[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP6821060B2 - 透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法 - Google Patents

透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6821060B2
JP6821060B2 JP2019563208A JP2019563208A JP6821060B2 JP 6821060 B2 JP6821060 B2 JP 6821060B2 JP 2019563208 A JP2019563208 A JP 2019563208A JP 2019563208 A JP2019563208 A JP 2019563208A JP 6821060 B2 JP6821060 B2 JP 6821060B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent
pattern
copper foil
light emitting
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019563208A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020523623A (ja
Inventor
ヨン・グ・ソン
クン・ソク・イ
スン・ホン・イ
Original Assignee
エルジー・ケム・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー・ケム・リミテッド filed Critical エルジー・ケム・リミテッド
Publication of JP2020523623A publication Critical patent/JP2020523623A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6821060B2 publication Critical patent/JP6821060B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067—Etchants
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285—Permanent coating compositions
    • H05K3/287—Photosensitive compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452—Solder masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108—Transparent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09681—Mesh conductors, e.g. as a ground plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/099—Coating over pads, e.g. solder resist partly over pads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10128—Display
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2072—Anchoring, i.e. one structure gripping into another

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本出願は、２０１７年９月１９日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１７−０１２０３４８号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
本出願は、透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法に関する。
最近、韓国は、先端ＩＣＴ技術とＬＥＤ技術との融合により、華やかな看板だけでなく、公園および都心内に多様な景観照明を演出して都市の人々に情報および見どころを提供している。特に、ＩＴＯ透明電極素材を用いた透明ＬＥＤディスプレイはガラスとガラスとの間にＬＥＤを適用したり、ＬＥＤが適用された透明フィルムをガラスの一面に付着させたものであって、電線が見えず高級な演出が可能であるという利点がある。これによって、ホテル、デパートなどの室内インテリアに活用されており、ビル外壁のメディアファサードの実現においてその重要性が増している。
透明でありながらも電気が流れてタッチスクリーンなどに用いられる透明電極は、スマート機器の普及に伴ってその需要が爆発的に伸びており、そのうち最も多く用いる透明電極は、インジウムとスズの酸化物であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）である。しかし、ＩＴＯ透明電極素材の主原料であるインジウムは、全世界的に埋蔵量が多くなく、中国など一部の国でのみ生産されており、生産費用が高価である。また、抵抗値が一定に適用されずに表出されるＬＥＤの明かりが一定でないという欠点がある。これによって、ＩＴＯを活用した透明ＬＥＤは、高性能低費用の透明電極素材への活用には限界がある。
透明電極素材としてＩＴＯが最も多い比重を占めて用いられてきたのは事実であるが、経済性、制限的性能などの限界によって新しい素材を活用した研究と技術開発が持続的に行われている。次世代新素材として注目されている透明電極素材には、メタルメッシュ（Ｍｅｔａｌ Ｍｅｓｈ）、ナノワイヤ（Ａｇ Ｎａｎｏｗｉｒｅ）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、導電性高分子、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）などがある。そのうち、メタルメッシュは、ＩＴＯを代替した物質の８５％を占める新素材で低費用高導電度を有していて、その活用度の面から市場が広がっている。
メタルメッシュを活用した透明ＬＥＤディスプレイは、既存のＩＴＯ透明ディスプレイより維持補修が容易であり、資源節約、環境汚染防止を大幅に低減できるだけでなく、製造コストの節減で経済的である。また、多様な用途に拡大適用が可能で、新しい透明電極素材として多様な製品への適用および活用の可能性をもっている。
本出願は、透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法を提供しようとする。
本出願の一実施態様は、
透明基材上に銅箔（ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉｌ）を貼り合わせるステップと、
前記銅箔をエッチングして、銅箔パターンを形成するステップと、
前記透明基材および銅箔パターン上の全面に透明感光性樹脂層を形成するステップと、
前記銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂層の少なくとも一部を除去して、銅箔パターンの少なくとも一部を露出させるステップとを含む透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法を提供する。
また、本出願の一実施態様は、
透明基材と、
前記透明基材上に備えられた接着層と、
前記接着層上に備えられた銅箔パターンと、
前記接着層および銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂組成物層とを含む透明発光素子ディスプレイ用電極基板であり、
前記銅箔パターン上の少なくとも一部の領域には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられておらず、
前記透明発光素子ディスプレイ用電極基板の銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズが５％以下である透明発光素子ディスプレイ用電極基板を提供する。
さらに、本出願の他の実施態様は、前記透明発光素子ディスプレイ用電極基板を含む透明発光素子ディスプレイを提供する。
本出願の一実施態様によれば、低価格の銅箔を用いて金属パターンを形成するので、透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造時、原材料費が節減できる特徴がある。特に、本出願の一実施態様によれば、透明基材および銅箔パターン上に透明感光性樹脂組成物層を形成することにより、銅箔表面の粗さによる透明発光素子ディスプレイ用電極基板のヘイズが増加するのを防止することができ、前記透明感光性樹脂組成物層の屈折率を調節して透明発光素子ディスプレイ用電極基板のヘイズを減少させることができる特徴がある。
また、本出願の一実施態様によれば、銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂組成物層の少なくとも一部を除去して、銅箔パターンの少なくとも一部を露出させることにより、外部端子と連結されたり発光素子が実装される電極パッド部パターンを形成することができる。
本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板を概略的に示す図である。 本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板を概略的に示す図である。 本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法を概略的に示す図である。 透明感光性樹脂組成物層の適用の有無によるヘイズ評価結果を概略的に示す図である。 透明感光性樹脂組成物層の適用の有無による透明発光素子ディスプレイ用電極基板を概略的に示す図である。 透明発光素子ディスプレイのソルダーペースト工程時、電極間のショートの有無を概略的に示す図である。 実施例１の銅箔の接着層と接する面、銅箔パターンの形成後に銅箔が除去された接着層の表面、および透明感光性樹脂組成物層の表面を示す図である。 実施例１の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の構造、ＳＥＭイメージおよび透過度写真を示す図である。 比較例１の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の構造、ＳＥＭイメージおよび透過度写真を示す図である。
以下、本出願について詳細に説明する。
本出願において、「透明」とは、可視光線領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）で約８０％以上の透過率特性を有することを意味するものとする。
通常、透明ＬＥＤディスプレイに適用される透明電極基板は、１ｏｈｍ／ｓｑ以下の低抵抗特性が確保されなければならず、低抵抗および高い透過度を確保するためには２μｍ以上のＣｕ層のような金属層が要求される。従来は、前記金属層を形成するためにスパッタリング方法を利用していたが、前記スパッタリング方法を利用する場合には、透明基材と金属層との付着力の確保が困難であり、過度の蒸着時間の増加によって透明電極基板の価格が急激に上昇する問題がある。
そこで、本出願では、価格競争力を確保するために、金属層として超低価格の銅箔を用いる透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法を提供しようとする。
本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法は、透明基材上に銅箔を貼り合わせるステップと、前記銅箔をエッチングして、銅箔パターンを形成するステップと、前記透明基材および銅箔パターン上の全面に透明感光性樹脂組成物層を形成するステップと、前記銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂組成物層の少なくとも一部を除去して、銅箔パターンの少なくとも一部を露出させるステップとを含む。
本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法は、透明基材上に銅箔を貼り合わせるステップを含む。
前記透明基材は、透明性、表面平滑性、取扱容易性および防水性に優れたガラス基材または透明プラスチック基材であってもよいが、これに限定されず、電子素子に通常用いられる透明基材であれば限定はない。具体的には、前記透明基材としては、ガラス；ウレタン樹脂；ポリイミド樹脂；ポリエステル樹脂；（メタ）アクリレート系高分子樹脂；ポリエチレンまたはポリプロピレンなどのポリオレフィン系樹脂などからなるものであってもよい。
前記銅箔は、当技術分野で知られた材料を用いることができ、前記銅箔の厚さは、２μｍ〜１５μｍであってもよいが、これのみに限定されるものではない。
前記透明基材上に銅箔を貼り合わせるステップは、接着層を用いることができる。より具体的には、前記透明基材上に銅箔を貼り合わせるステップは、透明基材上に接着層を形成するステップと、前記接着層上に銅箔を形成するステップとを含むことができる。
前記接着層は、透明基材と銅箔との間に位置して接着力を提供するものであって、屈折率が１．４５〜１．５５であってもよい。より具体的には、前記接着層は、屈折率が１．４５〜１．５５のアクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用い、コンマコーティング、スロットダイコーティングなどの方法で５μｍ〜３０μｍの厚さ範囲に形成することができるが、これのみに限定されるものではない。
本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法は、前記銅箔をエッチングして、銅箔パターンを形成するステップを含む。
前記銅箔をエッチングする方法は、当技術分野で知られた方法を利用することができる。より具体的には、前記銅箔をエッチングする方法は、銅箔上にレジストパターンを形成した後、前記銅箔をエッチングするステップと、前記レジストパターンを剥離するステップとを含むことができるが、これのみに限定されるものではない。
前記銅箔パターンは、互いに線幅が異なる２種以上の銅箔パターンを含むことができる。また、前記銅箔パターンは、互いに線幅が異なる２種の銅箔パターンを含み、１種の銅箔パターンの線幅は、３μｍ〜３０μｍであり、他の１種の銅箔パターンの線幅は、５０μｍ以上であってもよい。前記線幅が３μｍ〜３０μｍの銅箔パターンは、電極パターンの役割を果たすことができ、前記線幅が５０μｍ以上の銅箔パターンは、外部端子を連結するための電極パッド部パターンの役割を果たすことができる。すなわち、前記銅箔パターンは、電極パターンおよび電極パッド部パターンを含むことができる。また、前記電極パッド部パターン上には発光素子が実装できる。
前記電極パターンの線幅は、３μｍ〜３０μｍであってもよく、３μｍ〜２０μｍであってもよいし、３μｍ〜１０μｍであってもよいが、これのみに限定されるものではない。また、前記電極パッド部パターンの線幅は、５０μｍ以上であってもよく、５０μｍ〜１００μｍであってもよいが、これのみに限定されるものではない。
本出願の一実施態様において、前記電極パターンは、メタルメッシュパターンを含むことができる。前記電極パターンを構成するメタルメッシュパターンは、線幅および線高さが同一であってもよい。本出願の一実施態様において、前記メタルメッシュパターンの線幅が同一であるというのは、線幅の標準偏差が２０％以下、好ましくは１０％以下、さらに好ましくは５％以下であることを意味する。また、本出願の一実施態様において、前記メタルメッシュパターンの線高さが同一であるというのは、線高さの標準偏差が１０％以下、好ましくは５％以下、さらに好ましくは２％以下であることを意味する。
さらに、前記メタルメッシュパターンは、前記電極パッド部パターンを除いた透明基材上の有効画面部の全領域に備えられる。より具体的には、前記メタルメッシュパターンは、前記透明基材上の全面積対比８０％以上の面積の領域に備えられ、９９．５％以下の面積に備えられてもよい。また、前記メタルメッシュパターンは、前記透明基材上の全面積を基準として、透明基材上に備えられるＦＰＣＢパッド部領域と電極パッド部パターン領域を除いた面積の８０％以上の面積の領域に備えられ、９９．５％以下の面積に備えられてもよい。本出願において、前記ＦＰＣＢパッド部領域は、外部電源を印加するＦＰＣＢパッド部を含み、その面積は、ＦＰＣＢパッド部の全面積以上、ＦＰＣＢパッド部の全面積の３倍以下であってもよい。
前記メタルメッシュパターンは、当技術分野におけるパターン形態が使用できる。より具体的には、前記メタルメッシュパターンは、三角形、四角形、五角形、六角形、および八角形のうち１つ以上の形態を含む多角形パターンを含むことができる。前記メタルメッシュパターンは、直線、曲線、または直線や曲線からなる閉曲線を含むことができる。
また、前記電極パターン上には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられ、前記電極パッド部パターン上の少なくとも一部には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられなくてもよい。
本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法は、前記透明基材および銅箔パターン上の全面に透明感光性樹脂組成物層を形成するステップを含む。前記透明感光性樹脂組成物層は、前記透明基材および銅箔パターン上の全面に透明感光性樹脂組成物を塗布することにより形成することができる。
透明基材上に接着層を具備させた後、低価格の銅箔を貼り合わせる場合には、銅箔の表面粗さが接着層の表面に転写されて最終製品のヘイズが増加する問題が発生しうる。前記接着層の表面の粗さを減少させるために、接着層と類似の屈折率を有する透明樹脂を接着層の上部に追加的に塗布させる方法を考慮することができるが、この場合には、外部端子を連結したり発光素子を実装するための電極パッド部パターンが透明樹脂層によって絶縁される問題が発生しうる。したがって、本出願では、感光性を有する透明感光性樹脂組成物層を前記透明基材および銅箔パターン上の全面に形成することにより、接着層の表面の粗さを減少させることができるだけでなく、後述のように、前記透明感光性樹脂組成物層の少なくとも一部を背面露光および現像方法により除去することにより、外部端子を連結したり発光素子を実装するための電極パッド部パターンを露出させることができる特徴がある。
前記透明感光性樹脂組成物は、ネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）タイプの透明感光性樹脂組成物であり、透明基材上に備えられている接着層との屈折率の差が０．０５以内、好ましくは０．０２以内であることを特徴とする。より具体的には、前記透明感光性樹脂組成物は、屈折率が１．４５〜１．５２のアクリル系ＵＶ硬化型樹脂を使用することができる。
前記透明感光性樹脂組成物層の厚さは、前記接着層上に備えられている銅箔パターンの厚さに応じて異なる。より具体的には、前記透明感光性樹脂組成物層の厚さは、ＬＥＤ実装およびＦＰＣＢボンディングなどの後工程の容易性を考慮した時、銅箔パターンとの厚さの差が１０μｍ以内であることが好ましい。例えば、前記銅箔パターンの厚さが５μｍ以下の場合には、前記透明感光性樹脂組成物層の厚さは、１５μｍ以下であってもよい。前記銅箔パターンと透明感光性樹脂組成物層との厚さの差が１０μｍを超える場合には、ＬＥＤ実装工程中の公差発生時にＬＥＤ破損の可能性が高く、ＦＰＣＢボンディングにおいても過度の段差発生時に導電ボールが圧力が伝達されず通電が不可能になる問題点が発生しうる。
透明感光性樹脂組成物層の適用の有無によるヘイズ評価結果を下記の図４に概略的に示した。下記の図４のように透明感光性樹脂組成物層を適用していない場合には、銅箔表面の粗さが接着層に転写されてヘイズが増加することが分かり、本出願のように透明感光性樹脂組成物層を適用した場合には、接着層との屈折率マッチングによりヘイズが減少することが分かる。
本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法は、前記銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂組成物層の少なくとも一部を除去して、銅箔パターンの少なくとも一部を露出させるステップを含む。
前記銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂組成物層の少なくとも一部を除去するステップは、前記透明基材の下部面に背面露光および現像するステップを含むことができる。
前記のように、透明基材の下部面に背面露光を行う場合には、接着層上に備えられている銅箔パターンがフォトマスクの役割を果たして別途のフォトマスクが不要になり、アラインエラーによる不良発生を根本的に除去することができるという利点がある。
前記背面露光は、平行光露光または散乱光露光を進行させることができる。前記背面露光時に平行光露光を進行させる場合には、電極パターンおよび電極パッド部パターンがすべて露出することができ、これを下記の図１に概略的に示した。また、前記背面露光時に散乱光露光を進行させる場合には、電極パッド部パターンが露出することができ、これを下記の図２に概略的に示した。
さらに、本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法を下記の図３に概略的に示した。
また、本出願の一実施態様は、透明基材と、前記透明基材上に備えられた接着層と、前記接着層上に備えられた銅箔パターンと、前記接着層および銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂組成物層とを含む透明発光素子ディスプレイ用電極基板であり、前記銅箔パターン上の少なくとも一部の領域には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられておらず、前記透明発光素子ディスプレイ用電極基板の銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズが５％以下である透明発光素子ディスプレイ用電極基板を提供する。
前記透明発光素子ディスプレイ用電極基板の銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズは、２％以下であってもよく、１％以下であってもよい。
本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板において、前記透明基材、接着層、銅箔パターン、透明感光性樹脂組成物層などに関する内容は前述した内容と同一であるので、その具体的な説明は省略する。
前記透明感光性樹脂組成物層の適用の有無による透明発光素子ディスプレイ用電極基板を下記の図５に概略的に示した。図５のように、本出願の一実施態様によれば、透明基材および銅箔パターン上に透明感光性樹脂組成物層を形成することにより、銅箔表面の粗さによる透明発光素子ディスプレイ用電極基板のヘイズが増加するのを防止することができ、前記透明感光性樹脂組成物層の屈折率を調節して透明発光素子ディスプレイ用電極基板のヘイズを減少させることができる特徴がある。
本出願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板は、透明発光素子ディスプレイの透明電極に適用可能である。
また、本出願の一実施態様は、前記透明発光素子ディスプレイ用電極基板を含む透明発光素子ディスプレイを提供する。
下記の図６のように、従来の透明発光素子ディスプレイでは、電極パッド部パターン上に発光素子を実装するためのソルダーペースト工程時、電極間のショートが発生することがあった。しかし、本出願の一実施態様によれば、電極パッド部パターン上に発光素子を実装するためのソルダーペースト工程時、透明感光性樹脂組成物層によって電極間のショートを防止することができる特徴がある。
以下、実施例を通じて本明細書に記載の実施態様を例示する。しかし、以下の実施例によって前記実施態様の範囲が限定されることを意図するものではない。
＜実施例＞
＜実施例１＞
２５０μｍの厚さのＰＥＴフィルム上に、コンマコーターを用いてウレタンアクリル系透明接着剤を塗布した後、１００℃で５分間熱風乾燥して、１０μｍの厚さの接着層を形成した。前記透明接着層が備えられたＰＥＴフィルムと３μｍの厚さの銅箔とを、１２０℃、１．４ｍｐｍ（ｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）の条件でホットロール（Ｈｏｔ Ｒｏｌｌ）貼り合わせた。
前記銅箔貼り合わせフィルムの銅箔面にＤＦＲ（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ）を貼り合わせた後、露光および現像工程により２０μｍの線幅のＶｏｒｏｎｏｉ形態のＤＦＲパターンを形成した。
塩化第二鉄系銅エッチング液を用いて露出した銅箔を除去し、ＤＦＲパターンを剥離してＶｏｒｏｎｏｉ形態の銅箔パターンを形成した。この時、銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズは４０％であった。
前記銅箔パターンが備えられている基材の上部にネガティブ透明感光性樹脂組成物をコンマコーターを用いて塗布した後、１２０℃で５分間乾燥して、５μｍの厚さのネガティブ透明感光性樹脂組成物層を形成した。
前記透明感光性樹脂組成物は、重量平均分子量が１０，１００ｇ／ｍｏｌ、酸価７７ｍｇＫＯＨ／ｇ、アクリル反応基の比率が３０ｍｏｌ％のアクリレート樹脂１６ｇ、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート７．５ｇ、光開始剤としてＢＡＳＦ社のＯＸＥ−０２ １ｇ、Ｇｌｉｄｅ−４１０界面活性剤０．５ｇをＰＧＭＥＡ（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｎｏｍｅｔｈｙｌ Ｅｔｈｅｒ Ａｃｅｔａｔｅ）７５ｇに溶解した後、０．１μｍの大きさのフィルタで濾過して、透明感光性樹脂組成物を製造した。
前記透明感光性樹脂組成物層が備えられている面の背面から平行光露光器（Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ ＭＡ−８）を活用して１００ｍＪ／ｃｍ２の光量を照射した後、現像して、銅箔パターン上に塗布されている透明感光性樹脂組成物層を選択的に除去した。この時、銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズは０．８％であった。
前記実施例１の銅箔の接着層と接する面、銅箔パターンの形成後に銅箔が除去された接着層の表面、および透明感光性樹脂組成物層の表面を下記の図７に示した。下記の図７のように、銅箔の接着層と接する面は、接着層との密着力を極大化させるために、表面にノジュール（ｎｏｄｕｌｅ）が形成されている。また、前記銅箔パターンの形成後に銅箔が除去された接着層の表面は、ノジュール（ｎｏｄｕｌｅ）が接着層に反映されて接着層の表面粗さが増加した。さらに、前記透明感光性樹脂組成物層を形成した後には、透明感光性樹脂組成物層によって表面粗さが減少したことを確認することができる。
また、前記実施例１の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の構造、ＳＥＭイメージおよび透過度写真を下記の図８に示した。
＜比較例１＞
実施例１において透明感光性樹脂組成物層を形成しないことを除けば、実施例１と同様に行った。この時、銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズは８８．４％であった。
前記比較例１の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の構造、ＳＥＭイメージおよび透過度写真を下記の図９に示した。
前記結果のように、本出願の一実施態様によれば、低価格の銅箔を用いて金属パターンを形成するので、透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造時、原材料費が節減できる特徴がある。特に、本出願の一実施態様によれば、透明基材および銅箔パターン上に透明感光性樹脂組成物層を形成することにより、銅箔表面の粗さによる透明発光素子ディスプレイ用電極基板のヘイズが増加するのを防止することができ、前記透明感光性樹脂組成物層の屈折率を調節して透明発光素子ディスプレイ用電極基板のヘイズを減少させることができる特徴がある。
また、本出願の一実施態様によれば、銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂組成物層の少なくとも一部を除去して、銅箔パターンの少なくとも一部を露出させることにより、外部端子と連結されたり発光素子が実装される電極パッド部パターンを形成することができる。
１０：透明基材
２０：銅箔
３０：銅箔パターン
４０：透明感光性樹脂層
５０：接着層
６０：レジストパターン

Claims (16)

  1. 透明基材上に銅箔（ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉｌ）を貼り合わせるステップと、
    前記銅箔をエッチングして、銅箔パターンを形成するステップと、
    前記透明基材および銅箔パターン上の全面に透明感光性樹脂組成物層を形成するステップと、
    前記銅箔パターン上に形成された透明感光性樹脂組成物層の少なくとも一部を除去して、銅箔パターンの少なくとも一部を露出させるステップとを含み、
    前記銅箔パターンは、電極パターンおよび電極パッド部パターンを含み、
    前記電極パターンの線幅は、３μｍ〜３０μｍであり、
    前記電極パッド部パターンの線幅は、５０μｍ以上であり、
    前記電極パターンは、メタルメッシュパターンを含み、
    前記メタルメッシュパターンは、前記電極パッド部パターンを除いた透明基材上の有効画面部の全領域に備えられるものである、透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  2. 前記銅箔の厚さは、２μｍ〜１５μｍである、請求項１に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  3. 前記透明基材上に銅箔を貼り合わせるステップは、接着層を用いるものである、請求項１または２に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  4. 前記接着層の屈折率は、１．４５〜１．５５である、請求項３に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  5. 前記接着層の厚さは、５μｍ〜３０μｍである、請求項３に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  6. 前記透明感光性樹脂組成物層の屈折率は、１．４５〜１．５５である、請求項１から５のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  7. 前記接着層と透明感光性樹脂組成物層との屈折率の差は、０．０５以内である、請求項３に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  8. 前記透明感光性樹脂組成物層と銅箔パターンとの厚さの差は、１０μｍ以内である、請求項１から７のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  9. 前記銅箔パターン上に形成された前記透明感光性樹脂組成物層の少なくとも一部を除去するステップは、
    前記透明基材の下部面に背面露光および現像するステップを含むものである、請求項１から８のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  10. 前記電極パターン上には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられ、
    前記電極パッド部パターン上の少なくとも一部には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられていないものである、請求項１から９のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板の製造方法。
  11. 透明基材と、
    前記透明基材上に備えられた接着層と、
    前記接着層上に備えられた銅箔パターンと、
    前記接着層および銅箔パターン上に備えられた透明感光性樹脂組成物層とを含む透明発光素子ディスプレイ用電極基板であり、
    前記銅箔パターン上の少なくとも一部の領域には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられておらず、
    前記透明発光素子ディスプレイ用電極基板の銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズが５％以下であり、
    前記銅箔パターンは、電極パターンおよび電極パッド部パターンを含み、
    前記電極パターンの線幅は、３μｍ〜３０μｍであり、
    前記電極パッド部パターンの線幅は、５０μｍ以上であり、
    前記電極パターンは、メタルメッシュパターンを含み、
    前記メタルメッシュパターンは、前記電極パッド部パターンを除いた透明基材上の有効画面部の全領域に備えられるものである、透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  12. 前記接着層と前記透明感光性樹脂組成物層との屈折率の差は、０．０５以内である、請求項１１に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  13. 前記透明感光性樹脂組成物層と銅箔パターンとの厚さの差は、１０μｍ以内である、請求項１１または１２に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  14. 前記透明発光素子ディスプレイ用電極基板の銅箔パターンが備えられていない領域のヘイズは、２％以下である、請求項１１から１３のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  15. 前記電極パターン上には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられ、
    前記電極パッド部パターン上の少なくとも一部には前記透明感光性樹脂組成物層が備えられていないものである、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  16. 請求項１１から１５のいずれか１項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板を含む透明発光素子ディスプレイ。
JP2019563208A 2017-09-19 2018-09-14 透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法 Active JP6821060B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20170120348 2017-09-19
KR10-2017-0120348 2017-09-19
PCT/KR2018/010830 WO2019059589A1 (ko) 2017-09-19 2018-09-14 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020523623A JP2020523623A (ja) 2020-08-06
JP6821060B2 true JP6821060B2 (ja) 2021-01-27

Family

ID=65811347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019563208A Active JP6821060B2 (ja) 2017-09-19 2018-09-14 透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10868229B2 (ja)
EP (1) EP3686905A4 (ja)
JP (1) JP6821060B2 (ja)
KR (1) KR102129675B1 (ja)
CN (1) CN110637345B (ja)
TW (1) TWI675244B (ja)
WO (1) WO2019059589A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11063525B2 (en) * 2019-01-07 2021-07-13 Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Power supply module and manufacture method for same
CN113630982A (zh) * 2020-05-07 2021-11-09 深圳市晶泓科技有限公司 一种透明led电路板及透明led显示屏的制备方法
CN112752413B (zh) * 2020-12-03 2022-05-31 深圳市晶泓科技有限公司 一种透明led电路板及透明led显示屏的制备方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2653458B2 (ja) * 1988-03-26 1997-09-17 旭化成工業株式会社 凸版印刷版用感光性樹脂組成物
JPH09270573A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Cmk Corp プリント配線板及びその製造方法
JPH10282513A (ja) 1997-04-07 1998-10-23 Sharp Corp 電極基板の製造方法及び液晶表示素子
JPH10335064A (ja) * 1997-05-19 1998-12-18 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
KR100326535B1 (ko) 1999-02-09 2002-03-25 구자홍 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 그 제조방법
GB2341477B (en) 1998-09-10 2002-12-24 Sharp Kk Electrode substrate, manufacturing method thereof, and liquid crystal display element
WO2008053931A1 (en) 2006-10-31 2008-05-08 Hitachi Chemical Co., Ltd. Resin composition for optical use, resin material for optical use using the same, optical filter for image display device, and image display device
JP2009200432A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd フレキシブル配線基板およびその製造方法
KR100992187B1 (ko) * 2008-08-28 2010-11-04 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
JP2011114194A (ja) 2009-11-27 2011-06-09 Alps Electric Co Ltd 透明電極パターンの形成方法
GB201105364D0 (en) 2011-03-30 2011-05-11 Cambridge Display Tech Ltd Surface planarisation
KR20120138287A (ko) 2011-06-14 2012-12-26 삼성전기주식회사 터치패널 및 그 제조방법
CN102315290B (zh) * 2011-09-23 2013-01-30 中国科学院光电技术研究所 一种全光谱吸收增强的氢化非晶硅薄膜太阳能电池
CN105393376B (zh) * 2013-06-14 2017-11-17 株式会社Lg化学 有机太阳能电池及其制造方法
JP6403776B2 (ja) * 2013-08-19 2018-10-10 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 光学検出器
KR20150033169A (ko) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치
WO2015122721A1 (ko) 2014-02-13 2015-08-20 주식회사 엘지화학 마스터 몰드의 제조방법, 이로 제조된 마스터 몰드, 투명포토마스크의 제조방법, 이로 제조된 투명포토마스크 및 상기 투명포토마스크를 이용한 전도성 메쉬패턴의 제조방법
JP2015157392A (ja) 2014-02-24 2015-09-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 透視型電極用積層体とその製造方法、透視型電極素材とデバイス
JP6333780B2 (ja) 2014-08-12 2018-05-30 富士フイルム株式会社 転写フィルム、転写フィルムの製造方法、積層体、積層体の製造方法、静電容量型入力装置、及び、画像表示装置
KR101791299B1 (ko) 2014-09-29 2017-10-27 주식회사 엘지화학 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 전극 및 이를 포함하는 전자소자
JP6230559B2 (ja) * 2014-12-03 2017-11-15 富士フイルム株式会社 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置
WO2016088609A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 富士フイルム株式会社 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置
EP3035122B1 (en) * 2014-12-16 2019-03-20 ATOTECH Deutschland GmbH Method for fine line manufacturing
KR101784406B1 (ko) * 2015-02-25 2017-10-12 금호전기주식회사 투명 전광 장치
KR20160126192A (ko) 2015-04-23 2016-11-02 대덕지디에스 주식회사 투명 인쇄회로기판 제조방법
JP6620464B2 (ja) 2015-08-26 2019-12-18 大日本印刷株式会社 フレキシブル透明基板及びそれを用いたシースルー型のｌｅｄ表示装置
KR20170029838A (ko) 2015-09-08 2017-03-16 재단법인대구경북과학기술원 전도성 필름, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전극
KR102102668B1 (ko) * 2015-11-05 2020-04-22 주식회사 엘지화학 광학용 점착제 조성물 및 광학용 점착 필름
KR102547264B1 (ko) 2015-11-27 2023-06-23 미쓰이금속광업주식회사 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법
CN111682017B (zh) * 2015-12-28 2023-08-29 日亚化学工业株式会社 发光模块
KR20170120348A (ko) 2016-04-21 2017-10-31 주식회사 씨엔플러스 플러그 커넥터 조립체
JP2018017996A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 日東電工株式会社 位相差層付偏光板および有機ｅｌ表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200091392A1 (en) 2020-03-19
JP2020523623A (ja) 2020-08-06
TWI675244B (zh) 2019-10-21
KR20190032212A (ko) 2019-03-27
CN110637345A (zh) 2019-12-31
EP3686905A4 (en) 2020-11-04
KR102129675B1 (ko) 2020-07-02
US10868229B2 (en) 2020-12-15
TW201921066A (zh) 2019-06-01
EP3686905A1 (en) 2020-07-29
CN110637345B (zh) 2021-10-29
WO2019059589A1 (ko) 2019-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102129674B1 (ko) 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법
CN111083936B (zh) 用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板及其制造方法
JP6821060B2 (ja) 透明発光素子ディスプレイ用電極基板およびその製造方法
CN111837237B (zh) 用于透明发光二极管显示器件的电极基板和包括其的透明发光二极管显示器件
JP5935143B2 (ja) 単層タッチスクリーン及びその製造方法
US11716818B2 (en) Embedded-type transparent electrode substrate and method for manufacturing same
CN105335034A (zh) 金属网格单膜双面电容屏功能片及其制作方法
WO2015000193A1 (zh) 触摸屏
JP2014191806A (ja) タッチパネル用導電シートの製造方法、及びタッチパネル用導電シート
JP2014191717A (ja) タッチパネルの製造方法
KR20180045712A (ko) 터치 스크린 패널용 센서의 제조 방법 및 터치 스크린 패널용 센서
JP2018522377A (ja) 回路基板の製造方法
TWI496063B (zh) A method of forming a transparent conductive pattern, a method of manufacturing a touch screen, and a conductive transfer film
KR102361783B1 (ko) 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법
JP2015045986A (ja) 機能性膜付きタッチパネルフィルムの製造方法、及び、その製造方法を用いて製造されたタッチパネル
WO2014071669A1 (zh) 透明导电体及其制备方法
JP2009302481A (ja) 電磁波遮蔽シートの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200914

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6821060

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250