JP7089902B2 - 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。図1において、基板処理装置1は、回転式基板処理装置であり、円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
図2は、基板処理装置1における制御部6の機能的な構成を示すブロック図である。図2に示すように、制御部6は、新液供給制御部6a、排液制御部6b、送液制御部6c、流量変更制御部6d、ポンプ制御部6e、回転制御部6f、時間制御部6g、センサ信号処理部6h、レシピ実行部6i、記憶部6jおよび酸素濃度判定部6kの各機能制御部を含む。これらの各機能制御部(6a~6k)の機能は、制御部6のCPUがROMまたは記憶装置等の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。
続いて、以下に、基板に対する処理を行っている状態から処理を停止させて、貯留部30に貯留されている処理液を交換し、再び基板に対する処理を開始するまでの各ステップの動作について説明する。図3は、かかる一連の動作を示すフローチャートである。
図3におけるステップST00では、基板処理装置1は、処理ユニット5において、搬入される基板W1枚毎に処理液供給ノズル10から処理液を吐出して基板Wに対する処理を行なっている(ST00)。この基板Wに対する処理を行うステップST00では、基板Wに対する処理を行う毎に、送液制御部6cによって送液配管32に介装されている送液弁32aが閉状態から開状態になるように制御される。その一方で、新液供給弁37a、排液弁35a、流量変更弁34aのそれぞれは、閉じられたままの状態となっている。かかる状態の下で基板Wに対する処理を行うに際しては、ポンプ30aの動作によって貯留部30に貯留されている処理液が常に流通配管31を通じて循環されるとともに、流通配管31内を流れている処理液の一部が送液配管32に送られ、処理液供給ノズル10から処理液が基板Wに吐出される。基板Wに対する処理が終了すると図示しない搬送ロボットによって処理ユニット5から基板Wが搬出される。かかる基板Wに対する処理動作は、一つの処理ロットを構成する最終の基板Wに対する処理が完了するまで繰り返し行われる。
基板処理装置1が基板処理を停止した後、ステップST02において、レシピ実行部6iは記憶部6jに記録されていた処理液を交換する液交換レシピを実行する。液交換レシピ実行においては、レシピ実行部6iが、実行命令信号を排液制御部6bに送信する。排液制御部6bは、かかる命令実行信号を受信して、排液弁35aが閉状態から開状態に切り替わるように制御し、貯留部30から処理液を排液管35を通じて排液部105へ向けての排液を開始させる(ST02)。
また、センサ信号処理部6hは、定量液面センサ41からの上記検知信号を受信するとその受信信号をポンプ制御部6eにも送信する。センサ信号処理部6hからの受信信号を受けたポンプ制御部6eは、ポンプ30aを制御し、ポンプ30aを駆動させる(ST09)。
レシピ実行部6iは、酸素濃度判定部6kから処理液を基板Wに吐出可能なことを示す信号を受信すると、レシピ実行部6iは記憶部6jに記録されている基板処理レシピを読み取り、送液制御部6cと回転制御部6fにレシピの実行信号を送信する。レシピ実行部6iからレシピの実行信号を受けた回転制御部6fは、回転部17が回転するように制御し、スピンチャック15に保持された基板Wを回転させる。一方、レシピ実行部6iからレシピの実行信号を受けた送液制御部6cは、送液弁32aが開状態となるように制御し、流通配管31から分岐して送液配管32に送られてきた処理液が、処理液供給ノズル10から回転する基板W上に供給されて処理が行われる(ST13)。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。
図5は、基板処理装置1の第2の実施形態における制御部60の機能的な構成を示すブロック図である。図5に示すように、制御部60は、流路切替制御部60n、流量変更制御部60d、ポンプ制御部60e、回転制御部60f、時間制御部60g、レシピ実行部60i、記憶部60jおよび酸素濃度判定部60kの各機能制御部を含む。これらの各機能制御部の機能は、制御部60のCPUがROMまたは記憶装置等の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。
続いて、以下に、基板処理装置100が、基板Wに対する処理を行なっていない待機状態から、基板Wに対する処理を開始するまでの各ステップの動作について説明する。図6は、かかる一連の動作を示すフローチャートである。
図6におけるステップST71では、基板処理装置100は、基板Wを処理ユニット5へ搬入せずに基板処理を行なわない待機状態にあり、流量変更制御部60dは流量変更弁34aを制御して開状態にしている。この状態では、低酸素流体供給源104から低酸素流体が低酸素流体供給管340を通じ流通配管310に供給される(ST71)。一方で、流路切替制御部60nは、流路切替弁7の貯留液供給配管38が流路接続されている流入路73に備えられた開閉弁7bを制御して閉状態にする。また、流路切替制御部60nは、流路切替弁7の流通配管310が流路接続されている流出路72に備えられた開閉弁7aを制御して閉状態にする。さらに、流路切替制御部60nは、流路切替弁7の送液配管320が流路接続されている流出路72に備えられた開閉弁7aを制御して閉状態にする。これらによって、流通配管310および送液配管320に処理液が流れないようにしている。一方、流通配管310内は、低酸素流体供給管340を通じて供給される低酸素流体によって満たされ、流通配管310に介装されている酸素濃度計33が大気などの高濃度の酸素を含有する流体に暴露されることを防止できる。そのため、酸素濃度計33の機能の低下を防ぐことができ、処理の効率を落とさずに基板処理を行なうことができる。
ステップST72では、ステップST71の基板処理装置100の待機状態から、処理ユニット5において基板Wに対する処理を実行する前の準備状態に移行する。かかるステップST72において、レシピ実行部60iは、記憶部60jに記憶された基板処理レシピの実行を開始する。このとき、まず、レシピ実行部60iは、流量変更制御部60dに対して基板に対する処理を実行する前の準備指令を示す制御信号を流量変更制御部60dに送信する。流量変更制御部60dでは、かかる制御信号をレシピ実行部60iから受信すると、流量変更弁34aの開度を狭めるように流量変更弁34aを変更制御する。これによって、流通配管310に送られていた低酸素流体の供給流量は、低減またはゼロとされる(ST72)。
次にステップST76では、レシピ実行部60iが、酸素濃度判定部60kから処理液を基板Wに吐出可能なことを示すレシピ実行信号を受信すると、レシピ実行部60iは、記憶部60jに記憶された基板処理を行うための処理レシピを読み出し、読み出した処理レシピに基づいて基板処理の実行を行わせるための制御信号を流路切替制御部60n、回転制御部60f、流量変更制御部60dにそれぞれ送信する。
第1の実施形態では、処理液として、薬液の場合はフッ酸であり、リンス液の場合は脱イオン水(DIW)であり、有機溶剤の場合はIPAを例として説明した。むろん、薬液は、フッ酸に限られず、塩酸、バッファードフッ酸(BHF)、希フッ酸(DHF)、アンモニア水、有機酸(たとえば、クエン酸、蓚酸等)、有機アルカリ(たとえば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど)、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。リンス液は、DIWに限られず、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度(たとえば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水、アンモニア水、還元水(水素水)であってもよい。有機溶剤は、IPAに限られない。具体的には、有機溶剤は、IPA、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2-ジクロロエチレンのうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。また、有機溶剤、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、IPA液と純水との混合液であってもよいし、IPA液とHFE液との混合液であってもよい。
以下、請求項1の各構成要素と実施の形態の各要素との例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
100 :基板処理装置(第2の実施形態)
104 :低酸素流体供給源
105 :排液部
110 :処理液供給源
2 :処理タワー
3 :処理液供給部(第1の実施形態)
300 :処理液供給部(第2の実施形態)
30 :貯留部(第1の実施形態)
30´ :貯留部(第2の実施形態)
30a :ポンプ
31 :流通配管(第1の実施形態)
310 :流通配管(第2の実施形態)
311 :送出口
312 :戻り口
313 :バイパス配管
31a :圧調整弁
32 :送液配管(第1の実施形態)
320 :送液配管(第2の実施形態)
32a :送液弁(第1の実施形態)
33 :酸素濃度計
34 :低酸素流体供給管(第1の実施形態)
340 :低酸素流体供給管(第2の実施形態)
341 :供給口
34a :流量変更弁
35 :排液管
35a :排液弁
37 :新液供給配管(第1の実施形態)
370 :新液供給配管(第2の実施形態)
37a :新液供給弁
38 :貯留液供給管
41 :定量液面センサ
42 :下限液面センサ
5 :処理ユニット(処理部)
6 :制御部(第1の実施形態)
6a :新液供給制御部
6b :排液制御部
6c :送液制御部
6d :流量変更制御部
6e :ポンプ制御部
6f :回転制御部
6g :時間制御部
6h :センサ信号処理部
6i :レシピ実行部
6j :記憶部
6k :酸素濃度判定部
60 :制御部(第2の実施形態)
60d :流量変更制御部
60e :ポンプ制御部
60f :回転制御部
60g :時間制御部
60i :レシピ実行部
60j :記憶部
60k :酸素濃度判定部
60m :流通弁制御部
60n :流路切替制御部
7 :流路切替弁
71 :混合室
72 :流出路
73 :流入路
7a :開閉弁
7b :開閉弁
Claims (18)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
処理液供給ノズルを有し、当該処理液供給ノズルから処理液を基板に供給して基板を処理する処理部と、
処理液供給源から供給される前記処理液を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記処理液を前記処理液供給ノズルに送る送液配管と、
前記送液配管とは別の流路を構成し、その流路内で前記処理液を流通させる流通配管と、
前記流通配管に介装され、前記流通配管を流通する前記処理液に溶存する酸素濃度を測定する酸素濃度計と、
前記流通配管に連通し、低酸素流体供給源から供給される低酸素流体を前記流通配管に送る低酸素流体供給管と、
前記低酸素流体供給管に介装され、前記流通配管への前記低酸素流体の供給流量を変更する流量変更弁と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記流通配管内の前記処理液の排出時に、少なくとも前記流通配管内が前記低酸素流体で満たされるまでの間、前記低酸素流体が前記流通配管に供給されるように前記流量変更弁を制御する流量変更制御部を有する基板処理装置。 - 前記流通配管に介装され、前記貯留部に貯留された処理液を送液するポンプをさらに備え、
前記流通配管は、その一端が前記貯留部に設けられた処理液が送出される送出口に流路接続されるとともに、その他端が前記貯留部に設けられた処理液の戻り口に流路接続されることにより、当該流通配管内で前記貯留部に貯留された処理液を循環する循環路を形成し、
前記送液配管は、前記流通配管の前記酸素濃度計が介在されている位置よりも下流側の位置から分岐して前記流通配管と流路接続されており、前記流通配管を介して前記貯留部から送られてきた前記処理液を前記処理液供給ノズルに送ることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記低酸素流体供給管は、その低酸素流体の供給口が前記貯留部内に臨むように前記貯留部に流路接続され、前記貯留部を介して前記流通配管に連通し、前記低酸素流体供給源から供給される低酸素流体を前記流通配管に送ることを特徴とする、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記貯留部に流路接続され、前記貯留部に貯留された前記処理液を排液する排液配管と、
前記排液配管に介装され、前記排液配管の流路を開閉する排液弁と、をさらに備え、
前記制御部は、前記排液弁を開閉し、前記貯留部に貯留された前記処理液を前記貯留部から排出する状態と排出しない状態とに切り替え制御する排液弁制御部を含むことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記酸素濃度計は、前記流通配管から分岐するバイパス配管に設けられることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記貯留部に流路接続され、前記処理液供給源から供給される新しい前記処理液を前記貯留部に供給する新液供給配管と、
前記新液供給配管に介装され、前記新液供給配管の流路を開閉する新液供給弁と、をさらに備え、
前記制御部は、前記新液供給弁を開閉し、前記処理液供給源から供給される前記新しい処理液を前記貯留部に供給する供給状態と供給しない非供給状態とを切り替えるように制御する新液供給制御部をさらに備えることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記流量変更制御部は、前記新しい処理液が前記処理液供給源から前記貯留部に供給されている状態において、前記流量変更弁の開閉状態を変更して低酸素流体の供給流量を増加させることを特徴とする、請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記低酸素流体供給管の供給口は、前記貯留部の貯留空間に位置しており、
前記流量変更制御部は、前記貯留部に貯留された前記新しい処理液の液面が前記低酸素流体供給管の前記供給口の高さよりも高くなってから、前記流量変更弁の開閉状態を変更して低酸素流体の供給流量を増加させることを特徴とする、請求項7に記載の基板処理装置。 - 前記貯留部に貯留された処理液を下流側に送る貯留液供給配管と、
前記貯留液供給配管の下流側端部と、前記流通配管の上流側端部と、前記送液配管の上流側端部とがそれぞれ流路接続される流路切替弁と、をさらに備え、
前記制御部は、前記処理液が前記流通配管に流通される流通状態と、前記処理液が前記送液配管に送液される送液状態とに切り替えわるように前記流路切替弁を制御する流路切替制御部を含む、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記低酸素流体供給管は、前記流通配管の前記酸素濃度計が介在されている位置よりも上流側の位置で前記流通配管に流路接続され、
前記流量変更制御部は、前記流通配管に前記処理液が流通していないときに、前記低酸素流体供給管から前記流通配管に前記低酸素流体が送られるように前記流量変更弁をさらに制御する、請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記処理液が前記流通配管に流通される流通状態において、前記処理液の酸素濃度が所定の濃度以下であることを前記酸素濃度計が検出した後、前記送液配管に前記処理液が送液されるように前記流路切替弁を切替制御する流路切替制御部を含む、請求項9または10に記載の基板処理装置。
- 前記流路切替制御部が、前記送液配管に処理液が送液されるように前記流路切替弁を切り替えたときに、前記流量変更制御部は、前記流通配管に前記低酸素流体を供給するように前記流量変更弁を制御し、前記流通配管内に残存する前記処理液を前記流通配管から排出させることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
- 処理液供給ノズルを有し、当該処理液供給ノズルから処理液を基板に供給して基板を処理する処理部と、
処理液供給源から供給される前記処理液を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記処理液を前記処理液供給ノズルに送る送液配管と、
前記送液配管とは別の流路を構成し、その流路内で前記処理液を流通させる流通配管と、
前記流通配管に介装され、前記流通配管を流通する前記処理液に溶存する酸素濃度を測定する酸素濃度計と、
前記流通配管に連通し、低酸素流体供給源から供給される低酸素流体を前記流通配管に送る低酸素流体供給管と、を備える基板処理装置における処理液排出方法において、
前記低酸素流体供給源から供給される低酸素流体を、前記低酸素流体供給管から前記流通配管に送る低酸素流体供給工程と、
前記低酸素流体により、前記流通配管内に残存する前記処理液を前記流通配管から排出し前記流通配管内を前記低酸素流体に置換する処理液排出工程と、を有する基板処理装置における処理液排出方法。 - 前記流通配管は、その一端が前記貯留部に設けられた処理液が送出される送出口に流路接続されるとともに、その他端が前記貯留部に設けられた処理液の戻り口に流路接続されることにより、当該流通配管内で前記貯留部に貯留された処理液を循環する循環路を形成し、
前記処理液排出工程の後、前記低酸素流体供給源から送られる低酸素流体を前記貯留部および前記流通配管内に供給し、前記貯留部および前記流通配管内を前記低酸素流体で満たして低酸素状態を維持する低酸素流体維持工程、を有する請求項13に記載の基板処理装置における処理液排出方法。 - 前記基板処理装置は、前記貯留部に貯留された前記処理液を下流側に送る貯留液供給配管と、
前記貯留液供給配管の下流側端部と、前記流通配管の上流側端部と、前記送液配管の上流側端部とがそれぞれ流路接続される流路切替弁と、をさらに備え、
前記低酸素流体供給管は、前記流通配管の前記酸素濃度計が介在されている位置よりも上流側の位置で前記流通配管に流路接続され、
前記処理液排出工程の後、前記低酸素流体供給源から送られる低酸素流体を前記低酸素流体供給管および前記流通配管に供給し、前記低酸素流体供給管および前記流通配管内を前記低酸素流体で満たして低酸素状態を維持する低酸素流体維持工程、を有する請求項13に記載の基板処理装置における処理液排出方法。 - 処理液供給ノズルを有し、当該処理液供給ノズルから処理液を基板に供給して基板を処理する処理部と、
処理液供給源から供給される前記処理液を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記処理液を前記処理液供給ノズルに送る送液配管と、
前記送液配管とは別の流路を構成し、その流路内で前記処理液を流通させる流通配管と、
前記流通配管に介装され、前記流通配管を流通する前記処理液に溶存する酸素濃度を測定する酸素濃度計と、
前記流通配管に連通し、低酸素流体供給源から供給される低酸素流体を前記流通配管に送る低酸素流体供給管と、
前記貯留部に流路接続され、前記貯留部に貯留された前記処理液を排液する排液管とを備える基板処理装置における処理液交換方法であって、
前記貯留部に貯留された処理液を前記貯留部から排液する排液工程と、
前記排液工程の開始後であって、前記貯留部に前記処理液が残存する状態で、前記低酸素流体供給源から供給される低酸素流体を、前記低酸素流体供給管から前記流通配管に送る低酸素流体供給工程と、
前記低酸素流体により、前記貯留部内と前記流通配管内を低酸素流体で満たしながら、前記流通配管内に残存する前記処理液を前記流通配管から排出する処理液排出工程と、
前記処理液排出工程の後、前記貯留部内と前記流通配管内が低酸素流体に満たされた状態で、前記処理液供給源から供給される新しい処理液を前記貯留部および前記流通配管に供給する新液供給工程と、を有する基板処理装置における処理液交換方法。 - 前記新液供給工程における前記貯留部内に貯留される前記処理液の液面が、前記貯留部内に臨むように流路接続された前記低酸素流体供給管の供給口の高さよりも高くなってから、前記低酸素流体の供給流量を増加する低酸素流体流量増加工程をさらに有する請求項16に記載の基板処理装置における処理液交換方法。
- 処理液供給ノズルを有し、当該処理液供給ノズルから処理液を基板に供給して基板を処理する処理部と、
処理液供給源から供給される前記処理液を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記処理液を前記処理液供給ノズルに送る送液配管と、
前記送液配管とは別の流路を構成し、その流路内で前記処理液を流通させる流通配管と、
前記流通配管に介装され、前記流通配管を流通する前記処理液に溶存する酸素濃度を測定する酸素濃度計と、
前記流通配管に連通し、低酸素流体供給源から供給される低酸素流体を前記流通配管に送る低酸素流体供給管と、
前記低酸素流体供給管に介装され、前記流通配管への前記低酸素流体の供給流量を変更する流量変更弁と、
前記貯留部に貯留された処理液を下流側に送る貯留液供給配管と、
前記貯留液供給配管の下流側端部と、前記流通配管の上流側端部と、前記送液配管の上流側端部とがそれぞれ流路接続される流路切替弁と、を備え、
前記低酸素流体供給管は、前記流通配管の前記酸素濃度計が介在されている位置よりも上流側の位置で前記流通配管に流路接続される基板処理装置における基板処理方法であって、
前記流路切替弁を切り替えて前記処理液を前記流通配管に流通させる処理液流通工程と、
前記流通配管を流通する前記処理液の酸素濃度を前記酸素濃度計で測定する酸素濃度測定工程と、
前記酸素濃度測定工程において前記流通配管の前記処理液の酸素濃度が所定の濃度以下であった場合、前記流路切替弁を切り替えて前記処理液を前記送液配管に送液して、前記処理液供給ノズルに処理液を送る処理液送液工程と、
前記流量変更弁の開度を広げて前記低酸素流体供給管から前記流通配管に前記低酸素流体を供給し前記流通配管内を低酸素流体で満たす低酸素流体供給工程と、を有し、
前記低酸素流体供給工程は前記処理液送液工程に並行して実施される基板処理装置における基板処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018035511A JP7089902B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法 |
KR1020190011210A KR102219403B1 (ko) | 2018-02-28 | 2019-01-29 | 기판 처리 장치, 처리액 배출 방법, 처리액 교환 방법, 및 기판 처리 방법 |
US16/261,641 US10861717B2 (en) | 2018-02-28 | 2019-01-30 | Substrate processing apparatus, processing liquid draining method, processing liquid replacing method, and substrate processing method |
TW108103593A TWI722378B (zh) | 2018-02-28 | 2019-01-30 | 基板處理裝置、處理液排出方法、處理液交換方法、及基板處理方法 |
CN201910101381.5A CN110211897B (zh) | 2018-02-28 | 2019-01-31 | 基板处理装置及方法、处理液排出方法、处理液交换方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018035511A JP7089902B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019153610A JP2019153610A (ja) | 2019-09-12 |
JP7089902B2 true JP7089902B2 (ja) | 2022-06-23 |
Family
ID=67686127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018035511A Active JP7089902B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10861717B2 (ja) |
JP (1) | JP7089902B2 (ja) |
KR (1) | KR102219403B1 (ja) |
CN (1) | CN110211897B (ja) |
TW (1) | TWI722378B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2018
- 2018-02-28 JP JP2018035511A patent/JP7089902B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-29 KR KR1020190011210A patent/KR102219403B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-30 TW TW108103593A patent/TWI722378B/zh active
- 2019-01-30 US US16/261,641 patent/US10861717B2/en active Active
- 2019-01-31 CN CN201910101381.5A patent/CN110211897B/zh active Active
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US20190267260A1 (en) | 2019-08-29 |
KR20190103947A (ko) | 2019-09-05 |
CN110211897A (zh) | 2019-09-06 |
TWI722378B (zh) | 2021-03-21 |
US10861717B2 (en) | 2020-12-08 |
JP2019153610A (ja) | 2019-09-12 |
TW201937583A (zh) | 2019-09-16 |
CN110211897B (zh) | 2023-06-20 |
KR102219403B1 (ko) | 2021-02-23 |
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