JP6935875B1 - 太陽光発電システム - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち、全てのPVモジュールの規格や光量や温度の条件が同一のPVモジュールが同一に発電している場合であれば、一括PCSによってストリング電圧を制御して、温度の変化などに対してMPPT制御を行い、電圧源型のDC/AC変換装置で逆変換して交流電力系統に送電する。
また太陽光発電システムの安全対策では、下記特許文献3の電気による人的障害を回避する電気安全のためPVモジュール単体・複数の出力端子間を半導体スイッチで短絡することによって発電出力を停止する方法が開示されている。
そこで、性能、規格の違うモジュールでも、最大電力点で発電して、バイパスすることなく全てのPVモジュールからストリングへ送出して太陽光発電システムの効率と稼働率を上げることが求められている。
しかし、理想的条件で設置され、各PVモジュールの性能が均一な状態で接続されたPVモジュールは従来のPCSによるストリングの電圧一括制御ですべてのPVモジュールの最大電力が得られるので、その場合には、DC/DC変換などの半導体スイッチの導通損、挿入損が無いように運用したい。
そこで、本発明の他の目的は、非常時において発電電力を安全に停止させる手段を備えた接続装置を提供することにある。
本発明に係る接続装置をPVモジュールに接続して使用すれば、上記のことが実現可能になる。
上記特許文献1では、PVモジュール端子の電圧が、PVモジュールの最大電力を発電する電圧Vmpになるように外部から補助電圧を与えていたが、本発明では、出力電流を断続して制限することで電圧の下がるのを止めて発生させるようにする。
そのため、PVモジュールの出力端子とストリングとの間に、電圧電流を変換する接続装置を挿入する。
接続装置10は、PVモジュール1と接続される入力端子2(正極及び負極)と、電力変換された直流電力を負荷又は電力系統に供給するための出力端子3(正極及び負極)と、入力端子2の正極と負極との間に接続されたコンデンサ4と、コンデンサ4の両端の電圧(Vc)を計測する電圧センサ5と、直列に接続された2個の半導体スイッチ6及び7と、通信によりオン/オフ制御可能な金属接点8と、制御装置9とを備えるとともに、半導体スイッチ6,7の接続点が出力端子3の正極に接続され、入力端子2の負極が出力端子3の負極に接続され、金属接点8は、入力端子2の正極と出力端子3の正極との間に接続され、2個の半導体スイッチ6,7のうち、接続点とは反対側の端子が入力端子2の正極に接続されるものを第1の半導体スイッチ6とし、接続点とは反対側の端子が出力端子3の負極に接続されるものを第2の半導体スイッチ7とし、さらに、制御装置9は、電圧センサ5からの電圧(Vc)を受信し、それに基づいて第1の半導体スイッチ6、第2の半導体スイッチ7及び金属接点8のオン/オフを制御することにより、PVモジュール1から出力される直流電力を降圧型DC/DC変換で所望の電圧・電流値に電力変換して出力する。
なお、参照符号11で示すのは、PVモジュール1に付属しているバイパスダイオードである。半導体スイッチとしては、例えばMOSFET又はIGBT、金属接点としてはリレーが利用可能である。MOSFETは直列に接続されたペアのものが市販されている。制御装置9はマイクロコンピュータを所定のソフトウェアで動作させることによって実現できる。
また、制御装置9は、外部から無線あるいは有線にて指令を送受信可能な通信機能(不図示)を備えている。
結局、接続装置10はPVモジュール1が最大電力となる電圧Vmpでストリングに出力する。PVモジュール1は、図2で示すように、最大電力点の電圧値Vmpは、光量による変化がほとんど無いという特性を利用して、コンデンサ4の電圧をVmpに維持しようとする降圧型DC/DC変換制御で、PVモジュール1の最大電力点を追従するMPPT制御が実現できる。
その電圧低下を電圧センサ5で検出すると、制御装置9は第1の半導体スイッチ6をオフにして最大電力点の瞬時スキャンを開始する。図3に示すのは、ここで行うPVモジュールの最大電力点電圧の瞬時スキャン法の概念図である
すなわち、
PVモジュールの発電電力Watt=コンデンサの充電電力
=コンデンサ電流×コンデンサ電圧
Watt=Ic×Vc
コンデンサへの電流Icは、コンデンサの電荷Q(=C×Vc)の時間変化であるから、電流は
Ic=dQ/dt=d(C×Vc)/dt
したがって、電力は、
Watt=d(C×Vc)/dt ×Vc =C×(dVc/dt)×Vc…(式1)
電力ピーク値は、VcとVcの時間微分の掛け算値のピーク値であり、電力のピークを記憶して、その時の電圧Vcを最大電力点の電圧Vmpとして設定すれば良い。これは制御装置9内に計算能力を持たせることで可能である。
本発明のコンデンサ4の充電時間は約10ms程度であるから、PVモジュール上の影が激しく変化する場合にはそれに合わせて瞬時に探査することも可能である。
制御装置9は各種の運転条件や各種の指令(出力開始や出力停止、Vmp探査実行等)を外部装置(例えば、太陽光発電システム全体を統括する上位の制御機器等を指す。)との通信によって受信する(ステップS1)。指令の中に出力停止指令が含まれていなければ(S2のNo)、電圧センサ5から電圧Vcを受信する(S3)。
なお、スタート直後はまだVmpが分かっていないので、外部装置からの指令により、後述のステップS7に飛んで、その処理を先に行ってVmpを求めてからS3の処理に移行することになる。これにより、ストリングの各PVモジュールの規格値がバラバラであっても、PVモジュールごとに最適のVmpでMPPT運転をすることが可能になる。
次に、電圧VcとVmpとを比較して、その差が所定の値δ(例えば1V程度)であれば(S4のYes)、金属接点8がオフの状態において、第1の半導体スイッチ6と第2の半導体スイッチ7とを交互にオン/オフして、PWM制御によりコンデンサの電圧VcがVmpになるように制御する(S5)。すなわち、MPPT運転を行う。
ステップS4において、VcとVmpとの差がδを超えている場合であって、かつ、Vc<Vmpである場合は(S6のNo)、何らかの原因(例えば部分影など)でPVモジュールの発電電力が低下していると考えられるので、ステップS7に移行して電圧Vcに基づいてVmpを求める(S7)。
具体的には、金属接点8がオフの状態で、半導体スイッチ6と7を同時にオンしてコンデンサ電圧Vcをゼロにし、その後半導体スイッチ6と7を同時にオフすると、図3のゲートOFFの状態になる。そうするとコンデンサ4の充電が開始され、コンデンサ電圧Vcは瞬時に0Vから無負荷開放電圧まで上昇する。この時間内に上記(式1)に基づいてコンデンサの充電電力Wattを計算して、それが最大となる点の電圧VcをVmpとしてメモリに記憶する。このVmpをステップS4で使用する。
一方、ステップS6において、Vc>Vmpである場合は(S6のYes)、先に第1の半導体スイッチ6をオンしてから金属接点8をオンし、第2の半導体スイッチ7をオフにする(S8)。これにより、コンデンサ4の電荷は電流としてストリングに放電され、電圧Vcが下がる。次に、ステップS1に戻って同様の制御を繰り返す。
もし、ステップS2において出力停止指令がある場合は(S2のYes)、それが全停止指令の場合は(S9のYes)、半導体スイッチ6と7を共にオンした後、接点8をオンする(S11)。一方、半停止指令の場合は(S9のNo)、接点8がオフ状態であれば、その状態で半導体スイッチをオフ、半導体スイッチ7をオンにする。もし、接点8がオンの状態であれば、半導体スイッチ6をオンの状態にしてから、先に接点8をオフし、その後に半導体スイッチ6をオフする。その後半導体スイッチ7をオンする(S10)。
なお、全停止と半停止の違いは、前者がPVモジュールの出力と接続装置の出力を共にゼロ(短絡)にするのに対して、後者は接続装置の出力のみを短絡し、PVモジュールの出力はそのまま維持するという点である。
この実施形態では、コンデンサ電圧Vcが部分影の影響等によって低下した場合に、制御装置9が備える制御プログラムに基づいて瞬時スキャンを行って新たなVmpを算出するものであるが、そうではなくて、PVモジュールの温度変化等による変化に対応して上記外部装置からの指令により、上述の瞬時スキャンを行ってVmpを求めるようにしてもよい。
また、本発明が降圧型DC/DC変換を採用した理由は、損失の大きなインダクタを使わず、PVモジュールの電力は一旦、降圧型DC/DC変換で降圧して、電流リンクで系統連系インバータの昇圧型DC/DC変換につなぐ形である。接続装置10には、入力に大きな約1,000μF耐圧50Vのコンデンサ4が必要だが、コンデンサ4は軽量で損失が少ないが寿命が短い欠点もある。
現在普及している直列PVモジュール、一括ストリング電圧方式の大規模太陽光発電設備に本発明の接続装置10を採用しても損失が増えることの無いように、図5の場合、同一規格のPVモジュールが影の無い状態では全てPVモジュールの電圧は均一で最大電力の出力電圧Vmpになるように系統連系装置側のMPPT制御機能でストリング電圧が制御されているので、個々のPVモジュールでの変換は不要なので、接点8をオン状態にしてバイパスすれば、接続装置10は挿入損なしに全てPVモジュールの最大電力を取り出せる。したがって、従来の全ストリング一括方式電圧型インバータのMPPT制御でも損失が増えることはない。また接点8は接点の開閉による直流アークの発生で接点8が損傷すること無いように、制御装置9によって、並列の半導体スイッチ6にゲートオン信号をリレーと同期して導通・短絡すればアークを発生すること無しに接点を開閉することができる。
また、図6が図5と異なるのは、本発明の接続装置10を介してPVモジュールを一括直列ストリング状にするが、太陽に向かう向きが異なるストリング、電流電圧の規格の違うPVモジュールのストリングなど条件の違うすべてのPVモジュールの最大電力を集めることが可能にする太陽光発電設備を構築することができる。各ストリング電流は各ストリングの昇圧型DC/DC制御により制御する必要がある。
例えば、PVモジュールの電流・電圧特性(図2参照)から、設定電圧をVmp(約27V)から、さらに上げて無負荷開放電圧(約38V)まで変化することで、発生電力を最大から連続的にゼロまで下げることができる。この各PVモジュールの出力を調整できる機能は太陽光発電で直接、蓄電池を充電する場合に有効である。制御装置9は外部装置からの指令で設定される。
逆電流阻止型の半導体スイッチまたはダイオードを直列にしてインバータを構成する逆変換の電流型インバータは、直流側の電流は1方向であるが電圧はプラスからマイナスに可変である。この場合、電流に対してマイナスの電圧を発生させ、直流のリンク電流を制御しながら交流電力を交流系統に送る。図8の太陽光発電システムは電流型インバータで逆変換して三相交流にして出力している。これは最小の部品数で構成できる点が特徴で本発明の降圧型DC/DC変換で電流出力を行った結果である。
電流型DC/AC逆変換装置16は、電圧高調波が少なく、電圧源コンデンサ14が不要で、事故時に電圧が蓄積されないので、急速遮断(Rapid Shutdown)が可能であるなど電流型変換は堅牢で安全性が高い。
すなわち、直列接続された各PVモジュールの最大電力を降圧型DC/DC変換によって電圧電流変換して、そのストリングの電流を電流型変換によって、電流から交流電力に逆変換して系統連系すれば、大容量で、かつ短絡保護が可能で、高周波ノイズの少ない太陽光発電システムになる。要するに、PVモジュールを電圧源であるとして電圧から電流変換の後に、電流電圧変換で系統連系するシステムが最適な構成である。
図5には、本発明の接続装置10を付けたPVモジュール1を直列ストリングにしてダイオード12とインダクタ13の直列接続を介して並列接続して最終的に昇圧型DC/DC変換回路で昇圧して電圧源コンデンサ14を充電する。充電された電圧は電圧型DC/AC変換15で交流に逆変換している。
本発明の接続装置10には接点(リレー)8があり、MOSFET6のオンが継続する場合、制御装置9はこれをオンにして、接続装置10は接点8によって半導体の導通損失も無くして、ストリングに直列接続する。接点8は直流電流の遮断能力が無いので遮断には注意が必要で、リレーの動作の遅れが約10msあるので、遮断時はMOSFET6のオフ信号をこれよりさらに遅らせて発信して、接点8を無アークで開極するシーケンスが重要である。これらのシーケンスは制御装置9に内蔵し、外部装置からの通信による指令を受け、また連携も行う。
コンデンサ4の電荷をMOSFET6とさらにMOSFET7のペアの降圧型DC/DC変換によって、直流電流リンクに電流をパルス的に注入する形で、発電した電力を電流パルスとして出力しながらコンデンサ4の電圧をVmpに維持する。
ストリングの電流はそのループ全体で1つの外部インダクタ(大型低損失のインダクタ)13を入れることで平滑化される。
広域に分散したPVモジュール群の電力を直流電流リンクで集電し、電流型変換で系統へ連系するが、整流器変圧器の移相シフトによって12相、24相整流にして高調波の発生を抑えることができる。
図8と図9では絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)にダイオードを直列にした逆阻止半導体スイッチの例を示すが、半導体スイッチが大容量で実績のあるサイリスタである場合は、転流する逆電圧の発生は電力系統からの電圧であるので、系統の力率改善と短絡容量が必要で、弱小な系統の末端ではそれが得られない。その場合も、図9のようにフライホイール付可変速同期機17を設置して、サイリスタ変換器の転流時のバックパワーと、力率調整力も兼ねる構成がよい。さらに可変速揚水発電で開発された可変速同期機技術によってフライホイール効果を利用する短時間の電力貯蔵設備があれば、太陽光発電側と交流電力系統側の双方の電力変動を吸収して安定に運転することができ、また交流系統の停電時のブラックアウト・スタートも可能になる。
計算結果を図12に示す。時間0.1秒で、PVモジュール(PV1)のみが光量が50%になる。PV1のモジュールの端子電圧がそれまで最大電力を発電する電圧Vmpが27Vであったのがゼロになる。その反動で他のモジュール端子電圧は若干高くなる。PV1のコンデンサ4の電圧低下を電圧センサ5が測定して、接点8のリレーを開にするが、接点8は動作が約10ms遅れてオフになって、その後、降圧型DC/DC制御が開始される。端子電圧が最大電力電圧である27V近くに回復するようにコンデンサ4の電圧をMOSFET6,7がオン/オフして降圧型DC/DC制御で、電流がストリングに送り出される。グラフの最下段がストリングの発電電力であるが、0.1秒までは2,000Wであるが、PV1のみ50%になるとストリング電力は1,550Wまで減少する。その後、制御回路が動作を開始すると1,850Wまで回復している。約300Wの回復効果があり、これが本発明に係る接続装置10による効果である。
これまで条件が一様な場所に設置されていたPVモジュールが、今後は、条件の一様でない、斜面や、一時部分影になるところ、さらに規格の異なるPVモジュールなど、多種多様なPVモジュールを接続して太陽光発電システムが建設されるので、従来のストリング毎の一括制御ではなく、本発明のPVモジュールごとに最大電力点電圧を追従する降圧型DC/DC変換の電流リンク方式がよい。
2:PVモジュールからの入力端子
3:ストリングへの出力端子
4:コンデンサ
5:電圧センサ
6:第1の半導体スイッチ
7:第2の半導体スイッチ
8:金属接点
9:制御装置
10:接続装置
11:バイパスダイオード
12:外部ダイオード
13:外部インダクタ
14:電圧源コンデンサ
15:系統連系装置(PCS)
16:電流型DC/AC変換
17:フライホイール付同期機
18:抵抗器
19:リードスイッチと磁石
Claims (13)
- 太陽光発電モジュール(以下「PVモジュール」という。)と接続され、該PVモジュール(1)から出力される直流電力を降圧型DC/DC変換で所望の電圧・電流値に電力変換して出力する電力変換接続装置(以下「接続装置」という。)であって、該接続装置(10)は、
前記PVモジュール(1)と接続される入力端子(2)(正極及び負極)と、前記電力変換された直流電力を負荷又は電力系統に供給するための出力端子(3)(正極及び負極)と、前記入力端子(2)の正極と負極との間に接続されたコンデンサ(4)と、前記コンデンサの両端の電圧(Vc)を計測する電圧センサ(5)と、直列に接続された2個の半導体スイッチ(6,7)と、通信によりオン/オフ制御可能な金属接点(8)と、制御装置(9)とを備えるとともに、
前記2個の半導体スイッチの接続点が前記出力端子の正極に接続され、前記入力端子の負極が前記出力端子の負極に接続され、
前記金属接点(8)は、前記入力端子の正極と前記出力端子の正極との間に接続され、
前記2個の半導体スイッチのうち、前記接続点とは反対側の端子が前記入力端子の正極に接続されるものを第1の半導体スイッチ(6)とし、前記半導体スイッチのうち、前記接続点とは反対側の端子が前記出力端子の負極に接続されるものを第2の半導体スイッチ(7)とし、
さらに、前記制御装置(9)は、
前記電圧センサ(5)からの電圧(Vc)を受信し、それに基づいて前記第1の半導体スイッチ(6)、第2の半導体スイッチ(7)及び前記金属接点(8)のオン/オフを制御することにより、前記PVモジュール(1)から出力される直流電力を降圧型DC/DC変換で所望の電力値に電力変換して出力又はその出力を停止することを特徴とする接続装置。 - 前記制御装置(9)が、
前記金属接点(8)がオフの状態において、前記電圧センサからの電圧(Vc)と前記PVモジュールの最大電力点電圧(Vmp)との差が所定の範囲内に入っているときは、前記2個の半導体スイッチを交互にオン/オフしてPWM制御により前記電圧(Vc)を制御し、
前記電圧センサからの電圧(Vc)と前記PVモジュールの最大電力点電圧(Vmp)との差が所定の範囲を超え、かつ、前記電圧(Vc)が前記最大電力点電圧(Vmp)よりも低いときは、前記第1の半導体スイッチ(6)と前記第2の半導体スイッチ(7)を同時にオンして一旦前記電圧(Vc)をゼロにした直後、前記第1の半導体スイッチ(6)と前記第2の半導体スイッチ(7)を同時にオフして前記コンデンサ(4)を再充電しつつ、前記電圧センサ(5)にて計測した前記電圧(Vc)に基づいて所定の計算式により前記PVモジュールの発電電力を算出し、該算出した発電電力が最大となる点の前記電圧(Vc)をゼロから最大まで全電圧スキャンすることにより求めて新たな最大電力点電圧(Vmp)として記憶し、
前記電圧センサからの電圧(Vc)と前記PVモジュールの最大電力点電圧(Vmp)との差が所定の範囲を超え、かつ、前記電圧(Vc)が前記最大電力点電圧(Vmp)よりも高いときは、前記第1の半導体スイッチ(6)をオンした後に前記金属接点(8)をオンし、かつ、前記第2の半導体スイッチ(7)をオフすることにより電流を放出して電圧(Vc)を下げるように制御することを特徴とする請求項1に記載の接続装置。 - 前記制御装置(9)が、さらに、外部装置との通信機能を備え、
前記外部装置からの出力半停止指令を受信すると、前記金属接点(8)をオフの状態にした上で前記第1の半導体スイッチ(6)をオフするとともに前記第2の半導体スイッチ(7)をオンし、あるいは、
前記外部装置からの出力全停止指令を受信すると、前記金属接点(8)をオフの状態にした上で前記第1の半導体スイッチ(6)及び前記第2の半導体スイッチ(7)をオンし、その後に前記金属接点(8)をオンにするように制御することを特徴とする請求項2に記載の接続装置。 - PVモジュールの出力端子に請求項2又は3に記載の接続装置(10)を接続したものを複数個直列接続して電流リンクのストリングを構成し、前記PVモジュールごとに最大電力点追従制御を行うことを特徴とする太陽光発電システム。
- 前記ストリングをダイオード(12)とインダクタ(13)の直列接続を介して複数列並列接続して、別に設置された系統連系装置(15)で昇圧型DC/DC変換を行って電圧を上げた後、DC/AC逆変換を行って交流連系することを特徴とする請求項4に記載の太陽光発電システム。
- 前記ストリングをダイオード(12)とインダクタ(13)の直列接続により昇圧型DC/DC変換を介して高圧直流母線に接続し、集電した後にDC/AC逆変換を行って交流連系する請求項4に記載の太陽光発電システム。
- ダイオードを介して並列接続した複数のPVモジュールに請求項3に記載の接続装置(10)を接続したものを複数個直列接続してストリングを構成し、該ストリングを外部のダイオード(12)を介して電流リンクに接続し、それを二次電池に接続して該二次電池を充電する太陽光発電システムであって、
前記制御装置(9)が、前記外部装置からの指令により、前記二次電池の充電電流の制御を行うことを特徴とする太陽光発電システム。 - 前記ストリングを外部ダイオードを介し、さらに、外部インダクタを介して電流リンクを構成し、電流型DC/AC逆変換回路(16)で交流連系する請求項4に記載の太陽光発電システム。
- 前記ストリングと前記電流型DC/AC逆変換回路(16)で交流連系する請求項8に記載の太陽光発電システムにおいて、
さらに、交流送電端子側にフライホイール付同期機(17)を短時間の電力貯蔵装置として設置して、電力変動を緩和することを特徴とする太陽光発電システム。 - 前記半導体スイッチがMOSFET又はIGBTなど絶縁ゲート形のスイッチング素子である請求項1乃至3のいずれかに記載の接続装置。
- 前記半導体スイッチがN型MOSFETであって、前記第2の半導体スイッチ(7)のドレインとゲートとを抵抗器(18)を介して接続し、かつ、前記制御装置(9)と前記ゲートとをリードスイッチ(19)を介して接続し、通常動作時においては、前記リードスイッチ(19)に永久磁石を近接して設置しておいて前記リードスイッチ(19)を導通させて前記制御装置(9)からの制御信号を前記ゲートに供給し、前記出力端子(3)からの出力を強制的に停止させるときは、前記永久磁石を人力により、又は衝撃等により自然脱落させることで前記リードスイッチ(19)から隔離させて前記リードスイッチ(19)をオフしてゲートへの制御信号を遮断することにより、前記ゲートの電位を前記抵抗器(18)によって前記ドレインの電位までプルアップさせて前記第2の半導体スイッチ(7)をオンすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の接続装置。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の接続装置(10)の前記入力端子(2)と前記PVモジュール(1)の出力を直結し、かつ、前記接続装置(10)を内蔵したことを特徴とするPVモジュール。
- 前記制御装置(9)が、さらに、外部装置との通信機能を備え、
前記金属接点(8)がオフの状態において、前記外部装置からの指令により、前記第1の半導体スイッチ(6)と前記第2の半導体スイッチ(7)を同時にオンして一旦前記電圧(Vc)をゼロにした直後、前記第1の半導体スイッチ(6)と前記第2の半導体スイッチ(7)を同時にオフして前記コンデンサ(4)を再充電しつつ、前記電圧センサ(5)にて計測した前記電圧(Vc)に基づいて所定の計算式により前記PVモジュールの発電電力を算出し、該算出した発電電力が最大となる点の前記電圧(Vc)をゼロから最大まで全電圧スキャンすることにより求めて新たな最大電力点電圧(Vmp)として記憶する機能をさらに備えたことを特徴とする請求項2に記載の接続装置。
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