JP6862767B2 - トリアジン化合物、その製造方法、製造中間体、及び用途 - Google Patents

Description

本発明は、有機電界発光素子の構成成分として有用なトリアジン化合物、その製造方法、製造中間体、及び用途に関するものである。

有機電界発光素子は、発光材料を含有する発光層を正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付けたものを基本的な構成とし、発光層に注入された正孔及び電子の再結合により生ずる励起子失活に伴う光の放出（蛍光又は燐光）を利用する素子であり、ディスプレー等へ応用されている。なお、正孔輸送層は正孔輸送層と正孔注入層に、発光層は、電子ブロック層と発光層と正孔ブロック層に、電子輸送層は電子輸送層と電子注入層に分割して構成される場合もある。

従来の有機電界発光素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低く、素子寿命も著しく低く、実用化には至っていなかった。最近の有機電界発光素子は徐々に改良されているものの、発光効率特性、駆動電圧特性、長寿命特性において、さらに優れた材料が求められている。

有機電界発光素子用の長寿命性に優れる電子輸送材料として、トリアジン化合物（例えば特許文献１−４、非特許文献１）が挙げられる。しかしながら、当該材料を用いた有機電界発光素子の電圧、寿命及び発光効率の点で更なる改良が求められていた。

特許第４９０７０９０号 特許第４８５６８８２号 特許第４９０７１９２号 特許第５０６４０５３号 Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｒｅｐｏｒｔ，３巻，２１２７−２１３２，２０１３年

有機電界発光素子は様々な表示機器への利用が始まっているが、長寿命化、高発光効率化、低駆動電圧化等、更なる素子の高性能化が要求されている。より具体的には、長寿命、高発光効率、低駆動電圧化、駆動時の電圧上昇抑制を達成するキャリア輸送材料の開発が要求されている。

前記キャリア輸送材料のうち電子注入材料及び電子輸送材料については、優れた電子注入性及び電子輸送特性により素子を低電圧で駆動させると共に、発光効率が高く、素子を長時間駆動させる新たな材料が望まれている。特に、燐光発光及びＴＡＤＦを活用した有機電界発光素子において、長寿命化、低駆動電圧化と同時に高発光効率を実現するために、高い励起三重項準位を有する発光材料及びキャリア輸送材料が望まれている。

本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明の一般式（１）で表されるトリアジン化合物が、従来公知の化合物に比べて、電子耐久性及び正孔耐久性が顕著に向上することを見いだした。また、発明者らは、本発明の一般式（１）で表されるトリアジン化合物が、従来公知の化合物に比べて励起三重項準位が向上することを見出した。このような知見から、当該トリアジンン化合物を有機電界発光素子における電子輸送層として用いた場合、公知又は汎用の電子輸送材を用いた場合に比べて、有機電界発光素子が長寿命化することを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、下記本発明の一般式（１）で表されるトリアジン化合物（以下、「化合物（１）」とも称する）、その製造方法、及びそれを含有する有機電界発光素子に関するものである。

｛式中、
Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
Ａｒ^５は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表す。｝
また、本発明は、前記化合物（１）の製造方法、前記化合物（１）を工業的に製造するために極めて有用な製造中間体、及び前記化合物（１）の用途に関する。

以下、本発明を詳細に説明する。

本願の化合物（１）における置換基はそれぞれ以下のように定義される。

本発明において、Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表す。

前記炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基は、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族炭化水素基及び炭素数６〜３０の単環、又は縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基において、６〜３０は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基については、単環の芳香族基、又は単環芳香族基同士が縮環した芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

当該炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、テトラセニル基、クリセニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザイフルオレニル基、アザフルオランテニル基、アザペリレニル基、アザトリフェニレニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザベンゾチエニル基、アザジベンゾチエニル基、アザベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、等が挙げられる。

当該炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）については、電子輸送材料特性に優れる点で、炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）であることが好ましく、炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）であることがより好ましい。

前記炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基は、炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族炭化水素基及び炭素数６〜３０の単環、又は縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基において、６〜１８は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基については、単環の芳香族基、又は単環芳香族基同士が縮環した芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

前記炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、テトラセニル基、クリセニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザイフルオレニル基、アザフルオランテニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザベンゾチエニル基、アザジベンゾチエニル基、アザベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、等が挙げられる。

前記炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基は、炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族炭化水素基及び炭素数６〜１４の単環、又は縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基において、６〜１４は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基については、単環の芳香族基、又は単環芳香族基同士が縮環した芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

前記炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザフルオレニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザベンゾチエニル基、アザジベンゾチエニル基、アザベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基等が挙げられる。

Ａｒ^１乃至Ａｒ^４における炭素数３〜１０のアルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状になったものを含み、特に限定するものではないが、例えば、プロポキシ基（ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基）、ブトキシ基（ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基）、ペンチルオキシ基（ｎ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基）、ヘキシルオキシ基（ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基）、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ベンジルオキシ基、又はフェネチルオキシ基等が挙げられる。

Ａｒ^１乃至Ａｒ^４における炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状になったものを含み、特に限定するものではないが、例えば、クロロメチルオキシ基、ジクロロメチルオキシ基、トリクロロメチルオキシ基、フロロメチルオキシ基、ジフロロメチルオキシ基、トリフロロメチルオキシ基、クロロエチルオキシ基、ジクロロエチルオキシ基、トリクロロエチルオキシ基、ペンタクロロエチルオキシ基、フロロエチルオキシ基、ジフロロエチルオキシ基、トリフロロエチルオキシ基、ペンタフロロエチルオキシ基、クロロプロピルオキシ基、又はフロロプロピルオキシ基等が挙げられる。

Ａｒ^１乃至Ａｒ^４における炭素数３〜１０のアルキル基は、直鎖、分岐又は環状になったものを含み、特に限定するものではないが、例えば、プロピル基（ｎ−プロピル基、イソプロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基）、ペンチル基（ｎ−ペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、イソペンチル基、シクロペンチル基）、ヘキシル基（ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基）、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ベンジル基、又はフェネチル基等が挙げられる。

Ａｒ^１乃至Ａｒ^４における炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基は、直鎖、分岐又は環状になったものを含み、特に限定するものではないが、例えば、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、フロロメチル基、ジフロロメチル基、トリフロロメチル基、クロロエチル基、ジクロロエチル基、トリクロロエチル基、ペンタクロロエチル基、フロロエチル基、ジフロロエチル基、トリフロロエチル基、ペンタフロロエチル基、クロロプロピル基、又はフロロプロピル基等が挙げられる。

前記炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基は、炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族炭化水素基及び炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基において、６〜３０は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基については、単環の芳香族基、単環芳香族基同士が縮環した芳香族基、又は単環芳香族基及び／又は縮環芳香族基が連結した基芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

当該炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基としては、特に限定するものではないが、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピリジル基、ピレニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、テトラセニル基、クリセニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザイフルオレニル基、アザフルオランテニル基、アザペリレニル基、アザトリフェニレニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザベンゾチエニル基、アザジベンゾチエニル基、アザベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基等が挙げられる。

当該炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）については、電子輸送材料特性に優れる点で、炭素数６〜１８の単環、連結、若しくは縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）であることが好ましく、炭素数６〜１４の単環、連結、若しくは縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）であることがより好ましい。

前記炭素数６〜１８の単環、連結、若しくは縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の炭素数６〜１８の単環、連結、若しくは縮環芳香族基は、炭素数６〜１８の単環、連結、若しくは縮環芳香族炭化水素基及び炭素数６〜１８の単環、連結、若しくは縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記炭素数６〜１８の単環、連結、若しくは縮環芳香族基において、６〜１８は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該炭素数６〜１８の単環、連結、若しくは縮環芳香族基については、単環の芳香族基、又は単環芳香族基同士が連結若しくは縮環した芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

前記炭素数６〜１８の単環、連結、若しくは縮環芳香族基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピリジル基、ピレニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、テトラセニル基、クリセニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザフルオレニル基、アザフルオランテニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザベンゾチエニル基、アザジベンゾチエニル基、アザベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基等が挙げられる。

前記炭素数６〜１４の単環、連結、若しくは縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の炭素数６〜１４の単環、連結、若しくは縮環芳香族基は、炭素数６〜１４の単環、連結、若しくは縮環芳香族炭化水素基及び炭素数６〜１４の単環、連結、若しくは縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記炭素数６〜１４の単環、連結、若しくは縮環芳香族基において、６〜１４は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該炭素数６〜１４の単環、連結、若しくは縮環芳香族基については、単環の芳香族基、又は単環芳香族基同士が連結若しくは縮環した芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

前記炭素数６〜１４の単環、連結、若しくは縮環芳香族基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピリジル基、ピレニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、テトラセニル基、クリセニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザフルオレニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザベンゾチエニル基、アザジベンゾチエニル基、アザベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基等が挙げられる。

本発明において、Ａｒ^５は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表す。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族炭化水素基及び６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基において、６〜３０は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基については、単環の芳香族基、又は単環芳香族基同士が縮環した芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

当該６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、テトラセニル基、クリセニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザペリレニル基、アザトリフェニレニル基等が挙げられる。

当該６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）については、６員環のみで構成される炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）であることが好ましく、６員環のみで構成される炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基（前述の置換基を有していてもよい）であることがより好ましい。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の６員環のみで構成される炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基は、６員環のみで構成される炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族炭化水素基及び６員環のみで構成される炭素数６〜１８の単環、又は縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基において、６〜１８は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該６員環のみで構成される炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基については、単環の芳香族基、又は単環芳香族基同士が縮環した芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基としては、前述にならい、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、テトラセニル基、クリセニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザトリフェニレニル基等が挙げられる。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の６員環のみで構成される炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基は、６員環のみで構成される炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族炭化水素基及び６員環のみで構成される炭素数６〜１４の単環、又は縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基において、６〜１２は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該６員環のみで構成される炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基については、単環の芳香族基、又は単環芳香族基同士が縮環した芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基としては、前述にならい、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ナフチル基、キノリル基、イソキノリル基、フェナントロリル基等が挙げられる。

Ａｒ^５における炭素数３〜１０のアルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状になったものを含み、特に限定するものではないが、例えば、プロポキシ基（ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基）、ブトキシ基（ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基）、ペンチルオキシ基（ｎ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基）、ヘキシルオキシ基（ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基）、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ベンジルオキシ基、又はフェネチルオキシ基等が挙げられる。

Ａｒ^５における炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状になったものを含み、特に限定するものではないが、例えば、クロロメチルオキシ基、ジクロロメチルオキシ基、トリクロロメチルオキシ基、フロロメチルオキシ基、ジフロロメチルオキシ基、トリフロロメチルオキシ基、クロロエチルオキシ基、ジクロロエチルオキシ基、トリクロロエチルオキシ基、ペンタクロロエチルオキシ基、フロロエチルオキシ基、ジフロロエチルオキシ基、トリフロロエチルオキシ基、ペンタフロロエチルオキシ基、クロロプロピルオキシ基、又はフロロプロピルオキシ基等が挙げられる。

Ａｒ^５における炭素数３〜１０のアルキル基は、直鎖、分岐又は環状になったものを含み、特に限定するものではないが、例えば、プロピル基（ｎ−プロピル基、イソプロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基）、ペンチル基（ｎ−ペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、イソペンチル基、シクロペンチル基）、ヘキシル基（ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基）、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ベンジル基、又はフェネチル基等が挙げられる。

Ａｒ^５における炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基は、直鎖、分岐又は環状になったものを含み、特に限定するものではないが、例えば、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、フロロメチル基、ジフロロメチル基、トリフロロメチル基、クロロエチル基、ジクロロエチル基、トリクロロエチル基、ペンタクロロエチル基、フロロエチル基、ジフロロエチル基、トリフロロエチル基、ペンタフロロエチル基、クロロプロピル基、又はフロロプロピル基等が挙げられる。

Ａｒ^５における６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基については、その環骨格に炭素原子以外の複素原子を含んでいてもよい。すなわち、前記の６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族炭化水素基及び６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環ヘテロ芳香族基を含む。

前記６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基において、６〜３０は、芳香族基の環骨格の炭素数を規定する。

当該６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基については、単環の芳香族基、単環芳香族基同士が縮環した芳香族基、又は単環芳香族基及び／又は縮環芳香族基が連結した基芳香族基であれば、特に限定されるものではない。

当該６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基としては、特に限定するものではないが、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピリジル基、ピレニル基、フルオレニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基、テトラセニル基、クリセニル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、フェナントロリル基、アザペリレニル基、アザトリフェニレニル基等が挙げられる。

なお、Ａｒ^１乃至Ａｒ^４で表される、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基が有していてもよい置換基としては、電子輸送材料特性に優れる点で、フッ素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は縮環していてもよい炭素数６〜３０の芳香族基が好ましく、メチル基又フッ素原子がより好ましい。

なお、Ａｒ^５で表される、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基が有していてもよい置換基としては、電子輸送材料特性に優れる点で、フッ素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基が好ましく、フェニル基、メチル基又フッ素原子がより好ましい。

また、一般式（１）におけるＡｒ^１乃至Ａｒ^４については、電子輸送特性に優れる点で、炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基（これらの基は、各々独立して、フッ素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は縮環していてもよい炭素数６〜３０の芳香族基を置換基として有していてもよい）であることが好ましく、炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基（これらの基は、各々独立して、フッ素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は縮環していてもよい炭素数６〜３０の芳香族基を置換基として有していてもよい）であることがより好ましく、フェニル基、ナフチル基、又はフェナントリル基（これらの基は、各々独立して、フッ素原子、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は縮環していてもよい炭素数６〜３０の芳香族基を置換基として有していてもよい）であることが好ましく、フェニル基、又はフェナントリル基（これらの基は、各々独立して、フッ素原子、又は縮環していてもよい炭素数６〜３０の芳香族基を置換基として有していてもよい）であることがより好ましく、フェニル基、又はフェナントリル基であることがより好ましい。

また、一般式（１）におけるＡｒ^５については、電子輸送特性に優れる点で、炭素数６〜１８の単環、又は縮環芳香族基（これらの基は、各々独立して、フッ素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい）であることが好ましく、炭素数６〜１４の単環、又は縮環芳香族基（これらの基は、各々独立して、フッ素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい）であることがより好ましく、フェニル基、ナフチル基、又はフェナントリル基（これらの基は、各々独立して、フッ素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい）であることが好ましく、フェニル基、又はフェナントリル基（これらの基は、各々独立して、フッ素原子、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい）であることがより好ましく、フェニル基、又はフェナントリル基であることがより好ましい。

また、前記一般式（１）で表されるトリアジン化合物については、下記一般式（２）

（式中、Ａｒ^１〜Ａｒ^５の定義及び好ましい範囲は、一般式（１）と同じである。）
で表されるトリアジン化合物であることが好ましく、下記一般式（３）

（式中、Ａｒ^１〜Ａｒ^５の定義及び好ましい範囲は、一般式（１）と同じである。）
で表されるトリアジン化合物であることがより好ましい。

一般式（１）で表されるトリアジン化合物の具体例としては、以下の化合物１から５５４を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

次に、本発明の製造方法について説明する。

本発明のトリアジン化合物（１）は、金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下に、次の反応式（１）で示される方法により製造することができる。

また、これ以降、一般式（４）で表される化合物については略儀的に化合物（４）と称する。なお、化合物（５）含めその他の化合物についても同義とする。

｛式中、
Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
Ａｒ^５は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
Ｘ及びＹは、各々独立して、脱離基を表す。｝
化合物（４）は、例えば、山中宏著、「新編 ヘテロ環化合物 基礎編」，講談社，２００４年に開示されている方法を用いて製造することができる。

化合物（５）は、例えば、Ｊ．Ｔｓｕｊｉ著、「Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ａｎｄ Ｃａｔａｌｙｓｔｓ」，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，２００４年、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６０巻，７５０８−７５１０，１９９５年、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６５巻，１６４−１６８，２０００年、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１０巻，９４１−９４４，２００８年、又はＣｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２０巻，５９５１−５９５３，２００８年に開示されている方法を用いて製造することができる。また化合物（５）中の任意の水素原子は重水素原子に置換されていてもよい。
なお、当該芳香族炭化水素基の炭素数に置換基の炭素数は含まれない。当該炭素数６〜３０の芳香族基において、単環、縮環したものであれば、特に限定されるものではない。

すなわち、炭素数６〜３０の芳香族基は、環骨格の全炭素数が６〜３０であって、化合物（４）と連結することで化合物（１）を成すために必要な構成成分を成すことができれば、縮環していてもよい芳香族基を表わす。なお、当該炭素数６〜３０の芳香族基には、別途有してもよい置換基の炭素数は含まれない。当該炭素数６〜３０の芳香族基は、単環、又は縮合したものであれば、特に限定されるものではない。

Ｘ及びＹで表される脱離基は、反応に伴って脱離する基を表し、特に限定するものではないが、例えば、水素原子、塩素原子、臭素原子、トリフラート、ヨウ素原子、金属含有基（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｌＣｌ_２、ＡｌＢｒ_２、Ａｌ（Ｍｅ）_２、Ａｌ（Ｅｔ）_２、Ａｌ（^ｉＢｕ）_２、Ｓｎ（Ｍｅ）_３、Ｓｎ（Ｂｕ）_３、ＳｎＦ_３、ＺｎＲ^２４（Ｒ^２４は、ハロゲン原子を表す。ＺｎＲ^２４としては、ＺｎＣｌ、ＺｎＢｒ、ＺｎＩ等が例示できる）、Ｓｉ（Ｒ^２１）_３（例えば、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３、ＳｉＭｅＰｈ_２、ＳｉＣｌ_３、ＳｉＦ_３、Ｓｉ（ＯＭｅ）_３、Ｓｉ（ＯＥｔ）_３、Ｓｉ（ＯＭｅ）_２ＯＨ等）、ＢＦ_３Ｋ、Ｂ（ＯＲ^２２）_２（例えば、Ｂ（ＯＨ）_２、Ｂ（ＯＭｅ）_２、Ｂ（Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｂ（ＯＢｕ）_２、Ｂ（ＯＰｈ）_２等）、Ｂ（ＯＲ^２３）_３等）等が例示できる。

Ｘ及びＹで表される金属含有基には、エーテル類やアミン類などの配位子が配位していても良く、配位子の種類としては反応式（１）を阻害しないものであれば制限はない。

また、Ｂ（ＯＲ^２２）_２としては、次の（Ｉ）から（ＶＩＩ）で示されるものが例示でき、収率がよい点で（ＩＩ）で示されるものが好ましい。

前記Ｂ（ＯＲ^２３）_３としては次の（Ｉ）から（ＩＩＩ）で示されるものが例示できる。

これらの脱離基のうち、反応後処理の容易性、原料調達の容易さの点で、塩素原子、臭素原子、トリフラート、ヨウ素原子、Ｂ（ＯＲ^２２）_２、又はＢ（ＯＲ^２３）_３が好ましい。

なお、化合物（４）のうち、下記一般式（４−１）で表されるトリアジン化合物が、化合物（１）を製造する製造中間体として好ましい。

｛式中、
Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
Ｘは、脱離基を表す。｝
当該化合物（５）のＡｒ^１乃至Ａｒ^４については、本願の化合物（１）を低環境負荷で効率的に製造することができるという点で、フェニル基、ナフチル基、又はフェナントリル基（これらの基は、各々独立して、ハロゲン原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基を置換基として有していてもよい）、であることが好ましく、フェニル基、又はフェナントリル基（これらの基は、各々独立して、ハロゲン原子、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい）、であることが好ましく、フェニル基又はフェナントリル基であることがより好ましい。

次に反応式（１）について説明する。

反応式（１）の反応に示すように、本願発明の化合物（１）は、金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下に、一般式（４）で表される化合物と、一般式（５）で表される化合物とをカップリング反応を行うことで合成することが出来る。

なお、カップリング反応の効率等が優れる点で、反応式（１）の反応において、金属触媒は、パラジウム触媒、ニッケル触媒、イリジウム触媒、ロジウム触媒又は銅触媒であることが好ましく、取扱が容易である点で、パラジウム触媒、ニッケル触媒又は銅触媒であることがより好ましい。

なお、反応式（１）の反応において、塩基を加えて反応を行うことも可能であり、反応収率が向上する点で、塩基を添加することが好ましい。ただし、Ｘ及びＹがＢ（ＯＲ^２２）_２、又はＳｉ（Ｒ^２１）_３の場合は、塩基を加えることを必須とする。

また、反応式（１）の反応において、相関移動触媒を添加することもできる。相関移動触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、１８−クラウン−６−エーテル等を用いることができる。なお、その添加量としては、反応を著しく阻害しない範囲の任意の量である。

反応式（１）の反応に用いる金属触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、パラジウム触媒、ニッケル触媒、イリジウム触媒、ロジウム触媒、銅触媒があげられる。

パラジウム触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンパラジウム及びジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等を例示することができる。中でも、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンパラジウム等の第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は収率がよい点で好ましく、入手容易である点で、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンパラジウムがさらに好ましい。

ニッケル触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、塩化ニッケル、臭化ニッケル、塩化ニッケル水和物、ジクロロ（ジメトキシエタン）ニッケル、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル、ジクロロ［１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］ニッケル、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル、［１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン］ジカルボニルニッケル（前記５つは、第三級ホスフィンを配位子として有するニッケル錯体の一例）、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）ニッケルがあげられる。中でも、ジクロロ（ジメトキシエタン）ニッケル、ジクロロ［１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］ニッケル、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）ニッケルが、カップリング反応成績に優れる点で、好ましく、入手容易である点で、ジクロロ（ジメトキシエタン）ニッケル、ジクロロ［１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］ニッケルがさらに好ましい。

イリジウム触媒としては、特に限定するものではないが、例えば塩化イリジウム（ＩＩＩ）、（２，２’−ビピリジン）ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）ヘキサフルオロホスファート、ビス（トリフェニルホスフィン）イリジウム（Ｉ）カルボニルクロリド、トリス（トリフェニルホスフィン）イリジウム（Ｉ）カルボニルヒドリド、ジ−μ−クロロビス（シクロオクテン）イリジウム（Ｉ）、ジクロロテトラ（エチレン）ジイリジウム（Ｉ）、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジイリジウム（Ｉ）ジクロリド、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μ−メトキシジイリジウム（Ｉ）、（１，５−シクロオクタジエン）（ピリジン）（トリシクロヘキシルホスフィン）イリジウム（Ｉ）ヘキサフルオロホスファート、ジクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）イリジウム（ＩＩＩ）（ダイマー）が挙げられる。

ロジウム触媒としては、特に限定するものではないが、トリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）クロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）ヒドリド、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム（Ｉ）ジクロリド、クロロビス（シクロオクテン）ロジウム（Ｉ）（ダイマー）、トリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）カルボニルヒドリド、ビス（トリフェニルホスフィン）カルボニルロジウム（Ｉ）クロリド、ビス［η−（２，５−ノルボルナジエン）］ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラート、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラート、（アセチルアセトナト）（ノルボルナジエン）ロジウム（Ｉ）、ビス（エチレン）（２，４−ペンタンジオナト）ロジウム（Ｉ）が挙げられる。

銅触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅、銅トリフラートがあげられる。中でも、酸化銅、ヨウ化銅が、カップリング反応成績に優れる点で、好ましく、入手容易である点で、ヨウ化銅、又は酸化銅が更に好ましい。

なお、上記の第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体及び第三級ホスフィンを配位子として有するニッケル錯体については、パラジウム塩、ニッケル塩又はそれらの錯化合物に第三級ホスフィンを添加して調整することができる。なお、当該調整は、反応とは別に行ったうえで反応系中に加えることもできるし、反応系中で行うこともできる。

第三級ホスフィンとしては、特に限定するものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等を例示することができる。このうち、入手容易であり、収率がよい点で、（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン又は２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。

パラジウム塩、ニッケル塩又はそれらの錯化合物に第三級ホスフィンを添加する場合、第三級ホスフィンの添加量は、パラジウム塩、ニッケル塩又はそれらの錯化合物の１モル（パラジウム若しくはニッケル原子換算）に対して０．１〜１０倍モルであることが好ましく、収率がよい点で０．３〜５倍モルであることがさらに好ましい。

なお、上記の銅触媒には、別途、配位子を添加することも可能である。銅触媒に添加する配位子としては、特に限定するものではないが、例えば、２，２’−ビピリジン、１，１０−フェナントロリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、トリフェニルホスフィン、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル等を例示することができる。このうち、入手容易であり、収率がよい点で、１，１０−フェナントロリンが好ましい。

反応式（１）において、用いることのできる塩基としては、特に限定するものではないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、炭酸銀等を例示することができる。このうち、収率がよい点で、炭酸カリウム、リン酸カリウム又は水酸化ナトリウムが好ましい。

反応式（１）の反応は、溶媒中で実施することが好ましい。溶媒としては、特に制限はないが、例えば、水、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、エタノール、ブタノール又はキシレン等を例示することができ、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。このうち、収率がよい点で、ＴＨＦ、１，４−ジオキサン、キシレン、トルエン及びブタノールの混合溶媒、又はキシレン及びブタノールの混合溶媒が好ましい。

反応式（１）における化合物（５）としては、特に限定するものではないが、例えば、次の３−１〜３−２４で表される化合物を例示することができる。

（これらの置換基は、各々独立して、フッ素原子、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化メチル基、又は炭素数１〜３のハロゲン化メトキシ基を置換基として有してもよい。
また、Ｙは、上記一般式（５）におけるＹと同じ定義である。）
反応式（１）は、化合物（４）を、金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下、化合物（５）と反応させ、本発明の化合物（１）を製造する方法であり、鈴木−宮浦反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。

反応式（１）で用いる金属触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、化合物（１０）又は（１１）の１モルに対して、０．１〜０．０１倍モル（金属原子換算）であることが好ましい。

塩基の使用量は特に制限はないが、化合物（５）の１モルに対して、０．１〜１０倍モルであることが好ましく、収率がよい点で、１〜４倍モルであることがさらに好ましい。

反応式（１）で用いる化合物（４）と化合物（５）とのモル比に特に制限はないが、化合物（４）の脱離基１モルに対して、１〜１０倍モルの化合物（５）を用いることが好ましく、収率がよい点で１〜３倍モルの化合物（５）を用いることがさらに好ましい。

なお、化合物（４）は、化合物（１）のような、有機電界発光素子の低駆動電圧性、高発光効率性、長寿命性に顕著に優れる化合物を工業的に供給するために優れた材料であり、工業的に非常に価値が高いものである。

本願発明の化合物（１）については、それぞれの反応終了後に再沈殿、濃縮、ろ過、精製等の処理を行うことで純度を高めることができる。さらに高純度化するために、必要に応じて、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。

次に反応式（２）について説明する。

本発明のトリアジン化合物（１）は金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下に、一般式（６）で表される化合物と、一般式（７）で表される化合物とをカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）で表される環状アジン化合物の製造方法。

｛式中、
Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
Ａｒ^５は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
Ｘ及びＹは、各々独立して、脱離基を表す。｝
化合物（６）は化合物（４）と同様の手法で製造、入手することができる。化合物（７）については、例えば下記の様な反応により製造することができる。

｛式中、
Ａｒ^３及びＡｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
Ｘは、各々独立して、脱離基を表し、２つのＸは、各々同一又は異なっていてもよい。｝
Ｘ及びＹで表される脱離基は、前述の反応式（１）で述べたものと同様のものが適用される。

本願発明は、一般式（１）で表されるトリアジン化合物を含む有機電界発光素子であり、当該トリアジン化合物は電子輸送層、電子注入層、又は発光層に好ましく用いられる。

一般式（１）で表されるトリアジン化合物は、有機電界発光素子の電子輸送性材料（電子輸送材料、電子注入材料等）として好ましく用いることができる。この際、組合せて用いられる陽極、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、発光層ドーパント、発光層ホスト、陰極等については、一般公知の材料を当業者の選択の範囲で用いることができる。

当該有機電界発光素子の構成については、従来公知のものであればよく、特に限定されない。

本発明の化合物（１）を含んでなる有機電界発光素子用薄膜の製造方法に特に限定はないが、好ましい例としては真空蒸着法による成膜を挙げることができる。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムが短く製造コストが優位である点で、一般的に用いられる拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０^−２〜１×１０^−６Ｐａ程度が好ましいく、蒸着速度は形成する膜の厚さによるが０．００５〜１０ｎｍ／秒が好ましい。また、溶液塗布法によっても化合物（１）から成る有機電界発光素子用薄膜を製造することが出来る。例えば、化合物（１）を、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル又はテトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解し、汎用の装置を用いたスピンコート法、インクジェット法、キャスト法又はディップ法等による成膜も可能である。

本発明の一般式（１）で表されるトリアジン化合物は、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン等に対する溶解度が高いため、汎用の装置を用いた、スピンコ−ト法、インクジェット法、キャスト法、ディップ法等による成膜も可能である。

本発明の効果が得られる有機電界発光素子の典型的な構造としては、基板、陽極、正孔注入層、正孔輸送層発光層、電子輸送層、及び陰極を含む。

有機電界発光素子の陽極及び陰極は、電気的な導体を介して電源に接続されている。陽極と陰極との間に電位を加えることにより、有機電界発光素子は作動する。正孔は陽極から有機電界発光素子内に注入され、電子は陰極で有機電界発光素子内に注入される。

有機電界発光素子は、典型的には基板に被せられ、陽極又は陰極は基板と接触することができる。基板と接触する電極は便宜上、下側電極と呼ばれる。一般的には、下側電極は陽極であるが、本発明の有機電界発光素子においてはそのような形態に限定されるものではない。

基板は、意図される発光方向に応じて、光透過性又は不透明であってよい。光透過特性は、基板を通してエレクトロルミネッセンス発光により確認できる。一般的には、透明ガラス又はプラスチックが基板として採用される。基板は、多重の材料層を含む複合構造であってよい。

エレクトロルミネッセンス発光を、陽極を通して確認する場合、陽極は当該発光を通すか又は実質的に通すもので形成される。

本発明において使用される一般的な透明アノード（陽極）材料は、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、又は酸化錫が挙げられる。さらに、その他の金属酸化物、例えばアルミニウム又はインジウム・ドープ型酸化錫、マグネシウム−インジウム酸化物、又はニッケル−タングステン酸化物も好ましく用いられる。これらの酸化物に加えて、金属窒化物、例えば窒化ガリウム、金属セレン化物、例えばセレン化亜鉛、又は金属硫化物である、例えば硫化亜鉛を陽極として使用することができる。陽極は、プラズマ蒸着されたフルオロカーボンで改質することができる。

陰極を通してだけエレクトロルミネッセンス発光が確認される場合、陽極の透過特性は重要ではなく、透明、不透明又は反射性の任意の導電性材料を使用することができる。この用途のための導体の一例としては、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム、白金等が挙げられる。

正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間に設けることができる。正孔注入層の材料は、正孔輸送層や正孔注入層等の有機材料層の膜形成特性を改善し、正孔輸送層内に正孔を注入するのを容易にするのに役立つ。正孔注入層内で使用するのに適した材料の一例としては、ポルフィリン化合物、プラズマ蒸着型フルオロカーボン・ポリマー、及びビフェニル基、カルバゾール基等芳香環を有するアミン、例えばｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’−トリス［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］トリフェニルアミン）、２Ｔ−ＮＡＴＡ（４，４’，４’’−トリス［（Ｎ−ナフタレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン）、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、ＭｅＯ−ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ノルマルブチルフェニル）フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等が挙げられる。

有機電界発光素子の正孔輸送層は、１種以上の正孔輸送化合物（正孔輸送材料）、例えば芳香族第三アミンを含有することが好ましい。芳香族第三アミンは、１つ以上の三価窒素原子を含有する化合物であり、この三価窒素原子は炭素原子だけに結合されており、これらの炭素原子の１つ以上が芳香族環を形成している。具体的には、芳香族第三アミンは、アリールアミン、例えばモノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン、又は高分子アリールアミンであってよい。

正孔輸送材料としては、１つ以上のアミノ基を有する芳香族第三アミンを使用することができる。さらに、高分子正孔輸送材料を使用することができる。例えばポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン等を使用することができる。

具体的には、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’ −ジアミン）、ＴＰＢｉ（１，３，５−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン）、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル） −Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）等が挙げられる。

正孔注入層と正孔輸送層の間に、電荷発生層としてジピラジノ［２，３−ｆ：２’，３’−ｈ］キノキサリン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）、７，７’，８，８’−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７’，８，８’−テトラシアノキノジメタン（Ｆ_４−ＴＣＮＱ）等を含む層を設けてもよく、又、正孔輸送層にこれらの化合物をドープしてもよい。

有機電界発光素子の発光層は、燐光材料又は蛍光材料を含み、この場合、この領域で電子・正孔対が再結合された結果として発光を生じる。発光層は、低分子及びポリマー双方を含む単一材料から形成されていてもよいが、より一般的には、ゲスト化合物でドーピングされたホスト材料から形成されており、発光は主としてドーパントから生じ、任意の色を発することができる。

発光層のホスト材料としては、一般式（１）で表されるトリアジン化合物をもちいることができる、その他の材料としては、例えば、ビフェニル基、フルオレニル基、トリフェニルシリル基、カルバゾール基、ピレニル基、又はアントラニル基を有する化合物が挙げられ、これらの材料は単独で用いることもできるし、一般式（１）で表されるトリアジン化合物と混合して用いることもできる。

具体的には、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）−１，１’−ビフェニル）、ＢＣｚＶＢｉ（４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）１，１’−ビフェニル）、ＴＢＡＤＮ（２−ターシャルブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）、ＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）、ＣＢＰ（４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）、ＣＤＢＰ（４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル）、９，１０−ビス（ビフェニル）アントラセン等が挙げられる。又、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を発現する化合物等も用いることが出来る。

発光層内のホスト材料は、下記に定義の電子輸送材料、上記に定義の正孔輸送材料、正孔・電子再結合をサポートする別の材料、又はこれら材料の組み合わせであってよい。

蛍光ドーパントの一例としては、ピレン、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン及びキナクリドン、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウム、又はチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）アミンホウ素化合物、ビス（アジニル）メタン化合物、カルボスチリル化合物、又は熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を発現する化合物等が挙げられる。

有用な燐光ドーパントの一例としては、イリジウム、白金、パラジウム、オスミウム等の遷移金属の有機金属錯体が挙げられる。

ドーパントの一例として、Ａｌｑ_３（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム））、ＤＰＡＶＢｉ（４，４’−ビス［４−（ジ−パラ−トリルアミノ）スチリル］ ビフェニル）、ペリレン、Ｉｒ（ＰＰｙ）_３（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、ＦｌｒＰｉｃ（ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。

本発明の有機電界発光素子の電子輸送層を形成するのに使用する薄膜形成材料は、本発明の一般式（１）で表されるトリアジン化合物を用いることができる。なお、当該電子輸送層には、他の電子輸送性材料を含んでいてもよい。他の電子輸送性材料としては、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、土類金属錯体等が挙げられる。

望ましいアルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、又は土類金属錯体としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム（Ｌｉｑ）、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）−１−ナフトラートアルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）−２−ナフトラートガリウム等が挙げられる。

発光層と電子輸送層との間に、キャリアバランスを改善させる目的で、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層としては、一般式（１）で表されるトリアジン化合物を用いることができる、その他の材料としては、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラート）−４−（フェニルフェノラート）アルミニウム）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム）等が挙げられる。

本発明の有機電界発光素子においては、電子注入性を向上させ、素子特性（例えば、発光効率、低電圧駆動、又は高耐久性）を向上させる目的で、電子注入層を設けてもよい。

電子注入層として望ましい化合物としては、一般式（１）で表されるトリアジン化合物、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、又はアントロン等が挙げられる。また、上記に記した金属錯体やアルカリ金属酸化物、アルカリ土類酸化物、希土類酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類ハロゲン化物、希土類ハロゲン化物、ＳｉＯ_Ｘ、ＡｌＯ_Ｘ、ＳｉＮ_Ｘ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、ＧｅＯ_Ｘ、ＬｉＯ_Ｘ、ＬｉＯＮ、ＴｉＯ_Ｘ、ＴｉＯＮ、ＴａＯ_Ｘ、ＴａＯＮ、ＴａＮ_Ｘ、Ｃなどの各種酸化物、窒化物、及び酸化窒化物のような無機化合物も使用できる。

発光が陽極を通してのみ見られる場合、本発明において使用される陰極は、ほぼ任意の導電性材料から形成することができる。望ましい陰極材料としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。

評価実施例１−１等で作製する有機電界発光素子の断面模式図である。 評価実施例２−１等で作製する有機電界発光素子の断面模式図である。 評価実施例３−１等で作製する有機電界発光素子の断面模式図である。

１１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
１２．正孔注入層
１３．第一正孔輸送層
１４．第二正孔輸送層
１５．発光層
１６．電子輸送層
１７．陰極層
２１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２２．正孔注入層
２３．第一正孔輸送層
２４．第二正孔輸送層
２５．発光層
２６．第一電子輸送層
２７．第二電子輸送層
２８．陰極層
３１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
３２．正孔注入層
３３．第一正孔輸送層
３４．第二正孔輸送層
３５．発光層
３６．電子輸送層
３７．陰極層

以下、合成例、実施例、比較例及び参考例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定して解釈されるものではない。

合成例−１

アルゴン気流下、２−［３−クロロ−５−（９−フェナントリル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（５．２０ｇ，１０ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン（３．８１ｇ，１５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２２．５ｍｇ，０．１０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（９５．４ｍｇ，０．２０ｍｍｏｌ）、及び酢酸カリウム（２．９５ｇ，３０ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（２００ｍＬ）に懸濁し、１００℃で４時間撹拌した。放冷後、濾過により沈殿成分を除去した。クロロホルム（２００ｍＬ）、水（１００ｍＬ）を加えて撹拌した後、水層と有機層を分離した。更に、水層をクロロホルム（５０ｍＬ）で３回抽出し、有機層と合わせた。有機層から低沸点成分を減圧濃縮、乾固して粗生成物を得た。ヘキサンを加えて０℃に冷却しながら撹拌・懸濁させ、得られた個体を濾取した。得られた固体を減圧乾燥することで、２−［３−｛（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）｝−５−（９−フェナントリル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジンの乳白色粉末（収量６．０７ｇ，収率９９％）を得た。

^１Ｈ―ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１．４３（ｓ，１２Ｈ），７．５１―７．７５（ｍ，１０Ｈ），７．８２（ｓ，１Ｈ），７．８９―７．９８（ｍ，２Ｈ），８．２３（ｂｒｓ，１Ｈ），８．７５―８．８１（ｍ，５Ｈ），８．８３（ｂｒｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），９．０１（ｂｒｓ，１Ｈ），９．２４（ｂｒｓ，１Ｈ）．
合成実施例−１

窒素気流下、合成例−１で得られた２−［３−｛（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）｝−５−（９−フェナントリル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（１．００ｇ，１．６４ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（５６９ｍｇ，２．１３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７．３４ｍｇ，０．０３２７ｍｍｏｌ）、及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（３１．２ｍｇ，０．０６５４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に懸濁し、得られた懸濁液に２．０Ｍ−リン酸カリウム水溶液（２．４５ｍＬ，４．９１ｍｍｏｌ）を滴下した。得られた混合物を６５℃で２４時間撹拌した。得られた反応液を室温まで放冷し、析出物をろ取した。ろ取した析出物を純水、メタノール、ヘキサンで順次洗浄し、灰色粉末を得た。得られた灰色粉末をトルエンで再結晶することにより精製し、目的物である９−｛３，５−ビス（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル｝フェナントレン（Ｂ−１）の灰色粉末（収量６９６ｍｇ，収率５９％）を得た。

^１Ｈ―ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．５５−７．８２（ｍ，１６Ｈ），７．９９−８．０８（ｍ，３Ｈ），８．８２−８．９４（ｍ，１０Ｈ），９．１９（ｓ，２Ｈ），１０．４１（ｓ，１Ｈ）．
合成実施例−２

アルゴン気流下、化合物 Ａ−２（６．００ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（３．１７ｇ）、酢酸カリウム（２．４６ｇ）、酢酸パラジウム（２３．４ｍｇ）、及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（９９．５ｍｇ）をＴＨＦ（１０４ｍＬ）に懸濁し、９１時間加熱還流した。反応混合物を放冷後、固体を濾別し、溶媒を減圧留去した。得られた混合物をカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム、ヘキサン）にて精製したところ、目的の１−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−３，５−ビス（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）ベンゼン（Ａ−３）の灰色粉末（収量５．７８ｇ，収率８３％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１．５０（ｓ，１２Ｈ），７．６３−７．６８（ｍ，１２Ｈ），８．９０−８．９３（ｍ，８Ｈ），９．３７（ｓ，２Ｈ），１０．３６（ｓ，１Ｈ）．
アルゴン気流下、化合物 Ａ−３（５．７２ｇ）、ブロモベンゼン（９８９μＬ）、及びビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド（１２１ｍｇ）をＴＨＦ（８６ｍＬ）に懸濁し、そこに３Ｍ−炭酸カリウム水溶液（６．３ｍＬ）を加え、７２時間加熱還流した。反応混合物を放冷後、水を加え、析出物を濾取した。濾取物を水、ＭｅＯＨ、ヘキサンで洗浄し、その後再結晶（キシレン）することで、目的の３，５−ビス（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）ビフェニル（Ｂ−２）の白色粉末（収量４．０４ｇ，収率７６％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．５２（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ），７．６１−７．７０（ｍ，１４Ｈ），７．９１−７．９３（ｍ，２Ｈ），８．８９−８．９２（ｍ，８Ｈ），９．２２（ｓ，２Ｈ），１０．２４（ｓ，１Ｈ）．
本発明のトリアジン化合物を構成成分とする有機電界発光素子の作製と性能評価
以下に示す試験例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、用いる化合物の構造式及びその略称を以下に示す。

評価実施例１−１
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、酸素プラズマ洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面模式図を図３に示すような発光面積４ｍｍ^２有機電界発光素子を作製した。

まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０^−４Ｐａまで減圧した。
その後、図１の１１で示すＩＴＯ透明電極付きガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層１２、第一正孔輸送層１３、第二正孔輸送層１４、発光層１５、及び電子輸送層１６を順次成膜し、その後陰極層１７を成膜した。

なお、有機電界発光素子の各層をなす材料はいずれも抵抗加熱方式により真空蒸着した。

正孔注入層１２としては、ＨＩＬ−１を０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で６５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

第一正孔輸送層１３としては、ＨＡＴ−ＣＮを０．０２５ｎｍ／秒の成膜速度で５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

第二正孔輸送層１４としてはＨＴＬ−２を０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

発光層１５としては、ＥＭＬ−Ｈ１とＥＭＬ−Ｄ１を０．１８ｎｍ／秒の成膜速度で２５ｎｍの膜厚（ＥＭＬ−１／ＥＭＬ−２＝９５．４／４．６（重量比）の共蒸着）で真空蒸着した。

電子輸送層１６としては、本発明の合成実施例−１で合成した化合物Ｂ−１とＬｉｑを０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で３０ｎｍの膜厚（Ｂ−１／Ｌｉｑ＝５０／５０（重量比）の共蒸着）で真空蒸着した。

最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層１７を成膜した。陰極層３７は、マグネシウム／銀（重量比８０／２０）、銀を、この順番に、それぞれ０．５ｎｍ／秒、０．２ｎｍ／秒の成膜速度で８０ｎｍ、２０ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。

それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ、Ｖｅｅｃｏ社製）で測定した。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。

評価比較例１−１
評価実施例１−１の電子輸送層１６において、化合物Ｂ−１に代えて、公知の電子輸送材料であるＥＴＬ−１を用いた以外は、評価実施例１−１と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。

評価実施例１−１、及び評価比較例１−１で作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。寿命特性としては、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２を流した時の連続点灯時の輝度減衰時間を測定した。当該輝度（ｃｄ／ｍ^２）が１０％減じた時の時間を測定した。なお、各評価実施例の素子寿命（ｈ）については、比較例１−１における素子の輝度（ｃｄ／ｍ^２）が初期から１０％減じた時の時間（ｈ）を１００として、相対値で示した。

評価比較例１−１に比べて、本発明のトリアジン化合物を使用した有機電界発光素子は寿命特性に優れていることが分かった。

評価実施例２−１
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、酸素プラズマ洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面模式図を図２に示すような発光面積４ｍｍ^２有機電界発光素子を作製した。

まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０^−４Ｐａまで減圧した。
その後、図２の２１で示すＩＴＯ透明電極付きガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２２、第一正孔輸送層２３、第二正孔輸送層２４、発光層２５、第一電子輸送層２６及び第二電子輸送層２７を順次成膜し、その後陰極層２８を成膜した。

なお、有機電界発光素子の各層をなす材料はいずれも抵抗加熱方式により真空蒸着した。

正孔注入層２２としては、ＨＩＬ−１を０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で６０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

第一正孔輸送層２３としては、ＨＡＴ−ＣＮを０．０２５ｎｍ／秒の成膜速度で１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

第二正孔輸送層２４としてはＨＴＬ−２を０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

発光層２５としては、ｍＣＢＰと公知のＴＡＤＦ発光材料である４Ｃｚ−ＩＰＮを０．１８ｎｍ／秒の成膜速度で３０ｎｍの膜厚（ｍＣＢＰ／４Ｃｚ−ＩＰＮ＝８５．０／１５．０（重量比）の共蒸着）で真空蒸着した。

第一電子輸送層２６としては、本発明の合成実施例−２で合成した化合物Ｂ−２を０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

第二電子輸送層２７としてはＥＴＬ−２とＬｉｑを０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で４０ｎｍの膜厚（ＥＴＬ−２／Ｌｉｑ＝５０／５０（重量比）の共蒸着）で真空蒸着した。

最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層２８を成膜した。陰極層２８は、マグネシウム／銀（重量比８０／２０）、銀を、この順番に、それぞれ０．５ｎｍ／秒、０．２ｎｍ／秒の成膜速度で８０ｎｍ、２０ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。

それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ、Ｖｅｅｃｏ社製）で測定した。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。

評価比較例２−１
評価実施例２−１の第一電子輸送層２６において、化合物Ｂ−２に代えて、Ｔ２Ｔを用いた以外は、評価実施例２−１と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。

評価実施例２−１、及び評価比較例２−１で作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。寿命特性としては、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２を流した時の連続点灯時の輝度減衰時間を測定した。当該輝度（ｃｄ／ｍ^２）が１０％減じた時の時間を測定した。なお、各評価実施例の素子寿命（ｈ）については、比較例１−１における素子の輝度（ｃｄ／ｍ^２）が初期から１０％減じた時の時間（ｈ）を１００として、相対値で示した。

評価比較例２−１に比べて、本発明のトリアジン化合物を使用した有機電界発光素子は寿命特性に優れていることが分かった。

評価実施例３−１
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、酸素プラズマ洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面模式図を図３に示すような発光面積４ｍｍ^２有機電界発光素子を作製した。

まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０^−４Ｐａまで減圧した。
その後、図３の３１で示すＩＴＯ透明電極付きガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層３２、第一正孔輸送層３３、第二正孔輸送層３４、発光層３５、及び電子輸送層３６を順次成膜し、その後陰極層３７を成膜した。

なお、有機電界発光素子の各層をなす材料はいずれも抵抗加熱方式により真空蒸着した。

正孔注入層３２としては、ＨＩＬ−１を０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で６０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

第一正孔輸送層３３としては、ＨＡＴ−ＣＮを０．０２５ｎｍ／秒の成膜速度で１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

第二正孔輸送層３４としてはＨＴＬ−２を０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

発光層３５としては、ｍＣＢＰと公知のＴＡＤＦ発光材料である４Ｃｚ−ＩＰＮを０．１８ｎｍ／秒の成膜速度で３０ｎｍの膜厚（ｍＣＢＰ／４Ｃｚ−ＩＰＮ＝８５．０／１５．０（重量比）の共蒸着）で真空蒸着した。

電子輸送層３６としては、本発明の合成実施例−２で合成した化合物Ｂ−２を０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。次いで、化合物Ｂ−２とＬｉｑを０．１５ｎｍ／秒の成膜速度で４０ｎｍの膜厚（Ｂ−２／Ｌｉｑ＝５０／５０（重量比）の共蒸着）で真空蒸着した。

最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層３７を成膜した。陰極層３７は、マグネシウム／銀（重量比８０／２０）、銀を、この順番に、それぞれ０．５ｎｍ／秒、０．２ｎｍ／秒の成膜速度で８０ｎｍ、２０ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。

それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ、Ｖｅｅｃｏ社製）で測定した。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。

評価比較例３−１
評価実施例３−１の電子輸送層３６において、化合物Ｂ−２に代えて、Ｔ２Ｔを用いた以外は、評価実施例３−１と同じ方法で有機電界発光素子を作製した。

評価実施例３−１、及び評価比較例３−１で作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。電圧特性として、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２を流した時の駆動電圧を測定した。また、寿命特性としては、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２を流した時の連続点灯時の輝度減衰時間を測定した。当該輝度（ｃｄ／ｍ^２）が１０％減じた時の時間を測定した。なお、各評価実施例の駆動電圧（Ｖ）については、比較例３−１における素子の駆動電圧を１００として、相対値で示した。また、素子寿命（ｈ）については、比較例３−１における素子の輝度（ｃｄ／ｍ^２）が初期から１０％減じた時の時間（ｈ）を１００として、相対値で示した。

評価比較例３−１に比べて、本発明のトリアジン化合物を使用した有機電界発光素子は低電圧で駆動が可能であり、また寿命特性にも優れていることが分かった。

本発明のトリアジン化合物を用いた有機電界発光素子は、既存材料を用いた有機電界発光素子に比較して、長時間駆動することができる。また、本発明のトリアジン化合物は、本実施例の電子輸送層以外にも、発光ホスト層などにも適用可能である。更に、蛍光発光材料を用いた素子だけではなく、燐光発光材料を用いた様々な有機電界発光素子への適用も可能である。又、本発明のトリアジン化合物は溶解度も高く、真空蒸着法ばかりでなく塗布法を用いた素子作成も可能である。更に、フラットパネルディスプレイなどの用途以外にも、低消費電力が求められる照明用途などにも有用である。

Claims (7)

1. 一般式（１）
   

   

   ｛式中、
   Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
   Ａｒ^５は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族炭化水素基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表す。｝
   で表されるトリアジン化合物。
2. 一般式（２）
   

   

   ｛式中、
   Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
   Ａｒ^５は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族炭化水素基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表す。｝
   で表される、請求項１に記載のトリアジン化合物。
3. 一般式（３）
   

   

   ｛式中、
   Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
   Ａｒ^５は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族炭化水素基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表す。｝
   で表される請求項１又は２に記載のトリアジン化合物。
4. 金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下に、一般式（４）で表される化合物と、一般式（５）で表される化合物とをカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）で表される環状アジン化合物の製造方法。
   

   

   ｛式中、
   Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
   Ａｒ^５は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族炭化水素基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
   Ｘ及びＹは脱離基を表す。｝
5. 金属触媒の存在下又は塩基及び金属触媒の存在下に、一般式（６）で表される化合物と、一般式（７）で表される化合物とをカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）で表される環状アジン化合物の製造方法。
   

   

   ｛式中、
   Ａｒ^１乃至Ａｒ^４は、各々独立して、炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
   Ａｒ^５は、６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、又は縮環芳香族炭化水素基（該基は、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜３のハロゲン化アルコキシ基、メチル基、エチル基、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基、又は６員環のみで構成される炭素数６〜３０の単環、連結、若しくは縮環芳香族基を置換基として有していてもよい。）を表し、
   Ｘ及びＹは脱離基を表す。｝
6. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のトリアジン化合物を含んでなる有機電界発光素子用材料。
7. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のトリアジン化合物を含んでなる有機電界発光素子用の電子注入材料、電子輸送材料又は発光材料。

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