することが可能になる。 2 and 4, the length dimension L1 of the first electrode 6 in the Y1-Y2 direction is shorter than the length dimension L2 of the second electrode 7 in the Y1-Y2 direction. Here, the "length dimension" refers to the length in the direction parallel to the current path C1 formed in the first electrode 6 and the second electrode 7. The second electrode 7 has a length dimension extending from the position of the external connection terminal 10a to the surface of the drive board 16. This allows the second electrode 7 to be connected to the external connection terminal 10a, and allows the pin-shaped voltage detection terminal 8b provided on the second electrode 7, which will be described later, to be properly inserted into the connection hole 16b formed on the surface of the drive board 16 of the power semiconductor module 10. On the other hand, the first electrode 6 only needs to be electrically connected to the conductive plate 4 and have an area in which the voltage detection terminal 8a can be placed, and the length dimension L1 of the first electrode 6 can be shorter than the second length dimension L2. This makes it possible to properly and reliably connect and fix the shunt resistor 2 to the power semiconductor module 10 while suppressing the increase in size.

図2及び図4に示すように、第2の電極7には、貫通孔2aが形成されている。この貫通孔2aは後述するように、固定部材18を挿通するための固定穴である。 As shown in Figures 2 and 4, a through hole 2a is formed in the second electrode 7. This through hole 2a is a fixing hole for inserting the fixing member 18, as described below.

図2及び図4に示すように、第1の電極6及び第2の電極7の下面(パワー半導体モジュール10に対向する側)には、電圧検出端子8a、8bが形成されている。これら電圧検出端子8a、8bは、例えば、パワー半導体モジュール10の方向に突き出すピン形状である。電圧検出端子8a、8bを、第1の電極6及び第2の電極7の下面に溶接などにより取り付けることができる。 As shown in Figs. 2 and 4, voltage detection terminals 8a, 8b are formed on the undersides (opposing sides of the power semiconductor module 10) of the first electrode 6 and the second electrode 7. These voltage detection terminals 8a, 8b are, for example, pin-shaped and protrude toward the power semiconductor module 10. The voltage detection terminals 8a, 8b can be attached to the undersides of the first electrode 6 and the second electrode 7 by welding or the like.

(絶縁シート3)
図2及び図4に示すように、平板状のシャント抵抗器2上に重ねて、絶縁シート3が配置される。「シート」とは、薄い板状であることを意味しており、絶縁シート3の材質やシート構造は、第2の電極7及び抵抗体5と、導電板4とが電気的に絶縁されることを条件に、特に限定されるものではない。一例であるが、絶縁シート3は、ポリエチレン系等の絶縁性高分子からなるシートである。また、絶縁シート3は、一枚でなく、複数に分離等されてもよい。また、絶縁シート3は、可撓性の有無を問わない。
(Insulating sheet 3)
As shown in Figures 2 and 4, the insulating sheet 3 is disposed on top of the flat shunt resistor 2. The term "sheet" means that the insulating sheet 3 is in the form of a thin plate, and the material and structure of the insulating sheet 3 are not particularly limited, provided that the second electrode 7 and resistor 5 are electrically insulated from the conductive plate 4. As an example, the insulating sheet 3 is a sheet made of an insulating polymer such as a polyethylene-based material. The insulating sheet 3 does not have to be a single sheet, and may be separated into multiple sheets. The insulating sheet 3 may be flexible or not.

図4に示すように、絶縁シート3の長さ寸法L3は、シャント抵抗器2の長さ寸法L4よりも短い。図4に示すように、絶縁シート3により、第2の電極7及び抵抗体5の表面は覆われる一方、第1の電極6の表面のY1側端部6aは、絶縁シート3に覆われず露出した状態とされる。 As shown in FIG. 4, the length dimension L3 of the insulating sheet 3 is shorter than the length dimension L4 of the shunt resistor 2. As shown in FIG. 4, the insulating sheet 3 covers the surfaces of the second electrode 7 and the resistor 5, while the Y1 side end 6a of the surface of the first electrode 6 is not covered by the insulating sheet 3 and is exposed.

図2に示すように、例えば、絶縁シート3の幅寸法(X1-X2方向の長さ寸法)は、シャント抵抗器2の幅寸法と同程度で形成されるが、幅寸法を限定するものではない。 As shown in FIG. 2, for example, the width dimension of the insulating sheet 3 (length dimension in the X1-X2 direction) is formed to be approximately the same as the width dimension of the shunt resistor 2, but the width dimension is not limited.

図2、図4に示すように、絶縁シート3には、第2の電極7に形成された貫通孔2aと重なる位置に、同程度の大きさの貫通孔3aが形成されている。 As shown in Figures 2 and 4, the insulating sheet 3 has a through hole 3a of approximately the same size as the through hole 2a formed in the second electrode 7 at a position that overlaps the through hole 2a.

また、本実施の形態では、絶縁部材の一例として絶縁シート3を説明したが、第2の電極7及び抵抗体5と導電板4との間を絶縁する構成として、絶縁層を、第2の電極7及び抵抗体5の表面に塗布などして形成することもできる。ただし、絶縁シート3を用いることが、第2の電極7及び抵抗体5と導電板4との間をより確実に電気的に絶縁することができ、また、シャント抵抗モジュール1の組み立ても煩雑にならず好ましい。 In addition, in this embodiment, the insulating sheet 3 has been described as an example of an insulating member, but an insulating layer can also be formed by coating the surfaces of the second electrode 7 and resistor 5 to provide insulation between the second electrode 7 and resistor 5 and the conductive plate 4. However, using the insulating sheet 3 is preferable because it can more reliably provide electrical insulation between the second electrode 7 and resistor 5 and the conductive plate 4, and also makes the assembly of the shunt resistor module 1 less complicated.

(導電板4)
図2及び図4に示すように、絶縁シート3上に重ねて導電板4が配置される。この実施の形態では、導電板4は、シャント抵抗器2と同程度の長さ寸法L5を有している。導電板4は、シャント抵抗器2よりY1-Y2方向に長く形成されてもよい。このとき、導電板4は、シャント抵抗器2の第2の電極7のY2側端部からY2方向に延出される。導電板4の材質を限定するものではないが、導電性に優れた材質であることが好ましく、例えば、導電板4には、電極6、7と同じ材料、或いは、主成分を同じとした材料を選択でき、具体的には、導電板4を、Cu板で形成することができる。
(Conductive plate 4)
2 and 4, the conductive plate 4 is disposed on the insulating sheet 3. In this embodiment, the conductive plate 4 has a length dimension L5 that is approximately the same as that of the shunt resistor 2. The conductive plate 4 may be formed to be longer in the Y1-Y2 direction than the shunt resistor 2. In this case, the conductive plate 4 extends in the Y2 direction from the Y2 side end of the second electrode 7 of the shunt resistor 2. The material of the conductive plate 4 is not limited, but is preferably a material with excellent conductivity. For example, the conductive plate 4 may be made of the same material as the electrodes 6 and 7, or a material having the same main component. Specifically, the conductive plate 4 may be made of a Cu plate.

図4に示すように、導電板4のY1側端部4bは、絶縁シート3に覆われずに露出した第1の電極6のY1側端部6aに当接し、電気的に接続される。このとき、第1の電極6と電気的に接続しやすいように、導電板4のY1側端部4bを、第1の電極6の方向(図4に示す図示下方向)に突出する凸部状とすることが好ましい。 As shown in FIG. 4, the Y1 side end 4b of the conductive plate 4 abuts and is electrically connected to the Y1 side end 6a of the first electrode 6 that is exposed and not covered by the insulating sheet 3. At this time, it is preferable that the Y1 side end 4b of the conductive plate 4 is formed in a convex shape that protrudes toward the first electrode 6 (the downward direction shown in FIG. 4) so that it can be easily electrically connected to the first electrode 6.

図2及び図4に示すように、導電板4には、貫通孔2a、3aと厚さ方向にて重なる位置に、同程度の大きさの貫通孔4aが形成されている。 As shown in Figures 2 and 4, the conductive plate 4 has a through hole 4a of approximately the same size as the through holes 2a and 3a at a position that overlaps with them in the thickness direction.

導電板4は、平板状であり、シャント抵抗器2と同様に、Y1-Y2方向に長く形成されている。導電板4は、平板状以外の形態であってもよいが、平板状とすることで、第1の電極6と精度良く電気的に接続させることができ、また、シャント抵抗モジュール1の薄型化を実現することができる。 The conductive plate 4 is flat and is formed long in the Y1-Y2 direction, similar to the shunt resistor 2. The conductive plate 4 may be in a shape other than flat, but by making it flat, it can be electrically connected to the first electrode 6 with high precision and the shunt resistor module 1 can be made thinner.

(シャント抵抗モジュール1の組み立て)
上記したシャント抵抗器2、絶縁シート3及び導電板4を厚み方向に重ね合わせ、このとき、各貫通孔2a、3a、4aが厚み方向に連続するように位置を合わせつつ、導電板4のY1側端部4bと第1の電極6を溶接等で接合する。これにより、導電板4と第1の電極6は電気的に接続されるとともに、第2の電極7及び抵抗体5と導電板4の間には、絶縁シート3が介在し、電気的に絶縁された状態とされる。接合方法は、溶接に限定するものでなく、導電性接着剤の使用や、はんだ接合等であってもよい。また、後述する他の実施の形態で示すように、第1の電極6と導電板4間を、ねじ止めすることも可能である。上記接合により、導電板4のY1側端部4bと第1の電極6を、確実に電気的接続することができる。シャント抵抗モジュール1の第2の電極7から導電板4にかけて貫通する貫通孔1a(以下、連続する各貫通孔2a、3a、4aを一つの貫通孔と見做して記載する)は、シャント抵抗器2、絶縁シート3及び導電板4を重ね合わせ、導電板4のY1側端部4bと第1の電極6を接合した後に、一度に形成することもできる。
(Assembly of the shunt resistor module 1)
The shunt resistor 2, the insulating sheet 3, and the conductive plate 4 are stacked in the thickness direction, and the Y1 side end 4b of the conductive plate 4 and the first electrode 6 are joined by welding or the like while aligning the positions so that the through holes 2a, 3a, and 4a are continuous in the thickness direction. As a result, the conductive plate 4 and the first electrode 6 are electrically connected, and the insulating sheet 3 is interposed between the second electrode 7 and the resistor 5 and the conductive plate 4, so that they are electrically insulated. The joining method is not limited to welding, and may be a conductive adhesive or solder joining. In addition, as shown in other embodiments described later, it is also possible to screw the first electrode 6 and the conductive plate 4 together. The above-mentioned joining ensures that the Y1 side end 4b of the conductive plate 4 and the first electrode 6 are electrically connected to each other. The through hole 1a (hereinafter, each successive through hole 2a, 3a, 4a will be regarded as one through hole) that penetrates from the second electrode 7 of the shunt resistor module 1 to the conductive plate 4 can also be formed all at once after stacking the shunt resistor 2, the insulating sheet 3 and the conductive plate 4 and joining the Y1 side end 4b of the conductive plate 4 to the first electrode 6.

導電板4のY1側端部4bと第1の電極6の接合領域以外では、図4に示すように、貫通孔1aにネジ等の固定部材18を挿通して固定するため、第2の電極7の位置も、絶縁シート3及び導電板4とともに固定することができる。なお、シャント抵抗器2と絶縁シート3、及び、絶縁シート3と導電板4間を接着剤等を用いて接合してもよい。 Except for the joint area between the Y1 end 4b of the conductive plate 4 and the first electrode 6, as shown in FIG. 4, a fixing member 18 such as a screw is inserted into the through hole 1a to fix the second electrode 7, so that the position of the second electrode 7 can also be fixed together with the insulating sheet 3 and the conductive plate 4. Note that the shunt resistor 2 and the insulating sheet 3, and the insulating sheet 3 and the conductive plate 4 may be joined together using an adhesive or the like.

<シャント抵抗モジュール1の実装構造>
図3は、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1のパワー半導体モジュール10への接続構造を拡大して示した分解斜視図である。図3に示すように、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1は、例えば、パワー半導体モジュール10の外部接続端子10aに取り付けられる。
<Mounting structure of shunt resistor module 1>
3 is an exploded perspective view showing an enlarged connection structure of the shunt resistor module 1 of the present embodiment to the power semiconductor module 10. As shown in FIG. 3, the shunt resistor module 1 of the present embodiment is attached to, for example, an external connection terminal 10a of the power semiconductor module 10.

このとき、図3や図4に示すように、外部接続端子10aと、パワー半導体モジュール10の表面に位置するドライブ基板16との間には段差が生じている。このため、シャント抵抗モジュール1と外部接続端子10aの間に、高さ調整用の導電リング(台座)22を介在させてシャント抵抗モジュール1の高さが、ドライブ基板16の表面と同程度の高さとなるように調整することが好ましい。また、シャント抵抗モジュール1と外部接続端子10aとの間は、導電リング22を介して電気的に接続される。 At this time, as shown in Figures 3 and 4, a step is generated between the external connection terminal 10a and the drive substrate 16 located on the surface of the power semiconductor module 10. For this reason, it is preferable to interpose a height-adjusting conductive ring (pedestal) 22 between the shunt resistor module 1 and the external connection terminal 10a to adjust the height of the shunt resistor module 1 to be approximately the same height as the surface of the drive substrate 16. In addition, the shunt resistor module 1 and the external connection terminal 10a are electrically connected via the conductive ring 22.

図3に示すように、バスバー11を、シャント抵抗モジュール1の上面に重ね合わせる。このとき、バスバー11に形成された貫通孔11aを、シャント抵抗モジュール1の貫通孔1aに位置合わせした状態で、例えば、絶縁ワッシャ23、ワッシャ24及びスプリングワッシャ25を介して、固定部材18を貫通孔1a、11aに挿通する。固定部材18の先端はねじ部18aであり、同様に、外部接続端子10aにもネジが切られている。よって、固定部材18を貫通孔1a、11aに挿通するととおに、外部接続端子10aにねじ止めすることができ、これにより、シャント抵抗モジュール1及びバスバー11を、外部接続端子10aに固定支持することができる。 As shown in FIG. 3, the busbar 11 is placed on top of the shunt resistor module 1. At this time, the through hole 11a formed in the busbar 11 is aligned with the through hole 1a of the shunt resistor module 1, and the fixing member 18 is inserted into the through holes 1a, 11a, for example, via an insulating washer 23, a washer 24, and a spring washer 25. The tip of the fixing member 18 is a threaded portion 18a, and similarly, the external connection terminal 10a is also threaded. Therefore, as the fixing member 18 is inserted into the through holes 1a, 11a, it can be screwed to the external connection terminal 10a, and thus the shunt resistor module 1 and the busbar 11 can be fixed and supported to the external connection terminal 10a.

図3に示すように、固定部材18の周囲表面には、先端のねじ部18aを除いて、例えば、絶縁チューブ26が取り付けられている。絶縁チューブ26を固定部材18に挿入し収縮させることで、固定部材18の周囲に固定することができる。図4に示すように、絶縁チューブ26は、固定部材18を貫通孔1aに挿通した状態では、シャント抵抗器2、絶縁シート3、導電板4及び、バスバー11にまで至っている。このため、外部接続端子10aとバスバー11間に、シャント抵抗モジュール1を介して電流が流れる際、電流が固定部材18を介して流れる不具合を防止することができる。絶縁チューブ26を用いる構成以外に、例えば、絶縁材料を固定部材18の表面に塗装、スプレー、或いは、蒸着等して絶縁層を形成してもよい。 As shown in FIG. 3, an insulating tube 26 is attached to the peripheral surface of the fixing member 18, except for the screw portion 18a at the tip. The insulating tube 26 can be fixed to the periphery of the fixing member 18 by inserting it into the fixing member 18 and shrinking it. As shown in FIG. 4, when the fixing member 18 is inserted into the through hole 1a, the insulating tube 26 reaches the shunt resistor 2, the insulating sheet 3, the conductive plate 4, and the bus bar 11. Therefore, when a current flows between the external connection terminal 10a and the bus bar 11 through the shunt resistor module 1, a problem that the current flows through the fixing member 18 can be prevented. In addition to the configuration using the insulating tube 26, for example, an insulating layer may be formed by painting, spraying, or vapor-depositing an insulating material on the surface of the fixing member 18.

図3に示すように、パワー半導体モジュール10のドライブ基板16の表面には、シャント抵抗モジュール1の電圧検出端子8a、8bと対向する位置に、ピン状の電圧検出端子8a、8bを挿入可能な接続穴16a、16bが形成されている。電圧検出端子8a、8bを接続穴16a、16bに挿入することで、電圧検出端子8a、8bを接続穴16a、16b内に配置された電流計測回路の接続部27a、27bに電気的に接続することができる。 As shown in FIG. 3, connection holes 16a, 16b into which pin-shaped voltage detection terminals 8a, 8b can be inserted are formed on the surface of the drive substrate 16 of the power semiconductor module 10 at positions facing the voltage detection terminals 8a, 8b of the shunt resistor module 1. By inserting the voltage detection terminals 8a, 8b into the connection holes 16a, 16b, the voltage detection terminals 8a, 8b can be electrically connected to the connection parts 27a, 27b of the current measurement circuit arranged in the connection holes 16a, 16b.

以上により、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1を、パワー半導体モジュール10の外部接続端子10aに取り付けることができるとともに、電圧検出端子8a、8bを、電流計測回路の接続部27a、27bに電気的に接続することができる。 As a result, the shunt resistor module 1 of this embodiment can be attached to the external connection terminal 10a of the power semiconductor module 10, and the voltage detection terminals 8a, 8b can be electrically connected to the connections 27a, 27b of the current measurement circuit.

電流計測の際には、シャント抵抗モジュール1を介して、パワー半導体モジュール10とバスバー11間に電流が流れた際に、電圧検出端子8a、8b間の電圧値、すなわちシャント抵抗器2の電極6、7間の電圧値を計測する。このとき、シャント抵抗器2の抵抗体5の抵抗値は既知であるため、オームの法則により、電流値を検出することができる。このように、シャント抵抗モジュール1を、電流検出装置として用いることができる。 When measuring current, when a current flows between the power semiconductor module 10 and the busbar 11 via the shunt resistor module 1, the voltage value between the voltage detection terminals 8a, 8b, i.e., the voltage value between the electrodes 6, 7 of the shunt resistor 2, is measured. At this time, since the resistance value of the resistor 5 of the shunt resistor 2 is known, the current value can be detected according to Ohm's law. In this way, the shunt resistor module 1 can be used as a current detection device.

<本実施の形態の効果について>
本実施の形態のシャント抵抗モジュール1によれば、シャント抵抗器2の厚み方向に間隔を空けて導電板4を配置するとともに、シャント抵抗器2の第1の電極6と導電板4を電気的に接続した。これにより、図1のように、シャント抵抗モジュール1を、パワー半導体モジュール10に取り付けて電流計測を行うと、シャント抵抗モジュール1に流れる電流経路は、シャント抵抗器2と導電板4とで折り返される。このため、図4に示すように、シャント抵抗器2に形成される電流経路C1と、導電板4に形成される電流経路C2は、逆向きとなる。このとき、シャント抵抗器2及び導電板4には、右ねじの法則により、磁束(磁場)が生じるが、電流経路C1、C2が互いに逆向きであるため、シャント抵抗器2及び導電板4にて生じる磁束は逆回りとなり、磁束を互いに打ち消す(キャンセルする)ことができる。その結果、第1の電極6及び第2の電極7に設けられた電圧検出端子8a、8bに対する磁束の影響を抑制することができ、電流検出を精度良く行うことが可能になる。
<Effects of this embodiment>
According to the shunt resistor module 1 of the present embodiment, the conductive plates 4 are arranged at intervals in the thickness direction of the shunt resistor 2, and the first electrode 6 of the shunt resistor 2 and the conductive plate 4 are electrically connected. As a result, when the shunt resistor module 1 is attached to the power semiconductor module 10 and current measurement is performed as shown in FIG. 1, the current path flowing through the shunt resistor module 1 is folded back at the shunt resistor 2 and the conductive plate 4. Therefore, as shown in FIG. 4, the current path C1 formed in the shunt resistor 2 and the current path C2 formed in the conductive plate 4 are opposite in direction. At this time, magnetic flux (magnetic field) is generated in the shunt resistor 2 and the conductive plate 4 according to the right-handed screw rule, but since the current paths C1 and C2 are opposite in direction to each other, the magnetic flux generated in the shunt resistor 2 and the conductive plate 4 is in the opposite direction, and the magnetic fluxes can be canceled out (cancelled) by each other. As a result, the influence of the magnetic flux on the voltage detection terminals 8a and 8b provided on the first electrode 6 and the second electrode 7 can be suppressed, and the current detection can be performed with high accuracy.

本実施の形態では、図2及び図4に示すように、第2の電極7及び抵抗体5と、導電板4との間に、絶縁シート3を介在させている。これにより、第2の電極7及び抵抗体5と、導電板4との間を、確実に、電気的に絶縁することができ、シャント抵抗器2及び導電板4に逆向きの電流経路C1、C2を精度良く形成でき、磁束のキャンセル効果を高めることができる。 In this embodiment, as shown in Figures 2 and 4, an insulating sheet 3 is interposed between the second electrode 7 and resistor 5 and the conductive plate 4. This ensures reliable electrical insulation between the second electrode 7 and resistor 5 and the conductive plate 4, and allows the reverse current paths C1 and C2 to be formed precisely in the shunt resistor 2 and the conductive plate 4, enhancing the magnetic flux cancellation effect.

また、本実施の形態では、シャント抵抗モジュール1には、第2の電極7から、第2の電極7と厚み方向で対向する導電板4にかけて、貫通孔1aが形成されており、貫通孔1aに、絶縁された固定部材18が挿通される。これにより、シャント抵抗モジュール1を適切に固定支持することができるとともに、固定部材18を介して、シャント抵抗器2と導電板4間に電流が流れる不具合を防止することができる。また、固定部材18により、バスバー11をシャント抵抗モジュール1に接続することができる。 In addition, in this embodiment, a through hole 1a is formed in the shunt resistor module 1 from the second electrode 7 to the conductive plate 4 that faces the second electrode 7 in the thickness direction, and an insulated fixing member 18 is inserted into the through hole 1a. This allows the shunt resistor module 1 to be properly fixed and supported, and prevents the problem of current flowing between the shunt resistor 2 and the conductive plate 4 via the fixing member 18. In addition, the bus bar 11 can be connected to the shunt resistor module 1 by the fixing member 18.

また、本実施の形態では、第1の電極6及び第2の電極7には、導電板4側とは逆側(図4の図示下側)に電圧検出端子8a、8bが設けられている。これにより、電圧検出端子8a、8bを、適切に形成することができる。特に、シャント抵抗モジュール1の実装構造において、電圧検出端子8a、8bを、簡単且つ確実に、電流計測回路に接続することが可能になる。 In addition, in this embodiment, the first electrode 6 and the second electrode 7 are provided with the voltage detection terminals 8a, 8b on the side opposite to the conductive plate 4 (the lower side in FIG. 4). This allows the voltage detection terminals 8a, 8b to be formed appropriately. In particular, in the mounting structure of the shunt resistor module 1, it becomes possible to simply and reliably connect the voltage detection terminals 8a, 8b to the current measurement circuit.

また、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1の実装構造においては、シャント抵抗モジュール1の第2の電極7と対向する位置に外部接続端子10aを有し、固定部材18が挿通されることで、シャント抵抗モジュール1が外部接続端子10aに固定されるとともに、第2の電極7が外部接続端子10aに電気的に接続される。このように、本実施の形態では、シャント抵抗モジュール1の固定支持と、外部接続端子10aへの電気的接続を同時に行うことができる。 In addition, in the mounting structure of the shunt resistor module 1 of this embodiment, an external connection terminal 10a is provided at a position facing the second electrode 7 of the shunt resistor module 1, and the fixing member 18 is inserted, so that the shunt resistor module 1 is fixed to the external connection terminal 10a and the second electrode 7 is electrically connected to the external connection terminal 10a. In this way, in this embodiment, the shunt resistor module 1 can be fixed and supported and electrically connected to the external connection terminal 10a at the same time.

また、本実施の形態のシャント抵抗モジュール1の実装構造においては、シャント抵抗モジュール1の外部接続端子10aへの固定とともに、電圧検出端子8a、8bが電流計測回路に接続される。本実施の形態では、パワー半導体モジュール10のドライブ基板16には、電圧検出端子8a、8bを挿入可能な接続穴16a、16bが設けられており、接続穴16a、16b内に位置する接続部27a、27bは、電流計測回路に接続されている。このため、本実施の形態では、シャント抵抗モジュール1を外部接続端子10aに取り付けた際に、電圧検出端子8a、8bを接続穴16a、16bに挿入することができ、電圧検出端子8a、8bを電流計測回路に接続することができる。このように本実施の形態では、シャント抵抗モジュール1のパワー半導体モジュール10への取付と同時に、簡単且つ確実に、電圧検出端子8a、8bを電流計測回路に接続することができる。 In addition, in the mounting structure of the shunt resistor module 1 of this embodiment, the voltage detection terminals 8a and 8b are connected to the current measurement circuit when the shunt resistor module 1 is fixed to the external connection terminal 10a. In this embodiment, the drive substrate 16 of the power semiconductor module 10 is provided with connection holes 16a and 16b into which the voltage detection terminals 8a and 8b can be inserted, and the connection parts 27a and 27b located in the connection holes 16a and 16b are connected to the current measurement circuit. Therefore, in this embodiment, when the shunt resistor module 1 is attached to the external connection terminal 10a, the voltage detection terminals 8a and 8b can be inserted into the connection holes 16a and 16b, and the voltage detection terminals 8a and 8b can be connected to the current measurement circuit. In this way, in this embodiment, the voltage detection terminals 8a and 8b can be easily and reliably connected to the current measurement circuit at the same time as the shunt resistor module 1 is attached to the power semiconductor module 10.

以上のように、本実施の形態では、パワー半導体モジュール10へのシャント抵抗モジュール1及びバスバー11の取付を、容易且つ確実に行うことが可能である。 As described above, in this embodiment, the shunt resistor module 1 and bus bar 11 can be easily and reliably attached to the power semiconductor module 10.

<別の実施の形態のシャント抵抗モジュールの形態>
図5は、別の実施の形態を示すシャント抵抗モジュール30の断面図である。図5に示すシャント抵抗モジュール30は、シャント抵抗器31と導電板32とを具備するが、図2及び図4に示す絶縁シート3は設けられていない。なお、図2や図4と同じ符号の部分は、実質的に同じ構成である。図5に示すように、導電板32のY1側端部32bを、シャント抵抗器31の方向(図示した方向)に突出する凸部状として、第2の電極7と導電板32との間に所定の間隔を空けている。
<Configuration of shunt resistor module according to another embodiment>
Fig. 5 is a cross-sectional view of a shunt resistor module 30 showing another embodiment. The shunt resistor module 30 shown in Fig. 5 includes a shunt resistor 31 and a conductive plate 32, but does not include the insulating sheet 3 shown in Fig. 2 and Fig. 4. Note that parts with the same reference numerals as in Fig. 2 and Fig. 4 have substantially the same configuration. As shown in Fig. 5, the Y1 side end 32b of the conductive plate 32 is a convex part that protrudes toward the shunt resistor 31 (the direction shown in the figure), and a predetermined gap is provided between the second electrode 7 and the conductive plate 32.

図5に示すように、第2の電極7と導電板32に設けられた貫通孔7a、32aに、第1の固定部材33が挿通される。これにより、第2の電極7と導電板32との間の間隔を所定寸法に維持することができる。ただし、第2の電極7と導電板32の間を空気層とせず、図2及び図4で示す絶縁シート3を、第2の電極7と導電板32の間に介在させることで、より確実に、第2の電極7と導電板32の間を電気的に絶縁することが可能である。第1の固定部材33は、図4に示す固定部材18と同様に、表面が絶縁された構成である。これにより、第1の固定部材33を介して、第2の電極7と導電板32の間に電流が流れる不具合を抑制することができる。 As shown in FIG. 5, the first fixing member 33 is inserted through the through holes 7a and 32a provided in the second electrode 7 and the conductive plate 32. This allows the distance between the second electrode 7 and the conductive plate 32 to be maintained at a predetermined dimension. However, by not leaving an air layer between the second electrode 7 and the conductive plate 32 and by interposing the insulating sheet 3 shown in FIG. 2 and FIG. 4 between the second electrode 7 and the conductive plate 32, it is possible to more reliably electrically insulate the second electrode 7 and the conductive plate 32. The first fixing member 33 has an insulated surface, similar to the fixing member 18 shown in FIG. 4. This makes it possible to suppress the problem of current flowing between the second electrode 7 and the conductive plate 32 through the first fixing member 33.

また、図5に示す実施の形態では、シャント抵抗モジュール30の第1の電極6と、導電板32のY1側端部32bに連続する貫通孔30aが形成されており、該貫通孔30aに第2の固定部材34を挿通することで、第1の電極6と導電板32のY1側端部32bとを固定支持している。このとき、第1の電極6と導電板32のY1側端部32bの各表面は当接しており電気的に接続される。また、第2の固定部材34の表面は、導電性であることが好ましい。第2の固定部材34には、通常のネジを使用することができる。これにより、第1の電極6と導電板32間を、より確実に電気的に接続することができる。 In the embodiment shown in FIG. 5, a through hole 30a is formed that is continuous with the first electrode 6 of the shunt resistor module 30 and the Y1 end 32b of the conductive plate 32, and the first electrode 6 and the Y1 end 32b of the conductive plate 32 are fixed and supported by inserting the second fixing member 34 into the through hole 30a. At this time, the surfaces of the first electrode 6 and the Y1 end 32b of the conductive plate 32 are in contact with each other and are electrically connected. In addition, it is preferable that the surface of the second fixing member 34 is conductive. A normal screw can be used for the second fixing member 34. This makes it possible to more reliably electrically connect the first electrode 6 and the conductive plate 32.

また、図5に示す導電板32は、バスバーを兼ねており、したがって、導電板32は、シャント抵抗器2の第2の電極7のY2側端部よりもY2方向に長く延出して形成されている。このように、導電板32がバスバーを兼ねることで、部品点数を減らすことができ、シャント抵抗モジュール30の製造コストを抑えることができる。
以上のように、本実施の形態及び変形例を説明したが、他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
5 also serves as a bus bar, and therefore the conductive plate 32 is formed to extend longer in the Y2 direction than the Y2-side end of the second electrode 7 of the shunt resistor 2. In this way, the conductive plate 32 also serves as a bus bar, thereby reducing the number of parts and suppressing the manufacturing cost of the shunt resistor module 30.
Although the present embodiment and the modified examples have been described above, other embodiments may be obtained by combining the above-described embodiment and modified examples in whole or in part.

また、本実施の形態は上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらに、技術の進歩又は派生する別技術によって、技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。 Furthermore, the present embodiment is not limited to the above-mentioned embodiment and modifications, and may be modified, substituted, or altered in various ways without departing from the spirit of the technical idea. Furthermore, if the technical idea can be realized in a different way due to technological advances or derived other technologies, it may be implemented using that method. Therefore, the claims cover all embodiments that may fall within the scope of the technical idea.

例えば、本実施の形態では、シャント抵抗モジュール1の実装構造として、パワー半導体モジュール10を例に挙げたが、シャント抵抗モジュール1を実装する電子部品は、パワー半導体モジュール10以外であってもよい。
下記に、上記実施の形態における特徴点を整理する。
For example, in the present embodiment, the power semiconductor module 10 is taken as an example of a mounting structure for the shunt resistor module 1 , but the electronic component on which the shunt resistor module 1 is mounted may be something other than the power semiconductor module 10 .
The features of the above embodiment are summarized below.

上記実施の形態に記載のシャント抵抗モジュールは、抵抗体と、前記抵抗体の一方の端部に設けられた第1の電極と、前記抵抗体の他方の端部に設けられた第2の電極と、を備えたシャント抵抗器と、前記第1の電極に電気的に接続されるとともに、前記第2の電極及び前記抵抗体との間に間隔を空けて配置され、前記シャント抵抗器に流れる電流経路と逆向きの電流経路を構成する導電部材と、を具備することを特徴とする。 The shunt resistor module described in the above embodiment is characterized by comprising a shunt resistor having a resistor, a first electrode provided at one end of the resistor, and a second electrode provided at the other end of the resistor, and a conductive member electrically connected to the first electrode and disposed at a distance between the second electrode and the resistor, forming a current path in the opposite direction to the current path flowing through the shunt resistor.

また、本実施の形態のシャント抵抗モジュールでは、前記第2の電極及び前記抵抗体と、前記導電部材との間に、絶縁部材が介在していることが好ましい。 In addition, in the shunt resistor module of this embodiment, it is preferable that an insulating member is interposed between the second electrode and the resistor and the conductive member.

また、本実施の形態のシャント抵抗モジュールでは、前記第2の電極から前記第2の電極と対向する位置の前記導電部材にかけて、貫通孔が形成されており、前記貫通孔に、絶縁された固定部材が挿通されることが好ましい。 In addition, in the shunt resistor module of this embodiment, a through hole is formed from the second electrode to the conductive member at a position opposite the second electrode, and it is preferable that an insulated fixing member is inserted into the through hole.

また、本実施の形態のシャント抵抗モジュールでは、前記導電部材は、バスバーを兼ねることができる。 In addition, in the shunt resistor module of this embodiment, the conductive member can also serve as a bus bar.

また、本実施の形態のシャント抵抗モジュールでは、前記第1の電極及び前記第2の電極には、前記導電部材側とは逆側に電圧検出端子が設けられていることが好ましい。 In addition, in the shunt resistor module of this embodiment, it is preferable that the first electrode and the second electrode are provided with a voltage detection terminal on the side opposite to the conductive member side.

また、上記実施の形態のシャント抵抗モジュールの実装構造は、シャント抵抗モジュールを電流計測回路に接続する実装構造であって、前記シャント抵抗モジュールの前記第2の電極と対向する位置に外部接続端子を有し、上記に記載の前記固定部材が挿通されて、前記シャント抵抗モジュールが前記外部接続端子に固定されるとともに、前記第2の電極が前記外部接続端子に電気的に接続されることを特徴とする。 The mounting structure of the shunt resistor module of the above embodiment is a mounting structure that connects the shunt resistor module to a current measurement circuit, and is characterized in that it has an external connection terminal at a position opposite the second electrode of the shunt resistor module, and the fixing member described above is inserted to fix the shunt resistor module to the external connection terminal and electrically connect the second electrode to the external connection terminal.

また、本実施の形態のシャント抵抗モジュールの実装構造では、前記シャント抵抗モジュールの前記外部接続端子への固定とともに、上記に記載の前記電圧検出端子が前記電流計測回路に接続されることが好ましい。 In addition, in the mounting structure of the shunt resistor module of this embodiment, it is preferable that the voltage detection terminal described above is connected to the current measurement circuit in addition to fixing the shunt resistor module to the external connection terminal.

以上説明したように、本発明のシャント抵抗モジュールは、精度良く電流検出を行うことができ、例えば、パワー半導体装置等の制御用途の電流検出、バッテリーのエネルギーマネジメントに適用することができる。 As described above, the shunt resistor module of the present invention can detect current with high accuracy and can be used, for example, for current detection in control applications such as power semiconductor devices and for battery energy management.

1、30 :シャント抵抗モジュール
1a、30a :貫通孔
2、31 :シャント抵抗器
3 :絶縁シート
4、32 :導電板
5 :抵抗体
6 :第1の電極
7 :第2の電極
8a、8b :電圧検出端子
10 :パワー半導体モジュール
10a :外部接続端子
11 :バスバー
15 :筐体
16 :ドライブ基板
16a、16b :接続穴
18 :固定部材
22 :導電リング
26 :絶縁チューブ
27a、27b :接続部
33 :第1の固定部材
34 :第2の固定部材
C1、C2 :電流経路
Reference Signs List 1, 30: shunt resistor module 1a, 30a: through hole 2, 31: shunt resistor 3: insulating sheet 4, 32: conductive plate 5: resistor 6: first electrode 7: second electrode 8a, 8b: voltage detection terminal 10: power semiconductor module 10a: external connection terminal 11: bus bar 15: housing 16: drive board 16a, 16b: connection hole 18: fixing member 22: conductive ring 26: insulating tube 27a, 27b: connection portion 33: first fixing member 34: second fixing member C1, C2: current path

Claims (7)

抵抗体と、前記抵抗体の一方の端部に設けられた第1の電極と、前記抵抗体の他方の端部に設けられた第2の電極と、を備えた平板状のシャント抵抗器と、
前記第1の電極に電気的に接続されるとともに、前記第2の電極及び前記抵抗体との間に間隔を空けて配置され、前記シャント抵抗器に流れる電流経路と逆向きの電流経路を構成する板状の導電部材と、を具備し、
前記導電部材により形成された、前記第1の電極、前記第2の電極および前記抵抗体と並列した前記電流経路において、前記第1の電極及び前記第2の電極と並列する距離よりも、前記抵抗体と並列する距離が短く、
前記抵抗体の両側部に電圧検出端子が形成され、
前記電圧検出端子が形成された面に電流計測回路に接続する基板が配置された、
ことを特徴とするシャント抵抗モジュール。
a flat shunt resistor including a resistor, a first electrode provided at one end of the resistor, and a second electrode provided at the other end of the resistor;
a plate-shaped conductive member electrically connected to the first electrode, disposed at a distance between the second electrode and the resistor, and constituting a current path in a direction opposite to the current path flowing through the shunt resistor;
In the current path formed by the conductive member and in parallel with the first electrode, the second electrode, and the resistor, a distance in parallel with the resistor is shorter than a distance in parallel with the first electrode and the second electrode,
Voltage detection terminals are formed on both sides of the resistor,
A substrate connected to a current measuring circuit is disposed on the surface on which the voltage detection terminal is formed.
A shunt resistor module comprising:
前記第2の電極及び前記抵抗体と、前記導電部材との間に、絶縁部材が介在していることを特徴とする請求項1に記載のシャント抵抗モジュール。 The shunt resistor module according to claim 1, characterized in that an insulating member is interposed between the second electrode and the resistor and the conductive member. 前記第2の電極から前記第2の電極と対向する位置の前記導電部材にかけて、貫通孔が形成されており、前記貫通孔に、絶縁された固定部材が挿通されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシャント抵抗モジュール。 The shunt resistor module according to claim 1 or 2, characterized in that a through hole is formed from the second electrode to the conductive member at a position opposite the second electrode, and an insulated fixing member is inserted into the through hole. 前記導電部材は、バスバーを兼ねることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のシャント抵抗モジュール。 A shunt resistor module according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the conductive member also serves as a bus bar. 前記第2の電極の端部と前記導電部材の端部にそれぞれ貫通した貫通孔が形成され、且つ、前記第2の電極の端部と前記導電部材の端部とが近接して構成されたことを特徴とする請求項1に記載のシャント抵抗モジュール。 The shunt resistor module according to claim 1, characterized in that a through hole is formed through the end of the second electrode and the end of the conductive member, and the end of the second electrode and the end of the conductive member are configured close to each other. シャント抵抗モジュール電流計測回路とパワー半導体モジュールを有し、前記シャント抵抗モジュールと前記電流計測回路と前記パワー半導体モジュールを接続したシャント抵抗モジュールの実装構造であって、
前記シャント抵抗モジュールは、抵抗体と、前記抵抗体の一方の端部に設けられた第1の電極と、前記抵抗体の他方の端部に設けられた第2の電極と、を備えた平板状のシャント抵抗器と、前記第1の電極に電気的に接続されるとともに、前記第2の電極及び前記抵抗体との間に間隔を空けて配置され、前記シャント抵抗器に流れる電流経路と逆向きの電流経路を構成する板状の導電部材と、を具備し、
前記第1の電極、前記第2の電極および前記抵抗体と並列した前記導電部材による前記電流経路において、前記第1の電極及び前記第2の電極と並列する距離よりも、前記抵抗体と並列する距離が短く、
前記第2の電極の端部には貫通孔が形成され、
前記シャント抵抗モジュールの前記第2の電極と対向する位置に前記パワー半導体モジュールの外部接続端子配置され
前記貫通孔に、前記シャント抵抗モジュールを前記外部接続端子に固定する固定部材挿通されて、前記第2の電極が前記外部接続端子に電気的に接続固定されることを特徴とするシャント抵抗モジュールの実装構造。
A mounting structure of a shunt resistor module including a shunt resistor module , a current measurement circuit , and a power semiconductor module, the shunt resistor module, the current measurement circuit, and the power semiconductor module being connected to each other ,
The shunt resistor module includes a plate-shaped shunt resistor having a resistor, a first electrode provided at one end of the resistor, and a second electrode provided at the other end of the resistor, and a plate-shaped conductive member electrically connected to the first electrode, disposed at a distance between the second electrode and the resistor, and constituting a current path in a direction opposite to the current path flowing through the shunt resistor ;
In the current path through the conductive member arranged in parallel with the first electrode, the second electrode, and the resistor, a distance in parallel with the resistor is shorter than a distance in parallel with the first electrode and the second electrode;
A through hole is formed at an end of the second electrode,
an external connection terminal of the power semiconductor module is disposed at a position facing the second electrode of the shunt resistor module;
A mounting structure for a shunt resistor module, characterized in that a fixing member for fixing the shunt resistor module to the external connection terminal is inserted into the through hole, and the second electrode is electrically connected and fixed to the external connection terminal.
前記抵抗体の両側部に電圧検出端子が形成され、前記電圧検出端子が形成された面に前記電流計測回路に接続する基板が配置されたことを特徴とする請求項6に記載のシャント抵抗モジュールの実装構造。 The mounting structure of the shunt resistor module described in claim 6, characterized in that voltage detection terminals are formed on both sides of the resistor, and a substrate connected to the current measurement circuit is disposed on the surface on which the voltage detection terminals are formed.
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