JP7348486B2 - 発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 64
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 160
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 160
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 149
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 claims 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical compound O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Description
本開示は、発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法に関する。
従来、基板上に発光素子を載置した発光装置が知られている。例えば、特許文献１には、側面と底面を備えた凹部を有し、凹部の底面に素子載置領域を取り囲む溝部を備えたパッケージと、凹部の側面から溝部の外側上端縁まで連続して形成された光反射性樹脂と、を備える発光装置が開示されている。また、例えば、特許文献２には、側面と底面を備えた凹部を有し、凹部の底面に配置された発光素子の周囲に断続的に溝部が形成された積層基板と、積層基板の溝部によってせき止められ、溝部の外側に形成された光反射性樹脂と、を備える発光装置が開示されている。
上記特許文献の技術では、発光効率について、更なる改善の余地がある。
本開示に係る実施形態は、発光効率が高い発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
本開示に係る実施形態は、発光効率が高い発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、基板と、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するように前記基板上に設けられためっき下地層と、前記第１領域を囲む溝部を備えためっき層と、を備える配線パターンを有する配線基板を準備する工程と、前記第１領域に前記発光素子を載置する工程と、前記溝部内に第１反射材を含有する第１樹脂を充填する工程と、前記第１樹脂に遠心力をかけ、前記第１樹脂に含有される前記第１反射材を沈降させて、前記溝部内に設けられる前記第１反射材を含有する含有層と前記含有層の上方に配置される透光層とを有する第１被覆部材を形成する工程と、前記第１被覆部材及び前記発光素子上に光透過性部材を形成する工程と、を含む。
本開示の実施形態に係る発光装置は、基板と、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するように前記基板上に設けられためっき下地層と、前記第１領域を囲む溝部を備えためっき層と、を含む配線基板と、前記第１領域に載置された前記発光素子と、少なくとも前記溝部内に設けられる第１被覆部材と、前記第１被覆部材及び前記発光素子上に設けられた光透過性部材と、を備え、前記第１被覆部材は、前記溝部内に設けられる第１反射材を含有する含有層と、前記含有層の上方に配置される透光層と、を備える。
本開示の実施形態に係る素子載置用配線基板は、基板と、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するように前記基板上に設けられためっき下地層と、前記第１領域を囲む溝部を備えためっき層と、を備える配線パターンと、を備える。
本開示の実施形態に係る素子載置用配線基板の製造方法は、基板上に、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するようにめっき下地層を形成する工程と、前記めっき下地層上にめっき層を形成し、前記隙間部に前記めっき層の溝部を形成する工程と、を含む。
本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法は、発光効率が高い発光装置を製造することができる。
本開示に係る実施形態の発光装置は、発光効率を高くすることができる。
本開示に係る実施形態の素子載置用配線基板は、発光効率の高い前記発光装置に用いることができる。
本開示に係る実施形態の素子載置用配線基板の製造方法は、発光効率の高い前記発光装置に用いる素子載置用配線基板を製造することができる。
本開示に係る実施形態の発光装置は、発光効率を高くすることができる。
本開示に係る実施形態の素子載置用配線基板は、発光効率の高い前記発光装置に用いることができる。
本開示に係る実施形態の素子載置用配線基板の製造方法は、発光効率の高い前記発光装置に用いる素子載置用配線基板を製造することができる。
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
《実施形態》
［発光装置］
図１Ａは、実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における断面図である。図１Ｃは、実施形態に係る発光装置の構成の一部を拡大して模式的に示す断面図である。図１Ｄは、実施形態に係る発光装置の構成の一部において、溝部と発光素子との位置関係を拡大して模式的に示す断面図である。なお、図１Ａは、溝部の最深部を符号１７で図示している。
［発光装置］
図１Ａは、実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における断面図である。図１Ｃは、実施形態に係る発光装置の構成の一部を拡大して模式的に示す断面図である。図１Ｄは、実施形態に係る発光装置の構成の一部において、溝部と発光素子との位置関係を拡大して模式的に示す断面図である。なお、図１Ａは、溝部の最深部を符号１７で図示している。
発光装置１００は、基板２と、発光素子２０を載置する領域である第１領域１５を囲む隙間部１６を有するように基板２上に設けられためっき下地層３と、第１領域１５を囲む溝部１７を備えためっき層４と、を含む配線基板１２と、第１領域１５に載置された発光素子２０と、少なくとも溝部１７内に設けられる第１被覆部材３０と、第１被覆部材３０及び発光素子２０上に設けられた光透過性部材５０と、を備えている。更に、発光装置１００は、第１被覆部材３０が、溝部１７内に設けられる第１反射材を含有する含有層３０ａと、含有層３０ａの上方に配置される透光層３０ｂと、を備えている。
ここで、第１領域１５とは、配線基板１２の上面における発光素子２０を載置するための領域であり、隙間部１６及び隙間部１６上方に位置するめっき層４の溝部１７により、その領域が画定される。このような溝部１７の配置によって、発光素子２０をはんだ等の接合部材によって載置する際に、セルフアライメント効果によって、発光素子２０を第１領域１５内に精度良く配置することができる。第１領域１５は、隙間部１６の外縁及び溝部１７の外縁（つまり溝部１７の外側上端縁１７ｂ）が囲む領域であればよい。ここでは、平面視で第１領域１５の外縁は、溝部１７の最深部と重複する。
つまり、発光装置１００は、配線基板１２と、発光素子２０と、第１被覆部材３０と、第２被覆部材４０と、光透過性部材５０と、を備えている。
更に、配線基板１２は、基板２と、めっき下地層３とめっき層４とで形成された配線パターン６と、を備える。
以下、発光装置１００の各構成について説明する。
更に、配線基板１２は、基板２と、めっき下地層３とめっき層４とで形成された配線パターン６と、を備える。
以下、発光装置１００の各構成について説明する。
発光装置１００は、基板２からなる底面と底面を囲む側壁５による側面とからなる凹部１８を有するパッケージ１０を備えている。凹部１８の開口は、例えば、平面視において角部を湾曲させた略矩形状に形成されている。基板２は、例えば、平面視が略矩形状に形成され、矩形の４つの角を円弧状に切り欠いたような形状に形成している。
側壁５は、基板２の上面側の周縁に形成されている。側壁５は、第１側壁部５ａと、この第１側壁部５ａに連なる第２側壁部５ｂと、を基板２側から順に備えている。
基板２、第１側壁部５ａ、第２側壁部５ｂは、段差が内側に形成されるように設けられている。第１側壁部５ａ及び第２側壁部５ｂは、外周側面を同一な側面とし、内周側面が第２側壁部５ｂよりも第１側壁部５ａが内側に位置するように形成されている。第１側壁部５ａが第２側壁部５ｂよりも内側に位置することで、第２被覆部材４０との密着性を向上させることができる。なお、凹部１８の側面は段差ではなく底面から開口に向かって幅が大きくなる傾斜面であってもよい。第２側壁部５ｂ上の２つの角部には、発光装置の極性を示す極性マーク１１が形成されている。
側壁５は、基板２の上面側の周縁に形成されている。側壁５は、第１側壁部５ａと、この第１側壁部５ａに連なる第２側壁部５ｂと、を基板２側から順に備えている。
基板２、第１側壁部５ａ、第２側壁部５ｂは、段差が内側に形成されるように設けられている。第１側壁部５ａ及び第２側壁部５ｂは、外周側面を同一な側面とし、内周側面が第２側壁部５ｂよりも第１側壁部５ａが内側に位置するように形成されている。第１側壁部５ａが第２側壁部５ｂよりも内側に位置することで、第２被覆部材４０との密着性を向上させることができる。なお、凹部１８の側面は段差ではなく底面から開口に向かって幅が大きくなる傾斜面であってもよい。第２側壁部５ｂ上の２つの角部には、発光装置の極性を示す極性マーク１１が形成されている。
基板２及び側壁５としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂、セラミクッス、ガラス等を用いることができる。なお、基板２及び側壁５にセラミックスを用いる場合には、特に、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、炭化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることが好ましい。パッケージ１０としてセラミックパッケージを用いることで、パッケージ１０の耐久性を向上させることができる。その他、基板２及び側壁５としては、例えば、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、又は、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又は、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
めっき下地層３は、基板２上に設けられている。図３Ａ、図３Ｂに示すように、めっき下地層３は、第１領域１５を囲む隙間部１６を有している。ここでは、平面視で第１領域１５の外縁が隙間部１６上に位置している。すなわち、隙間部１６が第１領域１５を囲むとは、第１領域１５の外縁が隙間部１６上に位置することを含むものである。めっき下地層３が隙間部１６を有することによって、めっき下地層３の表面にめっき層４を形成する際に、めっき下地層３の側面を被覆するめっき層４が隙間部１６に入り込み、溝部１７を形成することができる。また、めっき下地層３は、第１領域１５内において、離隔部１３を有し、離隔部１３で離隔された正負一対の電極を構成する。この場合、隙間部１６は、離隔部１３を介して第１領域１５のを囲むものである。なお、離隔部１３を挟んで対向するめっき下地層３の側面もめっき層４で被覆されるため、第１領域１５においては、隙間部１６の幅よりも大きい幅、つまりめっき層４同士が接触しない程度の幅の離隔部１３を挟んでめっき下地層３が形成されている。
隙間部１６及び離隔部１３は、めっき下地層から基板２が露出している。
隙間部１６及び離隔部１３は、めっき下地層から基板２が露出している。
第１領域１５を囲む隙間部１６は、平面視において、連続する１つの隙間部であってもよいし、図３Ａに示すように断続的に形成される複数の隙間部１６であってもよい。つまり、第１領域１５に配置されるめっき下地層３と、第１領域１５を除く領域に配置されるめっき下地層３とは、隙間部１６によって完全に分離されていてもよいし、それぞれの一部が繋がっていてもよい。
隙間部１６の幅は、めっき層４の厚みの１倍以上２倍未満が好ましい。隙間部の幅がめっき層４の厚みの１倍以上であれば、溝部１７が形成し易く、また、溝部１７を深くし易くなる。一方、めっき層４の厚みの２倍未満であれば、溝部１７が形成し易く、また、溝部１７の幅を広げ易くなる。
めっき下地層３の厚みは、５μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。めっき下地層３の厚みが５μｍ以上であれば、溝部１７が形成し易く、また、溝部１７を深くし易くなる。一方、２０μｍ以下であれば、めっき層４を形成し易くなる。
めっき下地層３としては、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、又は、これらの一種を含む合金を用いることができる。
めっき下地層３の厚みは、５μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。めっき下地層３の厚みが５μｍ以上であれば、溝部１７が形成し易く、また、溝部１７を深くし易くなる。一方、２０μｍ以下であれば、めっき層４を形成し易くなる。
めっき下地層３としては、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、又は、これらの一種を含む合金を用いることができる。
めっき層４は、めっき下地層３を被覆するように設けられている。めっき層４は、めっき層４の表面に、第１領域１５を囲む溝部１７を備えている。ここでは、平面視で第１領域１５の外縁が溝部１７上に位置している。すなわち、溝部１７が第１領域１５を囲むとは、第１領域１５の外縁が溝部１７上に位置することを含むものである。めっき層４が溝部１７を備えることで、発光装置１００の製造において発光素子２０を第１領域１５に載置する際に、セルフアライメントの効果を向上させることができる。溝部１７は、ここでは、図４Ａに示すように、平面視で離隔部１３を介して矩形環状に第１領域１５を囲んでいる。ただし、溝部１７は、第１領域１５を円環状、菱形環状等のその他の形状で囲んでもよい。
溝部１７は、めっき下地層３上に形成されるめっき層４同士が接触する部位で生じる窪みである。発光装置１００は、溝部１７が形成される部位でめっき層４同士が接触しているため、めっき下地層３が隙間部１６により完全に分離されていても、接触するめっき層４を介して隣接するめっき下地層３同士を導通することができる。また、図４Ａに示すように、発光装置１００は、めっき層４同士が接触することで、配線パターン６全体の面積が大きくなるため、より良い放熱性が確保される。
溝部１７はめっき下地層３の対向する側面を被覆するめっき層４同士が接することにより形成されるため、溝部１７の側面は、内側に凸の曲面として形成されやすい。
溝部１７はめっき下地層３の対向する側面を被覆するめっき層４同士が接することにより形成されるため、溝部１７の側面は、内側に凸の曲面として形成されやすい。
発光素子２０が配線パターン６上にフリップチップ実装される場合、溝部１７は、溝部１７の第１領域１５側の端部である内側上端縁１７ａが発光素子２０の下面に形成された一対の素子電極２３，２４の側面（例えば、図１Ｄに示す素子電極２４の側面２４ａ）の直下の部位に位置するか、溝部１７の内側上端縁１７ａが一対の素子電極２３，２４の側面の直下の部位よりも若干外側に位置するように形成されていることが好ましい。溝部１７の内側上端縁１７ａが一対の素子電極２３，２４の側面の直下の部位に近くなるほど、セルフアライメントの効果をより向上させることができる。一方、溝部１７の内側上端縁１７ａが一対の素子電極２３，２４の側面の直下の部位よりも外側に位置するように形成されていれば、発光素子２０を第１領域１５に安定して載置し易くなる。
溝部１７は、発光素子２０に近接して設けられることが好ましい。具体的には、溝部１７は、発光素子２０からの距離が１０μｍ以下の位置に形成されていることが好ましい。すなわち、発光素子２０の側面２０ａと溝部１７の内側上端縁１７ａとの距離が１０μｍ以下となるように形成されていることが好ましい。発光素子２０からの距離が１０μｍ以下であれば、発光素子２０からの光が含有層３０ａで反射され易くなり、発光効率が向上する。なお、発光効率をより向上させ易くする場合は、溝部１７は、発光素子２０により近いほうが好ましく、発光素子２０の側面２０ａが溝部１７の内側上端縁１７ａと外側上端縁１７ｂとの間に位置するように形成されていることがより好ましい。
つまり、溝部１７の外側上端縁１７ｂが、平面視で発光素子２０の側面２０ａより外側に位置していれば、発光素子２０の側面２０ａの直下は溝部１７上に位置していてもよい。この場合、発光素子２０の実装性及び放熱性を考慮して、発光素子２０の側面２０ａと溝部１７の内側上端縁１７ａとの距離α１は、５０μｍ以下の距離とすることが好ましい。また、含有層３０ａによる発光素子２０からの光の反射を考慮して、平面視で、溝部１７の最深部が、発光素子２０の側面２０ａの直下の部位に位置するか、発光素子２０の側面２０ａの直下の部位よりも１０μｍ程度外側にあることが好ましい。なお、溝部１７は、図１Ｄでは、発光素子２０の側面２０ａの直下の部位が溝部１７の幅方向の中央に位置するように形成されている。従って、溝部１７は、発光素子２０の側面２０ａの直下に形成されているといえる。
本実施形態では、一対の素子電極２３，２４の側面の直下の部位が溝部１７の内側上端縁１７ａの近傍に位置しており、発光素子２０の側面２０ａの直下の部位は溝部１７上に位置している。これにより、発光装置１００は、セルフアライメントの効果を向上させると共に発光効率を向上させることができる。
本実施形態では、一対の素子電極２３，２４の側面の直下の部位が溝部１７の内側上端縁１７ａの近傍に位置しており、発光素子２０の側面２０ａの直下の部位は溝部１７上に位置している。これにより、発光装置１００は、セルフアライメントの効果を向上させると共に発光効率を向上させることができる。
なお、溝部１７の上端縁とは、めっき層４の上面において、溝部１７の湾曲が始まる付近の部位であり、基板２の上面からめっき層４の上面までの高さが変化する境目付近の部位である。具体的には、溝部１７の湾曲部において基板２の上面からめっき層４の上面までの高さの違いが５μｍ以上１０μｍ以下の範囲の部位であり、より具体的には高さの違いが５μｍの部位とすればよい。また、別の観点から、溝部１７の上端縁は、めっき下地層３と隙間部１６との境界としてもよい。
第１領域１５を囲む溝部１７の幅は、離隔部１３を除く全周に亘って略同じ幅で形成されている。なお、溝部１７の幅は、部分的に狭くなっていても太くなっていてもよい。溝部１７の幅は、３０μｍ以上１５０μｍ以下が好ましい。溝部１７の幅が３０μｍ以上であれば、後記する含有層３０ａが溝部１７内に収納され易くなる。一方、１５０μｍ以下であれば、第１被覆部材３０の量を低減することができる。なお、ここでの溝部１７の幅とは、溝部１７の開口部（めっき層４の上面に平行な部位）から深さの１／２の領域における溝部１７の幅である。溝部１７の深さの１／２から溝部１７の先端における幅は、上記幅より広くてもよい。
溝部１７の深さは、１５μｍ以上７５μｍ以下が好ましい。溝部１７の深さが１５μｍ以上であれば、後記する含有層３０ａが溝部１７内に収納され易くなり、また、第１反射材を沈降させ易くなる。一方、７５μｍ以下であれば、第１被覆部材３０の量を低減することができる。なお、ここでの溝部１７の深さとは、溝部１７の開口部（めっき層４の上面に平行な部位）から溝部１７の最深部の深さまでの距離である。
溝部１７の深さは、１５μｍ以上７５μｍ以下が好ましい。溝部１７の深さが１５μｍ以上であれば、後記する含有層３０ａが溝部１７内に収納され易くなり、また、第１反射材を沈降させ易くなる。一方、７５μｍ以下であれば、第１被覆部材３０の量を低減することができる。なお、ここでの溝部１７の深さとは、溝部１７の開口部（めっき層４の上面に平行な部位）から溝部１７の最深部の深さまでの距離である。
めっき層４は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、又は、これらの一種を含む合金を用いることができる。めっき層４がこれらの材料であれば、発光素子２０から基板２側に出射される光の反射率をより高めることができる。
めっき層４の厚みは、放熱性の観点から３０μｍ以上であることが好ましく、また発光素子２０を載置する際のセルフアライメント性を考慮して１００μｍ以下であることが好ましい。
めっき層４の厚みは、放熱性の観点から３０μｍ以上であることが好ましく、また発光素子２０を載置する際のセルフアライメント性を考慮して１００μｍ以下であることが好ましい。
発光素子２０は、電圧を印加すると自ら発光する半導体素子である。発光素子２０は、ここでは、透光性の支持基板２１と支持基板２１上に形成された半導体層２２を含む（図面では発光素子２０がフリップチップ実装された様態を示しているため、上下が逆になっている）。支持基板２１は絶縁性のものを使用できる他、導電性のものも使用することができる。発光素子２０の形状や大きさ等は任意のものを選択できる。発光素子２０の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０～４９０ｎｍの光）、緑色（波長４９５～５６５ｎｍの光）の発光素子２０としては、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ等を用いたものを使用することができる。赤色（波長６１０～７００ｎｍの光）の発光素子２０としては、窒化物系半導体素子の他にもＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ等を用いることができる。
発光素子２０の厚み（例えば支持基板２１の下面から半導体層２２の上面までの高さ）は、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
発光素子２０は、半導体層２２の表面に正負の素子電極２３，２４を備え、パッケージ１０の凹部１８の底面でフリップチップ実装されている。
発光素子２０の厚み（例えば支持基板２１の下面から半導体層２２の上面までの高さ）は、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
発光素子２０は、半導体層２２の表面に正負の素子電極２３，２４を備え、パッケージ１０の凹部１８の底面でフリップチップ実装されている。
第１被覆部材３０は、溝部１７内に設けられる部材である。第１被覆部材３０は、第１反射材を含有する第１樹脂により形成されている。ここでは、第１被覆部材３０は、第１反射材を含有する含有層３０ａと、第１反射材を含有しない透光層３０ｂとがこの順に溝部１７の底面側から設けられている。含有層３０ａが溝部１７内に設けられていることで、例えば、一対の素子電極２３，２４の高さが低い場合や、発光素子２０をフェイスアップ実装した場合に、発光素子２０の側面２０ａを含有層３０ａが被覆しないようにすることができる。これにより、発光素子２０からの光をより取り出し易くなり、発光装置１００の発光効率が向上する。
なお、ここでは、めっき層４上にも、含有層３０ａと透光層３０ｂとをこの順に有する第１被覆部材３０が形成されている。
なお、ここでは、めっき層４上にも、含有層３０ａと透光層３０ｂとをこの順に有する第１被覆部材３０が形成されている。
含有層３０ａは第１反射材が沈降してできた層であり、第１被覆部材３０の深さ方向において、第１反射材が高濃度に配置される領域である。透光層３０ｂは第１反射材が沈降することにより上方にできる樹脂を主体とする層である。つまり、透光層３０ｂは、含有層３０ａの上方に配置されているが、含有層３０ａと透光層３０ｂとの間には明確な界面は形成されていない。
なお、含有層３０ａは、発光素子２０の側面２０ａを被覆しないように設けられることが好ましい。このような構成によれば、発光素子２０の側面２０ａからの光取り出し効率が向上する。透光層３０ｂは発光素子２０の側面２０ａを被覆していてもよいが、発光素子２０の側面２０ａからの光取り出し効率をより向上させる観点から、透光層３０ｂが側面２０ａを被覆する部位は少ないほうが好ましい。
なお、含有層３０ａは、発光素子２０の側面２０ａを被覆しないように設けられることが好ましい。このような構成によれば、発光素子２０の側面２０ａからの光取り出し効率が向上する。透光層３０ｂは発光素子２０の側面２０ａを被覆していてもよいが、発光素子２０の側面２０ａからの光取り出し効率をより向上させる観点から、透光層３０ｂが側面２０ａを被覆する部位は少ないほうが好ましい。
第１樹脂に用いる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。
第１樹脂の粘度は、室温（２０±５℃）で、０．３Ｐａ・ｓ以上１５Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。第１樹脂の粘度が０．３Ｐａ・ｓ以上であれば、ポッティングにより凹部１８の底面に第１樹脂を容易に配置し易い。また、第１樹脂の粘度が１５Ｐａ・ｓ以下であれば、遠心力による第１被覆部材３０の形状変化が容易となる。更に遠心力により第１反射材を沈降させ易くなる。なお、上述した効果を得るためのより好ましい第１樹脂の粘度は、０．５Ｐａ・ｓ以上６Ｐａ・ｓ以下である。
なお、ここでの第１樹脂の粘度は、第１反射材を含有した状態の粘度であり、後記するように、遠心力によって第１樹脂に含有される第１反射材を沈降させる前の粘度である。
第１樹脂の粘度は、室温（２０±５℃）で、０．３Ｐａ・ｓ以上１５Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。第１樹脂の粘度が０．３Ｐａ・ｓ以上であれば、ポッティングにより凹部１８の底面に第１樹脂を容易に配置し易い。また、第１樹脂の粘度が１５Ｐａ・ｓ以下であれば、遠心力による第１被覆部材３０の形状変化が容易となる。更に遠心力により第１反射材を沈降させ易くなる。なお、上述した効果を得るためのより好ましい第１樹脂の粘度は、０．５Ｐａ・ｓ以上６Ｐａ・ｓ以下である。
なお、ここでの第１樹脂の粘度は、第１反射材を含有した状態の粘度であり、後記するように、遠心力によって第１樹脂に含有される第１反射材を沈降させる前の粘度である。
第１反射材に用いる光反射材としては、例えば、酸化チタン、シリカ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素等が挙げられる。なかでも、光反射の観点から、屈折率が比較的高い酸化チタンを用いることが好ましい。
第１反射材としては、第１樹脂に用いる樹脂材料よりも比重の大きいものを用いることが好ましい。第１反射材と樹脂材料との比重差により、遠心力で第１反射材を溝部１７内に沈降させ易くなる。更に、第１反射材に粒径の大きいものを使用することにより、より早く第１反射材を溝部１７内に沈降させることができる。
また、遠心力を用いることで第１反射材が高密度に配置されるため、粒子間の間隔が小さくなり、光の漏れや光透過が抑制され、含有層３０ａにおける光反射率を向上させることができる。
第１反射材の粒径は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。第１反射材の粒径が０．１μｍ以上であれば、遠心力により第１反射材を沈降させ易くなる。また、第１反射材の粒径が１．０μｍ以下であれば、可視光を光反射させ易い。第１反射材の粒径は、上記観点から、より好ましくは０．４μｍ以上０．６μｍ以下である。
第１反射材としては、第１樹脂に用いる樹脂材料よりも比重の大きいものを用いることが好ましい。第１反射材と樹脂材料との比重差により、遠心力で第１反射材を溝部１７内に沈降させ易くなる。更に、第１反射材に粒径の大きいものを使用することにより、より早く第１反射材を溝部１７内に沈降させることができる。
また、遠心力を用いることで第１反射材が高密度に配置されるため、粒子間の間隔が小さくなり、光の漏れや光透過が抑制され、含有層３０ａにおける光反射率を向上させることができる。
第１反射材の粒径は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。第１反射材の粒径が０．１μｍ以上であれば、遠心力により第１反射材を沈降させ易くなる。また、第１反射材の粒径が１．０μｍ以下であれば、可視光を光反射させ易い。第１反射材の粒径は、上記観点から、より好ましくは０．４μｍ以上０．６μｍ以下である。
第２被覆部材４０は、発光素子２０から出射された光を反射させる部材である。
発光素子２０から出射される光がパッケージ１０の凹部１８の底面や側面で透過、吸収されないように、めっき下地層３、めっき層４及び第１被覆部材３０が存在する部位以外で凹部１８内の表面が第２被覆部材４０で被覆されることが好ましい。なお、本実施形態では、発光素子２０がパッケージ１０の凹部１８の底面にフリップチップ実装されているため、第２被覆部材４０は、発光素子２０の下面の離隔部１３（図３Ａ、図３Ｂ参照）には設けられていない。このため、発光素子２０の下面の離隔部１３には第１被覆部材３０が配置される。
発光素子２０から出射される光がパッケージ１０の凹部１８の底面や側面で透過、吸収されないように、めっき下地層３、めっき層４及び第１被覆部材３０が存在する部位以外で凹部１８内の表面が第２被覆部材４０で被覆されることが好ましい。なお、本実施形態では、発光素子２０がパッケージ１０の凹部１８の底面にフリップチップ実装されているため、第２被覆部材４０は、発光素子２０の下面の離隔部１３（図３Ａ、図３Ｂ参照）には設けられていない。このため、発光素子２０の下面の離隔部１３には第１被覆部材３０が配置される。
第２被覆部材４０は、パッケージ１０の凹部１８の側面を被覆して形成されている。また、第２被覆部材４０は、凹部１８の側面からめっき層４の上面の一部まで連続して被覆している。ここでは、第２被覆部材４０は、凹部１８の側面の上端から、めっき層４の上面の外側の端部近傍まで連続して被覆して形成されている。そして、第２被覆部材４０は、厚みが凹部１８の側面の上端からめっき層４の外側の端部近傍に向かって徐々に薄くなるように設けられている。第２被覆部材４０は、めっき層４の上面が全て露出するように設けてもよいが、第２被覆部材４０を設けやすくする観点から、めっき層４の上面の一部を被覆していてもよい。また、第２被覆部材４０は、凹部１８の側面の上端から、溝部１７の外側上端縁１７ｂまで連続して被覆して形成されていてもよい。第２被覆部材４０は、第２反射材を含有する第２樹脂により形成されている。第２被覆部材４０は凹部１８の側面の高さ方向の略全てを被覆することがより好ましいが、少なくとも、発光装置１００の断面視において発光素子２０の上面よりも第２反射材の上端が高くなるように凹部１８の側面を被覆することが好ましい。
第２被覆部材４０は、第２反射材が第２樹脂中に分散している。ここで、第２反射材が第２樹脂中に分散しているとは、反射層としての機能を有する程度に反射材が分散していればよいこと意味し、例えば、従来公知の方法で反射材を含有する樹脂を塗布した場合の分散状態であればよい。なお、第２被覆部材４０は、反射層としての機能を有していれば、第２反射材が部分的に偏って配置されていても構わない。
第２被覆部材４０に対する第２反射材の含有濃度は、例えば１０質量％以上５０質量％以下である。
第２被覆部材４０がパッケージ１０の凹部１８の底面及び側面を被覆することで、凹部１８の底面及び側面による光の透過及び吸収を防止することができる。
第２被覆部材４０に対する第２反射材の含有濃度は、例えば１０質量％以上５０質量％以下である。
第２被覆部材４０がパッケージ１０の凹部１８の底面及び側面を被覆することで、凹部１８の底面及び側面による光の透過及び吸収を防止することができる。
第２樹脂に用いる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。第２反射材に用いる光反射材としては、例えば、酸化チタン、シリカ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素等が挙げられる。なかでも、光反射の観点から、屈折率が比較的高い酸化チタンを用いることが好ましい。
光透過性部材５０は、第１被覆部材３０上、発光素子２０の上面及び側面２０ａ並びに第２被覆部材４０上に設けられている。光透過性部材５０は、光を透過する樹脂により形成されている。
光透過性部材５０の樹脂に用いる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。光透過性部材５０の樹脂に用いる樹脂材料は、前記した第１樹脂及び第２樹脂と同じ樹脂材料であってもよいし、異なる樹脂材料であってもよい。また、第１樹脂及び第２樹脂に耐熱性の高い樹脂を用い、光透過性部材５０の樹脂に硬質の樹脂を用いることもできる。
光透過性部材５０の樹脂に用いる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。光透過性部材５０の樹脂に用いる樹脂材料は、前記した第１樹脂及び第２樹脂と同じ樹脂材料であってもよいし、異なる樹脂材料であってもよい。また、第１樹脂及び第２樹脂に耐熱性の高い樹脂を用い、光透過性部材５０の樹脂に硬質の樹脂を用いることもできる。
なお、前記の第１樹脂は、光透過性部材５０の樹脂よりも軟質であることが好ましい。第１樹脂は発光素子２０と基板２との接合領域近傍に配置される部材であるため、熱膨張により過剰な応力がかからないように、熱に対して膨張し難い、熱に対して柔軟性のある材料を用いることが好ましい。
シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂よりも一般に４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下付近での耐光性が高く、また、エポキシ樹脂はシリコーン樹脂よりも硬質である。そのため、第１樹脂及び第２樹脂にシリコーン樹脂を用い、光透過性部材５０の樹脂にエポキシ樹脂を用いてもよい。
シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂よりも一般に４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下付近での耐光性が高く、また、エポキシ樹脂はシリコーン樹脂よりも硬質である。そのため、第１樹脂及び第２樹脂にシリコーン樹脂を用い、光透過性部材５０の樹脂にエポキシ樹脂を用いてもよい。
光透過性部材５０は、波長変換部材を含有してもよい。波長変換部材としては、例えば、蛍光体が挙げられる。また、光透過性部材５０は、目的に応じて、拡散材等のフィラーを含有してもよい。
蛍光体としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ）やシリケート等の黄色蛍光体、ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）やＫＳＦ（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）等の赤色蛍光体、或いは、クロロシリケートやＢａＳｉＯ4：Ｅｕ2+等の緑色蛍光体を用いることができる。
拡散材としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等を用いることができる。
蛍光体としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ）やシリケート等の黄色蛍光体、ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）やＫＳＦ（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）等の赤色蛍光体、或いは、クロロシリケートやＢａＳｉＯ4：Ｅｕ2+等の緑色蛍光体を用いることができる。
拡散材としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等を用いることができる。
［発光装置の動作］
発光装置１００を駆動すると、配線パターン６を介して外部電源から発光素子２０に電流が供給され、発光素子２０が発光する。発光素子２０が発光した光は、上方へ進む光が、発光装置１００の上方から外部に取り出される。また、下方へ進む光は、含有層３０ａ及び第２被覆部材４０で反射され、パッケージ１０の凹部１８の開口から発光装置１００の外部に取り出される。また、横方向へ進む光は、第２被覆部材４０で反射され、パッケージ１０の凹部１８の開口から発光装置１００の外部に取り出される。これにより発光素子２０から出射された光が凹部１８の底面及び側面から漏れるのを極力抑えることができ、発光装置１００は、光取り出し効率が向上する。また、光透過性部材５０が波長変換部材を含有する場合、発光素子２０の側面が含有層３０ａから露出しているため、波長変換部材が発光素子２０の側面にも配置され、発光装置１００は、発光色ムラが低減する。また、発光装置１００は、溝部１７内に含有層３０ａが設けられているため発光素子２０の側面が含有層３０ａから露出し、取り出し効率が向上し、発光効率が向上する。
発光装置１００を駆動すると、配線パターン６を介して外部電源から発光素子２０に電流が供給され、発光素子２０が発光する。発光素子２０が発光した光は、上方へ進む光が、発光装置１００の上方から外部に取り出される。また、下方へ進む光は、含有層３０ａ及び第２被覆部材４０で反射され、パッケージ１０の凹部１８の開口から発光装置１００の外部に取り出される。また、横方向へ進む光は、第２被覆部材４０で反射され、パッケージ１０の凹部１８の開口から発光装置１００の外部に取り出される。これにより発光素子２０から出射された光が凹部１８の底面及び側面から漏れるのを極力抑えることができ、発光装置１００は、光取り出し効率が向上する。また、光透過性部材５０が波長変換部材を含有する場合、発光素子２０の側面が含有層３０ａから露出しているため、波長変換部材が発光素子２０の側面にも配置され、発光装置１００は、発光色ムラが低減する。また、発光装置１００は、溝部１７内に含有層３０ａが設けられているため発光素子２０の側面が含有層３０ａから露出し、取り出し効率が向上し、発光効率が向上する。
［発光装置１００の製造方法］
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について説明する。
図２は、実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。図３Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、めっき下地層を形成する工程を示す平面図である。図３Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、めっき下地層を形成する工程を示す、図３ＡのＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ線における断面図である。図４Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、溝部を形成する工程を示す平面図である。図４Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、溝部を形成する工程を示す、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における断面図である。図５Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す平面図である。図５Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における断面図である。図６Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２被覆部材を形成する工程を示す平面図である。図６Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２被覆部材を形成する工程を示す、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における断面図である。図７Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１樹脂を充填する工程を示す断面図である。図７Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１被覆部材を形成する工程を示す模式図であり、遠心力によって第１反射材を沈降させる工程を示す模式図である。図７Ｃは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１被覆部材を形成する工程を示す断面図であり、遠心力によって第１反射材を沈降させた後の状態を示す断面図である。図７Ｄは、図７Ｃの一部を模式的に示す断面図である。図７Ｅは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、光透過性部材を形成する工程を示す断面図である。なお、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａは、溝部の最深部を符号１７で図示している。
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について説明する。
図２は、実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。図３Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、めっき下地層を形成する工程を示す平面図である。図３Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、めっき下地層を形成する工程を示す、図３ＡのＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ線における断面図である。図４Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、溝部を形成する工程を示す平面図である。図４Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、溝部を形成する工程を示す、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における断面図である。図５Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す平面図である。図５Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における断面図である。図６Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２被覆部材を形成する工程を示す平面図である。図６Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２被覆部材を形成する工程を示す、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における断面図である。図７Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１樹脂を充填する工程を示す断面図である。図７Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１被覆部材を形成する工程を示す模式図であり、遠心力によって第１反射材を沈降させる工程を示す模式図である。図７Ｃは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１被覆部材を形成する工程を示す断面図であり、遠心力によって第１反射材を沈降させた後の状態を示す断面図である。図７Ｄは、図７Ｃの一部を模式的に示す断面図である。図７Ｅは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、光透過性部材を形成する工程を示す断面図である。なお、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａは、溝部の最深部を符号１７で図示している。
発光装置１００の製造方法は、基板２と、発光素子２０を載置する領域である第１領域１５を囲む隙間部１６を有するように基板２上に設けられためっき下地層３と、第１領域１５を囲む溝部１７を備えためっき層４と、を備える配線パターン６を有する配線基板１２を準備する工程である配線基板準備工程Ｓ１０１と、第１領域１５に発光素子２０を載置する工程である発光素子載置工程Ｓ１０２と、凹部１８の側面からめっき層４の上面の一部まで連続して第２樹脂で被覆して第２被覆部材４０を形成する工程である第２被覆部材形成工程Ｓ１０３と、第１樹脂を準備する工程である第１樹脂準備工程Ｓ１０４と、溝部１７内に第１反射材を含有する第１樹脂を充填する工程である第１樹脂充填工程Ｓ１０５と、第１樹脂に遠心力をかけ、第１樹脂に含有される第１反射材を沈降させて、溝部１７内に設けられる第１反射材を含有する含有層３０ａと含有層３０ａの上方に配置される透光層３０ｂとを有する第１被覆部材３０を形成する工程である第１被覆部材形成工程Ｓ１０６と、第１被覆部材３０及び発光素子２０上に光透過性部材５０を形成する工程である光透過性部材形成工程Ｓ１０７と、を含む。
また、配線基板準備工程Ｓ１０１は、基板２上に、発光素子２０を載置する領域である第１領域１５を囲む隙間部１６を有するようにめっき下地層３を形成する工程であるめっき下地層形成工程Ｓ１０１ａと、めっき下地層３上にめっき層４を形成し、隙間部１６にめっき層４の溝部１７を形成する工程である溝部形成工程Ｓ１０１ｂと、を含む。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光装置１００の説明で既に述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
また、配線基板準備工程Ｓ１０１は、基板２上に、発光素子２０を載置する領域である第１領域１５を囲む隙間部１６を有するようにめっき下地層３を形成する工程であるめっき下地層形成工程Ｓ１０１ａと、めっき下地層３上にめっき層４を形成し、隙間部１６にめっき層４の溝部１７を形成する工程である溝部形成工程Ｓ１０１ｂと、を含む。
なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光装置１００の説明で既に述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
（配線基板準備工程）
配線基板準備工程Ｓ１０１は、基板２と、発光素子２０を載置する領域である第１領域１５を囲む隙間部１６を有するように基板２上に設けられためっき下地層３と、第１領域１５を囲む溝部１７を備えためっき層４と、を備える配線パターン６を有する配線基板１２を準備する工程である。この工程Ｓ１０１は、めっき下地層形成工程Ｓ１０１ａと、溝部形成工程Ｓ１０１ｂと、を含む。
この工程Ｓ１０１では、基板２からなる底面と底面を囲む側壁５による側面とからなる凹部１８を有するパッケージ１０を準備する。
配線基板準備工程Ｓ１０１は、基板２と、発光素子２０を載置する領域である第１領域１５を囲む隙間部１６を有するように基板２上に設けられためっき下地層３と、第１領域１５を囲む溝部１７を備えためっき層４と、を備える配線パターン６を有する配線基板１２を準備する工程である。この工程Ｓ１０１は、めっき下地層形成工程Ｓ１０１ａと、溝部形成工程Ｓ１０１ｂと、を含む。
この工程Ｓ１０１では、基板２からなる底面と底面を囲む側壁５による側面とからなる凹部１８を有するパッケージ１０を準備する。
この工程Ｓ１０１では、まず、めっき下地層形成工程Ｓ１０１ａにおいて、基板２上に、発光素子２０を載置する領域である第１領域１５を囲む隙間部１６を有するようにめっき下地層３を形成する。また、この工程Ｓ１０１では、めっき下地層３は、パッケージ１０の底面の中央に離隔部１３を有するようにめっき下地層３を形成する。めっき下地層３は、スパッタリングや真空蒸着等により形成することができる。
次に、溝部形成工程Ｓ１０１ｂにおいて、めっき下地層３上にめっき層４を形成する。この際、めっき下地層３の側面を被覆するめっき層４が隙間部１６で接触する程度の厚みでめっき層４を形成する。これにより、隙間部１６がめっき層４で被覆されると共に、隙間部１６の上方にめっき層４の溝部１７が形成される。めっき層４は、無電解めっき或いは電解めっきにより形成することができる。
次に、溝部形成工程Ｓ１０１ｂにおいて、めっき下地層３上にめっき層４を形成する。この際、めっき下地層３の側面を被覆するめっき層４が隙間部１６で接触する程度の厚みでめっき層４を形成する。これにより、隙間部１６がめっき層４で被覆されると共に、隙間部１６の上方にめっき層４の溝部１７が形成される。めっき層４は、無電解めっき或いは電解めっきにより形成することができる。
めっき層４を無電解めっきにより形成する場合、図３Ａに示すように、隙間部１６を断続的に形成される複数の隙間部１６として、第１領域１５に配置されるめっき下地層３と第１領域１５を除く領域に配置されるめっき下地層３とが繋がっていることが好ましい。また、第１領域１５を囲む隙間部１６が連続する１つの隙間部である場合、つまり、第１領域１５に配置されるめっき下地層３が島状に形成される場合は、めっき層４を無電解めっきで形成することができる。また、第１領域１５に配置されるめっき下地層３と第１領域１５を除く領域に配置されるめっき下地層３とは、内層配線で電気的に接続されていてもよい。
なお、工程Ｓ１０１として、予め配線パターン６を有する配線基板１２を備えるパッケージ１０を準備してもよい。
なお、工程Ｓ１０１として、予め配線パターン６を有する配線基板１２を備えるパッケージ１０を準備してもよい。
（発光素子載置工程）
発光素子載置工程Ｓ１０２は、第１領域１５に発光素子２０を載置する工程である。
この工程Ｓ１０１では、発光素子２０をパッケージ１０の凹部１８の底面に載置する。発光素子２０は、電極形成面を実装面として、導電性接着材により凹部１８の底面にフリップチップ実装されている。導電性接着材としては、例えば共晶はんだ、導電ペースト、バンプ等を用いればよい。また、発光素子２０はフェイスアップ実装されていてもよく、この場合、非導電性の接着材を用いてもよい。
発光素子載置工程Ｓ１０２は、第１領域１５に発光素子２０を載置する工程である。
この工程Ｓ１０１では、発光素子２０をパッケージ１０の凹部１８の底面に載置する。発光素子２０は、電極形成面を実装面として、導電性接着材により凹部１８の底面にフリップチップ実装されている。導電性接着材としては、例えば共晶はんだ、導電ペースト、バンプ等を用いればよい。また、発光素子２０はフェイスアップ実装されていてもよく、この場合、非導電性の接着材を用いてもよい。
（第２被覆部材形成工程）
第２被覆部材形成工程Ｓ１０３は、凹部１８の側面からめっき層４の上面の一部まで連続して第２樹脂で被覆して第２被覆部材４０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０３では、例えば、ポッティングにより、凹部１８の側面を被覆する第２樹脂を配置する。第２樹脂の凹部１８への配置は、第２樹脂が充填された樹脂吐出装置の先端のノズルから未硬化の樹脂材料を凹部１８の底面の外縁近傍（好ましくは凹部１８の側面と底面との境界）に吐出することで行うことができる。未硬化の第２樹脂は凹部１８の側面に濡れ広がり、凹部１８の側面を被覆する。この際、凹部１８の底面にも第２樹脂が流動するため、第２樹脂は凹部１８の底面の一部を被覆している。ここでは、凹部１８の底面を流動する第２樹脂が、溝部１７に達して溝部１７に濡れ広がらないように、かつ、凹部１８の側面の上方に這い上がるように、第２樹脂の量、粘度及び配置位置を調整しておくことが好ましい。第２被覆部材４０をポッティングにより形成する場合、第２樹脂の粘度は、例えば室温（２０±５℃）で、１Ｐａ・ｓ以上５０Ｐａ・ｓ以下に調整される。第２樹脂は溝部１７内を被覆しないことが好ましい。
第２被覆部材形成工程Ｓ１０３は、凹部１８の側面からめっき層４の上面の一部まで連続して第２樹脂で被覆して第２被覆部材４０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０３では、例えば、ポッティングにより、凹部１８の側面を被覆する第２樹脂を配置する。第２樹脂の凹部１８への配置は、第２樹脂が充填された樹脂吐出装置の先端のノズルから未硬化の樹脂材料を凹部１８の底面の外縁近傍（好ましくは凹部１８の側面と底面との境界）に吐出することで行うことができる。未硬化の第２樹脂は凹部１８の側面に濡れ広がり、凹部１８の側面を被覆する。この際、凹部１８の底面にも第２樹脂が流動するため、第２樹脂は凹部１８の底面の一部を被覆している。ここでは、凹部１８の底面を流動する第２樹脂が、溝部１７に達して溝部１７に濡れ広がらないように、かつ、凹部１８の側面の上方に這い上がるように、第２樹脂の量、粘度及び配置位置を調整しておくことが好ましい。第２被覆部材４０をポッティングにより形成する場合、第２樹脂の粘度は、例えば室温（２０±５℃）で、１Ｐａ・ｓ以上５０Ｐａ・ｓ以下に調整される。第２樹脂は溝部１７内を被覆しないことが好ましい。
なお、パッケージ１０は、予め凹部１８の内面を有機溶剤で浸す処理をしておくこともできる。予め凹部１８の内面を有機溶剤で浸す処理をしておくことで、第２樹脂の凹部１８の側面への這い上がりを促進することができる。また、凹部１８の側面に濡れ性の高い材料を用いたり、側面の表面を粗面加工したりすること等でも、凹部１８の側面への這い上がりを促進することができる。
また、硬化前の第２樹脂には第２反射材が混合されており、第２樹脂中に含有される第２反射材の含有濃度は、１０質量％以上５０質量％以下とすることが好ましい。
第２樹脂は、第２樹脂をポッティングにより凹部１８の底面の外縁近傍に配置することで、第２樹脂が凹部１８の側面に濡れ広がる。なおこの際、第２被覆部材４０は、第２反射材が第２樹脂中に分散した状態である。
その後、例えば、１２０℃以上２００℃以下の温度で第２樹脂を硬化させ、第２被覆部材４０を形成する。第２樹脂の硬化は、第２樹脂が凹部１８の側面に濡れ広がった後で、パッケージ１０が静置した状態で行うことが好ましい。
また、硬化前の第２樹脂には第２反射材が混合されており、第２樹脂中に含有される第２反射材の含有濃度は、１０質量％以上５０質量％以下とすることが好ましい。
第２樹脂は、第２樹脂をポッティングにより凹部１８の底面の外縁近傍に配置することで、第２樹脂が凹部１８の側面に濡れ広がる。なおこの際、第２被覆部材４０は、第２反射材が第２樹脂中に分散した状態である。
その後、例えば、１２０℃以上２００℃以下の温度で第２樹脂を硬化させ、第２被覆部材４０を形成する。第２樹脂の硬化は、第２樹脂が凹部１８の側面に濡れ広がった後で、パッケージ１０が静置した状態で行うことが好ましい。
（第１樹脂準備工程）
第１樹脂準備工程Ｓ１０４は、２液硬化性の樹脂材料の主剤と第１反射材とを混合し、一定時間以上経過後に硬化剤を混合する工程である。
このようにして作製した第１樹脂を用いることで、第１反射材と樹脂材料とのなじみを良くし、遠心力により第１反射材を沈降させ易くすることができる。硬化剤混合前の温度は室温程度とする。
２液硬化性の樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等が挙げられる。
２液硬化性の樹脂材料の主剤と第１反射材とを混合して経過させる時間は、第１反射材をより沈降させ易くする観点から、好ましくは２時間以上である。また、経過させる時間は、製造時間を短縮させる観点から、好ましくは８時間以下である。なお、硬化剤を混合した後は、第１樹脂が硬化する前に次工程に移る。
なお、未硬化の第１樹脂に対する第１反射材の含有濃度は、例えば１５質量％以上６０質量％以下程度である。
第１樹脂準備工程Ｓ１０４は、２液硬化性の樹脂材料の主剤と第１反射材とを混合し、一定時間以上経過後に硬化剤を混合する工程である。
このようにして作製した第１樹脂を用いることで、第１反射材と樹脂材料とのなじみを良くし、遠心力により第１反射材を沈降させ易くすることができる。硬化剤混合前の温度は室温程度とする。
２液硬化性の樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等が挙げられる。
２液硬化性の樹脂材料の主剤と第１反射材とを混合して経過させる時間は、第１反射材をより沈降させ易くする観点から、好ましくは２時間以上である。また、経過させる時間は、製造時間を短縮させる観点から、好ましくは８時間以下である。なお、硬化剤を混合した後は、第１樹脂が硬化する前に次工程に移る。
なお、未硬化の第１樹脂に対する第１反射材の含有濃度は、例えば１５質量％以上６０質量％以下程度である。
（第１樹脂充填工程）
第１樹脂充填工程Ｓ１０５は、溝部１７内に第１反射材を含有する第１樹脂３１を充填する工程である。
この工程Ｓ１０５では、例えば、ポッティングにより、めっき層４上に未硬化の第１樹脂３１を配置する。具体的には、溝部１７近傍のめっき層４上に未硬化の第１樹脂３１を配置する。溝部１７近傍のめっき層４上に第１樹脂を配置することにより、第１樹脂が溝部１７内に流動し、溝部１７内に充填される。未硬化の第１樹脂３１は、例えば発光素子２０の対向する側面近傍２か所に配置し、第１樹脂自身の重さ、又は遠心力によって、溝部１７内に流動し、溝部１７内に充填されることが好ましい。これにより、溝部１７内に流動した第１樹脂は、溝部１７内を凹部１８の底面と平行に移動するため、第１樹脂が溝部１７内に充填される前に、垂直方向に第１樹脂が濡れ広がることを抑制することができる。
第１樹脂充填工程Ｓ１０５は、溝部１７内に第１反射材を含有する第１樹脂３１を充填する工程である。
この工程Ｓ１０５では、例えば、ポッティングにより、めっき層４上に未硬化の第１樹脂３１を配置する。具体的には、溝部１７近傍のめっき層４上に未硬化の第１樹脂３１を配置する。溝部１７近傍のめっき層４上に第１樹脂を配置することにより、第１樹脂が溝部１７内に流動し、溝部１７内に充填される。未硬化の第１樹脂３１は、例えば発光素子２０の対向する側面近傍２か所に配置し、第１樹脂自身の重さ、又は遠心力によって、溝部１７内に流動し、溝部１７内に充填されることが好ましい。これにより、溝部１７内に流動した第１樹脂は、溝部１７内を凹部１８の底面と平行に移動するため、第１樹脂が溝部１７内に充填される前に、垂直方向に第１樹脂が濡れ広がることを抑制することができる。
つまり、溝部１７内に直接第１樹脂３１をポッティングしないことにより、第１樹脂の一対の素子電極２３，２４側や発光素子２０側への流動が抑制され、例えば、一対の素子電極２３，２４の高さが低い場合や、発光素子２０をフェイスアップ実装した場合に、遠心回転させる前に第１樹脂が発光素子２０の側面２０ａへ這い上がってしまうことを抑制することができる。発光素子２０の側面２０ａへの第１樹脂の這い上がりは、遠心回転で第１樹脂の形状が変化することにより解消されるが、第１樹脂の粘度や遠心回転速度によっては、第１樹脂中の第１反射材が発光素子２０の側面２０ａに残ってしまう虞がある。このため、遠心回転させる前の第１樹脂は、発光素子２０の側面２０ａを被覆していないことが好ましい。
なお、樹脂の粘度等により、溝部１７内に第１樹脂が流動され難いときには、直接溝部１７内に第１樹脂３１をポッティング等により配置してもよい。
なお、樹脂の粘度等により、溝部１７内に第１樹脂が流動され難いときには、直接溝部１７内に第１樹脂３１をポッティング等により配置してもよい。
（第１被覆部材形成工程）
第１被覆部材形成工程Ｓ１０６は、第１樹脂に遠心力をかけ、第１樹脂に含有される第１反射材を沈降させて、溝部１７内に設けられる第１反射材を含有する含有層３０ａと含有層３０ａの上方に配置される透光層３０ｂとを有する第１被覆部材３０を形成する工程である。
第１被覆部材形成工程Ｓ１０６は、第１樹脂に遠心力をかけ、第１樹脂に含有される第１反射材を沈降させて、溝部１７内に設けられる第１反射材を含有する含有層３０ａと含有層３０ａの上方に配置される透光層３０ｂとを有する第１被覆部材３０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０６では、凹部１８の底面に遠心力がかかる方向に基板２、すなわちパッケージ１０を遠心回転させる。これにより、溝部１７に第１樹脂が配置された基板２に遠心力をかける。この遠心力を利用して、第１樹脂中の第１反射材を凹部１８の底面側に強制的に沈降させることにより、第１反射材の沈降層として第１反射材が高密度に配置される含有層３０ａと、上澄み液として透光層３０ｂと、が形成される。このように、遠心沈降により含有層３０ａを形成することにより、第１樹脂中に含有される第１反射材の含有量を少なくしながらも、第１反射材の粒子を底面側に高密度に配置することができる。これにより、溝部１７内に設けられる含有層３０ａと、含有層３０ａの上方に配置される透光層３０ｂとを形成することができる。
なお、第１樹脂充填工程Ｓ１０５で、遠心力により第１樹脂を溝部１７内に流動させる場合は、第１樹脂を溝部１７内に流動させるための遠心回転と、本工程Ｓ１０６で行う遠心回転とを同時に行うことができる。
なお、第１樹脂充填工程Ｓ１０５で、遠心力により第１樹脂を溝部１７内に流動させる場合は、第１樹脂を溝部１７内に流動させるための遠心回転と、本工程Ｓ１０６で行う遠心回転とを同時に行うことができる。
図７Ｂに示すように、パッケージ１０の回転は、基板２の上面、すなわち凹部１８の底面が外側になるような回転軸９０でパッケージ１０に遠心力をかけることにより行うことが好ましい。具体的には、パッケージ１０の上面側に回転軸９０を有するように、回転軸９０を軸として公転するＡ方向にパッケージ１０を移動させる。なお、図７ＢにおけるＢ方向は、凹部１８の底面に平行な方向である。図７Ｂ中、Ｂ方向はパッケージ１０の移動に伴うように３つ記載しているが、実際には連続している。
回転軸９０は、凹部１８の底面の略中心を通る垂直線上に位置する凹部１８の底面に平行な軸であり、かつ、パッケージ１０に対して凹部１８の開口部側に位置する。これにより、凹部１８の底面方向に遠心力が働き、第１樹脂のパッケージ１０の高さ方向への広がりが抑制されると共に、第１樹脂に含有されている第１反射材が凹部１８の底面側（図７Ｂにおける矢印Ｃ方向）に強制的に沈降される。この状態で第１樹脂を硬化させることにより、第１反射材を含有する含有層３０ａと透光層３０ｂとがこの順に溝部１７の部位において凹部１８の底面に形成される。
なお、ここでは、めっき層４上にも、含有層３０ａと透光層３０ｂとをこの順に有する第１被覆部材３０が形成される。
回転軸９０は、凹部１８の底面の略中心を通る垂直線上に位置する凹部１８の底面に平行な軸であり、かつ、パッケージ１０に対して凹部１８の開口部側に位置する。これにより、凹部１８の底面方向に遠心力が働き、第１樹脂のパッケージ１０の高さ方向への広がりが抑制されると共に、第１樹脂に含有されている第１反射材が凹部１８の底面側（図７Ｂにおける矢印Ｃ方向）に強制的に沈降される。この状態で第１樹脂を硬化させることにより、第１反射材を含有する含有層３０ａと透光層３０ｂとがこの順に溝部１７の部位において凹部１８の底面に形成される。
なお、ここでは、めっき層４上にも、含有層３０ａと透光層３０ｂとをこの順に有する第１被覆部材３０が形成される。
また、第１被覆部材３０は、塗布する量や第１樹脂に含有される第１反射材の含有量が適宜調整される。
パッケージ１０を遠心回転させる際の回転速度や回転数は、第１反射材の含有量や粒径等にもよるが、例えば２００ｘｇ以上の遠心力がかかるように、回転数や回転半径を調整すればよい。
パッケージ１０を遠心回転させる際の回転速度や回転数は、第１反射材の含有量や粒径等にもよるが、例えば２００ｘｇ以上の遠心力がかかるように、回転数や回転半径を調整すればよい。
なお、製造工程において、個片化前の集合基板の状態でパッケージ１０を遠心回転させる際には、集合基板が平板状であると、集合基板の平面積が大きくなるほど（より詳細には回転方向Ａにおける基板長さが長くなるほど）、集合基板の中心から離れた位置のパッケージ１０は回転軸９０からのずれが生じる。例えば、集合基板において、公転する円周上からＢ方向へのずれが大きくなると、第１樹脂の表面が凹部１８の底面に対して傾斜してしまい、集合基板の中で第１樹脂の表面状態にばらつきが生じる虞がある。このずれを抑制するために、回転半径を大きくすることで抑制することができる。具体的には、回転方向に配置される集合基板の長さの７０倍以上の回転半径とすることで、ずれを抑制することができる。
なお、遠心力により、集合基板が回転半径の円周に沿って撓むような可撓性を有する樹脂パッケージ１０を用いる場合は、上記ずれが生じ難くなるため、非可撓性のパッケージ１０の集合基板よりも大きい集合基板で遠心回転することができる。これにより、一回の処理数を多くすることができる。このような可撓性を有する集合基板としては、例えばリードで連結した樹脂パッケージが挙げられる。
なお、遠心力により、集合基板が回転半径の円周に沿って撓むような可撓性を有する樹脂パッケージ１０を用いる場合は、上記ずれが生じ難くなるため、非可撓性のパッケージ１０の集合基板よりも大きい集合基板で遠心回転することができる。これにより、一回の処理数を多くすることができる。このような可撓性を有する集合基板としては、例えばリードで連結した樹脂パッケージが挙げられる。
また、この工程Ｓ１０６では、第１反射材を沈降させながら、すなわち遠心力がかかった状態で、第１樹脂を硬化させることが好ましい。第１反射材は、粒径の小さいものを使用することが好ましいが、粒径が小さくなるほど沈降し難くなるため、この工程Ｓ１０６では遠心力により凹部１８の底面側に第１反射材を強制的に沈降させている。このため、第１反射材を沈降させた状態で硬化させるために、この工程Ｓ１０６では、回転を維持したまま、つまり回転させながら第１樹脂の硬化工程を行うことが好ましい。
なお、回転を止めてから硬化させることも可能であるが、回転が止まると、例えば、一対の素子電極２３，２４の高さが低い場合や、発光素子２０をフェイスアップ実装した場合に、濡れ性により樹脂が発光素子２０の側面２０ａに広がり易くなってしまう。このため、パッケージ１０を回転させながら第１樹脂を硬化させることで、第１樹脂が発光素子２０の側面２０ａに這い上がることを防止することができる。発光素子２０の側面２０ａが第１樹脂から露出することにより、光取り出し効率をより向上させることができる。
なお、回転を止めてから硬化させることも可能であるが、回転が止まると、例えば、一対の素子電極２３，２４の高さが低い場合や、発光素子２０をフェイスアップ実装した場合に、濡れ性により樹脂が発光素子２０の側面２０ａに広がり易くなってしまう。このため、パッケージ１０を回転させながら第１樹脂を硬化させることで、第１樹脂が発光素子２０の側面２０ａに這い上がることを防止することができる。発光素子２０の側面２０ａが第１樹脂から露出することにより、光取り出し効率をより向上させることができる。
この際、第１樹脂を硬化させる温度は、４０℃以上２００℃以下が挙げられる。硬化させる温度を高くすることで、第１樹脂を硬化させる時間を短縮でき、効率的である。また、遠心沈降させる装置の金属が熱により膨張することで回転軸９０がぶれることを考慮すると、硬化させる温度はなるべく低いことが好ましい。つまり、第１樹脂を硬化させる温度は、効率性の観点から、好ましくは５０℃以上である。また、第１樹脂を硬化させる温度は、回転軸９０がぶれることを考慮し、好ましくは６０℃以下である。８０℃以上で硬化させる際には、少なくとも遠心回転装置の金属部分が８０℃以上とならないように、装置を調整することが好ましい。
なお、第１樹脂を構成する樹脂材料としては、回転するパッケージ１０を４０℃以上の温度に保つことで少なくとも仮硬化状態が得られる樹脂材料を選択することが好ましい。
第１反射材を沈降させながら第１樹脂を硬化させる方法としては、例えば、熱風をかけたり、パネルヒータ等を用いたりすることが挙げられる。
なお、第１樹脂を構成する樹脂材料としては、回転するパッケージ１０を４０℃以上の温度に保つことで少なくとも仮硬化状態が得られる樹脂材料を選択することが好ましい。
第１反射材を沈降させながら第１樹脂を硬化させる方法としては、例えば、熱風をかけたり、パネルヒータ等を用いたりすることが挙げられる。
（光透過性部材形成工程）
光透過性部材形成工程Ｓ１０７は、第１被覆部材３０、第２被覆部材４０及び発光素子２０上に光透過性部材５０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０７では、ポッティングやスプレー等により、凹部１８内に光透過性部材５０の樹脂を配置する。その後、例えば、１２０℃以上２００℃以下の温度で光透過性部材５０の樹脂を硬化させ、光透過性部材５０を形成する。
光透過性部材形成工程Ｓ１０７は、第１被覆部材３０、第２被覆部材４０及び発光素子２０上に光透過性部材５０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０７では、ポッティングやスプレー等により、凹部１８内に光透過性部材５０の樹脂を配置する。その後、例えば、１２０℃以上２００℃以下の温度で光透過性部材５０の樹脂を硬化させ、光透過性部材５０を形成する。
《他の実施形態》
図８は、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図であり、一部を透過させて見た状態の平面図である。図９Ａは、他の実施形態に係る発光装置について、溝部の構成を模式的に示す平面図である。図９Ｂは、他の実施形態に係る発光装置について、溝部の構成を模式的に示す平面図である。なお、図８、図９Ａ、図９Ｂは、溝部の構成をわかり易く図示している。
図８は、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図であり、一部を透過させて見た状態の平面図である。図９Ａは、他の実施形態に係る発光装置について、溝部の構成を模式的に示す平面図である。図９Ｂは、他の実施形態に係る発光装置について、溝部の構成を模式的に示す平面図である。なお、図８、図９Ａ、図９Ｂは、溝部の構成をわかり易く図示している。
図８に示す発光装置１００Ａは、パッケージ１０Ａの凹部１８の底面に、発光素子２０をフェイスアップ実装したものである。発光素子２０は、正負一対のリード電極のうち、第２リード６２上に載置されている。そして、ここでは、発光素子２０のＮ側電極がワイヤ２５を介して第１リード６１に接合され、Ｐ側電極がワイヤ２６を介して第２リード６２に接合されている。発光素子２０の電極形成面は、実装面と反対側の上面にあるため、発光素子２０の側面の直下の部位が溝部１７の内側上端縁に位置するように形成することができる。これにより、セルフアライメントの効果を向上させると共に発光効率をより向上させることができる。なお、発光素子２０をフリップチップ実装した場合、台座としてサブマウントやバンプやポスト電極等を用いて、発光素子２０を、発光素子２０の高さ方向へかさ上げすることが好ましい。発光素子２０をフリップチップ実装した場合、半導体層がパッケージの凹部の底面側（発光装置１００Ａの基板側）に配置されるが、発光素子２０を、発光素子２０の高さ方向へかさ上げすることで、半導体層の側面の一部又は全体を第１被覆部材で被覆しないようにすることができる。
また、発光装置は、発光素子２０を複数備えるものであてもよい。そして、例えば、発光素子２０を２つ備える場合、図９Ａに示すように、配線基板１２Ａの溝部１７は、２つの発光素子２０を１つの平面視で矩形環状の溝部１７で囲むものであってもよい。また、図９Ｂに示すように、配線基板１２Ｂの溝部１７は、２つの発光素子２０のそれぞれを平面視で矩形環状の溝部１７で囲むものであってもよい。
また、発光装置の製造方法は、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間、或いは前後に、他の工程を含めてもよい。例えば、製造途中に混入した異物を除去する異物除去工程等を含めてもよい。
また、発光装置の製造方法において、一部の工程は、順序が限定されるものではなく、順序が前後してもよい。例えば、前記した発光装置の製造方法は、第２被覆部材形成工程の後に、第１樹脂準備工程を設けるものとしたが、第１樹脂準備工程は、第２被覆部材形成工程の前に行ってもよく、発光素子載置工程の前に行ってもよく、溝部形成工程の前に行ってもよく、めっき下地層形成工程の前に行ってもよい。また、第１樹脂準備工程は設けないものであってもよい。
また、第２被覆部材形成工程は、発光素子載置工程の後、第１樹脂準備工程前に行うものとしたが、第２被覆部材形成工程は、発光素子載置工程の前に行ってもよく、また、第１被覆部材形成工程の後、光透過性部材形成工程の前に行ってもよい。
また、第２被覆部材形成工程は、発光素子載置工程の後、第１樹脂準備工程前に行うものとしたが、第２被覆部材形成工程は、発光素子載置工程の前に行ってもよく、また、第１被覆部材形成工程の後、光透過性部材形成工程の前に行ってもよい。
［素子載置用配線基板］
素子載置用配線基板は、基板と、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するように基板上に設けられためっき下地層と、第１領域を囲む溝部を備えためっき層と、を備える配線パターンと、を備える。
素子載置用配線基板は、発光装置１００で説明した配線基板１２と同様であるので、ここでは説明を省略する。
素子載置用配線基板は、基板と、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するように基板上に設けられためっき下地層と、第１領域を囲む溝部を備えためっき層と、を備える配線パターンと、を備える。
素子載置用配線基板は、発光装置１００で説明した配線基板１２と同様であるので、ここでは説明を省略する。
［素子載置用配線基板の製造方法］
素子載置用配線基板の製造方法は、基板上に、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するようにめっき下地層を形成するめっき下地層形成工程と、めっき下地層上にめっき層を形成し、隙間部にめっき層の溝部を形成する溝部形成工程と、を含む。
めっき下地層形成工程及び溝部形成工程は、配線基板準備工程Ｓ１０１で説明しためっき下地層形成工程Ｓ１０１ａ及び溝部形成工程Ｓ１０１ｂと同様であるので、ここでは説明を省略する。
素子載置用配線基板の製造方法は、基板上に、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するようにめっき下地層を形成するめっき下地層形成工程と、めっき下地層上にめっき層を形成し、隙間部にめっき層の溝部を形成する溝部形成工程と、を含む。
めっき下地層形成工程及び溝部形成工程は、配線基板準備工程Ｓ１０１で説明しためっき下地層形成工程Ｓ１０１ａ及び溝部形成工程Ｓ１０１ｂと同様であるので、ここでは説明を省略する。
以上、発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれる。
本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等に利用することができる。
２ 基板
３ めっき下地層
４ めっき層
５ 側壁
５ａ 第１側壁部
５ｂ 第２側壁部
６ 配線パターン
１０，１０Ａ パッケージ
１１ 極性マーク
１２，１２Ａ，１２Ｂ 配線基板（素子載置用配線基板）
１３ 離隔部
１５ 第１領域
１６ 隙間部
１７ 溝部
１７ａ 内側上端縁
１７ｂ 外側上端縁
１８ 凹部
２０ 発光素子
２０ａ 発光素子の側面
２１ 支持基板
２２ 半導体層
２３ 素子電極
２４ 素子電極
２４ａ 素子電極の側面
２５ ワイヤ
２６ ワイヤ
３０ 第１被覆部材
３０ａ 含有層
３０ｂ 透光層
３１ 第１樹脂
４０ 第２被覆部材
５０ 光透過性部材
６１ 第１リード
６２ 第２リード
９０ 回転軸
１００，１００Ａ 発光装置
Ａ パッケージの回転方向
Ｂ 凹部の底面に平行な方向
Ｃ 第１反射材が沈降する方向
α１ 発光素子の側面と溝部の内側上端縁との距離
３ めっき下地層
４ めっき層
５ 側壁
５ａ 第１側壁部
５ｂ 第２側壁部
６ 配線パターン
１０，１０Ａ パッケージ
１１ 極性マーク
１２，１２Ａ，１２Ｂ 配線基板（素子載置用配線基板）
１３ 離隔部
１５ 第１領域
１６ 隙間部
１７ 溝部
１７ａ 内側上端縁
１７ｂ 外側上端縁
１８ 凹部
２０ 発光素子
２０ａ 発光素子の側面
２１ 支持基板
２２ 半導体層
２３ 素子電極
２４ 素子電極
２４ａ 素子電極の側面
２５ ワイヤ
２６ ワイヤ
３０ 第１被覆部材
３０ａ 含有層
３０ｂ 透光層
３１ 第１樹脂
４０ 第２被覆部材
５０ 光透過性部材
６１ 第１リード
６２ 第２リード
９０ 回転軸
１００，１００Ａ 発光装置
Ａ パッケージの回転方向
Ｂ 凹部の底面に平行な方向
Ｃ 第１反射材が沈降する方向
α１ 発光素子の側面と溝部の内側上端縁との距離
Claims (15)
- 基板と、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するように前記基板上に設けられためっき下地層と、前記第１領域を囲む溝部を備えためっき層と、を備える配線パターンを有する配線基板を準備する工程と、
前記第１領域に前記発光素子を載置する工程と、
前記溝部内に第１反射材を含有する第１樹脂を充填する工程と、
前記第１樹脂に遠心力をかけ、前記第１樹脂に含有される前記第１反射材を沈降させて、前記溝部内に設けられる前記第１反射材を含有する含有層と前記含有層の上方に配置される透光層とを有する第１被覆部材を形成する工程と、
前記第１被覆部材及び前記発光素子上に光透過性部材を形成する工程と、を含み、
前記溝部は、前記めっき下地層上に形成される前記めっき層同士が接触する部位に配置され、前記隙間部が前記めっき層で被覆されると共に、前記隙間部の上方に前記溝部が位置する発光装置の製造方法。 - 前記配線基板を準備する工程は、前記基板からなる底面と前記底面を囲む側壁による側面とからなる凹部を有するパッケージを準備し、前記第１樹脂を充填する工程の前に、前記凹部の側面から前記めっき層の上面の一部まで連続して第２樹脂で被覆して第２被覆部材を形成する工程を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
- 前記パッケージは、セラミックパッケージである請求項２に記載の発光装置の製造方法。
- 前記配線基板を準備する工程は、前記隙間部の幅が、前記めっき層の厚みの１倍以上２倍未満に形成された前記配線基板を準備する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記配線基板を準備する工程は、前記めっき下地層の厚みが、５μｍ以上２０μｍ以下に形成された前記配線基板を準備する請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記配線基板を準備する工程は、前記溝部が、前記発光素子の側面の直下の位置に形成された前記配線基板を準備する請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第１被覆部材を形成する工程は、前記遠心力がかかった状態で前記第１樹脂を硬化させる請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第１樹脂を硬化させる温度が４０℃以上２００℃以下である請求項７に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第１樹脂の粘度が、０．３Ｐａ・ｓ以上１５Ｐａ・ｓ以下である請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第１樹脂は、２液硬化性の樹脂材料の主剤と前記第１反射材とを混合し、２時間以上経過後に硬化剤を混合する請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 基板と、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するように前記基板上に設けられためっき下地層と、前記第１領域を囲む溝部を備えためっき層と、を含む配線基板と、
前記第１領域に載置された前記発光素子と、
少なくとも前記溝部内に設けられる第１被覆部材と、
前記第１被覆部材及び前記発光素子上に設けられた光透過性部材と、を備え、
前記第１被覆部材は、前記溝部内に設けられる第１反射材を含有する含有層と、前記含有層の上方に配置される透光層と、を備え、
前記溝部は、前記めっき下地層上に形成される前記めっき層同士が接触する部位に配置され、前記隙間部が前記めっき層で被覆されると共に、前記隙間部の上方に前記溝部が位置する発光装置。 - 前記基板からなる底面と前記底面を囲む側壁による側面とからなる凹部を有するパッケージを備え、前記凹部の側面から前記めっき層の上面の一部まで連続して被覆する、第２反射材を含有する第２被覆部材を更に備える請求項１１に記載の発光装置。
- 前記パッケージは、セラミックパッケージである請求項１２に記載の発光装置。
- 基板と、
発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するように前記基板上に設けられためっき下地層と、前記第１領域を囲む溝部を備えためっき層と、を備える配線パターンと、を備え、
前記溝部は、前記めっき下地層上に形成される前記めっき層同士が接触する部位に配置され、前記隙間部が前記めっき層で被覆されると共に、前記隙間部の上方に前記溝部が位置する素子載置用配線基板。 - 基板上に、発光素子を載置する領域である第１領域を囲む隙間部を有するようにめっき下地層を形成する工程と、
前記めっき下地層上にめっき層を形成し、前記隙間部に前記めっき層の溝部を形成する工程と、を含み、
前記溝部は、前記めっき下地層上に形成される前記めっき層同士が接触する部位に配置され、前記隙間部が前記めっき層で被覆されると共に、前記隙間部の上方に前記溝部が位置する素子載置用配線基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US16/928,233 US11362248B2 (en) | 2019-07-25 | 2020-07-14 | Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, element mounting wiring board |
| US17/736,764 US11791448B2 (en) | 2019-07-25 | 2022-05-04 | Light-emitting device and element mounting wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019136676A JP7348486B2 (ja) | 2019-07-25 | 2019-07-25 | 発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021022605A JP2021022605A (ja) | 2021-02-18 |
| JP7348486B2 true JP7348486B2 (ja) | 2023-09-21 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019136676A Active JP7348486B2 (ja) | 2019-07-25 | 2019-07-25 | 発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法 |
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|---|---|
| US (2) | US11362248B2 (ja) |
| JP (1) | JP7348486B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111276596B (zh) * | 2018-12-05 | 2024-02-06 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光单元 |
| JP7348486B2 (ja) * | 2019-07-25 | 2023-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法 |
| EP4191692A4 (en) * | 2020-07-31 | 2024-10-16 | Kyocera Corp | ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ILLUMINATION DEVICE |
| JP7553830B2 (ja) | 2022-04-19 | 2024-09-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109352A (ja) | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
| JP2014072415A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2016072412A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US20170244012A1 (en) | 2016-02-18 | 2017-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor package including the lead frame |
| JP2017204623A (ja) | 2015-08-20 | 2017-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2782576B2 (ja) | 1993-10-18 | 1998-08-06 | 矢崎総業株式会社 | 導電回路の形成方法 |
| JPH08181414A (ja) | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Hitachi Cable Ltd | 射出成形回路基板の製造方法 |
| JP4343675B2 (ja) | 2003-12-18 | 2009-10-14 | 新光電気工業株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
| JP2009117637A (ja) | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続端子とその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法並びに無電解めっきの前処理方法、無電解めっき方法 |
| JP5223666B2 (ja) | 2008-12-26 | 2013-06-26 | 富士通株式会社 | 回路基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6166879B2 (ja) | 2011-09-06 | 2017-07-19 | 株式会社 大昌電子 | 片面プリント配線板およびその製造方法 |
| KR102432216B1 (ko) | 2017-07-11 | 2022-08-12 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 |
| KR102455086B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2022-10-17 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원장치 |
| JP7348486B2 (ja) * | 2019-07-25 | 2023-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法 |
-
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-
2020
- 2020-07-14 US US16/928,233 patent/US11362248B2/en active Active
-
2022
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109352A (ja) | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
| JP2014072415A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2016072412A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2017204623A (ja) | 2015-08-20 | 2017-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US20170244012A1 (en) | 2016-02-18 | 2017-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor package including the lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021022605A (ja) | 2021-02-18 |
| US11791448B2 (en) | 2023-10-17 |
| US20220263003A1 (en) | 2022-08-18 |
| US11362248B2 (en) | 2022-06-14 |
| US20210028339A1 (en) | 2021-01-28 |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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