JP7461454B2 - 露光システム及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
1.用語の説明
2.比較例に係る露光システムの概要
2.1 構成
2.2 動作
2.3 ウエハ上への露光動作の例
2.4 スキャンフィールドとスタティック露光エリアとの関係
2.5 課題
3.実施形態1
3.1 リソグラフィシステムの概要
3.1.1 構成
3.1.2 動作
3.2 レーザ装置の例
3.2.1 構成
3.2.2 動作
3.2.3 その他
3.3 帯状のレチクルパターンと目標レーザ光の制御パラメータ値のトレンドの例
3.4 リソグラフィ制御部の処理内容の例
3.5 露光制御部の処理内容の例
3.6 レーザ制御部の処理内容の例
3.7 作用・効果
3.8 その他
4.実施形態2
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用・効果
4.4 変形例
5.実施形態3
5.1 構成
5.2 動作
5.3 リソグラフィ制御部の処理内容の例
5.4 露光制御部の処理内容の例
5.5 作用・効果
5.6 その他
6.実施形態4
6.1 構成
6.2 動作
6.3 作用・効果
7.固体レーザ装置を発振器として用いるエキシマレーザ装置の例
7.1 構成
7.2 動作
7.3 半導体レーザシステムの説明
7.3.1 構成
7.3.2 動作
7.3.3 その他
7.4 作用・効果
7.5 その他
8.各種の制御部のハードウェア構成について
9.電子デバイスの製造方法
10.その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
本開示において使用される用語を以下のように定義する。
2.1 構成
図1は、比較例に係る露光システムの構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。露光システム10は、レーザ装置12と、露光装置14とを含む。レーザ装置12は、波長可変の狭帯域発振のArFレーザ装置であり、レーザ制御部20と、図示しないレーザチャンバと狭帯域化モジュールとを含む。
露光制御部40は、フォーカスセンサ58により計測されたウエハWFの高さから、ウエハ高さ方向(Z軸方向)のフォーカス位置を補正するために、ウエハステージ54のZ軸方向の移動を制御する。
図2は、露光制御部40からレーザ制御部20に送信される発光トリガ信号Trの出力パターンの例を示す。図2に示す例では、ウエハWF毎に、調整発振を実施した後、実露光パターンに入る。すなわち、レーザ装置12は、最初に調整発振を行い、所定の時間間隔を空けた後、1枚目のウエハ露光(Wafer#1)のためのバースト運転を行う。
図4に、ウエハWF上の1つのスキャンフィールドSFとスタティック露光エリアSEAとの関係を示す。スタティック露光エリアSEAは、スキャンフィールドSFに対するスキャン露光に用いられる概ね長方形の略均一なビーム照射領域である。照明光学系44によって整形された概ね長方形の略均一なスキャンビームがレチクル46上に照射され、スキャンビームの短軸方向(ここではY軸方向)に、レチクル46とウエハWFとが投影光学系50の縮小倍率に応じて、Y軸方向に互いに異なる向きで移動しながら露光が行われる。これにより、ウエハWF上の各スキャンフィールドSFにレチクルパターンがスキャン露光される。スタティック露光エリアSEAは、スキャンビームによる一括露光可能エリアと理解してよい。
Vy:ウエハのY軸方向のスキャン速度
f:レーザの繰り返し周波数(Hz)
2.5 課題
図6は、スキャン露光中のスキャンフィールドSFの模式図である。図7は、図6に示すスキャン露光の動作に対応するレチクル46とスキャンビームSBとの関係を模式的に示す平面図である。図7には、レチクル46におけるパターン領域の配置の例が示されている。なお、図7は、1つのスキャンフィールドSF内における半導体素子領域のパターンの例を示す模式図と理解してもよい。
3.1 リソグラフィシステムの概要
3.1.1 構成
図8は、実施形態1に係るリソグラフィシステム100の構成例を示す。図8に示す構成について、図1と異なる点を説明する。図8に示すリソグラフィシステム100は、図1に示す構成にリソグラフィ制御部110が追加され、リソグラフィ制御部110と露光制御部40との間、及びリソグラフィ制御部110とレーザ制御部20との間にそれぞれ、データの送受信ラインが追加された構成となっている。
リソグラフィ制御部110は、計算プログラムによって、帯状の高解像度領域A及び帯状の低解像度領域Bのそれぞれに対して、最適なレーザ光の制御パラメータを計算し、計算結果をファイルCに保存する。ファイルCに保存される制御パラメータには、例えば、最適波長λb、最適スペクトル線幅Δλb、及び最適パルスエネルギEbなどが含まれる。
3.2.1 構成
図10は、レーザ装置12の構成例を示す。図10に示すレーザ装置12は、狭帯域化ArFレーザ装置であって、レーザ制御部20と、発振器22と、増幅器24と、モニタモジュール26と、シャッタ28とを含む。発振器22は、チャンバ60と、出力結合ミラー62と、パルスパワーモジュール(PPM)64と、充電器66と、狭帯域化モジュール(LNM)68とを含む。
レーザ制御部20は、露光制御部40から目標波長λt、スペクトル線幅Δλt及び目標パルスエネルギEtのデータを受信すると、出力波長が目標波長λtとなるように、LNM68の回転ステージ84と、目標スペクトル線幅Δλtとなるように、後述する方式と、目標パルスエネルギEtとなるように、少なくとも増幅器24の充電器166を制御する。
図10では、光共振器90としてファブリペロ共振器の例を示したが、リング共振器を備えた増幅器であってもよい。
図11は、帯状のレチクルパターンと目標レーザ光の制御パラメータ値との関係を例示的に示す。図11の上段には帯状のレチクルパターンのY軸方向にスキャンビームSBがスキャン移動する様子が模式的に示されている。図11の中段に示す枠内には、1スキャン内のY方向位置と最適波長λbとの関係を示すグラフG1と、1スキャン内のY方向位置と最適スペクトル線幅Δλbとの関係を示すグラフG2とが示されている。図11の下段に示す枠内には、1スキャン内のY方向位置に対応するスキャン露光パルス毎の目標波長λtを示すグラフG3と、スキャン露光パルス毎の目標スペクトル線幅Δλtを示すグラフG4とが示されている。
図12は、実施形態1のリソグラフィ制御部110が実施する処理の例を示すフローチャートである。図12に示すステップは、リソグラフィ制御部110として機能するプロセッサがプログラムを実行することによって実現される。
図14は、実施形態1の露光制御部40が実施する処理の例を示すフローチャートである。図14に示すステップは、露光制御部40として機能するプロセッサがプログラムを実行することによって実現される。
図15は、実施形態1のレーザ制御部20が実施する処理の例を示すフローチャートである。図15に示すステップは、レーザ制御部20として機能するプロセッサがプログラムを実行することによって実現される。
実施形態1に係るリソグラフィシステム100によれば、次のような効果が得られる。
実施形態1では、リソグラフィ制御部110と露光制御部40の機能を分けた場合の例で説明したが、この例に限定されることなく、リソグラフィ制御部110の機能を露光制御部40が含んでいてもよい。
4.1 構成
実施形態2に係るリソグラフィシステムの構成は、実施形態1と同様であってよい。
図16は、実施形態2に係るリソグラフィシステムにおける帯状のレチクルパターンと目標レーザ光の制御パラメータ値のトレンドの例を示す。図16について、図11と異なる点を説明する。図16では、図11のグラフG4に代えて、グラフG5となっている。
スキャンフィールドSFに露光されるパルスレーザ光のスペクトル波形は、露光パルス数NSLの移動積算値となる。実施形態2によれば、少なくとも、高解像度領域Aに照射されるスペクトル線幅Δλとして最適スペクトル線幅Δλbで露光できる。
図18は、実施形態2の変形例に係るリソグラフィシステムにおける帯状のレチクルパターンと目標レーザ光の制御パラメータ値のトレンドの例を示す。図18に示す変形例について、図16と異なる点を説明する。図18において、図16と同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図16では、領域Aと領域Bの2種類の領域の配置例を説明したが、図18に示す変形例では、高解像度領域Aと低解像度領域Bとの間に、帯状の中間解像度領域Cが配置される。中間解像度領域Cは、高解像度領域Aに要求される解像力と低解像度領域Bに要求される解像力との中間程度の解像力が要求されるパターン領域である。中間解像度領域Cを「領域C」と記載する場合がある。このような帯状の領域A~Cの配置パターンに対応して、最適スペクトル線幅ΔλbのグラフはグラフG8のようなものとなる。その一方で、目標スペクトル線幅ΔλtはグラフG5のような設定であってよい。
5.1 構成
実施形態3に係るリソグラフィシステムの構成は、実施形態1と同様であってよい。
実施形態3に係るリソグラフィシステムの露光制御部40は、ウエハWFにおける主要部Mwと周辺回路部Pwとの段差に応じて、パルスレーザ光の中心波長を変更する。
図22は、実施形態3のリソグラフィ制御部110が実施する処理の例を示すフローチャートである。図22に示すフローチャートについて、図12と異なる点を説明する。図22に示すフローチャートは、図12におけるステップS12、S14、S15及びS17に代えて、ステップS12c、S14c、S15c及びS17cを含む。
図24は、実施形態3の露光制御部40が実施する処理の例を示すフローチャートである。図24に示すフローチャートについて、図14と異なる点を説明する。図24に示すフローチャートは、図14におけるステップS21及びS22に代えて、ステップS21c及びS22cを含む。
実施形態3に係るリソグラフィシステムによれば、メモリ系やCMOSイメージセンサなどの電子デバイスを製造する場合においても、メインパターン領域Dと周辺回路領域Eとをスキャン方向との直交方向に帯状に配置することによって、メインパターン領域Dと周辺回路領域Eのそれぞれの領域に対して最適なレーザ光の制御パラメータでスキャン露光することが可能となる。
実施形態3では、リソグラフィ制御部110と露光制御部40の機能を分けた場合の例で説明したが、この例に限定されることなく、リソグラフィ制御部110の機能を露光制御部40が含んでいてもよい。
6.1 構成
実施形態4に係るリソグラフィシステムの構成は、実施形態1と同様であってよい。
図25は、実施形態4に係るリソグラフィシステムにおける帯状のレチクルパターンと目標レーザ光の制御パラメータ値のトレンドの例を示す。図25の例について、図21と異なる点を説明する。図25では、図21のグラフG13及びG14に代えて、グラフG15及びG16となっている。
スキャンフィールドSFに露光されるパルスレーザ光のスペクトル波形は、露光パルス数NSLの移動積算値となる。実施形態4によれば、少なくともメインパターン領域Dに照射されるレーザ光は最適なレーザ制御パラメータ(λb,Δλb)で露光できる。
7.1 構成
図10で説明したレーザ装置12は、発振器22として狭帯域化ガスレーザ装置を用いる構成を例示したが、レーザ装置の構成は図10の例に限定されない。
レーザ制御部220は、露光制御部40から目標波長λt、目標スペクトル線幅Δλt、及び目標パルスエネルギEtを受信すると、これらの目標値となるような半導体レーザシステム230からのパルスレーザ光の目標波長λ1ctと目標スペクトル線幅Δλ1chtを、例えばテーブルデータ又は近似式から計算する。
7.3.1 構成
図28は、半導体レーザシステム230の構成例を示す。半導体レーザシステム230は、シングル縦モードの分布帰還型の半導体レーザ250と、半導体光増幅器(SOA)260と、関数発生器(Function Generator:FG)261と、ビームスプリッタ264と、スペクトルモニタ266と、半導体レーザ制御部268とを含む。分布帰還型半導体レーザを「DFBレーザ」という。
DFBレーザ250の発振中心波長は、半導体レーザ素子251の設定温度T及び/又は電流値Aを変化させることによって波長を変更できる。
A1ac:半導体レーザ素子に流れる電流のAC成分の変動幅(電流の極大値と極小値との差)
A1T:半導体レーザ素子に流れる電流のAC成分の周期
図30に示す例では、電流制御パラメータのAC成分の例として、三角波の例が示されており、三角波の電流の変動によって、半導体レーザ250から出力されるCWレーザ光の光強度の変動が少ない場合の例を示す。
nは1以上の整数である。
図30に示した例では、電流のAC成分の波形の例として三角波を示したが、この例に限定されることなく、例えば、一定周期で変化する波形であればよい。三角波以外の他の例として、AC成分の波形は、正弦波や矩形波などであってもよい。このAC成分の波形を制御することによって、様々な目標のスペクトル波形を生成することができる。
固体レーザシステム222を発振器として用いるレーザ装置212は、エキシマレーザを発振器として用いる場合と比較して、以下のような利点がある。
固体レーザ装置の実施形態として、図27から図31に示した例に限定されることなく、例えば、波長約1547.2nmのDFBレーザとSOAとを含む固体レーザシステムであって、波長変換システムは8倍高調波の193.4nm光を出力するレーザ装置であってもよい。また、その他の固体レーザ装置であって、CW発振のDFBレーザとSOAとを含み、波長はDFBレーザに流す電流の電流値を制御し、SOAにパルス電流を流すことによってパルス増幅するシステムがあればよい。
レーザ制御部20、露光制御部40、リソグラフィ制御部110、固体レーザ制御部238、半導体レーザ制御部268及びその他の各制御部として機能する制御装置は、1台又は複数台のコンピュータのハードウェア及びソフトウェアの組み合わせによって実現することが可能である。ソフトウェアはプログラムと同義である。プログラマブルコントローラはコンピュータの概念に含まれる。コンピュータは、CPU(Central Processing Unit)及びメモリを含んで構成され得る。コンピュータに含まれるCPUはプロセッサの一例である。
図32は、露光装置14の構成例を概略的に示す。露光装置14は、照明光学系44と、投影光学系50とを含む。照明光学系44は、レーザ装置12から入射したレーザ光によって、図示しないレチクルステージ48上に配置されたレチクル46のレチクルパターンを照明する。投影光学系50は、レチクル46を透過したレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルWT上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板であってよい。ワークピーステーブルWTは、ウエハステージ54であってよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
Claims (18)
- レチクルにパルスレーザ光を照射して半導体基板をスキャン露光する露光システムであって、
前記パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記レチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記制御部は、前記第1領域に応じた前記パルスレーザ光の第1目標波長と第1目標スペクトル線幅と第1目標パルスエネルギとを設定して、前記第1領域に対して第1パルスレーザ光を照射するように前記レーザ装置を制御し、
前記第2領域に応じた前記パルスレーザ光の第2目標波長と第2目標スペクトル線幅と第2目標パルスエネルギとを設定して、前記第2領域に対して第2パルスレーザ光を照射するように前記レーザ装置を制御する、
露光システム。 - レチクルにパルスレーザ光を照射して半導体基板をスキャン露光する露光システムであって、
前記パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記レチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記制御部は、
前記半導体基板のスキャンフィールドに露光される前記パルスレーザ光の移動積算スペクトル波長及び移動積算スペクトル線幅の少なくとも一方に基づいて、前記レーザ装置を制御する、
露光システム。 - レチクルにパルスレーザ光を照射して半導体基板をスキャン露光する露光システムであって、
前記パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記レチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記スキャン方向をY軸方向とし、Y軸方向プラス側に向かって前記レチクルをスキャンする前記パルスレーザ光のスキャンビームのY軸方向ビーム幅をBy幅とする場合に、
前記制御部は、
前記レチクルのレチクルパターンの情報を基に、前記第1領域のY軸方向マイナス側の境界を前記By幅に対応する距離だけY軸方向マイナス側に変更して前記第1領域を拡大させた拡大領域を求め、前記第1領域のY軸方向プラス側に隣接する前記第2領域のY軸方向プラス側の境界を前記By幅に対応する距離だけY軸方向マイナス側に変更して前記第2領域を縮小させた縮小領域を求め、
前記拡大領域及び前記縮小領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、それぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御する、
露光システム。 - レチクルにパルスレーザ光を照射して半導体基板をスキャン露光する露光システムであって、
前記パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記レチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記半導体基板は、前記スキャン露光が行われるスキャンフィールド内において、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に対応する位置に段差を有し、
前記制御部は、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に対応する前記スキャンフィールド内の第1高さ領域及び第2高さ領域の各領域を露光する前記パルスレーザ光の結像位置の情報を取得し、
前記制御部は、前記レチクルのレチクルパターンの情報と前記結像位置の情報とを基に、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に対応した前記制御パラメータの値を算出する、
露光システム。 - レチクルにパルスレーザ光を照射して半導体基板をスキャン露光する露光システムであって、
前記パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記レチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域の領域毎に前記パルスレーザ光の目標波長と目標スペクトル線幅と目標パルスエネルギと定めたテーブルを保持し、
前記テーブルに基づいて、前記第1領域及び前記第2領域の領域毎に前記パルスレーザ光の出力を制御する、
露光システム。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の露光システムであって、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの前記スキャン幅方向の長さが前記レチクルの前記スキャン幅方向の長さの50%以上である、
露光システム。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の露光システムであって、
前記第1領域及び第2領域のそれぞれは、前記スキャン幅方向の領域の長さが、スキャン方向の領域の長さよりも長い帯状の領域であり、
前記スキャン幅方向の直線上に前記第1領域と前記第2領域とが非混在である、
露光システム。 - 請求項3に記載の露光システムであって、
前記制御パラメータは、目標波長、目標スペクトル線幅、及び目標パルスエネルギのうち少なくとも1つを含む、
露光システム。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の露光システムであって、
前記制御部は、前記レチクルのレチクルパターンの情報を基に、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に対応した前記制御パラメータの値を算出する、
露光システム。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の露光システムであって、
前記スキャン露光に用いるパラメータを管理するサーバをさらに備え、
前記サーバは、前記レチクルのレチクルパターンの情報を基に、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に対応した前記制御パラメータの値を算出し、
前記算出された前記制御パラメータの値をそれぞれの前記領域と関連付けてファイルに書き込む、
露光システム。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の露光システムであって、
前記第1パターンは、前記第2パターンよりも相対的に高い解像力が要求される半導体素子のパターンである、
露光システム。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の露光システムであって、
前記レーザ装置は、
発振器と、
前記発振器から出力されたパルスレーザ光を増幅する増幅器と、
を含むエキシマレーザ装置であり、
前記発振器は、狭帯域化モジュールを備える、
露光システム。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の露光システムであって、
前記レーザ装置は、
発振器と、
前記発振器から出力されたパルスレーザ光を増幅する増幅器と、
を含むエキシマレーザ装置であり、
前記発振器は、
分布帰還型半導体レーザを用いた固体レーザシステムである、
露光システム。 - 電子デバイスの製造方法であって、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光をレチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記制御部は、前記第1領域に応じた前記パルスレーザ光の第1目標波長と第1目標スペクトル線幅と第1目標パルスエネルギとを設定して、前記第1領域に対して第1パルスレーザ光を照射するように前記レーザ装置を制御し、前記第2領域に応じた前記パルスレーザ光の第2目標波長と第2目標スペクトル線幅と第2目標パルスエネルギとを設定して、前記第2領域に対して第2パルスレーザ光を照射するように前記レーザ装置を制御する、露光システムを用いて、電子デバイスを製造するために、前記レチクルに前記パルスレーザ光を照射して感光基板をスキャン露光することを含む電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光をレチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記制御部は、
半導体基板のスキャンフィールドに露光される前記パルスレーザ光の移動積算スペクトル波長及び移動積算スペクトル線幅の少なくとも一方に基づいて、前記レーザ装置を制御する、露光システムを用いて、電子デバイスを製造するために、前記レチクルに前記パルスレーザ光を照射して感光基板をスキャン露光することを含む電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光をレチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記スキャン方向をY軸方向とし、Y軸方向プラス側に向かって前記レチクルをスキャンする前記パルスレーザ光のスキャンビームのY軸方向ビーム幅をBy幅とする場合に、
前記制御部は、
前記レチクルのレチクルパターンの情報を基に、前記第1領域のY軸方向マイナス側の境界を前記By幅に対応する距離だけY軸方向マイナス側に変更して前記第1領域を拡大させた拡大領域を求め、前記第1領域のY軸方向プラス側に隣接する前記第2領域のY軸方向プラス側の境界を前記By幅に対応する距離だけY軸方向マイナス側に変更して前記第2領域を縮小させた縮小領域を求め、
前記拡大領域及び前記縮小領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、それぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御する、露光システムを用いて、電子デバイスを製造するために、前記レチクルに前記パルスレーザ光を照射して感光基板をスキャン露光することを含む電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光をレチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記レチクルに前記パルスレーザ光を照射して半導体基板をスキャン露光する露光システムであって、
前記半導体基板は、前記スキャン露光が行われるスキャンフィールド内において、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に対応する位置に段差を有し、
前記制御部は、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に対応する前記スキャンフィールド内の第1高さ領域及び第2高さ領域の各領域を露光する前記パルスレーザ光の結像位置の情報を取得し、
前記制御部は、前記レチクルのレチクルパターンの情報と前記結像位置の情報とを基に、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に対応した前記制御パラメータの値を算出する、露光システムを用いて、電子デバイスを製造するために、前記レチクルに前記パルスレーザ光を照射して感光基板をスキャン露光することを含む電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
パルスレーザ光を出力するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光をレチクルに導光する照明光学系と、
前記レチクルを移動させるレチクルステージと、
前記レーザ装置からの前記パルスレーザ光の出力及び前記レチクルステージによる前記レチクルの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記レチクルは、第1パターンが配置された第1領域と第2パターンが配置された第2領域とを備え、
前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれは、前記パルスレーザ光のスキャン方向に対して直交するスキャン幅方向に連続する領域であり、前記第1領域と前記第2領域とが前記スキャン方向に並んで配置され、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じて前記パルスレーザ光の制御パラメータの値を変えて、前記第1領域及び前記第2領域のそれぞれの領域に応じた前記パルスレーザ光を出力させるように前記レーザ装置を制御し、
前記制御部は、前記第1領域及び前記第2領域の領域毎に前記パルスレーザ光の目標波長と目標スペクトル線幅と目標パルスエネルギと定めたテーブルを保持し、
前記テーブルに基づいて、前記第1領域及び前記第2領域の領域毎に前記パルスレーザ光の出力を制御する、露光システムを用いて、電子デバイスを製造するために、前記レチクルに前記パルスレーザ光を照射して感光基板をスキャン露光することを含む電子デバイスの製造方法。
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Citations (5)
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