JP7371172B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）などの表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液などの洗浄液によりウエハ表面の微小なごみや自然酸化膜を除去するなど、液体を利用してウエハ表面を処理する液処理工程が行われている。

こうした液処理工程にてウエハの表面に残留した液体を除去する際に、超臨界状態の処理流体を用いる方法が知られている。

例えば特許文献１は、超臨界状態の流体を基板と接触させて、基板に残留した液体を除去する基板処理装置を開示する。また特許文献２は、超臨界流体を利用して基板の上から有機溶剤を溶解して基板を乾燥させる基板処理装置を開示する。

特開２０１３－１２５３８号公報 特開２０１３－１６７９８号公報

ところで、従来、超臨界状態の流体を用いた基板処理装置においては、処理容器の内部が高圧になるので、処理容器の耐圧性を高めるために基板の搬送口の面積を小さくすることが行われている。このため、処理容器内のメンテナンス作業が容易でないという問題がある。

本発明はこのような背景の下なされたものであり、処理容器内のメンテナンス作業を容易に行うことが可能な、基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、基板処理装置において、基板を収容するとともに、前記基板に対して高圧の処理流体を用いて処理を行う容器本体と、前記容器本体内に前記基板を搬入および搬出するための搬送口と、前記容器本体のうち、前記搬送口とは異なる位置に設けられた開口と、前記開口を塞ぐ蓋部材と、を備えた、基板処理装置に関する。

本発明によれば、処理容器内のメンテナンス作業を容易に行うことができる。

図１は、洗浄処理システムの全体構成を示す横断平面図である。 図２は、超臨界処理装置の処理容器の一例を示す外観斜視図である。 図３は、超臨界処理装置の処理容器の一例を示す断面図である。 図４は、処理容器のメンテナンス用開口の周囲を示す断面図である。 図５は、処理容器のメンテナンス用開口の周囲を示す断面図である。 図６は、超臨界処理装置のシステム全体の構成例を示す図である。 図７は、ＩＰＡの乾燥メカニズムを説明するための図であり、ウエハが有する凹部としてのパターンを簡略的に示した拡大断面図である。 図８（ａ）（ｂ）は、超臨界処理装置の処理容器をメンテナンスする際の作用を示す断面図である。 図９は、超臨界処理装置の処理容器の変形例を示す側面図である。 図１０は、超臨界処理装置の処理容器の変形例を示す図であって、容器本体内の流体を排出する流体排出部周辺を示す断面図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。

［洗浄処理システムの構成］
図１は、洗浄処理システム１の全体構成を示す横断平面図である。

洗浄処理システム１は、ウエハＷに洗浄液を供給して洗浄処理を行う複数の洗浄装置２（図１に示す例では２台の洗浄装置２）と、洗浄処理後のウエハＷに残留している乾燥防止用の液体（本実施形態ではＩＰＡ：イソプロピルアルコール）を、超臨界状態の処理流体（本実施形態ではＣＯ_２：二酸化炭素）と接触させて除去する複数の超臨界処理装置３（図１に示す例では２台の超臨界処理装置３）と、を備える。

この洗浄処理システム１では、載置部１１にＦＯＵＰ１００が載置され、このＦＯＵＰ１００に格納されたウエハＷが、搬入出部１２及び受け渡し部１３を介して洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５に受け渡される。洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５において、ウエハＷは、まず洗浄処理部１４に設けられた洗浄装置２に搬入されて洗浄処理を受け、その後、超臨界処理部１５に設けられた超臨界処理装置３に搬入されてウエハＷ上からＩＰＡを除去する乾燥処理を受ける。図１中、符合「１２１」はＦＯＵＰ１００と受け渡し部１３との間でウエハＷを搬送する第１の搬送機構を示し、符合「１３１」は搬入出部１２と洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５との間で搬送されるウエハＷが一時的に載置されるバッファとしての役割を果たす受け渡し棚を示す。

受け渡し部１３の開口部にはウエハ搬送路１６２が接続されており、ウエハ搬送路１６２に沿って洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５が設けられている。洗浄処理部１４には、当該ウエハ搬送路１６２を挟んで洗浄装置２が１台ずつ配置されており、合計２台の洗浄装置２が設置されている。一方、超臨界処理部１５には、ウエハＷからＩＰＡを除去する乾燥処理を行う基板処理装置として機能する超臨界処理装置３が、ウエハ搬送路１６２を挟んで１台ずつ配置されており、合計２台の超臨界処理装置３が設置されている。ウエハ搬送路１６２には第２の搬送機構１６１が配置されており、第２の搬送機構１６１は、ウエハ搬送路１６２内を移動可能に設けられている。受け渡し棚１３１に載置されたウエハＷは第２の搬送機構１６１によって受け取られ、第２の搬送機構１６１は、ウエハＷを洗浄装置２及び超臨界処理装置３に搬入する。なお、洗浄装置２及び超臨界処理装置３の数及び配置態様は特に限定されず、単位時間当たりのウエハＷの処理枚数及び各洗浄装置２及び各超臨界処理装置３の処理時間等に応じて、適切な数の洗浄装置２及び超臨界処理装置３が適切な態様で配置される。

洗浄装置２は、例えばスピン洗浄によってウエハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の装置として構成される。この場合、ウエハＷを水平に保持した状態で鉛直軸線周りに回転させながら、洗浄用の薬液や薬液を洗い流すためのリンス液をウエハＷの処理面に対して適切なタイミングで供給することで、ウエハＷの洗浄処理を行うことができる。洗浄装置２で用いられる薬液及びリンス液は特に限定されない。例えば、アルカリ性の薬液であるＳＣ１液（すなわちアンモニアと過酸化水素水の混合液）をウエハＷに供給し、ウエハＷからパーティクルや有機性の汚染物質を除去することができる。その後、リンス液である脱イオン水（ＤＩＷ：DeIonized Water）をウエハＷに供給し、ＳＣ１液をウエハＷから洗い流すことができる。さらに、酸性の薬液である希フッ酸水溶液（ＤＨＦ：Diluted HydroFluoric acid）をウエハＷに供給して自然酸化膜を除去し、その後、ＤＩＷをウエハＷに供給して希フッ酸水溶液をウエハＷから洗い流すこともできる。

そして洗浄装置２は、ＤＩＷによるリンス処理を終えたら、ウエハＷを回転させながら、乾燥防止用の液体としてＩＰＡをウエハＷに供給し、ウエハＷの処理面に残存するＤＩＷをＩＰＡと置換する。その後、ウエハＷの回転を緩やかに停止する。このとき、ウエハＷには十分量のＩＰＡが供給され、半導体のパターンが形成されたウエハＷの表面はＩＰＡが液盛りされた状態となり、ウエハＷの表面にはＩＰＡの液膜が形成される。ウエハＷは、ＩＰＡが液盛りされた状態を維持しつつ、第２の搬送機構１６１によって洗浄装置２から搬出される。

このようにしてウエハＷの表面に付与されたＩＰＡは、ウエハＷの乾燥を防ぐ役割を果たす。特に、洗浄装置２から超臨界処理装置３へのウエハＷの搬送中におけるＩＰＡの蒸発によってウエハＷに所謂パターン倒れが生じてしまうことを防ぐため、洗浄装置２は、比較的大きな厚みを有するＩＰＡ膜がウエハＷの表面に形成されるように、十分な量のＩＰＡをウエハＷに付与する。

洗浄装置２から搬出されたウエハＷは、第２の搬送機構１６１によって、ＩＰＡが液盛りされた状態で超臨界処理装置３の処理容器内に搬入され、超臨界処理装置３においてＩＰＡの乾燥処理が行われる。

［超臨界処理装置］
次に、超臨界処理装置（基板処理装置）３で行われる超臨界流体を用いた乾燥処理の詳細について説明する。まず、超臨界処理装置３においてウエハＷが搬入される処理容器の構成例を説明する。

図２は、超臨界処理装置３の処理容器３０１の一例を示す外観斜視図であり、図３は、処理容器３０１の一例を示す断面図である。

処理容器３０１は、ウエハＷを収容するとともに、ウエハＷに対して超臨界流体等の高圧の処理流体を用いて処理を行うものである。この処理容器３０１は、ウエハＷを収容する筐体状の容器本体３１１と、容器本体３１１内にウエハＷを搬入および搬出するための搬送口３１２と、処理対象のウエハＷを横向きに保持する保持板３１６と、この保持板３１６を支持するとともに、ウエハＷを容器本体３１１内に搬入したとき搬送口３１２を密閉する第１蓋部材３１５とを備えている。また、容器本体３１１のうち、搬送口３１２とは異なる位置に、メンテナンス用開口（開口）３２１が設けられている。このメンテナンス用開口３２１は、メンテナンス時等を除き、第２蓋部材３２２によって塞がれている。

容器本体３１１は、ウエハＷを収容するとともに、ウエハＷに対して処理流体を用いた処理を行うものである。容器本体３１１は、例えば直径３００ｍｍのウエハＷを収容可能な処理空間３１９が内部に形成された容器である。上述した搬送口３１２及びメンテナンス用開口３２１（例えば搬送口３１２と同等の大きさ及び形状の開口）は、処理空間３１９の両端にそれぞれ形成され、ともに処理空間３１９に連通している。

また、容器本体３１１のうち搬送口３１２側の壁部には、排出ポート３１４が設けられている。排出ポート３１４は、処理容器３０１の下流側に設けられる、処理流体を流通させるための排出側供給ライン６５（図６参照）に接続されている。なお、図２には２つの排出ポート３１４が図示されているが、排出ポート３１４の数は特に限定されない。

搬送口３１２の上側及び下側にそれぞれ位置する第１上側ブロック３１２ａ及び第１下側ブロック３１２ｂには、それぞれ後述する第１ロックプレート３２７を嵌入するための嵌入孔３２５、３２３が形成されている。各嵌入孔３２５、３２３は、それぞれ第１上側ブロック３１２ａ及び第１下側ブロック３１２ｂを上下方向（ウエハＷの面に対して垂直な方向）に貫通している。

保持板３１６は、ウエハＷを保持した状態で容器本体３１１の処理空間３１９内に水平な状態で配置可能に構成された薄い板状の部材であり、第１蓋部材３１５に連結されている。なお、保持板３１６の第１蓋部材３１５側には排出口３１６ａが設けられている。

容器本体３１１のうち、手前側（Ｙ方向マイナス側）の領域には、第１蓋部材収容空間３２４が形成されている。第１蓋部材３１５は、保持板３１６を処理容器３０１内に搬入してウエハＷに対して超臨界処理を行う際、第１蓋部材収容空間３２４に収容される。この場合、第１蓋部材３１５は、搬送口３１２を塞いで処理空間３１９を密閉する。

第１ロックプレート３２７は、処理容器３０１の手前側に設けられている。この第１ロックプレート３２７は、保持板３１６を処理位置まで移動させたとき、第１蓋部材３１５が容器本体３１１内の圧力によって移動することを規制する規制部材としての役割を果たす。この第１ロックプレート３２７は、第１下側ブロック３１２ｂの嵌入孔３２３、及び第１上側ブロック３１２ａの嵌入孔３２５に嵌入される。このとき、第１ロックプレート３２７が閂としての役割を果たすため、第１蓋部材３１５及び保持板３１６は、その前後方向（図２及び図３中Ｙ方向）の移動が規制される。そして、第１ロックプレート３２７は、嵌入孔３２３、３２５に嵌入されて第１蓋部材３１５を押さえるロック位置と、このロック位置から下方側に退避して第１蓋部材３１５を開放する開放位置との間で、昇降機構３２６により上下方向に移動する。この例では、第１ロックプレート３２７と嵌入孔３２３、３２５と昇降機構３２６とにより、第１蓋部材３１５が容器本体３１１内の圧力により移動することを規制する規制機構が構成されている。なお嵌入孔３２３、３２５には、それぞれ第１ロックプレート３２７を挿脱するために必要なマージンが設けられているので、嵌入孔３２３、３２５とロック位置にある第１ロックプレート３２７との間には僅かな隙間Ｃ１（図３）が形成されている。なお、図示の便宜上、図３では隙間Ｃ１を誇張して描いている。

メンテナンス用開口３２１は、容器本体３１１の壁面であって、搬送口３１２に対向する位置に設けられている。このようにメンテナンス用開口３２１と搬送口３１２とが対向することにより、第１蓋部材３１５及び第２蓋部材３２２によって容器本体３１１を密閉した際、処理空間３１９の圧力が、容器本体３１１の内面に略均等に加わる。このため、容器本体３１１の特定の箇所に応力が集中することが防止される。しかしながら、メンテナンス用開口３２１は、搬送口３１２に対向する位置以外の箇所、例えばウエハＷの進行方向（Ｙ方向）に対して側方の壁面に設けられていても良い。

第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂは、それぞれメンテナンス用開口３２１の上側及び下側に位置している。この第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂには、それぞれ第２ロックプレート３３７を嵌入させるための嵌入孔３３５、３３３が形成されている。各嵌入孔３３５、３３３は、それぞれ第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂを上下方向（ウエハＷの面に対して垂直な方向、Ｚ方向）に貫通している。

容器本体３１１のうち、奥側（Ｙ方向プラス側）の領域には、第２蓋部材収容空間３３４が形成されている。第２蓋部材３２２は、メンテナンス時等を除き、第２蓋部材収容空間３３４に収容されるとともに、メンテナンス用開口３２１を塞ぐ。また、第２蓋部材３２２には、供給ポート３１３が設けられている。供給ポート３１３は、処理容器３０１の上流側に設けられ、処理流体を流通させるための第１供給ライン６３（図６参照）に接続されている。なお、図２には２つの供給ポート３１３が図示されているが、供給ポート３１３の数は特に限定されない。

第２ロックプレート３３７は、第２蓋部材３２２が容器本体３１１内の圧力によって移動することを規制する規制部材としての役割を果たす。この第２ロックプレート３３７は、メンテナンス用開口３２１の周囲の嵌入孔３３３、３３５に嵌入される。このとき、第２ロックプレート３３７が閂としての役割を果たすため、第２蓋部材３２２は、その前後方向（Ｙ方向）の移動が規制される。そして、第２ロックプレート３３７は、嵌入孔３３３、３３５に嵌入されて第２蓋部材３２２を押さえるロック位置と、このロック位置から下方側に退避して第２蓋部材３２２を開放する開放位置との間で、上下方向に移動するように構成されている。本実施形態において、第２ロックプレート３３７は、手動で移動されるようになっているが、昇降機構３２６と略同様の昇降機構を設け、自動で移動させても良い。なお嵌入孔３３３、３３５には、第２ロックプレート３３７を挿脱するために必要なマージンが設けられているので、嵌入孔３３３、３３５とロック位置にある第２ロックプレート３３７との間には僅かな隙間Ｃ２（図３）が形成されている。なお、図示の便宜上、図３では隙間Ｃ２を誇張して描いている。

本実施形態において、第２蓋部材３２２は、第１供給ライン６３に接続され、第２蓋部材３２２には多数の開孔３３２が設けられている。この第２蓋部材３２２は、第１供給ライン６３からの処理流体を容器本体３１１の内部に供給する流体供給ヘッダーとしての役割を果たす。これにより、メンテナンス時に第２蓋部材３２２を取り外した際、開孔３３２の清掃等のメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、容器本体３１１内の搬送口３１２側の壁部には、排出ポート３１４に連通する流体排出ヘッダー３１８が設けられている。この流体排出ヘッダー３１８にも多数の開孔が設けられている。

第２蓋部材３２２及び流体排出ヘッダー３１８は相互に対向するように設置されている。流体供給部として機能する第２蓋部材３２２は、実質的に水平方向へ向けて処理流体を容器本体３１１内に供給する。ここでいう水平方向とは、重力が作用する鉛直方向と垂直な方向であって、通常は、保持板３１６に保持されたウエハＷの平坦な表面が延在する方向と平行な方向である。容器本体３１１内の流体を排出する流体排出部として機能する流体排出ヘッダー３１８は、容器本体３１１内の流体を、保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通り、容器本体３１１外に導いて排出する。流体排出ヘッダー３１８を介して容器本体３１１外に排出される流体には、第２蓋部材３２２を介して容器本体３１１内に供給された処理流体の他に、ウエハＷの表面から処理流体に溶け込んだＩＰＡが含まれる。このように第２蓋部材３２２の開孔３３２から容器本体３１１内に処理流体を供給することにより、また流体排出ヘッダー３１８の開孔を介して流体を容器本体３１１内から排出することにより、容器本体３１１内には、ウエハＷの表面と略平行に流動する処理流体の層流が形成される。

また、容器本体３１１のうち搬送口３１２側の側面とメンテナンス用開口３２１側の側面とには、それぞれ真空吸引管３４８、３４９が接続されている。真空吸引管３４８、３４９は、それぞれ容器本体３１１のうち第１蓋部材収容空間３２４側の面と第２蓋部材収容空間３３４側の面とに連通している。この真空吸引管３４８、３４９は、それぞれ真空吸引力により第１蓋部材３１５及び第２蓋部材３２２を容器本体３１１側に引き付ける役割を果たす。

また、容器本体３１１の底面には、処理流体を容器本体３１１の内部に供給する底面側流体供給部３４１が形成されている。底面側流体供給部３４１は、容器本体３１１内に高圧流体を供給する第２供給ライン６４（図６参照）に接続されている。底面側流体供給部３４１は、実質的に下方から上方に向けて処理流体を容器本体３１１内に供給する。底面側流体供給部３４１から供給された処理流体は、ウエハＷの裏面から保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通ってウエハＷの表面に回り込み、第２蓋部材３２２からの処理流体とともに、保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通って流体排出ヘッダー３１８から排出される。底面側流体供給部３４１の位置は、例えば容器本体３１１内に導入されたウエハＷの下方とすることが好ましく、ウエハＷの中心部の下方とすることが更に好ましい。このことにより、底面側流体供給部３４１からの処理流体をウエハＷの表面に均一に回り込ませることができる。

図３に示すように、容器本体３１１の上下両面には、例えばテープヒーターなどの抵抗発熱体からなるヒーター３４５が設けられている。ヒーター３４５は、電源部３４６と接続されており、電源部３４６の出力を増減して、容器本体３１１及び処理空間３１９の温度を例えば１００℃～３００℃の範囲に維持することができる。

［メンテナンス用開口周辺の構成］
次に、図４及び図５を参照して、メンテナンス用開口３２１の周囲の構成について更に説明する。

図４及び図５に示すように、第２蓋部材３２２のうち処理空間３１９側の側壁には、メンテナンス用開口３２１の周縁に対応する位置を取り囲むように凹部３２８が形成されている。この凹部３２８内にシール部材３２９を嵌め込むことにより、メンテナンス用開口３２１の周囲の側壁面に当接する第２蓋部材３２２側の側壁面にシール部材３２９が配置される。

シール部材３２９は、メンテナンス用開口３２１を囲むことが可能なように環状に形成されている。また、シール部材３２９の断面形状はＵ字状となっている。図４及び図５に示したシール部材３２９においては、Ｕ字の切り欠き３２９ａは、環状のシール部材３２９の内周面に沿って形成されている。言い替えると、シール部材３２９には、Ｕ字状に囲まれた内部空間（切り欠き３２９ａ）が形成されていることになる。

このシール部材３２９が設けられた第２蓋部材３２２を用いてメンテナンス用開口３２１の周囲を塞ぐことにより、シール部材３２９は、第２蓋部材３２２と処理空間３１９との間の隙間を塞ぐように、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との対向面の間に配置される。そして、この隙間は容器本体３１１内のメンテナンス用開口３２１の周りに形成されていることから、シール部材３２９の内周面に沿って形成された切り欠き３２９ａは、当該処理空間３１９と連通した状態となっている。

切り欠き３２９ａが処理空間３１９と連通しているシール部材３２９は、処理流体の雰囲気に晒されることになるが、処理流体は樹脂やゴム等の成分やそこに含まれる不純物を溶出させてしまう場合がある。そこで、シール部材３２９は、少なくとも処理空間３１９に向けて開口している切り欠き３２９ａの内側を、液体ＩＰＡや処理流体に対する耐食性を備えた樹脂にて構成している。このような樹脂の例としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、パラキシレン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）が挙げられ、処理流体中への成分の微量の溶出があったとしても半導体装置に影響の少ない、非フッ素系の樹脂を用いることが好ましい。

以下、処理容器３０１内でウエハＷに対して高圧の処理流体を用いて処理を行う際における、シール部材３２９を備えた処理容器３０１の作用について説明する。

まず処理空間３１９に高圧の処理流体が供給されておらず、容器本体３１１内の圧力が高められていない場合、真空吸引管３４９（図２及び図３）からの吸引力により、第２蓋部材３２２が容器本体３１１側に引き付けられる。このとき、図４に示すように、第２蓋部材３２２及び容器本体３１１の側壁面同士が直接対向してシール部材３２９を押し潰し、メンテナンス用開口３２１の周囲を気密に塞ぐ。第２蓋部材３２２と容器本体３１１とにより押し潰されたシール部材３２９は、切り欠き３２９ａが狭くなる方向に変形する。切り欠き３２９ａが完全に閉じられていない場合には、この時点で、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間を介して切り欠き３２９ａ内に処理空間３１９内の雰囲気が流れ込んでいる。

一方、開孔３３２から処理空間３１９内に高圧の処理流体を供給した場合、第２蓋部材３２２は、メンテナンス用開口３２１から遠ざかる方向に移動する。すなわち、第２蓋部材３２２は、処理流体から受ける圧力により、メンテナンス用開口３２１周囲の嵌入孔３３５、３３３と、第２ロックプレート３３７との間の隙間Ｃ２（図３）分だけ移動する。第２蓋部材３２２の移動により、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間が広がると、弾性を有するシール部材３２９の復元力により切り欠き３２９ａが広がり、図５に示すように切り欠き３２９ａ（内部空間）内にも処理空間３１９の雰囲気（処理流体）がさらに進入する。

切り欠き３２９ａ内に処理流体が進入すると、切り欠き３２９ａの内側からシール部材３２９を押し広げ、シール部材３２９の外周面（切り欠き３２９ａとは反対側の面）を第２蓋部材３２２の凹部３２８側の面、及び容器本体３１１の側壁面に向けて押し付ける力が作用する。これにより、シール部材３２９の外周面が第２蓋部材３２２や容器本体３１１に密着し、これら第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間を気密に塞ぐ。この種のシール部材３２９は、処理流体から受ける力により変形可能な弾性を備えつつ、処理空間３１９と外部との圧力差（例えば１６～２０ＭＰａ程度））に抗して隙間を気密に塞いだ状態を維持することができる。

なお、本実施形態において、容器本体３１１の搬送口３１２についても、搬送口３１２と同様にして第１蓋部材３１５によって密閉されている。

すなわち、図３に示すように、第１蓋部材３１５の処理空間３１９側の側壁には、搬送口３１２の周縁に対応する位置を取り囲むように凹部３３８が形成されている。この凹部３３８内にシール部材３３９を嵌め込むことにより、搬送口３１２の周囲の側壁面に当接する第１蓋部材３１５側の側壁面にシール部材３３９が配置される。

シール部材３３９は、搬送口３１２を囲むことが可能なように環状に形成されている。また、シール部材３３９の断面形状はＵ字状となっている。このように、シール部材３３９が設けられた第１蓋部材３１５を用いて搬送口３１２を塞ぐことにより、シール部材３３９は、第１蓋部材３１５と搬送口３１２との間の隙間を塞ぐように、第１蓋部材３１５と容器本体３１１との対向面の間に配置される。このほか、第１蓋部材３１５及びシール部材３３９を用いて搬送口３１２を塞ぐための構成は、上述したメンテナンス用開口３２１を塞ぐための構成と略同様である。

［超臨界処理装置のシステム全体の構成］
図６は、超臨界処理装置３のシステム全体の構成例を示す図である。

処理容器３０１よりも上流側には流体供給タンク５１が設けられており、超臨界処理装置３において処理流体を流通させるための供給ラインには、流体供給タンク５１から処理流体が供給される。流体供給タンク５１と処理容器３０１との間には、上流側から下流側に向かって、流通オンオフバルブ５２ａ、オリフィス５５ａ、フィルタ５７及び流通オンオフバルブ５２ｂが順次設けられる。なお、ここでいう上流側及び下流側の用語は、供給ラインにおける処理流体の流れ方向を基準とする。

流通オンオフバルブ５２ａは、流体供給タンク５１からの処理流体の供給のオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の供給ラインに処理流体を流し、閉状態では下流側の供給ラインに処理流体を流さない。流通オンオフバルブ５２ａが開状態にある場合、例えば１６～２０ＭＰａ（メガパスカル）程度の高圧の処理流体が、流体供給タンク５１から流通オンオフバルブ５２ａを介して供給ラインに供給される。オリフィス５５ａは、流体供給タンク５１から供給される処理流体の圧力を調整する役割を果たし、オリフィス５５ａよりも下流側の供給ラインには、例えば１６ＭＰａ程度に圧力が調整された処理流体を流通させることができる。フィルタ５７は、オリフィス５５ａから送られてくる処理流体に含まれる異物を取り除き、クリーンな処理流体を下流側に流す。

流通オンオフバルブ５２ｂは、処理容器３０１への処理流体の供給のオン及びオフを調整するバルブである。流通オンオフバルブ５２ｂから処理容器３０１に延在する第１供給ライン６３は、上述の図２及び図３に示す供給ポート３１３に接続し、流通オンオフバルブ５２ｂからの処理流体は、図２及び図３に示す供給ポート３１３及び第２蓋部材３２２を介して処理容器３０１の容器本体３１１内に供給される。

なお図６に示す超臨界処理装置３では、フィルタ５７と流通オンオフバルブ５２ｂとの間において、供給ラインが分岐している。すなわちフィルタ５７と流通オンオフバルブ５２ｂとの間の供給ラインからは、流通オンオフバルブ５２ｃ及びオリフィス５５ｂを介して処理容器３０１に接続する供給ライン（第２供給ライン６４）、流通オンオフバルブ５２ｄ及びチェックバルブ５８ａを介してパージ装置６２に接続する供給ライン、及び流通オンオフバルブ５２ｅ及びオリフィス５５ｃを介して外部に接続する供給ラインが分岐して延在する。

流通オンオフバルブ５２ｃ及びオリフィス５５ｂを介して処理容器３０１に接続する第２供給ライン６４は、上述の図２及び図３に示す底面側流体供給部３４１に接続し、流通オンオフバルブ５２ｃからの処理流体は、図２及び図３に示す底面側流体供給部３４１を介して処理容器３０１の容器本体３１１内に供給される。第２供給ライン６４は、処理容器３０１への処理流体の供給のための補助的な流路として用いても良い。例えば処理容器３０１への処理流体の供給開始当初等のように、比較的多量の処理流体を処理容器３０１に供給する際に流通オンオフバルブ５２ｃが開状態に調整され、オリフィス５５ｂによって圧力が調整された処理流体を処理容器３０１に供給することができる。

流通オンオフバルブ５２ｄ及びチェックバルブ５８ａを介してパージ装置６２に接続する供給ラインは、窒素等の不活性ガスを処理容器３０１に供給するための流路であり、流体供給タンク５１から処理容器３０１に対する処理流体の供給が停止している間に活用される。例えば処理容器３０１を不活性ガスで満たして清浄な状態を保つ場合には、流通オンオフバルブ５２ｄ及び流通オンオフバルブ５２ｂが開状態に調整され、パージ装置６２から供給ラインに送られた不活性ガスはチェックバルブ５８ａ、流通オンオフバルブ５２ｄ及び流通オンオフバルブ５２ｂを介して処理容器３０１に供給される。

流通オンオフバルブ５２ｅ及びオリフィス５５ｃを介して外部に接続する供給ラインは、供給ラインから処理流体を排出するための流路である。例えば超臨界処理装置３の電源オフ時において、流通オンオフバルブ５２ａと流通オンオフバルブ５２ｂとの間の供給ライン内に残存する処理流体を外部に排出する際には、流通オンオフバルブ５２ｅが開状態に調整され、流通オンオフバルブ５２ａと流通オンオフバルブ５２ｂとの間の供給ラインが外部に連通される。

処理容器３０１よりも下流側には、流通オンオフバルブ５２ｆ、排気調整バルブ５９、濃度計測センサ６０及び流通オンオフバルブ５２ｇが、上流側から下流側に向かって順次設けられている。

流通オンオフバルブ５２ｆは、処理容器３０１からの処理流体の排出のオン及びオフを調整するバルブである。処理容器３０１から処理流体を排出する場合には流通オンオフバルブ５２ｆは開状態に調整され、処理容器３０１から処理流体を排出しない場合には流通オンオフバルブ５２ｆは閉状態に調整される。なお処理容器３０１と流通オンオフバルブ５２ｆとの間に延在する供給ライン（排出側供給ライン６５）は、図２及び図３に示す排出ポート３１４に接続されている。処理容器３０１の容器本体３１１内の流体は、図２及び図３に示す流体排出ヘッダー３１８及び排出ポート３１４を介して、流通オンオフバルブ５２ｆに向かって送られる。

排気調整バルブ５９は、処理容器３０１からの流体の排出量を調整するバルブであり、例えば背圧弁によって構成することが可能である。排気調整バルブ５９の開度は、処理容器３０１からの流体の所望の排出量に応じて、制御部４の制御下で適応的に調整される。本実施形態では、例えば処理容器３０１内の流体の圧力が予め定められた圧力になるまで、処理容器３０１から流体が排出される処理が行われる。そのため排気調整バルブ５９は、処理容器３０１内の流体の圧力が予め定められた圧力に達した際に、開状態から閉状態に移行するように開度を調整して処理容器３０１からの流体の排出を止めることができる。

濃度計測センサ６０は、排気調整バルブ５９から送られてくる流体に含まれるＩＰＡ濃度を計測するセンサである。

流通オンオフバルブ５２ｇは、処理容器３０１からの流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブである。流体を外部に排出する場合には流通オンオフバルブ５２ｇは開状態に調整され、流体を排出しない場合には流通オンオフバルブ５２ｇは閉状態に調整される。なお流通オンオフバルブ５２ｇの下流側には、排気調整ニードルバルブ６１ａ及びチェックバルブ５８ｂが設けられている。排気調整ニードルバルブ６１ａは、流通オンオフバルブ５２ｇを介して送られてくる流体の外部への排出量を調整するバルブであり、排気調整ニードルバルブ６１ａの開度は流体の所望の排出量に応じて調整される。チェックバルブ５８ｂは、排出される流体の逆流を防ぐ弁であり、流体を確実に外部に排出する役割を果たす。

なお図６に示す超臨界処理装置３では、濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇとの間において、供給ラインが分岐している。すなわち濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇとの間の供給ラインからは、流通オンオフバルブ５２ｈを介して外部に接続する供給ライン、流通オンオフバルブ５２ｉを介して外部に接続する供給ライン、及び流通オンオフバルブ５２ｊを介して外部に接続する供給ラインが分岐して延在する。

流通オンオフバルブ５２ｈ及び流通オンオフバルブ５２ｉは、流通オンオフバルブ５２ｇと同様に、流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブである。流通オンオフバルブ５２ｈの下流側には、排気調整ニードルバルブ６１ｂ及びチェックバルブ５８ｃが設けられ、流体の排出量の調整及び流体の逆流防止が行われる。流通オンオフバルブ５２ｉの下流側にはチェックバルブ５８ｄが設けられ、流体の逆流が防止されている。流通オンオフバルブ５２ｊも流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブであり、流通オンオフバルブ５２ｊの下流側にはオリフィス５５ｄが設けられ、流通オンオフバルブ５２ｊからオリフィス５５ｄを介して外部に流体を排出することができる。ただし、図６に示す例では、流通オンオフバルブ５２ｇ、流通オンオフバルブ５２ｈ及び流通オンオフバルブ５２ｉを介して外部に送られる流体の行き先と、流通オンオフバルブ５２ｊを介して外部に送られる流体の行き先とは異なっている。したがって流体を、例えば流通オンオフバルブ５２ｇ、流通オンオフバルブ５２ｈ及び流通オンオフバルブ５２ｉを介して図示しない回収装置に送る一方で、流通オンオフバルブ５２ｊを介して大気に放出することも可能である。

処理容器３０１から流体を排出する場合、流通オンオフバルブ５２ｇ、流通オンオフバルブ５２ｈ、流通オンオフバルブ５２ｉ及び流通オンオフバルブ５２ｊのうちの１以上のバルブが開状態に調整される。特に超臨界処理装置３の電源オフ時には、流通オンオフバルブ５２ｊを開状態に調整して、濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇとの間の供給ラインに残存する流体を外部に排出するようにしてもよい。

なお、上述の供給ラインの様々な箇所に流体の圧力を検出する圧力センサ及び流体の温度を検出する温度センサが設置される。図６に示す例では、流通オンオフバルブ５２ａとオリフィス５５ａとの間に圧力センサ５３ａ及び温度センサ５４ａが設けられ、オリフィス５５ａとフィルタ５７との間に圧力センサ５３ｂ及び温度センサ５４ｂが設けられ、フィルタ５７と流通オンオフバルブ５２ｂとの間に圧力センサ５３ｃが設けられ、流通オンオフバルブ５２ｂと処理容器３０１との間に温度センサ５４ｃが設けられ、オリフィス５５ｂと処理容器３０１との間に温度センサ５４ｄが設けられている。また処理容器３０１と流通オンオフバルブ５２ｆとの間に圧力センサ５３ｄ及び温度センサ５４ｆが設けられ、濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇとの間に圧力センサ５３ｅ及び温度センサ５４ｇが設けられている。さらに、処理容器３０１の内部である容器本体３１１内の流体の温度を検出するための温度センサ５４ｅが設けられている。

また、超臨界処理装置３において処理流体が流れる任意の箇所にヒータＨが設けられる。図６には、処理容器３０１よりも上流側の供給ライン（すなわち流通オンオフバルブ５２ａとオリフィス５５ａの間、オリフィス５５ａとフィルタ５７の間、フィルタ５７と流通オンオフバルブ５２ｂの間、及び流通オンオフバルブ５２ｂと処理容器３０１の間）においてヒータＨが図示されているが、処理容器３０１及び処理容器３０１よりも下流側の供給ラインを含む他の箇所にヒータＨが設けられていてもよい。したがって、流体供給タンク５１から供給される処理流体が外部に排出されるまでの全流路においてヒータＨが設けられてもよい。また特に、処理容器３０１に供給する処理流体の温度を調整する観点からは、処理容器３０１よりも上流側を流れる処理流体の温度を調整することができる位置にヒータＨが設けられていることが好ましい。

さらに、オリフィス５５ａとフィルタ５７の間には安全バルブ５６ａが設けられ、処理容器３０１と流通オンオフバルブ５２ｆとの間には安全バルブ５６ｂが設けられ、濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇの間には安全バルブ５６ｃが設けられている。これらの安全バルブ５６ａ～５６ｃは、供給ライン内の圧力が過大になった場合等の異常時において供給ラインを外部に連通し、供給ライン内の流体を緊急的に外部に排出する役割を果たす。

［超臨界乾燥処理］
次に、超臨界状態の処理流体を用いたＩＰＡの乾燥メカニズムについて説明する。

図７は、ＩＰＡの乾燥メカニズムを説明するための図であり、ウエハＷが有する凹部としてのパターンＰを簡略的に示した拡大断面図である。

超臨界処理装置３において超臨界状態の処理流体Ｒが処理容器３０１の容器本体３１１内に導入された当初は、図７（ａ）に示すように、パターンＰ間にはＩＰＡのみが充填されている。

パターンＰ間のＩＰＡは、超臨界状態の処理流体Ｒと接触することで、徐々に処理流体Ｒに溶解し、図７（ｂ）に示すように徐々に処理流体Ｒと置き換わる。このとき、パターンＰ間には、ＩＰＡ及び処理流体Ｒの他に、ＩＰＡと処理流体Ｒとが混合した状態の混合流体Ｍが存在する。

そして、パターンＰ間でＩＰＡから処理流体Ｒへの置換が進行するに従って、パターンＰ間からはＩＰＡが除去され、最終的には図７（ｃ）に示すように、超臨界状態の処理流体ＲのみによってパターンＰ間が満たされる。

パターンＰ間からＩＰＡが除去された後に、容器本体３１１内の圧力を大気圧まで下げることによって、図７（ｄ）に示すように、処理流体Ｒは超臨界状態から気体状態に変化し、パターンＰ間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンＰ間のＩＰＡは除去され、ウエハＷの乾燥処理は完了する。

上述の図７（ａ）～（ｄ）に示すメカニズムを背景に、本実施形態の超臨界処理装置３は、以下のようにしてＩＰＡの乾燥処理を行う。

すなわち超臨界処理装置３によって行われる基板処理方法は、パターンＰに乾燥防止用のＩＰＡが液盛りされたウエハＷを処理容器３０１の容器本体３１１内に搬入する工程と、流体供給部（すなわち流体供給タンク５１、流通オンオフバルブ５２ａ、流通オンオフバルブ５２ｂ及び第２蓋部材３２２）を介して容器本体３１１内に超臨界状態の処理流体を供給する工程と、容器本体３１１内において、ウエハＷからＩＰＡを除去する乾燥処理を、超臨界状態の処理流体を使って行う工程とを備える。

すなわち、まず超臨界処理装置３には、洗浄装置２において洗浄処理が実施されたウエハＷが搬送される。この洗浄装置２では、例えばアルカリ性薬液であるＳＣ１液によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去、リンス液である脱イオン水（ＤＩＷ）によるリンス洗浄、酸性薬液である希フッ酸水溶液（ＤＨＦ）による自然酸化膜の除去、ＤＩＷによるリンス洗浄がこの順に行われ、最後にウエハ表面にＩＰＡが液盛りされる。そしてウエハＷは、この状態のまま洗浄装置２より搬出され、超臨界処理装置３の処理容器３０１へ搬送される。

この処理容器３０１への搬送は、例えば第２の搬送機構１６１を用いて行われる（図１参照）。処理容器３０１へウエハを搬送するときには、第２の搬送機構１６１が受け渡し位置において待機している保持板３１６にウエハＷを受け渡した後、保持板３１６の上方位置から退避する。

次いで、保持板３１６を水平方向にスライドさせて、保持板３１６を容器本体３１１内の処理位置まで移動させる。このとき、第１蓋部材３１５は、第１蓋部材収容空間３２４内に収容され、搬送口３１２を覆う。続いて、真空吸引管３４８（図２及び図３）からの吸引力により、第１蓋部材３１５が容器本体３１１に引き付けられ、第１蓋部材３１５によって搬送口３１２が塞がれる。次に、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７をロック位置まで上昇させて、第１ロックプレート３２７と第１蓋部材３１５の前面とを当接させ、第１蓋部材３１５の移動を規制する。

続いて、ウエハＷ表面に液盛りされたＩＰＡが乾燥してしまう前に、流通オンオフバルブ５２ｂ、５２ｃを開放して第１供給ライン６３、第２供給ライン６４を介して処理空間３１９に高圧の処理流体を供給する。これにより、処理空間３１９内の圧力を例えば１４～１６ＭＰａ程度まで昇圧する。処理空間３１９の加圧に伴い、第１蓋部材３１５の凹部３３８に設けられた断面Ｕ字状のシール部材３３９が押し広げられ、第１蓋部材３１５と容器本体３１１との間の隙間を気密に塞ぐ。

一方、処理空間３１９内では、当該処理空間３１９内に供給された処理流体がウエハＷに液盛りされたＩＰＡと接触すると、液盛りされたＩＰＡは徐々に処理流体に溶解し、徐々に処理流体と置き換わる。そして、ウエハＷのパターン間でＩＰＡから処理流体への置換が進行するに従って、パターン間からはＩＰＡが除去され、最終的には超臨界状態の処理流体のみによってパターンＰ間が満たされる。この結果、ウエハＷの表面は液体のＩＰＡから処理流体に置換されていくことになるが、平衡状態において液体ＩＰＡと処理流体との間には界面が形成されないので、パターン倒れを引き起こすことなくウエハＷ表面の流体を処理流体に置換することができる。

その後、処理空間３１９内に処理流体を供給してから予め設定した時間が経過し、ウエハＷの表面が処理流体にて置換された状態となったら、流通オンオフバルブ５２ｆを開放して処理空間３１９内の雰囲気を流体排出ヘッダー３１８から容器本体３１１外方に向けて排出する。これにより、容器本体３１１内の圧力は次第に低下していき、処理空間３１９内の処理流体は超臨界の状態から気体の状態に変化する。このとき超臨界状態と気体との間には界面が形成されないので、ウエハＷの表面に形成されたパターンに表面張力を作用させることなく、ウエハＷを乾燥することができる。

以上のプロセスにより、ウエハＷの超臨界処理を終えた後、処理空間３１９に残存している気体の処理流体を排出するため、不図示のパージガス供給ラインからＮ_２ガスを供給して流体排出ヘッダー３１８へ向けてパージを行う。そして予め定めた時間だけＮ_２ガスの供給を行いパージが完了し、容器本体３１１内が大気圧に復帰したら、第１ロックプレート３２７を開放位置まで降下させる。そして保持板３１６を受け渡し位置まで水平方向に移動させ、超臨界処理を終えたウエハＷを第２の搬送機構１６１を用いて搬出する。

ところで、上述した超臨界処理を行っている間、第２ロックプレート３３７は、常時ロック位置まで上昇されている。これにより第２ロックプレート３３７と第２蓋部材３２２の後面とが当接し、第２蓋部材３２２の移動が規制される。そして処理空間３１９に高圧の処理流体が供給されておらず、容器本体３１１内の圧力が高められていない場合、第２蓋部材３２２及び容器本体３１１の側壁面同士が直接対向してシール部材３２９を押し潰し、メンテナンス用開口３２１の周囲を気密に塞ぐ。

一方、処理空間３１９に高圧の処理流体を供給した場合、第２蓋部材３２２は、メンテナンス用開口３２１周囲の嵌入孔３３５、３３３と、第２ロックプレート３３７との間の隙間Ｃ２分だけ処理空間３１９から遠ざかる方向（Ｙ方向プラス側）に移動する。第２蓋部材３２２が移動することにより、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間が広がる。この場合、弾性を有するシール部材３２９の復元力により切り欠き３２９ａが広がるので、シール部材３２９の外周面が第２蓋部材３２２や容器本体３１１に密着し、これら第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間は気密に塞がれる。このように、上述した超臨界処理を行っている間、第２蓋部材３２２は、メンテナンス用開口３２１を塞いだままの状態を維持するようになっている。

［メンテナンス時の作用］
次に、上述した超臨界処理が終了し、処理容器３０１のメンテナンスを行う際の作用について説明する。

まず、処理空間３１９の内部を大気圧に開放する。次に、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７を嵌入孔３２３、３２５から下方側に移動し、第１蓋部材３１５を開放する開放位置とする。次いで、第１蓋部材３１５及び保持板３１６を手前側（Ｙ方向マイナス側）に移動する。これにより、保持板３１６は処理空間３１９から取り出され、第１蓋部材３１５は搬送口３１２から離間する（図８（ａ））。

次に、第２ロックプレート３３７を嵌入孔３３３、３３５から下方側に移動して、第２蓋部材３２２を開放する開放位置とする。次に、第２蓋部材３２２を奥側（Ｙ方向プラス側）に移動し、第２蓋部材３２２をメンテナンス用開口３２１から離間する（図８（ｂ））。

続いて、メンテナンス用開口３２１から清掃治具や工具等を挿入し、処理空間３１９の内部のメンテナンス作業（清掃、調整等）を行う。本実施形態においては、第２ロックプレート３３７を下方側に移動し、第２蓋部材３２２を取り外すだけで処理空間３１９の内部にアクセスすることが可能になるので、このようなメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、供給ポート３１３が第２蓋部材３２２に接続されているので、上記処理空間３１９内のメンテナンス作業と併せて、供給ポート３１３や開孔３３２のメンテナンス作業（清掃、調整等）も容易に行うことができる。

このようにしてメンテナンス作業が終了した後、上記の逆のステップで容器本体３１１に対して第２蓋部材３２２及び第１蓋部材３１５をそれぞれ組み付ける。すなわち、まず第２蓋部材３２２を手前側（Ｙ方向マイナス側）に移動し、第２蓋部材３２２によってメンテナンス用開口３２１を覆う。次に、真空吸引管３４９からの吸引力により、第２蓋部材３２２を容器本体３１１側に吸引する。次いで、第２ロックプレート３３７を上昇させ、第２ロックプレート３３７を嵌入孔３３３、３３５内に嵌入することにより、第２蓋部材３２２を押さえるロック位置とする。これにより、メンテナンス用開口３２１の周囲が気密に塞がれる。

次に、第１蓋部材３１５及び保持板３１６を奥側（Ｙ方向プラス側）に移動することにより、保持板３１６を処理空間３１９内に進入させるとともに、第１蓋部材３１５によって搬送口３１２を覆う。次に、真空吸引管３４８からの吸引力により、第１蓋部材３１５を容器本体３１１側に吸引する。続いて、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７を上昇させ、第１ロックプレート３２７を嵌入孔３２３、３２５に嵌入し、ロック位置とする。このようにして、搬送口３１２の周囲は気密に塞がれ、再び処理空間３１９が密閉される。その後、必要に応じて上述した超臨界処理を行う。

以上に説明したように、本実施形態によれば、容器本体３１１のうち、搬送口３１２とは異なる位置にメンテナンス用開口３２１が設けられ、メンテナンス用開口３２１は、第２蓋部材３２２によって塞がれる。これにより、第２蓋部材３２２を取り外すだけで、容器本体３１１の処理空間３１９に容易にアクセスすることができる。この場合、容器本体３１１のメンテナンス作業を容易に行うことができるので、メンテナンス作業の作業効率を高めることができる。

また、本実施形態によれば、第２蓋部材３２２が容器本体３１１内の圧力により移動することを規制する第２ロックプレート３３７が設けられている。これにより、第２ロックプレート３３７によって第２蓋部材３２２が移動することを防止し、容器本体３１１内の圧力によって第２蓋部材３２２がメンテナンス用開口３２１から外れてしまう不具合を防止することができる。

また、本実施形態によれば、容器本体３１１に嵌入孔３２３、３２５が設けられ、第２ロックプレート３３７は、嵌入孔３２３、３２５に嵌入されることにより第２蓋部材３２２を規制する。これにより、第２ロックプレート３３７を嵌入孔３２３、３２５から抜き取ることにより第２蓋部材３２２をメンテナンス用開口３２１から取り外すことができる。この場合、例えばボルトを取り外す作業等を行う必要がないので、メンテナンス作業を容易に行うことができる。

さらに、本実施形態によれば、第２蓋部材３２２に、供給ポート３１３を介して、容器本体３１１内に処理流体を供給する第１供給ライン６３を接続している。これにより、第２蓋部材３２２をメンテナンス用開口３２１から取り外した際に、供給ポート３１３等、処理流体を供給するための部材についてのメンテナンス作業も併せて行うことができる。

さらに、本実施形態によれば、メンテナンス用開口３２１は、搬送口３１２に対向する位置に設けられている。これにより、容器本体３１１の圧力が高められた際にメンテナンス用開口３２１等の特定の箇所に応力が集中することを防止し、容器本体３１１の耐久性を高めることができる。

さらに、本実施形態によれば、容器本体３１１の底面に、底面側流体供給部３４１を介して、容器本体３１１内に処理流体を供給する第２供給ライン６４を接続している。これにより、補助的にウエハＷの裏面側からも処理流体を容器本体３１１内に供給することができるので、処理容器３０１への処理流体の供給プロセスを多様化することができる。例えば、底面側流体供給部３４１を、処理容器３０１への処理流体の供給開始当初等、処理流体を低流速でウエハＷに供給する際に用いても良く、この場合、ウエハＷのパターン部の倒壊をより確実に防止することができる。

［処理容器の変形例］
次に、図９により超臨界処理装置３の処理容器３０１の変形例について説明する。図９は、処理容器３０１の変形例を示す側面図である。図９において、図１乃至図８に示す実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。

図９において、処理容器３０１は、チャンバーベース４０２上に載置され、チャンバーベース４０２は、メインベース４０１の上方において、メインベース４０１に対して離間して配置されている。このメインベース４０１は、処理容器３０１を設置する基準となる部材であり、例えば洗浄処理システム１内で水平に固定されている。メインベース４０１とチャンバーベース４０２との間には、複数の水準調整機構４０３、４０４が設けられている。これら水準調整機構４０３、４０４は、メインベース４０１に対する処理容器３０１及びチャンバーベース４０２の位置水準（角度や高さ位置）を微調整するものであり、処理容器３０１の下方に位置する第１水準調整機構４０３と、処理容器３０１から平面方向に離れて位置する第２水準調整機構４０４とから構成されている。このうち第１水準調整機構４０３は、主として重量物である処理容器３０１を支持するとともにその高さ方向位置を調整するものであり、第２水準調整機構４０４よりも高い耐荷重性を有している。なお、第１水準調整機構４０３は、図９では１つのみ図示しているが、複数の第１水準調整機構４０３が設けられていても良い。また、第２水準調整機構４０４は、チャンバーベース４０２全体の水準を調整するものである。図９では、４つの第２水準調整機構４０４が図示されているが、第２水準調整機構４０４の数はこれに限られるものではない。

また、図９において、処理容器３０１の容器本体３１１は、全体として１つのブロック状に形成されている。容器本体３１１のうち、処理空間３１９の上方及び下方には、それぞれ２つずつヒーター用開口４１１が形成されている。各ヒーター用開口４１１は、搬送口３１２の長手方向（図９の紙面に垂直な方向）に沿って細長く延在している。各ヒーター用開口４１１には、それぞれ細長いヒーター用ブロック４１２が遊挿されている。すなわちヒーター用ブロック４１２の長手方向に垂直な断面形状は、ヒーター用開口４１１よりもわずかに小さく形成されており、これにより、ヒーター用ブロック４１２は、ヒーター用開口４１１に対して挿脱自在となっている。各ヒーター用ブロック４１２には、例えば抵抗発熱体からなる細長いヒーター３４５が設けられている。このヒーター３４５からの熱は、ヒーター用ブロック４１２を介して容器本体３１１に対して伝達される。なお、各ヒーター用ブロック４１２は、アルミニウム等の熱伝導性の良好な金属からなっていることが好ましい。

容器本体３１１の天面には、複数のタップ穴４１４が貫通形成され、各タップ穴４１４には、ボルト又はねじ等の押し付け部材４１３が螺着されている。そして各押し付け部材４１３をタップ穴４１４に対してねじ込んでいくことにより、押し付け部材４１３の先端がヒーター用ブロック４１２を下方に押圧する。これにより、ヒーター用ブロック４１２が、容器本体３１１に対して動かないように固定される。この場合、ヒーター用ブロック４１２の位置がヒーター用ブロック４１２の長手方向（図９の紙面に垂直な方向）に若干ずれていても、容器本体３１１にヒーター用ブロック４１２を確実に固定することができる。また、ヒーター用ブロック４１２が下方に押圧されることにより、ヒーター用ブロック４１２の下面が容器本体３１１に対して確実に密着するので、ヒーター３４５からの熱を容器本体３１１に対して効率的に伝達することができる。なお、図示していないが、容器本体３１１の底面における構成も略同様である。すなわち、容器本体３１１の底面に複数のタップ穴が貫通形成され、各タップ穴に螺着された押し付け部材によって、ヒーター用ブロック４１２が上方に押圧されている。

次に、図１０により超臨界処理装置３の処理容器３０１の他の変形例について説明する。図１０は、処理容器３０１の他の変形例を示す断面図である。図１０において、図１乃至図８に示す実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。

図１０において、容器本体３１１内の搬送口３１２側には、流体排出ヘッダー３１８（図２及び図３）に代えて、流体排出管５０１が設けられている。この場合、流体排出管５０１は、略円筒状の部材からなっている。また、搬送口３１２側近傍における処理空間３１９の底面に、搬送口３１２の長手方向（Ｘ方向）に沿って細長い収容溝５０２が形成されている。流体排出管５０１は、この収容溝５０２に対して着脱可能に収容されている。流体排出管５０１には、多数の開孔５０３が長手方向に沿って略等間隔に設けられている。この流体排出管５０１は、容器本体３１１内の流体を排出する流体排出部として機能するものであり、処理空間３１９内の流体は、開孔５０３を介して容器本体３１１の外方に排出される。

流体排出管５０１の両端部には、それぞれ円形の固定リング５０４が取り付けられている。なお、図１０においては、１つの固定リング５０４のみを示している。固定リング５０４のうち容器本体３１１側を向く面には、取付孔５０５が形成され、取付孔５０５は、外側開口部５０６と連通している。流体排出管５０１の一端部は、取付孔５０５に挿入されており、取付孔５０５内に配置されたパッキン５０７によって、流体排出管５０１と外側開口部５０６とが気密に密着されている。さらに外側開口部５０６の周囲において、排出ポート３１４が固定リング５０４に例えば溶接により固定されている。このようにして、処理空間３１９からの流体は、流体排出管５０１、取付孔５０５、外側開口部５０６及び排出ポート３１４を順次介して、外方に排出されるようになっている。

各固定リング５０４は、容器本体３１１の側面に形成された陥凹部５０８にそれぞれ収容され、ボルト等の取付部材５１１によって容器本体３１１に固定されている。また固定リング５０４のうち容器本体３１１側の面にパッキン５０９が嵌め込まれており、このパッキン５０９により固定リング５０４と容器本体３１１とが気密に密着されている。

図１０において、固定リング５０４を容器本体３１１から取り外すことにより、流体排出管５０１を容器本体３１１から取り外すことができる。これにより、流体排出管５０１の清掃作業や交換作業を簡単に実施することができる。また、流体排出管５０１の開孔５０３を容易に形成することができる。

本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も含みうるものであり、本発明によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本発明の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。

例えば、乾燥処理に用いられる処理流体はＣＯ_２以外の流体であってもよく、基板の凹部に液盛りされた乾燥防止用の液体を超臨界状態で除去可能な任意の流体を処理流体として用いることができる。また乾燥防止用の液体もＩＰＡには限定されず、乾燥防止用液体として使用可能な任意の液体を使用することができる。

また、上記において、メンテナンス用開口３２１は、搬送口３１２の開口と同等の大きさの開口としたが、メンテナンス用開口３２１の大きさ、形状については、これに限定されるものではない。メンテナンス用開口３２１は、例えば、容器本体３１１に収容されたウエハＷが取り出すことができる大きさ又は形状、また、割れたウエハＷの破片を取り出すことができる大きさ又は形状に設けられてよく、また、清掃治具や工具等を挿入し、処理空間３１９の内部のメンテナンス作業（清掃、調整等）を行うことができる大きさ又は形状とすることができる。

また上述の実施形態及び変形例では、基板処理装置及び基板処理方法に本発明が適用されているが、本発明の適用対象は特に限定されない。例えば、上述の基板処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムや、そのようなプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な非一時的な記録媒体に対しても本発明は適用可能である。

３ 超臨界処理装置
３０１ 処理容器
３１１ 容器本体
３１２ 搬送口
３１３ 供給ポート
３１４ 排出ポート
３１５ 第１蓋部材
３１６ 保持板
３１８ 流体排出ヘッダー
３１９ 処理空間
３２１ メンテナンス用開口（開口）
３２２ 第２蓋部材
３２７ 第１ロックプレート
３３７ 第２ロックプレート
Ｗ ウエハ

Claims (3)

1. 基板処理装置において、
   基板を収容するとともに、前記基板に対して高圧の処理流体を用いて処理を行う処理空間を有する構造体である容器本体と、
   前記容器本体内に前記基板を搬入および搬出するための搬送口と、
   前記容器本体のうち、前記搬送口とは異なる位置に設けられた開口と、
   前記開口を塞ぐ蓋部材と、を備え、
   前記容器本体には、少なくとも２つのヒーターが設けられ、前記少なくとも２つのヒーターは、前記処理空間を挟む位置に設けられ、
   前記容器本体には、ヒーター用開口が形成され、前記ヒーターは、前記ヒーター用開口に対して挿脱自在となっており、
   前記ヒーターは、ヒーター用ブロックに設けられ、前記ヒーター用ブロックは、前記ヒーター用開口に遊挿されている、基板処理装置。
2. 前記基板の搬入および搬出方向に沿って複数のヒーターが設けられている、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ヒーター用ブロックは、押し付け部材によって押圧されている、請求項１又は２に記載の基板処理装置。

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