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JP7295632B2 - 半導体装置およびシステム - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置およびシステムに関し、例えば積分型アナログ/デジタル(以下、A/Dと称する)変換回路を備えた半導体装置およびイメージセンサを備えたシステムに関する。
イメージセンサは、複数の感光素子が行列状に配置された画素部と感光素子からのアナログ信号をデジタル信号へ変換するA/D変換回路とを備えている。近年、イメージセンサに対して、益々、高フレームレート化、高画質化、多画素化が要求されている。この要求に対応するために、A/D変換回路も高速化が要求されている。
イメージセンサに用いられるA/D変換回路として、アナログ信号の値が参照値に到達するまでの時間をカウントするカウンタ回路を使う積分型A/D変換回路を用いた技術が、例えば特許文献1および2に記載されている。
特開2008-92091号公報 特開2013-229708号公報
本発明者らが検討したところ、特許文献1および2に記載されている積分型A/D変換回路では、高速化させたときに、DNL(Differential Non-Linearity)の悪化や誤動作が発生する可能性があることが判明した。以下、本発明者らの検討を述べる。ここでは、特許文献2に記載されている積分型A/D変換回路を基にした検討を述べる。
<比較例>
図17は、本発明者らが特許文献2に記載されている積分型A/D変換回路を基にして構成した比較例の積分型A/D変換回路の構成を示すブロック図である。イメージセンサ170は、図示しない画素部と、制御回路171と、複数の積分型A/D変換回路177と、参照電圧生成回路181とを備えている。
画素部には、複数の感光素子が行列状に配置されており、積分型A/D変換回路177は、画素部の各列に対応するように配置されている。画素部に配置された感光素子からのアナログ信号は、入力信号として対応する積分型A/D変換回路177に供給され、積分型A/D変換回路177によって、デジタル信号に変換され、結果出力として出力される。積分型A/D変換回路177は、画素部の各列に対応しているため、カラム積分型A/D変換回路とも呼ばれることがある。
積分型A/D変換回路177は、比較回路178と、ラッチ回路179とを備えている。比較回路178は、入力信号と参照電圧生成回路181により生成された参照電圧とを比較する。参照電圧は、例えばランプ波であり、時間の経過に伴って直線的に電圧値が変化する。入力信号の電圧が例えば参照電圧を超えることにより、比較回路178の出力であるラッチ信号184が反転する。ラッチ信号184が反転することにより、ラッチ回路179が、カウンタ信号線182<2:0>、183<n:2>に出力されている下位ビットカウンタ信号JC<2:0>および上位ビットカウンタ信号GR<n:2>をラッチする。
ここで、本明細書で用いている表記方法について述べておく。前記した符号<>に挟まれ、符号:で区切られた数は、ビット番号を表し、符号:は、区切られたビット番号間の全てを表している。例えば、前記した下位ビットカウンタ信号JC<2:0>は、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>によって構成されていることを表している。同様に上位ビットカウンタ信号GR<n:2>は、上位ビットカウンタ信号GR<2>~GR<n>によって構成されていることを表している。また、カウンタ信号線182<2:0>は、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>を伝達するカウンタ信号線182<0>~182<2>によって構成されていることを表している。同様に、カウンタ信号線183<n:2>は、上位ビットカウンタ信号GR<2>~GR<n>を伝達するカウンタ信号線183<2>~183<n>によって構成されていることを表している。
ラッチ信号184が反転することにより、ラッチ回路179は、そのときの下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>と、上位ビットカウンタ信号GR<2>~GR<n>をラッチすることになる。
制御回路171は、ジョンソンカウンタ172と、バイナリカウンタ173と、バイナリコードをグレイコードに変換するバイナリグレイ変換回路174と、遅延調整回路175と、同期回路176とを備えている。
ジョンソンカウンタ172には、所定のクロック信号CLKが供給される。ジョンソンカウンタ172は、供給されたクロック信号CLKに基づいて、互いに位相差を持って変化する下位ビットカウンタ信号を生成する。ジョンソンカウンタ172によって生成された下位ビットカウンタ信号の一部が、バイナリカウンタ173に供給される。バイナリカウンタ173は供給された下位ビットカウンタ信号をカウントして、バイナリコードのカウンタ信号BC<n:2>を生成する。バイナリクレイ変換回路174は、カウンタ信号BC<n:2>をグレイコードの上位ビットカウンタ信号に変換して、出力する。すなわち、バイナリクレイ変換回路174は、バイナリコードのカウンタ信号BC<n:2>を基にして、一度に1つの論理値のみが変化するようなグレイコードの上位ビットカウンタ信号を生成する。
バイナリカウンタ173およびバイナリグレイ変換回路174により生じる遅延分だけ、ジョンソンカウンタ172によって生成された下位ビットカウンタ信号を遅延させるように、ジョンソンカウンタ172によって生成された下位ビットカウンタ信号は、遅延調整回路175によって遅延が調整される。遅延が調整された下位ビットカウンタ信号とバイナリグレイ変換回路174によって生成された上位ビットカウンタ信号は、同期回路176に供給される。同期回路176によって、下位ビットカウンタ信号と上位ビットカウンタ信号とが同期するように調整され、下位ビットカウンタ信号は、下位ビットカウンタ信号JC<2:0>として、同期回路176からカウンタ信号線182<2:0>に供給される。また、上位ビットカウンタ信号は、同期回路176から上位ビットカウンタ信号GR<n:2>として、カウンタ信号線183<n:2>に供給される。
ジョンソンカウンタ172は、例えば参照電圧が変化を開始したときに、クロック信号CLKのカウントを開始する。これにより、各積分型A/D変換回路177におけるラッチ回路179は、入力信号の電圧に対応した上位ビットカウンタ信号GR<n:2>と下位ビットカウンタ信号JC<2:0>をラッチし、アナログ信号である入力信号に対応したデジタル信号が、結果出力として出力されることになる。
図18は、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>および上位ビットカウンタ信号GR<2>~GR<n>のタイミングの一例を示すタイミング図である。図18には、理想的なビットカウンタ信号の場合のタイミングが示されている。また、図19には、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>と上位ビットカウンタ信号GR<2>~GR<5>とにより構成されるカウンタ信号と、カウンタ信号よって表されるビットコードと、ビットコードによって表されるカウンタ値との対応を示す変換表の一例が示されている。なお、図18において、ビットカウンタ信号がハイレベルのとき、そのビットカウンタ信号の論理値は、図19に示した“1”に該当し、ビットカウンタ信号がロウレベルのとき、そのビットカウンタ信号の論理値は、図19に示した“0”に該当する。
例えば、ラッチ信号184が、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>がハイレベル(論理値“1”)で、上位ビットカウンタ信号GR<2>~GR<5>がロウレベル(論理値“0”)のときに、反転すれば、下位ビットカウンタ信号JC<2:0>をラッチするラッチ回路179には、論理値“1”がラッチされることになる。このとき、上位ビットカウンタ信号GR<5:2>をラッチするラッチ回路179には、論理値“0”がラッチされることになる。その結果、入力信号は、図19に示すように、カウンタ値“3”に変換されて、結果出力として出力されることになる。
画素部の列数は、例えば数千から数万に達する。そのため、カウンタ信号線182<2:0>、183<n:2>には、リピータ180が設けられている。カウンタ信号線182および183を伝播するビットカウンタ信号は、リピータ180によって波形整形が行われながら、カウンタ信号線を伝播することになる。カウンタ信号線182および183の本数は、A/D変換後のデジタル信号のビット数に相当する数となり、例えば数十本となる。
<DNLの劣化や誤動作の発生>
図20は、比較例において、理想的なA/D変換が行われる場合のA/D変換動作を示す図である。図20において、矢印の左側には、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>および上位ビットカウンタ信号GR<2>~GR<3>の理想的なタイミングを示されている。また、図20において、矢印の右側には、A/D変換回路177に入力されるアナログ入力とA/D変換回路177から出力されるデジタル出力との関係が示されている。
図20において、1LSBは、A/D変換回路177がデジタルへ変換可能な最小入力電圧(最小変化量)に相当する時間を示している。図20に示すように、理想的なタイミングでは、下位ビットカウンタ信号JCおよび上位ビットカウンタ信号GRは、時間1LSBを単位として変化しており、スキューは発生していない。これにより、図20に示すように、A/D変換回路177は、アナログ入力の変化に比例して直線的に変化するデジタル出力を出力する。すなわち、A/D変換回路177は、アナログ入力を、等間隔のデジタル出力に変換し、DNLの劣化は生じていない。
図21は、比較例において、DNLの劣化が生じる場合のA/D変換動作を示す図である。図21において、矢印の左側には、図20と同様に、下位ビットカウンタ信号JCおよび上位ビットカウンタ信号GRのタイミングを示している。図21には、上位ビットカウンタ信号GR<2>の変化が、遅れ、スキューが発生している場合が示されている。この場合、図21において、矢印の右側に示すように、カウンタ値“3”に対応する期間が、時間1LSBよりも長くなり、反対にカウンタ値“4”に対応する期間が、時間1LSBよりも短くなる。すなわち、A/D変換回路177は、アナログ入力を不等間隔でデジタル信号に変換することになり、DNLが劣化する。
図22には、比較例において、スキューによる遅延が、図21に示したものよりもさらに大きくなり、時間1LSBよりも長くなった場合のA/D変換動作が示されている。図22において、矢印の左側に示すように、上位ビットカウンタ信号GR<2>が、図20に示した理想的な場合に比べて、時間1LSBよりも長く経過して変化している。この場合、図22の矢印の右側に示すように、デジタル出力がカウンタ値“3”を示している期間が時間1LSBよりも長くなり、デジタル出力がカウンタ値“4”を示すべき期間にまで延びることになる。すなわち、デジタル出力がカウンタ値“4”を示すべき期間において、あり得ないコード(不定コード)がA/D変換回路177から出力されることになり、A/D変換動作においてエラーが発生し、大きな誤差や誤動作が発生することになる。
すなわち、下位ビットカウンタ信号JCおよび上位ビットカウンタ信号GR間で、遅延差があると、A/D変換回路177は、不定コードを出力したり、DNLの悪化に繋がる。この場合、イメージセンサで取得した画像データには歪みや横筋、もしくは白点、黒点のような画像の乱れ(斑)が生じる。つまり、A/D変換回路に用いるカウンタ信号のスキューは、A/D変換特性、さらには画像の品質に大きな影響を与えることになる。
図17に示すように、制御回路171で生成した下位ビットカウンタ信号JCおよび上位ビットカウンタ信号GRは、カウンタ信号線182および183によって、各列に配置された多くのA/D変換回路177に分配される。すなわち、カウンタ信号線182、183は、数千から数万におよぶ列に渡って配置された多くのA/D変換回路177のそれぞれに、カウンタ信号を伝達するように延在して配置されることになる。また、カウンタ信号の数は、A/D変換回路177の分解能で定まる。このような条件において、画像の品質の劣化を防ぐためには、それぞれの列に配置されたA/D変換回路177において、下位ビットカウンタ信号JCおよび上位ビットカウンタ信号GR間でスキューを合わせることが必要とされる。
図17に示した比較例では、遅延調整回路175や同期回路176によって、下位ビットカウンタ信号JC<2:0>および上位ビットカウンタ信号GR<n:2>のタイミングを高精度で調整し、さらに数千から数万ある列に配置されているA/D変換回路でも下位ビットカウンタ信号JC<2:0>および上位ビットカウンタ信号GR<n:2>の遅延を高精度に調整することが必要とされる。そのため、比較例においては、遅延調整回路175や同期回路176によって面積が増加するとともに、列に配置されたA/D変換回路部でのカウンタ信号の遅延の高精度な調整も必要となる。
さらに、イメージセンサの高フレームレート化や高画質化が進み、A/D変換回路の高速化が進んだため、許容されるスキュー要求誤差が小さくなるとともに、多画素化による画素部の列数の増加、A/D変換回路の高分解能化によるカウンタ信号線数の増加が進んだことにより、スキュー調整の困難化が進み、スキュー要求誤差を満足することが困難になっている。
特許文献2に基づいた比較例を用いて課題を説明したが、特許文献1に記載されているA/D変換回路においても、カウンタ信号間にスキューがあると、DNLの劣化や誤動作が発生し、画像の品質が劣化する。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態に係わる半導体装置を述べると、次のとおりである。
すなわち、半導体装置は、下位ビットカウンタ信号を出力する下位カウンタ回路と、下位ビットカウンタ信号と下位ビットラッチ信号とにより下位ビットラッチ結果信号を出力する下位ビットラッチ回路と、下位ビットラッチ信号により上位ビットラッチ信号を出力する下位ビット判定回路と、上位ビットカウンタ信号を出力する上位カウンタ回路と、上位ビットカウンタ信号と上位ビットラッチ信号とにより上位ビットラッチ結果信号を出力する上位ビットラッチ回路とを備える。
また、他の一実施の形態に係わる半導体装置を述べると、次のとおりである。
すなわち、半導体装置は、時間の経過に対して直線的に変化する参照電圧を発生する参照電圧生成回路と、時間の経過に対して値が変化し、それぞれが複数のビットカウンタ信号を含む上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号を出力するカウンタ回路と、入力信号と参照電圧とを比較し、入力信号と参照電圧とが所定の関係に到達したとき、下位ビットラッチ信号を出力する比較回路と、下位ビットラッチ信号に応答して、下位ビットカウンタ信号をラッチする下位ビットラッチ回路と、下位ビットラッチ信号と下位ビットカウンタ信号における所定のビットカウンタ信号とに基づいて、上位ビットカウンタ信号が不定となる不定期間を除いた期間において、上位ビットラッチ信号を出力する判定回路と、上位ビットラッチ信号に応答して、上位ビットカウンタ信号をラッチする上位ビットラッチ回路とを有し、上位ビットラッチ回路にラッチされた上位ビットカウンタ信号と下位ビットラッチ回路にラッチされた下位ビットカウンタ信号とを、入力信号に対応するデジタル信号として出力する積分型A/D変換回路を備える。
一実施の形態によれば、高速化を図ることが可能な積分型A/D変換回路を備えた半導体装置を提供することができる。
実施の形態1に係わるイメージセンサの構成を示すブロック図である。 実施の形態1に係わるカラムA/D変換回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態1に係わるA/D変換回路の構成を示したブロック図である。 実施の形態1に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。 (A)および(B)は、実施の形態1に係わる判定回路の動作を説明するためのタイミング図である。 実施の形態1に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。 実施の形態1に係わるカウンタ回路から出力されるカウンタ信号とビットコードとカウンタ値との対応を示す変換表の図である。 実施の形態1に係わるA/D換回路の動作を説明するためのタイミング図である。 実施の形態1に係わるA/D変換回路の動作を説明するためのタイミング図である。 実施の形態2に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態2に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。 実施の形態3に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態3に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。 実施の形態4に係わるイメージセンサの構成を示すブロック図である。 実施の形態5に係わるカラムA/D変換回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態5に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。 本発明者らが検討した比較例の積分型A/D変換回路の構成を示すブロック図である。 下位ビットカウンタ信号と上位ビットカウンタ信号のタイミングを示すタイミング図である。 下位ビットカウンタ信号と上位ビットカウンタ信号と、ビットコードと、ビットコードによって表されるカウンタ値との対応を示す変換表の図である。 比較例において、理想的なA/D変換が行われる場合のA/D変換動作を示す図である。 比較例において、DNLの劣化が生じる場合のA/D変換動作を示す図である。 比較例において、スキューによる遅延が大きくなった場合のA/D変換動作を示す図である。 グレイコードのカウンタ信号によって表されるビットコードと、ビットコードによって表されるカウンタ値との対応を示す変換表の図である。
以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
(実施の形態1)
<イメージセンサの構成>
図1は、実施の形態1に係わるイメージセンサの構成を示すブロック図である。イメージセンサ100は、制御回路1と、行操作回路2と、画素部3と、カラムA/D変換回路7と、列操作回路8と、デコーダ回路9とを備えている。実施の形態1においては、イメージセンサ100を構成する画素部3と上記した各回路は、1つの半導体チップに周知の半導体製造技術によって形成されている。すなわち、1個の半導体装置が、上記した画素部3と上記の各回路を備えている。
画素部3は、行列状に配置された複数の感光素子10と、画素部3の各行に配置された行制御線RL_0~RL_nと、画素部3の各列に配置された列信号線CL_0~CL_mとを備えている。感光素子10は、例えばフォトダイオードPDを備え、対応する行に配置された行制御線と対応する列に配置された列信号線とに接続されている。
行操作回路2は、画素部3の各行に配置された行制御線RL_0~RL_nに接続され、画素部3の各行の動作タイミングを制御する。行操作回路2は、例えば、画像を取得するとき、複数の行制御線RL_0~RL_nから順番に行制御線を選択し、選択した行制御線に行制御信号を供給する。これにより、画素部3に配置された複数の感光素子10から、行制御信号が供給された行制御線に接続されている複数の感光素子10が選択される。選択された感光素子10においては、フォトダイオードPDで光により電子が励起され、光に応じたアナログ信号が、列信号線CL_0~CL_mに出力される。列信号線CL_0~CL_mは、カラムA/D変換回路7に接続されており、列信号線CL_0~CL_mに供給された光に応じたアナログ信号は、カラムA/D変換回路7によって、それぞれ対応するデジタル信号に変換される。
列操作回路8は、カラムA/D変換回路7に接続され、各カラムの動作タイミングを制御する。例えば、列操作回路8は、カラムA/D変換回路7によって変換されたデジタル信号が、順次、デコーダ回路9に供給されるように、カラムA/D変換回路7を制御する。デコーダ回路9は、カラムA/D変換回路7から供給されたデジタル信号をデコードして、カウント値として出力する。
制御回路1は、全体の制御を行う。例えば制御回路1は、行操作回路2および列操作回路8を動作させるタイミングを制御する。また、制御回路1は、後で説明するカラムA/D変換回路7内の参照電圧生成回路4の動作を制御するとともに、カラムA/D変換回路7内のカウンタ回路5にクロック信号CLKを供給する。
カラムA/D変換回路7は、画素部3の各列に対応した複数のA/D変換回路6と、参照電圧生成回路4と、カウンタ回路5とを備えている。A/D変換回路6のそれぞれは、対応する画素部3の列に配置されている列信号線に接続されている。参照電圧生成回路4は、時間の経過に伴って直線的に電圧が変化するランプ波状の参照電圧を生成し、各列に対応したA/D変換回路6に対して、共通の参照電圧線RVLを介して、共通の参照電圧を供給する。カウンタ回路5は、制御回路1からのクロック信号CLKに基づいて、それぞれ複数のビットカウンタ信号によって構成された上位ビットカウンタ信号および下位ビットカウンタ信号を生成し、画素部3の行に沿って配置されたカウンタ信号線CTLに出力する。各列に対応したA/D変換回路6は、カウンタ信号線CTLに接続されており、カウンタ回路5によって生成された上位ビットカウンタ信号および下位ビットカウンタ信号が、各列に対応したA/D変換回路6に分配される。
各列に対応したA/D変換回路6には、共通の参照電圧が供給されるとともに、共通の上位ビットカウンタ信号および下位ビットカウンタ信号が分配されるため、各列に対応したA/D変換回路6は、列信号線CL_0~CL_mを介して供給されたアナログ信号を、同時にデジタル信号に変換することが可能である。
図1において、LTCはラッチ信号を示している。ランプ波状の参照電圧が、所定の電圧に到達し、初期の電圧に戻るときに、その旨が、制御回路1から列操作回路8に通知され、列操作回路8がラッチ信号LTCを発生する。後で説明するが、A/D変換回路6は、アナログ信号に対応したデジタル信号を、下位ビットと上位ビットに分けて出力する。ランプ波状の参照電圧が初期の電圧に戻るときには、下位ビットのデジタル信号と上位ビットのデジタル信号が、デコーダ回路9に供給されているため、デコーダ回路9は、ラッチ信号LTCが供給されたタイミングで、下位ビットのデジタル信号と上位ビットのデジタル信号をラッチし、ラッチされたデジタル信号をデコードする。なお、同図では、列操作回路8からラッチ信号LTCが出力されるように描かれているが、ラッチ信号LTCはカラムA/D変換回路7、参照電圧生成回路4あるいは制御回路1から出力されるようにしてもよい。
図1において、線と交差するように描かれた線は、その線が複数であることを示している。例えば、カウンタ信号CTLには、交差するような線“/”が描かれているため、カウンタ信号線CTLは複数のカウンタ信号線である。これに対して、参照電圧線RVLには、交差するような線が設けられていないため、参照電圧線は1つの配線である。
<カラムA/D変換回路>
図2は、実施の形態1に係わるカラムA/D変換回路の構成を示すブロック図である。
<<カウンタ回路>>
実施の形態1に係わるカウンタ回路5は、ジョンソンカウンタ18と、バイナリカウンタ19と、バイナリコードをグレイコードに変換するバイナリグレイ変換回路20を備えている。
ジョンソンカウンタ18は、クロック信号CLKに基づいて互いに位相が異なる多相クロック信号を生成する。実施の形態1においては、4相の多相クロック信号が、ジョンソンカウンタ18によって生成され、生成された多相クロック信号が、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>として、カウンタ信号線CTL-JC<3:0>に供給される。ジョンソンカウンタ18によって生成された多相クロック信号のうち、下位ビットカウンタ信号JC<3>が、クロック信号として、バイナリカウンタ19に供給される。バイナリカウンタ19は、供給された下位ビットカウンタ信号JC<3>をカウントすることによりバイナリコードのカウンタ信号BC<n:3>を生成する。
バイナリコードのカウンタ信号BC<n:3>は、バイナリクレイ変換回路20によってグレイコードのカウンタ信号に変換され、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>として、バイナリグレイ変換回路20から、カウンタ信号線CTL-GR<n:3>に供給される。なお、カウンタ信号線CTL-JC<3:0>およびCTL-GR<n:3>のそれぞれは、画素部3の行と平行して、延在するように配置されている。
実施の形態1に係わるA/D変換回路6は、画素部3から供給されたアナログ信号を、nビットのデジタル信号に変換するが、A/D変換回路6は、nビットのデジタル信号を、それぞれ複数のビットによって形成された下位ビットカウンタ信号JC<3:0>と上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の組として出力する。この場合、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>が、アナログ信号に対応するデジタル信号の下位ビット側の論理値を表し、下位ビットカウンタ信号JC<0>が、下位ビット側で最も下位のビットの論理値を表す。すなわち、下位ビットカウンタ信号JC<0>が、アナログ信号における最小変化量の変化を表す。下位ビットカウンタ信号JC<3:0>においては、下位ビットカウンタ信号JC<0>、JC<1>、JC<2>、JC<3>の順に、下位ビット側で上位のビットの論理値を表す。従って、実施の形態1においては、下位ビット側において、最も上位のビットを表す下位ビットカウンタ信号JC<3>に基づいて、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>が生成されていることになる。この上位ビットカウンタ信号GR<n:3>が、アナログ信号に対応するデジタル信号の上位ビット側の論理値を表す。なお、nはA/D変換回路6の分解能によって決定される。
<<A/D変換回路>>
画素部3の各列に対応した複数のA/D変換回路6のそれぞれは、積分型A/D変換回路によって構成されている。A/D変換回路6の構成は、互いに同じであるため、列信号線CL_0が配置された列に対応するA/D変換回路6を代表として説明する。
A/D変換回路6は、比較回路(入力信号判定回路)10と、下位ビットラッチ回路11と、判定回路12と、上位ビットラッチ回路13とを備えている。比較回路10は、参照電圧配線RVLと対応する列の列信号線CL_0とに接続され、参照電圧と列信号線CL_0からのアナログ信号の電圧とを比較する。比較回路10は、参照電圧とアナログ信号とを比較した結果、相互の関係が反転すると、そのタイミングで下位ビットラッチ信号14を出力する。例えばアナログ信号が参照電圧を超えると、超えたタイミングで、比較回路10は、下位ビットラッチ信号14を出力する。言い換えるならば、比較回路10は、参照電圧とアナログ信号との関係が所定の関係に到達すると、そのタイミングで下位ビットラッチ信号14を出力する。
下位ビットラッチ回路11は、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>が供給されるカウンタ信号線CTL-JC<3:0>に入力が接続され、出力(下位ビットラッチ結果信号)が出力線21に接続されている。下位ビットラッチ回路11は、比較回路10から下位ビットラッチ信号14が供給されると、そのとき、入力に供給されている下位ビットカウンタ信号JC<3:0>をラッチし、ラッチされている下位ビットカウンタ信号JC<3:0>を、出力線21に出力する。
判定回路(下位ビット判定回路)12には、下位ビットラッチ信号14と下位ビットカウンタ信号JC<3:0>のうちの所定の下位ビットカウンタ信号が供給されている。判定回路12は、後で図4および図5を用いて詳しく説明するが、下位ビットラッチ信号14と所定の下位ビットカウンタ信号に基づいて、上位ビットカウンタ信号をラッチするか否かを示す上位ビットラッチ信号15を出力する。
上位ビットラッチ回路13は、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>が供給されているカウンタ信号線CTL-GR<n:3>に入力が接続され、出力が出力線21に接続されている。上位ビットラッチ回路13は、判定回路12から上位ビットラッチ信号15が供給されると、そのとき、入力に供給されている上位ビットカウンタ信号GR<n:3>をラッチし、ラッチされている上位ビットカウンタ信号(上位ビットラッチ結果信号)GR<n:3>を出力線21に出力する。
図2において、17はリピータを示している。カウンタ信号線CTL-JC<3:0>およびCTL-GR<n:3>は、下位ビットカウンタ信号および上位ビットカウンタ信号を、数千から数万におよぶ列に対応するA/D変換回路6に分配するために、長くなり、カウンタ信号線での損失等により、下位ビットカウンタ信号および上位ビットカウンタ信号に劣化が発生する。そのため、カウンタ信号線CTL-JC<3:0>およびCTL-GR<n:3>のそれぞれにおいて、A/D変換回路6が配置されている位置に波形の整形を行うリピータ17が配置されている。勿論、全てのA/D変換回路6にリピータ17を設ける必要はなく、カウンタ信号を確実に伝送するため必要に応じて、リピータ17は配置すればよい。
図3は、実施の形態1に係わるA/D変換回路の構成を示したブロック図である。図3に示すように、下位ビットラッチ回路11は、入力端子D0~D3と、出力端子Q0~Q3と、クロック端子CKとを備えたラッチ回路によって構成されている。入力端子D0~D3は、カウンタ信号線CTK-JC<3:0>に接続され、出力端子Q0~Q3は、出力線JC<0>~JC<3>に接続されている。クロック端子CKに供給されている下位ビットラッチ信号14の電圧がロウレベルに反転したタイミングで、下位ビットラッチ回路11は、入力端子D0~D3に供給されている下位ビットカウンタ信号JC<3:0>を取り込み、ラッチする。ラッチされた下位ビットカウンタ信号JC<3:0>は、出力線JC<0>~JC<3>に供給されることになる。
上位ビットラッチ回路13は、入力端子D3~Dnと、出力端子Q3~Qnと、クロック端子CKとを備えたラッチ回路によって構成されている。入力端子D3~Dnは、カウンタ信号線CTK-GR<n:3>に接続され、出力端子Q3~Qnは、出力線GR<3>~GR<n>に接続されている。クロック端子CKに供給されている上位ビットラッチ信号15の電圧がハイレベルからロウレベルに反転したタイミングで、上位ビットラッチ回路13は、入力端子D3~Dnに供給されている上位ビットカウンタ信号GR<n:3>を取り込み、ラッチする。ラッチされた上位ビットカウンタ信号GR<n:3>は、出力線GR<3>~GR<n>に供給されることになる。
図3に示すように、出力線21は、下位ビットカウンタ信号に対応した出力線JC<3:0>と上位ビットカウンタ信号に対応し出力線GR<n:3>とを備えているため、下位ビットラッチ回路11にラッチされた下位ビットカウンタ信号と上位ビットラッチ回路13にラッチされた上位ビットカウンタ信号が、並列的にデコーダ回路9に供給されることになる。下位ビットラッチ回路11がラッチするタイミングと上位ビットラッチ回路13がラッチするタイミントとの間に時間差があっても、ラッチ信号LTCによって、上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号が、デコーダ回路9において同時にラッチされ、ラッチされたカウンタ信号が、1つのデジタル信号として、デコードされる。
実施の形態1においては、図3に示すように、下位ビットカウンタ信号JC<3>が、所定の下位ビットカウンタ信号として、判定回路12に供給されている。また、図1および図2では省略していたが、判定回路12には、制御回路1からセット信号Setが供給されている。
<<判定回路>>
図4は、実施の形態1に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。また、図5は、実施の形態1に係わる判定回路の動作を説明するためのタイミング図である。
判定回路12は、D型フリップフロップ回路(以下、D-FFと称する)12_1と反転機能付きアンド回路12_2とを備えている。D-FF12_1のセット端子Sには、制御回路1からセット信号Setが供給され、入力端子Dには接地電圧(ロウレベル)が供給されている。また、D-FF12_1のクロック端子CKは、アンド回路12_2の出力が供給され、出力端子Dから上位ビットラッチ信号15が出力される。
アンド回路12_2は、特に制限されないが、実施の形態1においては、2入力のアンド回路によって構成されている。アンド回路12_2の第1の入力には、下位ビットラッチ信号14が位相反転されて供給され、第2の入力には、下位ビットカウンタ信号JC<3>が供給されている。
D-FF12_1は、クロック端子CKに供給されているアンド回路12_2の出力が。ロウレベル(論理値“0”)からハイレベル(論理値“1”)へ変化することにより、入力端子Dに供給されているロウレベルをラッチし、出力端子Qから出力されている上位ビットラッチ信号15をロウレベルにする。また、セット端子Sに供給されているセット信号Setがハイレベルとなることにより、D-FF12_1は、出力端子Qから出力されている上位ビットラッチ信号15をハイレベルにする。
図5(A)には、下位ビットカウンタ信号JC<3>はハイレベルのときに、時刻tで下位ビットラッチ信号14が、ハイレベルからロウレベルへ変化したときのタイミングが示されている。時刻tにおいて、下位ビットラッチ信号14がハイレベルからロウレベルへ変化するため、アンド回路の第2の入力は、ロウレベルからハイレベルに変化する。その結果、上位ビットラッチ信号15は、下位ビットラッチ信号14に同期して、時刻tにおいて、図5(A)に示すように、ハイレベルからロウレベルへ変化する。
図5(B)には、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルの期間において、下位ビットラッチ信号14が、ハイレベルからロウレベルへ変化したときのタイミングが示されている。この場合には、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルからハイレベルへ変化するタイミング(時刻t)において、アンド回路12_2の出力がロウレベルからハイレベルへ変化する。これにより、時刻tにおいて、上位ビットラッチ信号15がハイレベルからロウレベルへ変化する。
すなわち、判定回路12は、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルとなっている期間においては、例え下位ビットラッチ信号14が立ち下がっても、上位ビットラッチ信号15をハイレベルに維持し、下位ビットカウンタ信号JC<3>のハイレベルと下位ビットラッチ信号14のロウレベルとが同時に発生したときに、上位ビットラッチ信号15をハイレベルからロウレベルへ変化させる。
これにより、上位ビットラッチ回路13は、図5(A)に示すように、下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルのときには、下位ビットラッチ信号14がロウレベルに変化したタイミングで、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>をラッチすることになる。一方、図5(B)に示すように、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルの期間において、下位ビットラッチ信号14がロウレベルに変化すると、下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルへ変化するタイミングを待って、上位ビットラッチ回路13は、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>をラッチすることになる。
<A/D変換回路の動作>
図6は、実施の形態1に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。同図には、カウンタ信号にスキューが発生していない場合の上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号のタイミングが示されている。また、図7は、実施の形態1に係わるカウンタ回路から出力されるカウンタ信号とビットコードとカウンタ値との対応を示す変換表の図である。
A/D変換回路6に供給されたアナログ信号は、その値に対応したデジタルのカウント値に変換される。特に制限されないが、実施の形態1においては、アナログ信号は、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<3>と上位ビットカウンタ信号GR<3>~GR<n>とによって構成されたカウンタ信号のビットコードに変換され、変換されたビットコードに対応するカウンタ値に変換される。
図7には、図6に示した下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<3>が、JC<0>~JC<3>として示され、図6の上位ビットカウンタ信号GR<3>~GR<n>のうちの上位ビットカウンタ信号GR<3>~GR<5>が、GR<3>~GR<5>として示されている。また、図6において、ビットカウンタ信号のハイレベルが、図7においては、論理値“1”として示され、ロウレベルが、論理値“0”として示されている。カウンタ値は、図7に示すように、下位ビットカウンタ信号および上位ビットカウンタ信号の論理値の組み合わせ(ビットコード)に一対一に対応している。
下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<3>によって下位側のビットコードが構成されるが、下位ビットカウンタ信号JC<0>が、下位側のビットコードにおいて最も下位のビットに対応し、JC<1>、JC<2>、JC<3>の順に、下位側のビットコードにおける位置が上位となる。同様に、上位ビットカウンタ信号GR<3>~GR<5>によって上位側のビットコードが構成され、上位ビットカウンタ信号GR<3>が、上位側のビットコードにおいて最も下位のビットに対応し、GR<4>、GR<5>の順に、上位側のビットコードにおける位置が上位となる。
図2に示したジョンソンカウンタ18は、クロック信号CLKをカウントすることにより、図6に示す多相の下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<3>を出力する。すなわち、ジョンソンカウンタ18は、A/D変換回路6の最小入力電圧1LSBに相当する時間t1ごとに電圧が変化する下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<3>を出力する。言い換えるならば、ジョンソンカウンタ18は、最小入力電圧1LSBに相当する時間t1ごとに1ビットずつ変化する下位側のビットコードを出力する。また、各下位ビットカウンタ信号JC<3:0>の周期は、時間t1の8倍である。言い換えると、下位側にビットコードの周期は、時間t1の8倍である。
図2に示したバイナリカウンタ19は、下位ビットカウンタ信号JC<3>の立ち下がりエッジをトリガとして動作する。バイナリカウンタ19とバイナリグレイ変換回路20(図2)は、下位ビットカウンタ信号JC<3>に基づいて、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>を生成する。上位ビットカウンタ信号GR<n:3>が、n-2ビットのグレイコードに相当する。すなわち、下位ビットカウンタ信号<3:0>は、デコード後のカウンタ値では下位側の3ビットに相当し、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>は、上位側のn-2ビットに相当する。
<<スキュー>>
下位ビットカウンタ信号JC<3:0>および上位ビットカウンタ信号GR<n:3>は、カウンタ信号線CTL-JC<3:0>、CTL-GR<n:3>によって、図2に示したように、数千から数万の列に配置されたA/D変換回路6に分配される。
下位ビットカウンタ信号JC<3:0>の変化する周期に比べて、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の変化する周期は長くなる。すなわち、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の周波数に比べて、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>の周波数が高くなる。周波数が高くなることにより、下位ビットカウンタ信号は、分配するカウンタ信号線での電圧ドロップが、周波数の低い上位ビットカウンタ信号に比べて大きくなる。そのため、A/D変換回路6に到達する下位ビットカウンタ信号と上位ビットカウンタ信号との間でスキュー(時間差)が発生することが考えられる。
また、隣接するカウンタ信号線または/および他の配線等の影響によって、上位ビットカウンタ信号および下位ビットカウンタ信号を分配するカウンタ信号線に付随する寄生容量、寄生抵抗が、異なる場合にも、A/D変換回路6に到達するビットカウンタ信号間でスキューが発生することが考えられる。
さらに、図2に示したように、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>と上位ビットカウンタ信号GR<n:0>を生成する回路が異なる場合にも、下位ビットカウンタ信号と上位ビットカウンタ信号との間でスキューが発生することが考えられる。
スキューが発生すると、例えば、上位ビットカウンタ信号GRの変化する変化タイミングは、下位ビットカウンタ信号JC<3>の変化に対して、数十psから数ns遅れることがある。
図4および図5で説明したように、判定回路12は、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルの期間においては、上位ビットラッチ信号15をハイレベルに維持する。そのため、図6において、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルとなっている期間においては、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>がスキューにより、その変化タイミングが変動しても、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>は、上位ビットラッチ回路13にラッチされない。すなわち、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルとなっている期間は、スキューの発生が許可されるスキュー許可期間(許可範囲)となる。スキューによって生じる上位ビットカウンタ信号の変動を、上位ビットカウンタ信号が不定になっている状態と見なした場合、スキュー許可期間は、上位ビットカウンタ信号が不定となっていることを許容する不定期間と見なすことができる。
一方、下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルとなっている期間では、判定回路12は、下位ビットラッチ信号14のロウレベルへの変化に応答して、上位ビットラッチ信号15をロウレベルに変化させる。そのため、図6において、下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルとなっている期間(ドットで示されている範囲)は、上位ビットカウンタ信号をラッチすることが可能な上位ビットラッチ可能期間(可能範囲)となる。実施の形態1においては、スキュー許可期間と上位ビットラッチ可能期間のそれぞれは、下位ビットカウンタ信号の周期の半分(時間t1×4)となり、時間的に重ならないように、交互に発生する。言い換えるならば、前記した不定期間を除いた期間が、上位ビットラッチ可能期間となり、この期間において、判定回路12は、ロウレベルの上位ビットラッチ信号15を生成し、上位ビットラッチ回路13に上位ビットカウンタ信号をラッチさせることが可能となっている。
<<スキュー発生時の動作>>
次に、スキューが発生しているときの動作を説明する。図8および図9は、実施の形態1に係わるA/D変換回路の動作を説明するためのタイミング図である。図8には、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルとなっている期間において、下位ビットラッチ信号14が、ハイレベルからロウレベルへ立ち下がった場合のタイミングが示されている。一方、図9には、下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルとなっている期間において、下位ビットラッチ信号14が、ハイレベルからロウレベルへ立ち下がった場合のタイミングが示されている。なお、ここでは、画素部3の一つの列に対応したA/D変換回路6の動作を説明するが、画素部3の残りの列に対応したA/D変換回路6の動作も同様である。
図1に示した参照電圧生成回路4は、図8および図9に示すように、時間の経過に伴って電圧が直線的に変化する参照電圧を生成する。図8および図9には、時間の経過に伴って電圧が低下する参照電圧が示されているが、参照電圧は時間の経過に伴って値が上昇するような電圧であってもよい。
画素部3から画素電圧がアナログ信号として、A/D変換回路6に供給される。アナログ信号と参照電圧との間で電圧が反転すると、比較回路16(図2)から出力されている下位ビットラッチ信号14が、図8および図9に示すように、ハイレベル(H)からロウレベル(L)へ立ち下がる。ジョンソンカウンタ18は、クロック信号CLKをカウントして、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>を出力する。図8および図9に示している下位ビットカウンタ信号JC<3:0>は、図6で説明した下位ビットカウンタ信号JC<3:0>と同じである。
図8において、一点鎖線は、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>をラッチするタイミングを示している。図17で説明した比較例の場合では、この一点鎖線で示すタイミングで、下位ビットカウンタ信号と上位ビットカウンタ信号の両方がラッチされる。すなわち、下位ビットラッチ信号14がロウレベルへ立ち下がることにより、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>と上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の両方がラッチされる。比較例の場合、スキューによって、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の変化が、下位ビットカウンタ信号JC<3>の変化に対して遅延すると、遅延量によっては、正しくない電圧レベルの上位ビットカウンタ信号がラッチされる。
例えば、下位ビットカウンタ信号JC<3>の立ち下がりに応答して、上位ビットカウンタ信号GR<3>が立ち上がるときに、スキューによって、上位ビットカウンタ信号GR<3>の立ち上が遅れ、下位ビットラッチ信号14が立ち下がるタイミングでも、上位ビットカウンタ信号GR<3>がロウレベルとなるような状況を想定すると、正しくないロウレベルの上位ビットカウンタ信号GR<3>がラッチされることになる。
これに対して、実施の形態1においては、下位ビットカウンタ信号JC<3>がロウレベルとなっている期間は、スキュー許可範囲であり、上位ビットラッチ信号15は、次に下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルへ立ち上がるときに、立ち下がる。そのため、上位ビットラッチ回路13は、二点鎖線で示されているタイミングで、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>をラッチすることになる。これにより、上位ビットカウンタ信号GR<3>の立ち上がりが、スキューにより遅れていても、上位ラッチ回路13は、正しいハイレベルの上位ビットカウンタ信号GR<3>をラッチすることが可能となる。
上位ビットカウンタ信号GR<3>を例にして説明したが、上位ビットカウンタ信号GR<4>~GR<n>の立ち上がりが遅れた場合でも、上位ビットラッチ回路13は、正しい電圧レベル(ハイレベル)の上位ビットカウンタ信号GR<4>~GR<n>をラッチすることが可能である。同様に、上位ビットカウンタ信号GR<3>~GR<n>の立ち下がりが、スキューによって遅れた場合も、上位ラッチ回路13は、正しい電圧レベル(ロウレベル)の上位ビットカウンタ信号GR<3>~GR<n>をラッチすることが可能である。
図9に示すように、下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルとなっている期間において、下位ビットラッチ信号14がハイレベルからロウレベルに立ち下がると、一点鎖線で示されているタイミングで、下位ビットラッチ回路11が、そのときの下位ビットカウンタ信号JC<3:0>をラッチし、二点鎖線で示されているタイミングで、上位ビットラッチ回路13が、そのときの上位ビットカウンタ信号GR<n:3>をラッチする。そのため、例えば上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の立ち上がりまたは/および立ち下がりが、スキューによって遅れても、上位ビットラッチ回路13は、正しい電圧の上位ビットカウンタ信号GR<n:3>をラッチすることが可能である。
図6~図8には示されていないが、図4に示したセット信号Setは、1回のA/D変換が終了するたびに発生する。セット信号Setが発生することにより、判定回路12は、上位ビットラッチ信号15の電圧をハイレベルにセットする。
前記した例では、変換回路12は、下位ビットカウンタ信号JC<3>に基づいて、上位ビットラッチ信号15を生成しているが、これに限定されるものではない。スキューによって、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の変化が変動する期間を考慮して、下位ビットカウンタ信号JC<3>の代わりに、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>のいずれかに基づいて、変換回路12は、上位ビットラッチ信号15を生成するようにしてもよい。例えば、下位ビットカウンタ信号JC<3>の代わりに下位ビットカウンタ信号JC<0>を用いれば、下位ビットカウンタ信号JC<0>が、ロウレベルとなっている期間を、スキュー許可範囲とすることか可能である。
実施の形態1においては、最小入力電圧1LSBに相当する時間t1を含む、最も精度が必要な時間情報は、ジョンソンカウンタにより生成される下位ビットカウンタ信号JC<3:0>に集約されている。下位ビットカウンタ信号JC<3:0>が、ジョンソンカウンタにより生成されるため、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>間で、スキューによって、変化タイミングが変動するのを防ぐことが可能である。一方、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>は、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>に対して、4LSBに相当する時間t1×4であるスキュー許可範囲で変動しても、上位ビットラッチ信号15により十分安定したタイミングでラッチすることが可能である。その結果、A/D変換回路のDNL劣化や誤動作等の性能劣化を防ぐことが可能である。
上位ビットラッチ信号15によって、適切なタイミングで上位ビットカウンタ信号GR<n:3>がラッチされるため、カウンタ回路5で、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>と上位ビットカウンタ信号GR<n:3>とを生成する際に、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>と上位ビットカウンタ信号GR<n:3>との間の同期を十分に確保することは要求されない。また、複数の列に配置されたA/D変換回路6のそれぞれにおいて、上位ビットラッチ信号15により上位ビットカウンタ信号がラッチされるため、カウンタ回路5で生成されたカウンタ信号を複数のA/D変換回路6に分配する際に、高精度な遅延調整も必要とされない。結果として、A/D変換回路としては、高速化やDNLの改善が実現でき、イメージセンサとしては、高フレームレート化、高画質化、多画素化等の性能向上が可能になる。
(実施の形態2)
図10は、実施の形態2に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。また、図11は、実施の形態2に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。実施の形態2においては、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の変動が、実施の形態1に比べて大きくなった場合にも、特性の劣化を防ぐことが可能なA/D変換回路が提供される。
実施の形態2においては、図2に示した判定回路12は、図10に示す判定回路12-1に変更されている。判定回路が変更されていることを除いて、他の構成は、実施の形態1と同じである。
判定回路12-1は、D-FF12_1とアンド回路12_3を備えている。D-FF12_1は、図4で説明したD-FFと類似している。相異点は、クロック端子CKにアンド回路12_2の代わりにアンド回路12_3の出力が供給されていることである。アンド回路12_3は、アンド回路12_2に比べて入力の数が多くなっている。すなわち、アンド回路12_3は、下位ビットラッチ信号14が反転されて供給される入力と、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>のそれぞれが反転されて供給される入力と、下位ビットカウンタ信号JC<3>が供給される入力とを備えている。
アンド回路12_3は、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>のそれぞれと下位ビットラッチ信号14とがロウレベルとなり、下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルとなるときに、ハイレベルを出力する。D-FF12_1は、アンド回路12_3の出力がハイレベルに変化するとき、入力端子Dに供給されている接地電圧を取り込み、ロウレベルの上位ビットラッチ信号15を出力する。
図11は、図6と類似している。相異点は、図6に比べて、スキュー許可範囲が長くなり、上位ビットカウンタ信号をラッチすることが可能な上位ビットラッチ可能範囲が短くなっていることである。すなわち、判定回路12-1は、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>がロウレベルで、かつ下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルの期間においてのみ、ロウレベルの上位ビットラッチ信号15を出力することが可能である。そのため、この期間のみが上位ビットラッチ可能範囲となり、他の期間はスキュー許可範囲となる。この例では、スキュー許可範囲は、時間t1×7となる。このスキュー許可範囲においては、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>が変動しても、上位ビットラッチ回路13は、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>をラッチせず、上位ビットラッチ可能範囲においてのみ、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>をラッチすることが可能である。
これにより、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>が大きく変動しても、A/D変換回路の特性が劣化するのを防ぐことが可能である。
A/D変換回路の高速化がさらに進み、スキューにより生じる上位ビットカウンタ信号GR<n:3>の変動の範囲が、4LSBに相当するスキュー許可範囲(t1×4)では不足することが考えられる。実施の形態2においては、スキュー許可範囲が、7LSBに相当する時間(t1×7)となるため、上位ビットカウンタ信号GR<n:3>に最大で7LSBに相当するスキューによる遅延があっても、A/D変換回路の特性が劣化するのを防ぐことが可能である。
判定回路12-1では、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<2>がロウレベルで、かつ下位ビットカウンタ信号JC<3>がハイレベルの期間を、上位ビットラッチ可能範囲としているが、これに限定されるものではない。上位ビットカウンタ信号GR<n:3>が変動する範囲に対して、最もマージンを確保できるタイミングが、上位ビットラッチ可能範囲となるように、アンド回路12_3に供給されている下位ビットカウンタ信号の組み合わせを変更するようにしてもよい。例えば、下位ビットカウンタ信号JC<1>~JC<3>の反転信号と下位ビットカウンタ信号JC<0>が、アンド回路12_3に供給されるように変更すれば、下位ビットカウンタ信号JC<0>のみがハイレベルとなっている期間を、上位ビットラッチ可能範囲に変更することができる。
(実施の形態3)
図12は、実施の形態3に係わる判定回路の構成を示すブロック図である。また、図13は、実施の形態3に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。実施の形態2においては、下位ビットカウンタ信号および上位ビットカウンタ信号を変更せずに、スキュー許可範囲を広くする例を示した。実施の形態3においては、ジョンソンカウンタ18により生成される多相クロック信号のビット数、すなわち下位ビットカウンタ信号の数を増やすことにより、スキュー許可範囲を広くしたA/D変換回路を提供する。
実施の形態3においては、8つの下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<7>が形成されるように、図2に示したジョンソンカウンタ18が変更され、バイナリカウンタ19およびバイナリグレイ変換回路20が、下位ビットカウンタ信号JC<7>をカウントすることにより、グレイコードの上位ビットカウンタ信号GR<4>~GR<n>を生成するように変更されている。
図12に示した判定回路12-4は、図10に示した判定回路と類似している。相異点は、アンド回路12_3の代わりにアンド回路12_4が用いられていることである。アンド回路12_4は、下位ビットラッチ信号14が反転された信号が供給される入力と、下位ビットカウンタ信号JC<0>~JC<6>のそれぞれが反転された信号が供給される入力と、下位ビットカウンタ信号JC<7>が供給される入力とを備えている。
このように構成された判定回路12-4を用いることにより、図13に示すように、下位ビットカウンタ信号JC<6:0>がロウレベルとなり、下位ビットカウンタ信号JC<7>がハイレベルとなっている期間のみが、上位ビットラッチ可能範囲となり、残りの期間はスキュー許可範囲となる。この例では、スキュー許可範囲は15LSBに相当する時間(t1×15)となる。すなわち、スキューにより生じる上位ビットカウンタ信号GR<n:4>の変動が、15LSBに相当する期間まで緩和されることになる。
実施の形態3においても、実施の形態2と同様に、アンド回路12_4に供給される下位ビットカウンタ信号の組み合わせを変更することにより、上位ビットカウンタ信号の変動する範囲に応じて、上位ビットラッチ可能範囲を変更することができる。
(実施の形態4)
図14は、実施の形態4に係わるイメージセンサの構成を示すブロック図である。図14は、図1と類似しているので、主に相異点を説明する。相異点は、図14では、図1のカウンタ回路5が、高速カウンタ回路5_1と低速デジタル回路5_2とによって構成され、カウンタ信号線CTLが、多相クロック信号線HMLと低速信号線LCLとによって構成されている点である。
制御回路からのクロック信号CLKは、高速カウンタ回路5_1に供給される。高速カウンタ回路5_1は、供給されたクロック信号CLKに基づいて、例えば、1LSBに相当する時間だけ位相が異なる多相クロック信号を生成し、多相クロック信号線HMLに供給する。多相クロック信号線HMLは、画素部3の各列に対応して配置されているA/D変換回路6により構成されたカラム部を延在するように配置され、各A/D変換回路6に接続されている。各A/D変換回路6においては、多相クロック信号線HMLを伝播する多相クロック信号を、実施の形態1で説明した下位ビットカウンタ信号として用いる。
高速カウンタ回路5_1は、例えばCMOSトランジスタを用いたCML(Current Mode Logic)回路により構成されている。多相クロック信号は、互いに同じ周波数で、位相のみが異なる複数のクロック信号によって構成されている。多相クロック信号を構成するクロック信号の数は、比較的少ないため、カラム部におけるスキューの調整も容易である。
低速デジタル回路5_2は、前記多相クロック信号に基づいて動作するデジタル回路、例えばバイナリカウンタ等によって構成されている。低速デジタル回路5_2によって形成された低速信号は、カラム部に配置された低速信号線LCLに供給される。カラム部に配置されている各A/D変換回路6は、低速信号線LCLを伝播する低速信号を、実施の形態1で説明した上位ビットカウンタ信号として用いる。上位ビットカウンタ信号は、周期的に変化する信号であるが、その周波数は、下位ビットカウンタ信号を構成する多相クロック信号の周波数よりも低いため、カラム部において細かくスキューを調整する必要はない。また、各A/D変換回路6は、例えば実施の形態1で説明したように、下位ビットラッチ回路11、判定回路12および上位ビットラッチ回路13を備えているため、多相クロック信号と低速信号との間または/および低速信号間に遅延差が生じていても、誤動作等の発生を防ぐことが可能である。
(実施の形態5)
図15は、実施の形態5に係わるカラムA/D変換回路の構成を示すブロック図である。図15は、図2に類似しているので、主に相異点を説明する。図15では、図2に示した各A/D変換回路6に、位相分割回路30と、最下位ビットラッチ回路31が追加されていることが、主な相異点である。また、図16は、実施の形態5に係わるA/D変換回路の動作を示すタイミング図である。
位相分割回路30は、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>を入力し、下位ビットカウンタ信号の位相を分割した信号を位相分割信号(分割ビットカウンタ信号)32として生成する。位相分割回路30は、例えばSMD(Synchronous Mirror Delay)回路等を用いて、多相クロック信号である下位ビットカウンタ信号JC<3:0>の位相を二等分する。位相分割回路30は、例えば、下位ビットカウンタ信号JC<3>とJC<0>との間の位相差を二等分して、二等分したタイミングで、位相分割信号32の電圧を立ち上げ、下位ビットカウンタ信号JC<0>とJC<1>との間の位相差を二等分したタイミングで、位相分割信号32の電圧を立ち下げる。位相分割回路30が、このような動作を繰り返すことにより、図16に示すように、1周期が時間t1×2で、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>の変化から、時間t1の半分の時間t2だけずれたタイミングで、電圧が変化する位相分割信号32が生成される。
位相分割信号32は、下位ビットカウンタ信号JC<3:0>に比べて高速であるため、長距離の伝送には適さない。そのため、実施の形態5では、各A/D変換回路6が、位相分割回路30を備えている。各A/D変換回路6ごとに位相分割回路30を設けると、面積が増加し、消費電力も増加することになるが、1~数百のA/D変換回路6に対して、1つの共通な位相分割回路30を設けることが望ましい。
最下位ビットラッチ回路31には、下位ビットラッチ信号14と位相分割回路30から位相分割信号32が供給されている。最下位ビットラッチ回路31は、下位ビットラッチ信号14のロウレベルへの変化に応答して、供給されている位相分割信号32をラッチし、出力線21へ出力する。
下位ビットラッチ信号14がロウレベルに変化したとき、そのときの下位ビットカウンタ信号JC<3:0>と、そのときの位相分割信号32が、出力線21に供給されることになる。これにより、A/D変換回路6において変換可能な最小入力電圧(最小変化量)LSBに相当する時間は、時間t1の半分の時間t2となる。この場合、図16に示すように、スキュー許可範囲は、時間t2×14となり、上位ビットラッチ可能範囲は、時間t2×2となる。
実施の形態5によれば、A/D変換回路6によってデジタル信号へ変換可能な最小入力電圧を、実施の形態1に比べて半分にすることができ、分解能を向上させることが可能である。また、実施の形態1に比べて高速化を図ることも可能である。
なお、例えば実施の形態1では、上位ビットカウンタ信号が、GR<n:3>となっており、下位ビットカウンタ信号が、JC<3:0>となっている。そのため、例えば図7に示すように、0~32のカウンタ値を表すのに7つのカウンタ信号が必要とされる。同じカウント値を、グレイコードで表せるようにする場合、図23に示すように6つのカウンタ信号によって表すことができ、カウンタ信号の数を低減することが可能である。しかしながら、上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号とに分けることにより、実施の形態で述べたように、上位ビットカウンタ信号がスキューにより変動することを許容するスキュー許容範囲を設けることが可能となり、A/D変換回路の特性が劣化するのを防ぐことが可能である。
図15では、下位ビットラッチ回路11と最下位ビットラッチ回路31とが、別々に示されているが、最下位ビットラッチ回路31は、下位ビットラッチ回路11に統合して、1つの下位ビットラッチ回路としてもよい。
図2において、ジョンソンカウンタ18は、下位ビットカウンタ信号を送信する下位カウンタ回路と見なすことができる。この場合、バイナリカウンタ29とバイナリグレイ変換回路20とによって、上位ビットカウンタ信号を送信する上位カウンタ回路が構成されていると見なすことができる。また、複数のA/D変換回路と、上位ビットカウンタ信号および下位ビットカウンタ信号を伝達するカウンタ信号線とによって、カラム変換部が構成されていると見なすことができる。
実施の形態1~5によれば、少数の下位ビットカウンタ信号に対して遅延時間の調整を行うことにより、スキューによるA/D変換回路の特性の劣化を防ぐことが可能であり、A/D変換回路を高速に動作させることが可能となる。その結果として、イメージセンサの高フレームレート化、高画質化、多画素化を図ることが可能となる。さらに、下位ビットカウンタ信号を生成するカウンタ回路として、ジョンソンカウンタを用いることにより、遅延時間の調整を減らしながら、遅延時間の変動が少ない下位ビットカウンタ信号を生成することが可能であり、容易に高速動作が可能なA/D変換回路を提供することが可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
1 制御回路
2 行操作回路
3 画素部
4 参照電圧生成回路
5 カウンタ回路
6 A/D変換回路
7 カラムA/D変換回路
10 比較回路
11 下位ビットラッチ回路
12、12-1、12-4 判定回路
12_1 D-FF
12_2、12_3、12_4 アンド回路
13 上位ビットラッチ回路
14 下位ビットラッチ信号
15 上位ビットラッチ信号
18 ジョンソンカウンタ
19 バイナリカウンタ
20 バイナリグレイ変換回路
100 イメージセンサ
JC<3:0>、JC<7:0> 下位ビットカウンタ信号
GR<n:3>,GR<n:4> 上位ビットカウンタ信号

Claims (4)

  1. 時間の経過に対して直線的に変化する参照電圧を生成する参照電圧生成回路と、
    時間の経過に対して値が変化し、それぞれが複数のビットカウンタ信号を含む上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号を生成するカウンタ回路と、
    入力信号と前記参照電圧とを比較し、前記入力信号と前記参照電圧とが所定の関係に到達したとき、下位ビットラッチ信号を出力する比較回路と、
    前記下位ビットラッチ信号に応答して、前記下位ビットカウンタ信号をラッチする下位ビットラッチ回路と、
    前記下位ビットラッチ信号と前記下位ビットカウンタ信号における所定のビットカウンタ信号とに基づいて、前記上位ビットカウンタ信号が不定となる不定期間を除いた期間において、上位ビットラッチ信号を出力する判定回路と、
    前記上位ビットラッチ信号に応答して、前記上位ビットカウンタ信号をラッチする上位ビットラッチ回路と、
    を具備し、前記上位ビットラッチ回路にラッチされた上位ビットカウンタ信号と前記下位ビットラッチ回路にラッチされた下位ビットカウンタ信号とを前記入力信号に対応するデジタル信号として出力する積分型A/D変換回路を備え
    前記カウンタ回路は、前記下位ビットカウンタ信号を出力する下位ビットカウンタ回路と、前記下位ビットカウンタ回路から出力されるビットカウンタ信号に基づいて、前記上位ビットカウンタ信号を出力する上位ビットカウンタ回路と、前記下位ビットカウンタ回路から出力されるビットカウンタ信号間の位相を分割して、前記積分型A/D変換回路において変換するアナログ信号の最小変化量を表す分割ビットカウンタ信号を出力する位相分割回路とを備え、
    前記下位ビットラッチ回路は、前記下位ビットラッチ信号に応答して、前記下位ビットカウンタ信号と前記分割ビットカウンタ信号とをラッチする、半導体装置。
  2. 請求項に記載の半導体装置において、
    前記判定回路には、前記所定のビットカウンタ信号として、前記下位ビットカウンタ信号における複数のビットカウンタ信号が供給される、半導体装置。
  3. 請求項2に記載の半導体装置において、
    前記下位ビットカウンタ回路は、互いに位相の異なる複数の信号を前記下位ビットカウンタ信号として出力するジョンソンカウンタを備え、
    前記上位ビットカウンタ回路は、前記ジョンソンカウンタから出力される複数の信号のうちの所定の信号をカウントするバイナリカウンタと、前記バイナリカウンタからの信号をグレイコードの信号に変換し、前記上位ビットカウンタ信号として出力するバイナリグレイ変換回路とを備える、半導体装置。
  4. 行列状に配置された複数の感光素子と、行列状に配置された感光素子の各列に配置され、列に配置された複数の感光素子が接続された複数の信号線とを備えた画素部と、
    時間の経過に対して直線的に変化する参照電圧を生成する参照電圧生成回路と、
    それぞれ複数のビットカウンタ信号を含む上位ビットカウンタ信号と下位ビットカウンタ信号とを出力するカウンタ回路と、
    行列状に配置された感光素子の行に沿って配置され、前記上位ビットカウンタ信号および前記下位ビットカウンタ信号を伝達する複数のカウンタ信号線と、前記各列に対応して配置され、各列に配置された信号線と前記複数のカウンタ信号線に接続された複数の積分型A/D変換回路とを有するカラム変換部と、
    を備え、
    前記複数の積分型A/D変換回路のそれぞれは、
    対応する信号線から供給される入力信号と前記参照電圧とを比較して、下位ビットラッチ信号を出力する比較回路と、
    前記下位ビットラッチ信号に応答して、カウンタ信号線を伝達する下位ビットカウンタ信号をラッチする下位ビットラッチ回路と、
    前記下位ビットラッチ信号と、前記下位ビットカウンタ信号のうちの所定のビットカウンタ信号とに基づいて、上位ビットラッチ信号が不定となる不定期間を除いた期間において、上位ビットラッチ信号を出力する判定回路と、
    前記上位ビットラッチ信号に応答して、カウンタ信号線を伝達する上位ビットカウンタ信号をラッチする上位ビットラッチ回路と、
    を備え
    前記カラム変換部は、前記各列のうちの所定の列に配置され、前記下位ビットカウンタ信号を伝達するカウンタ信号線に接続され、下位ビットカウンタ信号間の位相差を分割して、分割ビットカウンタ信号を生成する位相分割回路を備え、
    前記下位ビットラッチ回路は、前記下位ビットラッチ信号に応答して、前記下位ビットカウンタ信号と前記分割ビットカウンタ信号をラッチする、システム。
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