JP6790780B2 - Semiconductor element inspection equipment and inspection method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子の検査装置および検査方法に関するものである。 The present invention relates to an inspection device and an inspection method for semiconductor elements.
半導体素子の特性検査においては、検査対象の半導体素子（ＤＵＴ：Device Under Test）が破壊されると、過電流によりプローブ等の検査装置に溶着等のダメージが発生する。これによりプローブ・ステージ等の交換が必要となり、検査コストが増加する。 In the characteristic inspection of a semiconductor element, if the semiconductor element (DUT: Device Under Test) to be inspected is destroyed, damage such as welding occurs to an inspection device such as a probe due to an overcurrent. This requires replacement of the probe stage, etc., increasing inspection costs.
このため、ＤＵＴ破壊時の過電流を抑制するために、破壊後の通電電流を遮断するための保護機能を備える検査装置が提案されている。例えば特許文献１では、過電流が検出されたときに保護スイッチを遮断する機能を備えた検査装置が提案されている。
Therefore, in order to suppress the overcurrent at the time of DUT destruction, an inspection device having a protection function for interrupting the energizing current after the destruction has been proposed. For example,
特許文献１に記載の検査装置では、保護スイッチに高速な電流遮断特性が要求される。また、これ以外の半導体素子の検査装置においても、検査内容に応じてＤＵＴ以外の回路素子に様々な特性が要求される。
In the inspection device described in
本発明は上記点に鑑みて、回路素子の特性を変化させることが可能な半導体素子の検査装置および検査方法を提供することを目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to provide an inspection device and an inspection method for a semiconductor element capable of changing the characteristics of a circuit element.
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、検査対象である半導体素子（２）と共に検査回路を構成する回路素子（２１、２７、３）の温度を、半導体素子とは別に制御する温度制御部（１４、１５、１６）を備え、半導体素子は、スイッチング素子（２ａ）を備え、回路素子は、スイッチング素子の出力に応じて半導体素子に流れる電流を遮断するためのスイッチング素子であり、温度制御部は、回路素子を冷却して、回路素子の電流遮断時間を短くする。
In order to achieve the above object, in the invention according to
これによれば、回路素子の温度を制御することで、検査内容に応じて回路素子の特性を変化させることができる。 According to this, by controlling the temperature of the circuit element, the characteristics of the circuit element can be changed according to the inspection content.
また、請求項１０に記載の発明では、検査対象である半導体素子（２）と共に検査回路を構成する回路素子（２１、２７、３）の温度を、半導体素子とは別に制御することを備え、半導体素子は、スイッチング素子（２ａ）を備え、回路素子は、スイッチング素子の出力に応じて半導体素子に流れる電流を遮断するためのスイッチング素子であり、制御することでは、回路素子を冷却して、回路素子の電流遮断時間を短くする。
Further, the invention according to
このように、回路素子の温度を制御することにより、検査内容に応じて回路素子の特性を変化させることができる。 By controlling the temperature of the circuit element in this way, the characteristics of the circuit element can be changed according to the inspection content.
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。 The reference numerals in parentheses of each of the above means indicate an example of the correspondence with the specific means described in the embodiment described later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the following embodiments, parts that are the same or equal to each other will be described with the same reference numerals.
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態の検査装置１は、半導体素子の検査装置であって、テスタ１０と、ステージ１１と、ヒータ１２と、プローブ１３とを備える。
(First Embodiment)
The first embodiment will be described. As shown in FIG. 1, the
テスタ１０は検査対象の半導体素子であるＤＵＴ２に、検査のための電圧を印加し、ＤＵＴ２から出力される電圧、電流等を測定するものである。ＤＵＴ２は、例えばパワーカード等に用いられるパワー半導体素子であり、本実施形態では、図２に示すように、ゲート電極、コレクタ電極、エミッタ電極を有するＮチャネル型のＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）素子２ａで構成されている。また、本実施形態では、ＤＵＴ２は、ベアチップとされている。
The
図１に示すように、ＤＵＴ２はステージ１１の上面に載置されている。ステージ１１の下部にはヒータ１２が設置されており、ＤＵＴ２の温度特性を検査する際には、ヒータ１２によってＤＵＴ２が加熱される。
As shown in FIG. 1, the
検査装置１はプローブ１３を複数備えており、複数のプローブ１３には、テスタ１０とステージ１１とを接続するものと、テスタ１０とＤＵＴ２とを接続するものとが含まれている。テスタ１０は、複数のプローブ１３を介して、ＤＵＴ２に電圧を印加し、ＤＵＴ２の出力を測定する。
The
テスタ１０の内部にはＤＵＴ２と共に検査回路を構成する回路素子等が配置されている。図２に示すように、この検査回路は、ＤＵＴ２と、電源２０と、保護スイッチング素子２１と、ダイオード素子２２と、コイル２３と、コンデンサ２４と、ゲートドライバ２５、２６とで構成されている。なお、テスタ１０の内部には、図２の破線で囲まれた部分、すなわち、検査回路を構成するこれらの要素のうち、ＤＵＴ２以外のものが配置されている。
Inside the
また、テスタ１０の内部にはエアブロー１４が配置されている。エアブロー１４は、保護スイッチング素子２１を冷却して電流遮断時間を短くするためのものであり、保護スイッチング素子２１の付近に配置されている。このように配置されたエアブロー１４により、保護スイッチング素子２１の温度は、ＤＵＴ２とは別に制御される。エアブロー１４は、温度制御部に相当する。
Further, an
図２に示すように、電源２０には、保護スイッチング素子２１、ダイオード素子２２、ＤＵＴ２のＩＧＢＴ素子２ａが直列に接続されている。保護スイッチング素子２１は、ゲート電極、コレクタ電極、エミッタ電極を有するＮチャネル型のＩＧＢＴ素子で構成されている。
As shown in FIG. 2, the
そして、電源２０の正極に保護スイッチング素子２１のコレクタ電極が接続され、保護スイッチング素子２１のエミッタ電極にダイオード素子２２のカソード電極が接続されている。また、ダイオード素子２２のアノード電極にＩＧＢＴ素子２ａのコレクタ電極が接続され、ＩＧＢＴ素子２ａのエミッタ電極が電源２０の負極すなわちグランドと接続されている。
Then, the collector electrode of the
ダイオード素子２２と並列となるように、コイル２３が配置されている。つまり、保護スイッチング素子２１およびＩＧＢＴ素子２ａがオフされたとき、ダイオード素子２２とループ経路を構成するようにコイル２３が配置されている。言い換えると、保護スイッチング素子２１とダイオード素子２２との接続点と、ダイオード素子２２とＩＧＢＴ素子２ａとの接続点との間にコイル２３が配置されている。さらに、ＩＧＢＴ素子２ａ、ダイオード素子２２、コイル２３と並列となるように、コンデンサ２４が配置されている。
The
ＩＧＢＴ素子２ａのゲート電極にはゲートドライバ２５が接続されている。また、ＩＧＢＴ素子２ａのコレクタ電極、エミッタ電極は図示しない制御部に接続されている。また、保護スイッチング素子２１のゲート電極にはゲートドライバ２６が接続されており、図示しない制御部は、ゲートドライバ２６にも接続されている。
A
このような構成の検査回路では、ゲートドライバ２５からＩＧＢＴ素子２ａのゲート電極に所定の振幅、周波数を有するパルス状の駆動信号を入力し、ＩＧＢＴ素子２ａのオン、オフを切り替えることにより、ＩＧＢＴ素子２ａのスイッチング検査が行われる。
In the inspection circuit having such a configuration, the
ＩＧＢＴ素子２ａが破壊されると、図示しない制御部は、ＩＧＢＴ素子２ａのコレクタ−エミッタ間の電位差や電流からＩＧＢＴ素子２ａの破壊を検出し、保護スイッチング素子２１をオフにするための信号をゲートドライバ２６に送信する。そして、ゲートドライバ２６は、保護スイッチング素子２１のゲート電圧をハイレベルからローレベルに切り替える。これにより保護スイッチング素子２１がオフ状態となり、ＤＵＴ２に流れる電流が遮断され、検査装置１が保護される。
When the
このように保護スイッチング素子２１によって検査装置１を保護する場合、保護スイッチング素子２１には、高速な遮断特性、すなわち、遮断時間Ｔｏｆｆが短いことが要求される。なお、遮断時間Ｔｏｆｆは、保護スイッチング素子２１のゲート電極に遮断信号が入力されてから、電流の遮断が完了されるまでの時間である。
When the
図３は、ＩＧＢＴ素子２ａのコレクタ−エミッタ間電圧を６５０Ｖとし、電流値を４００Ａとして、保護スイッチング素子２１の温度と遮断時間Ｔｏｆｆとの関係を調べたシミュレーション結果である。なお、図３のグラフの縦軸は、保護スイッチング素子２１の温度が２５℃のときの遮断時間Ｔｏｆｆを基準とした値、すなわち、遮断時間Ｔｏｆｆを保護スイッチング素子２１の温度が２５℃のときの遮断時間Ｔｏｆｆで割った値を示している。図３からわかるように、保護スイッチング素子２１が低温になるほど遮断時間Ｔｏｆｆが短くなる。したがって、エアブロー１４によって保護スイッチング素子２１を冷却することにより、保護スイッチング素子２１の遮断時間Ｔｏｆｆが短くなり、保護性能が向上する。
FIG. 3 is a simulation result of investigating the relationship between the temperature of the
このように、本実施形態では、保護スイッチング素子２１をエアブロー１４で冷却することにより、ＤＵＴ２が破壊された場合の電流遮断を高速化し、検査装置１のダメージを低減することができる。また、ＤＵＴ２以外の回路素子の破壊を抑制することができる。
As described above, in the present embodiment, by cooling the
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。第２実施形態は、第１実施形態に対してＤＵＴ２および検査回路の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
(Second Embodiment)
The second embodiment will be described. Since the second embodiment is the same as the first embodiment in that the configurations of the DUT2 and the inspection circuit are changed with respect to the first embodiment, only the parts different from the first embodiment will be described. ..
図４に示すように、本実施形態では、ＤＵＴ２がダイオード素子２ｂで構成されており、ダイオード素子２ｂのリカバリ特性を検査するための検査回路がテスタ１０に形成されている。具体的には、この検査回路は、ＤＵＴ２と、電源２０と、コイル２３と、コンデンサ２４と、保護ダイオード素子２７と、スイッチング素子２８と、ゲートドライバ２９とで構成されている。なお、テスタ１０の内部には、図４の破線で囲まれた部分、すなわち、検査回路を構成するこれらの要素のうち、ＤＵＴ２以外のものが配置されている。
As shown in FIG. 4, in the present embodiment, the
また、テスタ１０の内部には温度制御部１５が配置されている。温度制御部１５は、保護ダイオード素子２７を冷却または加熱してリカバリ電流を変化させるものであり、保護ダイオード素子２７の付近に配置されている。温度制御部１５により、保護ダイオード素子２７の温度は、ＤＵＴ２とは別に制御される。
Further, a
本実施形態の温度制御部１５は、エアブロー、ペルチェ素子、ヒータ等で構成されるが、温度制御部１５を恒温槽で構成することもできる。温度制御部１５を恒温槽で構成する場合には、温度制御部１５はテスタ１０の外部に配置される。
The
図４に示すように、電源２０には、ＤＵＴ２、保護ダイオード素子２７、スイッチング素子２８が直列に接続されている。保護ダイオード素子２７は、ダイオード素子２ｂよりも破壊耐量が大きくされている。スイッチング素子２８は、ゲート電極、コレクタ電極、エミッタ電極を有するＮチャネル型のＩＧＢＴ素子で構成されている。
As shown in FIG. 4, a
そして、電源２０の正極にダイオード素子２ｂのカソード電極が接続され、ダイオード素子２ｂのアノード電極が保護ダイオード素子２７のカソード電極と接続されている。また、保護ダイオード素子２７のアノード電極がスイッチング素子２８のコレクタ電極と接続され、スイッチング素子２８のエミッタ電極が電源２０の負極すなわちグランドと接続されている。
Then, the cathode electrode of the
コイル２３は、ダイオード素子２ｂおよび保護ダイオード素子２７と並列となるように配置されている。つまり、スイッチング素子２８がオフされたとき、ダイオード素子２ｂおよび保護ダイオード素子２７とループ経路を構成するようにコイル２３が配置されている。言い換えると、電源２０の正極とダイオード素子２ｂのカソード電極との接続点と、保護ダイオード素子２７のアノード電極とスイッチング素子２８のコレクタ電極との接続点との間にコイル２３が配置されている。コンデンサ２４は、ダイオード素子２ｂ、保護ダイオード素子２７、コイル２３、スイッチング素子２８と並列となるように配置されている。スイッチング素子２８のゲート電極には、ゲートドライバ２９が接続されている。
The
上記検査回路では、ゲートドライバ２９からスイッチング素子２８のゲート電極に所定の振幅、周波数を有するパルス状の駆動信号を入力し、スイッチング素子２８のオン、オフを制御してダイオード素子２ｂに流れる電流や電圧を変化させる。これにより、ダイオード素子２ｂの特性検査が行われる。
In the above inspection circuit, a pulsed drive signal having a predetermined amplitude and frequency is input from the
この場合、スイッチング素子２８がオンされると、ダイオード素子２ｂに流れる順方向電流が次第に小さくなって逆方向電流であるリカバリ電流が発生する。保護ダイオード素子２７を備えない場合、ダイオード素子２ｂが破壊されると、短絡電流が発生すると共に当該短絡電流の絶対値が急峻に大きくなる。
In this case, when the switching
これに対し、本実施形態では、ダイオード素子２ｂとスイッチング素子２８との間に、ダイオード素子２ｂより破壊耐量の大きい保護ダイオード素子２７が配置されている。このため、ダイオード素子２ｂが破壊されたとしても、保護ダイオード素子２７によってダイオード素子２ｂに流れる短絡電流の絶対値が急峻に大きくなることを抑制できる。つまり、ダイオード素子２ｂに大電流が流れることを抑制できる。このため、検査装置１の損傷を低減することができる。
On the other hand, in the present embodiment, the
さらに、保護ダイオード素子２７のＩｒｒを小さくすることにより、ダイオード素子２ｂが破壊された後にダイオード素子２ｂに流れる電流の絶対値が小さくなり、検査装置１の損傷をさらに低減することができる。なお、ここでのＩｒｒとは、リカバリ電流のピーク値の絶対値のことである。
Further, by reducing the Irr of the
図５は、ダイオード素子２ｂの両端電圧を６５０Ｖとし、電流値を４００Ａとして、保護ダイオード素子２７の温度とＩｒｒとの関係を調べたシミュレーション結果である。なお、図５のグラフの縦軸は、保護ダイオード素子２７の温度が２５℃のときのＩｒｒを基準とした値、すなわち、Ｉｒｒを保護ダイオード素子２７の温度が２５℃のときのＩｒｒで割った値を示している。
FIG. 5 is a simulation result of investigating the relationship between the temperature of the
図５からわかるように、保護ダイオード素子２７が低温になるほどＩｒｒが小さくなる。したがって、温度制御部１５によって保護ダイオード素子２７を冷却することにより、保護ダイオード素子２７のＩｒｒが高温時よりも小さくなるため、検査装置１の損傷を低減することができる。
As can be seen from FIG. 5, the lower the temperature of the
一方、保護ダイオード素子２７を備えることにより、ダイオード素子２ｂに印加される電圧が減少し、ダイオード素子２ｂに所望の電圧を印加した状態で検査を行うことができなくなる可能性がある。このような電圧の減少を抑制し、ダイオード素子２ｂの検査範囲を広げるためには、保護ダイオード素子２７に、ダイオード素子２ｂよりも大きなリカバリ電流特性が求められる。
On the other hand, by providing the
具体的には、ダイオード素子２ｂのＩｒｒに対する保護ダイオード素子２７のＩｒｒの比、すなわち、保護ダイオード素子２７のＩｒｒ／ダイオード素子２ｂのＩｒｒが２以上であることが好ましい。これにより、保護ダイオード素子２７に印加される電圧がほぼ０になり、ダイオード素子２ｂに所望の電圧を印加した状態で検査を行うことができる。
Specifically, it is preferable that the ratio of the Irr of the
図５からわかるように、保護ダイオード素子２７が高温になるほどＩｒｒが大きくなる。したがって、温度制御部１５によって保護ダイオード素子２７を加熱することにより、保護ダイオード素子２７のＩｒｒが大きくなるため、ダイオード素子２ｂの検査範囲を広げることができる。例えば、保護ダイオード素子２７が２５℃の場合には図５の破線で示すように良好に検査ができるＩｒｒ比の範囲は０．５以下であるが、保護ダイオード素子２７を１５０℃とすることにより、一点鎖線で示す範囲まで検査範囲を広げることができる。
As can be seen from FIG. 5, the higher the temperature of the
リカバリ電流の大きなダイオード素子は一般的な要求特性である損失が大きくなるため汎用品では出回ってないが、このように、保護ダイオード素子２７を加熱することにより、リカバリ電流を大きくして、ダイオード素子２ｂの検査範囲を広げることができる。
A diode element with a large recovery current is not available in general-purpose products because it has a large loss, which is a general required characteristic. However, by heating the
以上説明したように、本実施形態では、検査内容に応じて保護ダイオード素子２７の温度を制御し、特性を変化させることにより、検査装置１の損傷を低減し、あるいは、ＤＵＴ２の検査範囲を広げることができる。
As described above, in the present embodiment, the damage of the
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。第３実施形態は、第１実施形態に対してＤＵＴ２および検査回路の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
(Third Embodiment)
The third embodiment will be described. The third embodiment is the same as the first embodiment in that the configurations of the DUT2 and the inspection circuit are changed with respect to the first embodiment. Therefore, only the parts different from the first embodiment will be described. ..
本実施形態では、ＤＵＴ２は樹脂封止された半導体パッケージに含まれており、図６に示すように、プローブ１３はこの半導体パッケージのリード部分に接触している。
In the present embodiment, the
図７に示すように、本実施形態のＤＵＴ２は、互いに並列に接続されたＩＧＢＴ素子２ａおよびダイオード素子２ｂを備えるＲＣ−ＩＧＢＴ（Reverse-Conducting IGBT）とされている。ＩＧＢＴ素子２ａのコレクタ電極、エミッタ電極は、それぞれ、ダイオード素子２ｂのカソード電極、アノード電極に接続されている。
As shown in FIG. 7, the
ＤＵＴ２は、検査装置１とは別のＲＣ−ＩＧＢＴ素子３に接続されており、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３は、ＤＵＴ２と共に上下アームを構成している。本実施形態では、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３が上アームを構成し、ＤＵＴ２が下アームを構成している。
The
ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３は、ＤＵＴ２と同様に半導体パッケージに含まれており、図６に示すように、複数のプローブ１３の一部はＲＣ−ＩＧＢＴ素子３を含む半導体パッケージのリード部分に接触している。
The RC-
本実施形態の検査装置１はステージ１１を２つ備えており、一方のステージ１１の上面にはＤＵＴ２が載置され、他方のステージ１１の上面にはＲＣ−ＩＧＢＴ素子３が載置されている。また、ＤＵＴ２、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３が載置されたステージ１１の下部には、それぞれ、ヒータ１２、エアブロー１６が配置されている。エアブロー１６はＲＣ−ＩＧＢＴ素子３を冷却するためのものであり、エアブロー１６により、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３の温度は、ＤＵＴ２とは別に制御される。エアブロー１６は、温度制御部に相当する。
The
本実施形態では、ダイオード素子２ｂのリカバリ特性等を検査するための検査回路がテスタ１０に形成されている。具体的には、図７に示すように、この検査回路は、ＤＵＴ２と、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３と、電源２０と、保護スイッチング素子２１と、コイル２３と、ゲートドライバ２５、２６と、コイル３０と、スイッチ３１、３２と、ゲートドライバ３３とで構成されている。なお、テスタ１０の内部には、図７の破線で囲まれた部分、すなわち、検査回路を構成するこれらの要素のうち、ＤＵＴ２およびＲＣ−ＩＧＢＴ素子３以外のものが配置されている。
In the present embodiment, an inspection circuit for inspecting the recovery characteristics of the
図７に示すように、電源２０には、保護スイッチング素子２１、コイル３０、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３、ＤＵＴ２が直列に接続されている。ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３は互いに並列に接続されたＩＧＢＴ素子３ａおよびダイオード素子３ｂを備えており、ＩＧＢＴ素子３ａのコレクタ電極、エミッタ電極は、それぞれ、ダイオード素子３ｂのカソード電極、アノード電極に接続されている。保護スイッチング素子２１のエミッタ電極はコイル３０を介してＩＧＢＴ素子３ａのコレクタ電極に接続されており、ＩＧＢＴ素子３ａのエミッタ電極はＩＧＢＴ素子２ａのコレクタ電極に接続されている。また、ＩＧＢＴ素子２ａのエミッタ電極は電源２０の負極すなわちグランドに接続されている。
As shown in FIG. 7, the
そして、コイル３０、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３、ＤＵＴ２と並列となるように、スイッチ３１およびスイッチ３２が配置されている。スイッチ３１は、保護スイッチング素子２１のエミッタ電極に接続されており、スイッチ３２は電源２０の負極すなわちグランドに接続されている。スイッチ３１、３２は、ＩＧＢＴ素子、ＭＯＳ素子等の半導体スイッチング素子や、メカニカルリレーによって構成されている。
The
また、スイッチ３１とスイッチ３２との間の接続点と、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３とＤＵＴ２との間の接続点を接続するように、コイル２３が配置されている。ＩＧＢＴ素子３ａのゲート電極にはゲートドライバ３３が接続されている。
Further, the
このような検査回路では、保護スイッチング素子２１をオンにした状態で、ＩＧＢＴ素子２ａ、３ａ、スイッチ３１、３２のオン、オフを制御してＤＵＴ２に流れる電流や電圧を変化させることによって、ＤＵＴ２の特性検査を行う。
In such an inspection circuit, the
すなわち、主としてＤＵＴ２におけるダイオード素子２ｂのリカバリ特性を検査する場合には、スイッチ３１をオフすると共にスイッチ３２をオンし、ＤＵＴ２のＩＧＢＴ素子２ａをオフした状態でＲＣ−ＩＧＢＴ素子３のＩＧＢＴ素子３ａを駆動制御すればよい。
That is, when mainly inspecting the recovery characteristics of the
また、主としてＤＵＴ２におけるＩＧＢＴ素子２ａの特性を検査する場合には、スイッチ３１をオンすると共にスイッチ３２をオフした状態でＤＵＴ２のＩＧＢＴ素子２ａを駆動制御すればよい。
Further, when mainly inspecting the characteristics of the
このような検査回路において、ダイオード素子２ｂのリカバリ破壊が生じた場合には、上下アームに短絡電流が流れるため、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３も破壊されるおそれがある。したがって、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３の破壊を抑制するためには、ＤＵＴ２の破壊が検出された場合に、ＩＧＢＴ素子３ａを短時間でオフ状態にする必要がある。
In such an inspection circuit, when recovery destruction of the
本実施形態では、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３をエアブロー１６によって冷却し、低温状態に保持することで、第１実施形態と同様にＩＧＢＴ素子３ａの電流遮断時間を短くすることができる。これにより、ＤＵＴ２の破壊が検出された場合に、ＩＧＢＴ素子３ａを短時間でオフ状態にして、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子３の短絡破壊を抑制することができる。
In the present embodiment, the RC-
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately modified within the scope of the claims.
例えば、上記第１、第３実施形態において、温度制御部としてペルチェ素子、恒温槽等を用いてもよい。なお、温度制御部として恒温槽を用いる場合には、温度制御部はテスタ１０の外部に配置される。また、温度制御部が複数の回路素子の温度を制御してもよい。
For example, in the first and third embodiments, a Peltier element, a constant temperature bath, or the like may be used as the temperature control unit. When a constant temperature bath is used as the temperature control unit, the temperature control unit is arranged outside the
また、ＤＵＴ２を樹脂封止された半導体パッケージに含まれた状態として上記第１、第２実施形態における検査回路を構成してもよい。また、ＤＵＴ２をベアチップとして上記第３実施形態における検査回路を構成してもよい。
Further, the inspection circuit according to the first and second embodiments may be configured with the
１ 検査装置
１４ エアブロー
１５ 温度制御部
１６ エアブロー
２１ 保護スイッチング素子
２７ 保護ダイオード素子
２ ＤＵＴ
３ ＲＣ−ＩＧＢＴ素子
1
3 RC-IGBT element
Claims (18)
前記半導体素子は、スイッチング素子（２ａ）を備え、
前記回路素子は、前記スイッチング素子の出力に応じて前記半導体素子に流れる電流を遮断するためのスイッチング素子であり、
前記温度制御部は、前記回路素子を冷却して、前記回路素子の電流遮断時間を短くする半導体素子の検査装置。 A temperature control unit (14, 15, 16) that controls the temperature of the circuit element (21, 27, 3) constituting the inspection circuit together with the semiconductor element (2) to be inspected separately from the semiconductor element is provided .
The semiconductor element includes a switching element (2a).
The circuit element is a switching element for blocking the current flowing through the semiconductor element according to the output of the switching element.
The temperature control unit cools the circuit element, the inspection apparatus of semiconductor devices you reduce the current interruption time of the circuit element.
前記半導体素子は、ダイオード素子（２ｂ）を備え、
前記回路素子は、前記ダイオード素子と直列に接続された前記ダイオード素子よりも破壊耐量の大きいダイオード素子であり、
前記温度制御部は、前記回路素子を冷却して、前記回路素子のリカバリ電流の絶対値を小さくする半導体素子の検査装置。 A temperature control unit (14, 15, 16) that controls the temperature of the circuit element (21, 27, 3) constituting the inspection circuit together with the semiconductor element (2) to be inspected separately from the semiconductor element is provided .
The semiconductor element includes a diode element (2b).
The circuit element is a diode element having a larger breakdown resistance than the diode element connected in series with the diode element.
The temperature control unit cools the circuit element, the inspection apparatus of small to that semiconductor device the absolute value of the recovery current of the circuit element.
前記半導体素子は、互いに並列に接続されたスイッチング素子（２ａ）およびダイオード素子（２ｂ）を備え、
前記回路素子は、互いに並列に接続され、前記半導体素子と共に上下アームを構成するスイッチング素子（３ａ）およびダイオード素子（３ｂ）を備え、
前記温度制御部は、前記回路素子を冷却して、前記回路素子の電流遮断時間を短くする半導体素子の検査装置。 A temperature control unit (14, 15, 16) that controls the temperature of the circuit element (21, 27, 3) constituting the inspection circuit together with the semiconductor element (2) to be inspected separately from the semiconductor element is provided .
The semiconductor element includes a switching element (2a) and a diode element (2b) connected in parallel to each other.
The circuit elements are connected in parallel with each other and include a switching element (3a) and a diode element (3b) that together with the semiconductor element form an upper and lower arm.
The temperature control unit cools the circuit element, the inspection apparatus of semiconductor devices you reduce the current interruption time of the circuit element.
前記半導体素子は、ダイオード素子（２ｂ）を備え、
前記回路素子は、前記ダイオード素子と直列に接続された前記ダイオード素子よりも破壊耐量の大きいダイオード素子であり、
前記温度制御部は、前記回路素子を加熱して、前記回路素子のリカバリ電流の絶対値を大きくする半導体素子の検査装置。 A temperature control unit (14, 15, 16) that controls the temperature of the circuit element (21, 27, 3) constituting the inspection circuit together with the semiconductor element (2) to be inspected separately from the semiconductor element is provided .
The semiconductor element includes a diode element (2b).
The circuit element is a diode element having a larger breakdown resistance than the diode element connected in series with the diode element.
The temperature control unit heats the circuit element, the inspection apparatus of larger to that semiconductor device the absolute value of the recovery current of the circuit element.
前記半導体素子は、スイッチング素子（２ａ）を備え、
前記回路素子は、前記スイッチング素子の出力に応じて前記半導体素子に流れる電流を遮断するためのスイッチング素子であり、
前記制御することでは、前記回路素子を冷却して、前記回路素子の電流遮断時間を短くする半導体素子の検査方法。 It is provided that the temperature of the circuit element (21, 27, 3) constituting the inspection circuit together with the semiconductor element (2) to be inspected is controlled separately from the semiconductor element .
The semiconductor element includes a switching element (2a).
The circuit element is a switching element for blocking the current flowing through the semiconductor element according to the output of the switching element.
Wherein it is to control, by cooling the circuit element, a method of inspecting a semiconductor device you reduce the current interruption time of the circuit element.
前記半導体素子は、ダイオード素子（２ｂ）を備え、
前記回路素子は、前記半導体素子と直列に接続された前記半導体素子よりも破壊耐量の大きいダイオード素子であり、
前記制御することでは、前記回路素子を冷却して、前記回路素子のリカバリ電流の絶対値を小さくする半導体素子の検査方法。 It is provided that the temperature of the circuit element (21, 27, 3) constituting the inspection circuit together with the semiconductor element (2) to be inspected is controlled separately from the semiconductor element .
The semiconductor element includes a diode element (2b).
The circuit element is a diode element having a larger breakdown resistance than the semiconductor element connected in series with the semiconductor element.
Wherein it is to control, by cooling the circuit element, method for inspecting small to that semiconductor device the absolute value of the recovery current of the circuit element.
前記半導体素子は、互いに並列に接続されたスイッチング素子（２ａ）およびダイオード素子（２ｂ）を備え、
前記回路素子は、互いに並列に接続され、前記半導体素子と共に上下アームを構成するスイッチング素子（３ａ）およびダイオード素子（３ｂ）を備え、
前記制御することでは、前記回路素子を冷却して、前記回路素子の電流遮断時間を短くする半導体素子の検査方法。 It is provided that the temperature of the circuit element (21, 27, 3) constituting the inspection circuit together with the semiconductor element (2) to be inspected is controlled separately from the semiconductor element .
The semiconductor element includes a switching element (2a) and a diode element (2b) connected in parallel to each other.
The circuit elements are connected in parallel with each other and include a switching element (3a) and a diode element (3b) that together with the semiconductor element form an upper and lower arm.
Wherein it is to control, by cooling the circuit element, a method of inspecting a semiconductor device you reduce the current interruption time of the circuit element.
前記半導体素子は、ダイオード素子（２ｂ）を備え、
前記回路素子は、前記半導体素子と直列に接続された前記半導体素子よりも破壊耐量の大きいダイオード素子であり、
前記制御することでは、前記回路素子を加熱して、前記回路素子のリカバリ電流の絶対値を大きくする半導体素子の検査方法。 It is provided that the temperature of the circuit element (21, 27, 3) constituting the inspection circuit together with the semiconductor element (2) to be inspected is controlled separately from the semiconductor element .
The semiconductor element includes a diode element (2b).
The circuit element is a diode element having a larger breakdown resistance than the semiconductor element connected in series with the semiconductor element.
Wherein it is to control, by heating the circuit element, method for inspecting large to that semiconductor device the absolute value of the recovery current of the circuit element.
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