JP7083262B2 - Heating device - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 109
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Description
本明細書に開示される技術は、加熱装置に関する。 The techniques disclosed herein relate to heating devices.
対象物(例えば、半導体ウェハ)を保持しつつ所定の処理温度(例えば、400~650℃程度)に加熱する加熱装置(「サセプタ」とも呼ばれる)が知られている(例えば、特許文献1参照)。加熱装置は、例えば、成膜装置(CVD成膜装置やスパッタリング成膜装置等)やエッチング装置(プラズマエッチング装置等)といった半導体製造装置の一部として使用される。 A heating device (also referred to as "susceptor") that heats an object (for example, a semiconductor wafer) to a predetermined processing temperature (for example, about 400 to 650 ° C.) while holding it is known (see, for example, Patent Document 1). .. The heating device is used as a part of a semiconductor manufacturing device such as a film forming apparatus (CVD deposition apparatus, sputtering film forming apparatus, etc.) or an etching apparatus (plasma etching apparatus, etc.).
一般に、加熱装置は、保持体と支持体とを備える。保持体は、所定の方向(以下、「第1の方向」という)に略直交する表面(以下、「保持面」という)と、保持面とは反対側の表面(以下、「裏面」という)とを有する板状の部材である。また、支持体は、保持体の裏面に接合され、上記第1の方向に延びる貫通孔が形成された管状の部材である。保持体の内部には、抵抗発熱体が配置されており、保持体の裏面には、抵抗発熱体に電気的に接続された複数の受電電極(電極パッド)が配置されている。また、支持体に形成された貫通孔内には、複数の電極端子が収容されており、各電極端子は、金属ろう材を介して、対応する受電電極に接合されている。また、支持体に形成された貫通孔内には、複数の電極端子に対応する複数の絶縁管が収容されている。各絶縁管には、対応する電極端子を収容する貫通孔が形成されている。電極端子および受電電極を介して抵抗発熱体に電圧が印加されると、抵抗発熱体が発熱し、保持体の保持面上に保持された対象物(例えば、半導体ウェハ)が例えば400~650℃程度に加熱される。 Generally, the heating device includes a holder and a support. The holding body has a surface (hereinafter referred to as "holding surface") substantially orthogonal to a predetermined direction (hereinafter referred to as "first direction") and a surface opposite to the holding surface (hereinafter referred to as "back surface"). It is a plate-shaped member having and. Further, the support is a tubular member that is joined to the back surface of the holding body and has a through hole extending in the first direction. A resistance heating element is arranged inside the holder, and a plurality of power receiving electrodes (electrode pads) electrically connected to the resistance heating element are arranged on the back surface of the holder. Further, a plurality of electrode terminals are housed in the through holes formed in the support, and each electrode terminal is joined to a corresponding power receiving electrode via a metal brazing material. Further, in the through hole formed in the support, a plurality of insulating tubes corresponding to the plurality of electrode terminals are housed. Each insulating tube is formed with a through hole for accommodating the corresponding electrode terminal. When a voltage is applied to the resistance heating element via the electrode terminal and the power receiving electrode, the resistance heating element generates heat, and the object (for example, a semiconductor wafer) held on the holding surface of the holding body is, for example, 400 to 650 ° C. It is heated to the extent.
従来の加熱装置の構成では、保持体の第2の表面に形成された受電電極間の短絡が発生するおそれがある、という課題がある。 In the configuration of the conventional heating device, there is a problem that a short circuit between the power receiving electrodes formed on the second surface of the holding body may occur.
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。 This specification discloses a technique capable of solving the above-mentioned problems.
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。 The techniques disclosed herein can be realized, for example, in the following forms.
(1)本明細書に開示される加熱装置は、絶縁体により構成され、第1の方向に略直交する略平面状の第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状の保持体と、絶縁体により構成され、前記保持体の前記第2の表面に接合され、前記第1の方向に延びる第1の貫通孔が形成された管状の支持体と、前記保持体の内部に配置された抵抗発熱体と、前記第1の方向視で、前記保持体の前記第2の表面における前記支持体の前記第1の貫通孔に重なる位置に配置され、前記抵抗発熱体に電気的に接続された複数の受電電極と、前記複数の受電電極に対応して設けられた複数の電極端子であって、それぞれ、少なくとも一部分が前記支持体の前記第1の貫通孔内に配置され、かつ、金属ろう材を介して、対応する前記受電電極に接合された、複数の電極端子と、それぞれ、少なくとも一部分が前記支持体の前記第1の貫通孔内に配置され、前記複数の電極端子に対応して設けられた複数の絶縁管であって、前記第1の方向に延びると共に、対応する前記電極端子の少なくとも一部分を収容する第2の貫通孔が形成された、複数の絶縁管と、を備え、前記保持体の前記第1の表面上に保持された対象物を加熱する加熱装置において、前記第1の方向における各前記絶縁管の両端部の内の前記保持体に近い側の端部は、前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記保持体と対向しておらず、前記保持体の前記第2の表面における、一の前記受電電極が配置された第1の領域と他の前記受電電極が配置された第2の領域とに挟まれた特定領域に、凹部と凸部との少なくとも1つの組合せが形成されている。本加熱装置によれば、保持体の前記第2の表面において、一の受電電極が配置された第1の領域と他の一の受電電極が配置された第2の領域とに挟まれた特定領域に、凹部と凸部との少なくとも1つの組合せが形成されているため、一の受電電極と他の一の受電電極との間の沿面距離を比較的長くすることができる。従って、本加熱装置によれば、保持体の第2の表面に形成された受電電極間の短絡の発生を抑制することができる。 (1) The heating device disclosed in the present specification is composed of an insulator, and has a substantially planar first surface substantially orthogonal to the first direction and a second surface opposite to the first surface. A tubular shape that is composed of a plate-shaped holding body having a surface thereof, an insulator, and is joined to the second surface of the holding body to form a first through hole extending in the first direction. At a position where the support, the resistance heating element arranged inside the holder, and the first through hole of the support on the second surface of the holder overlap with the first through hole in the first direction. A plurality of power receiving electrodes arranged and electrically connected to the resistance heating element, and a plurality of electrode terminals provided corresponding to the plurality of power receiving electrodes, each of which is at least a part of the support. A plurality of electrode terminals arranged in the first through hole and bonded to the corresponding power receiving electrode via a metal brazing material, and at least a part thereof in the first through hole of the support. A second through hole arranged therein and provided corresponding to the plurality of electrode terminals, extending in the first direction and accommodating at least a part of the corresponding electrode terminals. In a heating device comprising a plurality of insulating tubes formed by the above and heating an object held on the first surface of the holding body, both ends of each insulating tube in the first direction. The end of the holder on the side close to the holding body does not face the holding body in the second direction orthogonal to the first direction, and is one on the second surface of the holding body. At least one combination of the concave portion and the convex portion is formed in the specific region sandwiched between the first region in which the power receiving electrode is arranged and the second region in which the other power receiving electrode is arranged. .. According to the present heating apparatus, on the second surface of the holding body, the identification sandwiched between the first region in which one power receiving electrode is arranged and the second region in which the other power receiving electrode is arranged. Since at least one combination of the concave portion and the convex portion is formed in the region, the creepage distance between one power receiving electrode and the other power receiving electrode can be made relatively long. Therefore, according to this heating device, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit between the power receiving electrodes formed on the second surface of the holding body.
(2)上記加熱装置において、前記保持体の前記第2の表面における前記特定領域の内、前記第1の領域と隣り合う部分と前記第2の領域と隣り合う部分とに、前記凸部が形成されている、ことを特徴とする構成としてもよい。本加熱装置では、保持体の第2の表面における特定領域の内、第1の領域と隣り合う部分と第2の領域と隣り合う部分とに、凹部ではなく凸部が形成されている。そのため、本加熱装置によれば、保持体の第2の表面に形成された受電電極間の短絡の発生を効果的に抑制することができると共に、受電電極と電極端子とを接合する金属ろう材の流れ出しを抑制して強固な接合を実現することができる。 (2) In the heating device, the convex portion is formed in a portion adjacent to the first region and a portion adjacent to the second region in the specific region on the second surface of the holder. The configuration may be characterized in that it is formed. In this heating device, in the specific region on the second surface of the holding body, a convex portion is formed instead of a concave portion in a portion adjacent to the first region and a portion adjacent to the second region. Therefore, according to this heating device, it is possible to effectively suppress the occurrence of a short circuit between the power receiving electrodes formed on the second surface of the holding body, and a metal brazing material for joining the power receiving electrode and the electrode terminal. It is possible to suppress the outflow of metal and realize a strong bond.
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、加熱装置、半導体製造装置、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。 The techniques disclosed in the present specification can be realized in various forms, for example, in the form of a heating device, a semiconductor manufacturing device, a manufacturing method thereof, and the like.
A.第1実施形態:
A-1.加熱装置100の構成:
図1は、第1実施形態における加熱装置100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2から図6は、第1実施形態における加熱装置100の断面構成を概略的に示す説明図である。図2には、図3から図6のII-IIの位置における加熱装置100のXZ断面構成が示されており、図3には、図2のIII-IIIの位置における加熱装置100のXY断面構成が示されており、図4には、図2のIV-IVの位置における加熱装置100のXY断面構成が示されており、図5には、図2のV-Vの位置における加熱装置100のXY断面構成が示されており、図6には、図2のVI-VIの位置における加熱装置100のXY断面構成が示されている。また、図7は、図2のX1部における加熱装置100の断面構成を拡大して示す説明図であり、図8は、図2のX2部における加熱装置100の断面構成を拡大して示す説明図であり、図9は、図7のIX-IXの位置における加熱装置100のXY断面構成を示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、加熱装置100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。図10以降についても同様である。また、本明細書では、Z軸方向に直交する方向を、面方向ともいう。
A. First Embodiment:
A-1. Configuration of heating device 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration of the
加熱装置100は、対象物(例えば、半導体ウェハW)を保持しつつ所定の処理温度(例えば、400~650℃程度)に加熱する装置であり、サセプタとも呼ばれる。加熱装置100は、例えば、成膜装置(CVD成膜装置やスパッタリング成膜装置等)やエッチング装置(プラズマエッチング装置等)といった半導体製造装置の一部として使用される。図1および図2に示すように、加熱装置100は、保持体10と支持体20とを備える。
The
保持体10は、Z軸方向(上下方向)に略直交する表面(以下、「保持面」という)S1と、保持面S1とは反対側の表面(以下、「裏面S2」という)とを有する略円板状の部材であり、例えばAlN(窒化アルミニウム)やAl2O3(アルミナ)を主成分とするセラミックス等の絶縁体により構成されている。なお、本明細書では、主成分とは、含有割合(重量割合)の最も多い成分を意味する。保持体10の直径は、例えば100mm以上、500mm以下程度であり、保持体10の厚さ(Z軸方向における寸法)は、例えば3mm以上、20mm以下程度である。Z軸方向(上下方向)は、特許請求の範囲における第1の方向に相当し、保持体10の保持面S1は、特許請求の範囲における第1の表面に相当し、保持体10の裏面S2は、特許請求の範囲における第2の表面に相当する。
The
支持体20は、Z略方向に延びる略円管状の部材であり、保持体10と同様に、例えばAlNやAl2O3を主成分とするセラミックス等の絶縁体により構成されている。図2に示すように、支持体20には、支持体20の上面S3から下面S4までZ軸方向に延びる貫通孔22が形成さている。貫通孔22のZ軸方向に直交する断面(XY断面)の形状は、略円形である(図4等参照)。支持体20に形成された貫通孔22は、Z軸方向の略全体にわたって略一定の内径を有するが、図8に示すように、下端部において内径が拡大された拡径部23を構成している。支持体20の外径は、例えば30mm以上、90mm以下程度であり、支持体20の高さ(Z軸方向における寸法)は、例えば100mm以上、300mm以下程度である。支持体20に形成された貫通孔22は、特許請求の範囲における第1の貫通孔に相当する。
The
図2および図7に示すように、保持体10と支持体20とは、保持体10の裏面S2と支持体20の上面S3とがZ軸方向に互いに対向するように配置されている。支持体20は、保持体10の裏面S2の中心部付近に、公知の接合材料により形成された接合部30を介して接合されている。
As shown in FIGS. 2 and 7, the holding
図2および図3に示すように、保持体10の内部には、保持体10を加熱するヒータとしての2つの抵抗発熱体50が配置されている。各抵抗発熱体50は、例えば、タングステンやモリブデン等の導電性材料により構成されている。本実施形態では、各抵抗発熱体50は、Z軸方向視で、略同心半円状に延びる線状のパターンを構成している。
As shown in FIGS. 2 and 3, two
また、図7および図9に示すように、保持体10の裏面S2の内、Z軸方向視で支持体20に形成された貫通孔22に重なる位置には、複数の(本実施形態では4つの)第1の凹部11が形成されている。本実施形態では、Z軸方向視での各第1の凹部11の形状は、略円形である。各第1の凹部11内には、抵抗発熱体50への給電のための受電電極(電極パッド)54が設けられている。すなわち、本実施形態では、保持体10の裏面S2の内、Z軸方向視で支持体20に形成された貫通孔22に重なる位置に、複数の(本実施形態では4つの)受電電極54が配置されている。本実施形態では、Z軸方向視での各受電電極54の形状は、略円形である。
Further, as shown in FIGS. 7 and 9, a plurality of positions (4 in the present embodiment) overlap with the through
図2および図3に示すように、各抵抗発熱体50の一方の端部は、Z軸方向視で保持体10の中心部付近に配置されており、該一方の端部には、保持体10の中心部付近に配置されたビア導体52の上端部が接続されている。また、図2および図7に示すように、各抵抗発熱体50の上記一方の端部に接続されたビア導体52の下端部は、保持体10の裏面S2に配置された受電電極54に接続されている。また、各抵抗発熱体50の他方の端部は、保持体10の外周部付近に配置されており、該他方の端部は、図示しないが、保持体10に配置されたビア導体52やドライバ電極(不図示)を介して、保持体10の裏面S2に配置された受電電極54に接続されている。その結果、各抵抗発熱体50は、ビア導体52等を介して、受電電極54と電気的に接続された状態となっている。
As shown in FIGS. 2 and 3, one end of each
図2に示すように、支持体20に形成された貫通孔22内には、複数の(本実施形態では4つの)受電電極54に対応して設けられた複数の(本実施形態では4つの)電極端子ユニット70が収容されている。各電極端子ユニット70は、第1の柱状部材71と、第2の柱状部材72と、金属撚り線73とから構成されている。電極端子ユニット70は、特許請求の範囲における電極端子に相当する。
As shown in FIG. 2, in the through
電極端子ユニット70を構成する第1の柱状部材71は、金属撚り線73に対して保持体10側(すなわち、上側)に配置された略円柱状の導電性部材であり、例えばニッケルにより形成されている。図7に示すように、第1の柱状部材71の保持体10側の端部(すなわち、上端部)の径は、他の部分の径(例えば5mm以上、8mm以下)より細くなっている。第1の柱状部材71の上端部は、金属ろう材56(例えば、金ろう材)を介して受電電極54に接合されている。また、図2に示すように、第1の柱状部材71の他方の(下側の)端部は、例えばかしめにより、金属撚り線73に接合されている。
The
電極端子ユニット70を構成する第2の柱状部材72は、金属撚り線73に対して保持体10から離れた側(すなわち、下側)に配置された略円柱状の導電性部材であり、例えばニッケルにより形成されている。図2に示すように、第2の柱状部材72の保持体10側の端部(すなわち、上端部)は、例えばかしめにより、金属撚り線73に接合されている。また、図2および図8に示すように、第2の柱状部材72の他方の(下側の)端部は、支持体20の貫通孔22から下方に突出している。第2の柱状部材72の下端部の径は、他の部分の径(例えば5mm以上、8mm以下)より細くなっている。また、第2の柱状部材72の下端部中間には、雄ネジ79が形成されている。
The
電極端子ユニット70を構成する金属撚り線73は、ある程度の可撓性を有する撚り線であり、例えばニッケルにより形成されている。金属撚り線73の径は、例えば1mm以上、3mm以下である。加熱装置100の使用中には、抵抗発熱体50の発熱によって保持体10の温度が高くなるため、保持体10と支持体20との間や、保持体10に比較的近い第1の柱状部材71と保持体10から比較的遠い第2の柱状部材72との間に、熱膨張差が発生することがある。このような熱膨張差が発生すると、電極端子ユニット70には応力が生ずる。電極端子ユニット70を構成する金属撚り線73は、ある程度の可撓性を有するため、電極端子ユニット70に生ずる応力を吸収・緩和することができる。
The metal stranded
電極端子ユニット70を構成する第2の柱状部材72の下端部は、直接、または、コネクタ(不図示)等を介して、電源(不図示)と接続される。電源から各電極端子ユニット70、各受電電極54、各ビア導体52等を介して各抵抗発熱体50に電圧が印加されると、各抵抗発熱体50が発熱し、保持体10の保持面S1上に保持された対象物(例えば、半導体ウェハW)が所定の温度(例えば、400~650℃程度)に加熱される。
The lower end of the
図2、図4および図5に示すように、支持体20に形成された貫通孔22内には、複数の(本実施形態では4つの)電極端子ユニット70に対応して設けられた複数の(本実施形態では4つの)絶縁管40が収容されている。各絶縁管40は、Z軸方向に延びる略円管状の部材であり、例えばAlN(窒化アルミニウム)やAl2O3(アルミナ)を主成分とするセラミックス等の絶縁体により構成されている。図7に示すように、Z軸方向における絶縁管40の両端部の内、保持体10に近い側の端部(すなわち、上端部)は、保持体10の裏面S2に当接しており、面方向において保持体10と対向していない。また、図7および図8に示すように、各絶縁管40には、Z軸方向に延びる貫通孔42が形成されている。貫通孔42のZ軸方向に直交する断面(XY断面)の形状は、略円形である。絶縁管40形成された貫通孔42は、特許請求の範囲における第2の貫通孔に相当する。
As shown in FIGS. 2, 4 and 5, a plurality of (four in this embodiment)
図2、図7および図8に示すように、各絶縁管40に形成された貫通孔42内には、対応する電極端子ユニット70が収容されている。より詳細には、各絶縁管40に形成された貫通孔42内には、対応する電極端子ユニット70の一部分(以下、「第1の部分P1」という)が収容されている。本実施形態では、電極端子ユニット70の第1の部分P1は、電極端子ユニット70の内、第2の柱状部材72の下端部分を除く部分である。図7に示すように、絶縁管40に形成された貫通孔42の内径R1は、電極端子ユニット70における第1の部分P1の最大外径R2と略同一となっている。そのため、絶縁管40に対する電極端子ユニット70の面方向(Z軸方向に直交する方向)への相対移動が規制されている。
As shown in FIGS. 2, 7, and 8, the corresponding
図7および図9に示すように、保持体10の裏面S2には、複数の(4つの)第2の凹部12が形成されている。各第2の凹部12は、第1の凹部11を取り囲むような(すなわち、受電電極54を取り囲むような)略円環状の溝(スリット)である。そのため、保持体10の裏面S2における一の受電電極54が配置された領域(以下、「第1の領域A1」という)と、他の一の受電電極54が配置された領域(以下、「第2の領域A2」という)と、に挟まれた領域(以下、「特定領域Ax」という)に、凹部と凸部との少なくとも1つの組合せが形成されている。具体的には、例えば、保持体10の裏面S2において、第1の領域A1を取り囲む第2の凹部12を「第1の領域A1側の第2の凹部12」といい、第2の領域A2を取り囲む第2の凹部12を「第2の領域A2側の第2の凹部12」というものとすると、第1の領域A1と第2の領域A2とに挟まれた特定領域Axには、第1の領域A1と第1の領域A1側の第2の凹部12との間に形成された第1の凸部13と、第1の領域A1側の第2の凹部12と、第1の領域A1側の第2の凹部12と第2の領域A2側の第2の凹部12との間に形成された第2の凸部14と、第2の領域A2側の第2の凹部12と、第2の領域A2と第2の領域A2側の第2の凹部12との間に形成された第3の凸部15と、が形成されている。なお、第1の凸部13は、保持体10の裏面S2における特定領域Axの内、第1の領域A1と隣り合う部分に形成されており、第3の凸部15は、特定領域Axの内、第2の領域A2と隣り合う部分に形成されている。
As shown in FIGS. 7 and 9, a plurality of (four) second recesses 12 are formed on the back surface S2 of the holding
また、図2、図5および図8に示すように、支持体20に形成された貫通孔22内における拡径部23の位置(すなわち、下端に近い位置)には、キャップ部材(以下、後述する他のキャップ部材と区別するために「上側キャップ部材80」という)が収容されている。上側キャップ部材80は、Z軸方向視で略円形の板状部材であり、例えばAlN(窒化アルミニウム)やAl2O3(アルミナ)を主成分とするセラミックス等の絶縁体により構成されている。上側キャップ部材80は、リテーナとも呼ばれる。
Further, as shown in FIGS. 2, 5 and 8, the cap member (hereinafter, described later) is located at the position of the enlarged diameter portion 23 (that is, the position near the lower end) in the through
図8に示すように、上側キャップ部材80の外径は、支持体20に形成された貫通孔22における拡径部23の内径と略同一となっている。そのため、上側キャップ部材80は、支持体20に対する面方向への相対移動が規制されるように、支持体20に支持された状態となっている。なお、例えば無機系の接着剤により、上側キャップ部材80の外周面と支持体20に形成された貫通孔22の拡径部23の内周面とが接合されていてもよい。また、本実施形態では、Z軸方向において、上側キャップ部材80の外周部の上面が、支持体20に形成された貫通孔22の段差(拡径部23とその他の部分との境界)に係合しており、これにより、上側キャップ部材80の上側への移動が規制されている。
As shown in FIG. 8, the outer diameter of the
また、図5に示すように、上側キャップ部材80の外周面には、面方向(径方向)に突出する2つの凸部84が形成されている。上側キャップ部材80に形成された2つの凸部84は、支持体20に形成された貫通孔22(の拡径部23)の内周面に形成された2つの凹部(スリット)24と嵌合している。これにより、支持体20に対する上側キャップ部材80の相対回転(Z軸を中心とした回転)が規制されている。
Further, as shown in FIG. 5, two
また、図5および図8に示すように、上側キャップ部材80には、Z軸方向に延びる複数の(4つの)貫通孔82が形成されている。各貫通孔82のZ軸方向に直交する断面の形状は、略円形である。上側キャップ部材80に形成された貫通孔82内には、絶縁管40の下端部が収容されている。図8に示すように、上側キャップ部材80に形成された貫通孔82の内径R4は、絶縁管40の下端部の外径R3と略同一となっている。そのため、上側キャップ部材80に対する絶縁管40(特に、絶縁管40の下端部)の面方向(Z軸方向に直交する方向)への相対移動が規制され、その結果、上側キャップ部材80を支持する支持体20に対する絶縁管40の面方向への相対移動が規制されている。
Further, as shown in FIGS. 5 and 8, a plurality of (four) through
図2、図6および図8に示すように、支持体20に形成された貫通孔22内における拡径部23の位置(すなわち、下端に近い位置)であって、上側キャップ部材80よりも下側の位置には、キャップ部材(以下、上述した上側キャップ部材80と区別するために「下側キャップ部材90」という)が収容されている。下側キャップ部材90は、Z軸方向視で略円形の板状部材であり、例えばAlN(窒化アルミニウム)やAl2O3(アルミナ)を主成分とするセラミックス等の絶縁体により構成されている。下側キャップ部材90は、リテーナとも呼ばれる。
As shown in FIGS. 2, 6 and 8, the position of the enlarged diameter portion 23 (that is, the position near the lower end) in the through
図8に示すように、下側キャップ部材90の外径は、支持体20に形成された貫通孔22における拡径部23の内径と略同一となっている。そのため、下側キャップ部材90は、支持体20に対する面方向への相対移動が規制されるように、支持体20に支持された状態となっている。なお、例えば無機系の接着剤により、下側キャップ部材90の外周面と支持体20に形成された貫通孔22の拡径部23の内周面とが接合されていてもよい。また、本実施形態では、Z軸方向において、下側キャップ部材90の上面が、上側キャップ部材80の下面に当接しており、これにより、下側キャップ部材90の上側への移動が規制されている。
As shown in FIG. 8, the outer diameter of the
また、図6に示すように、下側キャップ部材90の外周面には、面方向(径方向)に突出する2つの凸部94が形成されている。下側キャップ部材90に形成された2つの凸部94は、支持体20に形成された貫通孔22(の拡径部23)の内周面に形成された上述の2つの凹部(スリット)24と嵌合している。これにより、支持体20に対する下側キャップ部材90の相対回転(Z軸を中心とした回転)が規制されている。
Further, as shown in FIG. 6, two
また、図6および図8に示すように、下側キャップ部材90には、Z軸方向に延びる複数の(4つの)貫通孔92が形成されている。各貫通孔92のZ軸方向に直交する断面の形状は、非円形である。より具体的には、図6における一部拡大図に示すように、各貫通孔92のZ軸方向に直交する断面の形状は、略D字形状(すなわち、円を、該円の中心点を通らない直線により2つの部分に分割したときの大きい方の部分の形状)である。下側キャップ部材90に形成された貫通孔92内には、電極端子ユニット70の一部分(以下、「第2の部分P2」という)が収容されている。本実施形態では、電極端子ユニット70の第2の部分P2は、電極端子ユニット70の内、上述した第1の部分P1(絶縁管40に形成された貫通孔42内に収容された部分)の下側に隣接する部分である。すなわち、電極端子ユニット70の第2の部分P2は、第2の柱状部材72における径が縮小された部分の一部分である。電極端子ユニット70における第2の部分P2のZ軸方向に直交する断面の形状は、下側キャップ部材90に形成された貫通孔92の断面形状と略同一となっている。すなわち、電極端子ユニット70における第2の部分P2の断面形状は、非円形であり、より具体的には、略D字形状である。下側キャップ部材90と電極端子ユニット70の第2の部分P2とがこのような構成であるため、電極端子ユニット70における第2の部分P2は、下側キャップ部材90に対して、Z軸方向に平行な軸を中心として相対回転(Z軸を中心とした回転)することが規制されている。
Further, as shown in FIGS. 6 and 8, a plurality of (four) through
なお、電極端子ユニット70の第2の部分P2が、下側キャップ部材90に対して、Z軸方向に平行な軸を中心として相対回転することが規制されていることは、例えば、以下のように表現することもできる。すなわち、図6に示すように、本実施形態の加熱装置100では、電極端子ユニット70の第2の部分P2および下側キャップ部材90のZ軸方向に直交する断面(XY断面)において、第2の部分P2の外形を包含する最小の仮想円の中心点を中心点P0としたとき、中心点P0を通る位置での貫通孔92の長さ(幅)L2として、中心点P0を通る位置での第2の部分P2の最大長さ(幅)L1より短い長さL2が存在している。この条件が満たされていると、第2の部分P2が下側キャップ部材90に対して相対回転することが規制されていると言える。
The fact that the second portion P2 of the
図2および図8に示すように、電極端子ユニット70の下端側の一部分(以下、「第3の部分P3」という)には、雄ネジ79が形成されており、この第3の部分P3にナット68が螺合している。ナット68の上面は、下側キャップ部材90の下面に当接している。このように、電極端子ユニット70は、ネジ止めにより、下側キャップ部材90に対するZ軸方向への移動が規制されるように、下側キャップ部材90に固定されている。
As shown in FIGS. 2 and 8, a
A-2.加熱装置100の製造方法:
本実施形態の加熱装置100の製造方法は、例えば以下の通りである。初めに、保持体10と支持体20とを作製する。
A-2. Manufacturing method of heating device 100:
The manufacturing method of the
保持体10の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、窒化アルミニウム粉末100重量部に、酸化イットリウム(Y2O3)粉末1重量部と、アクリル系バインダ20重量部と、適量の分散剤および可塑剤とを加えた混合物に、トルエン等の有機溶剤を加え、ボールミルにて混合し、グリーンシート用スラリーを作製する。このグリーンシート用スラリーをキャスティング装置でシート状に成形した後に乾燥させ、グリーンシートを複数枚作製する。
The method for producing the holding
また、窒化アルミニウム粉末、アクリル系バインダ、テルピネオール等の有機溶剤の混合物に、タングステンやモリブデン等の導電性粉末を添加して混練することにより、メタライズペーストを作製する。このメタライズペーストを例えばスクリーン印刷装置を用いて印刷することにより、特定のグリーンシートに、後に抵抗発熱体50や受電電極54等となる未焼結導体層を形成する。また、グリーンシートにあらかじめビア孔を設けた状態で印刷することにより、後にビア導体52となる未焼結導体部を形成する。
Further, a metallized paste is prepared by adding a conductive powder such as tungsten or molybdenum to a mixture of an organic solvent such as aluminum nitride powder, an acrylic binder and terpineol and kneading the mixture. By printing this metallized paste using, for example, a screen printing device, an unsintered conductor layer that later becomes a
次に、これらのグリーンシートを複数枚(例えば20枚)熱圧着し、必要に応じて外周を切断して、グリーンシート積層体を作製する。このグリーンシート積層体をマシニングによって切削加工して略円板状の成形体を作製し、この成形体を脱脂し、さらにこの脱脂体を焼成して焼成体を作製する。この焼成体の表面を研磨加工する。以上の工程により、保持体10が作製される。
Next, a plurality of these green sheets (for example, 20 sheets) are thermocompression bonded, and if necessary, the outer periphery is cut to produce a green sheet laminate. This green sheet laminated body is cut by machining to produce a substantially disk-shaped molded body, the molded body is degreased, and the degreased body is further fired to produce a fired body. The surface of this fired body is polished. The holding
また、支持体20の作製方法、例えば以下の通りである。まず、窒化アルミニウム粉末100重量部に、酸化イットリウム粉末1重量部と、PVAバインダ3重量部と、適量の分散剤および可塑剤とを加えた混合物に、メタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルにて混合し、スラリーを得る。このスラリーをスプレードライヤーにて顆粒化し、原料粉末を作製する。次に、貫通孔22に対応する中子が配置されたゴム型に原料粉末を充填し、冷間静水圧プレスして成形体を得る。得られた成形体を脱脂し、さらにこの脱脂体を焼成する。以上の工程により、支持体20が作製される。
Further, a method for manufacturing the
次に、保持体10と支持体20とを接合する。保持体10の裏面S2および支持体20の上面S3に対して必要によりラッピング加工を行った後、保持体10の裏面S2と支持体20の上面S3との少なくとも一方に、例えば希土類や有機溶剤等を混合してペースト状にした公知の接合剤を均一に塗布した後、脱脂処理する。次いで、保持体10の裏面S2と支持体20の上面S3とを重ね合わせ、荷重を掛けながら常圧焼成を行うことにより、保持体10と支持体20とを接合する。
Next, the holding
保持体10と支持体20との接合の後、支持体20の各貫通孔22内に絶縁管40を挿入する。また、各絶縁管40に形成された貫通孔42内に電極端子ユニット70(の第1の部分P1)を挿入し、その後、上側キャップ部材80を設置する。このとき、上側キャップ部材80に形成された各貫通孔82に、絶縁管40の下端部が挿入されるようにする。次に、下側キャップ部材90を設置する。このとき、下側キャップ部材90に形成された各貫通孔92に、電極端子ユニット70(の第2の部分P2)が挿入されるようにする。その後、電極端子ユニット70(具体的には、第1の柱状部材71)の上端部を受電電極54に、例えば金ろう材によりろう付けする。
After joining the holding
その後、必要により、上側キャップ部材80および下側キャップ部材90を、無機系の接着剤によって支持体20に接着する。最後に、電極端子ユニット70(の第3の部分P3)に形成された雄ネジ79にナット68を螺合する。以上の製造方法により、上述した構成の加熱装置100が製造される。
Then, if necessary, the
A-3.第1実施形態の効果:
以上説明したように、本実施形態の加熱装置100は、保持体10と支持体20とを備える。保持体10は、Z軸方向に略直交する略平面状の保持面S1と、保持面S1とは反対側の裏面S2とを有する板状の部材である。支持体20は、保持体10の裏面S2に接合され、Z軸方向に延びる貫通孔22が形成された管状の部材である。また、保持体10の内部には、抵抗発熱体50が配置されている。Z軸方向視で、保持体10の裏面S2における支持体20の貫通孔22に重なる位置には、抵抗発熱体50に電気的に接続された複数の受電電極54が配置されている。また、本実施形態の加熱装置100は、複数の受電電極54に対応して設けられた複数の電極端子ユニット70を備える。各電極端子ユニット70の少なくとも一部分は、支持体20の貫通孔22内に配置されている。電極端子ユニット70は、金属ろう材56を介して、対応する受電電極54に接合されている。また、本実施形態の加熱装置100は、複数の電極端子ユニット70に対応して設けられた複数の絶縁管40を備える。各絶縁管40の少なくとも一部分は、支持体20の貫通孔22内に配置されている。各絶縁管40には、Z軸方向に延びる貫通孔42が形成されており、貫通孔42には、対応する電極端子ユニット70の少なくとも一部分が収容されている。また、本実施形態の加熱装置100では、Z軸方向における各絶縁管40の両端部の内の保持体10に近い側の端部(上端部)は、面方向において保持体10と対向していない。また、保持体10の裏面S2における、一の受電電極54が配置された第1の領域A1と他の一の受電電極54が配置された第2の領域A2とに挟まれた特定領域Axに、凹部と凸部との少なくとも1つの組合せ(第1の凸部13、第1の領域A1側の第2の凹部12、第2の凸部14、第2の領域A2側の第2の凹部12、第3の凸部15)が形成されている。
A-3. Effect of the first embodiment:
As described above, the
本実施形態の加熱装置100は、このような構成であるため、一の受電電極54と他の一の受電電極54との間の沿面距離を長くすることができる。すなわち、図10に示す比較例の加熱装置100Xのように、第1の領域A1と第2の領域A2とに挟まれた特定領域Axに第2の凹部12が形成されておらず、その結果、特定領域Axに1つの第2の凸部14のみが形成されている構成では、一の受電電極54と他の一の受電電極54との間の沿面距離Lが比較的短くなる。一方、図7に示すように、本実施形態の加熱装置100では、特定領域Axに凹部と凸部との少なくとも1つの組合せ(第1の凸部13、第1の領域A1側の第2の凹部12、第2の凸部14と、第2の領域A2側の第2の凹部12、第3の凸部15)が形成されているため、一の受電電極54と他の一の受電電極54との間の沿面距離Lが比較的長くなる。従って、本実施形態の加熱装置100によれば、保持体10の裏面S2に形成された受電電極54間の短絡の発生を抑制することができる。
Since the
特に本実施形態の加熱装置100では、保持体10の裏面S2における特定領域Axの内、第1の領域A1と隣り合う部分と第2の領域A2と隣り合う部分とに、凹部ではなく凸部(第1の凸部13および第3の凸部15)が形成されている。そのため、本実施形態の加熱装置100によれば、保持体10の裏面S2に形成された受電電極54間の短絡の発生を効果的に抑制することができると共に、受電電極54と電極端子ユニット70とを接合する金属ろう材56の流れ出しを抑制して強固な接合を実現することができる。
In particular, in the
B.第2実施形態:
図11は、第2実施形態における加熱装置100aの断面構成を概略的に示す説明図である。図11には、図7と同一の位置(図2のX1部の位置)における第2実施形態の加熱装置100aのXZ断面構成が示されている。以下では、第2実施形態の加熱装置100aの構成の内、上述した第1実施形態の加熱装置100の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
B. Second embodiment:
FIG. 11 is an explanatory diagram schematically showing a cross-sectional configuration of the
図11に示すように、第2実施形態の加熱装置100aは、主として、保持体10の裏面S2の構成が、第1実施形態の加熱装置100と異なっている。具体的には、第1実施形態の加熱装置100では、保持体10の裏面S2に第1の凹部11が形成されているが、第2実施形態の加熱装置100aでは、保持体10の裏面S2に第1の凹部11が形成されていない。なお、第2実施形態の加熱装置100aでは、第1実施形態の加熱装置100と同様に、保持体10の裏面S2に、複数の(4つの)第2の凹部12が形成されており、各第2の凹部12は、保持体10の裏面S2に形成された受電電極54を取り囲むような略円環状の溝(スリット)とされている。そのため、第2実施形態の加熱装置100aでは、第1実施形態の加熱装置100と同様に、保持体10の裏面S2における一の受電電極54が配置された領域(第1の領域A1)と、他の一の受電電極54が配置された領域(第2の領域A2)とに挟まれた領域(特定領域Ax)に、凹部と凸部との少なくとも1つの組合せが形成されている。具体的には、例えば、第1の領域A1と第2の領域A2とに挟まれた特定領域Axには、第1の領域A1側の第2の凹部12と、第1の領域A1側の第2の凹部12と第2の領域A2側の第2の凹部12との間に形成された第2の凸部14と、第2の領域A2側の第2の凹部12と、が形成されている。
As shown in FIG. 11, the
このように、第2実施形態の加熱装置100aでは、第1実施形態の加熱装置100と同様に、保持体10の裏面S2における、一の受電電極54が配置された第1の領域A1と他の一の受電電極54が配置された第2の領域A2とに挟まれた特定領域Axに、凹部と凸部との少なくとも1つの組合せ(第1の領域A1側の第2の凹部12、第2の凸部14、第2の領域A2側の第2の凹部12)が形成されている。そのため、第2実施形態の加熱装置100aによれば、第1実施形態の加熱装置100と同様に、一の受電電極54と他の一の受電電極54との間の沿面距離Lを比較的長くすることができ、保持体10の裏面S2に形成された受電電極54間の短絡の発生を抑制することができる。
As described above, in the
C.変形例:
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
C. Modification example:
The technique disclosed in the present specification is not limited to the above-described embodiment, and can be transformed into various forms without departing from the gist thereof, and for example, the following modifications are also possible.
上記実施形態における加熱装置100の構成は、あくまで例示であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、電極端子ユニット70が、第1の柱状部材71と第2の柱状部材72と金属撚り線73との3つの部材から構成されているが、電極端子ユニット70が、1つまたは2つの部材から構成されるとしてもよいし、4つ以上の部材から構成されるとしてもよい。
The configuration of the
また、上記実施形態では、電極端子ユニット70の下端部が、支持体20の貫通孔22や絶縁管40の貫通孔42から外に突出しているが、電極端子ユニット70の全体が、支持体20の貫通孔22や絶縁管40の貫通孔42内に収容されるとしてもよい。
Further, in the above embodiment, the lower end portion of the
また、上記実施形態における下側キャップ部材90に形成された貫通孔92のZ軸方向に直交する断面(XY断面)の形状と、電極端子ユニット70における下側キャップ部材90の貫通孔92内に収容された部分である第2の部分P2のZ軸方向に直交する断面(XY断面)の形状とは、あくまで一例であり、任意に変形可能である。また、下側キャップ部材90の貫通孔92のXY断面の形状と、電極端子ユニット70の第2の部分P2のXY断面の形状とが必ずしも略同一である必要はない。
Further, the shape of the cross section (XY cross section) orthogonal to the Z-axis direction of the through
また、上記実施形態では、上側キャップ部材80および下側キャップ部材90が、支持体20の貫通孔22内に収容されているが、上側キャップ部材80と下側キャップ部材90との少なくとも一方が、支持体20の貫通孔22内ではなく、貫通孔22の外に配置されるとしてもよい。このような構成であっても、上側キャップ部材80および/または下側キャップ部材90を、例えば接着剤や接合部材等を用いて支持体20の他の部分(例えば、支持体20の下面S4)に固定することは可能である。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施形態では、上側キャップ部材80の外周面に凸部84が形成されており、該凸部84が、支持体20の貫通孔22の内周面に形成された凹部24と嵌合しているが、反対に、上側キャップ部材80の外周面に凹部が形成されており、該凹部が、支持体20の貫通孔22の内周面に形成された凸部と嵌合するとしてもよい。同様に、上記実施形態では、下側キャップ部材90の外周面に凸部94が形成されており、該凸部94が、支持体20の貫通孔22の内周面に形成された凹部24と嵌合しているが、反対に、下側キャップ部材90の外周面に凹部が形成されており、該凹部が、支持体20の貫通孔22の内周面に形成された凸部と嵌合するとしてもよい。なお、各部材に形成される凸部または凹部の個数は、任意に変更可能である。また、必ずしも、各部材にこれらの凸部または凹部が形成されている必要はない。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施形態では、加熱装置100が、上側キャップ部材80と下側キャップ部材90とを備えているが、加熱装置100が、上側キャップ部材80と下側キャップ部材90との少なくとも一方を備えないとしてもよい。また、上記実施形態では、電極端子ユニット70がネジ止めにより、下側キャップ部材90に対するZ軸方向への移動が規制されるように下側キャップ部材90に固定されているが、電極端子ユニット70は、ネジ止めに限られず、他の手段(例えば、固定用部材を用いた手段)により固定されていてもよい。また、電極端子ユニット70は、必ずしも下側キャップ部材90に固定されている必要はない。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施形態の加熱装置100を構成する各部材の形状や個数は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、加熱装置100に、電極端子ユニット70と電極端子ユニット70に接合される受電電極54との組合せが、4つ設けられているが、加熱装置100に設けられる該組合せの個数は任意に設定可能である。なお、上記実施形態では、該組合せのすべてが同様の構成となっているが、該組合せの少なくとも1つが上記実施形態の構成となっていれば、残りの組合せについては他の構成となっていてもよい。
Further, the shape and the number of each member constituting the
また、上記実施形態の加熱装置100が、さらに、熱電対や白金抵抗体等の測温体や、高周波電極等の他の構成部材を備えるとしてもよい。
Further, the
また、上記実施形態における加熱装置100を構成する各部材の形成材料は、あくまで一例であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。例えば、上記実施形態において、保持体10および支持体20は、窒化アルミニウムまたはアルミナを主成分とするセラミックス製であるとしてもよいし、他のセラミックス製であるとしてもよいし、セラミックス以外の絶縁材料製であるとしてもよい。
Further, the forming material of each member constituting the
また、上記実施形態における加熱装置100の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。
Further, the method for manufacturing the
10:保持体 11:第1の凹部 12:第2の凹部 13:第1の凸部 14:第2の凸部 15:第3の凸部 20:支持体 22:貫通孔 23:拡径部 24:凹部 30:接合部 40:絶縁管 42:貫通孔 50:抵抗発熱体 52:ビア導体 54:受電電極 56:金属ろう材 68:ナット 70:電極端子ユニット 71:第1の柱状部材 72:第2の柱状部材 73:金属撚り線 79:雄ネジ 80:上側キャップ部材 82:貫通孔 84:凸部 90:下側キャップ部材 92:貫通孔 94:凸部 100:加熱装置 A1:第1の領域 A2:第2の領域 Ax:特定領域 L:沿面距離 P1:第1の部分 P2:第2の部分 P3:第3の部分 S1:保持面 S2:裏面 S3:上面 S4:下面 10: Holding body 11: First concave portion 12: Second concave portion 13: First convex portion 14: Second convex portion 15: Third convex portion 20: Support 22: Through hole 23: Enlarged portion 24: Recess 30: Joint 40: Insulation tube 42: Through hole 50: Resistance heating element 52: Via conductor 54: Power receiving electrode 56: Metal brazing material 68: Nut 70: Electrode terminal unit 71: First columnar member 72: Second columnar member 73: Metal stranded wire 79: Male screw 80: Upper cap member 82: Through hole 84: Convex part 90: Lower cap member 92: Through hole 94: Convex part 100: Heating device A1: First Area A2: Second area Ax: Specific area L: Creeping distance P1: First part P2: Second part P3: Third part S1: Holding surface S2: Back surface S3: Top surface S4: Bottom surface
Claims (1)
絶縁体により構成され、前記保持体の前記第2の表面に接合され、前記第1の方向に延びる第1の貫通孔が形成された管状の支持体と、
前記保持体の内部に配置された抵抗発熱体と、
前記第1の方向視で、前記保持体の前記第2の表面における前記支持体の前記第1の貫通孔に重なる位置に配置され、前記抵抗発熱体に電気的に接続された複数の受電電極と、
前記複数の受電電極に対応して設けられた複数の電極端子であって、それぞれ、少なくとも一部分が前記支持体の前記第1の貫通孔内に配置され、かつ、金属ろう材を介して、対応する前記受電電極に接合された、複数の電極端子と、
それぞれ、少なくとも一部分が前記支持体の前記第1の貫通孔内に配置され、前記複数の電極端子に対応して設けられた複数の絶縁管であって、前記第1の方向に延びると共に、対応する前記電極端子の少なくとも一部分を収容する第2の貫通孔が形成された、複数の絶縁管と、
を備え、前記保持体の前記第1の表面上に保持された対象物を加熱する加熱装置において、
前記第1の方向における各前記絶縁管の両端部の内の前記保持体に近い側の端部は、前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記保持体と対向しておらず、
前記保持体の前記第2の表面における、一の前記受電電極が配置された第1の領域と他の前記受電電極が配置された第2の領域とに挟まれた特定領域に、凹部と凸部との少なくとも1つの組合せが形成されており、
前記保持体の前記第2の表面における前記特定領域の内、前記第1の領域と隣り合う部分と前記第2の領域と隣り合う部分とに、前記凸部が形成されている、
ことを特徴とする加熱装置。 A plate-shaped retainer composed of an insulator and having a substantially planar first surface substantially orthogonal to the first direction and a second surface opposite to the first surface.
A tubular support composed of an insulator, joined to the second surface of the retainer, and formed with a first through hole extending in the first direction.
A resistance heating element arranged inside the holder and
In the first directional view, a plurality of power receiving electrodes arranged at positions overlapping the first through hole of the support on the second surface of the holder and electrically connected to the resistance heating element. When,
A plurality of electrode terminals provided corresponding to the plurality of power receiving electrodes, each of which has at least a part thereof arranged in the first through hole of the support and is supported via a metal brazing material. With a plurality of electrode terminals bonded to the power receiving electrode
Each is a plurality of insulating tubes having at least a part thereof arranged in the first through hole of the support and provided corresponding to the plurality of electrode terminals, extending in the first direction and corresponding to the plurality of insulating tubes. A plurality of insulating tubes having a second through hole for accommodating at least a part of the electrode terminal to be formed.
In a heating device for heating an object held on the first surface of the holder.
The end of each end of the insulating tube in the first direction closer to the holder does not face the holder in the second direction orthogonal to the first direction. ,
Recessed and convex in a specific region on the second surface of the retainer sandwiched between a first region in which one of the power receiving electrodes is arranged and a second region in which the other power receiving electrode is arranged. At least one combination with the part is formed ,
The convex portion is formed in a portion of the specific region on the second surface of the retainer adjacent to the first region and a portion adjacent to the second region.
A heating device characterized by that.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018058824A JP7083262B2 (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Heating device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018058824A JP7083262B2 (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Heating device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019175884A JP2019175884A (en) | 2019-10-10 |
JP7083262B2 true JP7083262B2 (en) | 2022-06-10 |
Family
ID=68167316
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018058824A Active JP7083262B2 (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | Heating device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7083262B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022070089A (en) * | 2020-10-26 | 2022-05-12 | 京セラ株式会社 | Heating apparatus and heating system |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368069A (en) | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Ngk Insulators Ltd | Electrostatic chucking device |
JP2004335151A (en) | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Ibiden Co Ltd | Ceramic heater |
JP2011061040A (en) | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Tokyo Electron Ltd | Stage structure and processing apparatus |
JP2016051783A (en) | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device and manufacturing method for the same |
JP2017157617A (en) | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | Heating member and electrostatic chuck |
-
2018
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368069A (en) | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Ngk Insulators Ltd | Electrostatic chucking device |
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JP2016051783A (en) | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device and manufacturing method for the same |
JP2017157617A (en) | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | Heating member and electrostatic chuck |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019175884A (en) | 2019-10-10 |
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