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JP7328317B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は表示装置およびその製造方法に関する。
表示装置はマルチメディアの発達につれその重要性が増大している。これに応じて有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＯＬＥＤ）、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）などのような様々な種類の表示装置が使われている。
表示装置の画像を表示する装置として有機発光表示パネルや液晶表示パネルのような表示パネルを含む。その中で、発光表示パネルとして発光素子を含み得るが、例えば、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）は、有機物を蛍光物質として用いる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、無機物を蛍光物質として用いる無機発光ダイオードなどがある。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、発光素子の蛍光物質として有機物を用いるものであり、製造工程が簡単で、かつ表示素子がフレキシブルな特性を有することができる長所がある。しかし、有機物は高温の駆動環境に脆弱であり、青色光の効率が相対的に低いと知られている。
反面、無機発光ダイオードは、蛍光物質として無機物半導体を用い、高温の環境でも耐久性を有し、有機発光ダイオードに比べて青色光の効率が高い長所がある。また、従来の無機発光ダイオード素子の限界として指摘されていた製造工程においても、誘電泳動（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ，ＤＥＰ）法を用いた転写方法が開発された。そのため有機発光ダイオードに比べて耐久性および効率に優れた無機発光ダイオードに対する研究が続けられている。
一方、表示装置は複数の画素を含み、各画素は複数の発光素子、例えば無機発光ダイオードを含む。発光素子は各画素で整列されて絶縁性物質を含む絶縁層によって固定されることができる。絶縁層に含まれる絶縁性物質は無機物であり得るが、無機物絶縁層は発光素子の周辺で結晶の欠陥（ｓｅａｍ）が形成されうる。また、発光素子とベース層との間にまで無機物が形成されず空隙が形成されることもある。結晶界面の欠陥や発光素子下部の空隙は追加的な工程で発光素子の損傷や電極との接触不良が生じうる。
したがって、本発明が解決しようとする課題は、無機物絶縁層上に有機物絶縁層を形成して無機物結晶の面欠陥や発光素子下部の空隙に有機物が充填された表示装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、発光素子をカバーする絶縁層の欠陥と空隙を除去して表示装置の製造過程で発生しうる発光素子の損傷や電極との接触不良を防止することを目的とする。
本発明の課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
前記課題を解決するための一実施形態による表示装置は、第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極と前記第２電極上に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する第１絶縁層、前記第１絶縁層上に配置された発光素子、前記発光素子を覆い、前記発光素子の両端部を露出する第１パッシベーション層、前記第１パッシベーション層上に配置される有機絶縁層、前記第１電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置されて前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第１端部と接触する第１接触電極および前記第２電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置されて前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第２端部と接触する第２接触電極を含む。
前記第１接触電極と第２接触電極は、互いに対向して離隔して配置され、前記第１接触電極と第２接触電極をカバーし、前記第１接触電極と第２接触電極の互いに離隔した領域に配置される第２パッシベーション層をさらに含み得る。
前記有機絶縁層は、前記第１パッシベーション層の両側面をカバーするように配置され得る。
前記第１接触電極と前記第２接触電極の少なくとも一部はそれぞれ前記有機絶縁層の上面と接触し、前記第１接触電極と前記第２接触電極の互いに対向する方向の各端部は前記有機絶縁層の上面に配置され得る。
前記第１接触電極と前記第２接触電極は、実質的に同じ平面上に配置され得る。
前記第１接触電極と前記第２接触電極がそれぞれ前記有機絶縁層の側面と接触する面は、前記第１接触電極と前記第２接触電極がそれぞれ発光素子と接触する面と整列され得る。
前記第１接触電極と前記第２接触電極がそれぞれ前記有機絶縁層の側面と接触する面は、前記第１接触電極と前記第２接触電極がそれぞれ発光素子と接触する面より前記発光素子の中心方向に陥没し得る。
前記発光素子の下面は、少なくとも部分的に前記第１絶縁層と離隔して対向し、前記発光素子の下面と前記第１絶縁層の前記離隔空間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に充填され得る。
前記第１接触電極は、前記有機充填物質と部分的に接触し得る。
前記発光素子は円筒形形状を有し、前記発光素子の下面の一部は前記第１絶縁層と直接接し得る。
前記第１接触電極の上面をカバーするように配置され、前記第２接触電極の下面と接触する第３パッシベーション層をさらに含み得る。
前記第２接触電極と前記第３パッシベーション層の各上面をカバーするように配置される第４パッシベーション層をさらに含み得る。
前記第２接触電極の前記第１接触電極と対向する方向の一側部は、前記第３パッシベーション層上に配置され、前記第１接触電極の前記第２接触電極と対向する方向の一側部は、前記第３パッシベーション層の下部に配置され得る。
前記第３パッシベーション層の前記第２接触電極と接触する一側面は、前記有機絶縁層と前記第２接触電極と接触する一側面と整列され得る。
前記発光素子の下面は、少なくとも部分的に前記第１絶縁層と離隔して対向し、前記発光素子の下面と前記第１絶縁層の前記離隔空間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に充填され得る。
前記第１接触電極は、前記有機充填物質と部分的に接触し得る。
前記発光素子は、前記第１端部はｎ型に導電された半導体物質を含み、前記第２端部はｐ型に導電された半導体物質を含み、前記第１端部と前記第２端部との間には活性物質層が配置され得る。
前記課題を解決するためのまた他の実施形態による表示装置の製造方法は、第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極と前記第２電極上に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する第１絶縁層、および前記第１絶縁層上に配置された発光素子が配置された基板を提供する段階、前記基板上に無機絶縁層および有機絶縁層を順次形成する段階および前記有機絶縁層および前記無機絶縁層をパターニングして前記発光素子を覆い、前記発光素子の第１端部を露出する有機絶縁層および第１パッシベーション層を形成する段階を含む。
前記有機絶縁層および前記第１パッシベーション層を形成する段階後に、前記第１電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置され、前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第１端部と接触する第１接触電極を形成する段階をさらに含み得る。
前記第１接触電極をカバーするように配置され、前記有機絶縁層の前記第２電極に対向する方向の一面をカバーし、前記発光素子の第１端部の反対面である第２端部を露出する第２パッシベーション層を形成する段階をさらに含み得る。
前記第２電極と電気的に接続され、前記第２パッシベーション層上に配置され、前記第２パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第２端部と接触する第２接触電極を形成する段階をさらに含み得る。
前記第２接触電極と前記第２パッシベーション層をカバーするように配置される第３パッシベーション層を形成する段階をさらに含み得る。
前記発光素子の下面は、少なくとも部分的に前記第１絶縁層と離隔して対向し、前記有機絶縁層を形成する段階は、前記発光素子の下面と前記第１絶縁層の前記離隔空間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に充填する段階を含み得る。
前記無機絶縁層をパターニングする段階は、前記無機絶縁層を乾式エッチングする段階を含み得る。
前記有機絶縁層および第１パッシベーション層を形成する段階は、前記発光素子の第１端部の反対側である第２端部も露出する段階を含み得る。
前記第１電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置され、前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第１端部と接触する第３接触電極および前記第２電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置され、前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第２端部と接触する第４接触電極を形成する段階をさらに含み得る。
前記第３接触電極と前記第４接触電極は同じ工程でパターニングされ得る。
前記発光素子の下面は、少なくとも部分的に前記第１絶縁層と離隔して対向し、前記有機絶縁層を形成する段階は、前記発光素子の下面と前記第１絶縁層の前記離隔空間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に充填する段階を含み得る。
前記無機絶縁層をパターニングする段階は、前記無機絶縁層を乾式エッチングする段階を含み得る。
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
一実施形態による表示装置によれば、発光素子を固定させる絶縁層上に有機絶縁層を積層させることによって、絶縁層の無機物結晶の欠陥（ｓｅａｍ）と発光素子下部の空隙に有機物を充填させることができる。そのため、発光素子を整列させた後行われるパターニング工程で発光素子の下部空隙が大きくなることを防止し、接触電極材料の断線問題およびショート不良などを防止することができる。
実施形態による効果は、以上で例示した内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
一実施形態による表示装置の平面図である。 図１のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面図である。 一実施形態による発光素子の概略図である。 他の実施形態による発光素子の概略図である。 他の実施形態による発光素子の概略図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。 一比較例による表示装置の発光素子上に第６絶縁層または第１接触電極が形成された状態を概略的に示す断面図である。 一比較例による表示装置の発光素子上に第６絶縁層または第１接触電極が形成された状態を概略的に示す断面図である。 一実施形態による表示装置の発光素子上に第６絶縁層または第１接触電極が形成された状態を概略的に示す断面図である。 一実施形態による表示装置の発光素子上に第６絶縁層または第１接触電極が形成された状態を概略的に示す断面図である。 図１８および図２１の断面を示す走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＳＥＭ）写真である。 図１８および図２１の断面を示す走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＳＥＭ）写真である。 他の実施形態による表示装置の断面図である。 図２４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 図２４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 図２４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 図２４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 図２４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 他の実施形態による表示装置の断面図である。 図３０の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 図３０の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 図３０の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 他の実施形態による表示装置の断面図である。 図３４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 図３４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。 他の実施形態による表示装置の断面図である。
本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称する場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合をすべて含む。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を称する。
第１、第２などが多様な構成要素を叙述するために使われるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されないことはもちろんである。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使う。したがって、以下で言及する第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得ることはもちろんである。
以下、添付する図面を参照して実施形態について説明する。
図１は一実施形態による表示装置の平面図である。図２は図１のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
表示装置１０は複数の画素ＰＸを含み得る。複数の画素ＰＸは表示装置１０の表示部に配置されてそれぞれ特定波長帯の光を表示装置１０の外部に表示することができる。図１では３個の画素ＰＸを例示的に図示したが、表示装置１０はより多くの数のピクセルを含み得ることは自明である。
複数の画素ＰＸは特定波長帯の光を放出する発光素子３５０を一つ以上含んで発光することができる。一実施形態において、互いに異なる色を表示する画素ＰＸごとに互いに異なる色を発光する発光素子３５０を含み得る。例えば、赤色を表示する第１画素ＰＸ１は赤色の光を発光する発光素子３５０を含み、緑色を表示する第２画素ＰＸ２は緑色の光を発光する発光素子３５０を含み、青色を表示する第３画素ＰＸ３は青色の光を放出する発光素子３５０を含み得る。ただし、これに制限されるものではなく、場合によっては互いに異なる色を示す画素が同じ色（例えば青色）を発光する発光素子３５０を含み、発光経路上に波長変換層やカラーフィルタを配置して各画素の色を実現することもできる。
表示装置１０は画素電極３３０と共通電極３４０を含み得る。画素電極３３０は各画素ＰＸ別に配置され、共通電極３４０は複数の画素ＰＸに沿って配置され得る。共通電極３４０と画素電極３３０のいずれか一つはアノード電極であり、他の一つはカソード電極でありうる。
一つの画素ＰＸ内で画素電極３３０と共通電極３４０は相互離隔して対向する部分を含む。上述した発光素子３５０は相互対向する画素電極３３０と共通電極３４０との間に配置され得る。発光素子３５０の一端部は画素電極３３０と電気的に接続され、他端部は共通電極３４０と接続されることができる。
また、画素電極３３０と共通電極３４０の少なくとも一部は、発光素子３５０を整列するために、画素ＰＸ内の電場形成に活用することができる。具体的に説明すると、複数の画素ＰＸに互いに異なる色を発光する発光素子３５０を整列させるとき、各画素ＰＸ別に互いに異なる発光素子３５０を正確に整列させることが必要である。誘電泳動法を用いて発光素子３５０を整列させるときには、発光素子３５０が含まれた溶液を表示装置１０に塗布し、これに交流電源を印加して電場によるキャパシタンスを形成して発光素子３５０に誘電泳動力を加えて整列させることができる。
共通電極３４０は第１方向に延びた幹部および幹部から分枝された少なくとも一つの枝部を含み得る。共通電極３４０の幹部は第１方向に隣接する他の画素に延びる。画素電極３３０は第１方向に延びた幹部および幹部から分枝された少なくとも一つの枝部を含み得る。画素電極３３０の幹部は該当画素ＰＸ内にのみ配置され、第１方向の隣接する画素の画素電極３３０の幹部は電気的に分離することができる。
共通電極３４０の幹部と画素電極３３０の幹部は互いに離隔して配置される。共通電極３４０の幹部は画素の中央から第２方向の一側に位置し、画素電極３３０の幹部は画素の中央から第２方向他側に位置することができる。共通電極３４０の枝部と画素電極３３０の枝部はそれぞれ共通電極３４０の幹部と画素電極３３０の幹部との間の空間内で互いに対向するように配置され得る。具体的には、共通電極３４０の枝部は画素電極３３０の幹部側に第２方向に沿って延びるが、画素電極３３０の幹部と離隔した状態で終止する（すなわち、延長端部が画素電極３３０の幹部と離隔する）。画素電極３３０の枝部は共通電極３４０の幹部側に第２方向に沿って延びるが、共通電極３４０の幹部と離隔した状態で終止することができる。
共通電極３４０の枝部と画素電極３３０の枝部は、それぞれ一つまたは複数でありうる。共通電極３４０の枝部と画素電極３３０の枝部が複数である場合、各枝部は第１方向に沿って交互に配置され得る。互いに対向する構造を作るためには共通電極３４０の枝部は同数であるかまたはいずれか一つが異なる一つより１個がさらに多くてもよい。図面では一つの画素に共通電極３４０の幹部が一つずつ配置され、画素電極３３０の幹部が２個ずつ配置された場合を例示しているが、これに制限されない。画素電極３３０の枝部が一つの場合、画素電極３３０の幹部は省略することもできる。
図面には示していないが、画素電極３３０と共通電極３４０の幹部は一端部が信号印加パッド（図示せず）に接続され得る。信号印加パッドから印加される電気信号は各枝部に伝達され、画素電極３３０と共通電極３４０との間に配置された発光素子３５０に伝達され得る。
また、画素電極３３０と共通電極３４０の幹部にはそれぞれ画素電極コンタクトホールＣＮＴＤおよび共通電極コンタクトホールＣＮＴＳが配置され得る。画素電極コンタクトホールＣＮＴＤと共通電極コンタクトホールＣＮＴＳは、後述する第１薄膜トランジスタ１２０と電源配線１６１にそれぞれ電気的に接続されることができる。
図１では画素電極コンタクトホールＣＮＴＤと共通電極コンタクトホールＣＮＴＳがそれぞれ画素電極３３０と共通電極３４０の幹部に配置された場合を示している。ただし、これに制限されない。図面には示していないが、画素電極コンタクトホールＣＮＴＤと共通電極コンタクトホールＣＮＴＳはそれぞれ画素電極３３０と共通電極３４０の枝部上に配置され得る。すなわち、画素電極３３０と共通電極３４０の枝部との間に配置される発光素子３５０と隣接するように配置され、発光素子３５０が配置される画素領域内に配置されることもできる。そのため、各画素ＰＸの画素電極３３０と共通電極３４０は画素電極コンタクトホールＣＮＴＤと共通電極コンタクトホールＣＮＴＳを介して互いに異なる電気信号が印加されることができる。
また、図１のように、各画素ＰＸ別に画素電極コンタクトホールＣＮＴＤと共通電極コンタクトホールＣＮＴＳが配置されることができ、いくつかの実施形態において、共通電極３４０の場合、隣り合う画素ＰＸに共通電極３４０の幹部が延びることにより、一つの共通電極コンタクトホールＣＮＴＳで電源配線１６１と電気的に接続されることもできる。画素電極３３０とは異なり、共通電極３４０は複数の画素ＰＸに一つの幹部が配置されて同じ電気信号が印加され得る。この場合、共通電極３４０は一つの共通電極コンタクトホールＣＮＴＳが配置され得る。共通電極コンタクトホールＣＮＴＳは発光素子３５０が配置される画素領域内に配置されるが、これに制限されず画素ＰＸが配置されるパネルの外郭部に配置され得る。すなわち、共通電極３４０は表示装置１０の外郭部に配置された一つの共通電極コンタクトホールＣＮＴＳを介して同じ電気信号の印加を受けることもできる。
以下、表示装置の断面構造について詳細に説明する。
図２は一実施形態による表示装置の一画素の断面図である。図１および図２を参照すると、表示装置１０は、基板１１０、基板１１０上に配置された薄膜トランジスタ（１２０，１４０）、薄膜トランジスタ（１２０，１４０）の上部に配置された電極（３３０，３４０）と発光素子３５０を含み得る。薄膜トランジスタは駆動トランジスタである第１薄膜トランジスタ１２０とスイッチングトランジスタである第２薄膜トランジスタ１４０を含み得る。各薄膜トランジスタは、活性層、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み得る。画素電極３３０は第１駆動トランジスタのドレイン電極と電気的に接続され得る。
さらに具体的に説明すると、基板１１０は絶縁基板でありうる。基板１１０は、ガラス、石英、または高分子樹脂などの絶縁物質からなる。前記高分子物質の例としては、ポリエーテルサルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＡ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ：ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ：ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ：ＰＣ）、セルローストリアセテート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ｔｒｉａｃｅｔａｔｅ：ＣＡＴ）、セルロースアセテートプロピオネート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ａｃｅｔａｔｅ ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：ＣＡＰ）またはこれらの組み合わせが挙げられる。基板１１０はリジッド基板であり得るが、ベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）、フォールディング（ｆｏｌｄｉｎｇ）、ローリング（ｒｏｌｌｉｎｇ）などが可能なフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であり得る。
基板１１０上にはバッファ層１１５が配置され得る。バッファ層１１５は不純物イオンが拡散されることを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面平坦化機能を遂行することができる。バッファ層１１５は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、またはシリコン酸窒化物などを含み得る。
バッファ層１１５上には半導体層が配置される。半導体層は第１薄膜トランジスタ１２０の第１活性層１２６、第２薄膜トランジスタ１４０の第２活性層１４６および補助層１６３を含み得る。半導体層は、多結晶シリコン、単結晶シリコン、酸化物半導体などを含み得る。
半導体層上には第１絶縁層１７０が配置される。第１絶縁層１７０は半導体層を覆う。第１絶縁層１７０は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として機能することができる。第１絶縁層１７０はシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタニウム酸化物などを含み得る。これらは単独でまたは互いに組合わせて使用することができる。
第１絶縁層１７０上には第１導電層が配置される。第１導電層は第１絶縁層１７０を挟んで第１薄膜トランジスタ１２０の第１活性層１２６上に配置された第１ゲート電極１２１、第２薄膜トランジスタ１４０の第２活性層１４６上に配置された第２ゲート電極１４１および補助層１６３上に配置された電源配線１６１を含み得る。第１導電層は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）の中より選ばれた一つ以上の金属を含み得る。第１導電層は単一膜または多層膜でありうる。
第１導電層上には第２絶縁層１８０が配置される。第２絶縁層１８０は層間絶縁膜でありうる。第２絶縁層１８０はシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、ハフニウム酸化物、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、タンタル酸化物、亜鉛酸化物などの無機絶縁物質からなる。
第２絶縁層１８０上には第２導電層が配置される。第２導電層は第２絶縁層を挟んで第１ゲート電極１２１上に配置されたキャパシタ電極１２８を含む。キャパシタ電極１２８は第１ゲート電極１２１と維持キャパシタをなす。
第２導電層は上述した第１導電層と同様にモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）の中より選ばれた一つ以上の金属を含み得る。
第２導電層上には第３絶縁層１９０が配置される。第３絶縁層１９０は層間絶縁膜でありうる。さらに、第３絶縁層１９０は表面平坦化機能を遂行することができる。第３絶縁層１９０は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）などの有機絶縁物質を含み得る。
第３絶縁層１９０上には第３導電層が配置される。第３導電層は第１薄膜トランジスタ１２０の第１ドレイン電極１２３と第１ソース電極１２４、第２薄膜トランジスタ１４０の第２ドレイン電極１４３と第２ソース電極１４４、および電源配線１６１の上部に配置された電源電極１６２を含む。
第１ソース電極１２４および第１ドレイン電極１２３は、それぞれ第３絶縁層１９０と第２絶縁層１８０を貫く第１コンタクトホール１２９を介して第１活性層１２６と電気的に接続され得る。第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４３は、それぞれ第３絶縁層１９０と第２絶縁層１８０を貫く第２コンタクトホール１４９を介して第２活性層１４６と電気的に接続され得る。電源電極１６２は第３絶縁層１９０と第２絶縁層１８０を貫く第３コンタクトホール１６９を介して電源配線１６１と電気的に接続されることができる。
第３導電層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）の中より選ばれた一つ以上の金属を含み得る。第３導電層は単一膜または多層膜でありうる。例えば、第３導電層はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕなどの積層構造で形成され得る。
第３導電層上には第４絶縁層３１０が配置される。第４絶縁層３１０は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）などの有機物質からなる。第４絶縁層３１０の表面は平坦である。
第４絶縁層３１０上には隔壁４１０が配置され得る。隔壁４１０の上部には画素電極３３０の少なくとも一部および共通電極３４０の少なくとも一部が配置され得る。例えば、隔壁４１０はその上に画素電極３３０の枝部が配置される少なくとも一つの第１隔壁４１１とその上に共通電極３４０の枝部が配置される少なくとも一つの第２隔壁４１２を含み得る。図２では一つの第１隔壁４１１と一つの第２隔壁４１２が示しているが、一つの画素内に各枝部の個数に対応する隔壁が配置され得る。例えば、図１の配置構造を有する場合、一つの画素に配置された第１隔壁４１１の数は二つであり、第２隔壁４１２の数は一つになる。
第１隔壁４１１と第２隔壁４１２上にはそれぞれ画素電極３３０と共通電極３４０が配置され得る。
隔壁４１０上には第１反射層３３１および第２反射層３４１が配置され得る。
第１反射層３３１は、第１隔壁４１１を覆い、第４絶縁層３１０を貫く第４コンタクトホール３１９＿１を介して第１薄膜トランジスタ１２０の第１ドレイン電極１２３と電気的に接続される。第２反射層３４１は第１反射層３３１と離隔して配置される。第２反射層３４１は第２隔壁４１２を覆い、第４絶縁層３１０を貫く第５コンタクトホール３１９＿２を介して電源電極１６２と電気的に接続される。
一方、第１反射層３３１と第２反射層３４１は発光素子３５０から放出される光を反射させることによって表示装置１０の外部方向に光を伝達することができる。発光素子３５０から放出される光は方向性を有さずすべての方向に放出されるが、第１反射層３３１と第２反射層３４１に向かう光は反射して表示装置１０の外部方向、例えば、隔壁４１０の上部に伝達することができる。これにより発光素子３５０から放出される光を一方向に集中させて光効率を増加させることができる。第１反射層３３１と第２反射層３４１は発光素子３５０から放出される光を反射させるために反射率が高い物質を含み得る。一例として、第１反射層３３１と第２反射層３４１は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などのような物質を含み得るが、これに制限されるものではない。
第１反射層３３１および第２反射層３４１上にはそれぞれ第１電極層３３２および第２電極層３４２が配置され得る。
第１電極層３３２は第１反射層３３１の真上に配置される。第１電極層３３２は第１反射層３３１と実質的に同じパターンを有することができる。
第２電極層３４２は第２反射層３４１の真上に配置される。第２電極層３４２は第１電極層３３２と分離するように配置される。第２電極層３４２は第２反射層３４１と実質的に同じパターンを有することができる。
一実施形態において、第１電極層３３２と第２電極層３４２はそれぞれ下部の第１反射層３３１と第２反射層３４１を覆うことができる。すなわち、第１電極層３３２および第２電極層３４２は第１反射層３３１および第２反射層３４１より大きく形成されて第１電極層３３２および第２電極層３４２の端部の側面を覆うことができる。しかし、これに制限されるものではない。
第１電極層３３２と第２電極層３４２はそれぞれ第１反射層３３１と第２反射層３４１に伝達される電気信号を後述する接触電極に伝達することができる。電極層（３３２，３４２）は透明性伝導性物質を含み得る。一例として、第１電極層３３２と第２電極層３４２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ－Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などのような物質を含み得るが、これに制限されるものではない。
第１隔壁４１１上に配置される第１反射層３３１と第１電極層３３２は画素電極３３０をなす。画素電極３３０は第１隔壁４１１の両終端で延びた領域まで突出することができ、そのため画素電極３３０は前記突出した領域で第４絶縁層３１０と接触することができる。そして、第２隔壁４１２上に配置される第２反射層３４１と第２電極層３４２は共通電極３４０をなす。共通電極３４０は第２隔壁４１２の両終端で延びた領域まで突出することができ、そのため共通電極３４０は前記突出した領域で第４絶縁層３１０と接触することができる。
すなわち、画素電極３３０と共通電極３４０はそれぞれ第１隔壁４１１と第２隔壁４１２の全領域をカバーするように配置され得る。ただし、画素電極３３０と共通電極３４０は互いに離隔して対向するように配置される。画素電極３３０と共通電極３４０が離隔した空間は後述するように第５絶縁層５１０が配置され、その上部に発光素子３５０が配置され得る。
また、第１反射層３３１は第１薄膜トランジスタ１２０から駆動電圧の伝達を受けることができ、第２反射層３４１は電源配線１６１から電源電圧の伝達を受けることができるので、画素電極３３０と共通電極３４０はそれぞれ駆動電圧と電源電圧の伝達を受ける。後述するように、画素電極３３０と共通電極３４０上に配置される第１接触電極３６０および第２接触電極３７０は、前記駆動電圧と電源電圧を発光素子３５０に伝達し、発光素子３５０に所定の電流が流れることにより光を放出することができる。
画素電極３３０と共通電極３４０の一部領域上には第５絶縁層５１０が配置される。第５絶縁層５１０は画素電極３３０と共通電極３４０との間の空間内に配置され得る。第５絶縁層５１０は平面上画素電極３３０と共通電極３４０の枝部との間の空間に沿って形成された島状または線状形状を有することができる。
第５絶縁層５１０上には発光素子３５０が配置される。第５絶縁層５１０は発光素子３５０と第４絶縁層３１０との間に配置され得る。第５絶縁層５１０の下面は第４絶縁層３１０に接触し、第５絶縁層５１０の上面に発光素子３５０が配置され得る。そして、第５絶縁層５１０は両側面で画素電極３３０と共通電極３４０と接触し、画素電極３３０と共通電極３４０を電気的に相互絶縁させることができる。
第５絶縁層５１０は画素電極３３０と共通電極３４０の一部領域、例えば、画素電極３３０と共通電極３４０が互いに対向する方向に突出した領域の一部と重なってもよい。一例として、第５絶縁層５１０の両側面端部は画素電極３３０と共通電極３４０が互いに対向する方向に突出した領域の上部面を覆うことができる。第５絶縁層５１０は画素電極３３０および共通電極３４０と重なる領域を保護すると同時に、これらを電気的に相互絶縁させることができる。また、発光素子３５０の第１半導体層３５１および第２半導体層３５２が他の基材と直接接触することを防止して発光素子３５０の損傷を防止することができる。
図２は第５絶縁層５１０と画素電極３３０および共通電極３４０が接触する面が発光素子３５０の両側面と整列される場合を示しているが、これに制限されない。一例として、発光素子３５０の長さより第５絶縁層５１０の長さが長いため、第５絶縁層５１０が発光素子３５０より両側面に突出しうる。そのため、第５絶縁層５１０と発光素子３５０は側面が階段式で積層されることもできる。
発光素子３５０は画素電極３３０と共通電極３４０との間に少なくとも一つが配置され得る。図１では画素ＰＸごとに同じ色の光を放出する発光素子３５０が配置された場合を例示している。ただし、これに制限されず前述したように互いに異なる色の光を放出する発光素子３５０が一つの画素ＰＸ内に共に配置されることもできる。
画素電極３３０および共通電極３４０は、一定の間隔だけ離隔して配置され、離隔した間隔は発光素子３５０の長さより小さいかまたは同一であってもよい。そのため、画素電極３３０および共通電極３４０と発光素子３５０との間の電気的接触が円滑に行われる。
具体的には、複数の発光素子３５０のうち少なくとも一部は、一端部が画素電極３３０と電気的に接続され、他端部が共通電極３４０と電気的に接続されることができる。また、発光素子３５０と接続された画素電極３３０と共通電極３４０上にはそれぞれ後述する接触電極（３６０，３７０）が配置され得る。接触電極（３６０，３７０）は、発光素子３５０と各電極（３３０，３４０）が電気的に接続されるように発光素子３５０と接触することができる。ここで、接触電極（３６０，３７０）は、少なくとも発光素子３５０の両端の側部で接触することができる。そのため、発光素子３５０は電気信号の印加を受けて特定色の光を放出することができる。
いくつかの実施形態において、画素電極３３０に接触する発光素子３５０の一端はｎ型にドーピングされた導電性物質層であり、共通電極３４０に接触する発光素子３５０の他端はｐ型にドーピングされた導電性物質層でありうる。共通電極３４０に接触する発光素子３５０の他端は電極物質層であり得る。そのため、発光素子３５０は画素電極３３０に接触する前記一端から共通電極３４０に接触する前記他端まで順次にｎ型導電性物質層、活性物質層、ｐ型導電性物質層または電極物質層が積層された構造でありうる。ただし、これに制限されるものではない。
発光素子３５０は離隔した画素電極３３０と共通電極３４０との間に配置され得る。発光素子３５０は活性物質層の材料に応じて他の色の光を放出することができる。互いに異なる種類の発光素子３５０は各画素ＰＸに整列されて互いに異なる色の光を放出することができる。例えば、発光素子３５０が青色、緑色または赤色波長帯の光を放出することによって、複数の画素ＰＸはそれぞれ青色、緑色または赤色の光を放出することができる。ただし、これに制限されるものではない。場合によっては複数の発光素子３５０がすべて同じ色の波長帯の光を放出して複数の画素ＰＸが同じ色（例えば、青色）の光を放出するように実現することができる。また、互いに異なる色の波長帯の光を放出する発光素子３５０を一つの画素ＰＸに配置して他の色（例えば、白色）の光を放出することもできる。
発光素子３５０は発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）でありうる。発光素子３５０はその大きさが概してナノ単位であるナノ構造物でありうる。発光素子３５０は無機物からなる無機発光ダイオードでありうる。発光素子３５０が無機発光ダイオードである場合、互いに対向する二つの電極の間に無機結晶構造を有する発光物質を配置して発光物質に特定方向に電界を形成すると、無機発光ダイオードが、特定極性が形成される前記二つの電極の間に整列され得る。これに対する詳細な説明は後述する。
第６絶縁層５２０は発光素子３５０上に配置され、発光素子３５０を保護して画素電極３３０と共通電極３４０との間で発光素子３５０を固定させることができる。図２には示していないが、発光素子３５０の外面にも第６絶縁層５２０が配置されて発光素子３５０を固定させることができる。第６絶縁層５２０は発光素子３５０の外面の一部領域に配置され、発光素子３５０の両側面は露出するように配置され得る。すなわち、第６絶縁層５２０の長さが発光素子３５０より短いため、第６絶縁層５２０は発光素子３５０の前記両側面より内側に陥没する。そのため、第５絶縁層５１０、発光素子３５０および第６絶縁層５２０は側面が階段式で積層されることができる。この場合、第５絶縁層５１０のように、第６絶縁層５２０が配置されることによって第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は発光素子３５０の側面で円滑に接触が行われる。
ただし、これに制限されず、第６絶縁層５２０の長さと発光素子３５０の長さが一致して両側部が整列され得る。それだけでなく、第６絶縁層５２０が第５絶縁層５１０と同時にパターニングされる場合、第６絶縁層５２０は発光素子３５０および第５絶縁層５１０と各両側部が整列されることもできる。
一方、第６絶縁層５２０は後述するように、絶縁性無機物を含み得る。そのため、マスク工程によって形成される第６絶縁層５２０は発光素子３５０の上部面、外周面および発光素子３５０と隣接する領域において無機物結晶の欠陥（ｓｅａｍ）が形成され得る。発光素子３５０と無機物層が接する領域で前記欠陥が形成される場合、以後に行われるマスク工程時の欠陥で無機物層が過度にエッチングされたり、場合によっては接触した材料が分離されたりすることもある。また、発光素子３５０と第４絶縁層３１０との間に空隙Ｇが形成されることもある。
また、無機物層を蒸着する場合、薄膜塗布性（Ｓｔｅｐ－ｃｏｖｅｒａｇｅ）が不良であり、発光素子３５０上に第６絶縁層５２０が不均一に形成される。特に、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０を形成する時にも、薄膜塗布性が不良である場合、接触電極材料が途切れ、発光素子３５０が電気的に断線される。
そこで、一実施形態による表示装置１０は、第６絶縁層５２０上に第７絶縁層５３０が配置される。図２では第７絶縁層５３０の断面が第６絶縁層５２０の断面上に配置される形態を示しているが、第７絶縁層５３０は第６絶縁層５２０の外面をカバーするように配置され得る。ただし、第６絶縁層５２０の上部面の少なくとも一部が露出するように、第７絶縁層５３０は第６絶縁層５２０の一側面から陥没するように配置され得る。そのため、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０が発光素子３５０と接触することができる。
第７絶縁層５３０は、第６絶縁層５２０のような無機物層に形成される欠陥（ｓｅａｍ）や発光素子３５０の下部に形成される空隙を充填することができる。そのため第６絶縁層５２０の薄膜塗布性の不良を解消し、接触電極材料が途切れる問題を防止することができる。また、第７絶縁層５３０により第６絶縁層５２０が平坦化することができる。第７絶縁層５３０により第６絶縁層５２０の上部面が平坦化されると、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０を形成する工程を比較的円滑に行うこともできる。これに対する詳しい説明は後述する。
第７絶縁層５３０は、第６絶縁層５２０の上部面に配置され、少なくとも一部は第６絶縁層５２０の断面上一側面を覆うように配置され得る。すなわち、第６絶縁層５２０は、一側面が第７絶縁層５３０と接触して保護され、他側部が露出して他の部材、例えば第２接触電極３７０と接触することができる。
また、第６絶縁層５２０を覆うように配置される第７絶縁層５３０の少なくとも一部は発光素子３５０の下面に形成されうる空間に充填されうる。両側部を基準に長さ方向に対して中央に陥没する。すなわち、第７絶縁層５３０の長さは発光素子３５０より短いため発光素子３５０と第７絶縁層５３０は階段型で積層されることができる。
ただし、第７絶縁層５３０と第６絶縁層５２０の構造は図２に示す構造に制限されない。いくつかの実施形態によれば、第７絶縁層５３０と第６絶縁層５２０の両側面は、互いに平行するように同じ形状を有することもできる。これに対するより詳細な説明は他の実施形態を参照して後述する。
第７絶縁層５３０上には画素電極３３０上に配置され、第７絶縁層５３０の少なくとも一部と重なる第１接触電極３６０、共通電極３４０上に配置され、第１接触電極３６０と離隔して配置され、第７絶縁層５３０の少なくとも一部と接触する第２接触電極３７０を含み得る。
第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は、それぞれ画素電極３３０と共通電極３４０の上部面に配置され得る。具体的には、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は画素電極３３０と共通電極３４０の上部面でそれぞれ第１電極層３３２および第２電極層３４２と接触することができる。第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は発光素子３５０の第１半導体層３５１および第２半導体層３５２にそれぞれ接触することができる。そのため、第１接触電極３６０および第２接触電極３７０は第１電極層３３２および第２電極層３４２に印加された電気信号を発光素子３５０に伝達することができる。
第１接触電極３６０は画素電極３３０上でこれをカバーするように配置され、下面が部分的に発光素子３５０および第７絶縁層５３０と接触することができる。第１接触電極３６０の共通電極３４０が配置された方向の一端部は第７絶縁層５３０上に配置される。第２接触電極３７０は共通電極３４０上でこれをカバーするように配置され、下面が部分的に発光素子３５０、第７絶縁層５３０および第８絶縁層５４０と接触することができる。第２接触電極３７０の画素電極３３０が配置された方向の一端部は第８絶縁層５４０上に配置される。
第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は、第７絶縁層５３０または第８絶縁層５４０上で互いに離隔して配置され得る。すなわち、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は、発光素子３５０と第７絶縁層５３０または第８絶縁層５４０に共に接触するが、第７絶縁層５３０上では互いに離隔して接続されなくてもよい。これにより、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０が第１薄膜トランジスタ１２０と電源配線１６１で互いに異なる電源の印加を受けることができる。一例として、第１接触電極３６０は第１薄膜トランジスタ１２０で画素電極３３０に印加される駆動電圧を、第２接触電極３７０は電源配線１６１で共通電極３４０に印加される電源電圧の印加を受けることができる。ただし、これに制限されるものではない。
第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は伝導性物質を含み得る。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、アルミニウム（Ａｌ）などを含み得る。ただし、これに制限されるものではない。
また、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は、第１電極層３３２および第２電極層３４２と同じ物質を含み得る。第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は、第１電極層３３２および第２電極層３４２にコンタクトするように、第１電極層３３２および第２電極層３４２上で実質的に同じパターンで配置され得る。第１電極層３３２および第２電極層３４２にコンタクトする第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は第１電極層３３２および第２電極層３４２に印加される電気信号の伝達を受けて発光素子３５０に伝達することができる。
第８絶縁層５４０は第１接触電極３６０の上部に配置され、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０を電気的に相互絶縁させることができる。第８絶縁層５４０は第１接触電極３６０を覆うように配置され、発光素子３５０が第２接触電極３７０と接続されるように発光素子３５０の一部領域には重ならないように配置され得る。第８絶縁層５４０は第７絶縁層５３０の上部面で第１接触電極３６０および第７絶縁層５３０と部分的に接触することができる。第８絶縁層５４０は第７絶縁層５３０の上部面で第１接触電極３６０の一端部をカバーするように配置され得る。そのため第８絶縁層５４０は第１接触電極３６０を保護すると同時に、第２接触電極３７０と電気的に絶縁させることができる。
第８絶縁層５４０の共通電極３４０が配置された方向の一端部は、第７絶縁層５３０をカバーするように配置され、第６絶縁層５２０の一側面と整列され得る。
一方、後述するいくつかの実施形態において、表示装置１０は第８絶縁層５４０を省略することもできる。そのため、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は実質的に同じ平面上に配置され得、後述するパッシベーション層５５０により第１接触電極３６０と第２接触電極３７０は電気的に相互絶縁され得る。これに対する詳細な説明は他の実施形態が参照される。
パッシベーション層５５０は第８絶縁層５４０および第２接触電極３７０の上部に形成され、外部環境に対して第４絶縁層３１０上に配置される部材を保護する機能をすることができる。第１接触電極３６０と第２接触電極３７０が露出する場合、電極損傷によって接触電極材料の断線問題が発生しうるので、パッシベーション層５５０でこれらをカバーすることができる。すなわち、パッシベーション層５５０は画素電極３３０、共通電極３４０、発光素子３５０などをカバーするように配置され得る。また、前述したように、第８絶縁層５４０を省略する場合、パッシベーション層５５０は第１接触電極３６０と第２接触電極３７０の上部に形成され得る。この場合、パッシベーション層５５０は第１接触電極３６０と第２接触電極３７０を電気的に相互絶縁させることもできる。
上述した第５絶縁層５１０、第６絶縁層５２０、第８絶縁層５４０およびパッシベーション層５５０それぞれは無機物絶縁性物質を含み得る。例えば、第５絶縁層５１０、第６絶縁層５２０、第８絶縁層５４０およびパッシベーション層５５０は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのような物質を含み得る。第５絶縁層５１０、第６絶縁層５２０、第８絶縁層５４０およびパッシベーション層５５０は、同じ物質からなることもできるが、互いに異なる物質からなることもできる。その他、第５絶縁層５１０、第６絶縁層５２０、第８絶縁層５４０およびパッシベーション層５５０に絶縁性を付与する多様な物質が適用可能である。
一方、第５絶縁層５１０、第８絶縁層５４０およびパッシベーション層５５０は、第７絶縁層５３０のような有機絶縁物質をさらに含むこともできる。ただし、これに制限されない。第７絶縁層５３０に含まれる有機絶縁物質は発光素子溶液Ｓの特性に影響を与えない範囲内のものであれば、特に制限されない。一例として、前記有機絶縁物質は、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂、カルド（ｃａｒｄｏ）系樹脂、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン（Ｓｉｌｏｘａｎｅ）系樹脂およびシルセスキオキサン（Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）系樹脂からなる群より選ばれた少なくともいずれか一つを含み得るが、これに制限されるものではない。
以上のように、一実施形態による表示装置１０は画素電極３３０と共通電極３４０を含み、画素電極３３０と共通電極３４０との間に配置される発光素子３５０を含み得る。発光素子３５０は第１接触電極３６０と第２接触電極３７０から電気信号を受けて特定波長帯の光を放出することができる。ただし、第１接触電極３６０と第２接触電極３７０をパターニングする工程で、発光素子３５０周辺の無機物結晶の欠陥や、発光素子３５０の下部に空隙が生じうる。そのため第７絶縁層５３０を含んで有機絶縁物質で前記欠陥や空隙を充填させることで、発光素子３５０と第１接触電極３６０および第２接触電極３７０との接触材料の断線や空隙によるショート（ｓｈｏｒｔ）不良などを防止することができる。
一方、発光素子３５０は基板上でエピタキシャル（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ）成長法によって製造することができる。基板上に半導体層を形成するためのシード結晶（Ｓｅｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）層を形成し、所望する半導体材料を蒸着させて成長させることができる。以下、図３ないし図５を参照して多様な実施形態による発光素子３５０の構造について詳細に説明する。
図３は一実施形態による発光素子の概略図である。図４および図５は他の実施形態による発光素子の概略図である。
図３を参照すると、発光素子３５０は複数の半導体層（３５１，３５２）および前記複数の半導体層（３５１，３５２）の間に配置される活性物質層３５３を含み得る。画素電極３３０および共通電極３４０から印加される電気信号は、複数の半導体層（３５１，３５２）を介して活性物質層３５３に伝達されて光を放出することができる。
具体的には、発光素子３５０は、第１半導体層３５１、第２半導体層３５２、第１半導体層３５１と第２半導体層３５２との間に配置される活性物質層３５３および絶縁性物質層３５８を含み得る。図４の発光素子３５０は第１半導体層３５１、活性物質層３５３および第２半導体層３５２が長さ方向に順次積層された構造を例示する。
第１半導体層３５１はｎ型半導体層でありうる。一例として、発光素子３５０が青色波長帯の光を放出する場合、第１半導体層３５１は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の化学式を有する半導体材料でありうる。例えば、ｎ型にドーピングされたＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮのいずれか一つ以上でありうる。第１半導体層３５１は第１導電性ドーパントがドーピングされ得、一例として第１導電性ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどでありうる。第１半導体層３５１の長さは１．５μｍ～５μｍの範囲を有し得るが、これに制限されるものではない。
第２半導体層３５２はｐ型半導体層でありうる。一例として、発光素子３５０が青色波長帯の光を放出する場合、第２半導体層３５２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の化学式を有する半導体材料でありうる。例えば、ｐ型にドーピングされたＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの一つ以上でありうる。第２半導体層３５２は第２導電性ドーパントがドーピングされ得、一例として第２導電性ドーパントはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｅ、Ｂａなどでありうる。第２半導体層３５２の長さは、０．０８μｍ～０．２５μｍの範囲を有し得るが、これに制限されるものではない。
活性物質層３５３は第１半導体層３５１と第２半導体層３５２との間に配置され、単一または多重量子井戸構造の物質を含み得る。ただし、これに制限されるものではなく、活性物質層３５３はバンドギャップ（Ｂａｎｄ ｇａｐ）エネルギが大きい種類の半導体物質とバンドギャップエネルギが小さい半導体物質が互いに交互に積層された構造であり得る。
活性物質層３５３は、第１半導体層３５１および第２半導体層３５２を介して印加される電気信号に応じて電子－正孔ペアの結合によって光を発光することができる。一例として、活性物質層３５３が青色波長帯の光を放出する場合、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなどの物質を含み得、発光する光の波長帯に応じて他の３族～５族半導体物質を含むこともできる。そのため、活性物質層３５３が放出する光は青色波長帯の光に制限されず、場合によっては赤色、緑色波長帯の光を放出することもできる。活性物質層３５３の長さは、０．０５μｍ～０．２５μｍの範囲を有し得るが、これに制限されるものではない。
活性物質層３５３から放出される光は発光素子３５０の長さ方向の外部面だけではなく両側面に放出されることができる。すなわち、活性物質層３５３から放出される光は一方向に方向性が制限されない。
絶縁性物質層３５８は、発光素子３５０の外部に形成されて発光素子３５０を保護することができる。一例として、絶縁性物質層３５８は発光素子３５０の側面部を囲むように形成され、発光素子３５０の長さ方向の両端部、例えば第１半導体層３５１および第２半導体層３５２が配置された端部には形成されなくてもよい。ただし、これに制限されない。絶縁性物質層３５８は絶縁特性を有する物質、例えば、シリコン酸化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｉｄｅ，ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ，ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ，ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ ｏｘｉｄｅ，Ａｌ２Ｏ３）などを含み得る。そのため活性物質層３５３が画素電極３３０または共通電極３４０と直接接触する場合、発生しうる電気的短絡を防止することができる。また、絶縁性物質層３５８は活性物質層３５３を含んで発光素子３５０の外部面を保護するので、発光効率の低下を防止することができる。
絶縁性物質層３５８の厚さは、０．５μｍ～１．５μｍの範囲を有し得るが、これに制限されるものではない。
発光素子３５０は円筒形でありうる。ただし、発光素子３５０の形態はこれに制限されるものではなく、正六面体、直六面体、六角柱型など多様な形態を有することができる。発光素子３５０は、長さ（ｌ）が１μｍ～１０μｍまたは２μｍ～５μｍの範囲を有し得、好ましくは４μｍ内外の長さを有することができる。また、発光素子３５０の直径は４００ｎｍ～７００ｎｍの範囲を有し得、好ましくは５００ｎｍ内外の厚さを有することができる。
一方、図４および図５を参照すると、発光素子（３５０’，３５０”）は、第１半導体層３５１および第２半導体層３５２が配置される側面のうち少なくともいずれか一つに電極物質層（３５６，３５７）をさらに含むこともできる。
図４の発光素子３５０’は、第２半導体層３５２に電極物質層（３５６，３５７）をさらに含む場合を例示する。そして、図５の発光素子３５０”は、第１半導体層３５１と第２半導体層３５２にそれぞれ電極物質層（３５６，３５７）をさらに含む場合を例示する。説明の便宜上第１半導体層３５１が配置された一側面に形成される電極層を第１電極物質層３５６、第２半導体層３５２が配置された他側面に形成される電極層を第２電極物質層３５７という。ただし、これに制限されるものではなく、任意の電極層を第１電極層とも言える。
他の実施形態による発光素子（３５０’、３５０”）は、第１電極物質層３５６および第２電極物質層３５７の少なくともいずれか一つを含み得、この場合、絶縁性物質層３５８は長さ方向に延びて第１電極物質層３５６および第２電極物質層３５７をカバーするように形成することができる。ただし、これに制限されず絶縁性物質層３５８は第１半導体層３５１、活性物質層３５３および第２半導体層３５２のみをカバーしたり、電極物質層（３５６，３５７）の外面の一部のみをカバーしたりして第１電極物質層３５６および第２電極物質層３５７の一部の外面が露出することもできる。
第１電極物質層３５６および第２電極物質層３５７は、オーミック（ｏｈｍｉｃ）接触電極でありうる。ただし、これに制限されず、ショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接触電極であり得る。第１電極物質層３５６と第２電極物質層３５７は伝導性を有する金属を含み得る。例えば、第１電極物質層３５６および第２電極物質層３５７は、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）のうち少なくともいずれか一つを含み得る。第１電極物質層３５６および第２電極物質層３５７は、同じ物質を含み得、互いに異なる物質を含むこともできる。ただし、これに制限されるものではない。
以下では、図６ないし図１７を参照して、一実施形態による表示装置１０の製造方法について説明する。図６～図１７は図２の表示装置１０を製造する方法について図示する。
また、第４絶縁層３１０上に配置される部材、例えば、隔壁４１０、画素電極３３０共通電極３４０、第１接触電極３６０、第２接触電極３７０および複数の絶縁層は、通常採用されるマスク工程によってパターニングされ得る。したがって、以下では各部材が形成されるマスク工程に係る詳細な説明は省略して説明する。
図６ないし図１７は一実施形態による表示装置の製造方法を示す概略的な順序を図示する断面図である。
先に、図６を参照すると、第４絶縁層３１０、第４絶縁層３１０上に互いに離隔して配置される第１隔壁４１１および第２隔壁４１２、第１隔壁４１１と第２隔壁４１２の上部にそれぞれ配置された第１反射層３３１および第２反射層３４１、第１反射層３３１および第２反射層３４１の上部にそれぞれ配置された第１電極層３３２および第２電極層３４２を含む第１基板層６００を準備する。第１基板層６００の第４絶縁層３１０の下部には前述したように第１薄膜トランジスタ１２０、第２薄膜トランジスタ１４０および電源配線１６１が介在してもよい。ただし、以下の図面では前記部材は図示しない。第４絶縁層３１０上に配置される部材の構造、配置関係などは図２を参照して説明したとおりである。これに対する詳細な説明は省略する。
次に、図７を参照すると、画素電極３３０と共通電極３４０をすべてカバーするように第５絶縁物層５１１を形成する。第５絶縁物層５１１は後述するようにパターニングして図２の第５絶縁層５１０を形成することができる。
次に、図８を参照すると、第５絶縁物層５１１上に画素電極３３０と共通電極３４０との間に発光素子３５０を整列させる。発光素子３５０を画素電極３３０と共通電極３４０との間に整列するために、誘電泳動（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ，ＤＥＰ）法を用いることができる。これに対する詳細な説明は図９ないし図１１が参照される。
先に図９を参照すると、複数の発光素子３５０を含む発光素子溶液Ｓを表示装置１０上にロードして発光素子３５０を画素電極３３０と共通電極３４０上に転写させることができる。発光素子溶液Ｓは、インクまたはペーストなどの剤形を有し得、アセトン、水、アルコールおよびトルエンのうちいずれか一つ以上でありうる。ただし、これに制限されるものではなく、常温または熱によって気化しうる物質であれば、特に制限されない。
ここで、発光素子溶液Ｓは、画素隔壁４２０と接触することになり、発光素子溶液Ｓの表面張力の力によって半球型の形態を保持することができる。画素隔壁４２０は、図１および図２には示していないが、各画素ＰＸを区分する機能を遂行することもできる。発光素子溶液Ｓと画素隔壁４２０が接する領域は発光素子溶液Ｓの中心方向に力が作用され、発光素子溶液Ｓが画素隔壁４２０から溢れない。そのため、発光素子３５０が転写すると、隣接する他の画素ＰＸに発光素子３５０が移動することを防止することができる。
発光素子３５０が転写されると、交流電源を印加して誘電泳動法（ＤＥＰ）を用いて発光素子３５０を整列させる。
具体的には、図１０を参照すると、画素電極３３０と共通電極３４０に電源Ｖを印加し、画素電極３３０と共通電極３４０との間に電場Ｅを形成する。電源Ｖは外部供給源または表示装置１０の内部電源でありうる。電源Ｖは所定の振幅と周期を有する交流電源または直流電源でありうる。直流電源は画素電極３３０と共通電極３４０に繰り返し印加することによって所定の振幅と周期を有する電源を実現することもできる。
画素電極３３０と共通電極３４０に電源が印加されると画素電極３３０と共通電極３４０に付与された電気的極性による電位差が発生して電場Ｅが形成される。不均一な電場Ｅ下で発光素子３５０に対極性が誘導され、発光素子３５０は誘電泳動力（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ，ＤＥＰ Ｆｏｒｃｅ）により電場Ｅの勾配が大きい側または小さい側に力を受ける。発光素子３５０はＤＥＰ力によって画素電極３３０と共通電極３４０との間に自己整列されうる。
発光素子３５０を整列させた後、発光素子溶液Ｓを常温または熱によって気化させて除去することによって図１１に示すように画素電極３３０と共通電極３４０との間に発光素子３５０を配置することができる。
一方、発光素子溶液Ｓには少なくとも一種の発光素子３５０を含み得る。表示装置１０の各画素ＰＸに互いに異なる色の発光素子３５０を整列させるために、発光素子溶液Ｓは多様な色の光を放出する発光素子３５０を含み得る。また、発光素子溶液Ｓに互いに異なる色の光の放出する発光素子３５０が混合されてもよい。ただし、これに制限されるものではない。
次に、図１２を参照すると、第５絶縁物層５１１と発光素子３５０の上部をカバーするように第６絶縁物層５２１を形成して第２基板層７００を形成する。第６絶縁物層５２１は第５絶縁物層５１１のようにマスク工程によってパターニングされて最終的に第６絶縁層５２０を形成することができる。
次に、図１３および図１４を参照すると、画素電極３３０が外部に露出するように第５絶縁物層５１１と第６絶縁物層５２１の一部領域をパターニングし、部分的にパターニングされた第６絶縁物層５２１上に第７絶縁層５３０をパターニングする。第７絶縁層５３０は第６絶縁物層５２１の上部面の一部と、第６絶縁物層５２１の画素電極３３０が配置された方向に露出した一側部をカバーするようにパターニングされ得る。
第６絶縁物層５２１上に形成される第７絶縁層５３０は発光素子３５０の下部に形成される空隙を満たすことができる。第７絶縁層５３０は発光素子３５０の下面と第５絶縁層５１０の離隔空間に第７絶縁層５３０と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に充填され得る。有機物は無機物に比べて円滑な拡散が可能である。そのため第７絶縁層５３０を形成する時、有機物は発光素子３５０の下部に形成される空隙と第６絶縁物層５２１の結晶の欠陥（ｓｅａｍ）に有機物が拡散されて充填され得る。また、第７絶縁層５３０により第６絶縁物層５２１を部分的に平坦化することができる。第６絶縁物層５２１が平坦化されると、以後のパターニング工程で形成される部材、例えば第１接触電極３６０と第２接触電極３７０の積層が円滑に行われる。
その後、画素電極３３０の上部を露出させるためにパターニングされる工程は第６絶縁層５２０と第７絶縁層５３０を乾式エッチングして行われる。
次に、図１５を参照すると、画素電極３３０上に第１接触電極３６０をパターニングする。第１接触電極３６０は画素電極３３０をカバーするように形成され、一部領域は発光素子３５０および第７絶縁層５３０と接触することができる。
次に、図１６を参照すると、第１接触電極３６０をカバーし、共通電極３４０が露出するように第８絶縁層５４０をパターニングする。第８絶縁層５４０は第１接触電極３６０の共通電極３４０が配置された方向の一端部をカバーし、第７絶縁層５３０の共通電極３４０が配置された方向の一側面をカバーすることができる。
次に、図１７を参照すると、共通電極３４０の上部面に第２接触電極３７０をパターニングする。第２接触電極３７０は、共通電極３４０、発光素子３５０、第６絶縁層５２０、第７絶縁層５３０および第８絶縁層５４０と部分的に接触することができる。第８絶縁層５４０の上部の一部の領域まで第２接触電極３７０が形成され得る。そのため、第２接触電極３７０は第８絶縁層５４０により第１接触電極３６０と電気的に絶縁され得る。
最後に第８絶縁層５４０と第２接触電極３７０をカバーするようにパッシベーション層５５０を形成する。前記のような一連の工程によって、一実施形態による表示装置１０を製造することができる。
一方、第７絶縁層５３０の有機物は発光素子３５０下部の空隙や無機物結晶の欠陥を充填することができる。発光素子３５０を固定する第６絶縁層５２０のみ形成された場合、前記空隙や欠陥が以後のパターニング工程によって損傷し得、発光素子３５０と接触電極（３６０，３７０）との接触時、材料の断線問題が生じ得る。以下では、図１８ないし図２１を参照して第７絶縁層５３０の有機物が充填された形態について詳しく説明する。
図１８および図１９は一比較例による表示装置の発光素子上に第６絶縁層または第１接触電極が形成された状態を概略的に示す断面図である。
先に、図１８を参照すると、発光素子３５０が第５絶縁層５１０’上に配置され、第６絶縁層５２０’が発光素子３５０の外面をカバーするように配置される場合、発光素子３５０の下部に空隙Ｇが形成され得る。また、無機物を含む第６絶縁層５２０’は薄膜塗布性が不良であるため、発光素子３５０の下部面の第５絶縁層５１０’と離隔した空間で部分的に空いた空間が形成され得る。発光素子３５０の周辺に配置される第５絶縁層５１０’および第６絶縁層５２０’で図１８に示すように空隙Ｇや無機物結晶の欠陥が形成される場合、以後のパターニング工程で発光素子３５０に損傷が生じ得る。
図１９を参照すると、発光素子３５０の一部が、第６絶縁層５２０がパターニングされて除去され、その領域上に第１接触電極３６０’がパターニングされる場合、第１接触電極３６０’の材料の断線が生じ得る。そのため発光素子３５０を含む画素の不良が発生し得、空隙Ｇのよるショート不良が生じ得る。
反面、第７絶縁層５３０をさらに含む場合、発光素子３５０周辺の無機物層に生じ得る空隙Ｇや結晶の欠陥が充填され、第１接触電極３６０の薄膜塗布性が改善することができる。
発光素子３５０が円筒形形状を有する場合、発光素子３５０の下面の一部は第５絶縁層５１０と直接接することができる。一実施形態による表示装置１０は、発光素子３５０の下面は少なくとも部分的に第５絶縁層５１０と離隔して対向し、発光素子３５０の下面と第５絶縁層５１０の前記離隔空間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に充填され得る。これに対する詳細な説明は図２０および図２１が参照される。
図２０および図２１は一実施形態による表示装置の発光素子上に第６絶縁層または第１接触電極が形成された状態を概略的に示す断面図である。
先に、図２０を参照すると、発光素子３５０の下面に第５絶縁層５１０と一部離隔して形成される領域に第７絶縁層５３０と同じ有機充填物質が一部配置され得る。また、発光素子３５０の下部に形成される空隙Ｇにも前記の有機物質が充填され得る。そして、図２１を参照すると、図２０に示すように発光素子３５０の下面に第５絶縁層５１０と一部離隔して形成された領域に、前記有機物質が充填され、第１接触電極３６０の薄膜塗布性が改善したことが分かる。すなわち、第１接触電極３６０は有機充填物質と部分的に接触することができる。そのため、表示装置１０の製造時の発光素子３５０の接触材料の断線問題や発光素子３５０のショート不良を防止することができる。
図２２および図２３は図１８および図２１の断面を示す走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＳＥＭ）写真である。
図２２を参照すると、第６絶縁層５２０のみが形成された発光素子３５０は、第５絶縁層５１０の間に空隙が形成されたことが分かる。そのため、追加的なマスク工程で発光素子３５０が損傷したり接触電極の材料が途切れたりすることもある。また、発光素子３５０の外周面に沿って第６絶縁層５２０が形成されるので、第６絶縁層５２０の上部面は平坦でない。例えば図１８に示すように、発光素子３５０の断面が円形である場合、第６絶縁層５２０も断面が円形で曲率を有することができる。そのため、第６絶縁層５２０上に配置され得る第１接触電極３６０や第２接触電極３７０が不均一に配置され、発光素子３５０と接触時不良が生じ得る。
反面、第６絶縁層５２０上に第７絶縁層５３０が配置される場合、第７絶縁層５３０の有機物拡散によって発光素子３５０下部の空隙を充填することができ、無機物結晶界面の欠陥（ｓｅａｍ）や薄膜塗布性の不良を改善させることができる。また、第７絶縁層５３０は第６絶縁層５２０の上部面を平坦化できるので、追加的なマスク工程が円滑に行われる。
図２３を参照すると、図２２とは異なり、第７絶縁層５３０が発光素子３５０と第５絶縁層５１０との間の空隙を充填したことが分かる。また、第６絶縁層５２０上に配置された第７絶縁層５３０により上部面が平坦化されたことが分かる。そのため以後に行われる第１接触電極３６０と第２接触電極３７０が形成される工程が円滑に行われて発光素子３５０と円滑な接触が行われる。
一方、前述したように、第７絶縁層５３０と第６絶縁層５２０は多様な構造を形成することができる。これは、第６絶縁物層５２１と第７絶縁物層５３１をパターニングする方法によって変わる。そのため第７絶縁層５３０上に配置され得る部材、例えば、第１接触電極３６０、第２接触電極３７０、第８絶縁層５４０などの構造も共に変わる。いくつかの実施形態において、第５絶縁物層５１１と第６絶縁物層５２１の画素電極３３０および共通電極３４０と接触する領域それぞれを同時にパターニングする場合、第６絶縁層５２０は発光素子３５０の中心を基準に左右対称の構造を有することができる。また、第７絶縁物層５３１をパターニングする段階においても第６絶縁物層５２１と同時に行う場合、第６絶縁層５２０と第７絶縁層５３０の構造が同一であり得る。すなわち、特定層を形成した後エッチング工程を行う方法により表示装置１０の断面構造が変わる。以下では、他の実施形態による表示装置とその製造方法について説明する。
図２４は他の実施形態による表示装置の断面図である。図２４の表示装置１０＿１は図２の表示装置１０と比較して第７絶縁層５３０＿１、第６絶縁層５２０＿１および第８絶縁層５４０＿１の構造が異なることを除いては同一である。以下では差異点についてのみ詳細に説明する。
図２４の表示装置１０＿１は、第７絶縁層５３０＿１の一側面が第６絶縁層５２０＿１の一側面と整列され、第７絶縁層５３０＿１の他側面は第６絶縁層５２０＿１の他側面と第８絶縁層５４０＿１の一側面と整列される。
図２４を参照すると、第７絶縁層５３０＿１と第６絶縁層５２０＿１は、それぞれ両側面が発光素子３５０の両側面に比べて内側に陥没するが、第７絶縁層５３０＿１と第６絶縁層５２０＿１の両側面は互いに整列される。
画素電極３３０を露出させる工程を行う時、第７絶縁層５３０＿１と第６絶縁層５２０＿１は、一つのマスク工程で共にパターニングされ、画素電極３３０が配置された方向の一側面が互いに整列され得る。また、共通電極３４０を露出させる工程において、第８絶縁層５４０＿１は、第７絶縁層５３０＿１および第６絶縁層５２０＿１と共にパターニングされて前記一側面の他側面が互いに整列され得る。そのため、画素電極３３０上に配置される第１接触電極３６０＿１と共通電極３４０上に配置される第２接触電極３７０＿１はそれぞれ部分的に第６絶縁層５２０＿１と接触することができる。図２の表示装置１０とは異なり、図２４の表示装置１０＿１の第１接触電極３６０＿１が発光素子３５０を固定させる第６絶縁層５２０＿１と発光素子３５０の下部に形成される空の領域を埋めることができる第７絶縁層５３０＿１の一側面と平行するように接触することができる。
そして、第１接触電極３６０＿１と第２接触電極３７０＿１は、それぞれ第７絶縁層５３０＿１上で互いに離隔して配置され、前記離隔した空間に第８絶縁層５４０＿１が配置され得る。第８絶縁層５４０＿１は、第１接触電極３６０＿１の一側部をカバーし、第２接触電極３７０＿２と電気的に絶縁させることができる。
また、図２４の表示装置１０＿１は、複数の部材を同時にパターニングするのでマスク工程の繰り返し数を減らすことができる利点がある。図２５ないし図２９を参照して図２４の表示装置１０＿１の製造方法について詳しく説明する。
図２５ないし図２９は図２４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。
先に、図２５を参照すると、図１２の第２基板層７００を準備し、その上部に第７絶縁物層５３１＿１を形成する。第２基板層７００の構造や形成方法などは上述した内容と同様である。第７絶縁物層５３１＿１は、第６絶縁物層５２１＿２をカバーするように配置され得る。図２の表示装置１０とは異なり、画素電極３３０の上部面を露出させる前に、第７絶縁物層５３１＿１を先に形成する。
次に図２６を参照すると、画素電極３３０を露出させるために第７絶縁物層５３１＿１と第６絶縁物層５２１＿１を共にパターニングする。そのため、第７絶縁物層５３１＿１と第６絶縁物層５２１＿１はそれぞれの一側面が整列される。
次に、図２７を参照すると、画素電極３３０の上部面に第１接触電極３６０＿１を形成する。第１接触電極３６０＿１は、第５絶縁物層５１１＿１、発光素子３５０、第６絶縁物層５２１＿１および第７絶縁物層５３１＿１と部分的に接触することができる。第１接触電極３６０＿１の一側部は、第７絶縁物層５３１＿１の上部面のうち、発光素子３５０と重なる領域に配置され得る。そのため後述するように、第８絶縁層５４０＿１は、前記第１接触電極３６０＿１の前記一側部をカバーするように配置されて第７絶縁物層５３１＿１と接触することができる。
次に図２８を参照すると、第１接触電極３６０＿１をカバーする第８絶縁層５４０＿１と、第７絶縁層５３０＿１、第６絶縁層５２０＿１および第８絶縁層５４０＿１をパターニングして共通電極３４０を露出させる。共通電極３４０を露出させる時、第８絶縁層５４０＿１は、第６絶縁物層５２１＿１および第７絶縁物層５３１＿１と同時にパターニングされる。したがって、第８絶縁層５４０＿１の一側面が第７絶縁層５３０＿１と第６絶縁層５２０＿１の側面と整列される。また、前述したように、第１接触電極３６０＿１の前記一側部が第７絶縁層５３０＿１の上部面に配置されるので、第８絶縁層５４０＿１は第１接触電極３６０＿１の前記一側部をカバーすることができる。
次に、図２９を参照すると、共通電極３４０の上部面に第２接触電極３７０＿１を形成し、以後パッシベーション層５５０＿１を形成して図２４の表示装置１０＿１を製造することができる。本段階は上述した内容と同様であるため、これに対する詳しい説明は省略する。
図３０は他の実施形態による表示装置の断面図である。
図３０の表示装置１０＿２は、図２の表示装置１０と比較して、第８絶縁層５４０が省略されて第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２が互いに離隔して配置され、実質的に同じ平面上に配置され得る。第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２が離隔した空間にはパッシベーション層５５０＿２が配置され、第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２を電気的に相互絶縁させることができる。第７絶縁層５３０＿２は第６絶縁層５２０＿２の上部面と両側面をカバーするように配置される。すなわち、第６絶縁層５２０＿２は、第７絶縁層５３０＿２の両側面より内側に陥没して配置され、外部に露出しない。そのため第６絶縁層５２０＿２は、第１接触電極３６０＿２および第２接触電極３７０＿２と接触されない。
したがって、図３０の表示装置１０＿２は、図２の表示装置１０と比較して第８絶縁層５４０が省略されるので、第４絶縁層３１０上に配置される部材を簡素化することができ、そのため表示装置１０＿２の厚さが薄くなる。また、発光素子３５０を基準に画素電極３３０と共通電極３４０が配置された領域が相互対称する構造を有することができる。図３０の表示装置１０＿２の製造方法に対する詳細な説明は図３１ないし図３３が参照される。
図３１ないし図３３は図３０の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。
先に、図３１を参照すると、図１２の第１基板層６００を準備し、画素電極３３０と共通電極３４０が同時に露出するように第６絶縁層５２０＿２をパターニングする。一つのマスク工程のみを行うので、パターニングされた第６絶縁層５２０＿２は発光素子３５０の中心を基準に対称構造を有することができる。ここで、画素電極３３０と共通電極３４０は上部面が同時に露出するようにパターニングされるので、後述する第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２も実質的に同じ平面上に配置され得る。
次に、図３２を参照すると、第６絶縁層５２０＿２の上部面と両側面をカバーするように第７絶縁層５３０＿２をパターニングする。第６絶縁層５２０＿２は、画素電極３３０と共通電極３４０が露出する時同時にパターニングされ、両側面がそれぞれ画素電極３３０と共通電極３４０を対向するように露出することができる。そして、第６絶縁層５２０＿２の両側面は発光素子３５０に比べて内側に陥没するので、第６絶縁層５２０＿２上に第７絶縁層５３０＿２をパターニングする場合、前記両側面が第７絶縁層５３０＿２によりすべてカバーされる。そのため、第６絶縁層５２０＿２は外部に露出されない。
また、第７絶縁層５３０＿２の両側面は、発光素子３５０の両側面と整列される。ただし、これに制限されるものではなく、いくつかの実施形態において、第７絶縁層５３０＿２の両側面が発光素子３５０の両側面より内側に陥没して配置されることもできる。
次に、図３３を参照すると、第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２を一つのマスク工程を行って同時にパターニングする。ここで、第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２は、第７絶縁層５３０＿２の上部面で互いに離隔するようにパターニングする。そのため、第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２の互いに対向する方向の各一側部は互いに対向するように露出する。第６絶縁層５２０＿２が第７絶縁層５３０＿２によりカバーされて露出しないため、第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２は、第７絶縁層５３０＿２、発光素子３５０および第５絶縁層（５１０＿２）とのみ部分的に接触する。
最後に、第１接触電極３６０＿２、第７絶縁層５３０＿２および第２接触電極３７０＿２をカバーするようにパッシベーション層５５０＿２を形成し、図３０の表示装置１０＿２を製造することができる。パッシベーション層５５０＿２は、第７絶縁層５３０＿２上に第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２が離隔した領域に配置されて第７絶縁層５３０＿２と部分的に接触することができる。これと同時に第１接触電極３６０＿２と第２接触電極３７０＿２の露出した前記一側部を保護し、電気的に相互絶縁させることができる。
図３４は他の実施形態による表示装置の断面図である。
図３４の表示装置１０＿３は、図３０の表示装置１０＿２と比較して、第７絶縁層５３０＿３の両側面が第６絶縁層５２０＿３の両側面と整列されることを除いては同様である。そのため、第６絶縁層５２０＿３は両側面が外部に露出し、それぞれ第１接触電極３６０＿３および第２接触電極３７０＿３と接触することができる。以下では差異点についてのみ詳しく説明する。
図３４の表示装置１０＿３は、第７絶縁層５３０＿３と第６絶縁層５２０＿３が一つのマスク工程で同時にパターニングされて形成される。すなわち、画素電極３３０と共通電極３４０を露出させる前に、第７絶縁層５３０＿３を形成し、第６絶縁層５２０＿３と第７絶縁層５３０＿３を同時にパターニングする。図３４の表示装置１０＿３の製造方法に対する詳しい説明は図３５および図３６が参照される。
図３５および図３６は図３４の表示装置の製造方法の一部を示す順序図である。
先に、図３５を参照すると、図２５の第７絶縁物層５３１＿２が形成された第２基板層７００を準備し、画素電極３３０と共通電極３４０が露出するように第７絶縁層５３０＿３と第６絶縁層５２０＿３を共にパターニングする。そのため、第６絶縁層５２０＿３と第７絶縁層５３０＿３の両側面は互いに整列されるが、発光素子３５０の両側面に比べて内側に陥没する。ただし、図３２を参照して前述したように、いくつかの実施形態では第７絶縁層５３０＿３と第６絶縁層５２０＿３の両側面は発光素子３５０の両側面と整列されることもできる。本発明の実施形態はこれに制限されるものではない。

次に図３６を参照すると、露出した画素電極３３０と共通電極３４０の上部面にそれぞれ第１接触電極３６０＿３と第２接触電極３７０＿３を同時にパターニングする。そして、第１接触電極３６０＿３と第２接触電極３７０＿３をカバーするようにパッシベーション層５４０＿３を形成して図３０の表示装置１０＿３を製造する。前記の段階は上述した内容と同様であるため、詳しい説明は省略する。
一方、以上の図面を参照して説明したように、表示装置１０の隔壁４１０は側面が傾斜し、上面が水平的に平たい形状を有する。隔壁４１０の上面と両側面は互いに角ばって形成されて実質的に台形形状を有することができる。ただし、これに制限されるものではなく、隔壁４１０は多様な構造を有し得、一例として上面と側面が曲率を有することもできる。
図３７は他の実施形態による表示装置の断面図である。
図３７を参照すると、表示装置１０の隔壁４１０は外周面が曲率を有して第４絶縁層３１０から緩やかに突出するように形成される。すなわち、隔壁４１０は実質的に反楕円形の形状を有することができる。そのため、隔壁４１０上に配置される複数の部材、例えば反射層（３３１，３４１）および電極層（３３２，３４２）などがパターニングされる時、反射層（３３１，３４１）および電極層（３３２，３４２）に含まれた材料が隔壁４１０上で円滑に蒸着または形成される。したがって、表示装置１０の製造時に発生し得る材料の断線や欠陥が減少し得る。
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

Claims (29)

  1. 第１電極と、
    前記第１電極と対向する第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との少なくとも一部と重なり、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも一部が位置する第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆い、前記発光素子の両端部を露出する第１パッシベーション層と、
    前記第１パッシベーション層上に配置される有機絶縁層と、
    前記第１電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置されて前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第１端部と接触する第１接触電極と、
    前記第２電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置されて前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第２端部と接触する第２接触電極とを含み、
    前記有機絶縁層は、前記第１パッシベーション層の少なくとも一側面をカバーするように配置される、表示装置。
  2. 前記第１接触電極と第２接触電極は、互いに対向して離隔して配置され、
    前記第１接触電極と第２接触電極をカバーし、前記第１接触電極と第２接触電極の互いに離隔した領域に配置される第２パッシベーション層をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記有機絶縁層は、前記第１パッシベーション層の両側面をカバーするように配置される、請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第１接触電極と前記第２接触電極の少なくとも一部はそれぞれ前記有機絶縁層の上面と接触し、
    前記第１接触電極と前記第２接触電極の互いに対向する方向の各端部は前記有機絶縁層の上面に配置された、請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記第１接触電極と前記第２接触電極は、実質的に同じ平面上に配置された、請求項４
    に記載の表示装置。
  6. 前記第１接触電極と前記第２接触電極がそれぞれ前記有機絶縁層の側面と接触する面は、前記第１接触電極と前記第２接触電極がそれぞれ発光素子と接触する面と整列される、請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記第１接触電極と前記第２接触電極がそれぞれ前記有機絶縁層の側面と接触する面は、前記第１接触電極と前記第２接触電極がそれぞれ発光素子と接触する面より前記発光素子の中心方向に陥没する、請求項５に記載の表示装置。
  8. 前記発光素子の下面は、少なくとも部分的に前記第１絶縁層と離隔して対向し、前記発光素子の下面と前記第１絶縁層の間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に配置されている、請求項６または請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記第１接触電極は、前記有機充填物質と部分的に接触する、請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記発光素子は円筒形形状を有し、前記発光素子の下面の一部は前記第１絶縁層と直接接する、請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記第１接触電極の上面をカバーするように配置され、前記第２接触電極の下面と接触する第３パッシベーション層をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
  12. 前記第２接触電極と前記第３パッシベーション層の各上面をカバーするように配置される第４パッシベーション層をさらに含む、請求項１１に記載の表示装置。
  13. 前記第２接触電極の前記第１接触電極と対向する方向の一側部は、前記第３パッシベーション層上に配置され、
    前記第１接触電極の前記第２接触電極と対向する方向の一側部は、前記第３パッシベーション層の下部に配置される、請求項１２に記載の表示装置。
  14. 前記第３パッシベーション層の前記第２接触電極と接触する一側面は、前記有機絶縁層と前記第２接触電極と接触する一側面と整列される、請求項１３に記載の表示装置。
  15. 前記発光素子の下面は、少なくとも部分的に前記第１絶縁層と離隔して対向し、前記発光素子の下面と前記第１絶縁層の間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に配置されている、請求項１４に記載の表示装置。
  16. 前記第１接触電極は、前記有機充填物質と部分的に接触する、請求項１５に記載の表示装置。
  17. 前記発光素子は、前記第１端部はｎ型に導電された半導体物質を含み、前記第２端部はｐ型に導電された半導体物質を含み、
    前記第１端部と前記第２端部との間には活性物質層が配置された、請求項１６に記載の表示装置。
  18. 第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との少なくとも一部と重なり前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも一部が位置する第１絶縁層、および前記第１絶縁層上に配置された発光素子が配置された基板を提供する段階と、
    前記基板上に無機絶縁層および有機絶縁層を順次形成する段階と、
    前記有機絶縁層および前記無機絶縁層をパターニングして前記発光素子を覆い、前記発光素子の第１端部を露出する有機絶縁層および第１パッシベーション層を形成する段階を含み、
    前記有機絶縁層は、前記第１パッシベーション層の少なくとも一側面をカバーするように形成される、
    表示装置の製造方法。
  19. 前記有機絶縁層および前記第１パッシベーション層を形成する段階後に、前記第１電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置され、前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第１端部と接触する第１接触電極を形成する段階をさらに含む、請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
  20. 前記第１接触電極をカバーするように配置され、前記有機絶縁層の前記第２電極に対向する方向の一面をカバーし、前記発光素子の第１端部の反対面である第２端部を露出する第２パッシベーション層を形成する段階をさらに含む、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
  21. 前記第２電極と電気的に接続され、前記第２パッシベーション層上に配置され、前記第２パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第２端部と接触する第２接触電極を形成する段階をさらに含む、請求項２０に記載の表示装置の製造方法。
  22. 前記第２接触電極と前記第２パッシベーション層をカバーするように配置される第３パッシベーション層を形成する段階をさらに含む、請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
  23. 前記発光素子の下面は、少なくとも部分的に前記第１絶縁層と離隔して対向し、
    前記有機絶縁層を形成する段階は、前記発光素子の下面と前記第１絶縁層の間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に充填する段階を含む、請求項２２に記載の表示装置の製造方法。
  24. 前記無機絶縁層をパターニングする段階は、前記無機絶縁層を乾式エッチングする段階を含む、請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
  25. 前記有機絶縁層および第１パッシベーション層を形成する段階は、
    前記発光素子の第１端部の反対側である第２端部も露出する段階を含む、請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
  26. 前記第１電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置され、前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第１端部と接触する第３接触電極および
    前記第２電極と電気的に接続され、前記有機絶縁層上に配置され、前記第１パッシベーション層によって露出した前記発光素子の第２端部と接触する第４接触電極を形成する段階をさらに含む、請求項２５に記載の表示装置の製造方法。
  27. 前記第３接触電極と前記第４接触電極は同じ工程でパターニングされる、請求項２６に記載の表示装置の製造方法。
  28. 前記発光素子の下面は、少なくとも部分的に前記第１絶縁層と離隔して対向し、
    前記有機絶縁層を形成する段階は、前記発光素子の下面と前記第１絶縁層の間に前記有機絶縁層と同じ物質からなる有機充填物質が部分的に充填する段階を含む、請求項２７に記載の表示装置の製造方法。
  29. 前記無機絶縁層をパターニングする段階は、前記無機絶縁層を乾式エッチングする段階
    を含む、請求項２８に記載の表示装置の製造方法。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102666627B1 (ko) 2018-11-27 2024-05-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11271032B2 (en) * 2019-06-20 2022-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20210095774A (ko) * 2020-01-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210095760A (ko) * 2020-01-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210103602A (ko) * 2020-02-13 2021-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210124564A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210143961A (ko) * 2020-05-20 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210145049A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN115699323A (zh) 2020-05-26 2023-02-03 三星显示有限公司 显示装置
KR20210154295A (ko) 2020-06-11 2021-12-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 잉크, 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2022004924A1 (ko) * 2020-07-03 2022-01-06 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치
US20230307597A1 (en) * 2020-07-03 2023-09-28 Lg Electronics Inc. Display device using micro led
KR20220007775A (ko) * 2020-07-09 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20220009528A (ko) 2020-07-15 2022-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220021084A (ko) * 2020-08-12 2022-02-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP7574065B2 (ja) * 2020-11-26 2024-10-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20220086743A (ko) 2020-12-16 2022-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220088565A (ko) 2020-12-18 2022-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113571619B (zh) * 2021-06-30 2023-04-07 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN113921509B (zh) * 2021-09-24 2024-07-05 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014072215A (ja) 2012-09-27 2014-04-21 Sharp Corp 表示装置
WO2015151798A1 (ja) 2014-03-31 2015-10-08 ソニー株式会社 実装基板および電子機器
JP2015195244A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 ソニー株式会社 半導体ユニット、半導体素子、発光装置、表示装置、半導体素子の製造方法
US20160211245A1 (en) 2013-07-09 2016-07-21 Psi Co., Ltd. Display comprising ultra-small leds and method for manufacturing same
US20170294424A1 (en) 2016-04-08 2017-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20170317228A1 (en) 2014-11-18 2017-11-02 Psi Co., Ltd. Micro-led element for horizontally-aligned assembly, method for manufacturing same, and horizontally-aligned assembly comprising same
US20180012876A1 (en) 2016-07-11 2018-01-11 Samsung Display Co., Ltd. Pixel structure, display apparatus including the pixel structure, and method of manufacturing the pixel structure
US20180019369A1 (en) 2016-07-12 2018-01-18 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20180175009A1 (en) 2016-12-21 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110041401A (ko) 2009-10-15 2011-04-21 샤프 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US8872214B2 (en) 2009-10-19 2014-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device
KR101209446B1 (ko) 2011-04-28 2012-12-07 피에스아이 주식회사 초소형 ｌｅｄ 소자 번들 및 그 제조방법
KR101244926B1 (ko) 2011-04-28 2013-03-18 피에스아이 주식회사 초소형 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법
JP5642623B2 (ja) 2011-05-17 2014-12-17 株式会社東芝 半導体発光装置
TWI544633B (zh) 2012-12-05 2016-08-01 元太科技工業股份有限公司 半導體元件及其製作方法
CN105453284B (zh) 2013-07-09 2018-03-20 Psi株式会社 超小型发光二极管电极组件及其制造方法
TWI542016B (zh) 2014-10-03 2016-07-11 友達光電股份有限公司 薄膜電晶體及顯示面板
WO2016084671A1 (ja) 2014-11-26 2016-06-02 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP2016103395A (ja) 2014-11-28 2016-06-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101730977B1 (ko) 2016-01-14 2017-04-28 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
US11211582B2 (en) 2016-01-15 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus with protection layer surrounding the pixel electrode
JP2017174553A (ja) 2016-03-22 2017-09-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102592276B1 (ko) * 2016-07-15 2023-10-24 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR102567202B1 (ko) 2016-09-02 2023-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102707509B1 (ko) * 2016-12-19 2024-09-23 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014072215A (ja) 2012-09-27 2014-04-21 Sharp Corp 表示装置
US20160211245A1 (en) 2013-07-09 2016-07-21 Psi Co., Ltd. Display comprising ultra-small leds and method for manufacturing same
WO2015151798A1 (ja) 2014-03-31 2015-10-08 ソニー株式会社 実装基板および電子機器
JP2015195244A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 ソニー株式会社 半導体ユニット、半導体素子、発光装置、表示装置、半導体素子の製造方法
US20170317228A1 (en) 2014-11-18 2017-11-02 Psi Co., Ltd. Micro-led element for horizontally-aligned assembly, method for manufacturing same, and horizontally-aligned assembly comprising same
US20170294424A1 (en) 2016-04-08 2017-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20180012876A1 (en) 2016-07-11 2018-01-11 Samsung Display Co., Ltd. Pixel structure, display apparatus including the pixel structure, and method of manufacturing the pixel structure
US20180019369A1 (en) 2016-07-12 2018-01-18 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20180175009A1 (en) 2016-12-21 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same
US20180175106A1 (en) 2016-12-21 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same

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