[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP6853424B1 - 塩化水素の脱湿方法 - Google Patents

塩化水素の脱湿方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6853424B1
JP6853424B1 JP2020567622A JP2020567622A JP6853424B1 JP 6853424 B1 JP6853424 B1 JP 6853424B1 JP 2020567622 A JP2020567622 A JP 2020567622A JP 2020567622 A JP2020567622 A JP 2020567622A JP 6853424 B1 JP6853424 B1 JP 6853424B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sulfuric acid
concentrated sulfuric
dehumidifying
hydrogen chloride
chloride gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020567622A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021095329A1 (ja
Inventor
純也 阪井
純也 阪井
昭二 飯山
昭二 飯山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokuyama Corp
Original Assignee
Tokuyama Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=75158378&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP6853424(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Tokuyama Corp filed Critical Tokuyama Corp
Priority claimed from PCT/JP2020/033526 external-priority patent/WO2021095329A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6853424B1 publication Critical patent/JP6853424B1/ja
Publication of JPWO2021095329A1 publication Critical patent/JPWO2021095329A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/26Drying gases or vapours
    • B01D53/28Selection of materials for use as drying agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • C01B33/10757Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/26Drying gases or vapours
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/26Drying gases or vapours
    • B01D53/263Drying gases or vapours by absorption
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • C01B33/10757Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • C01B33/10763Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B7/00Halogens; Halogen acids
    • C01B7/01Chlorine; Hydrogen chloride
    • C01B7/07Purification ; Separation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B7/00Halogens; Halogen acids
    • C01B7/01Chlorine; Hydrogen chloride
    • C01B7/07Purification ; Separation
    • C01B7/0706Purification ; Separation of hydrogen chloride
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2251/00Reactants
    • B01D2251/50Inorganic acids
    • B01D2251/506Sulfuric acid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2252/00Absorbents, i.e. solvents and liquid materials for gas absorption
    • B01D2252/10Inorganic absorbents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2256/00Main component in the product gas stream after treatment
    • B01D2256/26Halogens or halogen compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2257/00Components to be removed
    • B01D2257/30Sulfur compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Gases (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本発明の一実施形態に係る脱湿方法は、塩化水素ガス(21)と濃硫酸(13A)とを接触させる第1脱湿工程と、前記第1脱湿工程を経た塩化水素ガス(21A)を、濃硫酸(13B)と接触させる第2脱湿工程とを含む。前記第2脱湿工程で使用する濃硫酸の濃度は、前記第1脱湿工程で使用する濃硫酸の濃度よりも高い。

Description

本発明は塩化水素ガスを脱湿する方法に関する。
塩化水素ガスからの水分除去の方法として、従来、吸着法、冷却凝縮法、濃硫酸法などが用いられている。これらの方法のうち、濃硫酸法について、脱湿に用いられる濃硫酸の濃度と脱湿後の塩化水素中の水分濃度とはトレードオフの関係にある。すなわち、水分濃度の多い塩化水素ガスを処理する場合、または処理量が多い場合には、濃硫酸濃度が低下すると、得られる塩化水素ガスに含まれる水分の濃度は高くなる。そのため、例えば、特許文献1には、冷却凝縮法により塩化水素ガス中の水分を凝縮させた後、水分濃度が低減された塩化水素ガスを、濃硫酸乾燥塔を用いてさらに脱湿する方法が記載されている。
中国実用新案登録公報「第202265420号(2012年6月6日登録)」
濃硫酸法によって脱湿を行う場合、得られる塩化水素ガスの脱湿の確実性を高めるために、高濃度の濃硫酸を大量に使用することが多い。そのため、濃硫酸の利用効率の向上は、コストおよび処理効率の観点から非常に重要な課題である。しかしながら、特許文献1には、濃硫酸の利用効率を高めるための構成は開示されていない。
本発明の一態様は、脱湿工程の全体における濃硫酸の利用効率を高めることを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る脱湿方法は、塩化水素ガスを多段階の工程で脱湿する塩化水素ガスの脱湿方法であって、塩化水素ガスと濃硫酸とを接触させる第1脱湿工程と、前記第1脱湿工程を経た塩化水素ガスを、濃硫酸と接触させる第2脱湿工程とを含み、前記第2脱湿工程で使用する濃硫酸の濃度は、前記第1脱湿工程で使用する濃硫酸の濃度よりも高いことを特徴とする。
本発明の一態様によれば、脱湿工程の全体における濃硫酸の利用効率を高めることができる。
実施形態1に係る脱湿装置の概略図である。 実施形態2に係る脱湿装置の概略図である。 最下流の乾燥塔における硫酸濃度と塩化水素ガスの出口水分濃度との関係を示すグラフである。 塩化水素ガスの水分除去率、濃硫酸濃度、およびガス供給量の関係式の導出のために用いた装置の概略図である。
〔実施形態1〕
(塩化水素ガスの脱湿装置)
以下、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。まず、本発明の一実施形態にかかる塩化水素ガスの脱湿方法に用いられる例示的な脱湿装置100について、図1を用いて説明する。
図1は、脱湿装置100の構造を示す概略図である。脱湿装置100は、塩化水素ガス中の水分を多段階の工程で除去する、すなわち、塩化水素ガスを脱湿する装置である。より具体的には、脱湿装置100は、複数の乾燥塔内において、塩化水素ガスを濃硫酸と接触させることにより、濃硫酸の脱水作用を利用して塩化水素ガスの脱湿を行う装置である。
脱湿装置100は、第1乾燥塔1Aと、第2乾燥塔1Bとを含む。第1乾燥塔1Aは、脱湿前塩化水素ガス21と第1脱湿工程用濃硫酸である第1濃硫酸13Aとを接触させる第1脱湿工程を行うための塔である。第2乾燥塔1Bは、第1脱湿工程を経た塩化水素ガス21Aを、第2脱湿工程用濃硫酸である第2濃硫酸13Bと接触させる第2脱湿工程を行うための塔である。第1脱湿工程を経た塩化水素ガス21Aは、第1乾燥塔1Aから配管41を通って第2乾燥塔1Bに供給される。後述する実施形態とは異なり、脱湿装置100では、第2乾燥塔1Bにおいて使用された濃硫酸は、第1乾燥塔1Aにおいて再利用されない。
第1乾燥塔1Aは、濃硫酸11を供給するための、濃硫酸供給タンク31Aと、ポンプ2Aと、第1脱湿工程で使用された濃硫酸14Aを回収する濃硫酸回収タンク32Aとを備える。回収された濃硫酸は、回収濃硫酸12として濃硫酸回収タンク32Aに貯蔵される。ポンプ2Aは、第1乾燥塔1Aにおいて濃硫酸を再利用するために、第1乾燥塔1A内の濃硫酸の少なくとも一部を第1乾燥塔1Aの底部の排出口(図示せず)から、第1乾燥塔1Aの上部に形成された濃硫酸供給口6Aまで送液する。
第2乾燥塔1Bも同様に、濃硫酸供給タンク31Bと、ポンプ2Bと、第2脱湿工程で使用された濃硫酸14Bを回収する濃硫酸回収タンク32Bとを備える。回収された濃硫酸は、回収濃硫酸12として濃硫酸回収タンク32Bに貯蔵される。ポンプ2Bは、濃硫酸を第2乾燥塔1Bの濃硫酸供給口6Bを介して第2乾燥塔1B内まで送液する。
第1乾燥塔1Aの中段には、樹脂製の充填物が充填された充填層3Aが設けられている。充填層3Aが設けられていることにより、脱湿前塩化水素ガス21と第1濃硫酸13Aとの接触面積が増え、脱湿前塩化水素ガス21の脱湿が効率的に行われる。
また、第1乾燥塔1Aの底部には、第1脱湿工程で使用された濃硫酸14Aを貯留するための貯留部4Aが設けられている。第1乾燥塔1Aの底部から所定の高さの位置(貯留部4Aの鉛直上側)には、貯留部4A内に貯留された濃硫酸14Aをオーバーフロー排出するためのオーバーフロー管8Aが設けられている。オーバーフロー管8Aは、濃硫酸回収タンク32Aと通液可能に接続されている。
塩化水素ガス供給口5Aは、脱湿前塩化水素ガス21を供給するために、充填層3Aの下部空間に導通するように設けられている。濃硫酸供給口6Aは、第1濃硫酸13Aを供給するために、充填層3Aの上部空間に導通するように設けられている。濃硫酸供給口6Aは、散布部7Aと通液可能に接続されている。散布部7Aは、濃硫酸液を充填層3Aの充填物に対して散布するための部材である。
第1乾燥塔1Aは、第1脱湿工程で使用された濃硫酸14Aの濃度を監視するための監視装置61Aと、制御装置60Aとをさらに備える。制御装置60Aは、監視装置61Aから濃硫酸14Aの濃度の情報を受信すると、当該濃度に応じて、濃硫酸供給タンク31Aから供給される濃硫酸11の供給量を制御する。
第2乾燥塔1Bについても同様に、充填層3B、貯留部4B、塩化水素ガス供給口5B、濃硫酸供給口6B、散布部7B、オーバーフロー管8Bが設けられている。監視装置61Bおよび制御装置60Bの役割も同様である。
制御装置60Aおよび制御装置60Bは、濃硫酸11の供給量を制御するときに、第2脱湿工程で使用する第2濃硫酸13Bの濃度が、第1脱湿工程で使用する第1濃硫酸13Aの濃度よりも高くなるように濃硫酸11の供給量を制御する。当該供給量の制御は、例えば、制御装置60Aが制御弁62Aを制御し、制御装置60Bが、制御弁62Bを制御することにより実現される。制御装置60Aと制御装置60Bとは通信可能に接続されており、このような濃硫酸11の供給量の制御が可能となっている。
図1において、STはスチームを意味している。LT、ATはそれぞれレベルトランスミッタ、アナライザトランスミッタを意味している。
(塩化水素ガスの流れ)
脱湿前塩化水素ガス21は、塩化水素ガス供給口5Aから、第1乾燥塔1A内部に供給される。その後、充填層3A内において、脱湿前塩化水素ガス21は、第1濃硫酸13Aと接触し、脱湿される(第1脱湿工程)。第1脱湿工程を経た塩化水素ガス21Aは、第1乾燥塔1Aの頂部から排出され、第2乾燥塔1Bの塩化水素ガス供給口5Bから、第2乾燥塔1B内部に供給される。その後、充填層3B内において塩化水素ガス21Aは、第2濃硫酸13Bと接触し、脱湿される(第2脱湿工程)。第2脱湿工程を経た塩化水素ガス21Bは、第2乾燥塔1Bの頂部から排出される。
(濃硫酸の流れ)
濃硫酸供給タンク31A内に貯蔵されている濃硫酸11は、通常約98wt%の濃硫酸である。濃硫酸供給タンク31Aは、制御弁62Aを介して第1乾燥塔1Aと接続されている。濃硫酸11は、濃硫酸供給タンク31Aから、第1乾燥塔1Aの濃硫酸供給口6Aを介して、第1濃硫酸13Aの一部として、第1乾燥塔1Aに供給される。濃硫酸供給タンク31Aから供給される濃硫酸11の供給量は、上述したように制御装置60Aによって制御される。
第1濃硫酸13Aは、散布部7Aを介して、充填層3Aに向けて散布される。充填層3Aにおいて脱湿前塩化水素ガス21と接触した(第1脱湿工程で使用された)濃硫酸14Aは、濃硫酸14Aを貯留するための貯留部4Aに貯留される。
貯留部4Aに貯留されている濃硫酸14Aの少なくとも一部は、第1乾燥塔1Aの底部より、ポンプ2Aによって第1乾燥塔1Aの濃硫酸供給口6Aまで送液される。濃硫酸14Aは、第1濃硫酸13Aの少なくとも一部として(場合により、濃硫酸11と一緒になって)第1乾燥塔1Aに供給される。
第2乾燥塔1Bについても濃硫酸の流れは同様である。濃硫酸供給口6Bから供給される第2濃硫酸13Bは、散布部7Bを介して、充填層3Bに向けて散布される。充填層3Bにおいて、第1脱湿工程を経た塩化水素ガス21Aと接触した(第2脱湿工程で使用された)濃硫酸14Bは、貯留部4Bに貯留される。
貯留部4Bに貯留されている濃硫酸14Bの少なくとも一部は、第2乾燥塔1Bの底部より、ポンプ2Bによって濃硫酸供給口6Bまで送液される。濃硫酸14Bは、第2濃硫酸13Bの少なくとも一部として(場合により、濃硫酸11と一緒になって)第2乾燥塔1Bに供給される。濃硫酸供給タンク31Bから供給される濃硫酸11の供給量は、上述したように制御装置60Bによって制御される。
実施形態1において、第2濃硫酸13B(第2脱湿工程で使用する濃硫酸)は、第1濃硫酸13A(第1脱湿工程で使用する濃硫酸)よりも濃度が高い。第2濃硫酸13Bとして、例えば、96wt%以上の濃硫酸が用いられる。第1濃硫酸13Aは、80wt%以上、95wt%未満、好ましくは、85wt%以上、90wt%未満の濃硫酸が用いられる。
第1濃硫酸13Aの濃度は、98wt%よりも十分低いため、濃硫酸供給タンク31A内の濃硫酸11は、98wt%の濃硫酸でなくてもよい。
また、上記のように、第1脱湿工程で用いられる濃硫酸と第2脱湿工程で用いられる濃硫酸とは、濃度差がある。このため、第1濃硫酸13Aとして、第2脱湿工程で使用され、回収された濃硫酸14Bを用いることも可能である。
上記では、図1を参照して乾燥塔が2つの場合について説明したが、乾燥塔は2つに限定されず、3つ以上であってもよい。
また、上記では第1脱湿工程を第1乾燥塔1Aにおいて行い、第2脱湿工程を第2乾燥塔1Bにおいて行う実施形態について説明した。しかしながら、第1脱湿工程および第2脱湿工程を含む複数の脱湿工程が、1つの乾燥塔内で行われるような実施形態であってもよい。
(実施形態1の効果)
以上のように、実施形態1の脱湿方法は、塩化水素ガスを多段階の工程で脱湿させる塩化水素ガスの脱湿方法であり、脱湿装置100を用いて行われる。また、実施形態1の脱湿方法は、塩化水素ガス(脱湿前塩化水素ガス21)と濃硫酸(第1濃硫酸13A)とを接触させる第1脱湿工程と、前記第1脱湿工程を経た塩化水素ガス(塩化水素ガス21A)を、濃硫酸(第2濃硫酸13B)と接触させる第2脱湿工程とを含む。前記第2脱湿工程で使用する濃硫酸(第2濃硫酸13B)の濃度は、前記第1脱湿工程で使用する濃硫酸(第1濃硫酸13A)の濃度よりも高い。
この脱湿方法によれば、前記第1脱湿工程において塩化水素ガスの脱湿をした後、前記第2脱湿工程において、前記第1脱湿工程で使用した濃硫酸よりも高い濃度の濃硫酸を使用して脱湿する。前記第1脱湿工程において、低い濃度の濃硫酸を使用しても、比較的高い脱湿効果が得られる。そのため、上流の第1脱湿工程において低い濃度の濃硫酸を有効利用することにより、複数段階の脱湿工程の全体における濃硫酸の利用効率を高めることができる。
〔実施形態2〕
(塩化水素ガスの脱湿装置)
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
図2は、脱湿装置101の構造を示す概略図である。脱湿装置101は、本発明の実施形態2にかかる塩化水素ガスの脱湿方法に用いられる装置の一例である。脱湿装置101は、第1乾燥塔1Aと、第2乾燥塔1Bと、第3乾燥塔1Cと、ミストセパレータ50とを含む。第3乾燥塔1Cは、第2脱湿工程を経た塩化水素ガス21Bと第3脱湿工程用濃硫酸である第3濃硫酸13Cとを接触させる第3脱湿工程を行うための塔である。第3乾燥塔1Cは、濃硫酸を第3乾燥塔1Cの濃硫酸供給口6Cを介して第3乾燥塔1C内まで送液するためのポンプ2Cを備えている。濃硫酸供給タンク31は、制御弁62を介して、第3乾燥塔1Cと通液可能に接続されている。濃硫酸回収タンク32は、第1乾燥塔1Aのオーバーフロー管8Aと通液可能に接続されている。
ミストセパレータ50は、硫酸ミストを捕捉するためのガラスフィルター51を備えており、多段階の工程を経た塩化水素ガス22から硫酸ミストを除去するための装置である。
第1乾燥塔1Aにおいて、充填層3A、貯留部4A、塩化水素ガス供給口5A、濃硫酸供給口6A、散布部7Aおよびオーバーフロー管8Aについては、実施形態1と同様である。
第2乾燥塔1Bについても同様に、充填層3B、貯留部4B、塩化水素ガス供給口5B、濃硫酸供給口6B、散布部7B、およびオーバーフロー管8Bが設けられている。第3乾燥塔1Cについても同様に、充填層3C、貯留部4C、塩化水素ガス供給口5C、濃硫酸供給口6C、散布部7C、およびオーバーフロー管8Cが設けられている。
(塩化水素ガスの流れ)
脱湿前塩化水素ガス21は、塩化水素ガス供給口5Aから、第1乾燥塔1A内部に供給される。その後、充填層3A内において、脱湿前塩化水素ガス21は、第1濃硫酸13Aと接触し、脱湿される(第1脱湿工程)。第1脱湿工程を経た塩化水素ガス21Aは、第1乾燥塔1Aの頂部から排出され、配管41を通って第2乾燥塔1Bの塩化水素ガス供給口5Bから、第2乾燥塔1B内部に供給される。その後、充填層3B内において、塩化水素ガス21Aは、第2濃硫酸13Bと接触し、脱湿される(第2脱湿工程)。第2脱湿工程を経た塩化水素ガス21Bは、第2乾燥塔1Bの頂部から排出され、配管42を通って第3乾燥塔1Cの塩化水素ガス供給口5Cから、第3乾燥塔1C内部に供給される。その後、充填層3C内において塩化水素ガス21Bは、第3脱湿工程用濃硫酸である第3濃硫酸13Cと接触し、脱湿される(第3脱湿工程)。第3脱湿工程を経た塩化水素ガス21Cは、第3乾燥塔1Cの頂部から排出され、配管43を通ってミストセパレータ50に供給される。
全ての脱湿工程を経てミストセパレータ50に供給された塩化水素ガス22が、ミストセパレータ50内のガラスフィルター51を通過することにより、塩化水素ガス22に含まれる硫酸ミストが捕捉される。ガラスフィルター51を通過した塩化水素ガスは、処理後塩化水素ガス23として、ミストセパレータ50から排出され、図示しない貯蔵用タンク等に供給される。
ミストセパレータ50によって回収された濃硫酸11Mは、乾燥塔において脱湿に利用される濃硫酸などとして再利用することができる。
(濃硫酸の流れ)
濃硫酸供給タンク31内に貯蔵されている濃硫酸11は、通常約98wt%の濃硫酸である。濃硫酸11は、濃硫酸供給タンク31から、第3乾燥塔1Cの濃硫酸供給口6Cを介して、第3濃硫酸13Cの少なくとも一部として、第3乾燥塔1Cに供給される。第3濃硫酸13Cは、散布部7Cを介して、充填層3Cに向けて散布される。充填層3Cにおいて、塩化水素ガス21Cと接触した(第3脱湿工程で使用された)濃硫酸14Cは、貯留部4Cに貯留される。濃硫酸供給タンク31Aから供給される濃硫酸11の供給量は、制御装置60によって制御される。制御装置60による濃度の制御方法の詳細については後述する。
貯留部4Cに貯留されている第3脱湿工程で使用された濃硫酸14Cの少なくとも一部は、第3乾燥塔1Cの底部より、ポンプ2Cによって第3乾燥塔1Cの濃硫酸供給口6Cまで送液される。濃硫酸14Cは、第3濃硫酸13Cの少なくとも一部として(場合により、濃硫酸11と一緒になって)第3乾燥塔1Cに供給される。
貯留部4Cに貯留されている濃硫酸14Cが所定量を超えた場合、所定量を超えた分の濃硫酸14Cは、オーバーフロー管8Cを介して、第3乾燥塔1Cから排出され、配管44を通って第2乾燥塔1Bの貯留部4B内に供給される。すなわち、第3脱湿工程で使用された濃硫酸14Cの少なくとも一部は、第2脱湿工程で第2濃硫酸13Bとして再利用される。
第2乾燥塔の貯留部4Bに貯留されている濃硫酸15Bの少なくとも一部は、第2乾燥塔1Bの底部より、ポンプ2Bによって第2乾燥塔1Bの濃硫酸供給口6Bまで送液される。濃硫酸15Bは、第2濃硫酸13Bとして第2乾燥塔1Bに供給される。第2濃硫酸13Bは、散布部7Bを介して、充填層3Bに向けて散布される。充填層3Bにおいて、塩化水素ガス21Aと接触した(第2脱湿工程で使用された)濃硫酸14Bは、貯留部4Bに貯留される。
貯留部4Bに貯留されている濃硫酸15Bが所定量を超えた場合、所定量を超えた分の濃硫酸15Bは、オーバーフロー管8Bを介して、第2乾燥塔1Bから排出され、配管45を通って第1乾燥塔1Aの貯留部4A内に供給される。すなわち、第2脱湿工程で使用された濃硫酸14Bの少なくとも一部は、第1脱湿工程で第1濃硫酸13Aとして再利用される。
第1乾燥塔1Aの貯留部4A内に貯留されている濃硫酸15Aの少なくとも一部は、第1乾燥塔1Aの底部より、ポンプ2Aによって第1乾燥塔1Aの濃硫酸供給口6Aまで送液される。濃硫酸15Aは、第1濃硫酸13Aとして第1乾燥塔1Aに供給される。第1濃硫酸13Aは、散布部7Aを介して、充填層3Aに向けて散布される。充填層3Aにおいて、脱湿前塩化水素ガス21と接触した(第1脱湿工程で使用された)濃硫酸14Aは、貯留部4Aに貯留される。
貯留部4Aに貯留されている濃硫酸(濃硫酸15A)が所定量を超えた場合、所定量を超えた分の濃硫酸15Aは、オーバーフロー管8Aを介して、第1乾燥塔1Aから排出され、濃硫酸回収タンク32にて回収される。回収された濃硫酸は、回収濃硫酸12として濃硫酸回収タンク32に貯蔵される。
上記のように、下流の脱湿工程で使用された濃硫酸を、上流の脱湿工程で再利用することにより、多段の脱湿工程の全体における濃硫酸の利用効率を高め、濃硫酸の廃棄量をより低減することができる。
実施形態2において、最下流で実施される脱湿工程(第3脱湿工程)において使用される濃硫酸の濃度は、他の脱湿工程において使用される濃硫酸の濃度と比較して最も高濃度である。この構成により、最下流の脱湿工程において、塩化水素ガスの脱湿の確実性を高めることができる。
実施形態2に係る塩化水素ガスを多段階の工程で脱湿する方法において、多段階の工程は、第1脱湿工程、前記第1脱湿工程の後に行われる第2脱湿工程、および前記第2脱湿工程の後に行われる第3脱湿工程からなる。前記第3脱湿工程で使用された後、前記第2脱湿工程で再利用される濃硫酸の濃度(濃硫酸14Cの濃度)は、96wt%以上である。また、前記第2脱湿工程で使用された後、前記第1脱湿工程で再利用される濃硫酸の濃度(濃硫酸15Bの濃度)は、85wt%以上、96wt%未満である。さらに、前記第1脱湿工程で使用された後の濃硫酸の濃度(濃硫酸15Aの濃度)は、75wt%以上、85wt%未満である。
実施形態2において、乾燥塔が3つの場合を説明したが、乾燥塔の数は3つに限定されず2つ以上であればよい。乾燥塔が2つの場合、多段階の工程は、前記第1脱湿工程および前記第2脱湿工程からなる。前記第2脱湿工程で使用された後、前記第1脱湿工程で再利用される濃硫酸の濃度(濃硫酸15Bの濃度)は、96wt%以上である。さらに、前記第1脱湿工程で使用された後の濃硫酸の濃度(濃硫酸15Aの濃度)は、85wt%以上、90wt%未満である。
(実施形態2の効果)
図3は、水分濃度が200ppm−molの塩化水素ガスを、5000Nm/Hで供給したときの、最下流の乾燥塔における硫酸濃度と塩化水素ガスの出口水分濃度との関係を示すグラフである。ここで、最下流の乾燥塔における硫酸濃度とは、最下流の乾燥塔の貯留部における濃硫酸濃度(wt%)である。塩化水素ガスの出口水分濃度とは、多段階の工程を経た塩化水素ガス22の水分濃度(ppm−mol)である。
図3において、線Aは、乾燥塔が1塔(前記第1脱湿工程のみ)の場合を示している。線Bは、実施形態2の方法による、2塔運転(前記多段階の工程が、前記第1脱湿工程および前記第2脱湿工程からなる)場合を示している。線Cは、実施形態2の方法による、3塔運転(前記多段階の工程が、前記第1脱湿工程、前記第2脱湿工程、および前記第3脱湿工程からなる)場合を示している。
図3に示す線A〜Cの結果は、それぞれ計算値である。当該計算値の算出方法の詳細については、後述する。
図3において、例えば、出口水分濃度が15ppm−molである場合、1塔運転では乾燥塔における硫酸濃度は、約97wt%である。これに対し、2塔運転の場合は、約94wt%、3塔運転の場合は約92.5wt%であることがわかる。これは、複数の乾燥塔による脱湿(実施形態2の方法による脱湿)のほうが、濃硫酸が有効に利用されていることを意味している。
以上のことにより、塩化水素ガスの水分濃度を、特定の水分濃度まで低減する場合、複数の塔による(多段階の工程による)脱湿では、濃硫酸をより有効に利用でき、濃硫酸の使用量を低減することができる。この効果は、2塔運転の場合よりも、3塔運転の場合の方がより顕著である。
(塩化水素ガスの水分除去率、濃硫酸濃度、およびガス供給量の関係式)
ここで、塩化水素ガスの水分除去率、濃硫酸濃度、およびガス供給量の関係式の導出について図4を用いて説明する。図4は、前記関係式の導出のために用いた装置の概略図である。一般的に、乾燥塔内を循環させる濃硫酸の流量を一定にした場合、塩化水素ガスの水分除去率は、乾燥塔内の濃硫酸濃度と、塩化水素ガスの供給量との関数で表されることが経験的に明らかであった。
そこで、発明者らは、図4に示す乾燥塔1を用いて、所定の硫酸濃度Cの濃硫酸を循環させた乾燥塔1に、所定の供給量Fで塩化水素ガスを供給した場合の水分除去率Kを測定した。ここで、硫酸濃度Cとは、乾燥塔1内を循環する濃硫酸の濃度(wt%)である。塩化水素ガス供給量Fは、乾燥塔1に供給される塩化水素ガスの供給量(Nm/h)である。水分除去率Kは、以下の式(1)で示される。
K=(α−β)/α ・・・(1)
前記式(1)において、αおよびβは、次に示す数値を意味する。
α=(乾燥塔1に供給される塩化水素ガスの水分濃度(CHCl−in))
β=(乾燥塔1から排出される塩化水素ガスの水分濃度(CHCl−out))
表1は、塩化水素ガス供給量Fと、硫酸濃度Cをそれぞれ所定の値にしたときの、水分除去率Kの値の一例を示している。なお、乾燥塔1の単位断面積あたりの循環硫酸量は、5m/m/hrとした。
Figure 0006853424
上記の表1の結果から、水分除去率Kと、濃硫酸濃度Cと、塩化水素ガス供給量Fとの関係は、以下の式(2)で表されることが見いだされた。
K=0.024×ln(C)×ln(F) ・・・(2)
(各塔の塩化水素ガス水分濃度および濃硫酸濃度の算出方法)
実施形態2の各塔の塩化水素ガス水分濃度および濃硫酸濃度は、上述のように導出された式(2)を用いて算出することができる。上記の水分除去率Kと、濃硫酸濃度Cと、塩化水素ガス供給量Fとの関係は、各塔についても同様に適用することができる。
この場合、硫酸濃度Cとは、各塔の貯留部(4A、4B、4C)における濃硫酸の濃度(wt%)である。塩化水素ガス供給量Fは、各塔に供給される塩化水素ガスの供給量(Nm/h)である。各乾燥塔の水分除去率Kは、前記の式(1)を用いることで算出できる。
上記の式(1)および(2)は、制御装置60と通信可能に接続された記憶装置64に格納されており、測定値(または目標値)を用いた、脱湿装置101の濃硫酸の濃度管理は、制御装置60によって行われる。制御装置60による濃硫酸の供給量の制御方法を以下に示す。
(制御装置による濃硫酸の供給量の制御)
脱湿装置101における制御装置60による濃硫酸の供給量の制御方法は、目標値決定工程と運転制御工程とを含む。
<目標値決定工程>
制御装置60による制御は、濃硫酸供給タンク31からの濃硫酸の供給量を調節することにより、第1〜第3乾燥塔硫酸濃度を所定の範囲に維持し、塩化水素ガスの目標水分濃度を実現することを目的とする。そのために、目標値決定工程では、濃硫酸の供給量を調節するために必要となる、第3脱湿工程で使用された濃硫酸14Cの濃度(C)の目標値Cを決定する。
下記の(A2)〜(A9)工程による目標値Cの決定において、運転開始時は、初期値を用いる。運転開始後は、実測値を用いる。後述する運転制御工程により、当該実測値が変化した場合、下記の(A1)〜(A8)工程を反復することにより、目標値Cを更新する。
(A1)制御装置60は、塩化水素ガス供給経路46に設けられた塩化水素ガス監視装置63から、第1乾燥塔1Aに供給される脱湿前塩化水素ガス21の水分濃度(CHCl−in(1))を示す情報および第1乾燥塔1Aへの塩化水素ガス供給量(FHCl)を示す情報を受信する。
(A2)制御装置60は、運転開始時には初期値として、ユーザによって入力装置65に入力された廃棄濃硫酸の目標濃度(C1’)を示す情報を入力装置65から受信する。運転開始後は、監視装置61Aから、第1乾燥塔1Aの貯留部4A内に貯留されている濃硫酸15Aの濃度(C)を示す情報を受信する。
(A3)制御装置60は、(i)FHClと、(ii)A1工程で受信したCHCl−in(1)と、(iii)A2工程で受信したC1’(またはC)と、(iv)式(1)および(2)を用いて、第1乾燥塔1Aから排出される塩化水素ガス21Aの水分濃度(CHCl−out(1))を算出する。ここで、CHCl−out(1)は、第2乾燥塔1Bに供給される塩化水素ガス21Aの水分濃度(CHCl−in(2))と等しい。
具体的には、制御装置60は、次の演算を行う。
HCl−out(1)=CHCl−in(1){1−0.024×ln(C1’)×ln(FHCl)}
(A4)制御装置60は、第3乾燥塔1Cの貯留部4C内に貯留されている濃硫酸14Cの濃度(C)を示す情報の初期値として、入力装置65に入力された濃硫酸11の濃度(Cfeed)を示す情報を入力装置65から受信する。濃度(Cfeed)は、通常、98wt%である。
(A5)制御装置60は、初期値として、入力装置65に入力された目標水分濃度(CHCl−out(3)’)を示す情報を、入力装置65から受信する。運転開始後は、塩化水素ガス監視装置66から、第3脱湿工程を経た塩化水素ガス21Cの水分濃度(CHCl−out(3))を示す情報を受信する。
(A6)制御装置60は、(i)FHClと、(ii)A4工程で受信したCfeedおよびA5工程で受信したCHCl−out(3)’(またはCHCl−out(3))と、(iii)式(1)および(2)とを用いて、第3乾燥塔1Cに供給される塩化水素ガス21Bの水分濃度(CHCl−in(3))を算出する。ここで、CHCl−in(3)は、第2乾燥塔1Bにから排出される塩化水素ガス21Aの水分濃度(CHCl−out(2))と等しい。
具体的には、制御装置60は、次の演算を行う。
HCl−in(3)=CHCl−out(3)/{1−0.024×ln(Cfeed)×ln(FHCl)}
(A7)制御装置60は、(i)FHClと、(ii)A3工程で算出したCHCl−in(2)と、(iii)A6工程で算出したCHCl−out(2)と、(iv)式(1)および(2)とを用いて、第2乾燥塔1Bの濃硫酸15Bの濃度(C)を算出する。
具体的には、制御装置60は、次の演算を行う。
ln(C)=(CHCl−in(2)−CHCl−out(2))/(CHCl−in(2)×0.024×ln(FHCl))
すなわち、C=e^{(CHCl−in(2)−CHCl−out(2))/(CHCl−in(2)×0.024×ln(FHCl))}
(A8)制御装置60は、(i)FHClと、(ii)A5工程で受信したCHCl−out(3)と、(iii)A5工程で算出したCHCl−in(3)と、(iii)式(1)および(2)とを用いて、第3乾燥塔1Cの濃硫酸14Cの濃度の目標値Cを算出する。
具体的には、制御装置60は、次の演算を行う。
=e^{(CHCl−in(3)−CHCl−out(3))/(CHCl−in(3)×0.024×ln(FHCl))}
(A9)制御装置60は、A8工程において算出したCを、目標値Cとして設定する。
<運転制御工程>
目標値決定工程に続き、運転制御工程が実行される。運転制御工程では、制御装置60によって、以下のB1〜B4工程が実行される。
(B1)制御装置60は、監視装置61Cから、第3脱湿工程で使用された濃硫酸14Cの濃度(C)を示す情報を受信する。
(B2)制御装置60は、B1工程で取得したCの情報を、目標値Cと比較する。
(B3)Cが目標値Cよりも低い場合、制御装置60は、制御弁62の開度を上げることにより、濃硫酸供給タンク31から第3乾燥塔1Cに供給される濃硫酸11の供給量を増加させる。
(B4)Cが目標値Cよりも高い場合、制御装置60は、制御弁62の開度を下げることにより、濃硫酸供給タンク31から第3乾燥塔1Cに供給される濃硫酸11の供給量を減少させる。
(B5)Cが目標値Cと等しい場合、制御装置60は、制御弁62の開度を維持し、濃硫酸供給タンク31から第3乾燥塔1Cに供給される濃硫酸11の供給量を維持する。
(運転例)
上記のような濃度制御方法により制御された実施形態2の脱湿装置101による脱湿処理の条件および結果を、以下の表2に示す。
Figure 0006853424
表2より、表2に示す条件を用いて試算された試算値と、実際に制御装置60による制御を行い、測定された硫酸濃度の実測値とは、ほぼ一致した。このことから、上記の制御方法により、実施形態2の脱湿装置における各塔の硫酸濃度は好適に制御され、出口における目標水分濃度を達成することが明らかとなった。硫酸濃度の制御について、より具体的には、以下の点が実証された:(i)第3乾燥塔硫酸濃度(第3脱湿工程で使用された後、第2脱湿工程で再利用される濃硫酸の濃度)は96wt%以上である。(ii)第2乾燥塔硫酸濃度(第2脱湿工程で使用された後、第1脱湿工程で再利用される濃硫酸の濃度)は、85wt%以上、96wt%未満の範囲内である。(iii)第1乾燥塔硫酸濃度(第1脱湿工程で使用された後の濃硫酸の濃度)は、75wt%以上、85wt%未満の範囲内である。
(トリクロロシラン合成における適用)
実施形態1または実施形態2の脱湿方法によって水分含量が低減された塩化水素ガスは、トリクロロシランの合成に用いることができる。すなわち、実施形態1または実施形態2に記載の脱湿方法によって水分含量が低減された塩化水素ガスと、金属珪素とを反応させることにより、トリクロロシランを製造する方法を提供することができる。
塩化水素ガスおよび金属珪素を原料に含むトリクロロシラン合成は、合成塔で行われる。原料の塩化水素ガスに含まれる水分は、前記合成塔内の分散板のエロージョンを引き起こし得る。このため、反応に用いられる塩化水素ガスに含まれる水分の濃度はより低いことが好ましい。
実施形態1または実施形態2の脱湿方法によって水分含量が低減された塩化水素ガスを用いることにより、トリクロロシラン合成塔内のエロージョンを低減することができる。これにより、分散板の耐用年数を向上させることができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
1A、1B、1C・・・第1乾燥塔、第2乾燥塔、第3乾燥塔
2A、2B、2C・・・ポンプ
3A、3B、3C・・・充填層
4A、4B、4C・・・貯留部
5A、5B、5C・・・塩化水素ガス供給口
6A、6B、6C・・・濃硫酸供給口
7A、7B、7C・・・散布部
8A、8B、8C・・・オーバーフロー管
11、11M・・・濃硫酸
14A、14B、14C・・・第1、2、3脱湿工程で使用された濃硫酸
13A、13B、13C・・・第1、2、3濃硫酸(第1、2、3脱湿工程で使用する濃硫酸)
21・・・脱湿前塩化水素ガス
21A、21B、21C・・・第1、2、3脱湿工程を経た塩化水素ガス
31、31A、31B・・・濃硫酸供給タンク
32、32A、32B・・・濃硫酸回収タンク
50・・・ミストセパレータ
51・・・ガラスフィルター
60、60A、60B・・・制御装置
61A、61B、61C・・・監視装置
62、62A、62B・・・制御弁
63・・・塩化水素ガス監視装置
64・・・記憶装置
65・・・入力装置
100、101・・・脱湿装置

Claims (4)

  1. 塩化水素ガスを多段階の工程で脱湿する塩化水素ガスの脱湿方法であって、
    塩化水素ガスと濃硫酸とを接触させる第1脱湿工程と、
    前記第1脱湿工程を経た塩化水素ガスを、濃硫酸と接触させる第2脱湿工程とを含み、
    前記第2脱湿工程で使用する濃硫酸の濃度は、前記第1脱湿工程で使用する濃硫酸の濃度よりも高く、
    前記多段階の工程は、前記第1脱湿工程、前記第2脱湿工程、および前記第2脱湿工程の後に行われる第3脱湿工程からなり、
    前記第2脱湿工程で使用された濃硫酸の少なくとも一部を、前記第1脱湿工程で再利用し、
    前記第3脱湿工程で使用された濃硫酸の少なくとも一部を、前記第2脱湿工程で再利用し、
    前記第3脱湿工程で使用された後、前記第2脱湿工程で再利用される濃硫酸の濃度は、96wt%以上であり、
    前記第2脱湿工程で使用された後、前記第1脱湿工程で再利用される濃硫酸の濃度は、85wt%以上、96wt%未満であり、
    前記第1脱湿工程で使用された後の濃硫酸の濃度は、75wt%以上、85wt%未満であることを特徴とする脱湿方法。
  2. 塩化水素ガスを多段階の工程で脱湿する塩化水素ガスの脱湿方法であって、
    塩化水素ガスと濃硫酸とを接触させる第1脱湿工程と、
    前記第1脱湿工程を経た塩化水素ガスを、濃硫酸と接触させる第2脱湿工程とを含み、
    前記第2脱湿工程で使用する濃硫酸の濃度は、前記第1脱湿工程で使用する濃硫酸の濃度よりも高く、
    前記多段階の工程は、前記第1脱湿工程および前記第2脱湿工程からなり、
    前記第2脱湿工程で使用された濃硫酸の少なくとも一部を、前記第1脱湿工程で再利用し、
    前記第2脱湿工程で使用された後、前記第1脱湿工程で再利用される濃硫酸の濃度は、96wt%以上であり、
    前記第1脱湿工程で使用された後の濃硫酸の濃度は、85wt%以上、90wt%未満であることを特徴とする脱湿方法。
  3. ガラスフィルターを備えるミストセパレータを用いて、前記多段階の工程を経た塩化水素ガスから硫酸ミストを除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の脱湿方法。
  4. 請求項1〜のいずれか1項に記載の脱湿方法によって水分含量が低減された塩化水素ガスと、金属珪素とを反応させることにより、トリクロロシランを製造する方法。
JP2020567622A 2019-11-13 2020-09-04 塩化水素の脱湿方法 Active JP6853424B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019205560 2019-11-13
JP2019205560 2019-11-13
PCT/JP2020/033526 WO2021095329A1 (ja) 2019-11-13 2020-09-04 塩化水素の脱湿方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6853424B1 true JP6853424B1 (ja) 2021-03-31
JPWO2021095329A1 JPWO2021095329A1 (ja) 2021-11-25

Family

ID=75158378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020567622A Active JP6853424B1 (ja) 2019-11-13 2020-09-04 塩化水素の脱湿方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220371886A1 (ja)
JP (1) JP6853424B1 (ja)
KR (1) KR20220093105A (ja)
CN (1) CN114555517B (ja)
DE (1) DE112020005549T5 (ja)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2522286C3 (de) * 1975-05-20 1978-05-18 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur Reinigung von Rohchlorwasserstoff
US4227890A (en) * 1978-05-11 1980-10-14 Olin Corporation Process for cooling and drying chlorine gas
JP2761659B2 (ja) * 1989-12-07 1998-06-04 鐘淵化学工業株式会社 塩素ガスの乾操方法
US6852902B2 (en) * 2002-03-15 2005-02-08 Catalytic Distillation Technologies Method of removing entrained sulfuric acid from alkylate
DE102006023261A1 (de) * 2006-05-18 2007-11-22 Bayer Materialscience Ag Verfahren zur Herstellung von Chlor aus Chlorwasserstoff und Sauerstoff
KR101573933B1 (ko) * 2008-02-29 2015-12-02 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 트리클로로실란의 제조 방법 및 제조 장치
CN202265420U (zh) 2011-09-30 2012-06-06 河南尚宇新能源股份有限公司 一种用于三氯氢硅的浓硫酸干燥设备
CN102530873A (zh) * 2011-12-21 2012-07-04 河南尚宇新能源股份有限公司 一种氯化氢脱水设备及工艺
CN105947983B (zh) * 2016-05-09 2018-11-30 杭州中昊科技有限公司 一种无水氯化氢的制备方法
CN106955567A (zh) * 2017-04-01 2017-07-18 湖北汇达科技发展有限公司 一种氯化氢组合干燥系统
JP7540288B2 (ja) 2020-10-15 2024-08-27 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021095329A1 (ja) 2021-11-25
US20220371886A1 (en) 2022-11-24
DE112020005549T5 (de) 2022-08-25
KR20220093105A (ko) 2022-07-05
CN114555517A (zh) 2022-05-27
CN114555517B (zh) 2024-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7794523B2 (en) Method for the recovery and re-use of process gases
JP4922804B2 (ja) 含水有機化合物の脱水方法
CN201603504U (zh) 烟气脱硫系统
KR20160008531A (ko) 염화수소의 정제 방법
US11242253B2 (en) Method for producing polycrystalline silicon
WO2021095329A1 (ja) 塩化水素の脱湿方法
JP6853424B1 (ja) 塩化水素の脱湿方法
CN114852966B (zh) 一种脱除氟气中hf的方法及装置
JP5038251B2 (ja) 四塩化チタンの蒸留精製装置、同装置の整備方法および同装置による四塩化チタンの精製方法
CN104709879A (zh) 脱除氯化苯生产的副产盐酸中有机物的工艺
CN111185070B (zh) 利用低温hf去除nf3电解气中杂质的系统及方法
CN101837226A (zh) 吸收塔
CN101837237B (zh) 烟气脱硫系统
JPH0345726B2 (ja)
CN107311856A (zh) 一种醋酸废液的提纯回收系统
CN102992267B (zh) 气相二氧化硅生产中HCl的回收工艺及设备
CN102794081A (zh) 降低酸雾洗涤塔出口烟气中粉尘含量的方法及系统
CN112473288B (zh) 一种酸浴洗涤除尘装置和方法
JP5153980B2 (ja) アンモニアの回収装置
CN114656007A (zh) 一种回收废水中易挥发物质的方法及系统
CN201613102U (zh) 再生塔
KR102549766B1 (ko) 폐에탄올 정제방법
JP2003001048A (ja) 湿潤ガスの乾燥方法、硫酸ミストの除去方法およびこれらを用いた塩素の製造方法
JP2004002142A (ja) HBrをほとんど含まないHClガス及びHBrをほとんど含まないHCl水溶液の製造方法
JP2005213436A (ja) 余剰安水の処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201203

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201203

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20201203

TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20210217

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210302

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210311

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6853424

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150