JP7446571B2 - イオン生成装置 - Google Patents
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Description
このようなイオン生成装置は、先端の放電部でコロナ放電を発生させる導体と、この導体に高電圧を印加する電源とを備えている。また、導体の先端に手などが触れた場合に大電流が流れることを防止するため、上記導体と電源との間には電流制限用の抵抗素子が接続されている。
その結果、高抵抗素子から放電部までの導体の長さが長くなって、その部分に対応した浮遊容量の容量が大きくなっていた。
一方、振動などの何らかの原因によって処理対象が放電部に異常接近した場合には、放電部と処理対象との間に絶縁破壊が発生し、放電部からは上記浮遊容量に蓄積された電荷が異常放電として放出される。
だからと言って、絶縁破壊による異常放電の発生を確実に防止するため、放電部と処理対象との間隔を必要以上に大きく設定すれば、コロナ放電で生成されたイオンが処理対象に到達しにくくなり、処理効率が落ちてしまうという問題が発生する。
上記異常放電とは、放電部と処理対象との間の絶縁破壊によって瞬間的に多くの電荷が流れる状態のことで、コロナ放電のようにわずかな電流しか流れない中での持続的な放電は含まない。
なお、上記浮遊容量の大きさは上記のように導体と接地されたケーシングとの対向長さによって決まるが、この対向長さも上記導体の断面形状に応じて変化する。例えば、断面が平板状の導体あるいは断面が円形で直径が大きな導体であれば、相対的にその長さを短くできる。
さらに、上記高抵抗素子は、上記放電部と処理対象との間に絶縁破壊が発生したとき、高抵抗素子で電源から導体への大電流の流れを抑制して、上記浮遊容量に蓄積された電荷のみを放電させる機能を発揮するものである。
第3の発明は、上記高抵抗素子の抵抗値が100[MΩ]~500[MΩ]である。
第4の発明は、上記導体と上記接地されたケーシングとの対向長さが、上記浮遊容量の静電容量が3pFとなる長さを保ち、かつ、上記高抵抗素子の抵抗値を100[MΩ]にしている。
なお、上記高電圧電源4は、必要に応じて正または負の直流の高電圧を出力するものである。
このように浮遊容量SCの容量Cが微小であれば、導体1の放電部1aと除電対象5との間で絶縁破壊が発生して、浮遊容量SCの蓄電量に相当する電荷が瞬時に放電されたとしても、その放電エネルギーは微小になる。そのため、異常放電が発生しても、それが着火性放電になることはない。
例えば、浮遊容量SCの容量C=3[pF]、放電部1aの電圧V=10[kV]を式(1)に代入して放電エネルギーWを算出すると、W=0.15[mJ]である。
上記のように放電エネルギーWは容量Cだけでなく放電部1aの電圧Vにも依存するが、実際にはコロナ放電が可能な電圧Vを10[kV]前後とすれば、容量Cが0.1[pF]~5[pF]の範囲であれば許容限度内といえる。
ただし、処理対象5の雰囲気中の可燃性物質の特性によって、上記容量Cの適正値を設定しなければならない。
いずれにしても、この発明における浮遊容量SCの大きさは、想定できる雰囲気の最小着火エネルギーに基づいて決められる点に特徴を有する。
また、上記対向電極は、放電部1aとの間にコロナ放電可能な電位差を形成できれば、接地に限らない。
各導体1には高抵抗素子2と高圧ケーブル3を介して高電圧電源4を接続している。
上記のように、ケーシングAに1対の導体1,1を設けた点が第1実施形態と異なるが、第1実施形態と同様の構成要素には第1実施形態と同じ符号を付している。
この第2実施形態においても、各導体1,1とケーシングAとの対向長さLの部分に浮遊容量SC1、SC2が生成され、これらの容量C1、C2が、想定できる雰囲気を基準にして着火性放電の要因にならない微小値に保たれるように上記対向長さLを設定している。
Claims (4)
- 先端に放電部を備えた導体と、
この導体に高電圧を印加する電源と、
上記導体と電源との間に直列に接続された高抵抗素子と、
上記放電部を突出させながら、上記導体の周囲を囲って上記導体と対向し、上記導体に対応する浮遊容量を生成する浮遊容量生成手段となる接地されたケーシングと
を備え、
上記放電部にコロナ放電を発生させてイオンを生成するイオン生成装置であって、
上記導体と上記ケーシングとの対向長さに応じて上記浮遊容量の大きさが決められる構成にする一方、
上記浮遊容量に蓄電される最大電荷の放電エネルギーが、処理対象が存在する雰囲気における可燃性物質の最小着火エネルギー未満になるように、上記導体と上記ケーシングとの対向長さが設定されたイオン生成装置。 - 上記導体と上記ケーシングとの対向長さが、
上記浮遊容量の静電容量が0.1[pF]~5[pF]となる長さを保つ請求項1に記載のイオン生成装置。 - 上記高抵抗素子の抵抗値が100[MΩ]~500[MΩ]である請求項1又は2に記載のイオン生成装置。
- 上記導体と上記ケーシングとの対向長さが、上記浮遊容量の静電容量が3[pF]となる長さを保ち、かつ、上記高抵抗素子の抵抗値を100[MΩ]にした請求項1に記載のイオン生成装置。
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