JP7339164B2 - Ledデバイス、及び該ledデバイスを含む発光装置 - Google Patents
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Claims (57)
- 複数のLEDチップ(110L1、110L2、110L3、110L4)であって、それぞれが、反対する第1の表面及び第2の表面(S21、S22)と、前記第1の表面と前記第2の表面(S21、S22)との間に接続される側面(S24)と、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第2の表面(S22)に配置され、第1の電極(1121)と第2の電極(1122)とを含む電極アセンブリ(1120)と、を含み、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)が出光面である、複数のLEDチップ(110L1、110L2、110L3、110L4)と、
前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第2の表面(S22)に配置され、反対する第1の表面及び第2の表面(S31、S32)と、側面(S33)と、を有する電子回路層アセンブリ(130)であって、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記側面(S33)は前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の表面と前記第2の表面(S31、S32)との間に接続され、前記電子回路層アセンブリ(130)の第1の表面(S31)は前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極及び前記第2の電極(1121、1122)に直接接触して電気的に接続される、電子回路層アセンブリ(130)と、
封止層(120)であって、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)の少なくとも一部が前記封止層(120)から露出されるように、前記LEDチップ(110L1-110L4)と前記電子回路層アセンブリ(130)を取り囲む、封止層(120)と、を具え、
前記封止層(120)は前記電子回路層アセンブリ(130)の前記側面(S33)を覆うLEDデバイス(100)。 - 前記封止層(120)は、50%以下の光透過率を有する、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)の光透過率が30%未満である、請求項2に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、不透明である、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、エポキシ樹脂及びシリカの内の1つにより作成される、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、着色剤を含む、請求項5に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)が前記封止層(120)から露出される、請求項1~6のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、暗色である、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 光透過性であり、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)に配置される保護層(160)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)を含む第1の表面(101)をさらに具え、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の面積は、前記LEDデバイス(100)の前記第1の表面(101)の面積の15%未満である、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の面積は、前記LEDデバイス(100)の前記第1の表面(101)の面積の5%未満である、請求項10に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)を含む第1の表面(101)をさらに具え、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の面積は、前記LEDデバイス(100)の前記第1の表面(101)の面積の40%より大きい、請求項1~9のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の面積は、前記LEDデバイス(100)の前記第1の表面(101)の面積の50%より大きい、請求項12に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)によって固定され囲まれるセンサー(151)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記センサー(151)は、フォトダイオードである、請求項14に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)上に配置され、前記電子回路層アセンブリ(130)に電気的に接続される複数のボンディングパッド(140P1、140P2、140P3、140P4、140P5、140P6)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記ボンディングパッド(140P1-140P6)の総表面積は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)の総表面積より大きい、請求項16に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記ボンディングパッド(140P1-140P6)の数は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の電極及び前記第2の電極(1121、1122)の総数より少ない、請求項16に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、第1の波長の光を放出することができ、残りの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、第1の波長とは異なる第2の波長の光を放出することができる、請求項1~18のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、赤色光を放出することができ、少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、緑色光を放出することができ、少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、青色光を放出することができる、請求項19に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)は、白色光を放出することができる、請求項20に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)は、複数のチップグループ(M)に分割され、各チップグループ(M)は、3つの前記LEDチップ(110L1-110L4)を含み、1つのピクセルを画成する、請求項1~21のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、マイクロ電子デバイスに取り付けられることに適合される下表面(S12)を有する、請求項22に記載のLEDデバイス(100)。
- 隣接する2つの前記LEDチップ(110L1-110L4)の間の距離は、50マイクロメートルより小さい、請求項1~23のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)は、2つの増厚層(1123、1124)をさらに含み、各前記増厚層(1123、1124)は、前記第1の電極及び第2の電極(1121、1122)のそれぞれと、前記電子回路層アセンブリ(130)との間に電気的に接続され、前記増厚層(1123、1124)は、前記封止層(120)によって固定され囲まれている、請求項1~24のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)は、5μm以上の高さ(h3)を有する、請求項25に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の高さ(h3)は、5μmから500μmまでの範囲内である、請求項26に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)のそれぞれの前記電極アセンブリ(1120)の高さ(h3)は、30μmから100μmまでの範囲内である、請求項27に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記電極アセンブリ(1120)の高さ(h3)と幅との比率が1/2より大きい、請求項1~28のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の各前記増厚層(1123、1124)は、金属により作成され、電気めっき及び無電解めっきの内の1つによって形成される、請求項25~28のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の各前記増厚層(1123、1124)は、CuとCuxWとの内の1つにより作成される、請求項30に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記側面(S24)を覆う黒色材料層(170)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 少なくとも1つの前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)に配置される光透過性粗層(180)をさらに具える、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 各前記LEDチップ(110L1-110L4)は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極(1121)に電気的に接続される第1型半導体層(1111)と、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第2の電極(1122)に電気的に接続される第2型半導体層(1113)と、前記第1型半導体層(1111)と前記第2型半導体層(1113)との間に配置される発光層(1112)と、をさらに含む、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の表面(S31)を画成し、対応する前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極と前記第2の電極(1121、1122)に電気的に接続される第1の電子回路層(131)と、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)を画成し、対応する前記LEDチップ(110L1-110L4)と反対となるように前記第1の電子回路層(131)に配置される第2の電子回路層(132)と、を含む、請求項1~34のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の電子回路層(131)を完全に封止している、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)が露出されるように、前記第2の電子回路層(132)を覆う、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の電子回路層(131)の前記封止層(120)に対する投影面積が、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の電子回路層(132)の前記封止層(120)に対する投影面積より大きい、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の電子回路層(132)の前記封止層(120)に対する投影は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の電子回路層(131)の前記封止層(120)に対する投影内に位置する、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の電子回路層(131)は、複数の第1の電子回路サブ層(1311、1312、1313、1314、1315)を含み、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の電子回路層(132)は、複数の第2の電子回路サブ層(1321、1322、1323、1324)を含む、請求項35に記載のLEDデバイス(100)。
- 隣接する2つの前記第2の電子回路サブ層(1321-1324)の間の距離は、隣接する2つの前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の間の距離より大きい、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の数は、前記第2の電子回路サブ層(1321-1324)の数以上である、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の数は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極及び前記第2の電極(1121、1122)の数より少ない、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L3)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極及び前記第2の電極(1121、1122)の総数は6であり、前記第1の電子回路サブ層(1311-1314)の数は4である、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記LEDチップ(110L1-110L4)の数をAとし、前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の数をNとし、前記第2の電子回路サブ層(1321-1324)の数をMとすると、M≦N≦2Aである、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)の内の1つは、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第1の電極(1121)に電気的に接続されており、残りの前記第1の電子回路サブ層(1311-1315)は、それぞれ、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記電極アセンブリ(1120)の前記第2の電極(1122)に電気的に接続されている、請求項40に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の表面(S31)の面積は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)の面積より大きい、請求項1~46のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、反対する上表面及び下表面(S11、S12)を有し、前記封止層(120)の前記上表面(S11)は、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)と同一平面にあり、前記封止層(120)の前記下表面(S12)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)と同一平面にある、請求項47に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第1の表面(S31)の面積は、前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第2の表面(S22)の面積より大きい、請求項48に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)は、電気めっき及び無電解めっきの内の1つによって形成される、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記電子回路層アセンブリ(130)は、Cu及びCuxWの内の1つにより作成される、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、反対する上表面及び下表面(S11、S12)を有し、前記封止層(120)の前記上表面(S11)は、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)と同一平面にあり、前記封止層(120)の前記下表面(S12)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S32)と同一平面にある、請求項1に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)は、第1の封止サブ層(121)と第2の封止サブ層(122)とを含み、前記第1の封止サブ層(121)は、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の前記第1の表面(S21)が前記第1の封止サブ層(121)から露出されるように、前記LEDチップ(110L1-110L4)を覆い、前記第2の封止サブ層(122)は、前記電子回路層アセンブリ(130)の前記第2の表面(S22)の少なくとも一部が前記第2の封止サブ層(122)から露出されるように前記電子回路層アセンブリ(130)を覆う、請求項1~52のいずれか一項に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)の前記第1の封止サブ層(121)の高さは、各前記LEDチップ(110L1-110L4)の高さと同じである、請求項53に記載のLEDデバイス(100)。
- 前記封止層(120)の前記第2の封止サブ層(122)の高さは、前記電子回路層アセンブリ(130)の高さと同じである、請求項54に記載のLEDデバイス(100)。
- 請求項1~55のいずれか一項に記載の前記LEDデバイス(100)を備える発光装置。
- 回路基板(300)と、複数の請求項1~55のいずれか一項に記載の前記LEDデバイス(100)と、を具え、前記LEDデバイス(100)は、前記回路基板(300)上に配置され、各前記LEDデバイス(100)の前記LEDチップ(110L1-110L4)が少なくとも1つのピクセルを画成する、発光装置。
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