JP6922158B2 - Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices - Google Patents
Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices Download PDFInfo
- Publication number
- JP6922158B2 JP6922158B2 JP2016084809A JP2016084809A JP6922158B2 JP 6922158 B2 JP6922158 B2 JP 6922158B2 JP 2016084809 A JP2016084809 A JP 2016084809A JP 2016084809 A JP2016084809 A JP 2016084809A JP 6922158 B2 JP6922158 B2 JP 6922158B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- thermosetting resin
- group
- less
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
Description
本発明は、熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置に関する。 The present invention relates to thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices.
これまでトランスファー成形に用いる封止用エポキシ樹脂組成物について様々な開発が行われてきた。この種の技術としては、例えば、特許文献1に記載の技術が挙げられる。同文献によれば、タブレット状に成形した封止用エポキシ樹脂組成物の流動性を高めることにより、トランスファー成形性を向上させることができる、と記載されている。 So far, various developments have been made on sealing epoxy resin compositions used for transfer molding. Examples of this type of technology include the technology described in Patent Document 1. According to the same document, it is described that the transfer moldability can be improved by increasing the fluidity of the epoxy resin composition for sealing molded into a tablet shape.
しかしながら、近年、半導体パッケージの製造プロセスの生産性を効率化する観点から、使用される金型の大面積化がますます進んできている。
こうした開発環境を踏まえ、本発明者が検討した結果、金型のキャビティ内で上記文献に記載の封止用エポキシ樹脂組成物を成形した後、金型の型開きを行い、得られた成形体を金型から取り出したとき、当該成形体の一部が金型の内側に貼りついて残存してしまうことが見出された。
すなわち、上記文献に記載の封止用エポキシ樹脂組成物において、金型成形時における金型貼り付きの点で改善の余地を有していた。
However, in recent years, from the viewpoint of improving the productivity of the semiconductor package manufacturing process, the area of the mold used has been increasing more and more.
As a result of examination by the present inventor based on such a development environment, after molding the epoxy resin composition for sealing described in the above document in the cavity of the mold, the mold is opened and the obtained molded product is obtained. It was found that when a part of the molded product was taken out from the mold, a part of the molded product stuck to the inside of the mold and remained.
That is, in the epoxy resin composition for sealing described in the above document, there is room for improvement in terms of mold sticking during mold molding.
本発明者は、上記金型貼りつきの観点から、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる成形体について、大面積化した金型に対する密着性に着眼するに至った。この着眼点に基づいて検討を深めた結果、成形体の表面における濡れ性は、金型密着性と関連していることが見出された。
本発明者がさらに検討したところ、熱硬化性樹脂組成物を175℃で硬化した硬化板の表面エネルギーが、金型密着性を評価する指標として適切であることが判明した。
このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、上記表面エネルギーを所定値以下とすることにより、金型密着性を適切に制御でき、金型成形時における金型貼り付きを抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
From the viewpoint of mold sticking, the present inventor has come to pay attention to the adhesion of a molded product made of a cured product of a thermosetting resin composition to a mold having a large area. As a result of deepening the study based on this point of view, it was found that the wettability on the surface of the molded product is related to the mold adhesion.
As a result of further studies by the present inventor, it was found that the surface energy of the cured plate obtained by curing the thermosetting resin composition at 175 ° C. is appropriate as an index for evaluating the mold adhesion.
As a result of further diligent research based on such findings, it was found that by setting the surface energy to a predetermined value or less, the mold adhesion can be appropriately controlled and the mold sticking during mold molding can be suppressed. The invention was completed.
本発明によれば、
樹脂封止基板の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、一般式(1)で表されるシリコーンオイルとを含み、
前記シリコーンオイルの含量が当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して0.05質量%以上1.0質量%以下であり、
当該熱硬化性樹脂組成物を175℃で硬化した硬化板の表面エネルギーが、22mN/m以上30mN/m以下であり、
175℃におけるゲルタイムが、50秒以上である、熱硬化性樹脂組成物が提供される。
l≧0、m≧0、n≧1、l+m+n≧5、
0.02≦n/(l+m+n)≦0.8、
a≧0、b≧0、a+b≧1)
According to the present invention
A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate.
It contains an epoxy resin and a silicone oil represented by the general formula (1).
The content of the silicone oil is 0.05% by mass or more and 1.0% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The surface energy of the cured plate obtained by curing the thermosetting resin composition at 175 ° C. is 22 mN / m or more and 30 mN / m or less.
A thermosetting resin composition having a gel time of 50 seconds or more at 175 ° C. is provided.
l ≧ 0, m ≧ 0, n ≧ 1, l + m + n ≧ 5,
0.02 ≤ n / (l + m + n) ≤ 0.8,
a ≧ 0, b ≧ 0, a + b ≧ 1)
また、本発明によれば、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える、樹脂封止基板が提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a resin-sealed substrate provided with a cured product of the thermosetting resin composition.
また、本発明によれば、
上記樹脂封止基板と、
前記樹脂封止基板に搭載された電子部品と、を備える、電子装置が提供される。
Further, according to the present invention.
With the above resin-sealed substrate,
An electronic device including an electronic component mounted on the resin-sealed substrate is provided.
本発明によれば、金型成形時における金型貼り付きを抑制することができる、熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止基板および電子装置が提供される。 According to the present invention, there is provided a thermosetting resin composition, a resin-sealed substrate using the same, and an electronic device capable of suppressing mold sticking during mold molding.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、樹脂封止基板(Molded Substrate)の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物である。本実施形態において、当該熱硬化性樹脂組成物を175℃で硬化した硬化板の表面エネルギーは、30mN/m以下とすることができる。 The thermosetting resin composition of the present embodiment is a thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate (Molded Substrate). In the present embodiment, the surface energy of the cured plate obtained by curing the thermosetting resin composition at 175 ° C. can be 30 mN / m or less.
本発明者は、金型貼りつきについて検討した結果、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる成形体と大面積化した金型に対する密着性の関係に着眼するに至った。この着眼点に基づいて検討した結果、上記成形体の表面における濡れ性は、金型密着性と相関関係があることが見出された。
本発明者がさらに検討したところ、熱硬化性樹脂組成物を175℃で硬化した硬化板の表面エネルギーが、金型密着性を評価する指標として適切であることが判明した。
このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、上記表面エネルギーを30mN/m以下とすることにより、金型密着性を適切に制御でき、金型成形時における金型貼り付きを抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
As a result of examining the sticking of the mold, the present inventor has come to pay attention to the relationship between the molded product made of the cured product of the thermosetting resin composition and the adhesion to the mold having a large area. As a result of examination based on this point of view, it was found that the wettability on the surface of the molded product has a correlation with the mold adhesion.
As a result of further studies by the present inventor, it was found that the surface energy of the cured plate obtained by curing the thermosetting resin composition at 175 ° C. is appropriate as an index for evaluating the mold adhesion.
As a result of further diligent research based on such findings, it was found that by setting the surface energy to 30 mN / m or less, the mold adhesion can be appropriately controlled and the mold sticking during mold molding can be suppressed. The present invention has been completed.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物によれば、大面積化した金型成形時において、当該熱硬化性樹脂組成物の成形体の金型貼り付きを抑制することができる。 According to the thermosetting resin composition of the present embodiment, it is possible to suppress the sticking of the molded body of the thermosetting resin composition to the mold at the time of molding with a large area.
以下、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の成分について説明する。 Hereinafter, the components of the thermosetting resin composition of the present embodiment will be described.
(熱硬化性樹脂)
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含有することができる。
上記熱硬化性樹脂は、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂を含有してもよい。
(Thermosetting resin)
The thermosetting resin composition of the present embodiment can contain a thermosetting resin.
The thermosetting resin is not particularly limited, but may contain, for example, an epoxy resin.
上記エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を使用することが可能である。
このようなエポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4’−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4’−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4’−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)等のビスフェノール型エポキシ樹脂;スチルベン型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリヒドロキシフェノニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、ヒドロキシナフタレンおよび/またはジヒドロキシナフタレンの2量体をグリシジルエーテル化して得られる2官能ないし4官能のナフタレン2量体型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂;N,N,N’,N’−テトラグリシジルメタキシレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、N,N−ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン類;グリシジル(メタ)アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物;ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、半導体パッケージの低線膨張化および高弾性率化の観点から、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂を用いてもよい。これにより、半導体装置の耐リフロー性を向上させることができ、半導体パッケージの反りを抑制することができる。
The epoxy resin is not particularly limited, but for example, a monomer, an oligomer, or a polymer having two or more epoxy groups in one molecule can be used in general.
Specific examples of such an epoxy resin include biphenyl type epoxy resin; bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, tetramethylbisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and the like. Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4,4'-(1,3-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4'-(1,4'-(1,3' 4-Phenylene diisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin (4,5'-cyclohexidiene bisphenol type epoxy resin) and other bisphenol type epoxy resin; stillben type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin , Novolak type epoxy resin such as brominated phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, novolak type epoxy resin having fused ring aromatic hydrocarbon structure; trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, alkyl modified trihydroxyphenonylmethane Polyfunctional epoxy resin such as type epoxy resin, tetraphenylol ethane type epoxy resin; phenol aralkyl type epoxy resin containing phenylene skeleton, phenol aralkyl type epoxy resin containing biphenylene skeleton; phenol aralkyl type epoxy resin such as dihydroxynaphthalene type epoxy resin, naphthalene Naphthalene skeletons such as bifunctional to tetrafunctional naphthalene dimer epoxy resin, binaphthyl type epoxy resin, naphthol aralkyl type epoxy resin obtained by glycidyl etherification of diol type epoxy resin, hydroxynaphthalene and / or dihydroxynaphthalene dimer. Anthracene type epoxy resin; Phenoxy type epoxy resin; Arihashi cyclic hydrocarbon compound modified phenol type epoxy resin such as dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin; Norbornen type epoxy resin; Adamantane type epoxy resin; Resin, phosphorus-containing epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin; heterocyclic epoxy such as triglycidyl isocyanurate and monoallyl diglycidyl isocyanurate. Resin; N, N, N', N'-tetraglycidyl Glycidylamines such as m-xylylenediamine, N, N, N', N'-tetraglycidylbisaminomethylcyclohexane, N, N-diglycidylaniline; compounds having an ethylenically unsaturated double bond with glycidyl (meth) acrylate. Copolymer with; An epoxy resin having a butadiene structure and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, a trihydroxyphenylmethane type epoxy resin and a biphenyl type epoxy resin may be used from the viewpoint of low line expansion and high elastic modulus of the semiconductor package. As a result, the reflow resistance of the semiconductor device can be improved, and the warp of the semiconductor package can be suppressed.
本実施形態において、上記熱硬化性樹脂の含有量の下限値は、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、3質量%以上であることが好ましく、5質量%以上であることがより好ましい。これにより、成形時における流動性を向上させることができる。このため、充填性や成形安定性の向上を図ることができる。また、上記熱硬化性樹脂の含有量の上限値は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、30質量%以下であることが好ましく、25質量%以下であることがより好ましい。これにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。また、熱硬化性樹脂の含有量をこのような範囲に制御することによって、樹脂封止基板の反りを抑制することができる。 In the present embodiment, the lower limit of the content of the thermosetting resin is, for example, preferably 3% by mass or more, and more preferably 5% by mass or more, based on the entire thermosetting resin composition. preferable. Thereby, the fluidity at the time of molding can be improved. Therefore, it is possible to improve the filling property and the molding stability. The upper limit of the content of the thermosetting resin is not particularly limited, but is, for example, preferably 30% by mass or less, and 25% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition. Is more preferable. As a result, the moisture resistance reliability and reflow resistance of the semiconductor device can be improved. Further, by controlling the content of the thermosetting resin within such a range, the warp of the resin-sealed substrate can be suppressed.
(硬化剤)
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、硬化剤を含有してもよい。
上記硬化剤は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と反応する化合物であれば特に限定されない。
(Hardener)
The thermosetting resin composition of the present embodiment may contain a curing agent.
The curing agent is not particularly limited as long as it is a compound that reacts with a thermosetting resin such as an epoxy resin.
上記硬化剤としては、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数2〜20の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジシクロヘキサン、ビス(4−アミノフェニル)フェニルメタン、1,5−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、1,1−ビス(4−アミノフェニル)シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類;アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂;フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂;ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the curing agent include linear aliphatic diamines having 2 to 20 carbon atoms such as ethylenediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, and hexamethylenediamine, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, paraxylenediamine, 4,4. '-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodicyclohexane, bis (4-aminophenyl) phenylmethane, Aminos such as 1,5-diaminonaphthalene, metaxylene diamine, paraxylene diamine, 1,1-bis (4-aminophenyl) cyclohexane, dicyanodiamide; resol-type phenol resins such as aniline-modified resol resin and dimethyl ether resol resin; Novolac-type phenol resins such as phenol novolac resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin; polyfunctional phenol resins such as trihydroxyphenylmethane-type phenol resin; phenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin, biphenylene skeleton-containing phenol Phenol aralkyl resin such as aralkyl resin; Phenol resin having condensed polycyclic structure such as naphthalene skeleton and anthracene skeleton; Polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene; Hexahydrophthalic anhydride (HHPA), Methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA) Such as alicyclic acid anhydrides, acid anhydrides containing aromatic acid anhydrides such as trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), and benzophenol tetracarboxylic acid (BTDA); polysulfide, thioester. , Polymercaptan compounds such as thioethers; isocyanate compounds such as isocyanate prepolymers and blocked isocyanates; organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resins and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
この中でも、硬化剤としては、耐湿性、信頼性等の点から、1分子内に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、シリコン変性フェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;レゾール型フェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等が例示される。この中でも、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の耐熱性や、金型成形時の作業性の観点から、トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂を用いることができる。 Among these, as the curing agent, a compound having at least two phenolic hydroxyl groups in one molecule is preferable from the viewpoint of moisture resistance, reliability, etc., and phenol novolac resin, cresol novolac resin, tert-butylphenol novolac resin, nonylphenol. Novolac resin, silicon-modified phenol Novolac resin, etc. Novolac type phenol resin; Resol type phenol resin; Polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene; Etc. are exemplified. Among these, a trihydroxyphenylmethane-type phenol resin can be used from the viewpoint of heat resistance of the cured product of the thermosetting resin composition and workability at the time of mold molding.
本実施形態において、硬化剤の含有量の下限値は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、1.0質量%以上であることが好ましく、2.0質量%以上であることがより好ましく、3.0質量%以上であることがとくに好ましい。これにより、成形時において、優れた流動性を実現し、充填性や成形性の向上を図ることができる。一方で、上記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、9質量%以下であることが好ましく、8質量%以下であることがより好ましく、7質量%以下であることがとくに好ましい。これにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。 In the present embodiment, the lower limit of the content of the curing agent is not particularly limited, but for example, it is preferably 1.0% by mass or more, preferably 2.0% by mass, based on the entire thermosetting resin composition. The above is more preferable, and 3.0% by mass or more is particularly preferable. As a result, excellent fluidity can be realized at the time of molding, and the filling property and moldability can be improved. On the other hand, the content of the curing agent is not particularly limited, but is preferably 9% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition, for example. It is particularly preferable that it is 7% by mass or less. As a result, the moisture resistance reliability and reflow resistance of the semiconductor device can be improved.
(無機充填材)
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、無機充填材を含有することができる。
(Inorganic filler)
The thermosetting resin composition of the present embodiment can contain an inorganic filler.
上記無機充填材としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ等のシリカ;アルミナ;チタンホワイト;水酸化アルミニウム;タルク;クレー;マイカ;ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。また、シリカの粒子形状は、限りなく真球状であることが好ましい。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the inorganic filler include silica such as melt crushed silica, melt spherical silica, crystalline silica, and secondary aggregated silica; alumina; titanium white; aluminum hydroxide; talc; clay; mica; glass fiber and the like. Among these, molten spherical silica is particularly preferable. Moreover, it is preferable that the particle shape of silica is infinitely spherical. These may be used alone or in combination of two or more.
上記無機充填材の平均粒径d50の上限値は、金型充填性の観点から、例えば、5μm以下であり、好ましくは4.5μm以下であり、さらに好ましくは4μm以下である。これにより、大面積化した金型内における充填性を向上させることができる。また、上記無機充填材の平均粒径d50の下限値は、特に限定されないが、例えば、0.01μm以上とすることができる。
本実施形態において、無機充填材の平均粒径d50は、例えばレーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)を用いて測定することが可能である。
From the viewpoint of mold filling property, the upper limit of the average particle size d50 of the inorganic filler is, for example, 5 μm or less, preferably 4.5 μm or less, and more preferably 4 μm or less. Thereby, the filling property in the mold having a large area can be improved. The lower limit of the average particle size d50 of the inorganic filler is not particularly limited, but can be, for example, 0.01 μm or more.
In the present embodiment, the average particle size d50 of the inorganic filler can be measured using, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring device (LA-500, manufactured by HORIBA).
本実施形態において、無機充填材の含有量の下限値は、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、70質量%以上であり、好ましくは75質量%以上であり、より好ましくは80質量%以上である。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の低吸湿性および低熱膨張性を向上させ、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性をより効果的に向上させることができる。また、上記無機充填材の含有量の上限値は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、95質量%以下であることが好ましく、93質量%以下であることがより好ましく、90質量%以下であることがとくに好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の成形時における流動性や充填性をより効果的に向上させることが可能となる。また、無機充填材の含有量を上記範囲内とすることにより、樹脂封止基板の反りを抑制することができる。 In the present embodiment, the lower limit of the content of the inorganic filler is, for example, 70% by mass or more, preferably 75% by mass or more, and more preferably 80% by mass with respect to the entire thermosetting resin composition. % Or more. Thereby, the low hygroscopicity and low thermal expansion property of the cured product of the thermosetting resin composition can be improved, and the moisture resistance reliability and reflow resistance of the semiconductor device can be more effectively improved. The upper limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 95% by mass or less, preferably 93% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition, for example. It is more preferably 90% by mass or less, and particularly preferably 90% by mass or less. This makes it possible to more effectively improve the fluidity and filling property of the thermosetting resin composition during molding. Further, by setting the content of the inorganic filler within the above range, the warp of the resin-sealed substrate can be suppressed.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、シリコーンオイルを含有することができる。 The thermosetting resin composition of the present embodiment can contain a silicone oil.
上記シリコーンオイルは、例えば、分子中にポリエーテル基を有している化合物が用いられる。このようなシリコーンオイルとしては、下記一般式(1)で表されるシリコーンオイルを用いることができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
l≧0、m≧0、n≧1、l+m+n≧5、
0.02≦n/(l+m+n)≦0.8、
a≧0、b≧0、a+b≧1)
As the silicone oil, for example, a compound having a polyether group in the molecule is used. As such a silicone oil, a silicone oil represented by the following general formula (1) can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
l ≧ 0, m ≧ 0, n ≧ 1, l + m + n ≧ 5,
0.02 ≤ n / (l + m + n) ≤ 0.8,
a ≧ 0, b ≧ 0, a + b ≧ 1)
上記一般式(1)で表されるシリコーンオイルにおけるポリエーテル基含有単位の繰返し数(n)は、上記一般式(1)で表されるシリコーンオイルの重合度(l+m+n)に対し、0.02以上、0.8以下の範囲にあることが好ましい。ポリエーテル基含有単位の繰返し数(n)の割合が上記範囲内であると、シリコーンオイルと樹脂成分との相溶性が適正な状態となることで界面活性作用を呈し、樹脂成分の均一化の効果が得られることとなる。また、ポリエーテル基含有単位の繰返し数(n)の割合が上記範囲内であると、過剰のポリエーテル基の存在による樹脂組成物の吸湿量の増大を抑制でき、それに伴う半田耐熱性の低下を抑制することができる。 The number of repetitions (n) of the polyether group-containing unit in the silicone oil represented by the general formula (1) is 0.02 with respect to the degree of polymerization (l + m + n) of the silicone oil represented by the general formula (1). As mentioned above, it is preferably in the range of 0.8 or less. When the ratio of the number of repetitions (n) of the unit containing the polyether group is within the above range, the compatibility between the silicone oil and the resin component becomes appropriate, and a surface-active action is exhibited to homogenize the resin component. The effect will be obtained. Further, when the ratio of the number of repetitions (n) of the unit containing a polyether group is within the above range, it is possible to suppress an increase in the amount of moisture absorbed by the resin composition due to the presence of an excessive amount of polyether groups, and the corresponding decrease in solder heat resistance. Can be suppressed.
本実施形態のシリコーンオイルは、特に平均重合度に制約は無く、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填材との親和性を付与するために、メチル基、フェニル基の他にC、O、N、S原子などを含む有機基を有していても構わない。 The silicone oil of the present embodiment has no particular limitation on the average degree of polymerization, and in order to impart compatibility with epoxy resins, phenol resins, and inorganic fillers, C, O, N, in addition to methyl groups and phenyl groups, It may have an organic group containing an S atom or the like.
例えば、上記一般式(1)で表されるシリコーンオイルは、分子中に、ポリエーテル基以外にも炭素、窒素、酸素、硫黄、水素原子から選択される原子から構成される種々の基を有してもよい。これらの基としては、例えば、エポキシ基、水酸基、アミノ基、ウレイド基、エポキシ樹脂や硬化剤との反応性を有する官能基や、アリール基等が挙げられる。 For example, the silicone oil represented by the above general formula (1) has various groups in the molecule composed of atoms selected from carbon, nitrogen, oxygen, sulfur and hydrogen atoms in addition to the polyether group. You may. Examples of these groups include an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, a ureido group, a functional group having reactivity with an epoxy resin and a curing agent, an aryl group and the like.
本実施形態において、シリコーンオイルの含有量の下限値は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、0.05質量%以上であり、好ましくは0.08質量%以上であり、より好ましくは0.1質量%以上である。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の界面にシリコーンオイルがブリードすることができ、当該界面の濡れ性を最適にすることができる。また、シリコーンオイルの含有量の上限値は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、1質量%以下であり、好ましくは0.5質量%以下である。これにより、シリコーンオイルのブリード量を適切に制御できるので、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の成形性の低下を抑制することができる。 In the present embodiment, the lower limit of the content of the silicone oil is not particularly limited, but is, for example, 0.05% by mass or more, preferably 0.08% by mass or more, based on the entire thermosetting resin composition. It is more preferably 0.1% by mass or more. As a result, the silicone oil can bleed to the interface of the cured product of the thermosetting resin composition, and the wettability of the interface can be optimized. The upper limit of the content of the silicone oil is not particularly limited, but is, for example, 1% by mass or less, preferably 0.5% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition. As a result, the amount of bleeding of the silicone oil can be appropriately controlled, so that deterioration of the moldability of the cured product of the thermosetting resin composition can be suppressed.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、シアネート樹脂を含有してもよい。
これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、半導体装置の耐熱性や耐湿性を向上させることができる。
上記シアネート樹脂は、例えば、ノボラック型シアネート樹脂;ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂;ナフトールアラルキル型フェノール樹脂とハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂;ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂;ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことが特に好ましい。
The thermosetting resin composition of the present embodiment may contain a cyanate resin.
As a result, it is possible to reduce the linear expansion and improve the elastic modulus and rigidity of the cured product of the thermosetting resin composition. In addition, the heat resistance and moisture resistance of the semiconductor device can be improved.
The cyanate resin is, for example, a novolak type cyanate resin; a bisphenol type cyanate resin such as a bisphenol A type cyanate resin, a bisphenol E type cyanate resin, a tetramethylbisphenol F type cyanate resin; a reaction between a naphthol aralkyl type phenol resin and cyanate halide. It can contain one or more selected from the naphthol aralkyl type cyanate resin obtained in the above; dicyclopentadiene type cyanate resin; bisphenol skeleton-containing phenol aralkyl type cyanate resin. Among these, from the viewpoint of low line expansion and improvement of elastic modulus and rigidity, it is more preferable to contain at least one of the novolak type cyanate resin and the naphthol aralkyl type cyanate resin, and the novolak type cyanate resin is contained. Is particularly preferable.
上記シアネート樹脂の含有量の下限値は、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、3質量%以上であることが好ましく、5質量%以上であることがより好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の低線膨張化や高弾性率化を図ることができる。一方で、上記シアネート樹脂の含有量の上限値は、例えば、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、30質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。 The lower limit of the content of the cyanate resin is, for example, preferably 3% by mass or more, and more preferably 5% by mass or more, based on the entire thermosetting resin composition. As a result, it is possible to achieve low linear expansion and high elastic modulus of the cured product of the thermosetting resin composition. On the other hand, the upper limit of the content of the cyanate resin is, for example, preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition. This makes it possible to improve the heat resistance and moisture resistance of the cured product of the thermosetting resin composition.
(硬化促進剤)
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤を含有してもよい。
上記硬化促進剤は、例えば、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤との硬化反応を促進させるものであれば特に限定されない。
上記硬化促進剤としては、例えば、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物;1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや3級アミン、前記アミジンやアミンの4級塩等の窒素原子含有化合物から選択される1種類または2種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。また、成形性と硬化性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことがより好ましい。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
また、有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第1ホスフィン;ジ メチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第2ホスフィン;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィ ン等の第3ホスフィンが挙げられる。
より好ましいものとしては、熱硬化性樹脂組成物が溶融した後の急激な増粘が少ない潜伏性を有する硬化促進剤が挙げられる。
(Curing accelerator)
The thermosetting resin composition of the present embodiment may contain a curing accelerator.
The curing accelerator is not particularly limited as long as it accelerates the curing reaction between the epoxy group of the epoxy resin and the curing agent.
Examples of the curing accelerator include phosphorus atom-containing compounds such as organic phosphine, tetra-substituted phosphonium compound, phosphobetaine compound, adduct of phosphine compound and quinone compound, and adduct of phosphonium compound and silane compound; 1,8 -Diazabicyclo [5.4.0] Undecene-7, benzyldimethylamine, 2-methylimidazole and the like are exemplified by amidine and tertiary amine, and are selected from nitrogen atom-containing compounds such as the quaternary salt of amidine and amine. It can include one type or two or more types. Among these, it is more preferable to contain a phosphorus atom-containing compound from the viewpoint of improving curability. Further, from the viewpoint of improving the balance between moldability and curability, it has latent properties such as a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, and an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. It is more preferable to include one. These may be used alone or in combination of two or more.
Examples of the organic phosphine include a first phosphine such as ethylphosphine and phenylphosphine; a second phosphine such as dimethylphosphine and diphenylphosphine; and a third phosphine such as trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine and triphenylphosphine. Can be mentioned.
More preferable is a curing accelerator having a latent property with less rapid thickening after the thermosetting resin composition is melted.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、着色剤、離型剤、低応力剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を含有してもよい。 In addition to the above components, the thermosetting resin composition of the present embodiment has, if necessary, a coupling agent, a leveling agent, a colorant, a mold release agent, a low stress agent, a photosensitizer, a defoaming agent, and an ultraviolet absorber. , Foaming agents, antioxidants, flame retardants, ion scavengers and the like may contain one or more additives.
上記カップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランカップリング剤、フェニルアミノプロピルトリメトキシシランカップリング剤、メルカプトシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。上記レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。上記着色剤としては、カーボンブラック等が挙げられる。上記離型剤としては、天然ワックス、モンタン酸エステル等の合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等が挙げられる。上記低応力剤としては、シリコーンゴム等が挙げられる。イオン捕捉剤としては、ハイドロタルサイト等が挙げられる。難燃剤としては、水酸化アルミニウム等が挙げられる。本実施形態において、例えば、上記シリコーンオイルと上記離型剤とを併用してもよい。 Examples of the coupling agent include an epoxysilane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane coupling agent, a phenylaminopropyltrimethoxysilane coupling agent, and a mercapto. Examples thereof include silane coupling agents such as silane coupling agents, titanate-based coupling agents and silicone oil type coupling agents. Examples of the leveling agent include acrylic copolymers and the like. Examples of the colorant include carbon black and the like. Examples of the release agent include natural wax, synthetic wax such as montanic acid ester, higher fatty acid or metal salt thereof, paraffin, polyethylene oxide and the like. Examples of the low stress agent include silicone rubber and the like. Examples of the ion scavenger include hydrotalcite and the like. Examples of the flame retardant include aluminum hydroxide. In the present embodiment, for example, the silicone oil and the mold release agent may be used in combination.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、顆粒状であってもよく、またはシート状であってもよい。金型充填性の観点から、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を用いてもよく、生産性の観点から、シート状の熱硬化性樹脂組成物を用いてもよい。 The thermosetting resin composition of the present embodiment may be in the form of granules or in the form of sheets. From the viewpoint of mold filling property, a granular thermosetting resin composition may be used, and from the viewpoint of productivity, a sheet-shaped thermosetting resin composition may be used.
本実施形態において、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物の製造方法としては、例えば、複数の小孔を有する円筒状外周部と円盤状の底面から構成される回転子の内側に、溶融混練された熱硬化性樹脂組成物を供給し、その熱硬化性樹脂組成物を、回転子を回転させて得られる遠心力によって小孔を通過させて得る方法(以下、「遠心製粉法」とも言う。);熱硬化性樹脂組成物の各原料成分をミキサーで予備混合後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物としたものを、篩を用いて粗粒と微紛の除去を行って得る方法(以下、「粉砕篩分法」とも言う。);熱硬化性樹脂組成物の各原料成分をミキサーで予備混合後、スクリュー先端部に小径を複数配置したダイを設置した押出機を用いて、加熱混練を行うとともに、ダイに配置された小孔からストランド状に押し出されてくる溶融樹脂をダイ面に略平行に摺動回転するカッターで切断して得る方法(以下、「ホットカット法」とも言う。)等が挙げられる。 In the present embodiment, as a method for producing a granular thermosetting resin composition, for example, it is melt-kneaded inside a rotor composed of a cylindrical outer peripheral portion having a plurality of small holes and a disk-shaped bottom surface. A method of supplying a thermosetting resin composition and passing the thermosetting resin composition through small holes by a centrifugal force obtained by rotating a rotor (hereinafter, also referred to as "centrifugal milling method". ); After premixing each raw material component of the thermosetting resin composition with a mixer, heat-kneading with a kneader such as a roll, kneader or extruder, cooling and crushing to make a crushed product, using a sieve. A method obtained by removing coarse particles and fine powder (hereinafter, also referred to as "crushed sieving method"); after premixing each raw material component of the thermosetting resin composition with a mixer, a small diameter is formed at the tip of the screw. Using an extruder equipped with multiple dies, heat kneading is performed, and the molten resin extruded in a strand shape from the small holes arranged in the dies is cut with a cutter that slides and rotates substantially parallel to the die surface. (Hereinafter, also referred to as “hot cut method”) and the like.
また、シート状の熱硬化性樹脂組成物の製造方法としては、調製したワニス状の熱硬化性樹脂組成物を基材フィルム上に塗布・乾燥してシート状に形成し、溶剤を揮発させる方法が挙げられる。これにより、樹脂シートを作製することができる。また、塗布の方法としては、コンマコーターやダイコーターのような塗工機を用いた塗工による方法、ステンシル印刷やグラビア印刷のような印刷による方法等が挙げられる。なお、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物の調製方法の一例としては、例えば、非反応性の揮発性成分を除く各原料成分を混練して得られた樹脂組成物を有機溶剤等に溶解又は分散する方法がある。また、樹脂シートは、熱硬化性樹脂組成物を押し出してシート状に形成してもよい。なお、樹脂シートの表面を保護しフィルムで覆ってもよい。上記樹脂シートは、枚葉状でも巻き取り可能なロール状でもよい。 Further, as a method for producing a sheet-shaped thermosetting resin composition, a method of applying the prepared varnish-like thermosetting resin composition on a base film and drying it to form a sheet-like form and volatilizing the solvent. Can be mentioned. As a result, a resin sheet can be produced. In addition, examples of the coating method include a coating method using a coating machine such as a comma coater or a die coater, a printing method such as stencil printing or gravure printing, and the like. As an example of the method for preparing the varnish-like thermosetting resin composition, for example, the resin composition obtained by kneading each raw material component excluding the non-reactive volatile component is dissolved in an organic solvent or the like. There is a way to disperse. Further, the resin sheet may be formed in the form of a sheet by extruding the thermosetting resin composition. The surface of the resin sheet may be protected and covered with a film. The resin sheet may be in the form of a single sheet or a roll that can be rolled up.
次に、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の物性について説明する。 Next, the physical characteristics of the thermosetting resin composition of the present embodiment will be described.
本実施形態において、175℃で硬化した熱硬化性樹脂組成物の硬化板の表面エネルギーの上限値は、例えば、30mN/m以下であり、好ましくは28mN/m以下であり、より好ましくは26mN/m以下である。これにより、大面積化した金型成形時において、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物である成形体が、このような金型に貼り付くことを抑制することができる。 In the present embodiment, the upper limit of the surface energy of the cured plate of the thermosetting resin composition cured at 175 ° C. is, for example, 30 mN / m or less, preferably 28 mN / m or less, and more preferably 26 mN / m. It is less than m. As a result, it is possible to prevent the molded product, which is a cured product of the thermosetting resin composition, from sticking to such a mold when molding a mold having a large area.
また、上記175℃で硬化した熱硬化性樹脂組成物の硬化板の表面エネルギーの下限値は、特に限定されないが、例えば、22mN/m以上としてもよく、23mN/m以上としてもよい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の成形性を向上させることができる。 The lower limit of the surface energy of the cured plate of the thermosetting resin composition cured at 175 ° C. is not particularly limited, but may be, for example, 22 mN / m or more, or 23 mN / m or more. Thereby, the moldability of the cured product of the thermosetting resin composition can be improved.
本実施形態において、上記表面エネルギーは、熱硬化性樹脂組成物の硬化板の表面において、エタノールベースインキ中のエタノール分率とインキのはじき度合いとから算出することができる。具体的には、まず、金型を用いて、例えば、175℃、120秒の条件で硬化させた熱硬化性樹脂組成物の硬化板を準備する。このとき、硬化板の表面粗さRaは、例えば、0.10μm以下とする。続いて、このような表面粗さが小さい硬化板の表面に対して、エタノールベースインキで線を描く。エタノールベースインキ中のエタノール分率は、例えば、20%から徐々に高くすることができる。描いた線が維持された時のエタノール分率を測定し、当該エタノール分率から対応する表面エネルギーを算出することができる。
例えば、試薬のエタノールと水の混合比を適宜変更・調整することで、上記表面エネルギーを算出できる。一例としては、エタノール分率50%(エタノール/水=50/50)のとき、表面エネルギーは28.51mN/mであり、エタノール分率が100%のとき、表面エネルギーは22mN/mとすることができる。また、表面粗さRaは、JIS B 0601−1982により測定できる。
In the present embodiment, the surface energy can be calculated from the ethanol fraction in the ethanol-based ink and the degree of ink repelling on the surface of the cured plate of the thermosetting resin composition. Specifically, first, a cured plate of a thermosetting resin composition cured under the conditions of, for example, 175 ° C. and 120 seconds is prepared using a mold. At this time, the surface roughness Ra of the cured plate is, for example, 0.10 μm or less. Subsequently, a line is drawn with ethanol-based ink on the surface of such a cured plate having a small surface roughness. The ethanol fraction in the ethanol-based ink can be gradually increased from, for example, 20%. The ethanol fraction when the drawn line is maintained can be measured, and the corresponding surface energy can be calculated from the ethanol fraction.
For example, the surface energy can be calculated by appropriately changing and adjusting the mixing ratio of the reagents ethanol and water. As an example, when the ethanol fraction is 50% (ethanol / water = 50/50), the surface energy is 28.51 mN / m, and when the ethanol fraction is 100%, the surface energy is 22 mN / m. Can be done. The surface roughness Ra can be measured by JIS B 0601-1982.
以上のように、本発明者が検討した結果、エタノールベースインキを用いた簡便な手法により、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化体における表面エネルギーを算出することができるとともに、算出された当該表面エネルギーは、金型密着性を評価する指標として適切であることが見出された。 As described above, as a result of the examination by the present inventor, the surface energy of the cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment can be calculated and calculated by a simple method using an ethanol-based ink. It was found that the surface energy was suitable as an index for evaluating the mold adhesion.
本実施形態では、たとえば、熱硬化性樹脂組成物中に含まれる各成分の種類や配合量、熱硬化性樹脂組成物の調製方法等を適切に選択することにより、上記表面エネルギーを制御することが可能である。これらの中でも、たとえば、シリコーンオイルやワックスなどの硬化物の表面にブリードする低分子量成分を添加すること、シリコーンオイルとエポキシ樹脂の親和性や、硬化物の架橋密度を調整すること等が、上記表面エネルギーを所望の数値範囲とするための要素として挙げられる In the present embodiment, for example, the surface energy is controlled by appropriately selecting the type and blending amount of each component contained in the thermosetting resin composition, the method for preparing the thermosetting resin composition, and the like. Is possible. Among these, for example, adding a low molecular weight component that bleeds to the surface of a cured product such as silicone oil or wax, adjusting the affinity between the silicone oil and the epoxy resin, adjusting the cross-linking density of the cured product, and the like are described above. It can be mentioned as an element for setting the surface energy in the desired numerical range.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物において、175℃におけるゲルタイムの下限値は、例えば、50秒以上であり、好ましくは53秒以上であり、より好ましくは55秒以上である。これにより、大面積化した金型への充填性を向上させることができる。また、上記175℃におけるゲルタイムの上限値は、特に限定されないが、例えば、120秒以下でもよく、100秒以下でもよく、80秒以下でもよい。これにより、生産性を向上させることができる。 In the thermosetting resin composition of the present embodiment, the lower limit of the gel time at 175 ° C. is, for example, 50 seconds or more, preferably 53 seconds or more, and more preferably 55 seconds or more. As a result, it is possible to improve the filling property of the mold having a large area. The upper limit of the gel time at 175 ° C. is not particularly limited, but may be, for example, 120 seconds or less, 100 seconds or less, or 80 seconds or less. This makes it possible to improve productivity.
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度(Tg)の下限値は、例えば、145℃以上であり、好ましくは150℃以上であり、より好ましく155℃以上である。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の熱分解を抑制することができる。また、樹脂封止基板の反りを抑制することができる。一方、上記ガラス転移温度(Tg)の上限値は、特に限定されないが、例えば、250℃以下としてもよい。 The lower limit of the glass transition temperature (Tg) of the cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment is, for example, 145 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher, and more preferably 155 ° C. or higher. Thereby, the thermal decomposition of the cured product of the thermosetting resin composition can be suppressed. In addition, warpage of the resin-sealed substrate can be suppressed. On the other hand, the upper limit of the glass transition temperature (Tg) is not particularly limited, but may be, for example, 250 ° C. or lower.
また、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物における崩壊角の上限値は、35°以下であることが好ましく、30°以下であることがより好ましく、25°以下であることがさらに好ましい。これにより、振動フィーダー等の搬送手段を用いて顆粒状の熱硬化性樹脂組成物が搬送される際、固着や目詰まり等を起こしにくく安定して搬送することができる。このため、大面積化した金型への充填性を向上させることができる。一方、上記崩壊角は、低いほど固着や目詰まり等を起こし難くなるため、その下限値については特に限定されるものではないが、例えば、1°以上、或いは10°以上とすることができる。 Further, the upper limit of the collapse angle in the granular thermosetting resin composition is preferably 35 ° or less, more preferably 30 ° or less, and further preferably 25 ° or less. As a result, when the granular thermosetting resin composition is transported using a transport means such as a vibration feeder, it is possible to stably transport the granular thermosetting resin composition without causing sticking or clogging. Therefore, it is possible to improve the filling property of the mold having a large area. On the other hand, the lower the collapse angle is, the less likely it is that sticking or clogging will occur. Therefore, the lower limit value thereof is not particularly limited, but can be, for example, 1 ° or more, or 10 ° or more.
本実施形態において、崩壊角の測定方法としては、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を、漏斗の孔から一定面積の水平板の上に一定形状となるまで落下堆積させ、円錐状の顆粒体を形成させる。次いで、水平板と同じ台座上にある一定の重さの分銅を落下させることにより、該顆粒体に一定の衝撃を与え、一部顆粒状の熱硬化性樹脂組成物が自然流動し水平板から脱落した後、残った円錐状の顆粒体について、底面外周の点から円錐の頂点までの仰角として、崩壊角を求めることができる。尚、衝撃を与える前の顆粒体における仰角を安息角といい、安息角と崩壊角との差を差角という。差角は、振動フィーダー等の搬送装置からの振動等による顆粒状の熱硬化性樹脂組成物の崩れ易さを表す指標となるものであり、差角が大きいほど崩れ易いこととなるため、例えば、10°以上であることが好ましく、15°以上であることがより好ましい。崩壊角、安息角の測定装置としては、パウダーテスター(ホソカワミクロン(株)製)が挙げられる。 In the present embodiment, as a method for measuring the collapse angle, a granular thermosetting resin composition is dropped and deposited on a horizontal plate having a certain area from a hole in a funnel until it has a certain shape, and a conical granule is formed. To form. Next, by dropping a weight of a certain weight on the same pedestal as the horizontal plate, a certain impact is given to the granules, and a partially granular thermosetting resin composition naturally flows from the horizontal plate. For the remaining conical granules after falling off, the collapse angle can be obtained as the elevation angle from the point on the outer periphery of the bottom surface to the apex of the cone. The angle of repose of the granules before impact is called the angle of repose, and the difference between the angle of repose and the angle of repose is called the difference angle. The difference angle is an index indicating the ease of collapse of the granular thermosetting resin composition due to vibration from a transfer device such as a vibration feeder, and the larger the difference angle, the easier it is to collapse. Therefore, for example. It is preferably 10 ° or more, and more preferably 15 ° or more. Examples of the device for measuring the collapse angle and the angle of repose include a powder tester (manufactured by Hosokawa Micron Co., Ltd.).
また、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物における平均粒径の上限値は、例えば、1.0mm以下であり、好ましくは0.7mm以下であり、さらに好ましくは0.6mm以下である。これにより、大面積化した金型への充填性を向上させることができる。また、上記平均粒径の下限値は、特に限定されないが、例えば、0.1mm以上であり、0.3mmを越えてもよく、0.4mm以上としてもよい。これにより、製造安定性に優れた顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を実現することができる。 The upper limit of the average particle size of the granular thermosetting resin composition is, for example, 1.0 mm or less, preferably 0.7 mm or less, and more preferably 0.6 mm or less. As a result, it is possible to improve the filling property of the mold having a large area. The lower limit of the average particle size is not particularly limited, but is, for example, 0.1 mm or more, may exceed 0.3 mm, or may be 0.4 mm or more. Thereby, a granular thermosetting resin composition having excellent production stability can be realized.
(電子装置)
本実施形態の電子装置100について説明する。図1は、本実施形態の電子装置100の構成を示す断面図である。
(Electronic device)
The
本実施形態の電子装置100は、樹脂封止基板110と、樹脂封止基板110上に搭載された電子部品(半導体素子140)と、を備える半導体装置とすることができる。本実施形態において、樹脂封止基板110は、上記の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備えるものである。
The
樹脂封止基板110(例えば、MIS基板(Molded Interconnect Substrate))は、絶縁層112と金属層130とを少なくとも備えることができる。絶縁層112は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成されるものである。これにより、製造安定性に優れ、基板反りが抑制された樹脂封止基板110を得ることができる。絶縁層112は、ガラスクロスなどの繊維基材を含有しない構成としてもよい。これにより、樹脂封止基板110は、コアレス樹脂基板とすることができる。また、コアレス樹脂基板は、絶縁層内に内蔵された半導体チップを有していてもよい。この半導体素子は、金属層(例えば、ビア配線)を介して電気的に接続することができる。
The resin-sealed substrate 110 (for example, a MIS substrate (Molded Connect Substrate)) can include at least an
樹脂封止基板110において、ポストである金属層130は、ビア配線120を介して、樹脂封止基板110の上面114と下面とを電気的に接続する。ビア配線120やビア配線120は、例えば、銅などの金属で構成されていてもよい。
In the resin-sealed
また、樹脂封止基板110の上面114は、研磨面で構成されていてもよい。また、樹脂封止基板110の上面114と金属層130の上面とは同一平面を構成してもよい。なお、樹脂封止基板110の上面114および下面には、不図示のソルダーレジスト層が形成されていてもよい。
Further, the
上記半導体素子140は、樹脂封止基板110上に接着層160を介して固定されていてもよい。半導体素子140は、樹脂封止基板110とワイヤボンディング150を介して電気的に接続してもよいが、フリップチップ接続により電気的に接続されていてもよい。また、半導体素子140は、一般的な封止用熱硬化性樹脂組成物の硬化物(封止材層170)で覆われるように封止されている。
The
上記半導体素子140としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられる。半導体素子140を備える半導体パッケージの構造としては、例えば、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、MAPタイプのBGA等が挙げられる。又、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)、クワッド・フラット・ノンリーデッド・パッケージ(QFN)、embedded WLP(eWLP)、Fan In WLPおよびFan Out WLP等のウエハ・レベルパッケージ(WLP)、スモールアウトライン・ノンリーデッド・パッケージ(SON)、リードフレーム・BGA(LF−BGA)等が挙げられる。
Examples of the
続いて、電子装置200の製造方法について、樹脂封止基板250の製造工程を踏まえて説明する。図2は、電子装置200の製造工程の工程断面図である。
Subsequently, the manufacturing method of the
本実施形態において、樹脂封止基板250の製造方法は、次の工程1〜3を含むことができる。
工程1は、支持基材210上に、パターン化された金属層230を形成する金属層形成工程を含む。
工程2は、金属層230を埋設する絶縁層234を形成する絶縁層形成工程を含む。
工程3は、絶縁層234の表面(上面226)を研磨することにより、金属層230を露出させる研磨工程を含む。
これらの上記工程1〜3を繰り返すことにより、1層以上の絶縁層で構成された層間絶縁層中に層間接続配線を形成することができる。
上記絶縁層は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成することができる。
以下、各工程について説明する。
In the present embodiment, the method for manufacturing the resin-sealed
Step 1 includes a metal layer forming step of forming a patterned
Step 2 includes an insulating layer forming step of forming an insulating
Step 3 includes a polishing step of exposing the
By repeating these steps 1 to 3, it is possible to form the interlayer connection wiring in the interlayer insulating layer composed of one or more insulating layers.
The insulating layer can be composed of a cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment.
Hereinafter, each step will be described.
まず、図2(a)に示すように、支持基材210を準備する。支持基材210上にはキャリア箔212が形成されていてもよい。支持基材210としては、平坦性、剛直性および耐熱性等の特性を有する下地基板であれば特に限定されないが、例えば、金属板を用いることができる。金属板としては、例えば、銅板、アルミニウム板、鉄板、鋼鉄(スチール)板、ニッケル板、銅合金板、42合金板、ステンレス板等が挙げられる。鋼鉄(スチール)板は、SPCC(Steel Plate Cold Commercial)等の冷間圧延鋼板の態様であってもよい。また、金属板は、フレーム形状に加工された枚葉のものであってもよく、フープ状の連続形状のものであってもよい。本実施形態に用いられる支持基材210は、平面上に複数の半導体素子が配置できる程度に、大面積を有していることが好ましい。上面視における支持基材210の平面形状としては、特に限定されないが、例えば、矩形形状でも円形形状でもよいが、生産性の観点から矩形形状であってもよい。
First, as shown in FIG. 2A, the supporting
続いて、パターン化された金属層220を形成した後、この金属層220上にビア配線222を形成することができる。
パターン化方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法を用いることができる。具体的な一例としては、まず、支持基材210上に、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜を形成する。形成方法としては、例えば、コーターやスピンナー等を使用して感光性樹脂組成物を塗布して得られた塗布膜を乾燥させる方法や、感光性樹脂組成物からなる樹脂シートを熱圧着等によりラミネートする方法などにより、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜を形成する。続いて、当該感光性樹脂膜に所定のパターンを有する開口部を形成する。開口部の形成方法としては、例えば、露光現像法やレーザー加工法等を用いることができる。続いて、この開口部を金属膜で埋設する。埋設方法としては、例えば、無電解めっき法やめっき法等が挙げられる。金属膜の材料としては、例えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田等が挙げられるが、銅を用いてもよい。続いて、上記感光性樹脂膜を除去する。除去方法としては、例えば、剥離液を用いて感光性樹脂膜を剥離する方法、アッシング処理、アッシング処理を行った後に下地に付着している感光性樹脂膜の残渣を剥離液により除去する方法等が挙げられる。中でも、生産効率を向上させる観点から、剥離液を用いて感光性樹脂膜を剥離する方法を採用することが好ましい。剥離液の具体例としては、アルキルベンゼンスルホン酸を含む有機スルホン酸系剥離液、モノエタノールアミン等の有機アミンを含む有機アミン系剥離液、水に対して有機アルカリやフッ素系化合物等を混合した水系レジスト剥離液等が挙げられる。なお、化学的機械研磨(CMP)装置を用いて金属層を研磨する手法を行ってもよい。
以上により、パターン化した金属層が得られる。このような金属層としては、配線回路、ビア配線、導電ポストなどが挙げられる。
Subsequently, after forming the patterned
As the patterning method, for example, a photolithography method can be used. As a specific example, first, a photosensitive resin film made of a photosensitive resin composition is formed on the supporting
As described above, a patterned metal layer is obtained. Examples of such a metal layer include a wiring circuit, via wiring, and a conductive post.
続いて、図2(b)に示すように、金属層220およびビア配線222を埋め込むように、絶縁層224を形成する。絶縁層224としては、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物により構成されている。つまり、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物により、金属層220およびビア配線222を封止することができる。
Subsequently, as shown in FIG. 2B, the insulating
絶縁層224の形成方法には、例えば、封止材料として、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物、またはシート状の熱硬化性樹脂組成物を用い、成形方法として、圧縮成形を使用することができる。
As a method for forming the insulating
ここで、本実施形態において、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を用いた圧縮成形について概要を説明する。 Here, in the present embodiment, an outline of compression molding using a granular thermosetting resin composition will be described.
まず、圧縮成形金型の下型キャビティの底面に、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を均一になるように蒔く。例えば、振動フィーダー等の搬送手段を用いて、粒状の熱硬化性樹脂組成物を搬送し、下型キャビティの底面に配置してもよい。
続いて、金属層220やビア配線222が形成された支持基材210を、クランプや吸着のような固定手段により、圧縮成形金型の上型に固定する。続いて、減圧下、金型の上型と下型の間隔を狭めることにより、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物は、下型キャビティ内で所定温度に加熱され、溶融状態となる。続いて、金型の上型と下型を結合させることにより、溶融状態の熱硬化性樹脂組成物を上型に固定された、金属層220やビア配線222に対して押し当てる。その後、金型の上型と下型を結合させた状態を保持しながら、所定時間をかけて熱硬化性樹脂組成物を硬化させる。これにより、支持基材210上の金属層220およびビア配線222を封止した絶縁層224を形成することができる。
本実施形態においては、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物に代えて、シート状の熱硬化性樹脂組成物を使用した場合でも、上記のような圧縮成形を利用することができる。
First, the granular thermosetting resin composition is uniformly sown on the bottom surface of the lower die cavity of the compression molding die. For example, the granular thermosetting resin composition may be conveyed by using a conveying means such as a vibration feeder and arranged on the bottom surface of the lower die cavity.
Subsequently, the
In the present embodiment, even when a sheet-shaped thermosetting resin composition is used instead of the granular thermosetting resin composition, the above-mentioned compression molding can be used.
ここで、圧縮成形を行う場合には、金型内を減圧下にしながら封止を行うことが好ましく、真空条件下であるとさらに好ましい。これにより、充填部分を残すことなく、金属層220やビア配線222等のパターン化された金属層を、熱硬化性樹脂組成物の硬化物(絶縁層224)で埋設することができる。
Here, when performing compression molding, it is preferable to perform sealing while reducing the pressure inside the mold, and it is more preferable to perform sealing under vacuum conditions. Thereby, the patterned metal layer such as the
圧縮成形における成形温度は、例えば、100℃以上200℃以下としてもよく、120℃以上180℃以下としてもよい。成形圧力は、例えば、0.5MPa以上12MPa以下としてもよく、1MPa以上10MPa以下としてもよい。成形時間は、例えば、30秒以上15分以下としてもよく、1分以上10分以下としてもよい。本実施形態において、成形温度、圧力、時間を上記範囲とすることで、溶融状態の封止材が充填されない部分が発生することを防止することができる。 The molding temperature in compression molding may be, for example, 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, or 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower. The molding pressure may be, for example, 0.5 MPa or more and 12 MPa or less, or 1 MPa or more and 10 MPa or less. The molding time may be, for example, 30 seconds or more and 15 minutes or less, or 1 minute or more and 10 minutes or less. In the present embodiment, by setting the molding temperature, pressure, and time within the above ranges, it is possible to prevent the occurrence of a portion where the sealed material in the molten state is not filled.
また、得られた熱硬化性樹脂組成物の硬化物(絶縁層224)に対して、封止後、ポストキュアを実施してもよい。ポストキュア温度は、例えば、150℃以上200℃以下としてもよく、165℃以上185℃以下としてもよい。ポストキュア時間は、例えば、1時間以上5時間以下としてもよく、2時間以上4時間以下としてもよい。 Further, the cured product (insulating layer 224) of the obtained thermosetting resin composition may be post-cured after sealing. The post-cure temperature may be, for example, 150 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, or 165 ° C. or higher and 185 ° C. or lower. The post-cure time may be, for example, 1 hour or more and 5 hours or less, or 2 hours or more and 4 hours or less.
続いて、図2(c)に示すように、グラインドやケミカルエッチングなどの方法により、絶縁層224の表面(上面226)を研磨することにより、パターン化した金属層(ビア配線222)の表面を露出させる。このとき、上面226には研磨面が形成されることになる。また、グラインド方法としては、例えば、化学的機械研磨(CMP)を用いることができる。
Subsequently, as shown in FIG. 2C, the surface of the insulating layer 224 (upper surface 226) is polished by a method such as grinding or chemical etching to obtain the surface of the patterned metal layer (via wiring 222). Expose. At this time, a polished surface is formed on the
続いて、図2(d)に示すように、金属層220と同様にして、パターン化した金属層230を絶縁層224の上面226上に形成する。続いて、図2(e)に示すように、絶縁層224と同様にして、金属層230を埋設する絶縁層234を形成する。続いて、図2(f)に示すように、上記の研磨方法により、絶縁層234の上面236を研磨することより、上面236に研磨面を形成するとともに、金属層230の上面を露出させることができる。以上のような工程を繰り返した後、支持基材210およびキャリア箔212を剥離することにより、図2(g)に示すような、ビア配線232、金属層240、絶縁層244がさらに形成された樹脂封止基板250が得られる。また、樹脂封止基板250の上面246には研磨面が形成されていてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 2D, a patterned
本実施形態において、上述の工程1〜3を繰り返すことにより、樹脂封止基板250の配線層を1層または2層以上とすることが可能になる。樹脂封止基板250の層間絶縁層は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成されている。このため、樹脂封止基板250の反りを抑制することができる。また、製造安定性に優れた樹脂封止基板250とすることができる。
In the present embodiment, by repeating the above steps 1 to 3, the wiring layer of the resin-sealed
ここで、図2(h)に示す樹脂封止基板250は、一つの半導体素子260のみならず、複数の半導体素子260を平面内に配置することができる。すなわち、樹脂封止基板250は、大面積の金型を用いた金型成形により得られた構造を有することができる。
Here, in the resin-sealed
複数の半導体素子(電子部品)を平面内搭載できる搭載エリアを有する場合の一例を、図3に示す。図3は、本実施形態に係る樹脂封止基板300の構成の一例を示す上面図である。図3に示すように、樹脂封止基板300は、平面内に複数の半導体素子搭載エリア310,320が形成されていてもよい。
それぞれの半導体素子搭載エリア310,320に、半導体素子(電子部品)が互いに離間して搭載されることになる。
FIG. 3 shows an example in which a mounting area on which a plurality of semiconductor elements (electronic components) can be mounted in a plane is provided. FIG. 3 is a top view showing an example of the configuration of the resin-sealed
Semiconductor elements (electronic components) are mounted in the semiconductor
図2(h)に戻り、樹脂封止基板250上に半導体素子260を搭載する。これにより、電子装置200が得られる。電子装置200中の半導体素子260は、半田バンプ280を介してフリップチップ接続により樹脂封止基板250と電気的に接続できる。樹脂封止基板250上の半導体素子260は、一般的な封止用熱硬化性樹脂により封止されており、封止材層270で覆われている。
Returning to FIG. 2H, the
本実施形態において、図3に示すように、複数の半導体素子が搭載された樹脂封止基板300は、これらを一括封止した後、個片化されることになる。これにより、図2(f)に示すような、個片化された電子装置200を得ることができる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the resin-sealed
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、実施形態の例を付記する。
1.樹脂封止基板の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物であって、
当該熱硬化性樹脂組成物を175℃で硬化した硬化板の表面エネルギーが、30mN/m以下である、熱硬化性樹脂組成物。
2.1.に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
175℃におけるゲルタイムが、50秒以上である、熱硬化性樹脂組成物。
3.1.または2.に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度(Tg)が、145℃以上ある、熱硬化性樹脂組成物。
4.1.から3.のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
顆粒状またはシート状である、熱硬化性樹脂組成物。
5.4.に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
当該顆粒状の熱硬化性樹脂組成物における崩壊角が、35°以下である、熱硬化性樹脂組成物。
6.4.または5.に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
当該顆粒状の熱硬化性樹脂組成物における平均粒径が、1.0mm以下である、熱硬化性樹脂組成物。
7.1.から6.のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
シリコーンオイルを含む、熱硬化性樹脂組成物。
8.1.から7.のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
無機充填材を含み、
前記無機充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して70質量%以上である、熱硬化性樹脂組成物。
9.8.に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記無機充填材の平均粒径が5μm以下である、熱硬化性樹脂組成物。
10.1.から9.のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える、樹脂封止基板。
11.10.に記載の樹脂封止基板と、
前記樹脂封止基板に搭載された電子部品と、を備える、電子装置。
Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.
Hereinafter, an example of the embodiment will be added.
1. 1. A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate.
A thermosetting resin composition in which the surface energy of a cured plate obtained by curing the thermosetting resin composition at 175 ° C. is 30 mN / m or less.
2.1. The thermosetting resin composition according to the above.
A thermosetting resin composition having a gel time of 50 seconds or more at 175 ° C.
3.1. Or 2. The thermosetting resin composition according to the above.
A thermosetting resin composition having a glass transition temperature (Tg) of a cured product of the thermosetting resin composition of 145 ° C. or higher.
4.1. From 3. The thermosetting resin composition according to any one of the above items.
A thermosetting resin composition in the form of granules or sheets.
5.4. The thermosetting resin composition according to the above.
A thermosetting resin composition having a decay angle of 35 ° or less in the granular thermosetting resin composition.
6.4. Or 5. The thermosetting resin composition according to the above.
A thermosetting resin composition having an average particle size of 1.0 mm or less in the granular thermosetting resin composition.
7.1. From 6. The thermosetting resin composition according to any one of the above items.
A thermosetting resin composition containing a silicone oil.
8.1. From 7. The thermosetting resin composition according to any one of the above items.
Contains inorganic fillers
A thermosetting resin composition in which the content of the inorganic filler is 70% by mass or more with respect to the entire thermosetting resin composition.
9.8. The thermosetting resin composition according to the above.
A thermosetting resin composition having an average particle size of 5 μm or less of the inorganic filler.
10.1. To 9. A resin-sealed substrate comprising a cured product of the thermosetting resin composition according to any one of the above items.
11.10. With the resin-sealed substrate described in
An electronic device including an electronic component mounted on the resin-sealed substrate.
以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the description of these Examples.
(熱硬化性樹脂組成物の調製)
実施例、比較例について、次のように熱硬化性樹脂組成物を調製した。まず、表1に示す配合に従い、各成分をミキサーで混合し混合物を得た。次いで、この混合物に対し、表1に示す配合に従い無機充填材を添加した後、ミキサーを用いて混合した。次いで、得られた混合物を、70〜100℃でロール混練した。
(粉砕品の熱硬化性樹脂組成物の調製)
得られた混練後の混合物を冷却し、粉砕して、粉砕品の熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Preparation of thermosetting resin composition)
For Examples and Comparative Examples, thermosetting resin compositions were prepared as follows. First, each component was mixed with a mixer according to the formulation shown in Table 1 to obtain a mixture. Then, an inorganic filler was added to this mixture according to the formulation shown in Table 1, and then the mixture was mixed using a mixer. The resulting mixture was then roll-kneaded at 70-100 ° C.
(Preparation of crushed thermosetting resin composition)
The obtained mixture after kneading was cooled and pulverized to obtain a pulverized thermosetting resin composition.
(顆粒品の熱硬化性樹脂組成物の作製)
図5(a)に示す円筒状外周部602の素材として、孔径2.5mmの小孔を有している鉄製の打ち抜き金網を使用した。直径20cmの回転子601の外周上に円筒状に加工した高さ25mm、厚さ1.5mmの打ち抜き金網を取り付け、円筒状外周部602を形成した。回転子601を3000RPMで回転させ、円筒状外周部602を励磁コイルで115℃に加熱した。回転子601の回転数と、円筒状外周部602の温度が定常状態になった後、脱気装置により脱気しつつ二軸押出機609により、表1に示す各成分を溶融混練して得られた溶融物を、回転子601の上方より2重管式円筒体605を通して2kg/hrの割合で回転子601の内側に供給して、回転子601を回転させて得られる遠心力によって円筒状外周部602の複数の小孔を通過させることで、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を得た。円筒状外周部602の小孔を通過し吐出された顆粒状の熱硬化性樹脂組成物は、例えば、回転子601の周囲に設置した外槽608で捕集される。また、回転子601は、モーター610と接続されており、任意の回転数で回転させることができる。回転子601の外周上に設置した複数の小孔を有する円筒状外周部602は、図5(b)に示す磁性材料603を備える。円筒状外周部602は、その近傍に備えられた励磁コイル604に、交流電源発生装置606により発生させた交流電源を通電させることによって発生する交番磁束の通過に伴う、渦電流損やヒステリシス損により加熱される。なお、衝突面外周には、冷却ジャケット607を設けて、衝突面を冷却する。ここで、図5(b)に回転子601及び回転子の円筒状外周部602を加熱するための励磁コイル604の断面図を示し、図5(c)に溶融混練された熱硬化性樹脂組成物を、回転子601に供給する2重管式円筒体605の断面図を示す。
(Preparation of thermosetting resin composition of granules)
As a material for the cylindrical outer
表1中における各成分の詳細は下記のとおりである。
(熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂1:ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX4000HK)
熱硬化性樹脂2:トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂(三菱化学社製、1032H−60)
熱硬化性樹脂3:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC―3000L)
(硬化剤)
硬化剤1:トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂(エアウォーターケミカル社製、HE910−20)
硬化剤2:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂(日本化薬社製、GPH−65)
(硬化促進剤)
硬化促進剤1:下記式で表される硬化促進剤(テトラフェニルホスホニウムビス(ナフタレン−2,3−ジオキシ)フェニルシリケート)
(無機充填材)
無機充填材1:溶融球状シリカ(龍森社製、MUF−46V)
無機充填材2:溶融球状シリカ(マイクロン社製、HS−206)
(シリコーンオイル)
シリコーンオイル1:下記式(5)で表されるシリコーンオイル(東レ・ダウコーニング社製、FZ−3730)
(Thermosetting resin)
Thermosetting resin 1: Biphenyl type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, YX4000HK)
Thermosetting resin 2: Trihydroxyphenylmethane type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1032H-60)
Thermosetting resin 3: Biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000L)
(Hardener)
Hardener 1: Trihydroxyphenylmethane type phenol resin (manufactured by Air Water Chemical Inc., HE910-20)
Hardener 2: Biphenylene skeleton-containing phenol formaldehyde resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., GPH-65)
(Curing accelerator)
Curing accelerator 1: Curing accelerator represented by the following formula (tetraphenylphosphonium bis (naphthalene-2,3-dioxy) phenyl silicate)
(Inorganic filler)
Inorganic filler 1: Fused spherical silica (MUF-46V, manufactured by Ryumori Co., Ltd.)
Inorganic filler 2: Fused spherical silica (manufactured by Micron, HS-206)
(Silicone oil)
Silicone oil 1: Silicone oil represented by the following formula (5) (manufactured by Toray Dow Corning, FZ-3730)
上記表1中における実施例および比較例の熱硬化性樹脂組成物について、下記の評価を行った。 The thermosetting resin compositions of Examples and Comparative Examples in Table 1 above were evaluated as follows.
(表面エネルギー)
圧縮成形機(TOWA株式会社製)を用いて、キャビティ内を減圧しながら、金型温度175℃、クランプ圧力9.6MPa、注入(圧縮)時間20秒、硬化時間120秒で、MapBGA(回路やビア配線を有しないBT樹脂基板、PKG外寸:234mm×71mm×0.2mm、チップマウント無し)を、離型フィルムを使用して成形品を得た。得られた成形品の表面粗さRaは、0.1μmであった。表面粗さRaの測定はレーザー顕微鏡(キーエンス社製VK−9700、9710)によって実施した。
次に、エタノールと純水の割合を振った溶液を準備し、筆でこの溶液を、得られた成型品の表面に塗布し、溶液が濡れるようになるエタノール/純水の混合比から表面エネルギーを算出した。なお、エタノール(試薬)の表面エネルギーが22mN/mである。
(Surface energy)
Using a compression molding machine (manufactured by TOWA Corporation), while depressurizing the inside of the cavity, the mold temperature is 175 ° C, the clamping pressure is 9.6 MPa, the injection (compression) time is 20 seconds, and the curing time is 120 seconds. A BT resin substrate having no via wiring, PKG outer dimensions: 234 mm × 71 mm × 0.2 mm, no chip mount) was obtained by using a mold release film. The surface roughness Ra of the obtained molded product was 0.1 μm. The surface roughness Ra was measured by a laser microscope (VK-9700, 9710 manufactured by KEYENCE CORPORATION).
Next, prepare a solution in which the ratio of ethanol and pure water is shaken, apply this solution to the surface of the obtained molded product with a brush, and the surface energy from the mixing ratio of ethanol / pure water that makes the solution wet. Was calculated. The surface energy of ethanol (reagent) is 22 mN / m.
(ゲルタイム)
175℃に制御された熱板上に、得られた熱硬化性樹脂組成物を載せ、スパチュラで約1回/秒のストロークで練る。樹脂組成物が熱により溶解してから硬化するまでの時間を測定し、ゲルタイムとした。ゲルタイムは、数値が小さい方が硬化が速いことを示す。
(Gel time)
The obtained thermosetting resin composition is placed on a hot plate controlled at 175 ° C. and kneaded with a spatula at a stroke of about 1 time / sec. The time from when the resin composition was melted by heat to when it was cured was measured and used as the gel time. The smaller the gel time, the faster the curing.
(ガラス転移温度(Tg))
トランスファー成型機を用いて金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間3分で樹脂組成物を注入成形し、15mm×4mm×4mmの試験片を得た。次いで、得られた試験片を175℃、4時間で後硬化した後、熱機械分析装置(セイコー電子工業(株)製、TMA100)を用いて、測定温度範囲0℃〜320℃、昇温速度5℃/分の条件下で測定を行った。この結果からガラス転移温度を算出した。ガラス転移温度の単位は℃である。
(Glass transition temperature (Tg))
The resin composition was injection-molded using a transfer molding machine at a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 3 minutes to obtain a test piece having a size of 15 mm × 4 mm × 4 mm. Next, the obtained test piece was post-cured at 175 ° C. for 4 hours, and then using a thermomechanical analyzer (TMA100 manufactured by Seiko Electronics Inc.), the measurement temperature range was 0 ° C. to 320 ° C., and the temperature rise rate. The measurement was carried out under the condition of 5 ° C./min. The glass transition temperature was calculated from this result. The unit of glass transition temperature is ° C.
(崩壊角)
安息角、崩壊角、差角:図4(a)に示したとおり、パウダーテスター(ホソカワミクロン(株)製、型式PT−E)に備え付けた直径80mmの円板状である水平板505の中心に向けて、漏斗501を用いて垂直方向から、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物502を投入し、水平板505上に円錐状の顆粒体504を形成させた。顆粒状の熱硬化性樹脂組成物の投入は円錐が一定形状を保つまで行い、分度器を用いて図4(a)のように仰角(φ)を求め安息角とした。次に、図4(b)に示すように、水平板505と同じ台座506上にある109gの分銅503を高さ160mmのところから三回落下させ、衝撃によって一部の顆粒状の熱硬化性樹脂組成物が崩壊して脱落した後、分度器を用いて図4(b)のように、顆粒体507の仰角(θ)を求め崩壊角を測定した。
(Collapse angle)
Angle of repose, angle of repose, angle of difference: As shown in FIG. 4 (a), at the center of a disk-shaped
(金型貼り付き)
圧縮成形機(TOWA株式会社製)を用いて、キャビティ内を減圧しながら、金型温度175℃、クランプ圧力9.6MPa、注入(圧縮)時間20秒、硬化時間120秒で、MapBGA(回路やビア配線を有しないBT樹脂基板、PKG外寸:234mm×71mm×0.2mm、チップマウント無し)を、離型フィルムを使用して成形した。成形後の金型開放の際に成型品と離型フィルムが貼りつかなかった場合は○、それ以外は×とした。
なお、得られた板状のMap成形品の一面は、図3に示すように、複数のチップ搭載領域を確保できる面積を有していた。
(With mold sticking)
Using a compression molding machine (manufactured by TOWA Corporation), while depressurizing the inside of the cavity, the mold temperature is 175 ° C, the clamping pressure is 9.6 MPa, the injection (compression) time is 20 seconds, and the curing time is 120 seconds. A BT resin substrate having no via wiring, PKG outer dimensions: 234 mm × 71 mm × 0.2 mm, without chip mount) was molded using a release film. If the molded product and the release film did not stick to each other when the mold was opened after molding, it was marked as ◯, otherwise it was marked as x.
As shown in FIG. 3, one surface of the obtained plate-shaped Map molded product had an area capable of securing a plurality of chip mounting areas.
(充填性)
上記金型貼り付きの評価の後、金型からパッケージを取りだした際にパッケージの表面を目視観察した。パッケージの表面に未充填と思われる凹凸が見受けられる場合は×、表面成形異常がない場合は○と判断した。
(Fillability)
After the evaluation of the sticking of the mold, the surface of the package was visually observed when the package was taken out from the mold. If the surface of the package had irregularities that seemed to be unfilled, it was judged as x, and if there was no surface molding abnormality, it was judged as ○.
(基板生産性)
上記金型貼り付きの評価の後、金型からパッケージを取りだした際にパッケージの反りを測定し、反りの大きさが5mm以内であれば○、5mm以上であれば×とした。
(Board productivity)
After the evaluation of the sticking of the mold, the warp of the package was measured when the package was taken out from the mold, and if the size of the warp was within 5 mm, it was evaluated as ◯, and if it was 5 mm or more, it was evaluated as x.
実施例で得られた顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を用い、図2に示す手順に従って圧縮成形を利用することにより、層間を接続する配線を有する樹脂封止基板が得られた。実施例の熱硬化性樹脂組成物は、金型貼りつきが無く、樹脂封止基板の製造安定性に優れていることが分かった。 By using the granular thermosetting resin composition obtained in the examples and using compression molding according to the procedure shown in FIG. 2, a resin-sealed substrate having wiring connecting the layers was obtained. It was found that the thermosetting resin composition of the example did not stick to the mold and was excellent in the production stability of the resin-sealed substrate.
以上、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明したが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the present invention has been described in more detail based on the above examples, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.
100 電子装置
110 樹脂封止基板
112 絶縁層
114 上面
120 ビア配線
130 金属層
140 半導体素子
150 ワイヤボンディング
160 接着層
170 封止材層
200 電子装置
210 支持基材
212 キャリア箔
220 金属層
222 ビア配線
224 絶縁層
226 上面
230 金属層
234 絶縁層
236 上面
240 金属層
246 上面
250 樹脂封止基板
260 半導体素子
270 封止材層
280 半田バンプ
300 樹脂封止基板
310,320 半導体素子搭載エリア
501 漏斗
502 顆粒状の熱硬化性樹脂組成物
503 分銅
504 顆粒体
505 水平板
506 台座
507 顆粒体
601 回転子
602 円筒状外周部
603 磁性材料
604 励磁コイル
605 2重管式円筒体
606 交流電源発生装置
607 冷却ジャケット
608 外槽
609 二軸押出機
610 モーター
100
Claims (9)
エポキシ樹脂と、一般式(1)で表されるシリコーンオイルとを含み、
前記シリコーンオイルの含量が当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して0.05質量%以上1.0質量%以下であり、
当該熱硬化性樹脂組成物を175℃で硬化した硬化板の表面エネルギーが、22mN/m以上30mN/m以下であり、
175℃におけるゲルタイムが、50秒以上である、熱硬化性樹脂組成物。
l≧0、m≧0、n≧1、l+m+n≧5、
0.02≦n/(l+m+n)≦0.8、
a≧0、b≧0、a+b≧1) A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate.
It contains an epoxy resin and a silicone oil represented by the general formula (1).
The content of the silicone oil is 0.05% by mass or more and 1.0% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The surface energy of the cured plate obtained by curing the thermosetting resin composition at 175 ° C. is 22 mN / m or more and 30 mN / m or less.
A thermosetting resin composition having a gel time of 50 seconds or more at 175 ° C.
l ≧ 0, m ≧ 0, n ≧ 1, l + m + n ≧ 5,
0.02 ≤ n / (l + m + n) ≤ 0.8,
a ≧ 0, b ≧ 0, a + b ≧ 1)
当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度(Tg)が、145℃以上である、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to claim 1.
A thermosetting resin composition having a glass transition temperature (Tg) of a cured product of the thermosetting resin composition of 145 ° C. or higher.
顆粒状またはシート状である、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2.
A thermosetting resin composition in the form of granules or sheets.
当該熱硬化性樹脂組成物は顆粒状であって、
当該顆粒状の熱硬化性樹脂組成物における崩壊角が、35°以下である、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2.
The thermosetting resin composition is in the form of granules and is in the form of granules.
A thermosetting resin composition having a decay angle of 35 ° or less in the granular thermosetting resin composition.
当該熱硬化性樹脂組成物は顆粒状であって、
当該顆粒状の熱硬化性樹脂組成物における平均粒径が、1.0mm以下である、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to any one of claims 1, 2 and 4.
The thermosetting resin composition is in the form of granules and is in the form of granules.
A thermosetting resin composition having an average particle size of 1.0 mm or less in the granular thermosetting resin composition.
無機充填材を含み、
前記無機充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して70質量%以上である、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 5.
Contains inorganic fillers
A thermosetting resin composition in which the content of the inorganic filler is 70% by mass or more with respect to the entire thermosetting resin composition.
前記無機充填材の平均粒径が5μm以下である、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to claim 6.
A thermosetting resin composition having an average particle size of 5 μm or less of the inorganic filler.
前記樹脂封止基板に搭載された電子部品と、を備える、電子装置。 The resin-sealed substrate according to claim 8 and
An electronic device including an electronic component mounted on the resin-sealed substrate.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016084809A JP6922158B2 (en) | 2016-04-20 | 2016-04-20 | Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices |
JP2021078998A JP2021120462A (en) | 2016-04-20 | 2021-05-07 | Thermosetting resin composition, resin-sealed substrate, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016084809A JP6922158B2 (en) | 2016-04-20 | 2016-04-20 | Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021078998A Division JP2021120462A (en) | 2016-04-20 | 2021-05-07 | Thermosetting resin composition, resin-sealed substrate, and electronic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017193635A JP2017193635A (en) | 2017-10-26 |
JP6922158B2 true JP6922158B2 (en) | 2021-08-18 |
Family
ID=60155844
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016084809A Active JP6922158B2 (en) | 2016-04-20 | 2016-04-20 | Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices |
JP2021078998A Pending JP2021120462A (en) | 2016-04-20 | 2021-05-07 | Thermosetting resin composition, resin-sealed substrate, and electronic device |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021078998A Pending JP2021120462A (en) | 2016-04-20 | 2021-05-07 | Thermosetting resin composition, resin-sealed substrate, and electronic device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6922158B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021120462A (en) * | 2016-04-20 | 2021-08-19 | 住友ベークライト株式会社 | Thermosetting resin composition, resin-sealed substrate, and electronic device |
US20220064402A1 (en) * | 2018-12-18 | 2022-03-03 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Thermosetting resin composition for lds and method for manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6879158B2 (en) | 2017-10-03 | 2021-06-02 | 信越化学工業株式会社 | Semiconductor devices, their manufacturing methods, and laminates |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02170819A (en) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Epoxy resin composition |
JPH10195280A (en) * | 1997-01-09 | 1998-07-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Flame-retardant epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device |
TWI523883B (en) * | 2007-09-25 | 2016-03-01 | 日立化成股份有限公司 | Thermosetting light reflecting resin composition, optical semiconductor element-mounting substrate using the same, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device |
JP2009144107A (en) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device |
SG172031A1 (en) * | 2008-12-10 | 2011-07-28 | Sumitomo Bakelite Co | Granulated epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device using same, and method for manufacturing semiconductor device |
CN107033540B (en) * | 2009-10-20 | 2022-02-08 | 住友电木株式会社 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
JP5573773B2 (en) * | 2011-05-23 | 2014-08-20 | 日立化成株式会社 | Resin composition for sealing electronic components and electronic component device using the same |
JP5857598B2 (en) * | 2011-09-30 | 2016-02-10 | 住友ベークライト株式会社 | Method for producing resin composition |
JP6583278B2 (en) * | 2014-09-24 | 2019-10-02 | 住友ベークライト株式会社 | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device and structure |
JP6922158B2 (en) * | 2016-04-20 | 2021-08-18 | 住友ベークライト株式会社 | Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices |
-
2016
- 2016-04-20 JP JP2016084809A patent/JP6922158B2/en active Active
-
2021
- 2021-05-07 JP JP2021078998A patent/JP2021120462A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021120462A (en) * | 2016-04-20 | 2021-08-19 | 住友ベークライト株式会社 | Thermosetting resin composition, resin-sealed substrate, and electronic device |
US20220064402A1 (en) * | 2018-12-18 | 2022-03-03 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Thermosetting resin composition for lds and method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021120462A (en) | 2021-08-19 |
JP2017193635A (en) | 2017-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6032197B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP6874350B2 (en) | Resin sheet | |
TWI388619B (en) | Semiconductor device, resin composition for buffer coating, resin composition for die bonding, and resin composition for encapsulating | |
JP2021120462A (en) | Thermosetting resin composition, resin-sealed substrate, and electronic device | |
JP6880567B2 (en) | Manufacturing method of epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device | |
JP2020084094A (en) | Epoxy resin composition for sealing and electronic device | |
JP2022116077A (en) | Thermosetting resin composition for lds and manufacturing method of semiconductor device | |
TW201920450A (en) | Epoxy resin composition and electric component device | |
TW201930455A (en) | Epoxy resin composition for sealing ball grid array package, epoxy resin cured product and electronic component device | |
JP5228453B2 (en) | Semiconductor device and sealing resin composition | |
TW201842021A (en) | Epoxy resin composition for sealing and electronic component apparatus | |
TWI825365B (en) | Resin compositions, hardened materials, sealing films and sealing structures | |
JP2021059741A (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5799532B2 (en) | Semiconductor sealing resin composition, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP6891427B2 (en) | Resin sheet | |
TWI710069B (en) | Method for producing organic resin substrate, organic resin substrate and semiconductor device | |
KR20190019012A (en) | Thermosetting epoxy resin sheet for sealing semiconductor, semiconductor device, and manufacturing method thereof | |
JP2021024945A (en) | Granular semiconductor-sealing resin composition and semiconductor device | |
JP2011129717A (en) | Semiconductor package and semiconductor device | |
JP6776597B2 (en) | Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices | |
JP6996169B2 (en) | Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices | |
TWI803608B (en) | Particulate encapsulating composition, semiconductor device and method for producing thereof | |
JP7434794B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device and epoxy resin composition for sealing | |
JP2021147498A (en) | Sealing resin composition and electronic device | |
JP6848187B2 (en) | Resin sheet for manufacturing semiconductor equipment, semiconductor equipment, manufacturing method of semiconductor equipment, organic resin substrate and manufacturing method of organic resin substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201013 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210507 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210507 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210514 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210712 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6922158 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |