KR102063323B1 - 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액 공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법을 제공한다. 액 공급유닛은 약액을 제공하는 약액공급부재 및 상기 약액공급부재로부터 누수되는 약액을 받아 이를 반도체 제조 설비라인의 배출부재로 공급하는 액 받이부재를 포함하되, 상기 액 받이 부재는 상기 약액공급부재의 아래에 위치되고, 상부가 개방된 통 형상의 배수조 및 상기 배수조에 연결되고, 상기 배수조 내의 약액을 상기 배출부재로 제공하는 연결부재를 포함한다. 이로 인해 고온의 황산을 안정적으로 배출할 수 있다.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이며, 보다 상세하게는 액 공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후에는 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다.
일반적으로 세정공정은 황산 또는 이를 포함한 약액을 이용하여 기판을 세정하는 공정을 포함한다. 황산은 매우 강한 산성의 성질을 가지며, 이 같은 성질은 주변 장치를 손상시킨다. 약액공급부재는 기설정된 유량 및 온도로 제어된 황산을 기판처리유닛으로 공급한다. 약액공급부재는 약액이 공급되는 약액공급라인, 약액을 가열시키는 히터, 그리고 약액공급라인을 가압하는 펌프를 포함한다. 약액이 공급되는 중에 고온의 황산은 약액공급부재로부터 누수되며, 이는 다른 장치를 2 차 손상시킬 수 있다. 이로 인해 약액공급부재의 아래에는 약액공급부재로부터 누수되는 황산을 받아 외부로 배출시키는 액 받이부재가 위치된다. 도1은 일반적인 액 공급 유닛을 보여주는 단면도의 일 예로, 약액공급부재의 아래에는 배수조가 위치된다. 배수조에 약액공급부재로부터 누수되는 황산이 채워지면, 황산은 배수조에 연결된 배출부재를 통해 외부로 배출된다.
그러나 누수된 황산은 고온 상태로서 배출부재의 배출라인 및 배출밸브를 열변형시키고, 배출라인 및 밸브부터 2 차 누수될 수 있다.
이로 인해 배출라인 및 밸브의 재질을 내열성 및 내부식성이 강한 재질로 교체하는 방안이 제기되었다. 그러나 배출라인 및 밸브는 세정공정을 수행하는 장치와 별도로, 반도체 제조공정과 같은 설비라인에 제공되는 구성이며 이를 교체하는 것이 용이하지 않다.
또한 특정 케미칼로 인해 발생되는 문제를 해결하고자 설비라인에 제공된 배출라인 및 밸브 전체를 교체하는 것은 비효율적이다.
본 발명은 액 받이 유닛에 제공된 고온의 황산을 안정적으로 배출할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 설비라인에 제공된 배출부재를 교체하지 않고, 고온의 황산을 안정적으로 배출할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 액 공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법을 제공한다. 액 공급유닛은 약액을 제공하는 약액공급부재 및 상기 약액공급부재로부터 누수되는 약액을 받아 이를 반도체 제조 설비라인의 배출부재로 공급하는 액 받이부재를 포함하되, 상기 액 받이 부재는 상기 약액공급부재의 아래에 위치되고, 상부가 개방된 통 형상의 배수조 및 상기 배수조에 연결되고, 상기 배수조 내의 약액을 상기 배출부재로 제공하는 연결부재를 포함한다.
상기 연결부재는 상기 배출부재에 비해 내열성이 높은 재질로 제공될 수 있다. 상기 연결부재는 상기 배수조 및 상기 배출부재에 각각 연결되는 연결라인 및 상기 연결라인을 개폐하는 연결밸브를 포함할 수 있다. 상기 배수조에 채워진 약액의 온도를 측정하는 온도센서 및 상기 온도센서로부터 측정된 측정온도값을 수신받아 상기 연결밸브를 제어하는 제어부를 더 포함하되, 상기 제어부는 상기 측정온도값이 상기 기준온도값보다 낮으면 상기 연결밸브를 개방할 수 있다. 약액은 황산(H2SO4)으로 제공될 수 있다. 상기 연결부재는 테프론 재질을 포함하도록 제공될 수 있다.
기판처리장치는 기판을 처리하는 기판처리유닛 및 상기 기판처리유닛으로 약액을 공급하는 약액공급유닛을 포함하되, 상기 약액공급유닛은 약액의 온도 및 유량을 조절하여 약액을 상기 기판처리유닛으로 공급하는 약액공급부재 및 상기 약액공급부재로부터 누수되는 약액을 받아 이를 반도체 제조 설비라인의 배출부재로 공급하는 액 받이부재를 포함하되, 상기 액 받이부재는 상기 약액공급부재의 아래에 위치되고, 상부가 개방된 통 형상의 배수조 및 상기 배수조의 일측면에 연결되고, 상기 배수조 내의 약액을 상기 배출부재로 제공하는 연결부재를 포함하되, 상기 연결부재는 상기 배수조 및 상기 배출부재에 각각 연결되는 연결라인 및 상기 연결라인을 개폐하는 연결밸브를 포함하고, 상기 연결부재는 상기 배출부재에 비해 내열성이 높은 재질로 제공된다.
상기 배수조에 채워진 약액의 온도를 측정하는 온도센서 및 상기 온도센서로부터 측정된 측정온도값을 수신받아 상기 연결밸브를 제어하는 제어부를 더 포함하되, 상기 제어부는 상기 측정온도값이 기준온도값보다 높으면 상기 연결밸브를 닫고, 상기 측정온도값이 상기 기준온도값보다 낮으면, 상기 연결밸브를 개방할 수 있다. 약액은 황산(H2SO4)으로 제공될 수 있다.
상기 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법는 상기 배수조에 채워진 약액의 온도를 측정하여 측정온도값을 산출하는 온도측정단계, 상기 측정온도값과 기준온도값을 비교하는 온도비교단계, 그리고 상기 기준온도값을 기준으로 상기 측정온도값에 따라 상기 연결밸브를 개폐하는 액 배출단계를 포함하되, 상기 측정온도값이 상기 기준온도값보다 낮으면 상기 연결밸브를 개방할 수 있다.
상기 기준온도값은 상기 배출부재가 열변형되지 않는 온도값으로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판처리장치에 제공된 연결라인은 배출부재에 비해 내열성 및 내부식성이 강한 재질로 제공되므로, 고온의 황산을 안정적으로 배출할 수 있다.
도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도3은 도2의 기판처리유닛을 보여주는 단면도이다.
도4는 도2의 약액공급유닛을 보여주는 단면도이다.
도5는 도4의 액 받이 부재의 평면도이다.
도6은 도4의 액 받이 부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도3은 도2의 기판처리유닛을 보여주는 단면도이다.
도4는 도2의 약액공급유닛을 보여주는 단면도이다.
도5는 도4의 액 받이 부재의 평면도이다.
도6은 도4의 액 받이 부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도2 내지 도6을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 기판처리부(300a)(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 기판처리부(300a)(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 기판처리부(300a)(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정처리챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정처리챔버(260) 내의 기판처리장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
기판처리장치(300)는 기판처리유닛(302) 및 액 공급유닛(304)을 포함한다. 기판처리유닛(302)은 기판(W)에 대해 세정공정을 수행하고, 액 공급유닛(304)은 기판처리유닛(302)으로 약액을 공급한다. 도3은 도2의 기판처리장치의 기판처리유닛을 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리유닛(302)은 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사유닛(380)를 포함한다. 하우징(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(320)은 내부회수통(322) 및 외부회수통(328)을 가진다. 각각의 회수통(322,328)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(328)은 내부회수통(328)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(328)의 사이공간(328a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(328)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,328)의 저면 아래에는 회수라인(322b,328b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,328)에 유입된 약액들은 회수라인(322b,328b)을 통해 외부의 약액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사유닛(380)은 기판(W) 상으로 복수의 약액들을 분사한다. 분사유닛(380)은 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 분사유닛(380)은 지지축(386), 지지대(382), 그리고 노즐(384)을 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강운동할 수 있다. 지지대(382)는 노즐(384)을 지지한다. 지지대(382)는 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 노즐(384)이 고정 결합된다. 노즐(384)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙이동될 수 있다. 일 예에 의하면, 약액은 강산의 케미칼일 수 있다. 약액은 황산(H2SO4) 또는 황산을 포함한 강산의 액일 수 있다.
약액공급유닛(410)은 분사유닛(380)의 노즐(384)에 약액을 공급한다. 도4는 도2의 약액공급유닛을 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 약액공급유닛(410)은 약액공급부재(410) 및 액 받이부재(430)를 포함한다. 약액공급부재(410)는 약액공급라인(412), 약액저장부(414), 히터(410), 그리고 펌프(418)를 포함한다. 약액공급라인(412)은 약액저장부(414) 및 노즐(384)을 연결한다. 약액저장부(414)에 제공된 약액은 약액공급라인(412)을 통해 노즐(384)로 공급된다. 예컨대, 약액저장부(414)는 액이 저장되는 탱크일 수 있다. 히터(410) 및 펌프(418)는 약액공급라인(412) 상에 설치된다. 히터(410)는 약액공급라인(412)을 통해 공급되는 약액을 기설정온도로 가열한다. 펌프(418)는 약액저장부(414)에 저장된 약액이 노즐(384)로 공급되도록 약액공급라인(412)에 압력을 제공한다.
액 받이부재(430)는 약액공급부재(410)로부터 누수되는 약액을 임시 저장하고, 이를 설비라인에 설치된 배출부재(460)로 제공한다. 예컨대, 배출부재(460)는 배출라인(462) 및 이에 설치된 배출밸브(464)를 포함할 수 있다. 도5는 도4의 액 받이부재의 평면도이다. 도4 및 도5를 참조하면, 액 받이부재(430)는 배수조(432), 연결부재(435), 커버(437), 온도센서(438), 그리고 제어부(440)를 포함한다. 배수조(432)는 약액공급부재(410)의 아래에서 약액공급부재(410)와 대향되게 위치된다. 배수조(432)는 약액공급부재(410)로부터 누수되는 약액을 임시 저장한다. 배수조(432)는 상부가 개방된 통 형상을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 배수조(432)는 사각의 통 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 배수조(432)는 약액공급부재(410)가 설치되는 영역에 대응되도록 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
연결부재(435)는 배수조(432) 내에 제공된 약액을 배출부재(460)로 제공한다. 연결부재(435)는 연결라인(436) 및 연결밸브(434)를 포함한다. 연결라인(436)은 배수조(432)의 일측면 및 배출라인(462)에 각각 연결된다. 연결밸브(434)는 연결라인(436)을 개폐한다. 일 예에 의하면, 연결부재(435)는 배출라인(462)에 비해 내열성 및 내부식성이 강한 재질로 제공된다. 연결부재(435)는 테프론 재질로 제공될 수 있다.
커버(437)는 약액공급부재(410)로부터 누수되는 약액이 배수조(432)의 일측으로 떨어지는 것을 방지한다. 또한 커버(437)는 누수되는 약액이 연결부재(435)로 떨어지는 것을 방지한다. 커버(437)는 배수조(432)의 일측면 상단으로부터 배수조(432)의 외측방향으로 연장된다. 커버(437)는 연결부재(435)와 대향되도록 위치된다.
온도센서(438)는 배수조(432) 내에 제공된 약액의 온도를 측정한다. 온도센서(438)에 의해 측정된 약액의 측정온도값은 제어부(440)로 전달된다. 제어부(440)는 온도센서(438)로부터 측정된 측정온도값을 기준온도값과 비교한다. 제어부(440)는 측정온도값이 기준온도값에 비해 높고 낮음에 따라 연결밸브(434)를 개방하거나 닫는다. 여기서 기준온도값은 배출라인(462) 및 배출밸브(464)가 열변형되지 않는 온도값으로 제공된다. 일 예에 의하면, 제어부(440)는 측정온도값이 기준온도값에 비해 높으면, 연결밸브(434)를 닫고 측정온도값이 기준온도값보다 낮아질 때까지 대기한다. 일정시간이 흘러 측정온도값이 기준운동값에 비해 낮아지면, 제어부(440)는 약액의 온도가 배출라인(462) 및 배출밸브(464)를 손상시키지 않을 정도의 온도로 판단하고, 연결밸브(434)를 개방한다.
상술한 실시예에는 배수조(432)의 일측면으로부터 커버(437)가 연장되는 것으로 설명하였다. 그러나 도6과 같이 배수조(432)의 일측면에는 커버(437)가 제공되지 않고, 배수조(432)의 외측면에 장착홈(433)이 형성될 수 있다. 연결부재(435)는 장착홈(433) 내에 위치될 수 있다.
또한 커버(437)는 배수조(432)로부터 멀어질수록 상향경사지게 제공될 수 있다. 이로 인해 누수된 약액은 커버(437)의 상면을 타고 배수조(432)의 내부로 안내될 수 있다.
410: 약액공급부재 430: 액 받이부재
432: 배수조 435: 연결부재
460: 배출부재
432: 배수조 435: 연결부재
460: 배출부재
Claims (11)
- 약액을 제공하는 약액공급부재와;
상기 약액공급부재로부터 누수되는 약액을 받아 이를 반도체 제조 설비라인의 배출부재로 공급하는 액 받이부재를 포함하되,
상기 액 받이 부재는,
상기 약액공급부재의 아래에 위치되고, 상부가 개방된 통 형상의 배수조와;
상기 배수조 및 상기 배출부재에 각각 연결되는 연결라인과 상기 연결라인을 개폐하는 연결밸브를 포함하여 상기 배수조 내의 약액을 상기 배출부재로 제공하는 연결부재와;
상기 배수조에 채워진 약액의 온도를 측정하는 온도센서와;
상기 온도센서로부터 측정된 측정온도값을 수신받아 상기 연결밸브를 제어하는 제어부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 측정온도값이 기준온도값보다 낮으면 상기 연결밸브를 개방하는 약액공급유닛. - 제1항에 있어서,
상기 연결부재는 상기 배출부재에 비해 내열성이 높은 재질로 제공되는 약액공급유닛. - 삭제
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
약액은 황산(H2SO4)으로 제공되는 약액공급유닛. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 연결부재는 테프론 재질을 포함하도록 제공되는 약액공급유닛. - 기판을 처리하는 기판처리유닛과;
상기 기판처리유닛으로 약액을 공급하는 약액공급유닛을 포함하되,
상기 약액공급유닛은,
약액의 온도 및 유량을 조절하여 약액을 상기 기판처리유닛으로 공급하는 약액공급부재와;
상기 약액공급부재로부터 누수되는 약액을 받아 이를 반도체 제조 설비라인의 배출부재로 공급하는 액 받이부재를 포함하되,
상기 액 받이부재는,
상기 약액공급부재의 아래에 위치되고, 상부가 개방된 통 형상의 배수조와;
상기 배수조 및 상기 배출부재에 각각 연결되는 연결라인과 상기 연결라인을 개폐하는 연결밸브를 포함하여 상기 배수조 내의 약액을 상기 배출부재로 제공하는 연결부재와;
상기 배수조에 채워진 약액의 온도를 측정하는 온도센서와;
상기 온도센서로부터 측정된 측정온도값을 수신받아 상기 연결밸브를 제어하는 제어부를 포함하되,
상기 연결부재는 상기 배출부재에 비해 내열성이 높은 재질로 제공되며,
상기 제어부는 상기 측정온도값이 기준온도값보다 높으면 상기 연결밸브를 닫고, 상기 측정온도값이 상기 기준온도값보다 낮으면, 상기 연결밸브를 개방하는 기판처리장치. - 삭제
- 제7항에 있어서,
약액은 황산(H2SO4)으로 제공되는 기판처리장치. - 제7항의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 배수조에 채워진 약액의 온도를 측정하여 측정온도값을 산출하는 온도측정단계와;
상기 측정온도값과 기준온도값을 비교하는 온도비교단계와;
상기 기준온도값을 기준으로 상기 측정온도값에 따라 상기 연결밸브를 개폐하는 액 배출단계를 포함하되,
상기 측정온도값이 상기 기준온도값보다 낮으면 상기 연결밸브를 개방하는 기판처리방법. - 제10항에 있어서,
상기 기준온도값은 상기 배출부재가 열변형되지 않는 온도값으로 제공되는 기판처리방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130000321A KR102063323B1 (ko) | 2013-01-02 | 2013-01-02 | 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130000321A KR102063323B1 (ko) | 2013-01-02 | 2013-01-02 | 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140088445A KR20140088445A (ko) | 2014-07-10 |
KR102063323B1 true KR102063323B1 (ko) | 2020-01-08 |
Family
ID=51736999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130000321A KR102063323B1 (ko) | 2013-01-02 | 2013-01-02 | 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102063323B1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110578A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 酸化/拡散装置 |
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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Publication number | Publication date |
---|---|
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