[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP7222636B2 - Edge trimming device - Google Patents

Edge trimming device Download PDF

Info

Publication number
JP7222636B2
JP7222636B2 JP2018170435A JP2018170435A JP7222636B2 JP 7222636 B2 JP7222636 B2 JP 7222636B2 JP 2018170435 A JP2018170435 A JP 2018170435A JP 2018170435 A JP2018170435 A JP 2018170435A JP 7222636 B2 JP7222636 B2 JP 7222636B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
wafer
outer peripheral
height
bonded wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018170435A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020040181A (en
Inventor
香一 牧野
慎一郎 野口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2018170435A priority Critical patent/JP7222636B2/en
Priority to CN201910783170.4A priority patent/CN110893574B/en
Priority to KR1020190106581A priority patent/KR20200030450A/en
Priority to TW108132675A priority patent/TWI828749B/en
Publication of JP2020040181A publication Critical patent/JP2020040181A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7222636B2 publication Critical patent/JP7222636B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/20—Drives or gearings; Equipment therefor relating to feed movement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/22—Equipment for exact control of the position of the grinding tool or work at the start of the grinding operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Description

本発明は、エッジトリミング装置に関する。 The present invention relates to an edge trimming device.

ウェーハは、表面にデバイスが形成された後、裏面が研削されて薄化される。ここで、ウェーハの外周に、表面から裏面に至る面取り部が形成されている場合がある。この場合、ウェーハを薄化することにより、その外周縁の面取り部がシャープエッジとなる。これは、ウェーハにクラックを発生させる要因となる。これを防ぐために、研削前に、ウェーハの表面側に、所定の深さで面取り部を環状に除去するエッジトリミングを実施し、その後、ウェーハの裏面を研削砥石で研削して薄化する方法がある（特許文献１および２参照）。この方法では、シャープエッジが形成されないため、クラックの発生が抑制される。
この方法では、ウェーハの表面に対してエッジトリミングを実施した後、ウェーハを反転させて、裏面を研削する。これにより、面取り部が完全に除去されるので、エッジトリミングの深さを均一にする必要がない。 After devices are formed on the front surface of the wafer, the back surface of the wafer is ground and thinned. Here, in some cases, a chamfered portion extending from the front surface to the back surface is formed on the outer circumference of the wafer. In this case, by thinning the wafer, the chamfered portion of the outer peripheral edge becomes a sharp edge. This causes cracks in the wafer. In order to prevent this, there is a method in which edge trimming is performed on the front side of the wafer to remove the chamfered portion in a ring shape at a predetermined depth before grinding, and then the back side of the wafer is ground with a grinding wheel to thin it. (See Patent Documents 1 and 2). In this method, sharp edges are not formed, so the occurrence of cracks is suppressed.
In this method, after performing edge trimming on the front surface of the wafer, the wafer is turned over and the back surface is ground. This eliminates the chamfer completely so that there is no need for uniform depth edge trimming.

特許第５９９１８９０号公報Japanese Patent No. 5991890 特許第６１９６７７６号公報Japanese Patent No. 6196776

一方、２枚のウェーハを含む貼り合わせウェーハでは、各ウェーハの表面（デバイスの設けられた面）が、貼り合わせ面側に位置している。したがって、裏面を研削したときにシャープエッジの形成を抑制するために、面取り部が完全に切除される。貼り合わせウェーハでは、例えば、デバイスが形成される均等な面内厚みを有するの一方のウェーハと、面内厚みにばらつきがある他方のウェーハとが貼り合わされている。他方のウェーハにおける面内厚みのばらつきが大きいと、一方のウェーハの表面をエッジトリミングする際、切削ブレードの切り込み深さを一定にすることが困難である。 On the other hand, in a bonded wafer including two wafers, the front surface of each wafer (the surface on which devices are provided) is located on the bonded surface side. Therefore, the chamfer is completely removed to suppress the formation of sharp edges when the back surface is ground. In the bonded wafer, for example, one wafer having uniform in-plane thickness on which devices are formed and another wafer having variation in in-plane thickness are bonded together. If the in-plane thickness of the other wafer varies greatly, it is difficult to make the depth of cut of the cutting blade constant when edge-trimming the surface of the other wafer.

本発明のエッジトリミング装置は、外周縁に面取り部を有するウェーハと支持基板とを貼り合わせ部材で貼り合わせた貼り合わせウェーハの該面取り部を切削ブレードで切削するエッジトリミング装置であって、該支持基板に接触し、該貼り合わせウェーハの該ウェーハが上面側となるように該貼り合わせウェーハを保持する保持面を有する保持手段と、該切削ブレードを先端に装着したスピンドルを回転させ、該保持面に保持された該貼り合わせウェーハの該ウェーハの該面取り部を切削する切削手段と、該保持面に対して垂直なＺ軸方向に該切削手段を移動させるＺ軸方向移動手段と、該保持面に保持された該貼り合わせウェーハの上面側から、該貼り合わせウェーハの該ウェーハの外周上面の高さを測定する上面高さ測定手段と、記憶手段と、制御手段とを備え、該保持手段は、該保持面を有するチャックテーブルと、該保持面の中心を軸心とし該チャックテーブルに連結された回転軸と、該回転軸を回転させるモータと、該回転軸の回転角度を検出するエンコーダと、を備え、該記憶手段は、該回転軸の回転時に、該エンコーダにより検出された回転角度と、該回転角度において該上面高さ測定手段により測定された外周上面高さと、を対応付けた対応データを記憶し、該制御手段は、該回転軸を回転させ、該エンコーダによって検出された回転角度に対応する該外周上面高さを該対応データから呼び出し、呼び出した該外周上面高さに応じて、該外周上面に対する切削ブレードの切り込み深さが略一定となるように該切削ブレードの高さを設定して該外周上面を切削することにより、該貼り合わせウェーハの該ウェーハの該面取り部を切除する。 The edge trimming apparatus of the present invention is an edge trimming apparatus for cutting the chamfered portion of a bonded wafer obtained by bonding a wafer having a chamfered portion on the outer peripheral edge and a support substrate with a bonding member with a cutting blade. A holding means having a holding surface that contacts the substrate and holds the bonded wafer so that the wafer of the bonded wafer is on the upper surface side; a cutting means for cutting the chamfered portion of the bonded wafer held by the wafer , a Z-axis direction moving means for moving the cutting means in a Z-axis direction perpendicular to the holding surface, and the holding surface top surface height measuring means for measuring the height of the outer peripheral top surface of the bonded wafer from the top surface side of the bonded wafer held in the bonded wafer; storage means; and control means, wherein the holding means comprises a chuck table having the holding surface, a rotary shaft connected to the chuck table with the center of the holding surface as the axis, a motor for rotating the rotary shaft, and an encoder for detecting the rotation angle of the rotary shaft. and the storage means associates the rotation angle detected by the encoder when the rotary shaft rotates with the outer peripheral top surface height measured by the top surface height measuring means at the rotation angle. Data is stored, the control means rotates the rotating shaft, calls the outer circumference top surface height corresponding to the rotation angle detected by the encoder from the corresponding data, and according to the called outer circumference top surface height setting the height of the cutting blade so that the cutting depth of the cutting blade with respect to the outer peripheral upper surface is substantially constant and cutting the outer peripheral upper surface, thereby cutting off the chamfered portion of the wafer of the bonded wafer; do .

本発明のエッジトリミング装置では、回転軸の回転角度と、各回転角度において測定された貼り合わせウェーハの外周上面の高さとを対応付けた対応データを記憶しているので、この対応データに基づいて、貼り合わせウェーハにおける外周上面の高さのばらつきを、良好に把握することが可能である。 In the edge trimming apparatus of the present invention, the correspondence data that associates the rotation angle of the rotary shaft with the height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer measured at each rotation angle is stored. , it is possible to grasp well the variation in the height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer.

さらに、貼り合わせウェーハの外周上面の高さに応じて切削ブレードの高さを設定することができるので、外周上面に対する切削ブレードの切り込み深さを、容易に略一定にすることができる。これにより、切削ブレードの消耗を小さくすることができる。 Furthermore, since the height of the cutting blade can be set according to the height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer, the cutting depth of the cutting blade with respect to the outer peripheral upper surface can be easily made substantially constant. As a result, wear of the cutting blade can be reduced.

本発明の一実施形態にかかるエッジトリミング装置（本エッジトリミング装置）の測定対象である貼り合わせウェーハの斜視図である。1 is a perspective view of a bonded wafer to be measured by an edge trimming device (this edge trimming device) according to an embodiment of the present invention; FIG. 貼り合わせウェーハの断面図である。1 is a cross-sectional view of a bonded wafer; FIG. 本エッジトリミング装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of this edge trimming apparatus. 貼り合わせウェーハを保持する保持面を有する保持手段の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of holding means having a holding surface for holding a bonded wafer; 本エッジトリミング装置の上面高さ測定手段およびチャックテーブルを示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing upper surface height measuring means and a chuck table of the edge trimming device; 本エッジトリミング装置の上面高さ測定手段およびその測定範囲を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing upper surface height measuring means of the edge trimming device and its measuring range; 本エッジトリミング装置における外周上面の高さ測定を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the height measurement of the outer periphery upper surface in this edge trimming apparatus. 本エッジトリミング装置におけるエッジトリミングを示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing edge trimming in the edge trimming device;

まず、本実施形態にかかるエッジトリミング装置（以下、本エッジトリミング装置とする）の被加工物である貼り合わせウェーハ１について、簡単に説明する。図１に示すように、貼り合わせウェーハ１は、たとえば、円板状に形成されている。 First, a bonded wafer 1, which is a workpiece of the edge trimming device (hereinafter referred to as the edge trimming device) according to the present embodiment, will be briefly described. As shown in FIG. 1, the bonded wafer 1 is, for example, shaped like a disc.

図１および図２に示すように、貼り合わせウェーハ１は、ウェーハ２と、ウェーハ２を支持するための支持基板３とを含んでいる。 As shown in FIGS. 1 and 2, bonded wafer 1 includes wafer 2 and support substrate 3 for supporting wafer 2 .

ウェーハ２は、円板状に形成されており、外周縁７に、表面２ａから裏面２ｂにかけて、円弧状に面取り部４が形成されている。ウェーハ２は、その表面２ａにデバイスＤを有している。 The wafer 2 is formed in a disc shape, and a chamfered portion 4 is formed in an arc shape on the outer peripheral edge 7 from the front surface 2a to the back surface 2b. Wafer 2 has devices D on its surface 2a.

支持基板３は、たとえばシリコンを母材とし、比較的に高い剛性を有している。支持基板３は、ウェーハ２とほぼ同形の円板状に形成されている。また、貼り合わせウェーハ１では、支持基板３の中心とウェーハ２の中心とが、ほぼ合致している。
なお、支持基板３の母材は、サファイアあるいはガラス等であってもよい。 The support substrate 3 is made of, for example, silicon as a base material and has relatively high rigidity. The support substrate 3 is formed in a disc shape that is substantially the same shape as the wafer 2 . Further, in the bonded wafer 1, the center of the support substrate 3 and the center of the wafer 2 are substantially aligned.
The base material of the support substrate 3 may be sapphire, glass, or the like.

ウェーハ２と支持基板３とは、ウェーハ２の表面２ａと支持基板３の表面３ａとを張り合わせ面として、接着部材Ｊを介して互いに貼り合わせられている。これにより、ウェーハ２の裏面２ｂおよび支持基板３の裏面３ｂとが、貼り合わせウェーハ１の露出面となる。接着部材Ｊは、たとえば紫外線硬化樹脂製の接着剤からなり、２０～５０μｍの厚みを有する。接着部材Ｊは、貼り合わせ部材の一例に相当する。
本エッジトリミング装置は、このような貼り合わせウェーハ１におけるウェーハ２の面取り部４を除去する。以下に、本エッジトリミング装置の構成について説明する。 The wafer 2 and the support substrate 3 are bonded together via an adhesive member J with the surface 2a of the wafer 2 and the surface 3a of the support substrate 3 as bonding surfaces. As a result, the back surface 2 b of the wafer 2 and the back surface 3 b of the support substrate 3 become exposed surfaces of the bonded wafer 1 . The adhesive member J is made of, for example, an ultraviolet curable resin adhesive, and has a thickness of 20 to 50 μm. The bonding member J corresponds to an example of a bonding member.
This edge trimming device removes the chamfered portion 4 of the wafer 2 in such a bonded wafer 1 . The configuration of this edge trimming device will be described below.

図３に示す本エッジトリミング装置では、保持手段３０におけるチャックテーブル３１に保持された貼り合わせウェーハ１に対して、切削手段６に備えられる切削ブレード６３を用いて切削加工を施す装置である。この切削加工により、ウェーハ２の面取り部４が切削される。
また、本エッジトリミング装置では、切削手段６による切削加工のために、上面高さ測定手段２０により、貼り合わせウェーハ１の外周上面高さが測定される。 The edge trimming apparatus shown in FIG. 3 is an apparatus for cutting the bonded wafer 1 held on the chuck table 31 of the holding means 30 by using a cutting blade 63 provided in the cutting means 6 . By this cutting process, the chamfered portion 4 of the wafer 2 is cut.
Further, in this edge trimming apparatus, the top surface height of the outer periphery of the bonded wafer 1 is measured by the top surface height measuring unit 20 for cutting by the cutting unit 6 .

図３に示すように、本エッジトリミング装置は、基台１０、基台１０に立設された門型コラム１４、および、本エッジトリミング装置の各部材を制御する制御手段７０を備えている。 As shown in FIG. 3, the edge trimming apparatus comprises a base 10, a portal column 14 erected on the base 10, and control means 70 for controlling each member of the edge trimming apparatus.

基台１０上には、切削送り機構１１が配設されている。切削送り機構１１は、チャックテーブル３１を含む保持手段３０を、切削送り方向（Ｘ軸方向）に沿って移動させる。切削送り機構１１は、Ｘ軸方向に延びる一対のガイドレール１１１、ガイドレール１１１に載置されたＸ軸テーブル１１３、ガイドレール１１１と平行に延びるボールネジ１１０、および、ボールネジ１１０を回転させるモータ１１２を含んでいる。 A cutting feed mechanism 11 is arranged on the base 10 . The cutting feed mechanism 11 moves the holding means 30 including the chuck table 31 along the cutting feed direction (X-axis direction). The cutting feed mechanism 11 includes a pair of guide rails 111 extending in the X-axis direction, an X-axis table 113 placed on the guide rails 111, a ball screw 110 extending parallel to the guide rails 111, and a motor 112 for rotating the ball screw 110. contains.

一対のガイドレール１１１は、Ｘ軸方向に平行に、基台１０の上面に配置されている。Ｘ軸テーブル１１３は、一対のガイドレール１１１上に、これらのガイドレール１１１に沿ってスライド可能に設置されている。Ｘ軸テーブル１１３上には、保持手段３０が載置されている。 A pair of guide rails 111 are arranged on the upper surface of the base 10 in parallel with the X-axis direction. The X-axis table 113 is installed on a pair of guide rails 111 so as to be slidable along these guide rails 111 . A holding means 30 is placed on the X-axis table 113 .

ボールネジ１１０は、Ｘ軸テーブル１１３の下面側に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。モータ１１２は、ボールネジ１１０の一端部に連結されており、ボールネジ１１０を回転駆動する。ボールネジ１１０が回転駆動されることで、Ｘ軸テーブル１１３および保持手段３０が、ガイドレール１１１に沿って、切削送り方向であるＸ軸方向に沿って移動する。 The ball screw 110 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the bottom side of the X-axis table 113 . The motor 112 is connected to one end of the ball screw 110 and drives the ball screw 110 to rotate. By rotationally driving the ball screw 110, the X-axis table 113 and the holding means 30 move along the guide rail 111 along the X-axis direction, which is the feed direction for cutting.

図１および図４に示すように、保持手段３０は、略円板状のチャックテーブル３１、および、略円柱形状のテーブルベース３２を有している。チャックテーブル３１は、図１に示した貼り合わせウェーハ１を吸着保持する。テーブルベース３２は、チャックテーブル３１を支持した状態で、Ｘ軸テーブル１１３上に固定されている。 As shown in FIGS. 1 and 4, the holding means 30 has a substantially disc-shaped chuck table 31 and a substantially cylindrical table base 32 . The chuck table 31 sucks and holds the bonded wafer 1 shown in FIG. The table base 32 is fixed on the X-axis table 113 while supporting the chuck table 31 .

図４に示すように、チャックテーブル３１は、ポーラス材を含む吸着部３１２と、吸着部３１２を支持する枠体３１４とを備えている。 As shown in FIG. 4 , the chuck table 31 includes a suction portion 312 containing a porous material and a frame 314 that supports the suction portion 312 .

吸着部３１２は、図示しない吸引源に連通されており、露出面である保持面３１３を有している。保持面３１３は、貼り合わせウェーハ１よりもわずかに小さい円形であり、枠体３１４の上面と面一に形成されている。吸着部３１２は、この保持面３１３によって、貼り合わせウェーハ１を吸引保持する。 The adsorption section 312 communicates with a suction source (not shown) and has a holding surface 313 that is an exposed surface. The holding surface 313 has a circular shape slightly smaller than the bonded wafer 1 and is flush with the upper surface of the frame 314 . The suction unit 312 sucks and holds the bonded wafer 1 with the holding surface 313 .

チャックテーブル３１は、チャックテーブル３１の底面側に配設されたテーブルベース３２に支持されている。テーブルベース３２内には、チャックテーブル３１の回転軸３１５、回転軸３１５を回転させるモータ３１７、および、回転軸３１５の回転角度を検出するエンコーダ３１９を備えている。回転軸３１５の回転角度は、たとえば、回転軸３１５における所定の角度位置を原点として検出される。 The chuck table 31 is supported by a table base 32 arranged on the bottom side of the chuck table 31 . The table base 32 includes a rotary shaft 315 of the chuck table 31 , a motor 317 for rotating the rotary shaft 315 , and an encoder 319 for detecting the rotation angle of the rotary shaft 315 . The rotation angle of rotating shaft 315 is detected, for example, with a predetermined angular position on rotating shaft 315 as the origin.

基台１０上の－Ｘ方向側には、門型コラム１４が、切削送り機構１１を跨ぐように立設されている。
門型コラム１４の側面の＋Ｙ側には、切削手段６を移動させる切削手段移動機構１３が設けられている。切削手段移動機構１３は、切削手段６を、Ｙ軸方向にインデックス送りするとともに、Ｚ軸方向に切込み送りする。切削手段移動機構１３は、切削手段６をＹ軸方向に移動させる第１Ｙ軸方向移動手段１２、および、切削手段６をＺ軸方向に移動させる第１Ｚ軸方向移動手段１６を備えている。 A portal column 14 is erected on the -X direction side of the base 10 so as to straddle the cutting feed mechanism 11 .
A cutting means moving mechanism 13 for moving the cutting means 6 is provided on the +Y side of the portal column 14 . The cutting means moving mechanism 13 index-feeds the cutting means 6 in the Y-axis direction and feeds the cutting means 6 in the Z-axis direction. The cutting means moving mechanism 13 includes first Y-axis direction moving means 12 for moving the cutting means 6 in the Y-axis direction, and first Z-axis direction moving means 16 for moving the cutting means 6 in the Z-axis direction.

第１Ｙ軸方向移動手段１２は、門型コラム１４の側面に配設されている。第１Ｙ軸方向移動手段１２は、Ｙ軸方向に、第１Ｚ軸方向移動手段１６および切削手段６を往復移動させる。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向に対して保持面方向（水平方向）に直交する方向である。
第１Ｙ軸方向移動手段１２は、Ｙ軸方向に延びる一対のガイドレール１２１、ガイドレール１２１に載置された第１Ｙ軸テーブル１２３、ガイドレール１２１と平行に延びる第１ボールネジ１２０、および、第１ボールネジ１２０を回転させるモータ（図示せず）を含んでいる。 The first Y-axis direction moving means 12 is arranged on the side surface of the portal column 14 . The first Y-axis direction moving means 12 reciprocates the first Z-axis direction moving means 16 and the cutting means 6 in the Y-axis direction. The Y-axis direction is a direction orthogonal to the holding surface direction (horizontal direction) with respect to the X-axis direction.
The first Y-axis direction moving means 12 includes a pair of guide rails 121 extending in the Y-axis direction, a first Y-axis table 123 placed on the guide rails 121, a first ball screw 120 extending parallel to the guide rails 121, and a first It includes a motor (not shown) that rotates the ball screw 120 .

一対のガイドレール１２１は、Ｙ軸方向に平行に、門型コラム１４の側面に配置されている。第１Ｙ軸テーブル１２３は、一対のガイドレール１２１上に、これらのガイドレール１２１に沿ってスライド可能に設置されている。第１Ｙ軸テーブル１２３上には、第１Ｚ軸方向移動手段１６および切削手段６が載置されている。 A pair of guide rails 121 are arranged on the side surfaces of the portal column 14 in parallel with the Y-axis direction. The first Y-axis table 123 is installed on a pair of guide rails 121 so as to be slidable along these guide rails 121 . A first Z-axis moving means 16 and a cutting means 6 are mounted on the first Y-axis table 123 .

第１ボールネジ１２０は、第１Ｙ軸テーブル１２３の背面側に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。第１Ｙ軸方向移動手段１２のモータは、第１ボールネジ１２０における＋Ｙ側の端部に連結されており、第１ボールネジ１２０を回転駆動する。第１ボールネジ１２０が回転駆動されることで、第１Ｙ軸テーブル１２３、第１Ｚ軸方向移動手段１６および切削手段６が、ガイドレール１２１に沿って、インデックス送り方向であるＹ軸方向に移動する。 The first ball screw 120 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the back side of the first Y-axis table 123 . The motor of the first Y-axis direction moving means 12 is connected to the +Y side end of the first ball screw 120 and drives the first ball screw 120 to rotate. By rotationally driving the first ball screw 120, the first Y-axis table 123, the first Z-axis moving means 16, and the cutting means 6 move along the guide rail 121 in the Y-axis direction, which is the index feeding direction.

第１Ｚ軸方向移動手段１６は、切削手段６をＺ軸方向（鉛直方向）に往復移動させる。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交するとともに、チャックテーブル３１の保持面３１３に対して直交する方向である。 The first Z-axis direction moving means 16 reciprocates the cutting means 6 in the Z-axis direction (vertical direction). The Z-axis direction is a direction orthogonal to the X-axis direction and the Y-axis direction and orthogonal to the holding surface 313 of the chuck table 31 .

第１Ｚ軸方向移動手段１６は、Ｚ軸方向に延びる一対のガイドレール１６１、ガイドレール１６１に載置された第１支持部材１６３、ガイドレール１６１と平行に延びるボールネジ１６０、および、ボールネジ１６０を回転させるモータ１６２を含んでいる。 The first Z-axis direction moving means 16 includes a pair of guide rails 161 extending in the Z-axis direction, a first support member 163 mounted on the guide rails 161, a ball screw 160 extending parallel to the guide rails 161, and rotating the ball screw 160. It includes a motor 162 that causes the

一対のガイドレール１６１は、Ｚ軸方向に平行に、第１Ｙ軸テーブル１２３に配置されている。第１支持部材１６３は、一対のガイドレール１６１上に、これらのガイドレール１６１に沿ってスライド可能に設置されている。第１支持部材１６３の下端部には、切削手段６が取り付けられている。 A pair of guide rails 161 are arranged on the first Y-axis table 123 in parallel with the Z-axis direction. The first support member 163 is installed on a pair of guide rails 161 so as to be slidable along these guide rails 161 . A cutting means 6 is attached to the lower end of the first support member 163 .

ボールネジ１６０は、第１支持部材１６３の背面側に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。モータ１６２は、ボールネジ１６０の一端部に連結されており、ボールネジ１６０を回転駆動する。ボールネジ１６０が回転駆動されることで、第１支持部材１６３および切削手段６が、ガイドレール１６１に沿って、切込み送り方向であるＺ軸方向に移動する。 The ball screw 160 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the rear side of the first support member 163 . The motor 162 is connected to one end of the ball screw 160 and drives the ball screw 160 to rotate. By rotationally driving the ball screw 160, the first support member 163 and the cutting means 6 move along the guide rail 161 in the Z-axis direction, which is the feeding direction.

切削手段６は、第１支持部材１６３の下端に設けられたハウジング６１を備えている。切削手段６は、さらに、図３に一部を拡大して示すように、Ｙ軸方向に延びるスピンドル６０、スピンドル６０の先端に装着される切削ブレード６３、および、スピンドル６０を回転駆動するモータ（図示せず）を備えている。
スピンドル６０は、ハウジング６１によって回転可能に支持される。モータがスピンドル６０を回転駆動することにより、切削ブレード６３も高速回転する。 The cutting means 6 has a housing 61 provided at the lower end of the first support member 163 . 3, the cutting means 6 further includes a spindle 60 extending in the Y-axis direction, a cutting blade 63 attached to the tip of the spindle 60, and a motor (which rotates the spindle 60). not shown).
Spindle 60 is rotatably supported by housing 61 . As the motor rotates the spindle 60, the cutting blade 63 also rotates at high speed.

門型コラム１４の側面の－Ｙ側には、上面高さ測定手段２０を移動させる上面高さ測定手段移動機構１８が設けられている。上面高さ測定手段移動機構１８は、上面高さ測定手段２０を、Ｙ軸方向にインデックス送りするとともに、Ｚ軸方向に切込み送りする。上面高さ測定手段移動機構１８は、上面高さ測定手段２０をＹ軸方向に移動させる第２Ｙ軸方向移動手段１５、および、上面高さ測定手段２０をＺ軸方向に移動させる第２Ｚ軸方向移動手段１７を備えている。 A top surface height measuring means moving mechanism 18 for moving the top surface height measuring means 20 is provided on the -Y side of the side surface of the portal column 14 . The upper surface height measuring means moving mechanism 18 index-feeds the upper surface height measuring means 20 in the Y-axis direction and cuts and feeds the same in the Z-axis direction. The upper surface height measuring means moving mechanism 18 includes a second Y-axis direction moving means 15 that moves the upper surface height measuring means 20 in the Y-axis direction, and a second Z-axis direction moving mechanism that moves the upper surface height measuring means 20 in the Z-axis direction. A moving means 17 is provided.

第２Ｙ軸方向移動手段１５は、第１Ｙ軸方向移動手段１２と同様の構成を有しており、門型コラム１４の側面に配設されている。第２Ｙ軸方向移動手段１５は、Ｙ軸方向に、第２Ｚ軸方向移動手段１７および上面高さ測定手段２０を往復移動させる。 The second Y-axis direction moving means 15 has the same configuration as the first Y-axis direction moving means 12 and is arranged on the side surface of the portal column 14 . The second Y-axis direction moving means 15 reciprocates the second Z-axis direction moving means 17 and the upper surface height measuring means 20 in the Y-axis direction.

第２Ｙ軸方向移動手段１５は、一対のガイドレール１２１、ガイドレール１２１に載置された第２Ｙ軸テーブル１５３、ガイドレール１２１と平行に延びる第２ポールネジ１５０、および、第２ポールネジ１５０を回転させるモータ１５２を含んでいる。 The second Y-axis direction moving means 15 rotates the pair of guide rails 121, the second Y-axis table 153 placed on the guide rails 121, the second pole screw 150 extending parallel to the guide rails 121, and the second pole screw 150. A motor 152 is included.

第２Ｙ軸方向移動手段１５は、一対のガイドレール１２１を、第１Ｙ軸方向移動手段１２と兼用している。第２Ｙ軸テーブル１５３は、一対のガイドレール１２１上に、これらのガイドレール１２１に沿ってスライド可能に設置されている。第２Ｙ軸テーブル１５３上には、第２Ｚ軸方向移動手段１７および上面高さ測定手段２０が載置されている。 The second Y-axis direction moving means 15 also uses the pair of guide rails 121 as the first Y-axis direction moving means 12 . The second Y-axis table 153 is installed on a pair of guide rails 121 so as to be slidable along these guide rails 121 . On the second Y-axis table 153, the second Z-axis moving means 17 and the top surface height measuring means 20 are mounted.

第２ポールネジ１５０は、第２Ｙ軸テーブル１５３の背面側に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。モータ１５２は、第２ポールネジ１５０の一端部に連結されており、第２ポールネジ１５０を回転駆動する。第２ポールネジ１５０が回転駆動されることで、第２Ｙ軸テーブル１５３、第２Ｚ軸方向移動手段１７および上面高さ測定手段２０が、ガイドレール１２１に沿ってＹ軸方向に移動する。 The second pole screw 150 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the back side of the second Y-axis table 153 . The motor 152 is connected to one end of the second pole screw 150 and drives the second pole screw 150 to rotate. As the second pole screw 150 is rotationally driven, the second Y-axis table 153, the second Z-axis moving means 17, and the top surface height measuring means 20 move along the guide rail 121 in the Y-axis direction.

第２Ｚ軸方向移動手段１７は、第１Ｚ軸方向移動手段１６と同様の構成を有しており、上面高さ測定手段２０をＺ軸方向に往復移動させる。
第２Ｚ軸方向移動手段１７は、Ｚ軸方向に延びる一対のガイドレール１７１、ガイドレール１７１に載置された第２支持部材１７３、ガイドレール１７１と平行に延びるボールネジ１７０、および、ボールネジ１７０を回転させるモータ１７２を含んでいる。 The second Z-axis direction moving means 17 has the same configuration as the first Z-axis direction moving means 16, and reciprocates the top surface height measuring means 20 in the Z-axis direction.
The second Z-axis direction moving means 17 includes a pair of guide rails 171 extending in the Z-axis direction, a second support member 173 placed on the guide rails 171, a ball screw 170 extending parallel to the guide rails 171, and rotating the ball screw 170. It includes a motor 172 that causes the

一対のガイドレール１７１は、Ｚ軸方向に平行に、第２Ｙ軸テーブル１５３に配置されている。第２支持部材１７３は、一対のガイドレール１７１上に、これらのガイドレール１７１に沿ってスライド可能に設置されている。第２支持部材１７３の下端部には、上面高さ測定手段２０が取り付けられている。 A pair of guide rails 171 are arranged on the second Y-axis table 153 in parallel with the Z-axis direction. The second support member 173 is installed on a pair of guide rails 171 so as to be slidable along these guide rails 171 . Upper surface height measuring means 20 is attached to the lower end of the second support member 173 .

ボールネジ１７０は、第２支持部材１７３の背面側に設けられたナット部（図示せず）に螺合されている。モータ１７２は、ボールネジ１７０の一端部に連結されており、ボールネジ１７０を回転駆動する。ボールネジ１７０が回転駆動されることで、第２支持部材１７３および上面高さ測定手段２０が、ガイドレール１７１に沿ってＺ軸方向に移動する。 The ball screw 170 is screwed into a nut portion (not shown) provided on the rear side of the second support member 173 . The motor 172 is connected to one end of the ball screw 170 and drives the ball screw 170 to rotate. As the ball screw 170 is rotationally driven, the second support member 173 and the upper surface height measuring means 20 move along the guide rail 171 in the Z-axis direction.

上面高さ測定手段２０は、図５および図６に示すように、チャックテーブル３１の保持面３１３に保持された貼り合わせウェーハ１の上面であるウェーハ２の裏面２ｂ側から、貼り合わせウェーハ１の外周上面の高さを測定する。
貼り合わせウェーハ１の外周上面は、ウェーハ２の外周部分の上面であり、たとえば、ウェーハ２の裏面２ｂにおける、外周縁７から所定長さだけ内側に入った部分までの範囲、すなわち、外周縁７に沿った所定幅を有する円形の帯状の部分である。貼り合わせウェーハ１の外周上面は、ウェーハ２の切削される面取り部４（図２参照）を含んでいる。 As shown in FIGS. 5 and 6, the upper surface height measuring means 20 measures the height of the bonded wafer 1 from the back surface 2b side of the wafer 2, which is the upper surface of the bonded wafer 1 held on the holding surface 313 of the chuck table 31. Measure the height of the outer circumference top surface.
The outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 is the upper surface of the outer peripheral portion of the wafer 2. For example, the range from the outer peripheral edge 7 to the portion inside the back surface 2b of the wafer 2 by a predetermined length, that is, the outer peripheral edge 7 It is a circular belt-shaped portion having a predetermined width along the . The outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 includes a chamfered portion 4 (see FIG. 2) where the wafer 2 is cut.

また、貼り合わせウェーハ１の外周上面の高さとは、たとえば、チャックテーブル３１の保持面３１３から貼り合わせウェーハ１の外周上面までの、Ｚ軸方向（図５参照）に沿った距離である。 The height of the outer peripheral top surface of the bonded wafer 1 is, for example, the distance from the holding surface 313 of the chuck table 31 to the outer peripheral top surface of the bonded wafer 1 along the Z-axis direction (see FIG. 5).

図５および図６に示すように、上面高さ測定手段２０は、測定光を投光する投光部２１、反射光を集光する集光レンズ２３、および、反射光を受光する受光センサー２５を備えている。
投光部２１から投光される測定光は、貼り合わせウェーハ１の径方向に沿う所定の幅を有する。すなわち、測定光は、図６に示すように、貼り合わせウェーハ１の径方向に延びる測定範囲Ｒに投光される。この測定範囲Ｒは、貼り合わせウェーハ１の外周上面を含む。 As shown in FIGS. 5 and 6, the top surface height measuring means 20 includes a light projecting section 21 that projects measurement light, a condenser lens 23 that collects reflected light, and a light receiving sensor 25 that receives reflected light. It has
The measurement light projected from the light projection unit 21 has a predetermined width along the radial direction of the bonded wafer 1 . That is, the measurement light is projected onto a measurement range R extending in the radial direction of the bonded wafer 1, as shown in FIG. This measurement range R includes the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 .

集光レンズ２３は、貼り合わせウェーハ１の外周上面からの反射光を集光する。受光センサー２５は、ウェーハ２の径方向に長く延びるように配置されている。受光センサー２５は、集光レンズ２３によって集光された反射光を受光する。 The condenser lens 23 collects reflected light from the upper peripheral surface of the bonded wafer 1 . The light receiving sensor 25 is arranged to extend in the radial direction of the wafer 2 . The light receiving sensor 25 receives the reflected light condensed by the condensing lens 23 .

本測定装置では、受光センサー２５によって受光された反射光に基づいて、上面高さ測定手段２０と測定範囲Ｒ内の外周上面との間のＺ軸方向の距離である第１距離が求められる。そして、上面高さ測定手段２０と保持面３１３との間のＺ軸方向の距離である所定の第２距離から、第１距離を差し引くことにより、外周上面の高さ、すなわち、チャックテーブル３１の保持面３１３から外周上面までのＺ軸方向の距離が測定される。 In this measuring device, the first distance, which is the distance in the Z-axis direction between the top surface height measuring means 20 and the outer peripheral top surface within the measurement range R, is determined based on the reflected light received by the light receiving sensor 25 . Then, by subtracting the first distance from the predetermined second distance, which is the distance in the Z-axis direction between the upper surface height measuring means 20 and the holding surface 313, the height of the outer peripheral upper surface, that is, the height of the chuck table 31 is obtained. The distance in the Z-axis direction from the holding surface 313 to the outer peripheral top surface is measured.

なお、受光センサー２５による高さ測定方法としては、測距反射形光電センサーに関する公知の測定方法を適用することが可能である。 As a method for measuring the height by the light receiving sensor 25, it is possible to apply a known measuring method for distance measuring reflective photoelectric sensors.

図３に示した制御手段７０は、種々のデータおよびプログラムを記憶する記憶手段７１を備えている。制御手段７０は、各種の処理を実行し、本エッジトリミング装置の各構成要素を統括制御する。 The control means 70 shown in FIG. 3 comprises storage means 71 for storing various data and programs. The control means 70 executes various processes and centrally controls each component of the edge trimming apparatus.

たとえば、制御手段７０には、各種検出器（図示せず）からの検出結果が入力される。また、制御手段７０は、切削送り機構１１、上面高さ測定手段移動機構１８および保持手段３０を制御して、上面高さ測定手段２０の測定範囲Ｒを決定し、外周上面高さの測定を実施する。 For example, the control means 70 receives detection results from various detectors (not shown). Further, the control means 70 controls the cutting feed mechanism 11, the upper surface height measuring means moving mechanism 18, and the holding means 30 to determine the measurement range R of the upper surface height measuring means 20, and measure the outer circumference upper surface height. implement.

さらに、制御手段７０は、切削送り機構１１、切削手段移動機構１３、保持手段３０および切削手段６を制御して、貼り合わせウェーハ１に対する切削ブレード６３による切削加工（エッジトリミング）を実施する。この際、制御手段７０は、第１Ｚ軸方向移動手段１６を制御して、切削ブレード６３の高さを設定する。 Further, the control means 70 controls the cutting feed mechanism 11 , the cutting means moving mechanism 13 , the holding means 30 and the cutting means 6 to perform cutting (edge trimming) on the bonded wafer 1 with the cutting blade 63 . At this time, the control means 70 controls the first Z-axis direction moving means 16 to set the height of the cutting blade 63 .

次に、本エッジトリミング装置の動作について説明する。
（１）外周上面の高さの測定工程
この工程では、まず、図７に示すように、ユーザによって、貼り合わせウェーハ１の支持基板３がチャックテーブル３１の保持面３１３に接するように、貼り合わせウェーハ１が保持面３１３に載置される。その後、図示しない吸引源からの吸引力により、保持面３１３に負圧が生じる。保持面３１３は、この負圧によって、支持基板３の裏面３ｂを吸引保持する。これにより、貼り合わせウェーハ１が、ウェーハ２の裏面２ｂを上向きに露出した状態で、保持面３１３に吸着保持される。 Next, the operation of this edge trimming device will be described.
(1) Step of Measuring the Height of the Upper Peripheral Surface In this step, first, as shown in FIG. A wafer 1 is placed on the holding surface 313 . After that, a negative pressure is generated on the holding surface 313 by a suction force from a suction source (not shown). The holding surface 313 sucks and holds the back surface 3b of the support substrate 3 by this negative pressure. As a result, the bonded wafer 1 is suction-held on the holding surface 313 with the rear surface 2b of the wafer 2 exposed upward.

次に、ユーザの指示に基づいて、制御手段７０（図３参照）が、切削送り機構１１および上面高さ測定手段移動機構１８を制御して、保持面３１３に保持された貼り合わせウェーハ１に対する上面高さ測定手段２０の位置、すなわち上面高さ測定手段２０の測定範囲Ｒを設定する。 Next, based on the user's instruction, the control means 70 (see FIG. 3) controls the cutting feed mechanism 11 and the upper surface height measuring means moving mechanism 18 to move the bonded wafer 1 held on the holding surface 313 to The position of the upper surface height measuring means 20, that is, the measuring range R of the upper surface height measuring means 20 is set.

その後、制御手段７０が、保持手段３０のモータ３１７を制御して、回転軸３１５を、たとえば図７に示す矢印Ｃ方向に回転させる。これにより、貼り合わせウェーハ１を保持しているチャックテーブル３１（保持面３１３）が、回転軸３１５とともに回転して、貼り合わせウェーハ１が、上面高さ測定手段２０に対して回転される。 After that, the control means 70 controls the motor 317 of the holding means 30 to rotate the rotary shaft 315, for example, in the direction of arrow C shown in FIG. Thereby, the chuck table 31 (holding surface 313 ) holding the bonded wafer 1 rotates together with the rotating shaft 315 , and the bonded wafer 1 rotates with respect to the upper surface height measuring means 20 .

回転軸３１５が回転されると、エンコーダ３１９が、逐次的に、回転軸３１５の回転角度を検出して制御手段７０に伝達する。なお、チャックテーブル３１の保持面３１３に載置された貼り合わせウェーハ１も、回転軸３１５とともに回転するため、回転軸３１５の回転角度は、貼り合わせウェーハ１の回転角度でもある。 When the rotary shaft 315 is rotated, the encoder 319 sequentially detects the rotation angle of the rotary shaft 315 and transmits it to the control means 70 . Since the bonded wafer 1 placed on the holding surface 313 of the chuck table 31 also rotates together with the rotation shaft 315 , the rotation angle of the rotation shaft 315 is also the rotation angle of the bonded wafer 1 .

外周上面の高さ測定では、制御手段７０は、上面高さ測定手段２０の投光部２１（図５参照）を制御して、図７に示す測定範囲Ｒに測定光を投光させる。測定光は、測定範囲Ｒにおけるウェーハ２の外周上面によって反射される。反射光は、集光レンズ２３を介して受光センサー２５に受光される。
制御手段７０は、受光センサー２５に受光された反射光に基づいて、測定範囲Ｒ内の外周上面の高さを求める。 In measuring the height of the outer circumference top surface, the control means 70 controls the light projecting section 21 (see FIG. 5) of the top surface height measuring means 20 to project measurement light in the measurement range R shown in FIG. The measurement light is reflected by the upper peripheral surface of the wafer 2 in the measurement range R. As shown in FIG. The reflected light is received by the light receiving sensor 25 via the condenser lens 23 .
The control means 70 obtains the height of the outer peripheral upper surface within the measurement range R based on the reflected light received by the light receiving sensor 25 .

なお、測定される貼り合わせウェーハ１の外周上面の高さは、貼り合わせウェーハ１の回転角度の変化（測定範囲Ｒの変化）に応じて変動する。すなわち、貼り合わせウェーハ１を構成する支持基板３の面内厚みには、ばらつきがある。このため、ウェーハ２の裏面２ｂおよび支持基板３の裏面３ｂは、面内厚みのばらつきに応じた凹凸を有している。したがって、測定される貼り合わせウェーハ１の外周上面の高さは、この凹凸のために、測定範囲Ｒの変化に応じて変動する。 The height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 to be measured fluctuates according to changes in the rotation angle of the bonded wafer 1 (changes in the measurement range R). In other words, the in-plane thickness of the support substrate 3 forming the bonded wafer 1 varies. Therefore, the back surface 2b of the wafer 2 and the back surface 3b of the support substrate 3 have unevenness corresponding to the in-plane thickness variations. Therefore, the height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 to be measured fluctuates according to the change in the measurement range R due to this irregularity.

制御手段７０は、貼り合わせウェーハ１が一回転するまで、上面高さ測定手段２０による外周上面の高さ測定を実施する。そして、制御手段７０は、エンコーダ３１９によって検出された回転軸３１５の回転角度と、各回転角度において測定された外周上面の高さとを対応付けた対応データを生成し、記憶手段７１に記憶する。 The control means 70 measures the height of the outer peripheral top surface by the top surface height measuring means 20 until the bonded wafer 1 rotates once. Then, the control means 70 generates correspondence data that associates the rotation angle of the rotary shaft 315 detected by the encoder 319 with the height of the outer circumference upper surface measured at each rotation angle, and stores the correspondence data in the storage means 71 .

（２）エッジトリミング工程
この工程では、制御手段７０は、切削ブレード６３の高さを調整しながら、貼り合わせウェーハ１の外周上面を切削することにより、ウェーハ２の面取り部４（図２参照）を除去する。 (2) Edge trimming process In this process, the control means 70 cuts the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 while adjusting the height of the cutting blade 63, thereby cutting the chamfered portion 4 of the wafer 2 (see FIG. 2). to remove

この工程に関し、制御手段７０は、事前に、第１Ｚ軸方向移動手段１６等を制御して、切削ブレード６３の下端を、チャックテーブル３１の保持面３１３に接触させる。さらに、制御手段７０は、このときの切削ブレード６３の高さ（Ｚ方向に沿う位置）を、切削ブレード６３の高さの原点として設定する。すなわち、本実施形態では、切削ブレード６３の高さは、切削ブレード６３と切削ブレード６３の保持面３１３との間のＺ方向に沿距離である。 Regarding this process, the control means 70 controls the first Z-axis direction moving means 16 and the like in advance to bring the lower end of the cutting blade 63 into contact with the holding surface 313 of the chuck table 31 . Furthermore, the control means 70 sets the height of the cutting blade 63 at this time (the position along the Z direction) as the origin of the height of the cutting blade 63 . That is, in this embodiment, the height of the cutting blade 63 is the creeping distance in the Z direction between the cutting blade 63 and the holding surface 313 of the cutting blade 63 .

エッジトリミング工程では、まず、制御手段７０は、切削送り機構１１および第１Ｙ軸方向移動手段１２（図３参照）を制御して、図６および図７に示すように、保持面３１３に保持されている貼り合わせウェーハ１に対する切削ブレード６３の位置（ＸＹ面内での位置）を、切削ブレード６３が貼り合わせウェーハ１の外周上面上に配されるように、設定する。また、制御手段７０は、切削手段６のモータを制御して、スピンドル６０を介して切削ブレード６３を回転させる。 In the edge trimming process, first, the control means 70 controls the cutting feed mechanism 11 and the first Y-axis direction moving means 12 (see FIG. 3) so that the edge is held on the holding surface 313 as shown in FIGS. The position of the cutting blade 63 with respect to the bonded wafer 1 (in the XY plane) is set so that the cutting blade 63 is arranged on the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 . Also, the control means 70 controls the motor of the cutting means 6 to rotate the cutting blade 63 via the spindle 60 .

さらに、制御手段７０は、保持手段３０のモータ３１７を制御して、回転軸３１５を、たとえば図７に示す矢印Ｃ方向に回転させる。これにより、貼り合わせウェーハ１を保持している保持面３１３が回転軸３１５とともに回転して、貼り合わせウェーハ１が切削ブレード６３に対して回転される。
回転軸３１５が回転されると、エンコーダ３１９が、逐次的に、回転軸３１５の回転角度を検出して制御手段７０に伝達する。 Furthermore, the control means 70 controls the motor 317 of the holding means 30 to rotate the rotary shaft 315, for example, in the direction of arrow C shown in FIG. As a result, the holding surface 313 holding the bonded wafer 1 rotates together with the rotating shaft 315 , and the bonded wafer 1 rotates with respect to the cutting blade 63 .
When the rotary shaft 315 is rotated, the encoder 319 sequentially detects the rotation angle of the rotary shaft 315 and transmits it to the control means 70 .

制御手段７０は、記憶手段７１に記憶されている対応データから、エンコーダ３１９によって検出された回転角度に対応する貼り合わせウェーハ１の外周上面高さを呼び出す。そして、制御手段７０は、第１Ｚ軸方向移動手段１６を制御して切削ブレード６３を上下動させることにより、貼り合わせウェーハ１の外周上面に対する切削ブレード６３の切り込み深さが略一定となるように、切削ブレード６３の高さを、呼び出した貼り合わせウェーハ１の外周上面高さに応じた高さに設定する。 The control means 70 retrieves the outer peripheral top surface height of the bonded wafer 1 corresponding to the rotation angle detected by the encoder 319 from the corresponding data stored in the storage means 71 . Then, the control means 70 controls the first Z-axis direction moving means 16 to vertically move the cutting blade 63 so that the cutting depth of the cutting blade 63 with respect to the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 becomes substantially constant. , the height of the cutting blade 63 is set to a height corresponding to the outer peripheral top surface height of the bonded wafer 1 called.

このようにして、制御手段７０は、貼り合わせウェーハ１の外周上面に対する切削ブレード６３の切り込み深さが略一定となるように切削ブレード６３の高さを調整しながら、貼り合わせウェーハ１の外周上面を切削してゆく。そして、制御手段７０は、最終的には、図８に示すように、切削ブレード６３の高さを、接着部材Ｊがわずかに削られる程度の位置まで下げる。これにより、ウェーハ２の面取り部４が切除される。 In this way, the control means 70 adjusts the height of the cutting blade 63 so that the cutting depth of the cutting blade 63 with respect to the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 is substantially constant, and cuts the upper peripheral surface of the bonded wafer 1. cutting. Then, the control means 70 finally lowers the height of the cutting blade 63 to a position where the adhesive member J is slightly cut, as shown in FIG. As a result, the chamfered portion 4 of the wafer 2 is removed.

以上のように、本エッジトリミング装置では、制御手段７０が、エンコーダ３１９によって検出された回転軸３１５の回転角度と、各回転角度において測定された貼り合わせウェーハ１における外周上面の高さとを対応付けた対応データを生成し、記憶手段７１に記憶する。これにより、制御手段７０は、貼り合わせウェーハ１における外周上面の高さのばらつきを、良好に把握することが可能である。 As described above, in this edge trimming apparatus, the control means 70 associates the rotation angle of the rotary shaft 315 detected by the encoder 319 with the height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 measured at each rotation angle. Corresponding data is generated and stored in the storage means 71 . Thereby, the control means 70 can grasp the unevenness of the height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 satisfactorily.

さらに、本エッジトリミング装置では、制御手段７０は、対応データに基づいて、回転軸３１５の回転角度に対応する貼り合わせウェーハ１の外周上面の高さを把握することができる。そして、制御手段７０は、把握した外周上面の高さに応じて、切削ブレード６３の高さを設定することができる。すなわち、制御手段７０は、貼り合わせウェーハ１の外周上面に対して切削ブレード６３を上下動させることにより、切削ブレード６３の高さを調整することができる。
これにより、本エッジトリミング装置では、貼り合わせウェーハ１の外周上面に対する切削ブレード６３の切り込み深さを、容易に略一定にすることができる。そして、切削ブレード６３切り込み深さを略一定にすることにより、切削ブレード６３の消耗を小さくすることができる。 Furthermore, in this edge trimming apparatus, the control means 70 can grasp the height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 corresponding to the rotation angle of the rotating shaft 315 based on the correspondence data. Then, the control means 70 can set the height of the cutting blade 63 according to the grasped height of the outer peripheral upper surface. That is, the control means 70 can adjust the height of the cutting blade 63 by vertically moving the cutting blade 63 with respect to the outer peripheral surface of the bonded wafer 1 .
Thus, in this edge trimming apparatus, the cutting depth of the cutting blade 63 with respect to the outer peripheral upper surface of the bonded wafer 1 can be easily made substantially constant. By making the depth of cut of the cutting blade 63 substantially constant, wear of the cutting blade 63 can be reduced.

また、本実施形態では、エッジトリミング工程において、切削ブレード６３の高さが、接着部材Ｊがわずかに削られる程度の位置にまで下げられる。このため、支持基板３が削られることを抑制できるので、支持基板３を再利用することが可能である。
また、切削ブレード６３は、接着部材Ｊがわずかに削られる位置に下げられているので、切削ブレード６３に接着部材Ｊが付着して切削不良を発生させることがない。 Further, in this embodiment, in the edge trimming process, the height of the cutting blade 63 is lowered to a position where the adhesive member J is slightly cut. Therefore, it is possible to suppress the support substrate 3 from being scraped, so that the support substrate 3 can be reused.
In addition, since the cutting blade 63 is lowered to a position where the adhesive member J is slightly cut, the adhesive member J does not stick to the cutting blade 63 and cause cutting failure.

なお、本実施形態では、外周上面の高さの測定工程が、制御手段７０の制御によって実施されている。しかし、外周上面の高さの測定工程は、他の外部の制御装置あるいはユーザによる制御によって実施されてもよい。
また、エッジトリミング工程での切削開始時における回転軸３１５の回転角度（位置）は、回転角度の原点から任意の角度だけ回転した位置であってもよい。 In this embodiment, the step of measuring the height of the outer peripheral upper surface is performed under the control of the control means 70 . However, the step of measuring the height of the outer circumference top surface may be performed by another external control device or by user control.
Further, the rotation angle (position) of the rotating shaft 315 at the start of cutting in the edge trimming process may be a position rotated by an arbitrary angle from the origin of the rotation angle.

また、本実施形態では、ウェーハ２と支持基板３とを貼り合わせるための貼り合わせ部材として、接着部材Ｊを用いている。これに代えて、貼り合わせ部材として、３μｍ程度の厚さを有する酸化膜を用いてもよい。
また、エッジトリミング工程では、切削ブレード６３によって、支持基板３の外周部、すなわち、支持基板３におけるウェーハ２の面取り部４に対応する部分が切除されてもよい。 Moreover, in this embodiment, the bonding member J is used as a bonding member for bonding the wafer 2 and the support substrate 3 together. Alternatively, an oxide film having a thickness of about 3 μm may be used as the bonding member.
In the edge trimming step, the cutting blade 63 may be used to cut the outer peripheral portion of the support substrate 3 , that is, the portion of the support substrate 3 corresponding to the chamfered portion 4 of the wafer 2 .

１：貼り合わせウェーハ、２：ウェーハ、３：支持基板、４：面取り部、７：外周縁、
６：切削手段、６０：スピンドル、６１：ハウジング、６３：切削ブレード、
２０：上面高さ測定手段、２１：投光部、２３：集光レンズ、２５：受光センサー、
７０：制御手段、７１：記憶手段、
１０：基台、１４：門型コラム、
１１：切削送り機構、
１３：切削手段移動機構、１２：第１Ｙ軸方向移動手段、１６：第１Ｚ軸方向移動手段、
１８：上面高さ測定手段移動機構、１５：第２Ｙ軸方向移動手段、１７：第２Ｚ軸方向移動手段、
３０：保持手段、３１：チャックテーブル、３２：テーブルベース、
３１２：吸着部、３１３：保持面、３１４：枠体、
３１５：回転軸、３１７：モータ、３１９：エンコーダ、
Ｊ：接着部材、
Ｒ：測定範囲 1: bonded wafer, 2: wafer, 3: support substrate, 4: chamfered portion, 7: outer peripheral edge,
6: cutting means, 60: spindle, 61: housing, 63: cutting blade,
20: upper surface height measuring means, 21: light projecting section, 23: condenser lens, 25: light receiving sensor,
70: control means, 71: storage means,
10: base, 14: portal column,
11: cutting feed mechanism,
13: cutting means moving mechanism, 12: first Y-axis direction moving means, 16: first Z-axis direction moving means,
18: upper surface height measuring means moving mechanism, 15: second Y-axis direction moving means, 17: second Z-axis direction moving means,
30: holding means, 31: chuck table, 32: table base,
312: adsorption part, 313: holding surface, 314: frame,
315: rotary shaft, 317: motor, 319: encoder,
J: adhesive member,
R: measurement range

Claims (1)

外周縁に面取り部を有するウェーハと支持基板とを貼り合わせ部材で貼り合わせた貼り合わせウェーハの該面取り部を切削ブレードで切削するエッジトリミング装置であって、
該支持基板に接触し、該貼り合わせウェーハの該ウェーハが上面側となるように該貼り合わせウェーハを保持する保持面を有する保持手段と、
該切削ブレードを先端に装着したスピンドルを回転させ、該保持面に保持された該貼り合わせウェーハの該ウェーハの該面取り部を切削する切削手段と、
該保持面に対して垂直なＺ軸方向に該切削手段を移動させるＺ軸方向移動手段と、
該保持面に保持された該貼り合わせウェーハの上面側から、該貼り合わせウェーハの該ウェーハの外周上面の高さを測定する上面高さ測定手段と、
記憶手段と、
制御手段とを備え、
該保持手段は、
該保持面を有するチャックテーブルと、
該保持面の中心を軸心とし該チャックテーブルに連結された回転軸と、
該回転軸を回転させるモータと、
該回転軸の回転角度を検出するエンコーダと、を備え、
該記憶手段は、該回転軸の回転時に、該エンコーダにより検出された回転角度と、該回転角度において該上面高さ測定手段により測定された外周上面高さと、を対応付けた対応データを記憶し、
該制御手段は、該回転軸を回転させ、該エンコーダによって検出された回転角度に対応する該外周上面高さを該対応データから呼び出し、呼び出した該外周上面高さに応じて、該外周上面に対する切削ブレードの切り込み深さが略一定となるように該切削ブレードの高さを設定して該外周上面を切削することにより、該貼り合わせウェーハの該ウェーハの該面取り部を切除する、
エッジトリミング装置。 An edge trimming device for cutting the chamfered portion of a bonded wafer obtained by bonding a wafer having a chamfered portion on the outer peripheral edge and a support substrate with a bonding member with a cutting blade,
a holding means having a holding surface that contacts the support substrate and holds the bonded wafer so that the wafer of the bonded wafer faces the upper surface ;
a cutting means for rotating a spindle having the cutting blade attached to its tip to cut the chamfered portion of the bonded wafer held on the holding surface;
Z-axis direction moving means for moving the cutting means in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface;
upper surface height measuring means for measuring the height of the outer peripheral upper surface of the bonded wafer from the upper surface side of the bonded wafer held on the holding surface;
a storage means;
a control means;
The retaining means are
a chuck table having the holding surface;
a rotating shaft connected to the chuck table and centered on the center of the holding surface;
a motor that rotates the rotating shaft;
an encoder that detects the rotation angle of the rotating shaft,
The storage means stores correspondence data in which the rotation angle detected by the encoder during rotation of the rotary shaft is associated with the outer peripheral top surface height measured by the top surface height measuring means at the rotation angle. ,
The control means rotates the rotating shaft, calls the outer peripheral top surface height corresponding to the rotation angle detected by the encoder from the corresponding data, and determines the height of the outer peripheral top surface according to the called outer peripheral top surface height. Cutting the chamfered portion of the wafer of the bonded wafer by setting the height of the cutting blade so that the cutting depth of the cutting blade is substantially constant and cutting the outer peripheral upper surface;
Edge trimming device.
JP2018170435A 2018-09-12 2018-09-12 Edge trimming device Active JP7222636B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018170435A JP7222636B2 (en) 2018-09-12 2018-09-12 Edge trimming device
CN201910783170.4A CN110893574B (en) 2018-09-12 2019-08-23 Edge trimming device
KR1020190106581A KR20200030450A (en) 2018-09-12 2019-08-29 Edge trimming apparatus
TW108132675A TWI828749B (en) 2018-09-12 2019-09-11 edge trimming device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018170435A JP7222636B2 (en) 2018-09-12 2018-09-12 Edge trimming device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020040181A JP2020040181A (en) 2020-03-19
JP7222636B2 true JP7222636B2 (en) 2023-02-15

Family

ID=69785727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018170435A Active JP7222636B2 (en) 2018-09-12 2018-09-12 Edge trimming device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7222636B2 (en)
KR (1) KR20200030450A (en)
CN (1) CN110893574B (en)
TW (1) TWI828749B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111633852A (en) * 2020-04-16 2020-09-08 江苏京创先进电子科技有限公司 Edge removing processing method of wafer chip and dicing saw applied by same
KR20240095926A (en) 2022-12-19 2024-06-26 문준영 Sprayable solution container with the dropper

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012238658A (en) 2011-05-10 2012-12-06 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer chamfering part removal device
US20140054748A1 (en) 2012-08-21 2014-02-27 Genmao Liu Edge trimming method for semiconductor wafer and semiconductor wafer having trimmed edge
JP2014056889A (en) 2012-09-11 2014-03-27 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
JP2014139964A (en) 2013-01-21 2014-07-31 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
JP2018114580A (en) 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ Processing method and cutting device for wafer

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2613504B2 (en) * 1991-06-12 1997-05-28 信越半導体株式会社 Wafer notch chamfering method and apparatus
JPH06196776A (en) 1992-12-25 1994-07-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Second higher-harmonic wave generating laser system
JP3873328B2 (en) * 1996-08-07 2007-01-24 住友電気工業株式会社 Grooving method and processing apparatus
DE19636055A1 (en) * 1996-09-05 1998-03-12 Wacker Siltronic Halbleitermat Edge material removing machining method for semiconductor wafer
JP2010184331A (en) * 2009-02-13 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd Holding table and machining device
JP5389613B2 (en) * 2009-11-12 2014-01-15 株式会社ディスコ Method for managing consumption of cutting blade in cutting apparatus
JP5496787B2 (en) * 2010-06-15 2014-05-21 株式会社ディスコ Cutting device
JP5764031B2 (en) * 2011-10-06 2015-08-12 株式会社ディスコ Cutting equipment
DE202011051593U1 (en) * 2011-10-11 2012-02-27 Christian Eckel Guide device for angle grinder
JP2016096295A (en) * 2014-11-17 2016-05-26 株式会社ディスコ Method for processing double layer structure wafer
JP2016127232A (en) * 2015-01-08 2016-07-11 株式会社ディスコ Processing method of wafer
JP6541546B2 (en) * 2015-10-21 2019-07-10 株式会社ディスコ Cutting device
JP6727719B2 (en) * 2016-08-18 2020-07-22 株式会社ディスコ Cutting method of work piece
JP2018092963A (en) * 2016-11-30 2018-06-14 株式会社ディスコ Wafer processing method
CN207223652U (en) * 2017-09-30 2018-04-13 马鞍山市一诺机械刀具有限公司 A kind of multi-station adjustable sand-wheel cutting apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012238658A (en) 2011-05-10 2012-12-06 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer chamfering part removal device
US20140054748A1 (en) 2012-08-21 2014-02-27 Genmao Liu Edge trimming method for semiconductor wafer and semiconductor wafer having trimmed edge
JP2014056889A (en) 2012-09-11 2014-03-27 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
JP2014139964A (en) 2013-01-21 2014-07-31 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
JP2018114580A (en) 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ Processing method and cutting device for wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020040181A (en) 2020-03-19
KR20200030450A (en) 2020-03-20
TW202010599A (en) 2020-03-16
CN110893574B (en) 2023-06-02
TWI828749B (en) 2024-01-11
CN110893574A (en) 2020-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008272866A (en) Substrate grinding work method and grinding work device
JP2008124292A (en) Wafer positioning jig of processing apparatus
TWI712082B (en) Wafer grinding method
JP6983026B2 (en) Cutting equipment
JP7222636B2 (en) Edge trimming device
TW202007479A (en) Origin position setting mechanism and origin position setting method for grinding device installing a grinding device with high precision without using a contact sensor
JP6509589B2 (en) Cutting device
JP2022186971A (en) Wafer positioning apparatus and chamfering apparatus using the same
JP5991890B2 (en) Wafer processing method
JP2012238658A (en) Wafer chamfering part removal device
JP2009302369A (en) Method and apparatus for processing plate-like object
US20230410370A1 (en) Positioning method
JP5654365B2 (en) Grinding equipment
JP7348037B2 (en) processing equipment
TWI779194B (en) Workpiece processing method
JP5501129B2 (en) Method for forming container
JP2012152859A (en) Grinding device
JP5889025B2 (en) Grinding equipment
KR20200035341A (en) Apparatus for measuring upper surface height of periphery edge of wafer
JP2021146417A (en) Grinding method for wafer
JP2015107535A (en) Setup method of bit cutting device
JP7560312B2 (en) Creep feed grinding device and creep feed grinding method
JP2010221335A (en) Grinding device
JP2009130029A (en) Cutting device
JP2010162661A (en) Chamfering method and device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210707

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7222636

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150