JP6781630B2 - テトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物、発光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

本発明は、各種の表示装置に好適な自己発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子に適した化合物と該素子に関するものであり、詳しくはテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物と、該化合物からなる発光材料と、該化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス素子は自己発光性素子であるので、液晶素子に比べて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であるため、活発な研究がなされてきた。

近年、素子の発光効率を上げる試みとして、燐光発光体を用いて燐光を発生させる、すなわち三重項励起状態からの発光を利用する素子が開発されている。励起状態の理論によれば、燐光発光を用いた場合には、従来の蛍光発光の約４倍の発光効率が可能になるという、顕著な発光効率の向上が期待される。
１９９３年にプリンストン大学のＭ．Ａ．Ｂａｌｄｏらは、イリジウム錯体を用いた燐光発光素子によって８％の外部量子効率を実現させた。
また、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）による発光を利用する素子も開発されている。２０１１年に九州大学の安達らは、熱活性化遅延蛍光材料を用いた素子によって５．３％の外部量子効率を実現させた（例えば、非特許文献１参照）。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以後、有機ＥＬ素子と略称する。）においては、正負の両電極より発光物質にキャリアを注入し、励起状態の発光物質を生成し、発光させる。通常、キャリア注入型の有機ＥＬ素子の場合、生成した励起子のうち、励起一重項状態に励起されるのは２５％であり、残り７５％は励起三重項状態に励起されると言われている。従って、励起三重項状態からの発光である燐光を利用するほうが、エネルギーの利用効率が高いことが考えられる。しかしながら、燐光は、励起三重項状態の寿命が長いため、励起状態の飽和や励起三重項状態の励起子との相互作用によるエネルギーの失活が起こるため、一般に量子収率が高くない場合が多い。
そこで、遅延蛍光を示す材料を利用する有機ＥＬ素子が考えられる。ある種の蛍光物質は、系間交差などにより励起三重項状態へとエネルギーが遷移した後、三重項−三重項消滅あるいは熱エネルギーの吸収により、励起一重項状態に逆系間交差され蛍光を放射する。有機ＥＬ素子においては、後者の熱活性化型の遅延蛍光を示す材料が特に有用であると考えられる。ここで、有機ＥＬ素子に遅延蛍光材料を利用した場合、励起一重項状態の励起子は通常通り蛍光を放射する。一方、励起三重項状態の励起子は、デバイスが発する熱を吸収して励起一重項へ系間交差され蛍光を放射する。この場合、励起一重項からの発光であるため蛍光と同波長での発光でありながら、励起三重項状態から励起一重項状態への逆系間交差により、生じる光の寿命、すなわち発光寿命は通常の蛍光や燐光よりも長くなるため、これらよりも遅延した蛍光として観察される。これを遅延蛍光として定義できる。このような熱活性化型の励起子移動機構を用いること、すなわち、キャリア注入後に熱エネルギーの吸収を経ることにより、通常は２５％しか生成しなかった励起一重項状態の化合物の比率を２５％以上に引き上げることが可能となる。１００℃未満の低い温度でも強い蛍光および遅延蛍光を発する化合物を用いれば、デバイスの熱で充分に励起三重項状態から励起一重項状態への系間交差が生じ、遅延蛍光を放射することから、発光効率が飛躍的に向上する（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。

電子輸送材として下記の一般式（Ｘ）で表されるテトラアザトリフェニレン構造を有する化合物が提案されている（例えば、特許文献３参照）。

（Ｘ）

しかしながら、これらの化合物自体を発光させる発光材料としての開示はなされておらず、遅延蛍光をもたらすことについては開示も示唆もなされていない。

特開２００４−２４１３７４号公報 特開２００６−０２４８３０号公報 特開２００５−２８１１３６号公報

Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，９８，０８３３０２（２０１１） Ｓｙｎｔｈ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１１，５１３（１９８１） Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．，１０１，０９３３０６（２０１２） Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，４８，１１３９２（２０１２） ＮＡＴＵＲＥ ４９２，２３５（２０１２） 有機ＥＬ討論会第１回例会予稿集、１９（２００５）

本発明の目的は、高効率の有機ＥＬ素子用の材料として、蛍光および遅延蛍光を放射する化合物を提供し、さらにこの化合物を用いて、有機フォトルミネッセンス素子（以後、有機ＰＬ素子と略称する。）や高効率、高輝度の有機ＥＬ素子を提供することにある。

そこで本発明者らは上記の目的を達成するために、テトラアザトリフェニレン環構造にカルバゾール環、フェノキサジン環、アクリダン環などの複素環構造、および／または、ジフェニルアミノ基などのジアリールアミノ基構造を有する化合物に着目し、理論計算より得られる励起三重項エネルギーと励起一重項エネルギーの差（ΔＥ_ＳＴ）および振動子強度（ｆ）を指標に化合物を設計して化学合成し、実際に発光（ＰＬ）スペクトルを測定することによって遅延蛍光を放射する新規なテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物を見出した。そして、該化合物を用いた種々の有機ＥＬ素子を試作し、素子の特性評価を鋭意行った結果、本発明を完成するに至った。

１）すなわち本発明は、下記一般式（１）で表される、テトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物である。

（１）

（式中、Ｘは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｙは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。Ｚ^１〜Ｚ^８は炭素原子もしくは窒素原子であり、Ｚ^１〜Ｚ^４の少なくとも１つが窒素原子であって、かつＺ^５〜Ｚ^８の少なくとも１つが窒素原子であるものとし、この場合の窒素原子はＲ^１〜Ｒ^６の水素原子もしくは置換基を有さないものとする。）

２）また本発明は、下記一般式（１ａ）で表される、上記１）記載のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物である。

（１ａ）

（式中、Ｘは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｙは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）

３）また本発明は、下記一般式（１ａ−１）で表される、上記１）記載のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物である。

（１ａ−１）

（式中、Ｘは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｙは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）

４）また本発明は、下記一般式（１ａ−２）で表される、上記１）記載のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物である。

（１ａ−２）

（式中、Ｘは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｙは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）

５）また本発明は、下記一般式（１ａ−３）で表される、上記１）記載のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物である。

（１ａ−３）

（式中、Ｘは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｙは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）

６）また本発明は、下記一般式（１ａ−４）で表される、上記１）記載のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物である。

（１ａ−４）

（式中、Ｘは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｙは水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）

７）また本発明は、前記一般式（１）において、Ｘ、Ｙが相互に同一でも異なってもよく、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、または芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基で置換されたジ置換アミノ基から選ばれる基である、上記１）記載のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物である。

８）また本発明は、上記１）記載のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物からなる発光材料である。

９）また本発明は、熱活性化遅延蛍光を放射することを特徴とする、上記８）記載の発光材料である。

１０）また本発明は、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記１）記載のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物が、少なくとも１つの有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。

１１）また本発明は、前記した有機層が発光層である上記１０）記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。

１２）また本発明は、遅延蛍光を放射することを特徴とする、上記１１）記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。

１３）また本発明は、前記した有機層が電子輸送層である上記１０）記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。

１４）また本発明は、前記した有機層が正孔阻止層である上記１０）記載の有機エレクトロルミネッセンス素子である。

一般式（１）中のＸで表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」としては、具体的に、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾアゼピニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノセレナジニル基、フェノチアジニル基、フェノテルラジニル基、フェノホスフィナジニル基およびカルボリニル基などをあげることができる。

一般式（１）中のＸで表される「置換芳香族炭化水素基」、「置換芳香族複素環基」または「置換縮合多環芳香族基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子、シアノ基、ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基；ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、カルボリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基などの芳香族複素環基；スチリル基、ナフチルビニル基などのアリールビニル基；アセチル基、ベンゾイル基などのアシル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基で置換されたジ置換アミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基；ジピリジルアミノ基、ジチエニルアミノ基などの芳香族複素環基で置換されたジ置換アミノ基；ジアリルアミノ基などのジアルケニルアミノ基；アルキル基、芳香族炭化水素基、縮合多環芳香族基、アラルキル基、芳香族複素環基またはアルケニル基から選択される置換基で置換されたジ置換アミノ基のような基をあげることができ、これらの置換基は、さらに前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＸで表される「芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」としては、上記の一般式（１）中のＸで表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」に関して示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの基は置換基を有していてもよく、置換基として、上記の一般式（１）中のＸで表される「置換芳香族炭化水素基」、「置換芳香族複素環基」または「置換縮合多環芳香族基」の「置換基」に関して示したものと同様のものをあげることができ、とりうる態様も、同様のものをあげることができる。

一般式（１）中のＸとしては、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」、「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」または「芳香族炭化水素基、もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基」であることが好ましく、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「芳香族炭化水素基で置換されたジ置換アミノ基」であることがより好ましく、特にカルバゾリル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、ジフェニルアミノ基であることが好ましい。ここで、アクリジニル基、フェナジニル基としては、９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジニル基、１０−フェニルフェナジニル基が好ましい。
また、これらの基が有する置換基としては、カルバゾリル基、芳香族炭化水素基で置換されたジ置換アミノ基が好ましく、カルバゾリル基、ジフェニルアミノ基がより好ましい。

一般式（１）中のＹで表される「置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基」、「置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基」または「置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基」における「炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基」、「炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基」または「炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基」としては、具体的に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基などをあげることができる。また、これらの基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＹで表される「置換基を有する炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基」、「置換基を有する炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基」または「置換基を有する炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子、シアノ基、ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基；ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、カルボリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基などの芳香族複素環基のような基をあげることができ、これらの置換基は、さらに前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＹで表される「置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基」または「置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基」における「炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基」または「炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基」としては、具体的に、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基などをあげることができる。また、これらの基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＹで表される「置換基を有する炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基」または「置換基を有する炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子、シアノ基、ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基；ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、カルボリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基などの芳香族複素環基のような基をあげることができ、これらの置換基は、さらに前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＹで表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」としては、上記の一般式（１）中のＸで表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」に関して示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの基は置換基を有していてもよく、置換基として、上記の一般式（１）中のＸで表される「置換芳香族炭化水素基」、「置換芳香族複素環基」または「置換縮合多環芳香族基」の「置換基」に関して示したものと同様のものをあげることができ、とりうる態様も、同様のものをあげることができる。

一般式（１）中のＹで表される「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」における「アリールオキシ基」としては、具体的に、フェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。

一般式（１）中のＹで表される「置換アリールオキシ基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基などのアラルキル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基；ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、カルボリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基などの芳香族複素環基；スチリル基、ナフチルビニル基などのアリールビニル基；アセチル基、ベンゾイル基などのアシル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基で置換されたジ置換アミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基；ジピリジルアミノ基、ジチエニルアミノ基などの芳香族複素環基で置換されたジ置換アミノ基；ジアリルアミノ基などのジアルケニルアミノ基；アルキル基、芳香族炭化水素基、縮合多環芳香族基、アラルキル基、芳香族複素環基またはアルケニル基から選択される置換基で置換されたジ置換アミノ基のような基をあげることができ、これらの置換基はさらに前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

一般式（１）中のＹで表される「芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」としては、上記の一般式（１）中のＸで表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」に関して示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの基は置換基を有していてもよく、置換基として、上記の一般式（１）中のＸで表される「置換芳香族炭化水素基」、「置換芳香族複素環基」または「置換縮合多環芳香族基」の「置換基」に関して示したものと同様のものをあげることができ、とりうる態様も、同様のものをあげることができる。

一般式（１）中のＹとしては、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」であることが好ましく、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」であることがより好ましく、特にフェノキサジニル基、フェノチアジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、または芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基で置換されたジ置換アミノ基を置換基として有するカルバゾリル基であることが好ましい。ここで、アクリジニル基、フェナジニル基としては、９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジニル基、１０−フェニルフェナジニル基が好ましい。
また、これらの基が有する置換基としては、カルバゾリル基、芳香族炭化水素基で置換されたジ置換アミノ基が好ましく、カルバゾリル基、ジフェニルアミノ基がより好ましい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基」、「置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基」または「置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基」における「炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基」、「炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基」または「炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基」としては、具体的に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基などをあげることができる。また、これらの基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「置換基を有する炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基」、「置換基を有する炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基」または「置換基を有する炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子、シアノ基、ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基；ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、カルボリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基などの芳香族複素環基のような基をあげることができ、これらの置換基は、さらに前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基」または「置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基」における「炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基」または「炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基」としては、具体的に、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基などをあげることができる。また、これらの基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「置換基を有する炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基」または「置換基を有する炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子、シアノ基、ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基；ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、カルボリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基などの芳香族複素環基のような基をあげることができ、これらの置換基は、さらに前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」としては、具体的に、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、およびカルボリニル基などをあげることができる。また、これらの基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「置換芳香族炭化水素基」、「置換芳香族複素環基」または「置換縮合多環芳香族基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基などのアラルキル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基；ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、カルボリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基などの芳香族複素環基；スチリル基、ナフチルビニル基などのアリールビニル基；アセチル基、ベンゾイル基などのアシル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基で置換されたジ置換アミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基；ジピリジルアミノ基、ジチエニルアミノ基などの芳香族複素環基で置換されたジ置換アミノ基；ジアリルアミノ基などのジアルケニルアミノ基；アルキル基、芳香族炭化水素基、縮合多環芳香族基、アラルキル基、芳香族複素環基またはアルケニル基から選択される置換基で置換されたジ置換アミノ基のような基をあげることができ、これらの置換基はさらに前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」における「アリールオキシ基」としては、具体的に、フェニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナントレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ペリレニルオキシ基などをあげることができる。また、これらの基同士が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「置換アリールオキシ基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基；メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基；ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基などのアラルキル基；フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基；フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基；ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、カルボリニル基、アクリジニル基、フェナジニル基などの芳香族複素環基；スチリル基、ナフチルビニル基などのアリールビニル基；アセチル基、ベンゾイル基などのアシル基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基で置換されたジ置換アミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基；ジピリジルアミノ基、ジチエニルアミノ基などの芳香族複素環基で置換されたジ置換アミノ基；ジアリルアミノ基などのジアルケニルアミノ基；アルキル基、芳香族炭化水素基、縮合多環芳香族基、アラルキル基、芳香族複素環基またはアルケニル基から選択される置換基で置換されたジ置換アミノ基のような基をあげることができ、これらの置換基はさらに前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基が単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。

一般式（１）中のＲ^１〜Ｒ^８で表される「芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」としては、上記の一般式（１）中のＸで表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」に関して示したものと同様の基をあげることができる。また、これらの基は置換基を有していてもよく、置換基として、上記の一般式（１）中のＸで表される「置換芳香族炭化水素基」、「置換芳香族複素環基」または「置換縮合多環芳香族基」の「置換基」に関して示したものと同様のものをあげることができ、とりうる態様も、同様のものをあげることができる。

本発明の一般式（１）において、Ｚ^１〜Ｚ^８は炭素原子もしくは窒素原子を表す。
ここで、Ｚ^１〜Ｚ^４のいずれか１〜３個が窒素原子であるものとし、また、Ｚ^５〜Ｚ^８のいずれか１〜４個が窒素原子であるものとする。
この場合、Ｚ^１〜Ｚ^４のいずれか１つが窒素原子である場合、Ｒ^３の水素原子もしくは置換基が存在しないことを表し、Ｚ^１〜Ｚ^４のいずれか２つが窒素原子である場合、Ｒ^２、Ｒ^３の水素原子もしくは置換基が存在しないことを表し、Ｚ^１〜Ｚ^４のいずれか３つが窒素原子である場合、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３の水素原子もしくは置換基が存在しないことを表す。
同様に、Ｚ^５〜Ｚ^８のいずれか１つが窒素原子である場合、Ｒ^４の水素原子もしくは置換基が存在しないことを表し、Ｚ^５〜Ｚ^８のいずれか２つが窒素原子である場合、Ｒ^４、Ｒ^５の水素原子もしくは置換基が存在しないことを表し、Ｚ^５〜Ｚ^８のいずれか３つが窒素原子である場合、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６の水素原子もしくは置換基が存在しないことを表し、Ｚ^５〜Ｚ^８のいずれか４つが窒素原子である場合、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＹの水素原子もしくは置換基が存在しないことを表す。
本発明の一般式（１）において、Ｚ^１〜Ｚ^４のいずれか１つが窒素原子であって、Ｚ^５〜Ｚ^８のいずれか１つが窒素原子であるものが好ましく、Ｚ^４およびＺ^５が窒素原子であるものがより好ましい。

本発明の一般式（１）で表される、テトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物は、理論計算より得られる励起三重項エネルギーと励起一重項エネルギーの差（ΔＥ_ＳＴ）が小さく、かつ、振動子強度（ｆ）が比較的大きいため、発光効率が高く、かつ、遅延蛍光を放射することができ、また、薄膜状態が安定である。

本発明の一般式（１）で表される、テトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物は、有機ＥＬ素子の発光層の構成材料として使用することができる。遅延蛍光を放射する本発明の化合物を用いることにより、発光効率が飛躍的に向上するという作用を有する。

本発明の一般式（１）で表される、テトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物は、有機ＥＬ素子の電子輸送層の構成材料として使用することができる。従来の材料に比べて電子の注入・移動速度の高い材料を用いることにより、電子輸送層から発光層への電子輸送効率が向上して、発光効率が向上するとともに、駆動電圧が低下して、有機ＥＬ素子の耐久性が向上するという作用を有する。

本発明の一般式（１）で表される、テトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物は、有機ＥＬ素子の正孔阻止層の構成材料としても使用することができる。優れた正孔の阻止能力とともに従来の材料に比べて電子輸送性に優れ、かつ薄膜状態の安定性の高い材料を用いることにより、高い発光効率を有しながら、駆動電圧が低下し、電流耐性が改善されて、有機ＥＬ素子の最大発光輝度が向上するという作用を有する。

本発明のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物は、有機ＥＬ素子の発光層の発光材料（ドーパント化合物）あるいは電子輸送層または正孔阻止層の構成材料として有用であり、遅延蛍光を放射することができ、薄膜状態が安定で、耐熱性に優れている。該化合物を用いて有機ＥＬ素子を作製することにより、高効率、高輝度、低駆動電圧の有機ＥＬ素子を得ることができる。

本発明実施例１の化合物（化合物１）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。 本発明実施例２の化合物（化合物３５）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。 本発明実施例３の化合物（化合物４）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。 本発明実施例４の化合物（化合物３）の^１Ｈ−ＮＭＲチャート図である。 実施例１２、比較例１のＥＬ素子構成を示した図である。

本発明のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物は、例えば、以下のように合成できる。まず、１，１０−フェナントロリンに臭素、Ｎ−ブロモコハク酸イミドなどによるブロモ化を行うことによってブロモ基を導入した後、臭化カリウムと硫酸−硝酸混合液を反応させることによって、ブロモ基を有する１，１０−フェナントロリン−５，６−ジオンを合成し、さらに、エチレンジアミンを反応させることによって、ブロモ基を有するテトラアザトリフェニレン誘導体を合成することができる。このブロモ基を有するテトラアザトリフェニレン誘導体と含窒素複素環などのアミン類とのブッフバルド・ハートウィッグ反応などの縮合反応、もしくは、相当するハロゲン化アリールから合成されるホウ酸エステル化体とのＳｕｚｕｋｉカップリングなどのクロスカップリング反応（例えば、非特許文献２参照）を行うことによって、本発明のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物を合成することができる。

また、１，１０−フェナントロリン−５，６−ジオンとエチレンジアミンを反応させることによって、テトラアザトリフェニレンをまず合成した後に、Ｎ−ブロモコハク酸イミドなどによるブロモ化を行うことによって、ブロモ基を有するテトラアザトリフェニレン誘導体を合成し、上記同様、Ｓｕｚｕｋｉカップリングなどのクロスカップリング反応もしくはブッフバルド・ハートウィッグ反応などの縮合反応を行うことによって、本発明のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物を合成することができる。
なお、ブロモ化の試薬、条件を変更することによって、置換位置の異なるブロモ置換体を得ることができる。
同様に、出発物質である１，１０−フェナントロリンに代えて、１，１０−フェナントロリンの同族体である、フェナントロリン環上の窒素の位置が異なる異性体を用いることによって、テトラアザトリフェニレン環上の窒素の位置が異なる本発明のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物を合成することができる。

一般式（１）で表されるテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物の中で、好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明は、これらの化合物に限定されるものではない。

（化合物１）

（化合物２）

（化合物３）

（化合物４）

（化合物５）

（化合物６）

（化合物７）

（化合物８）

（化合物９）

（化合物１０）

（化合物１１）

（化合物１２）

（化合物１３）

（化合物１４）

（化合物１５）

（化合物１６）

（化合物１７）

（化合物１８）

（化合物１９）

（化合物２０）

（化合物２１）

（化合物２２）

（化合物２３）

（化合物２４）

（化合物２５）

（化合物２６）

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（化合物２８）

（化合物２９）

（化合物３０）

（化合物３１）

（化合物３２）

（化合物３３）

（化合物３４）

（化合物３５）

（化合物３６）

（化合物３７）

（化合物３８）

（化合物３９）

（化合物４０）

（化合物４１）

（化合物４２）

（化合物４３）

（化合物４４）

（化合物４５）

（化合物４６）

（化合物４７）

（化合物４８）

（化合物４９）

（化合物５０）

（化合物５１）

（化合物５２）

（化合物５３）

（化合物５４）

（化合物５５）

（化合物５６）

（化合物５７）

（化合物５８）

（化合物５９）

（化合物６０）

（化合物６１）

（化合物６２）

（化合物６３）

（化合物６４）

（化合物６５）

（化合物６６）

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（化合物６８）

（化合物６９）

（化合物７０）

（化合物７１）

（化合物７２）

（化合物７３）

（化合物７４）

（化合物７５）

（化合物７６）

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（化合物７８）

（化合物７９）

（化合物８０）

（化合物８１）

（化合物８２）

（化合物８３）

（化合物８４）

（化合物８５）

（化合物８６）

（化合物８７）

（化合物８８）

（化合物８９）

（化合物９０）

（化合物９１）

（化合物９２）

（化合物９３）

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（化合物９５）

（化合物９６）

（化合物９７）

（化合物９８）

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（化合物１００）

（化合物１０１）

（化合物１０２）

（化合物１０３）

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（化合物１０５）

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（化合物１０８）

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（化合物１１０）

（化合物１１１）

（化合物１１２）

（化合物１１３）

（化合物１１４）

（化合物１１５）

（化合物１１６）

（化合物１１７）

（化合物１１８）

（化合物１１９）

（化合物１２０）

これらの化合物の精製はカラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土などによる吸着精製、溶媒による再結晶や晶析法、昇華精製法などによって行った。化合物の同定は、ＮＭＲ分析によって行った。物性値として、仕事関数の測定を行った。仕事関数は発光層の材料としてのエネルギー準位の指標、あるいは、正孔阻止能力の指標となるものである。

また仕事関数は、ＩＴＯ基板の上に１００ｎｍの薄膜を作製して、大気中光電子分光装置（理研計器製、ＡＣ−３型）を用いて測定した。

本発明の有機ＥＬ素子の構造としては、基板上に順次に、陽極、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極からなるもの、また、陽極と正孔輸送層の間に正孔注入層を有するもの、電子輸送層と陰極の間に電子注入層を有するもの、発光層と正孔輸送層の間に電子阻止層を有するものがあげられる。これらの多層構造においては有機層を何層か省略することが可能であり、例えば基板上に順次に、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を有する構成とすることもできる。

前記発光層、前記正孔輸送層、前記電子輸送層においては、それぞれが２層以上積層された構造であってもよい。

本発明の有機ＥＬ素子の陽極としては、ＩＴＯや金のような仕事関数の大きな電極材料が用いられる。本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入層として、銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物の他、ナフタレンジアミン誘導体、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体、分子中にトリフェニルアミン構造を３個以上、単結合またはヘテロ原子を含まない２価基で連結した構造を有するアリールアミン化合物などのトリフェニルアミン３量体および４量体、ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合物や塗布型の高分子材料を用いることができる。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。

本発明の有機ＥＬ素子の正孔輸送層として、ｍ−カルバゾリルフェニル基を含有する化合物の他、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン（ＴＰＤ）やＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニリルベンジジンなどのベンジジン誘導体、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、種々のトリフェニルアミン３量体および４量体やカルバゾール誘導体などを用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。また、正孔の注入・輸送層として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）／ポリ（スチレンスルフォネート）（ＰＳＳ）などの塗布型の高分子材料を用いることができる。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。

また、正孔注入層あるいは正孔輸送層において、該層に通常使用される材料に対し、さらにトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体（例えば、国際公開第２０１４／００９３１０号参照）などをＰドーピングしたものや、ＴＰＤなどのベンジジン誘導体の構造をその部分構造に有する高分子化合物などを用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子の電子阻止層として、４，４’,４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］フルオレン、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンタン（Ａｄ−Ｃｚ）などのカルバゾール誘導体、９−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−９−［４−（トリフェニルシリル）フェニル］−９Ｈ−フルオレンに代表されるトリフェニルシリル基とトリアリールアミン構造を有する化合物などの電子阻止作用を有する化合物を用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光層として、本発明の一般式（１）で表されるテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物、ＰＩＣ−ＴＲＺ（例えば、非特許文献１参照）、ＣＣ２ＴＡ（例えば、非特許文献３参照）、ＰＸＺ−ＴＲＺ（例えば、非特許文献４参照）、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体（例えば、非特許文献５参照）などの遅延蛍光を放射する材料、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ_３）をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体などの各種金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体などを用いることができる。また、発光層をホスト材料とドーパント材料とで構成してもよく、この場合、ホスト材料として、本発明の一般式（１）で表されるテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物、ｍＣＰ、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体などを用いることができる。またドーパント材料としては、本発明の一般式（１）で表されるテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物、ＰＩＣ−ＴＲＺ、ＣＣ２ＴＡ、ＰＸＺ−ＴＲＺ、４ＣｚＩＰＮなどのＣＤＣＢ誘導体などの遅延蛍光を放射する材料、キナクリドン、クマリン、ルブレン、アントラセン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。

また、発光材料として燐光性の発光材料を使用することも可能である。燐光性の発光体としては、イリジウムや白金などの金属錯体の燐光発光体を使用することができる。Ｉｒ（ｐｐｙ）_３などの緑色の燐光発光体、ＦＩｒｐｉｃ、ＦＩｒ６などの青色の燐光発光体、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３などの赤色の燐光発光体などが用いられ、このときのホスト材料としては、正孔注入・輸送性のホスト材料として、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）やＴＣＴＡ、ｍＣＰなどのカルバゾール誘導体などを用いることができる。電子輸送性のホスト材料として、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ２）や２，２’,２’’−（１，３，５−フェニレン）−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢI）などを用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。

燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは濃度消光を避けるため、発光層全体に対して１〜３０重量パーセントの範囲で、共蒸着によってドープすることが好ましい。

これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。

また、本発明の化合物を用いて作製した発光層に、仕事関数の異なる化合物をホスト材料として用いて作製した発光層を隣接させて積層した構造の素子を作製することができる（例えば、非特許文献６参照）。

本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層として、本発明の一般式（１）で表されるテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物、バソクプロイン（ＢＣＰ）などのフェナントロリン誘導体や、アルミニウム（III）ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノレート（ＢＡｌｑ）などのキノリノール誘導体の金属錯体、２，８−ビス（ジフェニルホスホリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（以後、ＰＰＴと略称する）などのジベンゾチオフェン誘導体の他、各種の希土類錯体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物を用いることができる。これらの材料は電子輸送層の材料を兼ねてもよい。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。

本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層として、本発明の一般式（１）で表されるテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物、Ａｌｑ_３、ＢＡｌｑをはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体、ＴＰＢＩなどのベンズイミダゾール誘導体などを用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。

本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層として、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などを用いることができるが、電子輸送層と陰極の好ましい選択においては、これを省略することができる。

さらに、電子注入層あるいは電子輸送層において、該層に通常使用される材料に対し、さらにセシウムなどの金属、トリアリールホスフィンオキシド誘導体（例えば、国際公開第２０１４／１９５４８２号参照）をＮドーピングしたものを用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子の陰極として、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。

以下に、本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる好ましい材料を具体的に例示する。ただし、本発明において用いることのできる材料は以下の例示化合物によって限定的に解釈されることはない。また、特定の機能を有する材料として例示した化合物であっても、その他の機能を有する材料として転用することも可能である。なお、以下の例示化合物の構造式におけるＲ、Ｒ_２〜Ｒ_７は、各々独立に水素原子または置換基を表す。ｎは３〜５の整数を表す。

まず、発光層のホスト材料としても用いることができる好ましい化合物例をあげる。

次に、正孔注入層の材料としても用いることができる好ましい化合物例をあげる。

次に、正孔輸送層の材料としても用いることができる好ましい化合物例をあげる。

次に、電子阻止層の材料としても用いることができる好ましい化合物例をあげる。

次に、正孔阻止層の材料としても用いることができる好ましい化合物例をあげる。

次に、電子輸送層の材料としても用いることができる好ましい化合物例をあげる。

次に、電子注入層の材料としても用いることができる好ましい化合物例をあげる。

さらに添加可能な材料として好ましい化合物例をあげる。例えば、安定化材料として添加することなどが考えられる。

以下、本発明の実施の形態について、実施例により具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

＜６，１１−ビス（フェノキサジン−１０−イル）−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（化合物１）の合成＞
窒素置換した反応容器に、１，１０−フェナントロリン・一水和物（２２ｇ）、二塩化二硫黄（４９ｇ）、ピリジン（３０ｍＬ）、１−クロロブタン（３００ｍＬ）を加え、攪拌しながら臭素（５７ｇ）を滴下した。続いて、攪拌しながら加熱し、６時間加熱還流した。室温まで冷却した後、１８Ｍの水酸化ナトリウム水溶液（３００ｍＬ）、クロロホルム（４００ｍＬ）を加え、１時間室温で攪拌した後、セライトを助剤としてろ過を行った。抽出操作を行って、クロロホルム層を採取し、飽和食塩水を用いた洗浄を行った後、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラフィーによる精製を行うことによって、３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン（収率５０％）を得た。

得られた３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン（１０ｇ）、臭化カリウム（５ｇ）を窒素置換した反応容器に加え、硫酸−硝酸混合液を３０分間で滴下した。続いて、攪拌しながら加熱し、１時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液を氷水中に注下し、水酸化ナトリウム水溶液を、溶液のｐＨが５になるまで注意深く加えた。クロロホルムを用いて抽出操作を行い、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去した。得られる残渣をエタノールで洗浄し、３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン−５，６−ジオン（収率９８％）を得た。

得られた３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン−５，６−ジオン（５ｇ）、ＴＨＦ（５０ｍＬ）を窒素置換した反応容器に加え、続いて、エチレンジアミン（１０ｍＬ）を加えた。室温で１時間攪拌した後、反応液の溶媒を留去し、得られる残渣をメタノールで洗浄した。クロロホルム（１００ｍＬ）、シリカゲル（１０ｇ）を加えて加熱し、攪拌しながら１８時間加熱還流した。室温まで冷却し、不溶物をろ過によって除去した後、溶媒を留去し、得られる粗製物をメタノールで洗浄することによって、６，１１−ジブロモ−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（収率３５％）を得た。

得られた６，１１−ジブロモ−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（１．０ｇ）、フェノキサジン（１．５ｇ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（０．６ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１ｇ）、トルエン（８０ｍＬ）を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら反応液を脱気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム・クロロホルム包接体（０．０７ｇ）を加えて加熱し、攪拌しながら１０時間加熱還流した。放冷した後、メタノールを加え、析出する粗製物をろ過によって採取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行うことによって、６，１１−ビス（フェノキサジン−１０−イル）−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（化合物１）の黄色粉末（収率３０％）を得た。

得られた黄色粉末についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図１に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）で以下の２２個の水素のシグナルを検出した。δ（ｐｐｍ）＝９．６３（２Ｈ）、９．３２（２Ｈ）、９．０３（２Ｈ）、６．６６−６．５７（１２Ｈ）、６．０７（４Ｈ）。

＜６，１１−ビス｛３−（ジフェニルアミノ）カルバゾール−９−イル｝−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（化合物３５）の合成＞
実施例１で合成した６，１１−ジブロモ−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（１．０ｇ）、３−（ジフェニルアミノ）カルバゾール（２．０ｇ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（０．６ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１ｇ）、キシレン（６０ｍＬ）を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら反応液を脱気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム・クロロホルム包接体（０．０７ｇ）を加えて加熱し、攪拌しながら５時間加熱還流した。放冷した後、メタノールを加え、析出する粗製物をろ過によって採取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行うことによって、６，１１−ビス｛３−（ジフェニルアミノ）カルバゾール−９−イル｝−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（化合物３５）の黄白色粉末（収率１０％）を得た。

得られた黄白色粉末についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図２に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）で以下の４０個の水素のシグナルを検出した。δ（ｐｐｍ）＝９．７９（２Ｈ）、９．６３（２Ｈ）、９．０５（２Ｈ）、８．０７（２Ｈ）、８．００（２Ｈ）、７．６２（２Ｈ）、７．５７（２Ｈ）、７．４９（２Ｈ）、７．３９−７．１３（２０Ｈ）、７．００（４Ｈ）。

＜６，１１−ビス（ジフェニルアミノ）−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（化合物４）の合成＞
実施例１で合成した６，１１−ジブロモ−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（１．０ｇ）、ジフェニルアミン（１．２ｇ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（０．６ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１ｇ）、キシレン（６０ｍＬ）を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら反応液を脱気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム・クロロホルム包接体（０．０７ｇ）を加えて加熱し、攪拌しながら５時間加熱還流した。放冷した後、メタノールを加え、析出する粗製物をろ過によって採取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行うことによって、６，１１−ビス（ジフェニルアミノ）−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（化合物４）の白色粉末（収率４０％）を得た。

得られた白色粉末についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図３に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）で以下の２６個の水素のシグナルを検出した。δ（ｐｐｍ）＝８．９７（２Ｈ）、８．９４（２Ｈ）、８．７９（２Ｈ）、７．３４（８Ｈ）、７．２３（８Ｈ）、７．１４（４Ｈ）。

＜６，１１−ビス（カルバゾール−９−イル）−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（化合物３）の合成＞
実施例１で合成した６，１１−ジブロモ−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（１．０ｇ）、カルバゾール（１．２ｇ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（０．６ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１ｇ）、キシレン（６０ｍＬ）を窒素置換した反応容器に加え、攪拌しながら反応液を脱気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム・クロロホルム包接体（０．０７ｇ）を加えて加熱し、攪拌しながら５時間加熱還流した。放冷した後、メタノールを加え、析出する粗製物をろ過によって採取し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行うことによって、６，１１−ビス（カルバゾール−９−イル）−１，４，８，９−テトラアザトリフェニレン（化合物３）の黄白色粉末（収率３６％）を得た。

得られた黄白色粉末についてＮＭＲを使用して構造を同定した。^１Ｈ−ＮＭＲ測定結果を図４に示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）で以下の２２個の水素のシグナルを検出した。δ（ｐｐｍ）＝９．８１（２Ｈ）、９．６３（２Ｈ）、９．０５（２Ｈ）、８．２３（４Ｈ）、７．６５（４Ｈ）、７．５２（４Ｈ）、７．４１（４Ｈ）。

本発明実施例１および３の化合物（化合物１、４）を用いて、ＩＴＯ基板の上に膜厚１００ｎｍの蒸着膜を作製して、大気中光電子分光装置（理研計器製、ＡＣ−３型）で仕事関数を測定した。
仕事関数
本発明実施例１の化合物 ５．７０ｅＶ
本発明実施例３の化合物 ５．６０ｅＶ

このように本発明実施例１および３の化合物（化合物１、４）はＮＰＤ、ＴＰＤなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数５．４ｅＶより深い値を有しており、大きな正孔阻止能力を有している。

本発明実施例１の化合物（化合物１）について、１０^−５ｍｏｌ／Ｌのトルエン溶液を調製した。このトルエン溶液について、窒素を通気しながら３００Ｋで紫外光を照射したところ、ピーク波長が５８７ｎｍの蛍光を観測した。
また、このトルエン溶液について、窒素の通気前後における小型蛍光寿命測定装置（浜松ホトニクス（株）製、Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ−ｔａｕ型）を用いた時間分解スペクトルを測定したところ、発光寿命が０．０２μｓの蛍光、そして発光寿命が１．０８μｓの遅延蛍光を観測した。
また、このトルエン溶液について、窒素の通気前後におけるフォトルミネッセンス（以後、ＰＬと略称する。）量子効率を絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス（株）製、Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ−ＱＹ型）を用いて、３００Ｋで測定したところ、窒素通気前で２．９％、窒素通気後で９．１％であった。

実施例６において、本発明実施例１の化合物（化合物１）に代えて本発明実施例２の化合物（化合物３５）の１０^−５ｍｏｌ／Ｌのトルエン溶液を調製し、同様の操作で特性評価を行った。その結果、ピーク波長が５８４ｎｍの蛍光を観測し、発光寿命が４．８２ｎｓの蛍光と、発光寿命が０．０２μｓおよび１．２９μｓの遅延蛍光を観測した。
また、ＰＬ量子効率は、窒素通気前で５．３％、窒素通気後で１０．６％であった。

実施例６において、本発明実施例１の化合物（化合物１）に代えて本発明実施例３の化合物（化合物４）の１０^−５ｍｏｌ／Ｌのトルエン溶液を調製し、同様の操作で特性評価を行った。その結果、ピーク波長が５３２ｎｍの蛍光を観測した。
また、ＰＬ量子効率は、窒素通気前で１３．３％、窒素通気後で１９．２％であった。

実施例６において、本発明実施例１の化合物（化合物１）に代えて本発明実施例４の化合物（化合物３）の１０^−５ｍｏｌ／Ｌのトルエン溶液を調製し、同様の操作で特性評価を行った。その結果、ピーク波長が５８４ｎｍの蛍光を観測し、発光寿命が７ｎｓの蛍光と、発光寿命が０．２μｓの遅延蛍光を観測した。
また、ＰＬ量子効率は、窒素通気前で１４．８％、窒素通気後で１７．４％であった。

ガラス基板上にｍＣＰと本発明実施例１の化合物（化合物１）を、蒸着速度比がｍＣＰ：本発明実施例１の化合物（化合物１）＝９４：６となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚１００ｎｍの薄膜を作製し、有機ＰＬ素子とした。絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス（株）製、Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ−ＱＹ型）により窒素気流下、３００Ｋで測定したところ、ＰＬ量子効率は３９．１％であった。続いて、作成した有機ＰＬ素子にＮ_２レーザーにより３３７ｎｍの光を照射した際の時間分解スペクトルの評価を、ストリークカメラ（浜松ホトニクス（株）製、Ｃ４３３４型）によって行った。１１５μｓ以下の発光寿命の成分を蛍光、発光寿命が１１５μｓより長い成分を遅延蛍光と判断した。その結果、素子発光のうち、蛍光成分が４０％、遅延蛍光成分が６０％であった。

実施例６において、ｍＣＰと本発明実施例１の化合物（化合物１）からｍＣＰと本発明実施例３の化合物（化合物４）に代え、同様の条件で有機ＰＬ素子を作製した。作製した有機ＰＬ素子について、同様の操作で特性評価を行った。その結果、ＰＬ量子効率は５２．６％であった。また、素子発光のうち、蛍光成分が１９％、遅延蛍光成分が８１％であった。

有機ＥＬ素子は、図５に示すように、ガラス基板１上に透明陽極２としてＩＴＯ電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔輸送層３、発光層４、正孔阻止層５、電子輸送層６、電子注入層７、陰極（アルミニウム電極）８の順に蒸着して作製した。

具体的には、膜厚１００ｎｍのＩＴＯを成膜したガラス基板１を有機溶媒で洗浄した後に、ＵＶオゾン処理にて表面を洗浄した。その後、このＩＴＯ電極付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け０．００１Ｐａ以下まで減圧した。
続いて、透明陽極２を覆うように正孔輸送層３として、ＮＰＤを蒸着速度２．０Å／ｓｅｃで膜厚３５ｎｍとなるように形成した。この正孔輸送層３の上に、発光層４としてｍＣＰと本発明実施例１の化合物（化合物１）を、蒸着速度比がｍＣＰ：本発明実施例１の化合物（化合物１）＝９５：５となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚１５ｎｍとなるように形成した。この発光層４の上に、正孔阻止層５として前記ＰＰＴを蒸着速度２．０Å／ｓｅｃで膜厚１０ｎｍとなるように形成した。この正孔阻止層５の上に、電子輸送層６として前記ＴＰＢＩを蒸着速度２．０Å／ｓｅｃで膜厚５５ｎｍとなるように形成した。この電子輸送層６の上に、電子注入層７としてフッ化リチウムを蒸着速度０．１Å／ｓｅｃで膜厚０．８ｎｍとなるように形成した。最後に、アルミニウムを膜厚７０ｎｍとなるように蒸着して陰極８を形成した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。

本発明の実施例１の化合物（化合物１）を使用して作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。

［比較例１］
比較のために、実施例１２における発光層４の材料を、ｍＣＰと本発明実施例１の化合物（化合物１）からｍＣＰと特開２０１０−５０５２４１号公報記載の下記構造式の化合物（比較化合物Ａ）に代え、同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。作製した有機ＥＬ素子について、大気中、常温で特性測定を行った。作製した有機ＥＬ素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表１にまとめて示した。

（比較化合物Ａ）

表１に示すように、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときの輝度は、比較化合物Ａを用いた比較例１の有機ＥＬ素子の８２ｃｄ／ｍ^２に対して、実施例１２の有機ＥＬ素子では２３９６ｃｄ／ｍ^２と大きく向上した。また、発光効率についても比較化合物Ａを用いた比較例１の有機ＥＬ素子の０．９ｃｄ／Ａに対して、実施例１２の有機ＥＬ素子では２２．１ｃｄ／Ａと大きく向上した。さらに電力効率についても比較化合物Ａを用いた比較例１の有機ＥＬ素子の０．４ｌｍ／Ｗに対して、実施例１２の有機ＥＬ素子では８．９ｌｍ／Ｗと大きく向上した。

以上のように、本発明の化合物を用いた有機ＥＬ素子は、比較化合物Ａを用いた有機ＥＬ素子と比較して、発光効率の大幅な向上を達成できることが分かった。

本発明のテトラアザトリフェニレン環構造を有する化合物は、遅延蛍光を放射することができ、薄膜安定性も良好なため、発光層の材料、特に発光層のドーパント材料として優れている。また、該化合物を用いて有機ＥＬ素子を作製することにより、従来の有機ＥＬ素子の輝度と発光効率を格段に改良することができる。

１ ガラス基板
２ 透明陽極
３ 正孔輸送層
４ 発光層
５ 正孔阻止層
６ 電子輸送層
７ 電子注入層
８ 陰極

Claims (12)

1. 下記一般式（１ａ）で表されるテトラアザトリフェニレン化合物。
   

   

   （１ａ）
   （式中、Ｘ、Ｙは相互に同一でも異なってもよく、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、隣り合う基同士で、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）
2. 下記一般式（１ａ−１）で表される請求項１記載のテトラアザトリフェニレン化合物。
   

   

   （１ａ−１）
   （式中、Ｘ、Ｙは相互に同一でも異なってもよく、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、隣り合う基同士で、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）
3. 下記一般式（１ａ−２）で表される請求項１記載のテトラアザトリフェニレン化合物。
   

   

   （１ａ−２）
   （式中、Ｘ、Ｙは相互に同一でも異なってもよく、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、隣り合う基同士で、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）
4. 下記一般式（１ａ−３）で表される請求項１記載のテトラアザトリフェニレン化合物。
   

   

   （１ａ−３）
   （式中、Ｘ、Ｙは相互に同一でも異なってもよく、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、隣り合う基同士で、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）
5. 下記一般式（１ａ−４）で表される請求項１記載のテトラアザトリフェニレン化合物。
   

   

   （１ａ−４）
   （式中、Ｘ、Ｙは相互に同一でも異なってもよく、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２、Ｒ^５〜Ｒ^８は相互に同一でも異なってもよく、水素原子、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１ないし６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数５ないし１０のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、または芳香族炭化水素基、芳香族複素環基もしくは縮合多環芳香族基から選ばれる基によって置換されたジ置換アミノ基であって、隣り合う基同士で、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成してもよい。）
6. 前記請求項１に記載のテトラアザトリフェニレン化合物からなる発光材料。
7. 遅延蛍光を放射する請求項６記載の発光材料。
8. 一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記請求項１に記載のテトラアザトリフェニレン化合物が、少なくとも１つの有機層の構成材料として用いられている有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記した有機層が発光層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記した発光層が遅延蛍光を放射する請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記した有機層が電子輸送層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 前記した有機層が正孔阻止層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

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