JP6788812B2 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6788812B2 JP6788812B2 JP2019138896A JP2019138896A JP6788812B2 JP 6788812 B2 JP6788812 B2 JP 6788812B2 JP 2019138896 A JP2019138896 A JP 2019138896A JP 2019138896 A JP2019138896 A JP 2019138896A JP 6788812 B2 JP6788812 B2 JP 6788812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heads
- region
- head
- exposure
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 148
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 31
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 25
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- 238000005339 levitation Methods 0.000 claims description 3
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 327
- 230000008569 process Effects 0.000 description 39
- 101150040334 KLHL25 gene Proteins 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 101100065246 Mus musculus Enc1 gene Proteins 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49004—Electrical device making including measuring or testing of device or component part
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Description
+(cosθz−sinθz)Y/√2+√2psinθz…(1)
C2=−(cosθz−sinθz)X/√2
−(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(2)
C3= (cosθz+sinθz)X/√2
−(cosθz−sinθz)Y/√2+√2psinθz…(3)
C4= (cosθz−sinθz)X/√2
+(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(4)
ただし、pは、図5に示されるように、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッドのX軸及びY軸方向に関する距離である。
D2= ptanθy+ptanθx+Z …(6)
D3= ptanθy−ptanθx+Z …(7)
D4=−ptanθy−ptanθx+Z …(8)
ただし、pは、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッドのX軸及びY軸方向に関する距離(図5参照)である。
Claims (39)
- 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系を支持するメトロロジーフレームを有するボディと、
前記投影光学系から離れて前記メトロロジーフレームに設けられ、前記基板のマークを検出するアライメント系と、
前記投影光学系の上方に配置され、前記照明光で照明されるマスクを保持する第1ステージと、前記第1ステージを駆動する第1モータを含む第1駆動系と、を有し、少なくとも前記投影光学系の光軸と直交する所定面内で前記第1ステージを移動可能な第1ステージシステムと、
前記第1ステージの位置情報を計測する第1エンコーダシステムと、
前記投影光学系および前記アライメント系の下方に配置され、前記基板を保持するホルダと、前記所定面内で互いに直交する第1、第2方向と交差する方向に関して前記ホルダを挟むように配置される第1、第2基準と、を含む第2ステージと、前記第2ステージを駆動する第2モータを含む第2駆動系と、を有する第2ステージシステムと、
前記第2ステージに設けられる4つのヘッドを有し、前記所定面と実質的に平行となるように前記メトロロジーフレームに設けられるスケール部材に対してその下方から、前記4つのヘッドを介してそれぞれ計測ビームを照射し、前記第2ステージの位置情報を計測する第2エンコーダシステムと、前記スケール部材は、前記基板の露光動作において第1移動領域内で移動される前記第2ステージが対向して配置される第1スケール板と、前記アライメント系による前記マークの検出動作において前記第1移動領域と異なる第2移動領域内で移動される前記第2ステージが対向して配置される第2スケール板と、を有し、前記第1スケール板は、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分と、前記4つの部分に実質的に囲まれる第1開口と、を有し、前記投影光学系が前記第1開口内に位置するように前記メトロロジーフレームに設けられ、前記第2スケール板は、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分と、前記4つの部分に実質的に囲まれる第2開口と、を有し、前記アライメント系が前記第2開口内に位置するように前記メトロロジーフレームに設けられ、
前記露光動作おいて、前記アライメント系の検出情報に基づいて前記マスクと前記基板とのアライメントが行われるとともに、前記第1方向を走査方向として前記照明光に対して前記マスクと前記基板をそれぞれ相対移動する走査露光が行われるように、前記第1、第2エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記第1、第2駆動系を制御する制御系と、を備え、
前記第1移動領域は、前記4つのヘッドのうち第1ヘッドを除く3つのヘッドがそれぞれ、前記第1スケール板の前記4つの部分のうち第1部分を除く3つの部分と対向する第1領域と、前記4つのヘッドのうち前記第1ヘッドと異なる第2ヘッドを除く3つのヘッドがそれぞれ、前記4つの部分のうち前記第1部分と異なる第2部分を除く3つの部分と対向する第2領域と、前記4つのヘッドのうち前記第1、第2ヘッドと異なる第3ヘッドを除く3つのヘッドがそれぞれ、前記4つの部分のうち前記第1、第2部分と異なる第3部分を除く3つの部分と対向する第3領域と、前記4つのヘッドのうち前記第1、第2、第3ヘッドと異なる第4ヘッドを除く3つのヘッドがそれぞれ、前記4つの部分のうち前記第1、第2、第3部分と異なる第4部分を除く3つの部分と対向する第4領域と、前記4つのヘッドがそれぞれ前記4つの部分と対向する第5領域と、を含み、
前記制御系は、前記検出動作において、前記アライメント系によって前記基板のマークおよび前記第1基準が検出されるとともに、前記露光動作において、前記第1、第2、第3、第4領域の1つから、前記第5領域を介して前記第1、第2、第3、第4領域うち前記1つの領域と異なる領域に前記第2ステージが移動されるように前記第2駆動系を制御し、前記1つの領域において、前記4つのヘッドの3つが前記第1スケール板の前記4つの部分の3つとそれぞれ対向し、前記第5領域において、前記4つのヘッドのうち前記1つの領域で用いられる前記3つのヘッドと異なる別のヘッドが、前記4つの部分のうち前記3つの部分と異なる別の部分と対向し、前記異なる領域において、前記1つの領域で用いられる前記3つのヘッドのうち1つのヘッドの代わりに前記別のヘッドが用いられるとともに、前記1つの領域で用いられる前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残り2つのヘッドがそのまま用いられ、前記残り2つのヘッドは、それぞれ、前記異なる領域において、前記1つの領域で対向する部分と同じ前記第1スケール板の部分に対向する露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記異なる領域において、前記1つの領域で用いられる前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残り2つのヘッド、および前記別のヘッドを含む3つのヘッドが、前記第1スケール板の前記4つの部分のうち、前記別の部分を含む、前記1つの領域で前記1つのヘッドが対向する1つの部分を除く3つの部分と対向する露光装置。 - 請求項1または2に記載の露光装置において、
前記1つのヘッドは、前記異なる領域の一部において、前記第1スケール板の前記4つの部分のうち前記1つの領域で前記1つのヘッドが対向する前記1つの部分と対向せず、前記別のヘッドは、前記1つの領域の一部において、前記第1スケール板の前記4つの部分のうち前記異なる領域で前記別のヘッドが対向する前記別の部分と対向しない露光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記制御系は、前記第5領域を介して前記1つの領域から前記異なる領域への前記第2ステージの移動に際して、前記第2ステージの駆動制御に用いる前記1つのヘッドを前記別のヘッドに切り換える露光装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記制御系は、前記第2ステージが前記第5領域にいる間に前記1つのヘッドを前記別のヘッドに切り換える露光装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記制御系は、前記第5領域を介して前記1つの領域から前記異なる領域への前記第2ステージの移動に際して、前記1つの領域で用いられる3つのヘッドから得られる位置情報に基づいて、前記異なる領域で用いられる前記別のヘッドから得られる位置情報の補正情報を取得する露光装置。 - 請求項6に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記1つの領域で用いられる3つのヘッドから得られる位置情報と、前記異なる領域で用いられる、前記別のヘッドを含む3つのヘッドから得られる位置情報との差を補償するためのオフセットを含む露光装置。 - 請求項6または7に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記異なる領域で前記第2ステージが移動される、前記露光動作の一部で用いられる露光装置。 - 請求項6〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記異なる領域において、前記1つの領域で用いられる3つのヘッドから得られる位置情報に基づく前記第2ステージの駆動制御の代わりに、前記異なる領域で用いられる、前記別のヘッドを含む3つのヘッドから得られる位置情報に基づく前記第2ステージの駆動制御を行うことによって生じる前記第2エンコーダシステムの計測誤差を補償するために用いられる露光装置。 - 請求項6〜9のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記第2ステージが前記第5領域にいる間に取得される露光装置。 - 請求項9に記載の露光装置において、
前記制御系は、前記4つのヘッドが前記第1スケール板の前記4つの部分とそれぞれ対向している間に、前記1つの領域で用いられる3つのヘッドから得られる位置情報補に基づく前記第2ステージの駆動制御を、前記異なる領域で用いられる、前記別のヘッドを含む3つのヘッドから得られる位置情報に基づく前記第2ステージの駆動制御に切り換える露光装置。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2スケール板はそれぞれ、前記反射型格子が2次元格子であるとともに、前記メトロロジーフレームに吊り下げ支持される露光装置。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2スケール板は、前記反射型格子が実質的に同一面となるように設けられる露光装置。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2スケール板はそれぞれ、前記4つの部分がそれぞれL字状であるとともに、前記反射型格子が前記所定面内で前記第1、第2方向に対して45°回転した2方向に関して周期的である露光装置。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2スケール板はそれぞれ、前記4つの部分の外縁に非有効領域を有する露光装置。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記4つのヘッドは、前記第1方向に関して、前記4つのヘッドのうち2つのヘッドの間隔が前記第1、第2開口の幅より大きく、かつ前記第2方向に関して、前記4つのヘッドのうち2つのヘッドの間隔が前記第1、第2開口の幅より大きくなるように前記第2ステージに設けられる露光装置。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2エンコーダシステムは、前記第1、第2方向と、前記所定面と直交する第3方向と、を含む6自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報を計測可能であり、
前記4つのヘッドはそれぞれ、前記所定面と平行な方向および前記所定面と垂直な方向の2方向に関する前記第2ステージの位置情報を計測可能である露光装置。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2エンコーダシステムは、前記4つのヘッドと異なるとともに、前記4つのヘッドにそれぞれ近接して配置される少なくとも1つのヘッドを有する露光装置。 - 請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記制御系は、前記第1、第2スケール板の製造誤差と、前記第2ステージの加速度と、前記ヘッドの位置又は傾きとの少なくとも1つに起因して生じる前記第2エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ前記第2ステージの移動を制御する露光装置。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ボディは、前記第2ステージが配置されるベース部材を有し、
前記第2ステージシステムは、前記ベース部材上に配置される、前記第2ステージと異なる第2ステージを有し、
前記第2エンコーダシステムは、前記異なる第2ステージに設けられる、前記4つのヘッドと異なる4つのヘッドを有し、前記異なる4つのヘッドの少なくとも3つによって、前記異なる第2ステージの位置情報を計測する露光装置。 - 請求項20に記載の露光装置において、
前記第2モータは、前記ベース部材上で前記2つの第2ステージを浮上支持する磁気浮上方式の平面モータを含み、前記平面モータによって、前記検出動作に続けて前記露光動作が行われるように前記2つの第2ステージがそれぞれ前記第2移動領域から前記第1移動領域に移動される露光装置。 - 請求項21に記載の露光装置において、
前記平面モータは、前記ベース部材と前記2つの第2ステージとの一方に設けられる磁石ユニットと、前記ベース部材と前記2つの第2ステージとの他方に設けられるコイルユニットと、を有し、
前記ベース部材は、前記2つの第2ステージの移動によって生じる反力で移動可能となるように構成されるカウンターマスとして用いられる露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜22のいずれか一項に記載の露光装置を用いてウエハを露光することと、
前記露光されたウエハを現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 請求項23に記載のデバイス製造方法において、
前記露光装置は液浸型である。 - 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系の上方に配置される第1ステージによって、前記照明光で照明されるマスクを保持することと、前記第1ステージは、少なくとも前記投影光学系の光軸と直交する所定面内で移動可能であり、
前記投影光学系、および前記投影光学系から離れて前記投影光学系を支持するメトロロジーフレームに設けられ、前記基板のマークを検出するアライメント系の下方に配置される第2ステージによって前記基板を保持することと、前記第2ステージは、前記基板を保持するホルダと、前記所定面内で互いに直交する第1、第2方向と交差する方向に関して前記ホルダを挟むように配置される第1、第2基準と、を有し、
第1、第2エンコーダシステムによって前記第1、第2ステージの位置情報をそれぞれ計測することと、前記第2エンコーダシステムは、前記第2ステージに設けられる4つのヘッドを有し、前記所定面と実質的に平行となるように前記メトロロジーフレームに設けられるスケール部材に対してその下方から、前記4つのヘッドを介してそれぞれ計測ビームを照射し、前記スケール部材は、前記基板の露光動作において第1移動領域内で移動される前記第2ステージが対向して配置される第1スケール板と、前記アライメント系による前記マークの検出動作において前記第1移動領域と異なる第2移動領域内で移動される前記第2ステージが対向して配置される第2スケール板と、を有し、前記第1スケール板は、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分と、前記4つの部分に実質的に囲まれる第1開口と、を有し、前記投影光学系が前記第1開口内に位置するように前記メトロロジーフレームに設けられ、前記第2スケール板は、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分と、前記4つの部分に実質的に囲まれる第2開口と、を有し、前記アライメント系が前記第2開口内に位置するように前記メトロロジーフレームに設けられ、
前記検出動作において、前記アライメント系によって前記基板のマークおよび前記第1基準が検出されるように、前記第2移動領域内で前記第2ステージを移動することと、
前記露光動作おいて、前記アライメント系の検出情報に基づいて前記マスクと前記基板とのアライメントが行われるとともに、前記第1方向を走査方向として前記照明光に対して前記マスクと前記基板をそれぞれ相対移動する走査露光が行われるように、前記第1移動領域内で、前記第1、第2エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記第1、第2ステージを移動することと、を含み、
前記第1移動領域は、前記4つのヘッドのうち第1ヘッドを除く3つのヘッドがそれぞれ、前記第1スケール板の前記4つの部分のうち第1部分を除く3つの部分と対向する第1領域と、前記4つのヘッドのうち前記第1ヘッドと異なる第2ヘッドを除く3つのヘッドがそれぞれ、前記4つの部分のうち前記第1部分と異なる第2部分を除く3つの部分と対向する第2領域と、前記4つのヘッドのうち前記第1、第2ヘッドと異なる第3ヘッドを除く3つのヘッドがそれぞれ、前記4つの部分のうち前記第1、第2部分と異なる第3部分を除く3つの部分と対向する第3領域と、前記4つのヘッドのうち前記第1、第2、第3ヘッドと異なる第4ヘッドを除く3つのヘッドがそれぞれ、前記4つの部分のうち前記第1、第2、第3部分と異なる第4部分を除く3つの部分と対向する第4領域と、前記4つのヘッドがそれぞれ前記4つの部分と対向する第5領域と、を含み、
前記露光動作において、前記第2ステージは、前記第1、第2、第3、第4領域の1つから、前記第5領域を介して前記第1、第2、第3、第4領域うち前記1つの領域と異なる領域に移動され、前記1つの領域において、前記4つのヘッドの3つが前記第1スケール板の前記4つの部分の3つとそれぞれ対向し、前記第5領域において、前記4つのヘッドのうち前記1つの領域で用いられる前記3つのヘッドと異なる別のヘッドが、前記4つの部分のうち前記3つの部分と異なる別の部分と対向し、前記異なる領域において、前記1つの領域で用いられる前記3つのヘッドのうち1つのヘッドの代わりに前記別のヘッドが用いられるとともに、前記1つの領域で用いられる前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残り2つのヘッドがそのまま用いられ、前記残り2つのヘッドは、それぞれ、前記異なる領域において、前記1つの領域で対向する部分と同じ前記第1スケール板の部分に対向する露光方法。 - 請求項25に記載の露光方法において、
前記異なる領域において、前記1つの領域で用いられる前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残り2つのヘッド、および前記別のヘッドを含む3つのヘッドが、前記第1スケール板の前記4つの部分のうち、前記別の部分を含む、前記1つの領域で前記1つのヘッドが対向する1つの部分を除く3つの部分と対向する露光方法。 - 請求項25または26に記載の露光方法において、
前記1つのヘッドは、前記異なる領域の一部において、前記第1スケール板の前記4つの部分のうち前記1つの領域で前記1つのヘッドが対向する前記1つの部分と対向せず、前記別のヘッドは、前記1つの領域の一部において、前記第1スケール板の前記4つの部分のうち前記異なる領域で前記別のヘッドが対向する前記別の部分と対向しない露光方法。 - 請求項25〜27のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第5領域を介して前記1つの領域から前記異なる領域への前記第2ステージの移動に際して、前記第2ステージの駆動制御に用いる前記1つのヘッドが前記別のヘッドに切り換えられる露光方法。 - 請求項25〜28のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第2ステージが前記第5領域にいる間に前記1つのヘッドが前記別のヘッドに切り換えられる露光方法。 - 請求項25〜29のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第5領域を介して前記1つの領域から前記異なる領域への前記第2ステージの移動に際して、前記1つの領域で用いられる3つのヘッドから得られる位置情報に基づいて、前記異なる領域で用いられる前記別のヘッドから得られる位置情報の補正情報が取得される露光方法。 - 請求項30に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記1つの領域で用いられる3つのヘッドから得られる位置情報と、前記異なる領域で用いられる、前記別のヘッドを含む3つのヘッドから得られる位置情報との差を補償するためのオフセットを含む露光方法。 - 請求項30または31に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記異なる領域で前記第2ステージが移動される、前記露光動作の一部で用いられる露光方法。 - 請求項30〜32のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記異なる領域において、前記1つの領域で用いられる3つのヘッドから得られる位置情報に基づく前記第2ステージの駆動制御の代わりに、前記異なる領域で用いられる、前記別のヘッドを含む3つのヘッドから得られる位置情報に基づく前記第2ステージの駆動制御を行うことによって生じる前記第2エンコーダシステムの計測誤差を補償するために用いられる露光方法。 - 請求項30〜33のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記第2ステージが前記第5領域にいる間に取得される露光方法。 - 請求項25〜34のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記4つのヘッドが前記第1スケール板の前記4つの部分とそれぞれ対向している間に、前記1つの領域で用いられる3つのヘッドから得られる位置情報補に基づく前記第2ステージの駆動制御が、前記異なる領域で用いられる、前記別のヘッドを含む3つのヘッドから得られる位置情報に基づく前記第2ステージの駆動制御に切り換えられる露光方法。 - 請求項25〜35のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2スケール板はそれぞれ、前記反射型格子が2次元格子であるとともに、前記反射型格子が実質的に同一面となるように前記メトロロジーフレームに吊り下げ支持される露光方法。 - 請求項25〜36のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記4つのヘッドは、前記第1方向に関して、前記4つのヘッドのうち2つのヘッドの間隔が前記第1、第2開口の幅より大きく、かつ前記第2方向に関して、前記4つのヘッドのうち2つのヘッドの間隔が前記第1、第2開口の幅より大きくなるように前記第2ステージに設けられる露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項25〜37のいずれか一項に記載の露光方法を用いてウエハを露光することと、
前記露光されたウエハを現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 請求項38に記載のデバイス製造方法において、
前記ウエハの露光では液浸型の露光装置が用いられる。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020171916A JP6948581B2 (ja) | 2009-08-25 | 2020-10-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23670109P | 2009-08-25 | 2009-08-25 | |
US61/236,701 | 2009-08-25 | ||
US12/859,983 US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-20 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US12/859,983 | 2010-08-20 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018016060A Division JP6566389B2 (ja) | 2009-08-25 | 2018-02-01 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020171916A Division JP6948581B2 (ja) | 2009-08-25 | 2020-10-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019197229A JP2019197229A (ja) | 2019-11-14 |
JP6788812B2 true JP6788812B2 (ja) | 2020-11-25 |
Family
ID=43625431
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010187025A Active JP5637495B2 (ja) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014045897A Active JP6035686B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-03-10 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002607A Active JP6035691B2 (ja) | 2009-08-25 | 2015-01-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015121609A Active JP6035694B2 (ja) | 2009-08-25 | 2015-06-17 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004156A Active JP6107980B2 (ja) | 2009-08-25 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016218369A Active JP6292547B2 (ja) | 2009-08-25 | 2016-11-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018016060A Active JP6566389B2 (ja) | 2009-08-25 | 2018-02-01 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2019138896A Active JP6788812B2 (ja) | 2009-08-25 | 2019-07-29 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2020171916A Active JP6948581B2 (ja) | 2009-08-25 | 2020-10-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010187025A Active JP5637495B2 (ja) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014045897A Active JP6035686B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-03-10 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002607A Active JP6035691B2 (ja) | 2009-08-25 | 2015-01-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015121609A Active JP6035694B2 (ja) | 2009-08-25 | 2015-06-17 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004156A Active JP6107980B2 (ja) | 2009-08-25 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016218369A Active JP6292547B2 (ja) | 2009-08-25 | 2016-11-08 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018016060A Active JP6566389B2 (ja) | 2009-08-25 | 2018-02-01 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020171916A Active JP6948581B2 (ja) | 2009-08-25 | 2020-10-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (11) | US8493547B2 (ja) |
EP (5) | EP3054354B1 (ja) |
JP (9) | JP5637495B2 (ja) |
KR (8) | KR101680546B1 (ja) |
CN (4) | CN104678718A (ja) |
HK (8) | HK1222714A1 (ja) |
TW (7) | TWI628518B (ja) |
WO (1) | WO2011024985A1 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
NL2006699A (en) * | 2010-06-03 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | Stage apparatus and lithographic apparatus comprising such stage apparatus. |
JP5756267B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2015-07-29 | オリンパス株式会社 | エンコーダ用信号処理回路 |
NL2007818A (en) | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Asml Netherlands Bv | Method of updating calibration data and a device manufacturing method. |
US9778579B2 (en) | 2011-11-10 | 2017-10-03 | Nikon Corporation | System and method for controlling a temperature of a reaction assembly |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
CN103246172B (zh) * | 2012-02-10 | 2016-12-28 | 约翰内斯﹒海德汉博士有限公司 | 具有位置测量装置的多个扫描单元的装置 |
DE102012210309A1 (de) * | 2012-06-19 | 2013-12-19 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Positionsmesseinrichtung |
EP3723111B1 (en) * | 2012-10-02 | 2021-09-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
EP3611572B1 (en) | 2013-06-28 | 2023-04-05 | Nikon Corporation | Mobile body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP6223091B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-11-01 | 株式会社Screenホールディングス | 位置計測装置、アライメント装置、パターン描画装置および位置計測方法 |
CN104865798B (zh) * | 2014-02-21 | 2017-07-11 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法 |
JP6488073B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2019-03-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ステージ装置およびそれを用いた荷電粒子線装置 |
KR101947049B1 (ko) * | 2014-07-16 | 2019-05-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TWI840811B (zh) * | 2015-02-23 | 2024-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法 |
EP3264030B1 (en) | 2015-02-23 | 2020-07-22 | Nikon Corporation | Measurement device, lithography system and exposure device, and device manufacturing method |
EP4300194A3 (en) | 2015-02-23 | 2024-04-10 | Nikon Corporation | Measurement device, lithography system and exposure apparatus, and control method, overlay measurement method and device manufacturing method |
US10593514B2 (en) | 2015-06-08 | 2020-03-17 | Nikon Corporation | Charged particle beam irradiation apparatus and device manufacturing method |
CN108139681B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-09-14 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
CN108139683B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-11-05 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
CN113267964B (zh) | 2015-09-30 | 2023-05-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
US10514617B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-12-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, manufacturing method of flat-panel display, device manufacturing method, and exposure method |
CN111650818B (zh) * | 2015-09-30 | 2024-03-15 | 株式会社尼康 | 曝光装置、平面显示器的制造方法、及组件制造方法 |
JP6925783B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2021-08-25 | 株式会社アドテックエンジニアリング | パターン描画装置及びパターン描画方法 |
EP3506012A4 (en) * | 2016-08-24 | 2020-04-15 | Nikon Corporation | MEASURING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP6752450B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-09-09 | 株式会社ニコン | 移動体装置、移動方法、露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、並びにデバイス製造方法 |
US10852647B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-12-01 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, moving method, exposure apparatus, exposure method, flat-panel display manufacturing method , and device manufacturing method |
US10649348B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-05-12 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, moving method, exposure apparatus, exposure method, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method |
KR102307527B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2021-10-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 이동 방법, 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN106773525B (zh) * | 2017-03-01 | 2020-06-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 掩模板、对位方法、显示面板、显示装置及其对盒方法 |
CN109856929B (zh) * | 2017-11-30 | 2020-06-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 信号处理装置及处理方法、对准系统及对准方法和光刻机 |
US11594395B2 (en) * | 2018-04-20 | 2023-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Pixel shape and section shape selection for large active area high speed detector |
US10707175B2 (en) * | 2018-05-22 | 2020-07-07 | Globalfoundries Inc. | Asymmetric overlay mark for overlay measurement |
CN108802085B (zh) * | 2018-06-15 | 2020-09-11 | 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 | 一种电气支撑设备的状态评估方法 |
US11209373B2 (en) * | 2019-06-21 | 2021-12-28 | Kla Corporation | Six degree of freedom workpiece stage |
TWI756984B (zh) * | 2020-12-14 | 2022-03-01 | 南亞科技股份有限公司 | 曝光機的操作方法 |
Family Cites Families (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4780617A (en) * | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
US5196745A (en) * | 1991-08-16 | 1993-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Magnetic positioning device |
KR100300618B1 (ko) * | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
US5696413A (en) | 1994-10-24 | 1997-12-09 | Aqua Magnetics, Inc. | Reciprocating electric generator |
WO1998024115A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-06-04 | Nikon Corporation | Dispositif d'alignement et procede d'exposition |
WO1998028665A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
IL138374A (en) * | 1998-03-11 | 2004-07-25 | Nikon Corp | An ultraviolet laser device and an exposure device that includes such a device |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000187338A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US6924884B2 (en) * | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
EP1111472B1 (en) * | 1999-12-22 | 2007-03-07 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a position detection system |
KR20010085493A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 시마무라 기로 | 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
KR100815222B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2008-03-19 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 리소그래피 장치 및 적어도 하나의 레티클 상에 형성된 적어도 두 개의 패턴으로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법 |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7025498B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
TWI295408B (en) * | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
JP2006013090A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
JP4656448B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 投影光学装置及び露光装置 |
US20060139595A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7349069B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
TW200702948A (en) * | 2005-04-21 | 2007-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method of and system for drawing |
US7348574B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) * | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
US7978339B2 (en) * | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
US7656501B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR101442381B1 (ko) | 2006-01-19 | 2014-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP5114021B2 (ja) | 2006-01-23 | 2013-01-09 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
CN101986209B (zh) * | 2006-02-21 | 2012-06-20 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
US8908145B2 (en) * | 2006-02-21 | 2014-12-09 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US7602489B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI454859B (zh) * | 2006-03-30 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法 |
US7483120B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
US20070281149A1 (en) | 2006-06-06 | 2007-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2065920B1 (en) * | 2006-08-31 | 2016-07-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CN102749813B (zh) * | 2006-09-01 | 2014-12-03 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、以及组件制造方法 |
SG183736A1 (en) * | 2006-09-01 | 2012-09-27 | Nikon Corp | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
US7619207B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7561280B2 (en) * | 2007-03-15 | 2009-07-14 | Agilent Technologies, Inc. | Displacement measurement sensor head and system having measurement sub-beams comprising zeroth order and first order diffraction components |
US7903866B2 (en) * | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) * | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8174671B2 (en) * | 2007-06-21 | 2012-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and method for controlling a support structure |
EP2177867B1 (en) * | 2007-07-18 | 2016-04-20 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) * | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
US8194232B2 (en) * | 2007-07-24 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method |
EP2184768B1 (en) * | 2007-07-24 | 2015-09-09 | Nikon Corporation | Mobile object driving method, mobile object driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus and device manufacturing method |
US8237919B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
WO2009028157A1 (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、並びにパターン形成方法及びパターン形成装置 |
NL1035987A1 (nl) * | 2007-10-02 | 2009-04-03 | Asml Netherlands Bv | Method for positioning an object by an electromagnetic motor, stage apparatus and lithographic apparatus. |
US8665455B2 (en) | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036180A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method. |
US8115906B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-02-14 | Nikon Corporation | Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
KR20100102580A (ko) * | 2007-12-17 | 2010-09-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
CN102566320B (zh) * | 2007-12-28 | 2015-01-28 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法 |
NL1036742A1 (nl) * | 2008-04-18 | 2009-10-20 | Asml Netherlands Bv | Stage system calibration method, stage system and lithographic apparatus comprising such stage system. |
US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8334983B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP2014045897A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Hds:Kk | ボード玩具 |
EP3723111B1 (en) | 2012-10-02 | 2021-09-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
-
2010
- 2010-08-20 US US12/859,983 patent/US8493547B2/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020157029938A patent/KR101680546B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 KR KR1020157002010A patent/KR101585837B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 KR KR1020157001710A patent/KR101606333B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 KR KR1020167032579A patent/KR101828592B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 WO PCT/JP2010/064663 patent/WO2011024985A1/en active Application Filing
- 2010-08-24 JP JP2010187025A patent/JP5637495B2/ja active Active
- 2010-08-24 CN CN201510107400.7A patent/CN104678718A/zh active Pending
- 2010-08-24 KR KR1020127004055A patent/KR101533142B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 KR KR1020147018871A patent/KR101539190B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-24 CN CN201510107386.0A patent/CN104698772B/zh active Active
- 2010-08-24 EP EP16156880.3A patent/EP3054354B1/en active Active
- 2010-08-24 CN CN201080037585.4A patent/CN102549501B/zh active Active
- 2010-08-24 CN CN201410492152.8A patent/CN104238283B/zh active Active
- 2010-08-24 EP EP14178301.9A patent/EP2808737B1/en active Active
- 2010-08-24 EP EP16156879.5A patent/EP3054353B1/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020177018815A patent/KR101917050B1/ko active Application Filing
- 2010-08-24 EP EP10752444.9A patent/EP2470962B1/en active Active
- 2010-08-24 EP EP18158079.6A patent/EP3352016B1/en active Active
- 2010-08-24 KR KR1020187031589A patent/KR101977007B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-25 TW TW106115209A patent/TWI628518B/zh active
- 2010-08-25 TW TW105125425A patent/TWI599857B/zh active
- 2010-08-25 TW TW103129830A patent/TWI559095B/zh active
- 2010-08-25 TW TW107145919A patent/TWI689793B/zh active
- 2010-08-25 TW TW107107276A patent/TWI649644B/zh active
- 2010-08-25 TW TW104123218A patent/TWI574120B/zh active
- 2010-08-25 TW TW099128361A patent/TWI497224B/zh active
-
2012
- 2012-11-20 HK HK16110753.8A patent/HK1222714A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-11-20 HK HK16110754.7A patent/HK1222715A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-11-20 HK HK12111801.2A patent/HK1171088A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-11-20 HK HK18110246.1A patent/HK1250795A1/zh unknown
-
2013
- 2013-06-19 US US13/921,502 patent/US9019472B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-10 JP JP2014045897A patent/JP6035686B2/ja active Active
- 2014-08-01 US US14/449,668 patent/US9081305B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002607A patent/JP6035691B2/ja active Active
- 2015-01-22 HK HK15100703.1A patent/HK1200543A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-03-18 US US14/661,964 patent/US9291917B2/en active Active
- 2015-03-18 US US14/661,903 patent/US9244367B2/en active Active
- 2015-06-12 HK HK15105600.4A patent/HK1205280A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-06-17 JP JP2015121609A patent/JP6035694B2/ja active Active
- 2015-07-27 HK HK15107117.6A patent/HK1206436A1/xx unknown
- 2015-07-27 HK HK15107120.1A patent/HK1206437A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-12-15 US US14/970,116 patent/US9389517B2/en active Active
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004156A patent/JP6107980B2/ja active Active
- 2016-02-10 US US15/040,875 patent/US9507267B2/en active Active
- 2016-06-14 US US15/182,166 patent/US9715176B2/en active Active
- 2016-11-08 JP JP2016218369A patent/JP6292547B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-21 US US15/628,982 patent/US9910361B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-24 US US15/878,545 patent/US10191383B2/en active Active
- 2018-02-01 JP JP2018016060A patent/JP6566389B2/ja active Active
- 2018-11-27 US US16/200,971 patent/US10401733B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-29 JP JP2019138896A patent/JP6788812B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-12 JP JP2020171916A patent/JP6948581B2/ja active Active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6788812B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6575829B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5757397B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190729 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6788812 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |