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JP7280036B2 - METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTIVE FILM - Google Patents

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JP7280036B2 JP2018235820A JP2018235820A JP7280036B2 JP 7280036 B2 JP7280036 B2 JP 7280036B2 JP 2018235820 A JP2018235820 A JP 2018235820A JP 2018235820 A JP2018235820 A JP 2018235820A JP 7280036 B2 JP7280036 B2 JP 7280036B2
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Description

本発明は、導電性フィルムの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a conductive film.

従来、樹脂フィルムの両面に導電層を形成した導電性フィルムが、フレキシブル回路基板、電磁波シールドフィルム、フラットパネルディスプレイ、タッチセンサ、非接触式ICカード、太陽電池等に用いられている(例えば、特許文献1)。導電性フィルムの主な機能は電気伝導であり、高分子フィルムの表面に設けられる導電層の組成や厚みは用途目的にあった電気伝導性を得られるように適宜選択される。 Conventionally, conductive films in which conductive layers are formed on both sides of a resin film have been used in flexible circuit boards, electromagnetic wave shielding films, flat panel displays, touch sensors, non-contact IC cards, solar cells, etc. Reference 1). The main function of the conductive film is electrical conduction, and the composition and thickness of the conductive layer provided on the surface of the polymer film are appropriately selected so as to obtain electrical conductivity suitable for the purpose of use.

特開2011-82848号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2011-82848

近年のデバイスの高機能化や用途拡大を図るために、導電層の低抵抗化が要求されることがある。一般的に、導電層の低抵抗化は、少なくとも一方の導電層の厚みの増大により達成可能である。ところが、厚手の導電層をスパッタリング法にて形成する際、樹脂フィルムにシワが生じることがあり、これが生産性や信頼性を低下させる原因の一つとなっている。 2. Description of the Related Art In order to improve the functionality of recent devices and expand their applications, it is sometimes required to reduce the resistance of conductive layers. In general, lowering the resistance of the conductive layers can be achieved by increasing the thickness of at least one of the conductive layers. However, when a thick conductive layer is formed by a sputtering method, the resin film may be wrinkled, which is one of the causes of reduced productivity and reliability.

本発明の目的は、比較的厚い導電層を形成する際にも樹脂フィルムのシワの発生を抑制可能な導電性フィルムの製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for producing a conductive film capable of suppressing the occurrence of wrinkles in a resin film even when forming a relatively thick conductive layer.

本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討したところ、下記構成を採用することにより上記目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成するにいたった。 The present inventors have made intensive studies to solve the above problems, and have found that the above objects can be achieved by adopting the following configuration, and have completed the present invention.

本発明は、一実施形態において、
樹脂フィルムの一方の面に第1導電層を形成する工程A、
前記第1導電層上に保護フィルムを貼り合わせる工程B、及び
前記樹脂フィルムを繰り出しながら前記樹脂フィルムの他方の面に厚みが80nm以上300nm以下の第2導電層をスパッタリング法で形成する工程C
を含む導電性フィルムの製造方法に関する。
The present invention, in one embodiment,
Step A of forming a first conductive layer on one surface of the resin film;
A step B of bonding a protective film onto the first conductive layer, and a step C of forming a second conductive layer having a thickness of 80 nm or more and 300 nm or less on the other surface of the resin film by a sputtering method while extending the resin film.
It relates to a method for producing a conductive film containing.

当該製造方法では、樹脂フィルムの一方の面に形成した第1導電層に保護フィルムを貼り合わせた上で、樹脂フィルムの他方の面に厚手の第2導電層を形成している。いわば、保護フィルムが第2導電層形成時の樹脂フィルムの補強材として機能することで、樹脂フィルムのシワの発生を抑制することができる。 In this manufacturing method, a protective film is attached to a first conductive layer formed on one surface of a resin film, and then a thick second conductive layer is formed on the other surface of the resin film. In other words, the protective film functions as a reinforcing material for the resin film during the formation of the second conductive layer, thereby suppressing wrinkles in the resin film.

前記工程Aにおいて、前記第1導電層をスパッタリング法で形成することが好ましい。均質な導電層を効率的に形成することができる。また、工程Aから工程Cまでロール・トゥ・ロール法で連続的に行うことができ、歩留まりの向上を図ることができる。 Preferably, in the step A, the first conductive layer is formed by a sputtering method. A homogeneous conductive layer can be efficiently formed. In addition, the process A to process C can be continuously performed by a roll-to-roll method, and the yield can be improved.

前記第1導電層厚みが、80nm以上300nm以下であることが好ましい。これにより両面とも厚手の導電層とすることができ、導電性フィルムの低抵抗化や高機能化を達成することができる。 It is preferable that the thickness of the first conductive layer is 80 nm or more and 300 nm or less. As a result, both sides can be formed as thick conductive layers, and the conductive film can be made to have low resistance and high functionality.

前記保護フィルムの厚みが20μm以上200μm以下であることが好ましい。保護フィルムの厚みを該範囲とすることで、ハンドリング性を維持しつつ、十分な樹脂フィルム補強性を発揮することができる。 It is preferable that the protective film has a thickness of 20 μm or more and 200 μm or less. By setting the thickness of the protective film within this range, it is possible to exhibit sufficient resin film reinforcing properties while maintaining handleability.

前記工程Cにおいて、前記スパッタリング法における下記式で表される総電力密度が1500kW/m以下であることが好ましい。
総電力密度=N×T×P
(式中、Nは工程繰り返し回数であり、Tは1工程あたりのターゲット数であり、Pは1ターゲットあたりの電力密度[kW/m]である。)
In the step C, the total power density represented by the following formula in the sputtering method is preferably 1500 kW/m 2 or less.
Total power density = N x T x P
(In the formula, N is the number of process repetitions, T is the number of targets per process, and P is the power density [kW/m 2 ] per target.)

工程Cのスパッタリング時における総電力密度を所定値以下とすることで、樹脂フィルムへの負荷が低減し、シワの発生をより高いレベルで抑制することができる。また、厚手の導電層を形成するには、高い電力密度でのスパッタリングを少数回行う手順や、低い電力密度でのスパッタリングを多数回行ったりする手順を採用することができる。いずれの手順であっても、上記式で求められる総電力密度を所定範囲に制御することで、樹脂フィルムのシワを抑制しつつ、生産効率良く導電性フィルムを製造することができる。 By setting the total power density at the time of sputtering in step C to a predetermined value or less, the load on the resin film is reduced, and the occurrence of wrinkles can be suppressed at a higher level. Also, in order to form a thick conductive layer, it is possible to employ a procedure in which sputtering is performed a few times at high power density, or a procedure in which sputtering is performed many times at low power density. In any procedure, by controlling the total power density obtained by the above formula within a predetermined range, it is possible to produce a conductive film with good production efficiency while suppressing wrinkles in the resin film.

前記工程Cにおいて、前記樹脂フィルムのMD方向での引張応力が1MPa以上であることが好ましい。第2導電層形成時に樹脂フィルムのMD方向の所定の引張応力を負荷させることで、樹脂フィルムのシワの発生をより低減することができる。 In the step C, it is preferable that the resin film has a tensile stress of 1 MPa or more in the MD direction. By applying a predetermined tensile stress in the MD direction to the resin film when forming the second conductive layer, it is possible to further reduce the occurrence of wrinkles in the resin film.

本発明の一実施形態に係る導電性フィルムの模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a conductive film according to one embodiment of the present invention; FIG. 本発明の一実施形態に係る真空成膜装置の構成を説明する概念図である。It is a conceptual diagram explaining the structure of the vacuum film-forming apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.

本発明の導電性フィルムの製造方法の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。上下等の位置関係を示す用語は、単に説明を容易にするために用いられており、本発明の構成を限定する意図は一切ない。 EMBODIMENT OF THE INVENTION Embodiment of the manufacturing method of the electroconductive film of this invention is described below, referring drawings. However, in some or all of the drawings, parts that are not necessary for explanation are omitted, and some parts are enlarged or reduced in order to facilitate explanation. Terms indicating positional relationships such as top and bottom are used merely for the sake of facilitating the description, and are not intended to limit the configuration of the present invention.

≪第1実施形態≫
<導電性フィルムの製造方法>
本実施形態に係る導電性フィルムの製造方法は、樹脂フィルムの一方の面に第1導電層を形成する工程A、前記第1導電層上に保護フィルムを貼り合わせる工程B、及び前記樹脂フィルムを繰り出しながら前記樹脂フィルムの他方の面に厚みが80nm以上300nm以下の第2導電層をスパッタリング法で形成する工程Cを含む。
<<First embodiment>>
<Method for producing conductive film>
The method for producing a conductive film according to the present embodiment includes a step A of forming a first conductive layer on one surface of a resin film, a step B of bonding a protective film on the first conductive layer, and a step B of bonding the resin film. A step C of forming a second conductive layer having a thickness of 80 nm or more and 300 nm or less on the other surface of the resin film by a sputtering method while the resin film is extended.

図1は、本実施形態の導電性フィルムの製造方法により得られる導電性フィルムの模式的断面図である。図1に示す導電性フィルム100は、樹脂フィルム1と、樹脂フィルム1の一方の面に形成された第1導電層21と、樹脂フィルム1の他方の面に形成された第2導電層22とを備える(以下、第1導電層と第2導電層とを区別しない場合は、単に「導電層」と称することがある。)。さらに、本実施形態では、第1導電層21の樹脂フィルム1とは反対側に第1保護フィルム31が配置され、第2導電層22の樹脂フィルム1とは反対側に第2保護フィルム32が配置されている(以下、第1保護フィルムと第2保護フィルムとを区別しない場合は、単に「保護フィルム」と称することがある。)。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a conductive film obtained by the method for producing a conductive film of this embodiment. The conductive film 100 shown in FIG. (Hereinafter, when the first conductive layer and the second conductive layer are not distinguished, they may simply be referred to as “conductive layers”.). Furthermore, in the present embodiment, the first protective film 31 is arranged on the side of the first conductive layer 21 opposite to the resin film 1, and the second protective film 32 is arranged on the side of the second conductive layer 22 opposite to the resin film 1. (Hereinafter, when the first protective film and the second protective film are not distinguished, they may simply be referred to as “protective films”.).

《工程A》
工程Aでは、樹脂フィルム1の一方の面に第1導電層21を形成する。
<<Process A>>
In step A, the first conductive layer 21 is formed on one surface of the resin film 1 .

(樹脂フィルム)
樹脂フィルム1としては、絶縁性を確保できるものであれば特に制限されず、各種のプラスチックフィルムが用いられる。樹脂フィルムの材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリブチレンテレフタレート(PBT),ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル系樹脂、ポリイミド(PI)等のポリイミド系樹脂、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性、耐久性、柔軟性、生産効率、コスト等の観点から、ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル系樹脂、ポリイミド(PI)等のポリイミド系樹脂が好ましい。特に、コストパフォーマンスの観点から、ポリエチレンテレフタレート(PET)が好ましい。
(resin film)
The resin film 1 is not particularly limited as long as it can ensure insulation, and various plastic films can be used. Materials for the resin film include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide resins such as polyimide (PI), polyethylene (PE), polypropylene (PP ) and other polyolefin-based resins, acetate-based resins, polyethersulfone-based resins, polycarbonate-based resins, polyamide-based resins, cycloolefin-based resins, (meth)acrylic-based resins, polyvinyl chloride-based resins, polyvinylidene chloride-based resins, polystyrene system resins, polyvinyl alcohol-based resins, polyarylate-based resins, polyphenylene sulfide-based resins, and the like. Among these, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) and polyimide resins such as polyimide (PI) are used from the viewpoint of heat resistance, durability, flexibility, production efficiency, cost, etc. preferable. In particular, from the viewpoint of cost performance, polyethylene terephthalate (PET) is preferable.

樹脂フィルムには、表面に予めスパッタリング、コロナ放電、火炎、紫外線照射、電子線照射、化成、酸化などのエッチング処理や下塗り処理を施して、樹脂フィルム上に形成される導電層との密着性を担保させるようにしてもよい。また、導電層を形成する前に、必要に応じて溶剤洗浄や超音波洗浄などにより、樹脂フィルム表面を除塵、清浄化してもよい。 The surface of the resin film is preliminarily subjected to sputtering, corona discharge, flame, ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, chemical conversion, oxidation, and other etching treatments and undercoating treatments to ensure adhesion with the conductive layer formed on the resin film. You may make it guarantee. In addition, before forming the conductive layer, the surface of the resin film may be dust-removed and cleaned by solvent cleaning, ultrasonic cleaning, or the like, if necessary.

樹脂フィルムの厚みは、2~300μmの範囲内であることが好ましく、10~250μmの範囲内であることがより好ましく、20~200μmの範囲内であることが更に好ましい。一般的には、樹脂フィルムの厚みが厚い方が、加熱時の熱収縮等の影響を受けにくくなるため望ましい。しかし、電子部品等のコンパクト化により、樹脂フィルムの厚みもある程度薄くすることが望ましい。一方、樹脂フィルムの厚みが薄すぎると、樹脂フィルムの透湿性や透過性が上昇して、水分やガス等を透過させてしまい、導電層が酸化されやすくなる。従って、本実施形態では、樹脂フィルムの厚みをある程度の厚みをもたしつつ薄くすることで、導電性フィルム自体も薄くでき、電磁波シールドシートやセンサ等に用いた場合の厚みを抑えることが可能となる。そのため、電磁波シールドシートやセンサ等の薄型化に対応できる。さらに、樹脂フィルムの厚みが前記の範囲内であると、樹脂フィルムの柔軟性を確保できつつ機械的強度が十分であり、フィルムをロール状にして下地層や導電層を連続的に形成する操作が可能である。 The thickness of the resin film is preferably in the range of 2 to 300 μm, more preferably in the range of 10 to 250 μm, even more preferably in the range of 20 to 200 μm. In general, a thicker resin film is preferable because it is less susceptible to thermal shrinkage and the like during heating. However, it is desirable to reduce the thickness of the resin film to some extent due to the compactness of electronic parts and the like. On the other hand, if the thickness of the resin film is too thin, the moisture permeability and permeability of the resin film increase, allowing moisture, gas, etc. to permeate, and the conductive layer is likely to be oxidized. Therefore, in the present embodiment, by reducing the thickness of the resin film while maintaining a certain thickness, the conductive film itself can be made thin, and the thickness can be suppressed when used for an electromagnetic wave shield sheet, a sensor, or the like. becomes. As a result, it is possible to reduce the thickness of electromagnetic wave shield sheets, sensors, and the like. Furthermore, when the thickness of the resin film is within the above range, the mechanical strength is sufficient while ensuring the flexibility of the resin film, and the operation of continuously forming the base layer and the conductive layer by rolling the film is possible.

(第1導電層)
樹脂フィルム1の一方の面側に設けられる第1導電層21は、電磁波シールド効果やセンサ機能等を充分に得るため、電気抵抗率が100μΩcm以下であることが好ましい。第1導電層21の構成材料としては、このような電気抵抗率を満足し導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、Cu,Al,Fe,Cr,Ti,Si,Nb,In,Zn,Sn,Au,Ag,Co,Cr,Ni,Pb,Pd,Pt,W,Zr,Ta,Hf、Mo,Mn,Mg,V等の金属が好適に用いられる。また、これらの金属の2種以上を含有するものや、これらの金属を主成分とする合金や酸化物等も用いることができる。これらの導電性化合物の中でも、電磁波シールド特性やセンサ機能に寄与する導電率が高く、比較的低価格である観点から、Cu,Alを含むことが好ましい。特に、コストパフォーマンスと生産効率の観点から、Cuを含むことが好ましいが、Cu以外の元素が不純物程度含まれていても良い。これにより、電気抵抗率が充分に小さく導電率が高いため、電磁波シールド特性やセンサ機能を向上できる。
(First conductive layer)
The first conductive layer 21 provided on one side of the resin film 1 preferably has an electrical resistivity of 100 μΩcm or less in order to sufficiently obtain an electromagnetic wave shielding effect, a sensor function, and the like. The constituent material of the first conductive layer 21 is not particularly limited as long as it satisfies such electrical resistivity and has conductivity. , Zn, Sn, Au, Ag, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, W, Zr, Ta, Hf, Mo, Mn, Mg, V and the like are preferably used. In addition, those containing two or more of these metals, or alloys or oxides containing these metals as main components can also be used. Among these conductive compounds, Cu and Al are preferably contained from the viewpoints of high conductivity contributing to electromagnetic wave shielding properties and sensor function and relatively low cost. In particular, from the viewpoint of cost performance and production efficiency, it is preferable to contain Cu, but elements other than Cu may be contained to the extent of impurities. As a result, the electrical resistivity is sufficiently low and the electrical conductivity is high, so that the electromagnetic wave shielding characteristics and the sensor function can be improved.

第1導電層21の厚みは、10nm以上300nm以下が好ましい。第1導電層21の厚みの下限値は、20nmがより好ましく、80nmがさらに好ましい。一方、第1導電層21の厚みの上限値は、260nmがより好ましく、240nmがさらに好ましい。第1導電層21の厚みが上記上限値を超えると、加熱後の導電性フィルムのカールが発生しやすくなったり、デバイスの薄型化が困難になったりする。厚みが上記下限値より小さいと、加湿熱条件下で導電性フィルムの表面抵抗値が高抵抗化しやすくなり目標とする加湿熱信頼性が得られなかったり、導電層の強度の低下によるパターン配線の剥離が生じたりする。 The thickness of the first conductive layer 21 is preferably 10 nm or more and 300 nm or less. The lower limit of the thickness of the first conductive layer 21 is more preferably 20 nm, still more preferably 80 nm. On the other hand, the upper limit of the thickness of the first conductive layer 21 is more preferably 260 nm, still more preferably 240 nm. If the thickness of the first conductive layer 21 exceeds the above upper limit, the conductive film tends to curl after heating, or it becomes difficult to make the device thinner. If the thickness is less than the above lower limit, the surface resistance of the conductive film tends to increase under humidified heat conditions, and the target humidified heat reliability cannot be obtained, or the strength of the conductive layer is reduced, resulting in poor pattern wiring. Delamination may occur.

第1導電層21の形成方法は特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。具体的には、例えば、膜厚の均一性や成膜効率の観点から、スパッタリング法や化学気相成長法(CVD)、物理気相成長法(PVD)等の真空成膜法や、イオンプレーティング法、メッキ法(電解メッキ、無電解メッキ)、ホットスタンプ法、コーティング法等により成膜されることが好ましい。また、これらの製膜方法の複数を組み合わせてもよいし、必要とする膜厚に応じて適宜の方法を採用することもできる。中でも、スパッタリング法、真空成膜法が好ましく、スパッタリング法が特に好ましい。これにより、ロール・トゥ・ロール製法により連続生産でき生産効率を高めるとともに、成膜時の膜厚を制御することができるため、導電性フィルムの表面抵抗値の上昇を抑制できる。また、薄くて膜厚が均一で、緻密な導電層を形成することができる。ロール・トゥ・ロール製法を採用してフィルムを連続的に繰り出しながら真空成膜(特に、スパッタリング成膜)を行う場合には、後述の第2導電層の形成方法を好適に採用することができる。 A method for forming the first conductive layer 21 is not particularly limited, and a conventionally known method can be adopted. Specifically, for example, from the viewpoint of film thickness uniformity and film formation efficiency, vacuum film formation methods such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), and physical vapor deposition (PVD), and ion plating The film is preferably formed by coating method, plating method (electrolytic plating, electroless plating), hot stamping method, coating method, or the like. Moreover, a plurality of these film forming methods may be combined, and an appropriate method may be adopted according to the required film thickness. Among them, the sputtering method and the vacuum film forming method are preferable, and the sputtering method is particularly preferable. This enables continuous production by a roll-to-roll manufacturing method, thereby increasing production efficiency and controlling the film thickness during film formation, thereby suppressing an increase in the surface resistance value of the conductive film. In addition, a thin, uniform film thickness and dense conductive layer can be formed. When vacuum film formation (especially sputtering film formation) is performed while continuously unwinding a film using a roll-to-roll manufacturing method, the method for forming the second conductive layer described later can be suitably adopted. .

(保護層)
保護層は、例えば第1導電層21が大気中の酸素の影響を受けて自然に酸化することを防止するために、第1導電層21の最表面側に形成することができる(図示せず)。保護層は、代表的には、第1導電層21形成用の金属材料源(ターゲット)の下流に保護層形成用のターゲットを装着し、スパッタ成膜することで形成することができる。
(protective layer)
The protective layer can be formed on the outermost surface of the first conductive layer 21 (not shown) in order to prevent the first conductive layer 21 from being naturally oxidized under the influence of atmospheric oxygen. ). The protective layer can typically be formed by mounting a target for forming the protective layer downstream of the metal material source (target) for forming the first conductive layer 21 and performing sputtering film formation.

保護層は、第1導電層21の錆び防止効果を示すものである限り特に限定されないが、スパッタできる金属が好ましく、Ni,Cu,Ti,Si、Zn,Sn,Cr,Fe、インジウム、ガリウム、アンチモン、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、パラジウム、タングステンからなる中から選ばれるいずれか1種類以上の金属又はこれらの酸化物が用いられる。Ni,Cu,Tiは,不動態層を形成するため腐食されにくく、Siは耐食性が向上するため腐食されにくく、Zn,Crは表面に緻密な酸化被膜を形成するため腐食されにくい金属であるため好ましい。 The protective layer is not particularly limited as long as it exhibits a rust-preventive effect on the first conductive layer 21, but is preferably a metal that can be sputtered, such as Ni, Cu, Ti, Si, Zn, Sn, Cr, Fe, indium, gallium, One or more metals selected from antimony, zirconium, magnesium, aluminum, gold, silver, palladium, and tungsten, or oxides thereof are used. Ni, Cu, and Ti form a passivation layer and thus are not easily corroded, Si improves corrosion resistance and thus is not easily corroded, and Zn and Cr are metals which are not easily corroded because they form a dense oxide film on the surface. preferable.

保護層の材料としては、第1導電層21との密着性を担保させて確実に第1導電層21の錆びを防止する観点から、2種の金属からなる合金を用いることはできるが、3種以上の金属からなる合金が好ましい。合金3種以上の金属からなる合金としては、Ni-Cu-Ti、Ni-Cu-Fe,Ni-Cu-Cr等が挙げられ、防錆機能と生産効率の観点から、Ni-Cu-Tiが好ましい。なお、第1導電層21との密着性を担保させる観点から、第1導電層21の形成材料を含む合金であることが好ましい。これにより、第1導電層21の酸化を確実に防ぐことができる。 As the material of the protective layer, an alloy composed of two kinds of metals can be used from the viewpoint of securing adhesion to the first conductive layer 21 and reliably preventing the first conductive layer 21 from rusting. Alloys of more than one metal are preferred. Examples of alloys composed of three or more metals include Ni--Cu--Ti, Ni--Cu--Fe, and Ni--Cu--Cr. Ni--Cu--Ti is preferred from the viewpoint of rust prevention and production efficiency. preferable. From the viewpoint of securing adhesion with the first conductive layer 21, an alloy containing the material for forming the first conductive layer 21 is preferable. Thereby, oxidation of the first conductive layer 21 can be reliably prevented.

また、保護層の材料としては、例えば、インジウムドープ酸化スズ(ITO)、アンチモンを含有する酸化スズ(ATO)、アルミドープ酸化亜鉛(AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)、インジウムドープ酸化亜鉛(IZO)が含まれていても良い。導電性フィルムの初期の表面抵抗値の上昇を抑制するだけでなく、加湿熱条件下の表面抵抗値の上昇を抑制することができ、表面抵抗値の安定化を最適にできるため、好ましい。 Examples of materials for the protective layer include indium-doped tin oxide (ITO), antimony-containing tin oxide (ATO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), gallium-doped zinc oxide (GZO), and indium-doped zinc oxide ( IZO) may be included. It is preferable because it not only suppresses an increase in the initial surface resistance value of the conductive film, but also suppresses an increase in the surface resistance value under humidified heat conditions, thereby optimizing the stabilization of the surface resistance value.

前記金属の酸化物とは、SiOx(x=1.0~2.0)、酸化銅、酸化銀、酸化チタン等の酸化物が好ましい。なお、前述の金属、合金、酸化物等の代わりに、第1導電層21上にアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂のような樹脂層を形成することで防錆効果をもたらすことも可能である。 The metal oxides are preferably oxides such as SiOx (x=1.0 to 2.0), copper oxide, silver oxide, and titanium oxide. It is also possible to provide an antirust effect by forming a resin layer such as an acrylic resin or an epoxy resin on the first conductive layer 21 instead of the above-described metal, alloy, oxide, or the like.

保護層の膜厚は、1~50nmが好ましく、2~30nmがより好ましく、3~20nmが好ましい。これにより、耐久性が向上し表面層から酸化を防ぐことができるため、加湿熱条件下での表面抵抗値は上昇を抑制できる。 The film thickness of the protective layer is preferably 1 to 50 nm, more preferably 2 to 30 nm, and more preferably 3 to 20 nm. As a result, the durability is improved and the surface layer can be prevented from being oxidized, so that the increase in the surface resistance value under humidified heat conditions can be suppressed.

《工程B》
工程Bでは、第1導電層21上に第1保護フィルム31を貼り合わせる。第1導電層21の成膜直後に(第1導電層の成膜ラインと同一ライン内にて)第1保護フィルム31を貼り合わせることが好ましい。これにより第1導電層21の酸化や傷付き等を低減することができる。
《Process B》
In step B, the first protective film 31 is attached onto the first conductive layer 21 . It is preferable to bond the first protective film 31 immediately after the film formation of the first conductive layer 21 (in the same line as the film formation line of the first conductive layer). Oxidation, scratches, etc. of the first conductive layer 21 can thereby be reduced.

(保護フィルム)
第1保護フィルム31の第1導電層21と接する側の面は粘着性を有する。第1保護フィルム31の材質及び構造としては特に限定されるものではないが、ポリオレフィン系樹脂を含有する基材層と、熱可塑性エラストマーを含有する粘着層とを有することが望ましい。粘着層を形成する材料として、再剥離可能なアクリル系粘着剤等の公知の粘着剤も用いることができる。
(Protective film)
The surface of the first protective film 31 that is in contact with the first conductive layer 21 has adhesiveness. Although the material and structure of the first protective film 31 are not particularly limited, it preferably has a base layer containing a polyolefin resin and an adhesive layer containing a thermoplastic elastomer. As a material for forming the adhesive layer, a known adhesive such as a removable acrylic adhesive can also be used.

前記基材層を形成するポリオレフィン系樹脂は特に制限されず、例えば、ポリプロピレン又はプロピレン成分とエチレン成分からなるブロック系、ランダム系等のプロピレン系ポリマー;低密度、高密度、リニア低密度ポリエチレン等のエチレン系ポリマー;エチレン-αオレフィン共重合体などのオレフィン系ポリマー、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-メタクリル酸メチル共重合体などのエチレン成分と他モノマーとのオレフィン系ポリマー等を例示できる。これらポリオレフィン系樹脂は1種を単独で又は2種以上を用いることができる。 The polyolefin-based resin that forms the base layer is not particularly limited. Ethylene-based polymer: Examples include olefin-based polymers such as ethylene-α-olefin copolymers, and olefin-based polymers of ethylene components and other monomers such as ethylene-vinyl acetate copolymers and ethylene-methyl methacrylate copolymers. These polyolefin resins may be used singly or in combination of two or more.

前記基材層1はオレフィン系樹脂を主成分として含有するが、劣化防止等を目的に、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系光安定剤等の光安定剤、帯電防止剤、その他に、例えば、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、シリカ、酸化亜鉛、酸化チタン等の充填剤、顔料、目ヤニ防止剤、滑剤、アンチブロッキング剤等の添加剤を適宜に配合することができる。 The base material layer 1 contains an olefin resin as a main component. Additives such as fillers such as calcium oxide, magnesium oxide, silica, zinc oxide and titanium oxide, pigments, anti-staining agents, lubricants and anti-blocking agents can be appropriately blended.

基材層1の厚さは、特に制限されないが、20μm以上200μm以下が好ましく、30μm以上150μm以下がより好ましく、40μm以上100μm以下がさらに好ましい。また、基材層1は、単層でもよく二層以上の多層からなっていてもよい。 The thickness of the base material layer 1 is not particularly limited, but is preferably 20 μm or more and 200 μm or less, more preferably 30 μm or more and 150 μm or less, and even more preferably 40 μm or more and 100 μm or less. Further, the substrate layer 1 may be a single layer or may be composed of multiple layers of two or more layers.

なお、基材層1の粘着層付設面と反対面には、例えば、コロナ放電処理、火炎処理、プラズマ処理や、スパッタエッチング処理、プライマー等の下塗り処理などの、表面処理を必要に応じて施すこともできる。 The surface of the substrate layer 1 opposite to the surface on which the adhesive layer is provided is subjected to surface treatment such as corona discharge treatment, flame treatment, plasma treatment, sputter etching treatment, undercoat treatment such as a primer, etc., if necessary. can also

粘着層2を形成する熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、エステル系エラストマー、オレフィン系エラストマーなどの粘着剤のベースポリマーとして用いられているものを特に制限なく使用できる。より具体的には、スチレン・ブタジエン・スチレン(SBS)、スチレン・イソプレン・スチレン(SIS)、スチレン・エチレン-ブチレン共重合体・スチレン(SEBS)、スチレン・エチレン-プロピレン共重合体・スチレン(SEPS)等のA-B-A型ブロックポリマー;スチレン・ブタジエン(SB)、スチレン・イソプレン(SI)、スチレン・エチレン-ブチレン共重合体(SEB)、スチレン・エチレン-プロピレン共重合体(SEP)等のA-B型ブロックポリマー;スチレン・ブタジエンラバー(SBR)等のスチレン系ランダム共重合体;スチレン・エチレン-ブチレン共重合体・オレフィン結晶(SEBC)等のA-B-C型のスチレン・オレフィン結晶系ブロックポリマー;オレフィン結晶・エチレン-ブチレン共重合体・オレフィン結晶(CEBC)等のC-B-C型のオレフィン結晶系ブロックポリマー;エチレン-αオレフィン、エチレン-プロピレン-αオレフィン、プロピレン-αオレフィン等のオレフィン系エラストマー、さらにはこれらの水添物等があげられる。これら熱可塑性エラストマーは1種を単独で又は2種以上を用いることができる。 As the thermoplastic elastomer forming the adhesive layer 2, those used as base polymers for adhesives, such as styrene-based elastomers, urethane-based elastomers, ester-based elastomers, and olefin-based elastomers, can be used without particular limitation. More specifically, styrene-butadiene-styrene (SBS), styrene-isoprene-styrene (SIS), styrene-ethylene-butylene copolymer-styrene (SEBS), styrene-ethylene-propylene copolymer-styrene (SEPS ), etc.; styrene/butadiene (SB), styrene/isoprene (SI), styrene/ethylene-butylene copolymer (SEB), styrene/ethylene-propylene copolymer (SEP), etc. A-B type block polymer; styrene-based random copolymer such as styrene/butadiene rubber (SBR); A-B-C type styrene/olefin such as styrene/ethylene-butylene copolymer/olefin crystal (SEBC) Crystalline block polymer; CBC type olefin crystalline block polymer such as olefin crystal, ethylene-butylene copolymer, olefin crystal (CEBC); ethylene-αolefin, ethylene-propylene-αolefin, propylene-α Olefinic elastomers such as olefins, hydrogenated products thereof, and the like are mentioned. These thermoplastic elastomers may be used singly or in combination of two or more.

粘着層2の形成に際しては、前記熱可塑性エラストマーに、粘着特性の制御等を目的に、必要に応じて、例えば、軟化剤、オレフィン系樹脂、シリコーン系ポリマー、液状アクリル系共重合体、リン酸エステル系化合物、粘着付与剤、老化防止剤、ヒンダードアミン系光安定剤、紫外線吸収剤、その他に、例えば、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、シリカ、酸化亜鉛、酸化チタン等の充填剤や顔料などの添加剤を適宜に配合することができる。 For the formation of the adhesive layer 2, the thermoplastic elastomer may be added with, for example, a softening agent, an olefin resin, a silicone polymer, a liquid acrylic copolymer, phosphoric acid, or the like, if necessary, for the purpose of controlling adhesive properties. Ester compounds, tackifiers, antioxidants, hindered amine light stabilizers, UV absorbers, and other additives such as fillers and pigments such as calcium oxide, magnesium oxide, silica, zinc oxide, and titanium oxide. can be appropriately blended.

粘着層2の厚さは、特に制限定されず、要求される密着力などに応じて適宜に決定すればよいが、通常0.1~50μm程度であり、好ましくは0.2~40μm、さらに好ましく0.3~20μmである。 The thickness of the adhesive layer 2 is not particularly limited, and may be determined appropriately according to the required adhesive strength, etc., but it is usually about 0.1 to 50 μm, preferably 0.2 to 40 μm, and more preferably about 0.2 to 40 μm. It is preferably 0.3 to 20 μm.

なお、粘着層2の表面には、例えば、コロナ放電処理、紫外線照射処理、火炎処理、プラズマ処理やスパッタエッチング処理などの、粘着性の制御や貼付作業性等を目的とした表面処理を必要に応じて施すこともできる。さらに、粘着層2には必要に応じて、実用に供されるまでの間、セパレータなどを仮着して保護することもできる。 The surface of the adhesive layer 2 requires surface treatment such as corona discharge treatment, ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, plasma treatment, sputter etching treatment, etc., for the purpose of controlling adhesiveness and attaching workability. It can also be applied accordingly. Furthermore, the adhesive layer 2 can be temporarily attached with a separator or the like to protect it until it is put to practical use, if necessary.

また、基材層の粘着層の付設面と反対の面には必要に応じて、離型性を付与するための離型層を形成することができる。離型層は基材層及び粘着層と共に共押し出しにより形成してもよいし、塗布により形成してもよい。 In addition, a release layer for imparting releasability can be formed on the surface of the substrate layer opposite to the surface on which the adhesive layer is attached, if necessary. The release layer may be formed by co-extrusion together with the substrate layer and the adhesive layer, or may be formed by coating.

離型層を共押し出しにより形成する際は2種以上のポリオレフィン系樹脂からなる混合物を用いて形成することが好ましい。2種以上のポリオレフィン系樹脂からなる混合物を用いることにより、2種のポリオレフィン系樹脂の相溶性を制御することにより、適度な表面粗さを形成し、適度な離型性が付与されるためである。離型層を共押し出しにより形成する際、その厚みは通常1~50μm程度であり、好ましくは2~40μm、さらに好ましく3~20μmである。 When the release layer is formed by co-extrusion, it is preferable to use a mixture of two or more polyolefin resins. By using a mixture of two or more polyolefin resins, the compatibility of the two polyolefin resins is controlled to form an appropriate surface roughness and to impart appropriate releasability. be. When the release layer is formed by co-extrusion, its thickness is usually about 1 to 50 μm, preferably 2 to 40 μm, more preferably 3 to 20 μm.

離型層を塗布により形成する際の離型剤としては、離型性を付与しうるものを特に制限なく使用できる。例えば、離型剤としては、シリコーン系ポリマーや長鎖アルキル系ポリマーからなるものがあげられる。離型剤は、無溶剤型、有機溶剤に溶解させ溶剤型、水中で乳化した乳化型のいずれであってもよいが、溶剤型、乳化型の離型剤は安定して離型層3を基材層1に付設することができる。その他に、離型剤としては紫外線硬化型のものなどがあげられる。離型剤の具体的としては、ピーロイル(一方社油脂社製)、信越シリコーン(信越化学工業社製)等が入手可能である。 As the release agent for forming the release layer by coating, any release agent capable of imparting release properties can be used without particular limitation. For example, release agents include silicone-based polymers and long-chain alkyl-based polymers. The release agent may be a non-solvent type, a solvent type dissolved in an organic solvent, or an emulsified type emulsified in water. It can be attached to the base material layer 1 . In addition, as the mold release agent, an ultraviolet curing type and the like can be mentioned. Specific examples of release agents that can be obtained include Pyroyl (manufactured by Ipposha Yushi Co., Ltd.) and Shin-Etsu Silicone (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

離型層3の厚さは、特に制限定されないが、前述の通り、薄膜化形成した場合に汚染低減効果が大きいことから、通常1~1000nm程度、さらには5~500nm、特に10~100nmであるのが好ましい。 The thickness of the release layer 3 is not particularly limited. It is preferable to have

《工程C》
工程Cでは、樹脂フィルム1を繰り出しながら樹脂フィルム1の他方の面に厚みが80nm以上300nm以下の第2導電層をスパッタリング法で形成する。これにより、保護フィルム31が第2導電層22形成時の樹脂フィルム1の補強材として機能することで、樹脂フィルム1のシワの発生を抑制することができる。第2導電層の厚みによっては、スパッタリング工程である工程Cを1回に限らず、2回以上の複数回行ってもよい。以下、第2導電層の性状及びスパッタリング法による成膜手順を説明する。
《Process C》
In step C, a second conductive layer having a thickness of 80 nm or more and 300 nm or less is formed on the other surface of the resin film 1 by sputtering while the resin film 1 is drawn out. As a result, the protective film 31 functions as a reinforcing material for the resin film 1 during the formation of the second conductive layer 22 , thereby suppressing wrinkles in the resin film 1 . Depending on the thickness of the second conductive layer, step C, which is a sputtering step, is not limited to one time, and may be performed two or more times. The properties of the second conductive layer and the deposition procedure by the sputtering method will be described below.

第2導電層22の構成材料や電気抵抗率は第1導電層21と同様のものを好適に採用することができる。 As for the constituent material and electrical resistivity of the second conductive layer 22, those similar to those of the first conductive layer 21 can be preferably adopted.

第2導電層22の厚みは、低抵抗化及び薄型化の観点から、80nm以上300nm以下である。第2導電層22の厚みの下限値は、90nmが好ましく、100nmがより好ましい。一方、第2導電層22の厚みの上限値は、280nmが好ましく、250nmがより好ましい。なお、両面の導電層の厚みは互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。 The thickness of the second conductive layer 22 is 80 nm or more and 300 nm or less from the viewpoint of low resistance and thinning. The lower limit of the thickness of the second conductive layer 22 is preferably 90 nm, more preferably 100 nm. On the other hand, the upper limit of the thickness of the second conductive layer 22 is preferably 280 nm, more preferably 250 nm. The thicknesses of the conductive layers on both sides may be the same or different.

第1導電層21の厚みと第2導電層22の厚みとの差の絶対値は5nm以下であることが好ましく、3nm以下であることがより好ましい。両面の導電層の厚みを互いに近づけることで導電層に生じる応力が相殺され、導電性フィルムのカールや導電層の剥離等を防止することができる。 The absolute value of the difference between the thickness of the first conductive layer 21 and the thickness of the second conductive layer 22 is preferably 5 nm or less, more preferably 3 nm or less. By making the thicknesses of the conductive layers on both sides close to each other, the stress generated in the conductive layers is canceled, and curling of the conductive film, peeling of the conductive layers, and the like can be prevented.

(成膜装置の構成)
第2導電層22は、ロール・トゥ・ロール法により、樹脂フィルム1を繰り出しながら成膜することが好ましい。ロール・トゥ・ロール法による第2導電層の成膜は、図2に模式的に示すような巻取式の真空成膜装置300を用いて行われる。真空成膜装置300は、繰り出しロール301および巻取ロール302を備え、繰り出しロール301と巻取ロール302との間のフィルム搬送経路に、成膜ロール310および搬送ロール303、304を備える。なお、搬送ロールの数は特に限定されない。各搬送ロールは自由回転式のものであってもよく、駆動回転式のものであってもよい。成膜箇所におけるMD方向での引張応力を制御する観点からは、成膜ロール310と巻取ロール302との間の搬送ロールの少なくとも1本は、駆動回転ロールであることが好ましい。また、繰り出しロール301と成膜ロール310との間に駆動回転ロールが配置されていてもよい。なお、成膜箇所におけるMD方向での引張応力とは、成膜ロールと、フィルムの搬送経路上で成膜ロールに最も近い駆動ロールとの間の張力を指す。駆動ロールは、単独の駆動回転ロールであってもよく、2本のロールを1対としてフィルムを挟持するニップロールであってもよい。
(Configuration of film forming apparatus)
The second conductive layer 22 is preferably formed by a roll-to-roll method while the resin film 1 is being fed out. Film formation of the second conductive layer by the roll-to-roll method is performed using a winding-type vacuum film formation apparatus 300 as schematically shown in FIG. A vacuum film-forming apparatus 300 includes a delivery roll 301 and a take-up roll 302 , and a film-forming roll 310 and transport rolls 303 and 304 on a film transport path between the delivery roll 301 and the take-up roll 302 . Note that the number of transport rolls is not particularly limited. Each transport roll may be of a free-rotating type or a driven-rotating type. From the viewpoint of controlling the tensile stress in the MD direction at the film-forming location, at least one of the transport rolls between the film-forming roll 310 and the take-up roll 302 is preferably a driven rotating roll. Further, a driven rotating roll may be arranged between the delivery roll 301 and the film forming roll 310 . In addition, the tensile stress in the MD direction at the film-forming location refers to the tension between the film-forming roll and the driving roll closest to the film-forming roll on the transport path of the film. The driving roll may be a single driven rotating roll, or may be a pair of nip rolls that hold the film between two rolls.

さらに、成膜箇所における引張応力を制御する観点から、真空成膜装置は搬送経路にテンションピックアップロールやダンサロール等の引張応力検出手段を備えていることが好ましい。また、フィルムの搬送を安定させる観点からは、引張応力制御機構を有し、成膜箇所における引張応力が一定となるように制御できるような構成が好ましい。引張応力制御機構は、テンションピックアップロール等の引張応力検出手段によって検出された引張応力が、設定値よりも高い場合には、引張応力検出手段よりも搬送経路の下流側に位置する駆動回転ロールの周速を小さくし、引張応力が設定値よりも低い場合には、駆動回転ロールの周速を大きくするように、フィードバックを行う機構である。 Furthermore, from the viewpoint of controlling the tensile stress at the film-forming location, it is preferable that the vacuum film-forming apparatus is equipped with tensile stress detecting means such as a tension pick-up roll and a dancer roll in the transport path. Moreover, from the viewpoint of stabilizing the transportation of the film, it is preferable to have a structure that has a tensile stress control mechanism and can control the tensile stress at the film-forming location to be constant. When the tensile stress detected by the tensile stress detecting means such as the tension pick-up roll is higher than the set value, the tensile stress control mechanism controls the driving rotation roll located downstream of the tensile stress detecting means in the conveying path. When the peripheral speed is decreased and the tensile stress is lower than the set value, the mechanism performs feedback so that the peripheral speed of the driven rotating roll is increased.

成膜箇所における引張応力と、巻取ロール302におけるフィルム巻取応力とを独立に制御する観点からは、成膜ロール310と巻取ロール302との間のフィルム搬送経路に、テンションカット手段を備えることが好ましい。また、成膜箇所における引張応力と繰り出しロール301からの繰り出し応力とを独立に制御する観点からは、繰り出しロール301と成膜ロール310との間のフィルム搬送経路に、テンションカット手段を備えることが好ましい。 From the standpoint of independently controlling the tensile stress at the film forming location and the film winding stress on the winding roll 302, a tension cutting means is provided in the film transport path between the film forming roll 310 and the winding roll 302. is preferred. In addition, from the viewpoint of independently controlling the tensile stress at the film formation location and the stress delivered from the delivery roll 301, a tension cutting means may be provided in the film transport path between the delivery roll 301 and the film formation roll 310. preferable.

テンションカット手段としては、ニップロールの他、サクションロール、あるいは、フィルム搬送経路がS字状となるように配置されたロール群等を用いることができる。さらに、テンションカット手段と巻取ロール302との間の搬送経路にテンションピックアップロール等の適宜の引張応力検出手段が配置され、適宜の引張応力制御機構によって巻取応力が一定となるように巻取ロール302の回転トルクが調整されることが好ましい。このように、成膜箇所における引張応力と巻取応力および/または繰り出し応力とを独立に制御することによって、巻取応力が小さいことによる巻状態の不良や、巻取応力が大きいことによるフィルムのブロッキング等の不具合の発生を抑止し得る。 As the tension cutting means, in addition to the nip roll, a suction roll, or a group of rolls arranged so that the film transport path is S-shaped can be used. Further, an appropriate tensile stress detecting means such as a tension pick-up roll is arranged in the conveying path between the tension cutting means and the winding roll 302, and winding is performed so that the winding stress is constant by an appropriate tensile stress control mechanism. Preferably, the rotational torque of roll 302 is adjusted. In this way, by independently controlling the tensile stress, the winding stress, and/or the unwinding stress at the film-forming location, it is possible to obtain a poor winding state due to a small winding stress, or a poor film quality due to a large winding stress. It is possible to suppress the occurrence of problems such as blocking.

成膜ロール310は、温調可能に構成されていることが好ましい。ロールを温調する手段としては、ロール内部に温媒(および冷媒)を循環可能とした構成、ロール内に電気ヒータ等の加熱手段を備える構成、赤外線ヒータ等の加熱手段によりロールの外部からロール表面を加熱可能とした構成等が挙げられる。成膜ロールの近傍には、ターゲット320が装着され、このターゲット320から気化した金属原子が基材上に堆積することによって成膜が行われる。ターゲット320の数は特に限定されず、導電層の膜質や生産性を考慮して適宜設定可能であり、図2に示すように1個でもよく、複数個であってもよい。複数個のターゲットを用いる場合は、ラインの上流から下流に向かって順に設置していけばよい。 It is preferable that the film forming roll 310 is configured to be temperature controllable. As means for controlling the temperature of the roll, there are a configuration in which a hot medium (and a refrigerant) can be circulated inside the roll, a configuration in which a heating means such as an electric heater is provided in the roll, and a heating means such as an infrared heater that heats the roll from the outside of the roll. Examples include a configuration in which the surface can be heated. A target 320 is mounted in the vicinity of the film forming roll, and film formation is performed by depositing metal atoms vaporized from this target 320 on the substrate. The number of targets 320 is not particularly limited, and can be appropriately set in consideration of the film quality and productivity of the conductive layer, and may be one as shown in FIG. When using a plurality of targets, they may be installed in order from upstream to downstream of the line.

(成膜条件)
樹脂フィルム1と第1導電層21と保護フィルム31との積層体Lは、繰り出しロール301から繰り出され、複数の搬送ロール303、304と成膜ロール310を経由して緩まないように連続的に搬送される。成膜ロール310上で第2導電層22が真空成膜された導電性フィルム100は、巻取ロール302で巻取られる。
(Deposition conditions)
A laminate L of the resin film 1, the first conductive layer 21, and the protective film 31 is fed from a feeding roll 301, and is continuously fed through a plurality of transport rolls 303 and 304 and a film forming roll 310 so as not to loosen. be transported. The conductive film 100 on which the second conductive layer 22 has been vacuum-formed on the film-forming roll 310 is taken up by the take-up roll 302 .

成膜箇所における樹脂フィルム1のMD方向での引張応力は、1MPa以上が好ましく、1MPa以上3MPa以下であることがより好ましく、1.5MPa以上2.5MPa以下であることがさらに好ましい。引張応力を上記範囲とすることによって、シワの発生を抑制することができる。上記引張応力が小さ過ぎるとシワが発生しやすく、大き過ぎると樹脂フィルム1自体の変形につながるおそれがある。 The tensile stress in the MD direction of the resin film 1 at the film formation location is preferably 1 MPa or more, more preferably 1 MPa or more and 3 MPa or less, and further preferably 1.5 MPa or more and 2.5 MPa or less. By setting the tensile stress within the above range, the occurrence of wrinkles can be suppressed. If the tensile stress is too small, wrinkles are likely to occur, and if it is too large, the resin film 1 itself may be deformed.

第2導電層22成膜時の成膜ロール310の温度は、40℃~150℃であることが好ましく、50℃~140℃であることがより好ましく、60℃~130℃であることがさらに好ましい。成膜ロールの温度が過度に低いと、樹脂フィルム1の成膜ロールとの接触面側と成膜面側との温度差が大きくなる、すなわち、フィルム厚み方向の温度分布が大きくなるために、樹脂フィルム1にシワが発生しやすくなるものと推定される。一方、成膜ロールの温度が過度に高いと、成膜ロール上でのフィルムの熱変形が大きくなるために、シワを生じ易くなるものと推定される。 The temperature of the film forming roll 310 when forming the second conductive layer 22 is preferably 40°C to 150°C, more preferably 50°C to 140°C, and further preferably 60°C to 130°C. preferable. If the temperature of the film-forming roll is excessively low, the temperature difference between the side of the resin film 1 contacting the film-forming roll and the side of the film-forming roll increases, that is, the temperature distribution in the film thickness direction increases. It is presumed that wrinkles are likely to occur in the resin film 1 . On the other hand, if the temperature of the film-forming roll is excessively high, the thermal deformation of the film on the film-forming roll becomes large, so it is presumed that wrinkles tend to occur.

その他の成膜条件は特に限定されず、例えば、スパッタリング法により、銅からなる第1導電層21を成膜する場合には、ターゲットとして銅(無酸素銅が好ましい)を用い、まず、スパッタ装置内の真空度(到達真空度)を好ましくは1×10-3Pa以下となるまで排気して、スパッタ装置内の水分や樹脂フィルムから発生する有機ガスなどの不純物を取り除いた雰囲気とすることが好ましい。 Other film formation conditions are not particularly limited. For example, when the first conductive layer 21 made of copper is formed by a sputtering method, copper (preferably oxygen-free copper) is used as a target, and a sputtering apparatus is used first. The degree of vacuum (ultimate degree of vacuum) inside is preferably reduced to 1×10 −3 Pa or less to create an atmosphere from which impurities such as moisture in the sputtering apparatus and organic gases generated from the resin film are removed. preferable.

このように排気したスパッタ装置内に、Ar等の不活性ガスを導入して、前記範囲の引張応力付与下で樹脂フィルムを搬送させながら、前記範囲の温度に成膜ロール温度を調整して、減圧下でスパッタ成膜を行う。成膜時の圧力は0.05Pa~1.0Paであることが好ましく、0.1Pa~0.7Paであることがより好ましい。成膜圧力が高すぎると成膜速度が低下する傾向があり、逆に圧力が低すぎると放電が不安定となる傾向がある。 An inert gas such as Ar is introduced into the sputtering apparatus evacuated in this way, and the film-forming roll temperature is adjusted to the temperature in the range while conveying the resin film under the tensile stress applied in the range. Sputter deposition is performed under reduced pressure. The pressure during film formation is preferably 0.05 Pa to 1.0 Pa, more preferably 0.1 Pa to 0.7 Pa. If the film-forming pressure is too high, the film-forming speed tends to decrease. Conversely, if the pressure is too low, the discharge tends to become unstable.

フィルムの搬送速度及び1つのターゲットあたりの電力密度は導電層の膜質や膜厚、生産効率等を考慮して設定することができる。フィルムの搬送速度は、2m/min以上20m/min以下が好ましく、3m/min以上18m/min以下がより好ましい。また、1つのターゲットあたりの電力密度は、20kW/m以上100kW/m以下が好ましく、25kW/m以上90kW/m以下がより好ましい。 The transport speed of the film and the power density per target can be set in consideration of the film quality and film thickness of the conductive layer, production efficiency and the like. The transport speed of the film is preferably 2 m/min or more and 20 m/min or less, more preferably 3 m/min or more and 18 m/min or less. The power density per target is preferably 20 kW/m 2 or more and 100 kW/m 2 or less, more preferably 25 kW/m 2 or more and 90 kW/m 2 or less.

工程Cにおいて、スパッタリング法における下記式で表される総電力密度は1500kW/m以下であることが好ましく、1200kW/m以下であることがより好ましい。
総電力密度=N×T×P
(式中、Nは工程繰り返し回数であり、Tは1工程あたりのターゲット数であり、Pは1ターゲットあたりの電力密度[kW/m]である。)
In step C, the total power density represented by the following formula in the sputtering method is preferably 1500 kW/m 2 or less, more preferably 1200 kW/m 2 or less.
Total power density = N x T x P
(In the formula, N is the number of process repetitions, T is the number of targets per process, and P is the power density [kW/m 2 ] per target.)

工程Cのスパッタリング時における総電力密度を所定値以下とすることで、樹脂フィルムへの負荷が低減し、シワの発生をより高いレベルで抑制することができる。また、厚手の導電層を形成するには、高い電力密度でのスパッタリングを少数回行う手順や、低い電力密度でのスパッタリングを多数回行ったりする手順を採用することができる。いずれの手順であっても、上記式で求められる総電力密度を所定範囲に制御することで、樹脂フィルムのシワを抑制しつつ、生産効率良く導電性フィルムを製造することができる。生産性を考慮すると、80kW/m以上であることが好ましく、100kW/m以上であることがより好ましい。 By setting the total power density at the time of sputtering in step C to a predetermined value or less, the load on the resin film is reduced, and the occurrence of wrinkles can be suppressed at a higher level. Also, in order to form a thick conductive layer, it is possible to employ a procedure in which sputtering is performed a few times at high power density, or a procedure in which sputtering is performed many times at low power density. In any procedure, by controlling the total power density obtained by the above formula within a predetermined range, it is possible to produce a conductive film with good production efficiency while suppressing wrinkles in the resin film. Considering productivity, it is preferably 80 kW/m 2 or more, more preferably 100 kW/m 2 or more.

《工程D》
本実施形態では、工程Cに続いて、第2導電層22上に第2保護フィルム32を貼り合わせる工程Dをさらに含んでいてもよい。第2保護フィルム32としては、第1保護フィルム31と同様の構成のものを好適に採用することができる。第1保護フィルム31の貼り合わせと同様に、第2導電層22の酸化や傷付き等を低減の点から、第2導電層22の成膜直後に(第2導電層の成膜ラインと同一ライン内にて)第2保護フィルム32を貼り合わせることが好ましい。この工程Dを経ることで、樹脂フィルムの両面に導電層及び保護フィルムが順に積層された保護フィルム付きの導電性フィルムを製造することができる。
《Process D》
In this embodiment, following the step C, a step D of bonding the second protective film 32 onto the second conductive layer 22 may be further included. As the second protective film 32, a film having the same configuration as the first protective film 31 can be preferably adopted. As in the bonding of the first protective film 31, from the viewpoint of reducing oxidation, damage, etc. of the second conductive layer 22, immediately after the film formation of the second conductive layer 22 (the same line as the film formation line of the second conductive layer) It is preferable to bond the second protective film 32 together within the production line). Through this step D, it is possible to manufacture a conductive film with a protective film in which a conductive layer and a protective film are laminated in order on both sides of a resin film.

なお、導電性フィルムを各種デバイスに組み込む際には、通常、用途に応じて片面又は両面の保護フィルムを剥離して用いることになる。 When the conductive film is incorporated into various devices, it is usually used after peeling off the protective film on one side or both sides depending on the application.

(導電性フィルム)
導電性フィルム100の初期の表面抵抗値R1は、0.001Ω/□~10.0Ω/□であることが好ましく、0.01Ω/□~7.5Ω/□であることがより好ましく、0.1Ω/□~5.0Ω/□であることが更に好ましい。これにより生産効率に優れた実用的な導電性フィルムを提供できる。
(Conductive film)
The initial surface resistance value R1 of the conductive film 100 is preferably 0.001 Ω/square to 10.0 Ω/square, more preferably 0.01 Ω/square to 7.5 Ω/square, and 0.01 Ω/square to 7.5 Ω/square. It is more preferably 1 Ω/□ to 5.0 Ω/□. This makes it possible to provide a practical conductive film with excellent production efficiency.

導電性フィルム100全体の厚みは、2~300μmの範囲内であることが好ましく10~250μmの範囲内であることがより好ましく、20~200μmの範囲内であることが更に好ましい。これにより、導電性フィルムの低抵抗化を図りつつ、それ自体も薄くでき、電磁波シールドシートやセンサ等に用いた場合の厚みを抑えることが可能となる。そのため、電磁波シールドシートやセンサ等の薄型化に対応できる。さらに、導電性フィルムの厚みが前記の範囲内であると、柔軟性を確保しつつ機械的強度が十分とすることができ、フィルムをロール状にしてSi含有層や導電層等を連続的に形成する操作が容易となり、生産効率が向上する。 The thickness of the entire conductive film 100 is preferably in the range of 2 to 300 μm, more preferably in the range of 10 to 250 μm, even more preferably in the range of 20 to 200 μm. As a result, the resistance of the conductive film can be reduced while the thickness of the conductive film itself can be reduced. As a result, it is possible to reduce the thickness of electromagnetic wave shield sheets, sensors, and the like. Furthermore, when the thickness of the conductive film is within the above range, it is possible to ensure sufficient mechanical strength while ensuring flexibility, and the film is rolled and the Si-containing layer, the conductive layer, etc. are continuously formed. Forming operation becomes easy, and production efficiency improves.

導電性フィルムは、搬送性や取扱いの観点からロール状に巻回されていてもよい。樹脂フィルムに下地層、導電層をロール・トゥ・ロール法で連続的に形成することで、効率良く導電性フィルムを製造することができる。 The conductive film may be wound into a roll from the viewpoint of transportability and handling. By continuously forming the base layer and the conductive layer on the resin film by the roll-to-roll method, the conductive film can be produced efficiently.

(導電性フィルムの用途)
導電性フィルムは様々な用途に適用可能であり、例えば、電磁波シールドシートや面状センサ等に応用され得る。電磁波シールドシートは、導電性フィルムを用いたものであり、タッチパネル等の形態で好適に使用することができる。前記電磁波シールドシートの厚みは、20~200μmであることが好ましい。なお、保護フィルムが貼り合わされている場合は、保護フィルムを剥離してから用いることができる。
(Application of conductive film)
The conductive film can be applied to various uses, for example, it can be applied to an electromagnetic wave shield sheet, a planar sensor, and the like. The electromagnetic wave shield sheet uses a conductive film, and can be suitably used in the form of a touch panel or the like. The thickness of the electromagnetic wave shield sheet is preferably 20 to 200 μm. In addition, when the protective film is stuck together, it can be used after peeling a protective film.

また電磁波シールドシートの形状は、特には限定されず、設置する対象物の形状などに応じて、積層方向(シートの厚み方向と同じ方向)からみた形状が方形状、円形状、三角形状、多角形状など、適宜の形状に選択できる。 The shape of the electromagnetic wave shield sheet is not particularly limited, and depending on the shape of the object to be installed, the shape when viewed from the stacking direction (the same direction as the thickness direction of the sheet) is square, circular, triangular, or polygonal. Any suitable shape can be selected.

面状センサは、導電性フィルムを用いたものであり、モバイル機器のタッチパネルやコントローラ等のユーザーインターフェース用途に加え、様々な物理量等をセンシングするセンサを含む。前記面状センサの厚みは、20~200μmであることが好ましい。 A planar sensor uses a conductive film, and includes sensors that sense various physical quantities in addition to user interface applications such as touch panels and controllers of mobile devices. The thickness of the planar sensor is preferably 20 to 200 μm.

≪第2実施形態≫
(下地層)
本実施形態では、導電性フィルム100は、樹脂フィルム1と第1導電層21との間、及び樹脂フィルム1と第2導電層22との間のいずれか一方に下地層(図示せず)を備えていてもよい。導電層の樹脂フィルムへの密着性や導電性フィルムへの強度付与、電気的特性の制御等、目的に応じた下地層を設けることで導電性フィルムの高機能化を図ることができる。下地層としては特に限定されず、易接着層、ハードコート層(アンチブロッキング層等として機能するものを含む。)、誘電体層等が挙げられる。
<<Second embodiment>>
(Underlayer)
In this embodiment, the conductive film 100 has a base layer (not shown) between the resin film 1 and the first conductive layer 21 or between the resin film 1 and the second conductive layer 22. may be provided. The performance of the conductive film can be improved by providing the base layer according to the purpose, such as adhesion of the conductive layer to the resin film, imparting strength to the conductive film, and control of electrical properties. The base layer is not particularly limited, and includes an easy-adhesion layer, a hard coat layer (including those functioning as an anti-blocking layer, etc.), a dielectric layer, and the like.

(易接着層)
易接着層は、接着性樹脂組成物の硬化膜である。易密着層は、導電層に対して良好な密着性を有する。
(Easy adhesion layer)
The easy-adhesion layer is a cured film of an adhesive resin composition. The easy-adhesion layer has good adhesion to the conductive layer.

接着性樹脂組成物としては、易密着層形成後の硬化膜として十分な接着性と強度とを持つものを特に制限なく使用できる。用いる樹脂としては熱硬化型樹脂、熱可塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、二液混合型樹脂、及びこれらの混合物などがあげられるが、これらのなかでも紫外線照射による硬化処理にて、簡単な加工操作にて効率よく易密着層を形成することができる紫外線硬化型樹脂が好適である。紫外線硬化型樹脂を含むことで、紫外線硬化性を有する接着性樹脂組成物が容易に得られる。 As the adhesive resin composition, those having sufficient adhesiveness and strength as a cured film after forming the easy adhesion layer can be used without particular limitation. Examples of resins to be used include thermosetting resins, thermoplastic resins, ultraviolet curing resins, electron beam curing resins, two-liquid mixed resins, and mixtures thereof. Therefore, an ultraviolet curable resin is preferable because it can efficiently form an easy-adhesion layer with a simple processing operation. By containing an ultraviolet curable resin, an adhesive resin composition having ultraviolet curable properties can be easily obtained.

接着性樹脂組成物としては、硬化の際に架橋構造を形成する材料が好ましい。易密着層での架橋構造が促進されると、それまで緩やかだった膜内部構造が強固となり、膜強度が向上される。こうした膜強度の向上が密着性の向上に寄与していると推察されるからである。 As the adhesive resin composition, a material that forms a crosslinked structure upon curing is preferable. When the cross-linking structure in the easy-adhesion layer is promoted, the film internal structure, which was loose until then, becomes strong, and the film strength is improved. This is because it is presumed that such an improvement in film strength contributes to an improvement in adhesion.

接着性樹脂組成物は、(メタ)アクリレートモノマー及び(メタ)アクリレートオリゴマーのうちの少なくとも1種を含むことが好ましい。これにより、アクリロイル基に含まれるC=C二重結合に起因する架橋構造の形成が容易となり、膜強度の向上を効率的に図ることができる。なお、本明細書において、(メタ)アクリレートとは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。 The adhesive resin composition preferably contains at least one of (meth)acrylate monomers and (meth)acrylate oligomers. This facilitates the formation of a crosslinked structure resulting from the C═C double bond contained in the acryloyl group, thereby efficiently improving the film strength. In addition, in this specification, (meth)acrylate means an acrylate or a methacrylate.

本実施形態で用いる、主成分としての(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレートモノマー及び/又はアクリレートオリゴマーは塗膜を形成させる役目を有し、具体的にはトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、及びこれら2種以上の混合物が挙げられる。 The (meth)acrylate monomer and/or acrylate oligomer having a (meth)acryloyl group as a main component used in the present embodiment has a function of forming a coating film, specifically trimethylolpropane tri(meth)acrylate. , ethylene oxide-modified trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propylene oxide-modified trimethylolpropane tri(meth)acrylate, trimethylolpropane tetra(meth)acrylate, tris(acryloxyethyl) isocyanurate, caprolactone-modified tris(acryloxyethyl) ) isocyanurate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, alkyl-modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, alkyl modified dipentaerythritol tetra(meth)acrylate, alkyl-modified dipentaerythritol penta(meth)acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and mixtures of two or more thereof.

前記の(メタ)アクリレートの中でも、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、或いはこれらの混合物が、耐摩耗性、硬化性の点からとりわけ好ましい。 Among the (meth)acrylates, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, or mixtures thereof are preferred from the viewpoint of abrasion resistance and curability. Especially preferred.

また、ウレタンアクリレートオリゴマーを用いることもできる。ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーは、ポリオールと、ポリイソシアネートとを反応させた後に、水酸基を有する(メタ)アクリレートを反応させる方法や、ポリイソシアネートと、水酸基を有する(メタ)アクリレートとを反応させた後に、ポリオールを反応させる方法や、ポリイソシアネート、ポリオール、水酸基を有する(メタ)アクリレートを反応させる方法などが挙げられるが特に限定はない。 A urethane acrylate oligomer can also be used. A urethane (meth)acrylate oligomer can be produced by reacting a polyol with a polyisocyanate and then reacting a (meth)acrylate having a hydroxyl group, or by reacting a polyisocyanate with a (meth)acrylate having a hydroxyl group. , a method of reacting a polyol, and a method of reacting a (meth)acrylate having a polyisocyanate, a polyol, and a hydroxyl group, but are not particularly limited.

ポリオールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール及びこれらの共重合物、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,4-ブタンジオール、2,2’-チオジエタノール等が挙げられる。 Examples of polyols include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polytetramethylene ether glycol and copolymers thereof, ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, 2,2'-thiodiethanol and the like.

ポリイソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、m-フェニレンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、水添ジフェニルメタンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシリレンジイソシアネート等が挙げられる。 Examples of polyisocyanates include isophorone diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, m-phenylene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, 4,4′- diphenylmethane diisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate and the like.

架橋密度が高すぎるとプライマーとしての性能が落ち導電層密着性が低下しやすくなるため、水酸基を有する低官能(メタ)アクリレート(以下、水酸基含有(メタ)アクリレートという)を用いても良い。水酸基含有(メタ)アクリレートとしては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、1,4-シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-アクリロイロキシプロピル(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートなどがあげられる。上述した(メタ)アクリレートモノマー成分及び/又は(メタ)アクリレートオリゴマー成分は単独で用いても2種以上を用いても良い。 If the crosslink density is too high, the performance as a primer deteriorates and the adhesion to the conductive layer tends to decrease, so a low-functional (meth)acrylate having a hydroxyl group (hereinafter referred to as hydroxyl-containing (meth)acrylate) may be used. Examples of hydroxyl group-containing (meth)acrylates include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol mono (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth)acrylate. , 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-acryloyloxypropyl (meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate and the like. The (meth)acrylate monomer component and/or (meth)acrylate oligomer component described above may be used alone or in combination of two or more.

本実施形態の紫外線硬化性を有する接着性樹脂組成物は、(メタ)アクリル基含有シランカップリング剤を配合することによりアンチブロッキング性が向上する。(メタ)アクリル基含有シランカップリング剤としては、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、市販品としては、KR-513、KBM-5103(信越化学株式会社製、商品名)が挙げられる。 The UV-curable adhesive resin composition of the present embodiment has improved antiblocking properties by blending a (meth)acrylic group-containing silane coupling agent. (Meth)acryl group-containing silane coupling agents include 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, etc., and commercially available products include KR-513 and KBM-5103 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade names).

シランカップリング剤の配合量は、前記(メタ)アクリレートモノマー及び/又は(メタ)アクリレートオリゴマー100重量部に対して、0.1重量部~50重量部、より好ましくは1~20重量部とする。この範囲であると導電層との密着性が向上し、塗膜物性を維持することができる。 The amount of the silane coupling agent is 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 1 to 20 parts by weight, per 100 parts by weight of the (meth)acrylate monomer and/or (meth)acrylate oligomer. . Within this range, adhesion to the conductive layer is improved, and physical properties of the coating film can be maintained.

本実施形態の易密着層は、ナノシリカ微粒子を含んでいてもよい。ナノシリカ微粒子としては、アルキルシランから合成されたオルガノシリカゾルあるいはプラズマアークにより合成されたナノシリカを用いることができる。市販品としては前者であればPL-7-PGME(扶桑化学製、商品名)、後者であればSIRMIBK15WT%-M36(CIKナノテック製、商品名)などが挙げられる。ナノシリカ微粒子の配合割合は前記(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレートモノマー及び/又はアクリレートオリゴマーとシランカップリング剤との総重量100重量部に対し、5~30重量部が好ましく、5~10重量部がより好ましい。下限以上とすることで表面凹凸が形成されてアンチブロッキング性を付与可能となり、ロール・トゥ・ロールでの生産が可能となる。上限以下とすることで導電層との密着性の低下を防止することができる。 The easy-adhesion layer of the present embodiment may contain nanosilica fine particles. As the nanosilica fine particles, organosilica sol synthesized from alkylsilane or nanosilica synthesized by plasma arc can be used. Examples of commercially available products include PL-7-PGME (manufactured by Fuso Chemical, trade name) for the former, and SIRMIBK15WT%-M36 (manufactured by CIK Nanotech, trade name) for the latter. The blending ratio of the nanosilica fine particles is preferably 5 to 30 parts by weight, preferably 5 to 10 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the total weight of the (meth)acryloyl group-containing (meth)acrylate monomer and/or acrylate oligomer and the silane coupling agent. Parts by weight are more preferred. When the content is at least the lower limit, surface irregularities are formed, anti-blocking properties can be imparted, and roll-to-roll production becomes possible. A decrease in adhesion to the conductive layer can be prevented by setting the content to be equal to or less than the upper limit.

ナノシリカ微粒子の平均粒径は100~500nmが好ましい。平均粒径100nm未満では表面に凹凸を形成するのに必要な添加量が多くなるために導電層との密着性が得られないのに対し、500nmを越えると表面凹凸が大きくなり、ピンホールの問題が発生する。 The average particle diameter of the nanosilica fine particles is preferably 100-500 nm. If the average particle size is less than 100 nm, the amount of addition required to form irregularities on the surface is too large to obtain adhesion to the conductive layer. a problem arises.

接着性樹脂組成物は紫外線硬化性を付与するために光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、ベンゾインノルマルブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール等のベンジルケタール類、2,2-ジメトキシアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、[2-ヒドロキシ-2-メチル-1-(4-エチレンフェニル)プロパン-1-オン]、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-(4-イソプロピルフェニル)プロパン-1-オン等のα-ヒドロキシアルキルフェノン類、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)フェニル]-1-モルフォリノプロパン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-1-ブタノン等のα-アミノアルキルフェノン類、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド等のモノアシルホスフィンオキサイド類、ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4-トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド等のモノアシルホスフィンオキサイド類などが挙げられる。 The adhesive resin composition preferably contains a photopolymerization initiator in order to impart ultraviolet curability. Examples of photopolymerization initiators include benzoin ethers such as benzoin normal butyl ether and benzoin isobutyl ether, benzyl ketals such as benzyl dimethyl ketal and benzyl diethyl ketal, and acetophenones such as 2,2-dimethoxyacetophenone and 2,2-diethoxyacetophenone. 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, [2-hydroxy-2-methyl-1-(4-ethylenephenyl)propan-1-one], 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-(4-isopropylphenyl)propane-1- α-Hydroxyalkylphenones such as on, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-1-morpholinopropane, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)- α-aminoalkylphenones such as 1-butanone, monoacylphosphine oxides such as 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoylphenylethoxyphosphine oxide, bis(2,6- monoacylphosphine oxides such as dimethoxybenzoyl)-2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide and bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide;

樹脂の硬化性、光安定性、樹脂との相溶性、低揮発、低臭気という点から、アルキルフェノン系光重合開始剤が好ましく、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、(2-ヒドロキシ-1-{4-[4-(2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル)-ベンジル]フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オンがより好ましい。市販品としてはIrgacure127、184、369、651、500、891、907、2959、Darocure1173、TPO(BASFジャパン株式会社製、商品名)などが挙げられる。光重合開始剤は(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレートモノマー及び/又はアクリレートオリゴマー100重量部に対して、固形分3~10重量部配合する。 Alkylphenone-based photopolymerization initiators are preferred in terms of resin curability, light stability, compatibility with resins, low volatility, and low odor. -phenyl-propan-1-one, (2-hydroxy-1-{4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]phenyl}-2-methyl-propan-1-one, 1 -[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one is more preferred, commercially available as Irgacure 127, 184, 369, 651, 500, 891, 907 , 2959, Darocure 1173, TPO (manufactured by BASF Japan Ltd., trade name), etc. The photopolymerization initiator has a (meth) acryloyl group (meth) acrylate monomer and / or acrylate oligomer 100 parts by weight, A solid content of 3 to 10 parts by weight is blended.

易密着層の形成の際には、分子内に(メタ)アクリロイル基を有する(メタ)アクリレート及び/あるいは(メタ)アクリレートオリゴマーを主成分とする接着性樹脂組成物を、トルエン、酢酸ブチル、イソブタノール、酢酸エチル、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、ヘキサン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチルエーテル、エチレングリコールなどの溶剤に希釈し、固形分が30~50%のワニスとして調製する。 When forming the easy-adhesion layer, an adhesive resin composition mainly composed of (meth)acrylate and/or (meth)acrylate oligomer having (meth)acryloyl groups in the molecule is mixed with toluene, butyl acetate, iso- Dilute with solvents such as butanol, ethyl acetate, cyclohexane, cyclohexanone, methylcyclohexanone, hexane, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, propylene glycol monomethyl ether, diethyl ether, ethylene glycol, etc. to prepare a varnish with a solid content of 30-50%. do.

易密着層は、シクロオレフィン系樹脂フィルム1上に、上記ワニスを塗布することにより形成される。ワニスの塗布方法は、ワニス及び塗装工程の状況に応じて適時選択することができ、例えばディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、ダイコート法やエクストルージョンコート法などにより塗布することができる。 The easy adhesion layer is formed by applying the above varnish on the cycloolefin resin film 1 . The method of applying the varnish can be appropriately selected depending on the varnish and the conditions of the coating process. It can be applied by a method, an extrusion coating method, or the like.

ワニスを塗布後、塗膜を硬化させることによって、易密着層を形成することができる。紫外線硬化性を有する接着性樹脂組成物の硬化処理としては、ワニスが溶剤を含む場合は乾燥(例えば80℃で1分間)による溶媒除去後、紫外線照射機を用いて500mW/cm~3000mW/cmの照射強度で、仕事量が50~400mJ/cmの紫外線処理を行い硬化させるという手順が挙げられる。紫外線発生源としては一般的に紫外線ランプが用いられており、具体的には、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、メタルハライドランプなどが挙げられ、照射する場合は空気中でもよいし、窒素、アルゴンなどの不活性ガス中でもよい。 After applying the varnish, the coating film is cured to form an easy-adhesion layer. When the varnish contains a solvent, the curing treatment of the UV-curable adhesive resin composition may be performed by drying the varnish (for example, at 80° C. for 1 minute) to remove the solvent, and then using an ultraviolet irradiation machine at 500 mW/cm 2 to 3000 mW/cm. There is a procedure of curing by UV treatment with an irradiation intensity of cm 2 and a work load of 50 to 400 mJ/cm 2 . Ultraviolet lamps are generally used as ultraviolet light sources, and specific examples include low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, xenon lamps, and metal halide lamps. Alternatively, an inert gas such as nitrogen or argon may be used.

紫外線硬化処理の際に加熱を行うことが好ましい。紫外線照射により接着性樹脂組成物の硬化反応が進行し、同時に架橋構造が形成される。このとき加熱を行うことにより、低紫外線量でも十分に架橋構造の形成を促進させることができる。加熱温度は、架橋度に応じて設定可能であり、好ましくは50℃~80℃である。加熱手段は特に限定されず、温風乾燥機、輻射熱乾燥機、フィルム搬送ロールの加熱等を適宜採用することができる。 Heating is preferably performed during the ultraviolet curing treatment. A curing reaction of the adhesive resin composition proceeds by irradiation with ultraviolet rays, and a crosslinked structure is formed at the same time. By heating at this time, the formation of the crosslinked structure can be sufficiently promoted even with a low ultraviolet dose. The heating temperature can be set according to the degree of cross-linking, and is preferably 50°C to 80°C. The heating means is not particularly limited, and a hot air dryer, a radiant heat dryer, heating of film transport rolls, or the like can be appropriately employed.

易密着層の厚みとしては特に限定されないものの、0.2μm~2μmであることが好ましく、0.5μm~1.5μmであることがより好ましく、0.8μm~1.2μmであることがさらに好ましい。易密着層の厚みを上記範囲とすることで、導電層の密着性とフィルムの柔軟性とを向上させることができる。 Although the thickness of the adhesion layer is not particularly limited, it is preferably 0.2 μm to 2 μm, more preferably 0.5 μm to 1.5 μm, even more preferably 0.8 μm to 1.2 μm. . By setting the thickness of the easy adhesion layer within the above range, the adhesion of the conductive layer and the flexibility of the film can be improved.

(ハードコート層)
下地層として、ハードコート層を設けてもよい。さらに、導電性フィルム同士のブロッキングを防止してロール・トゥ・ロール法による製造を可能にするために、ハードコート層に粒子を配合してもよい。
(Hard coat layer)
A hard coat layer may be provided as the base layer. Furthermore, particles may be added to the hard coat layer in order to prevent blocking between the conductive films and enable production by the roll-to-roll method.

ハードコート層の形成には、易密着層と同様の接着性組成物を好適に用いることができる。アンチブロッキング性を付与するには、前記接着性組成物に粒子を配合することが好ましい。これによりハードコート層の表面に凹凸を形成することができ、導電性フィルム100にアンチブロッキング性を好適に付与することができる。 For forming the hard coat layer, the same adhesive composition as that for the easy adhesion layer can be suitably used. In order to impart antiblocking properties, it is preferable to incorporate particles into the adhesive composition. As a result, unevenness can be formed on the surface of the hard coat layer, and anti-blocking properties can be suitably imparted to the conductive film 100 .

上記粒子としては、各種金属酸化物、ガラス、プラスチックなどの透明性を有するものを特に制限なく使用することができる。例えばシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム等の無機系粒子、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル系樹脂、アクリル-スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、ポリカーボネート等の各種ポリマーからなる架橋又は未架橋の有機系粒子やシリコーン系粒子などがあげられる。前記粒子は、1種又は2種以上を適宜に選択して用いることができる。 As the above particles, those having transparency such as various metal oxides, glasses, plastics, etc. can be used without particular limitation. For example, inorganic particles such as silica, alumina, titania, zirconia, calcium oxide, etc., polymethyl methacrylate, polystyrene, polyurethane, acrylic resin, acrylic-styrene copolymer, benzoguanamine, melamine, polycarbonate, etc. Examples include crosslinked organic particles and silicone particles. One or two or more kinds of the particles can be appropriately selected and used.

上記粒子の平均粒径や配合量は、表面凹凸の程度を考慮しつつ、適宜設定することができる。平均粒径としては、0.5μm~2.0μmが好ましく、配合量としては、組成物の樹脂固形分100重量部に対して0.2~5.0重量部が好ましい。 The average particle size and blending amount of the particles can be appropriately set while considering the degree of surface unevenness. The average particle diameter is preferably 0.5 μm to 2.0 μm, and the amount to be added is preferably 0.2 to 5.0 parts by weight per 100 parts by weight of the resin solid content of the composition.

(誘電体層)
下地層として、1層以上の誘電体層を備えていてもよい。誘電体層は、無機物、有機物、あるいは無機物と有機物との混合物により形成される。誘電体層を形成する材料としては、NaF、NaAlF、LiF、MgF、CaF、SiO、LaF、CeF、Al、TiO、Ta、ZrO、ZnO、ZnS、SiO(xは1.5以上2未満)などの無機物や、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマーなどの有機物が挙げられる。特に、有機物として、メラミン樹脂とアルキド樹脂と有機シラン縮合物の混合物からなる熱硬化型樹脂を使用することが好ましい。誘電体層は、上記の材料を用いて、グラビアコート法やバーコート法などの塗工法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などにより形成できる。
(dielectric layer)
One or more dielectric layers may be provided as the underlying layer. The dielectric layer is made of an inorganic material, an organic material, or a mixture of an inorganic material and an organic material. Materials for forming the dielectric layer include NaF, Na3AlF6 , LiF, MgF2 , CaF2 , SiO2, LaF3 , CeF3 , Al2O3 , TiO2 , Ta2O5 , ZrO2 , Inorganic substances such as ZnO, ZnS, and SiO x (where x is 1.5 or more and less than 2) and organic substances such as acrylic resins, urethane resins, melamine resins, alkyd resins, and siloxane-based polymers can be used. In particular, it is preferable to use a thermosetting resin composed of a mixture of melamine resin, alkyd resin and organic silane condensate as the organic material. The dielectric layer can be formed using the above materials by a coating method such as a gravure coating method or a bar coating method, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.

誘電体層の厚さは、10nm~250nmであることが好ましく、20nm~200nmであることがより好ましく、20nm~170nmであることがさらに好ましい。誘電体層の厚さが過度に小さいと連続被膜となりにくい。また、誘電体層の厚さが過度に大きいと、誘電体層にクラックが生じ易くなったりする傾向がある。 The thickness of the dielectric layer is preferably 10 nm to 250 nm, more preferably 20 nm to 200 nm, even more preferably 20 nm to 170 nm. If the thickness of the dielectric layer is too small, it is difficult to form a continuous film. Also, if the dielectric layer is too thick, cracks tend to occur in the dielectric layer.

誘電体層は、平均粒径が1nm~500nmのナノ微粒子を有していてもよい。誘電体層中のナノ微粒子の含有量は0.1重量%~90重量%であることが好ましい。誘電体層に用いられるナノ微粒子の平均粒径は、上述のように1nm~500nmの範囲であることが好ましく、5nm~300nmであることがより好ましい。また、誘電体層中のナノ微粒子の含有量は10重量%~80重量%であることがより好ましく、20重量%~70重量%であることがさらに好ましい。 The dielectric layer may have nanoparticles with an average particle size of 1 nm to 500 nm. The content of nanoparticles in the dielectric layer is preferably 0.1 wt % to 90 wt %. The average particle diameter of the nanoparticles used in the dielectric layer is preferably in the range of 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 300 nm, as described above. Also, the content of the nanoparticles in the dielectric layer is more preferably 10 wt % to 80 wt %, and even more preferably 20 wt % to 70 wt %.

ナノ微粒子を形成する無機酸化物としては、例えば、酸化ケイ素(シリカ)、中空ナノシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ等の微粒子があげられる。これらの中でも、酸化ケイ素(シリカ)、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ジルコニウム、酸化ニオブの微粒子が好ましい。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of inorganic oxides forming nanoparticles include fine particles such as silicon oxide (silica), hollow nanosilica, titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, tin oxide, zirconium oxide, and niobium oxide. Among these, fine particles of silicon oxide (silica), titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, tin oxide, zirconium oxide, and niobium oxide are preferred. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

以下、本発明に関して実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail using examples, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded.

<実施例1、2:片面保護フィルム付き両面導電性フィルムの作製>
先ず、幅1.100m、長さ2500m、表1に示す厚さのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レフィルム加工株式会社製、品名「150-TT00A」、以下、PETフィルムという。)からなる長尺状樹脂フィルムを送り出しロールに巻いて図2に示すようなスパッタ装置内に設置した。その後、スパッタ装置内を3.0×10-3Torrの高真空にし、その状態で、長尺状樹脂フィルムを送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、スパッタ成膜を行った。Arガス100体積%からなる3.0×10-3Torrの雰囲気中で、メタルターゲット材料としてCuを用いて、焼結体DCマグネトロンスパッタ法により、第1導電層を片面にスパッタ成膜をし、送り出しロールにフィルムを巻き取ることで、一方の面に導電層を形成した片面導電性フィルムの巻回体を作製した。スパッタ成膜の際のライン搬送速度、スパッタ成膜の繰り返し回数N、1ラインあたりのターゲット数T及び1ターゲットあたりの電力密度P[kW/m]を表1に示す値とした。また、スパッタ成膜の際の総電力密度を下記式に基づき算出した。
総電力密度=N×T×P
(Nはスパッタ成膜の繰り返し回数であり、Tは1ラインあたりのターゲット数であり、Pは1ターゲットあたりの電力密度[kW/m]である。)
<Examples 1 and 2: Preparation of double-sided conductive film with single-sided protective film>
First, a long resin film made of a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Advanced Film Co., Ltd., product name “150-TT00A”, hereinafter referred to as PET film) having a width of 1.100 m, a length of 2500 m, and a thickness shown in Table 1. was wound around a delivery roll and placed in a sputtering apparatus as shown in FIG. After that, the inside of the sputtering device was evacuated to a high vacuum of 3.0×10 −3 Torr, and in this state, sputtering film formation was performed while sending the long resin film from the delivery roll to the take-up roll. In an atmosphere of 3.0×10 −3 Torr consisting of 100% by volume of Ar gas, using Cu as a metal target material, a first conductive layer was sputter-formed on one side by a sintered body DC magnetron sputtering method. By winding the film around a delivery roll, a wound body of a single-sided conductive film having a conductive layer formed on one side was produced. The values shown in Table 1 were used for the line transfer speed during sputtering film formation, the number of repetitions N of sputtering film formation, the number of targets per line T, and the power density P [kW/m 2 ] per target. Also, the total power density during the sputtering film formation was calculated based on the following formula.
Total power density = N x T x P
(N is the number of repetitions of sputtering deposition, T is the number of targets per line, and P is the power density [kW/m 2 ] per target.)

作製した片面導電性フィルムの巻回体の第1導電層面側に、表1に示す厚みの保護フィルム(フタムラ化学社製、「FSA020M」)の粘着層面側を貼り合わせて、一方の面に保護フィルムを貼り合わせた片面保護フィルム付き片面導電性フィルムの巻回体を作製した。 The adhesive layer side of a protective film (manufactured by Futamura Chemical Co., Ltd., "FSA020M") having a thickness shown in Table 1 is attached to the first conductive layer side of the wound body of the produced single-sided conductive film, and one side is protected. A wound body of a single-sided conductive film with a single-sided protective film was produced by laminating films.

作製した片面保護フィルム付き片面導電性フィルムの巻回体の保護フィルム配設面とは反対側に第1導電層と同条件で第2導電層をスパッタ成膜することで、両面に導電層が形成され、一方の面に保護フィルムが配設された片面保護フィルム付き両面導電性フィルムを作製した。なお、第1導電層及び第2導電層はともに表1に示す厚みで成膜した。また、実施例1での樹脂フィルムのMD方向に加えた張力は290Nであり、フィルム幅と厚みから算出した引張応力は1.76MPaであった。 A conductive layer is formed on both sides by sputtering a second conductive layer under the same conditions as the first conductive layer on the side opposite to the surface on which the protective film is arranged of the single-sided conductive film with the manufactured single-sided protective film. A double-sided conductive film with a single-sided protective film was prepared by forming a protective film on one side. Both the first conductive layer and the second conductive layer were formed with the thickness shown in Table 1. The tension applied in the MD direction of the resin film in Example 1 was 290 N, and the tensile stress calculated from the film width and thickness was 1.76 MPa.

<比較例1~4:両面導電性フィルムの作製(保護フィルム無し)>
実施例1と同様の方法で片面導電性フィルムの巻回体を作製した。次に、片面導電性フィルムの巻回体の第1導電層と反対側に第1導電層と同条件で第2導電層をスパッタ成膜し、両面に導電層が形成された両面導電性フィルムを作製した。なお、第1導電層及び第2導電層はともに表1に示す厚みで成膜した。また、スパッタ成膜の際のライン搬送速度、スパッタ成膜の繰り返し回数N、1ラインあたりのターゲット数T及び1ターゲットあたりの電力密度P[kW/m]を表1に示す値とした。
<Comparative Examples 1 to 4: Production of double-sided conductive film (without protective film)>
A roll of a single-sided conductive film was produced in the same manner as in Example 1. Next, a double-sided conductive film having conductive layers formed on both sides by sputtering a second conductive layer on the opposite side of the roll of the single-sided conductive film from the first conductive layer under the same conditions as the first conductive layer. was made. Both the first conductive layer and the second conductive layer were formed with the thickness shown in Table 1. In addition, the values shown in Table 1 were used for the line transport speed during sputtering film formation, the number of repetitions N of sputtering film formation, the number of targets per line T, and the power density P [kW/m 2 ] per target.

<参考例1:両面導電性フィルムの作製(保護フィルム無し)>
実施例1と同様の方法で片面導電性フィルムの巻回体を作製した。次に、片面導電性フィルムの巻回体の第1導電層と反対側に第1導電層と同条件で第2導電層をスパッタ成膜し、両面に導電層が形成された両面導電性フィルムを作製した。なお、第1導電層及び第2導電層はともに表1に示す厚みで成膜した。また、スパッタ成膜の際のライン搬送速度、スパッタ成膜の繰り返し回数N、1ラインあたりのターゲット数T及び1ターゲットあたりの電力密度P[kW/m]を表1に示す値とした。
<Reference Example 1: Production of double-sided conductive film (without protective film)>
A roll of a single-sided conductive film was produced in the same manner as in Example 1. Next, a double-sided conductive film having conductive layers formed on both sides by sputtering a second conductive layer on the opposite side of the roll of the single-sided conductive film from the first conductive layer under the same conditions as the first conductive layer. was made. Both the first conductive layer and the second conductive layer were formed with the thickness shown in Table 1. In addition, the values shown in Table 1 were used for the line transport speed during sputtering film formation, the number of repetitions N of sputtering film formation, the number of targets per line T, and the power density P [kW/m 2 ] per target.

<評価>
作製した導電性フィルムについて、以下の評価を行った。それぞれの結果を表1に示す。
<Evaluation>
The following evaluations were performed on the produced conductive films. Each result is shown in Table 1.

(1)厚みの測定
導電層の厚みは、透過型電子顕微鏡(日立製作所製、製品名「H-7650」)を用いて、保護フィルム付きの導電性フィルムの断面を観察して測定した。
(1) Measurement of Thickness The thickness of the conductive layer was measured by observing the cross section of the conductive film with the protective film using a transmission electron microscope (manufactured by Hitachi, Ltd., product name “H-7650”).

(2)シワの評価
作製した保護フィルム付きの導電性フィルムについて、シワの発生の評価を行った。導電性フィルムの巻回体から約10m分引き出し、蛍光灯を導電性フィルムに照射して、目視にて第2導電層のシワの有無を観察した。シワが観察されなかった場合を「○」、シワが観察された場合を「×」として評価した。
(2) Evaluation of wrinkles The produced conductive film with a protective film was evaluated for the occurrence of wrinkles. A length of about 10 m was pulled out from the wound body of the conductive film, the conductive film was irradiated with a fluorescent lamp, and the presence or absence of wrinkles in the second conductive layer was visually observed. The case where wrinkles were not observed was evaluated as "◯", and the case where wrinkles were observed was evaluated as "x".

Figure 0007280036000001
Figure 0007280036000001

(結果)
表1より、第1導電層に保護フィルムを貼り合わせた状態で第2導電層を形成した実施例では、シワの発生が抑制されたことが分かる。一方、保護フィルムなしで第2導電層を形成した比較例1~4ではシワが発生したことが分かる。なお、厚みの小さい導電層を形成した参考例1ではシワの発生がなかった。これにより、シワの発生は厚手の導電層の形成の際に特徴的に見られる現象であることが分かる。
(result)
From Table 1, it can be seen that the occurrence of wrinkles was suppressed in the examples in which the second conductive layer was formed while the protective film was attached to the first conductive layer. On the other hand, it can be seen that wrinkles occurred in Comparative Examples 1 to 4 in which the second conductive layer was formed without a protective film. In Reference Example 1 in which a thin conductive layer was formed, no wrinkles occurred. From this, it can be seen that the occurrence of wrinkles is a phenomenon that is characteristically seen when forming a thick conductive layer.

1 樹脂フィルム
21 第1導電層
22 第2導電層
31 第1保護フィルム
32 第2保護フィルム
100 導電性フィルム
300 成膜装置
301 繰り出しロール
302 巻取ロール
303、304 搬送ロール
310 成膜ロール
320 ターゲット
1 Resin Film 21 First Conductive Layer 22 Second Conductive Layer 31 First Protective Film 32 Second Protective Film 100 Conductive Film 300 Film Forming Apparatus 301 Delivery Roll 302 Winding Roll 303, 304 Transport Roll 310 Film Forming Roll 320 Target

Claims (6)

樹脂フィルムの一方の面に第1導電層を形成する工程A、
前記第1導電層上に保護フィルムを貼り合わせる工程B、及び
前記樹脂フィルムを繰り出しながら前記樹脂フィルムの他方の面に厚みが80nm以上300nm以下の第2導電層をスパッタリング法で形成する工程C
を含み、
前記第1導電層の構成材料が、Cu,Al,Fe,Cr,Ti,Si,Nb,In,Zn,Sn,Au,Ag,Co,Cr,Ni,Pb,Pd,Pt,W,Zr,Ta,Hf、Mo,Mn,Mg及びVのうちの少なくとも1種の金属又は該金属を主成分とする合金である導電性フィルムの製造方法。
Step A of forming a first conductive layer on one surface of the resin film;
A step B of bonding a protective film onto the first conductive layer, and a step C of forming a second conductive layer having a thickness of 80 nm or more and 300 nm or less on the other surface of the resin film by a sputtering method while extending the resin film.
including
The constituent material of the first conductive layer is Cu, Al, Fe, Cr, Ti, Si, Nb, In, Zn, Sn, Au, Ag, Co, Cr, Ni, Pb, Pd, Pt, W, Zr, A method for producing a conductive film comprising at least one metal selected from Ta, Hf, Mo, Mn, Mg and V, or an alloy containing said metal as a main component.
前記工程Aにおいて、前記第1導電層をスパッタリング法で形成する請求項1に記載の導電性フィルムの製造方法。 2. The method for producing a conductive film according to claim 1, wherein in said step A, said first conductive layer is formed by a sputtering method. 前記第1導電層厚みが、80nm以上300nm以下である請求項1又は2に記載の導電性フィルムの製造方法。 3. The method for producing a conductive film according to claim 1, wherein the first conductive layer has a thickness of 80 nm or more and 300 nm or less. 前記保護フィルムの厚みが20μm以上200μm以下である請求項1~3のいずれか1項に記載の導電性フィルムの製造方法。 The method for producing a conductive film according to any one of claims 1 to 3, wherein the protective film has a thickness of 20 µm or more and 200 µm or less. 前記工程Cにおいて、前記スパッタリング法における下記式で表される総電力密度が1500kW/m以下である請求項1~4のいずれか1項に記載の導電性フィルムの製造方法。
総電力密度=N×T×P
(式中、Nは工程繰り返し回数であり、Tは1工程あたりのターゲット数であり、Pは1ターゲットあたりの電力密度[kW/m]である。)
The method for producing a conductive film according to any one of claims 1 to 4, wherein in the step C, the total power density represented by the following formula in the sputtering method is 1500 kW/m 2 or less.
Total power density = N x T x P
(In the formula, N is the number of process repetitions, T is the number of targets per process, and P is the power density [kW/m 2 ] per target.)
前記工程Cにおいて、前記樹脂フィルムのMD方向での引張応力が1MPa以上である請求項1~5のいずれか1項に記載の導電性フィルムの製造方法。 6. The method for producing a conductive film according to any one of claims 1 to 5, wherein in the step C, the resin film has a tensile stress of 1 MPa or more in the MD direction.
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