JP7295632B2 - 半導体装置およびシステム - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 150
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 12
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 9
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
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- H03K23/54—Ring counters, i.e. feedback shift register counters
- H03K23/542—Ring counters, i.e. feedback shift register counters with crossed-couplings, i.e. Johnson counters
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- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/1205—Multiplexed conversion systems
- H03M1/123—Simultaneous, i.e. using one converter per channel but with common control or reference circuits for multiple converters
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- H03M1/50—Analogue/digital converters with intermediate conversion to time interval
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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Description
図17は、本発明者らが特許文献2に記載されている積分型A/D変換回路を基にして構成した比較例の積分型A/D変換回路の構成を示すブロック図である。イメージセンサ170は、図示しない画素部と、制御回路171と、複数の積分型A/D変換回路177と、参照電圧生成回路181とを備えている。
図20は、比較例において、理想的なA/D変換が行われる場合のA/D変換動作を示す図である。図20において、矢印の左側には、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>および上位ビットカウンタ信号GR<2>~GR<3>の理想的なタイミングを示されている。また、図20において、矢印の右側には、A/D変換回路177に入力されるアナログ入力とA/D変換回路177から出力されるデジタル出力との関係が示されている。
<イメージセンサの構成>
図1は、実施の形態1に係わるイメージセンサの構成を示すブロック図である。イメージセンサ100は、制御回路1と、行操作回路2と、画素部3と、カラムA/D変換回路7と、列操作回路8と、デコーダ回路9とを備えている。実施の形態1においては、イメージセンサ100を構成する画素部3と上記した各回路は、1つの半導体チップに周知の半導体製造技術によって形成されている。すなわち、1個の半導体装置が、上記した画素部3と上記の各回路を備えている。
図2は、実施の形態1に係わるカラムA/D変換回路の構成を示すブロック図である。
実施の形態1に係わるカウンタ回路5は、ジョンソンカウンタ18と、バイナリカウンタ19と、バイナリコードをグレイコードに変換するバイナリグレイ変換回路20を備えている。
画素部3の各列に対応した複数のA/D変換回路6のそれぞれは、積分型A/D変換回路によって構成されている。A/D変換回路6の構成は、互いに同じであるため、列信号線CL_0が配置された列に対応するA/D変換回路6を代表として説明する。
図4は、実施の形態1に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。また、図5は、実施の形態1に係わる判定回路の動作を説明するためのタイミング図である。
図6は、実施の形態1に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。同図には、カウンタ信号にスキューが発生していない場合の上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号のタイミングが示されている。また、図7は、実施の形態1に係わるカウンタ回路から出力されるカウンタ信号とビットコードとカウンタ値との対応を示す変換表の図である。
下位ビットカウンタ信号JC<3:0>および上位ビットカウンタ信号GR<n:3>は、カウンタ信号線CTL-JC<3:0>、CTL-GR<n:3>によって、図2に示したように、数千から数万の列に配置されたA/D変換回路6に分配される。
次に、スキューが発生しているときの動作を説明する。図8および図9は、実施の形態1に係わるA/D変換回路の動作を説明するためのタイミング図である。図8には、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルとなっている期間において、下位ビットラッチ信号14が、ハイレベルからロウレベルへ立ち下がった場合のタイミングが示されている。一方、図9には、下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルとなっている期間において、下位ビットラッチ信号14が、ハイレベルからロウレベルへ立ち下がった場合のタイミングが示されている。なお、ここでは、画素部3の一つの列に対応したA/D変換回路6の動作を説明するが、画素部3の残りの列に対応したA/D変換回路6の動作も同様である。
図10は、実施の形態2に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。また、図11は、実施の形態2に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。実施の形態2においては、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の変動が、実施の形態1に比べて大きくなった場合にも、特性の劣化を防ぐことが可能なA/D変換回路が提供される。
図12は、実施の形態3に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。また、図13は、実施の形態3に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。実施の形態2においては、下位ビットカウンタ信号および上位ビットカウンタ信号を変更せずに、スキュー許可範囲を広くする例を示した。実施の形態3においては、ジョンソンカウンタ18により生成される多相クロック信号のビット数、すなわち下位ビットカウンタ信号の数を増やすことにより、スキュー許可範囲を広くしたA/D変換回路を提供する。
図14は、実施の形態4に係わるイメージセンサの構成を示すブロック図である。図14は、図1と類似しているので、主に相異点を説明する。相異点は、図14では、図1のカウンタ回路5が、高速カウンタ回路5_1と低速デジタル回路5_2とによって構成され、カウンタ信号線CTLが、多相クロック信号線HMLと低速信号線LCLとによって構成されている点である。
図15は、実施の形態5に係わるカラムA/D変換回路の構成を示すブロック図である。図15は、図2に類似しているので、主に相異点を説明する。図15では、図2に示した各A/D変換回路6に、位相分割回路30と、最下位ビットラッチ回路31が追加されていることが、主な相異点である。また、図16は、実施の形態5に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。
2 行操作回路
3 画素部
4 参照電圧生成回路
5 カウンタ回路
6 A/D変換回路
7 カラムA/D変換回路
10 比較回路
11 下位ビットラッチ回路
12、12-1、12-4 判定回路
12_1 D-FF
12_2、12_3、12_4 アンド回路
13 上位ビットラッチ回路
14 下位ビットラッチ信号
15 上位ビットラッチ信号
18 ジョンソンカウンタ
19 バイナリカウンタ
20 バイナリグレイ変換回路
100 イメージセンサ
JC<3:0>、JC<7:0> 下位ビットカウンタ信号
GR<n:3>,GR<n:4> 上位ビットカウンタ信号
Claims (4)
- 時間の経過に対して直線的に変化する参照電圧を生成する参照電圧生成回路と、
時間の経過に対して値が変化し、それぞれが複数のビットカウンタ信号を含む上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号を生成するカウンタ回路と、
入力信号と前記参照電圧とを比較し、前記入力信号と前記参照電圧とが所定の関係に到達したとき、下位ビットラッチ信号を出力する比較回路と、
前記下位ビットラッチ信号に応答して、前記下位ビットカウンタ信号をラッチする下位ビットラッチ回路と、
前記下位ビットラッチ信号と前記下位ビットカウンタ信号における所定のビットカウンタ信号とに基づいて、前記上位ビットカウンタ信号が不定となる不定期間を除いた期間において、上位ビットラッチ信号を出力する判定回路と、
前記上位ビットラッチ信号に応答して、前記上位ビットカウンタ信号をラッチする上位ビットラッチ回路と、
を具備し、前記上位ビットラッチ回路にラッチされた上位ビットカウンタ信号と前記下位ビットラッチ回路にラッチされた下位ビットカウンタ信号とを前記入力信号に対応するデジタル信号として出力する積分型A/D変換回路を備え、
前記カウンタ回路は、前記下位ビットカウンタ信号を出力する下位ビットカウンタ回路と、前記下位ビットカウンタ回路から出力されるビットカウンタ信号に基づいて、前記上位ビットカウンタ信号を出力する上位ビットカウンタ回路と、前記下位ビットカウンタ回路から出力されるビットカウンタ信号間の位相を分割して、前記積分型A/D変換回路において変換するアナログ信号の最小変化量を表す分割ビットカウンタ信号を出力する位相分割回路とを備え、
前記下位ビットラッチ回路は、前記下位ビットラッチ信号に応答して、前記下位ビットカウンタ信号と前記分割ビットカウンタ信号とをラッチする、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記判定回路には、前記所定のビットカウンタ信号として、前記下位ビットカウンタ信号における複数のビットカウンタ信号が供給される、半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記下位ビットカウンタ回路は、互いに位相の異なる複数の信号を前記下位ビットカウンタ信号として出力するジョンソンカウンタを備え、
前記上位ビットカウンタ回路は、前記ジョンソンカウンタから出力される複数の信号のうちの所定の信号をカウントするバイナリカウンタと、前記バイナリカウンタからの信号をグレイコードの信号に変換し、前記上位ビットカウンタ信号として出力するバイナリグレイ変換回路とを備える、半導体装置。 - 行列状に配置された複数の感光素子と、行列状に配置された感光素子の各列に配置され、列に配置された複数の感光素子が接続された複数の信号線とを備えた画素部と、
時間の経過に対して直線的に変化する参照電圧を生成する参照電圧生成回路と、
それぞれ複数のビットカウンタ信号を含む上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号とを出力するカウンタ回路と、
行列状に配置された感光素子の行に沿って配置され、前記上位ビットカウンタ信号および前記下位ビットカウンタ信号を伝達する複数のカウンタ信号線と、前記各列に対応して配置され、各列に配置された信号線と前記複数のカウンタ信号線に接続された複数の積分型A/D変換回路とを有するカラム変換部と、
を備え、
前記複数の積分型A/D変換回路のそれぞれは、
対応する信号線から供給される入力信号と前記参照電圧とを比較して、下位ビットラッチ信号を出力する比較回路と、
前記下位ビットラッチ信号に応答して、カウンタ信号線を伝達する下位ビットカウンタ信号をラッチする下位ビットラッチ回路と、
前記下位ビットラッチ信号と、前記下位ビットカウンタ信号のうちの所定のビットカウンタ信号とに基づいて、上位ビットラッチ信号が不定となる不定期間を除いた期間において、上位ビットラッチ信号を出力する判定回路と、
前記上位ビットラッチ信号に応答して、カウンタ信号線を伝達する上位ビットカウンタ信号をラッチする上位ビットラッチ回路と、
を備え、
前記カラム変換部は、前記各列のうちの所定の列に配置され、前記下位ビットカウンタ信号を伝達するカウンタ信号線に接続され、下位ビットカウンタ信号間の位相差を分割して、分割ビットカウンタ信号を生成する位相分割回路を備え、
前記下位ビットラッチ回路は、前記下位ビットラッチ信号に応答して、前記下位ビットカウンタ信号と前記分割ビットカウンタ信号をラッチする、システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018233834A JP7295632B2 (ja) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 半導体装置およびシステム |
US16/668,803 US11115614B2 (en) | 2018-12-13 | 2019-10-30 | Image sensor with A/D conversion circuit having reduced DNL deterioration |
CN201911156693.2A CN111327325A (zh) | 2018-12-13 | 2019-11-22 | 半导体器件和系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018233834A JP7295632B2 (ja) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 半導体装置およびシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020096300A JP2020096300A (ja) | 2020-06-18 |
JP7295632B2 true JP7295632B2 (ja) | 2023-06-21 |
Family
ID=71071944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018233834A Active JP7295632B2 (ja) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 半導体装置およびシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11115614B2 (ja) |
JP (1) | JP7295632B2 (ja) |
CN (1) | CN111327325A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021141953A1 (en) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | Compound Photonics U.S. Corporation | Dynamic pixel modulation |
JP2023002407A (ja) | 2021-06-22 | 2023-01-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2023045562A (ja) * | 2021-09-22 | 2023-04-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 積分型a/d変換器、及び、半導体装置 |
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---|---|---|---|---|
JP2013229708A (ja) | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Renesas Electronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2016213549A (ja) | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 国立大学法人北海道大学 | デジタル回路及びA/D(Analog/Digital)変換回路並びにデジタル信号処理方法 |
WO2017169446A1 (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4654857B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | Da変換装置、ad変換装置、半導体装置 |
JP2008092091A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Tokyo Institute Of Technology | 積分型a/d変換器、a/d変換器を有する撮像装置及び電子機器 |
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JP2013069360A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びデータ処理システム |
JP6314477B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2018-04-25 | ソニー株式会社 | 電子デバイス |
WO2016056394A1 (ja) * | 2014-10-06 | 2016-04-14 | ソニー株式会社 | 信号処理装置および方法、撮像素子、並びに電子機器 |
CN111418203B (zh) * | 2017-11-29 | 2023-02-07 | 新唐科技日本株式会社 | 固体摄像装置和摄像系统 |
KR20200142169A (ko) * | 2019-06-12 | 2020-12-22 | 삼성전자주식회사 | 아날로그 디지털 컨버터 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
-
2018
- 2018-12-13 JP JP2018233834A patent/JP7295632B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-30 US US16/668,803 patent/US11115614B2/en active Active
- 2019-11-22 CN CN201911156693.2A patent/CN111327325A/zh active Pending
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JP2016213549A (ja) | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 国立大学法人北海道大学 | デジタル回路及びA/D(Analog/Digital)変換回路並びにデジタル信号処理方法 |
WO2017169446A1 (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111327325A (zh) | 2020-06-23 |
US11115614B2 (en) | 2021-09-07 |
JP2020096300A (ja) | 2020-06-18 |
US20200195871A1 (en) | 2020-06-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221122 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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