JP6988659B2 - 単結晶育成装置 - Google Patents
単結晶育成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6988659B2 JP6988659B2 JP2018076333A JP2018076333A JP6988659B2 JP 6988659 B2 JP6988659 B2 JP 6988659B2 JP 2018076333 A JP2018076333 A JP 2018076333A JP 2018076333 A JP2018076333 A JP 2018076333A JP 6988659 B2 JP6988659 B2 JP 6988659B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractory
- single crystal
- seam
- crystal growing
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
しかし、育成する単結晶内部の温度差が大きくなり、結晶の熱膨張に起因した熱ひずみにより、結晶欠陥が導入され、多結晶化が発生し易くなる。また、多結晶化しなくても熱ひずみによる結晶の割れや、結晶内部に導入された結晶欠陥により結晶品質が低下する問題が発生する。
しかし、結晶成長は、原料融液の等温線分布に沿って行われるため、炉内温度勾配が緩やかで、夫々の等温線同士の間隔が広くなっている状態では、単結晶の成長制御が非常に難しくなる。
例えば、抵抗加熱用発熱体や誘導加熱コイル等、単結晶育成時における炉内の加熱手段の出力制御幅が狭くなる。また、結晶成長が、単結晶育成装置周囲の環境変化や装置内構成物の変化に伴う温度変化に敏感となる。そして、わずかな単結晶成長装置内部の温度のゆらぎが発生しても、急激な結晶成長が起こる現象や逆に結晶成長が起こらなくなる現象が発生する。このような不安定な結晶成長では、結晶内部に導入された結晶欠陥に起因した多結晶化や、急激な結晶形状の変化による応力集中部の発生による割れが問題となる。さらに、所望の単結晶形状が得られないことにより、単結晶をウエハ状に加工した際に、ウエハが得られない部分が発生し、ウエハ加工時の歩留まりが低下する。
ところで、本発明者は、単結晶育成装置における、発熱体の周囲に配置される断熱構造体に関し、発熱体からの輻射熱が断熱材間を通って外部に漏れることを抑制して、断熱構造体の内側領域の温度分布の不均一や熱効率の低下を抑制しうる技術として、次の特許文献1に記載の断熱構造体を導出した。
特許文献1に記載の技術によれば、高さ方向に隣接して積層される断熱材同士が凹部と凸部を有することで、凸部の側壁により発熱体からの輻射熱が断熱材間を通って外部に漏れることを抑制できる。
このため、本発明者らは、特許文献1に記載の、高さ方向に隣接して積層される断熱材同士が凹部と凸部を有する断熱構造体の技術を用いた単結晶育成装置を構成すれば、単結晶育成装置内部の温度分布や温度勾配の最適化ができると考えていた。
図1は本発明の実施形態に適用され得る、単結晶製造方法として最も一般的なチョクラルスキー法に用いられる、単結晶育成装置の一例を概略的に示す説明図である。
チョクラルスキー法は、ある結晶方位に従って切り出された種結晶と呼ばれる単結晶を上下動可能な引上げ軸の先端部に取り付け、引き上げ軸を介して単結晶の先端を原料融液の表面に接触させ、回転しながら徐々に引上げることによって、種結晶の性質を伝播しながら大口径化して単結晶を製造する方法である。
その理由は、ルツボ上部に配設する耐火物が、引き上げ軸を通すための孔を横断する直線を境界として分割された板状に形成されていれば、一方の板状の耐火物を取り外すことで、引き上げ軸を通すための孔の径よりも大きな径に成長した単結晶を取り出すことができるのに対し、ルツボ上部に配設する耐火物が分割されていない構成の場合、引き上げ軸を通すための孔の径よりも大きな径に成長した単結晶を取り出すことができなくなるためである。
しかるに、上述のように、本発明者らが、工業的な単結晶の育成過程での熱サイクルを繰り返したところ、ルツボ上部に配設する耐火物は、特に、引き上げ軸を通すための孔近傍が、耐火物内の温度分布や温度勾配に起因した熱ひずみにより変形し易いことが判明した。ルツボ上部に配設する耐火物の変形により当初設計した合わせ目部に隙間が生じると、隙間から雰囲気ガスによる対流伝熱及び輻射による熱流出が生じる。
ルツボ上部に配設する耐火物の変形は、例えば、図6(a)、図6(b)に示すような、略円板状の耐火物4が、引き上げ軸を通すための孔4Hを横断する直線を境界として垂直方向に耐火物41と耐火物42とに2分割された構成の場合、耐火物4の外形形状である円形の中心部に位置する引き上げ軸を通すための孔4H近傍の合わせ目部が、ルツボ上方部中央に位置しているため高温になり易く変形が大きくなる。この部分の変形は、一般的に下方からの熱により円形の中心部に位置する引き上げ軸を通すための孔4H近傍が上側へ反る傾向にあるため、円形の中心部に位置する引き上げ軸を通すための孔4H近傍に隙間が生じる。
本発明者らは、更なる試行錯誤を繰り返した結果、特許文献1に記載の、高さ方向に隣接して積層される断熱材同士が凹部と凸部を有する断熱構造体の技術を用いた単結晶育成装置には、工業的に単結晶の育成を繰り返し行う場合において、コストを抑制しながら、単結晶育成装置内部の温度分布や温度勾配の最適化を維持し、単結晶の歩留まりを向上させるために、更なる改良すべき課題が内在していたことを見出した。
図2は本発明の第1実施形態にかかる単結晶育成装置の要部構成を示す説明図で、(a)はルツボ上方を覆う位置に配設された、引き上げ軸を通すための孔を横断する直線を境界として分割されている板状の耐火物の全体構成を示す斜視図、(b)は(a)に示す分割される一方の板状の耐火物の合わせ目部を示す斜視図、(c)は(b)に示す板状の耐火物の合わせ目部における凸部の高さ、長さと板状の耐火物の厚みとの関係を示す図、(d)は(c)に示す板状の耐火物における合わせ目部の角部の一変形例を示す図、(e)は(c)に示す板状の耐火物における合わせ目部の角部の他の変形例を示す図である。図3は図2の実施形態の変形例にかかる単結晶育成装置の要部構成を示す説明図で、(a)はルツボ上方を覆う位置に配設された、引き上げ軸を通すための孔を横断する直線を境界として分割されている板状の耐火物の全体構成を示す斜視図、(b)は(a)の側面図である。なお、本発明の実施形態に用いる図においては、便宜上、特許文献1に記載の、高さ方向に隣接して積層される断熱材同士が凹部と凸部を有する断熱構造体の技術に対応する、耐火物3と耐火物4とが高さ方向に積層される部分の構成は省略してある。
夫々の耐火物41(42)の凹部4b1(4b2)及び凸部4a1(4a2)は、夫々、図2(c)に示すように、耐火物41(42)の厚み(tx)の略1/2倍の高さ(hb≒1/2tx、ha≒1/2tx)を有するとともに、耐火物41(42)の厚みの0.4倍〜0.6倍の長さ(Lb=(0.6〜0.4)tx、La=(0.4〜0.6)tx)を有している。
そして、互いの耐火物41(42)は、凹部4b1(4b2)及び凸部4a1(4a2)において上側と下側とで対向する平面を有し、この上側と下側で対向する平面同士が単結晶育成時に密着するように配設されている。
逆に、凸部4a1(4a2)の先端(凹部4b1(4b2)の根元)の垂直方向の合わせ目部同士は、室温において隙間を設けるのが好ましい。垂直方向の合わせ目部同士の隙間は、装置内で結晶育成を行う温度に合わせて設計され得る。室温の状態で垂直方向の合わせ目部同士に隙間が無いと、加熱時の温度上昇により耐火物が熱膨張したときに、垂直方向の合わせ目同士(特に、ルツボに近い側の合わせ目部同士)に応力がかかり過ぎることで、耐火物の位置ずれや破損の虞がある。そのため、耐火物の使用温度の熱ひずみ量を考慮して、室温では図3(a)、図3(b)に示すように垂直方向の合わせ目部同士に隙間がある構造とするのが好ましい。
なお、図3(a)、図3(b)の例では、凹部4b1(4b2)及び凸部4a1(4a2)において上側と下側で対向する平面同士は、室温において隙間を有し、加熱されたときに密着する構成となっている。
しかし、上側と下側とで重なる部位の厚みが異なる場合、一方の耐火物の合わせ目部のみに変形が激しく起き、凸部の割れや破損、あるいは凹部及び凸部における平面部分の隙間の発生が起こり易くなる。
夫々の耐火物の凹部及び凸部の長さが、耐火物の厚みの0.4倍未満であると、耐火物の変形時に凹部及び凸部における平面部分に隙間が生じ易くなる。耐火物内の温度差は、耐火物の厚みに比例し、耐火物が厚くなるにしたがって耐火物内の温度差が広がって熱応力が大きくなり耐火物の変形量が多くなる。そのため、夫々の耐火物の凹部及び凸部の長さは、耐火物の厚みの0.4倍以上必要であり、耐火物の厚みが厚くなるほど長い方が好ましい。
但し、夫々の耐火物の凹部及び凸部の長さが、耐火物の厚みの0.6倍を超えると、耐火物の変形時に、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物における凸部が、合わせ目部の先端が上側に位置する他方の耐火物における凹部に接触した状態が拘束され過ぎて応力が大きく発生し、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物における凸部が割れる虞がある。
そこで、本実施形態の単結晶育成装置においては、好ましくは、夫々の耐火物41(42)の凹部4b1(4b2)及び凸部4a1(4a2)の長さLb、Laは、耐火物の厚みの0.5倍の長さ(Lb=0.5tx、La=0.5tx)とするのが良い。
このため、本実施形態の単結晶育成装置においては、好ましくは、耐火物の合わせ目部先端の角部(特に、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物41の凸部4a1における、合わせ目部の先端が上側に位置する他方の耐火物42の凹部4b2の根元に近い側の角部)は、図2(d)、図2(e)に示すように、C面やR面に形成された構成とするのが望ましい。
図4は本発明の第2実施形態にかかる単結晶育成装置の要部構成を示す説明図で、(a)はルツボ上方を覆う位置に配設された、引き上げ軸を通すための孔を横断する直線を境界として分割されている板状の耐火物の全体構成を示す斜視図、(b)は(a)に示す分割される一方の板状の耐火物の合わせ目部を示す斜視図、(c)は(b)に示す板状の耐火物の合わせ目部における傾斜面の傾斜角度を示す図、(d)は(c)に示す板状の耐火物における合わせ目部の角部の一変形例を示す図、(e)は(c)に示す板状の耐火物における合わせ目部の角部の他の変形例を示す図である。
本実施形態の単結晶育成装置では、図4(a)に示すように、夫々の耐火物41(42)の合わせ目部は、傾斜面からなり、互いの耐火物41(42)の傾斜面同士を突き合わせる構造に形成されている。
耐火物の傾斜面41(42)は、図4(c)に示すように、水平面に対し40°以上70°未満の傾斜角度(30°≦αx<70°)を有している。
この合わせ目部は、側方からみたときに直角三角形を反転させて突き合わせ、斜辺同士を接触させた構造となっている。そのため、耐火物が変形しても、図4(c)に示す直角三角形の底辺の長さLcに相当する部分までであれば、互いの耐火物41(42)の傾斜面同士を密着させた状態で、ガス対流を遮断し、光(輻射)の漏れを防止することが可能となる。
一方、耐火物の傾斜面の傾斜角度が40°未満であると、耐火物の変形時に、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物41における傾斜面が、合わせ目部の先端が上側に位置する他方の耐火物42における傾斜面に接触した状態が拘束され過ぎて応力が大きく発生し、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物41における合わせ目部の下側の先端が割れる可能性がある。
そこで、本実施形態の単結晶育成装置においては、好ましくは、耐火物の傾斜面の傾斜角度を45°とすると、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物41における傾斜面と、合わせ目部の先端が上側に位置する一方の耐火物42における傾斜面とにかかる応力のバランスがとれて、傾斜面同士の隙間の発生や、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物41における合わせ目部の先端の破損を防止し易くなる。
このため、本実施形態の単結晶育成装置においては、好ましくは、耐火物の合わせ目部の先端の角部(特に、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物41における合わせ目部の先端の角部)は、図4(d)、図4(e)に示すように、C面やR面に形成された構成とすることが望ましい。また、夫々の耐火物の合わせ目部の先端の角部がC面やR面に形成されていると、互いの耐火物41(42)における合わせ目部の先端近傍で隙間をもつこともでき、第1実施形態の単結晶育成装置の合わせ目部を構成するインロー構造における凸部の先端(凹部の根元)の垂直方向の合わせ目部同士の隙間と同様、加熱時の温度上昇により耐火物が熱膨張したときの、傾斜角度を有する合わせ目部同士(特に、ルツボに近い側の合わせ目部同士)に応力がかかり過ぎることによる、耐火物の位置ずれや破損を防止することができる。
実施例1の単結晶育成装置は、図2、図3に示した第1実施形態の単結晶育成装置に対応した構成を備えたものとした。
タンタル酸リチウム単結晶の育成手順は次のようにして行った。室温で、イリジウム製のルツボ1に、タンタル酸リチウムの原料2を充填し、ルツボ1を銅製の高周波誘導コイル5によって加熱する。ルツボ1内のタンタル酸リチウム原料を融解し、イリジウム製の引上げ軸8を1〜20rpmで回転させながら、1〜5mm/hの速度で垂直に引き上げることによって、種結晶7から単結晶を育成する。単結晶の育成が完了後、室温まで徐々に温度を下げ、その後に育成した単結晶を取り出す。
実施例1では、このような単結晶の育成を連続的に繰り返した。
実施例1の単結晶育成装置を用いて、単結晶の育成を連続的に繰り返したところ、100回まで単結晶の歩留まり低下は認められなかった。耐火物の変形は認められたが、合わせ目部からのガス対流や光(輻射)が漏れる隙間は認められなかった。
実施例2の単結晶育成装置は、図4に示した第2実施形態の単結晶育成装置に対応した構成を備えたものとした。
詳しくは、ルツボ上方を覆う位置に配設するアルミナ耐火物の合わせ目部を図4に示した傾斜面からなり、互いの耐火物41(42)の傾斜面同士を突き合わせる構造とした。傾斜面で構成される夫々の耐火物41(42)の合わせ目部における断面の直角三角形の底辺の長さを30mmとするとともに、傾斜面の水平面に対する傾斜角度を45°とした。また、室温における合わせ目部同士の隙間を0.2mmとした。
その他の構成は、実施例1の単結晶育成装置と同様に構成し、実施例1と同様に単結晶の育成を連続的に繰り返した。
実施例2の単結晶育成装置を用いて、単結晶の育成を連続的に繰り返したところ、100回まで単結晶の歩留まり低下は認められなかった。耐火物の変形は認められたが、合わせ目部からのガス対流や光(輻射)が漏れる隙間は認められなかった。
実施例2の単結晶育成装置は、図4に示した第2実施形態の単結晶育成装置に対応した構成を備えたものとした。
詳しくは、ルツボ上方を覆う位置に配設するアルミナ耐火物の合わせ目部を図4に示した傾斜面からなり、互いの耐火物41(42)の傾斜面同士を突き合わせる構造とした。傾斜面で構成される夫々の耐火物41(42)の合わせ目部における傾斜面の水平面に対する傾斜角度を60°とするとともに、室温における合わせ目部同士の隙間を0.2mmとした。
その他の構成は、実施例1の単結晶育成装置と同様に構成し、実施例1と同様に単結晶の育成を連続的に繰り返した。
実施例2の単結晶育成装置を用いて、単結晶の育成を連続的に繰り返したところ、100回まで単結晶の歩留まり低下は認められなかった。耐火物の変形は認められたが、合わせ目部からのガス対流や光(輻射)が漏れる隙間は認められなかった。
比較例1の単結晶育成装置は、ルツボ上方を覆う位置に配設するアルミナ耐火物の合わせ目部を図6に示すような、夫々の板状の耐火物41(42)における垂直な面同士を突き合わせる構造とした。合わせ目部からガス対流や光(輻射)が漏れることを防止するため、室温において夫々の板状の耐火物41(42)の合わせ目部同士に隙間が無いように配設した。
その他の構成は、実施例1の単結晶育成装置と同様に構成し、実施例1と同様に単結晶の育成を連続的に繰り返した。
比較例1の単結晶育成装置を用いて、単結晶の育成を連続的に繰り返したところ、30回以後の単結晶の育成において単結晶の歩留まり低下が認められた。耐火物に変形が認められるとともに、合わせ目部からガス対流や光(輻射)が漏れる隙間が認められた。
比較例2の単結晶育成装置は、ルツボ上方を覆う位置に配設するアルミナ耐火物の合わせ目部を、互いの耐火物の凹部と凸部とを突き合わせるインロー構造とし、インロー構造の凸部の高さを、合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物:5mm、合わせ目部の先端が上側に位置する他方の耐火物:25mmとした。
その他の構成は、実施例1の単結晶育成装置と同様に構成し、実施例1と同様に単結晶の育成を連続的に繰り返した。
比較例2の単結晶育成装置を用いて、単結晶の育成を連続的に繰り返したところ、5回以後の単結晶の育成において単結晶の歩留まり低下が認められた。合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物におけるインロー構造の凸部に割れが認められるとともに、合わせ目部からガス対流や光(輻射)が漏れる隙間が認められた。
比較例3の単結晶育成装置は、ルツボ上方を覆う位置に配設するアルミナ耐火物の合わせ目部を傾斜面からなり、互いの耐火物の傾斜面同士を突き合わせる構造とし、傾斜面の水平面に対する傾斜角度を10°とした。
その他の構成は、実施例1の単結晶育成装置と同様に構成した。そして、単結晶の育成を連続的に繰り返した。
比較例3の単結晶育成装置を用いて、単結晶の育成を連続的に繰り返したところ、15回以後の単結晶の育成において単結晶の歩留まり低下が認められた。合わせ目部の先端が下側に位置する一方の耐火物における合わせ目部の先端の一部に割れが認められ、合わせ目部からガス対流や光(輻射)が漏れる隙間が認められた。
比較例4の単結晶育成装置は、ルツボ上方を覆う位置に配設するアルミナ耐火物の合わせ目部を傾斜面からなり、互いの耐火物の傾斜面同士を突き合わせる構造とし、傾斜面の水平面に対する傾斜角度を80°とした。
その他の構成は、実施例1の単結晶育成装置と同様に構成し、単結晶の育成を連続的に繰り返した。
比較例4の単結晶育成装置を用いて、単結晶の育成を連続的に繰り返したところ、40回以後の単結晶の育成において単結晶の歩留まり低下が認められた。耐火物に変形が認められるとともに、合わせ目部からガス対流や光(輻射)が漏れる隙間が認められた。
2 原料融液
3 ルツボ1の周囲に配設された耐火物
4 ルツボ1上方を覆う位置に配設された耐火物
41 一方の耐火物
42 他方の耐火物
4a1、4a2 凸部
4b1、4b2 凹部
4H 孔
5 加熱手段(高周波誘導コイル)
6 チャンバ
7 種結晶
8 引き上げ軸
9 ルツボ1を支持する支持台をなす耐火物
51 ルツボ
52 原料融液
53 断熱構造体
531、532、533、534、535 断熱材
54、55 ヒータ
56 チャンバ
57 種結晶
58 引き上げ軸
58a 種結晶保持部
Claims (4)
- 原料融液の表面に接触させた種結晶を引き上げながら単結晶を育成する結晶育成方法に用いられ、ルツボ上方を覆う位置に配設された、前記種結晶を引き上げる、引き上げ軸を通すための孔を有する板状の耐火物が、前記引き上げ軸を通すための孔を横断する直線を境界として分割されている、単結晶育成装置において、
夫々の前記耐火物の合わせ目部は、一方の前記耐火物の合わせ目部の先端が他方の前記耐火物の合わせ目部の先端の下側に位置し、互いの前記耐火物の前記合わせ目部において上側と下側とで対向する平面を有し、該平面同士が単結晶育成時に密着することを特徴とする単結晶育成装置。 - 夫々の前記耐火物の合わせ目部は、凹部と凸部を有し、一方の前記耐火物の凹部と他方の前記耐火物の凸部、一方の前記耐火物の凸部と他方の前記耐火物の凹部とを突き合わせるインロー構造に形成され、
夫々の前記耐火物の前記凹部及び前記凸部は、夫々、前記耐火物の厚みの略1/2の高さを有していることを特徴とする請求項1に記載の単結晶育成装置。 - 夫々の前記耐火物の合わせ目部は、傾斜面からなり、互いの前記耐火物の前記傾斜面同士を突き合わせる構造に形成され、
前記耐火物の前記傾斜面は、40°以上70°未満の傾斜角度を有していることを特徴とする請求項1に記載の単結晶育成装置。 - 前記耐火物の合わせ目部先端は、C面又はR面に形成された角部を有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018076333A JP6988659B2 (ja) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018076333A JP6988659B2 (ja) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 単結晶育成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019182707A JP2019182707A (ja) | 2019-10-24 |
JP6988659B2 true JP6988659B2 (ja) | 2022-01-05 |
Family
ID=68339469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018076333A Active JP6988659B2 (ja) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 単結晶育成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6988659B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6199795U (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-26 | ||
JPH02296787A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-07 | Fujitsu Ltd | 単結晶育成装置 |
JPH1081593A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | Czシリコン単結晶製造方法及び装置 |
JP3055095B2 (ja) * | 1997-03-10 | 2000-06-19 | 谷本化成株式会社 | 板幅可変式断熱材 |
JP2002226299A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-08-14 | Toshiba Corp | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
JP6697847B2 (ja) * | 2015-04-14 | 2020-05-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 断熱構造体 |
-
2018
- 2018-04-11 JP JP2018076333A patent/JP6988659B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019182707A (ja) | 2019-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI458865B (zh) | 藍寶石單晶錠長晶器 | |
JP5596788B2 (ja) | サファイア単結晶成長方法とその装置 | |
EP0338411A2 (en) | Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form | |
CN110408988A (zh) | SiC单晶生长装置和SiC单晶的生长方法 | |
KR20200046467A (ko) | 사파이어 단결정 성장장치 및 성장방법 | |
JP6790927B2 (ja) | 結晶育成装置 | |
CN105452542A (zh) | 用于控制氧的坩埚组件和相关方法 | |
JP6988659B2 (ja) | 単結晶育成装置 | |
JP6697847B2 (ja) | 断熱構造体 | |
JP2021066651A (ja) | 半導体結晶成長装置 | |
JP6507811B2 (ja) | 結晶育成装置 | |
JP6014838B1 (ja) | 複数のサファイア単結晶及びその製造方法 | |
KR101532266B1 (ko) | 단결정 성장 장치 | |
KR101673482B1 (ko) | 복수의 도가니를 갖는 단결정 성장장치 | |
JP2004123510A (ja) | 単結晶の製造装置、及びその製造方法 | |
JP6204500B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
JP2016222471A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
KR20190075411A (ko) | 리니지 결함을 제거할 수 있는 도가니부재, 이를 이용한 고품질 사파이어 단결정 성장장치 및 그 방법 | |
JP5951132B2 (ja) | 溶融領域における単結晶の結晶化により単結晶を製造するための装置 | |
CN109972196A (zh) | 蓝宝石单晶生长装置用坩埚、蓝宝石单晶生长装置及方法 | |
KR20140019393A (ko) | 고온 용광로 단열재 | |
JP2013119500A (ja) | 単結晶成長方法およびその装置 | |
JP7275674B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の育成方法 | |
JP5057770B2 (ja) | 固相シートの製造方法 | |
JP6984511B2 (ja) | アフターヒーター |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211102 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6988659 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |