JP6946473B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6946473B2 JP6946473B2 JP2019567013A JP2019567013A JP6946473B2 JP 6946473 B2 JP6946473 B2 JP 6946473B2 JP 2019567013 A JP2019567013 A JP 2019567013A JP 2019567013 A JP2019567013 A JP 2019567013A JP 6946473 B2 JP6946473 B2 JP 6946473B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- abnormality
- absence
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 302
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 199
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 60
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
- G03F7/3028—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck characterised by means for on-wafer monitoring of the processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
上述のように基板処理システム1には複数の処理ユニット(基板処理装置)16が設けられており、各処理ユニット16は、チャンバ(処理室)20と、チャンバ20内に配置され、ウェハ(基板)Wを保持する保持部(基板保持部)31と、保持部31に保持されているウェハWに処理液を供給する処理流体供給部(処理液供給部)40と、を備える。本実施形態の処理ユニット16は、更にチャンバ20内の赤外線画像を取得する赤外線カメラを備え、制御装置(制御部)4は、その赤外線画像に基づいて少なくとも処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する。なお、赤外線カメラ60は、制御装置4(特に後述のメインコントロール部)の制御下で、撮影等の各種作動を行う。
図3は、赤外線画像を使った異常監視の第1の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ60、処理流体供給部40及びウェハWの配置を概略的に示す。図4は、図3に示す赤外線カメラ60によって取得された赤外線画像Iの一例を示す図である。図5は、赤外線画像を使った異常監視の第1の典型例に係る制御装置4の機能ブロック図である。
図6は、赤外線画像を使った異常監視の第2の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ60、処理流体供給部40及びウェハWの配置を概略的に示す。図7は、図6に示す赤外線カメラ60によって取得された赤外線画像Iの一例を示す図である。図8は、赤外線画像を使った異常監視の第2の典型例に係る制御装置4の機能ブロック図である。図6に示す本典型例に係る赤外線カメラ60、処理流体供給部40及びウェハWの配置は、上述の第1の典型例(図3参照)と同様である。また図8に示す本典型例に係る制御装置4の機能ブロックも、上述の第1の典型例(図5参照)と同様である。
図9は、赤外線画像を使った異常監視の第3の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ60、処理流体供給部40及びウェハWの配置を概略的に示す。図10は、図9に示す赤外線カメラ60によって取得された赤外線画像Iの一例を示す図である。図11は、赤外線画像を使った異常監視の第3の典型例に係る制御装置4の機能ブロック図である。図9に示す本典型例に係る赤外線カメラ60、処理流体供給部40及びウェハWの配置は、上述の第1の典型例(図3参照)及び第2の典型例(図6参照)と同様である。また図8に示す本典型例に係る制御装置4の機能ブロックも、上述の第1の典型例(図5参照)及び第2の典型例(図8参照)と同様である。
図12は、赤外線画像を使った異常監視の第4の典型例を説明するための図であり、赤外線カメラ60、処理流体供給部40及びウェハWの配置を概略的に示す。
上述のように赤外線カメラ60は、ノズル41(処理流体供給部40)からの処理液Lの吐出の状態を撮影することができる。したがって制御装置4(画像処理部82)は、赤外線カメラ60が連続的に取得する赤外線画像I(例えば動画)を画像処理することによって、ノズル41からの処理液Lの吐出開始時間の情報と、ノズル41からの処理液Lの吐出停止時間の情報とを取得することができる。また制御装置4(画像処理部82又は監視部83)は、これらの吐出開始時間情報及び吐出停止時間情報から、ノズル41から処理液Lが吐出されている時間の情報(すなわち「第1吐出時間情報」)を取得することができる。
本実施形態に係る基板処理システム1は、図1に示すように複数の処理ユニット16(チャンバ20を含む)を具備し、それぞれの処理ユニット16はチャンバ20によって仕切られており、チャンバ20毎に、保持部31、処理流体供給部40及び赤外線カメラ60が設けられている。
制御装置4は、赤外線画像Iに基づいて、上述以外の異常についても監視することが可能である。
上述のように制御装置4は、赤外線カメラ60の赤外線画像Iを画像処理することによって、様々な種類の異常の有無を監視することが可能である。制御装置4は、これらの異常の監視の結果を、様々な形態で処理することができる。
16 処理ユニット
20 チャンバ
31 保持部
40 処理流体供給部
41 ノズル
60 赤外線カメラ
L 処理液
W ウェハ
Claims (10)
- 処理室と、
前記処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理室内の赤外線画像を取得する赤外線カメラと、
前記赤外線画像に基づいて少なくとも前記処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する制御部と、を備え、
前記異常の有無は、前記処理液を吐出する前記処理液供給部の位置に関する異常の有無を含む基板処理装置。 - 処理室と、
前記処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理室内の赤外線画像を取得する赤外線カメラと、
前記赤外線画像に基づいて少なくとも前記処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する制御部と、を備え、
前記異常の有無は、前記処理液供給部からの予期しない前記処理液の垂れに関する異常の有無を含む基板処理装置。 - 処理室と、
前記処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理室内の赤外線画像を取得する赤外線カメラと、
前記赤外線画像に基づいて少なくとも前記処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する制御部と、を備え、
前記異常の有無は、予期しない前記処理液の跳ねに関する異常の有無を含む基板処理装置。 - 処理室と、
前記処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理室内の赤外線画像を取得する赤外線カメラと、
前記赤外線画像に基づいて少なくとも前記処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する制御部と、を備え、
前記処理室は複数設けられ、
前記複数の処理室の各々に対して、前記基板保持部、前記処理液供給部及び前記赤外線カメラが設けられ、
前記異常の有無は、前記複数の処理室のそれぞれに設けられた前記赤外線カメラが取得した前記赤外線画像に基づいて検知される前記処理液の状態を互いに比較することによって導出される異常の有無を含む基板処理装置。 - 処理室と、
前記処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理室内の赤外線画像を取得する赤外線カメラと、
前記赤外線画像に基づいて少なくとも前記処理液の状態を検知し、異常の有無を監視する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記異常の有無に関する情報を記憶部に記録し、
前記制御部は、前記異常の有無に関する情報として、前記処理液供給部からの前記処理液の吐出が開始された時間を示す吐出開始時間情報と、前記処理液供給部からの前記処理液の吐出が停止した時間を示す吐出停止時間情報とを、前記記憶部に記録する基板処理装置。 - 前記処理液供給部は、前記処理室内の雰囲気の温度よりも高い温度を有する前記処理液を吐出し、
前記制御部は、前記処理液と前記雰囲気との間の温度差に基づいて前記処理液の状態を検知する請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記異常の有無は、前記基板上の前記処理液の温度に関する異常の有無を含む請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記赤外線画像に基づいて前記基板の温度も検知し、前記異常の有無を監視する請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記吐出開始時間情報及び前記吐出停止時間情報に基づいて、前記処理液供給部から前記処理液が吐出される吐出時間を制御する請求項5に記載の基板処理装置。
- 報知装置を更に備え、
前記制御部は、前記異常を検出した際には、前記異常をユーザに報知するように前記報知装置を作動させる請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018011845 | 2018-01-26 | ||
JP2018011845 | 2018-01-26 | ||
PCT/JP2019/000985 WO2019146456A1 (ja) | 2018-01-26 | 2019-01-16 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019146456A1 JPWO2019146456A1 (ja) | 2021-02-04 |
JP6946473B2 true JP6946473B2 (ja) | 2021-10-06 |
Family
ID=67395956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019567013A Active JP6946473B2 (ja) | 2018-01-26 | 2019-01-16 | 基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11923220B2 (ja) |
JP (1) | JP6946473B2 (ja) |
KR (1) | KR102706753B1 (ja) |
CN (1) | CN111630637B (ja) |
WO (1) | WO2019146456A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102706753B1 (ko) * | 2018-01-26 | 2024-09-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
JP7254163B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7362505B2 (ja) * | 2020-02-20 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び液体吐出評価方法 |
JP7482662B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2024-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 異常検出装置及び異常検出方法 |
EP4318184A1 (en) | 2021-03-25 | 2024-02-07 | NEC Corporation | Information processing system, information processing method, and computer program |
JP2023117668A (ja) | 2022-02-14 | 2023-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理システム並びに基板処理方法 |
JP2023127237A (ja) | 2022-03-01 | 2023-09-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理システム並びに基板処理方法 |
JP2023137511A (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および監視方法 |
JP2023137510A (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および監視方法 |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04186862A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Tokyo Electron Sagami Ltd | キャリア内基板の検出装置 |
US6776173B2 (en) * | 2000-06-30 | 2004-08-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
US6647642B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-11-18 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus and method |
JP4100466B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2008-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2002353184A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2003273003A (ja) | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2004047161A1 (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Tokyo Electron Limited | 絶縁膜形成装置 |
JP2004363229A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェハの研磨装置および研磨方法 |
JP4194495B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2008-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
KR20080097991A (ko) * | 2006-02-03 | 2008-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템, 프로그램 및 기록매체 |
JP4832142B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-12-07 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4999415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
JP2008198820A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP4973267B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置、基板搬送モジュール、基板搬送方法及び記憶媒体 |
JP4887310B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP5457384B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP5567392B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5338757B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2013-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP5408059B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP5348083B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP5368393B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2013-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、基板処理装置及び塗布現像装置 |
JP2012114409A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
US8654325B2 (en) * | 2011-07-05 | 2014-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium having program for executing the substrate processing method stored therein |
JP5742635B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置のアラーム管理方法および記憶媒体 |
JP6018528B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2016-11-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR101567195B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2015-11-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 토출 검사 장치 및 기판 처리 장치 |
JP6145061B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2017-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システムおよび接合方法 |
JP6289961B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-03-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US10665487B2 (en) * | 2014-04-18 | 2020-05-26 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method |
JP6316703B2 (ja) * | 2014-08-19 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6522915B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-05-29 | 倉敷紡績株式会社 | 基板上の液体成分の測定方法および基板処理装置 |
JP6316742B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置および基板搬送方法 |
JP2016122681A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6332095B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2018-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置 |
US11574827B2 (en) * | 2017-08-29 | 2023-02-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP6925219B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR102706753B1 (ko) * | 2018-01-26 | 2024-09-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
CN112074940A (zh) * | 2018-03-20 | 2020-12-11 | 东京毅力科创株式会社 | 结合有集成半导体加工模块的自感知校正异构平台及其使用方法 |
US20200043764A1 (en) * | 2018-03-20 | 2020-02-06 | Tokyo Electron Limited | Self-aware and correcting heterogenous platform incorporating integrated semiconductor processing modules and method for using same |
JP7052573B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2022-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成装置の調整方法 |
TWI791860B (zh) * | 2018-06-29 | 2023-02-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 凸塊高度量測裝置、基板處理裝置、凸塊高度量測方法、及已儲存用於使電腦執行控制凸塊高度量測裝置之方法的程式的不揮發性記憶媒體 |
JP7314634B2 (ja) * | 2019-06-11 | 2023-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
DE102020130415A1 (de) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Versorgungssystem für chemische flüssigkeiten und verfahren zur versorgung mit chemischen flüssigkeiten |
US11715656B2 (en) * | 2019-12-26 | 2023-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical liquid supplying system and method of supplying chemical liquid |
KR102256132B1 (ko) * | 2020-02-18 | 2021-05-25 | (주)캔탑스 | 캐리어 내부의 오염 관리 기능을 갖는 자동 반송시스템 |
WO2021183332A1 (en) * | 2020-03-10 | 2021-09-16 | Tokyo Electron Limited | Long wave infrared thermal sensor for integration into track system |
JP7475945B2 (ja) * | 2020-04-20 | 2024-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2022009661A1 (ja) * | 2020-07-06 | 2022-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP7546418B2 (ja) * | 2020-09-09 | 2024-09-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7521391B2 (ja) * | 2020-11-25 | 2024-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7571498B2 (ja) * | 2020-11-25 | 2024-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2022121188A (ja) * | 2021-02-08 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20220284562A1 (en) * | 2021-03-04 | 2022-09-08 | Applied Materials, Inc. | Region classification of film non-uniformity based on processing of substrate images |
JP2022190831A (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置、基板処理装置、ブレークイン装置、基板に付着する微粒子数の推定方法、基板洗浄部材の汚染度合い判定方法およびブレークイン処理の判定方法 |
JP2023142035A (ja) * | 2022-03-24 | 2023-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2019
- 2019-01-16 KR KR1020207023272A patent/KR102706753B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-16 WO PCT/JP2019/000985 patent/WO2019146456A1/ja active Application Filing
- 2019-01-16 CN CN201980009009.XA patent/CN111630637B/zh active Active
- 2019-01-16 JP JP2019567013A patent/JP6946473B2/ja active Active
- 2019-01-16 US US16/964,247 patent/US11923220B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019146456A1 (ja) | 2021-02-04 |
US11923220B2 (en) | 2024-03-05 |
US20210043482A1 (en) | 2021-02-11 |
KR20200108876A (ko) | 2020-09-21 |
CN111630637B (zh) | 2024-10-01 |
CN111630637A (zh) | 2020-09-04 |
WO2019146456A1 (ja) | 2019-08-01 |
KR102706753B1 (ko) | 2024-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6946473B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102522968B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP5661022B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
TWI741380B (zh) | 基板處理裝置以及基板處理方法 | |
US8477301B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing system and inspection/periphery exposure apparatus | |
JP6584356B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の処理方法 | |
US20150235368A1 (en) | Displacement detection apparatus, substrate processing apparatus, displacement detection method and substrate processing method | |
JP2017183496A (ja) | 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム | |
JP2020061404A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US20170256392A1 (en) | Liquid processing method, substrate processing apparatus, and storage medium | |
JP6537992B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム | |
CN115668451A (zh) | 基板处理方法及基板处理装置 | |
TW201947456A (zh) | 凸塊高度檢查裝置、基板處理裝置、凸塊高度檢查方法、及記憶媒體 | |
JP6562864B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法 | |
TW202345254A (zh) | 攝像裝置、檢查裝置、檢查方法及基板處理裝置 | |
JP6541605B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の撮像方法 | |
JP2000070834A (ja) | 異常検出方法及びこれを用いた基板塗布装置 | |
TWI833662B (zh) | 監視方法及製造裝置 | |
WO2023243438A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7487006B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
WO2020071212A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TW202309997A (zh) | 基板處理裝置、資訊處理方法及記憶媒體 | |
KR20210003985A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200717 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200717 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210820 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210915 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6946473 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |