JP6780277B2 - 基板 - Google Patents

Description

本発明は、基板に関する。

従来より凹状の樹脂パッケージ内に撮像素子を搭載した光学デバイスが知られている。
しかしながら、従来の光学デバイスでは撮像素子に反りが生じるおそれがあるという問題があった。

特開２００７−１９１１７号公報

（１）請求項１に記載の基板は、被写体を撮像する撮像素子が配置される基板であって、前記基板を保護する第１保護膜が形成された第１面と、前記第１面とは反対側の面であって、前記第１面側が凸に反るか、前記第１面側が凹に反るか、のうちいずれか一方となるように前記第１保護膜とは膜厚が異なる第２保護膜が形成された第２面と、を備える。

撮像装置の一例であるカメラの模式断面図である。 撮像ユニットを模式的に示す上面図である。 図２のＡ−Ａ断面を模式的に示す断面図である。 図３の一部を拡大した模式的な断面図である。 実装基板の反りを説明する図である。 反り制御部材について説明する図であり、（ａ）は実装基板を背面から見た図であり、（ｂ）は断面図である。 変形制御用パターンについて説明する図であり、（ａ）は変形制御用パターンが設けられていない実装基板を示す図であり、（ｂ）は変形制御用パターンが設けられた実装基板を示す図である。 第２の実施の形態における第１の実施例の撮像ユニットについての模式的な断面図である。 第２の実施の形態における第２の実施例の撮像ユニットについての模式的な断面図である。 第２の実施の形態における第３の実施例の撮像ユニットについての模式的な断面図である。 第２の実施の形態における第４の実施例の撮像ユニットについての模式的な断面図である。 第３の実施の形態における第１の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第３の実施の形態における第２の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第３の実施の形態における第３の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第３の実施の形態における第４の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第３の実施の形態における第５の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第３の実施の形態における第６の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第４の実施の形態における第１の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第４の実施の形態における第２の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第４の実施の形態における第３の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第４の実施の形態における第４の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。 第４の実施の形態における第５の実施例の電力供給部を模式的に示す回路図である。

−−−第１の実施の形態−−−
図１〜７を参照して、第１の実施の形態を説明する。図１は、撮像装置の一例であるカメラ１０の模式断面図である。カメラ１０は、レンズユニット２０及びカメラボディ３０を備える。カメラボディ３０には、レンズユニット２０が装着される。レンズユニット２０は、その鏡筒内に、光軸２２に沿って配列された光学系を備え、入射する被写体光束をカメラボディ３０の撮像ユニット４０へ導く。

本実施形態において、光軸２２に沿う方向をｚ軸方向と定める。すなわち、撮像ユニット４０が有する撮像素子１００へ被写体光束が入射する方向をｚ軸方向と定める。具体的には、被写体光束が入射する方向をｚ軸マイナス方向と定め、その反対方向をｚ軸プラス方向と定める。撮像素子１００の長手方向をｘ軸方向と定める。撮像素子１００の短手方向をｙ軸方向と定める。具体的には、ｘ軸方向及びｙ軸方向は、図１に図示した方向に定められる。ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸は右手系の直交座標系である。なお、説明の都合上、ｚ軸プラス方向を前方、前側等と呼ぶ場合がある。また、ｚ軸マイナス方向を後方、後側、等と呼ぶ場合がある。ｚ軸マイナス方向の側を背面側等と呼ぶ場合がある。

カメラボディ３０は、レンズマウント２４に結合されるボディマウント２６よりｚ軸マイナス方向の位置に、ミラーユニット３１を有する。ミラーユニット３１は、メインミラー３２及びサブミラー３３を含む。メインミラー３２は、レンズユニット２０が射出した被写体光束の光路中に進入した進入位置と、被写体光束の光路から退避した退避位置との間で回転可能に軸支される。サブミラー３３は、メインミラー３２に対して回転可能に軸支される。サブミラー３３は、メインミラー３２とともに進入位置に進入し、メインミラー３２とともに退避位置に退避する。このように、ミラーユニット３１は、被写体光束の光路中に進入した進入状態と、被写体光束から退避した退避状態とをとる。

ミラーユニット３１が進入状態にある場合、メインミラー３２に入射した被写体光束の一部は、メインミラー３２に反射されてピント板８０に導かれる。ピント板８０は、撮像ユニット４０が有する撮像素子１００の撮像面と共役な位置に配されて、レンズユニット２０の光学系が形成した被写体像を可視化する。ピント板８０に形成された被写体像は、ペンタプリズム８２及びファインダ光学系８４を通じてファインダ窓８６から観察される。

ミラーユニット３１が進入状態にある場合、メインミラー３２に入射した被写体光束のうちメインミラー３２で反射した被写体光束以外の光束は、サブミラー３３に入射する。具体的には、メインミラー３２はハーフミラー領域を有し、メインミラー３２のハーフミラー領域を透過した被写体光束がサブミラー３３に入射する。サブミラー３３は、ハーフミラー領域から入射した光束を、結像光学系７０に向かって反射する。結像光学系７０は、入射光束を、焦点位置を検出するための焦点検出センサ７２に導く。焦点検出センサ７２は、焦点位置の検出結果をＭＰＵ５１へ出力する。

ピント板８０、ペンタプリズム８２、メインミラー３２、サブミラー３３及びファインダ光学系８４は、支持部材としてのミラーボックス６０に支持される。ミラーユニット３１が退避状態にあり、の先幕及び後幕が開状態となれば、レンズユニット２０を透過する被写体光束は、撮像素子１００の撮像面に到達する。

撮像ユニット４０のｚ軸マイナス方向の位置には、基板６２及び表示部８８が順次配置される。表示部８８としては、例えば液晶パネル等を適用できる。表示部８８の表示面は、カメラボディ３０の背面に現れる。表示部８８は、撮像素子１００からの出力信号から生成される画像を表示する。

基板６２には、ＭＰＵ５１、ＡＳＩＣ５２等の電子回路が実装される。ＭＰＵ５１は、カメラ１０の全体の制御を担う。撮像素子１００からの出力信号は、フレキシブルプリント基板等を介してＡＳＩＣ５２へ出力される。ＡＳＩＣ５２は、撮像素子１００から出力された出力信号を処理する。

ＡＳＩＣ５２は、撮像素子１００からの出力信号に基づいて、表示用の画像データを生成する。表示部８８は、ＡＳＩＣ５２が生成した表示用の画像データに基づいて画像を表示する。ＡＳＩＣ５２は、撮像素子１００からの出力信号に基づいて、記録用の画像データを生成する。ＡＳＩＣ５２は、撮像素子の出力信号に対して例えば画像処理や圧縮処理を施すことで記録用の画像データを生成する。ＡＳＩＣ５２が生成した記録用の画像データは、カメラボディ３０に装着された記録媒体に記録される。記録媒体は、カメラボディ３０に着脱可能に構成されている。

図２は、撮像ユニット４０を模式的に示す上面図である。図３は、図２のＡ−Ａ断面を模式的に示す断面図であり、図４は、図３の一部を拡大した模式的な断面図である。撮像ユニット４０は、撮像素子１００と、実装基板１２０と、フレーム１４０と、カバーガラス１６０とを含んで構成される。

撮像素子１００は、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサである。撮像素子１００は、撮像領域１０１と周辺領域１０２とを含んで構成される。撮像領域１０１は、撮像素子１００の中央部分に形成される。撮像素子１００の撮像領域１０１には、被写体光を光電変換する複数の光電変換素子で撮像面が形成されている。撮像素子１００の周辺領域１０２は、撮像領域１０１の周辺に位置する。撮像素子１００の周辺領域１０２には、光電変換素子における光電変換によって得られた画素信号を読み出して信号処理を行う処理回路を有する。処理回路は、出力された画素信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換回路を含む。

撮像素子１００は、実装基板１２０に配置される。撮像素子１００は、実装基板１２０に実装される。なお、撮像素子１００は、実装基板１２０に例えばフリップチップ実装技術で実装されてもよい。撮像素子１００は、ボンディングワイヤ１１０を介して実装基板１２０と電気的に接続される。撮像素子１００のＡＤ変換回路でデジタル信号に変換された画素信号は、ボンディングワイヤ１１０を介して実装基板１２０に出力される。撮像素子１００は、実装基板１２０に接着剤で接着される。撮像素子１００は、フレーム１４０の開口部１３８に収容されている。フレーム１４０は、撮像素子１００を環囲する環囲部材の一例である。

実装基板１２０には、撮像素子１００が実装される。実装基板１２０は、第１層１２１と、芯層２０７と、第２層１２２とを含む。図４に示すように、第１層１２１は、ソルダレジスト層２０１と、配線層２０２と、絶縁層２０３と、配線層２０４と、絶縁層２０５と、配線層２０６とを含む。第２層１２２は、配線層２１６と、絶縁層２１５と、配線層２１４と、絶縁層２１３と、配線層２１２と、ソルダレジスト層２１１とを含む。実装基板１２０は、芯層２０７をコア層として有する多層コア基板である。本実施の形態では、第１層１２１における配線層の層数と第２層１２２における配線層の層数は、ともに３層である。

実装基板１２０において、光軸２２に沿って、撮像素子１００、ソルダレジスト層２０１、配線層２０２、絶縁層２０３、配線層２０４、絶縁層２０５、配線層２０６、芯層２０７、配線層２１６、絶縁層２１５、配線層２１４、絶縁層２１３、配線層２１２、ソルダレジスト層２１１の順で配されている。

絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１５及び絶縁層２１３は、例えば樹脂層である。絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１５及び絶縁層２１３それぞれの厚みは、２０μｍ〜５０μｍである。なお、厚みとは、ｚ軸方向における長さである。

配線層２０２、配線層２０４、配線層２０６、配線層２１６、配線層２１４及び配線層２１２は、配線パターンを含む。配線層２０２、配線層２０４、配線層２０６、配線層２１６、配線層２１４及び配線層２１２の材料として、ニッケルと鉄の合金（例えば４２ａｌｌｏｙ、５６ａｌｌｏｙ）、銅、アルミニウム等を用いることができる。配線層２０２、配線層２０４、配線層２０６、配線層２１６、配線層２１４及び配線層２１２が有する配線パターンそれぞれの厚みは、１０μｍから５０μｍ程度である。

芯層２０７は、樹脂で形成される。芯層２０７を樹脂で形成する場合、芯層２０７は、例えばＦＲ４、ＦＲ４より弾性率の高い材料を用いて形成されてよい。芯層２０７の厚みは、配線層２０２、配線層２０４、配線層２０６、配線層２１６、配線層２１４及び配線層２１２のいずれの配線層の厚みより厚い。芯層２０７の厚みは、絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１５及び絶縁層２１３のいずれの絶縁層の厚みより厚い。具体的には、芯層２０７の厚みは、０．１ｍｍから０．８ｍｍ程度である。芯層２０７の剛性は、配線層２０２、配線層２０４、配線層２０６、配線層２１６、配線層２１４及び配線層２１２のいずれの配線層の剛性よりも高い。芯層２０７の剛性は、絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１５及び絶縁層２１３のいずれの絶縁層の剛性よりも高い。芯層２０７の剛性は、第１層１２１の剛性より高くてもよい。芯層２０７の剛性は、第２層１２２の剛性より高くてもよい。

２層の配線層を追加で配する場合は、配線層２０６と芯層２０７との間に、配線層２０６に接触する追加の絶縁層と芯層２０７に接触する追加の配線層とが光軸２２に沿って順で配され、芯層２０７と配線層２１６との間に、芯層２０７に接触する追加の配線層と、配線層２１６に接触する追加の絶縁層とを光軸２２に沿って順に配される。

なお、芯層２０７は金属で形成されてもよい。芯層２０７を金属で形成する場合、芯層２０７の材料として例えばニッケルと鉄の合金（例えば４２ａｌｌｏｙ、５６ａｌｌｏｙ）、銅、アルミニウム等を用いてよい。芯層２０７を金属で形成する場合、配線層２０６と芯層２０７との間に絶縁層を配し、芯層２０７と配線層２１６の間に絶縁層を配する。

このように、実装基板１２０は、樹脂コアまたは金属コアを有する多層コア基板である。実装基板１２０の厚みは、全体として０．３ｍｍから１．０ｍｍ程度であってよい。

配線層２０２の少なくとも一部は、撮像素子１００からボンディングワイヤ１１０を介して出力された画素信号を受け取る配線パターンに使用される。配線層２０２は、ボンディングワイヤ１１０が接続されるボンディングパッド２４０を含む。

配線層２０４、２０６に含まれる配線パターン及び配線層２１６、２１４に含まれる配線パターンは、例えば、グランドライン、電源ライン等に使用できる。

撮像素子１００は、ソルダレジスト層２０１上に実装される。撮像素子１００は、ボンディングワイヤ１１０によってボンディングパッド２４０に電気的に接続される。ボンディングパッド２４０と配線層２１２とは、第１層１２１及び芯層２０７を貫通するビア１３１によって電気的に接続されている。ビア１３１は、不図示の絶縁体により覆われている。撮像素子１００から出力された画素信号は、配線層２０２及びビア１３１を介して、配線層２１２に伝送される。

ソルダレジスト層２１１上には、電子部品１８０が設けられる。すなわち、電子部品１８０は、実装基板１２０において撮像素子１００が実装された第１主面１１１とは反対側の第２主面１１２に実装される。電子部品１８０は、例えばコネクタ１９０、キャパシタ、抵抗、レギュレータ、トランジスタ等を含む。電子部品１８０の一部の部品は、後述する電力供給回路４９０を構成する。

電子部品１８０の一部としてのコネクタ１９０は、本体とコネクタ端子とを有し、コネクタ端子は例えばフレキシブル基板が接続される。電子部品１８０の一部としてのコネクタは、配線層２１２に接続され、配線層２１２に伝送された画素信号は、コネクタ及びフレキシブル基板を介して、ＡＳＩＣ５２等の外部の電子回路へ伝送される。

電子部品１８０と配線層２１２とは、リード部材によって電気的に接続される。電子部品１８０のリード部材は、配線層２１２にはんだ等で固定されている。配線層２１２の一部は、ソルダレジスト層２１１に形成された開口から外部に露出して、ランド等の電極を提供する。

撮像素子１００は、実装基板１２０に実装されている。撮像素子１００は、実装基板１２０に例えば接着部２１０で接着されることで実装されている。具体的には、撮像素子１００は、実装基板１２０のソルダレジスト層２０１に接着部２１０で接着されている。接着部２１０は、例えば接着剤により形成される。具体的には、接着部２１０は、熱硬化性接着剤を熱硬化させることで形成される。撮像素子１００は、撮像素子実装工程を経ることにより、実装基板１２０に実装される。撮像素子実装工程において、撮像素子１００を実装基板１２０に実装する場合に、実装基板１２０が加熱される。撮像素子１００は、加熱された実装基板１２０に熱圧着によって実装される。

ボンディングワイヤ１１０は、撮像素子１００及びボンディングパッド２４０に実装される。ボンディングワイヤ１１０は、ワイヤボンディング工程（ボンディングワイヤ実装工程）を経ることにより、撮像素子１００とボンディングパッド２４０とを電気的に接続する。ワイヤボンディング工程において、ボンディングワイヤ１１０をボンディングパッド２４０に実装する場合に、ボンディングパッド２４０が加熱され、ボンディングワイヤ１１０は、加熱されたボンディングパッド２４０に、熱圧着によって実装される。ワイヤボンディング工程において、ボンディングワイヤ１１０は、超音波圧着によってボンディングパッド２４０に実装されてもよい。

フレーム１４０は、実装基板１２０に接着部２２０で接着される。具体的には、フレーム１４０は、実装基板１２０のソルダレジスト層２０１に、接着部２２０により接着されている。接着部２２０は、例えば接着剤により形成される。具体的には、接着部２２０は、熱硬化性接着剤を熱硬化させることで形成される。フレーム実装工程において、フレーム１４０は、実装基板１２０に実装される。フレーム実装工程において、フレーム１４０が加熱され、フレーム１４０は、加熱された実装基板１２０に、熱圧着によって実装される。

このように、撮像素子１００、ボンディングワイヤ１１０及びフレーム１４０の実装工程において、撮像素子１００に熱が加わる。すなわち、撮像ユニット４０の製造工程において、撮像素子１００に熱が加わる。製造工程を経て製造された撮像ユニット４０は、撮像ユニット４０の検査工程において、撮像素子１００のリーク電流の測定を含む検査が行われる。

図２、３に示すように、フレーム１４０は、第１面１４１と、第２面１４２と、第３面１４３と、第４面１４４と、第５面１４５と、第６面１４６とを有する。第６面１４６は、開口部１３８を形成する。第６面１４６は、フレーム１４０の内壁面を形成する。開口部１３８は、例えばｘｙ面内の中央部分に形成される。

第１面１４１は、カバーガラス１６０が接着部２３０により接着される面である（図４参照）。第１面１４１は、第６面１４６の端部に接する面である。第１面１４１は、第６面１４６の外縁に沿って形成される。第１面１４１は、ｘｙ平面と略平行な面である。

第２面１４２は、第１面１４１の端部に接する面である。第２面１４２は、第１面１４１の外縁に沿って形成される面である。第２面１４２は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。

第３面１４３は、第２面１４２の端部に接する面である。第３面１４３は、ｘｙ平面と略平行な面であり、第１面１４１と略平行な面である。

第４面１４４は、第３面１４３の端部に接する面である。第４面１４４は、第３面１４３の外縁に沿って形成される面である。第４面１４４は、ｙｚ平面に略平行な面と、ｘｚ平面に略平行な面とを有する。

第５面１４５は、第４面１４４の端部に接する面である。第５面１４５は、第４面１４４の外縁に沿って形成される面である。第５面１４５は、ｘｙ平面と略平行な面である。第５面１４５は、第１面１４１及び第３面１４３と略平行な面である。第５面１４５は、実装基板１２０のソルダレジスト層２０１と接着部２２０により接着される面である（図４参照）。第５面１４５は、接着部２２０に面する。第５面１４５は、第６面１４６の端部に接する面である。第５面１４５は、第６面１４６の外縁に沿って形成される。

フレーム１４０は、第１面１４１と第２面１４２と第３面１４３とにより形成された段部を有する。フレーム１４０は、取付部として取付穴１４８を有する。フレーム１４０は、例えば３つの取付穴１４８を有する（図２参照）。３つの取付穴１４８はいずれも第３面１４３から第５面１４５までを貫通する穴である。３つの取付穴１４８はいずれも、撮像ユニット４０をミラーボックス６０等の他の構造体に取り付けるために利用される。

フレーム１４０は、３つの取付穴１４８を介して、ビス１４９で例えばビス止めされることで、ブラケット１５０に固定される（図３参照）。本実施の形態では、ブラケット１５０は、例えばビス止めされることでミラーボックス６０に固定される。よって、本実施の形態では、撮像ユニット４０は、ミラーボックス６０に固定される。なお、撮像ユニット４０を固定する場所は、ミラーボックス６０に限らず、被写体光束が通過する開口を有する、ミラーボックス６０以外のカメラボディ３０における構造体であってもよい。たとえば、撮像ユニット４０をシャッタユニット３８に固定してもよく、手振れ補正のために撮像素子を駆動させる機構を持つユニット等に撮像ユニット４０を固定してもよい。

取付穴１４８を用いてフレーム１４０とブラケット１５０とを例えば金属のビス１４９でビス止めした場合、撮像素子１００が動作している場合に生じた熱を、ビス１４９を介してミラーボックス６０の方へ熱を逃がすための伝熱経路を形成することができる。

フレーム１４０は、位置決め穴１４７を有する（図２参照）。フレーム１４０は、例えば２つの位置決め穴１４７を有する。２つの位置決め穴１４７はいずれも第３面１４３から第５面１４５までを貫通する穴である。位置決め穴１４７はいずれも、ブラケット１５０すなわちミラーボックス６０に対して撮像ユニット４０を位置決めするために利用される。２つの位置決め穴１４７のうち、一方の位置決め穴は嵌合穴で形成され、他方の位置決め穴１４７は長穴で形成されている。

フレーム１４０は、２つの位置決め穴１４７を用いてブラケット１５０に対して位置決めされる。例えばブラケット１５０に設けられた２つの位置決めピンが２つの位置決め穴１４７に挿入されることで、フレーム１４０とブラケット１５０とが位置決めされる。フレーム１４０は、ブラケット１５０に対して位置決めされた状態で固定される。よって、撮像ユニット４０は、ミラーボックス６０に位置決めされた状態で固定される。なお、フレーム１４０及びブラケット１５０は、ミラーボックス６０以外の他の構造体に対して固定されてよい。

なお、撮像ユニット４０は、ブラケット１５０を介さずにミラーボックス６０に固定されてもよい。撮像ユニット４０は、３つの取付穴１４８を介して例えばビス止めされることで、ミラーボックス６０に固定されてよい。

カバーガラス１６０は、撮像素子１００を封止するために用いられる。カバーガラス１６０は、フレーム１４０の開口部１３８を覆うようにフレーム１４０に固定される。カバーガラス１６０は、フレーム１４０及び実装基板１２０とともに開口部１３８を密封空間とする。

カバーガラス１６０は、接着部２３０によりフレーム１４０と接着される。接着部２３０は、接着剤により形成される。具体的には、接着部２３０は、光硬化型接着剤を硬化させることで形成される。例えば、接着部２３０は、紫外線硬化型接着剤を紫外線で硬化させることで形成される。カバーガラス１６０の材料として、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、耐熱ガラス等を用いることができる。カバーガラス１６０は、透光性を有している。カバーガラス１６０の厚みは、０．５ｍｍから０．８ｍｍである。

カバーガラス１６０は、撮像素子１００、ボンディングワイヤ１１０及びフレーム１４０が実装基板１２０に実装された後に、フレーム１４０に固定される。カバーガラス１６０は透光性を有するので、カバーガラス１６０とフレーム１４０との間を、光硬化型接着剤を用いて接着することができる。なお、カバーガラス１６０は、透光性部材の一例である。透光性部材としては、ガラスの他に水晶等を適用できる。

このように、実装基板１２０とフレーム１４０とカバーガラス１６０とによって、密封空間が形成される。撮像素子１００は、実装基板１２０とフレーム１４０とカバーガラス１６０とによって形成される密封空間内に配置されている。これにより、撮像素子１００が外部環境の影響を受けにくくなる。例えば、撮像素子１００が密封空間外に存在する水分の影響を受けにくくなる。そのため、撮像素子１００の劣化を防止できる。

−−−実装基板１２０の反りについて−−−
実装基板１２０のような多層基板では、絶縁層と配線層とは高温環境下で接着される。また、基板表面のソルダレジスト層は、高温環境下で塗布される。そのため、実装基板１２０のような多層基板では、基板の温度が常温に戻ると、各層の線膨張係数の違いに起因する熱応力が発生し、基板に反りや歪みを生じさせるおそれがある。
本実施の形態の撮像ユニット４０では、実装基板１２０に撮像素子１００が実装されているので、実装基板１２０の反りや歪みは、撮像素子１００の平坦度に影響を及ぼすおそれがある。そのため、実装基板１２０の反りや歪みを抑制することが求められる。また、複数の実装基板１２０において、撮像素子１００が実装された第１主面１１１が凸となるように反るか凹となるように反るかのいずれか一方となるように反りの方向を揃えることが望ましい。
そこで、本実施の形態では、以下に述べる各実施例のように実装基板１２０を構成することで、撮像素子１００が実装された第１主面１１１が凸となるように反るか凹となるように反るかのいずれか一方となるように複数の実装基板１２０における反りの方向を揃える。
なお、以下に述べる各実施例では、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせているが、第２主面１１２が凸となるように実装基板１２０を反らせてもよい。また、以下に述べる各実施例を適宜組み合わせてもよい。

（１）第１の実施例
本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１とで層の厚さを変えることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。すなわち、第１層１２１のソルダレジスト層２０１の膜厚を、第２層１２２のソルダレジスト層２１１の膜厚とは異なる膜厚とすることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。
ソルダレジスト層２０１及びソルダレジスト層２１１を構成するソルダレジストは、実装基板１２０を構成する配線層の銅や、絶縁層および芯層の樹脂よりも熱膨張率、すなわち線膨張係数が大きい。そのため、高温で塗布されたソルダレジストが常温に戻ると、配線層や絶縁層および芯層をより収縮させようとする熱応力、すなわち収縮力がソルダレジスト層２０１及びソルダレジスト層２１１で発生する。この収縮力は、ソルダレジスト層２０１及びソルダレジスト層２１１の厚さが厚いほど強くなる。
そこで、本実施例では、第２層１２２のソルダレジスト層２１１の厚さを第１層１２１のソルダレジスト層２０１の厚さよりも厚くすることで、第２層１２２のソルダレジスト層２１１の収縮力を第１層１２１のソルダレジスト層２０１の収縮力よりも大きくする。これにより、実装基板１２０は、図５に示すように、第１主面１１１が凸となるように反る。

なお、本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１とに同じソルダレジストを用いる。すなわち、本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１とで線膨張係数は等しい。
また、本実施例では、配線層２０２と配線層２１２とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。なお、残銅率とは、配線層の面積に対する金属箔部分の面積の割合のことである。本実施例では、配線層２０４と配線層２１４とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０６と配線層２１６とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、絶縁層２０３と絶縁層２１３とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。本実施例では、絶縁層２０５と絶縁層２１５とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。
換言すると、本実施例では、ソルダレジスト層以外の構成要素は、熱収縮で実装基板１２０を反らすことがないものとしている。

本実施例は、層構成や配線層におけるアートワークパターンが確定した実装基板１２０に対する反りの方向の制御に好適である。

（２）第２の実施例
本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１の材料の線膨張係数を異ならせることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。すなわち、第１層１２１のソルダレジスト層２０１の線膨張係数を、第２層１２２のソルダレジスト層２１１の線膨張係数とは異なる線膨張係数とすることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。
上述したように、高温で塗布されたソルダレジストが常温に戻ると、配線層や絶縁層および芯層をより収縮させようとする収縮力がソルダレジスト層２０１及びソルダレジスト層２１１で発生する。この収縮力は、ソルダレジスト層２０１及びソルダレジスト層２１１の線膨張係数が大きいほど強くなる。
そこで、本実施例では、第２層１２２のソルダレジスト層２１１の線膨張係数を、第１層１２１のソルダレジスト層２０１の線膨張係数より大きくすることで、第２層１２２のソルダレジスト層２１１の収縮力を第１層１２１のソルダレジスト層２０１の収縮力よりも大きくする。これにより、図５に示すように、実装基板１２０は、第１主面１１１が凸となるように反る。

なお、本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１とで厚さは等しい。
また、本実施例では、配線層２０２と配線層２１２とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０４と配線層２１４とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０６と配線層２１６とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、絶縁層２０３と絶縁層２１３とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。本実施例では、絶縁層２０５と絶縁層２１５とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。
換言すると、本実施例では、ソルダレジスト層以外の構成要素は、熱収縮で実装基板１２０を反らすことがないものとしている。

本実施例は、層構成や配線層におけるアートワークパターンが確定した実装基板１２０に対する反りの方向の制御に好適である。

（３）第３の実施例
本実施例では、第１層１２１と第２層１２２とで残同率を変えることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。すなわち、第１層１２１の残同率を、第２層１２２の残同率とは異なる残同率にすることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。また、第１層１２１における配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６と第２層１２２における配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６とで残銅率を変えることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。すなわち、第１層１２１における配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６の残同率を、第２層１２２における配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６の残同率とは異なる残同率にすることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。
銅の線膨張係数は、絶縁層および芯層の樹脂の線膨張係数よりも大きい。そのため、高温で絶縁層や芯層と接着された配線層が常温に戻ると、絶縁層および芯層をより収縮させようとする収縮力が配線層２０２、配線層２０４、配線層２０６、配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６で発生する。この収縮力は、配線層の残銅率が高いほど強くなる。
そこで、本実施例では、第２層１２２における配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６の残銅率を第１層１２１における配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６の残銅率よりも高くすることで、第２層１２２の配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６の収縮力を第１層１２１の配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６の収縮力よりも大きくする。これにより、実装基板１２０は、図５に示すように、第１主面１１１が凸となるように反る。

具体的には、配線層２１２の残銅率を配線層２０２の残銅率よりも高くし、配線層２１４の残銅率を配線層２０４の残銅率よりも高くし、配線層２１６の残銅率を配線層２０６の残銅率よりも高くする。
なお、配線層２１２の残銅率を配線層２０２の残銅率よりも高くし、配線層２１４の残銅率と配線層２０４の残銅率とを略等しくし、配線層２１６の残銅率と配線層２０６の残銅率とを略等しくしてもよい。同様に、配線層２１２の残銅率と配線層２０２の残銅率とを略等しくし、配線層２１４の残銅率を配線層２０４の残銅率よりも高くし、配線層２１６の残銅率と配線層２０６の残銅率とを略等しくしてもよい。また、配線層２１２の残銅率と配線層２０２の残銅率とを略等しくし、配線層２１４の残銅率と配線層２０４の残銅率とを略等しくし、配線層２１６の残銅率を配線層２０６の残銅率よりも高くしてもよい。
また、第２層１２２における配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６のそれぞれの残銅率の合計値を第１層１２１における配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６のそれぞれの残銅率の合計値よりも大きくしてもよい。

なお、本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１の厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。
また、本実施例では、配線層２０２と配線層２１２とで厚さは等しい。本実施例では、配線層２０４と配線層２１４とで厚さは等しい。本実施例では、配線層２０６と配線層２１６とで厚さは等しい。本実施例では、絶縁層２０３と絶縁層２１３とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。本実施例では、絶縁層２０５と絶縁層２１５とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。
換言すると、本実施例では、配線層以外の構成要素は、熱収縮で実装基板１２０を反らすことがないものとしている。

（４）第４の実施例
本実施例では、第１層１２１における配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６と第２層１２２における配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６とで厚さを変えることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。
すなわち、第１層１２１における配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６の各膜厚を、第２層１２２における配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６の各膜厚とは異なる膜厚にすることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。
上述したように、銅の線膨張係数は、絶縁層および芯層の樹脂の線膨張係数よりも大きい。そのため、高温で絶縁層や芯層２０７と接着された配線層が常温に戻ると、絶縁層および芯層をより収縮させようとする収縮力が配線層２０２、配線層２０４、配線層２０６、配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６で発生する。この収縮力は、配線層の厚さが厚いほど強くなる。
そこで、本実施例では、第２層１２２における配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６それぞれの厚さを第１層１２１における配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６それぞれの厚さよりも厚くすることで、第２層１２２の配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６の収縮力を第１層１２１の配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６の収縮力よりも大きくする。これにより、実装基板１２０は、図５に示すように、第１主面１１１が凸となるように反る。

具体的には、配線層２１２の厚さを配線層２０２の厚さよりも厚くし、配線層２１４の厚さを配線層２０４の厚さよりも厚くし、配線層２１６の厚さを配線層２０６の厚さよりも厚くする。
なお、配線層２１２の厚さを配線層２０２の厚さよりも厚くし、配線層２１４の厚さと配線層２０４の厚さとを等しくし、配線層２１６の厚さと配線層２０６の厚さとを等しくしてもよい。同様に、配線層２１２の厚さと配線層２０２の厚さとを等しくし、配線層２１４の厚さを配線層２０４の厚さよりも厚くし、配線層２１６の厚さと配線層２０６の厚さとを等しくしてもよい。また、配線層２１２の厚さと配線層２０２の厚さとを等しくし、配線層２１４の厚さと配線層２０４の厚さとを等しくし、配線層２１６の厚さを配線層２０６の厚さよりも厚くしてもよい。
また、第２層１２２における各配線層２１２、配線層２１４及び配線層２１６のそれぞれの厚さの合計値を第１層１２１における各配線層２０２、配線層２０４及び配線層２０６のそれぞれの厚さの合計値よりも大きくしてもよい。

なお、本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。
また、本実施例では、配線層２０２と配線層２１２とで残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０４と配線層２１４とで残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０６と配線層２１６とで残銅率は略等しい。本実施例では、絶縁層２０３と絶縁層２１３とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。本実施例では、絶縁層２０５と絶縁層２１５とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。
換言すると、本実施例では、配線層以外の構成要素は、熱収縮で実装基板１２０を反らすことがないものとしている。

（５）第５の実施例
本実施例では、第１層１２１における絶縁層２０３及び絶縁層２０５と第２層１２２における絶縁層２１３及び絶縁層２１５とで線膨張係数の異なる材料を用いることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。
絶縁層の樹脂の線膨張係数は、配線層の銅およびソルダレジスト層の樹脂の線膨張係数よりも小さい。そのため、高温で配線層と接着された絶縁層が常温に戻ると、配線層およびソルダレジスト層の収縮に抵抗する力が絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１３及び絶縁層２１５で発生する。この抵抗力は、絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１３及び絶縁層２１５の樹脂の線膨張係数が小さいほど強くなる。
そこで、本実施例では、第１層１２１における絶縁層２０３及び絶縁層２０５に用いる樹脂の線膨張係数を第２層１２２における絶縁層２１３及び絶縁層２１５に用いる樹脂の線膨張係数より小さい材料を選択することで、第１層１２１の絶縁層２０３及び絶縁層２０５における上述した抵抗力を第２層１２２の絶縁層２１３及び絶縁層２１５における上述した抵抗力よりも大きくする。これにより、実装基板１２０は、図５に示すように、第１主面１１１が凸となるように反る。

具体的には、絶縁層２０３の線膨張率を絶縁層２１３の線膨張率よりも小さくし、絶縁層２０５の線膨張率を絶縁層２１５の線膨張率よりも小さくする。
なお、絶縁層２０３の線膨張率を絶縁層２１３の線膨張率よりも小さくし、絶縁層２０５の線膨張率と絶縁層２１５の線膨張率とを等しくしてもよい。同様に、絶縁層２０３の線膨張率と絶縁層２１３の線膨張率とを等しくし、絶縁層２０５の線膨張率を絶縁層２１５の線膨張率よりも小さくしてもよい。

なお、本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。
また、本実施例では、配線層２０２と配線層２１２とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０４と配線層２１４とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０６と配線層２１６とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、絶縁層２０３と絶縁層２１３とで厚さは等しい。本実施例では、絶縁層２０５と絶縁層２１５とで厚さは等しい。
換言すると、本実施例では、絶縁層以外の構成要素は、熱収縮で実装基板１２０を反らすことがないものとしている。

（６）第６の実施例
本実施例では、第１層１２１における絶縁層２０３及び絶縁層２０５と第２層１２２における絶縁層２１３及び絶縁層２１５とで層の厚さ変えることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。すなわち、第１層１２１における絶縁層２０３及び絶縁層２０５それぞれの膜厚を、第２層１２２における絶縁層２１３及び絶縁層２１５それぞれの膜厚とは異なる膜厚とすることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。
上述したように、絶縁層の樹脂の線膨張係数は、配線層の銅およびソルダレジスト層の樹脂の線膨張係数よりも小さい。そのため、高温で配線層と接着された絶縁層が常温に戻ると、配線層およびソルダレジスト層の収縮に抵抗する力が絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１３及び絶縁層２１５で発生する。この抵抗力は、絶縁層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２１３及び絶縁層２１５の厚さが厚いほど強くなる。
そこで、本実施例では、第１層１２１における絶縁層２０３及び絶縁層２０５の厚さを第２層１２２における絶縁層２１３及び絶縁層２１５の厚さよりも厚くすることで、第１層１２１の絶縁層２０３及び絶縁層２０５における上述した抵抗力を第２層１２２の絶縁層２１３及び絶縁層２１５における上述した抵抗力よりも大きくする。これにより、実装基板１２０は、図５に示すように、第１主面１１１が凸となるように反る。

具体的には、絶縁層２０３の厚さを絶縁層２１３の厚さよりも厚くし、絶縁層２０５の厚さを絶縁層２１５の厚さよりも厚くする。
なお、絶縁層２０３の厚さを絶縁層２１３の厚さよりも厚くし、絶縁層２０５の厚さと絶縁層２１５の厚さとを等しくしてもよい。同様に、絶縁層２０３の厚さと絶縁層２１３の厚さとを等しくし、絶縁層２０５の厚さを絶縁層２１５の厚さよりも厚くしてもよい。

なお、本実施例では、第１層１２１のソルダレジスト層２０１と第２層１２２のソルダレジスト層２１１とで厚さおよび線膨張係数はそれぞれ等しい。
また、本実施例では、配線層２０２と配線層２１２とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０４と配線層２１４とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、配線層２０６と配線層２１６とで厚さは等しく、残銅率は略等しい。本実施例では、絶縁層２０３と絶縁層２１３とで線膨張係数は等しい。本実施例では、絶縁層２０５と絶縁層２１５とで線膨張係数は等しい。
換言すると、本実施例では、絶縁層以外の構成要素は、熱収縮で実装基板１２０を反らすことがないものとしている。

（７）第７の実施例
本実施例では、実装基板１２０の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有する部材を第２主面１１２に取り付けることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らせる。
実装基板１２０は、温度変化によって上述したように伸縮するが、実装基板１２０としての線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有する部材を第２主面１１２に取り付けることで、第１主面１１１が凸となるように実装基板１２０を反らすことができる。
そこで、本実施例では、図６（ａ）に示すように、実装基板１２０の略方形形状を呈する第２主面１１２の４辺に沿って、実装基板１２０としての線膨張係数よりも大きな線膨張係数を有する金属製の反り制御部材１８５をそれぞれ高温環境下で取り付ける。４つの反り制御部材１８５のそれぞれは、図６（ｂ）に示すように、たとえば、長手方向の両端に脚部１８５ａ及び脚部１８５ａを有する板状または軸状の部材であり、両端の脚部１８５ａ、脚部１８５ａが配線層２１２にたとえばハンダ付けによって取り付けられている。
これにより、実装基板１２０および反り制御部材１８５の温度が常温に戻ると、反り制御部材１８５がそれぞれ収縮することで、実装基板１２０は、図５に示すように、第１主面１１１が凸となるように反る。
なお、本実施例では、反り制御部材１８５以外の構成要素は、熱収縮で実装基板１２０を反らすことがないものとしている。

なお、反り制御部材１８５は、実装基板１２０で発生した熱を放熱するための部材または熱伝導する部材としても利用可能である。上述したように反り制御部材１８５は、両端の脚部１８５ａ、１８５ａが配線層２１２にたとえばハンダ付けによって取り付けられているので、実装基板１０から熱が伝わりやすい。そのため、反り制御部材１８５は、不図示の部材を介した伝導伝熱や、輻射伝熱、対流伝熱によって実装基板１２０で発生した熱を実装基板１２０の外部に伝達させることができる。
また、反り制御部材１８５は、ノイズのシールドのために利用可能である。さらに反り制御部材１８５は、実装基板１２０のハンドリング時に把持する部位として利用可能である。

（８）第８の実施例
本実施例では、上述した第１から第７の実施例とは異なり、実装基板１２０の反りの形状を整えるために配線層２０２の銅箔パターンを以下のように形成する。
撮像素子１００とボンディングワイヤ１１０を介して接続される配線層２０２には、撮像素子１００から出力される信号を読み出すための配線パターンが形成されている。
たとえば、撮像素子１００から出力される信号の出力端子が撮像素子１００の周辺側の一部に偏っていると、撮像素子１００から出力される信号を読み出すための配線パターンが、ｘｙ面内で偏った領域に形成される。図７（ａ）は、配線層２０２における、撮像素子１００から出力される信号を読み出すための複数の配線パターン２０２ａを模式的に示した図である。なお、図７（ａ）および後述する図７（ｂ）において、配線層２０２の銅箔部分をハッチングによって示し、撮像素子１００の配置位置を二点鎖線で示している。

各配線パターンの周囲には、隣接する配線パターンや、信号や電力の伝達にあずからない銅箔部分と離間させるため、銅箔が存在しない領域を設ける必要がある。そのため、図７（ａ）に示すように、配線パターン２０２ａを含む領域２０２ｂと、配線パターンを含まない領域２０２ｃとでは、それぞれの領域における残銅率に差が生じる。同一の配線層２０２における領域毎の残銅率の差は、実装基板１２０の温度が下がって変形するときの変形形状に影響を与える。すなわち、残銅率が高い領域２０２ｃでは、残銅率が低い領域２０２ｂよりも上述した収縮力が強くなる。そのため、配線パターンの偏りは、実装基板１２０の温度が下がって変形するときに非対称な形状に変形する原因となるおそれがある。実装基板１２０の変形形状は撮像素子１００の平面性にも影響を及ぼすおそれがある。したがって、実装基板１２０が非対称な形状に変形すると撮像素子１００もその変形形状の影響を受け、撮像して得られる画像に歪みを生じるおそれがある。

そこで、本変形例では、実装基板１２０の温度が下がって変形するときの変形形状が、非対称の形状とならないように、ダミーの配線パターンを形成する。図７（ｂ）は、ダミーの配線パターンである変形制御用パターン２０２ｄを形成した配線層２０２を模式的に示した図である。図７（ｂ）に示す変形制御用パターン２０２ｄは、たとえば、撮像素子１００のｘｙ平面における中心に対して、配線パターン２０２ａと略対称に形成されている。このように、変形制御用パターン２０２ｄを撮像素子１００のｘｙ平面における中心に対して配線パターン２０２ａと略対称に形成することで、実装基板１２０の温度が下がって変形するときの変形形状を略対称の形状とすることができる。
これにより、撮像素子１００を非対称に歪めようとする力が減ぜられるので、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

なお、変形制御用パターン２０２ｄの形状や配置位置は、撮像素子１００のｘｙ平面における中心に対して、配線パターン２０２ａと略対称とすることに限定されない。すなわち、変形制御用パターン２０２ｄの形状や配置位置は、実装基板１２０の温度が下がって変形するときの変形形状が非対称の形状とならなければ、任意の形状および配置位置であってよい。また、変形制御用パターン２０２ｄは、撮像素子１００を動作する時の電気制御信号を使用しても良いし、電気的にはグランドと同電位に固定された信号パターンとしても良い。

上述した第１の実施の形態では、次の作用効果を奏する。
（１）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像素子１００が配置される基板であって、実装基板１２０を保護するソルダレジスト層２０１が形成された第１主面１１１と、第１主面１１１とは反対側の面であって、ソルダレジスト層２０１とは膜厚及び熱膨張係数の少なくとも一方が異なるソルダレジスト層２１１が形成された第２主面１１２と、を備える。
これにより、複数の実装基板１２０において、撮像素子１００が実装された第１主面１１１が凸となるように反るか凹となるように反るかのいずれか一方となるように反りの方向を揃えることができる。したがって、撮像素子１００の平面性に与える影響を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（２）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像素子１００が配置される第１主面１１１と、第１主面１１１とは反対側の第２主面１１２と、を有する。実装基板１２０は、第１主面１１１及び第２主面１１２の間に設けられた配線層２０２と、配線層２０２よりも第２主面１１２に設けられ、金属部分が占める面積及び厚さの少なくとも一方が配線層２０２とは異なる配線層２１２と、を備える。
これにより、複数の実装基板１２０において、撮像素子１００が実装された第１主面１１１が凸となるように反るか凹となるように反るかのいずれか一方となるように反りの方向を揃えることができる。したがって、撮像素子１００の平面性に与える影響を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（３）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像素子１００が配置される第１主面１１１と、第１主面１１１とは反対側の第２主面１１２と、を有する。実装基板１２０は、第１主面１１１及び第２主面１１２の間に設けられた絶縁層２０３と、絶縁層２０３よりも第２主面１１２に設けられ、絶縁層２０３とは厚さおよび熱膨張係数の少なくとも一方が異なる絶縁層２１３と、を備える。
これにより、複数の実装基板１２０において、撮像素子１００が実装された第１主面１１１が凸となるように反るか凹となるように反るかのいずれか一方となるように反りの方向を揃えることができる。したがって、撮像素子１００の平面性に与える影響を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（４）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像素子１００が配置される第１主面１１１と、第１主面１１１とは反対側の第２主面１１２と、を備える。第１主面１１１及び第２主面１１２の少なくとも一方には、実装基板１２０としての線膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する反り制御部材１８５を取り付けた。
これにより、複数の実装基板１２０において、撮像素子１００が実装された第１主面１１１が凸となるように反るか凹となるように反るかのいずれか一方となるように反りの方向を揃えることができる。したがって、撮像素子１００の平面性に与える影響を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（５）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像素子１００が配置される第１主面１１１と、第１主面１１１とは反対側の第２主面１１２と、を備える。第１主面１１１には、撮像素子１００から出力される信号を読み出す配線パターン２０２ａ、および温度変化による配線パターン２０２ａの収縮膨張による第１主面１１１および第２主面１１２の歪みを補償する歪みを補償する変形制御用パターン２０２ｄが設けられる。
これにより、撮像素子１００を非対称に歪めようとする力が減ぜられるので、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

−−−第２の実施の形態−−−
図８〜１１を参照して、第２の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、撮像素子１００で発生する熱を放熱し易く構成した点で、第１の実施の形態と異なる。

撮像素子１００では、電力の消費に伴って発熱するが、撮像素子１００の温度が上がると暗電流が増加し、撮像して得られる画像の画質に影響を与えるおそれがある。そのため、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がす必要がある。
そこで、本実施の形態では、以下に述べる各実施例のように実装基板１２０を構成することで、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がす。
なお、以下に述べる各実施例を適宜組み合わせてもよい。

（１）第１の実施例
図８は、第２の実施の形態における第１の実施例の撮像ユニット４０Ａについての模式的な断面図であり、第１の実施の形態における図４に相当する図である。
本実施例の撮像ユニット４０Ａでは、図８に示すように、ソルダレジスト層２０１のうち、撮像素子１００の裏面と対向する領域からソルダレジストを除くことで配線層２０２を露出させている。すなわち、配線層２０２は、撮像素子１００の裏面と対向し撮像素子１００が実装される実装部において露出している。撮像素子１００は、露出した配線層２０２に接着部２１０で接着されている。なお、ソルダレジストが除かれた配線層２０２の表面には、酸化防止のために金メッキ等が施されている。

撮像素子１００で発生した熱は、接着剤２１０を介して配線層２０２の銅箔に伝達される。なお、配線層２０２に伝達された熱は、フレーム１４０および図３に示したブラケット１５０を介して図１に示したミラーボックス６０に伝達される。なお、撮像ユニット４０がミラーボックス６０以外のカメラボディ３０における構造体に固定されている場合には、配線層２０２に伝達された熱は、フレーム１４０および図３に示したブラケット１５０を介してカメラボディ３０の構造体に伝達される。
接着剤２１０の熱伝導率は、ソルダレジストよりも高いことが望ましい。
本実施例では、熱伝導率が低いソルダレジストを介さずに熱伝導率が高い配線層２０２に撮像素子１００を接着できるので、撮像素子１００から配線層２０２への熱伝達が良好となり、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。
また、撮像素子１００において発熱量が多い領域と少ない領域とが存在するが、撮像素子１００の発熱量が多い領域の位置に応じて接着剤２１０の塗布領域を選択できるので、撮像素子１００で発生した熱を効率的に配線層２０２へ伝達できる。これにより、撮像素子１００の温度上昇を抑止して暗電流の増加を抑制できるので、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（２）第２の実施例
図９は、第２の実施の形態における第２の実施例の撮像ユニット４０Ｂについての模式的な断面図であり、第１の実施の形態における図４に相当する図である。
本実施例の撮像ユニット４０Ｂでは、図９に示すように、ソルダレジスト層２０１における撮像素子１００の裏面と対向する領域のうち、撮像素子１００の周辺側の領域からソルダレジストを除くことで配線層２０２を露出させている。すなわち、配線層２０２は、撮像素子１００の裏面と対向し撮像素子１００が実装される実装部の周辺部において露出している。撮像素子１００は、配線層２０２に接着部２１０で接着されている。なお、ソルダレジストが除かれた配線層２０２の表面には、酸化防止のために金メッキ等が施されている。撮像素子１００で発生した熱は、主に接着剤２１０を介して配線層２０２の銅箔に伝達され、一部が撮像素子１００の裏面のソルダレジスト層２０１を介して配線層２０２の銅箔に伝達される。

撮像素子１００では、撮像領域１０１よりも周辺領域１０２での発熱量が多い。すなわち、周辺領域１０２には、走査回路やＡＤ変換回路、演算増幅部等の発熱量が多い回路が設けられている。そのため、撮像素子１００の周辺領域１０２から接着剤２１０を介して配線層２０２の銅箔に熱を伝達させることで、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。
第２の実施例では、第１の実施例と比べて配線層２０２の露出面積が狭いので、金メッキ等を施す面積を減らすことができ、コストを抑制できる。
なお、撮像素子１００の発熱量が多い場合は上述した第１の実施例を採用し、撮像素子１００の発熱量が少ない場合は第２の実施例を採用すればよい。

（３）第３の実施例
図１０は、第２の実施の形態における第３の実施例の撮像ユニット４０Ｃについての模式的な断面図であり、第１の実施の形態における図４に相当する図である。
本実施例の撮像ユニット４０Ｃでは、図１０に示すように、ソルダレジスト層２０１のフレーム１４０の第５面１４５と対向する領域からソルダレジストを除くことで配線層２０２を露出させている。すなわち、配線層２０２は、撮像素子１００が配置される面に形成され、撮像素子１００を囲み撮像素子１００からの熱が伝熱されるフレーム１４０が取り付けられる取付部において露出している。フレーム１４０は、第５面１４５で接着部２２０によって配線層２０２に接着されている。撮像素子１００で発生し、配線層２０２に伝達された熱は、接着部２２０を介してフレーム１４０に伝達される。フレーム１４０に伝達された熱は、図３に示したビス１４９やブラケット１５０と接触する第３面１４３からブラケット１５０に伝達され、ブラケット１５０を介して図１に示したミラーボックス６０に伝達される。

これにより、熱伝導率が低いソルダレジストを介さずに配線層２０２からフレーム１４０に熱を伝達できるので、熱伝達が良好となり、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。特に、フレーム１４０が金属製である場合には、フレーム１４０が樹脂製である場合と比べて熱伝導率が高くなるので、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。また、フレーム１４０の熱容量を増やすことで撮像素子１００の温度上昇を緩和できるが、本実施例では配線層２０２からフレーム１４０への熱伝達が良好になるので、撮像素子１００の温度上昇をより緩和できる。

（４）第４の実施例
図１１は、第２の実施の形態における第４の実施例の撮像ユニット４０Ｄについての模式的な断面図であり、第１の実施の形態における図４に相当する図である。
本実施例の撮像ユニット４０Ｄでは、図１１に示すように、第２層１２２のソルダレジスト層２１１のうち、実装基板１２０の周辺領域の少なくとも一部からソルダレジストを除くことで配線層２１１を露出させている。そして、露出した配線層２１１に熱伝達部材１７０の一端を接触させている。すなわち、配線層２１１は、撮像素子１００が配置される面とは反対側の面に形成され、熱伝達部材１７０が取り付けられる取付部において露出している。熱伝達部材１７０は、たとえばグラファイトシート等の熱伝導性の良好な部材である。熱伝達部材１７０の不図示の他端は、たとえば直接または不図示の部材を介して図１に示したミラーボックス６０へ熱的に接続されている。

撮像素子１００で発生した熱は、実装基板１２０をｚ軸マイナス方向にも伝達される。本実施例では、実装基板１２０をｚ軸マイナス方向に伝達された熱を熱伝導率が低いソルダレジストを介さずに配線層２１２から熱伝達部材１７０に伝達できるので、熱伝達が良好となり、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。

上述した第２の実施の形態では、第１の実施の形態の作用効果に加えて次の作用効果を奏する。
（１）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像素子１００が配置される基板であって、
少なくとも一部の領域が露出した、撮像素子１００で発生した熱を外部へ伝えるための配線層２０２または配線層２１２を有する。
これにより、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がして撮像素子１００の温度上昇を抑制できるので、暗電流の増大を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（２）撮像素子１００は、光電変換素子が配置された撮像面を有する。配線層２０２は、撮像素子１００の撮像面とは反対側の面と対向する領域において露出している。
これにより、撮像素子１００から配線層２０２への熱伝達が良好となり、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。したがって、撮像素子１００の温度上昇を抑制できるので、暗電流の増大を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（３）撮像素子１００は、光電変換素子が配置された撮像面を有する。配線層２０２は、撮像素子１００の撮像面とは反対側の面であって、光電変換素子により得られた信号を処理する処理回路が設けられた領域と対向する領域において露出している。
撮像素子１００では、撮像領域１０１よりも周辺領域１０２での発熱量が多いため、撮像素子１００の周辺領域１０２から接着剤２１０を介して配線層２０２の銅箔に熱を伝達させることで、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。したがって、撮像素子１００の温度上昇を抑制できるので、暗電流の増大を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（４）配線層２０２は、撮像素子１００が配置される面に形成され、撮像素子１００を囲み撮像素子１００からの熱が伝熱されるフレーム１４０が取り付けられる取付部において露出している。
これにより、熱伝導率が低いソルダレジストを介さずに配線層２０２からフレーム１４０に熱を伝達できるので、熱伝達が良好となり、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。したがって、撮像素子１００の温度上昇を抑制できるので、暗電流の増大を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

（５）配線層２１１は、撮像素子１００が配置される面とは反対側の面に形成され、熱伝達部材１７０が取り付けられる取付部において露出している。
これにより、実装基板１２０をｚ軸マイナス方向に伝達された熱を熱伝導率が低いソルダレジストを介さずに配線層２１２から熱伝達部材１７０に伝達できるので、熱伝達が良好となり、撮像素子１００で発生した熱を効率的に外部に逃がすことができる。したがって、撮像素子１００の温度上昇を抑制できるので、暗電流の増大を抑制でき、撮像して得られる画像の画質を向上できる。

−−−第３の実施の形態−−−
従来から、製品出荷前の検査工程において撮像素子１００のリーク電流を測定し、基準値以上のリーク電流が測定された製品をＮＧとしている。第３の実施の形態の撮像ユニットは、第１の実施の形態や第２の実施の形態で説明したように基板実装した撮像素子の上記検査を可能とするものである。図１２〜１７を参照して第３の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１および第２の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１および第２の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、撮像素子１００のリーク電流測定に関して説明する。

撮像素子１００には、実装基板１２０に設けられた後述する電力供給部４８０から電力が供給される。そのため、撮像素子１００のリーク電流を測定する際に、電力供給部４８０の影響を受けないようにする必要がある。そこで、本実施の形態の撮像ユニット４０では、電力供給部４８０を次のように構成している。

（１）第１の実施例
図１２は、撮像素子１００の不図示の３つのリーク電流測定対象回路のリーク電流を測定可能とした撮像ユニット４０の第１の実施例を示す。以下の説明では、リーク電流測定対象回路を電力消費回路とも呼ぶ。リーク電流測定装置５００は、撮像ユニット４０のコネクタ１９０を介して撮像ユニット４０と接続される。撮像素子１００の不図示の３つの電力消費回路には、電源回路４１０Ａ〜４１０Ｃから３つの異なる供給電力が供給される。以下の説明では、電源回路４１０Ａ〜４１０Ｃを共通符号４１０で説明することもある。

図１２は、撮像素子１００が有するＮ個の電力消費回路ごとに異なる電源電圧の電力供給回路をＮ個設けた一例である。複数（たとえばＮ個）の電力消費回路を複数（Ｍ個：ＭはＮより小さい整数）のグループに分け、Ｍ個のグループにそれぞれ対応するＭ個の電力供給部から電力を受けるようにしてもよい。したがって、電力供給回路４９０は３個に限定されない。

各電力供給回路４９０は、電源回路４１０とＦＥＴ４４０とを含む。電源回路４１０はたとえばシリーズレギュレータであるレギュレータ４１１を含む。レギュレータ４１１は、入力端子４１２に接続された電源電圧Ｖ＋の基準電源電圧を所定電圧に変換して出力する電源装置である。レギュレータ４１１の出力端子４１３から出力される供給電力は、電源ライン４００により撮像素子１００の給電端子に接続されたボンディングパッド２４０に供給される。
なお、電源電圧Ｖ＋は、コネクタ１９０の電源電圧用端子１９１を介してカメラ１０が備える電源ユニットから提供される。電源ユニットは、カメラ１０に装着された電池に蓄積された電力を用いて生成される。

電源ライン４００上にはＦＥＴ４４０が設けられている。ＦＥＴ４４０は、ゲート端子４４３に接続されている制御ライン４４５の信号レベルに応じて導通、非導通が制御される。制御ライン４４５はコネクタ１９０の制御用端子１９２を介してリーク電流測定装置５００に接続されている。制御ライン４４５の信号レベルは、このリーク電流測定装置５００により制御される。

ゲート端子４４３は、不図示のプルダウン抵抗を介して、不図示のグランドラインに電気的に接続されている。ゲート端子４４３が電気的に開放されている場合、ＦＥＴ４４０のソース端子４４１とドレイン端子４４２との間は導通状態にある。ＦＥＴ４４０が導通状態のとき、電源回路４１０が撮像素子１００に接続される。
リーク電流測定装置５００により、コネクタ１９０の制御用端子１９２を介してゲート端子４４３に予め定められた正電圧が印加されている場合、ＦＥＴ４４０のソース端子４４１とドレイン端子４４２との間は非導通状態になる。この場合、電源回路４１０から撮像素子１００へ電力が供給される電源ライン４００は切断された状態にある。

ＦＥＴ４４０のドレイン端子４４２と、撮像素子１００の給電端子に接続されたボンディングパッド２４０との間の電源ライン４００は、測定ライン４５３によりコネクタ１９０の測定用端子１９３に接続されている。リーク電流測定装置５００は、ＦＥＴ４４０が非導通状態のときに測定ライン４５３に流れる電流量を測定して、撮像素子１００の電力消費回路のリーク電流を測定する。
本実施例では、測定用ライン４５３およびコネクタ１９０の測定用端子１９３は、各電力供給回路４９０にそれぞれ設けられている。なお、制御ライン４４５およびコネクタ１９０の制御用端子１９２は、各電力供給回路４９０で共通であり、１つだけ設けられている。
リーク電流測定の詳細は後述する。

電源回路４１０およびＦＥＴ４４０は、図３に示す電子部品１８０の一部として含まれる。電源ライン４００、制御ライン４４５、測定用ライン４５３は、図４に示す配線層２１２に含まれる配線パターンで形成される。電源ライン４００は、配線層２１２に含まれる配線パターンのうち、撮像素子１００に電力を供給する電源パターンで形成される。

なお、ＦＥＴ４４０に代えて、撮像素子１００のリーク電流を測定している場合に、電源回路４１０と撮像素子１００との間の電気抵抗を、撮像素子１００のリーク電流を測定していない場合より高くする能動素子を使用することもできる。

（リーク電流測定装置５００）
リーク電流測定装置５００は、制御部５１０と、電流測定部５２０と、電流源５３０とを備える。リーク電流測定装置５００は、撮像ユニット４０のコネクタ１９０が有する制御用端子１９２および各測定用端子１９３に接続される不図示のコネクタを有する。リーク電流測定装置５００は、基板１２０に実装されたコネクタ１９０を介して撮像ユニット４０に接続されて撮像素子１００のリーク電流を測定する。

制御部５１０は、制御用端子１９２に正電圧を印加する。これにより、ＦＥＴ４４０が電源回路４１０と撮像素子１００との間が電気的に切断された状態にする。この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から各測定用端子１９３を介して撮像素子１００に電流を供給するとともに、電流源５３０から各測定用端子１９３に流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定された電流のそれぞれをリーク電流として算出する。

制御部５１０は、算出したリーク電流に基づいて、撮像素子１００の良否判定を行う。例えば、制御部５１０は、算出した複数のリーク電流のうち、少なくともいずれか１つが予め定められた値より大きい場合、撮像素子１００を不良品と判定する。制御部５１０は、算出した複数のリーク電流のいずれもが予め定められた値以下の場合、撮像素子１００を良品と判定する。

リーク電流の測定後、制御部５１０は、制御用端子１９２への正電圧の印加を停止して、ＦＥＴ４４０のゲート端子４４３を電気的に開放する。これにより、ＦＥＴ４４０が導通状態となり電源回路４１０と撮像素子１００との間が電気的に接続され、電源ライン４００を介して電源回路４１０から撮像素子１００に電力を供給できる状態になる。

本実施例によれば、撮像素子１００のリーク電流を測定する際に、電源回路４１０と撮像素子１００との間が電気的に切断されるので、撮像素子１００のリーク電流を正確に測定できる。その理由は次のとおりである。ＦＥＴ４４０のソース側に接続された電源回路４１０等が撮像素子１００と電気的に切り離されるので、撮像素子１００以外から漏れるリーク電流が混在することがなく、撮像素子１００のリーク電流のみを正確に測定できる。
また、撮像ユニット４０のコネクタ１９０を介して外部のリーク電流測定装置５００と接続できるので、リーク電流測定装置５００との接続が容易である。たとえば、撮像素子１００が実装された基板にリーク電流測定装置５００のプローブを接触させるパッドが設けられている例では、測定に際してプローブをパッドに接触させる必要があり、検査工程が煩雑である。さらに、パッドを基板表面に設ける必要があり、基板の面積が大きくなる。なお、このパッドは、検査工程にのみ使用するものであり、撮像ユニットの本来の機能には不要なものである。

（２）第２の実施例
図１３は、第２の実施例における電力供給部４８０Ａを模式的に示す回路図である。以下、第１の実施例との相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施例と同じである。

本実施例の撮像ユニット４０は、３つの電源回路４１０Ａ〜４１０Ｃの測定用ライン４５３のそれぞれに接続されたアナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｃを備えている。アナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｃは一つのコネクタ端子１９３に接続されている。アナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｃを順次切り替えることによって、撮像素子１００の３つの電力消費回路のリーク電流を時分割で測定する。電源回路４１０Ａ〜４１０Ｃと撮像素子１００を接続する３つの電力ライン４００にそれぞれ設けられているＦＥＴ４４０Ａ〜４４０Ｃは、独立して導通、非導通が切換えられる。

本実施例の撮像ユニット４０は、リーク電流測定装置５００の制御部５１０の指令により、アナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｃ、およびＦＥＴ４４０Ａ〜４４０Ｃをそれぞれ切換え制御するコントローラ４６０を備えている。

コントローラ４６０は、リーク電流測定装置５００Ａとシリアル通信を行って、アナログスイッチ４５４および各ＦＥＴ４４０を制御する。コントローラ４６０は、アナログスイッチ４５４の制御信号を出力する制御信号出力端子４６１と、各ＦＥＴ４４０を制御する正電圧を出力する複数の正電圧出力端子４６２とを有する。コントローラ４６０は、後述するリーク電流測定装置５００Ａとの通信用の端子として、クロック端子４６４と、データ端入力端子４６５と、データ出力端子４６６とを有する。コントローラ４６０は、リーク電流測定装置５００Ａとたとえばシリアル３線式の通信を行う。

制御信号出力端子４６１は、スイッチ制御ライン４４６を介してアナログスイッチ４５４と接続されている。複数の正電圧出力端子４６２のそれぞれは、独立した制御ライン４４５を介して各ＦＥＴ４４０のゲート端子４４３と接続されている。

コントローラ４６０は、各正電圧出力端子４６２から出力する正電圧を制御することで、各ＦＥＴ４４０のソース端子４４１とドレイン端子４４２との間を導通状態とするか非導通状態とするかを個別に切り替える。コントローラ４６０は、アナログスイッチ４５４が有する個々のスイッチのオンオフを制御する制御信号を制御信号出力端子４６１から出力することで、アナログスイッチ４５４を制御する。

上述したようにアナログスイッチ４５４は、３つのスイッチ４５４ａ〜４５４ｃを有する。スイッチ４５４ａの一方の端子は、電力供給回路４９０ＡにおけるＦＥＴ４４０Ａのドレイン端子４４２とボンディングパッド２４０Ａとの間の電源ライン４００Ａに測定用ライン４５３を介して接続されている。同様に、スイッチ４５４ｂの一方の端子は、電力供給回路４９０ＢにおけるＦＥＴ４４０Ｂのドレイン端子４４２とボンディングパッド２４０Ｂとの間の電源ライン４００Ｂに測定用ライン４５３を介して接続されている。スイッチ４５４ｃの一方の端子は、電力供給回路４９０ＣにおけるＦＥＴ４４０Ｃのドレイン端子４４２とボンディングパッド２４０Ｃとの間の電源ライン４００Ｃに測定用ライン４５３を介して接続されている。
各スイッチ４５４ａ〜４５４ｃの他方の端子は、１本の測定用ライン４５５の一端に接続されている。測定用ライン４５５の他端は、コネクタ１９０の測定用端子１９３に接続されている。本実施例では、コネクタ１９０の測定用端子１９３は１つである。
各スイッチ４５４ａ〜４５４ｃのそれぞれは、コントローラ４６０から出力される制御信号によって個別にオンオフが制御される。

本実施例では、コネクタ１９０は、コントローラ４６０のクロック端子４６４と接続された通信用端子１９４と、データ端入力端子４６５と接続された通信用端子１９５と、データ出力端子４６６と接続された通信用端子１９６とをさらに備える。

リーク電流測定装置５００Ａは、制御部５１０がコントローラ４６０を制御することで、ボンディングパッド２４０Ａを介して撮像素子１００に流れ込むリーク電流と、ボンディングパッド２４０Ｂを介して撮像素子１００に流れ込むリーク電流と、ボンディングパッド２４０Ｃを介して撮像素子１００に流れ込むリーク電流とを順次測定する。具体的には、次のとおりである。

リーク電流測定開始前には、各ＦＥＴ４４０Ａ〜４４０Ｃのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間は、それぞれ導通状態であり、アナログスイッチ４５４の各４５４ａ〜４５４ｃはオフされている。第２の実施例では、ＦＥＴ４４０Ａ〜４４０Ｃとアナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｃとの切換え制御を時分割でそれぞれ同期させ、異なる電源が接続される撮像素子１００の異なる電力消費回路ごとにリーク電流を測定する。したがって、制御部５１０は、撮像素子１００の異なるリーク電流測定箇所の数だけ３回リーク測定処理を行う。

制御部５１０からコントローラ４６０へ第１番目のリーク電流測定開始指令が出力されると、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ａのゲート端子４４３へ正電圧を印加するとともに、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａをオンする制御信号を出力する。これにより、ＦＥＴ４４０Ａのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が非導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａがオンする。
その結果、電源回路４１０Ａと撮像素子１００との間が電気的に切断される。また、コネクタ１９０の測定用端子１９３とボンディングパッド２４０Ａとが電気的に接続される。

この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３およびボンディングパッド２４０Ａを介して撮像素子１００に電流を供給するとともに、電流源５３０から測定用端子１９３に流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定された電流値をボンディングパッド２４０Ａから流入するリーク電流として算出する。

制御部５１０からコントローラ４６０へ第２番目のリーク電流測定開始指令が出力されると、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ａのゲート端子４４３への正電圧の印加を停止し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａをオフする制御信号を出力し、ＦＥＴ４４０Ｂのゲート端子４４３へ正電圧を印加し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂをオンする制御信号を出力する。これにより、ＦＥＴ４４０Ａのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａがオフし、ＦＥＴ４４０Ｂのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が非導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂがオンする。
その結果、電源回路４１０Ａと撮像素子１００との間が電気的に接続され、電源回路４１０Ｂと撮像素子１００との間が電気的に切断される。また、コネクタ１９０の測定用端子１９３とボンディングパッド２４０Ｂとが電気的に接続される。

この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３およびボンディングパッド２４０Ｂを介して撮像素子１００に電流を供給するとともに、電流源５３０から測定用端子１９３に流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定された電流値をボンディングパッド２４０Ｂから電力消費回路に流入するリーク電流として算出する。

制御部５１０からコントローラ４６０へ第３番目のリーク電流測定開始指令が出力されると、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ｂのゲート端子４４３への正電圧の印加を停止し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂをオフする制御信号を出力し、ＦＥＴ４４０Ｃのゲート端子４４３へ正電圧を印加し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｃをオンする制御信号を出力する。これにより、ＦＥＴ４４０Ｂのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂがオフし、ＦＥＴ４４０Ｃのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が非導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｃがオンする。
その結果、電源回路４１０Ｂと撮像素子１００との間が電気的に接続され、電源回路４１０Ｃと撮像素子１００との間が電気的に切断される。また、コネクタ１９０の測定用端子１９３とボンディングパッド２４０Ｃとが電気的に接続される。

この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３およびボンディングパッド２４０Ｃを介して撮像素子１００に電流を供給するとともに、電流源５３０から測定用端子１９３に流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定された電流をボンディングパッド２４０Ｃから撮像素子１００の電力消費回路に流入するリーク電流として算出する。
その後、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ｃのゲート端子４４３への正電圧の印加を停止し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｃをオフする制御信号を出力する。これにより、ＦＥＴ４４０Ｃのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｃがオフする。

制御部５１０は、算出したリーク電流に基づいて、第１の実施例と同様に撮像素子１００の良否判定を行う。

本実施例によれば、リーク電流の測定対象となる箇所が複数存在する場合でも、コネクタ１９０の測定用端子１９３を１つ設ければよい。これにより、コネクタ１９０の端子数を削減してコネクタ１９０を小型化でき、撮像ユニット４０の小型化を図れる。

（３）第３の実施例
図１４は、第３の実施例における電力供給部４８０Ｂを模式的に示す回路図である。本実施例では、複数存在するリーク電流の測定対象となる電力消費回路のリーク電流の総和を測定する。以下の説明では、第１の実施例との相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施例と同じである。

図１４に示すように、３つの測定用ライン４５３のそれぞれには、ダイオード４５６が１つずつ接続されている。各ダイオード４５６は、カソードが各測定用ライン４５３に接続され、アノードが１本の測定用ライン４５５の一端に接続されている。測定用ライン４５５の他端は、コネクタ１９０の測定用端子１９３に接続されている。本実施例では、コネクタ１９０の測定用端子１９３は１つである。

このように１本の測定用ライン４５５と各測定用ライン４５３とを各ダイオード４５６を介して接続することで、各測定用ライン４５３から各ボンディングパッド２４０を介して撮像素子１００に流れ込むリーク電流の総和を測定できる。
具体的には、リーク電流測定装置５００Ｂの制御部５１０は、制御用端子１９２に正電圧を印加する。これにより、各電力供給回路４９０と１００との間が電気的に切断される。この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３を介して撮像チップ１００に電流を供給するとともに、電流源５３０から測定用端子１９３に流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定された電流をリーク電流として算出する。こうして算出される電流値は、３つの測定用ライン４５３から各ボンディングパッド２４０を介して撮像チップ１００に流れ込むリーク電流の総和である。

制御部５１０は、算出したリーク電流に基づいて、撮像チップ１００の良否判定を行う。例えば、制御部５１０は、算出したリーク電流の総和が予め定められた値より大きい場合、撮像チップ１００を不良品と判定する。制御部５１０は、算出したリーク電流の総和が予め定められた値以下の場合、撮像チップ１００を良品と判定する。

本実施例によれば、リーク電流の測定対象となる電力消費回路が複数存在する場合でも、コネクタ１９０の測定用端子１９３を１つ設ければよい。これにより、コネクタ１９０の端子数を削減してコネクタ１９０を小型化でき、撮像ユニット４０の小型化を図れる。
また、複数の電力消費回路のいずれのリーク電流が異常であるかは判別できないが、撮像チップ１００としてＮＧであるか否かの判別時間を短縮できる。
また、ＦＥＴ４４０を制御するコントローラ４６０が不要であるので、実装基板１２０における回路構成を簡略化でき、コストダウンを図れる。
なお、本実施例では、各ダイオード４５６に代えて、抵抗を用いてもよく、上述した作用効果と同様の作用効果を奏する。

（４）第４の実施例
図１５は、第４の実施例における電力供給部４８０Ｃを模式的に示す回路図である。本実施例では、上述した第２の実施例と同様に、複数の電力供給回路４９０の測定用ライン４５３のそれぞれに接続されたアナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｅを順次切り替えることによって、複数存在する電力消費回路のそれぞれを時分割で測定する。なお、本実施例では、第２の実施例とは異なり、撮像素子１００における複数の電力供給先のうち、供給電圧の値が異なれば、割り当てるコネクタ１９０の測定用端子１９３を異ならせている。以下の説明では、第２の実施例との相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第２の実施例と同じである。

図１５に示す例では、電力供給部４８０Ｃには、たとえば５つの電力供給回路４９０Ａ〜４９０Ｅが設けられている。本実施例では、たとえば電力供給回路４９０Ａおよび電力供給回路４９０Ｂは、供給電圧がａボルトである。電力供給回路４９０Ｃおよび電力供給回路４９０Ｄは、供給電圧がａボルトとは異なるｂボルトである。電力供給回路４９０Ｅは、供給電圧がａボルト、ｂボルトとは異なるｃボルトである。

本実施例では、アナログスイッチ４５４は、５個のスイッチ４５４ａ〜４５４ｅを有する。５個のスイッチ４５４ａ〜４５４ｅの一方の端子は、それぞれ、対応する電力供給回路４９０の電源ライン４００に測定用ライン４５３を介して接続されている。
スイッチ４５４ａ、４５４ｂの他方の端子は、ともに測定用ライン４５５ａの一端に接続されている。測定用ライン４５５ａの他端は、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａに接続されている。スイッチ４５４ｃ、４５４ｄの他方の端子は、ともに測定用ライン４５５ｂの一端に接続されている。測定用ライン４５５ｂの他端は、コネクタ１９０の測定用端子１９３ｂに接続されている。スイッチ４５４ｅの他方の端子は、測定用ライン４５５ｃの一端に接続されている。測定用ライン４５５ｃの他端は、コネクタ１９０の測定用端子１９３ｃに接続されている。

すなわち、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａは、スイッチ４５４ａ、４５４ｂを介して供給電圧がａボルトである電力供給回路４９０Ａおよび電力供給回路４９０Ｂの電源ライン４００Ａ、４００Ｂに接続されている。測定用端子１９３ｂは、スイッチ４５４ｃ、４５４ｄを介して供給電圧がｂボルトである電力供給回路４９０Ｃおよび電力供給回路４９０Ｄの電源ライン４００Ｃ、４００Ｄに接続されている。測定用端子１９３ｃは、スイッチ４５４ｅを介して供給電圧がｃボルトである電力供給回路４９０Ｅの電源ライン４００Ｅに接続されている。

各スイッチ４５４ａ〜４５４ｅのそれぞれは、コントローラ４６０から出力される制御信号によって個別にオンオフが制御される。

コントローラ４６０は、後述するリーク電流測定装置５００Ｃとシリアル通信を行って、アナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｅおよびＦＥＴ４４０Ａ〜４４０Ｅを制御する。
複数の正電圧出力端子４６２のそれぞれは、独立した制御ライン４４５を介してＦＥＴ４４０Ａ〜４４０Ｅのゲート端子４４３と接続されている。

リーク電流測定装置５００Ｃは、制御部５１０がコントローラ４６０を制御することで、次のようにして撮像素子１００に流れ込むリーク電流を測定する。

リーク電流測定開始前には、各ＦＥＴ４４０Ａ〜４４０Ｅのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間は、それぞれ導通状態であり、アナログスイッチ４５４の各スイッチ４５４ａ〜４５４ｅはオフされている。第４の実施例では、ＦＥＴ４４０Ａ、４００Ｃ、４４０Ｅとアナログスイッチ４５４ａ、４５４ｃ、４５４ｅの切換え制御を同期させ、撮像素子１００の５個のリーク電流測定箇所のリーク電流をａボルト、ｂボルト、ｃボルトの供給電圧ごとに測定する。

制御部５１０からコントローラ４６０へ第１番目のリーク電流測定開始指令が出力されると、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ａ、４００Ｃ、４４０Ｅのゲート端子４４３へ正電圧を印加し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａ、４５４ｃ、４５４ｅをオンする制御信号を出力する。これにより、ＦＥＴ４４０Ａ、４４０Ｃ、４４０Ｅのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が非導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａ、４５４ｃ、４５４ｅがオンする。
その結果、電源回路４１０Ａと撮像素子１００との間が電気的に切断され、電源回路４１０Ｃと撮像素子１００との間が電気的に切断され、電源回路４１０Ｅと撮像素子１００との間が電気的に切断される。また、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａとボンディングパッド２４０Ａとが電気的に接続され、測定用端子１９３ｂとボンディングパッド２４０Ｃとが電気的に接続され、測定用端子１９３ｃとボンディングパッド２４０Ｅとが電気的に接続される。

この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３ａおよびボンディングパッド２４０Ａを介して撮像素子１００に電流を供給し、電流源５３０から測定用端子１９３ｂおよびボンディングパッド２４０Ｃを介して撮像素子１００に電流を供給し、電流源５３０から測定用端子１９３ｃおよびボンディングパッド２４０Ｅを介して撮像素子１００に電流を供給する。また、制御部５１０は、電流源５３０から各測定用端子１９３ａ、１９３ｂ、１９３ｃに流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定されたそれぞれの電流値をボンディングパッド２４０Ａ、２４０Ｃ、２４０Ｅから流入するリーク電流としてそれぞれ算出する。

制御部５１０からコントローラ４６０へ第２番目のリーク電流測定開始指令が出力されると、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ａ、４４０Ｃ、４４０Ｅのゲート端子４４３への正電圧の印加を停止し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａ、４５４ｃ、４５４ｅをオフする制御信号を出力する。また、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ｂ、４４０Ｄのゲート端子４４３へ正電圧を印加し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂ、４５４ｄをオンする。これにより、ＦＥＴ４４０Ａ、４４０Ｃ、４４０Ｅのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａ、４５４ｃ、４５４ｅがオフする。また、ＦＥＴ４４０Ｂ、４４０Ｄのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が非導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂ、４５４ｄがオンする。
その結果、電源回路４１０Ａと撮像素子１００との間が電気的に接続され、電源回路４１０Ｃと撮像素子１００との間が電気的に接続され、電源回路４１０Ｅと撮像素子１００との間が電気的に接続され、電源回路４１０Ｂと撮像素子１００との間が電気的に切断され、電源回路４１０Ｄと撮像素子１００との間が電気的に切断される。
また、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａとボンディングパッド２４０Ｂとが電気的に接続され、測定用端子１９３ｂとボンディングパッド２４０Ｄとが電気的に接続される。

この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３ａおよびボンディングパッド２４０Ｂを介して撮像素子１００に電流を供給し、電流源５３０から測定用端子１９３ｂおよびボンディングパッド２４０Ｄを介して撮像素子１００に電流を供給する。また、制御部５１０は、電流源５３０から各測定用端子１９３ａ、１９３ｂに流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定されたそれぞれの電流をボンディングパッド２４０Ｂ、２４０Ｄから流入するリーク電流としてそれぞれ算出する。

全てのリーク電流測定が終了すると、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ｂ、４４０Ｄのゲート端子４４３への正電圧の印加を停止し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂ、４４０ｄをオフする。これにより、ＦＥＴ４４０Ｂ、４４０Ｄのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂ、４５４ｄがオフする。
その結果、電源回路４１０Ｂと撮像素子１００との間が電気的に接続され、電源回路４１０Ｄと撮像素子１００との間が電気的に接続される。

制御部５１０は、算出したリーク電流に基づいて、第１の実施例と同様に撮像素子１００の良否判定を行う。

本実施例によれば、供給電圧が異なる複数の電力消費回路でのリーク電流を同時に測定でき、測定時間を短縮できる。

なお、アナログスイッチ４５４ａと４５４ｂを同時にオンしてａボルトの供給電圧が供給される２つのリーク電流測定対象回路のリーク電流の総和と、アナログスイッチ４５４ｃと４５４ｄを同時にオンしてｂボルトの供給電圧が供給される２つのリーク電流測定対象回路のリーク電流の総和を、それぞれのコネクタ端子１９３ａ、１９３ｂを介して測定するように、アナログスイッチ４５４とＦＥＴ４４０を制御してもよい。

（５）第５の実施例
図１６は、第５の実施例における電力供給部４８０Ｄを模式的に示す回路図である。本実施例では、異なる電圧が供給される異なるリーク電流測定箇所のリーク電流を一つのコネクタ端子で測定するようにしたものである。すなわち、アナログスイッチ４５４の各スイッチ４５４ａ〜４５４ｄの他方の端子が、ともに測定用ライン４５５ａの一端に接続されている点で、上述した第４の実施例と異なる。以下の説明では、第４の実施例との相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第４の実施例と同じである。

本実施例では、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａは、スイッチ４５４ａ、４５４ｂを介して供給電圧がａボルトである電力供給回路４９０Ａおよび電力供給回路４９０Ｂの電源ライン４００Ａ、４００Ｂに接続されるとともに、スイッチ４５４ｃ、４５４ｄを介して供給電圧がｂボルトである電力供給回路４９０Ｃおよび電力供給回路４９０Ｄの電源ライン４００Ｃ、４００Ｄに接続されている。測定用端子１９３ｂは、スイッチ４５４ｅを介して供給電圧がｃボルトである電力供給回路４９０Ｅの電源ライン４００Ｅが接続されている。

本実施例のリーク電流測定装置５００Ｄは、次のようにして撮像素子１００に流れ込むリーク電流を測定する。制御部５１０がコントローラ４６０を制御することで、アナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｄを時分割でオンオフ制御する。すなわち、電源回路４１０Ａ〜４１０Ｄと４つのボンディングパッド２４０Ａ〜２４０Ｄの各電力ライン４００Ａ〜４００Ｄに接続されている各測定ライン４５３が時分割でコネクタ端子１９３ａに接続される。具体的な動作は以下の通りである。

制御部５１０からコントローラ４６０へ第１番目のリーク電流測定開始指令が出力されると、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ａ、４４０Ｅのゲート端子４４３へ正電圧を印加し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａ、４５４ｅをオンする制御信号を出力する。これにより、ＦＥＴ４４０Ａ、４４０Ｅのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が非導通状態となり、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａ、４５４ｅがオンする。
その結果、電源回路４１０Ａ、４１０Ｅと撮像素子１００との間が電気的に切断される。また、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａとボンディングパッド２４０Ａとが電気的に接続され、測定用端子１９３ｂとボンディングパッド２４０Ｅとが電気的に接続される。

この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３ａおよびボンディングパッド２４０Ａを介して撮像素子１００に電流を供給し、電流源５３０から測定用端子１９３ｂおよびボンディングパッド２４０Ｅを介して撮像素子１００に電流を供給する。また、制御部５１０は、電流源５３０から各測定用端子１９３ａ、１９３ｂに流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定されたそれぞれの電流をボンディングパッド２４０Ａ、２４０Ｅから流入するリーク電流としてそれぞれ算出する。

制御部５１０からコントローラ４６０へ第２番目のリーク電流測定開始指令が出力されると、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ａ、４４０Ｅのゲート端子４４３への正電圧の印加を停止し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ａ、４５４ｅをオフする。これにより、ＦＥＴ４４０Ａ、４４０Ｅのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が導通状態となる。また、コントローラ４６０は、ＦＥＴ４４０Ｂのゲート端子４４３へ正電圧を印加し、アナログスイッチ４５４のスイッチ４５４ｂをオンする。これにより、ＦＥＴ４４０Ｂのソース端子４４１とドレイン端子４４２との間が非導通状態となる。
その結果、電源回路４１０Ｂと撮像素子１００との間が電気的に切断され、電源回路４１０Ｅと撮像素子１００との間が電気的に接続される。また、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａとボンディングパッド２４０Ｂとが電気的に接続される。

この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３ａおよびボンディングパッド２４０Ｂを介して撮像素子１００に電流を供給する。また、制御部５１０は、電流源５３０から測定用端子１９３ａに流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定されたボンディングパッド２４０Ｂから流入するリーク電流として算出する。

以降、制御部５１０は、上述したボンディングパッド２４０Ａ、２４０Ｂから流入するリーク電流の測定の場合と同様にして、ボンディングパッド２４０Ｃ、２４０Ｄから流入するリーク電流をそれぞれ測定するように、コントローラ４６０へ信号を出力する。

制御部５１０は、算出したリーク電流に基づいて、第１の実施例と同様に撮像素子１００の良否判定を行う。

本実施例によれば、供給電圧がａ、ｂボルトである電力供給先でのリーク電流を一つのコネクタ端子１９３ａで時分割で測定し、供給電圧がｃボルトである電力供給先でのリーク電流をコネクタ端子１９３ｂで測定できる。その結果、第４の実施例と比べてコネクタ１９０の端子数を削減できるので、コネクタ１９０を小型化でき、撮像ユニット４０の小型化を図れる。
なお、第５の実施例の回路構成によれば、アナログスイッチ４５４ａ、４５４ｂを閉じ、アナログスイッチ４５４ｃ、４５４ｄを開くことにより、ａボルトの電圧が供給される２つのリーク電流測定箇所のリーク電流の総和に基づいて撮像素子１００の検査を行うこともできる。あるいは、アナログスイッチ４５４ａ、４５４ｂを開き、アナログスイッチ４５４ｃ、４５４ｄを閉じることにより、ｂボルトの電圧が供給される２つのリーク電流測定箇所のリーク電流の総和に基づいて撮像素子１００の検査を行うこともできる。

（６）第６の実施例
図１７は、第６の実施例における電力供給部４８０Ｅを模式的に示す回路図である。本実施例では、主に、第４の実施例におけるアナログスイッチ４５４の各スイッチ４５４ａ〜４５４ｅに代えてダイオード４５６ａ〜４５６ｅを設けるとともに、撮像素子１００における複数の電力消費回路のうち、供給電圧の値が同じである電力消費回路についてはリーク電流の総和を第３の実施例と同様に測定する点で第４の実施例と異なる。特に説明しない点については、第３または第４の実施例と同じである。

本実施例では、上述したように、第４の実施例におけるアナログスイッチ４５４の各スイッチ４５４ａ〜４５４ｅに代えてダイオード４５６ａ〜４５６ｅが設けられている。５つのダイオード４５６ａ〜４５６ｅのカソードは、それぞれ、対応する電力供給回路４９０の電源ライン４００に測定用ライン４５３を介して接続されている。
ダイオード４５６ａ、４５６ｂのアノードは、ともに測定用ライン４５５ａの一端に接続されている。測定用ライン４５５ａの他端は、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａに接続されている。ダイオード４５６ｃ、４５６ｄのアノードは、ともに測定用ライン４５５ｂの一端に接続されている。測定用ライン４５５ｂの他端は、コネクタ１９０の測定用端子１９３ｂに接続されている。ダイオード４５６ｅのアノードは、測定用ライン４５５ｃの一端に接続されている。測定用ライン４５５ｃの他端は、コネクタ１９０の測定用端子１９３ｃに接続されている。

すなわち、コネクタ１９０の測定用端子１９３ａは、ダイオード４５６ａ、４５６ｂを介して供給電圧がａボルトである電力供給回路４９０Ａおよび電力供給回路４９０Ｂの電源ライン４００Ａ、４００Ｂに接続されている。測定用端子１９３ｂは、ダイオード４５６ｃ、４５６ｄを介して供給電圧がｂボルトである電力供給回路４９０Ｃおよび電力供給回路４９０Ｄの電源ライン４００Ｃ、４００Ｄに接続されている。測定用端子１９３ｃは、ダイオード４５６ｅを介して供給電圧がｃボルトである電力供給回路４９０Ｅの電源ライン４００Ｅに接続されている。

ＦＥＴ４４０Ａ〜４４０Ｅのゲート端子４４３は、１本の制御ライン４４５を介してコネクタ１９０の制御用端子１９２に接続されている。

リーク電流測定装置５００Ｅの制御部５１０は、制御用端子１９２に正電圧を印加する。これにより、各電源回路４１０Ａ〜４１０Ｅと撮像素子１００との間が電気的に切断される。この状態で制御部５１０は、電流源５３０を制御して、電流源５３０から測定用端子１９３ａ〜１９３ｃを介して撮像素子１００に電流を供給するとともに、電流源５３０から測定用端子１９３ａ、１９３ｂ、１９３ｃに流入する電流を、電流測定部５２０に測定させる。制御部５１０は、電流測定部５２０で測定されたそれぞれの電流値をボンディングパッド２４０Ａ、２４０Ｂから流入するリーク電流の総和、ボンディングパッド２４０Ｃ、２４０Ｄから流入するリーク電流の総和、ボンディングパッド２４０Ｅから流入するリーク電流としてそれぞれ算出する。
制御部５１０は、算出したリーク電流に基づいて、撮像素子１００の良否判定を行う。

本実施例によれば、複数のリーク電流測定対象箇所でのリーク電流を共通する供給電圧ごとに測定できるので、測定時間を短縮できる。

本実施の形態では、第１および第２の実施の形態の作用効果に加えて、次の作用効果を奏する。
（１）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像素子１００と、撮像素子１００に電力を供給する電力供給回路４９０と、電力供給回路４９０と撮像素子１００とを接続する電源ライン４００上に設けられ、電力供給回路４９０から撮像素子１００に流れる電力を制御するＦＥＴ４４０と、ＦＥＴ４４０と撮像素子１００との間の電源ライン４００に測定ライン４５３を介して接続された測定用端子１９３を有するコネクタ１９０とを備える。
これにより、撮像ユニット４０のコネクタ１９０を介して外部のリーク電流測定装置５００と接続できるので、リーク電流測定装置５００との接続が容易である。たとえば、撮像素子１００が実装された基板にリーク電流測定装置５００のプローブを接触させるパッドが設けられている例では、測定に際してプローブをパッドに接触させる必要があり、検査工程が煩雑である。さらに、パッドを基板表面に設ける必要があり、基板の面積が大きくなる。

（２）撮像素子１００は複数の電力消費回路を有し、電力消費回路の各々は電源ライン４００と測定ライン４５３に接続され、コネクタ１９０は少なくとも一つの測定用端子１９３を含み、測定ライン４５３には、複数の測定ライン４５３のいずれかひとつを一つの測定用端子１９３に接続する複数のアナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｃが設けられている。
これにより、リーク電流の測定対象となる箇所が複数存在する場合でも、コネクタ１９０の測定用端子１９３を１つ設ければよい。したがって、コネクタ１９０の端子数を削減してコネクタ１９０を小型化でき、撮像ユニット４０の小型化を図れる。

（３）実装基板１２０は、複数のアナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｃを開閉制御するコントローラ４６０が設けられ、複数のアナログスイッチ４５４ａ〜４５４ｃの開閉制御指令をコントローラ４６０に入力する指令用配線が通信用端子１９４〜１９６に接続されている。
これにより、撮像ユニット４０のコネクタ１９０を介して接続した外部のリーク電流測定装置５００によって、複数存在する測定対象箇所のリーク電流を測定対象箇所毎に容易に測定できる。

（４）撮像素子１００は複数の電力消費回路を有し、電力消費回路の各々は電源ライン４００と測定ライン４５３に接続され、コネクタ１９０は少なくとも一つの測定用端子１９３を含み、複数の測定ライン４５３にはダイオード４５６が設けられ、複数のダイオード４５６のカソー-ドは複数の測定ライン４５３に接続され、複数のダイオード４５６のアノードは結線されて測定用端子１９３に接続されている。
これにより、リーク電流の測定対象となる電力消費回路が複数存在する場合でも、コネクタ１９０の測定用端子１９３を１つ設ければよい。これにより、コネクタ１９０の端子数を削減してコネクタ１９０を小型化でき、撮像ユニット４０の小型化を図れる。

（５）コネクタ１９０にはＦＥＴ４４０のゲート端子４４３と制御ライン４４５で接続された制御用端子１９２が設けられている。
これにより、撮像ユニット４０のコネクタ１９０を介して接続した外部のリーク電流測定装置５００によって、ＦＥＴ４４０の導通、非導通を制御できるので、撮像素子１００のリーク電流のみを容易に測定できる。

−−−第４の実施の形態−−−
図１８〜２２を参照して、第４の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１〜第３の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１〜第３の実施の形態と同じである。本実施の形態では、主に、電力供給部からの出力電圧を可変にした点で、第１〜第３の実施の形態と異なる。

（１）第１の実施例
図１８は、第１の実施例における電力供給部６００を模式的に示す回路図である。電力供給部６００は、基準電圧発生回路６１０と、ＤＡコンバータ６２０と、オペアンプ６３０と、電圧コントローラ６４０とを有する。
基準電圧発生回路６１０は、電源電圧Ｖ＋から基準電圧Ｖｒｅｆを生成してＤＡコンバータ６２０の基準電圧入力端子６２１に供給する。

ＤＡコンバータ６２０は、基準電圧入力端子６２１と、クロック端子６２２と、データ入力端子６２３と、データ出力端子６２４と、複数の出力端子６２５、６２６、６２７とを有する。基準電圧入力端子６２１は、基準電圧発生回路６１０に接続されている。クロック端子６２２、データ入力端子６２３およびデータ出力端子６２４は、電圧コントローラ６４０に接続されている。複数の出力端子６２５、６２６、６２７は、複数のオペアンプ６３０の入力プラス端子６３１にそれぞれ接続されている。本実施例では、ＤＡコンバータ６２０は、たとえば３つの出力端子６２５、６２６、６２７を有する。なお、図１８では、出力端子６２５に接続されたオペアンプ６３０のみを記載し、出力端子６２６、６２７に接続されたオペアンプ６３０の記載を省略している。

オペアンプ６３０は、ボルテージフォロアを構成している。図１８に図示したオペアンプ６３０では、入力プラス端子６３１は、上述したようにＤＡコンバータの出力端子６２５と接続されている。出力端子６３２は、撮像素子１００の給電端子に接続されたボンディングパッド２４０に接続されている。なお、出力端子６３２とボンディングパッド２４０との間の電源ライン６９１には、バイパスコンデンサ６９２が接続されている。
オペアンプ６３０には、電源電圧Ｖ＋とグラウンドとが接続されている。
オペアンプ６３０は、入力プラス端子６３１に印加された電圧と同じ電圧を出力端子６３２から出力する。

電圧コントローラ６４０は、ＤＡコンバータ６２０のデータ入力端子６２３にたとえばバイナリデータである制御信号を出力する。

このように構成される電力供給部６００では、電圧コントローラ６４０から出力される制御信号に基づいて、各オペアンプ６３０から出力される電圧が制御される。すなわちＤＡコンバータ６２０は、データ入力端子６２３に入力される電圧コントローラ６４０からの制御信号、および、基準電圧入力端子６２１に入力される基準電圧発生回路６１０からの基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、各出力端子６２５、６２６、６２７から出力する出力電圧をそれぞれ制御する。
そして、各オペアンプ６３０は、入力プラス端子６３１に印加された各出力端子６２５、６２６、６２７からの出力電圧と同じ電圧を各出力端子６３２から出力する。これにより、電力供給部６００は、電圧コントローラ６４０から出力される制御信号に基づいた電圧で、各ボンディングパッド２４０に電力を供給する。

なお、オペアンプ６３０の出力段には、プッシュプル回路が設けられているので、オペアンプ６３０は、電流の供給源にも電流の引き抜き源にもなり得る。そのため、ＤＡコンバータ６２０の各出力端子６２５、６２６、６２７から出力される電圧が下がり、オペアンプ６３０の出力端子６３２の出力電圧が下がると、バイパスコンデンサ６９２の電荷をオペアンプ６３０側に引き抜くことができる。これにより、ボンディングパッド２４０に供給する電力の電圧を迅速に安定化できる。
また、本実施例の電力供給部６００では、オペアンプ６３０からの電力の供給を停止する場合でも、上述したようにバイパスコンデンサ６９２の電荷をオペアンプ６３０側に引き抜くことができるので、放電回路を設けなくよい。
本実施例の電力供給部６００では、電圧コントローラ６４０から出力する制御信号の出力タイミングによって、電源の立ち上げ、電源の立ち下げのシーケンスも任意に設定できる。

第１の実施例の電力供給部６００は次のような作用効果を奏する。
撮像素子１００の複数の電力消費回路は必要とする電源電圧が異なる。また、複数の電力消費回路は撮像素子が実装される撮影装置毎に種々の仕様が要求される。したがって、電力供給部は、種々の撮影装置ごとに専用の電源として設計される。その理由は、従来の撮像素子実装式基板においては、必要な電源電圧を、たとえばレギュレータ出力電圧を分圧抵抗などで調節して所望の電圧を設定するようにしている。その結果、所望の電圧用の分圧抵抗を対象製品毎に設計する必要があり、任意の電源電圧を作成する汎用な電源を提供することができなかった。
第１実施例の電力供給部６００は、電源の出力電圧レベルを、ＤＡコンバータ６２０で生成した制御電圧により調整するように構成した。ＤＡコンバータ６２０は基準電圧に基づき任意の電圧を生成することができるので、任意の制御電圧により電源電圧を任意に調整することができる。その結果、ＤＡコンバータ６２０に与えるデジタル制御信号を外部コントローラから任意に与えることにより、一つの電力供給部６００により種々の供給電圧を生成することができ、汎用性の高い電力供給部を提供できる。

（２）第２の実施例
図１９は、第２の実施例における電力供給部６００Ａを模式的に示す回路図である。本実施例における電力供給部６００Ａは、負の電圧の電力を供給できる。以下の説明では、第１の実施例との相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施例と同じである。

電力供給部６００Ａは、オペアンプ６３０Ａをさらに備える。図１９では図示を省略しているが、ＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５、６２７には、それぞれ第１の実施例と同様にボルテージフォロアを構成するオペアンプ６３０の入力プラス端子６３１が接続されている。オペアンプ６３０Ａは、反転増幅回路を構成する。すなわち、オペアンプ６３０Ａは、入力プラス端子６３１がグラウンドに接続され、入力マイナス端子６３３が抵抗６８１を介してＤＡコンバータ６２０の出力端子６２６に接続され、抵抗６８２を介して出力端子６３２に接続されている。抵抗６８１と抵抗６８２の抵抗値は同じである。オペアンプ６３０Ａには、負電圧である電源電圧Ｖ−とグラウンドとが接続されている。

このように構成される電力供給部６００Ａでは、電圧コントローラ６４０から出力される制御信号に基づいて、オペアンプ６３０Ａから出力される電圧が制御される。すなわちＤＡコンバータ６２０は、 データ入力端子６２３に入力される電圧コントローラ６４０からの制御信号、および、基準電圧入力端子６２１に入力される基準電圧発生回路６１０からの基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて、出力端子６２６から出力する出力電圧を制御する。
そして、オペアンプ６３０Ａは、抵抗６８１と抵抗６８２の抵抗値は同じであるので、出力端子６２６からの出力電圧と絶対値が同じ負の電圧を出力端子６３２から出力する。抵抗６８１と抵抗６８２の抵抗値が異なる場合は、その抵抗の比率によって、出力端子６２６からの出力電圧を、以下の式で増／減幅して出力端子６３２から出力する事が可能である。
Ｖ（６３２） ＝ − Ｒ（６８２） ÷ Ｒ（６８１） × Ｖ（６２６）

第２の実施例の電力供給部６００Ａは第１実施例と同様の作用効果を奏する。また、撮像素子１００に負電圧電源が必要な電力消費回路が設けられ、かつ、正電圧電源回路をオペアンプで構成する電力供給部において、同様なオペアンプを用いた負電圧電源を簡単に実現できる。

（３）第３の実施例
図２０は、第３の実施例における電力供給部６００Ｂを模式的に示す回路図である。
本実施例における電力供給部６００Ｂでは、主に、第１の実施例におけるオペアンプ６３０によって構成されるボルテージフォロアに代えて、トランジスタによって構成されるエミッタフォロアを設けた点で第１の実施例と異なる。以下の説明では、第１の実施例との相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施例と同じである。

電力供給部６００Ｂは、オペアンプ６３０に代えてトランジスタ６５０を備える。図２０では、出力端子６２５に接続されたトランジスタ６５０のみを記載し、出力端子６２６、６２７に接続されたトランジスタ６５０の記載を省略している。図２０に図示したトランジスタ６５０では、ベース６５１は、ＤＡコンバータの出力端子６２５と接続され、コレクタ６５２は、電源電圧Ｖ＋と接続され、エミッタ６５３は、ボンディングパッド２４０と、エミッタ抵抗６８３を介してグラウンドに接続されている。

出力端子６２５から出力される制御電圧は、エミッタフォロアを構成するトランジスタ６５０のベース端子に印加される。トランジスタ６５０のコレクタ端子に供給されている電源電圧＋Ｖは制御電圧に応じた電圧に調整される。調整された電圧の電源は、ボンディングパッド２４０に印加される。
このように構成される電力供給部６００Ｂでは、電圧コントローラ６４０から出力される制御信号に基づいて、各トランジスタ６５０タ６５３から出力される電圧が制御される。すなわちＤＡコンバータ６２０は、 デーのエミッタ入力端子６２３に入力される電圧コントローラ６４０からの制御信号、および、基準電圧入力端子６２１に入力される基準電圧発生回路６１０からの基準電圧Ｖｒｅｆに基づいて制御電圧を生成して出力端子６２５、６２６、６２７から出力する。各トランジスタ６５０は制御電圧で駆動され、エミッタ端子に制御電圧に応じた供給電圧が得られる。この供給電圧は、対応する電力消費回路のボンディングパッド２４０に印加される。

第３の実施例の電力供給部６００Ｂは第１実施例と同様の作用効果を奏する。また、シリーズレギュレータと分圧抵抗を用いた従来の電源回路に必要であった放電抵抗やＦＥＴが不要となり、部品点数を削減でき、コストダウンを図ることができる。
なお、図２０に示す例では、トランジスタにＮＰＮ型のトランジスタを用いたが、ＰＮＰ型のトランジスタを用いてもよい。

（４）第４の実施例
図２１は、第４の実施例における電力供給部６００Ｃを模式的に示す回路図である。本実施例における電力供給部６００Ｃでは、主に、ＤＡコンバータ６２０から出力電圧を利用してシリーズレギュレータの出力電圧を変更するようにした点で第１の実施例と異なる。以下の説明では、第１の実施例との相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施例と同じである。

第４の実施例の電力供給部６００Ｃは、主にＤＡコンバータ６２０と、シリーズレギュレータ６６０とを備えて構成される。図２１では、撮影素子１００の一つの電力消費回路に電力を供給する一つの電源回路について示している。すなわち、ＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５からの制御電圧で撮像素子１００への供給電圧が制御されるシリーズレギュレータ６６０のみを記載し、出力端子６２６、６２７と接続されるシリーズレギュレータ６６０の記載を省略している。

シリーズレギュレータ６６０は、電圧可変型のシリーズレギュレータであり、入力端子６６１と、出力端子６６２と、出力電圧設定用端子６６３と、コントロール端子６６４とを有する。入力端子６６１には、電源電圧Ｖ＋が印加される。出力端子６６２は、ボンディングパッド２４０に接続されている。出力電圧設定用端子６６３は、外付けの分圧回路６８４に接続されている。分圧回路６８４は直列に接続された抵抗６８５と抵抗６８６とを有する。抵抗６８５の一端は電源ライン６９１に接続され、他端は抵抗６８６の一端および出力電圧設定用端子６６３に接続されている。抵抗６８６の他端はＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５に接続されている。
すなわち、本実施例では、外付けの分圧回路６８４の抵抗６８６の他端をグラウンドに接続する代わりに、ＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５に接続している。したがって、ＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５からの制御電圧を変更すると、出力電圧設定用端子６６３に印加される電圧も変更される。すなわち、ＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５からの制御電圧を変更すると、シリーズレギュレータ６６０の出力端子６６２から出力される電圧も変更される。

第４の実施例の電力供給部６００Ｃは第１実施例と同様の作用効果を奏する。また、撮像素子用電源として従来から使用されているシリーズレギュレータを用いて、撮像素子に供給する電力の電圧を任意に変更することができるので、電力供給部６００Ｃの設計を変更が容易である。

（５）第５の実施例
図２２は、第５の実施例における電力供給部６００Ｄを模式的に示す回路図である。本実施例における電力供給部６００Ｄでは、主に、電圧可変型のシリーズレギュレータに代えて、電圧固定型のシリーズレギュレータを用いた点で第４の実施例と異なる。以下の説明では、第１および第４の実施例との相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１および第４の実施例と同じである。

上述したように、電力供給部６００Ｄは、電圧可変型のシリーズレギュレータ６６０に代えて、電圧固定型のシリーズレギュレータの一例としての３端子レギュレータ６７０を備える。図２２では、出力端子６２５と接続される３端子レギュレータ６７０のみを記載し、出力端子６２６、６２７と接続される３端子レギュレータ６７０の記載を省略している。
３端子レギュレータ６７０は、入力端子６７１と、出力端子６７２と、接地端子６７３とを有する。入力端子６６１には、電源電圧Ｖ＋が印加される。出力端子６６２は、ボンディングパッド２４０に接続されている。接地端子６７３はＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５に接続されている。
すなわち、本実施例では、接地端子６７３をグラウンドに接続する代わりに、ＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５に接続している。したがって、ＤＡコンバータ６２０の出力端子６２５からの制御電圧を変更すると、３端子レギュレータ６７０の出力端子６７２から出力される電圧も変更される。

第５の実施例の電力供給部６００Ｄは第１実施例と同様の作用効果を奏する。また、撮像素子用電源として従来から使用されているシリーズレギュレータを用いて、撮像素子に供給する電力の電圧を任意に変更ですることができるので、電力供給部６００Ｄの設計を変更が容易である。

本実施の形態では、第１から第３の実施の形態の作用効果に加えて、次の作用効果を奏する。
（１）実装基板１２０は、撮像素子１００が配置される基板であって、基準電圧Ｖｒｅｆを生成する基準電圧発生回路６１０と、基準電圧発生回路６１０から出力された基準電圧Ｖｒｅｆにより撮像素子１００を駆動させるための複数の電源電圧を出力するＤＡコンバータ６２０とを備える。
これにより、ＤＡコンバータ６２０に与えるデジタル制御信号を外部コントローラから任意に与えることにより、一つの電力供給部６００により種々の供給電圧を生成することができ、汎用性の高い電力供給部を提供できる。

（２）実装基板１２０は、撮像素子１００が配置される基板であって、基準電圧Ｖｒｅｆを生成する基準電圧発生回路６１０と、
基準電圧発生回路６１０から出力された基準電圧Ｖｒｅｆにより複数の制御電圧を出力するＤＡコンバータ６２０と、
ＤＡコンバータ６２０から出力される制御電圧により撮像素子１００を駆動させるための電源電圧を出力するシリーズレギュレータ６６０または３端子レギュレータ６７０と、を備える。
これにより、ＤＡコンバータ６２０に与えるデジタル制御信号を外部コントローラから任意に与えることにより、一つの電力供給部６００により種々の供給電圧を生成することができ、汎用性の高い電力供給部を提供できる。

次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。
（変形例１）上述した第３および第４の実施の形態では、制御部５１０とコントローラ４６０との間、および、電圧コントローラ６４０とＤＡコンバータ６２０との間でシリアル３線式の通信を行っている。しかし、制御部５１０とコントローラ４６０との間、および、電圧コントローラ６４０とＤＡコンバータ６２０との間における通信は、シリアル３線式の通信に限らず、Ｉ２Ｃ通信など各種の方式を用いることができる。

（変形例２）上述した第３の実施の形態の第３の実施例では、ＦＥＴ４４０を制御するコントローラが撮像ユニット４０の内部には設けられていないが、第２の実施例と同様に撮像ユニット４０の内部にコントローラ４６０を設け、コントローラ４６０からの正電圧の出力によって各ＦＥＴ４４０の導通状態／非導通状態を制御するようにしてもよい。

（変形例３）上述した第４の実施の形態では、基準電圧発生回路６１０が電源電圧Ｖ＋から基準電圧Ｖｒｅｆを生成してＤＡコンバータ６２０の基準電圧入力端子６２１に供給した。しかし、ＤＡコンバータ６２０が基準電圧発生回路を内蔵している場合には、外付けの基準電圧発生回路６１０を設けなくてもよい。さらに、シリーズレギュレータ６６０の内部に基準電圧発生回路を内蔵し、その基準電圧Ｖｒｅｆを外部に取り出せる場合は、その基準電圧を使用する事で、外付けの基準電圧発生回路６１０を設けなくてもよい。

上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。

１０；カメラ、４０；撮像ユニット、１００；撮像素子、１１１；第１主面、１１２；第２主面、１２０；実装基板、１４０；フレーム、１７０；熱伝達部材、１８５；反り制御部材、１９０；コネクタ、１９２；制御用端子、１９３；測定用端子、１９４〜１９６；通信用端子、２０１、２１１；ソルダレジスト層、２０２、２０４、２０６、２１２、２１４、２１６；配線層、２０２ａ；配線パターン、２０２ｄ；変形制御用パターン、２０３、２０５、２１３、２１５；絶縁層、４００；電源ライン、４４０；ＦＥＴ、４４５；制御ライン、４５３；測定ライン、４５４；アナログスイッチ、４５６；ダイオード
４６０；コントローラ、４９０；電力供給回路、６１０；基準電圧発生回路、６２０；ＤＡコンバータ、６３０；オペアンプ、６５０；トランジスタ、６６０；シリーズレギュレータ、６７０；３端子レギュレータ

Claims (10)

1. 被写体を撮像する撮像素子が配置される基板であって、
   前記基板を保護する第１保護膜が形成された第１面と、
   前記第１面とは反対側の面であって、前記第１面側が凸に反るか、前記第１面側が凹に反るか、のうちいずれか一方となるように前記第１保護膜とは膜厚が異なる第２保護膜が形成された第２面と、
   を備える基板。
2. 請求項１に記載の基板において、
   前記第１面は、前記撮像素子が配置され、
   前記第２面は、前記第１面側が凸に反るように前記第１保護膜よりも膜厚が大きい前記第２保護膜が形成される基板。
3. 請求項２に記載の基板において、
   前記第１面及び前記第２面の間に設けられた第１金属層と、
   前記第１金属層よりも前記第２面側に設けられ、金属部分が占める面積及び厚さの少な
   くとも一方が前記第１金属層とは異なる第２金属層と、
   を備える基板。
4. 請求項２または請求項３に記載の基板において、
   前記第１面及び前記第２面の間に設けられた第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層よりも前記第２面側に設けられ、前記第１絶縁層とは厚さおよび熱膨張係数の少なくとも一方が異なる第２絶縁層と、
   を備える基板。
5. 請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の基板において、
   前記第１面には、前記撮像素子から出力される信号を読み出す配線パターン、および温度変化による前記配線パターンの収縮膨張による前記第１面および第２面の歪みを補償する歪み補償部が設けられる基板。
6. 請求項２から請求項５のいずれか一項に記載の基板において、
   少なくとも一部の領域が露出した、前記撮像素子で発生した熱を外部へ伝えるための金属層を有する基板。
7. 請求項６に記載の基板において、
   前記撮像素子は、光電変換素子が配置された撮像面を有し、
   前記金属層は、前記撮像素子の前記撮像面とは反対側の面と対向する領域において露出している基板。
8. 請求項６に記載の基板において、
   前記撮像素子は、光電変換素子が配置された撮像面を有し、
   前記金属層は、前記撮像素子の前記撮像面とは反対側の面であって、前記光電変換素子により得られた信号を処理する処理回路が設けられた領域と対向する領域において露出している基板。
9. 請求項６に記載の基板において、
   前記金属層は、前記第１面に形成され、前記撮像素子を囲み前記撮像素子からの熱が伝熱されるフレームが取り付けられる取付部において露出している基板。
10. 請求項６に記載の基板において、
    前記金属層は、前記第２面に形成され、伝熱部材が取り付けられる取付部において露出している基板。

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