[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP7041661B2 - 複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス - Google Patents

複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP7041661B2
JP7041661B2 JP2019227462A JP2019227462A JP7041661B2 JP 7041661 B2 JP7041661 B2 JP 7041661B2 JP 2019227462 A JP2019227462 A JP 2019227462A JP 2019227462 A JP2019227462 A JP 2019227462A JP 7041661 B2 JP7041661 B2 JP 7041661B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
microdevices
micro
microsystem
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019227462A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020073995A (ja
Inventor
バウワー クリストファー
マイトル マシュー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
X Celeprint Ltd
Original Assignee
X Celeprint Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by X Celeprint Ltd filed Critical X Celeprint Ltd
Publication of JP2020073995A publication Critical patent/JP2020073995A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7041661B2 publication Critical patent/JP7041661B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/485—Adaptation of interconnections, e.g. engineering charges, repair techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68372—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support a device or wafer when forming electrical connections thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95001—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95136—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies involving guiding structures, e.g. shape matching, spacers or supporting members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5382—Adaptable interconnections, e.g. for engineering changes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0087—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
    • H01Q3/26—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
    • H01Q3/267—Phased-array testing or checking devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

（関連出願）
本願は、米国特許出願第１４／８２２，８６８号，出願日２０１５年８月１０日、発明の名称“Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍｉｃｒｏ－Ａｓｓｅｍｂｌｙ Ｓｔｒａｔｅｇｉｅｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ” および米国仮特許出願第６２／０５５，４７２号，出願日２０１４年９月２５日、発明の名称 “Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍｉｃｒｏ－Ａｓｓｅｍｂｌｙ Ｓｔｒａｔｅｇｉｅｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ”に対する優先権およびその利益を主張するものであり、これらの各々の内容は、それらの全体が参照により本明細書中に援用される。
フラットパネルディスプレイは、典型的には、平坦基板表面にわたって分布した発光体のアレイで構築される。プラズマテレビを除いて、発光型フラットパネルディスプレイは、多くの場合、（ｉ）液晶および色フィルタによって提供されるピクセル光制御を伴うバックライト（例えば、液晶ディスプレイ）、（ｉｉ）有機着色発光体（例えば、有機発光ダイオードディスプレイ）、または（ｉｉｉ）色フィルタを伴う有機白色発光体（例えば、白色有機発光ダイオードディスプレイ）のいずれかに依拠する。重要なこととして、これらのフラットパネルディスプレイ技術の３つ全ては、面エミッタであり、すなわち、各ピクセルの面積全体が、発光体または光コントローラで充填される。
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、典型的には、種々の化学物質の使用を必要とする半導体プロセスを使用して製造される。これらの製造方法は、高温製造プロセス中に融解しない、サファイア基板またはシリコン基板等の剛性基板の使用を必要とする。剛性基板上でＬＥＤを加工した後、ウエハは、多くの場合、次いで、ディスプレイで使用され得る、個々のＬＥＤを形成するように切断される。
ディスプレイにおける初期のＬＥＤ用途は、数値ＬＥＤディスプレイを伴う手持ち式計算機を含む。つい最近では、ＬＥＤは、ディスプレイ用のバックライトとして統合されている。ディスプレイパネル等の大型ディスプレイにＬＥＤを組み込むことは、ディスプレイパネル内の各個別ＬＥＤへの複雑な配線を伴う。ＲＧＢ ＬＥＤディスプレイ等のディスプレイでのＬＥＤの使用は、増加した複雑性、限定されたディスプレイ形式、増加した製造費用、および低減した製造量を含む、多数の課題を提起し続ける。
したがって、ディスプレイを製造するシステムおよび方法、ならびにシステムの低費用製造、向上した収率、および向上した信頼性を提供する、太陽電池アレイおよびレーダアレイ等の他のデバイスの必要性がある。
開示される技術は、概して、複合マイクロアセンブリを利用してデバイスを組み立てる設計および方法に関する。複合マイクロアセンブリは、マイクロアセンブリ、例えば、それぞれが参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる、米国特許第７，６２２，３６７号および第８，５０６，８６７号で説明されるマイクロ転写印刷プロセスが、最初に、中間基板上に機能的要素を組み立てて、機能的（例えば、試験可能）マイクロシステムを形成するために使用される、プロセスである。次いで、新たに生成されたマイクロシステムは、動作可能なマクロシステム（例えば、最終的なデバイス）を形成するように、目標またはデバイス基板上にマイクロ組み立てされる。マイクロシステムのアレイは、大規模に並行して作成され、目標基板上にマイクロ組み立てされてもよい。
例えば、複合マイクロアセンブリを採用するディスプレイデバイスの製造のために、各マイクロシステムは、個々のピクセルを形成してもよい。複数のピクセルが形成され、次いで、目標基板上にマイクロ組み立てされてもよい。例えば、デバイス要素（例えば、赤色、緑色、および青色マイクロＬＥＤ、ならびにシリコン駆動回路）が、対応するネイティブ基板上に大規模に並行して形成され、次いで、各マイクロシステムが、ＬＥＤ（例えば、赤色、緑色、および青色マイクロＬＥＤ）ならびにシリコン駆動回路を含有するピクセルである、個々のマイクロシステムの行列として、中間基板上に（例えば、マイクロ転写印刷を介して）マイクロ組み立てされる。中間基板上のマイクロシステムの行列は、密集し、それによって、必要な微細リソグラフィが、より小さい面積にわたってマイクロシステムの全てのために行われることを可能にし、より低い組立費用および改良型製品をもたらし得る。さらに、中間基板上のマイクロシステムの行列は、機能的であり、マクロシステム（例えば、最終ディスプレイ）上への組立に先立って、試験、故障ピクセルの識別、および／または故障ピクセルの修復を可能にし、製品をさらに改良する。次いで、良品マイクロシステム（例えば、ピクセル）が、１つまたはそれを上回るマクロシステム（例えば、最終的なデバイス）を形成するように、（例えば、マイクロ転写印刷を介して）中間基板から目標基板に転写される。
マイクロアセンブリは、異種材料の機能性を不均一に統合されたシステムに組み込むための有利なストラテジである。結果として生じるマイクロシステムおよびマクロシステムは、不均一性の微細な規模により、モノリシックユニットの外観ならびに性質を有することができ、そうでなければ構成材料タイプまたは従来の手段によって組み立てられた構成物質の組み合わせからアクセス可能ではない性質を呈することができる。
さらに、複合マイクロアセンブリプロセスは、マイクロ組立システム（マクロシステム）のアレイの機能的ユニットを提供する、多機能的な不均一に統合されたマイクロスケール要素（マイクロシステム）を生産する。
とりわけ、開示される複合マイクロアセンブリ技法は、リソグラフィの最適化された組み合わせを可能にする。具体的には、ある実施形態では、マイクロシステムが、ウエハ上に加工され、例えば、１０ミクロン未満またはそれと等しい、５ミクロン未満またはそれと等しい、２ミクロン未満またはそれと等しい、もしくは１ミクロン未満の特徴寸法を有する、最先端のウエハレベルリソグラフィ（微細リソグラフィ）を使用して、相互接続される。対照的に、例えば、１０ミクロンを上回る、５０ミクロンを上回るまたはそれと等しい、１００ミクロンを上回るまたはそれと等しい、もしくは１ミリメートルを上回る特徴寸法を有して、目標基板上にマイクロ組立された後に、マイクロシステムに電気的に接続するために、粗リソグラフィが使用されてもよい。
また、マイクロシステムは、マイクロシステムが目標基板上にマイクロ組み立てされるときよりもマイクロシステムの密度がウエハ上で大きいように、密に形成されてもよい。したがって、マイクロシステムがウエハの上にあるときに微細リソグラフィを使用することは、マイクロシステムの高い密度により、より費用効果的であり、粗リソグラフィは、マイクロシステムが目標基板に印刷された後に使用されることができる。さらに、所与のデバイスのためのマイクロレベル上に形成される（すなわち、マイクロシステムを目標基板に転写した後の）入力／出力線の数は、従来の非複合アセンブリ技法に対して削減される。
ある実施形態では、マイクロシステムは、目標基板に転写されることに先立って、完全に機能的なデバイスであるように、中間基板上で配線される。これは、マイクロシステムを目標基板にマイクロ組み立てすることに先立って、それらが試験されることを可能にする。ある実施形態では、欠陥マイクロシステムは、除去され、または機能的マイクロシステムのみが目標基板に転写されるように（例えば、レーザで）照射される。ある実施形態では、入力／出力線が、試験を促進するように、中間基板のアンカおよびテザー上で送られる。他の実施形態では、各マイクロシステムは、マイクロシステムの試験を促進する、アンテナおよび／または太陽電池を含む。
したがって、複合マイクロアセンブリの開示されるシステムおよび方法の利益は、削減された組立費用および増加したスループット、マクロシステムにおける削減されたＩ／Ｏ数、向上した透明度、ならびに向上した性能を含むが、それらに限定されない。
一側面では、開示される技術は、複合マイクロアセンブリの方法であって、それに一時的に取り付けられたマイクロシステムを伴う接触表面を有する、転写デバイスを提供するステップであって、マイクロシステムは、中間基板と、中間基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、複数のマイクロデバイの少なくとも一部に電気的に接続され、それによって、マイクロデバイスの一部を電気的に連結する、１つまたはそれを上回る微細相互接続とを含む、ステップと、転写表面上に配置されるマイクロシステムを、目標基板の受容表面と接触させるステップと、転写デバイスの接触表面およびマイクロシステムを分離し、それによって、目標基板の受容表面上にマイクロシステムを転写するステップとを含む、方法を含む。
ある実施形態では、本方法は、目標基板の受容表面上にマイクロシステムを転写した後に、１０μｍ～２ｍｍの幅を有する粗相互接続を利用して、マイクロシステムを目標基板上の１つまたはそれを上回る付加的マイクロシステムに電気的に接続し、それによって、マクロシステムを形成するステップを含む。
ある実施形態では、その上に支持された、および／またはそこに一時的に取り付けられたマイクロシステムを伴う接触表面を有する、転写デバイスを提供するステップは、第１のネイティブ基板上に複数のマイクロデバイスのうちの第１のマイクロデバイスを形成するステップと、第２のネイティブ基板上に複数のマイクロデバイスのうちの第２のマイクロデバイスを形成するステップと、それぞれのネイティブ基板から中間基板上に第１のマイクロデバイスおよび第２のマイクロデバイスを転写するステップと、１つまたはそれを上回る微細相互接続を使用して、第１のマイクロデバイスおよび第２のマイクロデバイスを電気的に接続するステップであって、該微細相互接続は、１００ｎｍ～１０μｍの幅を有し、それによって、マイクロシステムを形成する、ステップとを含む。
ある実施形態では、本方法は、微細相互接続を使用して、第１のマイクロデバイスおよび第２のマイクロデバイスを電気的に接続した後に、中間基板上にある間にマイクロシステムを試験するステップを含む。
ある実施形態では、本方法は、中間基板上に第１のマイクロデバイスおよび第２のマイクロデバイスを転写した後に、バルク中間基板から転写デバイスの接触表面へのマイクロシステムの制御された分離を促進するために、マイクロシステムがテザーによってバルク中間基板に接続されるように、バルク中間基板からマイクロシステムを部分的に解放するステップを含む。
ある実施形態では、微細相互接続は、少なくとも部分的にテザーの上または中にある。
ある実施形態では、テザーは、中間基板上のアンカに接続される。
ある実施形態では、１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的にアンカの上もしくは中にある。
ある実施形態では、中間基板上にマイクロデバイスを転写するステップは、第１のマイクロデバイスを整合可能転写デバイスと接触させ、それによって、第１のマイクロデバイスを整合可能転写デバイスに結合するステップと、整合可能転写デバイス上に配置される第１のマイクロデバイスを中間基板と接触させるステップと、第１のマイクロデバイスから整合可能転写デバイスを分離し、それによって、中間基板上に第１のマイクロデバイスを転写するステップと、第２のマイクロデバイスを整合可能転写デバイスと接触させ、それによって、第２のマイクロデバイスを整合可能転写デバイスに結合するステップと、整合可能転写デバイス上に配置される第２のマイクロデバイスを中間基板と接触させるステップと、第２のマイクロデバイスから整合可能転写デバイスを分離し、それによって、中間基板上に第２のマイクロデバイスを転写するステップとを含む。
ある実施形態では、中間基板は、第１および第２のマイクロデバイスに元来備わっていない。
ある実施形態では、接触させるステップおよび分離するステップはそれぞれ、ディスプレイを形成するように少なくとも１００回行われる。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、赤色マイクロ無機発光ダイオードと、緑色マイクロ無機発光ダイオードと、青色マイクロ無機発光ダイオードとを含む。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、マイクロ集積回路を備える。
ある実施形態では、中間基板は、ポリマーフィルム、ポリマー、硬化樹脂、エポキシ、ガラス強化エポキシ、ＦＲ４、ガラス、サファイア、透明誘電体キャリアフィルム、誘電体キャリアフィルムから成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える。
ある実施形態では、転写デバイスは、エラストマースタンプである。
ある実施形態では、本方法は、電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）とを含む、複数のマイクロデバイスを含む。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）とを含む。
ある実施形態では、目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である。
ある実施形態では、目標基板は、複数のマイクロデバイスに元来備わっていない。
ある実施形態では、目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度（例えば、１－不透明度）を有する。
ある実施形態では、目標基板は、隣接基板面積を有し、複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２～５μｍ、５～１０μｍ、１０～２０μｍ、または２０～５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、目標基板は、５～１０ミクロン、１０～５０ミクロン、５０～１００ミクロン、１００～２００ミクロン、２００～５００ミクロン、５００ミクロン～０．５ｍｍ、０．５～１ｍｍ、１ｍｍ～５ｍｍ、５ｍｍ～１０ｍｍ、または１０ｍｍ～２０ｍｍの厚さを有する。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、（例えば、アレイの中で）隣接基板面積にわたって分配される。
別の側面では、開示される技術は、目標非ネイティブ基板上の複数の印刷されたマイクロシステムであって、複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、中間非ネイティブ基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、複数のマイクロデバイスを電気的に接続する、１００ｎｍ～１μｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る微細相互接続とを含む、複数の印刷されたマイクロシステムと、２μｍ～２ｍｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る粗リソグラフィ相互接続であって、各粗リソグラフィ相互接続は、非ネイティブ基板上の複数のマイクロシステムのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、粗リソグラフィ相互接続とを含む、複合マイクロ組立デバイスを含む。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、赤色マイクロ無機発光ダイオードと、緑色マイクロ無機発光ダイオードと、青色マイクロ無機発光ダイオードと、マイクロ集積回路とを含む。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードとを備える。
ある実施形態では、各マイクロシステムは、ピクセルを形成する。
ある実施形態では、３００，０００個を超えるマイクロ無機発光ダイオードがある。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）とを含む。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）とを含む。
ある実施形態では、目標非ネイティブ基板は、複数のマイクロデバイスのうちの１つに元来備わっていない。
ある実施形態では、目標非ネイティブ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である。
ある実施形態では、デバイスは、目標基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を備える。
ある実施形態では、目標非ネイティブ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する。
ある実施形態では、目標基板は、隣接基板面積を有し、複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２～５μｍ、５～１０μｍ、１０～２０μｍ、または２０～５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、目標基板は、５～１０ミクロン、１０～５０ミクロン、５０～１００ミクロン、１００～２００ミクロン、２００～５００ミクロン、５００ミクロン～０．５ｍｍ、０．５～１ｍｍ、１ｍｍ～５ｍｍ、５ｍｍ～１０ｍｍ、または１０ｍｍ～２０ｍｍの厚さを有する。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、（例えば、アレイの中で）隣接基板面積にわたって分配される。
別の側面では、開示される技術は、複数の印刷されたマイクロシステムを含む、装置を含み、複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、マイクロシステムのそれぞれのマイクロデバイスに元来備わっていない、中間基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、各微細リソグラフィ相互接続が、複数のマイクロデバイスのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、１００ｎｍ～２μｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る微細相互接続であって、複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムがテザーによってバルク中間基板に接続されるように、バルク中間基板から部分的に解放される、１つまたはそれを上回る微細相互接続とを含む。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、赤色マイクロ無機発光ダイオードと、緑色マイクロ無機発光ダイオードと、青色マイクロ無機発光ダイオードとを含む。
ある実施形態では、各マイクロシステムは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードとを備える。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、マイクロ集積回路を備える。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）とを含む。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える。
ある実施形態では、複数のマイクロデバイスは、検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）とを含む。
ある実施形態では、１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的にテザーの上にある。
ある実施形態では、各テザーは、中間基板上のアンカに接続される。
ある実施形態では、１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的にアンカの上にある。
ある実施形態では、複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、それが試験され得るように、完全に機能的である。
ある実施形態では、中間基板は、ガラスウエハ、サファイアウエハ、ポリマーフィルムを伴うガラスウエハ、ポリマーウエハ、透明誘電体キャリアフィルムを備える。
ある実施形態では、本装置は、中間基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を含む。

ある実施形態では、本装置は、中間基板上の１平方センチメートにつき少なくとも１００、１０００、１００００、１０万、または１００万個のマイクロシステムを含む。

本発明は、例えば、以下を提供する。

（項目１）

複合マイクロアセンブリの方法であって、

それに一時的に取り付けられたマイクロシステムを伴う接触表面を有する、転写デバイスを提供するステップであって、前記マイクロシステムは、

中間基板と、

前記中間基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、

前記複数のマイクロデバイスの少なくとも一部に電気的に接続され、それによって、前記マイクロデバイスの前記一部を電気的に連結する、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、

を備える、ステップと、

転写表面上に配置される前記マイクロシステムを、目標基板の受容表面と接触させるステップと、

前記転写デバイスの前記接触表面および前記マイクロシステムを分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記マイクロシステムを転写するステップと、

を含む、方法。

（項目２）

前記目標基板の前記受容表面上に前記マイクロシステムを転写した後に、１０μｍ～２ｍｍの幅を有する粗相互接続を利用して、前記マイクロシステムを前記目標基板上の１つまたはそれを上回る付加的マイクロシステムに電気的に接続し、それによって、マクロシステムを形成するステップを含む、項目１に記載の方法。

（項目３）

その上に支持された、および／またはそこに一時的に取り付けられた前記マイクロシステムを伴う前記接触表面を有する、前記転写デバイスを提供するステップは、

第１のネイティブ基板上に前記複数のマイクロデバイスのうちの第１のマイクロデバイスを形成するステップと、

第２のネイティブ基板上に前記複数のマイクロデバイスのうちの第２のマイクロデバイスを形成するステップと、

それぞれのネイティブ基板から前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを転写するステップと、

前記１つまたはそれを上回る微細相互接続を使用して、前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを電気的に接続するステップであって、前記微細相互接続は、１００ｎｍ～１０μｍの幅を有し、それによって、前記マイクロシステムを形成する、ステップと、

を含む、項目１または２に記載の方法。

（項目４）

微細相互接続を使用して、前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを電気的に接続した後に、前記中間基板上にある間に前記マイクロシステムを試験するステップを含む、項目３に記載の方法。

（項目５）

前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスおよび前記第２のマイクロデバイスを転写した後に、前記バルク中間基板から前記転写デバイスの前記接触表面への前記マイクロシステムの制御された分離を促進するために、前記マイクロシステムがテザーによって前記バルク中間基板に接続されるように、前記バルク中間基板から前記マイクロシステムを部分的に解放するステップを含む、項目３または４に記載の方法。

（項目６）

前記微細相互接続は、少なくとも部分的に前記テザーの上または中にある、項目５に記載の方法。

（項目７）

前記テザーは、前記中間基板上のアンカに接続される、項目５または６に記載の方法。

（項目８）

前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記アンカの上もしくは中にある、項目７に記載の方法。

（項目９）

中間基板上に前記マイクロデバイスを転写するステップは、

第１のマイクロデバイスを整合可能転写デバイスと接触させ、それによって、前記第１のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスに結合するステップと、

前記整合可能転写デバイス上に配置される前記第１のマイクロデバイスを前記中間基板と接触させるステップと、

前記第１のマイクロデバイスから前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記中間基板上に前記第１のマイクロデバイスを転写するステップと、

第２のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスと接触させ、それによって、前記第２のマイクロデバイスを前記整合可能転写デバイスに結合するステップと、

前記整合可能転写デバイス上に配置される前記第２のマイクロデバイスを前記中間基板と接触させるステップと、

前記第２のマイクロデバイスから前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記中間基板上に前記第２のマイクロデバイスを転写するステップと、

を含む、項目３～８のいずれか１項に記載の方法。

（項目１０）

前記中間基板は、前記第１および第２のマイクロデバイスに元来備わっていない、項目１～９のいずれか１項に記載の方法。

（項目１１）

前記接触させるステップおよび分離するステップはそれぞれ、ディスプレイを形成するように少なくとも１００回行われる、項目１に記載の方法。

（項目１２）

前記複数のマイクロデバイスは、

赤色マイクロ無機発光ダイオードと、

緑色マイクロ無機発光ダイオードと、

青色マイクロ無機発光ダイオードと、

を備える、項目１～１１のいずれか１項に記載の方法。

（項目１３）

前記複数のマイクロデバイスは、マイクロ集積回路を備える、項目１～１２のいずれか１項に記載の方法。

（項目１４）

前記中間基板は、ポリマーフィルム、ポリマー、硬化樹脂、エポキシ、ガラス強化エポキシ、ＦＲ４、ガラス、サファイア、透明誘電体キャリアフィルム、誘電体キャリアフィルムから成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、項目１～１３のいずれか１項に記載の方法。

（項目１５）

前記転写デバイスは、エラストマースタンプである、項目１～１４のいずれか１項に記載の方法。

（項目１６）

前記複数のマイクロデバイスは、

電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、

移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、

マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）と、

を備える、項目１～１５のいずれか１項に記載の方法。

（項目１７）

前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、項目１～１５のいずれか１項に記載の方法。

（項目１８）

前記複数のマイクロデバイスは、

検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、

マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）と、

を備える、項目１～１５のいずれか１項に記載の方法。

（項目１９）

前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目１～１８のいずれか１項に記載の方法。

（項目２０）

前記目標基板は、前記複数のマイクロデバイスに元来備わっていない、項目１～１９のいずれか１項に記載の方法。

（項目２１）

目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度（例えば、１－不透明度）を有する、項目１～２０のいずれか１項に記載の方法。

（項目２２）

前記目標基板は、隣接基板面積を有し、前記複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい、項目１～２１のいずれか１項に記載の方法。

（項目２３）

前記複数のマイクロデバイスの前記複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい、項目２２に記載の方法。

（項目２４）

前記複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２～５μｍ、５～１０μｍ、１０～２０μｍ、または２０～５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１～２３のいずれか１項に記載の方法。

（項目２５）

前記目標基板は、５～１０ミクロン、１０～５０ミクロン、５０～１００ミクロン、１００～２００ミクロン、２００～５００ミクロン、５００ミクロン～０．５ｍｍ、０．５～１ｍｍ、１ｍｍ～５ｍｍ、５ｍｍ～１０ｍｍ、または１０ｍｍ～２０ｍｍの厚さを有する、項目１～２４のいずれか１項に記載の方法。

（項目２６）

目標非ネイティブ基板上の複数の印刷されたマイクロシステムであって、前記複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、

中間非ネイティブ基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、

前記複数のマイクロデバイスを電気的に接続する、１００ｎｍ～１μｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、

を備える、複数の印刷されたマイクロシステムと、

２μｍ～２ｍｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る粗リソグラフィ相互接続であって、各粗リソグラフィ相互接続は、前記非ネイティブ基板上の前記複数のマイクロシステムのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、粗リソグラフィ相互接続と、

を備える、複合マイクロ組立デバイス。

（項目２７）

前記複数のマイクロデバイスは、

赤色マイクロ無機発光ダイオードと、

緑色マイクロ無機発光ダイオードと、

青色マイクロ無機発光ダイオードと、

マイクロ集積回路と、

を備える、項目２６に記載のデバイス。

（項目２８）

前記複数のマイクロデバイスは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードとを備える、項目２７に記載のデバイス。

（項目２９）

各マイクロシステムは、ピクセルを形成する、項目２７または２８に記載のデバイス。

（項目３０）

３００，０００個を超えるマイクロ無機発光ダイオードを備える、項目２６～２９のいずれか１項に記載のデバイス。

（項目３１）

前記複数のマイクロデバイスは、

電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、

移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、

マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）と、

を備える、項目２６に記載のデバイス。

（項目３２）

前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、項目２６に記載のデバイス。

（項目３３）

前記複数のマイクロデバイスは、

検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、

マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）と、

を備える、項目２６に記載のデバイス。

（項目３４）

前記目標非ネイティブ基板は、前記複数のマイクロデバイスのうちの１つに元来備わっていない、項目２６～３３のいずれか１項に記載のデバイス。

（項目３５）

前記目標非ネイティブ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目２６～３４のいずれか１項に記載のデバイス。

（項目３６）

前記デバイスは、前記目標基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を備える、項目２６～３５のいずれか１項に記載のデバイス。

（項目３７）

目標非ネイティブ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、項目２６～３６のいずれか１項に記載のデバイス。

（項目３８）

前記目標基板は、隣接基板面積を有し、前記複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい、項目２６～３７のいずれか１項に記載のデバイス。

（項目３９）

前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい、項目３８に記載のデバイス。

（項目４０）

前記複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２～５μｍ、５～１０μｍ、１０～２０μｍ、または２０～５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２６～３９のいずれか１項に記載のデバイス。

（項目４１）

前記目標基板は、５～１０ミクロン、１０～５０ミクロン、５０～１００ミクロン、１００～２００ミクロン、２００～５００ミクロン、５００ミクロン～０．５ｍｍ、０．５～１ｍｍ、１ｍｍ～５ｍｍ、５ｍｍ～１０ｍｍ、または１０ｍｍ～２０ｍｍの厚さを有する、項目２６～４０のいずれか１項に記載のデバイス。

（項目４２）

複数の印刷されたマイクロシステムを備え、前記複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、

前記マイクロシステムのそれぞれのマイクロデバイスに元来備わっていない、中間基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、

各微細リソグラフィ相互接続が、前記複数のマイクロデバイスのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、１００ｎｍ～２μｍの幅を有する、１つまたはそれを上回る微細相互接続であって、前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムがテザーによって前記バルク中間基板に接続されるように、前記バルク中間基板から部分的に解放される、１つまたはそれを上回る微細相互接続と、

を備える、装置。

（項目４３）

前記複数のマイクロデバイスは、

赤色マイクロ無機発光ダイオードと、

緑色マイクロ無機発光ダイオードと、

青色マイクロ無機発光ダイオードと、

を備える、項目４２に記載の装置。

（項目４４）

各マイクロシステムは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードとを備える、項目４３に記載の装置。

（項目４５）

前記複数のマイクロデバイスは、マイクロ集積回路を備える、項目４３に記載の装置。

（項目４６）

前記複数のマイクロデバイスは、

電力増幅器（例えば、ＧａＮ）と、

移相器（例えば、ＧａＡｓ）と、

マイクロ集積回路（例えば、シリコン制御回路）と、

を備える、項目４２に記載の装置。

（項目４７）

前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ）、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、項目４６に記載の装置。

（項目４８）

前記複数のマイクロデバイスは、

検出器（例えば、フォトダイオード、光伝導体）と、

マイクロ集積回路（例えば、制御／読出回路、例えば、シリコン制御回路）と、

を備える、項目４２に記載の装置。

（項目４９）

前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記テザーの上にある、項目４２～４８のいずれか１項に記載の装置。

（項目５０）

各テザーは、前記中間基板上のアンカに接続される、項目４２～４９のいずれか１項に記載の装置。

（項目５１）

前記１つまたはそれを上回る微細相互接続のそれぞれは、少なくとも部分的に前記アンカの上にある、項目５０に記載の装置。

（項目５２）

前記複数のマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、それが試験され得るように、完全に機能的である、項目４２～５１のいずれか１項に記載の装置。

（項目５３）

前記中間基板は、ガラスウエハ、サファイアウエハ、ポリマーフィルムを伴うガラスウエハ、ポリマーウエハ、透明誘電体キャリアフィルムを備える、項目４２～５２のいずれか１項に記載の装置。

（項目５４）

前記装置は、前記中間基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を備える、項目４２～５３のいずれか１項に記載の装置。

（項目５５）

前記装置は、前記中間基板上の１平方センチメートにつき少なくとも１００、１０００、１００００、１０万、または１００万個のマイクロシステムを備える、項目４２～５３のいずれか１項に記載の装置。

（項目５６）

前記複数のマイクロデバイスは、（例えば、アレイの中で）前記隣接基板面積にわたって分配される、項目２２に記載の方法。

（項目５７）

前記複数のマイクロデバイスは、（例えば、アレイの中で）前記隣接基板面積にわたって分配される、項目３８に記載のデバイス。
本開示の前述および他の目的、側面、特徴、ならびに利点は、付随の図面と関連して検討される以下の説明を参照することによって、より明白になり、かつより深く理解されるであろう。
図１は、基板の受容表面上に印刷可能半導体要素を組み立てるための例示的な選択的乾式転写接触印刷方法の説明図である。 図２Ａ－Ｄは、剪断オフセットを使用するマイクロ転写印刷を図示する、断面概略図とともに例示的フローチャートを図示する。 図３は、本発明の実施形態による、複合マイクロアセンブリの例示的方法の説明図である。 図４は、本発明の実施形態による、複合マイクロアセンブリの例示的方法の説明図である。 図５は、本発明の実施形態による、マイクロＬＥＤディスプレイをマイクロ組み立てするための方法の略図である。 図６Ａ－Ｂは、本発明の実施形態による、マイクロＬＥＤディスプレイの複合マイクロアセンブリの説明図である。 図７Ａ－Ｂは、本発明の実施形態による、マイクロＬＥＤディスプレイの複合マイクロアセンブリの説明図である。 図８Ａ－Ｂは、本発明の実施形態による、マイクロ無機ＬＥＤ（ＩＬＥＤ）ディスプレイをマイクロ組み立てする例示的方法を図示する。 図９は、本発明の実施形態による、マイクロＬＥＤディスプレイのためのマイクロシステムを図示する。 図１０は、本発明の実施形態による、多機能システムを形成するようにマイクロデバイスを複合マイクロ組み立てする例示的方法の説明図である。 図１１Ａ－Ｂは、本発明の実施形態による、例示的マイクロシステムの説明図である。 図１２は、本発明の実施形態による、フェーズドアレイ用途に複合マイクロアセンブリを利用することの説明図である。 図１３は、本発明の実施形態による、ディスプレイピクセルである例示的マイクロ組立マイクロシステムの説明図である。 図１４は、本発明の実施形態による、マイクロシステムの下にエッチングされており、壊れやすいテザーによってアンカに取り付けられたままである、例示的マイクロシステムの説明図である。 図１５Ａ－Ｂは、本発明の実施形態による、目標基板に印刷されたマイクロシステムの説明図である。 図１５Ａ－Ｂは、本発明の実施形態による、目標基板に印刷されたマイクロシステムの説明図である。 図１６Ａは、本発明の実施形態による、マイクロシステムの説明図である。 図１６Ｂは、本発明の実施形態による、基板上にマイクロ組み立てされたマイクロシステムの説明図である。 図１７Ａは、本発明の実施形態による、マイクロシステムの説明図である。 図１７Ｂは、本発明の実施形態による、基板上にマイクロ組み立てされたマイクロシステムの説明図である。 図１８Ａは、本発明の実施形態による、マイクロシステムの説明図である。 図１８Ｂは、本発明の実施形態による、基板上にマイクロ組み立てされたマイクロシステムの説明図である。 図１９Ａ－Ｇは、本発明の実施形態による、マイクロシステムを作成するための例示的プロセスを図示する。 図１９Ａ－Ｇは、本発明の実施形態による、マイクロシステムを作成するための例示的プロセスを図示する。 図１９Ａ－Ｇは、本発明の実施形態による、マイクロシステムを作成するための例示的プロセスを図示する。 図１９Ａ－Ｇは、本発明の実施形態による、マイクロシステムを作成するための例示的プロセスを図示する。 図１９Ａ－Ｇは、本発明の実施形態による、マイクロシステムを作成するための例示的プロセスを図示する。 図１９Ａ－Ｇは、本発明の実施形態による、マイクロシステムを作成するための例示的プロセスを図示する。 図１９Ａ－Ｇは、本発明の実施形態による、マイクロシステムを作成するための例示的プロセスを図示する。
本開示の特徴および利点は、類似参照文字が全体を通して対応する要素を識別する、図面と併せて解釈されるときに、以下に記載される発明を実施するための形態からより明白となるであろう。図面では、類似参照番号は、概して、同一、機能的に類似する、および／または構造的に類似する要素を示す。
「印刷」は、半導体要素等の特徴を第１の表面から第２の表面に転写するプロセスを指す。ある側面では、第１の表面は、ドナー表面であり、第２の表面は、受容表面であり、転写は、転写表面を有するスタンプ等の中間表面によって仲介される。ある側面では、第１の表面は、１つまたはそれを上回る半導体要素が支持される、スタンプ上の転写表面であり、スタンプは、要素を標的基板上の受容表面に解放し、それによって、半導体要素をスタンプの転写表面から標的基板上の受容表面に転写することが可能である。ある側面では、印刷は、固体オブジェクトとスタンプ表面との間の接着力が速度感受性である、印刷可能半導体の乾式転写印刷である。
本明細書で使用されるように、「半導体要素」および「半導体構造」という表現は、同義的に使用され、半導体材料、構造、デバイス、またはデバイスの構成要素を広く指す。半導体要素は、高品質単結晶および多結晶半導体、高温処理を介して加工された半導体材料、ドープした半導体材料、有機および無機半導体、ならびに誘電体層もしくは材料および／または伝導層もしくは材料等の１つまたはそれを上回る付加的半導体構成要素ならびに／もしくは非半導体構成要素を有する、複合半導体材料および構造を含む。半導体要素は、トランジスタ、太陽電池を含む太陽光発電装置、ダイオード、発光ダイオード、レーザ、ｐ－ｎ接合部、フォトダイオード、集積回路、およびセンサを含むが、それらに限定されない、半導体デバイスおよびデバイス構成要素を含む。加えて、半導体要素は、最終機能的半導体を形成する部品または部分を指すことができる。
「半導体」は、非常に低い温度において絶縁体であるが、約３００ケルビンの温度において感知され得る電気伝導度を有する材料である、任意の材料を指す。本説明では、半導体という用語の使用は、マイクロエレクトロニクスおよび電子デバイスの技術分野内の本用語の使用と一致することを意図している。本発明で有用な半導体は、シリコン、ゲルマニウム、およびダイヤモンド等の元素半導体、ならびにＳｉＣおよびＳｉＧｅ等のＩＶ族複合半導体、ＡｌＳｂ、ＡｌＡｓ、Ａｌｎ、ＡｌＰ、ＢＮ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＮ、およびＩｎＰ等のＩＩＩ－Ｖ族半導体、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ等のＩＩＩ－Ｖ族三元半導体合金、ＣｓＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、およびＺｎＴｅ等のＩＩ－ＶＩ族半導体、ＣｕＣｌ等のＩ－ＶＩＩ族半導体、ＰｂＳ、ＰｂＴｅ、およびＳｎＳ等のＩＶ－ＶＩ族半導体、ＰｂＩ２、ＭｏＳ２、およびＧａＳｅ等の層半導体、ＣｕＯおよびＣｕ２Ｏ等の酸化物半導体等の化合物半導体を含んでもよい。半導体という用語は、所与の用途もしくはデバイスに有用である有益な電子的性質を提供するように、ｐ型ドーピング材料およびｎ型ドーピング材料を有する半導体を含む、１つまたはそれを上回る選択された材料でドープされる内在半導体ならびに外来半導体を含む。半導体という用語は、半導体および／またはドーパントの混合物を含む、複合材料を含む。本発明のいくつかの用途で有用な具体的半導体材料は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＩｎＰ、およびＧａＩｎＡｓＰを含むが、それらに限定されない。多孔質シリコン半導体材料は、発光ダイオード（ＬＥＤ）およびソリッドステートレーザ等のセンサならびに発光材料の分野内で本発明の用途に有用である。半導体材料の不純物は、半導体材料自体または半導体材料の中で提供される任意のドーパント以外の原子、元素、イオン、もしくは分子である。不純物は、半導体材料の電子的性質に悪影響を及ぼし得る、半導体材料に存在する望ましくない材料であり、酸素、炭素、および重金属を含む金属を含むが、それらに限定されない。重金属不純物は、周期表上の銅と鉛との間の元素群、カルシウム、ナトリウム、ならびに全てのイオン、それらの化合物および／または錯体を含むが、それらに限定されない。
「基板」は、その上または中で、半導体要素のパターン化、組立、もしくは統合等のプロセスが行われる、構造または材料を指す。基板は、（ｉ）半導体要素が加工され、堆積させられ、転写され、または支持される構造、（ｉｉ）デバイス基板、例えば、電子デバイス基板、（ｉｉｉ）後続の転写、組立、または統合のための半導体要素等の要素を有する、ドナー基板、および（ｉｖ）半導体要素等の印刷可能構造を受容するための標的基板を含むが、それらに限定されない。
本明細書で使用されるような「マイクロ」および「マイクロデバイス」という用語は、本発明の実施形態による、あるデバイスまたは構造の記述的サイズを指す。本明細書で使用されるように、「マイクロ」および「マイクロデバイス」という用語は、１～５００μｍの規模の寸法を有する、構造またはデバイスを指すように意図されている。具体的には、マイクロデバイスは、１～５００ミクロン、５０～５００ミクロン、または１０～２５０ミクロンの範囲内の幅もしくは長さを有することができる。マイクロデバイスの厚さは、典型的には、デバイスの幅もしくは長さのいずれか一方より小さく、例えば、２０ミクロン未満、１０ミクロン未満、または５ミクロン未満である。しかしながら、本発明の実施形態は、必ずしもそのように限定されず、実施形態のある側面は、より大きいまたは小さいサイズ規模に適用可能であり得ることを理解されたい。
本明細書で使用されるような「マイクロシステム」は、目標基板上にマイクロ転写印刷するために中間基板上に配列される２つまたはそれを上回るマイクロデバイスを指す。実施形態では、２つまたはそれを上回るマイクロデバイスは、ワイヤ等の導電体を用いて中間基板上で相互接続される。例えば、マイクロシステムは、プラスチックまたはガラス基板上に配列され、微細リソグラフィによって作製されたワイヤを使用して相互接続される、赤色マイクロＬＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、および青色マイクロＬＥＤであってもよい。マイクロシステムは、マクロシステム（例えば、ディスプレイ）を形成するように、目標基板上に組み立てられる（例えば、マイクロ転写印刷される）ことができる。
「中間基板」は、２つまたはそれを上回るマイクロデバイスがマイクロシステムを形成するように配列される、基板を指す。具体的には、マイクロデバイスは、マイクロシステム全体（マイクロデバイスおよび中間基板を含む）が目標基板上にマイクロ組み立てされ得るように、中間基板上に配列される。
本明細書で使用されるような「目標」または「標的」基板は、半導体要素、マイクロデバイス、もしくはマイクロシステム等の印刷可能構造を受容するための基板を指す。例示的「目標」または「標的」基板は、種々のプラスチック、ガラス、サファイア、ならびに他の透明、半透明、可撓性、および半可撓性材料を含む。
本明細書で使用されるような「微細」相互接続およびリソグラフィは、本発明の実施形態による、あるデバイス、相互接続、または構造の記述的サイズを指す。本明細書で使用されるように、「微細」という用語は、例えば、１０ミクロン、５ミクロン、２ミクロン、もしくは１ミクロン未満またはそれと等しい規模の構造もしくはデバイスを指すように意図されている。しかしながら、本発明の実施形態は、必ずしもそのように限定されず、実施形態のある側面は、より大きいまたは小さいサイズ規模に適用可能であり得ることを理解されたい。
本明細書で使用されるような「粗」相互接続およびリソグラフィは、本発明の実施形態による、あるデバイス、相互接続、または構造の記述的サイズを指す。本明細書で使用されるように、「粗」という用語は、１０ミクロンを上回る、１００ミクロンを上回る、または５００ミクロンを上回る規模の構造もしくはデバイスを指すように意図されている。しかしながら、本発明の実施形態は、必ずしもそのように限定されず、実施形態のある側面は、より大きいまたは小さいサイズ規模に適用可能であり得ることを理解されたい。
「誘電体」および「誘電体材料」は、本説明で同義的に使用され、電流に対して高度に耐性がある物質を指す。有用な誘電体材料は、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＮ４、ＳＴＯ、ＢＳＴ、ＰＬＺＴ、ＰＭＮ、およびＰＺＴを含むが、それらに限定されない。
「ポリマー」は、典型的には、単量体と称される、複数の反復化学基を含む、分子を指す。ポリマーは、多くの場合、高分子量によって特徴付けられる。本発明で使用可能なポリマーは、有機ポリマーまたは無機ポリマーであり得、非晶質、半非晶質、結晶、もしくは部分的結晶状態にあり得る。ポリマーは、同一の化学組成を有する単量体を含むことができ、または共重合体等の異なる化学組成を有する複数の単量体を含むことができる。結合された単量体鎖を有する架橋ポリマーが、本発明のいくつかの用途のために特に有用である。本発明の方法、デバイス、およびデバイス構成要素で使用可能なポリマーは、プラスチック、エラストマー、熱可塑性エラストマー、エラストプラスチック、サーモスタット、熱可塑性物質、およびアクリレートを含むが、それらに限定されない。例示的ポリマーは、アセタールポリマー、生分解性ポリマー、セルロースポリマー、フッ素重合体、ナイロン、ポリアクリロニトリルポリマー、ポリアイミド・イミドポリマー、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリベンゾイミダゾール、ポリブチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエーテルイミド、ポリエチレン、ポリエチレン共重合体および変性ポリエチレン、ポリケトン、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリメチルペンテン、ポリフェニレン酸化物およびポリフェニレン硫化物、ポリフタルアミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、スチレン樹脂、スルホン系樹脂、ビニル系樹脂、またはこれらの任意の組み合わせを含むが、それらに限定されない。
図１は、参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる、米国特許第７，６２２，３６７号で説明されるように、基板の受容表面上に印刷可能半導体要素を組み立てるための選択的乾式転写接触印刷方法を図示する、概略図を提供する。複数の印刷可能半導体要素１００が、明確に画定された位置および空間的配向によって特徴付けられる印刷可能半導体要素１００の第１のパターン１１０で母基板１０５上に加工される。複数の離散結合領域１２５を伴う接触表面１２０を有する、整合可能転写デバイス１１５が、母基板１０５上の印刷可能半導体要素１００の少なくとも一部と整合して接触させられる。接触表面１２０上の結合領域１２５は、印刷可能半導体要素１００に対する親和性によって特徴付けられ、ＰＤＭＳ層の表面から延在するヒドロキシル基を有する領域、もしくは１つまたはそれを上回る接着剤層でコーティングされる領域等の化学修飾領域であってもよい。整合した接触は、接触表面１２０上の結合領域１２５に接触する、印刷可能半導体要素１００の少なくとも一部を転写する。接触表面１２０に転写される印刷可能半導体要素１００は、プラスチック基板等のフレキシブル基板であり得る、基板１３５の受容表面１３０と接触させられる。半導体要素１００および接触表面１２０の後続の分離は、基板１３５の受容表面１３０上の半導体要素１００の組立をもたらし、それによって、印刷可能半導体要素１００の第１のパターン１１０と異なる、明確に画定された位置および空間的配向によって特徴付けられる、印刷可能半導体要素１００の第２のパターン１４０を生成する。図１に示されるように、母基板１０５上にとどまる印刷可能半導体要素１００は、印刷可能半導体要素１００の第１および第２のパターン１１０、１４０と異なる、印刷可能半導体要素１００の第３のパターン１４５によって特徴付けられる。第３のパターン１４５を備える印刷可能半導体要素１００は、後に、選択的乾式転写方法を含む、本発明の印刷方法を使用して、基板１３５もしくは別の基板に転写され、および／またはその上に組み立てられてもよい。
図２Ａ－Ｄは、参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる、米国特許第８，５０６，８６７号で議論されるように、転写印刷スタンプの剥離を制御するための方法を図示する。第１に、スタンプ２１０は、公開された乾式転写印刷文献（例えば、Ｋｈａｎｇらの米国特許第７，６２２，３６７号を参照）で説明されるような標準手順を使用して、印刷可能半導体要素２２０のアレイを装着される。ある側面では、印刷可能半導体要素２２０は、レリーフ特徴２７４の３次元パターンの外面に対応する、印刷表面２７２上にある。スタンプは、受容基板表面２３０に近接近させられる（すなわち、１００μｍ未満またはそれと等しい範囲内にある）（図２Ａ）。受容基板２３０へのスタンプ２１０の精密な光学的整列後に、スタンプ２１０は、スタンプバッキング頂面２４０上への一様な空気圧２３５の印加によって、受容基板２３０と整合して接触させられる（図２Ｂ）。次いで、（例えば、ｘ－ｙ面と実質的に平行な方向に印加される）面内剪断力２５０が、（整列位置から離れた）精密変位オフセット２６５だけ（スタンプ２１０を保持する）ツールヘッド装置を移動させることによってスタンプに、または受容基板２３０の精密変位によって受容基板２３０に印加される（図２Ｃ）。本側面では、結果が、図２Ｃに示されるように、インク付きスタンプ２１０と受容表面２３０との間の整合した接触を早期に完全に断つことなく、スタンプ２１０と受容表面２３０との間の面内変位または剪断オフセット２６５である限り、剪断力または変位２５０は、スタンプ２１０、受容表面２３０、または両方に印加されることができる。本剪断力は、スタンプ底面に伝達され、スタンプ印刷支柱２７０のいくらかの弾性機械的変形を引き起こす。最終的に、スタンプ２１０は、受容表面２３０に対して垂直（Ｚ）方向２８０にスタンプ２１０を移動させ、同時に、スタンプバッキング上に印加される空気圧２３５を減少させることによって、受容基板２３０から剥離される（図２Ｄ）。垂直運動は、垂直方向に矢印２８０によって示され、スタンプ２１０を移動させること、受容基板２３０を移動させること、または相互に対して両方を移動させることによって、垂直運動が制御されることができる。空気圧の減少は、図２Ｂと比較して矢印２３５の規模の減少によって表される。
図３は、複合マイクロアセンブリの例示的方法３００の説明図である。いくつかの実装では、デバイスが、ネイティブ基板上に形成される（３０２）。これは、第１のネイティブ基板上に複数の第１のマイクロデバイスを形成するステップと、（例えば、第１のネイティブ基板と異なる）第２のネイティブ基板上に複数の第２のマイクロデバイスを形成するステップとを含んでもよい。次いで、マイクロデバイスは、中間基板上にマイクロ組み立てされる（３０４）。例えば、複数の第１のマイクロデバイスおよび複数の第２のマイクロデバイスは、中間基板上にマイクロ組み立てされてもよい。
中間基板上のマイクロデバイスは、マイクロシステムを形成するように相互接続される（３０６）。異なるマイクロデバイスの完全なセットが、個々のマイクロシステムを構成する。例えば、各第１のマイクロデバイスは、微細リソグラフィ（例えば、１００ｎｍ～１０μｍの幅を伴う微細相互接続）を使用して、それぞれの第２のマイクロデバイスと電気的に接続／連結され、それによって、複数のマイクロシステムを形成してもよい。付加的マイクロデバイスが、中間基板に印刷され、マイクロシステムの一部を形成してもよい。デバイスは、相互に、または電源に、データ線に、行で、列で、もしくはマイクロシステムの動作のための必要に応じて他の方法で接続されてもよい。各マイクロシステムは、本実施例では、中間基板の一部と、第１のマイクロデバイスと、第２のマイクロデバイスと、それぞれの第１および第２のマイクロデバイスを（例えば、相互に、もしくは他のデバイス、源、線、ならびに同等物に）電気的に連結する１つまたはそれを上回る微細相互接続とを含む。
次いで、マイクロシステムは、目標基板上にマイクロ組み立てされ（３０８）、粗リソグラフィ（例えば、１０μｍ～２ｍｍの幅を伴う相互接続）を使用して、（例えば、用途／生産されているデバイスに特有の）適切な構成で電気的に接続され、それによって、マクロシステムを形成してもよい（３１０）。
一実施例では、複合マイクロアセンブリ技法が、マイクロＬＥＤディスプレイを形成するために使用されてもよい。本実施例では、マイクロデバイスは、赤色、緑色、および青色ＬＥＤを含む。マイクロデバイスはまた、黄色ＬＥＤ、集積回路（例えば、シリコン駆動回路等の駆動回路）、センサ、アンテナ、および／または太陽電池を含んでもよい。集積回路、センサ、および太陽電池が、典型的には、シリコン基板において提供される一方で、発光体は、典型的には、他の半導体材料、例えば、窒化ガリウム、アルミニウムガリウム窒化物、ヒ化ガリウム、ガリウムヒ素リン、リン化ガリウム、インジウムガリウムヒ化物、またはインジウムガリウムリン化物において提供される。本実施例では、マイクロシステムは、ディスプレイを形成するように組み立てられる。マイクロシステムは、いくつかの実装では、適切な数のピクセルを目標基板に転写した後に相互接続される、個々のピクセルである。
別の実施例では、複合マイクロアセンブリ技法が、フェーズドアレイアンテナ（例えば、ビーム形成レーダ）を形成するために使用されてもよい。本実施例では、マイクロデバイスは、電力増幅器（例えば、ＧａＮ系）、低雑音増幅器（例えば、ＩｎＰ系）、移相器（例えば、ＧａＡｓ系）、またはシリコン制御回路を含んでもよい。各マイクロシステムは、本実施例では、個々のアンテナまたはアンテナのクラスタのための制御システムである。結果として生じるマクロシステムは、ビーム形成フェーズドアレイを集合的に形成する、アンテナアレイおよび関連制御システムである。
別の実施例では、複合マイクロアセンブリ技法が、検出器アレイ（例えば、Ｘ線検出器）を形成するために使用されてもよい。マイクロデバイスは、本実施例では、フォトダイオード、光伝導体等の検出器と、典型的にはシリコン基板において提供される制御／読出回路（例えば、シリコン系回路）とを含む。マイクロシステムは、ともに配線された検出器および制御／読出要素を含む、検出器ピクセルである。マクロシステムは、相互接続されたピクセルのアレイから形成される、大面積検出器である。
図４は、複合マイクロアセンブリの例示的方法４００を図示する。いくつかの実装では、デバイスが、ネイティブ基板上に形成される（４０２）。これは、第１のネイティブ基板上に複数の第１のマイクロデバイスを形成するステップと、（例えば、第１のネイティブ基板と異なる）第２のネイティブ基板上に複数の第２のマイクロデバイスを形成するステップとを含んでもよい。次いで、マイクロデバイスは、中間基板上にマイクロ組み立てされる（４０４）。例えば、複数の第１のマイクロデバイスおよび複数の第２のマイクロデバイスは、中間基板上にマイクロ組み立てされてもよい。
中間基板上のマイクロデバイスは、マイクロシステムを形成するように相互接続される（４０６）。マイクロシステムは、各マイクロシステムが完全に機能的であるように相互接続されてもよい。次いで、マイクロシステムは、それらが適切に機能していることを検証するように試験される（４０８）。複合マイクロアセンブリを使用して形成されるディスプレイの実施例では、ピクセルを目標基板（例えば、ガラス、サファイア、プラスチック）に転写することに先立って、各個別ピクセルが、不良ピクセルを識別するように試験されてもよい。任意の欠陥マイクロシステムが識別され、除去または（例えば、レーザで）照射され、もしくは転写デバイスによって取り上げられないように、真空コレット、エラストマースタンプ、または採集ツールによって機械的に除去されてもよい。
良品マイクロシステムは、目標基板上にマイクロ組み立てされてもよい（４１０）。次いで、マイクロシステムは、粗リソグラフィを使用して、（例えば、相互に、および／または他のデバイス、源、線、および同等物に）電気的に接続され、それによって、マクロシステムを形成してもよい（４１２）。粗リソグラフィは、いくつかの実装では、１０μｍ～２ｍｍの幅を伴う相互接続を提供する。
図５は、マイクロＬＥＤディスプレイをマイクロ組み立てするための方法の略図である。マイクロアセンブリは、異種材料の機能性を不均一に統合されたシステムに組み込むための有利なストラテジである。結果として生じるシステムは、マイクロ組立ユニットの微細な規模により、モノリシックユニットの外観ならびに性質を有することができ、そうでなければ構成材料タイプまたは従来の手段によって組み立てられた構成物質の組み合わせからアクセス可能ではない性質を呈することができる。
図５は、高度に機能的なディスプレイ５０８を形成するように、集積回路５０４（例えば、シリコン）、赤色ＬＥＤ５０２ｃ、緑色ＬＥＤ５０２ｂ、および青色ＬＥＤ５０２ａ（例えば、ＩＩＩ－Ｖ ＬＥＤ材料から形成されるＲＧＢ ＬＥＤ）、ならびにガラスまたはプラスチック基板５０６のマイクロアセンブリを図示する。結果として生じるシステムは、シリコン集積回路（ＩＣ）５０４の制御および論理能力、ＩＩＩ－Ｖ ＬＥＤ５０２の効率的な光生成、ならびにガラス（またはプラスチック）の透明度を呈する。マイクロアセンブリは、事実上不可視であるために十分に小さい構成要素のアレイを非ネイティブ基板（例えば、ガラスまたはプラスチック）上に調製する実用的手段を提供することによって、透明度の外観を一意に保つ。したがって、結果として生じるシステム５０８は、モノリシックシステムに類似する均一な外観を有する。
電子的に操向可能なアンテナ（例えば、フェーズドアレイ）は、従来の手段によって実用的にアクセス可能ではない特性を伴うアレイを生産するように、ＲＧＢ ＬＥＤ（例えば、ＩＩＩ－ＩＶ族ＲＧＢ ＬＥＤ）および他の高周波数デバイスの多様な組み合わせを、低費用、大面積、随意に可撓性のフレキシブル基板と組み合わせる、マイクロアセンブリから利益を得る別のタイプのシステムを表す。
図６Ａ－６Ｂは、マイクロＬＥＤディスプレイの複合マイクロアセンブリの説明図である。多様な機能性または材料を使用するマイクロアセンブリのいくつかの用途は、複合マイクロアセンブリプロセスから利益を得る。複合マイクロアセンブリプロセスは、マイクロ組立システム（マクロシステム）のアレイの機能的ユニットを提供する、多機能異種統合マイクロスケール要素（マイクロシステム）を生産する。
ディスプレイ用途では、図６Ａに示されるようなマイクロアセンブリ技法は、ＲＧＢ ＬＥＤ６０４（例えば、ＩＩＩ－Ｖ族ＲＧＢマイクロ無機発光ダイオード）の追加によって、集積回路機能性を含むシリコンオンインシュレータ基板６０２上に多機能要素（マイクロシステム）６０６を形成する。図６Ｂに示されるような第２のマイクロアセンブリプロセスは、ディスプレイデバイス基板６０８上に多機能要素６０６のアレイを形成し、それによって、複合マイクロアセンブリによってディスプレイ（マクロシステム）６１０を形成する。複合マイクロアセンブリの利益は、削減された組立費用および増加したスループット、マクロシステムにおける削減されたＩ／Ｏ数、向上した透明度、ならびに向上した性能を含むが、それらに限定されない。また、マイクロシステムが、ウエハ上に加工されてもよく、最先端のウエハレベルリソグラフィ（例えば、１０ミクロン未満またはそれと等しい、５ミクロン未満またはそれと等しい、２ミクロン未満またはそれと等しい、もしくは１ミクロン未満またはそれと等しい寸法を有する、微細リソグラフィ）を使用して、相互接続されることができる。微細リソグラフィは、目標基板に転写されることに先立って、マイクロシステムがウエハ上で高密度構成にあるという理由を含む、種々の理由で、マイクロシステムにとって費用効果的である。１０ミクロンを上回る、１００ミクロンを上回る、または１０００ミクロンを上回る寸法を有する、粗リソグラフィが、目標基板に転写された後にマイクロシステムを配線するために使用されてもよい。これは、いくつかある理由の中で特に、より大型の導電線が、各マイクロデバイスに接続するために目標基板上で使用されることができ、マイクロシステムを目標基板に転写することに先立って形成されることができるため、可能にされる。
図７Ａ－７Ｂは、マイクロＬＥＤディスプレイの複合マイクロアセンブリの説明図である。図７Ａに示されるような第１のマイクロアセンブリは、ＲＧＢ ＬＥＤ７０４（例えば、ＩＩＩ－Ｖ族ＲＧＢマイクロ無機発光ダイオード）の追加によって、集積回路機能性を含む基板７０２（例えば、シリコンオンインシュレータまたはガラス）上に多機能要素（マイクロシステム）７０６を形成する。
本実施例では、第１のマイクロアセンブリは、図７Ａに示されるように、中間ウエハ上に作業超高解像度ディスプレイを生成する。欠陥マイクロ組立ピクセル（マイクロシステム）が検出され、欠陥ピクセルが最終基板（例えば、ディスプレイ）上に組み立てられることを防止するように、除去または（例えば、レーザで）照射される、もしくは真空コレット、エラストマースタンプ、または採集ツールによって機械的に除去される等のプロセスが行われる。
図７Ｂに示されるような第２のマイクロアセンブリプロセスは、ディスプレイデバイス基板７０８（例えば、ガラス、プラスチック、またはサファイア）上に多機能要素７０６のアレイを形成し、それによって、複合マイクロアセンブリによってディスプレイ（マクロシステム）７１０を形成する。いくつかの実装では、第２のマイクロアセンブリプロセスが、図７Ｂに示されるように、良品マイクロシステムを最終デバイス基板に転写する。したがって、複合マイクロアセンブリは、高収率ディスプレイを達成するようにピクセル試験を適用する新しい方法を可能にする。
図８Ａ－８Ｂは、マイクロ無機ＬＥＤ（マイクロＬＥＤ）ディスプレイをマイクロ組み立てする例示的方法を図示する。本実施例では、モノリシック多機能システム（ＬＥＤディスプレイ８１０）が、複合マイクロアセンブリによって形成される。マイクロアセンブリは、ポリマーフィルムを伴うガラスウエハまたはポリマーウエハ等の支持基板８０２上にマイクロＬＥＤおよびマイクロＩＣ８０４等の多様なマイクロスケール構成要素を配置することによって、多機能統合小型要素（マイクロシステム）を生産するために使用される。多機能統合転写可能要素８０６が、後に、例えば、支持基板上の多様なマイクロスケール構成要素の相互接続によって、支持基板上に形成されてもよい。マイクロシステムは、例えば、転写可能要素（マイクロシステム）を束縛および解放し、それによって、無機発光ダイオードディスプレイ（マクロシステム）の機能的ユニットを作成することによって、マイクロアセンブリのために準備されてもよい。マイクロシステムを束縛および解放するステップは、いくつかの実装では、マイクロシステムのマイクロシステム位置または配向がテザーによって維持されるように、マイクロシステムを支持する材料の少なくとも一部をエッチングするステップを含む。図８Ｂに示されるような第２のマイクロアセンブリプロセスは、例えば、エラストマースタンプをマイクロシステムの最上部に接触させることによって、複合マイクロアセンブリによるマイクロＬＥＤディスプレイ（マクロシステム）８１０の形成中に、多機能統合要素（マイクロシステム）８０６のアレイを支持基板からディスプレイデバイス基板８０８（例えば、ガラスまたはポリマー）に転写する。
図９は、マイクロＬＥＤディスプレイのためのマイクロシステムを図示する。いくつかの実装では、各マイクロシステムは、ディスプレイのためのピクセルを形成する。各ピクセルは、赤色マイクロＬＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、および青色マイクロＬＥＤを含有してもよい。いくつかの実装では、各ピクセルは、黄色または他の付加的な色のマイクロＬＥＤを含有することができる。いくつかの実装では、各ピクセルはまた、冗長マイクロＬＥＤ（例えば、ＲＧＢディスプレイのための合計６個のマイクロＬＥＤ）も含む。加えて、いくつかの実装では、各マイクロシステムは、不揮発性メモリ、メモリ、電力管理、入力／出力端子、データ線、電力線、および／または変調／復調システム等の制御回路（例えば、シリコン系制御回路）を含んでもよい。いくつかの実装では、付加的構成要素が、センサ、光学Ｉ／Ｏ、色変換器、および／またはＩＩＩ－Ｖ電力管理構成要素等のマイクロシステム内に提供されてもよい。
図１０は、多機能システムを形成するようにマイクロデバイスを複合マイクロ組み立てする例示的方法の説明図である。いくつかの実装では、多様なマイクロ構成要素が、ネイティブ基板上のマイクロアセンブリのために準備される。多機能支持基板が準備され、例えば、ワイヤまたは接触パッド等の相互接続、基板を通した相互接続（ビア）を形成すること、もしくは接着剤、硬化性、または絶縁コーティングを提供すること、もしくは支持基板上に受動構成要素または構造を提供することによって、機能性が多機能支持基板に付与される。多機能要素（すなわち、マイクロシステム）が、多機能支持基板上への多様なマイクロ構成要素のマイクロアセンブリによって形成される。次いで、多機能要素は、第２のマイクロアセンブリプロセスのために準備される。多機能要素のアレイが、システムデバイス基板上に形成される。アレイを形成した後、いくつかの実装では、相互接続および単体化等の用途特有の処理が行われる。次いで、完全なモノリシック多機能システムが、複合マイクロアセンブリによって形成される。
図１１Ａ－１１Ｂは、例示的マイクロシステムの説明図である。図１１Ａは、原始的マイクロシステムの説明図であり、図１１Ｂは、多様なマイクロシステムの説明図である。図１１Ａに示されるように、マイクロシステムは、支持構造を含む単一の能動構成要素、ならびに基板を通した相互接続等の相互接続特徴を含んでもよい。対照的に、図１１Ｂに示されるように、マイクロシステムは、複数の能動構成要素と、支持構造とを含んでもよい。例えば、多様なマイクロシステムは、マイクロＬＥＤ、コンデンサ、アンテナ、集積回路、メモリ、光電池、レーザ、ＲＦ Ｉ／Ｏ、フォトダイオード、フィルタ、および色変換器のうちの１つまたはそれを上回るものを含んでもよい。多様なマイクロシステムは、いくつかの実装では、（例えば、各マイクロシステム内のアンテナまたは太陽センサを利用する）マイクロＬＥＤディスプレイのピクセルの非接触インラインおよびインフィールド診断のための能力を提供する。加えて、同一の特徴が、無線Ｉ／Ｏおよび電力Ｉ／Ｏを提供する。
図１２は、フェーズドアレイ用途のための複合マイクロアセンブリの説明図である。複合マイクロアセンブリは、フェーズドアレイ用途のための製造フローの利益になる。これらの実施形態では、マイクロアセンブリ技法は、電力増幅器、低雑音増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から選択される、多様なマイクロ構成要素から、マイクロシステムを形成する。第２のマイクロアセンブリプロセスは、フェーズドアレイの放射要素（アンテナ）との統合のために、フェーズドアレイデバイス基板上にマイクロシステムのアレイを形成する。
図１３は、ディスプレイピクセルである、例示的マイクロ組立マイクロシステム１３００の説明図である。本実施例では、マイクロシステムは、赤色マイクロＬＥＤと、緑色マイクロＬＥＤと、青色マイクロＬＥＤと、マイクロ集積回路（例えば、ドライバ回路）とを含む。いくつかの実装では、ディスプレイのためのマイクロシステムは、黄色マイクロＬＥＤ、センサ、または冗長マイクロＬＥＤを含んでもよい。相互接続は、微細リソグラフィ（例えば、１００ｎｍ～１０μｍの幅を伴う微細相互接続）を使用して形成される。マイクロシステムは、試験中に、またはマイクロシステムが目標に転写された後に最終ディスプレイ内に、入力／出力のための接続パッドを含んでもよい。マイクロシステムが目標基板（例えば、ガラス、プラスチック、サファイア、樹脂、エポキシ、ガラス強化エポキシ積層板、またはＦＲ４）に印刷された後に、例えば、１０ミクロンを上回る特徴サイズを有する、粗リソグラフィが、マイクロシステムを配線してディスプレイを形成するために使用される（例えば、１０μｍ～２ｍｍの幅を伴う粗リソグラフィ相互接続）。
ディスプレイは、例えば、Ｑｕａｒｔｅｒ－ＶＧＡ、４Ｋ、および／またはＨＤディスプレイであってもよい。ディスプレイ（したがって、マイクロシステム）内のピクセルの数は、生産されるディスプレイのタイプによって変動し得る。例えば、ディスプレイは、７６，８００個のピクセル、９，４３７，１８４個のピクセル、またはＮＴＳＣもしくは種々の高解像度規格等の標準ディスプレイサイズで見出される他の量のピクセルを含んでもよい。マイクロＬＥＤの数もまた、ディスプレイのサイズ、および冗長マイクロＬＥＤがあるかどうかに基づいて変動するであろうが、例示的ディスプレイは、４６０，８００個のマイクロＬＥＤまたは５６，６２３，１０４個のマイクロＬＥＤ、もしくはフルカラー冗長ピクセルを含む他の標準ディスプレイサイズを含んでもよい。各ピクセルは、１０μｍ～１，０００μｍの幅または高さを有してもよい。
図１４は、マイクロシステムの下にエッチングされており、壊れやすいテザーによってアンカに取り付けられたままである、例示的マイクロシステムの平面図である。壊れやすいテザーは、マイクロシステムが転写デバイスによって取り上げられるときに壊れるように設計される。いくつかの実装では、マイクロシステムは、複数の壊れやすいテザーを用いてアンカに接続される。他の実装では、単一のテザー（例えば、単一の偏心テザー）が、マイクロシステムをアンカに接続する。いくつかの実装では、マイクロシステムは、複数のアンカに接続される。
図１５Ａ－Ｂは、目標基板に印刷されたマイクロシステムの実施例である。マイクロシステムは、弛緩した金属化特徴（例えば、粗リソグラフィ）を使用して配線される。対照的に、マイクロシステムは、上記で議論されるように、はるかに微細なウエハレベル相互接続（例えば、１００ｎｍ～１０μｍ）を利用する。微細（ウエハレベル）相互接続特徴およびより大型のパネルレベル相互接続特徴の本組み合わせは、本複合マイクロアセンブリストラテジによって可能にされる。例えば、いくつかの実装では、微細リソグラフィが、各マイクロシステムを配線するために使用され、次いで、粗リソグラフィが、目標基板（例えば、マクロシステム基板）に印刷された後にマイクロシステムを配線するために使用される。図１５Ｂに示されるように、マイクロシステムは、冗長配列で配列されてもよい。（冗長マイクロシステムを含む）マイクロシステムの全ては、同時に配線されてもよい。いくつかの実装では、冗長マイクロシステムは、欠陥マイクロシステムについて試験した後に配線されてもよい。欠陥マイクロシステムは、隣接冗長マイクロシステムを配線することによって修理されてもよい。
図１６Ａは、マイクロシステム１６０２の説明図であり、図１６Ｂは、基板１６０４（例えば、バックプレーン、例えば、ガラス、プラスチック、サファイア）上にマイクロ組み立てされたマイクロシステム１６０２の説明図である。本実施例では、マイクロデバイス１６０２は、マイクロデバイス１６０２が基板１６０４に転写された後に、マイクロデバイス１６０２が線１６０８ａ－ｂによって相互接続されるように、マイクロシステム１６０２の最上部の上で露出される端子１６０６ａ－ｂを含む。端子１６０６ａ－ｂは、微細リソグラフィを使用して形成されてもよく、線１６０８ａ－ｂは、上記で説明されるように粗リソグラフィによって形成されてもよい。
図１７Ａは、マイクロシステム１７０２の説明図であり、図１７Ｂは、基板１７０４（例えば、バックプレーン、例えば、ガラス、プラスチック、サファイア）上にマイクロ組み立てされたマイクロシステム１７０２の説明図である。本実施例では、マイクロデバイス１７０２は、マイクロシステム１７０２の最上部の上で接続パッド１７１０ａ－ｂに電気的に連結される、端子１７０６ａ－ｂを含む。相互接続線１７０８ａ－ｂは、その上にマイクロシステム１７０２をマイクロ組み立てすることに先立って、基板１７０４上に形成される。マイクロデバイス１７０２は、反転させられ、接続パッド１７１０ａ－ｂが相互接続線１７０８ａ－ｂに電気的に連結されるように、基板１７０４に転写される。本構成は、マイクロシステム１７０２を転写することに先立って、大面積／粗リソグラフィが最初に行われることを可能にする。加えて、図１７Ｂに示されるマクロシステムは、マイクロシステム１７０２が基板１７０４に転写されるとすぐに試験可能である。また、いくつかの実装では、マイクロシステムは、パネルレベルで故障がある場合に外されて交換されてもよい。
図１８Ａは、マイクロシステム１８０２の説明図であり、図１８Ｂは、基板１８０４（例えば、バックプレーン、例えば、ガラス、プラスチック、サファイア）上にマイクロ組み立てされたマイクロシステム１８０２の説明図である。本実施例では、マイクロデバイス１８０２は、マイクロシステム１８０２の底面上で露出された端子１８０６ａ－ｂを含む。相互接続線１８０８ａ－ｂは、その上にマイクロシステム１８０２をマイクロ組み立てすることに先立って、基板１８０４上に形成される。マイクロデバイス１８０２は、端子１８０６ａ－ｂが相互接続線１８０８ａ－ｂに電気的に連結されるように、基板１８０４に転写される。
図１９Ａ－Ｇは、マイクロシステムを作成するための例示的プロセスを図示する。ウエハ１９０４は、図１９Ａに示されるように、その上に形成された中間基板１９０２（例えば、ガラス、プラスチック、ポリマーフィルム、またはポリマーウエハ）を提供されることができる。いくつかの実装では、中間基板１９０２およびウエハ１９０４は、同一の材料で形成される。中間基板１９０２およびウエハ１９０４の一部は、図１９Ｂに示されるように除去され、それによって、ウェル１９０６を残す。ウェル１９０６は、図１９Ｃに示されるように、接続パッド１９０８を形成するように伝導性材料でコーティングされる。接続パッド１９０８は、マイクロシステムが目標基板に転写された後に、マイクロシステム内のマイクロデバイスをマクロシステム上の導電線に接続するために使用されることができる。図１９Ｄに示されるように、マイクロデバイス１９１０ａ－ｂは、マイクロアセンブリによって中間基板１９０２上に堆積させられる。本実施例では、マイクロデバイス１９１０ａは、図１９Ｅに示されるように、微細導電線１９１２によって、接続パッド１９０８に電気的に連結される。本線は、上記で説明されるように微細リソグラフィを使用して形成されてもよい。接続パッド１９０８、微細導電線１９１２、およびマイクロデバイス１９１０ａ－ｂは、カプセル化層１９１４によって覆われてもよい（図１９Ｆ）。カプセル化層１９１４は、マイクロシステムを保護すること、またはマイクロシステムを目標基板にマイクロ転写印刷することを促進する表面を提供することを含む、種々の機能性を提供してもよい。図１９Ｇに示されるように、マイクロシステム（例えば、ウエハ１９０４の一部）の下方の面積は、マイクロシステムが目標基板上でマイクロ組み立てされるために準備されるように、エッチングされてもよい。加えて、中間基板１９０２の一部１９１６は、マイクロシステムが、１つまたはそれを上回るアンカおよび１つまたはそれを上回るテザー（例えば、中間基板の一部で形成される）によってウエハ１９０４に取り付けられるのみであるように、エッチングされてもよい。さらに、エッチングは、マイクロシステムが目標基板にマイクロ転写印刷されるときに、接続パッド１９０８が接触パッドに電気的に接続することができるように、接続パッド１９０８を露出することができる。
開示される技術の種々の実施形態を説明してきたが、概念を組み込む他の実施形態が使用され得ることが、当業者に明白となるであろう。したがって、これらの実施形態は、開示される実施形態に限定されるべきではなく、むしろ、以下の請求項の精神および範囲のみによって限定されるべきであると考えられる。
本発明の種々の説明される実施形態は、技術的に不適合ではない限り、１つまたはそれを上回る他の実施形態と併せて使用され得る。
装置およびシステムが、具体的構成要素を有する、含む、または備えるとして表されている、もしくはプロセスおよび方法が、具体的ステップを有する、含む、または備えるとして表されている、説明の全体を通して、加えて、記載される構成要素から本質的に成る、または成る、開示される技術の装置およびシステムがあり、記載される処理ステップから本質的に成る、または成る、開示される技術によるプロセスおよび方法があることが考慮される。
ステップの順序またはある動作を行うための順序は、開示される技術が動作可能なままである限り、重要ではないことを理解されたい。また、２つまたはそれを上回るステップもしくは動作が、同時に行われ得る。

Claims (15)

  1. 目標非ネイティブ基板上の複数の印刷されたマイクロシステムであって、前記複数の印刷されたマイクロシステムのうちの各マイクロシステムは、
    中間非ネイティブ基板上に配置される複数のマイクロデバイスと、
    前記複数のマイクロデバイスを電気的に接続する、１００ｎｍ～１μｍの幅を有する、少なくとも部分的に前記中間非ネイティブ基板上にある１つまたはそれを上回る微細相互接続と、
    を備え、前記複数の印刷されたマイクロシステムのそれぞれは、テザーを備える、複数の印刷されたマイクロシステムと、
    ２μｍ～２ｍｍの幅を有する、少なくとも部分的に前記目標非ネイティブ基板上にある１つまたはそれを上回る粗リソグラフィ相互接続であって、各粗リソグラフィ相互接続は、前記目標非ネイティブ基板上の前記複数のマイクロシステムのうちの少なくとも１つに電気的に接続される、粗リソグラフィ相互接続と、
    を備え、
    前記複数のマイクロデバイスのそれぞれは、２μｍ～５０μｍの長さ、幅、および高さのうちの少なくとも１つを有し、
    前記目標非ネイティブ基板は、１００ミクロン～２０ｍｍの厚さを有する、複合マイクロ組立デバイス。
  2. 前記複数のマイクロデバイスは、
    赤色マイクロ無機発光ダイオードと、
    緑色マイクロ無機発光ダイオードと、
    青色マイクロ無機発光ダイオードと、
    マイクロ集積回路と、
    を備える、請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記複数のマイクロデバイスは、第２の赤色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の青色マイクロ無機発光ダイオードと、第２の緑色マイクロ無機発光ダイオードとを備える、請求項２に記載のデバイス。
  4. 各マイクロシステムは、ピクセルを形成する、請求項２または３に記載のデバイス。
  5. ３００，０００個を超えるマイクロ無機発光ダイオードを備える、請求項１～４のいずれか１項に記載のデバイス。
  6. 前記複数のマイクロデバイスは、
    電力増幅器と、
    移相器と、
    マイクロ集積回路と、
    を備える、請求項１に記載のデバイス。
  7. 前記複数のマイクロデバイスは、低雑音増幅器、電力増幅器、アナログ・デジタル変換器、伝送／受信スイッチ、移相器、および周波数変換器から成る群から選択される、少なくとも１つの部材を備える、請求項１に記載のデバイス。
  8. 前記複数のマイクロデバイスは、
    検出器と、
    マイクロ集積回路と、
    を備える、請求項１に記載のデバイス。
  9. 前記目標非ネイティブ基板は、前記複数のマイクロデバイスのうちの１つに元来備わっていない、請求項１～８のいずれか１項に記載のデバイス。
  10. 前記目標非ネイティブ基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項１～９のいずれか１項に記載のデバイス。
  11. 前記デバイスは、前記目標非ネイティブ基板上に少なくとも５０，０００個のマイクロシステムの行列を備える、請求項１～１０のいずれか１項に記載のデバイス。
  12. 目標非ネイティブ基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項１～１１のいずれか１項に記載のデバイス。
  13. 前記目標非ネイティブ基板は、隣接基板面積を有し、前記複数のマイクロデバイスはそれぞれ、デバイス面積を有し、前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の４分の１未満またはそれと等しい、請求項１～１２のいずれか１項に記載のデバイス。
  14. 前記複数のマイクロデバイスの複合デバイス面積は、前記隣接基板面積の８分の１、１０分の１、２０分の１、５０分の１、１００分の１、５００分の１、１０００分の１、２０００分の１、もしくは１００００分の１未満またはそれと等しい、請求項１３に記載のデバイス。
  15. 前記１つまたはそれを上回る微細相互接続は、微細リソグラフィ相互接続である、請求項１～１４のいずれか１項に記載のデバイス。
JP2019227462A 2014-09-25 2019-12-17 複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス Active JP7041661B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462055472P 2014-09-25 2014-09-25
US62/055,472 2014-09-25
US14/822,868 US20160093600A1 (en) 2014-09-25 2015-08-10 Compound micro-assembly strategies and devices
US14/822,868 2015-08-10

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017516100A Division JP6636017B2 (ja) 2014-09-25 2015-09-23 複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020073995A JP2020073995A (ja) 2020-05-14
JP7041661B2 true JP7041661B2 (ja) 2022-03-24

Family

ID=54324936

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017516100A Active JP6636017B2 (ja) 2014-09-25 2015-09-23 複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス
JP2019227462A Active JP7041661B2 (ja) 2014-09-25 2019-12-17 複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017516100A Active JP6636017B2 (ja) 2014-09-25 2015-09-23 複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20160093600A1 (ja)
EP (2) EP3198679B1 (ja)
JP (2) JP6636017B2 (ja)
KR (1) KR102154120B1 (ja)
CN (1) CN107004615B (ja)
MY (1) MY196598A (ja)
TW (1) TWI666759B (ja)
WO (1) WO2016046283A2 (ja)

Families Citing this family (178)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX337295B (es) 2009-02-09 2016-02-23 Semprius Inc Modulos, receptores y sub-receptores fotovoltaicos tipo concentrador y metodos para formar los mismos.
WO2010111601A2 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
US9142468B2 (en) 2010-08-26 2015-09-22 Semprius, Inc. Structures and methods for testing printable integrated circuits
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US8889485B2 (en) 2011-06-08 2014-11-18 Semprius, Inc. Methods for surface attachment of flipped active componenets
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US10050351B2 (en) 2014-06-18 2018-08-14 X-Celeprint Limited Multilayer printed capacitors
MY182156A (en) 2014-06-18 2021-01-18 X Celeprint Ltd Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
TWI639248B (zh) 2014-06-18 2018-10-21 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 用於準備氮化鎵及用於微組裝之相關材料之系統及方法
EP3158583B1 (en) 2014-06-18 2022-01-26 X Display Company Technology Limited Micro assembled led displays
TWI647833B (zh) 2014-08-26 2019-01-11 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 微組合複合式顯示裝置及發光元件
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9799261B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Self-compensating circuit for faulty display pixels
US11296059B2 (en) * 2014-10-31 2022-04-05 eLux Inc. System and method for the selective harvest of emissive elements
KR101673580B1 (ko) * 2014-12-29 2016-11-07 광주과학기술원 마이크로 디바이스의 전사장치, 마이크로 디바이스의 전사방법, 및 그 전사장치의 제조방법
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
CN107735832B (zh) * 2015-06-05 2021-10-22 苹果公司 显示面板的发光控制装置和方法
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10418501B2 (en) 2015-10-02 2019-09-17 X-Celeprint Limited Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (CPV) for space applications
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US10091446B2 (en) 2015-12-23 2018-10-02 X-Celeprint Limited Active-matrix displays with common pixel control
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
US11230471B2 (en) 2016-02-05 2022-01-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed compound sensor device
US10361677B2 (en) 2016-02-18 2019-07-23 X-Celeprint Limited Transverse bulk acoustic wave filter
US10200013B2 (en) 2016-02-18 2019-02-05 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed acoustic wave filter device
US10109753B2 (en) 2016-02-19 2018-10-23 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed optical filter device
US10217730B2 (en) 2016-02-25 2019-02-26 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
US10150325B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10150326B2 (en) 2016-02-29 2018-12-11 X-Celeprint Limited Hybrid document with variable state
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10917953B2 (en) 2016-03-21 2021-02-09 X Display Company Technology Limited Electrically parallel fused LEDs
US10223962B2 (en) 2016-03-21 2019-03-05 X-Celeprint Limited Display with fused LEDs
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US9997102B2 (en) 2016-04-19 2018-06-12 X-Celeprint Limited Wirelessly powered display and system
US10198890B2 (en) 2016-04-19 2019-02-05 X-Celeprint Limited Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
US10117305B2 (en) * 2016-05-09 2018-10-30 Industrial Technology Research Institute Driving system and method for planar organic electroluminescent device
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
US10037985B2 (en) 2016-05-17 2018-07-31 X-Celeprint Limited Compound micro-transfer-printed power transistor device
US10622700B2 (en) 2016-05-18 2020-04-14 X-Celeprint Limited Antenna with micro-transfer-printed circuit element
JP6983811B2 (ja) * 2016-05-24 2021-12-17 グロ アーベーGlo Ab 発光デバイスアセンブリ上の選択的ダイ修理
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
EP3258748A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-20 Melexis Technologies NV Package of light emitting diodes
CN106129083B (zh) * 2016-06-30 2019-02-05 纳晶科技股份有限公司 一种量子点转印方法
US10475876B2 (en) 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) * 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10157880B2 (en) 2016-10-03 2018-12-18 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with volatile adhesive layer
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
WO2018091459A1 (en) 2016-11-15 2018-05-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
EP3346238B1 (en) 2017-01-10 2022-03-02 Melexis Technologies SA Sensor with multiple sensing elements
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
US10332868B2 (en) 2017-01-26 2019-06-25 X-Celeprint Limited Stacked pixel structures
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
US10468397B2 (en) 2017-05-05 2019-11-05 X-Celeprint Limited Matrix addressed tiles and arrays
KR20240130146A (ko) * 2017-06-12 2024-08-28 쿨리케 & 소파 네덜란드 비.브이. 개별 부품들의 기판 상으로의 병렬적 조립
FR3068819B1 (fr) * 2017-07-04 2019-11-08 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage a leds
US10804880B2 (en) 2018-12-03 2020-10-13 X-Celeprint Limited Device structures with acoustic wave transducers and connection posts
KR102380971B1 (ko) * 2017-07-18 2022-04-01 주식회사 루멘스 발광다이오드 모듈 제조 장치 및 방법
KR102356816B1 (ko) * 2017-07-18 2022-02-03 주식회사 루멘스 발광다이오드 모듈 제조 장치 및 방법
US10943946B2 (en) 2017-07-21 2021-03-09 X Display Company Technology Limited iLED displays with substrate holes
TWI639230B (zh) * 2017-08-03 2018-10-21 錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
US10832935B2 (en) 2017-08-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-level micro-device tethers
EP3457154B1 (en) 2017-09-13 2020-04-08 Melexis Technologies SA Stray field rejection in magnetic sensors
US10908286B2 (en) * 2017-09-29 2021-02-02 Intel Corporation Integrated optical transmitter and receiver
US20210190893A1 (en) 2017-10-06 2021-06-24 Melexis Technologies Nv Magnetic sensor sensitivity matching calibration
EP3467528B1 (en) 2017-10-06 2020-05-20 Melexis Technologies NV Magnetic sensor sensitivity matching calibration
US10020212B1 (en) * 2017-10-09 2018-07-10 Oculus Vr, Llc Micro-LED pick and place using metallic gallium
EP3470862B1 (en) 2017-10-10 2022-03-02 Melexis Bulgaria Ltd. Sensor defect diagnostic circuit
CA3077700A1 (en) * 2017-10-19 2019-04-25 Wafer, Llc Polymer dispersed/shear aligned phase modulator device
EP3477322B1 (en) 2017-10-27 2021-06-16 Melexis Technologies SA Magnetic sensor with integrated solenoid
US10836200B2 (en) 2017-11-13 2020-11-17 X Display Company Technology Limited Rigid micro-modules with ILED and light conductor
US10510937B2 (en) 2017-11-22 2019-12-17 X-Celeprint Limited Interconnection by lateral transfer printing
US10297585B1 (en) * 2017-12-21 2019-05-21 X-Celeprint Limited Multi-resolution compound micro-devices
US10340308B1 (en) 2017-12-22 2019-07-02 X Development Llc Device with multiple vertically separated terminals and methods for making the same
KR102433873B1 (ko) 2018-01-29 2022-08-19 삼성전자주식회사 Led 패널 및 led 패널의 제조 방법
US10690920B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US11189605B2 (en) 2018-02-28 2021-11-30 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
KR102479762B1 (ko) * 2018-03-06 2022-12-21 삼성전자주식회사 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법
US10984708B1 (en) * 2018-03-30 2021-04-20 Facebook Technologies, Llc Manufacture LED displays using temporary carriers
US10910355B2 (en) 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
US10505079B2 (en) 2018-05-09 2019-12-10 X-Celeprint Limited Flexible devices and methods using laser lift-off
CN114093857A (zh) * 2018-05-25 2022-02-25 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法
EP3581951A1 (en) 2018-06-12 2019-12-18 Melexis Bulgaria Ltd. Sensor saturation fault detection
US10832934B2 (en) 2018-06-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-layer tethers for micro-transfer printing
US10714001B2 (en) 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
JP7223310B2 (ja) * 2018-07-23 2023-02-16 大日本印刷株式会社 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法
CN110783359B (zh) * 2018-07-31 2022-04-22 深圳Tcl新技术有限公司 一种量子点led显示面板及其制造方法
US10796971B2 (en) 2018-08-13 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Pressure-activated electrical interconnection with additive repair
US10796938B2 (en) * 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10573544B1 (en) * 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
EP3647741B1 (en) 2018-10-29 2022-08-03 Melexis Bulgaria Ltd. Sensor diagnostic device and method
KR102655631B1 (ko) * 2018-11-30 2024-04-05 엘지디스플레이 주식회사 Led 이송 장치 및 이송 방법
US11274035B2 (en) 2019-04-24 2022-03-15 X-Celeprint Limited Overhanging device structures and related methods of manufacture
US11528808B2 (en) 2018-12-03 2022-12-13 X Display Company Technology Limited Printing components to substrate posts
US10790173B2 (en) 2018-12-03 2020-09-29 X Display Company Technology Limited Printed components on substrate posts
US20210002128A1 (en) 2018-12-03 2021-01-07 X-Celeprint Limited Enclosed cavity structures
US11482979B2 (en) 2018-12-03 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Printing components over substrate post edges
US11282786B2 (en) 2018-12-12 2022-03-22 X Display Company Technology Limited Laser-formed interconnects for redundant devices
US11483937B2 (en) 2018-12-28 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Methods of making printed structures
US11127720B2 (en) 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
US11322460B2 (en) 2019-01-22 2022-05-03 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US11251139B2 (en) 2019-01-22 2022-02-15 X-Celeprint Limited Secure integrated-circuit systems
US11088121B2 (en) 2019-02-13 2021-08-10 X Display Company Technology Limited Printed LED arrays with large-scale uniformity
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US11398399B2 (en) 2019-03-08 2022-07-26 X Display Company Technology Limited Components with backside adhesive layers
US11164934B2 (en) 2019-03-12 2021-11-02 X Display Company Technology Limited Tiled displays with black-matrix support screens
US11094870B2 (en) 2019-03-12 2021-08-17 X Display Company Technology Limited Surface-mountable pixel packages and pixel engines
US11430830B2 (en) 2019-04-05 2022-08-30 Nanosys, Inc. White light emitting diode (LED) and method of repairing light emitting device using same
US10714374B1 (en) 2019-05-09 2020-07-14 X Display Company Technology Limited High-precision printed structures
US11488943B2 (en) 2019-06-14 2022-11-01 X Display Company Technology Limited Modules with integrated circuits and devices
US10944027B2 (en) 2019-06-14 2021-03-09 X Display Company Technology Limited Pixel modules with controllers and light emitters
KR102243109B1 (ko) * 2019-07-02 2021-04-22 한국과학기술원 웨이퍼 레벨 전사를 이용한 중/소형 디스플레이의 대량 제조방법 및 대형 디스플레이 제조 방법
US11101417B2 (en) 2019-08-06 2021-08-24 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrically connecting printed components
US11127889B2 (en) 2019-10-30 2021-09-21 X Display Company Technology Limited Displays with unpatterned layers of light-absorbing material
US11637540B2 (en) 2019-10-30 2023-04-25 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
US11626856B2 (en) 2019-10-30 2023-04-11 X-Celeprint Limited Non-linear tethers for suspended devices
US11315909B2 (en) 2019-12-20 2022-04-26 X Display Company Technology Limited Displays with embedded light emitters
US11037912B1 (en) 2020-01-31 2021-06-15 X Display Company Technology Limited LED color displays with multiple LEDs connected in series and parallel in different sub-pixels of a pixel
DE102020102952B4 (de) * 2020-02-05 2024-09-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur selektion von halbleiterbauelementen
US20210342659A1 (en) * 2020-05-01 2021-11-04 X-Celeprint Limited Hybrid documents with electronic indicia
US11088007B1 (en) 2020-05-07 2021-08-10 X-Celeprint Limited Component tethers with spacers
WO2021236552A1 (en) * 2020-05-16 2021-11-25 eLux Inc. System and method for the selective harvest of emissive elements
US11538849B2 (en) 2020-05-28 2022-12-27 X Display Company Technology Limited Multi-LED structures with reduced circuitry
US11088093B1 (en) 2020-05-28 2021-08-10 X-Celeprint Limited Micro-component anti-stiction structures
JP6886213B1 (ja) 2020-06-20 2021-06-16 アルディーテック株式会社 半導体発光素子チップ集積装置およびその製造方法
US11316086B2 (en) 2020-07-10 2022-04-26 X Display Company Technology Limited Printed structures with electrical contact having reflowable polymer core
US11282439B2 (en) 2020-07-16 2022-03-22 X Display Company Technology Limited Analog pulse-width-modulation control circuits
US11742450B2 (en) 2020-08-31 2023-08-29 X Display Company Technology Limited Hybrid electro-optically controlled matrix-addressed systems
CN112053989A (zh) * 2020-09-15 2020-12-08 广东省科学院半导体研究所 一种微器件转移方法与器件转移装置
JP6803595B1 (ja) 2020-09-16 2020-12-23 アルディーテック株式会社 半導体発光素子チップ集積装置およびその製造方法
US11952266B2 (en) 2020-10-08 2024-04-09 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes
US12006205B2 (en) 2020-10-08 2024-06-11 X-Celeprint Limited Micro-device structures with etch holes
US11495172B2 (en) 2020-10-19 2022-11-08 X Display Company Technology Limited Pixel group and column token display architectures
US11488518B2 (en) 2020-10-19 2022-11-01 X Display Company Technology Limited Pixel group and column token display architectures
US11152395B1 (en) 2020-11-12 2021-10-19 X-Celeprint Limited Monolithic multi-FETs
US11588075B2 (en) 2020-11-24 2023-02-21 X Display Company Technology Limited Displays with interpolated pixels
US12057340B2 (en) 2020-12-04 2024-08-06 X-Celeprint Limited Hybrid tethers for micro-transfer printing
US11715753B2 (en) 2020-12-30 2023-08-01 Applied Materials, Inc. Methods for integration of light emitting diodes and image sensors
US11490519B2 (en) 2021-01-11 2022-11-01 X-Celeprint Limited Printed stacked micro-devices
US11430375B1 (en) 2021-03-19 2022-08-30 X Display Company Technology Limited Pulse-density-modulation pixel control circuits and devices including them
WO2022210154A1 (ja) 2021-04-01 2022-10-06 東レ株式会社 積層体および半導体装置の製造方法
KR20230167345A (ko) 2021-04-01 2023-12-08 도레이 카부시키가이샤 적층체, 수지 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법
US12074583B2 (en) 2021-05-11 2024-08-27 X Display Company Technology Limited Printing components to adhesive substrate posts
US11386826B1 (en) 2021-06-22 2022-07-12 X Display Company Technology Limited Flat-panel pixel arrays with signal regeneration
US11568796B1 (en) 2021-07-29 2023-01-31 X Display Company Technology Limited Displays with current-controlled pixel clusters
US12016131B2 (en) 2021-12-30 2024-06-18 X Display Company Technology Limited Transfer printing high-precision devices
US11592933B1 (en) 2022-01-07 2023-02-28 X Display Company Technology Limited Displays with integrated touch screens
US11568803B1 (en) 2022-04-27 2023-01-31 X Display Company Technology Limited Multi-row buffering for active-matrix cluster displays
US11856710B2 (en) * 2022-05-25 2023-12-26 Innolux Corporation Method of manufacturing an electronic device
US12112678B2 (en) 2022-08-29 2024-10-08 X Display Company Technology Limited Hybrid pulse-width-modulation pixels
US12039917B2 (en) 2022-12-02 2024-07-16 X Display Company Technology Limited Displays with hybrid-control pixel clusters
TWI835481B (zh) * 2022-12-23 2024-03-11 友達光電股份有限公司 微型發光二極體置換設備及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001117513A (ja) 1999-10-15 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード表示装置
JP2003195783A (ja) 2001-12-26 2003-07-09 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2008141026A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Sony Corp 電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法
US20140159065A1 (en) 2012-12-11 2014-06-12 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS604991B2 (ja) * 1979-05-11 1985-02-07 株式会社東芝 ディスプレイ装置
US4330329A (en) * 1979-11-28 1982-05-18 Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha Gold bonding wire for semiconductor elements and the semiconductor element
US5173759A (en) * 1990-02-06 1992-12-22 Kyocera Corporation Array of light emitting devices or photo detectors with marker regions
JP3332654B2 (ja) * 1995-05-12 2002-10-07 株式会社東芝 半導体装置用基板、半導体装置および半導体装置の製造方法
GB9922763D0 (en) * 1999-09-28 1999-11-24 Koninkl Philips Electronics Nv Semiconductor devices
DE10012734C1 (de) * 2000-03-16 2001-09-27 Bjb Gmbh & Co Kg Illuminationsbausatz für Beleuchtungs-, Anzeige- oder Hinweiszwecke sowie Steckverbinder für einen solchen Illuminationsbausatz
DE60224681T2 (de) * 2001-08-20 2009-01-08 Showa Denko K.K. Mehrfarben-lichtemissionslampe und lichtquelle
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP2004039938A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Sony Corp チップ状電子部品、その実装構造、その中間基板、及びこれらの製造方法、並びにチップ状電子部品の検査方法
JP5022552B2 (ja) * 2002-09-26 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
AU2003284410A1 (en) * 2002-11-19 2004-06-15 Ishikawa Seisakusho, Ltd. Pixel control element selection transfer method, pixel control element mounting device used for pixel control element selection transfer method, wiring formation method after pixel control element transfer, and planar display substrate
EP2650907B1 (en) 2004-06-04 2024-10-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
TWI420237B (zh) * 2005-06-02 2013-12-21 Univ Illinois 藉由對彈性印模之黏著性動力控制之圖案轉印印刷
CN101050846B (zh) * 2006-04-05 2012-01-11 财团法人工业技术研究院 可弯曲光源、柔性基板及可挠曲固态光源的制造方法
CN103208435B (zh) * 2008-06-12 2016-01-20 三菱综合材料株式会社 使用锡焊膏进行的基板与焊件的接合方法
US7999454B2 (en) * 2008-08-14 2011-08-16 Global Oled Technology Llc OLED device with embedded chip driving
EP2899170B1 (en) * 2008-11-07 2016-08-31 Nitto Denko Corporation Transparent substrate and method for production thereof
EP2351068B1 (en) 2008-11-19 2020-11-04 X Display Company Technology Limited Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer
JP2012515436A (ja) * 2009-01-12 2012-07-05 エムシー１０ インコーポレイテッド 非平面撮像アレイの方法及び応用
US8619008B2 (en) * 2009-02-13 2013-12-31 Global Oled Technology Llc Dividing pixels between chiplets in display device
EP2404171A4 (en) * 2009-03-03 2016-01-27 Mc10 Inc SYSTEMS, METHODS AND DEVICES HAVING INTEGRATED INTEGRATED CIRCUIT ELEMENTS FOR DETECTING AND ADMINISTERING THERAPY
WO2010111601A2 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
US7973472B2 (en) * 2009-04-15 2011-07-05 Global Oled Technology Llc Display device with polygonal chiplets
US8865489B2 (en) * 2009-05-12 2014-10-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
US8896505B2 (en) * 2009-06-12 2014-11-25 Global Oled Technology Llc Display with pixel arrangement
JP2011066130A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Seiko Epson Corp 半導体回路装置の製造方法、半導体回路装置、及び電子機器
WO2011034586A2 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semprius, Inc. High-yield fabrication of large-format substrates with distributed, independent control elements
US8304917B2 (en) * 2009-12-03 2012-11-06 Powertech Technology Inc. Multi-chip stacked package and its mother chip to save interposer
CN102110750B (zh) * 2010-11-19 2012-04-25 东南大学 发光二极管的圆片级玻璃微腔封装方法
US8889485B2 (en) * 2011-06-08 2014-11-18 Semprius, Inc. Methods for surface attachment of flipped active componenets
CN103050835B (zh) * 2011-10-17 2015-03-25 富泰华工业（深圳）有限公司 便携式电子装置及其芯片卡固持机构
US9163995B2 (en) * 2011-10-21 2015-10-20 Santa Barbara Infrared, Inc. Techniques for tiling arrays of pixel elements
US8617927B1 (en) * 2011-11-29 2013-12-31 Hrl Laboratories, Llc Method of mounting electronic chips
US20130309792A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-21 Michael A. Tischler Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8937388B2 (en) * 2012-06-08 2015-01-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus of packaging semiconductor devices
US8519543B1 (en) * 2012-07-17 2013-08-27 Futurewei Technologies, Inc. Large sized silicon interposers overcoming the reticle area limitations
US8987765B2 (en) * 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001117513A (ja) 1999-10-15 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード表示装置
JP2003195783A (ja) 2001-12-26 2003-07-09 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2008141026A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Sony Corp 電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法
US20140159065A1 (en) 2012-12-11 2014-06-12 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity

Also Published As

Publication number Publication date
MY196598A (en) 2023-04-20
KR102154120B1 (ko) 2020-09-10
CN107004615B (zh) 2020-10-16
JP6636017B2 (ja) 2020-01-29
EP3198679B1 (en) 2022-11-02
WO2016046283A3 (en) 2016-07-07
CN107004615A (zh) 2017-08-01
TWI666759B (zh) 2019-07-21
WO2016046283A2 (en) 2016-03-31
KR20170060043A (ko) 2017-05-31
US20240213238A1 (en) 2024-06-27
US20160093600A1 (en) 2016-03-31
TW201626542A (zh) 2016-07-16
JP2020073995A (ja) 2020-05-14
EP4135127A1 (en) 2023-02-15
EP3198679A2 (en) 2017-08-02
JP2017531915A (ja) 2017-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7041661B2 (ja) 複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス
US12080690B2 (en) Micro assembled LED displays and lighting elements
CN110854056B (zh) 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191217

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210426

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220131

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20220131

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220209

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220301

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220311

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7041661

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150