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JP7371172B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP7371172B2 JP2022109274A JP2022109274A JP7371172B2 JP 7371172 B2 JP7371172 B2 JP 7371172B2 JP 2022109274 A JP2022109274 A JP 2022109274A JP 2022109274 A JP2022109274 A JP 2022109274A JP 7371172 B2 JP7371172 B2 JP 7371172B2
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.

基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという)などの表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液などの洗浄液によりウエハ表面の微小なごみや自然酸化膜を除去するなど、液体を利用してウエハ表面を処理する液処理工程が行われている。 In the manufacturing process of semiconductor devices, in which a laminated structure of integrated circuits is formed on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), which is a substrate, cleaning solutions such as chemicals are used to remove minute dust and natural oxide films from the wafer surface. 2. Description of the Related Art A liquid processing process is performed in which a wafer surface is processed using a liquid.

こうした液処理工程にてウエハの表面に残留した液体を除去する際に、超臨界状態の処理流体を用いる方法が知られている。 A method is known in which a supercritical processing fluid is used to remove liquid remaining on the surface of a wafer in such a liquid processing step.

例えば特許文献1は、超臨界状態の流体を基板と接触させて、基板に残留した液体を除去する基板処理装置を開示する。また特許文献2は、超臨界流体を利用して基板の上から有機溶剤を溶解して基板を乾燥させる基板処理装置を開示する。 For example, Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus that removes liquid remaining on the substrate by bringing a fluid in a supercritical state into contact with the substrate. Further, Patent Document 2 discloses a substrate processing apparatus that uses a supercritical fluid to dissolve an organic solvent from above the substrate and dry the substrate.

特開2013-12538号公報Japanese Patent Application Publication No. 2013-12538 特開2013-16798号公報Japanese Patent Application Publication No. 2013-16798

ところで、従来、超臨界状態の流体を用いた基板処理装置においては、処理容器の内部が高圧になるので、処理容器の耐圧性を高めるために基板の搬送口の面積を小さくすることが行われている。このため、処理容器内のメンテナンス作業が容易でないという問題がある。 By the way, conventionally, in substrate processing apparatuses that use supercritical fluid, the inside of the processing container is under high pressure, so the area of the substrate transfer port has been reduced in order to increase the pressure resistance of the processing container. ing. Therefore, there is a problem that maintenance work inside the processing container is not easy.

本発明はこのような背景の下なされたものであり、処理容器内のメンテナンス作業を容易に行うことが可能な、基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention was made against this background, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which maintenance work inside a processing container can be easily performed.

本発明の一態様は、基板処理装置において、基板を収容するとともに、前記基板に対して高圧の処理流体を用いて処理を行う容器本体と、前記容器本体内に前記基板を搬入および搬出するための搬送口と、前記容器本体のうち、前記搬送口とは異なる位置に設けられた開口と、前記開口を塞ぐ蓋部材と、を備えた、基板処理装置に関する。 One aspect of the present invention provides a substrate processing apparatus that includes a container body that accommodates a substrate and processes the substrate using a high-pressure processing fluid, and a container body that carries the substrate into and out of the container body. The present invention relates to a substrate processing apparatus including a transport port, an opening provided in a position different from the transport port in the container body, and a lid member for closing the opening.

本発明によれば、処理容器内のメンテナンス作業を容易に行うことができる。 According to the present invention, maintenance work inside the processing container can be easily performed.

図1は、洗浄処理システムの全体構成を示す横断平面図である。FIG. 1 is a cross-sectional plan view showing the overall configuration of a cleaning treatment system. 図2は、超臨界処理装置の処理容器の一例を示す外観斜視図である。FIG. 2 is an external perspective view showing an example of a processing container of a supercritical processing apparatus. 図3は、超臨界処理装置の処理容器の一例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing an example of a processing container of a supercritical processing apparatus. 図4は、処理容器のメンテナンス用開口の周囲を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing the periphery of the maintenance opening of the processing container. 図5は、処理容器のメンテナンス用開口の周囲を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing the periphery of the maintenance opening of the processing container. 図6は、超臨界処理装置のシステム全体の構成例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an example of the overall system configuration of a supercritical processing apparatus. 図7は、IPAの乾燥メカニズムを説明するための図であり、ウエハが有する凹部としてのパターンを簡略的に示した拡大断面図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the drying mechanism of IPA, and is an enlarged cross-sectional view that simply shows a pattern as a recessed portion of a wafer. 図8(a)(b)は、超臨界処理装置の処理容器をメンテナンスする際の作用を示す断面図である。FIGS. 8(a) and 8(b) are cross-sectional views showing the operation when maintaining the processing container of the supercritical processing apparatus. 図9は、超臨界処理装置の処理容器の変形例を示す側面図である。FIG. 9 is a side view showing a modification of the processing container of the supercritical processing apparatus. 図10は、超臨界処理装置の処理容器の変形例を示す図であって、容器本体内の流体を排出する流体排出部周辺を示す断面図である。FIG. 10 is a diagram showing a modified example of a processing container of a supercritical processing apparatus, and is a sectional view showing the vicinity of a fluid discharge part that discharges fluid inside the container main body.

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the configurations shown in the drawings attached to this specification may include portions whose size, scale, etc. are changed from those of the actual structures for the sake of ease of illustration and understanding.

[洗浄処理システムの構成]
図1は、洗浄処理システム1の全体構成を示す横断平面図である。
[Cleaning system configuration]
FIG. 1 is a cross-sectional plan view showing the overall configuration of a cleaning treatment system 1. As shown in FIG.

洗浄処理システム1は、ウエハWに洗浄液を供給して洗浄処理を行う複数の洗浄装置2(図1に示す例では2台の洗浄装置2)と、洗浄処理後のウエハWに残留している乾燥防止用の液体(本実施形態ではIPA:イソプロピルアルコール)を、超臨界状態の処理流体(本実施形態ではCO:二酸化炭素)と接触させて除去する複数の超臨界処理装置3(図1に示す例では2台の超臨界処理装置3)と、を備える。 The cleaning processing system 1 includes a plurality of cleaning apparatuses 2 (two cleaning apparatuses 2 in the example shown in FIG. 1) that supply cleaning liquid to the wafer W to perform the cleaning process, and cleaning liquid remaining on the wafer W after the cleaning process. A plurality of supercritical processing apparatuses 3 (Fig . 1 In the example shown in , two supercritical processing apparatuses 3) are provided.

この洗浄処理システム1では、載置部11にFOUP100が載置され、このFOUP100に格納されたウエハWが、搬入出部12及び受け渡し部13を介して洗浄処理部14及び超臨界処理部15に受け渡される。洗浄処理部14及び超臨界処理部15において、ウエハWは、まず洗浄処理部14に設けられた洗浄装置2に搬入されて洗浄処理を受け、その後、超臨界処理部15に設けられた超臨界処理装置3に搬入されてウエハW上からIPAを除去する乾燥処理を受ける。図1中、符合「121」はFOUP100と受け渡し部13との間でウエハWを搬送する第1の搬送機構を示し、符合「131」は搬入出部12と洗浄処理部14及び超臨界処理部15との間で搬送されるウエハWが一時的に載置されるバッファとしての役割を果たす受け渡し棚を示す。 In this cleaning processing system 1, a FOUP 100 is placed on a mounting section 11, and wafers W stored in this FOUP 100 are transferred to a cleaning processing section 14 and a supercritical processing section 15 via a loading/unloading section 12 and a delivery section 13. It is handed over. In the cleaning processing section 14 and the supercritical processing section 15 , the wafer W is first carried into the cleaning device 2 provided in the cleaning processing section 14 and subjected to cleaning processing, and then is washed in the supercritical processing section 15 provided in the supercritical processing section 15 . The wafer W is carried into the processing apparatus 3 and undergoes a drying process to remove IPA from the wafer W. In FIG. 1, the symbol "121" indicates the first transport mechanism that transports the wafer W between the FOUP 100 and the transfer section 13, and the symbol "131" indicates the loading/unloading section 12, the cleaning processing section 14, and the supercritical processing section. 15 shows a transfer shelf that serves as a buffer on which wafers W to be transferred to and from 15 are temporarily placed.

受け渡し部13の開口部にはウエハ搬送路162が接続されており、ウエハ搬送路162に沿って洗浄処理部14及び超臨界処理部15が設けられている。洗浄処理部14には、当該ウエハ搬送路162を挟んで洗浄装置2が1台ずつ配置されており、合計2台の洗浄装置2が設置されている。一方、超臨界処理部15には、ウエハWからIPAを除去する乾燥処理を行う基板処理装置として機能する超臨界処理装置3が、ウエハ搬送路162を挟んで1台ずつ配置されており、合計2台の超臨界処理装置3が設置されている。ウエハ搬送路162には第2の搬送機構161が配置されており、第2の搬送機構161は、ウエハ搬送路162内を移動可能に設けられている。受け渡し棚131に載置されたウエハWは第2の搬送機構161によって受け取られ、第2の搬送機構161は、ウエハWを洗浄装置2及び超臨界処理装置3に搬入する。なお、洗浄装置2及び超臨界処理装置3の数及び配置態様は特に限定されず、単位時間当たりのウエハWの処理枚数及び各洗浄装置2及び各超臨界処理装置3の処理時間等に応じて、適切な数の洗浄装置2及び超臨界処理装置3が適切な態様で配置される。 A wafer transport path 162 is connected to the opening of the transfer section 13, and a cleaning processing section 14 and a supercritical processing section 15 are provided along the wafer transport path 162. In the cleaning processing section 14, one cleaning device 2 is arranged across the wafer transport path 162, for a total of two cleaning devices 2. On the other hand, in the supercritical processing section 15, one supercritical processing apparatus 3, which functions as a substrate processing apparatus that performs a drying process to remove IPA from the wafer W, is arranged across the wafer transport path 162, and a total of Two supercritical processing apparatuses 3 are installed. A second transport mechanism 161 is arranged in the wafer transport path 162, and the second transport mechanism 161 is provided to be movable within the wafer transport path 162. The wafer W placed on the transfer shelf 131 is received by the second transport mechanism 161, and the second transport mechanism 161 transports the wafer W into the cleaning apparatus 2 and the supercritical processing apparatus 3. Note that the number and arrangement of the cleaning devices 2 and supercritical processing devices 3 are not particularly limited, and may vary depending on the number of wafers W processed per unit time, the processing time of each cleaning device 2 and each supercritical processing device 3, etc. , an appropriate number of cleaning devices 2 and supercritical processing devices 3 are arranged in an appropriate manner.

洗浄装置2は、例えばスピン洗浄によってウエハWを1枚ずつ洗浄する枚葉式の装置として構成される。この場合、ウエハWを水平に保持した状態で鉛直軸線周りに回転させながら、洗浄用の薬液や薬液を洗い流すためのリンス液をウエハWの処理面に対して適切なタイミングで供給することで、ウエハWの洗浄処理を行うことができる。洗浄装置2で用いられる薬液及びリンス液は特に限定されない。例えば、アルカリ性の薬液であるSC1液(すなわちアンモニアと過酸化水素水の混合液)をウエハWに供給し、ウエハWからパーティクルや有機性の汚染物質を除去することができる。その後、リンス液である脱イオン水(DIW:DeIonized Water)をウエハWに供給し、SC1液をウエハWから洗い流すことができる。さらに、酸性の薬液である希フッ酸水溶液(DHF:Diluted HydroFluoric acid)をウエハWに供給して自然酸化膜を除去し、その後、DIWをウエハWに供給して希フッ酸水溶液をウエハWから洗い流すこともできる。 The cleaning apparatus 2 is configured as a single-wafer type apparatus that cleans the wafers W one by one by, for example, spin cleaning. In this case, while the wafer W is held horizontally and rotated around the vertical axis, a cleaning chemical solution or a rinsing solution for washing away the chemical solution is supplied to the processing surface of the wafer W at an appropriate timing. A cleaning process for the wafer W can be performed. The chemical liquid and rinse liquid used in the cleaning device 2 are not particularly limited. For example, particles and organic contaminants can be removed from the wafer W by supplying an alkaline chemical liquid SC1 (ie, a mixture of ammonia and hydrogen peroxide) to the wafer W. Thereafter, deionized water (DIW), which is a rinsing liquid, is supplied to the wafer W, and the SC1 liquid can be washed away from the wafer W. Furthermore, a diluted hydrofluoric acid aqueous solution (DHF), which is an acidic chemical solution, is supplied to the wafer W to remove the natural oxide film, and then DIW is supplied to the wafer W to remove the diluted hydrofluoric acid aqueous solution from the wafer W. It can also be washed off.

そして洗浄装置2は、DIWによるリンス処理を終えたら、ウエハWを回転させながら、乾燥防止用の液体としてIPAをウエハWに供給し、ウエハWの処理面に残存するDIWをIPAと置換する。その後、ウエハWの回転を緩やかに停止する。このとき、ウエハWには十分量のIPAが供給され、半導体のパターンが形成されたウエハWの表面はIPAが液盛りされた状態となり、ウエハWの表面にはIPAの液膜が形成される。ウエハWは、IPAが液盛りされた状態を維持しつつ、第2の搬送機構161によって洗浄装置2から搬出される。 After completing the DIW rinsing process, the cleaning device 2 supplies IPA as a drying prevention liquid to the wafer W while rotating the wafer W, and replaces the DIW remaining on the processed surface of the wafer W with IPA. Thereafter, the rotation of the wafer W is gradually stopped. At this time, a sufficient amount of IPA is supplied to the wafer W, and the surface of the wafer W on which the semiconductor pattern is formed is filled with IPA, and a liquid film of IPA is formed on the surface of the wafer W. . The wafer W is carried out from the cleaning apparatus 2 by the second transport mechanism 161 while maintaining the state in which IPA is filled.

このようにしてウエハWの表面に付与されたIPAは、ウエハWの乾燥を防ぐ役割を果たす。特に、洗浄装置2から超臨界処理装置3へのウエハWの搬送中におけるIPAの蒸発によってウエハWに所謂パターン倒れが生じてしまうことを防ぐため、洗浄装置2は、比較的大きな厚みを有するIPA膜がウエハWの表面に形成されるように、十分な量のIPAをウエハWに付与する。 The IPA applied to the surface of the wafer W in this manner serves to prevent the wafer W from drying out. In particular, in order to prevent so-called pattern collapse on the wafer W due to evaporation of IPA during transfer of the wafer W from the cleaning apparatus 2 to the supercritical processing apparatus 3, the cleaning apparatus 2 uses IPA having a relatively large thickness. A sufficient amount of IPA is applied to the wafer W so that a film is formed on the surface of the wafer W.

洗浄装置2から搬出されたウエハWは、第2の搬送機構161によって、IPAが液盛りされた状態で超臨界処理装置3の処理容器内に搬入され、超臨界処理装置3においてIPAの乾燥処理が行われる。 The wafer W carried out from the cleaning apparatus 2 is carried by the second transport mechanism 161 into the processing container of the supercritical processing apparatus 3 with IPA filled therein, and the IPA is dried in the supercritical processing apparatus 3. will be held.

[超臨界処理装置]
次に、超臨界処理装置(基板処理装置)3で行われる超臨界流体を用いた乾燥処理の詳細について説明する。まず、超臨界処理装置3においてウエハWが搬入される処理容器の構成例を説明する。
[Supercritical processing equipment]
Next, details of the drying process using a supercritical fluid performed in the supercritical processing apparatus (substrate processing apparatus) 3 will be explained. First, a configuration example of a processing container into which a wafer W is carried in the supercritical processing apparatus 3 will be described.

図2は、超臨界処理装置3の処理容器301の一例を示す外観斜視図であり、図3は、処理容器301の一例を示す断面図である。 FIG. 2 is an external perspective view showing an example of the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3, and FIG. 3 is a sectional view showing an example of the processing container 301.

処理容器301は、ウエハWを収容するとともに、ウエハWに対して超臨界流体等の高圧の処理流体を用いて処理を行うものである。この処理容器301は、ウエハWを収容する筐体状の容器本体311と、容器本体311内にウエハWを搬入および搬出するための搬送口312と、処理対象のウエハWを横向きに保持する保持板316と、この保持板316を支持するとともに、ウエハWを容器本体311内に搬入したとき搬送口312を密閉する第1蓋部材315とを備えている。また、容器本体311のうち、搬送口312とは異なる位置に、メンテナンス用開口(開口)321が設けられている。このメンテナンス用開口321は、メンテナンス時等を除き、第2蓋部材322によって塞がれている。 The processing container 301 accommodates the wafer W and processes the wafer W using a high-pressure processing fluid such as a supercritical fluid. The processing container 301 includes a case-like container main body 311 that accommodates a wafer W, a transfer port 312 for loading and unloading the wafer W into the container main body 311, and a holder for holding the wafer W to be processed horizontally. It includes a plate 316 and a first lid member 315 that supports the holding plate 316 and seals the transfer port 312 when the wafer W is carried into the container body 311. Further, a maintenance opening (opening) 321 is provided in the container body 311 at a position different from the transport port 312 . This maintenance opening 321 is closed by a second lid member 322 except during maintenance.

容器本体311は、ウエハWを収容するとともに、ウエハWに対して処理流体を用いた処理を行うものである。容器本体311は、例えば直径300mmのウエハWを収容可能な処理空間319が内部に形成された容器である。上述した搬送口312及びメンテナンス用開口321(例えば搬送口312と同等の大きさ及び形状の開口)は、処理空間319の両端にそれぞれ形成され、ともに処理空間319に連通している。 The container body 311 accommodates the wafer W and processes the wafer W using a processing fluid. The container body 311 is a container in which a processing space 319 capable of accommodating a wafer W having a diameter of 300 mm, for example, is formed. The aforementioned transport port 312 and maintenance opening 321 (for example, an opening with the same size and shape as the transport port 312) are formed at both ends of the processing space 319, and both communicate with the processing space 319.

また、容器本体311のうち搬送口312側の壁部には、排出ポート314が設けられている。排出ポート314は、処理容器301の下流側に設けられる、処理流体を流通させるための排出側供給ライン65(図6参照)に接続されている。なお、図2には2つの排出ポート314が図示されているが、排出ポート314の数は特に限定されない。 Furthermore, a discharge port 314 is provided in the wall portion of the container body 311 on the side of the transport port 312 . The discharge port 314 is connected to a discharge side supply line 65 (see FIG. 6), which is provided on the downstream side of the processing container 301 and is used to circulate the processing fluid. Note that although two exhaust ports 314 are illustrated in FIG. 2, the number of exhaust ports 314 is not particularly limited.

搬送口312の上側及び下側にそれぞれ位置する第1上側ブロック312a及び第1下側ブロック312bには、それぞれ後述する第1ロックプレート327を嵌入するための嵌入孔325、323が形成されている。各嵌入孔325、323は、それぞれ第1上側ブロック312a及び第1下側ブロック312bを上下方向(ウエハWの面に対して垂直な方向)に貫通している。 Fitting holes 325 and 323 for fitting a first lock plate 327, which will be described later, are formed in a first upper block 312a and a first lower block 312b located above and below the transport port 312, respectively. . Each of the fitting holes 325 and 323 penetrates the first upper block 312a and the first lower block 312b in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the wafer W), respectively.

保持板316は、ウエハWを保持した状態で容器本体311の処理空間319内に水平な状態で配置可能に構成された薄い板状の部材であり、第1蓋部材315に連結されている。なお、保持板316の第1蓋部材315側には排出口316aが設けられている。 The holding plate 316 is a thin plate-shaped member configured to be horizontally disposed within the processing space 319 of the container body 311 while holding the wafer W, and is connected to the first lid member 315. Note that a discharge port 316a is provided on the first lid member 315 side of the holding plate 316.

容器本体311のうち、手前側(Y方向マイナス側)の領域には、第1蓋部材収容空間324が形成されている。第1蓋部材315は、保持板316を処理容器301内に搬入してウエハWに対して超臨界処理を行う際、第1蓋部材収容空間324に収容される。この場合、第1蓋部材315は、搬送口312を塞いで処理空間319を密閉する。 A first lid member accommodation space 324 is formed in a region of the container body 311 on the near side (minus side in the Y direction). The first lid member 315 is accommodated in the first lid member housing space 324 when carrying the holding plate 316 into the processing container 301 and performing supercritical processing on the wafer W. In this case, the first lid member 315 closes the transport port 312 and seals the processing space 319.

第1ロックプレート327は、処理容器301の手前側に設けられている。この第1ロックプレート327は、保持板316を処理位置まで移動させたとき、第1蓋部材315が容器本体311内の圧力によって移動することを規制する規制部材としての役割を果たす。この第1ロックプレート327は、第1下側ブロック312bの嵌入孔323、及び第1上側ブロック312aの嵌入孔325に嵌入される。このとき、第1ロックプレート327が閂としての役割を果たすため、第1蓋部材315及び保持板316は、その前後方向(図2及び図3中Y方向)の移動が規制される。そして、第1ロックプレート327は、嵌入孔323、325に嵌入されて第1蓋部材315を押さえるロック位置と、このロック位置から下方側に退避して第1蓋部材315を開放する開放位置との間で、昇降機構326により上下方向に移動する。この例では、第1ロックプレート327と嵌入孔323、325と昇降機構326とにより、第1蓋部材315が容器本体311内の圧力により移動することを規制する規制機構が構成されている。なお嵌入孔323、325には、それぞれ第1ロックプレート327を挿脱するために必要なマージンが設けられているので、嵌入孔323、325とロック位置にある第1ロックプレート327との間には僅かな隙間C1(図3)が形成されている。なお、図示の便宜上、図3では隙間C1を誇張して描いている。 The first lock plate 327 is provided on the front side of the processing container 301. The first lock plate 327 serves as a regulating member that prevents the first lid member 315 from moving due to the pressure inside the container body 311 when the holding plate 316 is moved to the processing position. This first lock plate 327 is fitted into the fitting hole 323 of the first lower block 312b and the fitting hole 325 of the first upper block 312a. At this time, since the first lock plate 327 functions as a bolt, the movement of the first lid member 315 and the retaining plate 316 in the front-rear direction (Y direction in FIGS. 2 and 3) is restricted. The first lock plate 327 has a lock position in which it is fitted into the insertion holes 323 and 325 and presses the first lid member 315, and an open position in which it retreats downward from this lock position to open the first lid member 315. The lifting mechanism 326 moves vertically between the positions. In this example, the first lock plate 327, the insertion holes 323 and 325, and the elevating mechanism 326 constitute a regulating mechanism that regulates movement of the first lid member 315 due to pressure within the container body 311. Note that the fitting holes 323 and 325 are each provided with a margin necessary for inserting and removing the first lock plate 327, so there is no space between the fitting holes 323 and 325 and the first lock plate 327 in the locked position. A slight gap C1 (FIG. 3) is formed. Note that, for convenience of illustration, the gap C1 is illustrated in an exaggerated manner in FIG.

メンテナンス用開口321は、容器本体311の壁面であって、搬送口312に対向する位置に設けられている。このようにメンテナンス用開口321と搬送口312とが対向することにより、第1蓋部材315及び第2蓋部材322によって容器本体311を密閉した際、処理空間319の圧力が、容器本体311の内面に略均等に加わる。このため、容器本体311の特定の箇所に応力が集中することが防止される。しかしながら、メンテナンス用開口321は、搬送口312に対向する位置以外の箇所、例えばウエハWの進行方向(Y方向)に対して側方の壁面に設けられていても良い。 The maintenance opening 321 is provided on the wall surface of the container body 311 at a position facing the transport port 312 . Since the maintenance opening 321 and the transport port 312 face each other in this way, when the container body 311 is sealed by the first lid member 315 and the second lid member 322, the pressure in the processing space 319 is reduced to the inner surface of the container body 311. Approximately evenly distributed. Therefore, stress is prevented from concentrating on a specific location of the container body 311. However, the maintenance opening 321 may be provided at a location other than the position facing the transfer port 312, for example, on a wall surface on a side with respect to the direction of movement of the wafer W (Y direction).

第2上側ブロック321a及び第2下側ブロック321bは、それぞれメンテナンス用開口321の上側及び下側に位置している。この第2上側ブロック321a及び第2下側ブロック321bには、それぞれ第2ロックプレート337を嵌入させるための嵌入孔335、333が形成されている。各嵌入孔335、333は、それぞれ第2上側ブロック321a及び第2下側ブロック321bを上下方向(ウエハWの面に対して垂直な方向、Z方向)に貫通している。 The second upper block 321a and the second lower block 321b are located above and below the maintenance opening 321, respectively. Fitting holes 335 and 333 for fitting the second lock plate 337 are formed in the second upper block 321a and the second lower block 321b, respectively. Each of the fitting holes 335 and 333 penetrates the second upper block 321a and the second lower block 321b in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the wafer W, Z direction), respectively.

容器本体311のうち、奥側(Y方向プラス側)の領域には、第2蓋部材収容空間334が形成されている。第2蓋部材322は、メンテナンス時等を除き、第2蓋部材収容空間334に収容されるとともに、メンテナンス用開口321を塞ぐ。また、第2蓋部材322には、供給ポート313が設けられている。供給ポート313は、処理容器301の上流側に設けられ、処理流体を流通させるための第1供給ライン63(図6参照)に接続されている。なお、図2には2つの供給ポート313が図示されているが、供給ポート313の数は特に限定されない。 A second lid member accommodating space 334 is formed in a region on the back side (positive side in the Y direction) of the container body 311. The second lid member 322 is accommodated in the second lid member housing space 334 and closes the maintenance opening 321 except during maintenance. Further, the second lid member 322 is provided with a supply port 313. The supply port 313 is provided on the upstream side of the processing container 301 and is connected to a first supply line 63 (see FIG. 6) through which the processing fluid flows. Note that although two supply ports 313 are illustrated in FIG. 2, the number of supply ports 313 is not particularly limited.

第2ロックプレート337は、第2蓋部材322が容器本体311内の圧力によって移動することを規制する規制部材としての役割を果たす。この第2ロックプレート337は、メンテナンス用開口321の周囲の嵌入孔333、335に嵌入される。このとき、第2ロックプレート337が閂としての役割を果たすため、第2蓋部材322は、その前後方向(Y方向)の移動が規制される。そして、第2ロックプレート337は、嵌入孔333、335に嵌入されて第2蓋部材322を押さえるロック位置と、このロック位置から下方側に退避して第2蓋部材322を開放する開放位置との間で、上下方向に移動するように構成されている。本実施形態において、第2ロックプレート337は、手動で移動されるようになっているが、昇降機構326と略同様の昇降機構を設け、自動で移動させても良い。なお嵌入孔333、335には、第2ロックプレート337を挿脱するために必要なマージンが設けられているので、嵌入孔333、335とロック位置にある第2ロックプレート337との間には僅かな隙間C2(図3)が形成されている。なお、図示の便宜上、図3では隙間C2を誇張して描いている。 The second lock plate 337 serves as a regulating member that regulates movement of the second lid member 322 due to pressure within the container body 311. This second lock plate 337 is fitted into the fitting holes 333 and 335 around the maintenance opening 321. At this time, since the second lock plate 337 functions as a bolt, movement of the second lid member 322 in the front-rear direction (Y direction) is restricted. The second lock plate 337 has a lock position where it is fitted into the insertion holes 333 and 335 and presses the second lid member 322, and an open position where it retreats downward from this lock position to open the second lid member 322. It is configured to move vertically between the two. In this embodiment, the second lock plate 337 is moved manually, but it may be moved automatically by providing an elevating mechanism substantially similar to the elevating mechanism 326. Note that the fitting holes 333, 335 are provided with margins necessary for inserting and removing the second lock plate 337, so there is no space between the fitting holes 333, 335 and the second lock plate 337 in the locked position. A slight gap C2 (FIG. 3) is formed. Note that, for convenience of illustration, the gap C2 is illustrated in an exaggerated manner in FIG.

本実施形態において、第2蓋部材322は、第1供給ライン63に接続され、第2蓋部材322には多数の開孔332が設けられている。この第2蓋部材322は、第1供給ライン63からの処理流体を容器本体311の内部に供給する流体供給ヘッダーとしての役割を果たす。これにより、メンテナンス時に第2蓋部材322を取り外した際、開孔332の清掃等のメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、容器本体311内の搬送口312側の壁部には、排出ポート314に連通する流体排出ヘッダー318が設けられている。この流体排出ヘッダー318にも多数の開孔が設けられている。 In this embodiment, the second lid member 322 is connected to the first supply line 63, and the second lid member 322 is provided with a large number of openings 332. The second lid member 322 serves as a fluid supply header that supplies the processing fluid from the first supply line 63 into the container body 311 . Thereby, when the second lid member 322 is removed during maintenance, maintenance work such as cleaning the opening 332 can be easily performed. Further, a fluid discharge header 318 that communicates with the discharge port 314 is provided on the wall portion of the container body 311 on the side of the transport port 312 . This fluid discharge header 318 is also provided with a number of openings.

第2蓋部材322及び流体排出ヘッダー318は相互に対向するように設置されている。流体供給部として機能する第2蓋部材322は、実質的に水平方向へ向けて処理流体を容器本体311内に供給する。ここでいう水平方向とは、重力が作用する鉛直方向と垂直な方向であって、通常は、保持板316に保持されたウエハWの平坦な表面が延在する方向と平行な方向である。容器本体311内の流体を排出する流体排出部として機能する流体排出ヘッダー318は、容器本体311内の流体を、保持板316に設けられた排出口316aを通り、容器本体311外に導いて排出する。流体排出ヘッダー318を介して容器本体311外に排出される流体には、第2蓋部材322を介して容器本体311内に供給された処理流体の他に、ウエハWの表面から処理流体に溶け込んだIPAが含まれる。このように第2蓋部材322の開孔332から容器本体311内に処理流体を供給することにより、また流体排出ヘッダー318の開孔を介して流体を容器本体311内から排出することにより、容器本体311内には、ウエハWの表面と略平行に流動する処理流体の層流が形成される。 The second lid member 322 and the fluid discharge header 318 are installed to face each other. The second lid member 322 functioning as a fluid supply section supplies processing fluid into the container body 311 in a substantially horizontal direction. The horizontal direction here is a direction perpendicular to the vertical direction in which gravity acts, and is usually a direction parallel to the direction in which the flat surface of the wafer W held by the holding plate 316 extends. The fluid discharge header 318, which functions as a fluid discharge section for discharging the fluid in the container body 311, guides the fluid in the container body 311 to the outside of the container body 311 through the discharge port 316a provided in the holding plate 316, and discharges the fluid in the container body 311. do. The fluid discharged to the outside of the container body 311 via the fluid discharge header 318 includes, in addition to the processing fluid supplied into the container body 311 via the second lid member 322, the fluid that has dissolved into the processing fluid from the surface of the wafer W. Contains IPA. In this way, by supplying the processing fluid into the container body 311 through the opening 332 of the second lid member 322 and by discharging the fluid from the container body 311 through the opening of the fluid discharge header 318, A laminar flow of processing fluid flowing approximately parallel to the surface of the wafer W is formed within the main body 311 .

また、容器本体311のうち搬送口312側の側面とメンテナンス用開口321側の側面とには、それぞれ真空吸引管348、349が接続されている。真空吸引管348、349は、それぞれ容器本体311のうち第1蓋部材収容空間324側の面と第2蓋部材収容空間334側の面とに連通している。この真空吸引管348、349は、それぞれ真空吸引力により第1蓋部材315及び第2蓋部材322を容器本体311側に引き付ける役割を果たす。 Further, vacuum suction pipes 348 and 349 are connected to the side surface of the container body 311 on the transport port 312 side and the side surface on the maintenance opening 321 side, respectively. The vacuum suction tubes 348 and 349 communicate with a surface of the container body 311 on the first lid member storage space 324 side and a surface on the second lid member storage space 334 side, respectively. The vacuum suction tubes 348 and 349 each play a role of attracting the first lid member 315 and the second lid member 322 toward the container body 311 by vacuum suction force.

また、容器本体311の底面には、処理流体を容器本体311の内部に供給する底面側流体供給部341が形成されている。底面側流体供給部341は、容器本体311内に高圧流体を供給する第2供給ライン64(図6参照)に接続されている。底面側流体供給部341は、実質的に下方から上方に向けて処理流体を容器本体311内に供給する。底面側流体供給部341から供給された処理流体は、ウエハWの裏面から保持板316に設けられた排出口316aを通ってウエハWの表面に回り込み、第2蓋部材322からの処理流体とともに、保持板316に設けられた排出口316aを通って流体排出ヘッダー318から排出される。底面側流体供給部341の位置は、例えば容器本体311内に導入されたウエハWの下方とすることが好ましく、ウエハWの中心部の下方とすることが更に好ましい。このことにより、底面側流体供給部341からの処理流体をウエハWの表面に均一に回り込ませることができる。 Furthermore, a bottom side fluid supply section 341 is formed on the bottom surface of the container body 311 to supply processing fluid into the interior of the container body 311 . The bottom side fluid supply section 341 is connected to a second supply line 64 (see FIG. 6) that supplies high-pressure fluid into the container body 311. The bottom side fluid supply section 341 supplies processing fluid into the container body 311 substantially from below to above. The processing fluid supplied from the bottom side fluid supply unit 341 flows from the back side of the wafer W through the outlet 316a provided in the holding plate 316 to the front surface of the wafer W, and together with the processing fluid from the second lid member 322, The fluid is discharged from the fluid discharge header 318 through a discharge port 316a provided in the holding plate 316. The bottom side fluid supply section 341 is preferably located, for example, below the wafer W introduced into the container body 311, and more preferably below the center of the wafer W. Thereby, the processing fluid from the bottom side fluid supply section 341 can be uniformly distributed around the surface of the wafer W.

図3に示すように、容器本体311の上下両面には、例えばテープヒーターなどの抵抗発熱体からなるヒーター345が設けられている。ヒーター345は、電源部346と接続されており、電源部346の出力を増減して、容器本体311及び処理空間319の温度を例えば100℃~300℃の範囲に維持することができる。 As shown in FIG. 3, heaters 345 made of resistive heating elements such as tape heaters are provided on both upper and lower surfaces of the container body 311. The heater 345 is connected to a power supply section 346, and can increase or decrease the output of the power supply section 346 to maintain the temperature of the container body 311 and the processing space 319 within a range of, for example, 100° C. to 300° C.

[メンテナンス用開口周辺の構成]
次に、図4及び図5を参照して、メンテナンス用開口321の周囲の構成について更に説明する。
[Configuration around maintenance opening]
Next, the configuration around the maintenance opening 321 will be further described with reference to FIGS. 4 and 5.

図4及び図5に示すように、第2蓋部材322のうち処理空間319側の側壁には、メンテナンス用開口321の周縁に対応する位置を取り囲むように凹部328が形成されている。この凹部328内にシール部材329を嵌め込むことにより、メンテナンス用開口321の周囲の側壁面に当接する第2蓋部材322側の側壁面にシール部材329が配置される。 As shown in FIGS. 4 and 5, a recess 328 is formed in the side wall of the second lid member 322 on the processing space 319 side so as to surround a position corresponding to the periphery of the maintenance opening 321. By fitting the seal member 329 into the recess 328, the seal member 329 is arranged on the side wall surface on the second lid member 322 side that comes into contact with the side wall surface around the maintenance opening 321.

シール部材329は、メンテナンス用開口321を囲むことが可能なように環状に形成されている。また、シール部材329の断面形状はU字状となっている。図4及び図5に示したシール部材329においては、U字の切り欠き329aは、環状のシール部材329の内周面に沿って形成されている。言い替えると、シール部材329には、U字状に囲まれた内部空間(切り欠き329a)が形成されていることになる。 The seal member 329 is formed in an annular shape so as to be able to surround the maintenance opening 321 . Further, the cross-sectional shape of the seal member 329 is U-shaped. In the seal member 329 shown in FIGS. 4 and 5, the U-shaped notch 329a is formed along the inner peripheral surface of the annular seal member 329. In other words, the sealing member 329 is formed with an internal space (notch 329a) surrounded by a U-shape.

このシール部材329が設けられた第2蓋部材322を用いてメンテナンス用開口321の周囲を塞ぐことにより、シール部材329は、第2蓋部材322と処理空間319との間の隙間を塞ぐように、第2蓋部材322と容器本体311との対向面の間に配置される。そして、この隙間は容器本体311内のメンテナンス用開口321の周りに形成されていることから、シール部材329の内周面に沿って形成された切り欠き329aは、当該処理空間319と連通した状態となっている。 By closing the periphery of the maintenance opening 321 using the second lid member 322 provided with this seal member 329, the seal member 329 closes the gap between the second lid member 322 and the processing space 319. , is arranged between the opposing surfaces of the second lid member 322 and the container body 311. Since this gap is formed around the maintenance opening 321 in the container body 311, the notch 329a formed along the inner peripheral surface of the sealing member 329 is in communication with the processing space 319. It becomes.

切り欠き329aが処理空間319と連通しているシール部材329は、処理流体の雰囲気に晒されることになるが、処理流体は樹脂やゴム等の成分やそこに含まれる不純物を溶出させてしまう場合がある。そこで、シール部材329は、少なくとも処理空間319に向けて開口している切り欠き329aの内側を、液体IPAや処理流体に対する耐食性を備えた樹脂にて構成している。このような樹脂の例としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、パラキシレン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)が挙げられ、処理流体中への成分の微量の溶出があったとしても半導体装置に影響の少ない、非フッ素系の樹脂を用いることが好ましい。 The sealing member 329 whose notch 329a communicates with the processing space 319 will be exposed to the atmosphere of the processing fluid, but the processing fluid may elute components such as resin or rubber or impurities contained therein. There is. Therefore, in the seal member 329, at least the inside of the notch 329a that is open toward the processing space 319 is made of resin that has corrosion resistance against liquid IPA and processing fluid. Examples of such resins include polyimide, polyethylene, polypropylene, paraxylene, and polyetheretherketone (PEEK), and even if a small amount of the component elutes into the processing fluid, it will have little effect on semiconductor devices. It is preferable to use a non-fluorine resin.

以下、処理容器301内でウエハWに対して高圧の処理流体を用いて処理を行う際における、シール部材329を備えた処理容器301の作用について説明する。 The operation of the processing container 301 including the seal member 329 when processing the wafer W using a high-pressure processing fluid in the processing container 301 will be described below.

まず処理空間319に高圧の処理流体が供給されておらず、容器本体311内の圧力が高められていない場合、真空吸引管349(図2及び図3)からの吸引力により、第2蓋部材322が容器本体311側に引き付けられる。このとき、図4に示すように、第2蓋部材322及び容器本体311の側壁面同士が直接対向してシール部材329を押し潰し、メンテナンス用開口321の周囲を気密に塞ぐ。第2蓋部材322と容器本体311とにより押し潰されたシール部材329は、切り欠き329aが狭くなる方向に変形する。切り欠き329aが完全に閉じられていない場合には、この時点で、第2蓋部材322と容器本体311との間の隙間を介して切り欠き329a内に処理空間319内の雰囲気が流れ込んでいる。 First, when high-pressure processing fluid is not supplied to the processing space 319 and the pressure inside the container body 311 is not increased, the second lid member is 322 is attracted to the container body 311 side. At this time, as shown in FIG. 4, the side wall surfaces of the second lid member 322 and the container body 311 directly face each other and crush the seal member 329, thereby airtightly closing the periphery of the maintenance opening 321. The seal member 329 crushed by the second lid member 322 and the container body 311 is deformed in a direction in which the notch 329a becomes narrower. If the notch 329a is not completely closed, at this point, the atmosphere in the processing space 319 is flowing into the notch 329a through the gap between the second lid member 322 and the container body 311. .

一方、開孔332から処理空間319内に高圧の処理流体を供給した場合、第2蓋部材322は、メンテナンス用開口321から遠ざかる方向に移動する。すなわち、第2蓋部材322は、処理流体から受ける圧力により、メンテナンス用開口321周囲の嵌入孔335、333と、第2ロックプレート337との間の隙間C2(図3)分だけ移動する。第2蓋部材322の移動により、第2蓋部材322と容器本体311との間の隙間が広がると、弾性を有するシール部材329の復元力により切り欠き329aが広がり、図5に示すように切り欠き329a(内部空間)内にも処理空間319の雰囲気(処理流体)がさらに進入する。 On the other hand, when high-pressure processing fluid is supplied into the processing space 319 through the opening 332, the second lid member 322 moves in a direction away from the maintenance opening 321. That is, the second lid member 322 moves by the gap C2 (FIG. 3) between the fitting holes 335, 333 around the maintenance opening 321 and the second lock plate 337 due to the pressure received from the processing fluid. When the gap between the second lid member 322 and the container body 311 widens due to the movement of the second lid member 322, the notch 329a expands due to the restoring force of the elastic seal member 329, and the notch 329a opens as shown in FIG. The atmosphere (processing fluid) of the processing space 319 further enters into the cutout 329a (internal space).

切り欠き329a内に処理流体が進入すると、切り欠き329aの内側からシール部材329を押し広げ、シール部材329の外周面(切り欠き329aとは反対側の面)を第2蓋部材322の凹部328側の面、及び容器本体311の側壁面に向けて押し付ける力が作用する。これにより、シール部材329の外周面が第2蓋部材322や容器本体311に密着し、これら第2蓋部材322と容器本体311との間の隙間を気密に塞ぐ。この種のシール部材329は、処理流体から受ける力により変形可能な弾性を備えつつ、処理空間319と外部との圧力差(例えば16~20MPa程度))に抗して隙間を気密に塞いだ状態を維持することができる。 When the processing fluid enters the notch 329a, the sealing member 329 is pushed out from inside the notch 329a, and the outer peripheral surface of the sealing member 329 (the surface opposite to the notch 329a) is inserted into the recess 328 of the second lid member 322. A pressing force acts toward the side surface and the side wall surface of the container body 311. As a result, the outer circumferential surface of the seal member 329 comes into close contact with the second lid member 322 and the container body 311, and the gap between the second lid member 322 and the container body 311 is airtightly closed. This type of sealing member 329 has elasticity that can be deformed by the force received from the processing fluid, and is in a state where the gap is airtightly closed against the pressure difference (for example, about 16 to 20 MPa) between the processing space 319 and the outside. can be maintained.

なお、本実施形態において、容器本体311の搬送口312についても、搬送口312と同様にして第1蓋部材315によって密閉されている。 In addition, in this embodiment, the transport port 312 of the container body 311 is also sealed by the first lid member 315 in the same manner as the transport port 312.

すなわち、図3に示すように、第1蓋部材315の処理空間319側の側壁には、搬送口312の周縁に対応する位置を取り囲むように凹部338が形成されている。この凹部338内にシール部材339を嵌め込むことにより、搬送口312の周囲の側壁面に当接する第1蓋部材315側の側壁面にシール部材339が配置される。 That is, as shown in FIG. 3, a recess 338 is formed in the side wall of the first lid member 315 on the processing space 319 side so as to surround a position corresponding to the periphery of the transport port 312. By fitting the seal member 339 into the recess 338, the seal member 339 is arranged on the side wall surface on the first lid member 315 side that comes into contact with the side wall surface around the transport port 312.

シール部材339は、搬送口312を囲むことが可能なように環状に形成されている。また、シール部材339の断面形状はU字状となっている。このように、シール部材339が設けられた第1蓋部材315を用いて搬送口312を塞ぐことにより、シール部材339は、第1蓋部材315と搬送口312との間の隙間を塞ぐように、第1蓋部材315と容器本体311との対向面の間に配置される。このほか、第1蓋部材315及びシール部材339を用いて搬送口312を塞ぐための構成は、上述したメンテナンス用開口321を塞ぐための構成と略同様である。 The seal member 339 is formed in an annular shape so as to be able to surround the transport port 312 . Further, the cross-sectional shape of the seal member 339 is U-shaped. In this way, by closing the transport port 312 using the first lid member 315 provided with the seal member 339, the seal member 339 closes the gap between the first lid member 315 and the transport port 312. , is arranged between the opposing surfaces of the first lid member 315 and the container body 311. In addition, the configuration for closing the transport port 312 using the first lid member 315 and the sealing member 339 is substantially the same as the configuration for closing the maintenance opening 321 described above.

[超臨界処理装置のシステム全体の構成]
図6は、超臨界処理装置3のシステム全体の構成例を示す図である。
[Overall system configuration of supercritical processing equipment]
FIG. 6 is a diagram showing an example of the overall system configuration of the supercritical processing apparatus 3. As shown in FIG.

処理容器301よりも上流側には流体供給タンク51が設けられており、超臨界処理装置3において処理流体を流通させるための供給ラインには、流体供給タンク51から処理流体が供給される。流体供給タンク51と処理容器301との間には、上流側から下流側に向かって、流通オンオフバルブ52a、オリフィス55a、フィルタ57及び流通オンオフバルブ52bが順次設けられる。なお、ここでいう上流側及び下流側の用語は、供給ラインにおける処理流体の流れ方向を基準とする。 A fluid supply tank 51 is provided upstream of the processing container 301, and the processing fluid is supplied from the fluid supply tank 51 to a supply line for distributing the processing fluid in the supercritical processing apparatus 3. Between the fluid supply tank 51 and the processing container 301, a flow on/off valve 52a, an orifice 55a, a filter 57, and a flow on/off valve 52b are sequentially provided from the upstream side to the downstream side. Note that the terms "upstream side" and "downstream side" as used herein are based on the flow direction of the processing fluid in the supply line.

流通オンオフバルブ52aは、流体供給タンク51からの処理流体の供給のオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の供給ラインに処理流体を流し、閉状態では下流側の供給ラインに処理流体を流さない。流通オンオフバルブ52aが開状態にある場合、例えば16~20MPa(メガパスカル)程度の高圧の処理流体が、流体供給タンク51から流通オンオフバルブ52aを介して供給ラインに供給される。オリフィス55aは、流体供給タンク51から供給される処理流体の圧力を調整する役割を果たし、オリフィス55aよりも下流側の供給ラインには、例えば16MPa程度に圧力が調整された処理流体を流通させることができる。フィルタ57は、オリフィス55aから送られてくる処理流体に含まれる異物を取り除き、クリーンな処理流体を下流側に流す。 The flow on/off valve 52a is a valve that adjusts on and off of the supply of processing fluid from the fluid supply tank 51, and when it is open, the processing fluid flows to the downstream supply line, and when it is closed, it flows to the downstream supply line. Do not drain process fluid. When the flow on/off valve 52a is in the open state, a high pressure processing fluid of, for example, 16 to 20 MPa (megapascals) is supplied from the fluid supply tank 51 to the supply line via the flow on/off valve 52a. The orifice 55a plays a role of adjusting the pressure of the processing fluid supplied from the fluid supply tank 51, and the processing fluid whose pressure is adjusted to about 16 MPa, for example, is allowed to flow through the supply line downstream of the orifice 55a. I can do it. The filter 57 removes foreign substances contained in the processing fluid sent from the orifice 55a, and allows the clean processing fluid to flow downstream.

流通オンオフバルブ52bは、処理容器301への処理流体の供給のオン及びオフを調整するバルブである。流通オンオフバルブ52bから処理容器301に延在する第1供給ライン63は、上述の図2及び図3に示す供給ポート313に接続し、流通オンオフバルブ52bからの処理流体は、図2及び図3に示す供給ポート313及び第2蓋部材322を介して処理容器301の容器本体311内に供給される。 The flow on/off valve 52b is a valve that adjusts supply of processing fluid to the processing container 301 on and off. The first supply line 63 extending from the circulation on-off valve 52b to the processing container 301 is connected to the supply port 313 shown in FIGS. The liquid is supplied into the container body 311 of the processing container 301 through the supply port 313 and the second lid member 322 shown in FIG.

なお図6に示す超臨界処理装置3では、フィルタ57と流通オンオフバルブ52bとの間において、供給ラインが分岐している。すなわちフィルタ57と流通オンオフバルブ52bとの間の供給ラインからは、流通オンオフバルブ52c及びオリフィス55bを介して処理容器301に接続する供給ライン(第2供給ライン64)、流通オンオフバルブ52d及びチェックバルブ58aを介してパージ装置62に接続する供給ライン、及び流通オンオフバルブ52e及びオリフィス55cを介して外部に接続する供給ラインが分岐して延在する。 In the supercritical processing apparatus 3 shown in FIG. 6, the supply line branches between the filter 57 and the flow on/off valve 52b. That is, from the supply line between the filter 57 and the flow on/off valve 52b, there is a supply line (second supply line 64) connected to the processing container 301 via the flow on/off valve 52c and the orifice 55b, the flow on/off valve 52d, and the check valve. A supply line connected to the purge device 62 via 58a and a supply line connected to the outside via the flow on/off valve 52e and orifice 55c branch and extend.

流通オンオフバルブ52c及びオリフィス55bを介して処理容器301に接続する第2供給ライン64は、上述の図2及び図3に示す底面側流体供給部341に接続し、流通オンオフバルブ52cからの処理流体は、図2及び図3に示す底面側流体供給部341を介して処理容器301の容器本体311内に供給される。第2供給ライン64は、処理容器301への処理流体の供給のための補助的な流路として用いても良い。例えば処理容器301への処理流体の供給開始当初等のように、比較的多量の処理流体を処理容器301に供給する際に流通オンオフバルブ52cが開状態に調整され、オリフィス55bによって圧力が調整された処理流体を処理容器301に供給することができる。 A second supply line 64 connected to the processing container 301 via the flow on/off valve 52c and the orifice 55b is connected to the bottom side fluid supply section 341 shown in FIGS. 2 and 3 described above, and is connected to the processing fluid from the flow on/off valve 52c. is supplied into the container body 311 of the processing container 301 via the bottom side fluid supply section 341 shown in FIGS. 2 and 3. The second supply line 64 may be used as an auxiliary flow path for supplying processing fluid to the processing container 301. For example, when supplying a relatively large amount of processing fluid to the processing container 301, such as at the beginning of supplying the processing fluid to the processing container 301, the flow on/off valve 52c is adjusted to the open state, and the pressure is adjusted by the orifice 55b. The processed processing fluid can be supplied to the processing vessel 301.

流通オンオフバルブ52d及びチェックバルブ58aを介してパージ装置62に接続する供給ラインは、窒素等の不活性ガスを処理容器301に供給するための流路であり、流体供給タンク51から処理容器301に対する処理流体の供給が停止している間に活用される。例えば処理容器301を不活性ガスで満たして清浄な状態を保つ場合には、流通オンオフバルブ52d及び流通オンオフバルブ52bが開状態に調整され、パージ装置62から供給ラインに送られた不活性ガスはチェックバルブ58a、流通オンオフバルブ52d及び流通オンオフバルブ52bを介して処理容器301に供給される。 The supply line connected to the purge device 62 via the flow on/off valve 52d and the check valve 58a is a flow path for supplying an inert gas such as nitrogen to the processing container 301, and is a flow path for supplying an inert gas such as nitrogen to the processing container 301. Utilized while the processing fluid supply is stopped. For example, when the processing container 301 is filled with inert gas to maintain a clean state, the flow on/off valve 52d and the flow on/off valve 52b are adjusted to the open state, and the inert gas sent from the purge device 62 to the supply line is It is supplied to the processing container 301 via the check valve 58a, the flow on/off valve 52d, and the flow on/off valve 52b.

流通オンオフバルブ52e及びオリフィス55cを介して外部に接続する供給ラインは、供給ラインから処理流体を排出するための流路である。例えば超臨界処理装置3の電源オフ時において、流通オンオフバルブ52aと流通オンオフバルブ52bとの間の供給ライン内に残存する処理流体を外部に排出する際には、流通オンオフバルブ52eが開状態に調整され、流通オンオフバルブ52aと流通オンオフバルブ52bとの間の供給ラインが外部に連通される。 The supply line connected to the outside via the flow on/off valve 52e and the orifice 55c is a flow path for discharging the processing fluid from the supply line. For example, when the supercritical processing apparatus 3 is powered off and the processing fluid remaining in the supply line between the circulation on-off valve 52a and the circulation on-off valve 52b is discharged to the outside, the circulation on-off valve 52e is in an open state. The supply line between the flow on/off valve 52a and the flow on/off valve 52b is communicated with the outside.

処理容器301よりも下流側には、流通オンオフバルブ52f、排気調整バルブ59、濃度計測センサ60及び流通オンオフバルブ52gが、上流側から下流側に向かって順次設けられている。 On the downstream side of the processing container 301, a flow on/off valve 52f, an exhaust adjustment valve 59, a concentration measurement sensor 60, and a flow on/off valve 52g are sequentially provided from the upstream side to the downstream side.

流通オンオフバルブ52fは、処理容器301からの処理流体の排出のオン及びオフを調整するバルブである。処理容器301から処理流体を排出する場合には流通オンオフバルブ52fは開状態に調整され、処理容器301から処理流体を排出しない場合には流通オンオフバルブ52fは閉状態に調整される。なお処理容器301と流通オンオフバルブ52fとの間に延在する供給ライン(排出側供給ライン65)は、図2及び図3に示す排出ポート314に接続されている。処理容器301の容器本体311内の流体は、図2及び図3に示す流体排出ヘッダー318及び排出ポート314を介して、流通オンオフバルブ52fに向かって送られる。 The flow on/off valve 52f is a valve that adjusts whether or not the discharge of the processing fluid from the processing container 301 is turned on or off. When the processing fluid is to be discharged from the processing container 301, the flow on/off valve 52f is adjusted to the open state, and when the processing fluid is not to be discharged from the processing container 301, the flow on/off valve 52f is adjusted to the closed state. Note that the supply line (discharge side supply line 65) extending between the processing container 301 and the flow on/off valve 52f is connected to the discharge port 314 shown in FIGS. 2 and 3. The fluid in the container body 311 of the processing container 301 is sent toward the flow on/off valve 52f via the fluid discharge header 318 and discharge port 314 shown in FIGS. 2 and 3.

排気調整バルブ59は、処理容器301からの流体の排出量を調整するバルブであり、例えば背圧弁によって構成することが可能である。排気調整バルブ59の開度は、処理容器301からの流体の所望の排出量に応じて、制御部4の制御下で適応的に調整される。本実施形態では、例えば処理容器301内の流体の圧力が予め定められた圧力になるまで、処理容器301から流体が排出される処理が行われる。そのため排気調整バルブ59は、処理容器301内の流体の圧力が予め定められた圧力に達した際に、開状態から閉状態に移行するように開度を調整して処理容器301からの流体の排出を止めることができる。 The exhaust adjustment valve 59 is a valve that adjusts the amount of fluid discharged from the processing container 301, and can be configured by, for example, a back pressure valve. The opening degree of the exhaust adjustment valve 59 is adaptively adjusted under the control of the control unit 4 according to the desired amount of fluid discharged from the processing container 301. In this embodiment, for example, a process is performed in which fluid is discharged from the processing container 301 until the pressure of the fluid in the processing container 301 reaches a predetermined pressure. Therefore, when the pressure of the fluid in the processing container 301 reaches a predetermined pressure, the exhaust adjustment valve 59 adjusts its opening so as to shift from the open state to the closed state, and removes the fluid from the processing container 301. Emissions can be stopped.

濃度計測センサ60は、排気調整バルブ59から送られてくる流体に含まれるIPA濃度を計測するセンサである。 The concentration measurement sensor 60 is a sensor that measures the IPA concentration contained in the fluid sent from the exhaust adjustment valve 59.

流通オンオフバルブ52gは、処理容器301からの流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブである。流体を外部に排出する場合には流通オンオフバルブ52gは開状態に調整され、流体を排出しない場合には流通オンオフバルブ52gは閉状態に調整される。なお流通オンオフバルブ52gの下流側には、排気調整ニードルバルブ61a及びチェックバルブ58bが設けられている。排気調整ニードルバルブ61aは、流通オンオフバルブ52gを介して送られてくる流体の外部への排出量を調整するバルブであり、排気調整ニードルバルブ61aの開度は流体の所望の排出量に応じて調整される。チェックバルブ58bは、排出される流体の逆流を防ぐ弁であり、流体を確実に外部に排出する役割を果たす。 The flow on/off valve 52g is a valve that adjusts whether or not the fluid is discharged from the processing container 301 to the outside. When the fluid is to be discharged to the outside, the flow on/off valve 52g is adjusted to the open state, and when the fluid is not to be discharged, the flow on/off valve 52g is adjusted to the closed state. Note that an exhaust adjustment needle valve 61a and a check valve 58b are provided downstream of the flow on/off valve 52g. The exhaust adjustment needle valve 61a is a valve that adjusts the amount of fluid sent to the outside via the circulation on/off valve 52g, and the opening degree of the exhaust adjustment needle valve 61a is determined according to the desired amount of fluid to be discharged. be adjusted. The check valve 58b is a valve that prevents the discharged fluid from flowing back, and plays a role in reliably discharging the fluid to the outside.

なお図6に示す超臨界処理装置3では、濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gとの間において、供給ラインが分岐している。すなわち濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gとの間の供給ラインからは、流通オンオフバルブ52hを介して外部に接続する供給ライン、流通オンオフバルブ52iを介して外部に接続する供給ライン、及び流通オンオフバルブ52jを介して外部に接続する供給ラインが分岐して延在する。 In the supercritical processing apparatus 3 shown in FIG. 6, the supply line branches between the concentration measurement sensor 60 and the flow on/off valve 52g. That is, from the supply line between the concentration measurement sensor 60 and the circulation on/off valve 52g, there is a supply line connected to the outside via the circulation on/off valve 52h, a supply line connected to the outside via the circulation on/off valve 52i, and a circulation on/off line. A supply line connected to the outside via the valve 52j branches and extends.

流通オンオフバルブ52h及び流通オンオフバルブ52iは、流通オンオフバルブ52gと同様に、流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブである。流通オンオフバルブ52hの下流側には、排気調整ニードルバルブ61b及びチェックバルブ58cが設けられ、流体の排出量の調整及び流体の逆流防止が行われる。流通オンオフバルブ52iの下流側にはチェックバルブ58dが設けられ、流体の逆流が防止されている。流通オンオフバルブ52jも流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブであり、流通オンオフバルブ52jの下流側にはオリフィス55dが設けられ、流通オンオフバルブ52jからオリフィス55dを介して外部に流体を排出することができる。ただし、図6に示す例では、流通オンオフバルブ52g、流通オンオフバルブ52h及び流通オンオフバルブ52iを介して外部に送られる流体の行き先と、流通オンオフバルブ52jを介して外部に送られる流体の行き先とは異なっている。したがって流体を、例えば流通オンオフバルブ52g、流通オンオフバルブ52h及び流通オンオフバルブ52iを介して図示しない回収装置に送る一方で、流通オンオフバルブ52jを介して大気に放出することも可能である。 The flow on/off valve 52h and the flow on/off valve 52i are valves that adjust on and off of discharge of fluid to the outside, similar to the flow on/off valve 52g. An exhaust adjustment needle valve 61b and a check valve 58c are provided on the downstream side of the circulation on/off valve 52h to adjust the amount of fluid discharged and prevent backflow of the fluid. A check valve 58d is provided downstream of the flow on/off valve 52i to prevent backflow of fluid. The circulation on/off valve 52j is also a valve that adjusts the ON/OFF state of discharging fluid to the outside, and an orifice 55d is provided on the downstream side of the circulation on/off valve 52j, and the fluid is discharged from the circulation on/off valve 52j to the outside via the orifice 55d. can be discharged. However, in the example shown in FIG. 6, the destination of the fluid sent to the outside via the circulation on/off valve 52g, the circulation on/off valve 52h, and the circulation on/off valve 52i, and the destination of the fluid sent to the outside via the circulation on/off valve 52j. are different. Therefore, while the fluid is sent to a recovery device (not shown) via, for example, the flow on/off valve 52g, the flow on/off valve 52h, and the flow on/off valve 52i, it is also possible to discharge the fluid to the atmosphere via the flow on/off valve 52j.

処理容器301から流体を排出する場合、流通オンオフバルブ52g、流通オンオフバルブ52h、流通オンオフバルブ52i及び流通オンオフバルブ52jのうちの1以上のバルブが開状態に調整される。特に超臨界処理装置3の電源オフ時には、流通オンオフバルブ52jを開状態に調整して、濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gとの間の供給ラインに残存する流体を外部に排出するようにしてもよい。 When discharging fluid from the processing container 301, one or more of the flow on/off valve 52g, the flow on/off valve 52h, the flow on/off valve 52i, and the flow on/off valve 52j is adjusted to an open state. In particular, when the power of the supercritical processing apparatus 3 is turned off, the flow on/off valve 52j is adjusted to an open state so that the fluid remaining in the supply line between the concentration measurement sensor 60 and the flow on/off valve 52g is discharged to the outside. Good too.

なお、上述の供給ラインの様々な箇所に流体の圧力を検出する圧力センサ及び流体の温度を検出する温度センサが設置される。図6に示す例では、流通オンオフバルブ52aとオリフィス55aとの間に圧力センサ53a及び温度センサ54aが設けられ、オリフィス55aとフィルタ57との間に圧力センサ53b及び温度センサ54bが設けられ、フィルタ57と流通オンオフバルブ52bとの間に圧力センサ53cが設けられ、流通オンオフバルブ52bと処理容器301との間に温度センサ54cが設けられ、オリフィス55bと処理容器301との間に温度センサ54dが設けられている。また処理容器301と流通オンオフバルブ52fとの間に圧力センサ53d及び温度センサ54fが設けられ、濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gとの間に圧力センサ53e及び温度センサ54gが設けられている。さらに、処理容器301の内部である容器本体311内の流体の温度を検出するための温度センサ54eが設けられている。 Note that pressure sensors that detect the pressure of the fluid and temperature sensors that detect the temperature of the fluid are installed at various locations on the above-mentioned supply line. In the example shown in FIG. 6, a pressure sensor 53a and a temperature sensor 54a are provided between the flow on/off valve 52a and the orifice 55a, a pressure sensor 53b and a temperature sensor 54b are provided between the orifice 55a and the filter 57, and the filter A pressure sensor 53c is provided between the flow on/off valve 52b and the flow on/off valve 52b, a temperature sensor 54c is provided between the flow on/off valve 52b and the processing container 301, and a temperature sensor 54d is provided between the orifice 55b and the processing container 301. It is provided. Further, a pressure sensor 53d and a temperature sensor 54f are provided between the processing container 301 and the flow on/off valve 52f, and a pressure sensor 53e and a temperature sensor 54g are provided between the concentration measurement sensor 60 and the flow on/off valve 52g. Furthermore, a temperature sensor 54e for detecting the temperature of the fluid in the container body 311, which is the inside of the processing container 301, is provided.

また、超臨界処理装置3において処理流体が流れる任意の箇所にヒータHが設けられる。図6には、処理容器301よりも上流側の供給ライン(すなわち流通オンオフバルブ52aとオリフィス55aの間、オリフィス55aとフィルタ57の間、フィルタ57と流通オンオフバルブ52bの間、及び流通オンオフバルブ52bと処理容器301の間)においてヒータHが図示されているが、処理容器301及び処理容器301よりも下流側の供給ラインを含む他の箇所にヒータHが設けられていてもよい。したがって、流体供給タンク51から供給される処理流体が外部に排出されるまでの全流路においてヒータHが設けられてもよい。また特に、処理容器301に供給する処理流体の温度を調整する観点からは、処理容器301よりも上流側を流れる処理流体の温度を調整することができる位置にヒータHが設けられていることが好ましい。 Further, in the supercritical processing apparatus 3, a heater H is provided at any location through which the processing fluid flows. FIG. 6 shows supply lines upstream of the processing container 301 (i.e., between the flow on/off valve 52a and the orifice 55a, between the orifice 55a and the filter 57, between the filter 57 and the flow on/off valve 52b, and the flow on/off valve 52b). Although the heater H is shown in the figure between the processing container 301 and the processing container 301, the heater H may be provided at other locations including the processing container 301 and the supply line downstream of the processing container 301. Therefore, the heater H may be provided in the entire flow path until the processing fluid supplied from the fluid supply tank 51 is discharged to the outside. In particular, from the viewpoint of adjusting the temperature of the processing fluid supplied to the processing container 301, it is preferable that the heater H is provided at a position where the temperature of the processing fluid flowing upstream of the processing container 301 can be adjusted. preferable.

さらに、オリフィス55aとフィルタ57の間には安全バルブ56aが設けられ、処理容器301と流通オンオフバルブ52fとの間には安全バルブ56bが設けられ、濃度計測センサ60と流通オンオフバルブ52gの間には安全バルブ56cが設けられている。これらの安全バルブ56a~56cは、供給ライン内の圧力が過大になった場合等の異常時において供給ラインを外部に連通し、供給ライン内の流体を緊急的に外部に排出する役割を果たす。 Further, a safety valve 56a is provided between the orifice 55a and the filter 57, a safety valve 56b is provided between the processing container 301 and the flow on/off valve 52f, and a safety valve 56b is provided between the concentration measurement sensor 60 and the flow on/off valve 52g. is provided with a safety valve 56c. These safety valves 56a to 56c serve to connect the supply line to the outside in an abnormal situation such as when the pressure in the supply line becomes excessive, and to emergencyally discharge the fluid in the supply line to the outside.

[超臨界乾燥処理]
次に、超臨界状態の処理流体を用いたIPAの乾燥メカニズムについて説明する。
[Supercritical drying treatment]
Next, the drying mechanism of IPA using a processing fluid in a supercritical state will be explained.

図7は、IPAの乾燥メカニズムを説明するための図であり、ウエハWが有する凹部としてのパターンPを簡略的に示した拡大断面図である。 FIG. 7 is a diagram for explaining the drying mechanism of IPA, and is an enlarged cross-sectional view schematically showing a pattern P as a recessed portion of the wafer W.

超臨界処理装置3において超臨界状態の処理流体Rが処理容器301の容器本体311内に導入された当初は、図7(a)に示すように、パターンP間にはIPAのみが充填されている。 Initially, when the processing fluid R in a supercritical state is introduced into the container body 311 of the processing container 301 in the supercritical processing apparatus 3, only IPA is filled between the patterns P, as shown in FIG. 7(a). There is.

パターンP間のIPAは、超臨界状態の処理流体Rと接触することで、徐々に処理流体Rに溶解し、図7(b)に示すように徐々に処理流体Rと置き換わる。このとき、パターンP間には、IPA及び処理流体Rの他に、IPAと処理流体Rとが混合した状態の混合流体Mが存在する。 The IPA between the patterns P comes into contact with the processing fluid R in a supercritical state, gradually dissolves in the processing fluid R, and gradually replaces the processing fluid R as shown in FIG. 7(b). At this time, in addition to IPA and processing fluid R, a mixed fluid M in which IPA and processing fluid R are mixed exists between patterns P.

そして、パターンP間でIPAから処理流体Rへの置換が進行するに従って、パターンP間からはIPAが除去され、最終的には図7(c)に示すように、超臨界状態の処理流体RのみによってパターンP間が満たされる。 Then, as the replacement of IPA with processing fluid R progresses between patterns P, IPA is removed from between patterns P, and finally, as shown in FIG. 7(c), processing fluid R in a supercritical state The space between the patterns P is filled only by the pattern P.

パターンP間からIPAが除去された後に、容器本体311内の圧力を大気圧まで下げることによって、図7(d)に示すように、処理流体Rは超臨界状態から気体状態に変化し、パターンP間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンP間のIPAは除去され、ウエハWの乾燥処理は完了する。 After IPA is removed from between the patterns P, by lowering the pressure inside the container body 311 to atmospheric pressure, the processing fluid R changes from a supercritical state to a gaseous state, as shown in FIG. The space between P is occupied only by gas. In this way, the IPA between the patterns P is removed, and the drying process of the wafer W is completed.

上述の図7(a)~(d)に示すメカニズムを背景に、本実施形態の超臨界処理装置3は、以下のようにしてIPAの乾燥処理を行う。 Based on the mechanism shown in FIGS. 7(a) to 7(d) described above, the supercritical processing apparatus 3 of this embodiment performs the drying process of IPA as follows.

すなわち超臨界処理装置3によって行われる基板処理方法は、パターンPに乾燥防止用のIPAが液盛りされたウエハWを処理容器301の容器本体311内に搬入する工程と、流体供給部(すなわち流体供給タンク51、流通オンオフバルブ52a、流通オンオフバルブ52b及び第2蓋部材322)を介して容器本体311内に超臨界状態の処理流体を供給する工程と、容器本体311内において、ウエハWからIPAを除去する乾燥処理を、超臨界状態の処理流体を使って行う工程とを備える。 In other words, the substrate processing method performed by the supercritical processing apparatus 3 includes a step of transporting a wafer W having a pattern P filled with IPA for drying prevention into the container body 311 of the processing container 301, and a step of transporting the wafer W into the container body 311 of the processing container 301, and A step of supplying a supercritical processing fluid into the container body 311 via the supply tank 51, the flow on/off valve 52a, the flow on/off valve 52b, and the second lid member 322), and a step of performing a drying process to remove the , using a processing fluid in a supercritical state.

すなわち、まず超臨界処理装置3には、洗浄装置2において洗浄処理が実施されたウエハWが搬送される。この洗浄装置2では、例えばアルカリ性薬液であるSC1液によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去、リンス液である脱イオン水(DIW)によるリンス洗浄、酸性薬液である希フッ酸水溶液(DHF)による自然酸化膜の除去、DIWによるリンス洗浄がこの順に行われ、最後にウエハ表面にIPAが液盛りされる。そしてウエハWは、この状態のまま洗浄装置2より搬出され、超臨界処理装置3の処理容器301へ搬送される。 That is, first, a wafer W that has been subjected to a cleaning process in the cleaning apparatus 2 is transferred to the supercritical processing apparatus 3 . In this cleaning device 2, for example, particles and organic contaminants are removed using liquid SC1, which is an alkaline chemical solution, rinsing is performed using deionized water (DIW), which is a rinsing liquid, and dilute hydrofluoric acid aqueous solution (DHF), which is an acidic chemical liquid, is used. Removal of the natural oxide film and rinsing using DIW are performed in this order, and finally, IPA is deposited on the wafer surface. The wafer W is then carried out from the cleaning device 2 in this state and transferred to the processing container 301 of the supercritical processing device 3.

この処理容器301への搬送は、例えば第2の搬送機構161を用いて行われる(図1参照)。処理容器301へウエハを搬送するときには、第2の搬送機構161が受け渡し位置において待機している保持板316にウエハWを受け渡した後、保持板316の上方位置から退避する。 This transportation to the processing container 301 is performed using, for example, the second transportation mechanism 161 (see FIG. 1). When transporting a wafer to the processing container 301, the second transport mechanism 161 delivers the wafer W to the holding plate 316 waiting at the delivery position, and then retreats from a position above the holding plate 316.

次いで、保持板316を水平方向にスライドさせて、保持板316を容器本体311内の処理位置まで移動させる。このとき、第1蓋部材315は、第1蓋部材収容空間324内に収容され、搬送口312を覆う。続いて、真空吸引管348(図2及び図3)からの吸引力により、第1蓋部材315が容器本体311に引き付けられ、第1蓋部材315によって搬送口312が塞がれる。次に、昇降機構326によって第1ロックプレート327をロック位置まで上昇させて、第1ロックプレート327と第1蓋部材315の前面とを当接させ、第1蓋部材315の移動を規制する。 Next, the holding plate 316 is slid horizontally to move the holding plate 316 to a processing position within the container body 311. At this time, the first lid member 315 is accommodated in the first lid member housing space 324 and covers the transport port 312. Subsequently, the first lid member 315 is attracted to the container body 311 by the suction force from the vacuum suction tube 348 (FIGS. 2 and 3), and the transport port 312 is closed by the first lid member 315. Next, the first lock plate 327 is raised to the lock position by the lifting mechanism 326, and the first lock plate 327 and the front surface of the first lid member 315 are brought into contact with each other, thereby restricting the movement of the first lid member 315.

続いて、ウエハW表面に液盛りされたIPAが乾燥してしまう前に、流通オンオフバルブ52b、52cを開放して第1供給ライン63、第2供給ライン64を介して処理空間319に高圧の処理流体を供給する。これにより、処理空間319内の圧力を例えば14~16MPa程度まで昇圧する。処理空間319の加圧に伴い、第1蓋部材315の凹部338に設けられた断面U字状のシール部材339が押し広げられ、第1蓋部材315と容器本体311との間の隙間を気密に塞ぐ。 Next, before the IPA pooled on the surface of the wafer W dries, the flow on/off valves 52b and 52c are opened to supply high pressure to the processing space 319 via the first supply line 63 and the second supply line 64. Supply processing fluid. As a result, the pressure within the processing space 319 is increased to, for example, about 14 to 16 MPa. As the processing space 319 is pressurized, a sealing member 339 with a U-shaped cross section provided in the recess 338 of the first lid member 315 is pushed open, and the gap between the first lid member 315 and the container body 311 is airtight. to block.

一方、処理空間319内では、当該処理空間319内に供給された処理流体がウエハWに液盛りされたIPAと接触すると、液盛りされたIPAは徐々に処理流体に溶解し、徐々に処理流体と置き換わる。そして、ウエハWのパターン間でIPAから処理流体への置換が進行するに従って、パターン間からはIPAが除去され、最終的には超臨界状態の処理流体のみによってパターンP間が満たされる。この結果、ウエハWの表面は液体のIPAから処理流体に置換されていくことになるが、平衡状態において液体IPAと処理流体との間には界面が形成されないので、パターン倒れを引き起こすことなくウエハW表面の流体を処理流体に置換することができる。 On the other hand, in the processing space 319, when the processing fluid supplied into the processing space 319 comes into contact with the IPA filled in the wafer W, the filled IPA gradually dissolves in the processing fluid, and the processing fluid gradually dissolves into the processing fluid. Replaced with As the replacement of IPA with the processing fluid progresses between the patterns on the wafer W, IPA is removed from between the patterns, and eventually the spaces between the patterns P are filled only with the processing fluid in the supercritical state. As a result, the surface of the wafer W is replaced with the processing fluid from liquid IPA, but since no interface is formed between the liquid IPA and the processing fluid in an equilibrium state, the wafer W can be processed without causing pattern collapse. The fluid on the W surface can be replaced with a processing fluid.

その後、処理空間319内に処理流体を供給してから予め設定した時間が経過し、ウエハWの表面が処理流体にて置換された状態となったら、流通オンオフバルブ52fを開放して処理空間319内の雰囲気を流体排出ヘッダー318から容器本体311外方に向けて排出する。これにより、容器本体311内の圧力は次第に低下していき、処理空間319内の処理流体は超臨界の状態から気体の状態に変化する。このとき超臨界状態と気体との間には界面が形成されないので、ウエハWの表面に形成されたパターンに表面張力を作用させることなく、ウエハWを乾燥することができる。 Thereafter, when a preset time has elapsed since the processing fluid was supplied into the processing space 319 and the surface of the wafer W has been replaced with the processing fluid, the flow on/off valve 52f is opened and the processing fluid is supplied to the processing space 319. The atmosphere inside the container body 311 is discharged from the fluid discharge header 318 toward the outside of the container body 311. As a result, the pressure within the container body 311 gradually decreases, and the processing fluid within the processing space 319 changes from a supercritical state to a gaseous state. At this time, since no interface is formed between the supercritical state and the gas, the wafer W can be dried without applying surface tension to the pattern formed on the surface of the wafer W.

以上のプロセスにより、ウエハWの超臨界処理を終えた後、処理空間319に残存している気体の処理流体を排出するため、不図示のパージガス供給ラインからNガスを供給して流体排出ヘッダー318へ向けてパージを行う。そして予め定めた時間だけNガスの供給を行いパージが完了し、容器本体311内が大気圧に復帰したら、第1ロックプレート327を開放位置まで降下させる。そして保持板316を受け渡し位置まで水平方向に移動させ、超臨界処理を終えたウエハWを第2の搬送機構161を用いて搬出する。 After the supercritical processing of the wafer W is completed through the above process, in order to discharge the gas processing fluid remaining in the processing space 319, N2 gas is supplied from a purge gas supply line (not shown) to the fluid discharge header. Purge towards 318. Then, when the purge is completed by supplying N 2 gas for a predetermined time and the inside of the container body 311 returns to atmospheric pressure, the first lock plate 327 is lowered to the open position. Then, the holding plate 316 is moved horizontally to the delivery position, and the wafer W that has undergone supercritical processing is carried out using the second transport mechanism 161.

ところで、上述した超臨界処理を行っている間、第2ロックプレート337は、常時ロック位置まで上昇されている。これにより第2ロックプレート337と第2蓋部材322の後面とが当接し、第2蓋部材322の移動が規制される。そして処理空間319に高圧の処理流体が供給されておらず、容器本体311内の圧力が高められていない場合、第2蓋部材322及び容器本体311の側壁面同士が直接対向してシール部材329を押し潰し、メンテナンス用開口321の周囲を気密に塞ぐ。 By the way, while performing the above-mentioned supercritical treatment, the second lock plate 337 is always raised to the lock position. As a result, the second lock plate 337 and the rear surface of the second lid member 322 come into contact with each other, and movement of the second lid member 322 is restricted. When high-pressure processing fluid is not supplied to the processing space 319 and the pressure within the container body 311 is not increased, the side wall surfaces of the second lid member 322 and the container main body 311 directly face each other and the seal member 329 is crushed to airtightly close the area around the maintenance opening 321.

一方、処理空間319に高圧の処理流体を供給した場合、第2蓋部材322は、メンテナンス用開口321周囲の嵌入孔335、333と、第2ロックプレート337との間の隙間C2分だけ処理空間319から遠ざかる方向(Y方向プラス側)に移動する。第2蓋部材322が移動することにより、第2蓋部材322と容器本体311との間の隙間が広がる。この場合、弾性を有するシール部材329の復元力により切り欠き329aが広がるので、シール部材329の外周面が第2蓋部材322や容器本体311に密着し、これら第2蓋部材322と容器本体311との間の隙間は気密に塞がれる。このように、上述した超臨界処理を行っている間、第2蓋部材322は、メンテナンス用開口321を塞いだままの状態を維持するようになっている。 On the other hand, when high-pressure processing fluid is supplied to the processing space 319, the second lid member 322 opens the processing space by a gap C2 between the fitting holes 335, 333 around the maintenance opening 321 and the second lock plate 337. 319 (positive side in the Y direction). The movement of the second lid member 322 widens the gap between the second lid member 322 and the container body 311. In this case, the notch 329a expands due to the restoring force of the elastic seal member 329, so that the outer circumferential surface of the seal member 329 comes into close contact with the second lid member 322 and the container body 311. The gap between the two is airtightly closed. In this manner, the second lid member 322 keeps the maintenance opening 321 closed while the above-described supercritical treatment is being performed.

[メンテナンス時の作用]
次に、上述した超臨界処理が終了し、処理容器301のメンテナンスを行う際の作用について説明する。
[Effect during maintenance]
Next, a description will be given of the operation when maintenance of the processing container 301 is performed after the above-described supercritical processing is completed.

まず、処理空間319の内部を大気圧に開放する。次に、昇降機構326によって第1ロックプレート327を嵌入孔323、325から下方側に移動し、第1蓋部材315を開放する開放位置とする。次いで、第1蓋部材315及び保持板316を手前側(Y方向マイナス側)に移動する。これにより、保持板316は処理空間319から取り出され、第1蓋部材315は搬送口312から離間する(図8(a))。 First, the inside of the processing space 319 is opened to atmospheric pressure. Next, the first lock plate 327 is moved downward from the insertion holes 323 and 325 by the elevating mechanism 326, and is brought to an open position where the first lid member 315 is opened. Next, the first lid member 315 and the holding plate 316 are moved to the front side (the negative side in the Y direction). As a result, the holding plate 316 is taken out from the processing space 319, and the first lid member 315 is separated from the transport port 312 (FIG. 8(a)).

次に、第2ロックプレート337を嵌入孔333、335から下方側に移動して、第2蓋部材322を開放する開放位置とする。次に、第2蓋部材322を奥側(Y方向プラス側)に移動し、第2蓋部材322をメンテナンス用開口321から離間する(図8(b))。 Next, the second lock plate 337 is moved downward from the insertion holes 333 and 335 to an open position where the second lid member 322 is opened. Next, the second lid member 322 is moved to the back side (the positive side in the Y direction), and the second lid member 322 is separated from the maintenance opening 321 (FIG. 8(b)).

続いて、メンテナンス用開口321から清掃治具や工具等を挿入し、処理空間319の内部のメンテナンス作業(清掃、調整等)を行う。本実施形態においては、第2ロックプレート337を下方側に移動し、第2蓋部材322を取り外すだけで処理空間319の内部にアクセスすることが可能になるので、このようなメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、供給ポート313が第2蓋部材322に接続されているので、上記処理空間319内のメンテナンス作業と併せて、供給ポート313や開孔332のメンテナンス作業(清掃、調整等)も容易に行うことができる。 Subsequently, cleaning jigs, tools, and the like are inserted through the maintenance opening 321 to perform maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) inside the processing space 319. In this embodiment, it is possible to access the inside of the processing space 319 by simply moving the second lock plate 337 downward and removing the second lid member 322, which facilitates such maintenance work. It can be carried out. In addition, since the supply port 313 is connected to the second lid member 322, maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) of the supply port 313 and the opening 332 can be easily performed in addition to the maintenance work inside the processing space 319. be able to.

このようにしてメンテナンス作業が終了した後、上記の逆のステップで容器本体311に対して第2蓋部材322及び第1蓋部材315をそれぞれ組み付ける。すなわち、まず第2蓋部材322を手前側(Y方向マイナス側)に移動し、第2蓋部材322によってメンテナンス用開口321を覆う。次に、真空吸引管349からの吸引力により、第2蓋部材322を容器本体311側に吸引する。次いで、第2ロックプレート337を上昇させ、第2ロックプレート337を嵌入孔333、335内に嵌入することにより、第2蓋部材322を押さえるロック位置とする。これにより、メンテナンス用開口321の周囲が気密に塞がれる。 After the maintenance work is completed in this manner, the second lid member 322 and the first lid member 315 are respectively assembled to the container body 311 by performing the steps opposite to those described above. That is, first, the second lid member 322 is moved to the front side (the negative side in the Y direction), and the maintenance opening 321 is covered by the second lid member 322 . Next, the second lid member 322 is sucked toward the container body 311 by the suction force from the vacuum suction tube 349. Next, the second lock plate 337 is raised and inserted into the insertion holes 333 and 335, thereby setting the second lid member 322 in a locked position. As a result, the area around the maintenance opening 321 is airtightly closed.

次に、第1蓋部材315及び保持板316を奥側(Y方向プラス側)に移動することにより、保持板316を処理空間319内に進入させるとともに、第1蓋部材315によって搬送口312を覆う。次に、真空吸引管348からの吸引力により、第1蓋部材315を容器本体311側に吸引する。続いて、昇降機構326によって第1ロックプレート327を上昇させ、第1ロックプレート327を嵌入孔323、325に嵌入し、ロック位置とする。このようにして、搬送口312の周囲は気密に塞がれ、再び処理空間319が密閉される。その後、必要に応じて上述した超臨界処理を行う。 Next, by moving the first lid member 315 and the holding plate 316 to the back side (positive side in the Y direction), the holding plate 316 enters into the processing space 319, and the transport port 312 is closed by the first lid member 315. cover. Next, the first lid member 315 is sucked toward the container body 311 by the suction force from the vacuum suction tube 348 . Subsequently, the first lock plate 327 is raised by the elevating mechanism 326, and the first lock plate 327 is fitted into the fitting holes 323 and 325 to be in the locked position. In this way, the area around the transfer port 312 is airtightly closed, and the processing space 319 is sealed again. Thereafter, the above-mentioned supercritical treatment is performed as necessary.

以上に説明したように、本実施形態によれば、容器本体311のうち、搬送口312とは異なる位置にメンテナンス用開口321が設けられ、メンテナンス用開口321は、第2蓋部材322によって塞がれる。これにより、第2蓋部材322を取り外すだけで、容器本体311の処理空間319に容易にアクセスすることができる。この場合、容器本体311のメンテナンス作業を容易に行うことができるので、メンテナンス作業の作業効率を高めることができる。 As described above, according to the present embodiment, the maintenance opening 321 is provided in the container body 311 at a position different from the transport port 312, and the maintenance opening 321 is closed by the second lid member 322. It will be done. Thereby, simply by removing the second lid member 322, the processing space 319 of the container body 311 can be easily accessed. In this case, maintenance work on the container body 311 can be easily performed, so that the work efficiency of the maintenance work can be improved.

また、本実施形態によれば、第2蓋部材322が容器本体311内の圧力により移動することを規制する第2ロックプレート337が設けられている。これにより、第2ロックプレート337によって第2蓋部材322が移動することを防止し、容器本体311内の圧力によって第2蓋部材322がメンテナンス用開口321から外れてしまう不具合を防止することができる。 Further, according to the present embodiment, a second lock plate 337 is provided that restricts movement of the second lid member 322 due to pressure within the container body 311. This prevents the second lid member 322 from moving by the second lock plate 337, and prevents the second lid member 322 from coming off from the maintenance opening 321 due to the pressure inside the container body 311. .

また、本実施形態によれば、容器本体311に嵌入孔323、325が設けられ、第2ロックプレート337は、嵌入孔323、325に嵌入されることにより第2蓋部材322を規制する。これにより、第2ロックプレート337を嵌入孔323、325から抜き取ることにより第2蓋部材322をメンテナンス用開口321から取り外すことができる。この場合、例えばボルトを取り外す作業等を行う必要がないので、メンテナンス作業を容易に行うことができる。 Further, according to the present embodiment, the container body 311 is provided with the fitting holes 323 and 325, and the second lock plate 337 regulates the second lid member 322 by being fitted into the fitting holes 323 and 325. Thereby, the second lid member 322 can be removed from the maintenance opening 321 by pulling out the second lock plate 337 from the insertion holes 323 and 325. In this case, for example, there is no need to perform work such as removing bolts, so maintenance work can be easily performed.

さらに、本実施形態によれば、第2蓋部材322に、供給ポート313を介して、容器本体311内に処理流体を供給する第1供給ライン63を接続している。これにより、第2蓋部材322をメンテナンス用開口321から取り外した際に、供給ポート313等、処理流体を供給するための部材についてのメンテナンス作業も併せて行うことができる。 Further, according to this embodiment, the first supply line 63 that supplies the processing fluid into the container body 311 is connected to the second lid member 322 via the supply port 313. Thereby, when the second lid member 322 is removed from the maintenance opening 321, maintenance work on members for supplying processing fluid, such as the supply port 313, can also be performed.

さらに、本実施形態によれば、メンテナンス用開口321は、搬送口312に対向する位置に設けられている。これにより、容器本体311の圧力が高められた際にメンテナンス用開口321等の特定の箇所に応力が集中することを防止し、容器本体311の耐久性を高めることができる。 Furthermore, according to this embodiment, the maintenance opening 321 is provided at a position facing the transport port 312. This prevents stress from concentrating on specific locations such as the maintenance opening 321 when the pressure of the container body 311 is increased, and the durability of the container body 311 can be increased.

さらに、本実施形態によれば、容器本体311の底面に、底面側流体供給部341を介して、容器本体311内に処理流体を供給する第2供給ライン64を接続している。これにより、補助的にウエハWの裏面側からも処理流体を容器本体311内に供給することができるので、処理容器301への処理流体の供給プロセスを多様化することができる。例えば、底面側流体供給部341を、処理容器301への処理流体の供給開始当初等、処理流体を低流速でウエハWに供給する際に用いても良く、この場合、ウエハWのパターン部の倒壊をより確実に防止することができる。 Further, according to this embodiment, the second supply line 64 that supplies the processing fluid into the container body 311 is connected to the bottom surface of the container body 311 via the bottom side fluid supply section 341 . As a result, the processing fluid can be supplementarily supplied into the container body 311 from the back side of the wafer W, so that the process of supplying the processing fluid to the processing container 301 can be diversified. For example, the bottom side fluid supply section 341 may be used when supplying the processing fluid to the wafer W at a low flow rate, such as at the beginning of supplying the processing fluid to the processing container 301. Collapse can be more reliably prevented.

[処理容器の変形例]
次に、図9により超臨界処理装置3の処理容器301の変形例について説明する。図9は、処理容器301の変形例を示す側面図である。図9において、図1乃至図8に示す実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。
[Modified example of processing container]
Next, a modification of the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3 will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a side view showing a modification of the processing container 301. In FIG. 9, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 8 are given the same reference numerals.

図9において、処理容器301は、チャンバーベース402上に載置され、チャンバーベース402は、メインベース401の上方において、メインベース401に対して離間して配置されている。このメインベース401は、処理容器301を設置する基準となる部材であり、例えば洗浄処理システム1内で水平に固定されている。メインベース401とチャンバーベース402との間には、複数の水準調整機構403、404が設けられている。これら水準調整機構403、404は、メインベース401に対する処理容器301及びチャンバーベース402の位置水準(角度や高さ位置)を微調整するものであり、処理容器301の下方に位置する第1水準調整機構403と、処理容器301から平面方向に離れて位置する第2水準調整機構404とから構成されている。このうち第1水準調整機構403は、主として重量物である処理容器301を支持するとともにその高さ方向位置を調整するものであり、第2水準調整機構404よりも高い耐荷重性を有している。なお、第1水準調整機構403は、図9では1つのみ図示しているが、複数の第1水準調整機構403が設けられていても良い。また、第2水準調整機構404は、チャンバーベース402全体の水準を調整するものである。図9では、4つの第2水準調整機構404が図示されているが、第2水準調整機構404の数はこれに限られるものではない。 In FIG. 9, the processing container 301 is placed on a chamber base 402, and the chamber base 402 is arranged above the main base 401 and apart from the main base 401. This main base 401 is a member that serves as a reference for installing the processing container 301, and is fixed horizontally within the cleaning processing system 1, for example. A plurality of level adjustment mechanisms 403 and 404 are provided between the main base 401 and the chamber base 402. These level adjustment mechanisms 403 and 404 finely adjust the position level (angle and height position) of the processing container 301 and chamber base 402 with respect to the main base 401, and are a first level adjustment mechanism located below the processing container 301. It consists of a mechanism 403 and a second level adjustment mechanism 404 located apart from the processing container 301 in the plane direction. Among these, the first level adjustment mechanism 403 mainly supports the processing container 301, which is a heavy object, and adjusts its height direction position, and has a higher load capacity than the second level adjustment mechanism 404. There is. Although only one first level adjustment mechanism 403 is shown in FIG. 9, a plurality of first level adjustment mechanisms 403 may be provided. Further, the second level adjustment mechanism 404 adjusts the level of the entire chamber base 402. Although four second level adjustment mechanisms 404 are illustrated in FIG. 9, the number of second level adjustment mechanisms 404 is not limited to this.

また、図9において、処理容器301の容器本体311は、全体として1つのブロック状に形成されている。容器本体311のうち、処理空間319の上方及び下方には、それぞれ2つずつヒーター用開口411が形成されている。各ヒーター用開口411は、搬送口312の長手方向(図9の紙面に垂直な方向)に沿って細長く延在している。各ヒーター用開口411には、それぞれ細長いヒーター用ブロック412が遊挿されている。すなわちヒーター用ブロック412の長手方向に垂直な断面形状は、ヒーター用開口411よりもわずかに小さく形成されており、これにより、ヒーター用ブロック412は、ヒーター用開口411に対して挿脱自在となっている。各ヒーター用ブロック412には、例えば抵抗発熱体からなる細長いヒーター345が設けられている。このヒーター345からの熱は、ヒーター用ブロック412を介して容器本体311に対して伝達される。なお、各ヒーター用ブロック412は、アルミニウム等の熱伝導性の良好な金属からなっていることが好ましい。 Further, in FIG. 9, the container body 311 of the processing container 301 is formed into one block shape as a whole. In the container body 311, two heater openings 411 are formed above and below the processing space 319, respectively. Each heater opening 411 extends in an elongated manner along the longitudinal direction of the transport port 312 (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 9). An elongated heater block 412 is loosely inserted into each heater opening 411, respectively. That is, the cross-sectional shape of the heater block 412 perpendicular to the longitudinal direction is formed to be slightly smaller than the heater opening 411, so that the heater block 412 can be inserted into and removed from the heater opening 411. ing. Each heater block 412 is provided with an elongated heater 345 made of, for example, a resistance heating element. Heat from this heater 345 is transmitted to the container body 311 via the heater block 412. Note that each heater block 412 is preferably made of a metal with good thermal conductivity, such as aluminum.

容器本体311の天面には、複数のタップ穴414が貫通形成され、各タップ穴414には、ボルト又はねじ等の押し付け部材413が螺着されている。そして各押し付け部材413をタップ穴414に対してねじ込んでいくことにより、押し付け部材413の先端がヒーター用ブロック412を下方に押圧する。これにより、ヒーター用ブロック412が、容器本体311に対して動かないように固定される。この場合、ヒーター用ブロック412の位置がヒーター用ブロック412の長手方向(図9の紙面に垂直な方向)に若干ずれていても、容器本体311にヒーター用ブロック412を確実に固定することができる。また、ヒーター用ブロック412が下方に押圧されることにより、ヒーター用ブロック412の下面が容器本体311に対して確実に密着するので、ヒーター345からの熱を容器本体311に対して効率的に伝達することができる。なお、図示していないが、容器本体311の底面における構成も略同様である。すなわち、容器本体311の底面に複数のタップ穴が貫通形成され、各タップ穴に螺着された押し付け部材によって、ヒーター用ブロック412が上方に押圧されている。 A plurality of tapped holes 414 are formed through the top surface of the container body 311, and a pressing member 413 such as a bolt or screw is screwed into each tapped hole 414. Then, by screwing each pressing member 413 into the tapped hole 414, the tip of the pressing member 413 presses the heater block 412 downward. Thereby, the heater block 412 is fixed so as not to move relative to the container body 311. In this case, even if the position of the heater block 412 is slightly shifted in the longitudinal direction of the heater block 412 (direction perpendicular to the paper surface of FIG. 9), the heater block 412 can be securely fixed to the container body 311. . Furthermore, by pressing the heater block 412 downward, the lower surface of the heater block 412 is securely brought into close contact with the container body 311, so that heat from the heater 345 is efficiently transferred to the container body 311. can do. Although not shown, the bottom surface of the container body 311 has substantially the same structure. That is, a plurality of tap holes are formed through the bottom surface of the container body 311, and the heater block 412 is pressed upward by a pressing member screwed into each tap hole.

次に、図10により超臨界処理装置3の処理容器301の他の変形例について説明する。図10は、処理容器301の他の変形例を示す断面図である。図10において、図1乃至図8に示す実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。 Next, another modification of the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a sectional view showing another modification of the processing container 301. In FIG. 10, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 8 are given the same reference numerals.

図10において、容器本体311内の搬送口312側には、流体排出ヘッダー318(図2及び図3)に代えて、流体排出管501が設けられている。この場合、流体排出管501は、略円筒状の部材からなっている。また、搬送口312側近傍における処理空間319の底面に、搬送口312の長手方向(X方向)に沿って細長い収容溝502が形成されている。流体排出管501は、この収容溝502に対して着脱可能に収容されている。流体排出管501には、多数の開孔503が長手方向に沿って略等間隔に設けられている。この流体排出管501は、容器本体311内の流体を排出する流体排出部として機能するものであり、処理空間319内の流体は、開孔503を介して容器本体311の外方に排出される。 In FIG. 10, a fluid discharge pipe 501 is provided on the transport port 312 side within the container body 311 in place of the fluid discharge header 318 (FIGS. 2 and 3). In this case, the fluid discharge pipe 501 is made of a substantially cylindrical member. Furthermore, an elongated accommodation groove 502 is formed along the longitudinal direction (X direction) of the transport port 312 on the bottom surface of the processing space 319 near the transport port 312 side. The fluid discharge pipe 501 is removably housed in the housing groove 502 . A large number of holes 503 are provided in the fluid discharge pipe 501 at approximately equal intervals along the longitudinal direction. This fluid discharge pipe 501 functions as a fluid discharge part for discharging the fluid in the container body 311, and the fluid in the processing space 319 is discharged to the outside of the container body 311 through the opening 503. .

流体排出管501の両端部には、それぞれ円形の固定リング504が取り付けられている。なお、図10においては、1つの固定リング504のみを示している。固定リング504のうち容器本体311側を向く面には、取付孔505が形成され、取付孔505は、外側開口部506と連通している。流体排出管501の一端部は、取付孔505に挿入されており、取付孔505内に配置されたパッキン507によって、流体排出管501と外側開口部506とが気密に密着されている。さらに外側開口部506の周囲において、排出ポート314が固定リング504に例えば溶接により固定されている。このようにして、処理空間319からの流体は、流体排出管501、取付孔505、外側開口部506及び排出ポート314を順次介して、外方に排出されるようになっている。 Circular fixing rings 504 are attached to both ends of the fluid discharge pipe 501, respectively. Note that in FIG. 10, only one fixing ring 504 is shown. A mounting hole 505 is formed in the surface of the fixing ring 504 facing the container body 311 side, and the mounting hole 505 communicates with an outer opening 506 . One end of the fluid discharge pipe 501 is inserted into the attachment hole 505, and the fluid discharge pipe 501 and the outer opening 506 are brought into airtight contact with the packing 507 disposed in the attachment hole 505. Furthermore, around the outer opening 506, a discharge port 314 is fixed to the fixing ring 504, for example by welding. In this way, the fluid from the processing space 319 is discharged to the outside through the fluid discharge pipe 501, the attachment hole 505, the outer opening 506, and the discharge port 314 in this order.

各固定リング504は、容器本体311の側面に形成された陥凹部508にそれぞれ収容され、ボルト等の取付部材511によって容器本体311に固定されている。また固定リング504のうち容器本体311側の面にパッキン509が嵌め込まれており、このパッキン509により固定リング504と容器本体311とが気密に密着されている。 Each fixing ring 504 is accommodated in a recess 508 formed in the side surface of the container body 311, and is fixed to the container body 311 by a mounting member 511 such as a bolt. A packing 509 is fitted into the surface of the fixing ring 504 on the side of the container body 311, and the packing 509 brings the fixing ring 504 and the container body 311 into airtight contact.

図10において、固定リング504を容器本体311から取り外すことにより、流体排出管501を容器本体311から取り外すことができる。これにより、流体排出管501の清掃作業や交換作業を簡単に実施することができる。また、流体排出管501の開孔503を容易に形成することができる。 In FIG. 10, the fluid discharge tube 501 can be removed from the container body 311 by removing the fixing ring 504 from the container body 311. Thereby, cleaning and replacement of the fluid discharge pipe 501 can be easily performed. Further, the opening 503 of the fluid discharge pipe 501 can be easily formed.

本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も含みうるものであり、本発明によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本発明の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments and modified examples, and may include various aspects with various modifications that can be thought of by those skilled in the art, and the effects achieved by the present invention are not limited to the above-described embodiments and modifications. This is not limited to the following matters. Therefore, various additions, changes, and partial deletions can be made to each element described in the claims and specification without departing from the technical idea and gist of the present invention.

例えば、乾燥処理に用いられる処理流体はCO以外の流体であってもよく、基板の凹部に液盛りされた乾燥防止用の液体を超臨界状態で除去可能な任意の流体を処理流体として用いることができる。また乾燥防止用の液体もIPAには限定されず、乾燥防止用液体として使用可能な任意の液体を使用することができる。 For example, the processing fluid used in the drying process may be a fluid other than CO 2 , and any fluid that can remove the drying prevention liquid filled in the recess of the substrate in a supercritical state may be used as the processing fluid. be able to. Further, the liquid for preventing drying is not limited to IPA, and any liquid that can be used as a liquid for preventing drying can be used.

また、上記において、メンテナンス用開口321は、搬送口312の開口と同等の大きさの開口としたが、メンテナンス用開口321の大きさ、形状については、これに限定されるものではない。メンテナンス用開口321は、例えば、容器本体311に収容されたウエハWが取り出すことができる大きさ又は形状、また、割れたウエハWの破片を取り出すことができる大きさ又は形状に設けられてよく、また、清掃治具や工具等を挿入し、処理空間319の内部のメンテナンス作業(清掃、調整等)を行うことができる大きさ又は形状とすることができる。 Furthermore, in the above description, the maintenance opening 321 has the same size as the opening of the transport port 312, but the size and shape of the maintenance opening 321 are not limited to this. The maintenance opening 321 may be provided with a size or shape that allows the wafer W housed in the container body 311 to be taken out, or a size or shape that allows the fragments of the broken wafer W to be taken out, for example. Further, the size or shape may be such that cleaning jigs, tools, and the like can be inserted to perform maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) inside the processing space 319.

また上述の実施形態及び変形例では、基板処理装置及び基板処理方法に本発明が適用されているが、本発明の適用対象は特に限定されない。例えば、上述の基板処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムや、そのようなプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な非一時的な記録媒体に対しても本発明は適用可能である。 Further, in the above-described embodiments and modified examples, the present invention is applied to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, but the subject matter to which the present invention is applied is not particularly limited. For example, the present invention is applicable to a program for causing a computer to execute the above-described substrate processing method, and a computer-readable non-transitory recording medium recording such a program.

3 超臨界処理装置
301 処理容器
311 容器本体
312 搬送口
313 供給ポート
314 排出ポート
315 第1蓋部材
316 保持板
318 流体排出ヘッダー
319 処理空間
321 メンテナンス用開口(開口)
322 第2蓋部材
327 第1ロックプレート
337 第2ロックプレート
W ウエハ
3 Supercritical processing apparatus 301 Processing container 311 Container main body 312 Transfer port 313 Supply port 314 Discharge port 315 First lid member 316 Holding plate 318 Fluid discharge header 319 Processing space 321 Maintenance opening (opening)
322 Second lid member 327 First lock plate 337 Second lock plate W Wafer

Claims (3)

基板処理装置において、
基板を収容するとともに、前記基板に対して高圧の処理流体を用いて処理を行う処理空間を有する構造体である容器本体と、
前記容器本体内に前記基板を搬入および搬出するための搬送口と、
前記容器本体のうち、前記搬送口とは異なる位置に設けられた開口と、
前記開口を塞ぐ蓋部材と、を備え、
前記容器本体には、少なくとも2つのヒーターが設けられ、前記少なくとも2つのヒーターは、前記処理空間を挟む位置に設けられ
前記容器本体には、ヒーター用開口が形成され、前記ヒーターは、前記ヒーター用開口に対して挿脱自在となっており、
前記ヒーターは、ヒーター用ブロックに設けられ、前記ヒーター用ブロックは、前記ヒーター用開口に遊挿されている、基板処理装置。
In the substrate processing equipment,
a container body that is a structure that houses a substrate and has a processing space in which the substrate is processed using a high-pressure processing fluid;
a transport port for loading and unloading the substrate into the container body;
an opening provided in the container body at a position different from the transport port;
comprising a lid member that closes the opening,
The container main body is provided with at least two heaters, the at least two heaters are provided at positions sandwiching the processing space ,
A heater opening is formed in the container body, and the heater can be inserted into and removed from the heater opening,
A substrate processing apparatus , wherein the heater is provided in a heater block, and the heater block is loosely inserted into the heater opening .
前記基板の搬入および搬出方向に沿って複数のヒーターが設けられている、請求項1に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of heaters are provided along the loading and unloading directions of the substrate. 前記ヒーター用ブロックは、押し付け部材によって押圧されている、請求項1又は2に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2 , wherein the heater block is pressed by a pressing member.
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