JP7303078B2 - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ加工装置及びレーザ加工方法に関する。

対象物にレーザ光を照射することで対象物に改質領域を形成するレーザ加工装置として、レーザ光が複数の加工光に分岐され且つ複数の加工光が互いに異なる箇所に集光されるようにレーザ光を変調する装置が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。

特開２０１５－２２３６２０号公報 特開２０１５－２２６０１２号公報

上述したようなレーザ加工装置は、複数の加工光によって複数列の改質領域を形成することができるため、加工時間の短縮化を図る上で極めて有効である。

本発明は、レーザ光を複数の加工光に分岐する加工において高い加工品質を得ることができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することを目的とする。

本発明のレーザ加工装置は、対象物にレーザ光を照射することで対象物に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、第１表面及び第１表面とは反対側の第２表面を有する対象物を、第２表面がＺ方向と直交するように支持する支持部と、レーザ光を出射する光源と、光源から出射されたレーザ光を変調する空間光変調器と、空間光変調器によって変調されたレーザ光を第２表面側から対象物に集光する集光部と、レーザ光が０次光を含む複数の加工光に分岐され且つ複数の加工光の複数の集光点がＺ方向及びＺ方向に垂直なＸ方向のそれぞれの方向において互いに異なる箇所に位置するように空間光変調器を制御し、Ｘ方向が第２表面に沿って延在するラインの延在方向に一致し且つ複数の集光点がラインに沿って相対的に移動するように支持部及び集光部の少なくとも一方を制御する制御部と、を備え、制御部は、Ｘ方向において０次光の集光点がレーザ光の非変調光の集光点に対して一方の側に位置するように空間光変調器を制御する。

このレーザ加工装置では、複数の加工光の１つである０次光の集光点が、Ｘ方向において、非変調光の集光点に対して一方の側に位置させられる。これにより、レーザ光のうち空間光変調器によって変調されなかった非変調光が０次光の集光状態に影響を及ぼすこと（例えば、非変調光が０次光と干渉すること）が抑制される。よって、このレーザ加工装置によれば、レーザ光を複数の加工光に分岐する加工において高い加工品質を得ることができる。

本発明のレーザ加工装置では、制御部は、０次光の集光点が非変調光の集光点に対してレーザ光の相対的移動方向における前側に位置するように空間光変調器を制御してもよい。これにより、Ｘ方向において０次光の集光点を非変調光の集光点に対して一方の側に位置させる場合に、より高い加工品質を得ることができる。

本発明のレーザ加工装置では、制御部は、複数の集光点がレーザ光の相対的移動方向における前側ほどＺ方向における第１表面側に位置する位置関係を有するように空間光変調器を制御してもよい。これにより、複数の加工光のそれぞれの集光が形成済みの改質領域に阻害されるのを抑制することができる。

本発明のレーザ加工装置では、制御部は、複数の加工光においてレーザ光の相対的移動方向における最も前側に分岐される加工光が最も大きい出力を有するように空間光変調器を制御してもよい。これにより、複数列の改質領域に渡る亀裂を対象物に形成する場合に、当該亀裂を第１表面側に大きく延ばすことができる。

本発明のレーザ加工方法は、対象物にレーザ光を照射することで対象物に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、第１表面及び第１表面とは反対側の第２表面を有する対象物を準備する第１工程と、第２表面がＺ方向と直交するように対象物を支持した状態で、空間光変調器を用いることでレーザ光を変調し、変調されたレーザ光を第２表面側から対象物に集光する第２工程と、を備え、第２工程においては、レーザ光が０次光を含む複数の加工光に分岐され且つ複数の加工光の複数の集光点がＺ方向及びＺ方向に垂直なＸ方向のそれぞれの方向において互いに異なる箇所に位置するように空間光変調器を制御すると共に、Ｘ方向において０次光の集光点がレーザ光の非変調光の集光点に対して一方の側に位置するように空間光変調器を制御し、第２表面に沿って延在するラインの延在方向にＸ方向を一致させた状態で、複数の集光点をラインに沿って相対的に移動させる。

このレーザ加工方法によれば、上記レーザ加工装置と同様の理由により、レーザ光を複数の加工光に分岐する加工において高い加工品質を得ることができる。

本発明によれば、レーザ光を複数の加工光に分岐する加工において高い加工品質を得ることができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することが可能となる。

一実施形態のレーザ加工装置の構成図である。 図１に示される空間光変調器の一部分の断面図である。 一実施形態の対象物であるウェハの平面図である。 図３に示されるウェハの一部分の断面図である。 ３点分岐のレーザ加工方法を説明するためのウェハの断面図である。 ２点分岐のレーザ加工方法を説明するための模式図である。 ２点分岐のレーザ加工方法が実施されたシリコン基板の切断面の画像である。 ３点分岐のレーザ加工方法を説明するための模式図である。 ３点分岐のレーザ加工方法が実施されたシリコン基板の切断面の画像である。 Ｘ方向シフトのレーザ加工方法を説明するための模式図である。 Ｘ方向シフトのレーザ加工方法に関する実験結果を示す図である。 Ｙ方向シフトのレーザ加工方法を説明するための模式図である。 Ｙ方向シフトのレーザ加工方法に関する実験結果を示す図である。 Ｚ方向シフトのレーザ加工方法を説明するための模式図である。 Ｚ方向シフトのレーザ加工方法に関する実験結果を示す図である。 Ｚ方向シフト及びＹ方向シフトの組合せのレーザ加工方法、並びに、Ｚ方向シフト及びＸ方向シフトの組合せのレーザ加工方法に関する実験結果を示す図である。 Ｘ方向シフトのレーザ加工方法のフローチャートである。 Ｘ方向シフトのレーザ加工方法における入力受付部の表示例及び記憶部のテーブル例を示す図である。 Ｘ方向シフトのレーザ加工方法を説明するための図である。 Ｙ方向シフトのレーザ加工方法のフローチャートである。 Ｙ方向シフトのレーザ加工方法における入力受付部の表示例及び記憶部のテーブル例を示す図である。 Ｙ方向シフトのレーザ加工方法における光軸調整を説明するための図である。 Ｙ方向シフトのレーザ加工方法を説明するための図である。 Ｙ方向シフトのレーザ加工方法における光軸調整を説明するための図である。 Ｚ方向シフトのレーザ加工方法のフローチャートである。 Ｚ方向シフトのレーザ加工方法における入力受付部の表示例及び記憶部のテーブル例を示す図である。 Ｚ方向シフトのレーザ加工方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［レーザ加工装置の構成］

図１に示されるように、レーザ加工装置１は、支持部２と、光源３と、光軸調整部４と、空間光変調器５と、集光部６と、光軸モニタ部７と、可視撮像部（撮像部）８と、赤外撮像部９と、制御部１０と、を備えている。レーザ加工装置１は、対象物１１にレーザ光Ｌを照射することで対象物１１に改質領域１２を形成する装置である。以下の説明では、互いに直交する３方向を、それぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向という。本実施形態では、Ｘ方向は第１水平方向であり、Ｙ方向は第１水平方向に垂直な第２水平方向であり、Ｚ方向は鉛直方向である。

支持部２は、例えば対象物１１に貼り付けられたフィルム（図示省略）を吸着することで、対象物１１の表面１１ａがＺ方向と直交するように対象物１１を支持する。支持部２は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれの方向に沿って移動可能であり、Ｚ方向に平行な軸線を中心線として回転可能である。

光源３は、例えばパルス発振方式によって、レーザ光Ｌを出射する。レーザ光Ｌは、対象物１１に対して透過性を有している。

光軸調整部４は、光源３から出射されたレーザ光Ｌの光軸を調整する。本実施形態では、光軸調整部４は、光源３から出射されたレーザ光Ｌの進行方向をＺ方向に沿うように変更しつつ、レーザ光Ｌの光軸を調整する。光軸調整部４は、例えば、位置及び角度の調整が可能な複数の反射ミラーによって構成されている。

空間光変調器５は、筐体Ｈ内に配置されている。空間光変調器５は、光源３から出射されたレーザ光Ｌを変調する。本実施形態では、光軸調整部４からＺ方向に沿って下側に進行したレーザ光Ｌが筐体Ｈ内に入射し、筐体Ｈ内に入射したレーザ光ＬがミラーＭ１によってＹ方向に対して角度を成すように水平に反射され、ミラーＭ１によって反射されたレーザ光Ｌが空間光変調器５に入射する。空間光変調器５は、そのように入射したレーザ光ＬをＹ方向に沿って水平に反射しつつ変調する。

集光部６は、筐体Ｈの底壁に取り付けられている。集光部６は、空間光変調器５によって変調されたレーザ光Ｌを、支持部２によって支持された対象物１１に、Ｚ方向に沿って表面１１ａ側から集光する。本実施形態では、空間光変調器５によってＹ方向に沿って水平に反射されたレーザ光ＬがダイクロイックミラーＭ２によってＺ方向に沿って下側に反射され、ダイクロイックミラーＭ２によって反射されたレーザ光Ｌが集光部６に入射する。集光部６は、そのように入射したレーザ光Ｌを対象物１１に集光する。本実施形態では、集光部６は、集光レンズユニット６１が駆動機構６２を介して筐体Ｈの底壁に取り付けられることで構成されている。駆動機構６２は、例えば圧電素子の駆動力によって、集光レンズユニット６１をＺ方向に沿って移動させる。

なお、筐体Ｈ内において、空間光変調器５と集光部６との間には、結像光学系（図示省略）が配置されている。結像光学系は、空間光変調器５の反射面と集光部６の入射瞳面とが結像関係にある両側テレセントリック光学系を構成している。これにより、空間光変調器５の反射面でのレーザ光Ｌの像（空間光変調器５によって変調されたレーザ光Ｌの像）が集光部６の入射瞳面に転像（結像）される。

筐体Ｈの底壁には、Ｘ方向において集光レンズユニット６１の両側に位置するように１対の測距センサＳ１，Ｓ２が取り付けられている。各測距センサＳ１，Ｓ２は、対象物１１の表面１１ａに対して測距用の光（例えば、レーザ光）を出射し、表面１１ａで反射された測距用の光を検出することで、表面１１ａの変位データを取得する。

光軸モニタ部７は、筐体Ｈ内に配置されている。光軸モニタ部７は、ダイクロイックミラーＭ２を透過したレーザ光Ｌの一部（例えば、ダイクロイックミラーＭ２に入射したレーザ光Ｌのうちの０．５～５％）を検出する。光軸モニタ部７による検出結果は、例えば、集光レンズユニット６１に入射するレーザ光Ｌの光軸と集光レンズユニット６１の光軸との関係を示す。

可視撮像部８は、筐体Ｈ内に配置されている。可視撮像部８は、可視光Ｖを出射し、可視光Ｖによる対象物１１の像を画像として取得する。本実施形態では、可視撮像部８から出射された可視光ＶがダイクロイックミラーＭ２及び集光部６を介して対象物１１の表面１１ａに照射され、表面１１ａで反射された可視光Ｖが集光部６及びダイクロイックミラーＭ２を介して可視撮像部８で検出される。

赤外撮像部９は、筐体Ｈの側壁に取り付けられている。赤外撮像部９は、赤外光を出射し、赤外光による対象物１１の像を画像として取得する。本実施形態では、筐体Ｈ及び赤外撮像部９は、Ｚ方向に沿って一体的に移動可能である。

制御部１０は、レーザ加工装置１の各部の動作を制御する。制御部１０は、処理部１０１と、記憶部１０２と、入力受付部１０３と、を有している。処理部１０１は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。処理部１０１では、プロセッサが、メモリ等に読み込まれたソフトウェア（プログラム）を実行し、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信を制御する。記憶部１０２は、例えばハードディスク等であり、各種データを記憶する。入力受付部１０３は、オペレータから各種データの入力を受け付けるインターフェース部である。本実施形態では、入力受付部１０３は、ＧＵＩ（Graphical User Interface）を構成している。

以上のように構成されたレーザ加工装置１では、対象物１１の内部にレーザ光Ｌが集光されると、レーザ光Ｌの集光点Ｃに対応する部分においてレーザ光Ｌが吸収され、対象物１１の内部に改質領域１２が形成される。改質領域１２は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲の非改質領域とは異なる領域である。改質領域１２としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等がある。改質領域１２は、改質領域１２からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に亀裂が延び易いという特性を有している。このような改質領域１２の特性は、対象物１１の切断に利用される。

一例として、対象物１１を切断するためのライン１５に沿って、対象物１１の内部に改質領域１２を形成する場合におけるレーザ加工装置１の動作について説明する。

まず、レーザ加工装置１は、対象物１１に設定されたライン１５がＸ方向に平行となるように、Ｚ方向に平行な軸線を中心線として支持部２を回転させる。続いて、レーザ加工装置１は、赤外撮像部９によって取得された画像（例えば、対象物１１が有する機能素子層の像）に基づいて、Ｚ方向から見た場合にレーザ光Ｌの集光点Ｃがライン１５上に位置するように、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれの方向に沿って支持部２を移動させる。以下、このような「ライン１５上の加工開始位置に対する集光部６の位置合せ」を「アライメント」という。

続いて、レーザ加工装置１は、可視撮像部８によって取得された画像（例えば、対象物１１の表面１１ａの像）に基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｃが表面１１ａ上に位置するように、Ｚ方向に沿って筐体Ｈ（すなわち、集光部６）を移動させる。以下、このような「表面１１ａに対する集光部６の位置合せ」を「ハイトセット」という。続いて、レーザ加工装置１は、その位置を基準として、レーザ光Ｌの集光点Ｃが表面１１ａから所定深さに位置するように、Ｚ方向に沿って筐体Ｈ（すなわち、集光部６）を移動させる。

続いて、レーザ加工装置１は、光源３からレーザ光Ｌを出射させると共に、レーザ光Ｌの集光点Ｃがライン１５に沿って相対的に移動するように、Ｘ方向に沿って支持部２を移動させる。以下、「対象物１１に対するレーザ光Ｌの相対的移動方向」を「レーザ光Ｌの相対的移動方向Ａ」という。このとき、レーザ加工装置１は、１対の測距センサＳ１，Ｓ２のうちレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側に位置する測距センサによって取得された表面１１ａの変位データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｃが表面１１ａから所定深さに位置するように、集光部６の駆動機構６２を動作させる。

以上により、ライン１５に沿って且つ対象物１１の表面１１ａから一定深さに、１列の改質領域１２が形成される。パルス発振方式によって光源３からレーザ光Ｌが出射されると、複数の改質スポット１２ｓがＸ方向に沿って１列に並ぶように形成される。１つの改質スポット１２ｓは、１パルスのレーザ光Ｌの照射によって形成される。１列の改質領域１２は、１列に並んだ複数の改質スポット１２ｓの集合である。隣り合う改質スポット１２ｓは、レーザ光Ｌのパルスピッチ（対象物１１に対する集光点Ｃの相対的な移動速度をレーザ光Ｌの繰り返し周波数で除した値）によって、互いに繋がる場合も、互いに離れる場合もある。
［空間光変調器の構成］

本実施形態の空間光変調器５は、反射型液晶（ＬＣＯＳ：Liquid Crystal on Silicon）の空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）である。図２に示されるように、空間光変調器５は、半導体基板５１上に、駆動回路層５２、画素電極層５３、反射膜５４、配向膜５５、液晶層５６、配向膜５７、透明導電膜５８及び透明基板５９がこの順序で積層されることで、構成されている。

半導体基板５１は、例えば、シリコン基板である。駆動回路層５２は、半導体基板５１上において、アクティブ・マトリクス回路を構成している。画素電極層５３は、半導体基板５１の表面に沿ってマトリックス状に配列された複数の画素電極５３ａを含んでいる。各画素電極５３ａは、例えば、アルミニウム等の金属材料によって形成されている。各画素電極５３ａには、駆動回路層５２によって電圧が印加される。

反射膜５４は、例えば、誘電体多層膜である。配向膜５５は、液晶層５６における反射膜５４側の表面に設けられており、配向膜５７は、液晶層５６における反射膜５４とは反対側の表面に設けられている。各配向膜５５，５７は、例えば、ポリイミド等の高分子材料によって形成されており、各配向膜５５，５７における液晶層５６との接触面には、例えば、ラビング処理が施されている。配向膜５５，５７は、液晶層５６に含まれる液晶分子５６ａを一定方向に配列させる。

透明導電膜５８は、透明基板５９における配向膜５７側の表面に設けられており、液晶層５６等を挟んで画素電極層５３と向かい合っている。透明基板５９は、例えば、ガラス基板である。透明導電膜５８は、例えば、ＩＴＯ等の光透過性且つ導電性材料によって形成されている。透明基板５９及び透明導電膜５８は、レーザ光Ｌを透過させる。

以上のように構成された空間光変調器５では、変調パターンを示す信号が制御部１０から駆動回路層５２に入力されると、当該信号に応じた電圧が各画素電極５３ａに印加され、各画素電極５３ａと透明導電膜５８との間に電界が形成される。当該電界が形成されると、液晶層５６において、各画素電極５３ａに対応する領域ごとに液晶分子２１６ａの配列方向が変化し、各画素電極５３ａに対応する領域ごとに屈折率が変化する。この状態が、液晶層５６に変調パターンが表示された状態である。

液晶層５６に変調パターンが表示された状態で、レーザ光Ｌが、外部から透明基板５９及び透明導電膜５８を介して液晶層５６に入射し、反射膜５４で反射されて、液晶層５６から透明導電膜５８及び透明基板５９を介して外部に出射させられると、液晶層５６に表示された変調パターンに応じて、レーザ光Ｌが変調される。このように、空間光変調器５によれば、液晶層５６に表示する変調パターンを適宜設定することで、レーザ光Ｌの変調（例えば、レーザ光Ｌの強度、振幅、位相、偏光等の変調）が可能である。
［対象物の構成］

本実施形態の対象物１１は、図３及び図４に示されるように、ウェハ２０である。ウェハ２０は、第１表面２０ａ及び第１表面２０ａとは反対側の第２表面２０ｂを有している。ウェハ２０は、半導体基板２１上に機能素子層２２が積層されることで、構成されている。

半導体基板２１は、例えば、シリコン基板である。半導体基板２１は、第１表面２１ａ及び第１表面２１ａとは反対側の第２表面２１ｂを有している。第２表面２１ｂは、ウェハ２０の第２表面２０ｂである。半導体基板２１には、結晶方位を示すノッチ２１ｃが設けられている。なお、半導体基板２１には、ノッチ２１ｃの替わりにオリエンテーションフラットが設けられていてもよい。

機能素子層２２は、半導体基板２１の第１表面２１ａに設けられている。機能素子層２２は、半導体基板２１の第１表面２１ａに沿ってマトリックス状に配列された複数の機能素子２２ａを含んでいる。各機能素子２２ａは、例えば、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、メモリ等の回路素子等である。各機能素子２２ａは、複数の層がスタックされて３次元的に構成される場合もある。

ウェハ２０は、複数のライン１５のそれぞれに沿って機能素子２２ａごとに切断される。複数のライン１５は、ウェハ２０の厚さ方向から見た場合に複数の機能素子２２ａのそれぞれの間（より具体的には、隣り合う機能素子２２ａの間を通るように延在するストリート領域２３の中央）を通るように、ウェハ２０の第２表面２１ｂに沿って格子状に延在している。各ライン１５は、レーザ加工装置１によってウェハ２０に設定された仮想的なラインである。なお、各ライン１５は、ウェハ２０に実際に引かれたラインであってもよい。
［レーザ加工装置の動作及びレーザ加工方法］

図５に示されるように、レーザ加工装置１では、ウェハ２０の第２表面２０ｂがＺ方向と直交するように、支持部２によってウェハ２０が支持される。そして、制御部１０によって空間光変調器５が制御され、空間光変調器５の液晶層５６に所定の変調パターン（例えば、回折パターンを含む変調パターン）が表示される。この状態で、光源３からレーザ光Ｌが出射され、集光部６によってレーザ光Ｌが第２表面２０ｂ側からウェハ２０に集光される。つまり、空間光変調器５によってレーザ光Ｌが変調され、変調されたレーザ光Ｌが集光部６によって第２表面２０ｂ側からウェハ２０に集光される。

これにより、レーザ光Ｌが０次光を含む複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐（回折）され、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がＺ方向及びＸ方向のそれぞれの方向において互いに異なる箇所に位置させられる。本実施形態では、加工光Ｌ２が０次光である。加工光Ｌ１の集光点Ｃ１は、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２よりもレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側に位置し、加工光Ｌ３の集光点Ｃ３は、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２よりもレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける後側に位置する。一例として、加工光Ｌ１は＋１次光であり、加工光Ｌ３は－１次光である。

本実施形態では、複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が、レーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側ほどＺ方向におけるウェハ２０の第１表面２０ａ側に位置する位置関係を有するように、空間光変調器５によってレーザ光Ｌが変調される。つまり、集光点Ｃ２が集光点Ｃ３よりもＺ方向におけるウェハ２０の第１表面２０ａ側に位置し、且つ集光点Ｃ１が集光点Ｃ２よりもＺ方向におけるウェハ２０の第１表面２０ａ側に位置するように、空間光変調器５によってレーザ光Ｌが変調される。更に、本実施形態では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３においてレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける最も前側に分岐される加工光Ｌ１が最も大きい出力（エネルギー、強度）を有するように、空間光変調器５によってレーザ光Ｌが変調される。なお、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の中に、加工光Ｌ１の出力と等しい出力を有する加工光が存在したとしても、それ以外の加工光の出力が加工光Ｌ１の出力未満である場合は、加工光Ｌ１が最も大きい出力を有する場合に含まれる。

レーザ光Ｌが０次光を含む複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐された状態で、Ｘ方向がライン１５の延在方向に一致し且つ複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がライン１５に沿って相対的に移動するように、制御部１０によって支持部２が制御される。これにより、１本のライン１５に沿って３列の改質領域１２が形成される。ウェハ２０の第２表面２０ｂから各改質領域１２までの距離は、互いに異なっており、各改質領域１２が形成される深さは、各集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が合わされる深さに対応している。

ここで、レーザ光Ｌの非変調光による影響について説明する。レーザ光Ｌの非変調光とは、空間光変調器５に入射したレーザ光Ｌのうち、空間光変調器５によって変調されずに空間光変調器５から出射された光である。例えば、空間光変調器５に入射したレーザ光Ｌのうち透明基板５９の外側表面（透明導電膜５８とは反対側の表面）で反射された光が非変調光となる。

図６に示されるように、レーザ光Ｌが回折によって２つの加工光Ｌ１，Ｌ２に分岐された場合において、加工光Ｌ１が＋１次光であり、加工光Ｌ２が－１次光であるときには、２つの加工光Ｌ１，Ｌ２の２つの集光点Ｃ１，Ｃ２は非変調光の集光点Ｃ０から離れる。そのため、２つの加工光Ｌ１，Ｌ２が非変調光の影響を受け難くなり、その結果、２列の改質領域１２が所望の状態で形成され易くなる。

図７は、図６に示されるような２点分岐のレーザ加工方法が実施されたシリコン基板の切断面の画像である。図７に示される例では、シリコン基板におけるレーザ光Ｌの入射側とは反対側の表面（図７に示されるシリコン基板の下面）に沿った領域、及び、隣り合う改質領域１２の間の領域に、黒筋が現れなかった。これは、２列の改質領域１２から、シリコン基板におけるレーザ光Ｌの入射側とは反対側の表面に渡って、亀裂が十分に延びたことを示している。

それに対し、図８に示されるように、レーザ光Ｌが回折によって３つの加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐された場合において、加工光Ｌ１が＋１次光であり、加工光Ｌ２が０次光であり、加工光Ｌ３が－１次光であるときには、２つの加工光Ｌ１，Ｌ３の２つの集光点Ｃ１，Ｃ３は非変調光の集光点Ｃ０から離れるものの、加工光Ｌ２の集光点Ｃ２は非変調光の集光点Ｃ０に近付く。加工光Ｌ２の集光点Ｃ２は、主に球面収差補正の補正分しか、非変調光の集光点Ｃ０から離れていない。そのため、加工光Ｌ２が非変調光の影響を受け易くなり、その結果、３列の改質領域１２が所望の状態で形成され難くなる。

図９は、図８に示されるような３点分岐のレーザ加工方法が実施されたシリコン基板の切断面の画像である。図９に示される例では、シリコン基板におけるレーザ光Ｌの入射側とは反対側の表面（図９に示されるシリコン基板の下面）に沿った領域、及び、隣り合う改質領域１２の間の領域に、黒筋が現れた。これは、３列の改質領域１２から、シリコン基板におけるレーザ光Ｌの入射側とは反対側の表面に渡って、亀裂が十分に延びなかったこと（特に、シリコン基板におけるレーザ光Ｌの入射側とは反対側の表面に亀裂が到達しなかったこと）を示している。

以上の知見を踏まえ、レーザ加工装置１では、Ｘ方向シフトのレーザ加工方法、Ｙ方向シフトのレーザ加工方法、及びＺ方向シフトのレーザ加工方法の少なくとも１つが実施される。

Ｘ方向シフトのレーザ加工方法では、図１０に示されるように、Ｘ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側（すなわち、レーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側又は後側）に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。本実施形態では、加工光Ｌ１の集光点Ｃ１が集光点Ｃ１０に対してレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側に位置し、且つ加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が集光点Ｃ２０に対してレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側に位置し、且つ加工光Ｌ３の集光点Ｃ３が集光点Ｃ３０に対してレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。なお、各集光点Ｃ１０，Ｃ２０，Ｃ３０は、レーザ光Ｌの変調においてＸ方向シフトが施されなかった場合における各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の集光点に相当する。

図１１は、Ｘ方向シフトのレーザ加工方法に関する実験結果を示す図である。図１１において、「シフト量」は、Ｘ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」であり、「－」は、レーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側へのシフトであることを示し、「＋」は、レーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける後側へのシフトであることを示す。本実験では、Ｘ方向へのシフト量のみを変化させて、次の条件で、電気抵抗率１Ω・ｃｍ以上、結晶方位（１００）、厚さ７７５μｍのシリコン基板に３列の改質領域１２を形成した。
レーザ光Ｌの波長：１０９９ｎｍ
レーザ光Ｌのパルス幅：７００ｎｓ
レーザ光Ｌの繰り返し周波数：７０ｋＨｚ
シリコン基板に対するレーザ光Ｌの相対的な移動速度：５００ｍｍ／ｓ
各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の出力：２．０Ｗ
加工光Ｌ１による改質領域１２の形成深さ：６９４μｍ
加工光Ｌ２による改質領域１２の形成深さ：６３０μｍ
加工光Ｌ３による改質領域１２の形成深さ：５６６μｍ
Ｘ方向における集光点Ｃ１，Ｃ２間の距離：５５μｍ
Ｘ方向における集光点Ｃ２，Ｃ３間の距離：５５μｍ

本実験の結果は、図１１に示される「断面写真（シリコン基板の切断面の画像）」及び「結果」のとおりである。「断面写真」について、「３列の改質領域１２から、シリコン基板におけるレーザ光Ｌの入射側とは反対側の表面（図１１の「断面写真」に示されるシリコン基板の下面）に渡って、亀裂が十分に延びたか否か」という観点で評価を実施し、当該亀裂が延びたものを「Ｃ」、当該亀裂が十分に延びたものを「Ｂ」、当該亀裂がより十分に延びたものを「Ａ」とした。本実験では、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２を非変調光の集光点Ｃ０に対してレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側に位置させることが好ましいこと、及びその場合におけるＸ方向へのシフト量を２μｍ以上とすることが好ましいことが分かった。

Ｙ方向シフトのレーザ加工方法では、図１２に示されるように、Ｙ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。本実施形態では、Ｙ方向において加工光Ｌ１の集光点Ｃ１が集光点Ｃ１０に対して一方の側に位置し、且つＹ方向において加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が集光点Ｃ２０に対して一方の側に位置し、且つＹ方向において加工光Ｌ３の集光点Ｃ３が集光点Ｃ３０に対して一方の側に位置するように（すなわち、Ｙ方向において複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側（同じ側）に位置するように）、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。なお、各集光点Ｃ１０，Ｃ２０，Ｃ３０は、レーザ光Ｌの変調においてＹ方向シフトが施されなかった場合における各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の集光点に相当する。

図１３は、Ｙ方向シフトのレーザ加工方法に関する実験結果を示す図である。図１３において、「シフト量」は、Ｙ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」である。本実験では、Ｙ方向へのシフト量のみを変化させて、Ｘ方向シフトのレーザ加工方法と同じ条件で、電気抵抗率１Ω・ｃｍ以上、結晶方位（１００）、厚さ７７５μｍのシリコン基板に３列の改質領域１２を形成した。

本実験の結果は、図１３に示される「断面写真（シリコン基板の切断面の画像）」及び「結果」のとおりである。「断面写真」について、上述した観点で評価を実施し、当該亀裂が延びたものを「Ｃ」、当該亀裂が十分に延びたものを「Ｂ」、当該亀裂がより十分に延びたものを「Ａ」とした。本実験では、Ｙ方向へのシフト量を４μｍ以上とすることが好ましいことが分かった。

Ｚ方向シフトのレーザ加工方法では、図１４に示されるように、Ｚ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が０次光の理想集光点ＩＣに対して非変調光の集光点Ｃ０とは反対側（すなわち、Ｚ方向における「加工光Ｌ２の出射側」）に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。或いは、Ｚ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対して０次光の理想集光点ＩＣとは反対側（すなわち、Ｚ方向における「加工光Ｌ２の入射側」）に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。０次光の理想集光点ＩＣとは、球面収差がなく０次光が対象物中の１点に集光すると仮定した場合における０次光の集光点であり、一例として、集光点Ｃ２０と略一致している。本実施形態では、Ｚ方向において加工光Ｌ１の集光点Ｃ１が集光点Ｃ１０に対して加工光Ｌ１の出射側に位置し、且つＺ方向において加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が集光点Ｃ２０に対して加工光Ｌ２の出射側に位置し、且つＺ方向において加工光Ｌ３の集光点Ｃ３が集光点Ｃ３０に対して加工光Ｌ３の出射側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。なお、各集光点Ｃ１０，Ｃ２０，Ｃ３０は、レーザ光Ｌの変調においてＺ方向シフトが施されなかった場合における各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の集光点に相当する。

図１５は、Ｚ方向シフトのレーザ加工方法に関する実験結果を示す図である。図１５において、「シフト量」は、Ｚ方向における「０次光の理想集光点ＩＣと、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」であり、「－」は、Ｚ方向における「加工光Ｌ２の入射側」へのシフトであることを示し、「＋」は、Ｚ方向における「加工光Ｌ２の出射側」へのシフトであることを示す。また、図１５において、「距離」は、Ｚ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」である。本実験では、Ｚ方向へのシフト量のみを変化させて、Ｘ方向シフトのレーザ加工方法と同じ条件で、電気抵抗率１Ω・ｃｍ以上、結晶方位（１００）、厚さ７７５μｍのシリコン基板に３列の改質領域１２を形成した。

本実験の結果は、図１５に示される「断面写真（シリコン基板の切断面の画像）」及び「結果」のとおりである。「断面写真」について、上述した観点で評価を実施し、当該亀裂が延びたものを「Ｃ」、当該亀裂が十分に延びたものを「Ｂ」、当該亀裂がより十分に延びたものを「Ａ」とした。本実験では、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２を０次光の理想集光点ＩＣに対して「加工光Ｌ２の入射側とは反対側」に位置させることが好ましいこと、及びその場合におけるＺ方向へのシフト量を２０μｍ以上とすることが好ましいことが分かった。

図１６は、Ｚ方向シフト及びＹ方向シフトの組合せのレーザ加工方法、並びに、Ｚ方向シフト及びＸ方向シフトの組合せのレーザ加工方法に関する実験結果を示す図である。図１６において、「Ｚ方向シフト」における数値は、Ｚ方向へのシフト量（すなわち、Ｚ方向における「０次光の理想集光点ＩＣと、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」）であり、「＋」は、Ｚ方向における「加工光Ｌ２の出射側」へのシフトであることを示す。「Ｙ方向シフト」における数値は、Ｙ方向へのシフト量（すなわち、Ｙ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」）である。「Ｘ方向シフト」における数値は、Ｘ方向へのシフト量（すなわち、Ｘ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」）であり、「－」は、レーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側へのシフトであることを示し、「＋」は、レーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける後側へのシフトであることを示す。

このように、Ｚ方向シフト及びＹ方向シフトを組み合わせてレーザ加工方法を実施してもよいし、或いは、Ｚ方向シフト及びＸ方向シフトを組み合わせてレーザ加工方法を実施してもよい。また、Ｘ方向シフト及びＹ方向シフトを組み合わせてレーザ加工方法を実施してもよいし、或いは、Ｘ方向シフト、Ｙ方向シフト及びＺ方向シフトを組み合わせてレーザ加工方法を実施してもよい。
［レーザ加工装置の動作及びＸ方向シフトのレーザ加工方法］

レーザ加工装置１で実施されるＸ方向シフトのレーザ加工方法について、図１７に示されるフローチャートを参照しつつ、より詳細に説明する。

まず、ウェハ２０が準備される（図１７に示されるＳ１１、第１工程）。具体的には、図５に示されるように、ウェハ２０の第２表面２０ｂがＺ方向と直交するように、支持部２によってウェハ２０が支持される。

続いて、レーザ加工装置１にデータが入力される（図１７に示されるＳ１２）。具体的には、図１８の（ａ）に示されるように、オペレータによって入力された各種データが、制御部１０の入力受付部１０３（図１参照）によって受け付けられる。図１８の（ａ）において、「ＳＤ１」は加工光Ｌ１を示し、「ＳＤ２」は加工光Ｌ２を示し、「ＳＤ３」は加工光Ｌ３を示す。オペレータは、「分岐数」及び「シフト方向」、並びに、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に関する数値等を入力することができる。

この例では、「分岐数」に「３」が入力されており、「シフト方向」に「Ｘ方向」が入力されている。つまり、レーザ光Ｌが３つの加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐された状態でのＸ方向シフトのレーザ加工方法が選択されている。各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に関する数値等のうち、「ＺＨ」は、ウェハ２０の第２表面２０ｂから各集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を落とし込む際における落し込み量（この例では、Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３）を示す。「ＢＰ」に入力された「１」は、各種ビームパラメータの組合せの種類を示し、「球面収差」に入力された「基準」は、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の球面収差の補正量を示す。

なお、入力受付部１０３では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３においてレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける最も前側に分岐される加工光Ｌ１が最も大きい出力を有するように、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の「出力」の入力が制限されてもよい。また、入力受付部１０３では、「球面収差」及び「ＢＰ」のそれぞれが、加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ごとに入力可能となっていてもよい。また、入力受付部１０３では、「ＺＨ」に替えて又は「ＺＨ」と共に、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による改質領域１２の形成深さ（すなわち、第２表面２０ｂから各改質領域１２までの距離に相当する値）が入力可能となっていてもよい。

レーザ光Ｌが３つの加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐された状態でのＸ方向シフトのレーザ加工方法が選択された場合におけるデータとして、制御部１０の記憶部１０２（図１参照）は、図１８の（ｂ）に示されるように、「基準ＳＤ」、「Ｘ方向分岐量」及び「Ｘ方向シフト量」のデータを記憶している。

「基準ＳＤ」は、ウェハ２０の第２表面２０ｂから各集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を落とし込む際における基準を示し、「基準ＳＤ」に入力された「ＳＤ２」は、加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が基準であることを示す（加工光Ｌ１の集光点Ｃ１又は加工光Ｌ３の集光点Ｃ３が基準とされていてもよい）。「Ｘ方向分岐量」は、Ｘ方向における「加工光Ｌ１の集光点Ｃ１と加工光Ｌ３の集光点Ｃ３との距離」（この例では、Ｘ１０）を示す。この場合には、一例として、Ｘ方向における「加工光Ｌ１の集光点Ｃ１と加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＸ１０／２となり、Ｘ方向における「加工光Ｌ２の集光点Ｃ２と加工光Ｌ３の集光点Ｃ３との距離」がＸ１０／２となる。「Ｘ方向シフト量」は、Ｘ方向へのシフト量（この例では、Ｘ１）、すなわち、Ｘ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」を示す。

続いて、レーザ加工装置１においてアライメントが実施される（図１７に示されるＳ１３）。これにより、Ｚ方向から見た場合にレーザ光Ｌの集光点Ｃがライン１５上に位置させられる。続いて、レーザ加工装置１においてハイトセットが実施される（図１７に示されるＳ１４）。これにより、図１９の左側に示されるように、レーザ光Ｌの集光点Ｃがレーザ光入射面（すなわち、ウェハ２０の第２表面２０ｂ）上に位置させられる。

続いて、図１９の右側に示されるように、加工光Ｌ２の集光点Ｃ２を基準として、集光部６の集光レンズユニット６１（図１参照）がＺ２だけ落とし込まれる。これにより、Ｚ方向における「レーザ光入射面と加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＺ２´（Ｚ２にウェハ２０の屈折率を乗じた値に相当する値）となり、且つＸ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＸ１となるように、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がウェハ２０に対して位置決めされる。

このように、レーザ加工装置１では、制御部１０が、光源３からレーザ光Ｌが出射される前に、可視撮像部８によって取得された画像に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がウェハ２０の第２表面２０ｂから所定深さに位置するように支持部２及び筐体Ｈ（すなわち、集光部６）を制御する。

続いて、光源３からレーザ光Ｌが出射されて、空間光変調器５（図１参照）によってレーザ光Ｌが変調され、変調されたレーザ光Ｌ（すなわち、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）が第２表面２０ｂ側からウェハ２０（図５参照）に集光される（図１７に示されるＳ１５、第２工程）。具体的には、レーザ光Ｌが０次光を含む複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐され且つ複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がＺ方向及びＸ方向のそれぞれの方向において互いに異なる箇所に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。更に、Ｘ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。そして、ライン１５の延在方向にＸ方向が一致させられた状態で、複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がライン１５に沿って相対的に移動させられる。

以上説明したように、レーザ加工装置１では、Ｘ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側に位置させられる。これにより、レーザ光Ｌのうち空間光変調器５によって変調されなかった非変調光が、０次光である加工光Ｌ２の集光状態に影響を及ぼすこと（例えば、非変調光が、０次光である加工光Ｌ２と干渉すること）が抑制される。よって、レーザ加工装置１（及びＸ方向シフトのレーザ加工方法）によれば、レーザ光Ｌを複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐する加工において高い加工品質を得ることができる。

また、レーザ加工装置１では、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対してレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。これにより、Ｘ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２を非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側に位置させる場合に、より高い加工品質を得ることができる。

また、レーザ加工装置１では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側ほどＺ方向におけるウェハ２０の第１表面２０ａ側に位置する位置関係を有するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。これにより、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの集光が形成済みの改質領域１２に阻害されるのを抑制することができる。

また、レーザ加工装置１では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３においてレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける最も前側に分岐される加工光が最も大きい出力を有するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。これにより、複数列の改質領域１２に渡る亀裂をウェハ２０に形成する場合に、当該亀裂をウェハ２０の第１表面２０ａ側に大きく延ばすことができる。
［レーザ加工装置の動作及びＹ方向シフトのレーザ加工方法］

レーザ加工装置１で実施されるＹ方向シフトのレーザ加工方法について、図２０に示されるフローチャートを参照しつつ、より詳細に説明する。

まず、ウェハ２０が準備される（図２０に示されるＳ２１、第１工程）。具体的には、図５に示されるように、ウェハ２０の第２表面２０ｂがＺ方向と直交するように、支持部２によってウェハ２０が支持される。

続いて、レーザ加工装置１にデータが入力される（図２０に示されるＳ２２）。具体的には、図２１の（ａ）に示されるように、オペレータによって入力された各種データが、制御部１０の入力受付部１０３（図１参照）によって受け付けられる。図２１の（ａ）において、「ＳＤ１」は加工光Ｌ１を示し、「ＳＤ２」は加工光Ｌ２を示し、「ＳＤ３」は加工光Ｌ３を示す。オペレータは、「分岐数」及び「シフト方向」、並びに、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に関する数値等を入力することができる。

この例では、「分岐数」に「３」が入力されており、「シフト方向」に「Ｙ方向」が入力されている。つまり、レーザ光Ｌが３つの加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐された状態でのＹ方向シフトのレーザ加工方法が選択されている。各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に関する数値等のうち、「ＺＨ」は、ウェハ２０の第２表面２０ｂから各集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を落とし込む際における落し込み量（この例では、Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３）を示す。「ＢＰ」に入力された「１」は、各種ビームパラメータの組合せの種類を示し、「球面収差」に入力された「基準」は、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の球面収差の補正量を示す。

なお、入力受付部１０３では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３においてレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける最も前側に分岐される加工光Ｌ１が最も大きい出力を有するように、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の「出力」の入力が制限されてもよい。また、入力受付部１０３では、「球面収差」及び「ＢＰ」のそれぞれが、加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ごとに入力可能となっていてもよい。また、入力受付部１０３では、「ＺＨ」に替えて又は「ＺＨ」と共に、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による改質領域１２の形成深さ（すなわち、第２表面２０ｂから各改質領域１２までの距離に相当する値）が入力可能となっていてもよい。

レーザ光Ｌが３つの加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐された状態でのＹ方向シフトのレーザ加工方法が選択された場合におけるデータとして、制御部１０の記憶部１０２（図１参照）は、図２１の（ｂ）に示されるように、「基準ＳＤ」、「Ｘ方向分岐量」及び「Ｙ方向シフト量」のデータを記憶している。

「基準ＳＤ」は、ウェハ２０の第２表面２０ｂから各集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を落とし込む際における基準を示し、「基準ＳＤ」に入力された「ＳＤ２」は、加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が基準であることを示す（加工光Ｌ１の集光点Ｃ１又は加工光Ｌ３の集光点Ｃ３が基準とされていてもよい）。「Ｘ方向分岐量」は、Ｘ方向における「加工光Ｌ１の集光点Ｃ１と加工光Ｌ３の集光点Ｃ３との距離」（この例では、Ｘ１０）を示す。この場合には、一例として、Ｘ方向における「加工光Ｌ１の集光点Ｃ１と加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＸ１０／２となり、Ｘ方向における「加工光Ｌ２の集光点Ｃ２と加工光Ｌ３の集光点Ｃ３との距離」がＸ１０／２となる。「Ｙ方向シフト量」は、Ｙ方向へのシフト量（この例では、Ｙ１）、すなわち、Ｙ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」を示す。

続いて、レーザ加工装置１において光軸調整が実施される（図２０に示されるＳ２３）。具体的には、次のとおりである。集光部６を通過するレーザ光Ｌの光軸が集光部６の光軸に一致している場合（図１参照）において、図２２の（ａ）に示されるように、可視撮像部８によって取得された画像（例えば、ウェハ２０の第２表面２０ｂの像）の中心にライン１５が合わされているときには、非変調光の集光点Ｃ０がライン１５上に位置し、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がライン１５に対して一方の側に位置することになる。レーザ加工装置１では、その状態に対して、図２２の（ｂ）に示されるように、複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がライン１５上に位置するように、制御部１０によって光軸調整部４（図１参照）が制御される。

このように、レーザ加工装置１では、制御部１０が、光源３からレーザ光Ｌが出射される前に、可視撮像部８によって取得された画像に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がライン１５上に位置するように光軸調整部４を制御する。なお、このような光軸調整は、レーザ加工装置１において予め実施されていてもよい。

続いて、レーザ加工装置１においてアライメントが実施される（図２０に示されるＳ２４）。これにより、Ｚ方向から見た場合にレーザ光Ｌの集光点Ｃがライン１５上に位置させられる。続いて、レーザ加工装置１においてハイトセットが実施される（図２０に示されるＳ２５）。これにより、図２３の左側に示されるように、レーザ光Ｌの集光点Ｃがレーザ光入射面（すなわち、ウェハ２０の第２表面２０ｂ）上に位置させられる。

続いて、図２３の右側に示されるように、加工光Ｌ２の集光点Ｃ２を基準として、集光部６の集光レンズユニット６１（図１参照）がＺ２だけ落とし込まれる。これにより、Ｚ方向における「レーザ光入射面と加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＺ２´（Ｚ２にウェハ２０の屈折率を乗じた値に相当する値）となり、且つＹ方向における「非変調光の集光点Ｃ０と加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＹ１となるように、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がウェハ２０に対して位置決めされる。

このように、レーザ加工装置１では、制御部１０が、光源３からレーザ光Ｌが出射される前に、可視撮像部８によって取得された画像に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がウェハ２０の第２表面２０ｂから所定深さに位置するように支持部２及び筐体Ｈ（すなわち、集光部６）を制御する。

続いて、光源３からレーザ光Ｌが出射されて、空間光変調器５（図１参照）によってレーザ光Ｌが変調され、変調されたレーザ光Ｌ（すなわち、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）が第２表面２０ｂ側からウェハ２０（図５参照）に集光される（図２０に示されるＳ２６、第２工程）。具体的には、レーザ光Ｌが０次光を含む複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐され且つ複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がＺ方向及びＸ方向のそれぞれの方向において互いに異なる箇所に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。更に、Ｙ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。そして、ライン１５の延在方向にＸ方向が一致させられた状態で、複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がライン１５に沿って相対的に移動させられる。

なお、光軸調整は、例えばアライメント（図２０に示されるＳ２４）が実施された後に、次のように実施されてもよい。集光部６を通過するレーザ光Ｌの光軸が集光部６の光軸に一致している場合（図１参照）において、図２４の（ａ）に示されるように、可視撮像部８によって取得された画像（例えば、ウェハ２０の第２表面２０ｂの像）の中心にライン１５が合わされているときには、非変調光の集光点Ｃ０がライン１５上に位置し、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がライン１５に対して一方の側に位置することになる。レーザ加工装置１では、その状態に対して、図２４の（ｂ）に示されるように、複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がライン１５上に位置するように、制御部１０によって支持部２（図１参照）が制御されてもよい。この場合には、光軸調整部４は用いられない。

このように、レーザ加工装置１では、制御部１０が、光源３からレーザ光Ｌが出射される前に、可視撮像部８によって取得された画像に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がライン１５上に位置するように支持部２を制御してもよい。

以上説明したように、レーザ加工装置１では、Ｙ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側に位置させられる。これにより、レーザ光Ｌのうち空間光変調器５によって変調されなかった非変調光が、０次光である加工光Ｌ２の集光状態に影響を及ぼすこと（例えば、非変調光が、０次光である加工光Ｌ２と干渉すること）が抑制される。よって、レーザ加工装置１（及びＹ方向シフトのレーザ加工方法）によれば、レーザ光Ｌを複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐する加工において高い加工品質を得ることができる。

また、レーザ加工装置１では、光源３からレーザ光Ｌが出射される前に、制御部１０が、可視撮像部８によって取得されたウェハ２０の画像に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がライン１５上に位置するように光軸調整部４を制御する。或いは、レーザ加工装置１は、光源３からレーザ光Ｌが出射される前に、制御部１０が、可視撮像部８によって取得されたウェハ２０の画像に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がライン１５上に位置するように支持部２を制御する。そして、いずれの場合にも、光源３からレーザ光Ｌが出射される前に、制御部１０が、可視撮像部８によって取得されたウェハ２０の画像に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がウェハ２０の第２表面２０ｂから所定深さに位置するように、支持部２及び筐体Ｈ（すなわち、集光部６）を制御する。これらにより、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２をライン１５上に容易且つ確実に位置させることができる。

また、レーザ加工装置１では、Ｙ方向において、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が非変調光の集光点Ｃ０に対して一方の側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。これにより、複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３をライン１５に沿って並ばせることができる。

また、レーザ加工装置１では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側ほどＺ方向におけるウェハ２０の第１表面２０ａ側に位置する位置関係を有するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。これにより、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの集光が形成済みの改質領域１２に阻害されるのを抑制することができる。

また、レーザ加工装置１では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３においてレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける最も前側に分岐される加工光が最も大きい出力を有するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。これにより、複数列の改質領域１２に渡る亀裂をウェハ２０に形成する場合に、当該亀裂をウェハ２０の第１表面２０ａ側に大きく延ばすことができる。
［レーザ加工装置の動作及びＺ方向シフトのレーザ加工方法］

レーザ加工装置１で実施されるＺ方向シフトのレーザ加工方法について、図２５に示されるフローチャートを参照しつつ、より詳細に説明する。

まず、ウェハ２０が準備される（図２５に示されるＳ３１、第１工程）。具体的には、図５に示されるように、ウェハ２０の第２表面２０ｂがＺ方向と直交するように、支持部２によってウェハ２０が支持される。

続いて、レーザ加工装置１にデータが入力される（図２５に示されるＳ３２）。具体的には、図２６の（ａ）に示されるように、オペレータによって入力された各種データが、制御部１０の入力受付部１０３（図１参照）によって受け付けられる。図２６の（ａ）において、「ＳＤ１」は加工光Ｌ１を示し、「ＳＤ２」は加工光Ｌ２を示し、「ＳＤ３」は加工光Ｌ３を示す。オペレータは、「分岐数」及び「シフト方向」、並びに、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に関する数値等を入力することができる。

この例では、「分岐数」に「３」が入力されており、「シフト方向」に「Ｚ方向」が入力されている。つまり、レーザ光Ｌが３つの加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐された状態でのＺ方向シフトのレーザ加工方法が選択されている。各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に関する数値等のうち、「ＺＨ」は、ウェハ２０の第２表面２０ｂから各集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を落とし込む際における落し込み量（この例では、Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３）を示す。「ＢＰ」に入力された「１」は、各種ビームパラメータの組合せの種類を示し、「球面収差」に入力された「基準」は、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の球面収差の補正量を示す。

なお、入力受付部１０３では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３においてレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける最も前側に分岐される加工光Ｌ１が最も大きい出力を有するように、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の「出力」の入力が制限されてもよい。また、入力受付部１０３では、「球面収差」及び「ＢＰ」のそれぞれが、加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ごとに入力可能となっていてもよい。また、入力受付部１０３では、「ＺＨ」に替えて又は「ＺＨ」と共に、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による改質領域１２の形成深さ（すなわち、第２表面２０ｂから各改質領域１２までの距離に相当する値）が入力可能となっていてもよい。

レーザ光Ｌが３つの加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐された状態でのＺ方向シフトのレーザ加工方法が選択された場合におけるデータとして、制御部１０の記憶部１０２（図１参照）は、図２６の（ｂ）に示されるように、「基準ＳＤ」、「Ｘ方向分岐量」及び「Ｚ方向シフト量」のデータを記憶している。

「基準ＳＤ」は、ウェハ２０の第２表面２０ｂから各集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を落とし込む際における基準を示し、「基準ＳＤ」に入力された「ＳＤ２」は、加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が基準であることを示す（加工光Ｌ１の集光点Ｃ１又は加工光Ｌ３の集光点Ｃ３が基準とされていてもよい）。「Ｘ方向分岐量」は、Ｘ方向における「加工光Ｌ１の集光点Ｃ１と加工光Ｌ３の集光点Ｃ３との距離」（この例では、Ｘ１０）を示す。この場合には、一例として、Ｘ方向における「加工光Ｌ１の集光点Ｃ１と加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＸ１０／２となり、Ｘ方向における「加工光Ｌ２の集光点Ｃ２と加工光Ｌ３の集光点Ｃ３との距離」がＸ１０／２となる。「Ｚ方向シフト量」は、Ｚ方向へのシフト量（この例では、Ｚ４）、すなわち、Ｚ方向における「０次光の理想集光点ＩＣと、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」を示す。

続いて、レーザ加工装置１においてアライメントが実施される（図２５に示されるＳ３３）。これにより、Ｚ方向から見た場合にレーザ光Ｌの集光点Ｃがライン１５上に位置させられる。続いて、レーザ加工装置１においてハイトセットが実施される（図２５に示されるＳ３４）。これにより、図２７の左側に示されるように、レーザ光Ｌの集光点Ｃがレーザ光入射面（すなわち、ウェハ２０の第２表面２０ｂ）上に位置させられる。

続いて、図２７の右側に示されるように、加工光Ｌ２の集光点Ｃ２を基準として、集光部６の集光レンズユニット６１（図１参照）が「Ｚ２－Ｚ４」だけ落とし込まれる。これにより、Ｚ方向における「レーザ光入射面と加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＺ２´（Ｚ２にウェハ２０の屈折率を乗じた値に相当する値）となり、且つＺ方向における「０次光の理想集光点ＩＣと、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」がＺ４´（Ｚ４にウェハ２０の屈折率を乗じた値に相当する値）となるように、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がウェハ２０に対して位置決めされる。

このように、レーザ加工装置１では、制御部１０が、光源３からレーザ光Ｌが出射される前に、可視撮像部８によって取得された画像に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がウェハ２０の第２表面２０ｂから所定深さに位置するように支持部２及び筐体Ｈ（すなわち、集光部６）を制御する。

続いて、光源３からレーザ光Ｌが出射されて、空間光変調器５（図１参照）によってレーザ光Ｌが変調され、変調されたレーザ光Ｌ（すなわち、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）が第２表面２０ｂ側からウェハ２０（図５参照）に集光される（図２５に示されるＳ３５、第２工程）。具体的には、レーザ光Ｌが０次光を含む複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐され且つ複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がＺ方向及びＸ方向のそれぞれの方向において互いに異なる箇所に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。更に、Ｚ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が０次光の理想集光点ＩＣに対して非変調光の集光点Ｃ０とは反対側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。そして、ライン１５の延在方向にＸ方向が一致させられた状態で、複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がライン１５に沿って相対的に移動させられる。

上述したように、レーザ加工装置１では、入力受付部１０３が「ＺＨ」の入力を受け付け、記憶部１０２が「Ｚ方向シフト量」を記憶している。ここで、「ＺＨ」は、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による改質領域１２の形成位置に関する第１データであり、「Ｚ方向シフト量」は、Ｚ方向における「０次光の理想集光点ＩＣと、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」に関する第２データである。そして、レーザ加工装置１では、制御部１０が、第１データである「ＺＨ」及び第２データである「Ｚ方向シフト量」に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がウェハ２０の第２表面２０ｂから所定深さに位置するように支持部２及び筐体Ｈ（すなわち、集光部６）を制御する。なお、レーザ加工装置１では、入力受付部１０３が、第２データである「Ｚ方向シフト量」の入力を受け付けてもよい。また、レーザ加工装置１では、入力受付部１０３が、「ＺＨ」に替えて又は「ＺＨ」と共に、第１データとして、各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による改質領域１２の形成深さの入力を受け付けてもよい。

以上説明したように、レーザ加工装置１では、Ｚ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が０次光の理想集光点ＩＣに対して非変調光の集光点Ｃ０とは反対側に位置させられる。これにより、レーザ光Ｌのうち空間光変調器５によって変調されなかった非変調光が、０次光である加工光Ｌ２の集光状態に影響を及ぼすこと（例えば、非変調光が、０次光である加工光Ｌ２と干渉すること）が抑制される。よって、レーザ加工装置１（及びＺ方向シフトのレーザ加工方法）によれば、レーザ光Ｌを複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐する加工において高い加工品質を得ることができる。なお、レーザ加工装置１では、Ｚ方向において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対して０次光の理想集光点ＩＣとは反対側に位置させられてもよい。この場合にも、レーザ光Ｌのうち空間光変調器５によって変調されなかった非変調光が、０次光である加工光Ｌ２の集光状態に影響を及ぼすことが抑制される。

また、レーザ加工装置１では、入力受付部１０３が「ＺＨ」（各加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３による改質領域１２の形成位置に関する第１データ）の入力を受け付け、制御部１０が、「ＺＨ」及「Ｚ方向シフト量」（Ｚ方向における「０次光の理想集光点ＩＣと、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」に関する第２データ）に基づいて、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２がウェハ２０の第２表面２０ｂから所定深さに位置するように支持部２及び筐体Ｈ（すなわち、集光部６）を制御する。これにより、非変調光が、０次光である加工光Ｌ２の集光状態に影響を及ぼすのを抑制しつつ、ウェハ２０の第２表面２０ｂから所望の深さに改質領域１２を形成することができる。

また、レーザ加工装置１では、記憶部１０２が「Ｚ方向シフト量」を記憶している。これにより、オペレータが「Ｚ方向シフト量」を入力する手間を省くことができる。或いは、入力受付部１０３が「Ｚ方向シフト量」の入力を受け付ける。これにより、オペレータが、Ｚ方向における「０次光の理想集光点ＩＣと、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２との距離」を所望の値に設定することができる。

また、レーザ加工装置１では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側ほどＺ方向におけるウェハ２０の第１表面２０ａ側に位置する位置関係を有するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。これにより、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３のそれぞれの集光が形成済みの改質領域１２に阻害されるのを抑制することができる。

また、レーザ加工装置１では、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３においてレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける最も前側に分岐される加工光が最も大きい出力を有するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御される。これにより、複数列の改質領域１２に渡る亀裂をウェハ２０に形成する場合に、当該亀裂をウェハ２０の第１表面２０ａ側に大きく延ばすことができる。
［変形例］

本発明は、上述した実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態では、レーザ光Ｌが０次光を含む３つの加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３に分岐されたが、本発明は、それに限定されない。レーザ光Ｌは、０次光を含む２つの加工光、又は０次光を含む４つ以上の加工光に分岐されてもよい。つまり、レーザ光Ｌは、０次光を含む複数の加工光に分岐されればよい。

また、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３の複数の集光点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が、レーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側ほどＺ方向におけるウェハ２０の第１表面２０ａ側に位置する位置関係を有するように、レーザ光Ｌが空間光変調器５によって変調されることは、本発明において必須ではない。また、複数の加工光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３においてレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける最も前側に分岐される加工光Ｌ１が最も大きい出力を有するように、レーザ光Ｌが空間光変調器５によって変調されることは、本発明において必須ではない。また、Ｘ方向シフトのレーザ加工方法において、０次光である加工光Ｌ２の集光点Ｃ２が非変調光の集光点Ｃ０に対してレーザ光Ｌの相対的移動方向Ａにおける前側に位置するように、制御部１０によって空間光変調器５が制御されることは、本発明において必須ではない。

また、支持部２によって支持されたウェハ２０と集光部６との位置関係（すなわち、支持部２によって支持されたウェハ２０と各集光点Ｃ，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３等との位置関係）を調整したり変化させたりするために、制御部１０によって支持部２及び集光部６の少なくとも一方（少なくとも一方の移動）が制御されればよい。

また、本発明の空間光変調器は、反射型液晶の空間光変調器５に限定されない。本発明の空間光変調器として、例えば透過型の空間光変調器が用いられてもよい。

また、図１８の（ｂ）、図２１の（ｂ）、図２６の（ｂ）に示される各データ（すなわち、記憶部１０２に記憶された各データ）は、オペレータによって入力受付部１０３から入力されてもよい。また、光源３から出射されたレーザ光Ｌの光軸は、オペレータが光軸調整部４を手動で調整することで、調整されてもよい。

また、上述した実施形態における各構成には、上述した材料及び形状に限定されず、様々な材料及び形状を適用することができる。また、上述した一の実施形態又は変形例における各構成は、他の実施形態又は変形例における各構成に任意に適用することができる。

１…レーザ加工装置、２…支持部、３…光源、４…光軸調整部、５…空間光変調器、６…集光部、８…可視撮像部（撮像部）、１０…制御部、１２…改質領域、１５…ライン、２０…ウェハ（対象物）、２０ａ…第１表面、２０ｂ…第２表面、１０２…記憶部、１０３…入力受付部、Ａ…相対的移動方向、Ｃ，Ｃ０，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…集光点、ＩＣ…理想集光点、Ｌ…レーザ光、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…加工光。

Claims (5)

1. 対象物にレーザ光を照射することで前記対象物に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
   第１表面及び前記第１表面とは反対側の第２表面を有する前記対象物を、前記第２表面がＺ方向と直交するように支持する支持部と、
   前記レーザ光を出射する光源と、
   前記光源から出射された前記レーザ光を変調する空間光変調器と、
   前記空間光変調器によって変調された前記レーザ光を前記第２表面側から前記対象物に集光する集光部と、
   前記レーザ光が０次光を含む複数の加工光に分岐され且つ前記複数の加工光の複数の集光点が前記Ｚ方向及び前記Ｚ方向に垂直なＸ方向のそれぞれの方向において互いに異なる箇所に位置するように前記空間光変調器を制御し、前記Ｘ方向が前記第２表面に沿って延在するラインの延在方向に一致し且つ前記複数の集光点が前記ラインに沿って相対的に移動するように前記支持部及び前記集光部の少なくとも一方を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、前記Ｘ方向において前記０次光の集光点が前記レーザ光の非変調光の集光点に対して一方の側に位置するように前記空間光変調器を制御する、レーザ加工装置。
2. 前記制御部は、前記０次光の前記集光点が前記非変調光の前記集光点に対して前記レーザ光の相対的移動方向における前側に位置するように前記空間光変調器を制御する、請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記制御部は、前記複数の集光点が前記レーザ光の相対的移動方向における前側ほど前記Ｚ方向における前記第１表面側に位置する位置関係を有するように前記空間光変調器を制御する、請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。
4. 前記制御部は、前記複数の加工光において前記レーザ光の相対的移動方向における最も前側に分岐される加工光が最も大きい出力を有するように前記空間光変調器を制御する、請求項１～３のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
5. 対象物にレーザ光を照射することで前記対象物に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、
   第１表面及び前記第１表面とは反対側の第２表面を有する前記対象物を準備する第１工程と、
   前記第２表面がＺ方向と直交するように前記対象物を支持した状態で、空間光変調器を用いることで前記レーザ光を変調し、変調された前記レーザ光を前記第２表面側から前記対象物に集光する第２工程と、を備え、
   前記第２工程においては、前記レーザ光が０次光を含む複数の加工光に分岐され且つ前記複数の加工光の複数の集光点が前記Ｚ方向及び前記Ｚ方向に垂直なＸ方向のそれぞれの方向において互いに異なる箇所に位置するように前記空間光変調器を制御すると共に、前記Ｘ方向において前記０次光の集光点が前記レーザ光の非変調光の集光点に対して一方の側に位置するように前記空間光変調器を制御し、前記第２表面に沿って延在するラインの延在方向に前記Ｘ方向を一致させた状態で、前記複数の集光点を前記ラインに沿って相対的に移動させる、レーザ加工方法。

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